JPH0576613B2 - - Google Patents

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JPH0576613B2
JPH0576613B2 JP59020485A JP2048584A JPH0576613B2 JP H0576613 B2 JPH0576613 B2 JP H0576613B2 JP 59020485 A JP59020485 A JP 59020485A JP 2048584 A JP2048584 A JP 2048584A JP H0576613 B2 JPH0576613 B2 JP H0576613B2
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JP
Japan
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mim element
metal
metal layer
transparent electrode
transparent
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Takashi Nakazawa
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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Publication of JPH0576613B2 publication Critical patent/JPH0576613B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、MIM素子を設置した電気光学装置
の構造に関する。
従来のMIM素子を設置した基板の概略を第１
図に示す。１は基板であり、２はMIM素子の第
１の金属であり、同一ラインの配線及び外部ドラ
イバー回路との接続をとる端子を兼ねている。３
はMIM素子の絶縁体であり、MIM素子の第１の
金属２の端子を除いた部分の表面に形成されてい
る。４はMIM素子の第２の金属でありMIM素子
の絶縁体３と交わる様に形成されている。すなわ
ちMIM素子の絶縁体３とMIM素子の第２の金属
４の交わつた部分がMIM素子となる。５は透明
画素電極でありMIM素子と電気的に直列になる
様に形成されている。第２図は第１図の１部の拡
大図である。第３図は第２図の線ａにおける断面
図である。第１図から第３図に示す構造のMIM
素子を配置した基板は、第１の金属２、第２の金
属４、透明画素電極５をそれぞれ所定の形状にパ
ターニングしなければならない。即ちフオトリソ
グラフイー技術を用いた工程が３回必要となり、
歩留りが低下し、コストが上昇するという欠点が
あつた。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、そ
の目的は工程を簡略化した構造のMIM素子を設
置した基板を提供することにある。
以下実施例に基づいて本発明を詳しく説明す
る。
第４図は本発明のMIM素子を設置した基板の
一部を拡大したものであり、第５図は第４図の線
ｂにおける断面図である。６は基板であり、７は
MIM素子の第１の金属であり、同一ラインの配
線及び外部ドライバー回路との接続をとる端子を
兼ねており従来の第１の金属２と同じ形状であ
る。８はMIM素子の絶縁体であり、MIM素子の
第１の金属７の端子を除いた部分の表面に形成さ
れている。９はMIM素子の第２の金属であり、
膜厚は100Å以下である。１０は透明画素電極で
あり、MIM素子の第２の金属９を介してMIM素
子の絶縁体８の上部にも所定の形状に形成されて
いる。すなわちMIM素子の第２の金属９と透明
画素電極１０は同一形状であり、１回のフオトリ
ソグラフイー技術によりMIM素子の第２の金属
９と透明画素電極１０を同時にパターニングする
ことが可能となり、歩留りの向上並びにローコス
ト化できる。更にMIM素子の第２の金属９と透
明画素電極１０ヲ連続して形成することが可能と
なり装置を効率よく使用できる。更にMIM素子
の第２の金属９と透明画素電極１０の接触面積が
従来に比べ大きいためにMIM素子の第２の金属
９と透明画素電極１０の接触不良を無くすことが
可能となり、信頼性を向上させることができる。
又MIM素子の第２の金属９は一般にNiCr，Cr，
Ta等が広く用いられているが膜厚を100Å以下に
することにより、透過率の低下を10％以下にする
ことが可能となり、全く問題とはならない。
以上説明した通り、本発明の電気光学装置は、
一対の基板間に液晶が挾持され、前記一対の基板
のうち一方の基板上には複数本の信号電極、複数
の非線形素子、及び複数の透明電極が形成され、
前記非線形素子は第１金属層−絶縁体−第２金属
層の構造を有し、前記透明電極は前記非線形素子
を介して前記信号電極と電気的に接続されてなる
電気光学装置において、前記透明電極は、前記非
線形素子との接続領域及び画素領域からなり、前
記第２金属層は前記透明電極全体に渡つて前記透
明電極の下層に配置され、かつ前記第２金属層の
膜厚は100Å以下であることという構成を採用し
たことにより、 ａ 基板と透明電極との間には必ず第２金属層が
配置されるため、第２金属層がブロツキングレ
イヤーとして機能する。すなわち、基板中に含
有されるイオン源をブロツクし、液晶がイオン
で汚染されることを防止する。
ｂ 絶縁体層と透明電極との間に第２金属層が配
置されるため、絶縁体層と透明電極とが直接接
続されることがなく、MIM素子の電圧−電流
特性の対称性が確保される。
ｃ フオトリソグラフ工程が簡略化される。
という効果が達成される。
従つて、本発明の電気光学装置によれば、従来
の表示品質を低下させることなく生産コストを下
げることが可能となる。また、工程が簡略化され
るため、信頼性も向上する。
本発明の電気光学装置を表示端末に応用した場
合には、装置を小型・軽量化することができ特に
有効である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のMIM素子を設置した基板の概
略であり、第２図は第１図の拡大図であり第３図
は第２図の線ａにおける断面図である。第４図は
本発明のMIM素子を設置した基板の一部を拡大
したものであり、第５図は第４図の線ｂにおける
断面図である。 １，６……基板、２，７……MIM素子の第１
の金属であり、同一ラインの配線及び外部ドライ
バ回路とも接続をとる端子を兼ねている。３，８
……MIM素子の絶縁体、４，９……MIM素子の
第２の金属、５，１０……透明画素電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 一対の基板間に液晶が挾持され、前記一対の
    基板のうち一方の基板上には複数本の信号電極、
    複数の非線形素子、及び複数の透明電極が形成さ
    れ、前記非線形素子は第１金属層−絶縁体−第２
    金属層の構造を有し、前記透明電極は前記非線形
    素子を介して前記信号電極と電気的に接続されて
    なる電気光学装置において、前記透明電極は、前
    記非線形素子との接続領域及び画素領域からな
    り、前記第２金属層は前記透明電極全体に渡つて
    前記透明電極の下層に配置され、かつ前記第２金
    属層の膜厚は100Å以下であることを特徴とする
    電気光学装置。
JP59020485A 1984-02-07 1984-02-07 電気光学装置 Granted JPS60164724A (ja)

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JP59020485A JPS60164724A (ja) 1984-02-07 1984-02-07 電気光学装置
US07/177,794 US4861141A (en) 1984-02-07 1988-04-06 Electro optical device and method for manufacturing same

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JPS60164724A JPS60164724A (ja) 1985-08-27
JPH0576613B2 true JPH0576613B2 (ja) 1993-10-25

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