CN117135966A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

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成泰铉
洪昇秀
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Abstract

提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。实施例中的所述显示装置包括：基体基底，包括第一辅助显示区域和围绕第一辅助显示区域的主显示区域；像素电路层，设置在基体基底上；以及发光器件层，设置在像素电路层上，并包括设置在第一辅助显示区域中的多个第一发光器件，并且多个第一发光器件中的每个包括像素电极、设置在像素电极上的发光层以及设置在发光层上并限定多个透射孔的共电极，并且多个第一发光器件和多个透射孔在平面图中交替地布置，多个透射孔限定在第一辅助显示区域中。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法
技术领域
发明的实施例涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
显示装置可以使用像素显示图像。显示装置可以包括传输外部输入和/或内部输出的区域。在这种显示装置中，正在研究一种用于改善该区域的透射率的方法。
发明内容
实施例提供了一种在部分区域中具有改善的透射率和改善的可靠性的显示装置。
实施例提供了一种制造显示装置的方法。
实施例中的显示装置可以包括：基体基底，包括第一辅助显示区域和围绕第一辅助显示区域的主显示区域；像素电路层，设置在基体基底上；以及发光器件层，设置在像素电路层上，并且包括设置在第一辅助显示区域中的多个第一发光器件，并且多个第一发光器件中的每个可以包括像素电极、设置在像素电极上的发光层以及设置在发光层上并且限定多个透射孔的共电极，并且多个第一发光器件和多个透射孔可以在平面图中交替地布置，多个透射孔限定在第一辅助显示区域中。
在实施例中，发光器件层还可以包括暴露像素电极的一部分的像素限定图案，并且多个透射孔可以在平面图中与像素限定图案间隔开。
在实施例中，多个透射孔可以在平面图中沿着行方向和列方向重复地布置。
在实施例中，多个透射孔可以包括：多个第一透射孔，具有第一平面形状；以及多个第二透射孔，具有与第一平面形状不同的第二平面形状。
在实施例中，多个第一透射孔可以在平面图中在第一辅助显示区域的奇数行中重复地布置，并且多个第二透射孔可以在平面图中在第一辅助显示区域的偶数行中重复地布置。
在实施例中，共电极的由多个透射孔暴露的内表面中的至少一个可以包括多条曲线。
在实施例中，基体基底还可以包括与第一辅助显示区域相邻的第二辅助显示区域，并且发光器件层还可以包括设置在第二辅助显示区域中的多个第二发光器件，并且像素电路层可以包括：第一像素电路，设置在第二辅助显示区域中，并控制传输到多个第一发光器件中的至少一个的电流；以及第二像素电路，设置在第二辅助显示区域中，并控制传输到多个第二发光器件中的至少一个的电流。
在实施例中，像素电路层还可以包括连接线，连接线将多个第一发光器件中的至少一个与第一像素电路电连接。
在实施例中，连接线可以包括透明导电氧化物。
在实施例中，第一辅助显示区域的透射率可以高于第二辅助显示区域的透射率和主显示区域的透射率。
在实施例中，显示装置还可以包括设置在基体基底与发光器件层之间的光阻挡图案，并且光阻挡图案可以在平面图中与多个第一发光器件叠置。
在实施例中，光阻挡图案可以覆盖包括在多个第一发光器件中的每个中的像素电极的整个下表面。
在实施例中，光阻挡图案可以在平面图中与多个透射孔间隔开。
在实施例中，光阻挡图案可以包括金属材料，并且金属材料可以吸收或反射入射的红外激光。
在实施例中，光阻挡图案的厚度可以为约50纳米(nm)至约500nm。
在实施例中，显示装置还可以包括设置在基体基底下方并且在平面上与第一辅助显示区域叠置的电子模块。
一种制造实施例中的显示装置的方法可以包括以下步骤：准备基体基底，基体基底包括第一辅助显示区域和围绕第一辅助显示区域的主显示区域；在基体基底上形成像素电路层；在像素电路层上形成设置在第一辅助显示区域中的多个第一发光器件；以及从基体基底的下侧向第一辅助显示区域照射激光，并且多个第一发光器件中的每个可以包括像素电极、设置在像素电极上的发光层以及设置在发光层上的共电极，并且在照射激光的步骤中，多个透射孔可以被限定在共电极中以在平面图中与多个第一发光器件交替地布置。
在实施例中，照射激光的步骤可以是通过以光点形状照射激光来限定多个透射孔。
在实施例中，该方法还可以包括在基体基底上形成光阻挡图案，并且光阻挡图案可以与多个第一发光器件叠置。
因此，发明的实施例中的显示装置可以包括多个第一发光器件。多个第一发光器件可以设置在第一辅助显示区域中。多个透射孔可以限定在设置于第一辅助显示区域中的共电极中。在第一辅助显示区域中，多个第一发光器件和多个透射孔可以交替地布置。因此，可以改善第一辅助显示区域的透射率。
另外，可以通过选择性地去除共电极的被激光照射的部分来限定多个透射孔。可以针对多个第一发光器件之间的每个区域以光点的形式照射激光。因此，在限定多个透射孔的工艺中，可以使设置在第一辅助显示区域中的多个第一发光器件、像素限定图案和多个绝缘层的损坏最小化。因此，可以改善显示装置的可靠性。
将理解的是，前面的一般性描述和以下详细描述是示例性和解释性的，并且旨在提供如所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解说明性的非限制性实施例。
图1是示出显示装置的实施例的图。
图2是示出包括在图1的显示装置中的显示模块的剖视图。
图3是示出包括在图2的显示模块中的显示面板的平面图。
图4是示出图3的放大区域“A”的放大图。
图5是示出图3的显示面板的第一辅助显示区域和第二辅助显示区域的剖视图。
图6是示出图3的显示面板的主显示区域的剖视图。
图7是示出图3的显示面板的第一辅助显示区域的平面图。
图8是沿着图7的线II-II'截取的剖视图。
图9是示出图7的放大区域“B”的放大图。
图10至图15是示出制造包括在图1的显示装置中的显示面板的方法的剖视图。
图16是示出显示面板的实施例的剖视图。
图17是示出显示面板的实施例的剖视图。
具体实施方式
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解说明性的非限制性实施例。
将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，所述元件可以直接在所述另一元件上，或者可以在其间存在居间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部件，但这些元件、组件、区域、层和/或部件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部件与另一元件、组件、区域、层或部件区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部件”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部件。
