CN108695368A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种显示设备。显示设备包括基底、驱动电路、像素电极、公共电极、显示层和热电元件，其中，基底包括至少两个层，驱动电路在基底上，像素电极连接到驱动电路，公共电极在像素电极上，显示层在像素电极与公共电极之间，热电元件位于基底的至少两个层之间。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年4月10日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2017-0045905号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
本发明的一些示例实施方式涉及显示设备。
背景技术
与阴极射线管(CRT)相比，平板显示(FPD)设备具有相对轻的重量和相对小的体积的特性。例如，此类FPD设备可包括液晶显示(LCD)设备、场致发射显示(FED)设备、等离子体显示面板(PDP)设备以及有机发光二极管(OLED)显示设备。
在FPD设备中，OLED显示设备使用通过电子和空穴的复合而产生光的OLED来显示图像。
在背景技术部分中公开的以上信息仅用于加强对背景技术的理解，并且因此，它可包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本发明的一些示例实施方式涉及显示设备。例如，一些实施方式可包括能够相对容易地将内部热量高效地释放到外部的显示设备。
根据本发明的一些示例实施方式，显示设备包括基底、驱动电路、像素电极、公共电极、显示层和热电元件，其中，基底包括至少两个层，驱动电路在基底上，像素电极连接到驱动电路，公共电极在像素电极上，显示层在像素电极与公共电极之间，热电元件在基底的至少两个层之间。
根据一些实施方式，至少两个层包括彼此相对的第一基础层和第二基础层，热电元件插置在第一基础层与第二基础层之间。
根据一些实施方式，至少两个层还包括在第一基础层与热电元件之间的第一保护层。
根据一些实施方式，至少两个层还包括在第二基础层与驱动电路之间的第二保护层。
根据一些实施方式，热电元件包括珀尔帖元件。
根据一些实施方式，热电元件包括下电极、上电极以及P型热电半导体元件和N型热电半导体元件，其中，下电极在两个层之间并接触两个层中的一层，上电极在两个层之间并接触两个层中的另一层，P型热电半导体元件和N型热电半导体元件在下电极与上电极之间。
根据一些实施方式，下电极包括彼此分离的多个下电极。
根据一些实施方式，显示设备还包括连接到多个下电极中的一个和多个下电极中的另一个的直流(DC)电源。
根据一些实施方式，直流(DC)电源的第一端子直接地连接到下电极中的一个，并且直流(DC)电源的第二端子直接地连接到下电极中的另一个。
根据一些实施方式，直流(DC)电源的第一端子通过穿过驱动电路和基底的第一接触孔连接到下电极中的一个，并且直流(DC)电源的第二端子通过穿过驱动电路和基底的第二接触孔连接到下电极中的另一个。
根据一些实施方式，显示层包括发光元件或液晶。
根据一些实施方式，显示设备还包括公共电极上的密封构件或相对基底。
根据本发明的一些示例实施方式，显示设备包括基底、驱动电路、像素电极、公共电极、显示层和热电元件，其中，驱动电路在基底上，像素电极连接到驱动电路，公共电极在像素电极上，显示层在像素电极与公共电极之间，热电元件面向驱动电路，基底插置在热电元件与驱动电路之间。
根据一些实施方式，显示设备还包括在基底与热电元件之间的粘合层。
根据一些实施方式，粘合层包括压敏粘合剂(PSA)或光学透明粘合剂(OCA)。
根据一些实施方式，基底包括至少两个层。
根据一些实施方式，至少两个层包括第一基础层和第二基础层，第二基础层在第一基础层上。
根据一些实施方式，至少两个层还包括在第一基础层与第二基础层之间的第一保护层。
根据一些实施方式，至少两个层还包括在第二基础层与驱动电路之间的第二保护层。
根据一些实施方式，热电元件包括珀尔帖元件。
根据一些实施方式，热电元件包括下基础层、上基础层、下电极、上电极以及P型热电半导体元件和N型热电半导体元件，其中，上基础层在下基础层与基底之间，下电极在下基础层与上基础层之间并接触下基础层，上电极在下基础层与上基础层之间并接触上基础层，P型热电半导体元件和N型热电半导体元件在下电极与上电极之间。
上述内容仅是说明性的，并且不旨在以任何方式进行限制。除了以上描述的说明性的方面、示例实施方式和特征之外，通过参考附图和以下详细的描述，其它方面、示例实施方式和特征将变得更清楚。
附图说明
通过参考附图更详细地描述本发明的示例实施方式的方面，对本发明的方面的更完整的理解将变得更清楚，在附图中：
图1是示出根据一些示例实施方式的显示设备的剖视图；
图2是示出图1的热电元件的立体图；
图3是示出图1的显示设备中所包括的一个像素的平面图；
图4是沿着图3的线I-I'截取的剖视图；
图5是示出根据一些示例实施方式的显示设备与直流(“DC”)电源之间的连接关系的视图；
图6是示出根据一些示例实施方式的显示设备与DC电源之间的连接关系的视图；
图7A、图7B、图7C、图7D、图7E、图7F、图7G、图7H和图7I是示出制造根据一些示例实施方式的显示设备的工艺的剖视图；
图8是示出根据一些示例实施方式的显示设备的剖视图；
