JP3213757B2 - 情報転送方法、情報転送装置及び画像読出装置 - Google Patents
情報転送方法、情報転送装置及び画像読出装置Info
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- JP3213757B2 JP3213757B2 JP6236491A JP6236491A JP3213757B2 JP 3213757 B2 JP3213757 B2 JP 3213757B2 JP 6236491 A JP6236491 A JP 6236491A JP 6236491 A JP6236491 A JP 6236491A JP 3213757 B2 JP3213757 B2 JP 3213757B2
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- Japan
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- terminal
- voltage
- mim
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/54—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using elements simulating biological cells, e.g. neuron
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- Semiconductor Memories (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Shift Register Type Memory (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明は、例えばスチルビデオ
等における画像情報の情報転送方法、情報転送装置及び
画像読出装置に関する。
等における画像情報の情報転送方法、情報転送装置及び
画像読出装置に関する。
【０００２】又、本発明は、例えばスチルビデオ装置や
複写機等に応用される情報転送装置に関する。
複写機等に応用される情報転送装置に関する。
【０００３】
【従来の技術】従来、ＬＢ膜（ラングミュアーブロジェ
ット膜）を絶縁層とするスイッチングメモリー機能を有
するＭＩＭ素子（スイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子）に
ついては、特開昭６３−９６９５６号公報にて提案され
ている。
ット膜）を絶縁層とするスイッチングメモリー機能を有
するＭＩＭ素子（スイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子）に
ついては、特開昭６３−９６９５６号公報にて提案され
ている。
【０００４】かかるＬＢ膜を用いたデバイスを、具体的
にどのような形でシステムの中にとり入れていけば従来
の無機半導体を中心に発展してきたエレクトロニクス技
術関連の装置群を凌駕し得るかについては、未だ研究が
始まった段階である。その例としては僅かに、特開昭６
３−１６１５５３号公報に提案されているように、スイ
ッチングメモリー機能を有する有機薄膜を走査型トンネ
ル顕微鏡（ＳＴＭ）装置でアクセスすることによって大
きなメモリー能力を発現することが挙げられる。
にどのような形でシステムの中にとり入れていけば従来
の無機半導体を中心に発展してきたエレクトロニクス技
術関連の装置群を凌駕し得るかについては、未だ研究が
始まった段階である。その例としては僅かに、特開昭６
３−１６１５５３号公報に提案されているように、スイ
ッチングメモリー機能を有する有機薄膜を走査型トンネ
ル顕微鏡（ＳＴＭ）装置でアクセスすることによって大
きなメモリー能力を発現することが挙げられる。
【０００５】かかる有機薄膜の特徴の１つは、無機半導
体に比べて大面積に均一形成できる点であるが、どんな
に大面積の薄膜が形成でき、潜在的に大きなメモリーを
有するものであっても、適当なアクセス手段がなけれ
ば、実際に大きなメモリー能力を発現することはできな
い。
体に比べて大面積に均一形成できる点であるが、どんな
に大面積の薄膜が形成でき、潜在的に大きなメモリーを
有するものであっても、適当なアクセス手段がなけれ
ば、実際に大きなメモリー能力を発現することはできな
い。
【０００６】そこで、アクセス手段として考えられる例
として、マトリクス回路を組んでマトリックスの各交点
をメモリーとして使う例が挙げられる。しかし、かかる
場合においては、メモリー容量は外からの結線数の２乗
程度しか得られない。
として、マトリクス回路を組んでマトリックスの各交点
をメモリーとして使う例が挙げられる。しかし、かかる
場合においては、メモリー容量は外からの結線数の２乗
程度しか得られない。
【０００７】一方、コンデンサーの充放電を１ビットお
きに行うバケット・ブリゲード・デバイス（ＢＢＤと略
す）として知られている電荷転送方式がＳａｎｇｓｔｅ
ｒ，Ｆ．Ｊ，Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｔｅｃｈ．Ｒｅｖｉｅｗ
３１ ９７−１１０（１９７０）で提案されている
が、かかる情報転送方式（方法）では、電源電圧をオフ
状態にした時に、コンデンサーが時間とともに電荷を放
電するため、ＢＢＤ内に長時間情報を記憶しておくこと
ができないという欠点があった。
きに行うバケット・ブリゲード・デバイス（ＢＢＤと略
す）として知られている電荷転送方式がＳａｎｇｓｔｅ
ｒ，Ｆ．Ｊ，Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｔｅｃｈ．Ｒｅｖｉｅｗ
３１ ９７−１１０（１９７０）で提案されている
が、かかる情報転送方式（方法）では、電源電圧をオフ
状態にした時に、コンデンサーが時間とともに電荷を放
電するため、ＢＢＤ内に長時間情報を記憶しておくこと
ができないという欠点があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】 上記従来技術の問題
点に鑑み、本発明の目的とするところは、オフ状態にお
いても半永久的に情報を保存できる情報転送方法，情報
転送装置及び画像読出装置を提供することにある。
点に鑑み、本発明の目的とするところは、オフ状態にお
いても半永久的に情報を保存できる情報転送方法，情報
転送装置及び画像読出装置を提供することにある。
【０００９】また、有機薄膜の大面積に基づく潜在的に
大きなメモリー容量を引出し、大容量で信頼性が高く、
しかも外からの結線数の少ない量産性に優れた新しいタ
イプの情報転送装置を提供することにある。
大きなメモリー容量を引出し、大容量で信頼性が高く、
しかも外からの結線数の少ない量産性に優れた新しいタ
イプの情報転送装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】上記の目的は、
以下の本発明によって達成される。
以下の本発明によって達成される。
【００１１】 第１に、一対の電極間に有機化合物の単
分子膜又はその累積膜から成る絶縁層を挟んで形成さ
れ、導電率の異なる少なくとも２つの状態をスイッチン
グしてとることが可能で、且つ、その状態を記憶するこ
とができる２端子のＭＩＭ素子を用い、整流方向を揃え
て直列に接続された複数の整流素子と、これらの整流素
子の各接続点に一方の端子が接続された複数の前記ＭＩ
Ｍ素子と、前記複数のＭＩＭ素子の内、奇数番目のＭＩ
Ｍ素子から成る第１群の他方の端子を互いに接続して成
る第１の端子と、前記複数のＭＩＭ素子の内、偶数番目
のＭＩＭ素子から成る第２群の他方の端子を互いに接続
して成る第２の端子と、前記複数のＭＩＭ素子の一方の
端子にそれぞれディスコネクト状態をとることができる
スイッチを介して接続された第３の端子とから成る回路
において情報を転送する方法であって、前記スイッチを
接続状態として第３の端子から第２群のＭＩＭ素子に消
去電圧を印加することによって第２群のＭＩＭ素子に記
憶された情報を消去する第１の工程と、前記スイッチを
ディスコネクト状態とし、前記第１の端子および第２の
端子に互いに逆極性の電圧を印加することによって第１
群のＭＩＭ素子に記憶された情報を第２群のＭＩＭ素子
に転送する第２の工程と、前記スイッチを接続状態とし
て第３の端子から第１群のＭＩＭ素子に消去電圧を印加
することによって第１群のＭＩＭ素子に記憶された情報
を消去する第３の工程と、前記スイッチをディスコネク
ト状態とし、前記第１の端子および第２の端子に互いに
逆極性を有し、且つ、それぞれ第２の工程とは極性の逆
転した電圧を印加することによって第２群のＭＩＭ素子
に記憶された情報を第１群のＭＩＭ素子に転送する第４
の工程とから成ることを特徴とする情報転送方法であ
る。
分子膜又はその累積膜から成る絶縁層を挟んで形成さ
れ、導電率の異なる少なくとも２つの状態をスイッチン
グしてとることが可能で、且つ、その状態を記憶するこ
とができる２端子のＭＩＭ素子を用い、整流方向を揃え
て直列に接続された複数の整流素子と、これらの整流素
子の各接続点に一方の端子が接続された複数の前記ＭＩ
Ｍ素子と、前記複数のＭＩＭ素子の内、奇数番目のＭＩ
Ｍ素子から成る第１群の他方の端子を互いに接続して成
る第１の端子と、前記複数のＭＩＭ素子の内、偶数番目
のＭＩＭ素子から成る第２群の他方の端子を互いに接続
して成る第２の端子と、前記複数のＭＩＭ素子の一方の
端子にそれぞれディスコネクト状態をとることができる
スイッチを介して接続された第３の端子とから成る回路
において情報を転送する方法であって、前記スイッチを
接続状態として第３の端子から第２群のＭＩＭ素子に消
