JP2003015547A - 電気光学装置、その製造方法及び電子機器 - Google Patents
電気光学装置、その製造方法及び電子機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に形成された配線の腐食を抑える。
【解決手段】 対向して配置した第１基板１０及び第２
基板２０を有し、第１基板１０と第２基板２０との間に
液晶３５が挟まれて成る電気光学装置である。この電気
光学装置は、液晶３５を囲むシール材３０と、第１基板
１０の１辺に沿って、且つ、その１辺と交差する他辺に
向かって引き回された配線１６とを有する。配線１６
は、シール材３０の内側領域及びシール材３０の外側領
域の両方にわたって形成されるか、又はシール材３０に
重なる領域及びシール材３０の外側領域の両方にわたっ
て形成された第１配線層１８１と、シール材３０の内側
領域又は前記シール材に重なる領域に形成された第２配
線層１８２とを有する。第２配線層１８２は外気に触れ
ないので腐食しない。
基板２０を有し、第１基板１０と第２基板２０との間に
液晶３５が挟まれて成る電気光学装置である。この電気
光学装置は、液晶３５を囲むシール材３０と、第１基板
１０の１辺に沿って、且つ、その１辺と交差する他辺に
向かって引き回された配線１６とを有する。配線１６
は、シール材３０の内側領域及びシール材３０の外側領
域の両方にわたって形成されるか、又はシール材３０に
重なる領域及びシール材３０の外側領域の両方にわたっ
て形成された第１配線層１８１と、シール材３０の内側
領域又は前記シール材に重なる領域に形成された第２配
線層１８２とを有する。第２配線層１８２は外気に触れ
ないので腐食しない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置、ＥＬ
（Electro Luminescence）装置、電気泳動装置等といっ
た電気光学装置、その電気光学装置の製造方法、及びそ
の電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。
（Electro Luminescence）装置、電気泳動装置等といっ
た電気光学装置、その電気光学装置の製造方法、及びそ
の電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話機、携帯情報端末機、パ
ーソナルコンピュータ等といった電子機器に、例えば情
報を表示するための表示部として液晶装置が広く用いら
れている。また、今後、液晶装置と共にＥＬ装置が用い
られるようになることが考えられる。
ーソナルコンピュータ等といった電子機器に、例えば情
報を表示するための表示部として液晶装置が広く用いら
れている。また、今後、液晶装置と共にＥＬ装置が用い
られるようになることが考えられる。
【０００３】上記の液晶装置は、一般に、シール材を介
して貼り合わされた一対の基板と、両基板の間に挟まれ
た液晶と、液晶に対して電圧を印加するための電極とを
有する。また、一方の基板のうち他方の基板の外側へ張
り出す領域（すなわち、張出し領域）に配線を形成し、
この配線の一端に各種実装部品の端子を接続し、この配
線を介して上記電極へ電圧を供給するようにした構成が
知られている。
して貼り合わされた一対の基板と、両基板の間に挟まれ
た液晶と、液晶に対して電圧を印加するための電極とを
有する。また、一方の基板のうち他方の基板の外側へ張
り出す領域（すなわち、張出し領域）に配線を形成し、
この配線の一端に各種実装部品の端子を接続し、この配
線を介して上記電極へ電圧を供給するようにした構成が
知られている。
【０００４】ここで、上記の実装部品としては、例え
ば、張出し領域上にＣＯＧ（Chip OnGlass）技術を用い
て実装されたＩＣチップや、回路基板等といった外部機
器と液晶装置とを接続するためのＦＰＣ等が考えられ
る。
ば、張出し領域上にＣＯＧ（Chip OnGlass）技術を用い
て実装されたＩＣチップや、回路基板等といった外部機
器と液晶装置とを接続するためのＦＰＣ等が考えられ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、張出し
領域に形成された配線は外気に曝されるため、この配線
には外気中の水分等が付着し易く、従って、この配線は
腐食し易い。そして、このようにして配線に腐食が生じ
る場合には、当該配線と上記実装部品の端子との間の導
通が不完全となり、そのため、液晶装置としての信頼性
が低下してしまうという問題があった。
領域に形成された配線は外気に曝されるため、この配線
には外気中の水分等が付着し易く、従って、この配線は
腐食し易い。そして、このようにして配線に腐食が生じ
る場合には、当該配線と上記実装部品の端子との間の導
通が不完全となり、そのため、液晶装置としての信頼性
が低下してしまうという問題があった。
【０００６】一方、配線における配線抵抗を低く抑える
ことを考慮すると、上記配線はアルミニウムやクロム等
の低抵抗金属によって形成されることが望ましいが、こ
の種の金属はイオン化傾向が高く、腐食し易いという性
質を有するため、上記問題は一層顕著に現れる。
ことを考慮すると、上記配線はアルミニウムやクロム等
の低抵抗金属によって形成されることが望ましいが、こ
の種の金属はイオン化傾向が高く、腐食し易いという性
質を有するため、上記問題は一層顕著に現れる。
【０００７】本発明は、上記の問題点に鑑みて成された
ものであって、基板上に形成された配線の腐食を抑える
ことを目的とする。
ものであって、基板上に形成された配線の腐食を抑える
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】（１）上記の目的を達成
するため、本発明に係る電気光学装置は、（ａ）対向し
て配置した第１基板及び第２基板を有し、該第１基板と
該第２基板との間に液晶が挟まれて成る電気光学装置に
おいて、（ｂ）前記液晶を囲むシール材と、（ｃ）前記
第１基板の１辺に沿って、且つ、当該１辺と交差する他
辺に向かって引き回された配線とを有し、（ｄ）該配線
は、（ｉ）前記シール材の内側領域及び前記シール材の
外側領域の両方にわたって形成されるか、又は前記シー
ル材に重なる領域及び前記シール材の外側領域の両方に
わたって形成された第１配線層と、（ｉｉ）前記シール
材の内側領域又は前記シール材に重なる領域に形成され
た第２配線層とを有することを特徴とする。
するため、本発明に係る電気光学装置は、（ａ）対向し
て配置した第１基板及び第２基板を有し、該第１基板と
該第２基板との間に液晶が挟まれて成る電気光学装置に
おいて、（ｂ）前記液晶を囲むシール材と、（ｃ）前記
第１基板の１辺に沿って、且つ、当該１辺と交差する他
辺に向かって引き回された配線とを有し、（ｄ）該配線
は、（ｉ）前記シール材の内側領域及び前記シール材の
外側領域の両方にわたって形成されるか、又は前記シー
ル材に重なる領域及び前記シール材の外側領域の両方に
わたって形成された第１配線層と、（ｉｉ）前記シール
材の内側領域又は前記シール材に重なる領域に形成され
た第２配線層とを有することを特徴とする。
【０００９】以上の構成から成る電気光学装置は、構成
要件として液晶を含むことから液晶装置として考えられ
る。この電気光学装置によれば、第２配線層はシール材
の外側領域には形成されないので、この第２配線層に外
気中の水分等が付着するのを回避でき、それ故、仮に耐
食性が低い導電材料、すなわちイオン化傾向が高い導電
材料によって第２配線層を形成したとしても、その第２
配線層を腐食から防ぐことができる。
要件として液晶を含むことから液晶装置として考えられ
る。この電気光学装置によれば、第２配線層はシール材
の外側領域には形成されないので、この第２配線層に外
気中の水分等が付着するのを回避でき、それ故、仮に耐
食性が低い導電材料、すなわちイオン化傾向が高い導電
材料によって第２配線層を形成したとしても、その第２
配線層を腐食から防ぐことができる。
【００１０】なお、上記の電気光学装置においては、第
２配線層は、第１基板のうちシール材に重なる領域に加
え、シール材の内側領域、すなわち液晶と対向する領域
にも形成することができる。この場合にも、第２配線層
に外気中の水分等が付着するのを回避できるので、仮に
耐食性が低い導電材料、すなわちイオン化傾向が高い導
電材料によって第２配線層を形成したとしても、その第
２配線層を腐食から防ぐことができる。
２配線層は、第１基板のうちシール材に重なる領域に加
え、シール材の内側領域、すなわち液晶と対向する領域
にも形成することができる。この場合にも、第２配線層
に外気中の水分等が付着するのを回避できるので、仮に
耐食性が低い導電材料、すなわちイオン化傾向が高い導
電材料によって第２配線層を形成したとしても、その第
２配線層を腐食から防ぐことができる。
【００１１】（２） 上記構成の電気光学装置におい
て、前記シール材の外側領域にある前記配線の一端は外
部接続回路に接続することができる。ここで、外部接続
回路としては、駆動用ＩＣや、駆動用ＩＣを搭載したＴ
ＡＢ（Tape Automated Bonding）基板や、駆動用ＩＣに
接続されているＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等
が考えられる。この構成によれば、外部接続回路の出力
を配線を通して電気光学装置の内部へ導入できる。
て、前記シール材の外側領域にある前記配線の一端は外
部接続回路に接続することができる。ここで、外部接続
回路としては、駆動用ＩＣや、駆動用ＩＣを搭載したＴ
ＡＢ（Tape Automated Bonding）基板や、駆動用ＩＣに
接続されているＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等
が考えられる。この構成によれば、外部接続回路の出力
を配線を通して電気光学装置の内部へ導入できる。
【００１２】（３） 上記構成の電気光学装置において
は、前記第２基板に電極を形成することができ、さらに
その場合、当該電極は前記第１基板上の前記配線と導通
させることができる。こうすれば、データ信号、走査信
号等といった各種信号を配線を通して当該電極に供給で
きる。
は、前記第２基板に電極を形成することができ、さらに
その場合、当該電極は前記第１基板上の前記配線と導通
させることができる。こうすれば、データ信号、走査信
号等といった各種信号を配線を通して当該電極に供給で
きる。
【００１３】（４） 次に、本発明に係る他の電気光学
装置は、第１基板と、該第１基板の１辺に沿って且つ当
該１辺と交差する他辺に向かって引き回された配線とを
有し、該配線は、前記第１基板上に形成される第１配線
層と、該第１配線層の上に部分的に積層される第２配線
層と、該第２配線層を被覆する被覆層とを有することを
特徴とする。
装置は、第１基板と、該第１基板の１辺に沿って且つ当
該１辺と交差する他辺に向かって引き回された配線とを
有し、該配線は、前記第１基板上に形成される第１配線
層と、該第１配線層の上に部分的に積層される第２配線
層と、該第２配線層を被覆する被覆層とを有することを
特徴とする。
【００１４】この構成に係る電気光学装置は、液晶、第
２基板及びシール材を必ずしも必須の構成要件としない
電気光学装置である。このような電気光学装置として
は、例えば、液晶、第２基板及びシール材を含む液晶装
置はもとより、液晶、第２基板及びシール材を含まない
ＥＬ装置も含まれる。
２基板及びシール材を必ずしも必須の構成要件としない
電気光学装置である。このような電気光学装置として
は、例えば、液晶、第２基板及びシール材を含む液晶装
置はもとより、液晶、第２基板及びシール材を含まない
ＥＬ装置も含まれる。
【００１５】この構成に係る電気光学装置によれば、第
２配線層は被覆層によって被覆されて外部に露出しない
ので、この第２配線層に外気中の水分等が付着するのを
回避でき、それ故、仮に耐食性が低い導電材料、すなわ
ちイオン化傾向が高い導電材料によって第２配線層を形
成したとしても、その第２配線層を腐食から防ぐことが
できる。
２配線層は被覆層によって被覆されて外部に露出しない
ので、この第２配線層に外気中の水分等が付着するのを
回避でき、それ故、仮に耐食性が低い導電材料、すなわ
ちイオン化傾向が高い導電材料によって第２配線層を形
成したとしても、その第２配線層を腐食から防ぐことが
できる。
【００１６】（５） 上記構成の電気光学装置において
は、前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属
膜とを積層することによって複数の薄膜ダイオードを形
成することができ、この場合には、前記第１配線層は薄
膜ダイオードを構成する前記第１金属膜と同一の層によ
って形成することができる。このように、薄膜ダイオー
ドを構成する複数の要素のうちのいずれかと共通の工程
によって配線の一部を形成すれば、当該配線を形成する
工程を独立して設ける場合に比べて、製造工程の簡略化
及び製造コストの低減を達成できる。
は、前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属
膜とを積層することによって複数の薄膜ダイオードを形
成することができ、この場合には、前記第１配線層は薄
膜ダイオードを構成する前記第１金属膜と同一の層によ
って形成することができる。このように、薄膜ダイオー
ドを構成する複数の要素のうちのいずれかと共通の工程
によって配線の一部を形成すれば、当該配線を形成する
工程を独立して設ける場合に比べて、製造工程の簡略化
及び製造コストの低減を達成できる。
【００１７】（６） 上記構成の電気光学装置において
は、前記第１配線層を薄膜ダイオードの第１金属膜と同
一の層によって形成した上で、前記第２配線層を薄膜ダ
イオードの第２金属膜と同一の層によって形成すること
ができる。このように、薄膜ダイオードを構成する複数
の要素のうちのいずれかと共通の工程によって配線の一
部を形成すれば、当該配線を形成する工程を独立して設
ける場合に比べて、製造工程の簡略化及び製造コストの
低減を達成できる。
は、前記第１配線層を薄膜ダイオードの第１金属膜と同
一の層によって形成した上で、前記第２配線層を薄膜ダ
イオードの第２金属膜と同一の層によって形成すること
ができる。このように、薄膜ダイオードを構成する複数
の要素のうちのいずれかと共通の工程によって配線の一
部を形成すれば、当該配線を形成する工程を独立して設
ける場合に比べて、製造工程の簡略化及び製造コストの
低減を達成できる。
【００１８】（７） 上記構成の電気光学装置において
は、前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属
膜とを積層することによって複数の薄膜ダイオードを形
成することができ、この場合には、前記第２配線層だけ
を薄膜ダイオードの第２金属膜と同一の層によって形成
することができる。このように、薄膜ダイオードを構成
する複数の要素のうちのいずれかと共通の工程によって
配線の一部を形成すれば、当該配線を形成する工程を独
立して設ける場合に比べて、製造工程の簡略化及び製造
コストの低減を達成できる。