图9是示出根据一些示例实施方式的显示设备的剖视图；以及
图10是示出根据一些示例实施方式的显示设备的剖视图。
具体实施方式
现在将参考附图在下文中对一些示例实施方式的方面进行更全面地描述。虽然本发明可以以多种方式进行修改并且具有若干示例实施方式，但是示例实施方式是在附图中示出的并且将在说明书中进行主要描述。然而，本发明的范围不限于示例实施方式，并且应该被解释为包括包含在本发明的精神和范围内的所有变化、等同和替换。
在附图中，为了清楚和简单描述本发明的目的，以放大的方式示出了多个层和区的厚度。当层、区或板被称为在另一层、区或板“上”时，该层、区或板可直接在另一层、区或板上，或在它们之间可存在中间层、中间区或中间板。相反地，当层、区或板被称为直接在另一层、区或板“上”时，它们之间可不存在中间层、中间区或中间板。此外，当层、区或板被称为在另一层、区或板“下”时，该层、区或板可直接在另一层、区或板下，或在它们之间可存在中间层、中间区或中间板。相反地，当层、区或板被称为直接在另一层、区或板“下”时，它们之间可不存在中间层、中间区或中间板。
为了简单描述的目的，可在本文中使用“在...下方”、“在...下面”、“下部”、“在...上方”、“上部”等空间相对术语，以描述如附图中所示的一个元件或组件相对于另一元件或组件之间的关系。将理解的是，除附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在还包含设备在使用中或操作中的不同的定向。例如，在附图中示出的设备被翻转的情况下，位于另一设备“下方”或“下面”的设备可放置在另一设备“上方”。因此，示例性术语“在...下方”可包含下部位置和上部位置两者。设备还可以以其它方向定向，并且因此，空间相对术语可根据定向而被不同地解释。
在整个说明书中，当元件被称为“连接”到另一元件时，元件“直接连接”到其它元件，或在它们之间插置有一个或多个中间元件的情况下“电连接”到其它元件。还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”、“包括有(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括有(including)”表示所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合的存在或添加。
将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中使用以描述多种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。因此，在不背离本文中的教导的情况下，以下讨论的“第一元件”可被称为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可被同样地描述。
如本文中所使用的，“约”、“近似”包括所述值以及由本领域的普通技术人员考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可意味着在一个或多个标准偏差以内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％以内。
除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有由本发明所属技术领域的技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，除非在本说明书中明确限定，否则术语(诸如在常用词典中限定的术语)应该被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义相同的含义，并且不应以理想化或过于形式化的意义进行解释。
为了具体描述本发明的实施方式，可能未提供与描述不相关的一些部分，并且在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。
在下文中，将参考图1至图10对根据一些示例实施方式的显示设备的方面进行更详细地描述。
图1是示出根据一些示例实施方式的显示设备的剖视图，并且图2是示出图1的热电元件500的立体图。
如图1中所示，根据一些示例实施方式的显示设备包括基底111、热电元件500、驱动电路部(或驱动电路)130、显示部(或显示器)210以及密封构件(或密封胶或密封剂)250。
驱动电路部130位于基底111上。驱动电路部130可包括至少一个开关元件。驱动电路部130驱动显示部210。
显示部210位于驱动电路部130上。显示部210可包括像素电极211、显示层212和公共电极213(参见图4)。显示层212位于像素电极211与公共电极213之间。
密封构件250位于显示部210上。在一些示例实施方式中，密封构件250围绕和/或覆盖/封装显示部210。
基底111包括沿着与Z轴平行的方向(在下文中，“Z轴方向”)布置的至少两个层。例如，至少两个层可包括第一基础层301、第一保护层401、第二基础层302和第二保护层402。第一基础层301、第一保护层401、第二基础层302和第二保护层402沿着Z轴方向布置。在本示例实施方式中，可去除第一保护层401和第二保护层402中的至少一项。
