JP2675803B2 - スイッチング素子 - Google Patents
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Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は光線（可視光、紫外線、赤外線など）照射に
よって電気回路をスイツチオフ状態からオン状態乃至ス
イツチオン状態からオフ状態にスイツチングする光スイ
ツチ素子に関するものである。
よって電気回路をスイツチオフ状態からオン状態乃至ス
イツチオン状態からオフ状態にスイツチングする光スイ
ツチ素子に関するものである。
従来、光或いは光パルスを照射することにより電気回
路をスイツチオフの状態からスイツチオンの状態にスイ
ツチする光電気変換デバイスとしては、CdSやZnO等の光
導電体にオーミツク接触な電極を設けた光導電セルやｐ
−ｎ−ｐ−ｎ接合の光スイツチダイオード等が広く使用
されてきた。しかしながら、前者はスイツチング速度が
約100msec遅い事が欠点である。一方半導体のｐ−ｎ接
合部に光照射を行って生じた光起電力を利用してon−of
f動作を行わせるのがｐ−ｎ−ｐ−ｎ光スイツチダイオ
ードであり、スイツチング速度は0.05〜0.10μsecであ
る。
路をスイツチオフの状態からスイツチオンの状態にスイ
ツチする光電気変換デバイスとしては、CdSやZnO等の光
導電体にオーミツク接触な電極を設けた光導電セルやｐ
−ｎ−ｐ−ｎ接合の光スイツチダイオード等が広く使用
されてきた。しかしながら、前者はスイツチング速度が
約100msec遅い事が欠点である。一方半導体のｐ−ｎ接
合部に光照射を行って生じた光起電力を利用してon−of
f動作を行わせるのがｐ−ｎ−ｐ−ｎ光スイツチダイオ
ードであり、スイツチング速度は0.05〜0.10μsecであ
る。
但し一度on状態になると光照射を中止しても自己保持
作用に依って電流は流れ続ける。off状態に戻すには外
部条件を変えて回路電流を減少させてやる必要がある。
作用に依って電流は流れ続ける。off状態に戻すには外
部条件を変えて回路電流を減少させてやる必要がある。
以上とは別に異種の半導体を層状に交互積層し、長周
期構造を持たせた半導体ヘテロ構造超格子構造を有する
光スイツチング素子が最近試作されている。（D.A.B.Mi
llers,IEEE Journal of Quantum Electronics,1985年QE
−21巻1462頁）。係る光スイツチ素子に於いては光照射
−非照射に応じて電気回路を高速スイツチングすること
が可能である。しかし、上述半導体ヘテロ構造超格子を
形成する為の材料はGaAsやSi等の無機材料に限定されて
おり、又その作成も複雑なプロセスを必要とするもの
で、有機材料を利用した光スイツチング素子の例は未だ
報告されていない。
期構造を持たせた半導体ヘテロ構造超格子構造を有する
光スイツチング素子が最近試作されている。（D.A.B.Mi
llers,IEEE Journal of Quantum Electronics,1985年QE
−21巻1462頁）。係る光スイツチ素子に於いては光照射
−非照射に応じて電気回路を高速スイツチングすること
が可能である。しかし、上述半導体ヘテロ構造超格子を
形成する為の材料はGaAsやSi等の無機材料に限定されて
おり、又その作成も複雑なプロセスを必要とするもの
で、有機材料を利用した光スイツチング素子の例は未だ
報告されていない。
従って本発明の目的は、有機材料で形成した光スイツ
チング素子を提供することにある。特に本発明の目的
は、有機材料の超薄膜構造体の積層構造体を用いた光ス
イツチング素子を提供することにある。
チング素子を提供することにある。特に本発明の目的
は、有機材料の超薄膜構造体の積層構造体を用いた光ス
イツチング素子を提供することにある。
本発明者が以上の目的を達成するために、鋭意努力し
た結果、次の発明を得た。すなわち、本発明のスイッチ
ング素子は、一対の電極と、該電極間に配置した有機化
合物の絶縁性薄膜と、光照射により電気的特性が変化す
る光感応領域を有することを特徴とする。
た結果、次の発明を得た。すなわち、本発明のスイッチ
ング素子は、一対の電極と、該電極間に配置した有機化
合物の絶縁性薄膜と、光照射により電気的特性が変化す
る光感応領域を有することを特徴とする。
本発明者らは、有機超薄膜の積層構造体に対して、金
属等の導電性材料で両側から挟んだサンドウイツチ構造
の素子（その構成から一般に、MIM構造もしくはMIM素子
と呼ばれる）を作成し、材料物性あるいは電気的特性を
始めとする諸特性の観察，測定を行った処、電気伝導に
於いて低抵抗（オン）状態から高抵抗（オフ）状態、或
いはオフからオンへある一定の電圧印加によって遷移
し、かつしきい値電圧以下では状態を保持するという全
く新しいスイツチング現象を見出した。
属等の導電性材料で両側から挟んだサンドウイツチ構造
の素子（その構成から一般に、MIM構造もしくはMIM素子
と呼ばれる）を作成し、材料物性あるいは電気的特性を
始めとする諸特性の観察，測定を行った処、電気伝導に
於いて低抵抗（オン）状態から高抵抗（オフ）状態、或
いはオフからオンへある一定の電圧印加によって遷移
し、かつしきい値電圧以下では状態を保持するという全
く新しいスイツチング現象を見出した。
更に本発明者らは、係る素子に対し光電変換領域（光
導電性若しくは光起電力を有する媒体乃至素子）を別途
設けることによって、極めて信頼性に優れたメモリー機
能を有する新規光スイツチング素子を提供するに至っ
た。
導電性若しくは光起電力を有する媒体乃至素子）を別途
設けることによって、極めて信頼性に優れたメモリー機
能を有する新規光スイツチング素子を提供するに至っ
た。
本発明に用いられる電極としては、An,Ag,Al,Pt,Ni,P
b,ZnやSn等の金属や合金、或いはこれらの積層構造、又
Si（単結晶シリコン，ポリシリコン，アモルフアスシリ
コン）、グラフアイトやシリサイド（ニツケルシリサイ
ド，パラジウムシリサイド）、GaAs,GaP,ITO,NESA等の
半導体、或いはこれらの積層構造を始めとして数多くの
材料を挙げることができる。これらの電極対は各々が同
一でも或いは異なっていてもどちらでもよい。係る電極
をを形成する方法としては、従来公知の薄膜作成技術で
十分本発明の目的を達成することができる。この際、本
素子の絶縁領域が有機材料で構成される場合には、係る
