JP2007046053A - 可撓性表示装置用接着テープ及びこれを利用した可撓性表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、可撓性表示装置用接着テープ及びこれを利用した可撓性表示装置の製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の可撓性表示装置用接着テープは、基材、前記基材の一面に塗布されており、その一面には凹凸が形成されている第１接着層、そして前記基材の他の一面に塗布されている第２接着層を含む。したがって、可撓性基板のベンディング現象を防止すると共に、接着剤の過度な接着力なしでも可撓性基板と支持体との間が剥離されることを防止して、製造工程をさらに安定的に行うことができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、可撓性表示装置用接着テープ及びこれを利用した可撓性表示装置の製造方法に関するものである。

現在、広く使用されている平板表示装置のうちの代表的なものが液晶表示装置及び有機発光表示装置である。
液晶表示装置は、一般的に、共通電極とカラーフィルターなどが形成されている上部表示板と、薄膜トランジスタと画素電極とが形成されている下部表示板、及び二つの表示板の間に入っている液晶層を含む。画素電極と共通電極に電位差を与えれば液晶層に電場が生成され、この電場によって方向が決定される。液晶分子の配列方向によって入射光の透過率が決定されるので、二つの電極の間の電位差を調節することによって所望の映像を表示することができる。

有機発光表示装置は、正孔注入電極（アノード）と電子注入電極（カソード）とこれらの間に形成されている有機発光層を含み、アノードから注入される正孔とカソードから注入される電子とが有機発光層で再結合して消滅しながら光を発する自己発光型表示装置である。
しかし、このような表示装置は、重くて破損しやすいガラス基板を使用するため、携帯性及び大画面表示に限界がある。したがって、最近は、重量が軽くて衝撃に強いだけでなく、可撓性であるプラスチック基板を使用する表示装置が開発されている。
ところが、プラスチックは、熱を加えると湾曲したり、膨張したりする性質があるため、プラスチック上に電極や信号線などの薄膜パターンを形成するのが難しい。

本発明が目的とする技術的課題は、プラスチック基板を利用する可撓性表示装置の製造において、プラスチック基板のベンディング現象を防止しながら、さらに安定的に工程を進行することにある。

このような技術的課題を解決するための本発明による可撓性表示装置用接着テープは、基材、前記基材の一面に形成されており、その一面には凹凸が備えられている第１接着層、そして前記基材の他の一面に塗布されている第２接着層を含む。
前記第２接着層の一面には凹凸が備えられていてもよい。
前記凹凸の隣接する凸部の間の長さは５〜５００μｍとすることができる。
前記凹凸の凹部の深さは１０μｍ以下とすることができる。
前記第１及び第２接着層は、アクリル系又はシリコン系の接着剤を含むことができる。
本発明の他の特徴によれば、可撓性基板の一面に凹凸が形成されている接着テープの一側面を接着する工程、前記接着テープの他の面を支持体に付着する工程、前記可撓性基板上に薄膜パターンを形成する工程、前記可撓性基板を前記支持体から分離する工程を含む可撓性表示装置の製造方法が提案される。

前記可撓性基材は硬性塗布膜で塗布することができる。
前記硬性塗布膜はアクリル樹脂を含むでいてもよい。
前記可撓性基材は、有機膜、前記有機膜の両面に形成されている下部塗布膜、前記下部塗布膜上に形成されている障壁層、及び前記障壁層上に形成されている硬性塗布膜を含むことができる。

前記有機膜は、ポリエチレンエーテルフタレート（polyethylene ether phthalate）、ポリエチレンナフタレート（polyethylene naphthalate）、ポリカーボネート（polycarbonate）、ポリアリーレート（polyarylate）、ポリエーテルイミド（polyether imide）、ポリエーテルスルホン酸（polyether sulfonate）、ポリイミド（polyimide）、及びポリアクリレート（polyacrylate）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の物質とすることができる。
前記下部塗布膜及び前記硬性塗布膜はアクリル樹脂を含むことができる。
前記障壁層はＳｉＯ₂又はＡｌ₂Ｏ₃を含むことができる。
前記支持体はガラスを含むことができる。
前記薄膜パターンは有機発光層を含むことができる。
前記薄膜パターンは非晶質シリコン薄膜トランジスタを含むことができる。
前記薄膜パターンは有機薄膜トランジスタを含むことができる。