第一保护层401位于第一基础层301上，第二基础层302位于第一保护层401上，并且第二保护层402位于第二基础层302上。换句话说，第一保护层401位于第一基础层301与第二基础层302之间，并且第二基础层302位于第一保护层401与第二保护层402之间。
热电元件500可位于以上描述的基底111中所包括的两个层之间。例如，热电元件500可位于第一基础层301与第二基础层302之间。作为更具体的示例，如图1中所示，热电元件500可位于第一保护层401与第二基础层302之间。热电元件500可包括珀尔帖(Peltier)元件。
如图1和图2中所示，热电元件500包括下电极601、上电极602、P型热电半导体元件700P以及N型热电半导体元件700N。
下电极601和上电极602位于第一保护层401与第二基础层302之间。根据一些示例实施方式，下电极601定位成更接近第一保护层401和第二基础层302中的第一保护层401，并且上电极602定位成更接近第一保护层401和第二基础层302中的第二基础层302。下电极601和上电极602中的下电极601定位成更接近第一保护层401，并且下电极601和上电极602中的上电极602定位成更接近第二基础层302。
下电极601可接触第一保护层401。如果不存在第一保护层401，则下电极601可接触第一基础层301。
上电极602可接触第二基础层302。如果不存在第二基础层302，则上电极602可接触第二保护层402。
下电极601可包括彼此分离的多个下电极601。换句话说，根据一些示例实施方式的热电元件500可包括彼此分离的多个下电极601。如图1中所示，多个下电极601沿着与X轴平行的方向(在下文中，“X轴方向”)布置。此外，如图2中所示，多个下电极601沿着与Y轴平行的方向(在下文中，“Y轴方向”)布置。换句话说，多个下电极601沿着由X轴和Y轴限定的平面(在下文中，X-Y平面)定位。
上电极602可包括彼此分离的多个上电极602。换句话说，根据一些示例实施方式的热电元件500可包括彼此分离的多个上电极602。如图1中所示，多个上电极602与下电极601在Z轴方向上间隔开一段距离(例如，预定距离)，并且多个上电极602沿着X轴方向布置。此外，如图2中所示，多个上电极602与下电极601在Z轴方向上间隔开一段距离(例如，预定距离)，并且多个上电极602沿着Y轴方向布置。换句话说，多个上电极602与下电极601在Z轴方向上间隔开一段距离(例如，预定距离)，并且多个上电极602沿着X-Y平面定位。
上电极602可与下电极601中的两个相邻的下电极601重叠。例如，如图1中所示，位于最左侧部分的一个上电极602(在下文中，“最外上电极”)与位于所述一个上电极602下方并且彼此相邻的两个下电极601重叠。例如，当两个下电极601中的左侧的一个下电极601被限定为第一下电极且两个下电极601中的与第一下电极相邻的右侧的一个下电极601被限定为第二下电极时，最外上电极的一侧边缘与第一下电极的一侧边缘彼此重叠，并且最外上电极的另一侧边缘与第二下电极的一侧边缘彼此重叠。
根据一些示例实施方式，当上电极602(例如，上述最外上电极)的在其一侧边缘与另一侧边缘之间的一部分被限定为上电极602的中部时，上电极602的中部面向第一保护层401。此外，当下电极601(例如，上述第二下电极)的在其一侧边缘与另一侧边缘之间的一部分被限定为下电极601的中部时，下电极601的中部面向第二基础层302。
P型热电半导体元件700P位于下电极601与上电极602之间。P型热电半导体元件700P的一侧端部连接到下电极601，并且P型热电半导体元件700P的另一侧端部连接到上电极602。
N型热电半导体元件700N位于下电极601与上电极602之间。N型热电半导体元件700N的一侧端部连接到下电极601，并且N型热电半导体元件700N的另一侧端部连接到上电极602。
P型热电半导体元件700P和N型热电半导体元件700N交替地布置。例如，热电半导体元件的在沿着X轴方向的线上布置的奇数编号的热电半导体元件可以是P型热电半导体元件700P，并且热电半导体元件的在沿着X轴方向的线上布置的偶数编号的热电半导体元件可以是N型热电半导体元件700N。
彼此相邻的P型热电半导体元件700P和N型热电半导体元件700N共同连接到上电极602和下电极601中的一个，并且分别连接到上电极602和下电极601中的另一个。
例如，在图1中，当位于最左侧部分的P型热电半导体元件700P被限定为第一热电半导体元件并且与第一热电半导体元件相邻的N型热电半导体元件700N被限定为第二热电半导体元件时，第一热电半导体元件的另一侧端部和第二热电半导体元件的另一侧端部共同连接到一个上电极602。此外，第一热电半导体元件的一侧端部连接到彼此相邻的两个下电极601中的左下电极601(上述第一下电极)，并且第二热电半导体元件的一侧端部连接到彼此相邻的两个下电极601中的右下电极601(上述第二下电极)。
P型热电半导体元件700P、N型热电半导体元件700N元件以及连接到P型热电半导体元件700P和N型热电半导体元件700N的三个电极(两个下电极601和一个上电极602，或两个上电极602和一个下电极601)形成Pi(π)形状。
在一些示例实施方式中，热电元件500还包括下基础层和上基础层。在图1中示出的结构中，第一保护层401可用作热电元件500的下基础层，并且第二基础层302可用作热电元件500的上基础层。