は、前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属
膜とを積層することによって複数の薄膜ダイオードを形
成することができ、この場合には、前記第２配線層だけ
を薄膜ダイオードの第２金属膜と同一の層によって形成
することができる。このように、薄膜ダイオードを構成
する複数の要素のうちのいずれかと共通の工程によって
配線の一部を形成すれば、当該配線を形成する工程を独
立して設ける場合に比べて、製造工程の簡略化及び製造
コストの低減を達成できる。
【００１９】（８） 上記構成の電気光学装置において
は、前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属
膜とを積層することによって複数の薄膜ダイオードを形
成することができ、さらに当該薄膜ダイオードの第２金
属膜に接続させて画素電極を形成することができる。そ
してこの場合、前記配線は、前記シール材の内側領域及
び前記シール材の外側領域の両方にわたって前記第１配
線層の上に形成されるか、又は前記シール材に重なる領
域及び前記シール材の外側領域の両方にわたって前記第
１配線層の上に形成される第３配線層を有することがで
き、さらに当該第３配線層は前記画素電極と同一の層に
よって形成することができる。
は、前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属
膜とを積層することによって複数の薄膜ダイオードを形
成することができ、さらに当該薄膜ダイオードの第２金
属膜に接続させて画素電極を形成することができる。そ
してこの場合、前記配線は、前記シール材の内側領域及
び前記シール材の外側領域の両方にわたって前記第１配
線層の上に形成されるか、又は前記シール材に重なる領
域及び前記シール材の外側領域の両方にわたって前記第
１配線層の上に形成される第３配線層を有することがで
き、さらに当該第３配線層は前記画素電極と同一の層に
よって形成することができる。
【００２０】このように、画素電極を形成するための工
程と共通の工程によって配線の一部を形成すれば、当該
配線を形成する工程を独立して設ける場合に比べて、製
造工程の簡略化及び製造コストの低減を達成できる。
程と共通の工程によって配線の一部を形成すれば、当該
配線を形成する工程を独立して設ける場合に比べて、製
造工程の簡略化及び製造コストの低減を達成できる。
【００２１】（９） 上記構成の電気光学装置であっ
て、特に、第２基板を有する構成の電気光学装置におい
ては、前記第２基板上に配線を形成することができ、さ
らに前記第１基板上の配線を当該第２基板上の配線に導
通させることができる。
て、特に、第２基板を有する構成の電気光学装置におい
ては、前記第２基板上に配線を形成することができ、さ
らに前記第１基板上の配線を当該第２基板上の配線に導
通させることができる。
【００２２】こうすれば、例えば、当該第２基板上の配
線に接続させるべき実装部品、例えば駆動用ＩＣやＦＰ
Ｃ等を当該第２基板上に実装することが不要となる。す
なわち、一対の基板のうち一方の基板の面上にのみ実装
部品を実装すれば良いので、構成の簡略化及び製造コス
トの低減を達成できる。
線に接続させるべき実装部品、例えば駆動用ＩＣやＦＰ
Ｃ等を当該第２基板上に実装することが不要となる。す
なわち、一対の基板のうち一方の基板の面上にのみ実装
部品を実装すれば良いので、構成の簡略化及び製造コス
トの低減を達成できる。
【００２３】（１０） 第１基板上の配線を第２基板上
の配線に導通させるようにした上記構成の電気光学装置
においては、前記第１基板上の配線と前記第２基板上の
配線は、前記シール材に分散された導電粒子を介して導
通されることが望ましい。こうすれば、シール材を介し
て両基板を貼り合わせることによって、両基板上の配線
同士を導通させることができるので、両配線を導通させ
るための特段の構造は不要となる。従って、構成をさら
に簡略化でき、しかも製造コストをさらに低減できる。
の配線に導通させるようにした上記構成の電気光学装置
においては、前記第１基板上の配線と前記第２基板上の
配線は、前記シール材に分散された導電粒子を介して導
通されることが望ましい。こうすれば、シール材を介し
て両基板を貼り合わせることによって、両基板上の配線
同士を導通させることができるので、両配線を導通させ
るための特段の構造は不要となる。従って、構成をさら
に簡略化でき、しかも製造コストをさらに低減できる。
【００２４】（１１） 上記構成の電気光学装置におい
て、前記第１基板上の前記配線を構成する前記第２配線
層は、当該配線を構成する他の配線層よりもイオン化傾
向が高いことが望ましい。換言すれば、第１配線層又は
第３配線層は、第２配線層よりもイオン化傾向が低いも
のであることが望ましい。
て、前記第１基板上の前記配線を構成する前記第２配線
層は、当該配線を構成する他の配線層よりもイオン化傾
向が高いことが望ましい。換言すれば、第１配線層又は
第３配線層は、第２配線層よりもイオン化傾向が低いも
のであることが望ましい。
【００２５】本発明に係る電気光学装置によれば、上述
のように第２配線層の腐食を抑えることができるのであ
るが、本実施態様のように、シール材の外側領域に伸び
出る部分である第１配線層又は第３配線層をイオン化傾
向が低い材料によって形成すれば、シール材の外側に露
出した配線部分においても腐食を抑えることができる。
のように第２配線層の腐食を抑えることができるのであ
るが、本実施態様のように、シール材の外側領域に伸び
出る部分である第１配線層又は第３配線層をイオン化傾
向が低い材料によって形成すれば、シール材の外側に露
出した配線部分においても腐食を抑えることができる。
【００２６】（１２） 上記構成の電気光学装置におい
て、前記第１基板上の前記配線を構成する前記第２配線
層は、当該配線を構成する他の配線層よりも抵抗値が低
いことが望ましい。クロムやアルミニウム等といった低
抵抗金属は、一般に、イオン化傾向が高くて腐食し易い
場合が多い。このような金属によって上記の第２配線層
を形成すれば、当該配線層の腐食を有効に抑えつつ、配
線抵抗を低く抑えることができる。
て、前記第１基板上の前記配線を構成する前記第２配線
層は、当該配線を構成する他の配線層よりも抵抗値が低
いことが望ましい。クロムやアルミニウム等といった低
抵抗金属は、一般に、イオン化傾向が高くて腐食し易い
場合が多い。このような金属によって上記の第２配線層
を形成すれば、当該配線層の腐食を有効に抑えつつ、配
線抵抗を低く抑えることができる。
【００２７】（１３） 上記構成の電気光学装置におい
て、前記第１基板上に形成された配線のうち前記シール
材の外側領域に形成された部分の幅は、前記シール材と
重なる領域に形成された部分の幅よりも広くすることが
望ましい。換言すれば、第２配線層を有しない部分、す
なわち第１配線層によって形成された部分又は第１配線
層及び第３配線層の双方によって形成された部分の幅
は、第２配線層を有する部分の幅よりも広くすることが
望ましい。第２配線層を有しない部分は、当該第２配線
層と比較して抵抗値の高い第１配線層又は第３配線層に
よって構成されるため、この部分においては配線抵抗が
高くなってしまうことも考えられる。しかしながら、当
該部分の幅を上記のように広くすれば配線抵抗が高くな
るのを抑えることができる。
て、前記第１基板上に形成された配線のうち前記シール
材の外側領域に形成された部分の幅は、前記シール材と
重なる領域に形成された部分の幅よりも広くすることが
望ましい。換言すれば、第２配線層を有しない部分、す
なわち第１配線層によって形成された部分又は第１配線
層及び第３配線層の双方によって形成された部分の幅
は、第２配線層を有する部分の幅よりも広くすることが
望ましい。第２配線層を有しない部分は、当該第２配線
層と比較して抵抗値の高い第１配線層又は第３配線層に
よって構成されるため、この部分においては配線抵抗が
高くなってしまうことも考えられる。しかしながら、当
該部分の幅を上記のように広くすれば配線抵抗が高くな
るのを抑えることができる。
【００２８】（１４） 次に、本発明に係る電子機器
は、以上に記載した構成の電気光学装置を用いて構成さ
れることを特徴とする。上述のように、以上に記載した
構成の電気光学装置によれば配線の腐食を抑えることが
できるので、このような電気光学装置を用いた電子機器
によれば、導通不良等を回避して高い信頼性を実現でき
る。
は、以上に記載した構成の電気光学装置を用いて構成さ
れることを特徴とする。上述のように、以上に記載した
構成の電気光学装置によれば配線の腐食を抑えることが
できるので、このような電気光学装置を用いた電子機器
によれば、導通不良等を回避して高い信頼性を実現でき
る。
【００２９】（１５） 次に、本発明に係る電気光学装
置の製造方法は、シール材を介して貼り合わされた第１
基板と第２基板との間に液晶を有し、前記第１基板のう
ち前記シール材に重なる領域と当該シール材の外側の領
域との両方にわたって配線が形成された液晶装置の製造
方法であって、前記配線を構成する第１配線層を、前記
第１基板のうち前記シール材に重なる領域と当該シール
材の外側の領域とにわたって形成する第１配線層形成工
程と、前記配線を構成する第２配線層を前記第１基板の
うち前記シール材に重なる領域に形成する第２配線層形
成工程と、前記第１基板及び第２基板を前記シール材を
介して貼り合わせる接合工程とを有することを特徴とす
る。
置の製造方法は、シール材を介して貼り合わされた第１
基板と第２基板との間に液晶を有し、前記第１基板のう
ち前記シール材に重なる領域と当該シール材の外側の領
域との両方にわたって配線が形成された液晶装置の製造
方法であって、前記配線を構成する第１配線層を、前記
第１基板のうち前記シール材に重なる領域と当該シール
材の外側の領域とにわたって形成する第１配線層形成工
程と、前記配線を構成する第２配線層を前記第１基板の
うち前記シール材に重なる領域に形成する第２配線層形
成工程と、前記第１基板及び第２基板を前記シール材を
介して貼り合わせる接合工程とを有することを特徴とす
る。
【００３０】この構成の電気光学装置の製造方法によれ
ば、第２配線層はシール材の外側領域には形成されない
ので、この第２配線層に外気中の水分等が付着するのを
回避でき、それ故、仮に耐食性が低い導電材料、すなわ
ちイオン化傾向が高い導電材料によって第２配線層を形
成したとしても、その第２配線層を腐食から防ぐことが
できる。
ば、第２配線層はシール材の外側領域には形成されない
ので、この第２配線層に外気中の水分等が付着するのを
回避でき、それ故、仮に耐食性が低い導電材料、すなわ
ちイオン化傾向が高い導電材料によって第２配線層を形
成したとしても、その第２配線層を腐食から防ぐことが
できる。
【００３１】（１６） 上記構成の電気光学装置の製造
方法においては、前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁
膜と第２金属膜とを積層することによって複数の薄膜ダ
イオードを形成する工程を有することができ、このよう
な場合、前記第１配線層形成工程では、前記薄膜ダイオ
ードの第１金属膜の形成と共に当該第１金属膜と同一の
層によって前記第１配線層を形成することができる。ま
た、前記第２配線層形成工程では、前記薄膜ダイオード
の第２金属膜の形成と共に当該第２金属膜と同一の層に
よって前記第２配線層を形成することができる。
方法においては、前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁
膜と第２金属膜とを積層することによって複数の薄膜ダ
イオードを形成する工程を有することができ、このよう
な場合、前記第１配線層形成工程では、前記薄膜ダイオ
ードの第１金属膜の形成と共に当該第１金属膜と同一の
層によって前記第１配線層を形成することができる。ま
た、前記第２配線層形成工程では、前記薄膜ダイオード
の第２金属膜の形成と共に当該第２金属膜と同一の層に
よって前記第２配線層を形成することができる。
【００３２】こうすれば、薄膜ダイオードと配線とを別
個の工程によって作成する場合と比較して、製造コスト
の低減や製造工程の簡略化を達成できる。
個の工程によって作成する場合と比較して、製造コスト
の低減や製造工程の簡略化を達成できる。
【００３３】（１７） 上記構成の電気光学装置の製造
方法においては、前記薄膜ダイオードの第２金属膜に接
続するように前記第１基板の上に画素電極を形成するこ
とができ、このような場合には、前記接合工程に先立
ち、前記配線を構成する第３配線層を、前記第１基板の
うちシール材に重なる領域と当該シール材の外側の領域
とにわたって形成する工程であって、前記画素電極の形
成と共に当該画素電極と同一の層によって前記第３配線
層を形成する第３配線層形成工程を実施することが望ま
しい。こうすれば、製造コストをさらに低減することが
できる。
方法においては、前記薄膜ダイオードの第２金属膜に接
続するように前記第１基板の上に画素電極を形成するこ
とができ、このような場合には、前記接合工程に先立
ち、前記配線を構成する第３配線層を、前記第１基板の
うちシール材に重なる領域と当該シール材の外側の領域
とにわたって形成する工程であって、前記画素電極の形
成と共に当該画素電極と同一の層によって前記第３配線
層を形成する第３配線層形成工程を実施することが望ま
しい。こうすれば、製造コストをさらに低減することが
できる。
【００３４】
【発明の実施の形態】（電気光学装置の第１実施形態）
以下、スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diod
e）素子を備えたアクティブマトリクス方式であって、
電気光学物質として液晶を用い、さらに、太陽光や室内
光等といった外部光を利用する反射型の液晶装置に本発
明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明
する。
以下、スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diod
e）素子を備えたアクティブマトリクス方式であって、
電気光学物質として液晶を用い、さらに、太陽光や室内
光等といった外部光を利用する反射型の液晶装置に本発
明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明
する。
【００３５】図１は、本実施形態に係る液晶装置の電気
的構成をブロック図によって示している。同図に示すよ
うに、液晶装置１は、Ｘ方向に延在する複数の走査線２
５と、Ｘ方向に直角なＹ方向に延在する複数のデータ線
１１と、走査線２５及びデータ線１１の各交差部分に設
けられた複数の表示ドット５０とを有する。各表示ドッ
ト５０は、液晶表示要素５１とＴＦＤ素子１３とが直列
に接続された構成となっている。これらの表示ドット５
０はマトリクス状に配列されている。
的構成をブロック図によって示している。同図に示すよ
うに、液晶装置１は、Ｘ方向に延在する複数の走査線２
５と、Ｘ方向に直角なＹ方向に延在する複数のデータ線
１１と、走査線２５及びデータ線１１の各交差部分に設
けられた複数の表示ドット５０とを有する。各表示ドッ