本発明によれば、可撓性基板のベンディング現象を防止すると共に、過度の接着力がない接着剤を用いた場合でも可撓性基板と支持体との間での剥離を防止して、製造工程をさらに安定的に行うことができる。

以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相違した形態で実現でき、ここで説明する実施例に限定されない。
図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似な部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上にある”とすれば、これは他の部分の“直上にある”場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直上にある”とすれば、中間に他の部分がないことを意味する。

まず、図１及び図２を参照して、本発明の多様な実施例による可撓性表示装置用接着テープについて説明する。
図１は、本発明の一つの実施例による可撓性表示装置用接着テープを示す断面図である。
図１を参照すれば、本実施例による接着テープ５０は、基材５１、及び基材５１の両面に塗布されている第１及び第２接着層５２、５３を含む。
基材５１は接着テープ５０の形態を維持するベース部分であって、ポリイミド又はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）から形成することができる。しかし、このような材質に限定されるものではなく、本発明の目的以内で多様な材質を採用することができる。

基材５１の一面に形成されている第１接着層５２は、可撓性基板（図示せず）と直接接触する部分であって、その一面には凹凸５４が備えられている。このような凹凸５４は、接着テープ５２と可撓性基板との間に介されたり、発生し得る起泡などを排出する通路の役割を果たす。
凹凸５４は、複数の凸部５４ａ、５４ｂ及び複数の凹部５４ｃを備える。隣接する凸部５４ａ、５４ｂの間の長さは、起泡などを排出する通路としての役割を果たし、後続工程で洗浄液又はストリッパーなどの化学物質の浸透を防止するという観点から、５〜５００μｍであるのが好ましい。また、凹部５４ｃの深さ（Ｄ）は１０μｍ以下であるのが好ましい。これも凹凸５４の役割を適切に果たすと共に化学物質の浸透を防ぐためである。

基材５１の他の面には第２接着層５３が形成されている。第２接着層５３は支持体（図示せず）と直接接触する部分であって、第１接着層５３と違って凹凸が形成されていない。
第１及び第２接着層５２、５３は、例えば、感温性低温脱着型接着剤、感温性高温脱着型接着剤、シリコン接着剤又はアクリル系接着剤などを使用することができる。

図２は、本発明の他の実施例による可撓性表示装置用接着テープを示す断面図である。
図２を参照すれば、本実施例による可撓性表示装置用接着テープ５５は、図１に示した接着テープ５０とは異なって、第２接着層５６の一面にも凹凸が形成されている。これにより、支持体と接着テープ５５との間に発生し得る起泡もまた完壁に外部に放出することができる。

次に、図３〜図６を参照して本発明の一つの実施例による可撓性表示装置の製造方法について説明する。
図３〜図６は、本発明の一つの実施例による可撓性表示装置の製造方法を順に説明する断面図である。
まず、図３及び図４を参照すれば、プラスチックなどからなる可撓性基板６０、接着テープ５０、及び支持体４０を用意し、これを順に付着する。つまり、可撓性基板６０の一側面と接着テープ５０で凹凸５４が形成されている第１接着層５２とを接着した後、接着テープ５０の第２接着層５３と支持体４０とを接着する。第１接着層５２には凹凸５４が形成されているので、可撓性基板６０と第１接着層５２との間には空間が生じる。

