CN106057847B - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示面板，所述显示面板包括薄膜晶体管基底和设置在薄膜晶体管基底上并具有显示器的显示层。薄膜晶体管基底可以包括：基础基底；应力缓解层，设置在基础基底上并包括至少一个应力缓解图案；驱动装置层，设置在应力缓解层上并包括结合到显示器的至少一个薄膜晶体管。

Description

显示面板
本申请要求于2015年4月3日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0047669号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用全部包含于此。
技术领域
实施例涉及一种显示面板以及制造该显示面板的方法。
背景技术
随着信息化社会的发展，诸如以OLED面板、LCD面板、EPD面板和电润湿显示(EWD)面板为例的各种显示面板被应用于显示装置。
近年来，已经开发出重量轻、厚度薄、能够是可移动的、柔性的和可折叠的显示装置。用于显示装置的显示面板可以使用诸如以塑料为例的柔性基底来替代玻璃基底。然而，由于基底结构的重复弯曲或卷曲，显示面板的寿命会减少。
发明内容
一个目的在于提供一种能够防止由于重复的弯曲或卷曲而引起的显示面板的寿命的减少的显示面板。
另一目的在于提供一种用于制造显示面板的方法。
实施例可以通过包括薄膜晶体管基底以及设置在薄膜晶体管基底上并具有显示器的显示层的显示面板来实现。薄膜晶体管基底可以包括：基础基底；应力缓解层，设置在基础基底上并包括至少一个应力缓解图案；驱动装置层，设置在应力缓解层上并包括结合到显示器的至少一个薄膜晶体管。
应力缓解层可以包括彼此分隔开设置并具有条形形状的多个支撑图案，所述至少一个应力缓解图案可以设置在支撑图案之间。
所述至少一个应力缓解图案的密度可以比所述多个支撑图案的密度低。
所述多个支撑图案中的每个可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)和氧化钼(MoOx)中的一种。
显示面板还可以包括设置在应力缓解层和驱动装置层之间的阻挡层。
应力缓解图案可以是位于基础基底和阻挡层之间的腔。
显示面板还可以包括设置在基础基底和应力缓解层之间的阻挡层以及设置在应力缓解层和驱动装置层之间的缓冲层。
应力缓解图案可以是位于阻挡层和缓冲层之间的腔。
所述至少一个应力缓解图案可以是应力缓解层的一部分被去除的具有沟槽形状的空的空间。
所述至少一个应力缓解层可以包括具有不同深度的多个应力缓解图案。
所述多个应力缓解图案具有填充有密度比应力缓解层的密度低的材料的结构。
显示面板还可以包括使显示装置与外部环境隔离的密封层。
密封层可以是面对薄膜晶体管基底的包封基底。
用于制造显示面板的方法的实施例可以包括以下步骤：在基础基底上形成应力缓解层，应力缓解层包括多个支撑图案和设置在支撑图案之间的至少一个应力缓解图案；在应力缓解层上形成驱动装置层，驱动装置层包括至少一个薄膜晶体管；在驱动装置层上形成显示层，显示层包括结合到薄膜晶体管的显示器。形成应力缓解层的步骤可以包括在基础基底上形成支撑材料层并通过使支撑材料层图案化来形成支撑图案。
所述至少一个应力缓解图案可以是位于支撑图案之间的空间。
所述方法还可以包括用密度比支撑图案的密度低的材料填充所述至少一个应力缓解图案。
支撑材料层可以包括氧化钼(MoOx)。
使支撑材料层图案化的步骤可以包括使用以水作为蚀刻剂的湿蚀刻工艺。
所述方法还可以包括形成设置在应力缓解层上的阻挡层和驱动装置层。
所述至少一个应力缓解图案可以是位于基础基底和阻挡层之间的腔。
附图说明
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式来实施，且不应被解释为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底的和完整的，且这些实施例将把示例实施例的范围充分地传达给本领域技术人员。
在附图中，为了示出的清楚，可夸大尺寸。将理解的是，当元件被称为“在”两个元件“之间”时，该元件可以是两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。同样的附图标记通常始终指示同样的元件。
图1是用于示出根据实施例的显示装置的分解透视图。
图2是用于示出图1中示出的显示装置的剖视图。
图3是用于示出图1中示出的显示面板的平面图。
图4是图3中示出的显示面板的剖视图。
图5是用于示出图1中示出的显示面板的像素的剖视图。
