CN108873438A - 一种阵列基板、显示面板以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、显示面板以及显示装置，以解决现有技术的ADS模式显示面板难于实现集成触控功能的问题。所述阵列基板，包括位于衬底基板之上的复用作触控电极层的公共电极层，位于所述公共电极层之上的绝缘层、位于所述绝缘层之上的薄膜晶体管、以及位于所述薄膜晶体管之上的像素电极层；其中，所述触控电极层包括多个相互间隔的触控电极，每一所述触控电极通过对应的一触控电极引线与外电路连接。

Description

一种阵列基板、显示面板以及显示装置
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
背景技术
高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch，ADS)显示模式显示面板的阵列基板，公共电极与栅极层同层设置，位于阵列基板的最下方，像素电极位于上方，具有狭缝开口(slit)结构。
ADS模式具有充电时间更短，逻辑功耗更低的优势。然而，现有技术的ADS模式的显示面板难于实现触控功能的集成(Full in cell)。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置，以解决现有技术的ADS模式显示面板难于实现集成触控功能的问题。
本发明实施例提供一种阵列基板，包括位于衬底基板之上的复用作触控电极层的公共电极层，位于所述公共电极层之上的绝缘层、位于所述绝缘层之上的薄膜晶体管、以及位于所述薄膜晶体管之上的像素电极层；其中，所述触控电极层包括多个相互间隔的触控电极，每一所述触控电极通过对应的一触控电极引线与外电路连接。
可选地，所述触控电极引线与所述薄膜晶体管的源漏极层同层设置，通过过孔与相应的所述触控电极连接。
可选地，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。
可选地，所述底栅型薄膜晶体管包括位于所述绝缘层之上的栅极、位于所述栅极之上的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层之上的有源层、位于所述有源层之上的源漏极层。
可选地，所述薄膜晶体管与所述像素电极层之间设置有钝化层。
可选地，所述触控电极为自电容触控电极。
可选地，所述触控电极的形状为三角形、圆形、椭圆形、正方形、长方形或梯形。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括对向基板，以及包括如本发明实施例提供的所述阵列基板。
可选地，所述对向基板为彩膜基板。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的所述显示面板，还包括背光模组，其中，所述阵列基板位于所述对向基板的背离所述背光模组的一侧，且所述公共电极层位于所述薄膜晶体管的背离所述背光模组的一侧。
本发明实施例有益效果如下：通过先在衬底基板之上形成复用作触控电极层的公共电极层，并在公共电极层之上形成绝缘层，再在绝缘层之上形成薄膜晶体管，由于触控电极层与薄膜晶体管的栅极层不同层设置，进而不会存在触控电极与栅线电性交叠的问题，进而可以使实现将触控电极集成在ADS模式的显示面板里。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的设置有触控电极的排列结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种触控显示面板的具体的结构示意图。
具体实施方式
为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
参见图1，本发明实施例提供一种阵列基板1，阵列基板1包括位于衬底基板11之上的复用作触控电极层(包括多个触控电极12)的公共电极层，位于公共电极层之上的绝缘层13、位于绝缘层13之上的薄膜晶体管14，以及位于薄膜晶体管14之上的像素电极层18；其中，触控电极层包括多个相互间隔的触控电极12(图2中仅是以设置有一个触控电极12为例进行示意说明，本发明不以此为限)，每一触控电极12通过对应的一触控电极引线15与外电路连接。像素电极层18具体可以包括具有狭缝开口的像素电极。
本发明实施例中，通过先在衬底基板之上形成复用作触控电极层的公共电极层，并在公共电极层之上形成绝缘层，再在绝缘层之上形成薄膜晶体管，即，公共电极层位于阵列基板的最下方，且触控电极层与薄膜晶体管的栅极层不同层设置，进而不会存在触控电极与栅线电性交叠的问题，进而可以使实现将触控电极集成在ADS模式的显示面板里。
在具体实施时，薄膜晶体管14可以为底栅型薄膜晶体管，具体可以包括栅极141、位于栅极141之上的栅极绝缘层142、位于栅极绝缘层142之上的有源层143、以及位于有源层143之上的源漏极层，其中源漏极层包括源极144以及漏极145。触控电极引线15具体可以与薄膜晶体管14的源漏极层同层设置，通过过孔16与相应的触控电极12连接。可选地，薄膜晶体管14与像素电极层18之间具体还可以设置有钝化层17。
