JP3702860B2 - 電気光学装置、その製造方法及び電子機器 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置、ＥＬ（Electro Luminescence）装置、電気泳動装置等といった電気光学装置、その電気光学装置の製造方法、及びその電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、携帯情報端末機、パーソナルコンピュータ等といった電子機器に、例えば情報を表示するための表示部として液晶装置が広く用いられている。また、今後、液晶装置と共にＥＬ装置が用いられるようになることが考えられる。
【０００３】
上記の液晶装置は、一般に、シール材を介して貼り合わされた一対の基板と、両基板の間に挟まれた液晶と、液晶に対して電圧を印加するための電極とを有する。また、一方の基板のうち他方の基板の外側へ張り出す領域（すなわち、張出し領域）に配線を形成し、この配線の一端に各種実装部品の端子を接続し、この配線を介して上記電極へ電圧を供給するようにした構成が知られている。
【０００４】
ここで、上記の実装部品としては、例えば、張出し領域上にＣＯＧ（Chip On Glass）技術を用いて実装されたＩＣチップや、回路基板等といった外部機器と液晶装置とを接続するためのＦＰＣ等が考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、張出し領域に形成された配線は外気に曝されるため、この配線には外気中の水分等が付着し易く、従って、この配線は腐食し易い。そして、このようにして配線に腐食が生じる場合には、当該配線と上記実装部品の端子との間の導通が不完全となり、そのため、液晶装置としての信頼性が低下してしまうという問題があった。
【０００６】
一方、配線における配線抵抗を低く抑えることを考慮すると、上記配線はアルミニウムやクロム等の低抵抗金属によって形成されることが望ましいが、この種の金属はイオン化傾向が高く、腐食し易いという性質を有するため、上記問題は一層顕著に現れる。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、基板上に形成された配線の腐食を抑えることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
（１）上記の目的を達成するため、対向して配置した第１基板及び第２基板を有し、当該第１基板と当該第２基板との間に液晶が挟まれて成る電気光学装置において、前記液晶を囲むシール材と、前記第１基板の１辺に沿って、且つ、当該１辺と交差する他辺に向かって引き回された引回し配線とを有し、該引回し配線は、前記シール材に重なる領域及び前記シール材の外側領域の両方にわたって形成された第１配線層と、前記シール材に重なる領域に形成され、前記シール材と重なる領域で終端するように形成された第２配線層と、を有し、前記第２配線層は、前記第１配線層よりも抵抗が低く且つイオン化傾向が高い導電材料である、クロム若しくはアルミニウムからなることを特徴とする。
【０００９】
以上の構成から成る電気光学装置は、構成要件として液晶を含むことから液晶装置として考えられる。この電気光学装置によれば、第２配線層はシール材の外側領域には形成されないので、この第２配線層に外気中の水分等が付着するのを回避でき、それ故、仮に耐食性が低い導電材料、すなわちイオン化傾向が高い導電材料によって第２配線層を形成したとしても、その第２配線層を腐食から防ぐことができる。
【００１０】
なお、上記の電気光学装置においては、第２配線層は、第１基板のうちシール材に重なる領域に加え、シール材の内側領域、すなわち液晶と対向する領域にも形成することができる。この場合にも、第２配線層に外気中の水分等が付着するのを回避できるので、仮に耐食性が低い導電材料、すなわちイオン化傾向が高い導電材料によって第２配線層を形成したとしても、その第２配線層を腐食から防ぐことができる。
【００１１】
（２） 上記構成の電気光学装置において、前記シール材の外側領域にある前記引回し配線の一端は外部接続回路に接続することができる。ここで、外部接続回路としては、駆動用ＩＣや、駆動用ＩＣを搭載したＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板や、駆動用ＩＣに接続されているＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等が考えられる。この構成によれば、外部接続回路の出力を配線を通して電気光学装置の内部へ導入できる。
【００１２】
（３） 上記構成の電気光学装置においては、前記第２基板に電極を形成することができ、さらにその場合、当該電極は前記第１基板上の前記引回し配線と導通させることができる。こうすれば、データ信号、走査信号等といった各種信号を引回し配線を通して当該電極に供給できる。
【００１６】
（５） 上記構成の電気光学装置においては、前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属膜とを積層することによって複数の薄膜ダイオードを形成することができ、この場合には、前記第１配線層は薄膜ダイオードを構成する前記第１金属膜と同一の層によって形成することができる。このように、薄膜ダイオードを構成する複数の要素のうちのいずれかと共通の工程によって配線の一部を形成すれば、当該配線を形成する工程を独立して設ける場合に比べて、製造工程の簡略化及び製造コストの低減を達成できる。
【００１７】
（６） 上記構成の電気光学装置においては、前記第１配線層を薄膜ダイオードの第１金属膜と同一の層によって形成した上で、前記第２配線層を薄膜ダイオードの第２金属膜と同一の層によって形成することができる。このように、薄膜ダイオードを構成する複数の要素のうちのいずれかと共通の工程によって配線の一部を形成すれば、当該配線を形成する工程を独立して設ける場合に比べて、製造工程の簡略化及び製造コストの低減を達成できる。
【００１８】
（７） 上記構成の電気光学装置においては、前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属膜とを積層することによって複数の薄膜ダイオードを形成することができ、この場合には、前記第２配線層だけを薄膜ダイオードの第２金属膜と同一の層によって形成することができる。このように、薄膜ダイオードを構成する複数の要素のうちのいずれかと共通の工程によって引回し配線の一部を形成すれば、当該引回し配線を形成する工程を独立して設ける場合に比べて、製造工程の簡略化及び製造コストの低減を達成できる。
【００１９】
（８） 上記構成の電気光学装置においては、前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属膜とを積層することによって複数の薄膜ダイオードを形成することができ、さらに当該薄膜ダイオードの第２金属膜に接続させて画素電極を形成することができる。そしてこの場合、前記引回し配線は、前記シール材の内側領域及び前記シール材の外側領域の両方にわたって前記第１配線層の上に形成されるか、又は前記シール材に重なる領域及び前記シール材の外側領域の両方にわたって前記第１配線層の上に形成される第３配線層を有することができ、さらに当該第３配線層は前記画素電極と同一の層によって形成することができる。
【００２０】
このように、画素電極を形成するための工程と共通の工程によって引回し配線の一部を形成すれば、当該引回し配線を形成する工程を独立して設ける場合に比べて、製造工程の簡略化及び製造コストの低減を達成できる。
【００２１】
（９） 上記構成の電気光学装置であって、特に、第２基板を有する構成の電気光学装置においては、前記第２基板上に引回し配線を形成することができ、さらに前記第１基板上の引回し配線を当該第２基板上の引回し配線に導通させることができる。
【００２２】
こうすれば、例えば、当該第２基板上の引回し配線に接続させるべき実装部品、例えば駆動用ＩＣやＦＰＣ等を当該第２基板上に実装することが不要となる。すなわち、一対の基板のうち一方の基板の面上にのみ実装部品を実装すれば良いので、構成の簡略化及び製造コストの低減を達成できる。
【００２３】
（１０） 第１基板上の引回し配線を第２基板上の引回し配線に導通させるようにした上記構成の電気光学装置においては、前記第１基板上の引回し配線と前記第２基板上の引回し配線は、前記シール材に分散された導電粒子を介して導通されることが望ましい。こうすれば、シール材を介して両基板を貼り合わせることによって、両基板上の引回し配線同士を導通させることができるので、両引回し配線を導通させるための特段の構造は不要となる。従って、構成をさらに簡略化でき、しかも製造コストをさらに低減できる。
【００２４】
（１１） 上記構成の電気光学装置において、前記第１基板上の前記引回し配線を構成する前記第２配線層は、当該引回し配線を構成する他の引回し配線よりもイオン化傾向が高いことが望ましい。換言すれば、第１配線層又は第３配線層は、第２配線層よりもイオン化傾向が低いものであることが望ましい。
【００２５】
本発明に係る電気光学装置によれば、上述のように第２配線層の腐食を抑えることができるのであるが、本実施態様のように、シール材の外側領域に伸び出る部分である第１配線層又は第３配線層をイオン化傾向が低い材料によって形成すれば、シール材の外側に露出した引回し配線部分においても腐食を抑えることができる。
【００２６】
（１２） 上記構成の電気光学装置において、前記第１基板上の前記引回し配線を構成する前記第２配線層は、当該引回し配線を構成する他の配線層よりも抵抗値が低いことが望ましい。クロムやアルミニウム等といった低抵抗金属は、一般に、イオン化傾向が高くて腐食し易い場合が多い。このような金属によって上記の第２配線層を形成すれば、当該引回し配線の腐食を有効に抑えつつ、引回し配線抵抗を低く抑えることができる。
【００２７】
（１３） 上記構成の電気光学装置において、前記第１基板上に形成された引回し配線のうち前記シール材の外側領域に形成された部分の幅は、前記シール材と重なる領域に形成された部分の幅よりも広くすることが望ましい。換言すれば、第２配線層を有しない部分、すなわち第１配線層によって形成された部分又は第１配線層及び第３配線層の双方によって形成された部分の幅は、第２配線層を有する部分の幅よりも広くすることが望ましい。第２配線層を有しない部分は、当該第２配線層と比較して抵抗値の高い第１配線層又は第３配線層によって構成されるため、この部分においては引回し配線抵抗が高くなってしまうことも考えられる。しかしながら、当該部分の幅を上記のように広くすれば引回し配線抵抗が高くなるのを抑えることができる。
【００２８】
（１４） 次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を用いて構成されることを特徴とする。上述のように、以上に記載した構成の電気光学装置によれば引回し配線の腐食を抑えることができるので、このような電気光学装置を用いた電子機器によれば、導通不良等を回避して高い信頼性を実現できる。
【００２９】
（１５） 次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、シール材を介して貼り合わされた第１基板と第２基板との間に液晶を有し、前記第１基板のうち前記シール材に重なる領域と当該シール材の外側の領域との両方にわたって引回し配線が形成された電気光学装置の製造方法であって、前記引回し配線を構成する第１配線層を、前記第１基板のうち前記シール材に重なる領域と該シール材の外側の領域とにわたって形成する第１配線層形成工程と、前記引回し配線を構成する第２配線層を、前記第１基板のうち前記シール材に重なる領域に形成し、且つ前記シール材と重なる領域で終端するように形成する工程と、前記第１基板及び第２基板を前記シール材を介して貼り合わせる接合工程とを有し、前記第２配線層は、前記第１配線層よりも抵抗が低く且つイオン化傾向が高い導電材料である、クロム若しくはアルミニウムからなることを特徴とする。
