CN103839950B - Tft‑lcd阵列基板及其制造方法 - Google Patents
Tft‑lcd阵列基板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103839950B CN103839950B CN201410047918.1A CN201410047918A CN103839950B CN 103839950 B CN103839950 B CN 103839950B CN 201410047918 A CN201410047918 A CN 201410047918A CN 103839950 B CN103839950 B CN 103839950B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photoresist
- array substrate
- etching
- dielectric film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 42
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明提供一种TFT‑LCD阵列基板及其制造方法，该TFT‑LCD阵列基板包括扫描线、与扫描线纵横交错的数据线、以及由扫描线和数据线交叉限定的若干像素单元，每个像素单元包括第一绝缘膜、位于第一绝缘膜之上的透明存储电极、位于透明存储电极之上的第二绝缘膜、位于第二绝缘膜之上的ITO层，所述的数据线位于所述的ITO层之上。本发明针对目前IGZO制程，提出一种节省掩膜版的制程方式，提高产能，节约成本，并且可以形成透明存储电极，存储电容较大且不占用开口率。
Description
技术领域
本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。
背景技术
液晶行业目前的发展趋势是大型化和高精细化，随着产业的不断发展，普通的非晶硅TFT慢慢显示出它的劣势。2004年，日本东京工业大学的细野秀雄教授提出了一种可以在液晶面板上使用的IGZO-TFT，可以将TFT的迁移率提高，TFT大小缩小，而且不会引起大型面板上的不均。
但是目前通用的IGZO-TFT均需要增加一层刻蚀阻挡层来保护沟道，因此需要增加掩膜版数量。如何减少制程，减少掩膜版数量，成为一个重要的课题。本发明针对目前的IGZO制程，提出一种节省掩膜版的制程方式，提高产能，节约成本，并且可以形成透明存储电极，存储电容较大且不占用开口率。
发明内容
本发明针对目前的IGZO制程，提出一种节省掩膜版的制程方式，提高产能，节约成本，并且可以形成透明存储电极，存储电容较大且不占用开口率。
本发明提供一种TFT-LCD阵列基板，包括扫描线、与扫描线纵横交错的数据线、以及由扫描线和数据线交叉限定的若干像素单元，每个像素单元包括第一绝缘膜、位于第一绝缘膜之上的透明存储电极、位于透明存储电极之上的第二绝缘膜、位于第二绝缘膜之上的ITO层，所述的数据线位于所述的ITO层之上。在所述的第一绝缘膜之上有一跨线金属桥与所述的透明存储电极相连接。
本发明又提高一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，包括如下步骤：第一步，在玻璃基板上形成扫描线；第二步，在上述第一步所形成的扫描线之上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜之上形成IGZO层以及刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成光刻胶，利用两次半灰阶掩膜版对光刻胶进行曝光，再用显影液显影；第三步，对上述刻蚀阻挡层进行刻蚀，对上述IGZO层进行刻蚀形成源漏极和透明存储电极，对光刻胶进行灰化减薄；第四步，对刻蚀阻挡层进一步刻蚀；第五步，对IGZO层进行离子注入处理，将裸露出的IGZO掺杂成为导体；最后剥离光刻胶；第六步，形成上述图案的基础上，形成第二绝缘膜，再对第二绝缘膜上源漏极部分打孔；第七步，在第二绝缘膜上形成ITO层及第二金属层，在第二金属层上方形成光刻胶，利用两次半灰阶掩膜版对光刻胶进行曝光，再对光刻胶进行显影；第八步，对第二金属层和ITO刻蚀；对光刻胶进行灰化；对第二金属层进一步刻蚀；在第二金属层形成数据线，剥离光刻胶。
本发明通过利用两次半灰阶掩膜版，将ITO层和该ITO层之上的第二金属层为同一张掩膜版曝光形成，将IGZO层和该IGZO层上的刻蚀阻挡层为同一张掩膜版曝光形成，节省掩膜版的同时提高开口率。
附图说明
图1为本发明TFT阵列基板制造过程形成扫描线的剖视图；
图2为本发明TFT阵列基板制造过程形成扫描线的俯视图；
图3为本发明TFT阵列基板形成第一绝缘膜、IGZO层和刻蚀阻挡层剖视图；
图4为本发明TFT阵列基板形成第一绝缘膜、IGZO层和刻蚀阻挡层俯视图；
图5为本发明TFT阵列基板制造过程刻蚀阻挡层和IGZO层剖视图；
图6为本发明TFT阵列基板制造过程灰化减薄光刻胶剖视图；
图7为本发明TFT阵列基板制造过程对刻蚀阻挡层干刻和对IGZO离子注入剖视图；
图8为本发明TFT阵列基板制造过程形成第二绝缘膜剖视图；
图9为本发明TFT阵列基板制造过程形成第二绝缘膜俯视图；
图10为本发明TFT阵列基板制造过程形成ITO层及第二金属层剖视图；
图11为本发明TFT阵列基板制造过程形成ITO层及第二金属层俯视图；
图12为本发明TFT阵列基板制造过程刻蚀第二金属层和ITO剖视图；
图13为本发明TFT阵列基板制造过程灰化光刻胶剖视图；
图14为本发明TFT阵列基板制造过程刻蚀第二金属层剖视图
图15为本发明TFT阵列基板制造过程剥离光刻胶后剖视图；
图16为本发明TFT阵列基板实施例二；
图17为本发明TFT阵列基板实施例二俯视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
本发明提供一种TFT-LCD阵列基板，包括扫描线10、与扫描线纵横交错的数据线121、以及由扫描线10和数据线121交叉限定的若干像素单元，每个像素单元包括第一绝缘膜20、位于第一绝缘膜20之上的透明存储电极50、位于透明存储电极50之上的第二绝缘膜90、位于第二绝缘膜90之上的ITO层110’，所述的数据线121位于所述的ITO层110’之上。在所述的第一绝缘膜20之上有一跨线金属桥130与所述的透明存储电极50’相连接。
本发明又提供一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，其包括如下制作步骤：