如图2中所示，P型热电半导体元件700P和N型热电半导体元件700N串联连接在DC电源800的一侧端子与DC电源800的另一侧端子之间。即，以上描述的P型热电半导体元件700P和N型热电半导体元件700N通过多个下电极601和多个上电极602串联连接在DC电源800的第一端子11与第二端子22之间。
下电极601中的一个下电极601(在下文中，第三下电极)可连接到DC电源800的第一端子11，并且下电极601中的另一下电极601(在下文中，第四下电极)可连接到DC电源800的第二端子22。在一些示例实施方式中，第三下电极是连接到P型热电半导体元件700P和N型热电半导体元件700N中的一个的下电极601，并且第四下电极是连接到P型热电半导体元件700P和N型热电半导体元件700N中的另一个的下电极601。
例如，如图2中所示，第三下电极可以是连接到P型热电半导体元件700P的下电极601，并且第四下电极可以是连接到N型热电半导体元件700N的下电极601。在一些示例实施方式中，第三下电极连接到DC电源800的正端子，并且第四下电极连接到DC电源800的负端子。正端子对应于DC电源800的第一端子11，并且正电压从正端子输出。负端子对应于DC电源800的第二端子22，并且负电压从负端子输出。
图2中示出的箭头60表示流过上电极602的电子的方向。
当基于DC电源800的电压施加到热电元件500时，热电元件500吸收由显示部210产生的热量，并且将热量散发到外部。例如，热电元件500吸收由显示部210的显示层212产生的、通过驱动电路部130、第二保护层402和第二基础层302的热量，并且将所吸收的热量朝第一保护层401释放。由热电元件500散发的热量穿过第一保护层401和第一基础层301到达外部。即，热电元件500可通过有效的热量吸收和辐射操作将显示部210的热量高效地排出到外部。
图3是示出图1的显示设备中所包括的一个像素的平面图，并且
图4是沿着图3的线I-I'截取的剖视图。
如图3和图4中所示，像素PX可位于由栅极线151、数据线171和公共电源线172限定的区(像素区)处。
像素PX指的是用于显示图像的最小的单元，并且可以是发出红光的红色像素、发出绿光的绿色像素和发出蓝光的蓝色像素中的任一项。像素PX包括显示部210和用于驱动显示部210的显示层212的驱动电路部130。驱动电路部130包括开关薄膜晶体管(“TFT”)10、驱动TFT 20和电容器80。
显示部210可包括像素电极211、显示层212和公共电极213。在一些示例实施方式中，显示层212可包括有机发光元件。
驱动电路部130位于基底111上。例如，驱动电路部130位于基底111的第二保护层402上。换句话说，开关TFT 10、驱动TFT 20和电容器80位于第二保护层402上。驱动电路部130驱动显示部210的显示层212。
图3和图4中示出了驱动电路部130和显示部210的更具体的配置，但是示例实施方式不限于图3和图4中示出的配置。驱动电路部130和显示部210可形成为可由本领域的技术人员容易想到和修改的范围内的多种结构。
参考图4，一个像素PX包括两个TFT和一个电容器，但是示例实施方式不限于此。例如，在另一示例实施方式中，一个像素PX可包括不同数目的TFT和/或电容器，例如，三个或更多个TFT和两个或更多个电容器，并且可具有包括额外的信号线的多种结构。
基底111的第一基础层301可以是包括玻璃和透明塑料的透明绝缘层。例如，第一基础层301可包括从以下项组成的群组中选择的至少一项：卡普顿(Kapton)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丙烯酸酯(PAR)、纤维增强塑料(FRP)等。
基底111的第一保护层401位于第一基础层301上。第一保护层401可包括无机材料。基底111的第二基础层302位于第一保护层401上。例如，第二基础层302位于热电元件500上。基底111的第二基础层302可包括与以上描述的第一基础层301中所包括的材料大致相同的材料。
基底111的第二保护层402位于第二基础层302上。第二保护层402可包括与以上描述的第一保护层401中所包括的材料大致相同的材料。
缓冲层120位于第二保护层402上。缓冲层120用于大致防止不期望的元件的渗透，并且用于将其下方的表面平坦化，并且可包括用于平坦化和/或防止渗透的合适的材料。例如，缓冲层120可包括以下项中的一项：氮化硅(SiNx)层、氧化硅(SiO2)层和氮氧化硅(SiOxNy)层。然而，在一些实施方式中，基于基底111的种类及其工艺条件，可省略缓冲层120。
开关半导体层131和驱动半导体层132设置在缓冲层120上。开关半导体层131和驱动半导体层132可包括以下项中的至少一项：多晶硅层、非晶硅层以及诸如铟镓锌氧化物(IGZO)和铟锌锡氧化物(IZTO)的氧化物半导体。例如，当图4中示出的驱动半导体层132包括多晶硅层时，驱动半导体层132包括未掺杂有杂质的沟道区以及形成在沟道区的相对侧上的P掺杂的源极区和漏极区。在一些示例实施方式中，诸如硼B的P型杂质可用作掺杂剂离子，并且通常使用B2H6。此类杂质可根据TFT的种类而改变。
根据一些示例实施方式的驱动TFT 20使用包括P型杂质的P沟道金属氧化物半导体(PMOS)TFT，但是示例实施方式不限于此。替代地，驱动TFT 20可使用N沟道金属氧化物半导体(NMOS)TFT或互补金属氧化物半导体(CMOS)TFT。