去電圧を印加することによって第２群のＭＩＭ素子に記
憶された情報を消去する第１の工程と、前記スイッチを
ディスコネクト状態とし、前記第１の端子および第２の
端子に互いに逆極性の電圧を印加することによって第１
群のＭＩＭ素子に記憶された情報を第２群のＭＩＭ素子
に転送する第２の工程と、前記スイッチを接続状態とし
て第３の端子から第１群のＭＩＭ素子に消去電圧を印加
することによって第１群のＭＩＭ素子に記憶された情報
を消去する第３の工程と、前記スイッチをディスコネク
ト状態とし、前記第１の端子および第２の端子に互いに
逆極性を有し、且つ、それぞれ第２の工程とは極性の逆
転した電圧を印加することによって第２群のＭＩＭ素子
に記憶された情報を第１群のＭＩＭ素子に転送する第４
の工程とから成ることを特徴とする情報転送方法であ
る。
【００１２】 第２に、一対の電極間に有機化合物の単
分子膜又はその累積膜から成る絶縁層を挟んで形成さ
れ、導電率の異なる少なくとも２つの状態をスイッチン
グしてとることが可能で、且つ、その状態を記憶するこ
とができる２端子のＭＩＭ素子を用い、整流方向を揃え
て直列に接続された複数の整流素子と、これらの整流素
子の各接続点に一方の端子が接続された複数の前記ＭＩ
Ｍ素子と、前記複数のＭＩＭ素子の内、奇数番目のＭＩ
Ｍ素子から成る第１群の他方の端子を互いに接続して成
る第１の端子と、前記第１の端子に所定のタイミングで
極性の反転する電圧を印加する第１の電圧印加手段と、
前記複数のＭＩＭ素子の内、偶数番目のＭＩＭ素子から
成る第２群の他方の端子を互いに接続して成る第２の端
子と、前記第２の端子に所定のタイミングで極性が反転
し、且つ、第１の電圧印加手段から第１の端子へ印加さ
れる電圧とは逆極性の電圧を印加する第２の電圧印加手
段と、前記全てのＭＩＭ素子の一方の端子にそれぞれデ
ィスコネクト状態をとることができるスイッチを介して
接続された第３の端子と、前記第３の端子に消去電圧を
印加する第３の電圧印加手段とから成ることを特徴とす
る情報転送装置である。
分子膜又はその累積膜から成る絶縁層を挟んで形成さ
れ、導電率の異なる少なくとも２つの状態をスイッチン
グしてとることが可能で、且つ、その状態を記憶するこ
とができる２端子のＭＩＭ素子を用い、整流方向を揃え
て直列に接続された複数の整流素子と、これらの整流素
子の各接続点に一方の端子が接続された複数の前記ＭＩ
Ｍ素子と、前記複数のＭＩＭ素子の内、奇数番目のＭＩ
Ｍ素子から成る第１群の他方の端子を互いに接続して成
る第１の端子と、前記第１の端子に所定のタイミングで
極性の反転する電圧を印加する第１の電圧印加手段と、
前記複数のＭＩＭ素子の内、偶数番目のＭＩＭ素子から
成る第２群の他方の端子を互いに接続して成る第２の端
子と、前記第２の端子に所定のタイミングで極性が反転
し、且つ、第１の電圧印加手段から第１の端子へ印加さ
れる電圧とは逆極性の電圧を印加する第２の電圧印加手
段と、前記全てのＭＩＭ素子の一方の端子にそれぞれデ
ィスコネクト状態をとることができるスイッチを介して
接続された第３の端子と、前記第３の端子に消去電圧を
印加する第３の電圧印加手段とから成ることを特徴とす
る情報転送装置である。
【００１３】 第３に、一対の電極間に有機化合物の単
分子膜又はその累積膜から成る絶縁層を挟んで形成さ
れ、導電率の異なる少なくとも２つの状態をスイッチン
グしてとることが可能で、且つ、その状態を記憶するこ
とができる２端子のＭＩＭ素子を用い、整流方向を揃え
て直列に接続された複数の整流素子と、これらの整流素
子の各接続点に一方の端子が接続された複数の前記ＭＩ
Ｍ素子と、前記複数のＭＩＭ素子の内、奇数番目のＭＩ
Ｍ素子から成る第１群の他方の端子を互いに接続して成
る第１の端子と、前記第１の端子に所定のタイミングで
極性の反転する電圧を印加する第１の電圧印加手段と、
前記複数のＭＩＭ素子の内、偶数番目のＭＩＭ素子から
成る第２群の他方の端子を互いに接続して成る第２の端
子と、前記第２の端子に所定のタイミングで極性が反転
し、且つ、第１の電圧印加手段から第１の端子へ印加さ
れる電圧とは逆極性の電圧を印加する第２の電圧印加手
段と、前記全てのＭＩＭ素子の一方の端子にそれぞれデ
ィスコネクト状態をとることができるスイッチを介して
接続された第３の端子と、前記第３の端子に消去電圧を
印加する第３の電圧印加手段と、整流素子を介して前記
第２群のＭＩＭ素子と並列に接続された光導電性素子
と、整流素子を介して前記第１群のＭＩＭ素子と並列に
接続された抵抗器と、画像情報を有する情報保持体に対
して前記光導電性素子を移動させる手段と、前記情報保
持体を照明する光源とから成り、前記光源から発し前記
情報保持体で反射された光を光導電性素子に入射させる
ことによって画像情報を入力し、該入力された画像情報
を複数のＭＩＭ素子間で転送して、転送された画像情報
を前記抵抗器の両端の電圧をモニターすることによって
読み出すことを特徴とする画像読出装置である。
分子膜又はその累積膜から成る絶縁層を挟んで形成さ
れ、導電率の異なる少なくとも２つの状態をスイッチン
グしてとることが可能で、且つ、その状態を記憶するこ
とができる２端子のＭＩＭ素子を用い、整流方向を揃え
て直列に接続された複数の整流素子と、これらの整流素
子の各接続点に一方の端子が接続された複数の前記ＭＩ
Ｍ素子と、前記複数のＭＩＭ素子の内、奇数番目のＭＩ
Ｍ素子から成る第１群の他方の端子を互いに接続して成
る第１の端子と、前記第１の端子に所定のタイミングで
極性の反転する電圧を印加する第１の電圧印加手段と、
前記複数のＭＩＭ素子の内、偶数番目のＭＩＭ素子から
成る第２群の他方の端子を互いに接続して成る第２の端
子と、前記第２の端子に所定のタイミングで極性が反転
し、且つ、第１の電圧印加手段から第１の端子へ印加さ
れる電圧とは逆極性の電圧を印加する第２の電圧印加手
段と、前記全てのＭＩＭ素子の一方の端子にそれぞれデ
ィスコネクト状態をとることができるスイッチを介して
接続された第３の端子と、前記第３の端子に消去電圧を
印加する第３の電圧印加手段と、整流素子を介して前記
第２群のＭＩＭ素子と並列に接続された光導電性素子
と、整流素子を介して前記第１群のＭＩＭ素子と並列に
接続された抵抗器と、画像情報を有する情報保持体に対
して前記光導電性素子を移動させる手段と、前記情報保
持体を照明する光源とから成り、前記光源から発し前記
情報保持体で反射された光を光導電性素子に入射させる
ことによって画像情報を入力し、該入力された画像情報
を複数のＭＩＭ素子間で転送して、転送された画像情報
を前記抵抗器の両端の電圧をモニターすることによって
読み出すことを特徴とする画像読出装置である。
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】すなわち、本発明によれば、有機化合物の
単分子膜又はその累積膜を絶縁層とするスイッチングメ
モリー機能を有するＭＩＭ素子（スイッチング性ＬＢ−
ＭＩＭ素子）を用いて、前方の情報を１ビットおきまた
は１ラインおきまたは１画面おきに、順次、後方に転送
記憶することにより、電源電圧をオフ状態にしてもスイ
ッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子内に情報が半永久的に保存
されるようにしたものである。
単分子膜又はその累積膜を絶縁層とするスイッチングメ
モリー機能を有するＭＩＭ素子（スイッチング性ＬＢ−
ＭＩＭ素子）を用いて、前方の情報を１ビットおきまた
は１ラインおきまたは１画面おきに、順次、後方に転送
記憶することにより、電源電圧をオフ状態にしてもスイ
ッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子内に情報が半永久的に保存
されるようにしたものである。
【００１９】更に、本発明によれば、上記のスイッチン
グメモリー機能を有するＭＩＭ素子（スイッチング性Ｌ
Ｂ−ＭＩＭ素子）と入力情報によって電気抵抗が変化す
る素子を直列接続した回路に電圧を印加することによっ
て、入力情報をスイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子に転送
し、記憶させ、電源電圧をオフ状態にしても記憶情報が
半永久的に保存され得るものである。尚、本発明で言う
入力情報とは、前述したように温度、湿度、光等を指
す。
グメモリー機能を有するＭＩＭ素子（スイッチング性Ｌ
Ｂ−ＭＩＭ素子）と入力情報によって電気抵抗が変化す
る素子を直列接続した回路に電圧を印加することによっ
て、入力情報をスイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子に転送
し、記憶させ、電源電圧をオフ状態にしても記憶情報が
半永久的に保存され得るものである。尚、本発明で言う
入力情報とは、前述したように温度、湿度、光等を指
す。
【００２０】本発明で言うスイッチングメモリー機能と
は、有機単分子膜、その累積膜等の薄膜を一対の電極間
に配置させた状態で、それぞれ異なる２つ以上の導電率
を示す状態へ遷移させることが可能な閾値を越えた電圧
を印加することにより、可逆的に低抵抗状態および高抵
抗状態へ遷移（スイッチング）させることができ、しか
もそれぞれの状態は電圧の印加を止めても保持（メモリ
ー）しておくことができる機能を指す。
は、有機単分子膜、その累積膜等の薄膜を一対の電極間
に配置させた状態で、それぞれ異なる２つ以上の導電率
を示す状態へ遷移させることが可能な閾値を越えた電圧
を印加することにより、可逆的に低抵抗状態および高抵
抗状態へ遷移（スイッチング）させることができ、しか
もそれぞれの状態は電圧の印加を止めても保持（メモリ
ー）しておくことができる機能を指す。
【００２１】かかる本発明に於いて、適用可能な有機化