第一步，在玻璃基板100上形成扫描线10，材料为Mo、Ti、Al、Cu等，膜厚约400nm，如图1和图2所示。
第二步，在扫描线10之上形成第一绝缘膜20。在第一绝缘膜20之上连续成膜，形成IGZO层30以及刻蚀阻挡层40。在刻蚀阻挡层40上形成光刻胶60，利用两次半灰阶掩膜版对光刻胶60进行曝光，再用显影液显影。形成IGZO半导体沟道以及透明存储电极50区域的光刻胶60A为部分显影，刻蚀阻挡层40部分的光刻胶60A为未显影，如图3和图4所示。
其中第一绝缘膜20膜厚300nm左右，材料为SiNx、SiO2、Al2O3等。IGZO30厚度约60nm，刻蚀阻挡层40材料为SiO2、Al2O3等，厚度约100nm。
第三步，对刻蚀阻挡层40进行干刻，刻蚀气体为CF4或SF6等。再对IGZO30进行湿刻，刻蚀液为HCl、HNO3、H2SO4等。刻蚀形成半导体源极70、漏极80以及透明存储电极50区域图形，如图5所示。对光刻胶60A进行灰化减薄，减薄至透明存储电极50上方的光刻60A胶消失。但保留刻蚀阻挡层40上方的光刻胶60B覆盖，如图6所示。
第四步，对刻蚀阻挡层40’干刻，刻蚀气体为CF4或SF6等，形成沟道上方的刻蚀阻挡层40”保留，其他位置刻蚀阻挡层40’材料去除。
第五步，对IGZO层30’进行离子注入处理，将裸露出的IGZO30’掺杂成为导体。最后剥离光刻胶60B，如图7所示。
第六步，在刻蚀阻挡层40”上形成第二绝缘膜90，膜厚400nm，材料为SiNx、SiO2、Al2O3等。再对第二绝缘膜90上源漏极部分打孔，如图8和图9所示。
第七步，在第二绝缘膜90上形成ITO层110及第二金属层120，ITO层110厚度为50nm，第二金属层120材料为Mo、Ti、Al、Cu等，特别地第二金属层120的底层为干刻金属，本实施例为Ti。
在第二金属层120上方形成光刻胶60，利用两次半灰阶掩膜版对光刻胶60进行曝光，再对光刻胶60进行显影。使得扫描线121处光刻胶60C为未显影，像素电极111处光刻胶60C为半显影，其他位置光刻胶60全部显影，如图10和图11所示。
第八步，对第二金属层120和ITO层110刻蚀，其中第二金属层120用HNO3、HPO3、HCl、CH3COOH等刻蚀，下层Ti采用干法刻蚀，刻蚀气体为CF4或者SF6等。再用H2SO4+HNO3混合液对ITO层110进行湿法刻蚀，刻蚀的过程中控制刻蚀条件，免于形成第二金属层120内倒角。
对光刻胶60C进行灰化，使得像素电极111处光刻胶60C被完全剥离，而数据线121部分光刻胶60D保留一定厚度，如图13所示。对第二金属层120进行刻蚀处理，使得像素电极111上方的第二金属层120被完全剥离，在第二金属层120形成数据线121，如图14所示。剥离光刻胶60D，如图15所示。
图16和图17为本发明的实施例二，如图所示，通过在透明存储电极50’上打孔，在跨线金属桥130上打孔，用ITO将两者连接起来可减小电阻，从而改善透明存储电极50’下电极负载过大的问题。
本发明通过利用两次半灰阶掩膜版，将ITO层和该ITO层之上的第二金属层为同一张掩膜版曝光形成，将IGZO层和该IGZO层上的刻蚀阻挡层为同一张掩膜版曝光形成，节省掩膜版的同时提高开口率。
Claims (3)
1.一种TFT阵列基板的制造方法，其特征在于：其包括如下步骤：
第一步，在玻璃基板上形成扫描线；
第二步，在上述第一步所形成的扫描线之上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜之上形成IGZO层以及刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成光刻胶，利用两次半灰阶掩膜版对光刻胶进行曝光，再用显影液显影；
第三步，对上述刻蚀阻挡层进行刻蚀，对上述IGZO层进行刻蚀形成源漏极和透明存储电极，对光刻胶进行灰化减薄；
第四步，对刻蚀阻挡层进一步刻蚀；
第五步，对IGZO层进行离子注入处理，将裸露出的IGZO掺杂成为导体；最后剥离光刻胶；
第六步，形成上述图案的基础上，形成第二绝缘膜，再对第二绝缘膜上源漏极部分打孔；
第七步，在第二绝缘膜上形成ITO层及第二金属层，在第二金属层上方形成光刻胶，利用两次半灰阶掩膜版对光刻胶进行曝光，再对光刻胶进行显影；
第八步，对第二金属层和ITO刻蚀；对光刻胶进行灰化；对第二金属层进一步刻蚀；在第二金属层形成数据线，剥离光刻胶。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于：ITO层和该ITO层之上的第二金属层为同一张掩膜版曝光形成。
3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于：所述的IGZO层和该IGZO层上的刻蚀阻挡层为同一张掩膜版曝光形成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410047918.1A CN103839950B (zh) | 2014-02-12 | 2014-02-12 | Tft‑lcd阵列基板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410047918.1A CN103839950B (zh) | 2014-02-12 | 2014-02-12 | Tft‑lcd阵列基板及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103839950A CN103839950A (zh) | 2014-06-04 |
| CN103839950B true CN103839950B (zh) | 2017-04-19 |
Family
ID=50803288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410047918.1A Expired - Fee Related CN103839950B (zh) | 2014-02-12 | 2014-02-12 | Tft‑lcd阵列基板及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103839950B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI542715B (zh) * | 2015-09-21 | 2016-07-21 | 友達光電股份有限公司 | 一種結晶氧化銦鎵鋅半導體層及薄膜電晶體的製造方法 |