この時、可撓性基板６０と第１接着層５２の接着は真空で行い、起泡の流入が最小となるようにするのが好ましい。しかし、起泡が流入したり、接着剤成分から起泡が発生しても、可撓性基板６０と第１接着層５２との間に生じた空間を通して起泡が外部に放出されるので、接着層５２、５３が接着力が強力でない成分からなっていても、後続工程中で可撓性基板６０と接着テープ５０が分離されることを防止することができる。
プラスチック基板６０は、ポリエチレンエーテルフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリーレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン酸、ポリイミド又はポリアクリレートより選択された少なくとも一つの物質からなる有機膜を含む。プラスチック基板６０は、このような有機膜の両面に順に形成されているアクリル系樹脂などの下部塗布膜（図示せず）、ＳｉＯ₂又はＡｌ₂Ｏ₃などの障壁層（図示せず）、及びアクリル系樹脂などの硬性塗布膜（図示せず）などをさらに含むことができる。このような層や膜はプラスチック基板６０の物理的化学的損傷を防止する。

接着テープ５０は、図１に示した接着テープ５０だけでなく、図２に示した接着テープ５５を使用することができる。
支持体４０は、可撓性表示装置の製造工程中に曲がりやすい可撓性基板６０を支持するものであって、例えばガラスからなることができる。

次に、図５のように、接着テープ５０で支持体４０によって付着された可撓性基板６０上に薄膜パターン７０を形成する。この時、可撓性基板６０は支持体４０に固く結合されているので湾曲したり、膨張したりしない。
図６を参照すれば、薄膜パターン７０が形成された可撓性基板６０を支持体４０から分離する。

一方、可撓性基板６０は液晶表示装置、有機発光表示装置などの基板として用いられることができるが、これについて詳細に説明する。
図７は、本発明の一つの実施例による液晶表示装置の配置図であり、図８Ａ及び図８Ｂは、各々図３の液晶表示装置をＶＩＩＩａ−ＶＩＩＩａ及びＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ線に沿って切断した断面図である。
図７〜図８Ｂを参照すれば、本実施例による液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００及びこれらの間に入っている液晶層３を含む。

まず、薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。
プラスチックなどからなる可撓性基板１１０上に、複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は、上に突出した複数のゲート電極１２４と、他の層又は外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９とを含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されていてもよいし、基板１１０上に直接装着されていてもよいし、基板１１０に集積されていてもよい。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１が延長されてこれと直接連結される。
維持電極線１３１は所定の電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほとんど並んで延びた幹線と、これから分かれた複数対の維持電極１３３ａ、１３３ｂとを含む。維持電極線１３１の各々は隣接した二つのゲート線１２１の間に位置し、幹線は二つのゲート線のうちの下側に近い。維持電極１３３ａ、１３３ｂの各々は、幹線に連結された固定端とその反対側の自由端とを有している。一側の維持電極１３３ｂの固定端は面積が広く、その自由端は、直線部分と曲線部分の二つの枝に分かれる。しかし、維持電極線１３１の模様及び配置は多様に変更されることができる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、及びチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を低減させることができるように、比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これとは異なって、他の導電膜は他の物質、特に、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）及びＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどからなる。このような組み合わせの例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜が挙げられる。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、その他にも多様な金属又は導電体で形成することができる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は基板１１０面に対して傾いており、その傾斜角は約３０゜〜約８０゜であるのが好ましい。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは「ａ−Ｓｉ」と記すことがある）、多結晶シリコン又は有機半導体などで形成された複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は主に縦方向に延びており、ゲート電極１２４に向かって延びて出た複数の突出部１５４を含む。線状半導体１５１は、ゲート線１２１及び維持電極線１３１の付近で幅が広くなってこれらを幅広く覆っている。
半導体１５１上には、複数の線状及び島型抵抗性接触部材１６１、１６５が形成されている。抵抗性接触部材１６１、１６３、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ⁺水素化非晶質シリコンなどの物質で形成されたり、シリサイドで形成されることができる。線状抵抗性接触部材１６１は複数の突出部１６３を有しており、この突出部１６３と島型抵抗性接触部材１６５は、対を成して半導体１５１の突出部１５４上に配置されている。