这里使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不旨在成为限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”旨在包括包含“至少一个(种/者)”的复数形式。“或”意为“和/或”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。还将理解的是，当术语“包括”和/或其变型或者“包含”和/或其变型用在该说明书中时，说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组。
此外，这里可以使用诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语，以描述如附图中示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，相对术语旨在涵盖装置的不同方位。例如，如果一幅附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧上的元件将随后被定向为在所述其他元件的“上”侧上。因此，示例性术语“下”可以根据附图的特定方位而包括“下”和“上”两个方位。类似地，如果一幅附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件“下方”或“之下”的元件将随后被定向为“在”所述其他元件“上方”。因此，示例性术语“下方”或“之下”可以涵盖上方和下方两个方位。
如这里所使用的“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值，并且意指：考虑到正在被讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，在如由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，诸如“约(大约)”的术语可以意为在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另有定义，否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与该公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应当被解释为具有与其在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的意义来解释，除非这里明确地如此定义。
图1是示出显示装置的实施例的图。
参照图1，实施例中的显示装置1000可以包括显示模块DM和电子模块CM。显示模块DM可以生成图像并感测外部施加的压力。电子模块CM可以设置在显示模块DM下方。
有效区域AA和无效区域NAA可以限定在显示模块DM中。显示装置1000可以通过显示模块DM的有效区域AA显示图像。有效区域AA可以包括由第一方向DR1和与第一方向DR1正交的第二方向DR2定义的平面。也就是说，显示装置1000可以通过显示模块DM的有效区域AA在与该平面垂直的第三方向DR3上显示图像。无效区域NAA可以设置在有效区域AA周围。在实施例中，无效区域NAA可以例如围绕有效区域AA。
在实施例中，感测区域SA可以限定在有效区域AA中。在实施例中，感测区域SA可以是例如有效区域AA的一部分。也就是说，感测区域SA可以显示图像，并且可以传输提供到电子模块CM的外部输入和/或从电子模块CM提供的输出。感测区域SA可以具有比有效区域AA中的其他区域的透射率高的透射率。尽管图1示出了一个感测区域SA限定在有效区域AA中，但感测区域SA的数量不必限于此。
电子模块CM可以设置在与感测区域SA叠置的区域中。如上所述，电子模块CM可以接收通过感测区域SA传输的外部输入，或者可以通过感测区域SA将输出提供到外部。在实施例中，电子模块CM可以是例如相机模块、用于测量距离的传感器、用于识别用户的身体的一部分的传感器、输出光的小灯等，但电子模块CM的类型不限于此。
图2是示出包括在图1的显示装置中的显示模块的剖视图。在实施例中，图2是例如沿着图1的线I-I'截取的剖视图。
参照图1和图2，显示模块DM可以包括显示面板100、感测层200和抗反射层300。显示面板100可以包括基体基底110、像素电路层120、发光器件层130和封装层140。
显示面板100可以基本上生成图像。在实施例中，显示面板100可以是例如有机发光显示面板、无机发光显示面板或量子点显示面板。在下文中，将限制性地描述其中显示面板100是有机发光显示面板的情况，但发明的构造不必限于此。
基体基底110可以是包括透明或不透明材料的绝缘基底。基体基底110可以具有单层或多层结构。在实施例中，基体基底110可以包括玻璃。在这种情况下，基体基底110可以是刚性基底。在另一实施例中，基体基底110可以包括塑料。在这种情况下，基体基底110可以是柔性基底。在实施例中，可以用于基体基底110的塑料可以包括聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丙烯(PP)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、聚砜(PSul)、聚乙烯(PE)、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯氧化物(PCO)、改性聚苯醚氧化物(MPPO)等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
像素电路层120可以设置在基体基底110上。像素电路层120可以包括无机层、有机层和金属图案。可以通过无机层、有机层和金属图案来实现像素电路。
发光器件层130可以设置在像素电路层120上。发光器件层130可以包括多个发光器件。在实施例中，发光器件层130可以包括例如有机发光材料、无机发光材料、有机-无机发光材料、量子点等。在下文中，将限制性地描述其中发光器件层130包括有机发光材料的情况，但发明的构造不必限于此。
封装层140可以设置在发光器件层130上。封装层140可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，封装层140可以包括例如设置在发光器件层130上的第一无机封装层、设置在第一无机封装层上的有机封装层以及设置在有机封装层上的第二无机封装层。封装层140可以防止湿气、空气等渗透到发光器件层130中。
感测层200可以设置在显示面板100上。换句话说，感测层200可以设置在封装层140上。感测层200可以感测从外部施加的外部输入。在实施例中，外部输入可以是例如用户的触摸。在实施例中，感测层200可以通过连续工艺形成在显示面板100上。在这种情况下，附加组件(例如，粘合构件)可以不设置在显示面板100与感测层200之间。在另一实施例中，显示面板100和感测层200可以通过粘合构件彼此接合。