有機絶縁層作成後に形成する電極としては300℃以下の
条件下にて成膜可能な手法によるものが好ましく、例え
ば真空蒸着法やスパツタリング法によって成膜した電極
を用いることができる。
b,ZnやSn等の金属や合金、或いはこれらの積層構造、又
Si（単結晶シリコン，ポリシリコン，アモルフアスシリ
コン）、グラフアイトやシリサイド（ニツケルシリサイ
ド，パラジウムシリサイド）、GaAs,GaP,ITO,NESA等の
半導体、或いはこれらの積層構造を始めとして数多くの
材料を挙げることができる。これらの電極対は各々が同
一でも或いは異なっていてもどちらでもよい。係る電極
をを形成する方法としては、従来公知の薄膜作成技術で
十分本発明の目的を達成することができる。この際、本
素子の絶縁領域が有機材料で構成される場合には、係る
有機絶縁層作成後に形成する電極としては300℃以下の
条件下にて成膜可能な手法によるものが好ましく、例え
ば真空蒸着法やスパツタリング法によって成膜した電極
を用いることができる。
本発明の素子の利用に際しては輻射線照射が必ず伴な
う訳であるが、輻射線、例えば可視光に対して完全な透
明性を有する電極でなくてもよく、例えばAu,Al等の金
属電極であってもその膜厚さえ充分に薄ければ使用し得
る。係る膜厚は好ましくは2000Å以下、より好ましくは
1000Å以下である。
う訳であるが、輻射線、例えば可視光に対して完全な透
明性を有する電極でなくてもよく、例えばAu,Al等の金
属電極であってもその膜厚さえ充分に薄ければ使用し得
る。係る膜厚は好ましくは2000Å以下、より好ましくは
1000Å以下である。
係る電極間には半導電性乃至は絶縁性を有する薄膜が
形成されるが、該薄膜の形成に関しては、蒸着や分子線
エピタキシー等を利用できる他、素子の構成に依っては
SiO2やAl2O3等の酸化膜、その他Si3N4などの窒化膜を利
用することもできる。何れにしても超薄膜であること、
即ち、その膜厚が好ましくは1000Å以下、より好ましく
は500Å以下、更に好ましくは100Å以下であり５Å以上
である。更に係る絶縁性薄膜面及び膜厚方向の均質性の
有無は、素子特性及びその安定性に著しい影響を与える
ので注意を要する。
形成されるが、該薄膜の形成に関しては、蒸着や分子線
エピタキシー等を利用できる他、素子の構成に依っては
SiO2やAl2O3等の酸化膜、その他Si3N4などの窒化膜を利
用することもできる。何れにしても超薄膜であること、
即ち、その膜厚が好ましくは1000Å以下、より好ましく
は500Å以下、更に好ましくは100Å以下であり５Å以上
である。更に係る絶縁性薄膜面及び膜厚方向の均質性の
有無は、素子特性及びその安定性に著しい影響を与える
ので注意を要する。
本発明の好ましい具体例における絶縁性薄膜の最適成
膜法としてLB法を挙げることができる。
膜法としてLB法を挙げることができる。
このLB法によれば、１分子中に疎水性部位と親水性部
位とを有する有機化合物の単分子膜、又はその累積膜を
任意の電極上乃至は任意の電極を含む任意の基板上に容
易に形成することができ、分子長オーダーの膜厚を有
し、かつ大面積に亘って均一、均質な有機超薄膜を安定
に供給することができる。
位とを有する有機化合物の単分子膜、又はその累積膜を
任意の電極上乃至は任意の電極を含む任意の基板上に容
易に形成することができ、分子長オーダーの膜厚を有
し、かつ大面積に亘って均一、均質な有機超薄膜を安定
に供給することができる。
LB法は、分子内に親水性部位と疎水性部位とを有する
構造に於いて両者のバランス（両親媒性のバランス）が
適度に保たれている時、分子は水面上で親水基を上下に
向けて単分子の層になることを利用して単分子膜又はそ
の累積膜を作成する方法である。
構造に於いて両者のバランス（両親媒性のバランス）が
適度に保たれている時、分子は水面上で親水基を上下に
向けて単分子の層になることを利用して単分子膜又はそ
の累積膜を作成する方法である。
疎水性部位を構成する基としては、一般に広く知られ
ている飽和及び不飽和炭化水素基や縮合多環芳香族基及
び鎖状多環フエニル基等の各種疎水基が挙げられる。こ
れらは各々単独又はその複数が組み合わされて疎水性部
分を構成する。一方、親水性部分の構成要素として最も
代表的なものは、例えばカルボキシン基、エステル基、
酸アミド基、イミド基、ヒドロキシル基、スルホニル
基、リン酸基、アミノ酸（1,2,3及び４級）等の親水基
を挙げる事ができる。
ている飽和及び不飽和炭化水素基や縮合多環芳香族基及
び鎖状多環フエニル基等の各種疎水基が挙げられる。こ
れらは各々単独又はその複数が組み合わされて疎水性部
分を構成する。一方、親水性部分の構成要素として最も
代表的なものは、例えばカルボキシン基、エステル基、
酸アミド基、イミド基、ヒドロキシル基、スルホニル
基、リン酸基、アミノ酸（1,2,3及び４級）等の親水基
を挙げる事ができる。
これらの疎水性基と親水性基をバランスよく併有する
分子であれば、水面上で単分子膜を形成することが可能
である。一般的にはこれらの分子は絶縁性の単分子膜を
形成し、よって単分子累積膜も絶縁性を示すことから本
発明に対し極めて好適な材料といえる。一例としては下
記の如き分子を挙げることができる。
分子であれば、水面上で単分子膜を形成することが可能
である。一般的にはこれらの分子は絶縁性の単分子膜を
形成し、よって単分子累積膜も絶縁性を示すことから本
発明に対し極めて好適な材料といえる。一例としては下
記の如き分子を挙げることができる。
（１）π電子準位を有する分子； フタロシアニン、テトラフエニルポルフイリン等のポ
ルフイリン骨格を有する色素、スクアリリウム基及びク
ロコニツクメチン基を結合鎖としてもつアズレン系色素
及びキノリン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール
等の２ケの含窒素複素環、スクアリリウム基及びクロコ
ニツクメチン基により結合したシアニン系類似の色素、
またはシアニン色素、アントラセン、ピレン等の縮合多
環芳香族及び芳香環乃至複素環化合物が縮合した鎖状化
合物など。
ルフイリン骨格を有する色素、スクアリリウム基及びク
ロコニツクメチン基を結合鎖としてもつアズレン系色素
及びキノリン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール
等の２ケの含窒素複素環、スクアリリウム基及びクロコ
ニツクメチン基により結合したシアニン系類似の色素、
またはシアニン色素、アントラセン、ピレン等の縮合多
環芳香族及び芳香環乃至複素環化合物が縮合した鎖状化
合物など。
（２）高分子化合物； ポリイミド誘導体、ポリアミツタ酸誘導体、ポリアミ
ド誘導体各種フマル酸共重合体、各種マレイン酸共重合
体、ポリアクリル酸誘導体、各種アクリル酸共重合体、
ポリジアセチレン誘導体、各種ビニル化合物、合成ポリ
ペプチド類、バクテリオロドプシンやチトクロームＣの
如き生体高分子化合物など。
ド誘導体各種フマル酸共重合体、各種マレイン酸共重合
体、ポリアクリル酸誘導体、各種アクリル酸共重合体、
ポリジアセチレン誘導体、各種ビニル化合物、合成ポリ
ペプチド類、バクテリオロドプシンやチトクロームＣの
如き生体高分子化合物など。
（３）脂肪酸類； 長鎖アルキル基を有するカルボン酸及びカルボン酸塩
乃至はこれらのフツ素置換体、少なくとも一本の長鎖ア
ルキル基を有するエステル、スルホン酸及びこれの塩、
リン酸及びこれの塩乃至はこれらのフツ素置換体など。
乃至はこれらのフツ素置換体、少なくとも一本の長鎖ア
ルキル基を有するエステル、スルホン酸及びこれの塩、
リン酸及びこれの塩乃至はこれらのフツ素置換体など。
これらの化合物の内、特に耐熱性の観点からは高分子
化合物の利用或いはフタロシアニン等の大環状化合物の
使用が望ましく、殊にポリイミド類、ポリアクリル酸
類、各種フマル酸共重合体、或いは各種マレイン酸共重
合体等の高分子材料を使用すれば係る耐熱性に優れるば
かりでなく１層当りの膜厚を５Å程度にできる。
化合物の利用或いはフタロシアニン等の大環状化合物の
使用が望ましく、殊にポリイミド類、ポリアクリル酸
類、各種フマル酸共重合体、或いは各種マレイン酸共重
合体等の高分子材料を使用すれば係る耐熱性に優れるば
かりでなく１層当りの膜厚を５Å程度にできる。
本発明では、上記以外でもLB法に適している材料であ
れば本発明に好適なのは言うまでもない。
れば本発明に好適なのは言うまでもない。
係る両親媒性の分子は水面上で親水基を下に向けて単
分子の層を形成する、この時、水面上の単分子層は二次
元系の特徴を有し、分子がまばらに散開している時は一
分子当り面積Ａと表面圧πとの間に二次元理想気体の
式、 πＡ＝kT が成り立ち、“気体膜”となる。ここにｋはボルツマン
定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分に小さくすれば分
子間相互作用が強まり、二次元固体の“凝縮膜（又は固
体膜）”になる。凝縮膜はガラス、樹脂或いは金属の如
き種々の材質や形状を有する任意の物体の表面へ一層づ
つ移すことができる。この方法を用いて単分子膜又はそ
の累積膜を形成し、これを本発明が示す光スイツチング
素子用の絶縁領域即ちポテンシヤル障壁層として使用す
ることができる。
分子の層を形成する、この時、水面上の単分子層は二次
元系の特徴を有し、分子がまばらに散開している時は一
分子当り面積Ａと表面圧πとの間に二次元理想気体の
式、 πＡ＝kT が成り立ち、“気体膜”となる。ここにｋはボルツマン
定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分に小さくすれば分
子間相互作用が強まり、二次元固体の“凝縮膜（又は固
体膜）”になる。凝縮膜はガラス、樹脂或いは金属の如
き種々の材質や形状を有する任意の物体の表面へ一層づ
つ移すことができる。この方法を用いて単分子膜又はそ
の累積膜を形成し、これを本発明が示す光スイツチング
素子用の絶縁領域即ちポテンシヤル障壁層として使用す
ることができる。
具体的な製法としては、例えば以下に示す方法を挙げ
ることができる。
ることができる。
所望の有機化合物をクロロホルム、ベンゼン、アセト
ニトリル等の溶剤に溶解させる。次に添付図面の第５図
に示す如き適当な装置を用いて、係る溶液を水相51上に
展開させて有機化合物を膜状に形成させる。
ニトリル等の溶剤に溶解させる。次に添付図面の第５図
に示す如き適当な装置を用いて、係る溶液を水相51上に
展開させて有機化合物を膜状に形成させる。
次にこの展開層52が水相51上を自由に拡散して広がり
すぎないように仕切板（または浮子）53を設け、展開層
52の展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御し、そ
の集合状態に比例した表面圧πを得る。この仕切板53を
動かし、展開面積を縮小して膜物質の集合状態を制御
し、表面圧を徐々に上昇させ、膜の製造に適する表面圧
πを設定するとができる。この表面圧を維持しながら静
かに清浄な基板54を垂直に上昇又は下降させることによ
り有機化合物の単分子膜が基板54上に移し取られる。こ
のような単分子膜61は第6a図または第6b図に模式的に示
す如く分子が秩序正しく配列した膜である。
すぎないように仕切板（または浮子）53を設け、展開層
52の展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御し、そ
の集合状態に比例した表面圧πを得る。この仕切板53を
動かし、展開面積を縮小して膜物質の集合状態を制御
し、表面圧を徐々に上昇させ、膜の製造に適する表面圧
πを設定するとができる。この表面圧を維持しながら静
かに清浄な基板54を垂直に上昇又は下降させることによ
り有機化合物の単分子膜が基板54上に移し取られる。こ
のような単分子膜61は第6a図または第6b図に模式的に示
す如く分子が秩序正しく配列した膜である。
単分子膜61は以上で製造されるが、前記の操作を繰り
返すことにより所望の累積数の累積膜が形成される。単
分子膜61を基板54に移すには、上述した垂直浸漬法の
他、水平付着法、回転円筒法等の方法でも可能である。
返すことにより所望の累積数の累積膜が形成される。単
分子膜61を基板54に移すには、上述した垂直浸漬法の
他、水平付着法、回転円筒法等の方法でも可能である。
水平付着法は、基板を水面に水平に接触させて単分子
膜を移し取る方法であり、回転円筒法は円筒形の基板を
水面上を回転させて単分子膜61を基板54表面に写し取る
方法である。
膜を移し取る方法であり、回転円筒法は円筒形の基板を
水面上を回転させて単分子膜61を基板54表面に写し取る
方法である。
前述した垂直浸漬法では、表面が親水性である基板54
を水面を横切る方向に水中から引き上げると有機化合物
の親水性部位62が基板51側に向いた有機化合物の単分子
膜61が基板54上に形成される（第6b図）。前述のように
基板54を上下させると、各行程ごとに一枚ずつ単分子膜
61が積み重なって累積膜71が形成される。成膜分子の向
きが引上行程と浸漬行程で逆になるので、この方法によ
ると単分子膜61の各層間は有機化合物の疎水基性部位63
aと63bが向かいあうＹ型膜が形成される（第7a図）。こ
れに対し、水平付着法は有機化合物の疎水性部位63が基
板54側に向いた単分子膜61が基板54上に形成されている
（第6a図）。この方法では、単分子膜51を累積しても成
膜分子の向きの交代はなく全ての層において、疎水性部
位63bが基板54側に向いたＸ型膜が形成される（第7b
図）。反対に全ての層において親水性部位62bが基板側5
4側に向いた累積膜71はＺ型膜と呼ばれる（第7c図）。
を水面を横切る方向に水中から引き上げると有機化合物
の親水性部位62が基板51側に向いた有機化合物の単分子
膜61が基板54上に形成される（第6b図）。前述のように
基板54を上下させると、各行程ごとに一枚ずつ単分子膜
61が積み重なって累積膜71が形成される。成膜分子の向
きが引上行程と浸漬行程で逆になるので、この方法によ
ると単分子膜61の各層間は有機化合物の疎水基性部位63
aと63bが向かいあうＹ型膜が形成される（第7a図）。こ
れに対し、水平付着法は有機化合物の疎水性部位63が基
板54側に向いた単分子膜61が基板54上に形成されている
（第6a図）。この方法では、単分子膜51を累積しても成
膜分子の向きの交代はなく全ての層において、疎水性部
位63bが基板54側に向いたＸ型膜が形成される（第7b
図）。反対に全ての層において親水性部位62bが基板側5
4側に向いた累積膜71はＺ型膜と呼ばれる（第7c図）。
単分子膜を基板上に移す方法は上記方法に限定される
わけではなく、大面積基板を用いる時にはロールから水
相中に基板を押し出ていく方法なども採り得る。また前
述した親水性部位及び疎水性部位の基板への向きの原則
であり、基板の表面処理等によって変えることもでき
る。
わけではなく、大面積基板を用いる時にはロールから水
相中に基板を押し出ていく方法なども採り得る。また前
述した親水性部位及び疎水性部位の基板への向きの原則
であり、基板の表面処理等によって変えることもでき
る。
以上の如くして有機化合物の単分子膜またはその累積
膜からなる有機超薄膜の積層構造体が基板上に形成され
る。
膜からなる有機超薄膜の積層構造体が基板上に形成され
る。
更に係る一対の電極には挟まれた半導電性乃至絶縁性
超薄膜構造体の近傍もしくは接する様に光電変換領域が
形成される。素子構成例の概略を第１図に示す。係る領
域13は光照射によって、MIM素子（電極11及び超薄膜構
造体12で構成される）の電子状態（電気的ポテンシヤ
ル）を制御することを目的とする。すなわち、光照射に
よって光電変換領域13に生じた電気ポテンシヤルによっ
て、超薄膜構造体12に印加される直流バイアスを0.1〜2
V程度変化させることで本素子をオン状態からオフ状態
乃至オフ状態からオン状態へと遷移させるのである。具
体的には、従来公知の技術によって作製した光導電若し
くは光起電力媒体乃至素子を超薄膜構造体と直列に接続
（第１図ａ）或いは並列に接続（同図ｂ）することによ
ってその目的を達成することができる。前述の光照射に
よる0.1〜2Vの電位変化は公知の、Si,Ge,PbS,CdSを始め
とする光導電形もしくは光起電力形の半導体素子、媒体
を用いることで容易に得られ、また安定した特性を示
す。更に、光電変換領域に有機色素分子や生体高分子を
用いることも勿論可能である。また、第１図では光電変
換素子が２端子の場合を図示したが、フオト・トランジ
スタの様な３端子素子も接続しうる。尚、第１図ｃのよ
うに超薄膜構造体12と光電変換領域13を同一基板上、或
いは連続して形成しても構わない。また、光電変換領域
13への光照射15を効率よく行う為、光入射側の電極14
は、該光線に対し透明乃至半透明のものを用いる。超薄
膜構造体12は前述したLB法によって成膜されるのが好ま
しい。
超薄膜構造体の近傍もしくは接する様に光電変換領域が
形成される。素子構成例の概略を第１図に示す。係る領
域13は光照射によって、MIM素子（電極11及び超薄膜構
造体12で構成される）の電子状態（電気的ポテンシヤ
ル）を制御することを目的とする。すなわち、光照射に
よって光電変換領域13に生じた電気ポテンシヤルによっ
て、超薄膜構造体12に印加される直流バイアスを0.1〜2
V程度変化させることで本素子をオン状態からオフ状態
乃至オフ状態からオン状態へと遷移させるのである。具
体的には、従来公知の技術によって作製した光導電若し
くは光起電力媒体乃至素子を超薄膜構造体と直列に接続
（第１図ａ）或いは並列に接続（同図ｂ）することによ
ってその目的を達成することができる。前述の光照射に
よる0.1〜2Vの電位変化は公知の、Si,Ge,PbS,CdSを始め
とする光導電形もしくは光起電力形の半導体素子、媒体
を用いることで容易に得られ、また安定した特性を示
す。更に、光電変換領域に有機色素分子や生体高分子を
用いることも勿論可能である。また、第１図では光電変
換素子が２端子の場合を図示したが、フオト・トランジ
スタの様な３端子素子も接続しうる。尚、第１図ｃのよ
うに超薄膜構造体12と光電変換領域13を同一基板上、或
いは連続して形成しても構わない。また、光電変換領域
13への光照射15を効率よく行う為、光入射側の電極14
は、該光線に対し透明乃至半透明のものを用いる。超薄
膜構造体12は前述したLB法によって成膜されるのが好ま
しい。
一方、超薄膜構造体12に対して光電変換素子乃至媒体
13を直列に接続するか並列に接続するかは、本素子の用
途、使用目的によって選択される。直列接続を行うと、
超薄膜構造体のオン状態の抵抗は充分に低いが（数〜10
0Ω）、光電変換素子の有する抵抗値によって本素子全
体でのオン抵抗が大きくなる問題が生じる。しかし、オ
フ抵抗（ＭΩ〜ＧΩ）に関しては問題ない。一方、並列
接続時はこれとは逆に光電変換素子の抵抗が充分に大き
くない為オフ抵抗の低下が生じる。従って、オン抵抗を
低くしたいか、或いはオフ抵抗を高くしたいかの目的に
よって直列、並列を選択するのが望ましい。
13を直列に接続するか並列に接続するかは、本素子の用
途、使用目的によって選択される。直列接続を行うと、
超薄膜構造体のオン状態の抵抗は充分に低いが（数〜10
0Ω）、光電変換素子の有する抵抗値によって本素子全
体でのオン抵抗が大きくなる問題が生じる。しかし、オ
フ抵抗（ＭΩ〜ＧΩ）に関しては問題ない。一方、並列
接続時はこれとは逆に光電変換素子の抵抗が充分に大き
くない為オフ抵抗の低下が生じる。従って、オン抵抗を
低くしたいか、或いはオフ抵抗を高くしたいかの目的に
よって直列、並列を選択するのが望ましい。
以下、実施例により更に詳細な本発明の説明を行う。
〔実施例１〕 以下に示す手順で下部透明電極26/光導電層25/中間電
極24/超薄膜構造体23/上部電極22の構成を有する試料
（第２図）を作成した。基板としては、時に下地透明電
極26として、ITOが上側全面に被着しているガラス基板2
8（ユーニング＃7059）を用いた。係る基板のITO上に膜
厚2000Åのアモルフアスシリコン膜を形成し光導電層25
とした。この際の製膜は、グロー放電法に依った（導入
ガス、SiH4,H2、rfパワー0.01W/cm2、圧力0.5torr、基
板温度250℃、堆積速度40Å/min）。
極24/超薄膜構造体23/上部電極22の構成を有する試料
（第２図）を作成した。基板としては、時に下地透明電
極26として、ITOが上側全面に被着しているガラス基板2
8（ユーニング＃7059）を用いた。係る基板のITO上に膜
厚2000Åのアモルフアスシリコン膜を形成し光導電層25
とした。この際の製膜は、グロー放電法に依った（導入
ガス、SiH4,H2、rfパワー0.01W/cm2、圧力0.5torr、基
板温度250℃、堆積速度40Å/min）。
次に係るアモルフアシリコン膜面上に幅1mmのストラ
イプ状のAu（膜厚400Å）を真空蒸着して中間電極24と
した。更に係る試料上にLB法を用いてポリイミド単分子
膜の10層累積膜（膜厚約35Å）を形成し、超薄膜構造体
13とした。以下、ポリイミド単分子累積膜の作成方法の
詳細を記す。
イプ状のAu（膜厚400Å）を真空蒸着して中間電極24と
した。更に係る試料上にLB法を用いてポリイミド単分子
膜の10層累積膜（膜厚約35Å）を形成し、超薄膜構造体
13とした。以下、ポリイミド単分子累積膜の作成方法の
詳細を記す。
（１）式に示すポリアミド酸をN,N−ジメチルアセト
アミド−ベンゼン混合溶媒（1:1V/V）に溶解させた（単
量体換算濃度１×103M）後、別途調整したN,N−ジメチ
ルオクタデシルアミンの周溶媒による１×10-3M溶液と
を1:2（V/V）に混合して（２）式に示すポリアミド酸オ
クタデシルアミン塩溶液を調製した。
アミド−ベンゼン混合溶媒（1:1V/V）に溶解させた（単
量体換算濃度１×103M）後、別途調整したN,N−ジメチ
ルオクタデシルアミンの周溶媒による１×10-3M溶液と
を1:2（V/V）に混合して（２）式に示すポリアミド酸オ
クタデシルアミン塩溶液を調製した。
係る溶液を水温20℃の純粋から成る水相51（第５図）
上に展開し、水面上に単分子膜を形成した。溶媒蒸発除
去後、仕切板53として浮子を動かして展開面積を縮小せ
しめ、表面圧を25mN/mにまで高めた。表面圧を一定に保
ちながら、上述下部電極付き基板を水面を横切る方向に
速度5mm/minで静かに浸漬した後、続いて3mm/minで静か
に引き上げて２層のＹ単分子累積膜を作成した。係る操
作を繰り返して10層のポリイミド酸オクタデシルアミン
塩の単分子累積膜を形成した。次に係す基板を無水酢
酸、ピリジン及びベンゼンの混合溶液（1:1:3）に12時
間浸漬し、ポリイミド酸オクタデシル塩をイミド化し
（式３）、 10層のポリイミド単分子累積膜を得た。
上に展開し、水面上に単分子膜を形成した。溶媒蒸発除
去後、仕切板53として浮子を動かして展開面積を縮小せ
しめ、表面圧を25mN/mにまで高めた。表面圧を一定に保
ちながら、上述下部電極付き基板を水面を横切る方向に
速度5mm/minで静かに浸漬した後、続いて3mm/minで静か
に引き上げて２層のＹ単分子累積膜を作成した。係る操
作を繰り返して10層のポリイミド酸オクタデシルアミン
塩の単分子累積膜を形成した。次に係す基板を無水酢
酸、ピリジン及びベンゼンの混合溶液（1:1:3）に12時
間浸漬し、ポリイミド酸オクタデシル塩をイミド化し
（式３）、 10層のポリイミド単分子累積膜を得た。
次に係るポリイミド単分子累積膜面上に中間電極24と
直交するように幅1mmのストライプ状Alを真空蒸着（膜
厚1000Å）し、上部電極22を形成した。
直交するように幅1mmのストライプ状Alを真空蒸着（膜
厚1000Å）し、上部電極22を形成した。
以上の様にして作成した試料に対して、第２図に示す
様に下地透明電極26と上部電極22間に直流バイアス印加
用の電源27を接続した上で、上部電極22と中間電極24に
それぞれ設けられた端子21間の電流電圧特性（VI特性）
を以下に示す様に測定した。
様に下地透明電極26と上部電極22間に直流バイアス印加
用の電源27を接続した上で、上部電極22と中間電極24に
それぞれ設けられた端子21間の電流電圧特性（VI特性）
を以下に示す様に測定した。
まず暗下に於いて、直流バイアス電圧を0Vとしても、
該素子は第３図に示す様に、印加電圧を大きくして行く
と2.5V付近でOFF（抵抗値〜108Ω）状態31からON（抵抗
値〜10Ω）状態に短時間（10nsec以下）で遷移すること
を確かめた。また、ON状態の素子に８〜10Vの波高値を
有するパルス波（幅１μsec）を印加することで再びOFF
状態を形成することも確認した。これら超薄膜構造体を
用いたMIM素子特有の性質が良好に再現することを確か
めたのち、直流バイアス電圧を4Vに設定し、光照射前後
の０〜2Vの範囲のVI特性を測定し比較した。その結果、
光照射前（暗下）ではOFF状態を示していた素子が基板
下側からの光照射29（白色光120μW/cm2）によってON状
態へ遷移することが明らかとなった。更に該ON状態は光
照射を止めても（再び暗下）保持された。すなわち係る
素子が光スイツチ素子として機能し、かつメモリ性を有
することがわかった。また、該ON状態は10V程度のパル
ス波で速やかに消去（OFF状態へ戻す）することができ
た。メモリの保持性については未だ１ケ月程度の観察し
か行っていないが係る期間に対してバイアス電圧や光等
といった補助的手段（エネルギー）を全く与えなくても
状態を保持し続けることを確認している。
該素子は第３図に示す様に、印加電圧を大きくして行く
と2.5V付近でOFF（抵抗値〜108Ω）状態31からON（抵抗
値〜10Ω）状態に短時間（10nsec以下）で遷移すること
を確かめた。また、ON状態の素子に８〜10Vの波高値を
有するパルス波（幅１μsec）を印加することで再びOFF
状態を形成することも確認した。これら超薄膜構造体を
用いたMIM素子特有の性質が良好に再現することを確か
めたのち、直流バイアス電圧を4Vに設定し、光照射前後
の０〜2Vの範囲のVI特性を測定し比較した。その結果、
光照射前（暗下）ではOFF状態を示していた素子が基板
下側からの光照射29（白色光120μW/cm2）によってON状
態へ遷移することが明らかとなった。更に該ON状態は光
照射を止めても（再び暗下）保持された。すなわち係る
素子が光スイツチ素子として機能し、かつメモリ性を有
することがわかった。また、該ON状態は10V程度のパル
ス波で速やかに消去（OFF状態へ戻す）することができ
た。メモリの保持性については未だ１ケ月程度の観察し
か行っていないが係る期間に対してバイアス電圧や光等
といった補助的手段（エネルギー）を全く与えなくても
状態を保持し続けることを確認している。
〔実施例２〕 ガラス基板28上に下引き層としてCrを真空蒸着法によ
り厚さ300Å堆積させ、更にAuを同法により厚さ600Å蒸
着し、幅1mmのストライプ状の下部電極43を形成した。
係る基板上に実施例１と同様の手法により10層のポリイ
ミド単分子累積膜を形成し、超薄膜構造体23とした、該
超薄膜構造体23上にAlを真空蒸着し、上部電極42を設け
た。
り厚さ300Å堆積させ、更にAuを同法により厚さ600Å蒸
着し、幅1mmのストライプ状の下部電極43を形成した。
係る基板上に実施例１と同様の手法により10層のポリイ
ミド単分子累積膜を形成し、超薄膜構造体23とした、該
超薄膜構造体23上にAlを真空蒸着し、上部電極42を設け
た。
次に係る試料の一対の電極に引き出し線を設け端子21
とし、更に該端子にSi基板上に作成された太陽電池を４
ケ直列にして接続し、第４図に示すような回路を形成し
た。
とし、更に該端子にSi基板上に作成された太陽電池を４
ケ直列にして接続し、第４図に示すような回路を形成し
た。
以上の様にして作成した素子に対して光照射（550nm,
2mW/cm2）を行ったときのVI特性の変化を測定した。そ
の結果、実施例１同様に照射前ではOFF（抵抗〜106Ω）
状態を示していた素子が、照射後は暗下に放置してもON
（抵抗値〜10Ω）を保持し続けることが明らかとなっ
た。また該on状態はパルス電圧（10V程度、１μsec）で
0FF状態へ復帰させることができた。
2mW/cm2）を行ったときのVI特性の変化を測定した。そ
の結果、実施例１同様に照射前ではOFF（抵抗〜106Ω）
状態を示していた素子が、照射後は暗下に放置してもON
（抵抗値〜10Ω）を保持し続けることが明らかとなっ
た。また該on状態はパルス電圧（10V程度、１μsec）で
0FF状態へ復帰させることができた。
尚、本実施例では別途作製したSi太陽電池を用いた例
を示したが、アモルフアスシリコンやGaAs、或いはCdS
等の薄膜乃至焼結膜による太陽電池であっても同様の効
果が期待される。また、有機材料を用いた太陽電池であ
ってもMIM素子をスイツチさせるのに充分な電圧（１〜5
V）を１個乃至幾つか接続することで発生可能なもので
あれば、構わない。また外部にバイアス用電源を設ける
のなら太陽電池以外にも、フオトアバランシエダイオー
ドやフオトトランジスタシヨツトキーダイオード等の様
な種々の従来公知の光センサを該太陽電池41と置き換え
ることができる。
を示したが、アモルフアスシリコンやGaAs、或いはCdS
等の薄膜乃至焼結膜による太陽電池であっても同様の効
果が期待される。また、有機材料を用いた太陽電池であ
ってもMIM素子をスイツチさせるのに充分な電圧（１〜5
V）を１個乃至幾つか接続することで発生可能なもので
あれば、構わない。また外部にバイアス用電源を設ける
のなら太陽電池以外にも、フオトアバランシエダイオー
ドやフオトトランジスタシヨツトキーダイオード等の様
な種々の従来公知の光センサを該太陽電池41と置き換え
ることができる。
更に該太陽電池41をMIM素子と同一基板上に作成する
ことも可能である。素子の形状は本発明を何ら制限する
ものではない。
ことも可能である。素子の形状は本発明を何ら制限する
ものではない。
〔実施例３〜７〕 表１に示した有機材料を用いてLB法により超薄膜構造
体23を形成した他は実施例１と全く同様にして試料を作
成し、そのVI特性を測定した結果、ずべて同様の光のス
イツチング特性を示した。
体23を形成した他は実施例１と全く同様にして試料を作
成し、そのVI特性を測定した結果、ずべて同様の光のス
イツチング特性を示した。
以上述べてきた実施例中では絶縁性薄膜の形成にLB法
を使用してきたが、極めて薄く均一な絶縁性の薄膜が作
成できる成膜法であればLB法に限らず使用可能である。
具体的には真空蒸着法や電解重合法、CVD法等が挙げら
れ使用可能な材料の範囲が広がる。
を使用してきたが、極めて薄く均一な絶縁性の薄膜が作
成できる成膜法であればLB法に限らず使用可能である。
具体的には真空蒸着法や電解重合法、CVD法等が挙げら
れ使用可能な材料の範囲が広がる。
電極の形成に関しても既に述べている様に、絶縁薄膜
層上に均一な薄膜を作成しうる成膜法であれば使用可能
であり、真空蒸着法やスパツタ法に限られるものではな
い。
層上に均一な薄膜を作成しうる成膜法であれば使用可能
であり、真空蒸着法やスパツタ法に限られるものではな
い。
更に基板材料やその形状も本発明は何ら限定するもの
ではない。
ではない。
〔発明の効果〕 電気的なスイツチング現象を示すMIM構造のスイツ
チング素子と光電変換特性を有する材料もしくは素子と
を組み合わせることにより、従来には見られない応答性
を示す光スイツチング特性が得られることを示した。
チング素子と光電変換特性を有する材料もしくは素子と
を組み合わせることにより、従来には見られない応答性
を示す光スイツチング特性が得られることを示した。
MIM素子における「Ｉ領域」をLB法により形成する
ことで、分子オーダの膜厚制御が容易に実現でき、また
制御性が優れている為、素子形成及び特性の再現性が高
く生産性に富む。
ことで、分子オーダの膜厚制御が容易に実現でき、また
制御性が優れている為、素子形成及び特性の再現性が高
く生産性に富む。
第１図（ａ），（ｂ）及び（ｃ）は本発明の素子の構成
概略の例を示したものである。 第２図は実施例で用いた素子の構成図であり、第３図は
係る素子のVI特性を示したものである。 第４図は光電変換部に太陽電池を用いた実施例の素子構
成図である。 第５図は本発明の超薄膜構造体をLB法によって形成する
方法を図解的に示す説明図である。 第6a図と第6b図は単分子膜の模式図であり、第7a図、第
7b図と第7c図が累積膜の模式図である。 図中、符号 11……電極、12……超薄膜構造体 13……光電変換領域、14……透明電極 15……光、21……スイツチング素子端子 22……上部電極、23……超薄膜構造体 24……中間電極、25……光導電層 26……透明電極 27……光電変換領域用直流バイアス電圧 28……ガラス基板、29……光照射 31……OFF状態、32……ON状態 33……スイツチング過程、41……太陽電池 42……上部電極、43……下部電極 51……水相、52……展開膜 53……仕切板、54……基板 61……単分子膜 62,62a,62b……親水性部位 63,63a,63b……疎水性部位 71……単分子累積膜 である。
概略の例を示したものである。 第２図は実施例で用いた素子の構成図であり、第３図は
係る素子のVI特性を示したものである。 第４図は光電変換部に太陽電池を用いた実施例の素子構
成図である。 第５図は本発明の超薄膜構造体をLB法によって形成する
方法を図解的に示す説明図である。 第6a図と第6b図は単分子膜の模式図であり、第7a図、第
7b図と第7c図が累積膜の模式図である。 図中、符号 11……電極、12……超薄膜構造体 13……光電変換領域、14……透明電極 15……光、21……スイツチング素子端子 22……上部電極、23……超薄膜構造体 24……中間電極、25……光導電層 26……透明電極 27……光電変換領域用直流バイアス電圧 28……ガラス基板、29……光照射 31……OFF状態、32……ON状態 33……スイツチング過程、41……太陽電池 42……上部電極、43……下部電極 51……水相、52……展開膜 53……仕切板、54……基板 61……単分子膜 62,62a,62b……親水性部位 63,63a,63b……疎水性部位 71……単分子累積膜 である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀧本 清 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 河出 一佐哲 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 森川 有子 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 江口 健 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−194517（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−193326（ＪＰ，Ａ)
Claims (15)
- 【請求項１】一対の電極と、該電極間に配置した有機化
合物の絶縁性薄膜と、光照射により電気的特性が変化す
る光感応領域を有することを特徴とするスイッチング素
子。 - 【請求項２】前記光感応領域に於いて光照射で導電性が
変化する特許請求の範囲第１項記載のスイッチング素
子。 - 【請求項３】前記光感応領域に於いて光照射で起電力が
生じる特許請求の範囲第１項記載のスイッチング素子。 - 【請求項４】前記スイッチング素子がメモリー特性を有
している特許請求の範囲第１項記載のスイッチング素
子。 - 【請求項５】前記絶縁性薄膜は、積層構造体を有してい
る特許請求の範囲第１項記載のスイッチング素子。 - 【請求項６】前記積層構造体がLB膜で形成した層構造体
である特許請求の範囲第５項記載のスイッチング素子。 - 【請求項７】前記絶縁性薄膜の膜厚が５〜1000Åである
特許請求の範囲第５項記載のスイッチング素子。 - 【請求項８】前記絶縁性薄膜の膜厚が５〜500Åである
特許請求の範囲第５項記載のスイッチング素子。 - 【請求項９】前記絶縁性薄膜が、π電子準位を有する分
子、高分子化合物、脂肪酸類の少なくともひとつを含む
特許請求の範囲第１項記載のスイッチング素子。 - 【請求項１０】前記絶縁性薄膜は、ポルフイリン骨格を
有する色素、アズレン系色素、シアニン系の色素、縮合
多環芳香族化合物のいずれかのπ電子準位を有する化合
物を含む特許請求の範囲第９項記載のスイッチング素
子。 - 【請求項１１】前記絶縁性薄膜が、ポリイミド誘導体、
フマル酸共重合体、マレイン酸共重合体、ポリアクリル
酸共重合体、ポリジアセチレン誘導体から選択される化
合物を含む特許請求の範囲第９項記載のスイッチング素
子。 - 【請求項１２】前記電極が、An,Ag,Al,Pt,Ni,Pb,Zn,Sn
あるいはそれらの合金,Si,GaAs,GaP,ITOの少なくともひ
とつを含む特許請求の範囲第１項記載のスイッチング素
子。 - 【請求項１３】一対の電極間に挟持された前記絶縁性薄
膜と、一対の電極間に挟持された前記光感応領域が直列
に接続されている特許請求の範囲第１項記載のスイッチ
ング素子。 - 【請求項１４】前記一対の電極間に、前記絶縁性薄膜と
前記光感応領域が順に積層されている特許請求の範囲第
１項記載のスイッチング素子。 - 【請求項１５】一対の電極間に挟持された前記絶縁性薄
膜と、一対の電極間に挟持された前記光感応領域が並列
に接続されている特許請求の範囲第１項記載のスイッチ
ング素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63039829A JP2675803B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | スイッチング素子 |
| EP89301600A EP0330395B1 (en) | 1988-02-22 | 1989-02-20 | Switching element |
| DE68928024T DE68928024T2 (de) | 1988-02-22 | 1989-02-20 | Schalter |
| US07/313,499 US5170238A (en) | 1988-02-22 | 1989-02-22 | Switching element with organic insulative region |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63039829A JP2675803B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | スイッチング素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01214078A JPH01214078A (ja) | 1989-08-28 |
| JP2675803B2 true JP2675803B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=12563859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63039829A Expired - Lifetime JP2675803B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | スイッチング素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5170238A (ja) |
| EP (1) | EP0330395B1 (ja) |
| JP (1) | JP2675803B2 (ja) |
| DE (1) | DE68928024T2 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3213757B2 (ja) * | 1990-04-03 | 2001-10-02 | キヤノン株式会社 | 情報転送方法、情報転送装置及び画像読出装置 |
| EP0482920A3 (en) * | 1990-10-24 | 1993-01-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic optical element |
| JP3437195B2 (ja) * | 1991-10-01 | 2003-08-18 | キヤノン株式会社 | Ｍｉｍ型電気素子とその製造方法、及びこれを用いた画像表示装置、描画装置 |
| DE69228103T2 (de) * | 1991-10-15 | 1999-07-15 | Canon Kk | Informationsverarbeitungsgerät mit Spurausrichtungsmechanismus |
| JPH06187675A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-07-08 | Canon Inc | 情報処理装置、及びそれを用いる情報処理方法 |
| JP3207994B2 (ja) * | 1993-02-17 | 2001-09-10 | キヤノン株式会社 | 走査型プローブ顕微鏡、およびそれを用いた情報記録再生装置 |
| ES2214533T3 (es) * | 1995-05-30 | 2004-09-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dispositivo de conmutacion y el uso del mismo. |
| EP0859971B1 (en) * | 1996-08-22 | 2004-11-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electro-optical switching device |
| ES2215228T3 (es) * | 1996-09-05 | 2004-10-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dispositivo optico de conmutacion. |
| EP1051762A1 (en) | 1998-02-02 | 2000-11-15 | Uniax Corporation | X-y addressable electric microswitch arrays and sensor matrices employing them |
| US6572974B1 (en) * | 1999-12-06 | 2003-06-03 | The Regents Of The University Of Michigan | Modification of infrared reflectivity using silicon dioxide thin films derived from silsesquioxane resins |
| WO2003032405A1 (fr) * | 2001-09-28 | 2003-04-17 | Japan Science And Technology Corporation | Multiplicateur de courant photoelectrique mettant en oeuvre un cristal moleculaire et procede de production de celui-ci |
| WO2005041205A1 (de) * | 2003-10-22 | 2005-05-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Wiederbeschreibbare speichereinheit basierend auf organischen materialien |
| NO321555B1 (no) * | 2004-03-26 | 2006-05-29 | Thin Film Electronics Asa | Organisk elektronisk innretning og fremgangsmate til fremstilling av en slik innretning |
| US7255892B2 (en) | 2004-06-30 | 2007-08-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Molecular layer and method of forming the same |
| DE112004002925B4 (de) | 2004-08-27 | 2015-05-13 | Fuji Electric Co., Ltd | Logikkreis |
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