【００３０】
この構成の電気光学装置の製造方法によれば、第２配線層はシール材の外側領域には形成されないので、この第２配線層に外気中の水分等が付着するのを回避でき、それ故、仮に耐食性が低い導電材料、すなわちイオン化傾向が高い導電材料によって第２配線層を形成したとしても、その第２配線層を腐食から防ぐことができる。
【００３１】
（１６） 上記構成の電気光学装置の製造方法においては、前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属膜とを積層することによって複数の薄膜ダイオードを形成する工程を有することができ、このような場合、前記第１配線層形成工程では、前記薄膜ダイオードの第１金属膜の形成と共に当該第１金属膜と同一の層によって前記第１配線層を形成することができる。また、前記第２配線層形成工程では、前記薄膜ダイオードの第２金属膜の形成と共に当該第２金属膜と同一の層によって前記第２配線層を形成することができる。
【００３２】
こうすれば、薄膜ダイオードと配線とを別個の工程によって作成する場合と比較して、製造コストの低減や製造工程の簡略化を達成できる。
【００３３】
（１７） 上記構成の電気光学装置の製造方法においては、前記薄膜ダイオードの第２金属膜に接続するように前記第１基板の上に画素電極を形成することができ、このような場合には、前記接合工程に先立ち、前記引回し配線を構成する第３配線層を、前記第１基板のうちシール材に重なる領域と当該シール材の外側の領域とにわたって形成する工程であって、前記画素電極の形成と共に当該画素電極と同一の層によって前記第３配線層を形成する第３配線層形成工程を実施することが望ましい。こうすれば、製造コストをさらに低減することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
（電気光学装置の第１実施形態）
以下、スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を備えたアクティブマトリクス方式であって、電気光学物質として液晶を用い、さらに、太陽光や室内光等といった外部光を利用する反射型の液晶装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。
【００３５】
図１は、本実施形態に係る液晶装置の電気的構成をブロック図によって示している。同図に示すように、液晶装置１は、Ｘ方向に延在する複数の走査線２５と、Ｘ方向に直角なＹ方向に延在する複数のデータ線１１と、走査線２５及びデータ線１１の各交差部分に設けられた複数の表示ドット５０とを有する。各表示ドット５０は、液晶表示要素５１とＴＦＤ素子１３とが直列に接続された構成となっている。これらの表示ドット５０はマトリクス状に配列されている。
【００３６】
これらの表示ドット５０の1個は、像を表示するための最小単位の表示要素のことであり、表示像がＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色の組み合わせによって形成されるカラー像である場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂの３個の表示ドット５０が集まって１個の画素が形成される。他方、表示像が白黒像である場合には、１個の表示ドット５０によって１個の画素が形成される。
【００３７】
図１において、複数の走査線２５のうち、上から数えて奇数本目の走査線２５は、第１ＹドライバＩＣ４０ａに接続される。一方、上から数えて偶数本目の走査線２５は第２ＹドライバＩＣ４０ｂに接続される。そして、これらのＹドライバＩＣ４０ａ，４０ｂによって生成された走査信号が各走査線２５に供給される。なお、以下では、第１ＹドライバＩＣ４０ａと第２ＹドライバＩＣ４０ｂとを特に区別する必要がない場合には、それらを単にＹドライバＩＣ４０と表記する。
【００３８】
複数のデータ線１１は、それぞれ、ＸドライバＩＣ４１に接続され、このＸドライバＩＣ４１によって生成されたデータ信号がそれらのデータ線１１に供給される。一方、マトリクス状に配列する複数の表示ドット５０の各々は、本実施形態の場合は、Ｒ，Ｇ又はＢのいずれかの色に対応する。
【００３９】
次に、図２（ａ）は、本実施形態に係る液晶装置１を観察側、すなわち観察者が位置すべき側から見た場合を示している。また、図２（ｂ）は、この液晶装置１を背面側、すなわち図２（ａ）と反対側から見た場合を示している。なお、以下では、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、Ｘ軸の負方向を「Ａ側」、その正方向を「Ｂ側」と表記する。
【００４０】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、液晶装置１は、相互に対向する素子基板１０及び対向基板２０がシール材３０によって貼り合わされると共に、両基板とシール材３０とによって囲まれた領域に液晶（図２においては図示が省略されている）が封入された構成となっている。シール材３０は、対向基板２０の縁辺、すなわち外周辺に沿って略長方形の枠状に形成される。そしてこのシール材３０の一部には、液晶を封入するための開口が形成される。この開口を通して液晶が封入された後、その開口は封止材３１によって封止される。
【００４１】
シール材３０には導電性を有する多数の導電粒子が分散されている。これらの導電粒子は、例えば金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性を有する樹脂の粒子であり、素子基板１０及び対向基板２０の各々に形成された配線同士を導通させる機能と、両基板の間隙、すなわちセルギャップを一定に保つスペーサとしての機能とを兼ね備える。なお、実際には、素子基板１０及び対向基板２０の外側の表面に、入射光を偏光させるための偏光板や、干渉色を補償するための位相差板等が貼着されるが、これらは本発明と直接の関係がないため、その図示及び説明を省略する。
【００４２】
素子基板１０及び対向基板２０は、例えば、光透過性ガラス、光透過性石英、光透過性プラスチック等といった光透過性を有する板状部材によって形成される。これらの基板のうち、観察側に位置する素子基板１０の内側表面、すなわち液晶側表面には、上述した複数のデータ線１１が形成される。一方、背面側に位置する対向基板２０の内側の面上には、複数の走査線２５が形成される。
【００４３】
素子基板１０は、対向基板２０の外側に張り出す張出し領域１０ａを有し、この張出し領域１０ａはシール材３０の外周縁から外側へ張り出した領域、すなわち、シール材３０及びそのシール材３０の内側に封入された液晶と重ならない領域である。張出し領域１０ａのうちＸ方向の中央部近傍にはＸドライバＩＣ４１が実装されている。また、当該ＸドライバＩＣ４１を挟んでＸ方向で対向する位置には、第１ＹドライバＩＣ４０ａ及び第２ＹドライバＩＣ４０ｂが実装されている。
【００４４】
上記の各ドライバＩＣ４１，４０ａ，４０ｂは、それぞれ、ＣＯＧ技術を用いて張出し領域１０ａの上に実装されている。すなわち、これらのドライバＩＣは、接着材中に導電粒子を分散させたＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いて素子基板１０の張出し領域１０a上に接合されている（図８（ｂ）参照）。また、張出し領域１０ａの縁端部には複数の外部接続端子１７が形成される。これらの外部接続端子１７が形成された部分には、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）（図示せず）の一端が接続され、このＦＰＣの他端には、例えば回路基板等といった外部機器が接続される。これにより、外部機器から出力される電源電力や電気信号等がＦＰＣを通して外部接続端子１７へ供給される。
【００４５】
ＸドライバＩＣ４１は、外部機器からＦＰＣ及び外部接続端子１７を介して入力された信号に応じてデータ信号を生成し、これをデータ線１１へ出力する。他方、ＹドライバＩＣ４０は、外部機器からＦＰＣ及び外部接続端子１７を介して入力された信号に応じて走査信号を生成して出力する。この走査信号は、素子基板１０上に形成された引回し配線１６からシール材３０中の導電粒子を介して対向基板２０上の各走査線２５へ与えられる。
【００４６】
次に、シール材３０の内周縁によって囲まれた領域、すなわち表示領域Ｖ内の構成を説明する。図３は、図２（ａ）におけるＣ−Ｃ’線に従った断面のうち表示領域Ｖ内の一部分を示す図である。また、図４は、表示領域Ｖ内に形成された数個の表示ドットを示す斜視図である。なお、図４におけるＤ−Ｄ’線に従った断面図が図３に相当する。
【００４７】
これらの図に示すように、表示領域Ｖ内における素子基板１０の内側表面、すなわち液晶３５側の表面には、マトリクス状に配列された複数の画素電極１２と、各画素電極１２の間隙部分においてＹ方向に延在する複数のデータ線１１とが形成されている。各画素電極１２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった透明導電材料によって形成された略矩形状の電極である。そして、各画素電極１２と、当該画素電極１２に一方の側において隣接するデータ線１１とはＴＦＤ素子１３を介して接続されている。
【００４８】
また、図３に示すように、データ線１１、画素電極１２及びＴＦＤ素子１３が形成された素子基板１０の表面は、配向膜５６（図４においては図示略）によって覆われている。この配向膜５６はポリイミド等から成る有機薄膜であり、この配向膜には、電圧が印加されていないときの液晶３５の配向を規定するためのラビング処理が施されている。
【００４９】
図５（ａ）は、素子基板１０上における１つの表示ドット５０を対向基板２０側、すなわち観察側に対する背面側から見た場合を示している。また、図５（ｂ）は図５（ａ）におけるＥ−Ｅ’線に従った断面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）におけるＦ−Ｆ’線に従った断面図である。図５（ａ）及び図５（ｃ）に示すように、データ線１１は、主配線１１ａと、当該主配線１１ａ上に積層された補助配線１１ｂとから成る。補助配線１１ｂは、例えば主配線１１ａが断線した場合に当該主配線１１ａに代えてデータ線１１として機能する配線であり、画素電極１２と同一層によって形成される。
【００５０】
一方、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、ＴＦＤ素子１３は、Ｘ方向に延在してデータ線１１の主配線１１ａと交差する第１金属膜１３ａと、この第１金属膜１３ａの表面に陽極酸化によって形成された絶縁膜１３ｂと、この絶縁膜１３ｂの表面に相互に離間して形成された第２金属膜１１ｃ及び１３ｃとによって構成されている。
【００５１】
第１金属膜１３ａは、例えばタンタル（Ｔａ）単体や、タングステン（Ｗ）等を含むタンタル合金といった各種の導電性材料によって形成される。但し、本実施形態においては、第１金属膜１３ａがタンタルによって形成されるものとする。また、第２金属膜１１ｃは、図５（ａ）に示すように、データ線１１を構成する主配線１１ａのうち第１金属膜１３ａと交差する部分に位置する。なお、上記補助配線１１ｂは、主配線１１ａのうち第２金属膜１１ｃに相当する部分以外の部分の面上に積層されている。