图6至图11示出了制造图1至图5中示出的显示面板的方法。
图12是用于示出根据另一实施例的显示面板的剖视图。
图13是用于示出根据又一实施例的显示面板的剖视图。
具体实施方式
在下面的详细描述中，已简单地通过说明的方式示出和描述了仅特定实施例。如本领域的技术人员将认识到的，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种方式来修改所描述的实施例。因此，附图和描述将被认为在本质上是说明性的而不是限制性的。另外，将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到或者直接结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。同样的标号通常始终指示同样的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，以下讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了易于描述，在这里可使用空间相对术语诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等以描述如附图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包括除了附图中绘出的方位之外的在使用或操作中的装置的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为在所述其它元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可包含在……上方和在……下方的两种方位。装置可被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位)，并相应地解释这里使用的空间相对描述符。
在这里使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，并不意在成为本发明的限制。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个”、“该/所述”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”及其变形时，说明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它(们)的组。
除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在此被明确地这样定义，否则术语(诸如常用词典中所定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不应理想化或过于形式地被解释。
图1是用于示出根据实施例的显示装置的分解透视图。图2是用于示出图1中示出的显示装置的剖视图。
参照图1和图2，显示装置可以包括显示面板100、壳体200和驱动电路部300。
显示面板100可以是柔性的。显示面板100可以是透明的。显示面板100可以包括用于显示图像的显示区域DA和位于显示区域DA的周围的非显示区域NDA。
然而，显示面板100不限于此。例如，诸如有机发光显示(OLED)面板的自发光型显示面板可以被用作显示面板100，但不限于此。此外，诸如液晶显示(LCD)面板、电泳显示(EPD)面板和电润湿显示(EWD)面板的非发射显示面板可以被用作显示面板100。如果将非发射显示面板用于显示面板100，则采用显示面板的移动装置可以包括用于向显示面板100供应光的背光单元。在实施例中，将有机发光显示(OLED)面板描述为显示面板100的示例。
显示区域DA可以包括多个像素区域。从像素区域发射的光可以具有不同的颜色。例如，从像素区域发射的光可以具有以下颜色中的一种：红色、绿色、蓝色、青色、品红色和黄色，但不限于此。
显示面板100可以包括：薄膜晶体管基底110；显示装置(未示出)，设置在薄膜晶体管基底110上；密封层120，使显示装置与外部环境分开。显示装置可以设置在每个像素区域中。
在每个像素区域中，薄膜晶体管基底110可以包括基础基底(未示出)和设置在基础基底上的至少一个薄膜晶体管(未示出)。
显示装置可以是有机发光装置。例如，显示装置可以包括结合到薄膜晶体管的第一电极、设置在第一电极上的有机层以及设置在有机层上的第二电极，但不限于此。第一电极和第二电极中的一个电极可以是阳极电极，另一个电极可以是阴极电极。第一电极和第二电极中的至少一个电极可以是透射电极。例如，如果显示装置为底发射型的有机发光装置，则第一电极可以是透射电极，第二电极可以是反射电极，但不限于此。如果显示装置为顶发射型的有机发光装置，则第一电极可以是反射电极，第二电极可以是透射电极。如果显示装置为兼备顶发射型和底发射型的有机发光装置，则第一电极和第二电极可以均为透射电极。