抗反射层300可以设置在感测层200上。抗反射层300可以抑制从显示模块DM的外部入射的外部光的反射。在实施例中，抗反射层300可以包括相位延迟器和偏振器。相位延迟器和偏振器可以实现为单个偏振膜。在另一实施例中，抗反射层300可以包括滤色器。滤色器可以具有预定的布置。在实施例中，可以考虑例如由包括在显示面板100中的像素发射的颜色来布置滤色器。
在实施例中，可以省略感测层200。当省略感测层200时，抗反射层300可以设置在显示面板100上。在实施例中，抗反射层300可以例如通过连续工艺形成在显示面板100上。此外，感测层200和抗反射层300的位置可以与上述不同。在实施例中，抗反射层300可以例如设置在显示面板100与感测层200之间。
图3是示出包括在图2的显示模块中的显示面板的平面图。图4是示出图3的放大区域“A”的放大图。
参照图3和图4，显示面板100可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以与图1的有效区域AA对应。非显示区域NDA可以与图1的无效区域NAA对应。非显示区域NDA可以设置在显示区域DA周围。在实施例中，非显示区域NDA可以例如围绕显示区域DA。
显示区域DA可以包括第一辅助显示区域SDA1、第二辅助显示区域SDA2和主显示区域MDA。第一辅助显示区域SDA1也可以被称为组件区域。第二辅助显示区域SDA2也可以被称为中间区域或过渡区域。主显示区域MDA也可以被称为通用显示区域。
第一辅助显示区域SDA1可以与图1中所示的感测区域SA叠置或对应。换句话说，第一辅助显示区域SDA1可以在平面图中与图1的电子模块CM叠置。在实施例中，例如，可以通过第一辅助显示区域SDA1将外部输入提供到电子模块CM，并且可以通过第一辅助显示区域SDA1将来自电子模块CM的输出发射到外部。尽管图3示出了第一辅助显示区域SDA1具有圆形形状，但发明的构造不限于此。在实施例中，第一辅助显示区域SDA1可以例如具有诸如多边形形状、椭圆形形状或不规则形状的各种形状。
第二辅助显示区域SDA2可以与第一辅助显示区域SDA1相邻。在实施例中，第二辅助显示区域SDA2可以例如围绕第一辅助显示区域SDA1。在实施例中，第二辅助显示区域SDA2的透射率可以低于第一辅助显示区域SDA1的透射率。在实施例中，第二辅助显示区域SDA2可以与非显示区域NDA间隔开。然而，发明不限于此，并且在另一实施例中，第二辅助显示区域SDA2可以接触非显示区域NDA。
主显示区域MDA可以与第二辅助显示区域SDA2相邻，并且可以围绕第一辅助显示区域SDA1。在实施例中，主显示区域MDA的透射率可以低于第一辅助显示区域SDA1的透射率。
显示面板100可以包括多个像素PX。多个像素PX可以设置在显示区域DA中。多个像素PX可以包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第一像素PX1可以在第一辅助显示区域SDA1中发光，第二像素PX2可以在第二辅助显示区域SDA2中发光，第三像素PX3可以在主显示区域MDA中发光。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个可以设置为多个。在这种情况下，多个第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素。在实施例中，多个第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个还可以包括白色像素。
第一像素PX1可以包括第一发光器件LD1和第一像素电路PC1。第一像素电路PC1可以控制传输到第一发光器件LD1的电流。第二像素PX2可以包括第二发光器件LD2和第二像素电路PC2。第二像素电路PC2可以控制传输到第二发光器件LD2的电流。第三像素PX3可以包括第三发光器件LD3和第三像素电路PC3。第三像素电路PC3可以控制传输到第三发光器件LD3的电流。
在实施例中，第一发光器件LD1可以设置在第一辅助显示区域SDA1中，第一像素电路PC1可以设置在第二辅助显示区域SDA2中。在另一实施例中，第一像素电路PC1可以设置在非显示区域NDA中。由于第一像素电路PC1没有设置在第一辅助显示区域SDA1中，因此可以改善第一辅助显示区域SDA1的透射率。
在这种情况下，第一发光器件LD1与第一像素电路PC1可以通过连接线TWL彼此电连接。连接线TWL可以包括透明导电材料。在实施例中，连接线TWL可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)的透明导电氧化物(TCO)。
具体地，第一发光器件LD1可以设置在第一辅助显示区域SDA1中，第一像素电路PC1、第二发光器件LD2和第二像素电路PC2可以设置在第二辅助显示区域SDA2中，第三发光器件LD3和第三像素电路PC3可以设置在主显示区域MDA中。
因此，第二辅助显示区域SDA2的透射率和主显示区域MDA的透射率可以低于第一辅助显示区域SDA1的透射率。另外，由于第一像素电路PC1设置在第二辅助显示区域SDA2中，因此在单位面积内设置在第二辅助显示区域SDA2中的第二像素PX2的数量可以小于设置在主显示区域MDA中的第三像素PX3的数量。
在实施例中，第一发光器件LD1、第二发光器件LD2和第三发光器件LD3中的每个可以设置为多个。多个第一发光器件LD1之中的彼此最相邻的两个第一发光器件之间的距离可以大于多个第三发光器件LD3之中的彼此最相邻的两个第三发光器件之间的距离。此外，多个第二发光器件LD2之中的彼此最相邻的两个第二发光器件之间的距离可以大于多个第三发光器件LD3之中的彼此最相邻的两个第三发光器件之间的距离。
图5是示出图3的显示面板的第一辅助显示区域和第二辅助显示区域的剖视图。图6是示出图3的显示面板的主显示区域的剖视图。
参照图5和图6，显示面板100可以包括无机层、有机层和金属图案。如上所述，显示面板100可以包括基体基底110、像素电路层120、发光器件层130和封装层140。
像素电路层120可以设置在基体基底110上。在实施例中，像素电路层120可以包括缓冲层120BR、第一绝缘层121、第二绝缘层122、第三绝缘层123、第四绝缘层124、第五绝缘层125、第六绝缘层126、第七绝缘层127、第八绝缘层128和第九绝缘层129以及第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3、第一连接线TWL1和第二连接线TWL2。
第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3中的每个可以包括晶体管。在实施例中，第一像素电路PC1可以包括第一晶体管TFT1，第二像素电路PC2可以包括第二晶体管TFT2，第三像素电路PC3可以包括第三晶体管TFT3和第四晶体管TFT4。例如，第一晶体管TFT1、第二晶体管TFT2、第三晶体管TFT3和第四晶体管TFT4中的每个可以包括有源图案、栅电极和连接电极。
缓冲层120BR可以设置在基体基底110上。缓冲层120BR可以防止杂质从基体基底110扩散到第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3。在实施例中，缓冲层120BR可以包括绝缘材料。在实施例中，可以用于缓冲层120BR的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