【００５２】
第２金属膜１３ｃは画素電極１２に接続されている。また、データ線１１の主配線１１ａ（第２金属膜１１ｃを含む）及び第２金属膜１３ｃは、クロム（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａｌ）といった各種の導電性材料から成る同一の層によって形成される。但し、本実施形態においては、主配線１１ａ及び第２金属膜１３ｃがクロムによって形成されるものとする。
【００５３】
ＴＦＤ素子１３は、第１ＴＦＤ素子１３１と第２ＴＦＤ素子１３２とによって構成される。すなわち、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第１ＴＦＤ素子１３１は、データ線１１の側から見ると第２金属膜１１ｃ、絶縁膜１３ｂ及び第１金属膜１３ａがこの順に積層された構成となり、金属／絶縁体／金属のサンドイッチ構造を採る結果、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有する。一方、第２ＴＦＤ素子１３２は、データ線１１の側から見ると第１金属膜１３ａ、絶縁膜１３ｂ及び第２金属膜１３ｃがこの順に積層された構成となり、第１ＴＦＤ素子１３１とは反対のダイオードスイッチング特性を有する。
【００５４】
このように、ＴＦＤ素子１３は、２つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した構成となっているため、１つのダイオードを用いた場合と比較して、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化される。但し、この非線形特性の対称性を確保するためには、第１ＴＦＤ素子１３１の絶縁膜１３ｂと第２ＴＦＤ素子１３２の絶縁膜１３ｂとを同一の厚さにすると共に、第１ＴＦＤ素子１３１において第１金属膜１３ａと第２金属膜１１ｃとが対向する面積を、第２ＴＦＤ素子１３２において第１金属膜１３ａと第２金属膜１３ｃとが対向する面積と等しくする必要がある。
【００５５】
そして、本実施形態においては、第１ＴＦＤ素子１３１における当該面積を第２ＴＦＤ素子１３２における当該面積と同一とするために、図５（ａ）に示すように、データ線１１を構成する主配線１１ａのうち第２金属膜１１ｃに対応する部分の幅をその他の部分の幅と比較して狭くしている。
【００５６】
図３及び図４において、対向基板２０の面上には、反射層２１、カラーフィルタ２２、遮光層２３、オーバーコート層２４、複数の走査線２５及び配向膜２６が形成されている。反射層２１は、例えばアルミニウムや銀といった光反射性を有する金属によって形成された薄膜である。図３において、観察側から液晶装置に入射した光Ｒは、この反射層２１の表面において反射して観察側に出射し、これにより、いわゆる反射型表示が実現される。
【００５７】
ここで、図３に示すように、対向基板２０の内側表面のうち反射層２１によって覆われる領域は、多数の微細な凹凸が形成された粗面となっている。従って、この粗面を覆うように薄膜状に形成された反射層２１の表面には、当該粗面を反映した微細な凹凸が形成される。そして、この凹凸が、光を散乱するための散乱構造として機能する。この結果、観察側からの入射光は、反射層２１の表面において適度に散乱した状態で反射するので、反射層２１の表面における鏡面反射を回避して広い視野角が実現される。
【００５８】
カラーフィルタ２２は、各表示ドット５０に対応して反射層２１の面上に形成された樹脂層であり、図４に示すように、染料や顔料によってＲ（赤色）、Ｇ（緑色）又はＢ（青色）のうちのいずれかに着色されている。そして、相互に異なる色の３つの表示ドット５０によって、表示画像を形成する１つの画素が構成される。
【００５９】
遮光層２３は、素子基板１０上にマトリクス状に配列する画素電極１２の間隙部分に対応して格子状に形成され、各画素電極１２同士の隙間を遮光する役割を担っている。本実施形態における遮光層２３は、図３に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色分のカラーフィルタ２２が積層された構成を有する。オーバーコート層２４は、カラーフィルタ２２及び遮光層２３によって形成された凹凸を平坦化するための層であり、例えばエポキシ系やアクリル系等の樹脂材料によって形成される。
【００６０】
走査線２５は、オーバーコート層２４の上に、ＩＴＯ等といった透明導電材料によって形成された帯状の電極である。図４に示すように、各走査線２５は、素子基板１０上においてＸ方向に列をなす複数の画素電極１２と対向するようにＸ方向に延在して形成される。そして、画素電極１２と、これに対向する走査線２５と、両者によって挟まれた液晶３５とによって、図１に示した液晶表示要素５１が構成される。
【００６１】
走査線２５に走査信号を供給すると共に、データ線１１にデータ信号を供給することによってＴＦＤ素子１３にしきい値以上の電圧を印加すると、当該ＴＦＤ素子１３はオン状態となる。そしてこの結果、ＴＦＤ素子１３に接続された液晶表示要素５１に電荷が蓄積され、液晶３５の配向が変化する。こうして表示ドット５０ごとに液晶３５の配向を変化させることにより、所望の表示を行なうことができる。また、電荷が蓄積された後に当該ＴＦＤ素子１３がオフ状態となっても、液晶表示要素５１における電荷の蓄積は維持される。
【００６２】
図３において、複数の走査線２５が形成されたオーバーコート層２４の表面は配向膜２６によって覆われる。この配向膜２６は、素子基板１０上に形成する配向膜５６と同じ材料によって形成され、さらに配向膜５６と同様にしてラビング処理が施される。
【００６３】
次に、図６を参照して、本実施形態に係る液晶装置の配線の態様を説明する。図６は液晶装置１を観察側、すなわち素子基板１０側から見た場合の平面構造であって、素子基板１０を構成する基板素材を取り除き、その基板素材上に形成されるデータ線１１等はそのまま図示した状態を示している。図６における紙面手前側から奥側に向かう方向が図２（ａ）及び図２（ｂ）におけるＺ軸の正方向に相当する。従って、図６においては、素子基板１０が紙面に対して最も手前側に位置し、これ以外の要素は素子基板１０に対して紙面奥側に位置する。
【００６４】
図６において、各データ線１１は、表示領域Ｖ内においてＹ方向に延在すると共に、シール材３０の一辺３０ａを横切って張出し領域１０ａに延び出ている。そして、各データ線１１のうち張出し領域１０ａ内に張り出したそれらの端部は、ＡＣＦ２９内に含まれる導電粒子によってＸドライバＩＣ４１の出力端子に接続される。この構成により、ＸドライバＩＣ４１によって生成されたデータ信号は、各データ線１１に出力される。
【００６５】
図６において、対向基板２０上においてＸ方向に延在する複数の走査線２５（斜線が付されている）は、１本ごとに交互にＡ側及びＢ側に引き出され、その引き出された端部がシール材３０と重なるようになっている。ここで、図７は、図６におけるＧ−Ｇ’線に従った断面図、すなわち奇数本目の走査線２５に対応する断面図である。図７に示すように、対向基板２０のうちシール材３０によって覆われた領域の近傍にはカラーフィルタ２２やオーバーコート層２４等は形成されていない。これに対し、奇数本目の走査線２５は、オーバーコート層２４の上面から対向基板２０の上面に至ると共に、そのままシール材３０のＢ側の辺に向かってＸ方向に延在して、その端部がシール材３０によって覆われる。つまり、走査線２５の端部は、対向基板２０とシール材３０との間に介在する。
【００６６】
さらに、図６において、走査線２５のうちシール材３０によって覆われる端部（以下、「導通部２５ａ」と表記する）の幅は、表示領域Ｖ内に存在する部分の幅と比較して広くなっている。偶数本目の走査線２５についても同様であり、図６に示すように、シール材３０のＡ側の辺に向かってＸ方向に延在し、その端部に位置する導通部２５ａがシール材３０のＡ側の辺と重なるようになっている。なお、素子基板１０の液晶側表面であってシール材３０の内周縁近傍には、表示領域Ｖの縁辺に沿った枠状の形状を有する周辺遮光層５７が形成される。この周辺遮光層５７は、表示領域Ｖの縁辺近傍を遮光するための層である。
【００６７】
図６及び図７において、素子基板１０の液晶側表面には、当該素子基板１０のうちＹ方向に延在する２つの縁辺に沿って、且つ、当該縁辺と交差する他辺に向かって、複数の引回し配線１６が形成されている。各引回し配線１６は、ＹドライバＩＣ４０の出力端子と走査線２５とを接続するための配線である。より具体的には、引回し配線１６は、図６に示すように、素子基板１０のうちＢ側の縁辺に沿って形成された引回し配線１６１と、素子基板１０のうちＡ側の縁辺に沿って形成された引回し配線１６２とから成る。これらの引回し配線１６の各々は、導通部１６ａと、素子基板１０の縁辺に沿って延在する延在部１６ｂとを有する。
【００６８】
各引回し配線１６の導通部１６ａは、走査線２５の導通部２５ａと対向するように形成されている。そして、図７に示すように、対向基板２０上に形成された奇数本目の走査線２５の導通部２５ａは、シール材３０に分散された導電粒子３２を介して、素子基板１０上に形成された引回し配線１６１の導通部１６ａと導通する。偶数本目の走査線２５についても同様であり、その導通部２５ａは、シール材３０のＡ側の辺に位置する導電粒子３２を介して、素子基板１０上に形成された引回し配線１６２の導通部１６ａと導通する。
【００６９】
各引回し配線１６の延在部１６ｂは、図６に示すように、その一端が導通部１６ａに連結されると共に、素子基板１０のうちシール材３０によって覆われた領域、すなわちシール材３０と重なる領域を通って張出し領域１０ａに達するように延在する。より具体的には、引回し配線１６１の延在部１６ｂは、素子基板１０の面上においてシール材３０のＢ側の辺によって覆われると共に当該Ｂ側の辺と略同一方向に延在して、張出し領域１０ａのＢ側の部分、つまり、第１ＹドライバＩＣ４０ａが実装されるべき部分に向かって延在する。そして、当該延在部１６ｂのうち張出し領域１０ａ内に張り出した端部が、第１ＹドライバＩＣ４０ａの出力端子に接続される。
【００７０】
他方、引回し配線１６２の延在部１６ｂは、素子基板１０の面上においてシール材３０のＡ側の辺によって覆われると共に当該Ａ側の辺と略同一方向に延在し、張出し領域１０ａのＡ側の部分に張り出した端部が第２ＹドライバＩＣ４０ｂの出力端子に接続される。このように、本実施形態においては、引回し配線１６の延在部１６ｂのうちシール材３０の辺によって覆われた部分が、当該辺と略同一方向に延在するようになっている。換言すれば、シール材３０の辺のうち引回し配線１６の一部の延在方向と略同一方向に延びる辺が、当該引回し配線１６の一部を覆うように、当該シール材３０が形成されている。
【００７１】
このため、シール材３０のうちＹ方向に延在する二辺、すなわち引回し配線１６を覆うべき二辺の幅は、Ｘ方向に延在する二辺の幅と比較して広くなっている。すなわち、Ｘ方向に延在する二辺は、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ得る幅であれば十分であるのに対し、Ｙ方向に延在する二辺については、両基板を貼り合わせるだけでなく、引回し配線１６を覆うことができるように、その幅が選定されている。
【００７２】
第１ＹドライバＩＣ４０ａから出力された走査信号は、素子基板１０上に形成された引回し配線１６１の延在部１６ｂ及び導通部１６ａ、並びにシール材３０のＢ側の辺に分散された導電粒子３２を介して、対向基板２０上に形成された奇数本目の走査線２５の導通部２５ａに供給される。同様に、第２ＹドライバＩＣ４０ｂから出力された走査信号は、引回し配線１６２及びシール材３０のＡ側の辺に分散された導電粒子３２を介して偶数本目の走査線２５の導通部２５ａに供給される。