ト５０は、液晶表示要素５１とＴＦＤ素子１３とが直列
に接続された構成となっている。これらの表示ドット５
０はマトリクス状に配列されている。
【００３６】これらの表示ドット５０の1個は、像を表
示するための最小単位の表示要素のことであり、表示像
がＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色の組み合わせ
によって形成されるカラー像である場合には、Ｒ，Ｇ，
Ｂの３個の表示ドット５０が集まって１個の画素が形成
される。他方、表示像が白黒像である場合には、１個の
表示ドット５０によって１個の画素が形成される。
示するための最小単位の表示要素のことであり、表示像
がＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色の組み合わせ
によって形成されるカラー像である場合には、Ｒ，Ｇ，
Ｂの３個の表示ドット５０が集まって１個の画素が形成
される。他方、表示像が白黒像である場合には、１個の
表示ドット５０によって１個の画素が形成される。
【００３７】図１において、複数の走査線２５のうち、
上から数えて奇数本目の走査線２５は、第１Ｙドライバ
ＩＣ４０ａに接続される。一方、上から数えて偶数本目
の走査線２５は第２ＹドライバＩＣ４０ｂに接続され
る。そして、これらのＹドライバＩＣ４０ａ，４０ｂに
よって生成された走査信号が各走査線２５に供給され
る。なお、以下では、第１ＹドライバＩＣ４０ａと第２
ＹドライバＩＣ４０ｂとを特に区別する必要がない場合
には、それらを単にＹドライバＩＣ４０と表記する。
上から数えて奇数本目の走査線２５は、第１Ｙドライバ
ＩＣ４０ａに接続される。一方、上から数えて偶数本目
の走査線２５は第２ＹドライバＩＣ４０ｂに接続され
る。そして、これらのＹドライバＩＣ４０ａ，４０ｂに
よって生成された走査信号が各走査線２５に供給され
る。なお、以下では、第１ＹドライバＩＣ４０ａと第２
ＹドライバＩＣ４０ｂとを特に区別する必要がない場合
には、それらを単にＹドライバＩＣ４０と表記する。
【００３８】複数のデータ線１１は、それぞれ、Ｘドラ
イバＩＣ４１に接続され、このＸドライバＩＣ４１によ
って生成されたデータ信号がそれらのデータ線１１に供
給される。一方、マトリクス状に配列する複数の表示ド
ット５０の各々は、本実施形態の場合は、Ｒ，Ｇ又はＢ
のいずれかの色に対応する。
イバＩＣ４１に接続され、このＸドライバＩＣ４１によ
って生成されたデータ信号がそれらのデータ線１１に供
給される。一方、マトリクス状に配列する複数の表示ド
ット５０の各々は、本実施形態の場合は、Ｒ，Ｇ又はＢ
のいずれかの色に対応する。
【００３９】次に、図２（ａ）は、本実施形態に係る液
晶装置１を観察側、すなわち観察者が位置すべき側から
見た場合を示している。また、図２（ｂ）は、この液晶
装置１を背面側、すなわち図２（ａ）と反対側から見た
場合を示している。なお、以下では、図２（ａ）及び図
２（ｂ）に示すように、Ｘ軸の負方向を「Ａ側」、その
正方向を「Ｂ側」と表記する。
晶装置１を観察側、すなわち観察者が位置すべき側から
見た場合を示している。また、図２（ｂ）は、この液晶
装置１を背面側、すなわち図２（ａ）と反対側から見た
場合を示している。なお、以下では、図２（ａ）及び図
２（ｂ）に示すように、Ｘ軸の負方向を「Ａ側」、その
正方向を「Ｂ側」と表記する。
【００４０】図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、
液晶装置１は、相互に対向する素子基板１０及び対向基
板２０がシール材３０によって貼り合わされると共に、
両基板とシール材３０とによって囲まれた領域に液晶
（図２においては図示が省略されている）が封入された
構成となっている。シール材３０は、対向基板２０の縁
辺、すなわち外周辺に沿って略長方形の枠状に形成され
る。そしてこのシール材３０の一部には、液晶を封入す
るための開口が形成される。この開口を通して液晶が封
入された後、その開口は封止材３１によって封止され
る。
液晶装置１は、相互に対向する素子基板１０及び対向基
板２０がシール材３０によって貼り合わされると共に、
両基板とシール材３０とによって囲まれた領域に液晶
（図２においては図示が省略されている）が封入された
構成となっている。シール材３０は、対向基板２０の縁
辺、すなわち外周辺に沿って略長方形の枠状に形成され
る。そしてこのシール材３０の一部には、液晶を封入す
るための開口が形成される。この開口を通して液晶が封
入された後、その開口は封止材３１によって封止され
る。
【００４１】シール材３０には導電性を有する多数の導
電粒子が分散されている。これらの導電粒子は、例えば
金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性
を有する樹脂の粒子であり、素子基板１０及び対向基板
２０の各々に形成された配線同士を導通させる機能と、
両基板の間隙、すなわちセルギャップを一定に保つスペ
ーサとしての機能とを兼ね備える。なお、実際には、素
子基板１０及び対向基板２０の外側の表面に、入射光を
偏光させるための偏光板や、干渉色を補償するための位
相差板等が貼着されるが、これらは本発明と直接の関係
がないため、その図示及び説明を省略する。
電粒子が分散されている。これらの導電粒子は、例えば
金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性
を有する樹脂の粒子であり、素子基板１０及び対向基板
２０の各々に形成された配線同士を導通させる機能と、
両基板の間隙、すなわちセルギャップを一定に保つスペ
ーサとしての機能とを兼ね備える。なお、実際には、素
子基板１０及び対向基板２０の外側の表面に、入射光を
偏光させるための偏光板や、干渉色を補償するための位
相差板等が貼着されるが、これらは本発明と直接の関係
がないため、その図示及び説明を省略する。
【００４２】素子基板１０及び対向基板２０は、例え
ば、光透過性ガラス、光透過性石英、光透過性プラスチ
ック等といった光透過性を有する板状部材によって形成
される。これらの基板のうち、観察側に位置する素子基
板１０の内側表面、すなわち液晶側表面には、上述した
複数のデータ線１１が形成される。一方、背面側に位置
する対向基板２０の内側の面上には、複数の走査線２５
が形成される。
ば、光透過性ガラス、光透過性石英、光透過性プラスチ
ック等といった光透過性を有する板状部材によって形成
される。これらの基板のうち、観察側に位置する素子基
板１０の内側表面、すなわち液晶側表面には、上述した
複数のデータ線１１が形成される。一方、背面側に位置
する対向基板２０の内側の面上には、複数の走査線２５
が形成される。
【００４３】素子基板１０は、対向基板２０の外側に張
り出す張出し領域１０ａを有し、この張出し領域１０ａ
はシール材３０の外周縁から外側へ張り出した領域、す
なわち、シール材３０及びそのシール材３０の内側に封
入された液晶と重ならない領域である。張出し領域１０
ａのうちＸ方向の中央部近傍にはＸドライバＩＣ４１が
実装されている。また、当該ＸドライバＩＣ４１を挟ん
でＸ方向で対向する位置には、第１ＹドライバＩＣ４０
ａ及び第２ＹドライバＩＣ４０ｂが実装されている。
り出す張出し領域１０ａを有し、この張出し領域１０ａ
はシール材３０の外周縁から外側へ張り出した領域、す
なわち、シール材３０及びそのシール材３０の内側に封
入された液晶と重ならない領域である。張出し領域１０
ａのうちＸ方向の中央部近傍にはＸドライバＩＣ４１が
実装されている。また、当該ＸドライバＩＣ４１を挟ん
でＸ方向で対向する位置には、第１ＹドライバＩＣ４０
ａ及び第２ＹドライバＩＣ４０ｂが実装されている。
【００４４】上記の各ドライバＩＣ４１，４０ａ，４０
ｂは、それぞれ、ＣＯＧ技術を用いて張出し領域１０ａ
の上に実装されている。すなわち、これらのドライバＩ
Ｃは、接着材中に導電粒子を分散させたＡＣＦ（Anisot
ropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いて素子
基板１０の張出し領域１０a上に接合されている（図８
（ｂ）参照）。また、張出し領域１０ａの縁端部には複
数の外部接続端子１７が形成される。これらの外部接続
端子１７が形成された部分には、例えば、ＦＰＣ（Flex
ible Printed Circuit）（図示せず）の一端が接続さ
れ、このＦＰＣの他端には、例えば回路基板等といった
外部機器が接続される。これにより、外部機器から出力
される電源電力や電気信号等がＦＰＣを通して外部接続
端子１７へ供給される。
ｂは、それぞれ、ＣＯＧ技術を用いて張出し領域１０ａ
の上に実装されている。すなわち、これらのドライバＩ
Ｃは、接着材中に導電粒子を分散させたＡＣＦ（Anisot
ropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いて素子
基板１０の張出し領域１０a上に接合されている（図８
（ｂ）参照）。また、張出し領域１０ａの縁端部には複
数の外部接続端子１７が形成される。これらの外部接続
端子１７が形成された部分には、例えば、ＦＰＣ（Flex
ible Printed Circuit）（図示せず）の一端が接続さ
れ、このＦＰＣの他端には、例えば回路基板等といった
外部機器が接続される。これにより、外部機器から出力
される電源電力や電気信号等がＦＰＣを通して外部接続
端子１７へ供給される。
【００４５】ＸドライバＩＣ４１は、外部機器からＦＰ
Ｃ及び外部接続端子１７を介して入力された信号に応じ
てデータ信号を生成し、これをデータ線１１へ出力す
る。他方、ＹドライバＩＣ４０は、外部機器からＦＰＣ
及び外部接続端子１７を介して入力された信号に応じて
走査信号を生成して出力する。この走査信号は、素子基
板１０上に形成された引回し配線１６からシール材３０
中の導電粒子を介して対向基板２０上の各走査線２５へ
与えられる。
Ｃ及び外部接続端子１７を介して入力された信号に応じ
てデータ信号を生成し、これをデータ線１１へ出力す
る。他方、ＹドライバＩＣ４０は、外部機器からＦＰＣ
及び外部接続端子１７を介して入力された信号に応じて
走査信号を生成して出力する。この走査信号は、素子基
板１０上に形成された引回し配線１６からシール材３０
中の導電粒子を介して対向基板２０上の各走査線２５へ
与えられる。
【００４６】次に、シール材３０の内周縁によって囲ま
れた領域、すなわち表示領域Ｖ内の構成を説明する。図
３は、図２（ａ）におけるＣ−Ｃ’線に従った断面のう
ち表示領域Ｖ内の一部分を示す図である。また、図４
は、表示領域Ｖ内に形成された数個の表示ドットを示す
斜視図である。なお、図４におけるＤ−Ｄ’線に従った
断面図が図３に相当する。
れた領域、すなわち表示領域Ｖ内の構成を説明する。図
３は、図２（ａ）におけるＣ−Ｃ’線に従った断面のう
ち表示領域Ｖ内の一部分を示す図である。また、図４
は、表示領域Ｖ内に形成された数個の表示ドットを示す
斜視図である。なお、図４におけるＤ−Ｄ’線に従った
断面図が図３に相当する。
【００４７】これらの図に示すように、表示領域Ｖ内に
おける素子基板１０の内側表面、すなわち液晶３５側の
表面には、マトリクス状に配列された複数の画素電極１
２と、各画素電極１２の間隙部分においてＹ方向に延在
する複数のデータ線１１とが形成されている。各画素電
極１２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といっ
た透明導電材料によって形成された略矩形状の電極であ
る。そして、各画素電極１２と、当該画素電極１２に一
方の側において隣接するデータ線１１とはＴＦＤ素子１
３を介して接続されている。
おける素子基板１０の内側表面、すなわち液晶３５側の
表面には、マトリクス状に配列された複数の画素電極１
２と、各画素電極１２の間隙部分においてＹ方向に延在
する複数のデータ線１１とが形成されている。各画素電
極１２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といっ
た透明導電材料によって形成された略矩形状の電極であ
る。そして、各画素電極１２と、当該画素電極１２に一
方の側において隣接するデータ線１１とはＴＦＤ素子１
３を介して接続されている。
【００４８】また、図３に示すように、データ線１１、
画素電極１２及びＴＦＤ素子１３が形成された素子基板
１０の表面は、配向膜５６（図４においては図示略）に
よって覆われている。この配向膜５６はポリイミド等か
ら成る有機薄膜であり、この配向膜には、電圧が印加さ
れていないときの液晶３５の配向を規定するためのラビ
ング処理が施されている。
画素電極１２及びＴＦＤ素子１３が形成された素子基板
１０の表面は、配向膜５６（図４においては図示略）に
よって覆われている。この配向膜５６はポリイミド等か
ら成る有機薄膜であり、この配向膜には、電圧が印加さ
れていないときの液晶３５の配向を規定するためのラビ
ング処理が施されている。
【００４９】図５（ａ）は、素子基板１０上における１
つの表示ドット５０を対向基板２０側、すなわち観察側
に対する背面側から見た場合を示している。また、図５
（ｂ）は図５（ａ）におけるＥ−Ｅ’線に従った断面図
であり、図５（ｃ）は図５（ａ）におけるＦ−Ｆ’線に
従った断面図である。図５（ａ）及び図５（ｃ）に示す
ように、データ線１１は、主配線１１ａと、当該主配線
１１ａ上に積層された補助配線１１ｂとから成る。補助
配線１１ｂは、例えば主配線１１ａが断線した場合に当
該主配線１１ａに代えてデータ線１１として機能する配
線であり、画素電極１２と同一層によって形成される。
つの表示ドット５０を対向基板２０側、すなわち観察側
に対する背面側から見た場合を示している。また、図５
（ｂ）は図５（ａ）におけるＥ−Ｅ’線に従った断面図
であり、図５（ｃ）は図５（ａ）におけるＦ−Ｆ’線に
従った断面図である。図５（ａ）及び図５（ｃ）に示す
ように、データ線１１は、主配線１１ａと、当該主配線
１１ａ上に積層された補助配線１１ｂとから成る。補助
配線１１ｂは、例えば主配線１１ａが断線した場合に当
該主配線１１ａに代えてデータ線１１として機能する配
線であり、画素電極１２と同一層によって形成される。
【００５０】一方、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すよ
うに、ＴＦＤ素子１３は、Ｘ方向に延在してデータ線１
１の主配線１１ａと交差する第１金属膜１３ａと、この
第１金属膜１３ａの表面に陽極酸化によって形成された
絶縁膜１３ｂと、この絶縁膜１３ｂの表面に相互に離間
して形成された第２金属膜１１ｃ及び１３ｃとによって
構成されている。
うに、ＴＦＤ素子１３は、Ｘ方向に延在してデータ線１
１の主配線１１ａと交差する第１金属膜１３ａと、この
第１金属膜１３ａの表面に陽極酸化によって形成された
絶縁膜１３ｂと、この絶縁膜１３ｂの表面に相互に離間
して形成された第２金属膜１１ｃ及び１３ｃとによって
構成されている。
【００５１】第１金属膜１３ａは、例えばタンタル（Ｔ
ａ）単体や、タングステン（Ｗ）等を含むタンタル合金
といった各種の導電性材料によって形成される。但し、
本実施形態においては、第１金属膜１３ａがタンタルに