在实施例中，背金属层BML可以设置在基体基底110与缓冲层120BR之间。背金属层BML可以设置为与第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3叠置。此外，背金属层BML可以设置为与第一辅助显示区域SDA1间隔开。
在实施例中，第一有源图案ACT1、第二有源图案ACT2和第三有源图案ACT3可以设置在缓冲层120BR上。在实施例中，第一有源图案ACT1、第二有源图案ACT2和第三有源图案ACT3可以包括例如硅半导体。
在另一实施例中，第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2可以设置在第三绝缘层123上。在这种情况下，第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2可以包括氧化物半导体。
第一绝缘层121可以设置在缓冲层120BR上，并且覆盖第一有源图案ACT1、第二有源图案ACT2和第三有源图案ACT3。第一绝缘层121可以具有单层或多层结构。在实施例中，第一绝缘层121可以包括绝缘材料。在实施例中，可以用作第一绝缘层121的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3可以设置在第一绝缘层121上。具体地，第一栅电极GAT1可以与第一有源图案ACT1叠置，第二栅电极GAT2可以与第二有源图案ACT2叠置，第三栅电极GAT3可以与第三有源图案ACT3叠置。在实施例中，第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3可以包括金属、合金、导电金属氧化物、透明导电材料等。在实施例中，可以用作第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3的材料可以包括银(Ag)、含有银的合金、钼(Mo)、含有钼的合金、铝(Al)、包含铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、ITO、IZO等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第二绝缘层122可以设置在第一绝缘层121上，并且覆盖第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3。第二绝缘层122可以具有单层或多层结构。在实施例中，第二绝缘层122可以包括绝缘材料。在实施例中，可以用作第二绝缘层122的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第三绝缘层123可以设置在第二绝缘层122上。第三绝缘层123可以具有单层或多层结构。在实施例中，第三绝缘层123可以包括绝缘材料。在实施例中，可以用作第三绝缘层123的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第四有源图案ACT4可以设置在第三绝缘层123上。第四有源图案ACT4可以包括氧化物半导体。
第四绝缘层124可以设置在第三绝缘层123上，并且覆盖第四有源图案ACT4。第四绝缘层124可以具有单层或多层结构。在实施例中，第四绝缘层124可以包括绝缘材料。在实施例中，可以用作第四绝缘层124的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第四栅电极GAT4可以设置在第四绝缘层124上。第四栅电极GAT4可以与第四有源图案ACT4叠置。在实施例中，第四栅电极GAT4可以包括金属、合金、导电金属氧化物、透明导电材料等。在实施例中，可以用作第四栅电极GAT4的材料包括银(Ag)、含有银的合金、钼(Mo)、含有钼的合金、铝(Al)、含有铝的合金和氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、ITO、IZO等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第五绝缘层125可以设置在第四绝缘层124上，并且覆盖第四栅电极GAT4。第五绝缘层125可以具有单层或多层结构。在实施例中，第五绝缘层125可以包括绝缘材料。在实施例中，可以用作第五绝缘层125的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第一连接电极CE1、第二连接电极CE2、第三连接电极CE3、第四连接电极CE4、第五连接电极CE5、第六连接电极CE6、第七连接电极CE7和第八连接电极CE8可以设置在第五绝缘层125上。第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可以通过穿透第一绝缘层121、第二绝缘层122、第三绝缘层123、第四绝缘层124和第五绝缘层125的接触孔接触第一有源图案ACT1。第三连接电极CE3和第四连接电极CE4可以通过穿透第一绝缘层121、第二绝缘层122、第三绝缘层123、第四绝缘层124和第五绝缘层125的接触孔接触第二有源图案ACT2。第五连接电极CE5和第六连接电极CE6可以通过穿透第一绝缘层121、第二绝缘层122、第三绝缘层123、第四绝缘层124和第五绝缘层125的接触孔接触第三有源图案ACT3。第七连接电极CE7和第八连接电极CE8可以通过穿透第四绝缘层124和第五绝缘层125的接触孔接触第四有源图案ACT4。
在实施例中，第一连接电极CE1、第二连接电极CE2、第三连接电极CE3、第四连接电极CE4、第五连接电极CE5、第六连接电极CE6、第七连接电极CE7和第八连接电极CE8可以包括金属、合金、导电金属氧化物、透明导电材料等。在实施例中，可以用作第一连接电极CE1、第二连接电极CE2、第三连接电极CE3、第四连接电极CE4、第五连接电极CE5、第六连接电极CE6、第七连接电极CE7和第八连接电极CE8的材料可以包括银(Ag)、含有银的合金、钼(Mo)、含有钼的合金、铝(Al)、包含铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、ITO、IZO等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第一有源图案ACT1、第一栅电极GAT1、第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可以构成第一晶体管TFT1。另外，第二有源图案ACT2、第二栅电极GAT2、第三连接电极CE3和第四连接电极CE4可以构成第二晶体管TFT2。另外，第三有源图案ACT3、第三栅电极GAT3、第五连接电极CE5和第六连接电极CE6可以构成第三晶体管TFT3。另外，第四有源图案ACT4、第四栅电极GAT4、第七连接电极CE7和第八连接电极CE8可以构成第四晶体管TFT4。