合物としては、π電子共役系を持つ群を有する有機材料
が挙げられ、本発明に好適なπ電子共役系を有する色素
の構造として例えば、フタロシアニン、テトラフェニル
ポルフィリン等のポルフィリン骨格を有する色素、スク
アリリウム基およびクロコニックメチン基を結合鎖とし
て持つアズレン系色素およびキノリン、ベンゾチアゾー
ル、ベンゾオキサゾール等の２個の含窒素複素環をスク
アリリウム基およびクロコニックメチン基により結合し
たシアニン系類似の色素、またはシアニン色素、アント
ラセンおよびピレン等の縮合多環芳香族、および芳香環
および複素環化合物が重合した鎖状化合物およびジアセ
チレン基の重合体、さらにはテトラシアノキノジメタン
またはテトラチアフルバレンの誘導体およびその類縁体
およびその電荷移動錯体、またさらにはフェロセン、ト
リスビピリジンルテニウム錯体等の金属錯体化合物が挙
げられる。
合物としては、π電子共役系を持つ群を有する有機材料
が挙げられ、本発明に好適なπ電子共役系を有する色素
の構造として例えば、フタロシアニン、テトラフェニル
ポルフィリン等のポルフィリン骨格を有する色素、スク
アリリウム基およびクロコニックメチン基を結合鎖とし
て持つアズレン系色素およびキノリン、ベンゾチアゾー
ル、ベンゾオキサゾール等の２個の含窒素複素環をスク
アリリウム基およびクロコニックメチン基により結合し
たシアニン系類似の色素、またはシアニン色素、アント
ラセンおよびピレン等の縮合多環芳香族、および芳香環
および複素環化合物が重合した鎖状化合物およびジアセ
チレン基の重合体、さらにはテトラシアノキノジメタン
またはテトラチアフルバレンの誘導体およびその類縁体
およびその電荷移動錯体、またさらにはフェロセン、ト
リスビピリジンルテニウム錯体等の金属錯体化合物が挙
げられる。
【００２２】本発明に好適な高分子材料としては、例え
ばポリアクリル酸誘導体等の付加重合体、ポリイミド等
の縮合重合体、ナイロン等の開環重合体等の生体高分子
が挙げられる。
ばポリアクリル酸誘導体等の付加重合体、ポリイミド等
の縮合重合体、ナイロン等の開環重合体等の生体高分子
が挙げられる。
【００２３】前記絶縁層の形成に関しては、具体的には
蒸着法やクラスターイオンビーム法等の適用も可能であ
るが、制御性、容易性そして再現性からラングミュアー
ブロジェット（ＬＢ）法が極めて好適である。このＬＢ
法によれば、１分子中に疎水性部位と親水性部位とを有
する有機化合物の単分子膜またはその累積膜を基板上に
容易に形成することができ、分子オーダーの厚みを有
し、かつ大面積にわたって均一、均質な有機超薄膜を安
定に供給することができる。
蒸着法やクラスターイオンビーム法等の適用も可能であ
るが、制御性、容易性そして再現性からラングミュアー
ブロジェット（ＬＢ）法が極めて好適である。このＬＢ
法によれば、１分子中に疎水性部位と親水性部位とを有
する有機化合物の単分子膜またはその累積膜を基板上に
容易に形成することができ、分子オーダーの厚みを有
し、かつ大面積にわたって均一、均質な有機超薄膜を安
定に供給することができる。
【００２４】かかるＬＢ法は、分子内に親水性部位と疎
水性部位とを有する構造の分子において、両者のバラン
ス（両親媒性のバランス）が適度に保たれているとき、
分子は水面上で親水性基を下に向けて単分子の層になる
ことを利用して単分子膜またはその累積膜を形成する方
法である。
水性部位とを有する構造の分子において、両者のバラン
ス（両親媒性のバランス）が適度に保たれているとき、
分子は水面上で親水性基を下に向けて単分子の層になる
ことを利用して単分子膜またはその累積膜を形成する方
法である。
【００２５】疎水性部位を構成する基としては、一般に
広く知られている飽和および不飽和炭化水素基や縮合多
環芳香族基および鎖状多環フェニル基等の各種疎水基が
挙げられる。これらは各々単独またはその複数が組み合
わされて疎水性部位を構成する。
広く知られている飽和および不飽和炭化水素基や縮合多
環芳香族基および鎖状多環フェニル基等の各種疎水基が
挙げられる。これらは各々単独またはその複数が組み合
わされて疎水性部位を構成する。
【００２６】一方、親水性部位の構成要素として最も代
表的なものは、例えばカルボキシル基、エステル基、酸
アミド基、イミド基、ヒドロキシル基、さらにはアミノ
基（１，２，３級および４級）等の親水性基等が挙げら
れる。
表的なものは、例えばカルボキシル基、エステル基、酸
アミド基、イミド基、ヒドロキシル基、さらにはアミノ
基（１，２，３級および４級）等の親水性基等が挙げら
れる。
【００２７】これらの疎水性基と親水性基をバランス良
く併有した有機分子であれば、水面上で単分子膜を形成
することが可能であり、本発明に対して極めて好適な材
料となる。
く併有した有機分子であれば、水面上で単分子膜を形成
することが可能であり、本発明に対して極めて好適な材
料となる。
【００２８】これらπ電子共役系を有する化合物のスイ
ッチングメモリー特性は、数十ｎｍ以下の膜厚のもので
観察されるが、成膜性、均一性の観点から５〜３００オ
ングストロームの厚さにするのが好ましい。
ッチングメモリー特性は、数十ｎｍ以下の膜厚のもので
観察されるが、成膜性、均一性の観点から５〜３００オ
ングストロームの厚さにするのが好ましい。
【００２９】また、ＭＩＭ素子を構成する電極材料とし
て、直接その上に単分子膜又はその累積膜が形成される
電極（通常は、支持基板上に堆積される電極）が絶縁性
の酸化物を形成しないＡｕ，Ｐｔ，Ｐｄなどの貴金属や
ＩＴＯなどの導電性酸化物で形成されるのが好ましい。
て、直接その上に単分子膜又はその累積膜が形成される
電極（通常は、支持基板上に堆積される電極）が絶縁性
の酸化物を形成しないＡｕ，Ｐｔ，Ｐｄなどの貴金属や
ＩＴＯなどの導電性酸化物で形成されるのが好ましい。
【００３０】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を具体的に説明
する。
する。
【００３１】 （実施例１） 図１は、本発明である情報転送方法の特徴を最も良く表
わす図面であり、特に、同種のスイッチング性ＬＢ−Ｍ
ＩＭ素子であるａ素子及びｂ素子を、…ａｂａｂａｂ…
の順に１列（または複数列）並べた電気回路において、
先ず、ｂ素子のメモリーを消去して、ａ素子から隣
り合う後方のｂ素子へと情報転送を行い、続いて、ａ
素子のメモリーを消去して、ｂ素子から隣り合う後方
のａ素子へと情報転送を行う、ことを特徴とする情報転
送方法である。
わす図面であり、特に、同種のスイッチング性ＬＢ−Ｍ
ＩＭ素子であるａ素子及びｂ素子を、…ａｂａｂａｂ…
の順に１列（または複数列）並べた電気回路において、
先ず、ｂ素子のメモリーを消去して、ａ素子から隣
り合う後方のｂ素子へと情報転送を行い、続いて、ａ
素子のメモリーを消去して、ｂ素子から隣り合う後方
のａ素子へと情報転送を行う、ことを特徴とする情報転
送方法である。
【００３２】ここで、ａ素子及びｂ素子としては、図６
中、１１に示されるようなＡｌ（上部電極）１４／ＳＯ
ＡＺ（スクアリリウム系色素）層ＬＢ膜１５／Ａｕ（下
部電極）１６の構成をもつスイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ
素子を使った。
中、１１に示されるようなＡｌ（上部電極）１４／ＳＯ
ＡＺ（スクアリリウム系色素）層ＬＢ膜１５／Ａｕ（下
部電極）１６の構成をもつスイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ
素子を使った。
【００３３】かかるＭＩＭ素子を、次のようにして作製
した。先ず、ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）の飽和
蒸気中に一昼夜放置して疎水処理したガラス基板１７
（コーニング社製＃７５０９）上に下引き層としてＣｒ
を真空蒸着法により厚さ５００オングストローム堆積さ
せ、更にＡｕを同法により蒸着（膜厚１０００オングス
トローム）し、巾１ｍｍのストライプ状の下部電極１６
を形成した。かかる基板を担体としてＬＢ法によりスク
アリリウム・ビス−６−オクチル・アズレン（ＳＯＡ
Ｚ）の単分子膜の累積を行った。累積方法の詳細を記
す。
した。先ず、ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）の飽和
蒸気中に一昼夜放置して疎水処理したガラス基板１７
（コーニング社製＃７５０９）上に下引き層としてＣｒ
を真空蒸着法により厚さ５００オングストローム堆積さ
せ、更にＡｕを同法により蒸着（膜厚１０００オングス
トローム）し、巾１ｍｍのストライプ状の下部電極１６
を形成した。かかる基板を担体としてＬＢ法によりスク
アリリウム・ビス−６−オクチル・アズレン（ＳＯＡ
Ｚ）の単分子膜の累積を行った。累積方法の詳細を記
す。
【００３４】ＳＯＡＺを濃度０．２ｍｇ／ｍｌで溶かし
たクロロホルム溶液を、水温２０℃の水相上に展開し、
水面上に単分子膜を形成した。溶媒の蒸発除去を待っ
て、かかる単分子膜の表面圧を２０ｍＮ／ｍまで高め、
更にこれを一定に保ちながら前記基板を水面を横切る方
向に速度１０ｍｍ／分で静かに浸漬した後、続いて５ｍ
ｍ／分で静かに引き上げ２層のＹ型単分子膜の累積を行
った。以下、これを繰り返えし１２層の累積を行い、絶
縁層（ＬＢ膜）１５を形成した。
たクロロホルム溶液を、水温２０℃の水相上に展開し、
水面上に単分子膜を形成した。溶媒の蒸発除去を待っ
て、かかる単分子膜の表面圧を２０ｍＮ／ｍまで高め、
更にこれを一定に保ちながら前記基板を水面を横切る方
向に速度１０ｍｍ／分で静かに浸漬した後、続いて５ｍ
ｍ／分で静かに引き上げ２層のＹ型単分子膜の累積を行
った。以下、これを繰り返えし１２層の累積を行い、絶
縁層（ＬＢ膜）１５を形成した。
【００３５】次に、かかる膜面上に下部電極１６と直交