栅极绝缘层140设置在开关半导体层131和驱动半导体层132上。栅极绝缘层140可包括以下项中的至少一项：正硅酸四乙酯(TEOS)、氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)。例如，栅极绝缘层140可具有双层结构，其中，具有约40nm的厚度的SiNx层和具有约80nm的厚度的TEOS层顺序地堆叠。
包括栅极电极152和155的栅极布线设置在栅极绝缘层140上。栅极布线还包括栅极线151、第一电容器板158和其它布线。栅极电极152和155设置成与半导体层131和132中的至少一部分或全部(例如，其沟道区)重叠。在形成半导体层131和132的工艺期间，当半导体层131和132中的源极区136和漏极区137掺杂有杂质时，栅极电极152和155用于大致防止沟道区被杂质掺杂。
栅极电极152和155以及第一电容器板158设置在相同的层(或大致相同的层)上，并且包括相同的金属材料(或大致相同的金属材料)。栅极电极152和155以及第一电容器板158可包括钼(Mo)、铬(Cr)和钨(W)中的至少一项。
覆盖栅极电极152和155的层间绝缘层160设置在栅极绝缘层140上。与栅极绝缘层140类似，层间绝缘层160可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、正硅酸四乙酯(TEOS)等或由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、正硅酸四乙酯(TEOS)等形成，但是示例实施方式不限于此。
包括源极电极173和176以及漏极电极174和177的数据布线设置在层间绝缘层160上。数据布线还包括数据线171、公共电源线172、第二电容器板178以及其它布线。此外，源极电极173和176以及漏极电极174和177分别通过限定在栅极绝缘层140处的接触孔和限定在层间绝缘层160处的接触孔连接到半导体层131和132的源极区136和漏极区137。
在这种情况下，开关TFT 10包括开关半导体层131、开关栅极电极152、开关源极电极173和开关漏极电极174，并且驱动TFT 20包括驱动半导体层132、驱动栅极电极155、驱动源极电极176以及驱动漏极电极177。开关TFT 10和驱动TFT 20的配置不限于以上示例实施方式，并且因此可由相关领域的技术人员修改成多种其它合适的结构。
电容器80包括第一电容器板158和第二电容器板178，电容器80具有插置在第一电容器板158与第二电容器板178之间的层间绝缘层160。
开关TFT 10可起开关元件的作用来选择像素以执行发光。开关栅极电极152连接到栅极线151。开关源极电极173连接到数据线171。开关漏极电极174与开关源极电极173间隔开，并且开关漏极电极174连接到第一电容器板158。
驱动TFT 20向像素电极211施加驱动电力，所述驱动电力允许设置在所选像素中的显示部210的显示层212发光。驱动栅极电极155连接到第一电容器板158。驱动源极电极176和第二电容器板178中的每个均连接到公共电源线172。驱动漏极电极177通过接触孔连接到显示部210的像素电极211。
利用上述结构，开关TFT 10由施加到栅极线151的栅极电压驱动，并且用于将施加到数据线171的数据电压传输到驱动TFT 20。与从公共电源线172施加到驱动TFT 20的公共电压与从开关TFT 10传输的数据电压之间的差相同的电压存储在电容器80中，并且与存储在电容器80中的电压对应的电流通过驱动TFT 20流到显示部210，使得显示部210可发光。
平坦化层165覆盖使用单个掩模图案化的数据布线，例如，数据线171、公共电源线172、源极电极173和176、漏极电极174和177以及第二电容器板178。平坦化层165设置在层间绝缘层160上。
平坦化层165提供平坦的表面，以增加设置在其上的发光元件的发光效率。平坦化层165可包括以下项中的一种或多种材料：聚丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)。
显示部210的像素电极211设置在平坦化层165上。像素电极211通过限定在平坦化层165处的接触孔连接到驱动漏极电极177。
像素电极211中的一部分或全部设置在像素PX的透射区(或发光区)处。即，像素电极211设置成与像素的由像素限定层190限定的透射区对应。像素限定层190可包括诸如聚丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂的树脂。
显示层212设置在透射区中的像素电极211上，并且公共电极213设置在像素限定层190和显示层212上。
显示层212包括低分子有机材料或聚合物有机材料。空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一项还可设置在像素电极211与显示层212之间，并且电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一项还可设置在显示层212与公共电极213之间。
像素电极211和公共电极213可形成为透射电极、半透射电极和反射电极中的一项。