【００７３】
このように、本実施形態においては、引回し配線１６がシール材３０によって覆われた部分を有するため、当該部分に水分等が付着して腐食が生じるのを回避できる。さらに、この部分においては、水分や導電性の不純物が複数の引回し配線１６に跨って付着するという事態が生じないので、配線間に短絡が生じることがなく、それ故、引回し配線１６同士の間隔を狭くすることができる。そしてこの結果、引回し配線１６が形成されるべきスペースを狭くすることができる。
【００７４】
次に、引回し配線１６の層構成を説明する。本実施形態における引回し配線１６は、ＴＦＤ素子１３及び画素電極１２といった表示領域Ｖ内にある要素と同一の層から形成されるようになっている。但し、引回し配線１６のうち張出し領域１０ａ内に位置する部分、すなわちシール材３０の外側領域にある部分と、シール材３０によって覆われた部分、すなわちシール材３０と重なる領域にある部分とでは、その層構造が異なる。詳述すると、以下の通りである。
【００７５】
図８（ａ）は、図６において矢印Ｐで示す部分、すなわち引回し配線１６のうち張出し領域１０ａに延び出た部分を拡大して示している。また、図８（ｂ）は、図８（ａ）におけるＨ−Ｈ’線に従った断面図である。また、図８（ｃ）は、図８（ａ）及び図８（ｂ）におけるＩ−Ｉ’線に従った断面図である。また、図８（ｄ）は、図８（ａ）及び図８（ｂ）におけるＪ−Ｊ’線に従った断面図である。
【００７６】
これらの図に示すように、引回し配線１６は、第１配線層１８１と第２配線層１８２と第３配線層１８３とによって構成される。第１配線層１８１はＴＦＤ素子１３の第１金属膜１３ａ（図５（ｂ）参照）と同一層から形成され、第２配線層１８２はデータ線１１の主配線１１ａ及びＴＦＤ素子１３の第２金属膜１３ｃ（図５（ｂ）参照）と同一層から形成され、第３配線層１８３は画素電極１２（図５（ｂ）参照）と同一層から形成される。すなわち、本実施形態においては、第１配線層１８１はタンタルから成り、第２配線層１８２はクロムから成り、第３配線層１８３はＩＴＯから成る。ここで、クロムはタンタル又はＩＴＯと比較してイオン化傾向が高いため、第２配線層１８２は第１配線層１８１及び第３配線層１８３と比較して腐食し易い。
【００７７】
第１配線層１８１及び第３配線層１８３は、図６の導通部１６ａから張出し領域１０ａ内に位置する端部にわたる引回し配線１６の全長に対応して形成されている。これに対し、第２配線層１８２は、素子基板１０のうちシール材３０と対向する領域、すなわち素子基板１０のうちシール材３０と重なる領域内のみに形成されている。
【００７８】
より具体的には、第２配線層１８２は、シール材３０の外周縁から所定の長さだけ内側に位置する境界（以下、配線境界という）１０ｂから見て張出し領域１０ａとは反対側においてのみ形成されており、張出し領域１０ａ内には形成されていない。従って、引回し配線１６のうち当該配線境界１０ｂから見て導通部１６ａ側の部分、すなわち、シール材３０と重なる領域に形成された部分は、図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示すように、第１配線層１８１、第２配線層１８２及び第３配線層１８３の３層がこの順に積層された構成となっている。これに対し、上記配線境界１０ｂから見て張出し領域１０ａ側の部分は、図８（ｂ）及び図８（ｄ）に示すように、第１配線層１８１及び第３配線層１８３の２層のみが積層された構成となっている。
【００７９】
ところで、図８（ａ）において、引回し配線１６のうち張出し領域１０ａ内に形成された部分はＹ方向に対して所定の角度を成して延在している。このため、この部分においては、Ｙ方向に延在する部分、つまり、シール材３０によって覆われた部分と比較して広いピッチを確保することができる。そして、本実施形態においては、引回し配線１６のうち張出し領域１０ａ内に形成された部分の幅Ｗ１が、シール材３０によって覆われた部分の幅Ｗ２よりも広くなっている。
【００８０】
また、図８（ｂ）において、素子基板１０の端部に形成された外部接続端子１７は、引回し配線１６のうち配線境界１０ｂから見て張出し領域１０ａ側の部分と同様の層構成となっている。すなわち、各外部接続端子１７は、タンタルから成る第１配線層１８１とＩＴＯから成る第３配線層１８３とが積層された構成となっている。
【００８１】
以上に説明したように、本実施形態においては、引回し配線１６を構成する複数の配線層の一部である第２配線層１８２をシール材３０と重なる領域内に形成する一方、これ以外の配線層である第１配線層１８１を当該引回し配線１６の全長に対応して形成したので、当該引回し配線１６の腐食を有効に抑えることができるという利点がある。すなわち、クロムから成る第２配線層１８２は抵抗値が低い反面、タンタルから成る第１配線層１８１やＩＴＯからなる第３配線層１８３と比較してイオン化傾向が高く、大気に対する耐食性が低いため、腐食し易いという特性を有する。
【００８２】
このため、引回し配線１６のうちシール材３０によって覆われていない部分や外部接続端子１７に第２配線層１８２を形成した場合には、当該第２配線層１８２が外気中の水分等の付着に起因して腐食し易いという問題が生じ得る。これに対し、本実施形態によれば、イオン化傾向の高い第２配線層１８２がシール材３０によって覆われた領域のみに形成されており、当該第２配線層１８２に水分等が付着するのを回避できるので、第２配線層１８２の腐食を抑えることができる。
【００８３】
他方、第１配線層１８１を構成するタンタル及び第３配線層１８３を構成するＩＴＯは第２配線層１８２を構成するクロムと比較して抵抗値が高い。このため、引回し配線１６を、その全長にわたって第１配線層１８１及び第２配線層１８２のみによって形成した場合には配線抵抗が高くなり、液晶装置の表示特性に悪影響を与えるおそれがある。これに対し、本実施形態によれば、引回し配線１６のうちシール材３０によって覆われた部分には、抵抗値が低い第２配線層１８２が形成されているため、配線抵抗の上昇を抑えることができるという利点がある。
【００８４】
さらに、本実施形態においては、引回し配線１６のうち張出し領域１０ａ内に形成された部分の幅が、シール材３０によって覆われた部分の幅よりも広くなっている。換言すれば、第１配線層１８１と第３配線層１８３とから成る部分の幅が、第２配線層１８２を含む部分の幅よりも広くなっている。このため、張出し領域１０ａ内の部分が、比較的抵抗値の高い第１配線層１８１と第３配線層１８３とによって構成されているにもかかわらず、当該部分における配線抵抗が極端に高くなってしまうという不都合が回避される。
【００８５】
（電気光学装置の製造方法の実施形態）
次に、電気光学装置の製造方法について説明する。まず、図３の素子基板１０上に設けられる、データ線１１、ＴＦＤ素子１３等といった各要素の製造方法について説明する。図９及び図１０は、素子基板１０上における１つの表示ドット５０の製造方法を工程順に示している。また、図１１は、素子基板１０上の引回し配線１６の製造方法を工程順に示している。
【００８６】
上述したように、本実施形態における引回し配線１６は、ＴＦＤ素子１３及び画素電極１２を構成する各層と同一の層によって形成される。従って、以下では、表示ドット５０と引回し配線１６の双方の製造工程を並行して説明する。また、図６における引回し配線１６が形成されるべき領域に関して、張出し領域１０ａと、シール材３０が形成されるべき領域と、ＹドライバＩＣ４０が実装されるべき領域との位置関係は、図１１（ａ）に示す通りである。
【００８７】
まず、図９（ａ）及び図１１（ａ）に示すように、素子基板１０の面上にタンタルからなる金属膜６１を形成する。この金属膜６１の成膜には、例えばスパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることができる。金属膜６１の膜厚は、ＴＦＤ素子１３の用途等に応じて好適な値が選択されるが、通常は、１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。なお、金属膜６１の形成前に、素子基板１０の表面に酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）等から成る絶縁膜を形成しても良い。この絶縁膜を下地として金属膜６１を形成すれば、当該金属膜６１と素子基板１０との密着性を高めると共に素子基板１０から金属膜６１への不純物の拡散を抑えることができる。
【００８８】
次に、金属膜６１を、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によってパターニングする。具体的には、図６の表示領域Ｖ内においては、図９（ｅ１）に示すようなＴＦＤ素子１３の第１金属膜１３ａに対応する形状であって、図９（ａ１）に示すようなＸ方向に列を成す複数の表示ドット５０に沿って延びる形状に、金属膜６１がパターニングされる。
【００８９】
一方、図６の引回し配線１６が形成されるべき領域においては、上記パターニングと同じ工程によって、図１１（ｂ）に示すように、引回し配線１６を構成する第１配線層１８１と、外部接続端子１７を構成する第１配線層１８１とが形成される。上述したように、引回し配線１６を構成する第１配線層１８１は、図６の導通部１６ａから張出し領域１０ａ内に位置する端部までに至る引回し配線１６の全長に対応して形成される。
【００９０】
次に、図９（ａ）において表示領域Ｖ内に形成された金属膜６１の表面を陽極酸化法によって酸化させることにより、図９（ｂ）に示すように、当該金属膜６１の表面に酸化タンタルから成る酸化膜６２を形成する。具体的には、素子基板１０を所定の電解液中に浸漬し、表示領域Ｖ内の金属膜６１と電解液との間に所定の電圧を印加して当該金属膜６１の表面を酸化させる。酸化膜６２の膜厚は、ＴＦＤ素子１３の特性に応じて好適な値が選択されるが、例えば１０〜３５ｎｍ程度である。なお、陽極酸化に用いられる電解液としては、例えば０．０１〜０．１重量％のクエン酸水溶液を用いることができる。この後、ピンホールの除去や膜質の安定化を図るために、上記陽極酸化によって形成した酸化膜６２に対して熱処理を施す。なお、図１１（ｂ）に示す引回し配線１６のための第１配線層１８１に対しては陽極酸化は施こさない。従って、この第１配線層１８１の表面に酸化膜は形成されない（図１１（ｃ）参照）。
【００９１】
次に、図９（ｃ）及び図１１（ｃ）に示すように、素子基板１０の全面を覆うように金属膜６３を形成する。この金属膜６３は、例えばスパッタリング法等によって、５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度の膜厚に形成される。この金属膜６３は、図１０（ｃ１）のデータ線１１のうちの主配線１１ａ及び図９（ｅ１）のＴＦＤ素子１３の第２金属膜１３ｃ、並びに図１１（ｆ）の引回し配線１６の第２配線層１８２となる薄膜である。従って、本実施形態における金属膜６３はクロムによって形成される。
【００９２】
この後、図９（ｃ）及び図１１（ｃ）において、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって金属膜６３をパターニングする。これにより、表示領域Ｖ内においては、図９（ｄ）及び図９（ｄ１）に示すように、第２金属膜１１ｃに相当する細くなった部分を有する主配線１１ａと、図９（ｅ１）の第２ＴＦＤ素子１３２の第２金属膜１３ｃとが形成される。
【００９３】