するように幅１ｍｍのストライプ状のＡｌ（膜厚１５０
０オングストローム）を、基板温度を室温以下に保持し
真空蒸着し、上部電極１４とした。
するように幅１ｍｍのストライプ状のＡｌ（膜厚１５０
０オングストローム）を、基板温度を室温以下に保持し
真空蒸着し、上部電極１４とした。
【００３６】図２に、この素子のスイッチングメモリー
特性（Ｉ−Ｖ特性）を示す。スイッチング性ＬＢ−ＭＩ
Ｍ素子は、一般的には、ＯＦＦ状態［ＯＦＦ（Ｂ）状
態］，ＭＩＤ状態［ＯＦＦ（Ａ）状態］及びＯＮ状態の
導電率の異なる３状態をとるが、ここでは特に、ＯＦＦ
（Ｂ）状態とＯＦＦ（Ａ）状態間のスイッチングメモリ
ー機能を用いることを特徴とする。もちろん、本発明は
これに限定されるものではなく、例えばＯＦＦ（Ｂ）状
態とＯＮ状態間のスイッチングメモリー機能を用いても
構わない。
特性（Ｉ−Ｖ特性）を示す。スイッチング性ＬＢ−ＭＩ
Ｍ素子は、一般的には、ＯＦＦ状態［ＯＦＦ（Ｂ）状
態］，ＭＩＤ状態［ＯＦＦ（Ａ）状態］及びＯＮ状態の
導電率の異なる３状態をとるが、ここでは特に、ＯＦＦ
（Ｂ）状態とＯＦＦ（Ａ）状態間のスイッチングメモリ
ー機能を用いることを特徴とする。もちろん、本発明は
これに限定されるものではなく、例えばＯＦＦ（Ｂ）状
態とＯＮ状態間のスイッチングメモリー機能を用いても
構わない。
【００３７】図２に示す如く、かかるＭＩＭ素子１１
は、ＯＦＦ（Ａ）状態とＯＦＦ（Ｂ）状態を有するスイ
ッチングメモリー特性を有し、特に、印加電圧２Ｖ付近
について言うと、ＯＦＦ（Ａ）状態（状態“１”）はＫ
Ωオーダーの抵抗値であり、ＯＦＦ（Ｂ）状態（状態
“０”）はＭΩオーダーの抵抗値である。
は、ＯＦＦ（Ａ）状態とＯＦＦ（Ｂ）状態を有するスイ
ッチングメモリー特性を有し、特に、印加電圧２Ｖ付近
について言うと、ＯＦＦ（Ａ）状態（状態“１”）はＫ
Ωオーダーの抵抗値であり、ＯＦＦ（Ｂ）状態（状態
“０”）はＭΩオーダーの抵抗値である。
【００３８】また、状態“１”から状態“０”へのスイ
ッチングは、５Ｖ以上の駆形パルスの印加によって行わ
れ、状態“０”から状態“１”へのスイッチングは、約
３Ｖの駆形パルスの印加によって行われる。
ッチングは、５Ｖ以上の駆形パルスの印加によって行わ
れ、状態“０”から状態“１”へのスイッチングは、約
３Ｖの駆形パルスの印加によって行われる。
【００３９】すなわち、図１において、ａ素子からｂ素
子への情報転送は、特に、ａ素子がＯＦＦ（Ａ）状態な
らばｂ素子もＯＦＦ（Ａ）状態となり、ａ素子がＯＦＦ
（Ｂ）状態ならばｂ素子もＯＦＦ（Ｂ）状態となるよう
にスイッチングすることによって行われる。
子への情報転送は、特に、ａ素子がＯＦＦ（Ａ）状態な
らばｂ素子もＯＦＦ（Ａ）状態となり、ａ素子がＯＦＦ
（Ｂ）状態ならばｂ素子もＯＦＦ（Ｂ）状態となるよう
にスイッチングすることによって行われる。
【００４０】 （実施例２） 図３（ａ）は、本発明である情報転送装置の実施例を示
す図であり、整流性を有する素子５１〜５６を、整流方
向を揃えて直列接続した回路を一列（または複数列）用
い、各接続点Ａにスイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子６１
〜６６を有する２端子回路の一方の端子を接続したこ
と、及び、他方の素子の奇数番目を接続して第１の端子
１とし、偶数番目を接続して第２の端子２としたこと、
及び、前記接続点Ａに対して、ディスコネクト状態をと
ることが可能な電圧印加手段を有することを特徴とする
情報転送装置である。
す図であり、整流性を有する素子５１〜５６を、整流方
向を揃えて直列接続した回路を一列（または複数列）用
い、各接続点Ａにスイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子６１
〜６６を有する２端子回路の一方の端子を接続したこ
と、及び、他方の素子の奇数番目を接続して第１の端子
１とし、偶数番目を接続して第２の端子２としたこと、
及び、前記接続点Ａに対して、ディスコネクト状態をと
ることが可能な電圧印加手段を有することを特徴とする
情報転送装置である。
【００４１】図３（ａ）において、４がディスコネクト
状態を可能とするスイッチで、ここでは特にフォトカッ
プラースイッチを用いたが、例えば、通常の電磁式のリ
レーを使用しても構わない。また、３は接点Ａに電圧を
印加するための端子である。
状態を可能とするスイッチで、ここでは特にフォトカッ
プラースイッチを用いたが、例えば、通常の電磁式のリ
レーを使用しても構わない。また、３は接点Ａに電圧を
印加するための端子である。
【００４２】さて、図３（ａ）中、第１の端子１と第２
の端子２に互いに異なる極性を有する電圧を印加する
と、整流性を有する素子の働きにより、図４（ａ），
（ｂ）に示す如く整流性と逆方向の電圧を印加した部分
は分断された状態となり、整流性と順方向の電圧を印加
された部分だけが接続され、すなわち、（＋）スイッチ
ング性ＬＢ−ＭＩＭ素子／整流性を有する素子／（−）
スイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子なるスイッチング性Ｌ
Ｂ−ＭＩＭ素子が２個づつペアになった回路が形成さ
れ、該ペアの前方の素子から後方の素子へと情報が転送
される。ただし、情報が正しく転送されるためには、情
報転送に先立って、３及び４よりなるディスコネクト状
態をとることが可能な電圧印加手段と第１の端子１と第
２の端子２を使って、情報転送先のスイッチング性ＬＢ
−ＭＩＭ素子をオフ状態（第一の状態またはＯＦＦ
（Ｂ）状態）とすると同時に、情報転送源のスイッチン
グ性ＬＢ−ＭＩＭ素子の情報を保持することが必要とな
る。
の端子２に互いに異なる極性を有する電圧を印加する
と、整流性を有する素子の働きにより、図４（ａ），
（ｂ）に示す如く整流性と逆方向の電圧を印加した部分
は分断された状態となり、整流性と順方向の電圧を印加
された部分だけが接続され、すなわち、（＋）スイッチ
ング性ＬＢ−ＭＩＭ素子／整流性を有する素子／（−）
スイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子なるスイッチング性Ｌ
Ｂ−ＭＩＭ素子が２個づつペアになった回路が形成さ
れ、該ペアの前方の素子から後方の素子へと情報が転送
される。ただし、情報が正しく転送されるためには、情
報転送に先立って、３及び４よりなるディスコネクト状
態をとることが可能な電圧印加手段と第１の端子１と第
２の端子２を使って、情報転送先のスイッチング性ＬＢ
−ＭＩＭ素子をオフ状態（第一の状態またはＯＦＦ
（Ｂ）状態）とすると同時に、情報転送源のスイッチン
グ性ＬＢ−ＭＩＭ素子の情報を保持することが必要とな
る。
【００４３】図５（ａ）〜（ｄ）は、図２に示した特性
を有するａ素子とｂ素子を直列接続して電圧を印加した
時の演算機能と情報転送機能を説明する図であり、
（ａ）は回路図、（ｂ）は真理表、（ｃ）はＯＦＦ
（Ａ）状態（状態“１”）とＯＦＦ（Ｂ）状態（状態
“０”）の素子を直列接続した回路に電圧を印加すると
電圧が大部分ＯＦＦ（Ｂ）状態に印加されることを示す
図、（ｄ）はＯＦＦ（Ｂ）状態（状態“０”）とＯＦＦ
（Ｂ）状態（状態“０”）の素子を直列接続した回路に
電圧を印加するとそれぞれには印加電圧（Ｖ）の半分の
電圧（Ｖ／２）しか印加されないことを示す図である。
を有するａ素子とｂ素子を直列接続して電圧を印加した
時の演算機能と情報転送機能を説明する図であり、
（ａ）は回路図、（ｂ）は真理表、（ｃ）はＯＦＦ
（Ａ）状態（状態“１”）とＯＦＦ（Ｂ）状態（状態
“０”）の素子を直列接続した回路に電圧を印加すると
電圧が大部分ＯＦＦ（Ｂ）状態に印加されることを示す
図、（ｄ）はＯＦＦ（Ｂ）状態（状態“０”）とＯＦＦ
（Ｂ）状態（状態“０”）の素子を直列接続した回路に
電圧を印加するとそれぞれには印加電圧（Ｖ）の半分の
電圧（Ｖ／２）しか印加されないことを示す図である。
【００４４】また、図２に示した特性のＯＦＦ（Ａ）状
態からＯＦＦ（Ｂ）状態へとスイッチングさせるために
は、約５Ｖ以上の電圧を印加して印加電圧を急激に遮断
すればよく、逆にＯＦＦ（Ｂ）状態からＯＦＦ（Ａ）状
態へのスイッチングは、約３Ｖ電圧を印加することによ
って行われる。
態からＯＦＦ（Ｂ）状態へとスイッチングさせるために
は、約５Ｖ以上の電圧を印加して印加電圧を急激に遮断
すればよく、逆にＯＦＦ（Ｂ）状態からＯＦＦ（Ａ）状
態へのスイッチングは、約３Ｖ電圧を印加することによ
って行われる。
【００４５】従って、図５（ａ）の回路に、ピーク電圧
が約３Ｖ程度のパルスを印加することにより、図５
（ｂ）に示すようなａ＋ｂ（ＯＲ）機能を有する演算処
理が可能となる。ゆえに、ｂ素子側を常にＯＦＦ（Ｂ）
状態（状態“０”）となるようにリセットして使うこと
によって、ａ素子の情報をｂ素子へ転送できる。
が約３Ｖ程度のパルスを印加することにより、図５
（ｂ）に示すようなａ＋ｂ（ＯＲ）機能を有する演算処
理が可能となる。ゆえに、ｂ素子側を常にＯＦＦ（Ｂ）
状態（状態“０”）となるようにリセットして使うこと
によって、ａ素子の情報をｂ素子へ転送できる。
【００４６】 （実施例３） 図３（ｂ）は、本発明の情報転送装置の実施例における
情報転送方法を示す図である。
情報転送方法を示す図である。
【００４７】 図示するように、第１の期間７１と第２
の期間７２を有し、第１の期間には、情報転送先のスイ
ッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子をオフ状態（第一の状態ま
たはＯＦＦ（Ｂ）状態）とすると同時に、情報転送源の
スイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子の情報を保持するため
