CN107871751B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基底，具有平面区域、从平面区域延伸的弯曲区域以及从弯曲区域延伸的外围区域；第一保护层，位于弯曲区域的边界部分处；以及第二保护层，覆盖弯曲区域的整个表面并覆盖第一保护层。

Description

显示装置
本申请要求于2016年9月22日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2016-0121532号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的各方面涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置可以基于其发光方案被分类为液晶显示(“LCD”)装置、有机发光二极管(“OLED”)显示装置、等离子体显示面板(“PDP”)装置和电泳显示装置等。
正在开发能够被弯曲的柔性显示装置。这样的柔性显示装置由于其可以在折叠的或弯曲的形状下使用，因而可以用于各种领域。在柔性显示装置中，显示元件设置在柔性基底上。
柔性显示装置可以通过弯曲显示装置的至少一个侧端部来实现窄边框。在这样的示例性实施例中，裂纹会出现在弯曲区域中的金属布线中。
因此，可以在弯曲区域中形成保护层以基本防止或减少金属布线的破损。然而，保护层会接触显示区域中的驱动电路元件或偏振器，因而导致显示装置的显示质量的退化。
将理解的是此背景技术部分意图提供对理解技术有用的背景，并且如在这里公开的，背景技术部分可以包括不属于相关领域技术人员在这里公开的主题的相应的有效提交日期之前已知的或理解的一部分的想法、概念或认知。
发明内容
本发明的实施例的各方面针对一种具有改善的显示质量的显示装置。
根据本发明的示例性实施例，提供了一种显示装置，显示装置包括：基底，具有平面区域、从平面区域延伸的弯曲区域以及从弯曲区域延伸的外围区域；第一保护层，位于弯曲区域的边界部分处；以及第二保护层，覆盖弯曲区域的整个表面并覆盖第一保护层。
在一些实施例中，第一保护层和第二保护层位于平面区域的至少一部分处。
在一些实施例中，第一保护层和第二保护层位于外围区域的至少一部分处。
在一些实施例中，第一保护层和第二保护层包括光固化树脂。
在一些实施例中，第一保护层具有500μm至800μm的宽度。
在一些实施例中，第一保护层具有30μm至70μm的厚度。
在一些实施例中，第一保护层和第二保护层在第一保护层和第二保护层之间的叠置区域处具有70μm至130μm的厚度。
在一些实施例中，第一保护层围绕弯曲区域的中心部分。
在一些实施例中，显示装置还包括：栅极线，位于基底上并位于平面区域处；数据线，与栅极线交叉；以及薄膜晶体管，连接至栅极线和数据线。
在一些实施例中，显示装置还包括位于基底上并位于外围区域处的驱动集成电路。
在一些实施例中，显示装置还包括位于基底的后表面上的支撑膜。
在一些实施例中，支撑膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。
前述仅是说明性的而非意图以任何方式加以限制。除了上面描述的说明方面、示例性实施例和特征之外，通过参照附图和以下详细描述，另外的方面、示例性实施例和特征将变得更加明显。
附图说明
通过参考附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的更完整的理解将变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的平面图；
图2是示出根据本发明的示例性实施例的折叠状态下的显示装置的剖视图；
图3是示出根据本发明的示例性实施例的图1的区域“A”中的基底和第一保护层的局部放大图；
图4是沿图3的线I-I'截取的剖视图；
图5是示出根据本发明的替代示例性实施例的图1的区域“A”中的基底和第一保护层的局部放大图；
图6是示出根据本发明的另一替代示例性实施例的图1的区域“A”中的基底和第一保护层的局部放大图；
图7是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板的一部分的局部放大图；以及
图8是沿图7的线II-II'截取的剖视图。
具体实施方式
现在在下文中将参照附图更充分地描述示例性实施例。尽管发明可以以各种适当的方式修改并具有若干个示例性实施例，但是在附图中示出了示例性实施例并将在说明书中主要描述示例性实施例。然而，发明的范围不限于示例性实施例并且示例性实施例应该被理解为包括包含在发明的精神和范围内的全部改变、等同物和替换物。
在附图中，为清楚起见和便于对多个层和区域进行描述，可以以放大的方式示出多个层和区域的厚度。