他方、引回し配線１６が形成されるべき領域においては、図１１（ｃ）における金属膜６３のパターニングにより、図１１（ｄ）に示すように第２配線層１８２が形成される。すなわち、引回し配線１６のうち配線境界１０ｂから導通部１６ａ（図６参照）側の部分に対応した形状の第２配線層１８２が形成される。換言すると、先の工程で形成された第１配線層１８１の面上に位置する金属膜６３のうち、配線境界１０ｂから見て張出し領域１０ａ側の部分（外部接続端子１７が形成されるべき部分を含む）に対応する金属膜６３が除去される。
【００９４】
次に、図９（ｄ）において、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を用いて上述した金属膜６１及び酸化膜６２をパターニングして、図９（ｅ）及び図９（ｅ１）に示すように、各表示ドット５０のＴＦＤ素子１３を構成する第１金属膜１３ａ及び絶縁膜１３ｂを形成する。すなわち、酸化膜６２によって覆われた金属膜６１のうち、Ｘ方向に列を成す各表示ドット５０同士の間の部分を除去することにより、第２金属膜１１ｃ及び１３ｃの双方と交差する島状の部分となるように第１金属膜１３ａ及び絶縁膜１３ｂをパターニングする。この工程により、第１ＴＦＤ素子１３１及び第２ＴＦＤ素子１３２が各表示ドット５０ごとに形成される。なお、図１０（ａ）は、図９（ｅ１）におけるＦ−Ｆ’線に従った断面図であって、データ線１１の主配線１１ａ及び第２ＴＦＤ素子１３２の第２金属膜１３ｃの断面形状を示している。
【００９５】
また、図９（ｄ）における金属膜６１及び酸化膜６２のパターニングに際しては、図１１（ｄ）における引回し配線１６用の第１配線層１８１及び第２配線層１８２には何ら処理は施されない。
【００９６】
ところで、上記の例では、図９（ｃ）の金属膜６３にパターニング処理を施した後に、図９（ｄ）の金属膜６１及び酸化膜６２にパターニング処理を施すようにしたが、これとは逆に、金属膜６１及び酸化膜６２のパターニングを行なった後に、金属膜６３の形成及び当該金属膜６３のパターニングを行なうようにしても良い。
【００９７】
次に、図１０（ｂ）及び図１１（ｅ）に示すように、ＩＴＯから成る透明導電膜６４を素子基板１０の全面を覆うように形成する。この成膜には、例えばスパッタリング法等を用いることができる。この後、透明導電膜６４を、例えばフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によってパターニングする。これにより、表示領域Ｖ内においては、図１０（ｃ）及び図１０（ｃ１）に示すように、第２ＴＦＤ素子１３２の第２金属膜１３ｃに接続された画素電極１２と、主配線１１ａと共にデータ線１１を構成する補助配線１１ｂとが形成される。
【００９８】
他方、表示領域Ｖの外側においては、図１１（ｆ）に示すように、引回し配線１６の全長に対応して第１配線層１８１及び第２配線層１８２を覆う第３配線層１８３と、外部接続端子１７の第１配線層１８１を覆う第３配線層１８３とが形成される。
【００９９】
この後、図３に示すように素子基板１０のうち表示領域Ｖを覆う配向膜５６を形成すると共に、当該配向膜５６に対して所定方向にラビング処理を施す。次いで、図１１（ｇ）において、導電粒子３２が分散されたシール材３０を、例えばスクリーン印刷等の技術を用いて塗布する。なお、このときには、第２配線層１８２を全長にわたって覆うように、すなわち第２配線層１８２が張出し領域１０ａに至らないように、当該シール材３０を塗布する。
【０１００】
以上が、図３の素子基板１０上に各種要素を製造するための製造方法である。この一方で、対向基板２０上に設けられる各要素は、例えば、図１２及び図１３に示す工程を経て形成される。なお、これらの図は、図６の対向基板２０のうちシール材３０によって覆われるべき領域の断面の近傍を示している。シール材３０が形成されるべき領域は、図１２（ａ）において「シール領域」として示されている。
【０１０１】
まず、図１２（ａ）において、対向基板２０のうち反射層２１が形成されるべき領域の表面を粗面化する。具体的には、例えば、エッチング処理を用いて、当該対向基板２０の表面のうち多数の微細な領域を所定の厚さだけ選択的に除去する。これにより、除去された部分に対応する凹部と、除去されなかった部分に対応する凸部とを有する粗面が対向基板２０の表面上に形成される。
【０１０２】
但し、対向基板２０の表面を粗面化する方法はこれに限られるものではない。例えば、対向基板２０を覆うようにエポキシ系やアクリル系の樹脂層を形成し、当該樹脂層表面の多数の微細な部分をエッチングによって選択的に除去する。この後、当該樹脂層に熱を加えて軟化させ、エッチングによって生じた角の部分を丸めることにより、滑らかな凹凸を有する粗面を形成しても良い。
【０１０３】
次に、図１２（ａ）において対向基板２０の全面を覆うように、光反射性を有する金属の薄膜を、スパッタリング法等を用いて形成する。この薄膜は、例えばアルミニウムや銀といった単体金属、又はこれらを主成分とする合金等によって形成される。この後、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を用いて当該薄膜をパターニングすることにより、図１２（ｂ）に示す反射層２１を形成する。
【０１０４】
次に、図１２（ｃ）に示すように、反射層２１の面上にカラーフィルタ２２及び遮光層２３を形成する。すなわち、まず、染料や顔料によってＲ（赤）、Ｇ（緑）又はＢ（青）のうちのいずれかの色、例えばＲ色に着色された樹脂膜を反射層２１の面上に形成した後、Ｒ色のカラーフィルタ２２が形成されるべき領域と、遮光層２３が形成されるべき格子状の領域、すなわち表示ドット５０同士の間隙領域とを残して、当該樹脂膜を除去する。以後、これと同様の工程を、他の２色、すなわちＧ色及びＢ色についても繰り返すことにより、図１２（ｃ）に示すように、Ｒ、Ｇ又はＢのいずれかの色に対応するカラーフィルタ２２と、これらの３色の層が積層された遮光層２３とが形成される。
【０１０５】
この後、図１２（ｄ）において、カラーフィルタ２２及び遮光層２３を覆うようにエポキシ系又はアクリル系の樹脂材料を塗布し、さらにそれを焼成して、オーバーコート層２４を形成する。次に、図１３（ｅ）において、上記各要素が形成された対向基板２０の全面を覆うようにＩＴＯ等から成る透明導電膜６５を形成する。この成膜には、例えばスパッタリング法等を用いることができる。
【０１０６】
この透明導電膜６５をフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によってパターニングして、図１３（ｆ）に示すように、複数の走査線２５を形成する。これらの走査線２５は、１本ごとに、シール材３０のＡ側及びＢ側の辺が形成されるべき領域に至るように形成され、その端部には導通部２５ａが形成される。この後、図１３（ｇ）に示すように、表示領域Ｖを覆うように配向膜２６を形成すると共に、当該配向膜２６に対してラビング処理を施す。
【０１０７】
次に、上記各工程を経て得られた素子基板１０と対向基板２０とを、図２に示すように、各々の電極形成面が対向するようにシール材３０を間に挟んで貼り合わせる。このとき、図６において、各走査線２５の導通部２５ａと引回し配線１６の導通部１６ａとがシール材３０を挟んで対向するように、両基板１０，２０の相対的な位置が調整される。
【０１０８】
そして、図２において両基板１０，２０とシール材３０とによって囲まれた領域内に、シール材３０の開口部分を介して液晶を封入し、その後、当該開口部分を封止材３１によって封止する。この後、両基板１０，２０の外側表面に偏光板や位相差板等を貼着すると共に、素子基板１０の張出し領域１０ａにＸドライバＩＣ４１及びＹドライバＩＣ４０をＣＯＧ技術を用いて実装し、これにより、上述した液晶装置１が得られる。
【０１０９】
このように、本実施形態によれば、引回し配線１６がＴＦＤ素子１３及び画素電極１２と共通の層から形成されるため、ＴＦＤ素子１３及び引回し配線１６の各々を形成する工程を別個に実施した場合と比較して、製造工程の簡略化及び製造コストの低減が達成できる。
【０１１０】
ところで、図８（ｂ）に示した耐食性の低い第２配線層１８２の腐食を防ぐための他の手段として、例えば、引回し配線１６のうち当該第２配線層１８２が形成された部分を、樹脂材料等から成る絶縁層によって覆うことも一応考えられる。しかしながら、この場合には、当該絶縁層を形成するための工程が不可欠となるので、その分だけ製造コストが高くなってしまう。これに対し、本実施形態によれば、第２配線層１８２がシール材３０によって覆われるようになっているため、上記のような絶縁層を形成するための独立した工程は不要である。従って、本実施形態によれば、製造コストの増加や製造工程の煩雑化を伴うことなく、第２配線層１８２の腐食を抑えるという効果を得ることができる。
【０１１１】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、上記実施形態はあくまでも例示であり、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【０１１２】
（電気光学装置の第２実施形態）
図６に示した先の実施形態では、引回し配線１６の一部が、当該一部と略同一方向に延びるシール材３０の辺によって覆われた構成となっていたが、これに代えて、図１４に示すような構成を採用できる。なお、図１４は、液晶装置８１を観察側から見たときの配線の態様を示している。また、図１４において図６に示した構成要素と同じ構成要素については同一の符号を付すことにする。また、図１４においては、図６と同様に、素子基板１０が紙面に対して最も手前側に位置し、これ以外の要素は当該素子基板１０に対して紙面奥側に位置する。
【０１１３】
図１４において、引回し配線１６は、素子基板１０上に形成されていて、導通部１６ａと延在部１６ｂとから成っている。そして、導通部１６ａが、シール材３０中の導電粒子３２を介して走査線２５の導通部２５ａと導通する点は、図６に示した実施形態の場合と同様である。しかしながら、本実施形態においては、延在部１６ｂがシール材３０によって覆われた領域内、すなわちシール材３０と重なる領域において延在するのではなく、当該シール材３０の内周縁によって囲まれた領域内、すなわち表示領域Ｖ内において延在する点で図６の実施形態とは異なっている。
【０１１４】
すなわち、本実施形態において延在部１６ｂは、シール材３０の内周縁によって囲まれた領域内において導通部１６ａに連結されると共に、当該領域内において張出し領域１０ａに向かって延在する。そして、シール材３０の一辺３０aを横切って張出し領域１０ａ内に到達し、その端部がＹドライバＩＣ４０の出力端子に接続される。
【０１１５】
図１５は、本実施形態における引回し配線１６の層構成を示す図であり、先の実施形態における図８（ｂ）に対応するものである。図１５に示すように、引回し配線１６の層構成は、図８（ｂ）に示した先の実施形態における引回し配線１６の層構成と同様であり、図５（ｂ）のＴＦＤ素子１３の第１金属膜１３ａと同一層によって形成された第１配線層１８１と、図５（ａ）のデータ線１１の主配線１１ａ及びＴＦＤ素子１３の第２金属膜１３ｃと同一層によって形成された第２配線層１８２と、図５（ａ）の画素電極１２と同一層によって形成された第３配線層１８３とが積層された構成となっている。
【０１１６】
第１配線層１８１及び第３配線層１８３は、図１４の導通部１６ａから張出し領域１０ａ内に位置する端部にわたる引回し配線１６の全長にわたって形成されている。すなわち、第１配線層１８１及び第３配線層１８３は、素子基板１０のうちシール材３０に重なる領域と、液晶３５に対向する領域（つまり、シール材３０の内周縁によって囲まれた領域）と、張出し領域１０ａとにわたって設けられている。