よって形成されるものとする。また、第２金属膜１１ｃ
は、図５（ａ）に示すように、データ線１１を構成する
主配線１１ａのうち第１金属膜１３ａと交差する部分に
位置する。なお、上記補助配線１１ｂは、主配線１１ａ
のうち第２金属膜１１ｃに相当する部分以外の部分の面
上に積層されている。
ａ）単体や、タングステン（Ｗ）等を含むタンタル合金
といった各種の導電性材料によって形成される。但し、
本実施形態においては、第１金属膜１３ａがタンタルに
よって形成されるものとする。また、第２金属膜１１ｃ
は、図５（ａ）に示すように、データ線１１を構成する
主配線１１ａのうち第１金属膜１３ａと交差する部分に
位置する。なお、上記補助配線１１ｂは、主配線１１ａ
のうち第２金属膜１１ｃに相当する部分以外の部分の面
上に積層されている。
【００５２】第２金属膜１３ｃは画素電極１２に接続さ
れている。また、データ線１１の主配線１１ａ（第２金
属膜１１ｃを含む）及び第２金属膜１３ｃは、クロム
（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａｌ）といった各種の導電性
材料から成る同一の層によって形成される。但し、本実
施形態においては、主配線１１ａ及び第２金属膜１３ｃ
がクロムによって形成されるものとする。
れている。また、データ線１１の主配線１１ａ（第２金
属膜１１ｃを含む）及び第２金属膜１３ｃは、クロム
（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａｌ）といった各種の導電性
材料から成る同一の層によって形成される。但し、本実
施形態においては、主配線１１ａ及び第２金属膜１３ｃ
がクロムによって形成されるものとする。
【００５３】ＴＦＤ素子１３は、第１ＴＦＤ素子１３１
と第２ＴＦＤ素子１３２とによって構成される。すなわ
ち、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第１ＴＦ
Ｄ素子１３１は、データ線１１の側から見ると第２金属
膜１１ｃ、絶縁膜１３ｂ及び第１金属膜１３ａがこの順
に積層された構成となり、金属／絶縁体／金属のサンド
イッチ構造を採る結果、正負双方向のダイオードスイッ
チング特性を有する。一方、第２ＴＦＤ素子１３２は、
データ線１１の側から見ると第１金属膜１３ａ、絶縁膜
１３ｂ及び第２金属膜１３ｃがこの順に積層された構成
となり、第１ＴＦＤ素子１３１とは反対のダイオードス
イッチング特性を有する。
と第２ＴＦＤ素子１３２とによって構成される。すなわ
ち、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第１ＴＦ
Ｄ素子１３１は、データ線１１の側から見ると第２金属
膜１１ｃ、絶縁膜１３ｂ及び第１金属膜１３ａがこの順
に積層された構成となり、金属／絶縁体／金属のサンド
イッチ構造を採る結果、正負双方向のダイオードスイッ
チング特性を有する。一方、第２ＴＦＤ素子１３２は、
データ線１１の側から見ると第１金属膜１３ａ、絶縁膜
１３ｂ及び第２金属膜１３ｃがこの順に積層された構成
となり、第１ＴＦＤ素子１３１とは反対のダイオードス
イッチング特性を有する。
【００５４】このように、ＴＦＤ素子１３は、２つのダ
イオードを互いに逆向きに直列接続した構成となってい
るため、１つのダイオードを用いた場合と比較して、電
流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化
される。但し、この非線形特性の対称性を確保するため
には、第１ＴＦＤ素子１３１の絶縁膜１３ｂと第２ＴＦ
Ｄ素子１３２の絶縁膜１３ｂとを同一の厚さにすると共
に、第１ＴＦＤ素子１３１において第１金属膜１３ａと
第２金属膜１１ｃとが対向する面積を、第２ＴＦＤ素子
１３２において第１金属膜１３ａと第２金属膜１３ｃと
が対向する面積と等しくする必要がある。
イオードを互いに逆向きに直列接続した構成となってい
るため、１つのダイオードを用いた場合と比較して、電
流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化
される。但し、この非線形特性の対称性を確保するため
には、第１ＴＦＤ素子１３１の絶縁膜１３ｂと第２ＴＦ
Ｄ素子１３２の絶縁膜１３ｂとを同一の厚さにすると共
に、第１ＴＦＤ素子１３１において第１金属膜１３ａと
第２金属膜１１ｃとが対向する面積を、第２ＴＦＤ素子
１３２において第１金属膜１３ａと第２金属膜１３ｃと
が対向する面積と等しくする必要がある。
【００５５】そして、本実施形態においては、第１ＴＦ
Ｄ素子１３１における当該面積を第２ＴＦＤ素子１３２
における当該面積と同一とするために、図５（ａ）に示
すように、データ線１１を構成する主配線１１ａのうち
第２金属膜１１ｃに対応する部分の幅をその他の部分の
幅と比較して狭くしている。
Ｄ素子１３１における当該面積を第２ＴＦＤ素子１３２
における当該面積と同一とするために、図５（ａ）に示
すように、データ線１１を構成する主配線１１ａのうち
第２金属膜１１ｃに対応する部分の幅をその他の部分の
幅と比較して狭くしている。
【００５６】図３及び図４において、対向基板２０の面
上には、反射層２１、カラーフィルタ２２、遮光層２
３、オーバーコート層２４、複数の走査線２５及び配向
膜２６が形成されている。反射層２１は、例えばアルミ
ニウムや銀といった光反射性を有する金属によって形成
された薄膜である。図３において、観察側から液晶装置
に入射した光Ｒは、この反射層２１の表面において反射
して観察側に出射し、これにより、いわゆる反射型表示
が実現される。
上には、反射層２１、カラーフィルタ２２、遮光層２
３、オーバーコート層２４、複数の走査線２５及び配向
膜２６が形成されている。反射層２１は、例えばアルミ
ニウムや銀といった光反射性を有する金属によって形成
された薄膜である。図３において、観察側から液晶装置
に入射した光Ｒは、この反射層２１の表面において反射
して観察側に出射し、これにより、いわゆる反射型表示
が実現される。
【００５７】ここで、図３に示すように、対向基板２０
の内側表面のうち反射層２１によって覆われる領域は、
多数の微細な凹凸が形成された粗面となっている。従っ
て、この粗面を覆うように薄膜状に形成された反射層２
１の表面には、当該粗面を反映した微細な凹凸が形成さ
れる。そして、この凹凸が、光を散乱するための散乱構
造として機能する。この結果、観察側からの入射光は、
反射層２１の表面において適度に散乱した状態で反射す
るので、反射層２１の表面における鏡面反射を回避して
広い視野角が実現される。
の内側表面のうち反射層２１によって覆われる領域は、
多数の微細な凹凸が形成された粗面となっている。従っ
て、この粗面を覆うように薄膜状に形成された反射層２
１の表面には、当該粗面を反映した微細な凹凸が形成さ
れる。そして、この凹凸が、光を散乱するための散乱構
造として機能する。この結果、観察側からの入射光は、
反射層２１の表面において適度に散乱した状態で反射す
るので、反射層２１の表面における鏡面反射を回避して
広い視野角が実現される。
【００５８】カラーフィルタ２２は、各表示ドット５０
に対応して反射層２１の面上に形成された樹脂層であ
り、図４に示すように、染料や顔料によってＲ（赤
色）、Ｇ（緑色）又はＢ（青色）のうちのいずれかに着
色されている。そして、相互に異なる色の３つの表示ド
ット５０によって、表示画像を形成する１つの画素が構
成される。
に対応して反射層２１の面上に形成された樹脂層であ
り、図４に示すように、染料や顔料によってＲ（赤
色）、Ｇ（緑色）又はＢ（青色）のうちのいずれかに着
色されている。そして、相互に異なる色の３つの表示ド
ット５０によって、表示画像を形成する１つの画素が構
成される。
【００５９】遮光層２３は、素子基板１０上にマトリク
ス状に配列する画素電極１２の間隙部分に対応して格子
状に形成され、各画素電極１２同士の隙間を遮光する役
割を担っている。本実施形態における遮光層２３は、図
３に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色分のカラーフィルタ
２２が積層された構成を有する。オーバーコート層２４
は、カラーフィルタ２２及び遮光層２３によって形成さ
れた凹凸を平坦化するための層であり、例えばエポキシ
系やアクリル系等の樹脂材料によって形成される。
ス状に配列する画素電極１２の間隙部分に対応して格子
状に形成され、各画素電極１２同士の隙間を遮光する役
割を担っている。本実施形態における遮光層２３は、図
３に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色分のカラーフィルタ
２２が積層された構成を有する。オーバーコート層２４
は、カラーフィルタ２２及び遮光層２３によって形成さ
れた凹凸を平坦化するための層であり、例えばエポキシ
系やアクリル系等の樹脂材料によって形成される。
【００６０】走査線２５は、オーバーコート層２４の上
に、ＩＴＯ等といった透明導電材料によって形成された
帯状の電極である。図４に示すように、各走査線２５
は、素子基板１０上においてＸ方向に列をなす複数の画
素電極１２と対向するようにＸ方向に延在して形成され
る。そして、画素電極１２と、これに対向する走査線２
５と、両者によって挟まれた液晶３５とによって、図１
に示した液晶表示要素５１が構成される。
に、ＩＴＯ等といった透明導電材料によって形成された
帯状の電極である。図４に示すように、各走査線２５
は、素子基板１０上においてＸ方向に列をなす複数の画
素電極１２と対向するようにＸ方向に延在して形成され
る。そして、画素電極１２と、これに対向する走査線２
５と、両者によって挟まれた液晶３５とによって、図１
に示した液晶表示要素５１が構成される。
【００６１】走査線２５に走査信号を供給すると共に、
データ線１１にデータ信号を供給することによってＴＦ
Ｄ素子１３にしきい値以上の電圧を印加すると、当該Ｔ
ＦＤ素子１３はオン状態となる。そしてこの結果、ＴＦ
Ｄ素子１３に接続された液晶表示要素５１に電荷が蓄積
され、液晶３５の配向が変化する。こうして表示ドット
５０ごとに液晶３５の配向を変化させることにより、所
望の表示を行なうことができる。また、電荷が蓄積され
た後に当該ＴＦＤ素子１３がオフ状態となっても、液晶
表示要素５１における電荷の蓄積は維持される。
データ線１１にデータ信号を供給することによってＴＦ
Ｄ素子１３にしきい値以上の電圧を印加すると、当該Ｔ
ＦＤ素子１３はオン状態となる。そしてこの結果、ＴＦ
Ｄ素子１３に接続された液晶表示要素５１に電荷が蓄積
され、液晶３５の配向が変化する。こうして表示ドット
５０ごとに液晶３５の配向を変化させることにより、所
望の表示を行なうことができる。また、電荷が蓄積され
た後に当該ＴＦＤ素子１３がオフ状態となっても、液晶
表示要素５１における電荷の蓄積は維持される。
【００６２】図３において、複数の走査線２５が形成さ
れたオーバーコート層２４の表面は配向膜２６によって
覆われる。この配向膜２６は、素子基板１０上に形成す
る配向膜５６と同じ材料によって形成され、さらに配向
膜５６と同様にしてラビング処理が施される。
れたオーバーコート層２４の表面は配向膜２６によって
覆われる。この配向膜２６は、素子基板１０上に形成す
る配向膜５６と同じ材料によって形成され、さらに配向
膜５６と同様にしてラビング処理が施される。
【００６３】次に、図６を参照して、本実施形態に係る
液晶装置の配線の態様を説明する。図６は液晶装置１を
観察側、すなわち素子基板１０側から見た場合の平面構
造であって、素子基板１０を構成する基板素材を取り除
き、その基板素材上に形成されるデータ線１１等はその
まま図示した状態を示している。図６における紙面手前
側から奥側に向かう方向が図２（ａ）及び図２（ｂ）に
おけるＺ軸の正方向に相当する。従って、図６において
は、素子基板１０が紙面に対して最も手前側に位置し、
これ以外の要素は素子基板１０に対して紙面奥側に位置
する。
液晶装置の配線の態様を説明する。図６は液晶装置１を
観察側、すなわち素子基板１０側から見た場合の平面構
造であって、素子基板１０を構成する基板素材を取り除
き、その基板素材上に形成されるデータ線１１等はその
まま図示した状態を示している。図６における紙面手前
側から奥側に向かう方向が図２（ａ）及び図２（ｂ）に
おけるＺ軸の正方向に相当する。従って、図６において
は、素子基板１０が紙面に対して最も手前側に位置し、
これ以外の要素は素子基板１０に対して紙面奥側に位置
する。
【００６４】図６において、各データ線１１は、表示領
域Ｖ内においてＹ方向に延在すると共に、シール材３０
の一辺３０ａを横切って張出し領域１０ａに延び出てい
る。そして、各データ線１１のうち張出し領域１０ａ内
に張り出したそれらの端部は、ＡＣＦ２９内に含まれる
導電粒子によってＸドライバＩＣ４１の出力端子に接続
される。この構成により、ＸドライバＩＣ４１によって
生成されたデータ信号は、各データ線１１に出力され
る。
域Ｖ内においてＹ方向に延在すると共に、シール材３０
の一辺３０ａを横切って張出し領域１０ａに延び出てい
る。そして、各データ線１１のうち張出し領域１０ａ内
に張り出したそれらの端部は、ＡＣＦ２９内に含まれる
導電粒子によってＸドライバＩＣ４１の出力端子に接続
される。この構成により、ＸドライバＩＣ４１によって
生成されたデータ信号は、各データ線１１に出力され
る。
【００６５】図６において、対向基板２０上においてＸ
方向に延在する複数の走査線２５（斜線が付されてい
る）は、１本ごとに交互にＡ側及びＢ側に引き出され、
その引き出された端部がシール材３０と重なるようにな
っている。ここで、図７は、図６におけるＧ−Ｇ’線に
従った断面図、すなわち奇数本目の走査線２５に対応す
る断面図である。図７に示すように、対向基板２０のう
ちシール材３０によって覆われた領域の近傍にはカラー
フィルタ２２やオーバーコート層２４等は形成されてい
ない。これに対し、奇数本目の走査線２５は、オーバー
コート層２４の上面から対向基板２０の上面に至ると共
に、そのままシール材３０のＢ側の辺に向かってＸ方向
に延在して、その端部がシール材３０によって覆われ
る。つまり、走査線２５の端部は、対向基板２０とシー
ル材３０との間に介在する。
方向に延在する複数の走査線２５（斜線が付されてい
る）は、１本ごとに交互にＡ側及びＢ側に引き出され、
その引き出された端部がシール材３０と重なるようにな
っている。ここで、図７は、図６におけるＧ−Ｇ’線に
従った断面図、すなわち奇数本目の走査線２５に対応す
る断面図である。図７に示すように、対向基板２０のう
ちシール材３０によって覆われた領域の近傍にはカラー
フィルタ２２やオーバーコート層２４等は形成されてい
ない。これに対し、奇数本目の走査線２５は、オーバー
コート層２４の上面から対向基板２０の上面に至ると共
に、そのままシール材３０のＢ側の辺に向かってＸ方向
に延在して、その端部がシール材３０によって覆われ
る。つまり、走査線２５の端部は、対向基板２０とシー
ル材３０との間に介在する。
【００６６】さらに、図６において、走査線２５のうち
シール材３０によって覆われる端部（以下、「導通部２
５ａ」と表記する）の幅は、表示領域Ｖ内に存在する部