在这里使用的术语是出于描述具体实施例的目的而不意图限制发明构思。如在这里使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个”和“一种”也意图包括复数形式。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意和全部组合。当诸如“……中的至少一个”的表述位于一列元素/元件之后时，修饰整列的元素/元件而不是修饰该列中的个别元素/元件。另外，当使用“可以”来描述发明构思的实施例时指示“发明构思的一个或更多个实施例”。此外，术语“示例性”意图指示示例或说明。
当层、区域或板被称作“在”另一层、区域或板“上”时，该层、区域或板可以直接在所述另一层、区域或板上，或者其间可以存在中间层、中间区域或中间板。相反，当层、区域或板被称作“直接在”另一层、区域或板“上”时，其间可以不存在中间层、中间区域或中间板。另外，当层、区域或板被称作“在”另一层、区域或板“下”时，该层、区域或板可以直接在所述另一层、区域或板下，或者其间可以存在中间层、中间区域或中间板。相反，当层、区域或板被称作“直接在”另一层、区域或板“下”时，其间可以不存在中间层、中间区域或中间板。
为了易于描述，在这里可以使用空间相对术语“在……下”、“在……之下”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，空间相对术语意图包括装置在使用或操作中的除了附图中绘出的方位之外的不同方位。例如，在附图中示出的装置被翻转的情况下，被放置为在另一装置“下方”或“之下”的装置可以被定位为在另一装置“上方”。因此，说明性术语“在……下方”可以包含下方位置和上方位置。装置也可以被定位在其他方向，因此可以根据定位不同地解释空间相对术语。
在整个说明书中，当元件被称作“连接到”另一元件时，该元件“直接连接到”所述另一元件，或者通过置于其间的一个或更多个中间元件“电连接到”所述另一元件。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”及其变型和/或“包括”及其变型时，说明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”和“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件与另一个元件区分开来。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”可以被命名为“第二元件”或“第三元件”，“第二元件”和“第三元件”也可以同样地被命名。
考虑到与特定量的测量相关联的问题和误差(即，测量系统的局限性)方面的测量，如在这里使用的“大约”或“近似”包含由本领域普通技术人员确定的特定值的偏差的可接受范围内的所陈述的值和平均值。例如，“大约”可以指在一个或更多个标准偏差之内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％之内。
此外，在这里记载的任意数值范围意图包括包含在记载的范围之内的相同数值精度的全部子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括记载的最小值1.0和记载的最大值10.0之间(并且包括记载的最小值1.0和记载的最大值10.0)的全部的子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值以及等于或小于10.0的最大值，诸如，以2.4至7.6为例。这里记载的任意最大数值限度意图包括包含于此的全部较低的数值限度，此说明书中记载的任意最小的数值限度意图包括包含于此的全部更高的数值限度。因此，申请人保留修改此说明书(包括权利要求)的权利以清楚地记载清楚地记载在这里的范围之内的任意子范围。所有这样的范围意图在本说明书中被本质地描述。
如在这里使用的，术语“使用”及其变型可以被理解为分别与“利用”及其变型同义。
除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明从属其的领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在本说明书中明确地定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与在相关领域的上下文中它们的含义相一致的含义，而将不以理想化或过于形式化的意思来理解。
可以不提供与描述不相关的一些部分以明确地描述本发明的实施例，并且在整个说明书中，同样的附图标记指示同样的元件。
在下文中，将参照图1、图2、图3和图4描述示例性实施例。根据示例性实施例的显示装置假定为有机发光二极管(“OLED”)显示装置。然而，示例性实施例的范围不限于OLED显示装置。例如，本发明可以被应用到液晶显示(“LCD”)装置。
图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的平面图。图2是示出根据本发明的示例性实施例的折叠状态下的显示装置的剖视图。
参照图1和图2，根据示例性实施例的显示装置100包括基底110、驱动电路单元200、包封层250、偏振器270、第一保护层310、第二保护层320和驱动集成电路(“IC”)400。