有机层可以至少包括发射层(EML)。通常，有机层可以具有多层薄膜结构。来自发射层的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种。然而，不限于此。例如，来自发射层的光的颜色可以是例如品红色、青色和黄色中的一种，但不限于此。
密封层120可以使显示装置与外部环境隔离。密封层120可以是面对薄膜晶体管基底110的包封基底。密封层120可以通过密封剂来附着到薄膜晶体管基底110。密封剂可以设置在非显示区域NDA中。
壳体200可以包括具有弹性或柔性性质的材料。壳体200可以容纳显示面板100的至少一部分和驱动电路部300。
驱动电路部300可以设置在显示面板100下。驱动电路部300可以包括驱动IC(未示出)、结合膜(未示出)和电路板(未示出)。
驱动IC可以包括用于驱动显示面板100的驱动芯片的栅极驱动IC和数据驱动IC。
结合膜可以包括形成在膜型基底上的多条布线。结合膜可以利用载带封装(TCP)或膜上芯片(COF)安装驱动IC以电结合到薄膜晶体管基底110。
电路板可以经由结合膜电结合到薄膜晶体管基底110，并且可以向薄膜晶体管基底110供应栅极信号和数据信号。电路板可以是印刷电路板(PCB)或柔性印刷电路板(FPCB)。包括电源单元和控制器的各种电子装置可以安装在电路板上。
在下文中，更详细地描述显示面板100。
图3是用于示出图1中示出的显示面板的平面图。图4是图3中示出的显示面板的剖视图。图5是用于示出图1中示出的显示面板的像素的剖视图。
参照图3至图5，显示面板100可以包括：薄膜晶体管基底110；显示装置层LDL，设置在薄膜晶体管基底110上；密封层120，使显示装置层LDL与外部环境隔离。
薄膜晶体管基底110可以包括：基础基底SUB；应力缓解层SRL，设置在基础基底SUB上；驱动装置层DDL，设置在应力缓解层SRL上。
基础基底SUB可以是柔性型的基础基底。基础基底SUB可以是包括高分子有机物的膜基础基底和塑料基础基底中的一种。例如，基础基底SUB可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)中的一种，但不限于此。基础基底SUB可以包括玻璃纤维增强塑料(FRP)。
应用于基础基底SUB的材料可以在制造显示面板100的工艺期间对高处理温度具有抵抗能力(耐热性)。
应力缓解层SRL可以设置在基础基底SUB上，并且可以防止当显示面板100弯曲或折叠时应力集中在显示面板100内部的特定位置上。
应力缓解层SRL可以包括彼此分隔开的多个支撑图案SP和设置在支撑图案SP之间的至少一个应力缓解图案SRP。
支撑图案SP可以支撑设置在应力缓解层SRL的上部上的驱动装置层DDL。支撑图案SP可以包括绝缘材料，通过该绝缘材料图案化容易进行。例如，支撑图案SP可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)和氧化钼(MoOx)中的一种，但不限于此。氧化钼(MoOx)可以用水蚀刻，因此，支撑图案SP可以容易地形成。
应力缓解图案SRP可以减缓由于显示面板100的弯曲而出现的应力。应力缓解图案SRP可以防止由于弯曲而出现的应力集中在显示面板100的特定部分上。
应力缓解图案SRP的密度可以比支撑图案SP的密度低。例如，应力缓解图案SRP可以设置在支撑图案SP之间并且可以是在一个方向上延伸的条形形状的空的空间，但不限于此。
显示面板100可以从应力缓解图案布置处容易地弯曲。应力缓解图案SRP可以是用于显示面板100改变的参考点。如果显示面板100包括多个应力缓解图案SRP，则显示面板100可以被卷曲。
阻挡层BAL可以设置在应力缓解层SRL和薄膜晶体管之间。应力缓解图案SRP可以是设置在基础基底SUB和阻挡层BAL之间的腔。
阻挡层BAL可以防止湿气和氧渗透到薄膜晶体管的半导体有源层SA中。阻挡层BAL可以防止杂质从基础基底SUB扩散到半导体有源层SA。阻挡层BAL可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(AlOx)和氮化铝(AlNx)中的至少一种。阻挡层BAL可以使由应力缓解层SRL引起的不平坦平坦化。
缓冲层BUL可以设置在阻挡层BAL和薄膜晶体管之间。缓冲层BUL可以包括与阻挡层BAL的材料相同的材料。缓冲层BUL可以使阻挡层BAL的表面上的不平坦平坦化。