分の幅と比較して広くなっている。偶数本目の走査線２
５についても同様であり、図６に示すように、シール材
３０のＡ側の辺に向かってＸ方向に延在し、その端部に
位置する導通部２５ａがシール材３０のＡ側の辺と重な
るようになっている。なお、素子基板１０の液晶側表面
であってシール材３０の内周縁近傍には、表示領域Ｖの
縁辺に沿った枠状の形状を有する周辺遮光層５７が形成
される。この周辺遮光層５７は、表示領域Ｖの縁辺近傍
を遮光するための層である。
シール材３０によって覆われる端部（以下、「導通部２
５ａ」と表記する）の幅は、表示領域Ｖ内に存在する部
分の幅と比較して広くなっている。偶数本目の走査線２
５についても同様であり、図６に示すように、シール材
３０のＡ側の辺に向かってＸ方向に延在し、その端部に
位置する導通部２５ａがシール材３０のＡ側の辺と重な
るようになっている。なお、素子基板１０の液晶側表面
であってシール材３０の内周縁近傍には、表示領域Ｖの
縁辺に沿った枠状の形状を有する周辺遮光層５７が形成
される。この周辺遮光層５７は、表示領域Ｖの縁辺近傍
を遮光するための層である。
【００６７】図６及び図７において、素子基板１０の液
晶側表面には、当該素子基板１０のうちＹ方向に延在す
る２つの縁辺に沿って、且つ、当該縁辺と交差する他辺
に向かって、複数の引回し配線１６が形成されている。
各引回し配線１６は、ＹドライバＩＣ４０の出力端子と
走査線２５とを接続するための配線である。より具体的
には、引回し配線１６は、図６に示すように、素子基板
１０のうちＢ側の縁辺に沿って形成された引回し配線１
６１と、素子基板１０のうちＡ側の縁辺に沿って形成さ
れた引回し配線１６２とから成る。これらの引回し配線
１６の各々は、導通部１６ａと、素子基板１０の縁辺に
沿って延在する延在部１６ｂとを有する。
晶側表面には、当該素子基板１０のうちＹ方向に延在す
る２つの縁辺に沿って、且つ、当該縁辺と交差する他辺
に向かって、複数の引回し配線１６が形成されている。
各引回し配線１６は、ＹドライバＩＣ４０の出力端子と
走査線２５とを接続するための配線である。より具体的
には、引回し配線１６は、図６に示すように、素子基板
１０のうちＢ側の縁辺に沿って形成された引回し配線１
６１と、素子基板１０のうちＡ側の縁辺に沿って形成さ
れた引回し配線１６２とから成る。これらの引回し配線
１６の各々は、導通部１６ａと、素子基板１０の縁辺に
沿って延在する延在部１６ｂとを有する。
【００６８】各引回し配線１６の導通部１６ａは、走査
線２５の導通部２５ａと対向するように形成されてい
る。そして、図７に示すように、対向基板２０上に形成
された奇数本目の走査線２５の導通部２５ａは、シール
材３０に分散された導電粒子３２を介して、素子基板１
０上に形成された引回し配線１６１の導通部１６ａと導
通する。偶数本目の走査線２５についても同様であり、
その導通部２５ａは、シール材３０のＡ側の辺に位置す
る導電粒子３２を介して、素子基板１０上に形成された
引回し配線１６２の導通部１６ａと導通する。
線２５の導通部２５ａと対向するように形成されてい
る。そして、図７に示すように、対向基板２０上に形成
された奇数本目の走査線２５の導通部２５ａは、シール
材３０に分散された導電粒子３２を介して、素子基板１
０上に形成された引回し配線１６１の導通部１６ａと導
通する。偶数本目の走査線２５についても同様であり、
その導通部２５ａは、シール材３０のＡ側の辺に位置す
る導電粒子３２を介して、素子基板１０上に形成された
引回し配線１６２の導通部１６ａと導通する。
【００６９】各引回し配線１６の延在部１６ｂは、図６
に示すように、その一端が導通部１６ａに連結されると
共に、素子基板１０のうちシール材３０によって覆われ
た領域、すなわちシール材３０と重なる領域を通って張
出し領域１０ａに達するように延在する。より具体的に
は、引回し配線１６１の延在部１６ｂは、素子基板１０
の面上においてシール材３０のＢ側の辺によって覆われ
ると共に当該Ｂ側の辺と略同一方向に延在して、張出し
領域１０ａのＢ側の部分、つまり、第１ＹドライバＩＣ
４０ａが実装されるべき部分に向かって延在する。そし
て、当該延在部１６ｂのうち張出し領域１０ａ内に張り
出した端部が、第１ＹドライバＩＣ４０ａの出力端子に
接続される。
に示すように、その一端が導通部１６ａに連結されると
共に、素子基板１０のうちシール材３０によって覆われ
た領域、すなわちシール材３０と重なる領域を通って張
出し領域１０ａに達するように延在する。より具体的に
は、引回し配線１６１の延在部１６ｂは、素子基板１０
の面上においてシール材３０のＢ側の辺によって覆われ
ると共に当該Ｂ側の辺と略同一方向に延在して、張出し
領域１０ａのＢ側の部分、つまり、第１ＹドライバＩＣ
４０ａが実装されるべき部分に向かって延在する。そし
て、当該延在部１６ｂのうち張出し領域１０ａ内に張り
出した端部が、第１ＹドライバＩＣ４０ａの出力端子に
接続される。
【００７０】他方、引回し配線１６２の延在部１６ｂ
は、素子基板１０の面上においてシール材３０のＡ側の
辺によって覆われると共に当該Ａ側の辺と略同一方向に
延在し、張出し領域１０ａのＡ側の部分に張り出した端
部が第２ＹドライバＩＣ４０ｂの出力端子に接続され
る。このように、本実施形態においては、引回し配線１
６の延在部１６ｂのうちシール材３０の辺によって覆わ
れた部分が、当該辺と略同一方向に延在するようになっ
ている。換言すれば、シール材３０の辺のうち引回し配
線１６の一部の延在方向と略同一方向に延びる辺が、当
該引回し配線１６の一部を覆うように、当該シール材３
０が形成されている。
は、素子基板１０の面上においてシール材３０のＡ側の
辺によって覆われると共に当該Ａ側の辺と略同一方向に
延在し、張出し領域１０ａのＡ側の部分に張り出した端
部が第２ＹドライバＩＣ４０ｂの出力端子に接続され
る。このように、本実施形態においては、引回し配線１
６の延在部１６ｂのうちシール材３０の辺によって覆わ
れた部分が、当該辺と略同一方向に延在するようになっ
ている。換言すれば、シール材３０の辺のうち引回し配
線１６の一部の延在方向と略同一方向に延びる辺が、当
該引回し配線１６の一部を覆うように、当該シール材３
０が形成されている。
【００７１】このため、シール材３０のうちＹ方向に延
在する二辺、すなわち引回し配線１６を覆うべき二辺の
幅は、Ｘ方向に延在する二辺の幅と比較して広くなって
いる。すなわち、Ｘ方向に延在する二辺は、素子基板１
０と対向基板２０とを貼り合わせ得る幅であれば十分で
あるのに対し、Ｙ方向に延在する二辺については、両基
板を貼り合わせるだけでなく、引回し配線１６を覆うこ
とができるように、その幅が選定されている。
在する二辺、すなわち引回し配線１６を覆うべき二辺の
幅は、Ｘ方向に延在する二辺の幅と比較して広くなって
いる。すなわち、Ｘ方向に延在する二辺は、素子基板１
０と対向基板２０とを貼り合わせ得る幅であれば十分で
あるのに対し、Ｙ方向に延在する二辺については、両基
板を貼り合わせるだけでなく、引回し配線１６を覆うこ
とができるように、その幅が選定されている。
【００７２】第１ＹドライバＩＣ４０ａから出力された
走査信号は、素子基板１０上に形成された引回し配線１
６１の延在部１６ｂ及び導通部１６ａ、並びにシール材
３０のＢ側の辺に分散された導電粒子３２を介して、対
向基板２０上に形成された奇数本目の走査線２５の導通
部２５ａに供給される。同様に、第２ＹドライバＩＣ４
０ｂから出力された走査信号は、引回し配線１６２及び
シール材３０のＡ側の辺に分散された導電粒子３２を介
して偶数本目の走査線２５の導通部２５ａに供給され
る。
走査信号は、素子基板１０上に形成された引回し配線１
６１の延在部１６ｂ及び導通部１６ａ、並びにシール材
３０のＢ側の辺に分散された導電粒子３２を介して、対
向基板２０上に形成された奇数本目の走査線２５の導通
部２５ａに供給される。同様に、第２ＹドライバＩＣ４
０ｂから出力された走査信号は、引回し配線１６２及び
シール材３０のＡ側の辺に分散された導電粒子３２を介
して偶数本目の走査線２５の導通部２５ａに供給され
る。
【００７３】このように、本実施形態においては、引回
し配線１６がシール材３０によって覆われた部分を有す
るため、当該部分に水分等が付着して腐食が生じるのを
回避できる。さらに、この部分においては、水分や導電
性の不純物が複数の引回し配線１６に跨って付着すると
いう事態が生じないので、配線間に短絡が生じることが
なく、それ故、引回し配線１６同士の間隔を狭くするこ
とができる。そしてこの結果、引回し配線１６が形成さ
れるべきスペースを狭くすることができる。
し配線１６がシール材３０によって覆われた部分を有す
るため、当該部分に水分等が付着して腐食が生じるのを
回避できる。さらに、この部分においては、水分や導電
性の不純物が複数の引回し配線１６に跨って付着すると
いう事態が生じないので、配線間に短絡が生じることが
なく、それ故、引回し配線１６同士の間隔を狭くするこ
とができる。そしてこの結果、引回し配線１６が形成さ
れるべきスペースを狭くすることができる。
【００７４】次に、引回し配線１６の層構成を説明す
る。本実施形態における引回し配線１６は、ＴＦＤ素子
１３及び画素電極１２といった表示領域Ｖ内にある要素
と同一の層から形成されるようになっている。但し、引
回し配線１６のうち張出し領域１０ａ内に位置する部
分、すなわちシール材３０の外側領域にある部分と、シ
ール材３０によって覆われた部分、すなわちシール材３
０と重なる領域にある部分とでは、その層構造が異な
る。詳述すると、以下の通りである。
る。本実施形態における引回し配線１６は、ＴＦＤ素子
１３及び画素電極１２といった表示領域Ｖ内にある要素
と同一の層から形成されるようになっている。但し、引
回し配線１６のうち張出し領域１０ａ内に位置する部
分、すなわちシール材３０の外側領域にある部分と、シ
ール材３０によって覆われた部分、すなわちシール材３
０と重なる領域にある部分とでは、その層構造が異な
る。詳述すると、以下の通りである。
【００７５】図８（ａ）は、図６において矢印Ｐで示す
部分、すなわち引回し配線１６のうち張出し領域１０ａ
に延び出た部分を拡大して示している。また、図８
（ｂ）は、図８（ａ）におけるＨ−Ｈ’線に従った断面
図である。また、図８（ｃ）は、図８（ａ）及び図８
（ｂ）におけるＩ−Ｉ’線に従った断面図である。ま
た、図８（ｄ）は、図８（ａ）及び図８（ｂ）における
Ｊ−Ｊ’線に従った断面図である。
部分、すなわち引回し配線１６のうち張出し領域１０ａ
に延び出た部分を拡大して示している。また、図８
（ｂ）は、図８（ａ）におけるＨ−Ｈ’線に従った断面
図である。また、図８（ｃ）は、図８（ａ）及び図８
（ｂ）におけるＩ−Ｉ’線に従った断面図である。ま
た、図８（ｄ）は、図８（ａ）及び図８（ｂ）における
Ｊ−Ｊ’線に従った断面図である。
【００７６】これらの図に示すように、引回し配線１６
は、第１配線層１８１と第２配線層１８２と第３配線層
１８３とによって構成される。第１配線層１８１はＴＦ
Ｄ素子１３の第１金属膜１３ａ（図５（ｂ）参照）と同
一層から形成され、第２配線層１８２はデータ線１１の
主配線１１ａ及びＴＦＤ素子１３の第２金属膜１３ｃ
（図５（ｂ）参照）と同一層から形成され、第３配線層
１８３は画素電極１２（図５（ｂ）参照）と同一層から
形成される。すなわち、本実施形態においては、第１配
線層１８１はタンタルから成り、第２配線層１８２はク
ロムから成り、第３配線層１８３はＩＴＯから成る。こ
こで、クロムはタンタル又はＩＴＯと比較してイオン化
傾向が高いため、第２配線層１８２は第１配線層１８１
及び第３配線層１８３と比較して腐食し易い。
は、第１配線層１８１と第２配線層１８２と第３配線層
１８３とによって構成される。第１配線層１８１はＴＦ
Ｄ素子１３の第１金属膜１３ａ（図５（ｂ）参照）と同
一層から形成され、第２配線層１８２はデータ線１１の
主配線１１ａ及びＴＦＤ素子１３の第２金属膜１３ｃ
（図５（ｂ）参照）と同一層から形成され、第３配線層
１８３は画素電極１２（図５（ｂ）参照）と同一層から
形成される。すなわち、本実施形態においては、第１配
線層１８１はタンタルから成り、第２配線層１８２はク
ロムから成り、第３配線層１８３はＩＴＯから成る。こ
こで、クロムはタンタル又はＩＴＯと比較してイオン化
傾向が高いため、第２配線層１８２は第１配線層１８１
及び第３配線層１８３と比較して腐食し易い。
【００７７】第１配線層１８１及び第３配線層１８３
は、図６の導通部１６ａから張出し領域１０ａ内に位置
する端部にわたる引回し配線１６の全長に対応して形成
されている。これに対し、第２配線層１８２は、素子基
板１０のうちシール材３０と対向する領域、すなわち素
子基板１０のうちシール材３０と重なる領域内のみに形
成されている。
は、図６の導通部１６ａから張出し領域１０ａ内に位置
する端部にわたる引回し配線１６の全長に対応して形成
されている。これに対し、第２配線層１８２は、素子基
板１０のうちシール材３０と対向する領域、すなわち素
子基板１０のうちシール材３０と重なる領域内のみに形
成されている。
【００７８】より具体的には、第２配線層１８２は、シ
ール材３０の外周縁から所定の長さだけ内側に位置する
境界（以下、配線境界という）１０ｂから見て張出し領
域１０ａとは反対側においてのみ形成されており、張出
し領域１０ａ内には形成されていない。従って、引回し
配線１６のうち当該配線境界１０ｂから見て導通部１６
ａ側の部分、すなわち、シール材３０と重なる領域に形
成された部分は、図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示すよう
に、第１配線層１８１、第２配線層１８２及び第３配線
層１８３の３層がこの順に積層された構成となってい
る。これに対し、上記配線境界１０ｂから見て張出し領
域１０ａ側の部分は、図８（ｂ）及び図８（ｄ）に示す
ように、第１配線層１８１及び第３配線層１８３の２層
のみが積層された構成となっている。
ール材３０の外周縁から所定の長さだけ内側に位置する
境界（以下、配線境界という）１０ｂから見て張出し領
域１０ａとは反対側においてのみ形成されており、張出
し領域１０ａ内には形成されていない。従って、引回し
配線１６のうち当該配線境界１０ｂから見て導通部１６
ａ側の部分、すなわち、シール材３０と重なる領域に形
成された部分は、図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示すよう
に、第１配線層１８１、第２配線層１８２及び第３配線
層１８３の３層がこの順に積層された構成となってい
る。これに対し、上記配線境界１０ｂから見て張出し領
域１０ａ側の部分は、図８（ｂ）及び図８（ｄ）に示す
ように、第１配線層１８１及び第３配線層１８３の２層
のみが積層された構成となっている。
【００７９】ところで、図８（ａ）において、引回し配
線１６のうち張出し領域１０ａ内に形成された部分はＹ
方向に対して所定の角度を成して延在している。このた
め、この部分においては、Ｙ方向に延在する部分、つま
り、シール材３０によって覆われた部分と比較して広い
ピッチを確保することができる。そして、本実施形態に
おいては、引回し配線１６のうち張出し領域１０ａ内に