【０１１７】
これに対し、第２配線層１８２は、張出し領域１０ａには入らないようになっており、素子基板１０のうちシール材３０に重なる領域と、液晶３５に対向する領域とにわたって設けられている。すなわち、図６に示した先の記実施形態では引回し配線１６がシール材３０によって覆われた領域、すなわちシール材３０と重なる領域、内に延在する構成を採ったため、第２配線層１８２がシール材３０によって覆われた領域のみに形成されるようにした。これに対し、本実施形態における第２配線層１８２は、シール材３０によって覆われた領域に加え、液晶３５に対向する領域にも形成されるようになっている。本実施形態によっても、図６に示した実施形態と同様に、第２配線層１８２に外気中の水分等が付着するのを回避でき、それ故、当該第２配線層１８２の腐食を抑えることができる。
【０１１８】
（電気光学装置の第３実施形態）
図８（b）及び図１５に示した実施形態においては、引回し配線１６が第１配線層１８１と第３配線層１８３とを有する構成としたが、これらのうちのいずれかのみを有する構成としても良い。すなわち、引回し配線１６のうちシール材３０によって覆われた領域内に位置する部分を第１配線層１８１と第２配線層１８２とが積層された構成とし、張出し領域１０ａ内に位置する部分を第１配線層１８１のみによって構成するようにしても良い。もっとも、図８（b）等に示した実施形態のように、第１配線層１８１と第２配線層１８２とに第３配線層１８３を積層した構成を採れば、配線抵抗を低く抑えることができるという利点がある。
【０１１９】
（電気光学装置の第４実施形態）
図６及び図１４に示した実施形態においては、走査線２５と導通する引回し配線１６について、その一部の配線層がシール材３０によって覆われた構成としたが、これ以外の配線、例えばデータ線１１についても同様の構成を採用することができる。すなわち、データ線１１のうちクロムから成る主配線１１ａをシール材３０及び液晶３５によって覆われた領域内に形成する一方、耐食性の高いＩＴＯから成る補助配線１１ｂを、シール材３０及び液晶３５によって覆われた領域内に加えて張出し領域１０ａにも入るように、当該データ線１１の全長にわたって形成しても良い。なお、この場合の配線、すなわちデータ線１１は、対向基板２０上のいずれの配線とも導通しない。つまり、本発明における「配線」は、必ずしも他の基板に形成された配線と導通するものである必要はない。
【０１２０】
（電気光学装置の第５実施形態）
図８（ｂ）や図１５に示した実施形態においては、引回し配線１６を構成する各配線層１８１，１８２，１８３を表示領域Ｖ内の要素、すなわちＴＦＤ素子１３、画素電極１２等と共通の層によって形成した。しかしながら、本発明に係る電気光学装置は、常に必ず、このように構成しなければならないというものではなく、表示領域Ｖ内の要素とは別個の工程によって引回し配線１６を形成するようにしても良い。
【０１２１】
すなわち、図８（ｂ）や図１５に示した実施形態においては、第１配線層１８１をタンタルによって形成し、第２配線層１８２をクロムによって形成し、第３配線層１８３をＩＴＯによって形成したが、各配線層の材料はこれらに限られるものではない。もっとも、図８（ｂ）等に示した実施形態における例とは異なる材料によって各配線層を形成した場合であっても、これらの配線層のうちイオン化傾向の高い、つまり耐食性の低い配線層をシール材３０と重なる領域内に形成し、さらに、その他の配線層を当該引回し配線１６の全長に対応して形成することが望ましい。
【０１２２】
（電気光学装置の第６実施形態）
図６や図１４に示した実施形態においては、ＴＦＤ素子１３の形成された素子基板１０が観察側に位置し、走査線２５の形成された対向基板２０が背面側に位置していた。しかしながら、これとは逆に、素子基板１０が背面側に位置し、対向基板２０が観察側に位置する構成としても良い。この場合には、図３の反射層２１を、対向基板２０上ではなくて素子基板１０上に形成すれば良い。
【０１２３】
また、図３に示す実施形態では、背面側に位置する基板である対向基板２０にカラーフィルタ２２及び遮光層２３を形成したが、これらの要素が観察側に位置する基板に形成された構成としても良い。あるいは、カラーフィルタ２２や遮光層２３を設けず、白黒表示のみを行なう構成としても良い。すなわち、図３に示した実施形態では、素子基板１０が本発明における「第１基板」に対応し、対向基板２０が本発明における「第２基板」に対応するものとしたが、本発明における「第１基板」及び「第２基板」の各々は、観察側又は背面側のいずれに位置する基板であっても良く、ＴＦＤ素子１３、反射層２１、カラーフィルタ２２等といった要素は、必要に応じて、いずれの基板に設けても良い。
【０１２４】
また、図３に示した実施形態では、反射型表示のみを行なう反射型液晶装置を例示したが、いわゆる透過型表示のみを行なう透過型液晶装置にも本発明を適用可能である。例えば、図３の構造を透過型に変更するには、背面側の基板である対向基板２０に反射層２１を設けることなく、背面側からの入射光が液晶３５を通過して観察側に出射する構成とすれば良い。
【０１２５】
さらに、反射型表示と透過型表示の双方が可能な、いわゆる半透過反射型液晶装置にも本発明を適用することができる。この場合には、例えば図３において、反射層２１に代えて、各表示ドット５０ごとに開口部を有する反射層、又は表面に入射した光のうちの一部を反射させ他の一部を透過させる構造の半透過反射層（いわゆる、ハーフミラー）を設けると共に、液晶装置の背面側に照明装置を配設した構成とすれば良い。
【０１２６】
さらに、図６や図１４に記載した実施形態においては、二端子型スイッチング素子であるＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例示したが、これに代えて、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子に代表される三端子型スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置や、スイッチング素子を持たないパッシブマトリクス方式の液晶装置にも本発明を適用できることは言うまでもない。
【０１２７】
以上から明らかなように、液晶を支持する基板のうちシール材と対向する領域、すなわちシール材と重なる領域から当該シール材の外周縁を横切ってその外側へ延び出るパターンの配線が設けられる構造の液晶装置であれば、他の構成要素の態様の如何を問わず、本発明を適用可能である。
【０１２８】
（電子機器の実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器について説明する。図１６（ａ）は、本発明をモバイル型のパーソナルコンピュータ、すなわち可搬型のパーソナルコンピュータ、いわゆるノート型パソコンに適用した場合、特にその表示部として適用した場合を示している。
【０１２９】
ここに示すパーソナルコンピュータ７１は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る電気光学装置を適用した表示部７１３とを備えている。このパーソナルコンピュータ７１に用いる電気光学装置としては、暗所においても視認性を確保するため、反射型表示のみならず透過型表示も可能な半透過反射型の電気光学装置であることが望ましい。
【０１３０】
次に、図１６（ｂ）は、本発明に係る電気光学装置を携帯電話機の表示部として用いた場合を示している。同図において、携帯電話機７２は、複数の操作ボタン７２１と、受話口７２２と、送話口７２３と、表示部７２４とを有する。表示部７２４は、本発明に係る電気光学装置を用いて構成できる。また、暗所における視認性を確保するため、半透過反射型の電気光学装置を表示部７２４として用いることが望ましい。
【０１３１】
なお、本発明に係る電気光学装置を適用可能な電子機器としては、図１６（ａ）に示したパーソナルコンピュータや、図１６（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型のビデオテープレコーダ、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ等が考えられる。また、本発明に係る電気光学装置をライトバルブとして用いたプロジェクタ等も本発明に係る電子機器と考えられる。
【０１３２】
上述したように、本発明に係る電気光学装置によれば、基板上に形成された配線の腐食を抑えることができるので、この電気光学装置を用いた電子機器においては、導通不良などを回避して高い信頼性を確保することができる。
【０１３３】
（電気光学装置の第７実施形態）
図１７は、電気光学装置の一例であるアクティブマトリクス方式のＥＬ（Electro Luminescence）装置１１０に本発明を適用した場合の実施形態を示している。また、図１８は、図１７におけるＫ−Ｋ’線に従ってＥＬ装置１１０の断面構造を示している。
【０１３４】
これらの図において、基板１００上には、複数の画素が形成される領域、すなわち表示領域Ｖと、ゲート側駆動回路１０２と、ソース側駆動回路１０３とが形成される。それぞれの駆動回路からの各種配線は、入出力配線１１２，１１３，１１４を経てＦＰＣ１１１へ至り、このＦＰＣ１１１を介して外部機器へと接続される。ＦＰＣ１１１は、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）１１５によって基板１００の辺端部に接続されている。
【０１３５】
このとき、少なくとも表示領域Ｖを囲むようにして、好ましくは駆動回路１０２，１０３及び表示領域Ｖを囲むようにして、ハウジング１０４を設ける。このハウジング１０４は、その内側の高さ寸法が表示領域Ｖの高さよりも大きい凹部を有する形状又はそのような凹部を持たないシート形状であり、接着剤１０５によって、基板１００と協働して密閉空間を形成するようにして基板１００に固着される。このとき、ＥＬ素子は上記の密閉空間に完全に封入された状態となり、外気から完全に遮断される。
【０１３６】
ハウジング１０４は複数設けることもできる。また、ハウジング１０４の材質は、ガラス、ポリマー等といった絶縁性物質が好ましい。例えば、硼硅酸塩ガラス、石英等といった非晶質ガラス、結晶化ガラス、セラミックスガラス、有機系樹脂（例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂等）、シリコーン系樹脂等とすることができる。また、接着剤１０５が絶縁性物質であるならば、ステンレス合金等といった金属材料を用いることもできる。
【０１３７】
接着剤１０５としては、エポキシ系樹脂、アクリレート系樹脂等といった接着剤を用いることができる。また、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を接着剤として用いることもできる。但し、可能な限り酸素、水分を透過しない材質であることが必要である。
【０１３８】
ハウジング１０４と基板１００との間の空隙１０６には、アルゴン、ヘリウム、窒素等といった不活性ガスを充填しておくことが望ましい。また、ガスに限らず不活性液体、例えばパーフルオロアルカンに代表される液状フッ素化炭素等を用いることもできる。また、空隙１０６内に乾燥剤を入れておくことも有効であり，そのような乾燥剤としては、例えば、酸化バリウムが考えられる。
【０１３９】
図１７に示すように、表示領域Ｖには個々に独立した複数の表示ドット５０がマトリクス状に配列されている。図１８に示すように、これらの表示ドット５０の全ては保護電極２４９を共通電極として有している。保護電極２４９は、ハウジング１０４の内部領域であってＦＰＣ１１１に近い側の領域１０８において、入力配線１１３の一部に接続される。保護電極２４９には、ＦＰＣ１１１及び入出力配線１１３を通して所定の電圧、例えば接地電位、例えば０Ｖが印加される。