驱动装置层DDL可以包括至少一个薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括半导体有源层SA、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
半导体有源层SA可以设置在缓冲层BUL上。半导体有源层SA可以包括非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)和氧化物半导体中的一种。半导体有源层SA中的与源电极SE和漏电极DE接触的区域可以是杂质掺杂或注入到其中的源区和漏区。源区和漏区之间的区域可以是沟道区。氧化物半导体可以包括Zn、In、Ga、Sn和其任意混合物中的至少一种。例如，氧化物半导体可以包括铟-镓-锌氧化物(IGZO)，但不限于此。
尽管未在附图中示出，但是如果半导体有源层SA包括氧化物半导体，则光阻挡层可以设置在半导体有源层SA的上部或下部处以阻挡光流入半导体有源层SA。
栅极绝缘层GI可以设置在半导体有源层SA上。栅极绝缘层GI可以覆盖半导体有源层SA并且使半导体有源层SA与栅电极GE绝缘。栅极绝缘层GI可以包括与阻挡层BAL和缓冲层BUL的材料相同的材料。
栅电极GE可以设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE可以与半导体有源层SA叠置设置。栅电极GE可以包括铝(Al)、铝合金(Al alloy)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)、钕(Nd)、钪(Sc)和其任何合金中的至少一种。
层间绝缘层ILD可以设置在栅电极GE上。层间绝缘层ILD可以使栅电极GE与源电极和漏电极DE绝缘。层间绝缘层ILD可以包括与阻挡层BAL、缓冲层BUL和栅极绝缘层GI的材料相同的材料。
源电极SE和漏电极DE可以设置在层间绝缘层ILD上。源电极SE和漏电极DE可以由于层间绝缘层ILD而与栅电极GE绝缘。源电极SE和漏电极DE可以分别与源区和漏区接触。
在实施例中，给出了顶栅结构的薄膜晶体管的示例。然而，它不应该限制于此。例如，薄膜晶体管可以是具有底栅结构的薄膜晶体管，但不限于此。
可以设置覆盖位于驱动装置层DDL上的薄膜晶体管的保护层PSV。保护层PSV的一部分可以被去除并暴露漏电极DE的一部分。保护层PSV可以包括至少一个层。例如，保护层PSV可以是有机保护层，但不限于此。有机保护层PSV可以包括亚克力、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)和苯并环丁烯(BCB)中的一种。有机保护层可以是透明的并且可以具有流动性，有机保护层可以是能够通过缓解下部结构的弯曲或曲线(面)来变平的平坦化层。
保护层PSV可以包括无机保护层(未示出)和设置在无机保护层上的有机保护层。无机保护层可以包括与阻挡层BAL、缓冲层BUL、栅极绝缘层GI和层间绝缘层ILD的材料相同的材料。
显示装置层LDL可以设置在保护层上。显示装置层LDL可以包括结合到薄膜晶体管的显示装置OLED。显示装置可以结合到薄膜晶体管的漏电极DE。显示装置OLED可以是有机发光二极管。根据发射形式，显示装置OLED可以是底发射型有机发光装置、顶发射型有机发光装置和双侧发射型有机发光装置中的一种。在实施例中，提供了显示装置OLED为底发射型有机发光装置的示例。
显示装置OLED可以包括：第一电极E1，为能够使得光穿过的透射电极；有机层OL，设置在第一电极E1上；第二电极E2，为设置在有机层OL上并且能够反射光的反射电极。
第一电极E1可以与漏电极DE接触。第一电极E1可以是包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和掺氟氧化锡(FTO)中的一种的透明导电氧化物的导电层。
像素限定层PDL可以设置在第一电极E1上。像素限定层PDL可以包括开口区域，开口区域可以暴露第一电极E1。
像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料。例如，像素限定层PDL可以包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚芳醚、杂环聚合物、聚对二甲苯、氟化聚合物、环氧树脂、苯并环丁烯系列树脂、硅氧烷系列树脂和硅烷树脂中的至少一种，但不限于此。