形成された部分の幅Ｗ１が、シール材３０によって覆わ
れた部分の幅Ｗ２よりも広くなっている。
線１６のうち張出し領域１０ａ内に形成された部分はＹ
方向に対して所定の角度を成して延在している。このた
め、この部分においては、Ｙ方向に延在する部分、つま
り、シール材３０によって覆われた部分と比較して広い
ピッチを確保することができる。そして、本実施形態に
おいては、引回し配線１６のうち張出し領域１０ａ内に
形成された部分の幅Ｗ１が、シール材３０によって覆わ
れた部分の幅Ｗ２よりも広くなっている。
【００８０】また、図８（ｂ）において、素子基板１０
の端部に形成された外部接続端子１７は、引回し配線１
６のうち配線境界１０ｂから見て張出し領域１０ａ側の
部分と同様の層構成となっている。すなわち、各外部接
続端子１７は、タンタルから成る第１配線層１８１とＩ
ＴＯから成る第３配線層１８３とが積層された構成とな
っている。
の端部に形成された外部接続端子１７は、引回し配線１
６のうち配線境界１０ｂから見て張出し領域１０ａ側の
部分と同様の層構成となっている。すなわち、各外部接
続端子１７は、タンタルから成る第１配線層１８１とＩ
ＴＯから成る第３配線層１８３とが積層された構成とな
っている。
【００８１】以上に説明したように、本実施形態におい
ては、引回し配線１６を構成する複数の配線層の一部で
ある第２配線層１８２をシール材３０と重なる領域内に
形成する一方、これ以外の配線層である第１配線層１８
１を当該引回し配線１６の全長に対応して形成したの
で、当該引回し配線１６の腐食を有効に抑えることがで
きるという利点がある。すなわち、クロムから成る第２
配線層１８２は抵抗値が低い反面、タンタルから成る第
１配線層１８１やＩＴＯからなる第３配線層１８３と比
較してイオン化傾向が高く、大気に対する耐食性が低い
ため、腐食し易いという特性を有する。
ては、引回し配線１６を構成する複数の配線層の一部で
ある第２配線層１８２をシール材３０と重なる領域内に
形成する一方、これ以外の配線層である第１配線層１８
１を当該引回し配線１６の全長に対応して形成したの
で、当該引回し配線１６の腐食を有効に抑えることがで
きるという利点がある。すなわち、クロムから成る第２
配線層１８２は抵抗値が低い反面、タンタルから成る第
１配線層１８１やＩＴＯからなる第３配線層１８３と比
較してイオン化傾向が高く、大気に対する耐食性が低い
ため、腐食し易いという特性を有する。
【００８２】このため、引回し配線１６のうちシール材
３０によって覆われていない部分や外部接続端子１７に
第２配線層１８２を形成した場合には、当該第２配線層
１８２が外気中の水分等の付着に起因して腐食し易いと
いう問題が生じ得る。これに対し、本実施形態によれ
ば、イオン化傾向の高い第２配線層１８２がシール材３
０によって覆われた領域のみに形成されており、当該第
２配線層１８２に水分等が付着するのを回避できるの
で、第２配線層１８２の腐食を抑えることができる。
３０によって覆われていない部分や外部接続端子１７に
第２配線層１８２を形成した場合には、当該第２配線層
１８２が外気中の水分等の付着に起因して腐食し易いと
いう問題が生じ得る。これに対し、本実施形態によれ
ば、イオン化傾向の高い第２配線層１８２がシール材３
０によって覆われた領域のみに形成されており、当該第
２配線層１８２に水分等が付着するのを回避できるの
で、第２配線層１８２の腐食を抑えることができる。
【００８３】他方、第１配線層１８１を構成するタンタ
ル及び第３配線層１８３を構成するＩＴＯは第２配線層
１８２を構成するクロムと比較して抵抗値が高い。この
ため、引回し配線１６を、その全長にわたって第１配線
層１８１及び第２配線層１８２のみによって形成した場
合には配線抵抗が高くなり、液晶装置の表示特性に悪影
響を与えるおそれがある。これに対し、本実施形態によ
れば、引回し配線１６のうちシール材３０によって覆わ
れた部分には、抵抗値が低い第２配線層１８２が形成さ
れているため、配線抵抗の上昇を抑えることができると
いう利点がある。
ル及び第３配線層１８３を構成するＩＴＯは第２配線層
１８２を構成するクロムと比較して抵抗値が高い。この
ため、引回し配線１６を、その全長にわたって第１配線
層１８１及び第２配線層１８２のみによって形成した場
合には配線抵抗が高くなり、液晶装置の表示特性に悪影
響を与えるおそれがある。これに対し、本実施形態によ
れば、引回し配線１６のうちシール材３０によって覆わ
れた部分には、抵抗値が低い第２配線層１８２が形成さ
れているため、配線抵抗の上昇を抑えることができると
いう利点がある。
【００８４】さらに、本実施形態においては、引回し配
線１６のうち張出し領域１０ａ内に形成された部分の幅
が、シール材３０によって覆われた部分の幅よりも広く
なっている。換言すれば、第１配線層１８１と第３配線
層１８３とから成る部分の幅が、第２配線層１８２を含
む部分の幅よりも広くなっている。このため、張出し領
域１０ａ内の部分が、比較的抵抗値の高い第１配線層１
８１と第３配線層１８３とによって構成されているにも
かかわらず、当該部分における配線抵抗が極端に高くな
ってしまうという不都合が回避される。
線１６のうち張出し領域１０ａ内に形成された部分の幅
が、シール材３０によって覆われた部分の幅よりも広く
なっている。換言すれば、第１配線層１８１と第３配線
層１８３とから成る部分の幅が、第２配線層１８２を含
む部分の幅よりも広くなっている。このため、張出し領
域１０ａ内の部分が、比較的抵抗値の高い第１配線層１
８１と第３配線層１８３とによって構成されているにも
かかわらず、当該部分における配線抵抗が極端に高くな
ってしまうという不都合が回避される。
【００８５】（電気光学装置の製造方法の実施形態）次
に、電気光学装置の製造方法について説明する。まず、
図３の素子基板１０上に設けられる、データ線１１、Ｔ
ＦＤ素子１３等といった各要素の製造方法について説明
する。図９及び図１０は、素子基板１０上における１つ
の表示ドット５０の製造方法を工程順に示している。ま
た、図１１は、素子基板１０上の引回し配線１６の製造
方法を工程順に示している。
に、電気光学装置の製造方法について説明する。まず、
図３の素子基板１０上に設けられる、データ線１１、Ｔ
ＦＤ素子１３等といった各要素の製造方法について説明
する。図９及び図１０は、素子基板１０上における１つ
の表示ドット５０の製造方法を工程順に示している。ま
た、図１１は、素子基板１０上の引回し配線１６の製造
方法を工程順に示している。
【００８６】上述したように、本実施形態における引回
し配線１６は、ＴＦＤ素子１３及び画素電極１２を構成
する各層と同一の層によって形成される。従って、以下
では、表示ドット５０と引回し配線１６の双方の製造工
程を並行して説明する。また、図６における引回し配線
１６が形成されるべき領域に関して、張出し領域１０ａ
と、シール材３０が形成されるべき領域と、Ｙドライバ
ＩＣ４０が実装されるべき領域との位置関係は、図１１
（ａ）に示す通りである。
し配線１６は、ＴＦＤ素子１３及び画素電極１２を構成
する各層と同一の層によって形成される。従って、以下
では、表示ドット５０と引回し配線１６の双方の製造工
程を並行して説明する。また、図６における引回し配線
１６が形成されるべき領域に関して、張出し領域１０ａ
と、シール材３０が形成されるべき領域と、Ｙドライバ
ＩＣ４０が実装されるべき領域との位置関係は、図１１
（ａ）に示す通りである。
【００８７】まず、図９（ａ）及び図１１（ａ）に示す
ように、素子基板１０の面上にタンタルからなる金属膜
６１を形成する。この金属膜６１の成膜には、例えばス
パッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることができ
る。金属膜６１の膜厚は、ＴＦＤ素子１３の用途等に応
じて好適な値が選択されるが、通常は、１００ｎｍ〜５
００ｎｍ程度である。なお、金属膜６１の形成前に、素
子基板１０の表面に酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等から
成る絶縁膜を形成しても良い。この絶縁膜を下地として
金属膜６１を形成すれば、当該金属膜６１と素子基板１
０との密着性を高めると共に素子基板１０から金属膜６
１への不純物の拡散を抑えることができる。
ように、素子基板１０の面上にタンタルからなる金属膜
６１を形成する。この金属膜６１の成膜には、例えばス
パッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることができ
る。金属膜６１の膜厚は、ＴＦＤ素子１３の用途等に応
じて好適な値が選択されるが、通常は、１００ｎｍ〜５
００ｎｍ程度である。なお、金属膜６１の形成前に、素
子基板１０の表面に酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等から
成る絶縁膜を形成しても良い。この絶縁膜を下地として
金属膜６１を形成すれば、当該金属膜６１と素子基板１
０との密着性を高めると共に素子基板１０から金属膜６
１への不純物の拡散を抑えることができる。
【００８８】次に、金属膜６１を、フォトリソグラフィ
処理及びエッチング処理によってパターニングする。具
体的には、図６の表示領域Ｖ内においては、図９（ｅ
１）に示すようなＴＦＤ素子１３の第１金属膜１３ａに
対応する形状であって、図９（ａ１）に示すようなＸ方
向に列を成す複数の表示ドット５０に沿って延びる形状
に、金属膜６１がパターニングされる。
処理及びエッチング処理によってパターニングする。具
体的には、図６の表示領域Ｖ内においては、図９（ｅ
１）に示すようなＴＦＤ素子１３の第１金属膜１３ａに
対応する形状であって、図９（ａ１）に示すようなＸ方
向に列を成す複数の表示ドット５０に沿って延びる形状
に、金属膜６１がパターニングされる。
【００８９】一方、図６の引回し配線１６が形成される
べき領域においては、上記パターニングと同じ工程によ
って、図１１（ｂ）に示すように、引回し配線１６を構
成する第１配線層１８１と、外部接続端子１７を構成す
る第１配線層１８１とが形成される。上述したように、
引回し配線１６を構成する第１配線層１８１は、図６の
導通部１６ａから張出し領域１０ａ内に位置する端部ま
でに至る引回し配線１６の全長に対応して形成される。
べき領域においては、上記パターニングと同じ工程によ
って、図１１（ｂ）に示すように、引回し配線１６を構
成する第１配線層１８１と、外部接続端子１７を構成す
る第１配線層１８１とが形成される。上述したように、
引回し配線１６を構成する第１配線層１８１は、図６の
導通部１６ａから張出し領域１０ａ内に位置する端部ま
でに至る引回し配線１６の全長に対応して形成される。
【００９０】次に、図９（ａ）において表示領域Ｖ内に
形成された金属膜６１の表面を陽極酸化法によって酸化
させることにより、図９（ｂ）に示すように、当該金属
膜６１の表面に酸化タンタルから成る酸化膜６２を形成
する。具体的には、素子基板１０を所定の電解液中に浸
漬し、表示領域Ｖ内の金属膜６１と電解液との間に所定
の電圧を印加して当該金属膜６１の表面を酸化させる。
酸化膜６２の膜厚は、ＴＦＤ素子１３の特性に応じて好
適な値が選択されるが、例えば１０〜３５ｎｍ程度であ
る。なお、陽極酸化に用いられる電解液としては、例え
ば０．０１〜０．１重量％のクエン酸水溶液を用いるこ
とができる。この後、ピンホールの除去や膜質の安定化
を図るために、上記陽極酸化によって形成した酸化膜６
２に対して熱処理を施す。なお、図１１（ｂ）に示す引
回し配線１６のための第１配線層１８１に対しては陽極
酸化は施こさない。従って、この第１配線層１８１の表
面に酸化膜は形成されない（図１１（ｃ）参照）。
形成された金属膜６１の表面を陽極酸化法によって酸化
させることにより、図９（ｂ）に示すように、当該金属
膜６１の表面に酸化タンタルから成る酸化膜６２を形成
する。具体的には、素子基板１０を所定の電解液中に浸
漬し、表示領域Ｖ内の金属膜６１と電解液との間に所定
の電圧を印加して当該金属膜６１の表面を酸化させる。
酸化膜６２の膜厚は、ＴＦＤ素子１３の特性に応じて好
適な値が選択されるが、例えば１０〜３５ｎｍ程度であ
る。なお、陽極酸化に用いられる電解液としては、例え
ば０．０１〜０．１重量％のクエン酸水溶液を用いるこ
とができる。この後、ピンホールの除去や膜質の安定化
を図るために、上記陽極酸化によって形成した酸化膜６
２に対して熱処理を施す。なお、図１１（ｂ）に示す引
回し配線１６のための第１配線層１８１に対しては陽極
酸化は施こさない。従って、この第１配線層１８１の表
面に酸化膜は形成されない（図１１（ｃ）参照）。
【００９１】次に、図９（ｃ）及び図１１（ｃ）に示す
ように、素子基板１０の全面を覆うように金属膜６３を
形成する。この金属膜６３は、例えばスパッタリング法
等によって、５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度の膜厚に形成さ
れる。この金属膜６３は、図１０（ｃ１）のデータ線１
１のうちの主配線１１ａ及び図９（ｅ１）のＴＦＤ素子
１３の第２金属膜１３ｃ、並びに図１１（ｆ）の引回し
配線１６の第２配線層１８２となる薄膜である。従っ
て、本実施形態における金属膜６３はクロムによって形
成される。
ように、素子基板１０の全面を覆うように金属膜６３を
形成する。この金属膜６３は、例えばスパッタリング法
等によって、５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度の膜厚に形成さ
れる。この金属膜６３は、図１０（ｃ１）のデータ線１
１のうちの主配線１１ａ及び図９（ｅ１）のＴＦＤ素子
１３の第２金属膜１３ｃ、並びに図１１（ｆ）の引回し
配線１６の第２配線層１８２となる薄膜である。従っ
て、本実施形態における金属膜６３はクロムによって形
成される。
【００９２】この後、図９（ｃ）及び図１１（ｃ）にお
いて、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によ
って金属膜６３をパターニングする。これにより、表示
領域Ｖ内においては、図９（ｄ）及び図９（ｄ１）に示
すように、第２金属膜１１ｃに相当する細くなった部分
を有する主配線１１ａと、図９（ｅ１）の第２ＴＦＤ素
子１３２の第２金属膜１３ｃとが形成される。
いて、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によ
って金属膜６３をパターニングする。これにより、表示
領域Ｖ内においては、図９（ｄ）及び図９（ｄ１）に示
すように、第２金属膜１１ｃに相当する細くなった部分
を有する主配線１１ａと、図９（ｅ１）の第２ＴＦＤ素
子１３２の第２金属膜１３ｃとが形成される。
【００９３】他方、引回し配線１６が形成されるべき領
域においては、図１１（ｃ）における金属膜６３のパタ
ーニングにより、図１１（ｄ）に示すように第２配線層
１８２が形成される。すなわち、引回し配線１６のうち
配線境界１０ｂから導通部１６ａ（図６参照）側の部分
に対応した形状の第２配線層１８２が形成される。換言
すると、先の工程で形成された第１配線層１８１の面上
