JPS60164724A - 電気光学装置 - Google Patents

電気光学装置

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JPS60164724A
JPS60164724A JP59020485A JP2048584A JPS60164724A JP S60164724 A JPS60164724 A JP S60164724A JP 59020485 A JP59020485 A JP 59020485A JP 2048584 A JP2048584 A JP 2048584A JP S60164724 A JPS60164724 A JP S60164724A
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JP
Japan
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metal
insulator
electro
mim element
optical device
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JP59020485A
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English (en)
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JPH0576613B2 (ja
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Takashi Nakazawa
尊史 中澤
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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Publication of JPH0576613B2 publication Critical patent/JPH0576613B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、Ｍ工Ｍ素子を設置した電気光学装置の構造に
関する。
従来のＭ工Ｍ素子を設置した基板の概略を第１図に示す
。１は基板であり、２はＭ工Ｍ素子の第１の金属であり
、同一ラインの配線及び外部ドライバー回路との接続を
とる端子を兼ねている。３はＭ工Ｍ素子の絶縁体であり
、Ｍ工Ｍ素子の第１の金属２の端子を除いた部分の表面
に形成されている。４はＭ工ＭＪ子の第２の金属であり
Ｍ工Ｍ素子の絶縁体３と交わる様に形成されている。す
なわちＭ工Ｖ素子の絶縁体３とＭＩＭ素子の築２の金属
４の交わった部分がＭ工Ｍ素子となる。５は透明画素電
極であ９部工Ｍ素子と電気的に直列になる様に形成され
ている。第２図は第１図の１部の拡大図である。第６図
は第２図の線αにおける断面図である。第１図から第３
図に示す構造のＭ工Ｖ素子を設置した基板は、第１の金
属２、第２の金属４、透明画素電極５をそれぞれ所定の
形状にパターニングしなければならない。即ちフォトリ
ソグラフィー技術を用いた工程が３回必要となり、歩留
りが低下し、コストが上昇するという欠点があった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、その目的は
工程を簡略化した構造のＭ工ＭＷ子を設置した基板を提
供することにある。
以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する第４図は
本発明のＭ工Ｍ素子を設置した基板の一部を拡大したも
のであり、第５図は第４図の線すにおける断面図である
。６は基板であり、７はＭ工′Ｍ素子の第１の金属であ
り、同一ラインの配線及び外部ドライバー回路との接続
をとる端子を爺ねており従来の第１の金属２と同じ形状
である。８はＭ工Ｍ素子の絶縁体であり、Ｍ工Ｍ素子の
第１の金属７の端子を除いた部分の表面に形成されてい
る。９はＭ工Ｍ素子の第２の金属であり、膜厚は１００
Ｘ以下である。１０は透明画素電極であり、Ｍ工Ｍ素子
の第２の金属９を介してＭ工Ｍ素子の絶縁体８の上部に
も所定の形状に形成されている。すなわちＭ工Ｍ素子の
第２の金属９と透明画素電極１０は同一形状であり、１
回のフォトリソグラフィー技術によりＭＩＭ素子の第２
の金属９と透明画素電極１０を同時にパターニングする
ことが可能となり、歩留りの向上並びにローコスト化で
きる。更にＭ工Ｍ素子の第２の金属９と透明画素電極１
０を連続して形成することが可能となり装置を効率よく
使用できる。更にＭ工Ｍ素子の第２の金属９と透明画素
電極１０の接触面積が従来に比べ大きいためにＭ工Ｍ素
子の第２の金属９と透明画素電極１０の接触不良を無く
すことが可能となり、信頼性を向上させることができる
。又ＭＩＭ素子の第２の金属９は一般にＮｉ０ｒ、Ｏｒ
、Ｔａ等が広く用いられているか膜厚を１００λ以下に
することにより、透過率の低下を１０％以下にすること
が可能となり、全く問題とはならない。
本発明は、従来の表示品質を低下させることなく、ロー
コスト化し、装置の効率、信頼性を向上させる効果があ
る。又、コンピュータの端末装置に応用した場合、小型
、軽蓋化することができ特に有効となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のＭ工Ｍ素子を設置した基板の概略であり
、第２図は第１図の拡大図であり第３図は第２図の線α
における断面図である。 第４図は本発明のＭ工Ｍ素子を設置した基板の一部を拡
大したものであり、第５図は第４図の線すにおける断面
図である。 １．６・・・・・・・・・基　板 ２　、７−・・−・・−Ｍ　Ｉ　Ｍ素子の第１の金属で
あり、同一ラインの配線及び外部ドライ バ回路とも接続をとる端子を兼ね ている。 ３．８・・・・・・・・・ＭＩＭ素子の絶縁体４．９・
・・・・・・・・Ｍ工Ｍ素子の第２の金属５．１０・・
・・・・透明画素電極 具　上 出願人　株式会社睦訪精工舎 代理人　弁理士　最上　務 第３図 第５図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ２枚の基板により液晶物質を挾持してなる電気光学装置
    の少なくともどちらか一方の前記基板に金属−絶縁体−
    金属の構造を有す、る非線型素子（以下Ｍ工Ｖ素子とい
    う）を設置し冬電気光学装置の前記Ｍ工Ｍ素子を設置し
    た基板の構造において、前記Ｍ工Ｍ素子の第２の金−の
    厚さを１００Ｘ以下とし、前記第２の金属と透明電極を
    同一の形状に形成したことを特徴とする電気光学装置。
JP59020485A 1984-02-07 1984-02-07 電気光学装置 Granted JPS60164724A (ja)

Priority Applications (2)

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JP59020485A JPS60164724A (ja) 1984-02-07 1984-02-07 電気光学装置
US07/177,794 US4861141A (en) 1984-02-07 1988-04-06 Electro optical device and method for manufacturing same

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JPS60164724A true JPS60164724A (ja) 1985-08-27
JPH0576613B2 JPH0576613B2 (ja) 1993-10-25

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