有机层OL可以设置在被像素限定层PDL暴露的第一电极E1上。有机层OL可以至少包括发射层EML并且通常具有多层薄膜结构。例如，有机层OL可以包括：空穴注入层HIL，注入空穴；空穴传输层HTL，具有优异的空穴传输，并且通过抑制未在发射层EML中结合的电子的移动来增加空穴和电子复合的机会；发射层EML，由于注入的电子和空穴的复合而发光；空穴阻挡层HBL，抑制未在发射层EML中结合的空穴的移动；电子传输层ETL，向发射层EML流畅地传输电子；电子注入层EIL，注入电子。但不限于此。从发射层产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种，但不限于此。例如，从有机层OL的发射层产生的光的颜色可以是品红色、青色和黄色中的一种，但不限于此。
第二电极E2可以设置在有机层OL上。第二电极E2可以包括具有逸出功比第一电极E1低的材料，例如，钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和其任意合金中的至少一种，但不限于此。用于防止第二电极E2的IR降(IR-drop)的导电层(未示出)还可以被包括在第二电极E2上。
密封层120可以是面对薄膜晶体管基底110的包封基底。密封层120可以包括与基础基底SUB的材料相同的材料。密封层120可以是柔性基底。
密封层120可以使显示装置层LDL(尤其是显示装置OLED)与外部环境隔离。密封层120可以通过密封剂附着到薄膜晶体管基底110。密封剂可以设置在非显示区域NDA中。
密封层120可以包括覆盖显示装置OLED的多个无机层(未示出)和多个有机层(未示出)。密封层可以防止湿气和氧渗透到位于第二电极E2上的显示装置OLED中。有机层可以包括环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的至少一种。无机层可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrOx)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。
显示面板100还可以包括填充薄膜晶体管基底110和密封构件120之间的空间的填料。填料可以防止外部冲击对显示装置OLED的损害。
如上所述，由于弯曲或卷曲而产生的应力可以被位于显示面板100中的应力缓解图案SRP缓解或消除。即使显示面板100可以被弯曲或卷曲，应力缓解图案SRP也可以防止应力集中在一点处。显示面板100可以防止由于弯曲或卷曲而出现内部裂缝。显示面板100可以防止由于弯曲或卷曲而引起的寿命的减少。
参照图6至图11，描述制造显示面板100的方法的实施例。
图6至图11示出了制造图1至图5中示出的显示面板的方法。
参照图6，可以在载体基底CS上形成基础基底SUB。
载体基底CS可以是玻璃基底。载体基底CS可以是刚性型基底。载体基底CS可以在后续工艺中支撑基础基底SUB并防止基础基底SUB发生变形。
可以通过在载体基底CS上涂覆高分子有机物质来形成基础基底SUB。高分子有机物质可以是聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素中的一种。
在形成基础基底SUB之后，在基础基底SUB上涂敷绝缘材料以形成支撑材料层SP’。支撑材料层SP’可以支撑将顺序地形成的驱动装置层DDL和显示装置层LDL。
支撑材料层SP’可以包括用于流畅的图案化的绝缘材料。例如，支撑材料层SP’可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)和氧化钼(MoOx)中的一种，但不限于此。在实施例中，提供了支撑材料层SP’包括氧化钼MoOx的示例。
参照图7，在形成支撑材料层SP’之后，可以形成包括至少一个开口的掩模图案MP。开口可以暴露支撑材料层SP’的一部分。可以通过在支撑材料层SP’上涂敷光致抗蚀剂材料并经过曝光和显影工艺来形成掩模图案MP。开口可以具有在一个方向上延伸的形状。
可以通过利用掩模图案MP使支撑材料层SP’图案化来形成多个支撑图案SP。如果支撑材料层SP’包括氧化钼MoOx，则支撑材料层SP’的图案化可以使用以水作为蚀刻剂的湿蚀刻工艺。这是因为氧化钼(MoOx)可溶于水中。
支撑图案SP之间的空间可以是应力缓解图案SRP。可以通过图案化来形成包括多个支撑图案SP和设置在所述多个支撑图案SP之间的至少一个应力缓解图案SRP的应力缓解层SRL。
应力缓解图案SRP可以具有与开口对应的形状。应力缓解图案SRP可以是具有在一个方向上延伸的条形形状的空的空间。
尽管未在附图中示出，但在形成应力缓解层SRL之后，可以用密度比支撑图案SP的密度低的材料来填充应力缓解图案SRP。应力缓解图案SRP可以是填充有密度比支撑图案SP的密度低的材料的图案。