半導体１５１と抵抗性接触部材１６１、１６３、１６５の側面もまた基板１１０面に対して傾いており、傾斜角は３０度〜８０度程度である。
抵抗性接触部材１６１、１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５とが形成されている。
データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１と交差する。各データ線１７１はまた維持電極線１３１と交差し、隣接した維持電極１３３ａ、１３３ｂ集合の間を過ぎる。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延びた複数のソース電極１７３と、他の層又は外部駆動回路との接続のための面積が広い端部１７９とを含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されていてもよいし、基板１１０上に直接装着されていてもよいし、基板１１０に集積されていてもよい。データ駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が延びてこれと直接連結される。

ドレイン電極１７５はデータ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。各ドレイン電極１７５は、面積が広い一側端部と、棒状の他側端部とを有している。広い端部は維持電極線１３１の一部と重なり、棒状端部はソース電極１７３で一部囲まれている。
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３、及び一つのドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を成し、薄膜トランジスタのチャンネルはソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の突出部１５４に形成される。半導体１５１が有機半導体である場合、薄膜トランジスタは有機薄膜トランジスタになる。

データ線１７１及びドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル、及びチタニウムなど耐化性金属又はこれらの合金で形成されるのが好ましく、耐化性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造とすることができる。多重膜構造の例としては、クロム又はモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜が挙げられる。しかし、データ線１７１及びドレイン電極１７５はその他にも多様な金属又は導電体で形成することができる。

データ線１７１及びドレイン電極１７５また、その側面が基板１１０面に対して３０゜〜８０゜程度の傾斜角に傾いたのが好ましい。
抵抗性接触部材１６１、１６３、１６５は、その下の半導体１５１、１５４とその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。大部分の所では線状半導体１５１の幅がデータ線１７１の幅より小さいが、前述のように、ゲート線１２１と会う部分で幅が広くなって表面のプロファイルを滑らかにすることにより、データ線１７１が断線することを防止する。半導体１５１、１５４には、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間を始めとして、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われずに露出された部分がある。

データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び露出された半導体１５１、１５４部分の上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物又は有機絶縁物などで形成され、表面を平坦とすることができる。無機絶縁物の例としては、窒化ケイ素と酸化ケイ素等が挙げられる。有機絶縁物は感光性を有することができ、その誘電常数は約４.０以下であるのが好ましい。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも、露出された半導体１５１部分に悪影響を与えないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することができる。
保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５を各々露出する複数の接触孔１８２、１８５が形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９を露出する複数の接触孔１８１、維持電極１３３ｂの固定端付近の維持電極線１３１の一部を露出する複数の接触孔１８３ａ、そして維持電極１３３ａ自由端の直線部分を露出する複数の接触孔１８３ｂが形成されている。
保護膜１８０の上には、複数の画素電極１９１、複数の連結橋８３、及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。画素電極１９１は、接触孔１８５を通してドレイン電極１７５と物理的、電気的に連結されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は、共通電圧の印加を受ける共通電極表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって、二つの電極の間の液晶層３の液晶分子の方向を決定する。このように決定された液晶分子の方向によって液晶層を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極はキャパシタ（以下、“液晶キャパシタ”とする）を構成して、薄膜トランジスタがオフされた後にも印加された電圧を維持する。

画素電極１９１は、維持電極１３３ａ、１３３ｂを始めとする維持電極線１３１と重なる。画素電極１９１及びこれと電気的に連結されたドレイン電極１７５が維持電極線１３１と重なって成すキャパシタを“ストレージキャパシタ”とし、ストレージキャパシタは液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。
接触補助部材８１、８２は、各々接触孔１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に連結される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
連結橋８３はゲート線１２１を横切り、ゲート線１２１を隔てて反対方向に位置する接触孔１８３ａ、１８３ｂを介して維持電極線１３１の露出された部分と維持電極１３３ｂ自由端の露出された端部とに連結されている。維持電極１３３ａ、１３３ｂを始めとした維持電極線１３１は、連結橋８３と共にゲート線１２１やデータ線１７１又は薄膜トランジスタの欠陥を修理するのに使用できる。

