CN104656332B - 阵列基板及其制备方法和显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 116
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000013036 cure process Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001727 in vivo Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板及其制备方法,以及包括该阵列基板的显示装置;在像素开关中设置暴露部分第一极的第一通孔,所述第一通孔内设置有第一保护层,所述像素电极通过所述第一保护层与所述第一极电连接;该第一保护层与第一信号线为同层金属层,第一信号线给公共电极提供电信号,这种结构设计能够有效的防止第一通孔内漏极金属会被过刻,从而防止漏极上层的像素电极断线,进而提高显示装置的显示效果;并且采用在形成有所述第一通孔和第二通孔的第三绝缘层上形成第一信号线和第一保护层的制备方法,其中所述第一保护层形成于所述第一通孔内;并且该制备方法操作简单。
Description
技术领域
本发明涉及平板显示技术,特别涉及一种阵列基板及其制备方法,以及包括该阵列基板的显示装置。
背景技术
显示面板目前被广泛的应用于手机、掌上电脑(Personal Digital Assistant,PDA)等便携式电子产品中,例如:薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display,TFT-LCD)、有机发光二级管显示器(Organic Light Emitting Diode,OLED)、低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)显示器以及等离子体显示器(Plasma Display Panel,PDP)等。在市场竞争的推动下,更轻便、显示效果更优越、价格更低的显示装置受到了越来越多的追捧。
近年来,薄的显示装置越来越受到消费者的追捧,目前有很多种方法来制备薄的显示装置,其中将触控电极制作在液晶盒内的方法尤为常见,通常将触控电极做在显示装置的TFT基板上,时,需要在TFT基板上制作屏蔽电极,而屏蔽电极在进行刻蚀的时候,会对像素电极与薄膜晶体管的漏极电连接的接触孔内的涂布的屏蔽电极进行过刻蚀,在刻蚀过程中,接触孔内漏极金属会被过刻,形成倒锥体(Taper)结构,导致漏极上层像素电极断线,从而影响显示装置的显示效果。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种阵列基板,包括衬底;所述衬底上设置有多条栅极线、多条数据线和多条第一信号线,所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元;所述像素单元包括像素开关、像素电极和公共电极,所述像素开关包括第一极、第二极和暴露部分所述第一极的第一通孔,所述第一通孔内设置有第一保护层,所述像素电极通过所述第一保护层与所述第一极电连接;所述公共电极上设置有暴露部分所述公共电极第二通孔,所述第一信号线通过所述第二通孔与所述公共电极电连接,其中,所述第一信号线与所述第一保护层位于同层。
本发明实施例还提供一种阵列基板的制备方法,包括提供一衬底,在所述衬底上形成像素开关,所述像素开关包括第一极和第二极;
在形成有所述像素开关的衬底上形成第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上形成公共电极;
在所述公共电极上形成第三绝缘层;
在所述第二绝缘层和第三绝缘层上形成第一通孔和第二通孔,所述第一通孔暴露部分所述第一极,所述第二通孔暴露部分所述公共电极;
在形成有所述第一通孔和第二通孔的第三绝缘层上形成第一信号线和第一保护层,所述第一保护层形成于所述第一通孔内;
在形成有所述第一保护层和第一信号线的所述第三绝缘层上形成像素电极;所述第一信号线通过所述第二通孔与所述公共电极电连接,所述像素电极通过所述第一保护层与所述第一极电连接。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括如上所述的阵列基板。
本发明实施例提供的阵列基板及其制备方法,以及包括该阵列基板的显示装置;在像素开关中设置暴露部分第一极的第一通孔,所述第一通孔内设置有第一保护层,所述像素电极通过所述第一保护层与所述第一极电连接;该第一保护层与第一信号线为同层金属层,第一信号线给公共电极提供电信号,这种结构设计能够有效的防止第一通孔内漏极金属被过刻,从而防止漏极上层的像素电极断线,进而提高显示装置的显示效果;并且采用在形成有所述第一通孔和第二通孔的第三绝缘层上形成第一信号线和第一保护层的制备方法,其中所述第一保护层形成于所述第一通孔内;该制备方法操作简单,并且由该种方法制备的阵列基板能够有效的防止漏极上层的像素电极断线,进而提高显示装置的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的阵列基板的一种俯视图;
图2是图1中沿A-A’的一种剖视图;
图3是图1中沿A-A’的另一种剖视图;
图4是图1中沿A-A’的第三种剖视图;
图5是图1中沿A-A’的第四种剖视图;