透明导电氧化物(“TCO”)可用于形成透射电极。这种TCO可包括从以下项组成的群组中选择的至少一项：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锑锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、氧化锌(ZnO)以及它们的混合物。
例如镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)、铜(Cu)或其合金的金属可用于形成半透射电极和反射电极。在一些示例实施方式中，电极是半透射电极还是反射电极取决于电极的厚度。通常，半透射电极具有约200nm或更小的厚度，并且反射电极具有约300nm或更大的厚度。随着半透射电极的厚度减小，透光率和电阻增加。相反地，随着半透射电极的厚度增加，透光率降低。
此外，半透射电极和反射电极可具有包括金属层和TCO层的多层结构，其中，金属层包括金属或金属合金，TCO层堆叠在金属层上。
像素PX可具有能够在像素电极211的方向上和公共电极213的方向上发光的双面发射型结构。在一些示例实施方式中，像素电极211和公共电极213两者均可形成为透射电极或半透射电极。
密封构件250位于公共电极213上。密封构件250可包括透明绝缘基底111，透明绝缘基底111包括玻璃、透明塑料等。此外，密封构件250可具有包括一个或多个无机层以及一个或多个有机层的薄膜封装结构。在一些示例实施方式中，一个或多个无机层与一个或多个有机层交替地堆叠。
图5是示出根据一些示例实施方式的显示设备与DC电源800之间的连接关系的视图。
如图5中所示，当位于基底111的左边缘处的下电极601(在下文中，“第一最外下电极”)与第二基础层302在Z轴方向上以预定距离彼此间隔开时，DC电源800的第一端子11可直接地连接到第一最外下电极。换句话说，当第一最外下电极未接触第二基础层302时，DC电源800的第一端子11可直接地连接到第一最外下电极。例如，当第一最外下电极和第二基础层302的相对表面未彼此接触时，第一端子11可直接地连接到第一最外下电极。在一些示例实施方式中，第一最外下电极和第二基础层302的相对表面指的是Z轴方向上彼此相对的表面。
类似地，当位于基底111的右边缘处的下电极601(在下文中，“第二最外下电极”)与第二基础层302在Z轴方向上以预定距离彼此间隔开时，DC电源800的第二端子22可直接地连接到第二最外下电极。换句话说，当第二最外下电极未接触第二基础层302时，DC电源800的第二端子22可直接地连接到第二最外下电极。例如，当第二最外下电极和第二基础层302的相对表面未彼此接触时，第二端子22可直接地连接到第二最外下电极。在一些示例实施方式中，第二最外下电极和第二基础层302的相对表面指的是Z轴方向上彼此相对的表面。
图6是示出根据一些示例实施方式的显示设备与DC电源800之间的连接关系视图。
如图6中所示，当位于基底111的左边缘处的下电极601(在下文中，“第一最外下电极”)接触第二基础层302时，DC电源800的第一端子11可通过第一接触孔91连接到第一最外下电极。例如，当第一最外下电极和第二基础层302的相对表面彼此接触时，第一端子11可通过第一接触孔91连接到第一最外下电极。在一些示例实施方式中，第一最外下电极和第二基础层302的相对表面指的是Z轴方向上彼此相对的表面。
第一接触孔91穿过与第一最外下电极对应的第二基础层302、缓冲层120、栅极绝缘层140、层间绝缘层160和平坦化层165。
类似地，当位于基底111的另一边缘处的下电极601(在下文中，“第二最外下电极”)接触第二基础层302时，DC电源800的第二端子22可通过第二接触孔92连接到第二最外下电极。例如，当第二最外下电极和第二基础层302的相对表面彼此接触时，第二端子22可通过第二接触孔92连接到第二最外下电极。在一些示例实施方式中，第二最外下电极和第二基础层302的相对表面指的是在Z轴方向上彼此相对的表面。
第二接触孔92穿过与第二最外下电极对应的第二基础层302、缓冲层120、栅极绝缘层140、层间绝缘层160和平坦化层165。
图7A、图7B、图7C、图7D、图7E、图7F、图7G、图7H和图7I是示出制造根据一些示例实施方式的显示设备的工艺的剖视图。
首先，如图7A中所示，制备第一基础层301。
此后，如图7B中所示，在第一基础层301上形成第一保护层401。可在第一基础层301的整个表面上形成第一保护层401。
然后，虽然未示出，但在第一保护层401的整个表面上形成第一金属层。第一金属层可通过诸如溅射的物理气相沉积(PVD)方法沉积在第一保护层401上。
如图7C中所示，随后，上述第一金属层通过光刻工艺图案化，并且在第一保护层401上形成多个下电极601。在光刻工艺期间，可使用刻蚀溶液通过湿法刻蚀工艺将第一金属层去除。
接下来，虽然未示出，但在包括下电极601的第一基础层301的整个表面上形成半导体材料。此半导体材料形成在下电极601的整个表面上。在一些示例实施方式中，在下电极601中的相邻的下电极601之间未形成半导体材料。这是因为下电极601中的相邻的下电极601之间的间隔相当小。半导体材料可通过化学气相沉积(CVD)方法沉积在下电极601上。
如图7D中所示，此后，半导体材料通过光刻工艺图案化，并且因此，在下电极601上形成多个半导体图案700。
接下来，如图7E中所示，在多个半导体图案700上放置第一掩模M1。第一掩模M1包括多个开口40。开口40定位成与多个半导体图案700中的一些对应。例如，第一掩模M1的开口40可定位成与奇数编号的半导体图案对应。