基底110包括包含显示区域DA的平面区域PA、从平面区域PA延伸的弯曲区域BA以及从弯曲区域BA延伸的外围区域SA。根据示例性实施例的基底110在弯曲区域BA处弯曲使得其上设置有驱动IC 400的外围区域SA可以位于平面区域PA的后表面上。因此，可以减小侧边框的宽度，并且因此可以提供窄边框的显示装置100。
此外，描述的是，如图1中所示，根据示例性实施例的弯曲区域BA位于平面区域PA的下侧上。然而，示例性实施例不限于此，弯曲区域BA可以位于平面区域PA的左侧、右侧或上侧上。此外，尽管基底110被描述为具有固定的厚度，但是示例性实施例不限于此。基底110在弯曲区域BA中可以具有比在平面区域PA中小的厚度。
基底110可以包括具有柔性的塑料材料。例如，基底110可以包括从由卡普顿(kapton)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丙烯酸酯(PAR)和纤维增强塑料(FRP)组成的组中选择的一种。
驱动电路单元200、包封层250和偏振器270可以设置在基底110上并位于平面区域PA处。驱动电路单元200包括将在下面描述的栅极线151、与栅极线151交叉的数据线171、连接至栅极线151与数据线171的薄膜晶体管10和20以及有机发光二极管(“OLED”)210。即，OLED 210根据通过栅极线151、数据线171以及薄膜晶体管10和20接收的驱动信号发射光以显示图像，这将在下面详细地描述。
包封层250设置在驱动电路单元200上。包封层250基本防止诸如湿气或氧的外部空气渗透到驱动电路单元200中。此外，还可以在包封层250上堆叠用于保护驱动电路单元200的阻挡膜。
偏振器270设置在包封层250上。偏振器270可以设置在平面区域PA处以补偿显示装置100的光学特性。例如，偏振器270可以仅允许来自外部的光中的特定偏振光通过并且吸收或阻挡其他光。此外，偏振器270可以基本防止或减少外部光的反射。
信号布线205设置在基底110上并位于弯曲区域BA处。信号布线205可以电连接平面区域PA的显示区域DA和外围区域SA的驱动IC 400。因此，信号布线205形成为延伸至平面区域PA的显示区域DA以及外围区域SA。
信号布线205可以包括与将在下面描述的栅电极152和155中包括的材料相同或基本相同的材料。此外，信号布线205可以包括与将在下面描述的源电极173和176、漏电极174和177或像素电极211中包括的材料相同或基本相同的材料。此外，信号布线205可以包括额外的金属材料。优选的是，信号布线205包括柔性金属材料以减少基底110的弯曲期间的损坏或使基底110的弯曲期间的损坏基本最小化。例如，信号布线205可以包括铜(Cu)和/或铜合金等。
第一保护层310和第二保护层320设置在信号布线205上以基本防止或减少弯曲期间信号布线205的破损和湿气渗透。即，第一保护层310和第二保护层320可以在弯曲区域BA中设置在信号布线205上。第一保护层310和第二保护层320可以包括可以减少施加到弯曲区域BA中的信号布线205的力或使施加到弯曲区域BA中的信号布线205的力基本最小化的材料。在这样的示例性实施例中，可以考虑第一保护层310和第二保护层320的厚度和杨氏模量等。
驱动IC 400安装在基底110上并位于外围区域SA处。根据示例性实施例的驱动IC400是安装有电路芯片等的组件并从外部或单独的印刷电路板(PCB)接收驱动信号。驱动IC400可以转换输入的驱动信号并通过信号布线205将转换的驱动信号供应至平面区域PA的显示区域DA。根据示例性实施例的驱动IC 400被描述为安装在基底110上；然而，示例性实施例不限于此。在示例性实施例中，驱动IC 400可以安装在单独的PCB或FPCB等上。
根据示例性实施例的显示装置100还可以包括位于基底110的后表面上的支撑膜510、辅助构件520以及粘合层525。
支撑膜510可以位于基底110的后表面上，并可以仅位于与基底110的平面区域PA对应的部分处。因此，可以基本防止或减少弯曲时平面区域PA中的基底110的弯曲。例如，支撑膜510可以是呈现优异(例如，高)强度和耐热性的PET膜。
被弯曲的基底110使用辅助构件520和粘合层525附着。辅助构件520的一个侧表面可以具有圆形形状。因此，基底110可以在弯曲区域BA中沿着圆形的辅助构件520以预设或预定的半径弯曲。
粘合层525可以是液体粘合剂。例如，在将辅助构件520设置在涂覆有液体粘合剂的基底110上之后，可以通过使液体粘合剂固化来将弯曲的基底110和辅助构件520彼此附着。在一些实施例中，粘合层525可以是双面胶带。粘合层525可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、氟树脂和/或特氟隆树脂等。
根据示例性实施例的显示装置100可以通过将其上设置有驱动IC 400的外围区域SA定位在平面区域PA的后表面上来减小边框宽度。