の電圧を印加し、第２の期間には、情報転送用の電圧を
印加することを特徴とする情報転送方法である。
の期間７２を有し、第１の期間には、情報転送先のスイ
ッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子をオフ状態（第一の状態ま
たはＯＦＦ（Ｂ）状態）とすると同時に、情報転送源の
スイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子の情報を保持するため
の電圧を印加し、第２の期間には、情報転送用の電圧を
印加することを特徴とする情報転送方法である。
【００４８】 特にここでは、スイッチング性ＬＢ−Ｍ
ＩＭ素子のＯＦＦ（Ｂ）状態とＯＦＦ（Ａ）状態間のス
イッチングメモリー機能を用いることを特徴とする。図
３（ｂ）は、Ｖ 1 ，Ｖ 2 ，Ｖ 3 の電圧がそれぞれ端子１，
２，３に印加される際の電圧波形のタイムチャートであ
り、１Ｈ＝８０ｍｓｅｃ，１Ｆ＝２Ｈが繰り返し（１サ
イクル）単位であり、１Ｆ分の波形を繰り返し印加する
ことにより、図３（ａ）に示した情報転送装置内の情報
が徐々に転送されていく。
ＩＭ素子のＯＦＦ（Ｂ）状態とＯＦＦ（Ａ）状態間のス
イッチングメモリー機能を用いることを特徴とする。図
３（ｂ）は、Ｖ 1 ，Ｖ 2 ，Ｖ 3 の電圧がそれぞれ端子１，
２，３に印加される際の電圧波形のタイムチャートであ
り、１Ｈ＝８０ｍｓｅｃ，１Ｆ＝２Ｈが繰り返し（１サ
イクル）単位であり、１Ｆ分の波形を繰り返し印加する
ことにより、図３（ａ）に示した情報転送装置内の情報
が徐々に転送されていく。
【００４９】 ここでは、特に第１の期間のＶ 1 とＶ 2 の
ピーク電圧を−４〜＋４Ｖ及び＋４〜−４Ｖとし、Ｖ 3
のピーク電圧を−４Ｖとした。また、第２の期間のＶ 1
とＶ 2 のピーク電圧を＋１．８〜−１．８Ｖ及び−１．
８〜＋１．８Ｖとし、Ｖ 3 はスイッチ４によるディスコ
ネクトによりフロートとした。また、特に、ダイオード
５１〜５６としては、順方向の保持電圧が０．７Ｖのシ
リコンダイオードを用いた。従って、最初の１Ｈ期間内
の第１の期間には、６１，６２，６３の素子に印加され
る電圧（Ｖ3−Ｖ1）は０Ｖとなり情報が保持され、６
２，６４，６６の素子に印加される電圧（Ｖ3−Ｖ1）は
８（＝４＋４）Ｖとなり、パルス状の立ち下がりのため
にＯＦＦ（Ｂ）状態にリセットされる。また、最初の１
Ｈ期間内の第２の期間には、図４（ａ）のような回路状
態となり、素子６２，６４，６５には、もし、情報転送
源の６１，６３，６６がＯＦＦ（Ａ）状態ならば、約Ｖ
1 ＋Ｖ 2 −ＶF＝３．１Ｖなるピーク電圧を有するパルス
電圧が印加され、６２，６４，６５もＯＦＦ（Ａ）状態
となる。逆に、もし、情報転送源の６１，６３，６６が
ＯＦＦ（Ｂ）状態ならば、約（Ｖ 1 ＋Ｖ 2 −ＶF）／２の
値がほぼ１．５Ｖなるピーク電圧を有する三角波が印加
され、スイッチング閾値以下なのでＯＦＦ（Ｂ）状態の
ままとなる。すなわち、６１→６２，６３→６４，６５
→６６間で情報が転送記憶される。
ピーク電圧を−４〜＋４Ｖ及び＋４〜−４Ｖとし、Ｖ 3
のピーク電圧を−４Ｖとした。また、第２の期間のＶ 1
とＶ 2 のピーク電圧を＋１．８〜−１．８Ｖ及び−１．
８〜＋１．８Ｖとし、Ｖ 3 はスイッチ４によるディスコ
ネクトによりフロートとした。また、特に、ダイオード
５１〜５６としては、順方向の保持電圧が０．７Ｖのシ
リコンダイオードを用いた。従って、最初の１Ｈ期間内
の第１の期間には、６１，６２，６３の素子に印加され
る電圧（Ｖ3−Ｖ1）は０Ｖとなり情報が保持され、６
２，６４，６６の素子に印加される電圧（Ｖ3−Ｖ1）は
８（＝４＋４）Ｖとなり、パルス状の立ち下がりのため
にＯＦＦ（Ｂ）状態にリセットされる。また、最初の１
Ｈ期間内の第２の期間には、図４（ａ）のような回路状
態となり、素子６２，６４，６５には、もし、情報転送
源の６１，６３，６６がＯＦＦ（Ａ）状態ならば、約Ｖ
1 ＋Ｖ 2 −ＶF＝３．１Ｖなるピーク電圧を有するパルス
電圧が印加され、６２，６４，６５もＯＦＦ（Ａ）状態
となる。逆に、もし、情報転送源の６１，６３，６６が
ＯＦＦ（Ｂ）状態ならば、約（Ｖ 1 ＋Ｖ 2 −ＶF）／２の
値がほぼ１．５Ｖなるピーク電圧を有する三角波が印加
され、スイッチング閾値以下なのでＯＦＦ（Ｂ）状態の
ままとなる。すなわち、６１→６２，６３→６４，６５
→６６間で情報が転送記憶される。
【００５０】また、次の１Ｈも同様にして、６２→６
３，６４→６５間の情報が転送記憶され、以下、繰り返
しパルスによって情報の転送及び記憶が次々に行われ
る。
３，６４→６５間の情報が転送記憶され、以下、繰り返
しパルスによって情報の転送及び記憶が次々に行われ
る。
【００５１】 （実施例４） 図６は、本発明の情報転送装置の別の態様を示す概略構
成図であり、１１は実施例１で用いたＭＩＭ素子（スイ
ッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子）であり、１２は温度によ
って電気抵抗が変化する素子であり、１３は電圧印加手
段である。
成図であり、１１は実施例１で用いたＭＩＭ素子（スイ
ッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子）であり、１２は温度によ
って電気抵抗が変化する素子であり、１３は電圧印加手
段である。
【００５２】ここで、素子１２としては、特にＶＢａＰ
混合酸化物の弱還元性雰囲気焼結体を利用したＣＴＲ型
の感温半導体を使った。かかる温度によって電気抵抗が
変化する素子１２は、温度が１００℃の高温状態（状態
“１”）において約５０Ωの低抵抗値を示し、温度が０
℃の低温状態（状態“０”）で約１ＭΩの高抵抗値を有
した。
混合酸化物の弱還元性雰囲気焼結体を利用したＣＴＲ型
の感温半導体を使った。かかる温度によって電気抵抗が
変化する素子１２は、温度が１００℃の高温状態（状態
“１”）において約５０Ωの低抵抗値を示し、温度が０
℃の低温状態（状態“０”）で約１ＭΩの高抵抗値を有
した。
【００５３】従って、図６において、スイッチング性Ｌ
Ｂ−ＭＩＭ素子１１をＯＦＦ（Ｂ）状態（状態“０”）
にリセットした状態で、電圧印加手段１３を用いパルス
幅１ｓｅｃ，ピーク電圧３Ｖの駆動パルスを印加するこ
とによって、素子１２が高温状態（状態“１”）である
ときには、印加電圧の大部分がＭＩＭ素子１１に印加さ
れるために、かかるＭＩＭ素子１１をＯＦＦ（Ａ）状態
（状態“１”）とすることができ、素子１２が低温状態
（状態“０”）であるときには、印加電圧は抵抗分割さ
れてＭＩＭ素子１１に印加されるために、かかるＭＩＭ
素子１１をＯＦＦ（Ｂ）状態（状態“０”）のまま保持
できる。
Ｂ−ＭＩＭ素子１１をＯＦＦ（Ｂ）状態（状態“０”）
にリセットした状態で、電圧印加手段１３を用いパルス
幅１ｓｅｃ，ピーク電圧３Ｖの駆動パルスを印加するこ
とによって、素子１２が高温状態（状態“１”）である
ときには、印加電圧の大部分がＭＩＭ素子１１に印加さ
れるために、かかるＭＩＭ素子１１をＯＦＦ（Ａ）状態
（状態“１”）とすることができ、素子１２が低温状態
（状態“０”）であるときには、印加電圧は抵抗分割さ
れてＭＩＭ素子１１に印加されるために、かかるＭＩＭ
素子１１をＯＦＦ（Ｂ）状態（状態“０”）のまま保持
できる。
【００５４】すなわち、温度によって抵抗が変化する素
子１２が有する温度情報を、スイッチング性ＬＢ−ＭＩ
Ｍ素子１１に転送記憶することができた。
子１２が有する温度情報を、スイッチング性ＬＢ−ＭＩ
Ｍ素子１１に転送記憶することができた。
【００５５】 （実施例５） 図７は、本発明の別の実施例を示す図である。本実施例
においては、特に、ダイオード素子２１〜２７を先頭か
ら後尾へ整流方向を揃えて直列接続した回路の各接続点
Ａにスイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子３２〜３７を配置
し、前記回路の先頭に温度によって抵抗が変化する素子
３１を配置し、前記回路の後尾に抵抗器３８を配置した
回路（Ｂ）を用いる情報転送装置を特徴とする。
においては、特に、ダイオード素子２１〜２７を先頭か
ら後尾へ整流方向を揃えて直列接続した回路の各接続点
Ａにスイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子３２〜３７を配置
し、前記回路の先頭に温度によって抵抗が変化する素子
３１を配置し、前記回路の後尾に抵抗器３８を配置した
回路（Ｂ）を用いる情報転送装置を特徴とする。
【００５６】かかる回路（Ｂ）を用いることにより、素
子３１が検知する温度情報を、次々にダイオードの整流
方向に転送し記憶すると同時に、後方の抵抗器３８両端
の電圧をモニターすることによって、転送記憶された情
報を読み出すことが可能となった。以下、詳細な説明を
行う。
子３１が検知する温度情報を、次々にダイオードの整流
方向に転送し記憶すると同時に、後方の抵抗器３８両端
の電圧をモニターすることによって、転送記憶された情
報を読み出すことが可能となった。以下、詳細な説明を
行う。
【００５７】 図７において、４１及び４２は、主に情
報転送用の電圧印加手段Ｖ 1 とＶ 2 であり、４３は、主に
３２〜３７のうちで情報転送先となる素子を、ＯＦＦ
（Ｂ）状態（状態“０”）とするための電圧印加手段Ｖ
3であり、４４は、情報転送時に電圧印加手段４３が接
続点Ａに対してディスコネクト状態となるようにするた
めのリレースイッチである。
報転送用の電圧印加手段Ｖ 1 とＶ 2 であり、４３は、主に
３２〜３７のうちで情報転送先となる素子を、ＯＦＦ
（Ｂ）状態（状態“０”）とするための電圧印加手段Ｖ
3であり、４４は、情報転送時に電圧印加手段４３が接
続点Ａに対してディスコネクト状態となるようにするた
めのリレースイッチである。