参照图8，在形成应力缓解层SRL之后，可以在应力缓解层SRL上形成阻挡层BAL。阻挡层BAL可以使基础基底SUB的由应力缓解层SRL产生的不平坦表面平坦化。阻挡层BAL可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(AlOx)和氮化铝(AlNx)中的至少一种。
在形成阻挡层BAL之后，可以在阻挡层BAL上形成缓冲层BUL。缓冲层BUL可以包括与阻挡层BAL的材料相同的材料。缓冲层BUL可以使阻挡层BAL的不平坦表面平坦化。
参照图9，在形成缓冲层BUL之后，可以在缓冲层BUL上形成驱动装置层DDL。驱动装置层DDL可以包括至少一个薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括半导体有源层(SA)、栅电极(GE)、源电极(SE)和漏电极(DE)。
可以如下地形成驱动装置层DDL。
可以通过在缓冲层BUL上涂敷半导体材料并使其图案化来形成半导体有源层SA。半导体有源层SA可以包括非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)和氧化物半导体中的一种。
可以形成覆盖半导体有源层SA的栅极绝缘层GI。栅极绝缘层GI可以覆盖半导体有源层SA并使半导体有源层SA与栅电极GE绝缘。栅极绝缘层GI可以包括氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)中的至少一种。
在形成栅极绝缘层GI之后，可以在栅极绝缘层GI上形成导电金属层并使导电金属层图案化以形成栅电极GE。可以与半导体有源层SA叠置地设置栅电极GE。栅电极GE可以包括铝(Al)、铝合金(Al alloy)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)、钕(Nd)、钪(Sc)和其任何合金中的至少一种。
在形成栅电极GE之后，可以形成层间绝缘层ILD。层间绝缘层ILD可以使栅电极GE与源电极和漏电极DE绝缘。层间绝缘层ILD可以包括与栅极绝缘层GI的材料相同的材料。
在形成层间绝缘层ILD之后，可以通过使层间绝缘层ILD图案化来使半导体有源层SA的一部分暴露。从半导体有源层SA暴露的区域可以是与随后可形成的源电极SE和漏电极DE接触的区域。
通过在层间绝缘层ILD上形成导电层并使其图案化，通过形成源电极SE和漏电极DE，可以形成驱动装置层DDL。
在形成驱动装置层DDL之后，可以在驱动装置层DDL上形成保护层PSV。保护层PSV可以包括至少一个层。例如，保护层可以是有机保护层，但不限于此。有机保护层可以包括亚克力、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)和苯并环丁烯(BCB)中的一种。有机保护层可以是透明的并且可以具有流动性，有机保护层可以是能够通过缓解下部结构的弯曲或曲线(面)来变平的平坦化层。
保护层PSV可以包括无机保护层(未示出)和设置在无机保护层上的有机保护层。无机保护层可以包括与栅极绝缘层GI和层间绝缘层ILD的材料相同的材料。
在形成保护层PSV之后，可以通过使保护层PSV图案化来暴露漏电极DE的一部分。
可以在保护层PSV上形成显示装置层LDL。显示装置层LDL可以包括结合到漏电极DE的显示装置OLED。显示装置OLED可以包括：第一电极E1，为能够使得光穿过的透射电极；有机层OL，设置在第一电极E1上；第二电极E2，为设置在有机层OL上并且能够反射光的反射电极。
可以如下地形成显示装置层LDL。
可以在保护层PSV上形成透明导电氧化物层。可以通过使透明导电氧化物层图案化来形成第一电极E1。第一电极E1可以与漏电极DE接触。透明导电氧化物层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和掺氟氧化锡(FTO)中的一种。
在形成第一电极E1之后，可以在第一电极E1上形成暴露第一电极E1的一部分的像素限定层PDL。可以通过形成有机绝缘材料层以覆盖第一电极E1并使有机绝缘材料层图案化来形成像素限定层PDL。像素限定层PDL可以包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚芳醚、杂环聚合物、聚对二甲苯、氟化聚合物、环氧树脂、苯并环丁烯系列树脂、硅氧烷系列树脂和硅烷树脂中的至少一种。