图3是示出根据本发明的示例性实施例的图1的区域“A”中的基底和第一保护层的局部放大图。图4是沿图3的线I-I'截取的剖视图。
参照图3和图4，根据示例性实施例的显示装置包括位于基底110上并位于弯曲区域BA处的第一保护层310和第二保护层320以基本防止或减少信号布线205的破损和湿气渗透。
第一保护层310设置在弯曲区域BA的边界部分处。例如，如图3和图4中所示，第一保护层310可以设置在弯曲区域BA和平面区域PA之间的边界部分处。
第二保护层320设置在弯曲区域BA的整个表面上以覆盖第一保护层310。第一保护层310和第二保护层320可以包括可以减少施加到弯曲区域BA中的信号布线205的力或使施加到弯曲区域BA中的信号布线205的力基本最小化的材料。在这样的示例性实施例中，可以考虑第一保护层310和第二保护层320的厚度和/或杨氏模量等以适当地选择材料。例如，第一保护层310和第二保护层320可以包括光固化树脂。此外，第一保护层310和第二保护层320可以包括相同或基本相同的材料。
例如，将形成第一保护层310的材料(其为光固化树脂)涂覆到基底110上并且涂覆在弯曲区域BA的边界部分处，之后将其预固化。在这样的示例性实施例中，第一保护层310的宽度(例如，最大宽度)被定义为第一宽度W1，其可以在大约500μm到大约800μm的范围内。接下来，将形成第二保护层320的材料(其为光固化树脂)涂覆到弯曲区域BA的整个表面以完全覆盖形成第一保护层310的预固化的材料。在这样的示例性实施例中，也可以将形成第二保护层320的材料涂覆到平面区域PA以及与弯曲区域BA相邻的外围区域SA，使得第二保护层320可以在弯曲区域BA中具有固定或基本固定的高度。接下来，充分固化形成第一保护层310的材料和形成第二保护层320的材料以形成第一保护层310和第二保护层320。
在这样的示例性实施例中，吸力出现在形成第一保护层310的预固化的材料和涂覆在形成第一保护层310的预固化的材料上的形成第二保护层320的材料之间。形成第一保护层310的材料和形成第二保护层320的材料之间的吸力大于形成第二保护层320的材料和基底110之间的吸力。因此，如图4中所示，在固化期间吸力沿箭头600的方向向第二保护层320施加，使得可以减少第一保护层310和第二保护层320与平面区域PA之间的叠置区域或者使第一保护层310和第二保护层320与平面区域PA之间的叠置区域基本最小化。
例如，如图4中所示，当第一保护层310和第二保护层320与平面区域PA之间在剖面上的叠置距离定义为第一距离L1时，第一距离L1可以在从大约200μm到大约400μm的范围内。当第一距离L1为大约600μm或更大时，由于第二保护层320和驱动电路单元200或偏振器270之间的接触，显示质量在显示装置100的边缘区域处会退化。
此外，当第一保护层310的厚度(即，第一保护层310自信号布线205的高度(例如，最大高度)被定义为第一高度h1，并且第一保护层310和第二保护层320的厚度(即，第二保护层320自信号布线205的高度)被定义为第二高度h2时，第一高度h1小于第二高度h2。在这样的示例性实施例中，第一高度h1可以在从大约30μm到大约70μm的范围内，第二高度h2可以在从大约70μm到大约130μm的范围内。
根据示例性实施例的显示装置100包括在弯曲区域BA的边界部分处形成为多层结构的保护层310和320，使得可以减少保护层310和320与平面区域PA之间的叠置区域或使保护层310和320与平面区域PA之间的叠置区域基本最小化。因此，可以基本防止形成第一保护层310的材料和形成第二保护层320的材料在平面区域PA处接触驱动电路单元200或偏振器270，从而改善显示装置100的显示质量。
图5是示出根据本发明的替代示例性实施例的图1的区域“A”中的基底和第一保护层的局部放大图。为方便起见，将省略对与本发明的示例性实施例的构造基本相同的构造的描述。
参照图5，根据替代示例性实施例的显示装置100包括位于基底110上并位于弯曲区域BA处的一对第一保护层310和311以及第二保护层320(例如，见图4)，以基本防止或减少信号布线205的破损和湿气渗透。
所述一对第一保护层310和311设置为分别与平面区域PA的至少一部分以及外围区域SA的至少一部分叠置。所述一对第一保护层310和311可以包括光固化树脂。此外，所述一对第一保护层310和311可以包括相同或基本相同的材料。
当第一保护层311和第二保护层320与外围区域SA在剖面上的叠置距离被定义为第二距离时，第二距离可以在从大约200μm到大约400μm的范围内。当第二距离为大约600μm或更大时，由于第二保护层320和驱动IC 400之间的接触，会出现缺陷。
根据替代示例性实施例的显示装置100包括位于弯曲区域BA和外围区域SA之间的边界部分处的多层结构的保护层311和320，使得可以减少保护层311和320与外围区域SA之间的叠置区域或者可以使保护层311和320与外围区域SA之间的叠置区域基本最小化。因此，可以基本防止或减少当形成保护层311和320的材料在外围区域SA处接触驱动IC 400时出现的缺陷。
图6是示出根据本发明的另一替代示例性实施例的图1的区域“A”中的基底和第一保护层的局部放大图。为方便起见，将省略对与本发明的替代示例性实施例的构造基本相同的构造的描述。
参照图6，根据另一替代示例性实施例的显示装置100包括位于基底110上并位于弯曲区域BA处的第一保护层312和第二保护层320(例如，见图4)，以基本防止或减少信号布线205的破损和湿气渗透。
第一保护层312设置为围绕弯曲区域BA的中心部分。然而，示例性实施例不限于此，第一保护层312可以仅设置在弯曲区域BA的左侧和右侧上。第一保护层312和第二保护层320可以包括光固化树脂。此外，第一保护层312和第二保护层320可以包括相同或基本相同的材料。
根据另一替代示例性实施例的第一保护层312可以设置在弯曲区域BA的左侧和右侧上使得可以基本防止第一保护层312和第二保护层320从基底110泄露。因此，第二保护层320可以形成为在弯曲区域BA的左侧和右侧处具有固定或基本固定的高度。
图7是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板的一部分的局部放大图。图8是沿图7的线II-II'截取的剖视图。
参照图7和图8，根据示例性实施例的显示面板包括多个像素，所述像素包括开关薄膜晶体管(“TFT”)10、驱动TFT 20、电容器80和OLED 210。OLED 210由于其可以在相对低的温度下放置并具有诸如低功耗和高亮度等的特性因而可以广泛用于柔性显示装置中。在这里，术语“像素”指用于显示图像的颜色的最小单元，显示面板通过多个像素显示图像。
此外，在图中示出的是每个像素包括两个TFT和一个电容器；然而，示例性实施例不限于此。在一些示例中，每个像素可以包括三个或更多个TFT以及两个或更多个电容器，并可以通过包含额外布线而具有各种适当的结构。
显示面板可以包括基底110、位于基底110上的栅极线151、与栅极线151绝缘并交叉的数据线171和共电源线172。通常，可以由栅极线151、数据线171和共电源线172作为边界限定每个像素；然而，示例性实施例不限于此。可以由像素限定层或黑矩阵来限定像素。
基底110可以包括柔性材料。柔性材料的示例可以包括塑料材料。例如，基底110可以包括卡普顿、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丙烯酸酯(PAR)和/或纤维增强塑料(FRP)等。
此外，基底110具有在从大约5μm到大约200μm的范围内的厚度。当基底110具有比大约5μm小的厚度时，基底110难以稳定地支撑OLED 210。另一方面，当基底110具有大约200μm或更大的厚度时，基底110的柔性特性会劣化。
缓冲层120设置在基底110上。缓冲层120被构造为基本防止或减少不期望的元素的渗透并构造为使其下方的表面平坦化，并可以包括用于防止或减少渗透和/或用于平坦化的适当的材料。例如，缓冲层120可以包括氮化硅(SiNx)层、氧化硅(SiO2)层和/或氮氧化硅(SiOxNy)层。然而，缓冲层120不一定是必需的，并可以根据基底110的种类及其工艺条件而被省略。
开关半导体层131和驱动半导体层132设置在缓冲层120上。开关半导体层131和驱动半导体层132可以包括多晶硅层、非晶硅层以及诸如氧化铟镓锌(IGZO)和/或氧化铟锌锡(IZTO)等的氧化物半导体。例如，在驱动半导体层132包括多晶硅层的示例中，驱动半导体层132包括未掺杂杂质的沟道区以及形成在沟道区的相对的侧上的p掺杂的源区和漏区。在这样的示例性实施例中，可以使用诸如硼B的p型杂质作为掺杂剂离子，并且通常使用B2H6。这样的杂质可以根据TFT的种类变化。根据示例性实施例的驱动TFT 20使用包括p型杂质的p沟道金属氧化物半导体(PMOS)TFT；然而，示例性实施例不限于此。在一些示例中，驱动TFT20可以使用n沟道金属氧化物半导体(NMOS)TFT或互补金属氧化物半导体(CMOS)TFT。
栅极绝缘层140设置在开关半导体层131和驱动半导体层132上。栅极绝缘层140可以包括正硅酸四乙酯(TEOS)、氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiO2)等。例如，栅极绝缘层140可以具有双层结构，所述双层结构顺序地堆叠有具有大约40nm的厚度的SiNx层以及具有大约80nm厚度的TEOS层。
包括栅电极152和155的栅极布线设置在栅极绝缘层140上。栅极布线还包括栅极线151、第一电容器板158和其他布线。此外，栅电极152和155设置为与半导体层131和132的至少一部分(例如，其沟道区)叠置。在形成半导体层131和132的工艺期间当半导体层131和132的源区和漏区掺杂有杂质时，栅电极152和155用于防止或基本防止沟道区被掺杂有杂质。
栅电极152和155以及第一电容器板158设置在相同或基本相同的层上，并包括相同或基本相同的金属材料。栅电极152和155以及第一电容器板158可以包括钼(Mo)、铬(Cr)和/或钨(W)等。