【００５８】 かかる装置において、図７の電源Ｖ1，
Ｖ2，Ｖ3として例えば図８に示した如く、第１の期間７
１と第２の期間７２を有し、Ｖ 1 とＶ 2 で互いに極性が異
なること及び第１の区間電圧の絶対値がＶ 1 ，Ｖ 2 ，Ｖ 3
で等しいことを特徴とする電圧を繰り返し印加すること
によって、情報の転送記録が行われる。
Ｖ2，Ｖ3として例えば図８に示した如く、第１の期間７
１と第２の期間７２を有し、Ｖ 1 とＶ 2 で互いに極性が異
なること及び第１の区間電圧の絶対値がＶ 1 ，Ｖ 2 ，Ｖ 3
で等しいことを特徴とする電圧を繰り返し印加すること
によって、情報の転送記録が行われる。
【００５９】尚、ここでは、特に素子３１の低温状態の
抵抗と、スイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子２１〜２７の
ＯＦＦ（Ｂ）の抵抗と、回路末端の抵抗器３８の抵抗が
ＭΩオーダーで全て等しく、また、ダイオード２１〜２
７としてはシリコンダイオード，順方向の保持電圧ＶF
は０．７Ｖ，逆方向はＭΩよりも十分抵抗の高いものを
使用した。
抵抗と、スイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子２１〜２７の
ＯＦＦ（Ｂ）の抵抗と、回路末端の抵抗器３８の抵抗が
ＭΩオーダーで全て等しく、また、ダイオード２１〜２
７としてはシリコンダイオード，順方向の保持電圧ＶF
は０．７Ｖ，逆方向はＭΩよりも十分抵抗の高いものを
使用した。
【００６０】このとき、第１の区間のピーク電圧を±４
Ｖとしスイッチ４４を接続状態にすると、ダイオード２
１〜２７は１つおきにＶ1−Ｖ2＝＋８Ｖの電圧が印加さ
れ、その他の素子には電圧がかからない状態が実現す
る。この際、＋８Ｖの電圧がかかったスイッチング性Ｌ
Ｂ−ＭＩＭ素子は、ＯＦＦ（Ｂ）状態へとリセットさ
れ、情報転送先としての用意が調う。一方、電圧が印加
されなかった素子は、情報を保持し続け、情報転送源と
なる。
Ｖとしスイッチ４４を接続状態にすると、ダイオード２
１〜２７は１つおきにＶ1−Ｖ2＝＋８Ｖの電圧が印加さ
れ、その他の素子には電圧がかからない状態が実現す
る。この際、＋８Ｖの電圧がかかったスイッチング性Ｌ
Ｂ−ＭＩＭ素子は、ＯＦＦ（Ｂ）状態へとリセットさ
れ、情報転送先としての用意が調う。一方、電圧が印加
されなかった素子は、情報を保持し続け、情報転送源と
なる。
【００６１】次に、第２の区間のＶ1，Ｖ2のピーク電圧
を±１．９Ｖとして、リレースイッチ４４を使ってＶ3
をディスコネクト状態にすることによって、情報転送源
のＬＢ−ＭＩＭ素子と順方向のダイオードと情報転送先
ＬＢ−ＭＩＭ素子（または、末端の抵抗器）の間に独立
性の高い回路が形成され、ダイオードの保持電圧Ｖ
F（＝０．７Ｖ）を除いた３．１（＝３．８−０．７）
Ｖの電圧がＬＢ−ＭＩＭの直列回路に印加されるため
に、実施例４と同様な原理で情報転送及び記録（末端の
抵抗器を除く）が行われる。従って、Ｖ1とＶ2の極性を
交互に変えながら、上述のような波形を繰り返し印加す
ることによって、先頭部の素子３１で検知した温度情報
を、次々に後方に転送記録することができ、末端の抵抗
結合器を使って、外部に出すこともできる。ただし、こ
こで第１の期間と第２の期間からなる１Ｈは、３ｓｅｃ
とした。
を±１．９Ｖとして、リレースイッチ４４を使ってＶ3
をディスコネクト状態にすることによって、情報転送源
のＬＢ−ＭＩＭ素子と順方向のダイオードと情報転送先
ＬＢ−ＭＩＭ素子（または、末端の抵抗器）の間に独立
性の高い回路が形成され、ダイオードの保持電圧Ｖ
F（＝０．７Ｖ）を除いた３．１（＝３．８−０．７）
Ｖの電圧がＬＢ−ＭＩＭの直列回路に印加されるため
に、実施例４と同様な原理で情報転送及び記録（末端の
抵抗器を除く）が行われる。従って、Ｖ1とＶ2の極性を
交互に変えながら、上述のような波形を繰り返し印加す
ることによって、先頭部の素子３１で検知した温度情報
を、次々に後方に転送記録することができ、末端の抵抗
結合器を使って、外部に出すこともできる。ただし、こ
こで第１の期間と第２の期間からなる１Ｈは、３ｓｅｃ
とした。
【００６２】 （実施例６） 図９に本発明の別の態様の装置を示す。
【００６３】入力情報によって電気抵抗が変化する素子
１２として、光導電性素子を用いた以外は、図６に示さ
れた装置と同じである。
１２として、光導電性素子を用いた以外は、図６に示さ
れた装置と同じである。
【００６４】ここで、光導電性素子１２としては、Ｃｄ
ｓの光導電効果を利用し、光が照射されない時の暗状態
における抵抗（暗抵抗）が約１ＭΩ、光が照射された時
の明状態に対する抵抗（明抵抗）が約１ＫΩであるもの
を用いた。
ｓの光導電効果を利用し、光が照射されない時の暗状態
における抵抗（暗抵抗）が約１ＭΩ、光が照射された時
の明状態に対する抵抗（明抵抗）が約１ＫΩであるもの
を用いた。
【００６５】このとき、図９において、スイッチング性
ＬＢ−ＭＩＭ素子１１をＯＦＦ（Ｂ）状態（状態
“０”）にリセットした状態で、電圧印加手段１３によ
り、パルス幅１ｓｅｃ，ピーク電圧３Ｖの駆形パルスを
印加することによって、光導電性素子１２が明状態（状
態“１”）であるときには、印加電圧の大部分がＭＩＭ
素子１１に印加されるため、ＭＩＭ素子１１をＯＦＦ
（Ａ）状態（状態“１”）とすることができ、光導電性
素子１２が暗状態（状態“０”）であるときには、印加
電圧は抵抗分割（あるいは容量分割）されてＭＩＭ素子
１１に印加されるため、ＭＩＭ素子１１をＯＦＦ（Ｂ）
状態（状態“０”）のまま保持できる。
ＬＢ−ＭＩＭ素子１１をＯＦＦ（Ｂ）状態（状態
“０”）にリセットした状態で、電圧印加手段１３によ
り、パルス幅１ｓｅｃ，ピーク電圧３Ｖの駆形パルスを
印加することによって、光導電性素子１２が明状態（状
態“１”）であるときには、印加電圧の大部分がＭＩＭ
素子１１に印加されるため、ＭＩＭ素子１１をＯＦＦ
（Ａ）状態（状態“１”）とすることができ、光導電性
素子１２が暗状態（状態“０”）であるときには、印加
電圧は抵抗分割（あるいは容量分割）されてＭＩＭ素子
１１に印加されるため、ＭＩＭ素子１１をＯＦＦ（Ｂ）
状態（状態“０”）のまま保持できる。
【００６６】すなわち、光導電性素子１２が有する光照
射の有無に関する情報をスイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素
子に転送記憶することができた。
射の有無に関する情報をスイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素
子に転送記憶することができた。
【００６７】 （実施例７） 実施例５において、温度によって抵抗が変化する素子３
１に代えて、実施例６の光導電性素子を用いたことを除
き、実施例５と同様な装置構成とした。
１に代えて、実施例６の光導電性素子を用いたことを除
き、実施例５と同様な装置構成とした。
【００６８】かかる回路（Ｂ）を用いることにより、光
導電性素子が検知する明状態と暗状態の情報を、次々に
ダイオードの整流方向に転送し記憶すると同時に、後方
の抵抗器３８両端の電圧をモニターすることによって、
転送記憶された情報を読み出すことが可能となった。
導電性素子が検知する明状態と暗状態の情報を、次々に
ダイオードの整流方向に転送し記憶すると同時に、後方
の抵抗器３８両端の電圧をモニターすることによって、
転送記憶された情報を読み出すことが可能となった。
【００６９】 （実施例８） 図１０は、本発明の一実施例であり、実施例７で述べた
回路（Ｂ）を複数個用いることを特徴とする。
回路（Ｂ）を複数個用いることを特徴とする。
【００７０】ここでは、特に光導電性素子をライン状に
配置することで、ラインセンサー，ラインシフトレジス
ター，外部読み取り用のインターフェイス、といった多
機能を有する情報転送装置が実現された。
配置することで、ラインセンサー，ラインシフトレジス
ター，外部読み取り用のインターフェイス、といった多
機能を有する情報転送装置が実現された。
【００７１】また、もちろん、本発明はライン配置に限
定されることなく、例えば面状に光導電性素子を配置し
た回路（Ｂ）を複数個、バルク状またはバンドル型に構
成することによって、エリアセンサー，エリアシフトレ
ジスター，外部読み取り用のインターフェイスを兼ね備
えた情報装置が実現される。
定されることなく、例えば面状に光導電性素子を配置し
た回路（Ｂ）を複数個、バルク状またはバンドル型に構
成することによって、エリアセンサー，エリアシフトレ
ジスター，外部読み取り用のインターフェイスを兼ね備
えた情報装置が実現される。
【００７２】 （実施例９） 図１１は、本発明の画像
読出装置の一実施例を示す模式図である。本実施例は、
移動量検出装置８３と線状光源８６及び該線状光源８６
の光を反射させて光導電性素子に入力させる光学系を有
することを特徴とする。
読出装置の一実施例を示す模式図である。本実施例は、
移動量検出装置８３と線状光源８６及び該線状光源８６
の光を反射させて光導電性素子に入力させる光学系を有
することを特徴とする。
【００７３】 本装置を画像情報を有する情報保持体で
ある紙面８１上で不図示の移動手段によって移動させ、
移動量検出装置８３によって検出された適当な移動量に
対して、実施例５で詳しく述べた１Ｈ分の情報転送操作
を行うことによって、紙面８１上の画像情報を次々に転
送記憶し、必要に応じて画像情報を読み出すことができ
る。
ある紙面８１上で不図示の移動手段によって移動させ、
移動量検出装置８３によって検出された適当な移動量に
対して、実施例５で詳しく述べた１Ｈ分の情報転送操作
を行うことによって、紙面８１上の画像情報を次々に転
送記憶し、必要に応じて画像情報を読み出すことができ
る。