に位置する金属膜６３のうち、配線境界１０ｂから見て
張出し領域１０ａ側の部分（外部接続端子１７が形成さ
れるべき部分を含む）に対応する金属膜６３が除去され
る。
域においては、図１１（ｃ）における金属膜６３のパタ
ーニングにより、図１１（ｄ）に示すように第２配線層
１８２が形成される。すなわち、引回し配線１６のうち
配線境界１０ｂから導通部１６ａ（図６参照）側の部分
に対応した形状の第２配線層１８２が形成される。換言
すると、先の工程で形成された第１配線層１８１の面上
に位置する金属膜６３のうち、配線境界１０ｂから見て
張出し領域１０ａ側の部分（外部接続端子１７が形成さ
れるべき部分を含む）に対応する金属膜６３が除去され
る。
【００９４】次に、図９（ｄ）において、フォトリソグ
ラフィ処理及びエッチング処理を用いて上述した金属膜
６１及び酸化膜６２をパターニングして、図９（ｅ）及
び図９（ｅ１）に示すように、各表示ドット５０のＴＦ
Ｄ素子１３を構成する第１金属膜１３ａ及び絶縁膜１３
ｂを形成する。すなわち、酸化膜６２によって覆われた
金属膜６１のうち、Ｘ方向に列を成す各表示ドット５０
同士の間の部分を除去することにより、第２金属膜１１
ｃ及び１３ｃの双方と交差する島状の部分となるように
第１金属膜１３ａ及び絶縁膜１３ｂをパターニングす
る。この工程により、第１ＴＦＤ素子１３１及び第２Ｔ
ＦＤ素子１３２が各表示ドット５０ごとに形成される。
なお、図１０（ａ）は、図９（ｅ１）におけるＦ−Ｆ’
線に従った断面図であって、データ線１１の主配線１１
ａ及び第２ＴＦＤ素子１３２の第２金属膜１３ｃの断面
形状を示している。
ラフィ処理及びエッチング処理を用いて上述した金属膜
６１及び酸化膜６２をパターニングして、図９（ｅ）及
び図９（ｅ１）に示すように、各表示ドット５０のＴＦ
Ｄ素子１３を構成する第１金属膜１３ａ及び絶縁膜１３
ｂを形成する。すなわち、酸化膜６２によって覆われた
金属膜６１のうち、Ｘ方向に列を成す各表示ドット５０
同士の間の部分を除去することにより、第２金属膜１１
ｃ及び１３ｃの双方と交差する島状の部分となるように
第１金属膜１３ａ及び絶縁膜１３ｂをパターニングす
る。この工程により、第１ＴＦＤ素子１３１及び第２Ｔ
ＦＤ素子１３２が各表示ドット５０ごとに形成される。
なお、図１０（ａ）は、図９（ｅ１）におけるＦ−Ｆ’
線に従った断面図であって、データ線１１の主配線１１
ａ及び第２ＴＦＤ素子１３２の第２金属膜１３ｃの断面
形状を示している。
【００９５】また、図９（ｄ）における金属膜６１及び
酸化膜６２のパターニングに際しては、図１１（ｄ）に
おける引回し配線１６用の第１配線層１８１及び第２配
線層１８２には何ら処理は施されない。
酸化膜６２のパターニングに際しては、図１１（ｄ）に
おける引回し配線１６用の第１配線層１８１及び第２配
線層１８２には何ら処理は施されない。
【００９６】ところで、上記の例では、図９（ｃ）の金
属膜６３にパターニング処理を施した後に、図９（ｄ）
の金属膜６１及び酸化膜６２にパターニング処理を施す
ようにしたが、これとは逆に、金属膜６１及び酸化膜６
２のパターニングを行なった後に、金属膜６３の形成及
び当該金属膜６３のパターニングを行なうようにしても
良い。
属膜６３にパターニング処理を施した後に、図９（ｄ）
の金属膜６１及び酸化膜６２にパターニング処理を施す
ようにしたが、これとは逆に、金属膜６１及び酸化膜６
２のパターニングを行なった後に、金属膜６３の形成及
び当該金属膜６３のパターニングを行なうようにしても
良い。
【００９７】次に、図１０（ｂ）及び図１１（ｅ）に示
すように、ＩＴＯから成る透明導電膜６４を素子基板１
０の全面を覆うように形成する。この成膜には、例えば
スパッタリング法等を用いることができる。この後、透
明導電膜６４を、例えばフォトリソグラフィ処理及びエ
ッチング処理によってパターニングする。これにより、
表示領域Ｖ内においては、図１０（ｃ）及び図１０（ｃ
１）に示すように、第２ＴＦＤ素子１３２の第２金属膜
１３ｃに接続された画素電極１２と、主配線１１ａと共
にデータ線１１を構成する補助配線１１ｂとが形成され
る。
すように、ＩＴＯから成る透明導電膜６４を素子基板１
０の全面を覆うように形成する。この成膜には、例えば
スパッタリング法等を用いることができる。この後、透
明導電膜６４を、例えばフォトリソグラフィ処理及びエ
ッチング処理によってパターニングする。これにより、
表示領域Ｖ内においては、図１０（ｃ）及び図１０（ｃ
１）に示すように、第２ＴＦＤ素子１３２の第２金属膜
１３ｃに接続された画素電極１２と、主配線１１ａと共
にデータ線１１を構成する補助配線１１ｂとが形成され
る。
【００９８】他方、表示領域Ｖの外側においては、図１
１（ｆ）に示すように、引回し配線１６の全長に対応し
て第１配線層１８１及び第２配線層１８２を覆う第３配
線層１８３と、外部接続端子１７の第１配線層１８１を
覆う第３配線層１８３とが形成される。
１（ｆ）に示すように、引回し配線１６の全長に対応し
て第１配線層１８１及び第２配線層１８２を覆う第３配
線層１８３と、外部接続端子１７の第１配線層１８１を
覆う第３配線層１８３とが形成される。
【００９９】この後、図３に示すように素子基板１０の
うち表示領域Ｖを覆う配向膜５６を形成すると共に、当
該配向膜５６に対して所定方向にラビング処理を施す。
次いで、図１１（ｇ）において、導電粒子３２が分散さ
れたシール材３０を、例えばスクリーン印刷等の技術を
用いて塗布する。なお、このときには、第２配線層１８
２を全長にわたって覆うように、すなわち第２配線層１
８２が張出し領域１０ａに至らないように、当該シール
材３０を塗布する。
うち表示領域Ｖを覆う配向膜５６を形成すると共に、当
該配向膜５６に対して所定方向にラビング処理を施す。
次いで、図１１（ｇ）において、導電粒子３２が分散さ
れたシール材３０を、例えばスクリーン印刷等の技術を
用いて塗布する。なお、このときには、第２配線層１８
２を全長にわたって覆うように、すなわち第２配線層１
８２が張出し領域１０ａに至らないように、当該シール
材３０を塗布する。
【０１００】以上が、図３の素子基板１０上に各種要素
を製造するための製造方法である。この一方で、対向基
板２０上に設けられる各要素は、例えば、図１２及び図
１３に示す工程を経て形成される。なお、これらの図
は、図６の対向基板２０のうちシール材３０によって覆
われるべき領域の断面の近傍を示している。シール材３
０が形成されるべき領域は、図１２（ａ）において「シ
ール領域」として示されている。
を製造するための製造方法である。この一方で、対向基
板２０上に設けられる各要素は、例えば、図１２及び図
１３に示す工程を経て形成される。なお、これらの図
は、図６の対向基板２０のうちシール材３０によって覆
われるべき領域の断面の近傍を示している。シール材３
０が形成されるべき領域は、図１２（ａ）において「シ
ール領域」として示されている。
【０１０１】まず、図１２（ａ）において、対向基板２
０のうち反射層２１が形成されるべき領域の表面を粗面
化する。具体的には、例えば、エッチング処理を用い
て、当該対向基板２０の表面のうち多数の微細な領域を
所定の厚さだけ選択的に除去する。これにより、除去さ
れた部分に対応する凹部と、除去されなかった部分に対
応する凸部とを有する粗面が対向基板２０の表面上に形
成される。
０のうち反射層２１が形成されるべき領域の表面を粗面
化する。具体的には、例えば、エッチング処理を用い
て、当該対向基板２０の表面のうち多数の微細な領域を
所定の厚さだけ選択的に除去する。これにより、除去さ
れた部分に対応する凹部と、除去されなかった部分に対
応する凸部とを有する粗面が対向基板２０の表面上に形
成される。
【０１０２】但し、対向基板２０の表面を粗面化する方
法はこれに限られるものではない。例えば、対向基板２
０を覆うようにエポキシ系やアクリル系の樹脂層を形成
し、当該樹脂層表面の多数の微細な部分をエッチングに
よって選択的に除去する。この後、当該樹脂層に熱を加
えて軟化させ、エッチングによって生じた角の部分を丸
めることにより、滑らかな凹凸を有する粗面を形成して
も良い。
法はこれに限られるものではない。例えば、対向基板２
０を覆うようにエポキシ系やアクリル系の樹脂層を形成
し、当該樹脂層表面の多数の微細な部分をエッチングに
よって選択的に除去する。この後、当該樹脂層に熱を加
えて軟化させ、エッチングによって生じた角の部分を丸
めることにより、滑らかな凹凸を有する粗面を形成して
も良い。
【０１０３】次に、図１２（ａ）において対向基板２０
の全面を覆うように、光反射性を有する金属の薄膜を、
スパッタリング法等を用いて形成する。この薄膜は、例
えばアルミニウムや銀といった単体金属、又はこれらを
主成分とする合金等によって形成される。この後、フォ
トリソグラフィ処理及びエッチング処理を用いて当該薄
膜をパターニングすることにより、図１２（ｂ）に示す
反射層２１を形成する。
の全面を覆うように、光反射性を有する金属の薄膜を、
スパッタリング法等を用いて形成する。この薄膜は、例
えばアルミニウムや銀といった単体金属、又はこれらを
主成分とする合金等によって形成される。この後、フォ
トリソグラフィ処理及びエッチング処理を用いて当該薄
膜をパターニングすることにより、図１２（ｂ）に示す
反射層２１を形成する。
【０１０４】次に、図１２（ｃ）に示すように、反射層
２１の面上にカラーフィルタ２２及び遮光層２３を形成
する。すなわち、まず、染料や顔料によってＲ（赤）、
Ｇ（緑）又はＢ（青）のうちのいずれかの色、例えばＲ
色に着色された樹脂膜を反射層２１の面上に形成した
後、Ｒ色のカラーフィルタ２２が形成されるべき領域
と、遮光層２３が形成されるべき格子状の領域、すなわ
ち表示ドット５０同士の間隙領域とを残して、当該樹脂
膜を除去する。以後、これと同様の工程を、他の２色、
すなわちＧ色及びＢ色についても繰り返すことにより、
図１２（ｃ）に示すように、Ｒ、Ｇ又はＢのいずれかの
色に対応するカラーフィルタ２２と、これらの３色の層
が積層された遮光層２３とが形成される。
２１の面上にカラーフィルタ２２及び遮光層２３を形成
する。すなわち、まず、染料や顔料によってＲ（赤）、
Ｇ（緑）又はＢ（青）のうちのいずれかの色、例えばＲ
色に着色された樹脂膜を反射層２１の面上に形成した
後、Ｒ色のカラーフィルタ２２が形成されるべき領域
と、遮光層２３が形成されるべき格子状の領域、すなわ
ち表示ドット５０同士の間隙領域とを残して、当該樹脂
膜を除去する。以後、これと同様の工程を、他の２色、
すなわちＧ色及びＢ色についても繰り返すことにより、
図１２（ｃ）に示すように、Ｒ、Ｇ又はＢのいずれかの
色に対応するカラーフィルタ２２と、これらの３色の層
が積層された遮光層２３とが形成される。
【０１０５】この後、図１２（ｄ）において、カラーフ
ィルタ２２及び遮光層２３を覆うようにエポキシ系又は
アクリル系の樹脂材料を塗布し、さらにそれを焼成し
て、オーバーコート層２４を形成する。次に、図１３
（ｅ）において、上記各要素が形成された対向基板２０
の全面を覆うようにＩＴＯ等から成る透明導電膜６５を
形成する。この成膜には、例えばスパッタリング法等を
用いることができる。
ィルタ２２及び遮光層２３を覆うようにエポキシ系又は
アクリル系の樹脂材料を塗布し、さらにそれを焼成し
て、オーバーコート層２４を形成する。次に、図１３
（ｅ）において、上記各要素が形成された対向基板２０
の全面を覆うようにＩＴＯ等から成る透明導電膜６５を
形成する。この成膜には、例えばスパッタリング法等を
用いることができる。
【０１０６】この透明導電膜６５をフォトリソグラフィ
処理及びエッチング処理によってパターニングして、図
１３（ｆ）に示すように、複数の走査線２５を形成す
る。これらの走査線２５は、１本ごとに、シール材３０
のＡ側及びＢ側の辺が形成されるべき領域に至るように
形成され、その端部には導通部２５ａが形成される。こ
の後、図１３（ｇ）に示すように、表示領域Ｖを覆うよ
うに配向膜２６を形成すると共に、当該配向膜２６に対
してラビング処理を施す。
処理及びエッチング処理によってパターニングして、図
１３（ｆ）に示すように、複数の走査線２５を形成す
る。これらの走査線２５は、１本ごとに、シール材３０
のＡ側及びＢ側の辺が形成されるべき領域に至るように
形成され、その端部には導通部２５ａが形成される。こ
の後、図１３（ｇ）に示すように、表示領域Ｖを覆うよ
うに配向膜２６を形成すると共に、当該配向膜２６に対
してラビング処理を施す。
【０１０７】次に、上記各工程を経て得られた素子基板
１０と対向基板２０とを、図２に示すように、各々の電
極形成面が対向するようにシール材３０を間に挟んで貼
り合わせる。このとき、図６において、各走査線２５の
導通部２５ａと引回し配線１６の導通部１６ａとがシー
ル材３０を挟んで対向するように、両基板１０，２０の
相対的な位置が調整される。
１０と対向基板２０とを、図２に示すように、各々の電
極形成面が対向するようにシール材３０を間に挟んで貼
り合わせる。このとき、図６において、各走査線２５の
導通部２５ａと引回し配線１６の導通部１６ａとがシー
ル材３０を挟んで対向するように、両基板１０，２０の
相対的な位置が調整される。
【０１０８】そして、図２において両基板１０，２０と
シール材３０とによって囲まれた領域内に、シール材３
０の開口部分を介して液晶を封入し、その後、当該開口
部分を封止材３１によって封止する。この後、両基板１
０，２０の外側表面に偏光板や位相差板等を貼着すると
共に、素子基板１０の張出し領域１０ａにＸドライバＩ
Ｃ４１及びＹドライバＩＣ４０をＣＯＧ技術を用いて実
装し、これにより、上述した液晶装置１が得られる。
シール材３０とによって囲まれた領域内に、シール材３
０の開口部分を介して液晶を封入し、その後、当該開口
部分を封止材３１によって封止する。この後、両基板１
０，２０の外側表面に偏光板や位相差板等を貼着すると
共に、素子基板１０の張出し領域１０ａにＸドライバＩ
Ｃ４１及びＹドライバＩＣ４０をＣＯＧ技術を用いて実
装し、これにより、上述した液晶装置１が得られる。
【０１０９】このように、本実施形態によれば、引回し
配線１６がＴＦＤ素子１３及び画素電極１２と共通の層
から形成されるため、ＴＦＤ素子１３及び引回し配線１
６の各々を形成する工程を別個に実施した場合と比較し
て、製造工程の簡略化及び製造コストの低減が達成でき
る。
配線１６がＴＦＤ素子１３及び画素電極１２と共通の層
から形成されるため、ＴＦＤ素子１３及び引回し配線１
６の各々を形成する工程を別個に実施した場合と比較し
て、製造工程の簡略化及び製造コストの低減が達成でき
る。
【０１１０】ところで、図８（ｂ）に示した耐食性の低
い第２配線層１８２の腐食を防ぐための他の手段とし
て、例えば、引回し配線１６のうち当該第２配線層１８
２が形成された部分を、樹脂材料等から成る絶縁層によ
って覆うことも一応考えられる。しかしながら、この場
合には、当該絶縁層を形成するための工程が不可欠とな
るので、その分だけ製造コストが高くなってしまう。こ
れに対し、本実施形態によれば、第２配線層１８２がシ
ール材３０によって覆われるようになっているため、上
記のような絶縁層を形成するための独立した工程は不要
である。従って、本実施形態によれば、製造コストの増