【０１４０】
図１９は、図１７における矢印Ｌに従って、互いに隣り合う２つの表示ドット５０を示している。また、図２０はそれらの表示ドット内の電気的な回路構成を等価回路図として示している。また、図２１は、図１９におけるＭ−Ｍ’線に従って、ＥＬ素子を駆動するためのアクティブ素子部分の断面構造を示している。図１９及び図２０に示すように、個々の表示ドット５０は、スイッチング用素子として機能するスイッチング用ＴＦＴ２０１と、ＥＬ素子へ流す電流量を制御する電流制御用素子として機能する電流制御用ＴＦＴ２０２とを有する。スイッチング用ＴＦＴ２０１のソースはソース配線２２１に接続され、そのゲートはゲート配線２１１に接続され、そして、そのドレインは電流制御用ＴＦＴ２０２のゲートに接続される。
【０１４１】
また、電流制御用ＴＦＴ２０２のソースは電流供給線２１２に接続され、そのドレインはＥＬ素子２０３に接続される。なお、ＥＬ素子２０３は、発光層を含むＥＬ層を陽極と陰極とによって挟んだ構造の発光素子である。図１９では、画素電極２４６が略方形状の陽極として示され、発光層を含むＥＬ層２４７がその画素電極２４６の上に積層され、その上に各表示ドット５０に共通する共通電極としての陰極（図示せず）が積層され、この積層構造によってＥＬ素子２０３が形成される。
【０１４２】
図２１において、基板１００の上に下地となる絶縁膜２０６が形成される。基板１００は、例えば、ガラス基板、ガラスセラミックス基板、石英基板、シリコン基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチック基板又はプラスチックフィルム等によって形成される。
【０１４３】
下地膜２０６は、特に可動イオンを含む基板や導電性を有する基板を用いる場合に有効であるが、基板１００として石英基板を用いる場合には下地膜２０６は設けなくても構わない。下地膜２０６としては、例えば、珪素（すなわち、シリコン）を含む絶縁膜を用いれば良い。また、下地膜２０６には、ＴＦＴに発生する熱を発散させるための放熱機能を持たせることが望ましい。
【０１４４】
本実施形態では、１つの表示ドット内に２つのＴＦＴ、具体的にはスイッチング用素子として機能するスイッチング用ＴＦＴ２０１と、ＥＬ素子へ流す電流量を制御する電流制御用素子として機能する電流制御用ＴＦＴ２０２とが設けられる。これらのＴＦＴは、本実施形態では、どちらもｎチャネル型ＴＦＴとして形成したが、両方又はどちらかをｐチャネル型ＴＦＴとすることもできる。
【０１４５】
スイッチング用ＴＦＴ２０１は、ソース領域２１３、ドレイン領域２１４、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域２１５ａ，２１５ｂ，２１５ｃ，２１５ｄ、高濃度不純物領域２１６及びチャネル形成領域２１７ａ，２１７ｂの５種類の要素を含む活性層を有する。また、スイッチング用ＴＦＴ２０１は、ゲート絶縁膜２１８と、ゲート電極２１９ａ，２１９ｂと、第１層間絶縁膜２２０と、ソース配線２２１と、ドレイン配線２２２とを有する。
【０１４６】
図１９に示すように、ゲート電極２１９ａ，２１９ｂは、当該ゲート電極２１９ａ，２１９ｂよりも低抵抗である別の材料によって形成されたゲート配線２１１によって電気的に接続されたダブルゲート構造となっている。もちろん、ダブルゲート構造だけでなく、トリプルゲート構造等といった、いわゆるマルチゲート構造、すなわち、直列に接続された２つ以上のチャネル形成領域を有する活性層を含む構造、であっても良い。
【０１４７】
活性層は、結晶構造を含む半導体膜、すなわち、単結晶半導体膜や多結晶半導体膜や微結晶半導体膜等によって形成される。また、ゲート電極２１９ａ，２１９ｂ、ソース配線２２１、ドレイン配線２２２は、あらゆる種類の導電膜を用いることができる。さらに、スイッチング用ＴＦＴ２０１においては、ＬＤＤ領域２１５ａ〜２１５ｄは、ゲート絶縁膜２１８を介して且つゲート電極２１９ａ，２１９ｂとは重ならないように設けられる。このような構造は、オフ電流値を低減する上で非常に効果的である。
【０１４８】
次に、図２１において、電流制御用ＴＦＴ２０２は、ソース領域２３１、ドレイン領域２３２、ＬＤＤ領域２３３及びチャネル形成領域２３４の４種類の要素を含む活性層と、ゲート絶縁膜２１８と、ゲート電極２３５と、第１層間絶縁膜２２０と、ソース配線２３６と、ドレイン配線２３７とを有する。なお、ゲート電極２３５はシングルゲート構造となっているが、これに代えて、マルチゲート構造とすることもできる。
【０１４９】
図２１において、スイッチング用ＴＦＴ２０１のドレインは電流制御用ＴＦＴのゲートに接続されている。具体的には、電流制御用ＴＦＴ２０２のゲート電極２３５は、スイッチング用ＴＦＴ２０１のドレイン領域２１４とドレイン配線２２２を介して電気的に接続されている。また、ソース配線２３６は、電流供給線２１２に接続される。
【０１５０】
電流制御用ＴＦＴ２０２は、ＥＬ素子２０３を発光させるための電流を供給すると同時に、その供給量を制御して階調表示を可能とする。そのため、電流を流しても劣化しないようにホットキャリア注入による劣化対策を講じておく必要がある。また、黒色を表示する際は、電流制御用ＴＦＴ２０２をオフ状態にしておくが、その際，オフ電流値が高いときれいな黒色表示ができなくなり、コントラストの低下を招く。従って、オフ電流値も抑えることが望ましい。
【０１５１】
図２１において、第１層間絶縁膜２２０の上に第１パシベーション膜２４１が形成される。この第１パシベーション膜２４１は、例えば、珪素を含む絶縁膜によって形成される。この第１パシベーション膜２４１は、形成されたＴＦＴをアルカリ金属や水分から保護する機能を有する。最終的にＴＦＴの上方に設けられるＥＬ層にはナトリウム等といったアルカリ金属が含まれている。すなわち、第１パシベーション膜２４１は、これらのアルカリ金属をＴＦＴ側に侵入させない保護層として機能する。
【０１５２】
また、第１パシベーション膜２４１に放熱機能を持たせれば、ＥＬ層の熱劣化を防ぐこともできる。また、図２１の構造では基板１００に光が放射されるため、第１パシベーション膜２４１は透光性を有することが必要である。また、ＥＬ層として有機材料を用いる場合、そのＥＬ層は酸素との結合によって劣化するので、酸素を放出し易い絶縁膜は用いないことが望ましい。
【０１５３】
第１パシベーション膜２４１の上には、各ＴＦＴを覆うような形で第２層間絶縁膜２４４が形成される。この第２層間絶縁膜２４４は、ＴＦＴによって形成される段差を平坦化する機能を有する。この第２層間絶縁膜２４４としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル等といった有機樹脂膜を用いることができる。もちろん、十分な平坦化が可能であれば、無機膜を用いることもできる。ＥＬ層は非常に薄いため、それを形成する面に段差が存在すると発光不良を起こす場合がある。従って、第２層間絶縁膜２４４によってＴＦＴによる段差を平坦化することは、後にその上に形成されるＥＬ層を正常に機能させることに関して重要である。
【０１５４】
第２層間絶縁膜２４４の上には、第２パシベーション膜２４５が形成される。この第２パシベーション膜２４５は、ＥＬ素子から拡散するアルカリ金属の透過を防ぐという機能を奏する。この第２パシベーション膜２４５は第１パシベーション膜２４１と同じ材料によって形成できる。また、第２パシベーション膜２４５は、ＥＬ素子で発生した熱を逃がす放熱層としても機能することが望ましく、この放熱機能により、ＥＬ素子に熱が蓄積することを防止できる。
【０１５５】
第２パシベーション膜２４５の上に画素電極２４６が形成される。この画素電極２４６は、例えば透明導電膜によって形成されて、ＥＬ素子の陽極として機能する。この画素電極２４６は、第２パシベーション膜２４５、第２層間絶縁膜２４４及び第１パシベーション膜２４１にコンタクトホール、すなわち開口を開けた後、形成されたそのコンタクトホールにおいて電流制御用ＴＦＴ２０２のドレイン配線２３７に接続するように形成される。
【０１５６】
次に、画素電極２４６の上にＥＬ層２４７が形成される。このＥＬ層２４７は単層構造又は多層構造で形成されるが、一般には、多層構造の場合が多い。このＥＬ層２４７において、画素電極２４６に直接に接触する層としては、正孔注入層、正孔輸送層又は発光層がある。
【０１５７】
今、正孔輸送層及び発光層の２層構造を採用するものとすれば、正孔輸送層は、例えばポリフェニレンビニレンによって形成できる。そして、発光層としては、赤色発光層にはシアノポリフェニレンビニレン、緑色発光層にはポリフェニレンビニレン、青色発光層にはポリフェニレンビニレン又はポリアルキルフェニレンを、それぞれ、用いることができる。
【０１５８】
次に、以上のようにして形成されたＥＬ層２４７の上に陰極２４８が形成され、さらにその上に保護電極２４９が形成される。これらの陰極２４８及び保護電極２４９は、例えば、真空蒸着法によって形成される。なお、陰極２４８と保護電極２４９とを大気解放しないで連続的に形成すれば、ＥＬ層２４７の劣化を抑えることができる。なお、画素電極２４６、ＥＬ層２４７及び陰極２４８によって形成される発光素子がＥＬ素子２０３である。
【０１５９】
陰極２４８としては、仕事関数の小さいマグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）又はカルシウム（Ｃａ）を含む材料を用いることができる。保護電極２４９は陰極２４８を外部の水分等から保護するために設けられるものであり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）を含む材料を用いることができる。この保護電極２４９には放熱効果もある。
【０１６０】
図２１に示す構造は、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色に対応した１種類のＥＬ素子を個々の表示ドット５０に対応させて形成する単色発光方式の構造である。しかしながら、発光方式としては、そのような単色発光方式の他に、白色発光のＥＬ素子とカラーフィルタを組み合わせた方式や，青色又は青緑発光のＥＬ素子と蛍光体とを組み合わせた発光方式や、あるいは、陰極に透明電極を使用してＲ，Ｇ，Ｂに対応したＥＬ素子を重ねる方式等といった各種の方式を用いてカラー表示を行うこともできる。もちろん、白色発光のＥＬ層を単層で形成して白黒表示を行うこともできる。
【０１６１】
保護電極２４９の上には、第３パシベーション膜２５０が形成される。この第３パシベーション膜２５０は、ＥＬ層２４７を水分から保護するように機能すると共に、必要に応じて、第２パシベーション膜２４５と同様に放熱機能を奏するようにしても良い。なお、ＥＬ層として有機材料を用いる場合には、その有機材料は酸素との結合によって劣化する可能性があるので、酸素を放出し易い絶縁膜は第３パシベーション膜２５０として用いないことが望ましい。
【０１６２】
本実施形態では、図１７に示すように、表示領域Ｖだけでなく駆動回路１０２，１０３にも最適な構造のＴＦＴを基板１００上に直接に形成するようになっており、これにより、動作に関して高い信頼性を達成している。なお、ここでいう駆動回路としては、シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、サンプリング回路等が含まれる。また、デジタル駆動を行う場合には、Ｄ／Ａコンバータ等といった信号変換回路を含めることもできる。