次に、カラーフィルター表示板２００について説明する。
プラスチックなどからなる可撓性基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０はブラックマトリックスともいい、画素電極１９１と対向する複数の開口領域を定義する一方、画素電極１９１の間の光漏れを防止する。
基板２１０上にはまた、複数のカラーフィルター２３０が形成されており、遮光部材２２０に囲まれた開口領域内にほとんど満たされるように配置されている。カラーフィルター２３０は、画素電極１９０に沿って縦方向に長く延びてストライプを成すことができる。各カラーフィルター２３０は赤色、緑色、及び青色の三原色などの基本色のうちの一つを表示することができる。

カラーフィルター２３０及び遮光部材２２０の上には蓋膜２５０が形成されている。蓋膜２５０は絶縁物で形成することができ、カラーフィルター２３０を保護し、カラーフィルター２３０が露出されることを防止し、平坦面を提供する。
蓋膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電導電体で形成されるのが好ましい。
表示板１００、２００の内側面上には、液晶層３を配向するための配向膜（図示せず）が塗布されており、表示板１００、２００の外側面には、一つ以上の偏光子（図示せず）が備えられている。

以下、図７〜図８Ｂに示した液晶表示装置のうちの薄膜トランジスタ表示板１００を本発明の一つの実施例によって製造する方法について、図９〜図１６Ｂ及び図７〜図８Ｂを参照して詳細に説明する。
図９、図１１、図１３及び図１５は、図７〜図８Ｂに示した液晶表示装置のうちの薄膜トランジスタ表示板を本発明の一つの実施例によって製造する方法の中間工程での配置図であって、その順序に従って羅列したものであり、図１０Ａ、図１０Ｂ、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１４Ａ、図１４Ｂ、図１６Ａ、及び図１６Ｂは、図９、図１１、図１３、及び図１５に示した薄膜トランジスタ表示板を、Ｘａ−Ｘａ、Ｘｂ−Ｘｂ、ＸＩＩａ−ＸＩＩａ、ＸＩＩｂ−ＸＩＩｂ、ＸＩＶａ−ＸＩＶａ、ＸＩＶｂ−ＸＩＶｂ、ＸＶＩａ−ＸＶＩａ、及びＸＶＩｂ−ＸＶＩｂ線によって切断した断面図である。
まず、図９〜図１０Ｂを参照すれば、支持体４０上に接着テープ５０を使用して可撓性基板１１０を接着した後、基板１１０上の金属膜をスパッタリングなどで順に積層し、写真エッチングして、ゲート電極１２４及び端部１２９を含む複数のゲート線１２１及び維持電極１３３ａ、１３３ｂを含む複数の維持電極線１３１を形成する。

図１１〜図１２Ｂを参照すれば、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層１５０、不純物非晶質シリコン層１６０の３層膜を連続して積層した後、上の二つの層をパターニングして、複数の線状不純物半導体１６４及び突出部１５４を含む複数の線状真性半導体１５１を形成する。
次に、図１３〜図１４Ｂを参照すれば、金属膜をスパッタリングなどで積層した後、写真エッチングして、ソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５を形成する。
次いで、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われずに露出された不純物半導体１６４部分を除去することによって、突出部１６３を含む複数の線状抵抗性接触部材１６１と複数の島型抵抗性接触部材１６５を完成する一方、その下の真性半導体１５１部分を露出させる。露出された真性半導体１５１部分の表面を安定化させるために、酸素プラズマを引き続き実施するのが好ましい。

次に、図１５〜図１６Ｂを参照すれば、化学気相蒸着などで無機絶縁物を積層したり、感光性有機絶縁物を塗布して保護膜１８０を形成する。その後、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０をエッチングして接触孔１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５を形成する。
最後に、図７〜図８Ｂを参照すれば、ＩＴＯ又はＩＺＯ膜をスパッタリングで積層し、写真エッチングして、複数の画素電極１９１と複数の接触補助部材８１、８２を形成する。その他にも配向膜（図示せず）を形成する工程を追加することができる。
次に、図７〜図８Ｂに示した液晶表示装置において、共通電極表示板２００を本発明の一つの実施例によって製造する方法について、図１７Ａ〜図１７Ｄを参照して詳細に説明する。