在具体实施时，参见图2所示，本发明实施例中的触控电极12为自容式触控，即，触控电极层包括多个相互间隔的触控电极12。各触控电极12的形状具体可以为块状，具体可以为三角形、圆形、椭圆形、正方形、长方形或梯形。对应每一触控电极引线15具体可以通过一个过孔或多个过孔与触控电极12连接，需要说明的是，图2是以每一触控电极引线15通过三个过孔与触控电极12连接进行示意说明，但本发明并不以此为限。
本发明实施例中，将触控电极层(也即公共电极层)设置在栅极层141的下方，而并非在栅极层141上方，即，并没有设置在栅极层141与有源层143之间，是为了避免将触控电极层设置在栅极层141与有源层143之间时，可能会影响薄膜晶体管的性能的问题。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示面板，包括对向基板，以及包括本发明实施例提供的阵列基板。其中，在具体实施时，对向基板具体可以为彩膜基板。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，参见图3所示，包括本发明实施例提供的显示面板，以及还包括背光模组3，其中，显示面板具体可以包括阵列基板1以及与阵列基板1相对的对向基板2，阵列基板1位于对向基板2的背离背光模组3的一侧，且公共电极层(也即包括多个触控电极12的触控电极层)位于薄膜晶体管4的背离背光模组3的一侧。可选地，对向基板2具体可以为彩膜基板。彩膜基板具体可以包括彩膜衬底基板21、位于彩膜衬底基板21之上的色阻单元22，色阻单元22具体可以是红色阻单元，也可以是蓝色阻单元，也可以是绿色阻单元。相邻色阻单元22之间还设置有黑矩阵23。在阵列基板1与对向基板2之间具体还可以设置有液晶层4。
本发明实施例中，显示装置包括阵列基板、对向基板以及背光模组，阵列基板位于对向基板的背离背光模组的一侧，且公共电极层位于薄膜晶体管的背离背光模组的一侧，即，将阵列基板进行倒置设置，彩膜基板作为靠近背光模组的下基板，阵列基板作为上基板。这样，像素电极位于触控电极背离手指的方向，消除了像素电极对手指电容信号的干扰和屏蔽，并且触控电极与手指之间的感应距离比现有full in cell技术也近的多，触控感应路径减少了液晶层和CF层，信噪比更高触控信号更灵敏。而且，因为在垂直于出光面的方向上，阵列基板的延伸长度大于彩膜基板的延伸长度，采用倒装的设置可以避免将显示面板的绑定区(Pad区)暴露在外，不需要使用边框遮挡，对于大尺寸显示屏来说，更容易实现模组四边无边框。
本发明实施例有益效果如下：本发明实施例中，通过先在衬底基板之上形成复用作触控电极层的公共电极层，并在公共电极层之上形成绝缘层，再在绝缘层之上形成薄膜晶体管，即，公共电极层位于阵列基板的最下方，且触控电极层与薄膜晶体管的栅极层不同层设置，进而不会存在触控电极与栅线电性交叠的问题，进而可以使实现将触控电极集成在ADS模式的显示面板里。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括位于衬底基板之上的复用作触控电极层的公共电极层，位于所述公共电极层之上的绝缘层、位于所述绝缘层之上的薄膜晶体管、以及位于所述薄膜晶体管之上的像素电极层；其中，所述触控电极层包括多个相互间隔的触控电极，每一所述触控电极通过对应的一触控电极引线与外电路连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极引线与所述薄膜晶体管的源漏极层同层设置，通过过孔与相应的所述触控电极连接。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述底栅型薄膜晶体管包括位于所述绝缘层之上的栅极、位于所述栅极之上的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层之上的有源层、位于所述有源层之上的源漏极层。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管与所述像素电极层之间设置有钝化层。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极为自电容触控电极。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极的形状为三角形、圆形、椭圆形、正方形、长方形或梯形。
8.一种显示面板，其特征在于，包括对向基板，以及包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述对向基板为彩膜基板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的显示面板，还包括背光模组，其中，所述阵列基板位于所述对向基板的背离所述背光模组的一侧，且所述公共电极层位于所述薄膜晶体管的背离所述背光模组的一侧。
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