P型杂质(或P型杂质离子)通过第一掩模M1植入到半导体图案700中。在一些示例实施方式中，P型杂质离子选择性地植入到定位成与第一掩模M1的开口40对应的半导体图案700中。例如，P型杂质可选择性地植入到多个半导体图案700中的奇数编号的半导体图案中。其中植入有P型杂质的半导体图案700与P型热电半导体元件700P对应。
此后，如图7F中所示，在多个半导体图案700上放置第二掩模M2。第二掩模M2包括多个开口50。开口50定位成与多个半导体图案700中的一些对应。例如，第二掩模M2的开口50可定位成与偶数编号的半导体图案对应。
N型杂质(或N型杂质离子)通过第二掩模M2植入到半导体图案700中。在一些示例实施方式中，N型杂质离子选择性地植入到定位成与第二掩模M2的开口50对应的半导体图案700中。例如，N型杂质可选择性地植入到多个半导体图案700中的偶数编号的半导体图案中。其中植入有N型杂质的半导体图案700与N型热电半导体元件700N对应。
接下来，可在包括P型热电半导体元件700P和N型热电半导体元件700N的第一基础层301的整个表面上方形成第二金属层。第二金属层可通过诸如溅射的物理气相沉积方法沉积在P型热电半导体元件700P、N型热电半导体元件700N和下电极601上。在一些示例实施方式中，在彼此相邻的P型热电半导体元件700P与N型热电半导体元件700N之间未形成第二金属层。这是因为彼此相邻的P型热电半导体元件700P与N型热电半导体元件700N之间的间隔相当小。
接下来，如图7G中所示，随着上述第二金属层通过光刻工艺进行图案化，在P型热电半导体元件700P和N型热电半导体元件700N上形成多个上电极602。在光刻工艺期间，可使用刻蚀溶液通过湿法刻蚀工艺去除第二金属层。另一方面，第二金属层的刻蚀速率和第一金属层的刻蚀速率可彼此不同。
接下来，如图7H中所示，在上电极602上形成第二基础层302。另一方面，在上电极602中的相邻的上电极602之间未形成第二基础层302。这是因为上电极602中的相邻的上电极602之间的间隔相当小。然而，如图6中所示，可在第一最外下电极和第二最外下电极上形成第二基础层302。
此后，如图7I中所示，在第二基础层302上形成第二保护层402。可在第二基础层302的整个表面上方形成第二保护层402。
接下来，虽然未示出，但在第二保护层402上形成驱动电路部130，在驱动电路部130上形成显示部210，并且形成围绕显示部210的密封构件250。
图8是示出根据一些示例实施方式的显示设备的剖视图。如图8中所示，根据一些示例实施方式的显示设备包括基底111、热电元件500、驱动电路部130、显示部210和密封构件250。
如图8中所示，如上所述，热电元件500可位于基底111中所包括的两个层之间，并且热电元件500可位于第一基础层301与第一保护层401之间。在一些示例实施方式中，热电元件500的下电极601接触第一基础层301，并且热电元件500的上电极602接触第一保护层401。
在一些示例实施方式中，热电元件500还包括下基础层和上基础层。在图8中示出的结构中，第一基础层301可用作热电元件500的下基础层，并且第一保护层401可用作热电元件500的上基础层。
图8的基底111、热电元件500、驱动电路部130、显示部210和密封构件250的具体配置将参考以上参考图1至图7I描述的说明。
图9是示出根据一些示例实施方式的显示设备的剖视图。
如图9中所示，根据一些示例实施方式的显示设备包括基底111、热电元件500、驱动电路部130、显示部210和密封构件250。
如图9中所示，如上所述，热电元件500可位于基底111中所包括的两个层之间，并且热电元件500可位于第二基础层302与第二保护层402之间。在一些示例实施方式中，热电元件500的下电极601接触第二基础层302，并且热电元件500的上电极602接触第二保护层402。
在一些示例实施方式中，热电元件500还包括下基础层和上基础层。在图9中示出的配置中，第二基础层302可用作热电元件500的下基础层，并且第二保护层402可用作热电元件500的上基础层。
图9的基底111、热电元件500、驱动电路部130、显示部210和密封构件250的详细配置将参考以上参考图1至图7I描述的说明。
图10是示出根据一些示例实施方式的显示设备的剖视图。
如图10中所示，根据一些示例实施方式的显示设备包括基底111、粘合剂666、热电元件500、驱动电路部130、显示部210和密封构件250。
驱动电路部130位于基底111上。驱动电路部130可包括至少一个开关元件。驱动电路部130驱动显示部210。
显示部210位于驱动电路部130上。显示部210可包括像素电极211、显示层212和公共电极213。显示层212位于像素电极211与公共电极213之间。
密封构件250位于显示部210上。在一些示例实施方式中，密封构件250围绕显示部210。
基底111包括沿着Z轴方向布置的至少两个层。例如，至少两个层可包括第一基础层301、第一保护层401、第二基础层302和第二保护层402。第一基础层301、第一保护层401、第二基础层302和第二保护层402沿着Z轴方向布置。
第一保护层401位于第一基础层301上，第二基础层302位于第一保护层401上，并且第二保护层402位于第二基础层302上。换句话说，第一保护层401位于第一基础层301与第二基础层302之间，并且第二基础层302位于第一保护层401与第二保护层402之间。