在实施例中，第三晶体管TFT3可以是包括在第三像素电路PC3中的硅类半导体器件，第四晶体管TFT4可以是氧化物类半导体器件。因此，在主显示区域MDA的第三像素PX3中，即使当执行低频驱动时，根据电压降的图像的颜色变化也不会大。也就是说，由于第三像素电路PC3采用作为氧化物类半导体器件的第四晶体管TFT4，因此可能进行低频驱动，并且因此可以进一步降低功耗。然而，发明的构造不必限于此。在实施例中，第三像素电路PC3可以例如仅使用硅类半导体器件和氧化物类半导体器件中的一个作为晶体管。
第六绝缘层126可以设置在第五绝缘层125上，并且覆盖第一连接电极CE1、第二连接电极CE2、第三连接电极CE3、第四连接电极CE4、第五连接电极CE5、第六连接电极CE6、第七连接电极CE7和第八连接电极CE8。第六绝缘层126可以具有单层或多层结构。在实施例中，第六绝缘层126可以包括绝缘材料。在实施例中，可以用作第六绝缘层126的材料可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第九连接电极CE9、第十连接电极CE10和第十一连接电极CE11可以设置在第六绝缘层126上。第九连接电极CE9可以通过穿透第六绝缘层126的接触孔接触第一连接电极CE1，第十连接电极CE10可以通过穿透第六绝缘层126的接触孔接触第三连接电极CE3。第十一连接电极CE11可以通过穿透第六绝缘层126的接触孔接触第五连接电极CE5。
第一晶体管TFT1和第九连接电极CE9可以构成第一像素电路PC1。另外，第二晶体管TFT2和第十连接电极CE10可以构成第二像素电路PC2。另外，第三晶体管TFT3、第四晶体管TFT4和第十一连接电极CE11可以构成第三像素电路PC3。在这种情况下，第一像素电路PC1和第二像素电路PC2可以设置在第二辅助显示区域SDA2中，第三像素电路PC3可以设置在主显示区域MDA中。
第七绝缘层127可以设置在第六绝缘层126上，并且覆盖第九连接电极CE9、第十连接电极CE10和第十一连接电极CE11。第七绝缘层127可以具有单层或多层结构。在实施例中，第七绝缘层127可以包括绝缘材料。在实施例中，可以用作第七绝缘层127的材料可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第一连接线TWL1可以设置在第七绝缘层127上。第一连接线TWL1可以通过穿透第七绝缘层127的接触孔接触第一像素电路PC1的第九连接电极CE9。在实施例中，第一连接线TWL1可以与共电极CTE的多个透射孔TH叠置。因此，第一连接线TWL1可以包括透光材料。在实施例中，可以用作第一连接线TWL1的材料可以包括诸如ITO、IZO、IGZO、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)等的TCO。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第八绝缘层128可以设置在第七绝缘层127上，并且覆盖第一连接线TWL1。第八绝缘层128可以具有单层或多层结构。在实施例中，第八绝缘层128可以包括绝缘材料。在实施例中，可以用作第八绝缘层128的材料可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第二连接线TWL2可以设置在第八绝缘层128上。第二连接线TWL2可以通过穿透第八绝缘层128的接触孔接触第一连接线TWL1。此外，第二连接线TWL2可以连接到第一发光器件LD1的第一像素电极ADE1。因此，第一连接线TWL1和第二连接线TWL2可以将第一像素电路PC1和第一发光器件LD1电连接。在实施例中，可以用作第二连接线TWL2的材料可以包括诸如ITO、IZO、IGZO、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)等的TCO。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第九绝缘层129可以设置在第八绝缘层128上，并且覆盖第二连接线TWL2。第九绝缘层129可以具有单层或多层结构。在实施例中，第九绝缘层129可以包括绝缘材料。在实施例中，可以用作第九绝缘层129的材料可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
发光器件层130可以设置在像素电路层120上。在实施例中，发光器件层130可以包括第一发光器件LD1、第二发光器件LD2和第三发光器件LD3、像素限定层PDL以及像素限定图案PDP。第一发光器件LD1可以设置在第一辅助显示区域SDA1中，第二发光器件LD2可以设置在第二辅助显示区域SDA2中，第三发光器件LD3可以设置在主显示区域MDA中。第一发光器件LD1可以包括第一像素电极ADE1、第一发光层EL1和共电极CTE，第二发光器件LD2可以包括第二像素电极ADE2、第二发光层EL2和共电极CTE，第三发光器件LD3可以包括第三像素电极ADE3、第三发光层EL3和共电极CTE。
第一像素电极ADE1、第二像素电极ADE2和第三像素电极ADE3可以设置在第九绝缘层129上。具体地，第一像素电极ADE1可以设置在第一辅助显示区域SDA1中，第二像素电极ADE2可以设置在第二辅助显示区域SDA2中，第三像素电极ADE3可以设置在主显示区域MDA中。
在实施例中，第一像素电极ADE1、第二像素电极ADE2和第三像素电极ADE3中的每个可以形成为透射电极或反射电极。当第一像素电极ADE1、第二像素电极ADE2和第三像素电极ADE3中的每个形成为透射电极时，可以用于第一像素电极ADE1、第二像素电极ADE2和第三像素电极ADE3的材料的实施例可以包括ITO、IZO、IGZO、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铝掺杂的氧化锌(AZO)等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。当第一像素电极ADE1、第二像素电极ADE2和第三像素电极ADE3中的每个形成为反射电极时，可以用于第一像素电极ADE1、第二像素电极ADE2和第三像素电极ADE3的材料的实施例可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。此外，这些像素电极可以具有拥有用于透射电极的材料的层叠结构。
如上所述，第一像素电极ADE1可以电连接到设置在第二辅助显示区域SDA2中的第一像素电路PC1。在实施例中，第一像素电极ADE1可以例如通过穿透第九绝缘层129的接触孔接触第二连接线TWL2。因此，第一像素电极ADE1可以通过第一连接线TWL1和第二连接线TWL2电连接到第一像素电路PC1。第二像素电极ADE2可以通过穿透第七绝缘层127、第八绝缘层128和第九绝缘层129的接触孔接触第十连接电极CE10，以与第二像素电路PC2电接触。第三像素电极ADE3可以通过穿透第七绝缘层127、第八绝缘层128和第九绝缘层129的接触孔接触第十一连接电极CE11，以与第三像素电路PC3电接触。
像素限定层PDL和像素限定图案PDP可以设置在第九绝缘层129上。像素限定图案PDP可以设置在第一辅助显示区域SDA1中。像素限定图案PDP可以暴露第一像素电极ADE1的一部分。像素限定层PDL可以设置在第二辅助显示区域SDA2和主显示区域MDA中。像素限定层PDL可以暴露第二像素电极ADE2和第三像素电极ADE3中的每个的一部分。