图6是本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种阵列基板,如图1和图2所示,所述阵列基板包括衬底1;所述衬底上设置有多条栅极线101、多条数据线102和多条第一信号线41,所述栅极线101和所述数据线102彼此绝缘交叉限定出多个像素单元10;所述像素单元包括像素开关12、像素电极3和公共电极4,所述衬底1上依次设置有栅极121、栅极绝缘层122、有源层123、第一极124及第二极125、第二绝缘层2、公共电极4、第三绝缘层5、第一信号线41及第一保护层42和像素电极3;所述像素开关12包括第一极124、第二极125和暴露部分所述第一极的第一通孔421,所述第一通孔421内设置有第一保护层42,所述像素电极3通过所述第一保护层42与所述第一极124电连接;所述公共电极4上设置有暴露部分所述公共电极第二通孔411,所述第一信号线41通过所述第二通孔411与所述公共电极4电连接,其中,所述第一信号线41与所述第一保护层42位于同层。所述像素电极与所述第一保护层和所述第一信号线所在的导电层同层制作。从图1和图2中可以看出,在第一通孔内,所述像素电极没有覆盖在第一保护层上方;并且第一保护层设置在第一通孔内,可以防止在形成第一保护层的过程中,对第一通孔内暴露的部分第一极进行过刻,从而可以避免第一通孔内的像素电极发生断线的现象,从而可以有效的改善液晶显示面板的显示效果。
在本发明实施例中,所述公共电极层复用为触控电极层,即不同像素单元中的公共电极通过第一信号线电连接为整体,并接收公共信号;所述第一信号线给所述公共电极层提供触摸信号。
以上仅为本发明实施例的一种实施方式,本发明的实施方式如图3所示,在所述第一通孔421内所述像素电极3覆盖在所述第一保护层42上方。
以上仅为本发明实施例的一种实施方式,本发明的实施方式还可以如图4所示,所述阵列基板包括衬底1;所述衬底上设置有多条栅极线、多条数据线(图中未示出)和多条第一信号线41,所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元(图中未示出);所述像素单元包括像素开关32、像素电极3和公共电极4,所述衬底1上依次设置有有源层321、第一绝缘层322、栅极323、栅极绝缘层324、第一极325及第二极326、第二绝缘层2、公共电极4、第三绝缘层5、第一信号线41及第一保护层42和像素电极3;所述第一绝缘层322和栅极绝缘层324上设置有第三通孔3251和第四通孔3261,所述第一极325通过所述第三通孔3251与所述有源层321电连接,所述第二极326通过所述第四通孔3261与所述有源层321电连接。
从图4中可以看出,所述像素开关32包括第一极325、第二极326和暴露部分所述第一极的第一通孔421,所述第一通孔421内设置有第一保护层42,所述像素电极3通过所述第一保护层42与所述第一极325电连接;所述公共电极4上设置有暴露部分所述公共电极第二通孔411,所述第一信号线41通过所述第二通孔411与所述公共电极4电连接,其中,所述第一信号线41与所述第一保护层42位于同层。所述像素电极与所述第一保护层和所述第一信号线所在的导电层同层制作。从图4中可以看出,在第一通孔内,所述像素电极没有覆盖在第一保护层上方;并且第一保护层设置在第一通孔内,可以防止在形成第一保护层的过程中,对第一通孔内暴露的部分第一极进行过刻,从而可以避免第一通孔内的像素电极发生断线的现象,从而可以有效的改善液晶显示面板的显示效果。
以上仅为本发明实施例的一种实施方式,本发明的实施方式如图5所示,在所述第一通孔421内所述像素电极3覆盖在所述第一保护层42上方。
本发明实施例提供的阵列基板,在像素开关中设置暴露部分第一极的第一通孔,所述第一通孔内设置有第一保护层,所述像素电极通过所述第一保护层与所述第一极电连接;该第一保护层与第一信号线为同层金属层,第一信号线给公共电极提供电信号,这种结构设计能够有效的防止第一通孔内漏极金属会被过刻,从而防止漏极上层的像素电极断线,进而提高显示装置的显示效果。
本发明实施例还提供一种阵列基板的制备方法,如图6所示,图6为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的工艺流程图;并结合图1和图2所示的阵列基板的结构,该阵列基板的制备方法包括以下步骤:
步骤1:包括提供一衬底1,在所述衬底1上形成像素开关,所述像素开关包括第一极和第二极;
步骤2:在形成有所述像素开关12的衬底1上形成第二绝缘层2;
步骤3:在所述第二绝缘层2上形成公共电极4;
步骤4:在所述公共电极4上形成第三绝缘层5;
步骤5:在所述第二绝缘层2和第三绝缘层5上形成第一通孔421和第二通孔411,所述第一通孔421暴露部分所述第一极124,所述第二通孔411暴露部分所述公共电极4;
步骤6:在形成有所述第一通孔421和第二通孔411的第三绝缘层5上形成第一信号线41和第一保护层42,所述第一保护层42形成于所述第一通孔421内;
步骤7:在形成有所述第一保护层42和第一信号线41的所述第三绝缘层5上形成像素电极3;所述第一信号线41通过所述第二通孔411与所述公共电极4电连接,所述像素电极3通过所述第一保护层42与所述第一极124电连接。
根据上述工艺步骤,并结合图1和图2所示的阵列基板的结构,步骤1:在所述衬底1上形成像素开关12,这一步骤的具体内容包括:在所述衬底1上形成栅极121;在所述栅极121上覆盖栅极绝缘层122;在所述栅极绝缘层122上形成有源层123;所述像素开关12的第一极124、第二极125设置在所述有源层上123。
具体的,在形成有所述第一通孔和第二通孔的第三绝缘层上形成第一信号线和第一保护层的具体步骤为:在第三绝缘层上依次叠加涂布导电材质和光阻,采用特定的光罩对依次涂布导电材质和光阻后的基板的特定区域照射紫外线,即对依次叠加涂布导电材质和光阻后的基板进行曝光过程,将曝光后的基板进行显影,所述特定的光罩为根据光阻的特性在光罩的特定位置进行开口,若光阻为负性光阻,即特定开口区域内的被紫外光照射的光阻将不会被显影洗掉;若光阻为正性光阻,即特定开口区域内的被紫外线照射的光阻将会被显影洗掉;其中,所述第一保护层形成于所述第一通孔内。