热电元件500使用粘合剂666附接到基底111。为此，粘合剂666位于基底111与热电元件500之间。例如，热电元件500附接到位于基底111的最外部分处的第一基础层301，并且上述粘合剂666可位于第一基础层301与热电元件500之间。粘合剂666可包括压敏粘合剂(PSA)或光学透明粘合剂(OCA)。热电元件500可包括珀尔帖元件。
如图10中所示，热电元件500包括下电极601、上电极602、N型热电半导体元件700N、P型热电半导体元件700P、下基础层551以及上基础层552。
下电极601和上电极602位于下基础层551与上基础层552之间。在一些示例实施方式中，下电极601定位成更接近下基础层551和上基础层552中的下基础层551，并且上电极602定位成更接近上下基础层551和上基础层552中的上基础层552。下电极601和上电极602中的下电极601定位成更接近下基础层551，并且下电极601和上电极602中的上电极602定位成更接近上基础层552。
下电极601可接触下基础层551，并且上电极602可接触上基础层552。
图10中的下电极601、上电极602、P型热电半导体元件700P和N型热电半导体元件700N分别与图1中的下电极601、上电极602、P型热电半导体元件700P和N型热电半导体元件700N大致相同。
当基于DC电源800的电压施加到热电元件500时，热电元件500吸收由显示部210产生的热量，并且将热量散发到外部。例如，热电元件500吸收由显示部210的显示层212产生的、通过驱动电路部130、第二保护层402、第二基础层302、第一保护层401、第一基础层301和粘合剂666的热量，并且将所吸收的热量释放到外部。即，热电元件500可通过有效的热量吸收和辐射操作使显示部210的热量高效地辐射到外部。
替代地，根据一些示例实施方式的热电元件可应用到包括LCD设备的多种显示设备。例如，根据一些示例实施方式的显示设备可包括液晶，以代替以上描述的如显示层212的发光元件。在一些示例实施方式中，上述密封构件250可以是相对基底。
如上文中所阐述的，根据一些示例实施方式的显示设备可提供以下效果。
显示设备包括能够有效地散发内部热量的热电元件。因此，来自显示层(具体地，来自发光元件)的热量可更容易地释放到外部。
在一些示例实施方式中，热电元件可位于基底中所包括的多个层之间。在此情况下，因为所述层用作热电元件的基础层，所以可省略热电元件的基础层。因此，即使热电元件附接到显示设备，仍可不过度地增加显示设备的厚度。
虽然已经参考本发明的一些示例实施方式示出和描述了本发明，但是将对于本领域的普通技术人员显而易见的是，在不背离由所附权利要求及其等同限定的本发明的精神和范围的情况下，可对本发明进行形式和细节上的多种改变。

Claims (10)

1.显示设备，包括：
基底，所述基底包括至少两个层；
驱动电路，所述驱动电路在所述基底上；
像素电极，所述像素电极连接到所述驱动电路；
公共电极，所述公共电极在所述像素电极上；
显示层，所述显示层在所述像素电极与所述公共电极之间；以及
热电元件，所述热电元件在所述基底的所述至少两个层之间。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述至少两个层包括彼此相对的第一基础层和第二基础层，所述热电元件插置在所述第一基础层与所述第二基础层之间。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述至少两个层还包括在所述第一基础层与所述热电元件之间的第一保护层。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述至少两个层还包括在所述第二基础层与所述驱动电路之间的第二保护层。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述热电元件包括珀尔帖元件。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述热电元件包括：
下电极，所述下电极在所述至少两个层之间并接触所述至少两个层中的第一层；
上电极，所述上电极在所述至少两个层之间并接触所述至少两个层中的第二层；以及
P型热电半导体元件和N型热电半导体元件，所述P型热电半导体元件和所述N型热电半导体元件在所述下电极与所述上电极之间。
7.显示设备，包括：
基底；
驱动电路，所述驱动电路在所述基底上；
像素电极，所述像素电极连接到所述驱动电路；
公共电极，所述公共电极在所述像素电极上；
显示层，所述显示层在所述像素电极与所述公共电极之间；以及
热电元件，所述热电元件面向所述驱动电路，所述基底插置在所述热电元件与所述驱动电路之间。
8.根据权利要求7所述的显示设备，还包括：
粘合层，所述粘合层在所述基底与所述热电元件之间。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述粘合层包括压敏粘合剂或光学透明粘合剂。
10.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述基底包括至少两个层。
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