在实施例中，像素限定层PDL和像素限定图案PDP可以包括相同的材料，并且可以通过同一工艺形成。在实施例中，像素限定层PDL和像素限定图案PDP可以包括例如黑色染料、黑色颜料、炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。
第一发光层EL1可以设置在第一像素电极ADE1上，第二发光层EL2可以设置在第二像素电极ADE2上，第三发光层EL3可以设置在第三像素电极ADE3上。在实施例中，第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3中的每个可以发射红光、绿光或蓝光。
共电极CTE可以设置在第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3上。也就是说，共电极CTE可以跨多个像素PX(参照图3)连续地形成在显示区域DA中。在实施例中，共电极CTE可以包括透射电极或反射电极。在实施例中，共电极CTE可以包括例如金属、合金、金属氮化物、金属氟化物、导电金属氧化物或其任何组合。
多个透射孔TH可以限定在共电极CTE中。多个透射孔TH可以限定在第一辅助显示区域SDA1中。在实施例中，在针对多个像素PX连续地形成共电极CTE之后，可以以光点的形式将激光施加到共电极CTE之中的多个第一发光器件LD1之间的每个区域。因此，可以通过去除共电极CTE的被激光照射的部分来限定多个透射孔TH。因此，多个透射孔TH可以限定为与像素限定图案PDP间隔开。由于从其中设置有多个透射孔TH的部分去除了共电极CTE的一部分，因此可以改善第一辅助显示区域SDA1的透射率。
虽然未示出，但空穴控制层可以设置在第一像素电极ADE1、第二像素电极ADE2和第三像素电极ADE3与第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3之间。空穴控制层可以包括空穴传输层，并且还可以包括空穴注入层。电子控制层可以设置在第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3与共电极CTE之间。电子控制层可以包括电子传输层，并且还可以包括电子注入层。
封装层140可以设置在发光器件层130上。在实施例中，封装层140可以包括设置在发光器件层130上的第一无机封装层141、设置在第一无机封装层141上的有机封装层142以及设置在有机封装层142上的第二无机封装层143。然而，封装层140的构造不必限于此。
图7是示出图3的显示面板的第一辅助显示区域的平面图。在实施例中，图7是示出例如在发光器件层130上形成封装层140之前的第一辅助显示区域SDA1的平面图。图8是沿着图7的线II-II'截取的剖视图。
在下文中，将参照图7和图8更详细地描述多个第一发光器件LD1和多个透射孔TH。在这种情况下，将省略关于显示面板100的构造的与参照图5和图6描述的内容重叠的描述。
参照图7和图8，多个第一发光器件LD1可以设置在显示面板100的第一辅助显示区域SDA1中。在实施例中，多个第一发光器件LD1可以包括第一颜色发光器件LD1-R、第二颜色发光器件LD1-G和第三颜色发光器件LD1-B。在实施例中，第一颜色发光器件LD1-R、第二颜色发光器件LD1-G和第三颜色发光器件LD1-B中的每个可以发射红光、绿光或蓝光。在实施例中，例如，第一颜色发光器件LD1-R可以发射红光，第二颜色发光器件LD1-G可以发射绿光，第三颜色发光器件LD1-B可以发射蓝光。
第一颜色发光器件LD1-R可以包括第一颜色像素电极ADE1-R、第一颜色发光层EL1-R和共电极CTE，第二颜色发光器件LD1-G可以包括第二颜色像素电极ADE1-G、第二颜色发光层EL1-G和共电极CTE，第三颜色发光器件LD1-B可以包括第三颜色像素电极ADE1-B、第三颜色发光层EL1-B和共电极CTE。
在平面图中，第一颜色发光器件LD1-R、第二颜色发光器件LD1-G和第三颜色发光器件LD1-B中的每个可以沿着行方向和列方向重复地布置。具体地，在平面图中，第一颜色发光器件LD1-R、第二颜色发光器件LD1-G和第三颜色发光器件LD1-B中的每个可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2重复地布置。在实施例中，第二颜色发光器件LD1-G可以在第一辅助显示区域SDA1的奇数行中重复地布置，第一颜色发光器件LD1-R和第三颜色发光器件LD1-B可以在第一辅助显示区域SDA1的偶数行中重复地布置。
在实施例中，第一颜色发光器件LD1-R、第二颜色发光器件LD1-G和第三颜色发光器件LD1-B可以在平面图中具有不同的尺寸。在实施例中，第二颜色发光器件LD1-G的平面图中的尺寸可以小于第一颜色发光器件LD1-R和第三颜色发光器件LD1-B中的每个的平面图中的尺寸。在这种情况下，第三颜色发光器件LD1-B的平面图中的尺寸可以大于第一颜色发光器件LD1-R的平面图中的尺寸。然而，发明的构造不必限于此，并且第一颜色发光器件LD1-R、第二颜色发光器件LD1-G和第三颜色发光器件LD1-B中的每个的平面图中的尺寸可以不同地设定。
第一颜色发光器件LD1-R、第二颜色发光器件LD1-G和第三颜色发光器件LD1-B中的每个可以具有：多边形平面形状、圆形平面形状和椭圆形平面形状的平面形状；轨道型平面形状；等等。在实施例中，第一颜色发光器件LD1-R、第二颜色发光器件LD1-G和第三颜色发光器件LD1-B中的每个可以具有四边形(例如，矩形)平面形状。
在第一辅助显示区域SDA1中，多个透射孔TH可以限定在共电极CTE中。在实施例中，多个透射孔TH可以包括多个第一透射孔TH1和多个第二透射孔TH2。
在平面图中，多个第一透射孔TH1和多个第二透射孔TH2中的每个可以沿着行方向和列方向重复地布置。具体地，多个第一透射孔TH1和多个第二透射孔TH2中的每个可以在平面图中沿着第一方向DR1和第二方向DR2重复地布置。在这种情况下，多个第一透射孔TH1和多个第二透射孔TH2中的每个可以设置在多个第一发光器件LD1之中的相邻的第一发光器件之间。因此，多个第一发光器件LD1和多个透射孔TH可以在平面图中交替地布置。
在实施例中，多个第一透射孔TH1可以在第一辅助显示区域SDA1的奇数行中重复地布置，因此第一透射孔TH1可以例如沿着第一方向DR1与第二颜色发光器件LD1-G交替地布置。多个第二透射孔TH2可以在第一辅助显示区域SDA1的偶数行中重复地布置，因此第二透射孔TH2可以沿着第一方向DR1与第一颜色发光器件LD1-R和第三颜色发光器件LD1-B交替地布置。
换句话说，多个透射孔TH可以在第一方向DR1和第二方向DR2上重复地布置，并且设置在多个第一像素电极ADE1之中的相邻的第一像素电极之间。因此，多个第一像素电极ADE1和多个透射孔TH可以在平面图中交替地布置。
在实施例中，可以通过在第一辅助显示区域SDA1中选择性地去除共电极CTE的激光照射部分来限定多个透射孔TH。在实施例中，例如，可以针对多个第一发光器件LD1之间的每个区域以光点的形式照射激光。因此，多个透射孔TH可以限定为与像素限定图案PDP间隔开。