在形成有所述像素开关的衬底上形成第二绝缘层的具体步骤为:在形成有所述像素开关的衬底上涂布绝缘材料,对涂布在衬底上的绝缘层进行硬化处理,以在形成有所述像素开关的衬底上形成绝缘层,所述硬化绝缘层的方式可以是烘烤或紫外光照射等任意适用的硬化方式。
以上仅为本发明实施例的一种实施方式,本发明的实施方式根据上述工艺步骤,并结合图4所示的阵列基板的结构,步骤1:在所述衬底1上形成像素开关32,这一步骤的具体内容包括:在所述衬底1上形成有源层321;在所述有源层321上覆盖第一绝缘层322;在所述第一绝缘层322上形成栅极323;形成栅极绝缘层324覆盖所述栅极323;在所述第一绝缘层322和栅极绝缘层324上形成第三通孔3251和第四通孔3261;在所述栅极绝缘层324上形成所述像素开关32的第一极325、第二极326,所述第一极325通过所述第三通孔3251与所述有源层321电连接,所述第二极326通过所述第四通孔3261与所述有源层321电连接。
以上仅为本发明实施例的一种实施方式,本发明的实施方式还可以为,在所述第一通孔421内所述像素电极3形成在所述第一保护层42上方,具体结构可以参考图3和图5。
在本发明实施例提供的阵列基板的制备方法中,在所述第三绝缘层上形成第一通孔和第二通孔,即第一通孔和第二通孔是同时形成的,在形成有所述第一通孔和第二通孔的第三绝缘层上形成第一信号线和第一保护层,其中所述第一保护层形成于所述第一通孔内;在该制备过程中,会对第一保护层进行刻蚀,而保留第一通孔上方的部分光刻胶,从而保留第一通孔内的第一保护层,进而能够防止在刻蚀该第一通孔内的第一保护层时,第一通孔内漏极金属会被过刻,从而防止漏极上层的像素电极断线,进而提高显示装置的显示效果,且制备方法操作简单。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括如上所述的阵列基板,和与该阵列基板相对设置的对向基板,液晶层设置在阵列基板和对向基板之间,其中对向基板可以是彩膜基板。
以上对本发明实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法,以及包括该阵列基板的显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种阵列基板,包括衬底;所述衬底上设置有多条栅极线、多条数据线和多条第一信号线,所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元;所述像素单元包括像素开关、像素电极和公共电极,所述像素开关包括第一极、第二极和暴露部分所述第一极的第一通孔,所述第一通孔内设置有第一保护层,所述像素电极通过所述第一保护层与所述第一极电连接;所述公共电极上设置有暴露部分所述公共电极第二通孔,所述第一信号线通过所述第二通孔与所述公共电极电连接,其中,所述第一信号线与所述第一保护层位于同层;
所述第一通孔和所述像素电极设置于所述第一极远离所述衬底的一侧;所述第一信号线设置于所述公共电极远离所述衬底的一侧;
所述像素电极与所述第一保护层和所述第一信号线所在的导电层同层制作。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述第一通孔内所述像素电极覆盖在所述第一保护层上方。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素开关还包括依次设置在所述衬底上的栅极、栅极绝缘层和有源层,所述像素开关的第一极、第二极设置在所述有源层上。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素开关还包括依次设置在所述衬底上的有源层、第一绝缘层、栅极、栅极绝缘层,所述像素开关的第一极、第二极设置在所述栅极绝缘层上,所述第一绝缘层和栅极绝缘层上设置有第三通孔和第四通孔,所述第一极通过所述第三通孔与所述有源层电连接,所述第二极通过所述第四通孔与所述有源层电连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极层复用为触控电极层,所述第一信号线给所述公共电极层提供触摸信号。
6.一种阵列基板的制备方法,包括提供一衬底,在所述衬底上形成像素开关,所述像素开关包括第一极和第二极;
在形成有所述像素开关的衬底上形成第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上形成公共电极;
在所述公共电极上形成第三绝缘层;
在所述第二绝缘层和第三绝缘层上形成第一通孔,在所述第三绝缘层上形成第二通孔,所述第一通孔暴露部分所述第一极,所述第二通孔暴露部分所述公共电极;
在形成有所述第一通孔和第二通孔的第三绝缘层上形成第一信号线和第一保护层,所述第一保护层形成于所述第一通孔内;
在形成有所述第一保护层和第一信号线的所述第三绝缘层上形成像素电极;所述第一信号线通过所述第二通孔与所述公共电极电连接,所述像素电极通过所述第一保护层与所述第一极电连接;所述像素电极与所述第一保护层和所述第一信号线所在的导电层同层制作。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在所述第一通孔内所述像素电极形成在所述第一保护层上方。
8.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在所述衬底上形成像素开关步骤包括:在所述衬底上形成栅极;在所述栅极上覆盖栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成有源层;所述像素开关的第一极、第二极设置在所述有源层上。