図１７Ａを参照すれば、支持体４０上に接着部材５０を使用して可撓性基板２１０を接着する。その後、可撓性基板２１０上に遮光特性に優れた物質を積層し、マスクを利用した写真エッチング工程でパターニングして遮光部材２２０を形成する。
次に、図１７Ｂのように、プラスチック基板２１０上に感光性組成物を塗布して、互いに異なる三つの色相を示す複数のカラーフィルター２３０を形成する。
その後、図１７Ｃのように、カラーフィルター２３０上に蓋膜２５０を形成し、図１７Ｄのように蓋膜２５０上に共通電極２７０を積層する。

その次に、以上のように製造された薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００を結合する。その後、薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００との間に液晶を注入する。この時、薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００の結合の前に液晶を下降させて液晶を注入することもできる。
図３〜図６に示した方法において、薄膜パターン７０は、有機半導体を含む有機薄膜トランジスタを含むこともできる。

また、図３〜図６に示した方法は、液晶表示装置だけでなく有機発光表示装置にも適用することができる。
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者のいろいろな変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。

本発明の可撓性表示装置用接着テープは、表示装置、特に液晶表示装置を備える種々の装置（例えば、平板テレビ、ラップトップコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等）において、可撓性であるか否かにかかわらず、広く利用することができるが、特に、可撓性基板に対して適用する場合に有利に利用することができる。

本発明の一つの実施例による可撓性表示装置用接着テープを示す断面図である。 本発明の他の実施例による可撓性表示装置用接着テープを示す断面図である。 本発明の一つの実施例による可撓性表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一つの実施例による可撓性表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一つの実施例による可撓性表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一つの実施例による可撓性表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一つの実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 図７に示した薄膜トランジスタ表示板を、ＶＩＩａ−ＶＩＩａ線によって切断した断面図である。 図７に示した薄膜トランジスタ表示板を、ＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ線によって切断した断面図である。 図７、図８Ａ及び図８Ｂに示した薄膜トランジスタ表示板を本発明の一つの実施例によって製造する方法の中間工程での配置図である。 図９に示した薄膜トランジスタ表示板を、Ｘａ−Ｘａ線によって切断した断面図である。 図９に示した薄膜トランジスタ表示板を、Ｘｂ−Ｘｂ線によって切断した断面図である。 図７、図８Ａ及び図８Ｂに示した薄膜トランジスタ表示板を本発明の一つの実施例によって製造する方法の中間工程での配置図である。 図１１に示した薄膜トランジスタ表示板を、ＸＩＩａ−ＸＩＩａ線によって切断した断面図である。 図１１に示した薄膜トランジスタ表示板を、ＸＩＩｂ−ＸＩＩｂ線によって切断した断面図である。 図７、図８Ａ及び図８Ｂに示した薄膜トランジスタ表示板を本発明の一つの実施例によって製造する方法の中間工程での配置図である。 図１３に示した薄膜トランジスタ表示板を、ＸＩＶａ−ＸＩＶａ線によって切断した断面図である。 図１３に示した薄膜トランジスタ表示板を、ＸＩＶｂ−ＸＩＶｂ線によって切断した断面図である。 図７、図８Ａ及び図８Ｂに示した薄膜トランジスタ表示板を本発明の一つの実施例によって製造する方法の中間工程での配置図である。 図１５に示した薄膜トランジスタ表示板を、ＸＶＩａ−ＸＶＩａによって切断した断面図である。 図１５に示した薄膜トランジスタ表示板を、ＸＶＩｂ−ＸＶＩｂ線によって切断した断面図である。 共通電極表示板を本発明の一つの実施例によって製造する方法を説明する断面図である。 共通電極表示板を本発明の一つの実施例によって製造する方法を説明する断面図である。 共通電極表示板を本発明の一つの実施例によって製造する方法を説明する断面図である。 共通電極表示板を本発明の一つの実施例によって製造する方法を説明する断面図である。