与栅电极152和155叠置的绝缘层间层160设置在栅极绝缘层140上。与栅极绝缘层140类似，绝缘层间层160可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和/或四乙氧基硅烷(TEOS)等，或者可以由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和/或四乙氧基硅烷(TEOS)等形成；然而，示例性实施例不限于此。
包括源电极173和176以及漏电极174和177的数据布线设置在绝缘层间层160上。数据布线还包括数据线171、共电源线172、第二电容器板178和其他布线。此外，源电极173和176以及漏电极174和177通过限定在栅极绝缘层140和绝缘层间层160中的接触孔分别连接至半导体层131和132的源区和漏区。
如此，开关TFT 10包括开关半导体层131、开关栅电极152、开关源电极173和开关漏电极174，驱动TFT 20包括驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176和驱动漏电极177。TFT 10和20的构造不限于上述实施例，因此可以被修改为本领域技术人员已知并可以容易想到的各种适当的结构。
此外，电容器80包括第一电容器板158和第二电容器板178，绝缘层间层160置于第一电容器板158和第二电容器板178之间。
开关TFT 10可以用作构造为选择像素以执行光发射的开关元件。开关栅电极152连接至栅极线151。开关源电极173连接至数据线171。开关漏电极174与开关源电极173分隔开并连接至第一电容器板158。
驱动TFT 20将使得选择的像素中的OLED 210的发光层212发射光的驱动功率施加到像素电极211。驱动栅电极155连接至第一电容器板158。驱动源电极176和第二电容器板178中的每个连接至共电源线172。驱动漏电极177通过接触孔连接至OLED 210的像素电极211。
利用前述结构，开关TFT 10通过施加到栅极线151的栅极电压而被驱动并用于将施加到数据线171的数据电压传输至驱动TFT 20。与从共电源线172施加到驱动TFT 20的共电压和从开关TFT 10传输的数据电压的差相等的电压存储在电容器80中，与存储在电容器80中的电压对应的电流通过驱动TFT20流至OLED 210，使得OLED 210可以发射光。
平坦化层165设置为覆盖数据布线，例如被图案化为信号层的数据线171、共电源线172、源电极173和176、漏电极174和177以及第二电容器板178。
平坦化层165用于消除或减小高度差并使其下方的表面平坦化以提高将形成于其上的OLED 210的发光效率。平坦化层165可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂(例如聚苯醚树脂)、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯(BCB)等。
OLED 210的像素电极211设置在平坦化层165上。像素电极211通过限定在平坦化层165中的接触孔连接至漏电极177。
暴露像素电极211的至少一部分以限定像素区域的像素限定层190设置在平坦化层165上。像素电极211与像素限定层190的像素区域对应设置。像素限定层190可以包括树脂，诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂。
发光层212设置在像素区域中的像素电极211上，共电极213设置在像素限定层190和发光层212上。发光层212包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。空穴注入层HIL和空穴传输层HTL中的至少一个还可以设置在像素电极211和发光层212之间，电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一个还可以设置在发光层212和共电极213之间。
像素电极211和共电极213可以形成为透明电极、半透半反电极和反射电极中的一个。
透明导电氧化物(“TCO”)可以用于形成透明电极。TCO的示例可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或In2O3(氧化铟)。
以镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)和铜(Cu)为例的金属和/或其合金等可以用于形成半透半反电极和反射电极。在这样的示例性实施例中，电极是半透半反型还是反射型取决于电极的厚度。典型地，半透半反电极具有大约200nm或更小的厚度，反射电极具有大约300nm或更大的厚度。随着半透半反电极的厚度减小，光透射性和电阻增加。另一方面，随着半透半反电极的厚度增大，光透射性减小。
此外，半透半反电极和反射电极可以具有多层结构，其包括包含金属或金属合金的金属层以及堆叠在金属层上的TCO层。