9.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在所述衬底上形成像素开关步骤包括;在所述衬底上形成有源层;在所述有源层上覆盖第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成栅极;形成栅极绝缘层覆盖所述栅极;在所述第一绝缘层和栅极绝缘层上形成第三通孔和第四通孔;在所述栅极绝缘层上形成所述像素开关的第一极、第二极,所述第一极通过所述第三通孔与所述有源层电连接,所述第二极通过所述第四通孔与所述有源层电连接。
10.一种显示装置,包括如权利要求1-5任一项所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510042443.1A CN104656332B (zh) | 2015-01-28 | 2015-01-28 | 阵列基板及其制备方法和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510042443.1A CN104656332B (zh) | 2015-01-28 | 2015-01-28 | 阵列基板及其制备方法和显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104656332A CN104656332A (zh) | 2015-05-27 |
CN104656332B true CN104656332B (zh) | 2018-11-06 |
Family
ID=53247647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510042443.1A Active CN104656332B (zh) | 2015-01-28 | 2015-01-28 | 阵列基板及其制备方法和显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104656332B (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106406590A (zh) * | 2015-07-31 | 2017-02-15 | 昆山国显光电有限公司 | 触控显示装置及其制备方法 |
CN105304646A (zh) * | 2015-10-19 | 2016-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 |
CN105826329B (zh) * | 2016-05-09 | 2019-04-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板 |
CN105826330A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
CN111653583A (zh) * | 2016-06-14 | 2020-09-11 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN108108070B (zh) * | 2016-11-24 | 2021-06-25 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | Tft基板及应用其的触控显示面板 |
CN107706196B (zh) * | 2017-09-28 | 2021-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN108873438A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板以及显示装置 |
CN110634804A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-12-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、触控显示面板 |
CN110649038A (zh) * | 2019-09-12 | 2020-01-03 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法 |
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN202533686U (zh) * | 2012-05-09 | 2012-11-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示设备 |
CN102981337B (zh) * | 2012-12-07 | 2016-01-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft-lcd显示面板及显示装置 |
CN103208491B (zh) * | 2013-02-25 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
CN103472646B (zh) * | 2013-08-30 | 2016-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 |
-
2015
- 2015-01-28 CN CN201510042443.1A patent/CN104656332B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104656332A (zh) | 2015-05-27 |
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C06 | Publication | ||
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