符号の説明

４０ 支持体
５０ 接着テープ
５１ 基材
５２、５３ 第１及び第２接着層
５４ 凹凸
５４ａ、５４ｂ 凸部
５４ｃ 凹部
６０ 可撓性基板
７０ 薄膜パターン
１００ 薄膜トランジスタ表示板
１１０ プラスチック基板
１２１ ゲート線
１２４ ゲート電極
１３１ 維持電極線
１３３ａ、１３３ｂ 維持電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５１、１５４ 半導体
１６１、１６３、１６５ 抵抗性接触部材
１７１ データ線
１７３ ソース電極
１７５ ドレイン電極
１８０ 保護膜
１８１、１８２、１８５ 接触孔
１９１ 画素電極
２００ カラーフィルター表示板
２２０ 遮光部材
２３０ カラーフィルター
２５０ 蓋膜
２７０ 共通電極

Claims (20)

1. 基材、
   前記基材の一面に形成されており、その一面には凹凸が備えられている第１接着層、及び
   前記基材の他の一面に形成されている第２接着層
   を含む可撓性表示装置用接着テープ。
2. 前記第２接着層の一面には凹凸が備えられている請求項１に記載の可撓性表示装置用接着テープ。
3. 前記凹凸の隣接する凸部の間の長さは５〜５００μｍである請求項１又は２に記載の可撓性表示装置用接着テープ。
4. 前記凹凸の凹部の深さは１０μｍ以下である請求項１〜３のいずれか１つに記載の可撓性表示装置用接着テープ。
5. 前記第１及び第２接着層はアクリル系又はシリコン系の接着剤を含む請求項１〜４のいずれか１つに記載の可撓性表示装置用接着テープ。
6. 可撓性基板の一面に凹凸が形成されている接着テープの一側面を接着する工程、
   前記接着テープの他の面を支持体に付着する工程、
   前記可撓性基板上に薄膜パターンを形成する工程、
   前記可撓性基板を前記支持体から分離する工程
   を含む可撓性表示装置の製造方法。
7. 前記接着テープの他の面には凹凸が形成されている請求項６に記載の可撓性表示装置の製造方法。
8. 前記凹凸の隣接する凸部の間の長さは５〜５００μｍである請求項６又は７に記載の可撓性表示装置の製造方法。
9. 前記凹凸の凹部の深さは１０μｍ以下である請求項６〜８のいずれか１つに記載の可撓性表示装置の製造方法。
10. 前記第１及び第２接着層はアクリル系又はシリコン系の接着剤である請求項６〜９のいずれか１つに記載の可撓性表示装置の製造方法。
11. 前記可撓性基板は硬性塗布膜で塗布されている請求項６〜１０のいずれか１つに記載の可撓性表示装置の製造方法。
12. 前記硬性塗布膜はアクリル樹脂を含む請求項１１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
13. 前記可撓性基板は、
    有機膜、
    前記有機膜の両面に形成されている下部塗布膜、
    前記下部塗布膜上に形成されている障壁層、及び
    前記障壁層上に形成されている硬性塗布膜
    を含む、請求項６〜１２のいずれか１つに記載の可撓性表示装置の製造方法。
14. 前記有機膜は、ポリエチレンエーテルフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリーレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン酸、ポリイミド及びポリアクリレートからなる群より選択されたいずれか一つ以上の物質である請求項１３に記載の可撓性表示装置の製造方法。
15. 前記下部塗布膜及び前記硬性塗布膜はアクリル樹脂を含む請求項１３又は１４に記載の可撓性表示装置の製造方法。
16. 前記障壁層はＳｉＯ₂又はＡｌ₂Ｏ₃を含む請求項１３〜１５のいずれか１つに記載の可撓性表示装置の製造方法。
17. 前記支持体はガラスを含む請求項６又は７に記載の可撓性表示装置の製造方法。
18. 前記薄膜パターンは有機発光層を含む請求項６又は７に記載の可撓性表示装置の製造方法。
19. 前記薄膜パターンは非晶質シリコン薄膜トランジスタを含む請求項６又は７に記載の可撓性表示装置の製造方法。
20. 前記薄膜パターンは有機薄膜トランジスタを含む請求項６又は７に記載の可撓性表示装置の製造方法。

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