【０１６３】
なお、基板１００の上には、表示領域Ｖ及び駆動回路１０２，１０３等といった回路構成以外に、信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ回路、オペアンプ回路、γ補正回路等といった論理回路を直接に形成することができる。さらには、メモリ部やマイクロプロセッサ等を基板１００上に直接に形成することもできる。
【０１６４】
本実施形態に係るＥＬ装置１１０は以上のように構成されているので、図１７において、ゲート側駆動回路１０２によってゲート配線２１１へ走査信号又データ信号の一方が供給され、ソース側駆動回路１０３によってソース配線２２１へ走査信号又はデータ信号の他方が供給される。一方、電流供給線２１２によって各表示ドット５０内の電流制御用ＴＦＴ２０２へＥＬ素子を発光させるための電流が供給される。
【０１６５】
表示領域Ｖ内にマトリクス状に配列された複数の表示ドット５０のうちの適宜のものがデータ信号に基づいて個々に選択され、その選択期間においてスイッチング用ＴＦＴ２０１がオン状態になってデータ電圧の書き込みが行われ、非選択期間ではＴＦＴ２０１がオフ状態になることで電圧が保持される。このようなスイッチング及び記憶動作により、複数の表示ドット５０のうちの適宜のものが選択的に発光し、この発光点の集まりにより、図１７の紙面奥側、すなわち図１８に矢印Ｑで示す方向に、文字、数字、図形等といった像が表示される。
【０１６６】
図１７において、ソース側駆動回路１０３には配線１１２を通して信号が送られる。また、ゲート側駆動回路１０２には配線１１３を通して信号が供給される。また、電流供給線２１２には配線１１４を通して電流が供給される。本実施形態では、ＥＬ装置１１０の内部を外部から密閉状態に遮蔽するハウジング１０４のうち配線１１２，１１３，１１４が外部へ引き出される個所に相当する辺の近傍に配線境界１０ｂが設定される。
【０１６７】
上記の配線１１２，１１３，１１４に関しては、配線境界１０ｂから見て配線引出し側（すなわち、図１７の左側）に存在する部分は、その断面構造が図８（ｄ）に示したように、第１配線層１８１及びそれに積層された第３配線層１８３の２層構造となっている。一方、配線境界１０ｂから見て表示領域Ｖ側に存在する部分は、その断面構造が図８（ｃ）に示したように、第１配線層１８１、それに積層された第２配線層１８２、及びそれに積層された第３配線層１８３の３層構造となっている。つまり、配線境界１０ｂの内側と外側とで配線１１２，１１３，１１４の層構成が異なっている。
【０１６８】
例えば、配線境界１０ｂの内側（すなわち、表示領域Ｖ側）にだけ存在する第２配線層１８２を低抵抗で腐食し易い材料によって形成する場合を考えると、そのような第２配線層１８２を配線の中に含ませることにより、配線抵抗値を低く抑えることができるようになり、それ故、ＥＬ装置１１０によって安定した像表示を行うことが可能となる。
【０１６９】
しかも、そのように腐食し易い材料を用いて第２配線層１８２を形成する場合であっても、その第２配線層１８２を設ける領域は、ハウジング１０４によって外部から遮蔽された領域に限られているので、腐食し易い第２配線層１８２は外気に触れることがなく、それ故、第２配線層１８２従って配線全体に腐食が発生して表示不良が発生することは確実に防止される。
【０１７０】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【０１７１】
例えば、電気光学装置は液晶装置及びＥＬ装置に限られず、基板上に配線を形成する必要のある、あらゆる装置、例えば基板間に分散媒及び電気泳動粒子が封入された電気泳動装置が考えられる。
【０１７２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板上に形成された配線の腐食を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を実施可能な電気光学装置の一例である液晶装置であって、特にＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置の電気的構成を示す等価回路図である。
【図２】本発明を電気光学装置の一例である液晶装置に実施した場合の一実施形態を示しており、（ａ）は観察側から見た場合の液晶装置の斜視図であり、（ｂ）は背面側から見た場合の液晶装置の斜視図である。
【図３】図２（ａ）におけるＣ−Ｃ’線に従って液晶装置の断面構造を示す断面図である。
【図４】図２（ａ）に示す液晶装置における表示領域内の構成を示す斜視図である。
【図５】（ａ）は図４における１つの画素電極及び１つのＴＦＤ素子を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＥ−Ｅ’線に従った断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＦ−Ｆ’線に従った断面図である。
【図６】図２（ａ）に示す液晶装置の平面断面図である。
【図７】図６におけるＧ−Ｇ’線に従った断面図である。
【図８】（ａ）は図６において矢印Ｐで示す部分を拡大して示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＨ−Ｈ’線に従った断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＩ−Ｉ’線に従った断面図であり、（ｄ）は（ａ）におけるＪ−Ｊ’線に従った断面図である。
【図９】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態であってＴＦＤ素子に関する製造方法を工程順に示す図である。
【図１０】図９に示す工程に関連する工程を示す工程図である。
【図１１】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態であって引回し配線に関する製造方法を工程順に示す図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態であって、対向基板上に設ける要素に関する製造方法を工程順に示す図である。
【図１３】図１２に引き続く工程を示す図である。
【図１４】本発明を電気光学装置の一例である液晶装置に実施した場合の他の実施形態を示す平面断面図である。
【図１５】図１４に示す実施形態における引回し配線の層構成を示す断面図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の実施形態であり、（ａ）は電子機器の一例であるパーソナルコンピュータを示す斜視図であり、（ｂ）は電子機器の他の一例である携帯電話機を示す斜視図である。
【図１７】本発明を電気光学装置の他の一例であるＥＬ装置に実施した場合の一実施形態を示す平面断面図である。
【図１８】図１７におけるＫ−Ｋ’線に従ってＥＬ装置の断面構造を示す断面図である。
【図１９】図１７において矢印Ｌで示す表示ドット部分を拡大して示す平面図である。
【図２０】図１９の構造に対応する電気的な等価回路図である。
【図２１】図１９におけるＭ−Ｍ’線に従ってＴＦＴの断面構造を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 液晶装置（電気光学装置）
１０ 素子基板（第１基板）
１０ａ 張出し領域
１０ｂ 配線境界
１１ データ線
１１ａ 主配線
１１ｂ 補助配線
１１ｃ 第２金属膜、
１２ 画素電極
１３ ＴＦＤ素子（薄膜ダイオード）
１３ａ 第１金属膜
１３ｂ 絶縁膜
１３ｃ 第２金属膜
１６，１６１，１６２ 引回し配線
１６ａ 導通部
１６ｂ 延在部
１７ 外部接続端子
２０ 対向基板（第２基板）
２１ 反射層
２２ カラーフィルタ
２３ 遮光層
２４ オーバーコート層
２５ 走査線
２５ａ 導通部
２６ 配向膜
３０ シール材
３２ 導電粒子
３５ 液晶
４０ａ 第１ＹドライバＩＣ
４０ｂ 第２ＹドライバＩＣ
４１ ＸドライバＩＣ
５０ 表示ドット
５１ 液晶表示要素
５６ 配向膜
５７ 周辺遮光層
１３１ 第１ＴＦＤ素子
１３２ 第２ＴＦＤ素子
１８１ 第１配線層
１８２ 第２配線層
１８３ 第３配線層

Claims (8)

1. 対向して配置した第１基板及び第２基板を有し、当該第１基板と当該第２基板との間に液晶が挟まれて成る電気光学装置において、
   前記液晶を囲むシール材と、
   前記第１基板の１辺に沿って、且つ、当該１辺と交差する他辺に向かって引き回された引回し配線とを有し、
   該引回し配線は、
   前記シール材に重なる領域及び前記シール材の外側領域の両方にわたって形成された第１配線層と、
   前記シール材に重なる領域に形成され、前記シール材と重なる領域で終端するように形成された第２配線層と、を有し、
   前記第２配線層は、前記第１配線層よりも抵抗が低く且つイオン化傾向が高い導電材料である、クロム若しくはアルミニウムからなることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１において、前記シール材の外側領域にある前記引回し配線の一端は外部接続回路に接続されることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１又は請求項２において、前記第２基板に形成された電極をさらに有し、該電極は前記第１基板上の前記引回し配線と導通することを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１または請求項２において、
   前記第２基板上に形成された引回し配線を有し、
   前記第１基板上の引回し配線は前記第２基板上の引回し配線に導通することを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項４において、前記第１基板上の引回し配線と前記第２基板上の引回し配線とは、前記シール材に分散された導電粒子を介して導通することを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１から請求項５のいずれかにおいて、前記第１基板上に形成さ
   れた引回し配線のうち前記シール材の外側領域に形成された部分の幅は、前記シール材と重なる領域に形成された部分の幅よりも広いことを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載した電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
8. シール材を介して貼り合わされた第１基板と第２基板との間に液晶を有し、前記第１基板のうち前記シール材に重なる領域と当該シール材の外側の領域との両方にわたって引回し配線が形成された電気光学装置の製造方法であって、
   前記引回し配線を構成する第１配線層を、前記第１基板のうち前記シール材に重なる領域と該シール材の外側の領域とにわたって形成する第１配線層形成工程と、
   前記引回し配線を構成する第２配線層を、前記第１基板のうち前記シール材に重なる領域に形成し、且つ前記シール材と重なる領域で終端するように形成する工程と、
   前記第１基板及び第２基板を前記シール材を介して貼り合わせる接合工程とを有し、
   前記第２配線層は、前記第１配線層よりも抵抗が低く且つイオン化傾向が高い導電材料である、クロム若しくはアルミニウムからなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

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