包封层250设置在共电极213上。包封层250包括一个或更多个无机层251、253和255以及一个或更多个有机层252和254。此外，包封层250可以具有无机层251、253和255以及有机层252和254交替堆叠的结构。在这样的示例性实施例中，无机层251设置在最下部分处。即，无机层251设置为最邻近OLED 210。
在示例性实施例中，包封层250包括三个无机层251、253和255以及两个有机层252和254；然而，示例性实施例不限于此。
无机层251、253和255中的每个可以包括Al2O3、TiO2、ZrO、SiO2、AlON、AlN、SiON、Si3N4、ZnO和/或Ta2O5等。无机层215、253和255可以通过诸如化学气相沉积(CVD)方法或原子层沉积(ALD)方法的方法形成。然而，示例性实施例不限于此，无机层251、253和255可以使用本领域技术人员已知的各种适当的方法形成。
有机层252和254可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。此外，有机层252和254通过热沉积工艺形成。用于形成有机层252和254的热沉积工艺可以在不会损坏OLED 210的温度范围内执行。然而，示例性实施例不限于此，有机层252和254可以使用相关领域内技术人员已知的各种适当的方法形成。
具有高密度薄膜的无机层215、253和255可以基本防止或有效地减少大部分湿气或氧的渗透。通过无机层251、253和255可以极大地防止湿气和氧渗透到OLED 210中。
包封层250可以具有大约10μm或更小的厚度。因此，显示面板的整体厚度可以明显变薄。通过以这样的方式应用包封层250，可以使显示面板的柔性特性基本最大化。
根据一个或更多个示例性实施例的柔性显示装置即使重复弯曲操作，也可以通过形成具有高强度材料的金属板来基本防止或减少被提供以屏蔽热耗散和电磁波的金属板的变形。
此外，通过在高强度金属板的弯曲部分处形成预设或预定图案，可以分散金属板的应力。
如上文所阐述的，根据一个或更多个示例性实施例，通过在弯曲区域的边界部分处包括多层结构的保护层，可以改善显示装置的显示质量。
虽然已经参照本发明的示例性实施例示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员将清楚的是在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明做出形式和细节上的各种适当的改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，具有平面区域、从所述平面区域延伸的弯曲区域以及从所述弯曲区域延伸的外围区域；
包封层，在平面区域中设置在所述基底上；
第一保护层，位于所述平面区域与所述弯曲区域之间的边界部分处，并且在平面图中与所述弯曲区域的中心部分间隔开；以及
第二保护层，覆盖所述弯曲区域并覆盖所述第一保护层的全部，
其中，所述第二保护层在平面图中与所述包封层间隔开。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一保护层和所述第二保护层位于所述平面区域的至少一部分处。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一保护层和所述第二保护层位于所述外围区域的至少一部分处。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一保护层和所述第二保护层包括光固化树脂。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一保护层具有500μm至800μm的宽度。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一保护层具有30μm至70μm的厚度。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一保护层和所述第二保护层在所述第一保护层和所述第二保护层之间的叠置区域处具有70μm至130μm的厚度。
8.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
栅极线，位于所述基底上并位于所述平面区域处；
数据线，与所述栅极线交叉；以及
薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线。
9.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述基底上并位于所述外围区域处的驱动集成电路。
10.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述基底的后表面上的支撑膜。
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