在形成像素限定层PDL之后，可以在由像素限定层PDL暴露的第一电极E1上形成有机层OL。有机层OL可以至少包括发射层EML并且通常具有多层薄膜结构。例如，可以通过顺序地堆叠空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发射层EML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL来形成有机层OL，但不限于此。
在形成有机层OL之后，可以在有机层OL上形成第二电极E2以形成显示装置层LDL。可以由此形成包括基础基底SUB、应力缓解层SRL、阻挡层BAL、缓冲层BUL、驱动装置层DDL、保护层PSV和显示装置层LDL的薄膜晶体管基底110。
第二电极E2可以具有比第一电极E1的逸出功低的逸出功。第二电极E2可以包括具有优异的反射率的材料。例如，第二电极E2可以包括钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和其任意合金中的至少一种，但不限于此。
尽管未在附图中示出，但在形成第二电极E2之后，可以在第二电极E2上形成用于防止第二电极E2的IR降的导电层(未示出)。
参照图10，在形成显示装置层LDL之后，可以形成使显示装置OLED与外部环境隔离的密封层120。例如，密封层120可以是面对薄膜晶体管基底110的包封基底，但不限于此。密封层120可以包括与基础基底SUB的材料相同的材料。密封层120可以是柔性基底。
如果密封层120是包封基底，则在将密封层120设置成面对薄膜晶体管基底110之后，可以使用密封剂(未示出)使薄膜晶体管基底110与密封层120附着。
参照图11，在形成密封层120之后，可以去除载体基底CS。例如，可以通过从在载体基底CS上形成的基础基底SUB的表面的相对方向的表面施加热或者照射激光束来容易地去除载体基底CS，但不限于此。
可以通过蚀刻应力缓解层SRL的工艺来容易地执行如上所述的制造显示面板的方法。如果应力缓解层SRL包括氧化钼(MoOx)，则通过使用水作为蚀刻剂的湿蚀刻工艺，可以形成应力缓解层SRL。因此，可以减少根据蚀刻工艺的环境污染的担忧。
在下文中，参照图12和图13，描述其它实施例。对于图12和图13，与图1至图5中示出的组件相同的组件被给出相同的附图标记，将省略对其的描述。为了避免图12和图13中的重复描述，将提供与图1至图5不同的特征的描述。
图12是用于示出根据另一实施例的显示面板的剖视图。
参照图12，显示面板100可以包括薄膜晶体管基底110和面对薄膜晶体管基底110的密封层120。
薄膜晶体管基底110可以包括：基础基底SUB；阻挡层BAL，设置在基础基底SUB上；应力缓解层SRL，设置在阻挡层BAL上；缓冲层BUL，设置在应力缓解层SRL上；驱动装置层DDL，设置在缓冲层BUL上；显示装置层LDL，设置在驱动装置层DDL上。
基础基底SUB可以是柔性型的基础基底。
阻挡层BAL可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(AlOx)和氮化铝(AlNx)中的至少一种。阻挡层BAL可以使基础基底SUB的表面平坦化。
应力缓解层SRL可以设置在阻挡层BAL上并且防止在显示面板100弯曲或折叠时应力集中在显示面板100内部的特定点上。
应力缓解层SRL可以包括多个支撑图案SP和设置在支撑图案SP之间的至少一个应力缓解图案SRP。
支撑图案SP可以支撑设置在应力缓解层SRL的上部上的驱动装置层DDL和显示装置层LDL。
应力缓解图案SRP的密度可以比支撑图案SP的密度低。例如，应力缓解图案SRP可以设置在支撑图案SP之间并且可以是具有在一个方向上延伸的条形形状的空的空间，但不限于此。
应力缓解图案SRP可以设置在支撑图案SP之间的空间中并且可以包括密度比支撑图案SP的密度低的材料。
缓冲层BUL可以设置在应力缓解层SRL上并且可以使由于应力缓解层SRL产生的不平坦平坦化。因此，应力缓解图案SRP可以是设置在阻挡层BAL和缓冲层BUL之间的腔。
驱动装置层DDL可以包括至少一个薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括半导体有源层SA、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
覆盖薄膜晶体管的保护层PSV可以设置在显示装置层LDL上。
显示装置层LDL可以设置在保护层PSV上。显示装置层LDL可以包括结合到薄膜晶体管的显示装置OLED。显示装置可以与薄膜晶体管的漏电极DE接触。
图13是用于示出根据又一实施例的显示面板的剖视图。
参照图13，显示面板100可以包括薄膜晶体管基底110和面对薄膜晶体管基底110的密封层120。