【００７４】 ここで、かかる装置について詳述する
と、図１１において、１００は実施例８で説明した光導
電性素子をライン状に配置した回路（Ｂ）を複数個有す
る構成をなし、ここでは電源Ｖ 3 に対するディスコネク
トスイッチを特に薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を用い
て形成し、電源Ｖ 4 によってＴＦＴ部の開閉を制御する
ことを特徴とする。また、９１は金属電極９２，９３に
挟持されたＣｄｓ薄膜であり、９１〜９３によって光導
電性素子が構成され、紙面に垂直な方向にライン状に配
置されることで光ラインセンサーを形成している。
と、図１１において、１００は実施例８で説明した光導
電性素子をライン状に配置した回路（Ｂ）を複数個有す
る構成をなし、ここでは電源Ｖ 3 に対するディスコネク
トスイッチを特に薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を用い
て形成し、電源Ｖ 4 によってＴＦＴ部の開閉を制御する
ことを特徴とする。また、９１は金属電極９２，９３に
挟持されたＣｄｓ薄膜であり、９１〜９３によって光導
電性素子が構成され、紙面に垂直な方向にライン状に配
置されることで光ラインセンサーを形成している。
【００７５】また、１０５は実施例６で示したＬＢ膜１
５と同様なＬＢ膜であり、金属電極１０４及び１０６に
挟持されて複数のスイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子を構
成している。
５と同様なＬＢ膜であり、金属電極１０４及び１０６に
挟持されて複数のスイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子を構
成している。
【００７６】また、９４は９５及び９６を電極とする情
報読み出し用の炭素抵抗であり、９７，９８はこれに接
続された読み出し用端子であり、同様の端子が紙面に垂
直にライン状に形成されている。一方、８７は線状光源
８６に対する反射板であり、入射光路８８にしたがって
紙面に光源を照射し、反射光路８９にしたがって紙面の
明暗に対応した反射光を９１〜９３からなるラインセン
サー部に入力させる光学系の一部である。
報読み出し用の炭素抵抗であり、９７，９８はこれに接
続された読み出し用端子であり、同様の端子が紙面に垂
直にライン状に形成されている。一方、８７は線状光源
８６に対する反射板であり、入射光路８８にしたがって
紙面に光源を照射し、反射光路８９にしたがって紙面の
明暗に対応した反射光を９１〜９３からなるラインセン
サー部に入力させる光学系の一部である。
【００７７】 また、移動量検出装置８３については、
回転部分を有し、該回転部が回転することによって紙面
上での移動量を検出するものを用いた。また、８２は紙
面上でのスムーズな移動を実現させるための回転体であ
る。また、８５は制御装置であり、点線で示した如く、
８３で読み取った移動量に応じて、Ｖ 1 〜Ｖ 4 の電圧を制
御し、紙面８１上の画像を有効に情報転送装置１００の
中に転送し記憶させるための制御を行う。
回転部分を有し、該回転部が回転することによって紙面
上での移動量を検出するものを用いた。また、８２は紙
面上でのスムーズな移動を実現させるための回転体であ
る。また、８５は制御装置であり、点線で示した如く、
８３で読み取った移動量に応じて、Ｖ 1 〜Ｖ 4 の電圧を制
御し、紙面８１上の画像を有効に情報転送装置１００の
中に転送し記憶させるための制御を行う。
【００７８】 （実施例１０） 図１２に、本発明の別の態様の装置を示す。入力情報に
よって電気抵抗が変化する素子として、湿度によって電
気抵抗が変化する素子を用いた以外は、図６（実施例
４）に示された装置と同じである。
よって電気抵抗が変化する素子として、湿度によって電
気抵抗が変化する素子を用いた以外は、図６（実施例
４）に示された装置と同じである。
【００７９】ここで、素子１２としては、特に、α−Ｆ
ｅ2Ｏ3にＫ2ＣＯ3を１３モル％添加した粉体を高純度ア
ルミナるつぼに入れて、１３００℃で２時間仮焼成後、
焼成粉を１μｍ以下としたものを有機バインダを加えて
ペースト化し、くし形電極１８を設けたアルミナ基板１
９に塗布，焼付けされたものを使った。
ｅ2Ｏ3にＫ2ＣＯ3を１３モル％添加した粉体を高純度ア
ルミナるつぼに入れて、１３００℃で２時間仮焼成後、
焼成粉を１μｍ以下としたものを有機バインダを加えて
ペースト化し、くし形電極１８を設けたアルミナ基板１
９に塗布，焼付けされたものを使った。
【００８０】湿度によって電気抵抗が変化する素子１２
は、湿度が５０％の高湿度状態（状態“１”）において
約１ＫΩの低抵抗値を示し、湿度が１０％の低湿度状態
（状態“０”）で約１ＭΩの高抵抗値を有した。従っ
て、図１２において、スイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子
１１をＯＦＦ（Ｂ）状態（状態“０”）にリセットした
状態で、電圧印加手段１３を用いパルス幅１ｓｅｃ，ピ
ーク電圧３Ｖの駆動パルスを印加することによって、素
子１２が高湿度状態（状態“１”）であるときには、印
加電圧の大部分がＭＩＭ素子１１に印加されるために、
かかるＭＩＭ素子１１をＯＦＦ（Ａ）状態（状態
“１”）とすることができ、素子１２が低湿度状態（状
態“０”）であるときには、印加電圧は抵抗分割されて
ＭＩＭ素子１１に印加されるために、かかるＭＩＭ素子
１１をＯＦＦ（Ｂ）状態（状態“０”）のまま保持でき
る。
は、湿度が５０％の高湿度状態（状態“１”）において
約１ＫΩの低抵抗値を示し、湿度が１０％の低湿度状態
（状態“０”）で約１ＭΩの高抵抗値を有した。従っ
て、図１２において、スイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子
１１をＯＦＦ（Ｂ）状態（状態“０”）にリセットした
状態で、電圧印加手段１３を用いパルス幅１ｓｅｃ，ピ
ーク電圧３Ｖの駆動パルスを印加することによって、素
子１２が高湿度状態（状態“１”）であるときには、印
加電圧の大部分がＭＩＭ素子１１に印加されるために、
かかるＭＩＭ素子１１をＯＦＦ（Ａ）状態（状態
“１”）とすることができ、素子１２が低湿度状態（状
態“０”）であるときには、印加電圧は抵抗分割されて
ＭＩＭ素子１１に印加されるために、かかるＭＩＭ素子
１１をＯＦＦ（Ｂ）状態（状態“０”）のまま保持でき
る。
【００８１】すなわち、湿度によって抵抗が変化する素
子１２が有する湿度情報を、スイッチング性ＬＢ−ＭＩ
Ｍ素子１１に転送記憶することができた。
子１２が有する湿度情報を、スイッチング性ＬＢ−ＭＩ
Ｍ素子１１に転送記憶することができた。
【００８２】 （実施例１１） 実施例５において、温度によって抵抗が変化する素子に
代えて、実施例１０の湿度によって抵抗が変化する素子
を用いた以外は、実施例５と同様な装置構成とした。
代えて、実施例１０の湿度によって抵抗が変化する素子
を用いた以外は、実施例５と同様な装置構成とした。
【００８３】かかる回路（Ｂ）を用いることにより、素
子３１が検知する湿度情報を、次々にダイオードの整流
方向に転送し記憶すると同時に、後方の抵抗器３８両端
の電圧をモニターすることによって、転送記憶された情
報を読出すことが可能となった。
子３１が検知する湿度情報を、次々にダイオードの整流
方向に転送し記憶すると同時に、後方の抵抗器３８両端
の電圧をモニターすることによって、転送記憶された情
報を読出すことが可能となった。
【００８４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の情報転送方
法等によれば、電源電圧をオフ状態にしても、スイッチ
ング性ＬＢ−ＭＩＭ素子内に情報が半永久的に保存され
るようになり、電源を再びオン状態にすることによっ
て、保存された状態を再び任意に転送できるようになっ
た。
法等によれば、電源電圧をオフ状態にしても、スイッチ
ング性ＬＢ−ＭＩＭ素子内に情報が半永久的に保存され
るようになり、電源を再びオン状態にすることによっ
て、保存された状態を再び任意に転送できるようになっ
た。
【００８５】また、本発明の情報転送装置によれば、温
度，光，湿度等の入力情報によって抵抗が変化する素子
の入力情報を、スイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子に転送
し記憶させることによって、電源電圧をオフ状態にして
も情報が半永久的に保存される、情報転送装置の実現が
可能となった。
度，光，湿度等の入力情報によって抵抗が変化する素子
の入力情報を、スイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子に転送
し記憶させることによって、電源電圧をオフ状態にして
も情報が半永久的に保存される、情報転送装置の実現が
可能となった。
【図１】図１は、本発明の情報転送方法の実施例を示す
図である。
図である。
【図２】図２は、スイッチングメモリー性ＭＩＭ素子の
特性（Ｉ−Ｖ特性）を示すグラフである。
特性（Ｉ−Ｖ特性）を示すグラフである。
【図３】 図３中（ａ）は、本発明の情報転送装置の実
施例を示す回路図であり、（ｂ）は、本発明の情報転送
装置における情報転送方法の実施例を示す図である。
施例を示す回路図であり、（ｂ）は、本発明の情報転送
装置における情報転送方法の実施例を示す図である。
【図４】図４は、情報転送装置の原理説明図である。
【図５】図５は、情報転送の原理説明図である。
【図６】図６は、本発明の別の態様の装置の基本構成を
示す図である。
示す図である。
【図７】図７は、本発明の実施例を示す構成図である。
【図８】図８は、実施例で用いた電圧Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3の
