JP5847061B2 - アレイ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
‐構造式1‐
‐構造式1‐
‐構造式1:OGI物質‐
Claims (15)
- 基板上に導電性物質を形成し、前記導電性物質をエッチングすることにより、前記基板上の画素領域内にソース電極及びドレイン電極を形成する段階と;
前記ソース電極及びドレイン電極を有する前記基板上に、有機半導体層及び下記の構造式1を持つゲート絶縁膜を形成する段階と;
前記ゲート絶縁膜上に感光性有機物質層を形成する段階と;
前記有機半導体層と前記ゲート絶縁膜をエッチングすることにより、前記ソース電極及びドレイン電極の相互に対面する両端に接触し、アイランド形状を有する前記有機半導体層を形成する段階であって、前記ゲート絶縁膜は前記アイランド形状を有する、段階と;
前記ゲート絶縁膜上の前記表示領域の全面に第1保護層を形成する段階と;
前記第1保護層上の前記各画素領域内に前記ゲート絶縁膜に対してゲート電極を形成する段階と;
前記ゲート電極上の前記表示領域の全面に、前記各ドレイン電極を露出するドレインコンタクトホールを有する第2保護層を形成する段階と;
前記第2保護層上の前記各画素領域に前記ドレインコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接触する画素電極を形成する段階と、
を有する、
アレイ基板の製造方法。
‐構造式1‐
- 前記有機半導体層とゲート絶縁膜を形成する段階は、
前記ゲート絶縁膜上に感光性有機物質層を形成する段階の後に、前記感光性有機物質層を露光及び現像を行うことで、前記画素領域に、有機絶縁パターンを形成する段階と;
前記有機絶縁パターンをエッチングマスクとして使用し、前記有機絶縁パターンの外側に露出された前記ゲート絶縁物質層と前記有機半導体物質層を第1乾式エッチングで除去することにより、アイランド形状を有し、互いに重なる前記有機半導体層と前記ゲート絶縁膜を前記画素領域内に形成する段階と;
前記有機絶縁パターンを除去する段階
を有する請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。 - 前記第1乾式エッチングは、互いに重なる前記有機半導体層及び前記ゲート絶縁膜に関して異方性を持つことを特徴とする請求項2に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記有機絶縁パターンを、前記第1乾式エッチングを更に行って除去し、または前記第1乾式エッチングと異なる反応ガス雰囲気の第2乾式エッチングを行って除去することを特徴とする請求項2に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記ゲート絶縁物質層を形成した後、前記有機絶縁物質層を形成する前に前記ゲート絶縁物質層に対して水素プラズマ工程を行うことで、前記ゲート絶縁物質層を表面改質して前記有機絶縁物質層との接着力を向上させる段階を有する請求項2に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記第1保護層は、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜間の前記第1保護層の厚さを最少にするために、前記ゲート絶縁膜を構成する物質と同じものから形成することを特徴とする請求項2に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記有機半導体層はペンタセン(pentacene)、またはポリチオフェン(polythiophene)からなり、
第1保護層は下記の構造式1を持つOGI物質、PI、PVP、PVA、PMMA、BCB、ポリプロピレンのうちの少なくとも1つの物質
からなり、
前記第2保護層はフォトアクリルからなることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。
‐構造式1‐
- 前記ソース電極及びドレイン電極を形成する段階は、前記ソース電極に繋がったデータ配線を形成する段階を有し、
前記ゲート電極を形成する段階は、前記ゲート電極に繋がり、前記データ配線と交差して前記画素領域を定義するゲート配線を形成する段階を有する請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。 - 前記ゲート配線を形成する段階は、前記ゲート配線と並んで離隔する共通配線を形成する段階を有し、
前記第2保護層を形成する段階は、前記ドレインコンタクトホールと共に前記共通配線を露出する共通コンタクトホールを備える段階を有し、
前記画素電極を形成する段階は前記画素電極を、各画素領域で所定の間隔で離隔する多数のバー形状を持つように形成すると同時に、各画素領域内に、前記共通コンタクトホールを介して前記共通配線に接触し、前記多数のバー形状を持つ画素電極と交互に配置される多数の共通電極を形成する段階を有する請求項8に記載のアレイ基板の製造方法。 - 前記画素電極の上部に第3保護層を形成する段階と;
前記第3保護層の上部に、前記表示領域の全面に対して板状であり、各画素領域に対してバー形状の多数の開口を持つ共通電極を形成する段階を有する請求項8に記載のアレイ基板の製造方法。 - 多数の画素領域を有する表示領域が定義された基板上の前記各画素領域内に相互離隔するソース電極及びドレイン電極と;
下記の構造式1を持ち、前記ソース電極及びドレイン電極の相互対面する両端に接触し、かつ、これらの両電極間の離隔領域にアイランド状で形成される有機半導体層、及びそれと同じ平面形状を持って完全に重なる、順次積層されたゲート絶縁膜と;
前記ゲート絶縁膜上の前記表示領域の全面に形成された第1保護層と;
前記第1保護層上の前記各画素領域内に、前記ゲート絶縁膜に対して形成されたゲート電極と;
前記各ドレイン電極を露出するドレインコンタクトホールを有し、前記ゲート電極上の前記表示領域の全面に形成された第2保護層と;
前記ドレインコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接触し、前記第2保護層上の前記各画素領域に形成された画素電極を備える、
アレイ基板。
‐構造式1‐
- 前記有機半導体層はペンタセン(pentacene)、またはポリチオフェン(polythiophene)からなり、
第1保護層は下記の構造式1を持つOGI物質、PI、PVP、PVA、PMMA、BCB、ポリプロピレンのうちの少なくとも1つの物質からなり、
前記第2保護層はフォトアクリルからなることを特徴とする請求項11に記載のアレイ基板。
‐構造式1‐
- 前記基板上には前記ソース電極に繋がり、一方向に延長するデータ配線が設けられ、
前記第1保護層上には前記ゲート電極に繋がり、前記データ配線と交差して前記画素領域を定義するゲート配線が設けられる請求項11に記載のアレイ基板。 - 前記第1保護層上には前記ゲート配線と並んで離隔する共通配線が設けられ、
前記画素電極は各画素領域で多数のバー形状を持ち、
前記第2保護層には前記ドレインコンタクトホールと共に前記共通配線を露出する共通コンタクトホールが備えられ、
前記第2保護層上に形成された前記画素電極は各画素領域で所定の間隔で離隔する多数のバー形状を持ち、
前記第2保護層上には各画素領域内に前記コンタクトホールを介して前記共通配線に接触し、前記バー形状の多数の画素電極と交互するバー形状の多数の共通電極が備えられたことを特徴とする請求項11に記載のアレイ基板。 - 前記画素電極上部の前記表示領域の全面に形成された第3保護層と;
前記第3保護層の上部に、前記表示領域の全面に対して板状であり、各画素領域に対してバー形状の多数の開口を持って形成された共通電極を備える請求項11に記載のアレイ基板。
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