在实施例中，如上所述，第一颜色发光器件LD1-R、第二颜色发光器件LD1-G和第三颜色发光器件LD1-B可以具有不同的尺寸。在这种情况下，多个透射孔TH可以根据在第一方向DR1上相邻的第一发光器件LD1的尺寸而具有不同的形状。在实施例中，由于多个第一透射孔TH1在第一方向DR1上与第二颜色发光器件LD1-G相邻，因此它们可以具有例如第一平面形状。由于多个第二透射孔TH2在第一方向DR1上与第一颜色发光器件LD1-R和第三颜色发光器件LD1-B相邻，因此它们可以具有与第一平面形状不同的第二平面形状。在图7中，第一平面形状以圆形形状示出，第二平面形状以椭圆形形状示出，但发明的构造不必限于此。
在实施例中，共电极CTE的由多个透射孔TH暴露的内表面IP可以与共电极CTE的顶表面垂直。因此，多个透射孔TH的剖面可以具有四边形(例如，矩形)形状。然而，发明的构造不必限于此。在实施例中，共电极CTE的内表面IP可以例如朝向共电极CTE的上表面倾斜。在这种情况下，多个透射孔TH的剖面可以具有梯形形状。
图9是示出图7的放大区域“B”的放大图。
参照图7至图9，多个透射孔TH可以包括多条曲线CV。详细地，多条曲线CV可以限定在共电极CTE的由多个透射孔TH暴露的内表面IP中的至少一个上。在实施例中，共电极CTE的内表面IP可以例如在平面图中限定多个透射孔TH的轮廓。多个透射孔TH的轮廓可以包括朝向多个透射孔TH的外部凸出的曲线。换句话说，多条曲线CV可以包括朝向共电极CTE的内部凹入的曲线。曲线的尺寸可以根据照射到共电极CTE以形成多个透射孔TH的激光的光点尺寸和强度而不同地实现。
图10至图15是示出制造包括在图1的显示装置中的显示面板的方法的剖视图。在这种情况下，图10至图12是示出显示面板100的第一辅助显示区域SDA1、第二辅助显示区域SDA2和主显示区域MDA中的全部的剖视图，图13至图15是更详细地仅示出显示面板100的第一辅助显示区域SDA1的剖视图。在下文中，将参照图10至图15描述制造包括在图1的显示装置1000中的显示面板100的方法。
参照图10和图11，首先，可以准备包括第一辅助显示区域SDA1和主显示区域MDA的基体基底110。在这种情况下，基体基底110还可以包括第二辅助显示区域SDA2。此后，可以在基体基底110上形成像素电路层120。具体地，通过借助于涂覆、沉积等形成绝缘层、半导体层和金属层，然后通过光刻方法选择性地将绝缘层、半导体层和金属层图案化，可以形成第一有源图案ACT1、第二有源图案ACT2、第三有源图案ACT3、第四有源图案ACT4、第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2、第三栅电极GAT3、第四栅电极GAT4、第一连接电极CE1、第二连接电极CE2、第三连接电极CE3、第四连接电极CE4、第五连接电极CE5、第六连接电极CE6、第七连接电极CE7、第八连接电极CE8、第九连接电极CE9、第十连接电极CE10、第十一连接电极CE11、第一连接线TWL1和第二连接线TWL2。因此，第一像素电路PC1和第二像素电路PC2可以形成在第二辅助显示区域SDA2中，第三像素电路PC3可以形成在主显示区域MDA中。
在实施例中，在形成像素电路层120之前，可以附加地在基体基底110上形成背金属层BML。背金属层BML可以在第二辅助显示区域SDA2和主显示区域MDA中形成在与第一像素电路PC1、第二像素电路PC2、第三像素电路PC3叠置的位置中。
参照图12，可以在像素电路层120上形成发光器件层130。具体地，在第九绝缘层129上形成第一像素电极ADE1、第二像素电极ADE2和第三像素电极ADE3之后，可以形成像素限定层PDL和像素限定图案PDP。在这种情况下，像素限定图案PDP可以暴露第一像素电极ADE1的一部分，像素限定层PDL可以暴露第二像素电极ADE2和第三像素电极ADE3的一部分。此后，可以在第一像素电极ADE1、第二像素电极ADE2和第三像素电极ADE3中的每个上形成第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3。此后，可以在第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3上形成共电极CTE。共电极CTE可以跨多个像素PX(参照图3)连续地形成。
参照图13和图14，在形成发光器件层130之后，可以通过从基体基底110的下侧向第一辅助显示区域SDA1照射激光LS来限定多个透射孔TH。在这种情况下，激光LS可以是红外激光。
在实施例中，可以针对共电极CTE之中的多个第一发光器件LD1之间的每个区域以光点的形式照射激光LS。因此，可以通过选择性地去除共电极CTE的被激光LS照射的部分而在多个第一发光器件LD1之间限定多个透射孔TH。换句话说，多个透射孔TH可以在第一辅助显示区域SDA1中限定为与多个第一发光器件LD1交替地布置。因此，在限定多个透射孔TH的工艺中，可以使设置在第一辅助显示区域SDA1中的多个第一发光器件LD1、像素限定图案PDP和多个绝缘层的损坏最小化。因此，可以改善显示面板和包括该显示面板的显示装置的可靠性。
参照图15，可以在发光器件层130上形成封装层140。在实施例中，封装层140可以包括设置在发光器件层130上的第一无机封装层141、设置在第一无机封装层141上的有机封装层142以及设置在有机封装层142上的第二无机封装层143。
图16是示出显示面板的实施例的剖视图。
参照图16，除了还包括光阻挡图案BLB之外，公开的另一实施例中的显示面板100-1可以与参照图2至图15描述的显示面板100基本上相同。
在实施例中，如图16中所示，光阻挡图案BLB可以设置在显示面板100-1的第一辅助显示区域SDA1中。在实施例中，光阻挡图案BLB可以设置在基体基底110上。然而，其上设置有光阻挡图案BLB的层不必限于此，并且光阻挡图案BLB可以设置在基体基底110与发光器件层130之间的多个层中的任一个上。在实施例中，光阻挡图案BLB可以例如设置在缓冲层120BR上。此外，光阻挡图案BLB可以设置在第一绝缘层121、第二绝缘层122、第三绝缘层123、第四绝缘层124、第五绝缘层125和第六绝缘层126中的任一个上。在实施例中，可以通过与背金属层BML的工艺相同的工艺来形成光阻挡图案BLB。
光阻挡图案BLB可以在平面图中与第一发光器件LD1叠置。此外，光阻挡图案BLB可以在平面图中与多个透射孔TH间隔开。在实施例中，在剖面中，光阻挡图案BLB在第一方向DR1上的宽度W1可以大于包括在第一发光器件LD1中的第一像素电极ADE1在第一方向DR1上的宽度W2。因此，光阻挡图案BLB可以覆盖第一像素电极ADE1的整个下表面。在这种情况下，光阻挡图案BLB在第一方向DR1上的宽度W1可以比暴露第一像素电极ADE1的像素限定图案PDP的相对端之间的间隔W3窄。