印加状態を説明するための図である。
印加状態を説明するための図である。
【図９】図９は、本発明の別の態様の装置の基本構成を
示す図である。
示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の別の態様を示す構成図で
ある。
ある。
【図１１】 図１１は、本発明の画像読出装置の一態様
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図１２】図１２は、本発明の別の態様の装置の基本構
成を示す図である。
成を示す図である。
１ 端子 ２ 端子 ３ 端子 ４ リレースイッチ １１ スイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子 １２ 入力情報により電気抵抗が変化する素子 １３ 電圧印加手段 １４ 上部電極 １５ 絶縁層 １６ 下部電極 １８ くし形電極 １９ アルミナ基板 ２１〜２７ ダイオード ３１ 入力情報により電気抵抗が変化する素子 ３２〜３７ スイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子 ３８ 抵抗器 ４１ 電圧印加手段 ４２ 電圧印加手段 ４３ 電圧印加手段 ４４ リレースイッチ ５１〜５６ 整流性を有する素子 ６１〜６６ スイッチング性ＬＢ−ＭＩＭ素子 ７１ 第１の期間 ７２ 第２の期間 ８１ 紙面 ８２ 回転体 ８３ 移動量検出装置 ８５ 制御装置 ８６ 線状光源 ８７ 反射板 ８８ 入射光路 ８９ 反射光路 ９１ Ｃｄｓ薄膜 ９２ 金属電極 ９３ 金属電極 ９４ 炭素抵抗 ９５ 電極 ９６ 電極 ９７ 端子 ９８ 端子 １００ 情報転送装置 １０５ ＬＢ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平2−87398 (32)優先日 平成２年４月３日(1990．4．3) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 河出 一佐哲 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 江口 健 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−96956（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−245578（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−259478（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−262362（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11C 27/04 H01L 27/10 H01L 49/00
Claims (9)
- 【請求項１】 一対の電極間に有機化合物の単分子膜又
はその累積膜から成る絶縁層を挟んで形成され、導電率
の異なる少なくとも２つの状態をスイッチングしてとる
ことが可能で、且つ、その状態を記憶することができる
２端子のＭＩＭ素子を用い、 整流方向を揃えて直列に接続された複数の整流素子と、 これらの整流素子の各接続点に一方の端子が接続された
複数の前記ＭＩＭ素子と、 前記複数のＭＩＭ素子の内、奇数番目のＭＩＭ素子から
成る第１群の他方の端子を互いに接続して成る第１の端
子と、 前記複数のＭＩＭ素子の内、偶数番目のＭＩＭ素子から
成る第２群の他方の端子を互いに接続して成る第２の端
子と、 前記複数のＭＩＭ素子の一方の端子にそれぞれディスコ
ネクト状態をとることができるスイッチを介して接続さ
れた第３の端子とから成る回路において情報を転送する
方法であって、 前記スイッチを接続状態として第３の端子から第２群の
ＭＩＭ素子に消去電圧を印加することによって第２群の
ＭＩＭ素子に記憶された情報を消去する第１の工程と、 前記スイッチをディスコネクト状態とし、前記第１の端
子および第２の端子に互いに逆極性の電圧を印加するこ
とによって第１群のＭＩＭ素子に記憶された情報を第２
群のＭＩＭ素子に転送する第２の工程と、 前記スイッチを接続状態として第３の端子から第１群の
ＭＩＭ素子に消去電圧を印加することによって第１群の
ＭＩＭ素子に記憶された情報を消去する第３の工程と、 前記スイッチをディスコネクト状態とし、前記第１の端
子および第２の端子に互いに逆極性を有し、且つ、それ
ぞれ第２の工程とは極性の逆転した電圧を印加すること
によって第２群のＭＩＭ素子に記憶された情報を第１群
のＭＩＭ素子に転送する第４の工程とから成ること を特
徴とする情報転送方法。 - 【請求項２】 前記第１の工程においては、第３の端子
から全てのＭＩＭ素 子に消去電圧を印加すると共に、第
１の端子から第１群のＭＩＭ素子に消去電圧と同極性の
電圧を印加し、且つ、第２の端子から第２群のＭＩＭ素
子に消去電圧と逆極性の電圧を印加し、前記第３の工程
においては、第３の端子から全てのＭＩＭ素子に消去電
圧を印加すると共に、第２の端子から第２群のＭＩＭ素
子に消去電圧と同極性の電圧を印加し、且つ、第１の端
子から第１群のＭＩＭ素子に消去電圧と逆極性の電圧を
印加する請求項１記載の情報転送方法。 - 【請求項３】 一対の電極間に有機化合物の単分子膜又
はその累積膜から成る絶縁層を挟んで形成され、導電率
の異なる少なくとも２つの状態をスイッチングしてとる
ことが可能で、且つ、その状態を記憶することができる
２端子のＭＩＭ素子を用い、 整流方向を揃えて直列に接続された複数の整流素子と、 これらの整流素子の各接続点に一方の端子が接続された
複数の前記ＭＩＭ素子と、 前記複数のＭＩＭ素子の内、奇数番目のＭＩＭ素子から
成る第１群の他方の端子を互いに接続して成る第１の端
子と、 前記第１の端子に所定のタイミングで極性の反転する電
圧を印加する第１の電圧印加手段と、 前記複数のＭＩＭ素子の内、偶数番目のＭＩＭ素子から
成る第２群の他方の端子を互いに接続して成る第２の端
子と、 前記第２の端子に所定のタイミングで極性が反転し、且
つ、第１の電圧印加手段から第１の端子へ印加される電
圧とは逆極性の電圧を印加する第２の電圧印加手段と、 前記全てのＭＩＭ素子の一方の端子にそれぞれディスコ
ネクト状態をとることができるスイッチを介して接続さ
れた第３の端子と、 前記第３の端子に消去電圧を印加する第３の電圧印加手
段とから成ることを特徴とする情報転送装置。 - 【請求項４】 更に、入力情報によって電気抵抗が変化
する抵抗変化素子を、整流素子を介して前記第２群のＭ
ＩＭ素子と並列に接続して成る請求項３記載の情報転送
装置。 - 【請求項５】 前記抵抗変化素子が、光導電性素子、温
度によって電気抵抗が変化する素子および湿度によって
電気抵抗が変化する素子のいずれかから成る請求項４記
載の情報転送装置。 - 【請求項６】 更に、抵抗器を整流素子を介して前記第
１群のＭＩＭ素子と並列に接続し、該抵抗器の両端の電
圧をモニターすることによって転送された情報を読み出
す請求項４又は５に記載の情報転送装置。 - 【請求項７】 前記直列に接続された複数の整流素子
と、これらの整流素子の各接続点に一方の端子が接続さ
れた複数の前記ＭＩＭ素子と、前記第１、第２及び第３
の端子とから成る回路が複数個、前記第１、第２及び第
３の電圧印加手段に対して並列に接続されて成る請求項
３乃至６のいずれか一項に記載の情報転送装置。 - 【請求項８】 一対の電極間に有機化合物の単分子膜又
はその累積膜から成る絶縁層を挟んで形成され、導電率
の異なる少なくとも２つの状態をスイッチングしてとる
ことが可能で、且つ、その状態を記憶することができる
２端子のＭＩＭ素子を用い、 整流方向を揃えて直列に接続された複数の整流素子と、 これらの整流素子の各接続点に一方の端子が接続された
複数の前記ＭＩＭ素子と、 前記複数のＭＩＭ素子の内、奇数番目のＭＩＭ素子から
成る第１群の他方の端子を互いに接続して成る第１の端
子と、 前記第１の端子に所定のタイミングで極性の反転する電
圧を印加する第１の電圧印加手段と、 前記複数のＭＩＭ素子の内、偶数番目のＭＩＭ素子から
成る第２群の他方の端子を互いに接続して成る第２の端
子と、 前記第２の端子に所定のタイミングで極性が反転し、且
つ、第１の電圧印加手段から第１の端子へ印加される電
圧とは逆極性の電圧を印加する第２の電圧印加手段と、 前記全てのＭＩＭ素子の一方の端子にそれぞれディスコ
ネクト状態をとることができるスイッチを介して接続さ
れた第３の端子と、 前記第３の端子に消去電圧を印加する第３の電圧印加手
段と、 整流素子を介して前記第２群のＭＩＭ素子と並列に接続
された光導電性素子と、 整流素子を介して前記第１群のＭＩＭ素子と並列に接続
された抵抗器と、 画像情報を有する情報保持体に対して前記光導電性素子
を移動させる手段と、 前記情報保持体を照明する光源とから成り、 前記光源から発し前記情報保持体で反射された光を光導
電性素子に入射させることによって画像情報を入力し、
該入力された画像情報を複数のＭＩＭ素子間で転送し
て、転送された画像情報を前記抵抗器の両端の電圧をモ
ニターすることによって読み出すことを特徴とする画像
読出装置。 - 【請求項９】 前記直列に接続された複数の整流素子
と、これらの整流素子の各接続点に一方の端子が接続さ
れた複数の前記ＭＩＭ素子と、前記第１、第２及び第３
の端子と、光導電性素子と、抵抗器とから成る回路が複
数個、前記第１、第２及び第３の電圧印加手段に対して
並列に接続されて成る請求項８記載の画像読出装置。
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