薄膜晶体管基底110可以包括：基础基底SUB；应力缓解层SRL，设置在基础基底SUB上；驱动装置层DDL，设置在应力缓解层SRL上；显示装置层LDL，设置在驱动装置层DDL上。
基础基底SUB可以是柔性型的基础基底。
应力缓解层SRL可以设置在阻挡层BAL上。应力缓解层SRL可以防止在显示面板100弯曲或折叠时应力集中在显示面板100内部的特定位置中。应力缓解层SRL可以包括具有在一个方向上延伸的条形形状的多个应力缓解图案SRP。应力缓解图案SRP可以是具有应力缓解层SRL的一部分被去除的沟槽形状的空的空间。应力缓解图案SRP可以具有不同的深度。
应力缓解图案SRP可以具有填充有密度比应力缓解层SRL的密度低的材料的结构。
阻挡层BAL可以设置在应力缓解层SRL上。缓冲层BUL可以设置在阻挡层BAL上。阻挡层BAL可以使由于应力缓解层SRL产生的不平坦平坦化。
驱动装置层DDL可以设置在缓冲层BUL上，并且可以包括至少一个薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括半导体有源层SA、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
覆盖薄膜晶体管的保护层PSV可以设置在显示装置层LDL上。
显示装置层LDL可以设置在保护层PSV上。显示装置层LDL可以包括结合到薄膜晶体管的显示装置OLED。显示装置可以与薄膜晶体管的漏电极DE接触。
这里已经公开了示例实施例，尽管采用了特定的术语，但是仅以一般的和描述性的含义来使用它们并将仅以一般的和描述性的含义来解释它们，而不是为了限制的目的。在某些情况下，除非另外具体说明，否则如截至本申请提交之时的本领域普通技术人员将清楚的是，结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者可与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合起来使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求所阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式上和细节上做出各种变化。

Claims (10)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
薄膜晶体管基底；以及
显示层，设置在所述薄膜晶体管基底上并包括显示器，
其中，所述薄膜晶体管基底包括：
基础基底；
应力缓解层，设置在所述基础基底上并包括至少一个应力缓解图案以及彼此分隔开设置的多个支撑图案，所述至少一个应力缓解图案设置在所述多个支撑图案之间；
驱动装置层，设置在所述应力缓解层上并包括结合到所述显示器的至少一个薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个支撑图案具有条形形状。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述至少一个应力缓解图案的密度比所述多个支撑图案的密度低。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述多个支撑图案中的每个包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝和氧化钼中的一种。
5.根据权利要求2所述的显示面板，所述显示面板还包括设置在所述应力缓解层和所述驱动装置层之间的阻挡层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述至少一个应力缓解图案是位于所述基础基底和所述阻挡层之间的腔。
7.根据权利要求2所述的显示面板，所述显示面板还包括：
阻挡层，设置在所述基础基底和所述应力缓解层之间；以及
缓冲层，设置在所述应力缓解层和所述驱动装置层之间。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述至少一个应力缓解图案是位于所述阻挡层和所述缓冲层之间的腔。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述至少一个应力缓解图案是所述应力缓解层的一部分被去除的具有沟槽形状的空的空间。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述应力缓解层包括具有不同深度的多个应力缓解图案。
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