| KR102542186B1 (ko) * | 2016-04-04 | 2023-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| WO2018063780A1 (en) * | 2016-09-09 | 2018-04-05 | Ntt Docomo, Inc. | A manufacturing method of diffractive optical elements |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1257304A (zh) * | 1998-12-12 | 2000-06-21 | 三星电子株式会社 | 供液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
| CN1606161A (zh) * | 2003-10-08 | 2005-04-13 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板 |
| CN103199094A (zh) * | 2013-03-25 | 2013-07-10 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5594084B2 (ja) * | 2010-11-19 | 2014-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
-
2014
- 2014-02-12 CN CN201410047918.1A patent/CN103839950B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1257304A (zh) * | 1998-12-12 | 2000-06-21 | 三星电子株式会社 | 供液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
| CN1606161A (zh) * | 2003-10-08 | 2005-04-13 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板 |
| CN103199094A (zh) * | 2013-03-25 | 2013-07-10 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103839950A (zh) | 2014-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9691881B2 (en) | Manufacturing method of thin film transistor substrate | |
| CN102646632B (zh) | 阵列基板及其制作方法和显示装置 | |
| CN108470717A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置 | |
| CN103441128B (zh) | 一种tft阵列基板及其制造方法 | |
| WO2016045241A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN105161505A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 | |
| CN108550581A (zh) | 一种低温多晶硅阵列基板及其制备方法 | |
| CN107369715A (zh) | 一种薄膜晶体管的制造方法 | |
| CN105070765B (zh) | 薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造方法 | |
| US20230246036A1 (en) | Touch array substrate and manufacturing method thereof | |
| CN105655291A (zh) | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板 | |
| CN103489921A (zh) | 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置 | |
| CN102651322A (zh) | 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示器件 | |
| CN108538855B (zh) | 一种阵列基板的制作方法 | |
| CN103474439B (zh) | 一种显示装置、阵列基板及其制作方法 | |
| CN103839950B (zh) | Tft‑lcd阵列基板及其制造方法 | |
| CN103681514A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN102645811B (zh) | 电子纸有源基板及其制造方法和电子纸显示屏 | |
| US10134765B2 (en) | Oxide semiconductor TFT array substrate and method for manufacturing the same | |
| CN105097826A (zh) | Goa单元及其制作方法、显示基板、显示装置 | |
| CN102646630A (zh) | 一种tft-lcd阵列基板构造及其制造方法 | |
| CN102629588A (zh) | 阵列基板的制造方法 | |
| CN110600483A (zh) | 一种阵列基板及其制造方法 | |
| CN108400139B (zh) | 阵列基板及其制作方法以及显示装置 | |
| US20180122840A1 (en) | Ltps array substrate and method for producing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170419 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |