TW571169B - Electrooptic device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus - Google Patents

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571169 經濟部智慧財/i局：Η工消費合作社印^ A7 ____ B7五、發明説明（’） 本發明係有關液晶裝置、EL (電激發光）裝置、電 泳裝置等之光電裝置，使用該光電裝置之製造方法、及使 用其光電裝置所構成之電子機器。 【以往之技術】 近年以來，於攜帶電話機、攜帶資訊終端機、個人電 腦等之電子機器，例如做爲爲顯示資訊之顯示部，液晶裝 置被廣爲使用。又’今後’與液晶裝置一同，會使用E L 裝置。 上述之液晶裝置中，一般而言，具有藉由密封材貼合 之一對之基板，和挾持於兩基板間之液晶，和對於液晶而 言，爲施加電壓的電極。又，於一方之基板中，向另一方 之基板外側展開之範圍（即展開範圍），形成配線，於此 配線之一端，連接各種安裝零件，藉由此配線向上述電極 供給電壓的構成則被眾所周知。 在此，做爲上述之安裝零件，例如於展開範圍上，使 用C ◦ G (玻璃覆晶）技術安裝之I C晶片，或爲連接電 路基板等之外部機器和液晶裝置之F P C等。 【爲解決發明之課題】 但是，形成於展開範圍之配線因爲曝露於外部氣體之 故，於此配線易於附著外部氣體之水分等，因此，此配線 易於腐蝕。然後，如此地於配線產生腐蝕之時，該配線和 上述安裝零件之端子間之導通會成爲不完全，因此，做爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -4- 571169 經濟部智^財是局㈣工消費合作社印^ A7 B7 五、發明説明（2 ) 液晶裝置之可靠性會有下降的問題。 另一方面，考慮到將配線之配線阻抗抑制於低的程度 ’上述配線經由鋁或鉻等之低阻抗金屬加以形成者爲佳， 但此種金屬離子化傾向爲高，具有易於腐蝕之性質之故， 上述問題會更爲明顯。 本發明係有鑑於上述之問題點而成，抑制於基板上形 成之配線之腐蝕爲目的 【爲解決課題之手段】 (1 )爲達成上述目的，有關本發明之光電裝置， (a )具有對向配置之第1基板及第2基板，於該第 1基板和該第2基板之間，挾持有液晶所成之光電裝置中 ，其特徵係 (b )具有包圍前述液晶之密封材， (c )和沿前述第1基板之一邊，且朝向與該一邊交 叉的另一邊迂迴圍繞之配線； (d )該配線係 (1 )具有跨越前述密封材之內側範圍及前述密封材 之外側範圍之兩者加以形成，或跨越重疊於前述密封材之 範圍及前述密封材之外側範圍之兩者加以形成的第1配線 層， (1 1 )和形成於前述密封材之內側範圍或重疊於前 述密封材之範圍的第2配線者。 木纸永尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-5- 571169 A7 B7 五、發明説明（3 ) 由以上構成所成光電裝置係做爲構成要件包含液晶， 以做爲液晶裝置。根據此光電7妯2百2，第2配線層於 密封材之外側範圍未形成之故，於第2配線可避免外部氣 體中之水分等之附著，因此即使爲耐蝕性爲低之導電才料 、即使離子化傾向爲高的導電材料形成第2配線層時，亦 可令該第2配線層自腐蝕防止。 又，於上述光電裝置中，第2配線層係除了附加於重 疊於第1基板中之密封材的範圍，亦可形成於密封材之內 側範圍，即形成於與液晶對向之範圍。此時，可避免外部 氣體中之水分等之附著之故，即使離子化傾向爲高的導電 材料形成第2配線層時，亦可令該第2配線層自腐蝕防止 〇 (2 )於上述構成之光電裝置中，在於前述密封材之 外側範圍的前述配線之一端係可連接於外部連接電路。在 此，做爲外部連接電路可爲驅動用I C，或搭載驅動用 I C之TAB基板，或連接於驅動I C之FPC (可撓性 基板）。根據此構成時，可將外部連接電路透過配線，向 光電裝置之內部導入。 (3 )於上述構成之光電裝置中，可於前述第2基板 形成電極，更且此時該電極係可與前述第1基板上之前述 配線導通。如此之時，將資料信號、掃瞄信號等之各種信 號，透過配線供給予該電極。 (4 )接著，有關本發明之其他光電裝置，其特徵係 具有第1基板，和沿該第1基板之一邊，且朝向與該一邊 木纸乐尺度適用中國國家標窣（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財4笱8工消費合作fi印¾ -6 - 571169 A7 B7 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 交叉的另一邊迂迴圍繞之配線；該配線係具有形成於前述 第1基板上之第1配線層，和於該第1配線層之上，部分 堆積之第2配線層，和被覆該第2配線層之被覆層者。 有關此構成之光電裝置係不一定需要液晶、第2基板 及密封材的構成要件之光電裝置。做爲如此之光電裝置， 例如除了包含液晶、第2基板及密封材的液晶裝置之外， 亦包含不含液晶、第2基板及密封材的E L裝置。 根據有關此構成之光電裝置時，第2配線層係經由被 覆層所被覆，不露出於外部之故，於第2配線可避免外部 氣體中之水分等之附著，因此即使爲耐蝕性爲低之導電才 料、即使離子化傾向爲高的導電材料形成第2配線層時， 亦可令該第2配線層自腐蝕防止。 經濟部智慧財4局肖工消費合作社印¾ (5 )於上述構成之光電裝置中，可於前述第1基板 之上，經由堆積第1金屬膜和絕緣膜和第2金屬膜，形成 複數之薄膜二極體，此時，前述第1配線層係可經由與構 成薄膜二極體之前述第1金屬膜同一之層加以形成。如此 地，經由與構成薄膜二極體之複數要素之任一者的共通工 程，形成配線之一部分時，較獨立形成該配線之工程加以 設置之情形，可達成製造工程之簡化及製造成本之減低。 (6 )於上述構成之光電裝置中，將前述第1配線層 經由與構成薄膜二極體之前述第1金屬膜同一之層加以形 成的情形下，將前述第2配線層可經由與構成薄膜二極體 之第2金屬膜同一之層加以形成。如此地，經由與構成薄 膜二極體之複數要素之任一者的共通工程，形成配線之一 本纸張尺度適用中國國家標準（CNSΤα4規格（210X29*7公釐） -7 - 經濟部智慧財產局工消黃合作社印^ 571169 A7 B7 五、發明説明（5 ) 部分時，較獨立形成該配線之工程加以設置之情形，可達 成製造工程之簡化及製造成本之減低。 (7 )於上述構成之光電裝置中，於前述第1基板之 上，可經由堆積第1金屬膜和絕緣膜和第2金屬膜，形成 複數之薄膜二極體，於此時，僅將前述第2配線層經由與 構成薄膜二極體之第2金屬膜同一之層加以形成。如此地 ，經由與構成薄膜二極體之複數要素之任一者的共通工程 ，形成配線之一部分時，較獨立形成該配線之工程加以設 置之情形，可達成製造工程之簡化及製造成本之減低。 (8 )於上述構成之光電裝置中，於前述第1基板之 上，經由堆積第1金屬膜和絕緣膜和第2金屬膜，形成複 數之薄膜二極體，更且連接於該薄膜二極體之第2金屬膜 ，可形成畫素電極；如此之時前述配線係可具有跨越前述 密封材之內側範圍及前述密封材之外側範圍之兩者加以形 成，或跨越重疊於前述密封材之範圍及前述密封材之外側 範圍之兩者，形成於前述第1配線層上的第3配線層，更 且該第3配線層係經由與前述畫素電極同一之層加以形成 〇 如此地，經由與爲形成畫素電極之工程共通之工程， 形成配線之一部分時，較獨立形成該配線之工程加以設置 之情形，可達成製造工程之簡化及製造成本之減低。 (9 )於上述構成之光電裝置中，尤其具有第2基板 之構成的光電裝置中，可於前述第2基板形成配線，更且 可將前述第1基板上之配線導通於前述第2基板上之配線 ^紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-8- 571169 A7 __B7 五、發明説明（6 ) 〇 如此之時，例如不需需連接於該第2基板上之安裝零 件，例如不需將驅動用I C或F P C等安裝於該第2基板 。即，僅於一對基板中之一方的基板面上，加以安裝即可 之故，可達成製造工程之簡化及製造成本之減低。 (1 0 )將第1基板上之配線導通於第2基板上之配 線之上述構成之光電裝置中，前述第1基板上之配線和前 述第2基板上之配線係藉由分散於前述密封材的導電粒子 導通爲佳。如此之時，經由藉由密封材貼合兩基板，可令 兩基板上之配線間加以導通之故，無需爲導通兩配線之特 別構造，因此，可令構成更爲簡化，而且可令製造成本更 爲減低。 (1 1 )於上述構成之光電裝置中，構成前述第1基 板上之前述配線的前述第2配線層，係較構成該配線之其 他之配線層離子代傾向爲高者爲佳。換言之，第1配線層 或第3配線層係較第2配線層離子化傾向爲低者爲佳。 根據有關本發明之光電裝置，可如上述抑制第2配線 層之腐蝕，但如本實施形態，將延伸於密封材之外側範圍 部分之第1配線層或第3配線層，經由離子化傾向低的材 料加以形成之時，於露出於密封材之外側的配線部分，亦 可抑制腐蝕。 (1 2 )於上述構成之光電裝置中，構成前述第1基 板上之前述配線的前述第2配線層，係較構成該配線之其 他之配線層阻抗値爲低者爲佳。鉻或鋁等之低阻抗金屬， 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 經濟部智慧財/i^7M工消費合作?1印¾ -9- 571169 A7 __ B7 五、發明説明（7 ) 一般而言，離子化傾向爲高，易於被腐蝕。經由如此金屬 ，形成上述第2配線層時，有效抑制該配線層之腐鈾，可 使配線阻扯抑制於低水準。 (1 3 )於上述構成之光電裝置中，形成於前述第1 基板上之配線中，形成於前述密封材之外側範圍之部分的 寬度係較形成於與前述密封材重疊之範圍部分的寬度爲寬 者爲佳。換言之’未具有第2配線層之部分，即經由第1 配線層所形成之部貿，或經由第1配線層及第3配線層之 兩者所形成之部分的寬度，係較具有第2配線層之部貿之 寬度爲廣者爲佳。不具有第2配線層之部分，係較該第2 配線層阻抗値爲高之第1配線層或第3配線層加以構成之 故，於此部分，配線阻抗會變高。但是，將該部分之寬度 ，如上所述加以變廣之後，可抑制配線阻抗變高。 (14)，接著，有關本發明之電子機器，其特徵係 使用以上述構成之光電裝置。如上所述，根據以上記載之 構成之光電裝置時，可抑制配線之腐蝕之故，使用如此光 電裝置之電子機器則可避免導通不良，實現高度之可靠性 〇 (1 5 )接著，有關本發明之光電裝置之製造方法， 屬於藉由密封材所貼合之第1基板和第2基板間，具有液 晶，跨過前述第1基板中重疊於前述密封材之範圍和該密 封材之外側之範圍之兩者’形成配線之液晶裝置之製造方 法中，其特徵係具有將構成前述配線之第1配線層，形成 於跨過前述第1基板中重疊於前述密封材之範圍和該密封 木纸乐尺度適用中國國家標準^⑽丨以規格。10〆29*^*) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧时/i^7a(工消費合作社印¾

-10- 經濟部智慧財/1笱負工>/1黃合作社印^ 571169 A7 B7 五、發明説明（8) 材之外側之範圍之第1配線層形成工程，和將構成前述配 線之第2配線層，形成於前述第1基板中重疊於前述密封 材的範圍之第2配線層形成工程，和將前述第1基板及第 2基板藉由前述密封材貼合之接合工程。 根據此構成之光電裝置之製造方法時，第2配線層係 未形成於密封材之外側範圍之故，於此第2配線層，可避 免外部氣體中之水分等之附著，因此即使經由耐蝕性低之 導電材料，即經由離子化傾向爲高的導電材料形成第2配 線層時，亦可令該第2配線層自腐蝕防止。 (1 6 )於上述構成之光電裝置之製造方法中，具有 於前述第1基板上，經由堆積第1金屬膜和絕緣膜和第2 金屬膜，形成之複數之薄膜二極體的工程；如此之時’於 前述第1配線層形成工程中，可伴隨前述薄膜二極體之第 1金屬膜之形成，藉由與該第1金屬膜之同一層形成前述 第1配線層。又，於前述第2配線層形成工程中，可伴隨 前述薄膜二極體之第2金屬膜之形成，藉由與該第2金屬 膜之同一層形成前述第2配線層者。 如此之時，與將薄膜二極體和配線經由各別之工程加 以作成之時比較，可達成製造成本之減低或製造工程之簡 化。 (1 7 )於上述構成之光電裝置之製造方法中’連接 於前述薄膜二極體之第2金屬膜地，可於前述第1基板之 上形成畫素電極，此時，在前述接合工程之前，將構成前 述配線之第3配線層，跨過前述第1基板中重疊於前述密 本纸悵尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-11 - 571169 A7 B7 五、發明説明（9 ) 封材之範圍和該密封材之外側範圍加以形成之工程中，伴 隨前述晝素電極之形成，實施藉由與該畫素電極之同一層 形成前述第3配線層之第3配線層形成工程者爲佳。如此 之時，可更減低製造成本。 【發明之實施形態】 (光電裝置之第1實施形態） 以下，做爲開關元件，具備T F D (Thin Film Diode )元件之主動矩陣方式中，做爲光電物質使用液晶，更且 ’於利用太陽光式室內光等之外部光的反射型之液晶裝置 ’以適用本發明之時爲例，說明本發明之實施形態。 圖1係將有關本實施形態之液晶裝置之電氣性構成， 經由方塊圖加以顯示。如同圖所示，液晶裝置1係具有延 伸存在於X方向之複數之掃瞄線2 5，和延伸存在於與X 方向直角之Y方向的複數之資料線1 1，和設於掃瞄線 2 5及資料線1 1之各交叉部分的複數之顯示點5 〇。各 顯示點5 0係成爲直列連接液晶顯示要素5 1和T F D元 件1 3的構成。此等之顯示點5 0係排列成矩陣狀。 此等之顯示點5 0之1個係爲顯示像之最小單位的顯 示要素’顯示像經由R (紅）、G (綠）、B (藍）之3 原色組合形成之彩色像時，集合R、G、B之3個之顯不 點5 0 ’形成1個之畫素。另一方面，顯示像爲黑白像之 時’經由1個顯示點5 0，形成1個之畫素。 於圖1中，複數之掃瞄線2 5中，自上數來第奇數條 本纸&尺度適用中國國家標準（〔NS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 經濟部智慧財凌笱肖工消赍合作社印^ -12- 571169 A7 B7 五、發明説明（1〇) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j 之掃瞄線2 5係連接於第1 Y驅動I C 4 0 a。另一方面 ，自上數來第偶數條之掃瞄線2 5係連接於第2 Y驅動 I C4〇b。然後，經由此等之Y驅動I C40a、 4 0 b生成之掃瞄信號則供給至各掃瞄線2 5。然而，以 下中，未特別需要區別第1 Y驅動I C 4 0 a和第2 Y驅 動IC40b之時，將此等單以Y驅動IC40表之。 複數之資料線1 1係各連接於X驅動I C 4 1 ，經由 此第2之構造層4 1生成之資料信號，則供給至此等之資 料線1 1。另一方面，各排列成爲矩陣狀之複數之顯示點 5 0係於本實施形態中，各對應於R、G及B之任一色。 接著，圖2 ( a )係顯示將有關本實施形態之液晶裝 置1 ，自觀察側，即自觀察者所在之側所視得之情形。又 ，圖2 ( b )係顯示將此液晶裝置自背面側，即由與圖2 (a )相反側視得之情形。然而，於以下中，如圖2 ( a )及圖2 (b)所示，令X軸負方向表示爲「A側」，該 正方向表示爲「B側」。 如圖2 ( a )及圖2 ( b )所示，液晶裝置1係相互 經濟部智慧財/i^7s (工消黃合作fl印¾ 對向之元件基板1 0及對向基板2 0經由密封材3 0貼合 的同時，於經由兩基板和密封材3 0包圍之範圍，封入液 晶（於圖2中省略圖示）加以構成。密封材3 0係沿對向 基板2 0之邊緣，即沿外周邊形成成爲略長方形之框狀。 然後於此密封材3 0之一部分，形成爲封入液晶之開口。 透過此開口，封入液晶之後，該開口係經由封閉材3 1加 以封閉。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） 571169 A7 _B7___ 五、發明説明（H) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於密封材3 0，分散具有導電性之多數之導電粒子。 此等之導電粒子係兼具例如施以金屬之電鍍的塑膠粒子’ 或具有導電性之樹脂之粒子，導通形成於各元件基板1 0 及對向基板2 0的配線間的機能，和將兩基板之間隙，即 將晶胞間隔保持於一定，做爲間隔物加以工作的機能。實 際上，於元件基板1 0及對向基板2 0之外側表面，黏貼 爲偏光入射光之偏光板，和爲補償干涉色之相位差板等， 此等係與本發明無直接之關係之故，省略該圖示及說明。 元件基板1 0及對向基板2 0係經由例如具有例如光 透過性玻璃、光透過性石英、光透過性塑膠等之具有光透 過性之板狀構件加以形成。此等之基板中，位於觀察側之 元件基板1 0之內側表面，即於液晶側表面，形成上述複 數之資料線1 1 。另一方面，位於背面側之對向基板2 0 之內側面上，形成複數之掃瞄線2 5。 經濟部智慧財/1局肖工消黃合作社印^ 元件基板1 0係於對向基板2 0之外側，具有展開之 展開範圍1 0 a ，此展開範圍1 〇 a係自密封材3 〇之外 周緣向外側展開之範圍，即與封入於密封材3 〇及密封材 3 0之佈側的液晶不重疊之範圍。於展開面1 〇 a中之X 方向之中央部附近，安裝X驅動I C 4 1。又，挾住該X 驅動IC41 ，於X方向對向之位置，安裝第ιγ驅動 IC40a及第2Y驅動IC40b。 上述之各驅動I C4 1、40a、40b係使用 C〇G技術，安裝於展開面1 〇 a之上。即，此等之驅動 I C伙係於黏著材中，使用分散導電粒子之a c F (向異 木紙乐尺度適用中國國家標率（CNS) M規格（2H)X 297公慶) ' "' -14 - 經濟部智慧財/1局肖工消費合作社印¾ 571169 A7 B7 五、發明説明（12) 性導電膜），接合於元件基板1 0之展開範圍1 0 a (參 照圖8 ( b ))。又’於展開範圍1 〇 a之緣端部’形成 複數之外部連接端子1 7。例如連接F p c (未圖示）之 一端，於此F P C之另一端’例如連接電路基板等之外部 機器。由此，自外部機器輸出之電源電力或電氣信號透過 F P C，向外部連接端子1 7供給。 X驅動I C4 1係藉著自外部機器之FPC及外部連 接端子1 7，對應於輸入之信號’生成資料信號’將此向 資料線1 1輸出。另一方面，Y驅動I C 4 0藉著自外部 機器之F P C及外部連接端子1 7，對應於輸入之信號’ 生成掃瞄信號，加以輸出。此掃瞄信號係自形成於元件基 板1 0上之繞道配線1 6，藉由密封材3 0中之導電粒子 ，向對向基板2 0上之各掃瞄線2 5供給。 接著，經由密封材3 0之內周緣包圍之範圍，即說明 顯示範圍V內之構成。圖3係根據圖2 ( a )之C 一 C’ 線之截斫中的顯示範圍V內之一部分圖。又，圖4係顯示 形成於顯示範圍V內之數個之顯示點的斜視圖。然而，根 據圖4之D — D ’線的截面圖則相當於圖3。 如此等之圖所示，於顯示範圍V之元件基板1 〇之內 側表面，即於液晶3 5側之表面，形成排列成爲矩陣狀之 複數之畫素電極1 2，和於各畫素電極1 2之間隙部分延 伸存在於Y方向之複數之資料線1 1。各畫素電極1 2係 例如經由I T〇等之透明導電材料所形成之略矩形狀之電 極。然後，各畫素電極1 2，和於該畫素電極1 2 ，於一 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ -15- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

571169 A7 B7 五、發明説明（13) 方之側藉由鄰接之資料線1 1和T F D元件1 3加以連接 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，如圖3所示，形成資料線1 1 、畫素電極1 2及 TFD元件1 3之元件基板1 〇之表面，經由配向膜5 6 (於圖4中省略圖示）加以被覆。此配向膜5 6係自聚醯 亞胺等所成有機薄膜，配向膜中，施以爲規定未施加電壓 時之液晶3 5之排列的平磨處理。 圖5 ( a )係顯示將元件基板1 〇上之1個顯示點 5 0，自對向基板2 0側，即自對於觀察側之背面側所見 之情形。又，圖5 ( b )係根據圖5 ( a )之E - E ’線 之截面圖，圖5 (c)係圖（a)之F — F’線之截面圖 。如圖5 ( a )及圖5 ( c )所示，資料線1 1係由主配 線1 1 a ，和堆積於該主配線1 1 a之補助配線1 1 b所 成。補助配線1 1 b係例如於主配線1 1 a斷線時，代替 該主配線1 1 a ，做爲資料線1 1加以工作的配線，經由 與畫素電極1 2同一層加以形成。

另一方面，如圖5 (a)及圖5 (b)所示，TFD 經濟部智¾財/i局a (工消費合作社印^ 元件1 3係經由與延伸存在於X方向之資料線1 1之主配 線1 1 a交叉的第1金屬膜1 3 a，和於此第1金屬膜 1 3 a之表面經由陽極氧化形成之絕緣膜1 3 b，和相互 分離於此絕緣膜1 3 b之表面的第2金屬膜1 1 c及 1 3 c加以構成。 第1金屬膜1 3 a係例如經由包含鉅（T a )單體， 或鎢（W )等之鉅合金之各種之導電性材料加以形成。惟 本纸伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 571169 A7 B7 五、發明説明（14) ，於本實施形態中，第1金屬膜1 3 a經由鉅加以形成。 又，第2金屬膜1 1 c係如圖5 ( a )所示，位於與構成 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 資料線1 1之主配線1 1 a中之第1金屬膜1 3 a交叉部 分。然而，上述補助配線1 1 b係堆積於相當於主配線 1 1 a中之第2金屬膜1 1 c的部分以外之部分面上。 第2金屬膜1 3 c係連接於晝素電極1 2。又，資料 線1 1之主配線1 1 a (包含第2金屬膜1 1 c )及第2 金屬膜1 3 c係經由鉻（C r )或鋁（A 1 )之各種之導 電性材料所成同一之層加以形成。惟，於本實施形態中， 主配線1 1 a及第2金屬膜1 3 c則經由鉻加以形成。 T F D元件1 3係經由第1 T F D元件1 3 1和第2 T F D元件1 3 2加以構成。即，如圖5 ( a )及圖5 ( b )所示，第1 T F D元件1 3 1係自資料線1 1之側視 之，第2金屬膜11c、絕緣膜13b及第1金屬膜 1 3 a則依此順序堆積構成，採用金屬/絕緣體/金屬之 三明治構造的結果，具有正負雙方向之二極體開關特性。 經濟部智慧財/iU^H工消費合作社印%[ 另一方面，第2 T F D元件1 3 2係自資料線1 1之 側視之，第1金屬膜1 3 a、絕緣膜1 3 b及第2金屬膜 1 3 c則依此順序堆積構成，具有與第1 T F D元件 1 3 1相反之二極體開關特性。 如此地，TFD元件1 3係將2個二極體成爲相互逆 向直列連接的構成，與使用1個二極體之情形比較，電流 -電壓之非線性特性於正負雙方向對稱化。惟，爲確保此 非線性特性之對稱性，將第1 T F D元件1 3 1之絕緣膜 本纸永尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 571169 A7 B7 五、發明説明（15) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 3b和第2TFD元件1 32之絕緣膜1 3b同成爲同 一之厚度的同時’於第1TFD元件131 ，將第1金屬 膜1 3 a和第2金屬膜1 1 c所對向之面積，需與於第2 TFD元件1 3 2，第1金屬膜1 3 a和第2金屬膜 1 3 c所對向之面積相等。 然後，於本實施形態中，將第1 T F D元件1 3 1之 該面積與第2T FD元件1 3 2之該面積成爲相同地，如 圖5 ( a )所示，將對應構成資料線1 1之主配線1 1 a 之中的第2金屬膜1 1 c的部分寬度，與其他之部分之寬 度比較變窄。 於圖3及圖4中，於對向基板2 0之面上，形成反射 層2 1、彩色濾光片22、遮光層23、外敷層24、複 數之掃瞄線2 5及配向膜2 6。反射層2 1係例如經由具 有鋁或銀之光光反射性的金屬加以形成之薄膜。圖3中， 自觀察側入射至液晶裝置之光R r ，係於此反射層2 1之 表面反射射出至觀察側，由此，實現所謂之反射型顯示。 經濟部智慧財/i^7M工消骨合作社印^ 在此，如圖3所不，經由對向基板2 0之內側表面中 之反射層2 1所被覆之範圍，係成爲形成多數之微細凹凸 之粗面。因此，被覆此粗面地，形成薄膜狀之反射層2 1 之表面中，形成反映該粗面之微細凹凸。然後，此凹凸做 爲爲散亂光線之散亂構造加以工作。結果，自觀察側之入 射光係於反射層2 1之表面，於適切散亂之狀態加以反射 之故，迴避反射層2 1之表面之鏡面反射，實現廣視角。 彩色濾光片2 2係對應於各顯示點5 0，形成於反射 衣纸乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -18- 571169 A7 ____B7__— 五、發明説明（16) 層2 1之面上的樹脂層，如圖4所示，經由染料或顏料， 著色成R (紅色）、G (綠色）或B (藍色）之任一者。 然後，經由相互不同之顏色之3個之顯示點5 0，構成形 成顯示晝像之1個之畫素。 遮光層2 3係於元件基板1 0上’對應於排列成爲矩 陣狀之畫素電極1 2之間隙部分，形成成爲格子狀，擔任 遮光各畫素電極1 2間之間隙的功能。本實施形態之遮光 層2 3係如圖3所示，具有堆積R、G、B之3色分之彩 色濾光片2 2的構成。外敷層2 4係平坦化經由彩色濾光 片2 2及遮光層2 3形成之凹凸之層，例如經由環氧系或 丙烯酸系等之樹脂材料加以形成。 掃瞄線2 5係於外敷層2 4上，經由I T〇等之透明 導電材料所形成之帶狀之電極。如圖4所示，各掃瞄線 2 5係於元件基板1 〇上，對向於X方向成爲列之複數之 畫素電極12，向X方向延伸存在形成。然後，經由晝素 電極1 2，和對向此之掃瞄線2 5之兩者挾持的液晶3 5 ，構成圖1所示液晶顯示要素5 1。 於掃瞄線2 5供給掃瞄信號的同時，於資料線1 1經 由供給資料信號，於T F D元件1 3施加臨限値以上之電 壓時，該T F D元件1 3係成爲開啓狀態。然後，結果於 連接於T FD元件1 3之液晶顯示要素5 1 ，蓄積電荷， 變化液晶3 5之排列。如此，於每顯示點5 0，經由變化 液晶3 5之排列，可進行所期望之顯示。又，蓄積電荷之 後，該T F D元件1 3成爲關閉狀態時，維持液晶顯示要 本纸張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-19- 571169 A7 B7 五、發明説明（17) 素5 1之電荷。 於圖3中，形成複數之掃瞄線2 5之外敷層2 4之表 面，係經由配向膜2 6所被覆。此配向膜2 6係與形成於 元件基板1 0上化配向膜5 6同樣的材料所形成，更且與 配向膜5 6同樣地，施以平磨處理。 接著，參照圖6，說明有關本實施形態之液晶裝置之 配線之形態。圖6係將液晶裝置1 ，自觀察側，即自元件 基板1 0側所見之情形的平面構造，除去構成元件基板 1 0之基板素材，形成於該基板素材上之資料線1 1等， 顯示直接圖示之狀態。自圖6之紙面前側向深側之方向， 則相當於圖2 ( a )及圖2 ( b )之Z軸之正方向。因此 ，圖6中，元件基板1 0對於紙面，則位於最前側，除此 以外之要素，對於元件基板1 0，位於紙面深側。 圖6中，各資料線1 1係於顯示範圍V內，向Y方向 延伸存在的同時，橫跨密封材3 0之一邊3 0 a ，向展開 範圍1 0 a延伸出去。然後，於各資料線1 1中之展開範 圍1 0 a內，展開此等之端部係經由包含於AC F 2 9之 導電粒子，連接於X驅動I C 4 1之輸出端子。經由此構 成，經由X驅動I C 4 1生成之資料信號係輸出至各資料 線1 1。 圖6中，於對向基板2 0上，延伸存在於X方向的複 數之掃瞄線2 5 (加上斜線），係於每一條交互地向A側 及B側引出，該引出之端部係與密封材3 〇重疊。在此， 圖7係根據圖6之G - G ’線的截面圖，即對應第奇數條 本纸乐尺度適用中國國家標準·（ CNS ^A4規格（210X 297公釐） " -20- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’裝· 訂 經濟部智慧財/i^7M工消黃合作社印¾ 571169 A7 B7 五、發明説明（18) 之掃瞄線2 5的截面圖。如圖7所示，經由對向基板2 0 中之密封材3 0被覆之範圍附近，未形成彩色濾光片2 2 或外敷層2 4等。對此，第奇數條之掃瞄線2 5係自外敷 層2 4之上面到達對向基板2 0之上面的同時，直接向密 封材3 0之B側之邊，延伸存在於X方向，該端部經由密 封材3 0加以被覆。即，掃瞄線2 5之端部係藉由存在於 對向基板2 0和密封材3 0間。 更且，於圖6 ，經由掃瞄線2 5中之密封材3 0被覆 之端部（以下顯示「導通部2 5 a」）之寬度，係與存在 於顯示範圍V內之部分的寬度比較變得寬廣。對於第偶數 條之掃瞄線2 5亦相同，如圖6所示，向密封材3 0之A 側之邊，延伸存在於X方向，位於該端部之導通部2 5 a ，與密封材3 0之A側之邊重疊。然而，元件基板1 〇之 液晶側表面中，於密封材3 0之內周緣附近，形成具有沿 顯示範圍V之邊緣的框狀形狀的周邊遮光層5 7。周邊遮 光層5 7係爲遮光顯示範圍V之邊緣附近之層。 於圖6及圖7，於元件基板1 0之液晶側表面，沿延 伸存在於該元件基板1 0中之Y方向的2個邊緣，且朝向 與該邊緣交叉之其他邊，形成複數之繞道配線1 6。各繞 道配線1 6係爲連接Y驅動I C 4 0之輸出端子和掃瞄線 2 5的配線。更具體而言，繞道配線1 6係如圖6所示， 由沿元件基板1 0中之B側之邊緣形成之繞道配線1 6 1 ，和由沿元件基板1 0中之A側之邊緣形成之繞道配線 1 6 2所成。此等之各繞道配線1 6係具有沿被覆層 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

• 91 - 571169 A7 B7 五、發明説明（19) 1 6 a，和兀件基板1 0之邊緣延伸存在的延伸存在部 1 6 b 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 各繞道配線1 6之被覆層1 6 a係與掃瞄線2 5之導 通部2 5 a對向加以形成。然後，如圖7所示，形成於對 向基板2 0上之第奇數條之掃瞄線2 5之導通部2 5 a係 藉由分散於密封材3 0之導電粒子3 2，與形成於元件基 板1 0上之繞道配線1 6 1之導通層1 6 a導通。對於第 偶數條之掃瞄線2 5亦相同，該導通部2 5 a係藉由位於 密封材3 0之A側之邊的導電粒子3 2 ，與形成於元件基 板1 0上之繞道配線1 6 2之導通層1 6 a導通。 經濟部智慧財凌局’肖工消贲合作社印^ 各繞道配線1 6之延伸存在部1 6 b係如圖6所示， 該一端連接於導通層1 6 a的同時，即透過與密封材3 0 重疊之範圍，到達展開範圍1 0 a地延伸存在。更具體而 言，繞道配線1 6 1之延伸存在部1 6 b係於元件基板 1 0之面上，經由密封材3 0之B側邊被覆的同時，延伸 存在於與該B側之邊略同一方向，展開範圍1 〇 a之B側 之部分，即向需安裝第1 Y驅動I C 4 0 a之部分延伸存 在。然後，於該延伸存在部1 6 b中之展開範圍1 〇 a ， 展開端部則連接於第1 Y驅動I C 4 0 a之輸出端子。 另一方面’繞道配線1 6 2之延伸存在部1 6 b係於 元件基板1 0之上面，經由密封材3 0之A側之邊加以被 覆的同時，與該A側之邊略同一方向延伸存在，於展開範 圍1 0 a之A側部分，展開端部連接於第2 Y驅動 I C 4 0 b之輸出端子。如此地，於本實施形態中，經由 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) _ ^ -22 - 571169 A7 B7 五、發明説明（2〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 繞道配線1 6之延伸存在部1 6 b中之密封材3 0邊所被 覆之部分，向與該邊略同一方向延伸存在。換言之，向與 密封材3 0之邊中之繞道配線1 6之一部分之延伸存在方 向略同一之方向延伸之邊則被覆該繞道配線1 6之一部分 地，形成該密封材3 0。 爲此，延伸存在於密封材3 0中之Y方向的二邊，即 需被覆繞道配線1 6之二邊的寬度，係與延伸存在於X方 向之二邊寬度比較爲寬廣。即，延伸存在於X方向之二邊 係對於貼合元件基板1 0和對向基板2 0所得之寬度時即 充分之部分，對於延伸存在於Y方向之二邊，非僅貼合兩 基板，可被覆繞道配線1 6地，選定該寬度。 經濟部智慧財/i局a:工消費合作Ti印¾ 自第1 Y驅動I C 4 0 a輸出之掃瞄信號係藉由形成 於元件基板1 0上之繞道配線1 6 1之延伸存在部1 6 b 及1 6 a、以及分散於密封材3 0之B側之邊的導電粒子 3 2，供給予形成於對向基板2 0上之第奇數條之掃瞄線 25之導通部25a 。同樣，自第2Y驅動I C40b輸 出之掃瞄信號係藉由繞道配線1 6 2及分散於密封材3〇 之A側之邊的導電粒子3 2，供給予第偶數條之掃瞄線 25之導通部25a。 如此，於本實施形態中，具有繞道配線1 6經由密封 材3 0被覆之部分之故，可避免於該部分附著水分等而產 生腐蝕。更且，於此部分，不會產生水分或導電性之不純 物跨過複數之繞道配線16而附著的情事之故’於配線間 不產生短路，因此可將繞道配線1 6間之間隔變窄。然後 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐） -23- 571169 A7 _____B7__ 五、發明説明（21 ) ，此結果，可將繞道配線1 6欲形成之空間變窄。 接著，說明繞道配線1 6之層構成。本實施形態之繞 道配線1 6係由與稱之爲TFD元件1 3及畫素電極1 2 之顯示範圍V內的要素同一之層加以形成。惟，位於繞道 配線1 6中之展開範圍1 0 a內的部分，即位於密封材 3 0之外側範圍之部分，和經由密封材3 0被覆之部分， 即位於與密封材3 0重疊之範圍部分中，該層構造則不同 。詳述之時，爲以下所述。 圖8 ( a )係顯示擴大於圖6中以箭頭P所示之部分 ，即擴大延伸存在於繞道配線1 6中之展開範圍1 0 a的 部分。又，圖8 ( b )係根據圖8 ( a )之Η - Η ’線的 截面圖。又，圖8 (c)係根據圖8 (a)及圖.8 (b) 之I — I ’線之截面圖。又，圖8 ( d )係根據圖8 ( a )及圖8 (b)之J — J’線之截面圖。 如此等圖所示，繞道配線1 6係經由第1配線層 1 8 1和第2配線層1 8 2和第3配線層1 8 3所構成。 第1配線層181係由與TFD元件13之第1金屬膜 13a (參照圖5 (b))同一層所成，第2配線層 1 8 2係由與資料線1 1和主配線1 1 a及T F D元件 13之第2金屬膜13c (參照圖5 (b))同一層所成 ，第3配線層183係由與畫素電極12 (參照圖5 (b ))同一層所成。即，本實施形態中，第1配線層1 8 1 係由鉅所成，第2配線層1 8 2係由鉻所成，第3配線層 1 83係由I T ◦所成。在此，鉻係較鉅或I TO，離子 本纸乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐) ' -24- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財凌局員工^費合作社印^ 571169 A7 B7 五、發明説明（22) 化傾向爲高之故，第2配線層1 8 2係較第1配線層 1 8 1及第3配線層1 8 3易於腐蝕。 第1配線層1 8 1及第3配線層1 8 3係對應於自圖 6之導通部1 6 a至位於展開範圍1 0 a內之端部的繞道 配線1 6之全長加以形成。對此，第2配線層1 8 2係形 成與元件基板1 0之密封材3 0對向之範圍，即僅形成於 與元件基板1 0之密封材3 0重疊之範圍內。 更具體而言，第2配線層1 8 2係自密封材3 0之外 周緣僅所定長度位於內側的臨界（以下稱配線臨界） 1 0 b視之，僅與展開範圍1 0 a之相反側中加以形成， 於展開範圍1 0 a則未形成。因此，自繞道配線1 6中之 顯示區塊1 0 b視之，形成於導通部1 6 a側之部分，即 形成於與密封材3 0重疊之範圍的部分係如圖8 ( b )及 圖8 ( c )所示，第1配線層1 8 1、第2配線層1 8 2 及第3配線層1 8 3成爲堆積此順序之構成。由此，自上 述顯示區塊1 0 b視之，展開範圍1 0 a側之部分，係如 圖8 (b)及圖8 (d)所示，成爲僅堆積第1配線層 1 8 1及第3配線層1 8 3之2層的構成。 然而，於圖8 (a)中，形成於繞道配線16中之展 開範圍1 0 a內之部分係對於Y方向，成爲所定角度加以 延伸存在，因此，於此逝分，延伸存在於Y方向之部分， 即與經由密封材3 0被覆之部分比較，可確保寬廣間隔。 然後，於本實施形態中，形成於繞道配線1 6中之展開範 圍10 a內的部分之寬度W1 ，較經由密封材30所被覆 本呔張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 •裝· 經濟部智您財凌苟爵工消骨合作社印^ -25- 571169 A7 B7 五、發明説明（23) 之部分之寬度W2爲寬度。 又，圖8 ( b )中，形成1於元件基板1 〇之端部之 外部連接端子1 7係成爲自繞道配線1 6中之配線臨界 1 0 b視之，與展開範圍1 0 a側部分同樣之層構成。即 ，各外部連接端子1 7係堆積鉅所成第1配線層1 8 1和 I T〇所成第3配線層1 8 3的構成。 如以上之說明，本實施形態中，將構成繞道配線1 6 之複數之配線層之一部分的第2配線層1 8 2 ，形成與密 封材3 0重疊之範圍內，另一方面將此以外之配線層的第 1配線層1 8 1 ，對應於該繞道配線1 6之全長加以形成 之故，有可有效抑制該繞道配線1 6之腐蝕的優點。即， 由銘所成第2配線層1 8 2係阻抗値爲低，但其反面與钽 所成之第1配線層1 8 1或I T ◦所成1 1 8 3/，離子 化之傾向爲高，對於大氣的耐蝕性低之故，具有易於腐蝕 之特性。 爲此，形成不經由繞道配線1 6中之密封材3 0所被 覆之部分或於外部連接端子1 7形成第2配線層1 8 2之 情形時，該第2配線層1 8 2會起因於外部氣體中之水分 等之附著，產生易於腐蝕之問題。對此，根據本實施形態 時，離子化傾向高之第2配線層1 8 2僅形成於經由密封 材3 0所被覆之範圍，可避免於該第2配線層1 8 2附著 水分等之故，可抑制第2配線層1 8 2之腐蝕。 另一方面，構成第1配線層1 8 1之鉅及構成第3配 線層1 8 3之I TO係較構成第2配線層1 8 2之鉻而言 木纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -裝· 、-口 經濟部智慧財/i局員工消費合作社印%[ -9R- 571169 A7 B7 五、發明説明（24) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，阻抗値爲高。因此，將繞道配線1 6跨過該全長，僅形 成於第1配線層1 8 1及第2配線層1 8 2之時，配線阻 抗會變高，會給予液晶裝置之顯示特性有不好影響之虞。 對此，根據本實施形態時，經由繞道配，線1 6中之密封材 3 0所被覆之部分中，形成阻抗値低之第2配線層1 8 2 之故，有可抑制配線阻抗上昇的優點。 更且，於本實施形態中，形成於繞道配線1 6中之展 開範圍1 0 a之部分寬度係較經由密封材3 0被覆之部分 的寬度爲廣。換言之，第1配線層1 8 1和第3配線層 1 8 3所成之部分之寬度，較包含第2配線層1 8 2部分 之寬度爲廣。因此，展開範圍1 0 a內之部分雖然經由較 阻抗値高之第1配線層1 8 1和第3配線層1 8 3所構成 ，亦可避免該部分之配線阻抗變得極高的不妥的情形。 (光電裝置之製造方法之實施形態） 經濟部智慧財是局貞工消骨合作社印^ 接著，對於光電裝置之製造方法加以說明。首先，對 於設於圖3之元件基板1 〇的資料線1 1、TFD元件 1 3等之各要素之製造方法加以說明。圖9及圖1 0係將 元件基板1 0上之1個顯示點5 0之製造方法依工程順序 加以顯示。又，圖1 1係將元件基板1 0上之繞道配線 1 6之製造方法依工程順序加以顯示。 如上所述，本實施形態之繞道配線1 6係與經由構成 T F D元件1 3及畫素電極1 2之各層同一層所形成。因 此’以下並行顯示點5 0和繞道配線1 6之兩者之製造工 本纸乐尺度適用中國國家標窣（CNS ) A4現格（210X 297公釐） -27 - 571169 A7 ____B7_ __ 五、發明説明（25) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 程加以說明。又，有關圖6之繞道配線1 6欲形成之範圍 ’展開範圍1 0 a和欲形成密封材3 0之範圍，和欲安裝 Y驅動器I C 4 0之範圍的位置關係係如圖1 1 ( a )所 示。 首先’如圖9 (a)及圖11 (a)所示，於元件基 板1 0之面上，形成鉅所成金屬膜6 1。於此金屬膜6 1 之成膜’可使用側例如濺鍍法或電子束蒸著法。金屬膜 6 1之膜厚係對應TFD元件1 3之用途等，雖可選擇適 切之値，但通常爲l〇〇nm〜500nm程度。然而， 於金屬膜6 1之形成前，於元件基板1 〇之表面形成氧化 鉅（T a 2 0 5 )所成絕緣膜亦可。將此絕緣膜做爲基材形 成金屬膜6 1時，提高該金屬膜6 1和元件基板1 0之密 著性的同時，可抑制自元件基板1 〇向金屬膜6 1之不純 物的擴散。 經濟部智慧財產苟g (工消費合作社印¾ 接著，將金屬膜6 1經由微縮術處理及蝕刻處理加以 圖案化。具體而言，於圖6之顯示範圍V內，對應如圖9 (e 1 )所示之TFD元件1 3之第1金屬膜1 3 a的形 狀，於如圖9 ( a 1 )所示之X方向，沿成爲列的複數顯 示點5 0延伸的形狀，圖案化金屬膜6 1。 另一方面，欲形成圖6之繞道配線1 6之範圍中，經 由與上述圖案同樣的工程，如圖11 (b)所示，形成構 成繞道配線1 6之第1配線層1 8 1 ，和構成外部連接端 子1 7之第1配線層1 8 1。如上所述，構成繞道配線 1 6之第1配線層1 8 1係對應自圖6之導通部1 6 a至 本纸乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -28- 571169 A7 B7_ 五、發明説明（26) 位於展開範圍1 0 a內的端部的繞道配線1 6之全長加以 形成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，於圖9 ( a )中，將形成於顯示範圍V之金屬 膜6 1之表面，經由陽極氧化法加以氧化，如圖9 ( b ) 所示，於該金屬膜6 1之表面形成氧化鉅所成之氧化膜 6 2。具體而言，將元件基板1 0浸漬於所定之電解液， 於顯示範圍V內之金屬膜6 1和電解液間，施加所定之電 壓，氧化該金屬膜6 1之表面。氧化膜6 2之膜厚係雖對 應丁 F D元件1 3之特性，選擇適切之値，但爲例如1 0 〜3 5 n m之程度。然而，做爲使用陽極氧化之電解液， 可使用0 · 0 1〜0 . 1重量％之檸檬酸水溶液。之後， 爲進行柱孔之除去或膜質之安定化，對於經由上述陽植氧 化形成之氧化膜6 2施以熱處理。然而’對於圖1 1 ( b )所示繞道配線1 6之第1配線層1 8 1 ’不施以陽極氧 化。因此，於此第1配線層1 8 1之表面’不形成氧化膜 (參照圖1 1 ( c ))。 接著，如圖9 (c)及圖11 (c)所示’被覆元件 經濟部智慧財/i^，'H工消費合作社印^ 基板1 0之全面地，形成金屬膜6 3。此金屬膜6 3係例 如經由濺鍍法等，形成5 0 n m〜3 0 0 n m程度之膜厚 。此金屬膜6 3係圖1 〇 ( c 1 )之資料線1 1中之主配 線11 a及圖9 (el)之TFD元件13之第2金屬膜 13c ，以及圖11 (f)之繞道配線16之第2配線層 1 8 2所成之薄膜。因此’本實施形態之金屬膜6 3經由 鉻加以形成。 衣纸民尺度適用中國國家標隼（CNS)A4規格（210X297公釐） -29- 571169 A7 _B7 __ 五、發明説明（27) 之後，於圖9 ( c )及圖1 1 ( c )中’經由微縮術 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 處理及蝕刻處理，圖案化金屬膜6 3。由此’於顯示範圍 v內，如圖9 (d)及圖9 (dl)所示’形成具有相當 於第2金屬膜1 1 c變細之部分的主配線1 1 a ’和圖9 (e 1 )之第2TFD元件1 3 2之第2金屬膜1 3 c ° 另一方面，欲形成繞道配線1 6之範圍中，經由圖 11 (C)之金屬膜63的圖案化’如圖11 (d)所示 ，形成第2配線層1 8 2。即，形成自繞道配線1 6中之 配線臨界1 0 b ，對應於導通部1 6 a (參照圖6 )側之 部分的形狀之第2配線層1 8 2。換言之’位於在先前之 工程形成之第1配線層1 8 1之面上的金屬膜6 3中，除 去對應於自配線臨界1 0 b所視展開範圍1 〇 a側之部分 (包含欲形成外部連接端子1 7之部分）的金屬膜6 3 接著，於圖9 ( d )中，使用微縮術處理及蝕刻處理 ，圖案化上述之金屬膜61及氧化膜62 ，如圖9 (e) 經濟部智慧財/i^7a(工消費合作社印^ 及圖9 (el)所示，形成構成各顯示點50之TFD元 件1 3的第1金屬膜1 3 a及絕緣膜1 3 b。即，經由氧 化膜6 2被覆之金屬膜6 1中，除去於X方向成爲列之各 顯示點5 0間之部分，成爲與第2金屬膜1 1 c及1 3 c 之1雙方交叉的島狀之部分，圖案化第1金屬膜1 3 a及 絕緣膜1 3b。經由此工程，第1TFD元件1 3 1及第 2 T F D元件1 3 2則於各顯示點5 0加以形成。然而， 圖10 (a)係顯示根據圖9 (el)之f — F’銶的截 面圖’資料線1 1之主配線1 1 a及第2TFD元件 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) ' ' -30 - 571169 A7 B7 五、發明説明（28) 1 3 2之第2金屬膜1 3 C之截面形狀。 又，圖9 (d)之金屬膜6 1及氧化膜6 2之圖案化 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 時，於圖1 1 ( d )之繞道配線1 6用之第1配線層 1 8 1及第2配線層1 8 2 ’不進行任何處理。 然而，於上述之例中，於圖9 (c)之金屬膜63施 以圖案處理之後，於圖9 (d)之金屬膜61及氧化膜 6 2施以圖案處理，相反地，進行金屬膜6 1及氧化膜 6 2之圖案化後，進行金屬膜6 3之形成及該金屬膜6 3 之圖案化亦可。 接著，如圖10 (b)及圖11 (e)所示，將由 I T ◦所成透明導電膜6 4，被覆元件基板1 0之整面地 加以形成。於此成膜，例如可使用濺鍍法等。此後，將透 明導電膜6 4例如經由微縮術處理及蝕刻處理加以圖案化 。由此，於顯示範圍V內，如圖1 〇 ( c )及圖1 〇 ( c 1 )所示，形成連接於第2TFD元件1 3 2之第2金屬 膜1 3 c的畫素電極1 2，和與主配線1 1 a —同構成資 料線1 1之補助配線1 1 b。 經濟部智丛財/1^員工消^合作社印^ 另一方面，於顯示範圍V之外側，如圖1 1 ( f )所 示，對應於繞道配線1 6之全長，形成被覆第1配線層 181及第2配線層182之第3配線層183，和被覆 外部連接端子1 7之第1配線層18 1的第3配線層 18 3° 此後，如圖3所示，形成被覆元件基板1 〇中之顯示 範圍V的配向膜5 6的同時，對於該配向膜5 6 ，於所定 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -31 - 571169 A7 __B7_ 五、發明説明（29) 方向施以平磨處理。接著，於圖11 (g)中，將分散導 電粒子3 2之密封材3 0，例如使用網版印刷等之技術加 以塗佈。此時，如圖6所示，密封材3 0之邊中，向與繞 道配線1 6之一部分之延伸存在方向略同一方向延伸邊， 被覆該繞道配線1 6地，塗佈該密封材3 0。 以上，於圖3之元件基板1 0上，爲製造各種要素之 製造方法。於此之另一方面，設於對向基板2 0上之各要 素，係例如經過圖1 2及圖1 3所示之工程加以形成。然 後，此等之圖係顯示經由圖6之對向基板2 0中之密封材 3 0所被覆之範圍的截面之附近。密封材3 0所欲形成之 範圍係於圖1 2 ( a )，做爲「密封範圍」加以顯示。 首先，於圖12 (a)中，粗面化欲形成對向基板 2 0中之反射層2 1的範圍之表面。具體而言，例如使用 蝕刻處理，將該對向基板2 0之表面中之多數之微細範圍 ，選擇性除去所定之厚度。由此，具有對應於除去之部分 之凹部，和對應於未除去之部分的凸部的粗面，則形成於 2 0 ·之表面上。 惟，粗面化對向基板2 0之表面的方法則不限於此。 例如，被覆對向基板2 0地，形成環氧系或丙烯酸系之樹 脂，經由蝕刻該樹脂層表面之多數之微細部分，選擇性地 加以除去。此後，於該樹脂層加上熱之後而軟化，將經由 蝕刻所產生角之部分，經由加以圓滑化，形成具有緩和之 凹凸的粗面亦可。 接著，於圖12 (a)中，被覆對向基板20之整面 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智楚財/1局肖工消^合作社印^ -^9 - 571169 A7 B7 五、發明説明（3〇) 地，將具有光反射性之金屬薄膜，使用濺鍍法等加以形成 。此薄膜係例如經由鋁或銀之單體金屬，或此等爲主成分 的合金所形成。之後，使用微縮術處理及蝕刻處理，經由 圖案化部薄膜，形成示於圖1 2 ( b )之第1之反射層 2 1° 接著，如圖12 (c)所示，於反射層21之面上， 形成彩色濾色片2 2及遮光屠2 3。即，首先，經由染料 或顏料，R (紅）、G (綠）或B (藍）中之任一色，， 例如將著色成爲R色之樹脂膜形成於反射層2 1之面上後 ，剩下R色之第1之構造層2 2邢形成之範圍，和遮光層 2 3需形成之格子狀之範圍，即剩下顯示點5 0間之間接 稅範圍，除去該樹脂膜。之後，將與此同樣之工程，對於 其他之2色，即對於G色及B色亦重覆地，如圖1 2 ( c )所示，形成對應於R、G或B之任一顏色的彩色濾色片 2 2，和堆積此等之3色層之遮光層2 3。 之後，於圖12 (d)中，被覆彩色濾色片22及遮 光層2 3地，塗佈環氧系或丙烯酸系之樹脂才料，更且將 此燒成，形成外敷層2 4。接著，於圖1 3 ( e )，被覆 形成上述各要素之對向基板2 0之整面地，形成I T ◦等 所成透明導電膜6 5。於此成膜，例如可使用濺鍍法等。 將此透明導電膜6 5經由微縮術處理及蝕刻處理加以 圖案化，如圖13 (f)所示，形成複數之掃瞄線25。 此等之照明裝置係於每1條，到達密封材3 0之A側及B 側邊所形成之範圍地加以形成，於該端部，形成導通部 "^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇x 297公釐） 一 -33- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、11 經濟部智慧財/tnlrB;工消骨合作社印¾ 571169 A7 B7 五、發明説明（31) 2 5 a。之後，如圖1 3 ( a )所示，被覆顯示範圍顯示 範圍V地，形成配向膜2 6的同時，對於該配向膜2 6施 以平磨處理。 接著，將經過上述各工程所得之元件基板1 0和對向 基板2 0，如圖2所示，各電極形成面對向地，將密封材 3 0挾於其間而貼合。此時，於圖6中，各掃瞄線2 5之 導通部2 5 a和繞道配線1 6之導通部1 6 a則挾住密封 材3 0加以對向地，調整兩基板1 0，2 0之相對位置。 然後，於圖2中，於經由兩基板1 0，2 0和密封材 3 0包圍之範圍內，藉由密封材3 0之開口部分，封入液 晶，之後，將該開口部分經由封閉材3 1加以封閉。之後 ，於兩基板1 0 ，2 0之外側表面，黏貼偏光板或相位差 板的同時，於元件基板1 0之展開範圍1 0 a ，將X驅動 I C 4 1及Y驅動I C 4 0使用C〇G技術加以安裝，由 此，可得上述液晶裝置1。 如此，根據本實施形態時，繞道配線1 6由與T F D 元件1 3及畫素電極1 2共通之層所形成之故，將形成各 TFD元件1 3及繞道配線1 6的工程，與各別實施之時 比較，可達成製造工程之簡化及製造成本之減低。 然而，做爲爲防止圖8 ( b )所示之耐蝕性低之第2 配線層1 8 2之腐蝕的其他手段，例如將形成繞道配線 1 6中之該第2配線層1 8 2的部分，經由樹脂材料等所 成絕緣層加以被覆亦被考量。但，於此時，爲形成該絕緣 罾之工程爲不可或缺之故，因此需要高的製造成本。對此 本纸張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· -λ4- 571169 A7 _____B7_ 五、發明説明（32) ’根據本實施形態時，第2配線層1 8 2經由密封材3 0 加以被覆之故，爲形成上述絕緣層之獨立工程會變得不需 要。因此’根據本實施形態時，不伴隨製造成本之增加或 製造工程之煩瑣化，可得抑制第2配線層1 8 2之腐蝕的 效果。 以上’對於本發明之一實施形態進行了說明，但上實 施形態不過爲例示，對於上述實施形態，可附加不超出本 發明要點之範圍的種種變形。做爲變形側，可有如下者。 (光電裝置之第2實施形態） 圖6所不先前之實施形態中，繞道配線1 6之一部分 則成爲經由向與該一部分略同一方向延伸之密封材3 0之 邊所被覆之構成，取而代之，可採用如圖1 4所示之構成 。然而，圖1 4係顯示將液晶裝置8 1自觀察側視之時的 配線形態。又，於圖1 4中，對於與圖6所示之構成要素 相同的之構成，附上同一之符號。又，圖1 4中，與圖6 同樣地，元件基板1 0則對於紙面位於最前側，除此以外 之要素係對於該元件基板1 0而言，位於紙面深側。 於圖1 4中，繞道配線1 6係形成於元件基板1 〇上 ，由導通部1 6 a和延伸存在部1 6 b所成。然後，繞道 配線1 6則藉由密封材3 0中之導電粒子3 2 ，與掃瞄線 2 5之導通部2 5 a導通之部分，係與圖6所示之實施形 態之情形相同。但是，於本實施形態中，延伸存在部 1 6 b非延伸存在於經由密封材3 0所被覆之範圍內，即 本纸乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 經濟部智.¾財/1¾員工消費合作社印製 -35- 571169 A7 B7 五、發明説明（33) 非延伸存在於於與密封材3 0重疊之範圍，於經由該密封 材3 0之內周緣，於包圍之範圍內，即於顯示範圍V延伸 存在之部分，與圖6之實施形態不同。 即，於本實施形態中，延伸存在部1 6 b係於經由密 封材3 0之內周緣所包圍之範圍內，連結於導通部1 6 a 的同時，於該範圍內，向展開範圍1 0 a延伸存在。然後 ，橫切密封材30之一邊30a ，到達展開範圍l〇a內 ，該端子連接於Y驅動I C 4 0之輸出端子。 圖1 5係顯示本實施形態之繞道配線1 6之層構成圖 ，對應於先前之實施形態之圖8 ( b )者。如圖1 5所示 ，繞道配線1 6之層構成係與圖8 ( b )所示之先前之實 施形態之繞道配線1 6的層構成相同，堆積經由與圖5 ( b )之TFD元件1 3之第1金屬膜1 3 a相同層所形成 之第1配線層1 8 1 ，和經由圖5 ( a )之資料線1 1之 主配線1 1 a及丁 FD元件1 3之第1金屬膜1 3 a同一 層所形成之第2配線層182，和經由與圖5 (a)之畫 素電極1 2同一層所形成之第3配線層1 8 3加以構成。 第1配線層1 8 1及第3配線層1 8 3係位於自圖 1 4之導通部1 6 a至位於展開範圍1 〇 a內之端部的繞 道配線1 6之全長加以形成。即，第1配線層1 8 1及第 3配線層1 8 3係設於重疊於元件基板1 〇中之密封材 3 0的範圍，和對向於液晶3 5範圍（即經由密封材3 〇 之內周緣所包圍之範圍），和展開範圍1 〇 a。 對此’第2配線層1 8 2係成爲不進入展開範圍 本纸張尺度適用中國國家標準·（ CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、11 經濟部智慧財/i^a(工消費合作ti印¾ -3R- 571169 A7 __ _B7____ 五、發明説明（34) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 〇 a ，設於重疊於元件基板1 0中之密封材3 0的範圍 ’和對向於液晶3 5範圍。即圖6所示先前之實施形態中 ’採用繞道配線1 6經由密封材3 0所被覆的範圍’即採 用與密封材3 0重疊之範圍，延伸存在於內之構成之故’ 第2配線層1 8 2僅形成於經由密封材3 0所被覆之範圍 。對此，本實施形態之第2配線層1 8 2係除了經由密封 材3 〇所被覆之範圍，亦形成於對於液晶3 5之範圍。經 由本實施形態時，與圖6所示之實施形態同樣地，於第2 配線層1 8 2可避免外部氣體中之水分等之附著，因此， 可抑制訛第2配線層1 8 2之腐蝕。 (光電裝置之第3實施形態） 於圖8 ( b )及圖1 5所示之實施形態中，繞道配線 1 6雖爲具有第1配線層1 8 1和第3配線層1 8 3之構 成，僅具有此等中任一之構成亦可。即，將位於經由繞道 配線1 6中之密封材3 0被覆之範圍內的部分，成爲堆積 第1配線層1 8 1和第2配線層1 8 2之構成，將位於展 開範圍1 0 a內之部分，僅經由液晶裝置8 1加以構成亦 可。當然’如圖8 ( b )等所示之實施形態，於第1配線 層1 8 1和第2配線層1 8 2採用第3配線層χ 8 3之構 成時，有將配線阻抗抑制於低水準的優點。 (光電裝置之第4實施形態） 於圖6及圖i 4所示之實施形態中，對於與掃猫線 用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公廣1 -- •37- 571169 A7 B7 五、發明説明（35) 2 5導通之繞道配線1 6，該一部分之配線層成爲經由密 封材3 0被覆之構成，對於此外之配線，側如對於資料線 1 1 ，亦可採用同樣之構成。即，將自資料線1 1中之鉻 所成之主配線1 1 a ，形成於經由密封材3 0及液晶3 5 所被覆之範圍內，另一方面，將耐鈾性局之I T〇所成補 助配線1 1 b，附加於經由密封材3 0及液晶3 5所被覆 之範圍內，可進入展開範圍1 0 a地，於該資料線1 1之 全長加以形成亦可。然而，此時之配線，即資料線1 1係 不與對向基板2 0上之任一配線導通。即，本發明之「配 線」不需一定與形成於其他之基板的配線導通。 (光電裝置之第5實施形態） 圖8 ( b )或圖1 5所示之實施形態中，將構成繞道 配線1 6之各第1配線層1 8 1 、1 8 2、1 8 3 ，經由 顯示範圍V內之要素、即與TFD元件1 3、畫素電極 1 2等共通之層加以形成。但是，有關本發明之光電裝置 係非經常需如此加以構成，經由與顯示範圍V內之要素個 別之工程，形成繞道配線1 6亦可。 即，於圖8 (b)或圖15所示之實施形態中，將第 1配線層1 8 1經由鉅加以形成，將第2配線層1 8 2經 由鉻加以形成，將第3配線層1 8 3經由I T 0所形成’ 但各配線層之材料不限於此等。當然，經由與圖8 (b) 等所示之實施形態之例不同之材料，形成各配線層之時’ 將此等之配線層中1仆土離灸化傾向高，即耐蝕性低之配 本纸張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 哇齊郎1曰^时4^資工消黃合作社印^ -38- 經濟部智您財4笱員工消资合作社印災 571169 A7 __ B7 五、發明説明（36) 線層，形成於與密封材3 0重疊之範圍內，更且將該其他 之配線層，對應於該繞道配線1 6之全長加以形成爲佳。 (光電裝置之第6實施形態） 圖6或圖1 4所示之實施形態中，T F D元件1 3形 成之元件基板1 0位於觀察側，掃瞄線2 5形成之對向基 板2 0位於背面側。但是，與此相反，元件基板1 0位於 背面側，對向基板2 0位於觀察側地加以構成亦可。於此 時，將圖3之反射層21 ，非在對向基板20上，而形成 於元件基板1 0上亦可。 又，示於圖3之實施形態中，於位於背面側之基板的 對向基板2 0，形成彩色濾色片2 2及遮光層2 3 ，此等 之要素形成於位於觀察側基板的構成亦可。或不設置彩色 濾色片2 2及遮光層2 3 ，做爲進行黑白顯示之構成亦可 。即，圖3所示之實施形態中，元件基板1 0則對應於本 發明之「第1基板」，對向基板2 0則對應本發明之「第 2基板」，各本發明之「第1基板」及「第2基板」係可 爲位於觀察側或背面側的基板，對應T F D元件1 3、反 射層2 1 、彩色濾色片2 2等之要素，則依需要，設定於 任一基板亦可。 又，於圖3所示之實施形態中，例示僅進行反射型顯 示之反射型液晶裝置，本發明但亦可適用於所謂僅進行透 過型顯示的透過型液晶裝置。例如，將圖3之構造變更爲 透過型時，於基板側之基板之對向基板2 0，無需設置反 本紙乐尺度適用中國國家標準（CN’S ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-39- 571169 A7 B7 五、發明説明（37) 射層2 1 ，自背面側之入射光則透過液晶3 5 ，成爲向觀 察側射出之構成即可。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 更且，於可反射型顯示和透過型顯示之兩者之所謂半 透過反射型液晶裝置可適用本發明。此時，例如於圖3， 取代反射層2 1 ，於每顯示點5 0，設置具有開口部之反 射層、或反射入射於表面之光線中之一部分，透過另一部 分的構造之半透過反射層（所謂半透鏡）的同時，於液晶 裝置之背面側，成爲配設照明裝置之構成即可。 更且，於記載於圖6或圖1 4之實施形態中，例示了 使用二端子型開關元件之T F D元件之主動矩陣方式之液 晶裝置，取而代之，對於使用代表T F T (對膜電晶體） 之三端子型開關元件之主動矩陣方式之液晶裝置，或不具 有開關元件之被動矩陣方式之液晶裝置當然亦可適用本發 明。 經濟部智慧时/4局吕(工消贲合作社印^ 由以上可明白，橫跨與支持液晶之基板中之密封材對 向之範圍，即自與密封材重疊範圍橫跨該密封材之外周緣 ，設置向該外側延伸之圖案之配線的構造的液晶裝置時， 不論其他之構成要素之形態，皆可適用本發明。 (電子機器之實施形態） 接著，對於使用有關本發明之液晶裝置之電子機器加 以說明。圖1 6 ( a )係顯示將本發明適用於可攜型之個 人電腦’即可搬動型之個人電腦，所謂筆記型個人電腦之 情形’尤其，做爲該顯示部加以適用之情形。 衣纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -40- 571169 A7 _B7 五、發明説明（38) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此所示之個人電腦7 1係具備備有鍵盤7 1 1之本 體部7 1 2，和適用有關本發明之液晶裝置之顯示部 7 1 3。做爲使用於此個人電腦7 1之光電裝置，於暗處 ，爲確保可視性，不單是反射型顯示，可進行透過型顯示 之半透過反射型之光電裝置爲佳。 接著，圖1 6 ( b )係顯示將有關本發明之光電裝置 ，做爲攜帶電話機之顯示部使用之情形。於同圖中，攜帶 電話機7 2係除了複數之操作鈕7 2 1之外，具有受話口 7 2 2、送話口 7 2 3，和顯示部7 2 4。顯示部7 2 4 係使用有關本發明之光電裝置的構成。又，爲確保暗處之 可視性，將半透過反射光電裝置做爲顯示部7 2 4加以使 用者爲佳。 然而，做爲可適用有關本發明之光電裝置之電子機器 ，可爲圖1 6 ( a )所示之個人電腦，或圖1 6 ( b )所 經濟部智慧財4局a(工消黃合作TI印¾ 示之攜帶電話機之外，可爲液晶電視，或觀景型之攝錄放 影機，監視直視型之攝錄放影機，汽車導航裝置、呼叫器 、電子筆記本、計算機、文字處理機、工作站、電視電話 、P〇S終端、數位相機等。又，將有關本發明之光電裝 置，做爲光閥加以使用之投影機等，亦爲有關本發明之電 子機器。 如上所述，根據有關本發明之光電裝置時，可解除配 線曝曬於外部氣體所產生之種種問題之故，於使用此光電 裝置之電子機器中，可避免導通不良而確保高可靠性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CN’S ) A4規格（210X297公釐） -41 - 571169 A7 B7 五、發明説明（39) (光電裝置之第7實施形態） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1 7係顯示於光電裝置之一例的主動矩陣方式之 EL (電激發光）裝置1 1 〇，適用本發明之情形之實施 形態者。又，圖1 8係顯示根據圖1 7之K 一 K ’線之 EL裝置11〇之截面構造。 此等之圖中，於基板1 〇 〇上，形成複數之畫素被形 成之範圍，即形成顯示範圍V。閘極側驅動用I c 1 0 2 ，和源極側驅動用I C 1 〇 3。又，自各驅動電路之各配 線係經由輸出入配線1 1 2、1 1 3 ' 1 1 4，到達 FPC111 ，藉由此FPC111 ，與外部機器連接。 FPC1 1 1係經由ACF1 15，連接於基板100之 邊端部。 此時，至少包圍顯示範圍V地，設置外殼1 〇 4。此 外殼1 0 4係該內側之高度尺寸具有較顯示範圍V之高度 爲大之凹部的形狀或不具如此凹部之薄片形狀，經由黏著 劑1 〇 5係與基板1 〇 〇連動，形成密閉空間地，固著於 基板1 0 0。此時，E L元件係成爲完全封入上述密閉空 間之狀態，自外部氣體完全切斷。 外殼1 0 4係可複數設置。外殻1 〇 4之材質係以玻 璃、聚合物等之絕緣性物質爲佳。例如硼矽酸鹽玻璃、石 英等之非晶質玻璃、結晶化玻璃、陶瓷玻璃、有機系樹脂 (例如丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、 環氧系樹脂等）、聚矽氧烷系樹脂等。又，黏著劑1 〇 5 爲絕緣性物質之時，可使用不鏽鋼合金等之金屬材料。 本纸汝尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -42- 571169 Α7 Β7 五、發明説明（40) 做爲黏著劑1 0 5而言，可使用環氧系樹脂、丙烯酸 酯系樹脂等之黏著劑。又，將熱硬化性樹脂或光硬化性樹 脂做爲黏著劑加以使用亦可。惟，儘可能爲不透過氧氣、 水分之材質。 於外殻1 0 4和基板1 0 〇間之空隙1 〇 6間，塡充 氬、氦、氮等之非活性氣體爲佳。又，不限於氣體，可使 用非活性液體’例如可使用代表於全氟烴之液狀氟化碳等 。又，於空隙1 0 6內，置入乾燥劑亦爲有效，做爲如此 之乾燥劑係例如有氧化鋇。 如圖1 7所示，於顯示範圍V，各獨立之複數之顯示 點5 0則成爲矩陣狀加以排列。如圖1 8所示，此等之顯 示點5 0之所有係將保護電極2 4 9做爲共通電極而所有 。保護電極2 4 9係外殼1 0 4之內部範圍中，於接近 FPC 1 1 1之範圍1 08，連接輸入配線1 1 3之一部 分。於保護電極2 4 9，透過F P C 1 1 1及輸出入配線

1 1 3，施加所定之電壓，例如接地電壓，例如施加〇 V 〇 圖1 9係顯示根據圖1 7之箭頭L，相互鄰接之2個 顯示點5 0。又，圖2 0係將此等之顯示點內之電氣性電 路構成，做爲等價電路圖加以顯示。又，圖2 1係根據圖 1 9之Μ- Μ 線，顯不爲驅動E L元件之主動矩陣元件 部分之截面構造。

如圖1 9及圖2 0所示，各顯示點5 0係具有做爲開 關_兀件工作之開關用T F Τ 2 0 1 ’和做爲控制向E L 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 -42 - 經濟部智毯財/i^7B(工消黃合作社印¾ 571169 A7 B7 五、發明説明（41 ) 元件流動之電流量的電流控制元件加以工作的電流控制用 TFT2 0 2。開關用TFT2 0 1之源極你連接於源極 配線2 2 1 ，該閘極係連接於閘極配線2 1 1 ，然後，該 源極係連接於電流控制用T F T 2 0 2之閘極。 又，電流控制用T F T 2 0 2之源極係連接於電流供 給線2 1 2，此汲極係連接於E L元件2 0 3。然而， E L元件2 0 3係將包含發光層之E L層，經由陽極和陰 極挾持之構造的發光元件。圖1 9中，畫素電極2 4 6做 爲略方形狀之陽極加以顯示，包含發光層之E L層2 4 7 則堆積於該畫素電極2 4 6上，於其上，堆積做爲共通於 各顯示點5 0之共通電極之陰極（未圖示），經由此堆積 構造形成E L元件2 0 3。 圖2 1中，於基板1 0 0上形成成爲基材之絕緣膜 2 0 6。基板1 0 0係例如經由玻璃基板、陶瓷玻璃基板 、石英基板、矽基板、陶瓷基板、金屬基板、塑膠基板或 塑膠薄膜等所形成。 基材膜2 0 6係尤其使用具有包含可動離子之基板或 導電性的基板時，爲有效的，做爲基板3 0 0使用石英基 板之時，基材膜2 0 6不設置亦無妨。做爲基材膜2 0 6 ，例如使用包含矽之絕緣膜即可。又，於基材膜2 0 6中 ，具有發散產生於T F T之熱的放熱機能即可。 於本實施形態中，於1個顯示點內，設置2個T F 丁 ，具體而言，設置做爲開關用元件工作之開關用T F T 2 0 1 ，和做爲控制向E L元件流動之電流量的電流控制 本纸乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-44- 經濟部智慧財走局員工消黃合作社印^ 571169 A7 B7 五、發明説明（42) 元件加以工作的電流控制用T F T 2 0 2。此等之T F T 係於本實施形態中，皆做爲η通道型T F T加以形成，但 亦可兩者或任一者爲Ρ通道型7 F τ。 開關用TFT2 0 1係具有包含源極範圍2 1 3、汲 極範圍 214、LDD 範圍 215a、215b、 2 1 5 c、2 1 5 d、高濃度不純物範圍2 1 6及通道形 成範圍2 1 7 a 、2 1 7b之5種之要素的活性層。又’ 開關用丁 F τ 2 0 1係具有閘極絕緣膜2 1 8 ，和閘極電 極2 1 9 a、2 1 9 b ’和第1層間絕緣膜2 2 0，和源 極配線2 2 1，和汲極配線2 2 2。 如圖19所示’閘極電極219a 、219b係成爲 經由較該閘極電極2 1 9 a、2 1 9 b低阻抗的其他之材 料所形成之閘極配線2 1 1加以電氣性連接的雙閘極構造 。當然，不單是雙聞極構造’爲二聞極構造’所謂多聞極 構造，即具有直列連接之2個以上之之通道形成範圍之活 性層構造亦可。 活性層，經由包含結晶構造之半導體膜、即經由單結 晶半導體膜或多結晶半導體膜或微結晶半導體膜等形成。 又，閘極電極2 1 9 a ，2 1 9 b、源極配線2 2 1、汲 極配線2 2 2係可使用所有種類之導電膜。更且，於開關 用TFT201中，LDD範圍215a〜215d係藉 由閘極絕緣膜2 1 8，且不與閘極電極2 1 9 a、 2 1 9 b重疊地加以設置。如此之構造係在於減低關閉電 流値上，非常有效果。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-45- 571169 A7 B7 五、發明説明（43) 接著，於圖2 1中，電流控制用τ F T 2 0 2係具有 包含源極範圍2 3 1、汲極範圍2 3 2、L D D範圍 2 3 3及通道形成範圍2 3 4之4之要素的活性層，和聞 極絕緣膜2 1 8、閘極電極2 3 5，和第1層間絕緣膜 2 2 0，和源極配線2 3 6、和汲極配線2 3 7。然而， 閘極電極2 3 5雖爲單一閘極構成，取而代之爲多閘極構 造亦可。 於圖2 1中，開關用T F T 2 0 1之汲極係連接於電 流控制用T F T之閘極。具體而言，電流控制用τ F T 2 0 2之閘極電極2 3 5係藉由開關用T F T 2 0 1之汲 極範圍2 1 4和汲極配線2 2 2電氣性地加以連接。又， 源極配線2 3 6係連接於電流供給線2 1 2。 電流控制用T F T 2 0 2係供給爲使E L元件2 0 3 發光之電流的同時，控制該供給量，使灰階顯示變成可能 。爲此，爲使流入電流亦不劣化，需進行熱載體植入之防 劣化處理。又，顯示黑色之時，雖令電流控制用T F 丁 2 0 2成爲關閉狀態，此時關閉電流値爲高時，無法產生 黑色顯示，導致對比之下降。因此，關閉電流値亦期望加 以抑制。 於圖2 1中，於第1層間絕緣膜2 2 0上，形成第1 鈍化膜2 4 1。此第1鈍化膜2 4 1係經由例如包含矽之 絕緣膜所形成。此第1鈍化膜2 4 1係具有將形成之 T F T自鹼金屬或水分保護的功能。最終設於T F T上方 之E L .罾中，包含有鈉等之鹼金屬。即，第1鈍化膜 本纸張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財走局si工消骨合作社印¾ -46- 571169 A7 B7 五、發明説明（44) 2 4 1係做爲令此等鹼金屬不侵入至T F T側的保護層力口 以工作。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，於第1鈍化膜2 4 1具有散熱機能時，可防止 E L層之熱劣化。又，圖2 1之構造中’於基板1 〇 〇爲 放射光線，第1鈍化膜2 4 1需具有透光性。又，做爲 E L層使用有機材料時，該E L層係經由與氧的結合，會 產生劣化之故，不使用易於放出氧的絕緣膜爲佳。 於第1鈍化膜2 4 1上，以被覆T F T之形式，形成 第2層間絕緣膜2 4 4。此第2層間絕緣膜2 4 4係具有 將經由T F T所形成之階差平坦化之機能。做爲此第2層 間絕緣膜2 4 4係例如可使用聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸 等之有機樹脂膜。當然，可充分平坦化時，使用無機膜。 E L層係非常薄之故，於形成此之面，存在階差時， 會有產生發光不良之情形。因此，經由第2層間絕緣膜 244，平坦化TFT所成階差，之後，將形成於其上之 E L層，正常加以工作時爲重要的。 經濟部智慧財凌局貨工消費合作社印^ 於第2層間絕緣膜2 4 4之上，形成第2鈍化膜 245。此第2鈍化膜245係產生防止自EL元素擴散 之鹼金屬之透過的機能。此第2鈍化膜2 4 5係經由與第 1鈍化膜2 4 1同樣的材料加以形成。又，第2層間絕緣 膜2 4 5係做爲將於E L元件所產之熱脫出的散熱層加以 工作爲佳，經由此散熱機能，於E L元件可防止熱的蓄積 〇 於第2鈍化膜245上，形成畫素電極246。此畫 衣纸乐尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（21〇Χ 297公釐） -47- 571169 A7 B7 五、發明説明（45) (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 素電極2 4 6係例如經由透明導電膜加以形成’做爲E L 元件之陽極加以工作°此畫素電極4 4 6係於第2鈍化3莫 2 4 5、第2層間絕緣膜2 4 4及第1鈍化膜2 4 1 ’開 啓連接孔，即開啓開口之後’於形成之該連接孔’連接電 流控制用T F T 2 0 2之汲極配線2 3 7地加以形成。 接著，於畫素電極246上’形成EL層247 °此 E L層2 4 7係以單層構造或多層構造加以形成’ 一般而 言，多層構造之情形爲多。於此EL層247，於畫素電 極2 4 6做爲直接接觸之層，有正孔植入層、正孔輸送層 或發光層。 現今，採用正孔輸送層及發光層之2層構造時，正 孔輸送層係例如經由聚苯乙炔在以形成。然後，做爲發光 層，於紅色發光層使用氰基聚苯乙炔，於綠色發光層使用 聚苯乙炔，於藍色發光層使用聚苯乙炔或聚烷基苯乙炔。 經濟部智您財/1局’1貝工消黃合作社印^ 接著，於如以上形成之E L層2 4 7之上，形成陰極 248，更且於其上形成保護電極249。此等之陰極 2 4 8及保護電極2 4 9係例如經由真空蒸著法加以形成 。然而，將陰極2 4 8和保護電極2 4 9不解放大氣地連 續加以形成，可抑制E L層4 4 7之劣化。經由畫素電極 246、EL層247及陰極248形成之發光元件爲 E L元件2 0 3。 做爲陰極2 4 8，可使用包含功函數小之鎂（M g ) 、鋰（L i )或鈣（Ca)的材料。保護電極249係將 陰極2 4 8爲自外部之水分等保護而設者，例如可使用包 衣纸張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） -48- 571169 A7 __B7_ 五、發明説明（46) 含銘或銀之材料。於此保護電極4 4 9亦有散熱效果。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2 1所示構造係將對應於R、G、B之任一色的1 種之E L元件，對應於各顯示點5 0形成之單色發光方式 之構造。但是，做爲發光方式，係於如此單色發光方式之 外，使用組合白色發光之E L元件和彩色濾色片之方式， 或組合藍色或藍綠發光之E L元件和螢光體的發光方式， 或於陰極使用透明電極，重疊對應於R、G、B之ELS 件方式的各種之方式，進行彩色顯示。當然，將白色發光 之E L層以單層形成，進行黑白顯示。 於保護電極249上，形成第3鈍化膜250。此第 3鈍化膜2 5 0係將E L層2 4 7自水分加以保護工作的 同時，依需要，與第2鈍化膜2 4 5同樣產生散熱機能亦 可。然而，做爲E L層使用有機材料之時，經由與該有機 材料之結合，會有劣化之可能性之故，易於放出氧之絕緣 膜係不做爲第3鈍化膜2 5 0加以使用爲佳。 本實施形態中，如圖1 7所示，不單是顯示範圍V， 於驅動電路102、103，可將最佳之TFT直接形成 於基板1 0 0上，由此，對於動作可達成塾可靠性。做爲 在此所謂之驅動電路，包含偏移暫存器、緩衝器、位準偏 移器、取樣電路等。又，爲進行數位驅動之時’亦可包含 D/A轉換器等之信號變換電路。 然而，於基板1 0 0上，除了顯示範圍V及驅動電路 等之電路構成以外，可直接形成信號分割電路、D / A轉 換電路、操作放大電路、r修正電路等之邏輯電路。更且 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） •49- 571169 A7 ____B7 五、發明説明（47) ，可將記憶體部或微處理器等，直接形成於基板1 0 0上 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有關本實施形態之E L裝置1 1 〇係如上加以構成之 故，於圖2 8中，經由閘極側驅動電路1 〇 2 ，向閘極配 線2 1 1供給掃瞄信號或資料信號之一方，經由源極側驅 動電路1 0 3，向源極配線2 2 1供給掃瞄信號或資料信 號之另一方。另一方面，經由電流供給線2 1 2，向各顯 示點5 0內之電流控制用T F T 2 0 2 ，供給爲使E L元 件發光之電流。 於顯示範圍V內，成爲矩陣狀排列之複數之顯示點 5 0中之適切者，則根據資料信號各個加以選擇，於該選 擇期間，開關用T F T 2 0 1 ，成爲開啓狀態，進行資料 電壓之寫入，非選擇期間中，T F T 2 0 1經由成爲關閉 狀廳，保持電壓。經由如此開關及記憶動作，複數之顯示 點5 0中之適切者則選擇性地加以發光，經由此發光點之 集合，於圖17之紙面深處，即於圖18，於箭頭Q所示 方向，顯示文字、數字、圖形等之像。 經濟部智慧財/1局：2(工消贲合作社印^ 於圖1 7中，於源極側驅動電路1 〇 3中，透過配線 1 1 2 ’送出信號。又，於閘極側驅動電路1 〇 2，則透 過配線1 1 3供給信號。又，於電流供給線2 1 2透過配 線1 1 4，供給電流。本實施形態中，將E L裝置1 1〇 之內部自外部成爲密閉狀態加以遮蔽之外殻1 〇 4中之配 線1 1 2、1 1 3、1 1 4，於相當於向外部引出之處的 邊附近，設定配線臨界1 〇 b。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 571169 A7 B7 五、發明説明（48) 關於上述之配線1 1 2、1 1 3、1 1 4，自配線臨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 界1 0 b視之，存在於配線拉出側（即，圖1 7之左側） 之部分，係該截面構造如圖8 ( d )所示，成爲第1配線 層1 8 1及堆積於此之第3配線層1 8 3之2層構造。另 一方面，自配線臨界1 0 b視之，顯示範圍V側的部分， 係將該截面構造如圖8 ( c )所示，成爲第1配線層 1 8 1、及堆積於此之第2配線層1 8 2、及堆積於此之 第3配線層1 8 3之3層構造。即，配線臨界1 0 b之內 側和外側，配線1 1 2、1 1 3、1 1 4之層構成爲不同 的。 例如，將僅存在於配線臨界1 0 b之內側（即顯示範 圍V側）之第2配線層1 8 2，以低阻抗易腐蝕之材料形 成之時，將如此第2配線層1 8 2經由包含於配線中，可 將配線阻抗値抑制於低範圍，因此，可經由E L裝置 1 1 0進行安定之像顯示。 經濟部智.¾时/ialra:工消費合作社印¾ 然而，如此地，使用易於腐蝕之材料，形成第2配線 層1 8 2之時，設置該第2配線層1 8 2之範圍係由於外 殼1 0 4，限制於自外部遮蔽之範圍之故，易於腐蝕之第 2配線層1 8 2則不會接觸外部氣體，而且根據第2配線 層1 8 2，於配線整體產生腐蝕，因而產生顯示不良之部 分，可被確實加以防止。 (其他之實施形態） 以上列舉較佳之實施形態以說明了本發明，但本發明 衣紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 571169 A7 B7 五、發明説明（49) 非限定於該實施形態，可於申請專利範圍所記載之發明範 圍內做種種之改變。 例如光電裝置不限於液晶裝置及E L裝置，可爲於基 板上需形成配線的所有裝置，例如於基板間封入分散媒及 電泳粒子之電泳裝置。 【發明效果】 如以上之說明，根據本發明時，可抑制形成於基板上 之配線的腐蝕。 【圖面之簡單說明】 【圖1】 可實施本發明之光電裝置之一例的液晶裝置中，尤其 顯示使用T F D元件之主動矩陣方式之液晶裝置之電氣性 構成的等價電路圖。 【圖2】 # 顯示將本發明實施於光電裝置之一例的液晶裝置時之 實施形態’（a )係自觀察側所見之液晶裝置之斜視圖， (b )係自背面側所見之液晶裝置之斜視圖。 【圖3】 顯示根據圖2 (a)之C一C’線之液晶裝置之截面 構造的截面圖。 【圖4】 顯不圖2 (a)所示液晶裝置之顯示範圍內之構成的 衣纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -口 蛵濟部智慧財/1局吕(工消費合作社印^

-52- 571169 A7 _______B7_ 五、發明説明（50) 斜視圖。 【圖5】 (a )係顯示圖4之1個畫素電極及1個之TFD元 件的平面圖，（b )係根據（a )之E - E ’線的截面圖 ，（c )係根據（a )之F — F ’線的截面圖。 【圖6】 圖2 ( a )所示之液晶裝置之平面截面圖。 【圖7】 根據圖6之G - G ’線的截面圖。 【圖8】 (a )係顯示圖6中擴大以箭頭P所示部分的平面圖 ，（b )係根據（a )之Η - Η ’線的截面圖，（c )係 根據C a )之I — I ’線的截面圖，（d )係根據（a ) 之J 一 J ’線的截面圖。 【圖9】 有關本發明之光電裝置之製造方法之一實施形態中’ 將關於T F D元件之製造方法，依工程順序加以顯示之圖 〇 【圖1 0】 顯示關連於示於圖9工程之工程圖。 【圖1 1】 有關本發明之光電裝置之製造方法之實施形態中’將 關於繞道配線之製造方法，依工程順序加以顯示之圖。 【圖1 2】 衣纸張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財1局肖工消*合作社印^ -53- 571169 A7 B7 五、發明説明（51) 有關本發明之光電裝置之製造方法之實施形態中，將 關於設於對向基板上之要素之製造方法，依工程順序加以 顯示之圖。 【圖1 3】 顯示連接圖1 2之工程圖。 【圖1 4】 顯示將本發明實施於光電裝置之一例的液晶裝置時之 其他之實施形態的平面截面圖。 【圖1 5】 將本發明顯示實施於光電裝置之一側的液晶裝置時之 其他實施形態的平面斷面圖。 【圖1 6】 有關於本發明之電子機器之實施形態，（a )係顯示 電子機器之一例的個人電腦之斜視圖，（b )係顯示電子 機器之另一例的攜帶型電話之斜視圖。 【圖1 7】 將本發明實施於光電裝置之一例的E L裝置時之一實 施形態的平面截面圖 【圖1 8】 根據圖17之K — K’線，顯示EL裝置之截面構造 的截面圖。 【圖1 9】 於圖1 7 ’擴大顯不以箭頭L所不顯不點部分之平面 圖。 衣纸ft尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·!··

、1T 經濟部智慧財凌局資工消費合作fi印装 -54- 571169 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（52) 【圖2〇】 對應於圖1 9之構造之電氣性等價電路圖。 【圖2 1】 根據圖1 9之Μ - Μ ’線，顯示T F Τ之截面構造的 截面圖。 【符號說明】 1 :液晶裝置（光電裝置） 1 0 :元件基板（第1基板） 1 0 a :展開範圍 1 0 b ·配線目品界 1 1 :資料線 1 1 a :主配線 1 1 b :補助配線 11c:第2金屬膜 1 2 :畫素電極 1 3 : TFD元件（薄膜二極體） 1 3 a :第1金屬膜 1 3 b :絕緣膜 1 3 c :第2金屬膜 1 6、1 6 1 .、1 6 2 :繞道配線 1 6 a :導通部 1 6 b :延伸存在部 1 7 :外部連接端子 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規袼（2]0X 297公釐） .>衣 ^ 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -55> 571169 A7 B7 五、發明説明（53) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 0 :對向基板（第2基板） 2 1 :反射層 2 2 :彩色濾色片 2 3 :遮光層 2 4 :外敷層 2 5 :掃瞄線 2 5 a :導通部 2 6 :配向膜 3 0 :密封材 3 2 :導電粒子 3 5 :液晶

4 0 a :第1 Y驅動I C

40b :第2Y驅動I C 4 1 : X驅動器I C 4 1 5 0 :顯示點 經濟部智慧財1局g(工消費合作社印¾ 5 1 :液晶顯示要素 5 6 :配向膜 5 7 :周邊遮光層 1 3 1 :第1 T F D元件 132 ··第2TFD元件 1 8 1 :第1配線層 1 8 2 :第2配線層 1 8 3 :第3配線層 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -56 -

Claims (1)

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   A8 B8 C8 D8 六—、—祕4藏 ι 第9 1 1 07623號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國92年7月28日修正 1 . 一種光電裝置，屬於具有對向配置之第1基板及 第2基板，於該第1基板和該第2基板之間，挾持有液晶 所成之光電裝置中，其特徵係具有 包圍前述液晶之密封材， 和沿前述第1基板之一邊，且朝向與該一邊交叉的另 一邊迂迴圍繞之配線； 該配線係具有跨越前述密封材之內側範圍及前述密封 材之外側範圍之兩者加以形成，或跨越重疊於前述密封材 之範圍及前述密封材之外側範圍之兩者加以形成的第1配 線層， 和形成於前述密封材之內側範圍或重疊於前述密封材 之範圍的第2配線者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 ·如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，在.於 前述密封材之外側範圍的前述配線之一端係連接於外部連 接電路。 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項之光電裝置，其 中，更具有形成於前述第2基板之電極，該電極係與前述 第1基板上之前述配線導通者。 4 . 一種光電裝置，其特徵係具有 第1基板， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐） 571169 Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 2 和沿該第1基板之一邊，且朝向與該一邊交叉的另一 邊迂迴圍繞之配線； 該配線係具有形成於前述第1基板上之第1配線層， 和於該第1配線層之上，部分堆積之第2配線層， 和被覆該第2配線層之被覆層者。 5 ·如申請專利範圍第1項或第2項之光電裝置，其 中，具備於前述第1基板之上，經由堆積第1金屬膜和絕 ，緣膜和第2金屬膜加以形成之薄膜二極體； 第1配線層係經由與前述第1金屬膜同一之層加以形 成者。 6 .如申請專利範圍第1項或第2項之光電裝置，其 中，第2配線層係經由與前述第2金屬膜同一之層加以形 成者。 7 .如申請專利範圍第1項或第2項之光電裝置，其 中，具備於前述第1基板之上，經由堆積第1金屬膜和絕 緣膜和第2金屬膜加以形成之薄膜二極體； 前述第2配線層係經由與前述第2金屬膜同一之層.加 以形成者。 8 .如申請專利範圍第1項或第2項之光電裝置，其 中，具有於述弟1基板之上’經由堆積第1金屬膜和絕 緣膜和第2金屬膜加以形成之薄膜二極體， 和連接於該薄膜二極體之第2金屬膜的畫素電極； 前述配線係具有跨越前述密封材之內側範圍及前述密 封材之外側範圍之兩者加以形成，或跨越重疊於前述密封 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210Χ297公釐）—'~' ---- -2 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 571169 A8 B8 C8 D8 _______ 六、申請專利範圍 3 材之範圍及前述密封材之外側範圍之兩者，形成於前述第 1配線層上的第3配線層； 該第3配線層係經由與前述晝素電極同一之層加以形 成者。 9 .如申請專利範圍第1項或第2項之光電裝置，其 中，具有形成於前述第2基板之配線，前述第1基板上之 配線係導通於前述第2基板上之配線者。 1 〇 ·如申請專利範圍第9項之光電裝置，其中，前 述第1基板上之配線和前述第2基板上之配線係藉由分散 於前述密封材的導電粒子導通者。 1 1 ·如申請專利範圍第1項或第2項之光電裝置， 其中，構成前述第1基板上之前述配線的前述第2配線層 ，係較構成該配線之其他之配線層離子代傾向爲高者。 1 2 ·如申請專利範圍第1項或第2項之光電裝置， 其中，構成前述第1基板上之前述配線的前述第2配線層 ，係較構成該配線之其他之配線層阻抗値爲低者。 1 3 _如申請專利範圍第1項或第2項之光電裝置.， 其中，形成於前述第1基板上之配線中，形成於前述密封 材之外側範圍之部分的寬度係較形成於與前述密封材重疊 之範圍部分的寬度爲寬者。 1 4 · 一種電子機器，其特徵係具有申請專利範圍第 1項至第1 3項之任一項之光電裝置。 1 5 · —種光電裝置之製造方法，屬於藉由密封材所 貼合之第1基板和第2基板間，具有液晶，跨過前述第1 本f張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐〜 -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -3- 571169 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 基板中重疊於前述密封材之範圍和該密封材之外側之範圍 之兩者，形成配線之液晶裝置之製造方法中’其特徵係具 有 將構成前述配線之第1配線層’形成於跨過前述第1 基板中重疊於前述密封材之範圍和該密封材之外側之範圍 之第1配線層形成工程’ 和將構成前述配線之第2配線層’形成於前述第1基 板中重疊於前述密封材的範圍之第2配線層形成工程， 和將前述第1基板及第2基板藉由前述密封材貼合之 接合工程。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之光電裝置之製造方 法，其中，前述光電裝置係具備於前述第1基板上’經由 堆積第1金屬膜和絕緣膜和第2金屬膜所形成之複數之薄 膜二極體； 於前述第1配線層形成工程中’伴隨前述薄膜二極體 之第1金屬膜之形成，藉由與該第1金屬膜之同一層形成 前述第1配線層， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於前述第2配線層形成工程中，伴隨前述薄膜二極體 之第2金屬膜之形成，藉由與該第2金屬膜之同一層形成 前述第2配線層者。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項之光電裝置之製造方 法，其中，前述光電裝置係具備形成於前述第1基板之面 上，連接於前述薄膜二極體之第2金屬膜的畫素電極； 在前述接合工程之前，具有將構成前述配線之第3配 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4- 571169 ABICD 六、申請專利範圍 5 線層，跨過前述第1基板中重疊於前述密封材之範圍和該 密封材之外側範圍加以形成之工程中，伴隨前述畫素電極 之形成，藉由與該畫素電極之同一層形成前述第3配線層 的第3配線層形成工程者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5-