在实施例中，光阻挡图案BLB可以包括吸收或反射激光的金属材料。在这种情况下，激光可以是红外激光。在实施例中，光阻挡图案BLB可以例如包括与背金属层BML的材料相同的材料。在实施例中，可以用作光阻挡图案BLB的材料可以包括钼(Mo)、钛(Ti)、铝(AL)、银(Ag)、铜(Gu)等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。因此，在用于限定多个透射孔TH的工艺中，光阻挡图案BLB可以进一步使由激光导致的多个第一发光器件LD1、像素限定图案PDP和多个绝缘层的损坏最小化。因此，可以进一步改善显示面板和包括该显示面板的显示装置的可靠性。
在实施例中，光阻挡图案BLB的厚度可以为约50纳米(nm)至约500nm。当光阻挡图案BLB的厚度满足上述范围时，可以进一步使由激光导致的多个第一发光器件LD1、像素限定图案PDP和多个绝缘层的损坏最小化，同时防止显示面板100-1的厚度的过度增加。
图17是示出显示面板的实施例的剖视图。
参照图17，除了光阻挡图案BLB在第一方向DR1上的宽度W1之外，公开的另一实施例中的显示面板100-2可以与参照图16描述的显示面板100-1基本上相同。
在实施例中，光阻挡图案BLB在第一方向DR1上的宽度W1可以大于暴露第一像素电极ADE1的像素限定图案PDP的相对端之间的间隔W3。因此，在用于限定多个透射孔TH的工艺中，光阻挡图案BLB可以进一步使由激光导致的像素限定图案PDP的损坏最小化。然而，即使在这种情况下，光阻挡图案BLB也可以在平面图中与多个透射孔TH间隔开。
在实施例中，显示装置可以包括多个第一发光器件LD1。多个第一发光器件LD1可以设置在第一辅助显示区域SDA1中。在这种情况下，多个透射孔TH可以限定在设置于第一辅助显示区域SDA1中的共电极CTE中。在第一辅助显示区域SDA1中，多个第一发光器件LD1和多个透射孔TH可以交替地布置。因此，可以改善第一辅助显示区域SDA1的透射率。
此外，可以通过选择性地去除共电极的被激光照射的部分来限定多个透射孔TH。可以针对多个第一发光器件LD1之间的每个区域以光点的形式照射激光。因此，在限定多个透射孔TH的工艺中，可以使设置在第一辅助显示区域SDA1中的多个第一发光器件LD1、像素限定图案PDP和多个绝缘层的损坏最小化。因此，可以进一步改善显示装置的可靠性。
公开不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得该公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达发明的构思。
虽然已经参照发明的实施例特定地示出和描述了发明，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由以下权利要求限定的发明的精神或范围的情况下，其中可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (14)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体基底，包括第一辅助显示区域和围绕所述第一辅助显示区域的主显示区域；
像素电路层，设置在所述基体基底上；以及
发光器件层，设置在所述像素电路层上，并且包括设置在所述第一辅助显示区域中的多个第一发光器件，所述多个第一发光器件中的每个包括：像素电极；发光层，设置在所述像素电极上；以及共电极，设置在所述发光层上并且限定多个透射孔，所述多个透射孔限定在所述第一辅助显示区域中，
其中，所述多个第一发光器件和所述多个透射孔在平面图中交替地布置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光器件层还包括暴露所述像素电极的一部分的像素限定图案，并且
其中，所述多个透射孔在平面图中与所述像素限定图案间隔开。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个透射孔在平面图中沿着行方向和列方向重复地布置。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述多个透射孔包括：
多个第一透射孔，具有第一平面形状；以及
多个第二透射孔，具有与所述第一平面形状不同的第二平面形状。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述多个第一透射孔在平面图中在所述第一辅助显示区域的奇数行中重复地布置，并且所述多个第二透射孔在平面图中在所述第一辅助显示区域的偶数行中重复地布置。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基体基底还包括与所述第一辅助显示区域相邻的第二辅助显示区域，
其中，所述发光器件层还包括设置在所述第二辅助显示区域中的多个第二发光器件，并且
其中，所述像素电路层包括：第一像素电路，设置在所述第二辅助显示区域中，并控制传输到所述多个第一发光器件中的至少一个的电流；以及第二像素电路，设置在所述第二辅助显示区域中，并控制传输到所述多个第二发光器件中的至少一个的电流。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述像素电路层还包括连接线，所述连接线将所述多个第一发光器件中的至少一个与所述第一像素电路电连接。
8.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
光阻挡图案，设置在所述基体基底与所述发光器件层之间，并且
其中，所述光阻挡图案在平面图中与所述多个第一发光器件叠置。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述光阻挡图案覆盖包括在所述多个第一发光器件中的每个中的所述像素电极的整个下表面。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述光阻挡图案在平面图中与所述多个透射孔间隔开。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述光阻挡图案包括金属材料，并且
其中，所述金属材料吸收或反射入射的红外激光。
12.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
准备基体基底，所述基体基底包括第一辅助显示区域和围绕所述第一辅助显示区域的主显示区域；
在所述基体基底上形成像素电路层；
在所述像素电路层上形成多个第一发光器件，所述多个第一发光器件设置在所述第一辅助显示区域中；以及
从所述基体基底的下侧向所述第一辅助显示区域照射激光，
其中，所述多个第一发光器件中的每个包括：像素电极；发光层，设置在所述像素电极上；以及共电极，设置在所述发光层上，并且
其中，在照射所述激光的步骤中，多个透射孔被限定在所述共电极中，以在平面图中与所述多个第一发光器件交替地布置。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，照射所述激光的步骤是通过以光点形状照射所述激光来限定所述多个透射孔。
14.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：
在所述基体基底上形成光阻挡图案，
其中，所述光阻挡图案与所述多个第一发光器件叠置。
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