加や製造工程の煩雑化を伴うことなく、第２配線層１８
２の腐食を抑えるという効果を得ることができる。
い第２配線層１８２の腐食を防ぐための他の手段とし
て、例えば、引回し配線１６のうち当該第２配線層１８
２が形成された部分を、樹脂材料等から成る絶縁層によ
って覆うことも一応考えられる。しかしながら、この場
合には、当該絶縁層を形成するための工程が不可欠とな
るので、その分だけ製造コストが高くなってしまう。こ
れに対し、本実施形態によれば、第２配線層１８２がシ
ール材３０によって覆われるようになっているため、上
記のような絶縁層を形成するための独立した工程は不要
である。従って、本実施形態によれば、製造コストの増
加や製造工程の煩雑化を伴うことなく、第２配線層１８
２の腐食を抑えるという効果を得ることができる。
【０１１１】以上、本発明の一実施形態について説明し
たが、上記実施形態はあくまでも例示であり、上記実施
形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様
々な変形を加えることができる。変形例としては、例え
ば以下のようなものが考えられる。
たが、上記実施形態はあくまでも例示であり、上記実施
形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様
々な変形を加えることができる。変形例としては、例え
ば以下のようなものが考えられる。
【０１１２】（電気光学装置の第２実施形態）図６に示
した先の実施形態では、引回し配線１６の一部が、当該
一部と略同一方向に延びるシール材３０の辺によって覆
われた構成となっていたが、これに代えて、図１４に示
すような構成を採用できる。なお、図１４は、液晶装置
８１を観察側から見たときの配線の態様を示している。
また、図１４において図６に示した構成要素と同じ構成
要素については同一の符号を付すことにする。また、図
１４においては、図６と同様に、素子基板１０が紙面に
対して最も手前側に位置し、これ以外の要素は当該素子
基板１０に対して紙面奥側に位置する。
した先の実施形態では、引回し配線１６の一部が、当該
一部と略同一方向に延びるシール材３０の辺によって覆
われた構成となっていたが、これに代えて、図１４に示
すような構成を採用できる。なお、図１４は、液晶装置
８１を観察側から見たときの配線の態様を示している。
また、図１４において図６に示した構成要素と同じ構成
要素については同一の符号を付すことにする。また、図
１４においては、図６と同様に、素子基板１０が紙面に
対して最も手前側に位置し、これ以外の要素は当該素子
基板１０に対して紙面奥側に位置する。
【０１１３】図１４において、引回し配線１６は、素子
基板１０上に形成されていて、導通部１６ａと延在部１
６ｂとから成っている。そして、導通部１６ａが、シー
ル材３０中の導電粒子３２を介して走査線２５の導通部
２５ａと導通する点は、図６に示した実施形態の場合と
同様である。しかしながら、本実施形態においては、延
在部１６ｂがシール材３０によって覆われた領域内、す
なわちシール材３０と重なる領域において延在するので
はなく、当該シール材３０の内周縁によって囲まれた領
域内、すなわち表示領域Ｖ内において延在する点で図６
の実施形態とは異なっている。
基板１０上に形成されていて、導通部１６ａと延在部１
６ｂとから成っている。そして、導通部１６ａが、シー
ル材３０中の導電粒子３２を介して走査線２５の導通部
２５ａと導通する点は、図６に示した実施形態の場合と
同様である。しかしながら、本実施形態においては、延
在部１６ｂがシール材３０によって覆われた領域内、す
なわちシール材３０と重なる領域において延在するので
はなく、当該シール材３０の内周縁によって囲まれた領
域内、すなわち表示領域Ｖ内において延在する点で図６
の実施形態とは異なっている。
【０１１４】すなわち、本実施形態において延在部１６
ｂは、シール材３０の内周縁によって囲まれた領域内に
おいて導通部１６ａに連結されると共に、当該領域内に
おいて張出し領域１０ａに向かって延在する。そして、
シール材３０の一辺３０aを横切って張出し領域１０ａ
内に到達し、その端部がＹドライバＩＣ４０の出力端子
に接続される。
ｂは、シール材３０の内周縁によって囲まれた領域内に
おいて導通部１６ａに連結されると共に、当該領域内に
おいて張出し領域１０ａに向かって延在する。そして、
シール材３０の一辺３０aを横切って張出し領域１０ａ
内に到達し、その端部がＹドライバＩＣ４０の出力端子
に接続される。
【０１１５】図１５は、本実施形態における引回し配線
１６の層構成を示す図であり、先の実施形態における図
８（ｂ）に対応するものである。図１５に示すように、
引回し配線１６の層構成は、図８（ｂ）に示した先の実
施形態における引回し配線１６の層構成と同様であり、
図５（ｂ）のＴＦＤ素子１３の第１金属膜１３ａと同一
層によって形成された第１配線層１８１と、図５（ａ）
のデータ線１１の主配線１１ａ及びＴＦＤ素子１３の第
２金属膜１３ｃと同一層によって形成された第２配線層
１８２と、図５（ａ）の画素電極１２と同一層によって
形成された第３配線層１８３とが積層された構成となっ
ている。
１６の層構成を示す図であり、先の実施形態における図
８（ｂ）に対応するものである。図１５に示すように、
引回し配線１６の層構成は、図８（ｂ）に示した先の実
施形態における引回し配線１６の層構成と同様であり、
図５（ｂ）のＴＦＤ素子１３の第１金属膜１３ａと同一
層によって形成された第１配線層１８１と、図５（ａ）
のデータ線１１の主配線１１ａ及びＴＦＤ素子１３の第
２金属膜１３ｃと同一層によって形成された第２配線層
１８２と、図５（ａ）の画素電極１２と同一層によって
形成された第３配線層１８３とが積層された構成となっ
ている。
【０１１６】第１配線層１８１及び第３配線層１８３
は、図１４の導通部１６ａから張出し領域１０ａ内に位
置する端部にわたる引回し配線１６の全長にわたって形
成されている。すなわち、第１配線層１８１及び第３配
線層１８３は、素子基板１０のうちシール材３０に重な
る領域と、液晶３５に対向する領域（つまり、シール材
３０の内周縁によって囲まれた領域）と、張出し領域１
０ａとにわたって設けられている。
は、図１４の導通部１６ａから張出し領域１０ａ内に位
置する端部にわたる引回し配線１６の全長にわたって形
成されている。すなわち、第１配線層１８１及び第３配
線層１８３は、素子基板１０のうちシール材３０に重な
る領域と、液晶３５に対向する領域（つまり、シール材
３０の内周縁によって囲まれた領域）と、張出し領域１
０ａとにわたって設けられている。
【０１１７】これに対し、第２配線層１８２は、張出し
領域１０ａには入らないようになっており、素子基板１
０のうちシール材３０に重なる領域と、液晶３５に対向
する領域とにわたって設けられている。すなわち、図６
に示した先の記実施形態では引回し配線１６がシール材
３０によって覆われた領域、すなわちシール材３０と重
なる領域、内に延在する構成を採ったため、第２配線層
１８２がシール材３０によって覆われた領域のみに形成
されるようにした。これに対し、本実施形態における第
２配線層１８２は、シール材３０によって覆われた領域
に加え、液晶３５に対向する領域にも形成されるように
なっている。本実施形態によっても、図６に示した実施
形態と同様に、第２配線層１８２に外気中の水分等が付
着するのを回避でき、それ故、当該第２配線層１８２の
腐食を抑えることができる。
領域１０ａには入らないようになっており、素子基板１
０のうちシール材３０に重なる領域と、液晶３５に対向
する領域とにわたって設けられている。すなわち、図６
に示した先の記実施形態では引回し配線１６がシール材
３０によって覆われた領域、すなわちシール材３０と重
なる領域、内に延在する構成を採ったため、第２配線層
１８２がシール材３０によって覆われた領域のみに形成
されるようにした。これに対し、本実施形態における第
２配線層１８２は、シール材３０によって覆われた領域
に加え、液晶３５に対向する領域にも形成されるように
なっている。本実施形態によっても、図６に示した実施
形態と同様に、第２配線層１８２に外気中の水分等が付
着するのを回避でき、それ故、当該第２配線層１８２の
腐食を抑えることができる。
【０１１８】（電気光学装置の第３実施形態）図８
（b）及び図１５に示した実施形態においては、引回し
配線１６が第１配線層１８１と第３配線層１８３とを有
する構成としたが、これらのうちのいずれかのみを有す
る構成としても良い。すなわち、引回し配線１６のうち
シール材３０によって覆われた領域内に位置する部分を
第１配線層１８１と第２配線層１８２とが積層された構
成とし、張出し領域１０ａ内に位置する部分を第１配線
層１８１のみによって構成するようにしても良い。もっ
とも、図８（b）等に示した実施形態のように、第１配
線層１８１と第２配線層１８２とに第３配線層１８３を
積層した構成を採れば、配線抵抗を低く抑えることがで
きるという利点がある。
（b）及び図１５に示した実施形態においては、引回し
配線１６が第１配線層１８１と第３配線層１８３とを有
する構成としたが、これらのうちのいずれかのみを有す
る構成としても良い。すなわち、引回し配線１６のうち
シール材３０によって覆われた領域内に位置する部分を
第１配線層１８１と第２配線層１８２とが積層された構
成とし、張出し領域１０ａ内に位置する部分を第１配線
層１８１のみによって構成するようにしても良い。もっ
とも、図８（b）等に示した実施形態のように、第１配
線層１８１と第２配線層１８２とに第３配線層１８３を
積層した構成を採れば、配線抵抗を低く抑えることがで
きるという利点がある。
【０１１９】（電気光学装置の第４実施形態）図６及び
図１４に示した実施形態においては、走査線２５と導通
する引回し配線１６について、その一部の配線層がシー
ル材３０によって覆われた構成としたが、これ以外の配
線、例えばデータ線１１についても同様の構成を採用す
ることができる。すなわち、データ線１１のうちクロム
から成る主配線１１ａをシール材３０及び液晶３５によ
って覆われた領域内に形成する一方、耐食性の高いＩＴ
Ｏから成る補助配線１１ｂを、シール材３０及び液晶３
５によって覆われた領域内に加えて張出し領域１０ａに
も入るように、当該データ線１１の全長にわたって形成
しても良い。なお、この場合の配線、すなわちデータ線
１１は、対向基板２０上のいずれの配線とも導通しな
い。つまり、本発明における「配線」は、必ずしも他の
基板に形成された配線と導通するものである必要はな
い。
図１４に示した実施形態においては、走査線２５と導通
する引回し配線１６について、その一部の配線層がシー
ル材３０によって覆われた構成としたが、これ以外の配
線、例えばデータ線１１についても同様の構成を採用す
ることができる。すなわち、データ線１１のうちクロム
から成る主配線１１ａをシール材３０及び液晶３５によ
って覆われた領域内に形成する一方、耐食性の高いＩＴ
Ｏから成る補助配線１１ｂを、シール材３０及び液晶３
５によって覆われた領域内に加えて張出し領域１０ａに
も入るように、当該データ線１１の全長にわたって形成
しても良い。なお、この場合の配線、すなわちデータ線
１１は、対向基板２０上のいずれの配線とも導通しな
い。つまり、本発明における「配線」は、必ずしも他の
基板に形成された配線と導通するものである必要はな
い。
【０１２０】（電気光学装置の第５実施形態）図８
（ｂ）や図１５に示した実施形態においては、引回し配
線１６を構成する各配線層１８１，１８２，１８３を表
示領域Ｖ内の要素、すなわちＴＦＤ素子１３、画素電極
１２等と共通の層によって形成した。しかしながら、本
発明に係る電気光学装置は、常に必ず、このように構成
しなければならないというものではなく、表示領域Ｖ内
の要素とは別個の工程によって引回し配線１６を形成す
るようにしても良い。
（ｂ）や図１５に示した実施形態においては、引回し配
線１６を構成する各配線層１８１，１８２，１８３を表
示領域Ｖ内の要素、すなわちＴＦＤ素子１３、画素電極
１２等と共通の層によって形成した。しかしながら、本
発明に係る電気光学装置は、常に必ず、このように構成
しなければならないというものではなく、表示領域Ｖ内
の要素とは別個の工程によって引回し配線１６を形成す
るようにしても良い。
【０１２１】すなわち、図８（ｂ）や図１５に示した実
施形態においては、第１配線層１８１をタンタルによっ
て形成し、第２配線層１８２をクロムによって形成し、
第３配線層１８３をＩＴＯによって形成したが、各配線
層の材料はこれらに限られるものではない。もっとも、
図８（ｂ）等に示した実施形態における例とは異なる材
料によって各配線層を形成した場合であっても、これら
の配線層のうちイオン化傾向の高い、つまり耐食性の低
い配線層をシール材３０と重なる領域内に形成し、さら
に、その他の配線層を当該引回し配線１６の全長に対応
して形成することが望ましい。
施形態においては、第１配線層１８１をタンタルによっ
て形成し、第２配線層１８２をクロムによって形成し、
第３配線層１８３をＩＴＯによって形成したが、各配線
層の材料はこれらに限られるものではない。もっとも、
図８（ｂ）等に示した実施形態における例とは異なる材
料によって各配線層を形成した場合であっても、これら
の配線層のうちイオン化傾向の高い、つまり耐食性の低
い配線層をシール材３０と重なる領域内に形成し、さら
に、その他の配線層を当該引回し配線１６の全長に対応
して形成することが望ましい。
【０１２２】（電気光学装置の第６実施形態）図６や図
１４に示した実施形態においては、ＴＦＤ素子１３の形
成された素子基板１０が観察側に位置し、走査線２５の
形成された対向基板２０が背面側に位置していた。しか
しながら、これとは逆に、素子基板１０が背面側に位置
し、対向基板２０が観察側に位置する構成としても良
い。この場合には、図３の反射層２１を、対向基板２０
上ではなくて素子基板１０上に形成すれば良い。
１４に示した実施形態においては、ＴＦＤ素子１３の形
成された素子基板１０が観察側に位置し、走査線２５の
形成された対向基板２０が背面側に位置していた。しか
しながら、これとは逆に、素子基板１０が背面側に位置
し、対向基板２０が観察側に位置する構成としても良
い。この場合には、図３の反射層２１を、対向基板２０
上ではなくて素子基板１０上に形成すれば良い。
【０１２３】また、図３に示す実施形態では、背面側に
位置する基板である対向基板２０にカラーフィルタ２２
及び遮光層２３を形成したが、これらの要素が観察側に
位置する基板に形成された構成としても良い。あるい
は、カラーフィルタ２２や遮光層２３を設けず、白黒表
示のみを行なう構成としても良い。すなわち、図３に示
した実施形態では、素子基板１０が本発明における「第
１基板」に対応し、対向基板２０が本発明における「第
２基板」に対応するものとしたが、本発明における「第
１基板」及び「第２基板」の各々は、観察側又は背面側
のいずれに位置する基板であっても良く、ＴＦＤ素子１
３、反射層２１、カラーフィルタ２２等といった要素
は、必要に応じて、いずれの基板に設けても良い。
位置する基板である対向基板２０にカラーフィルタ２２
及び遮光層２３を形成したが、これらの要素が観察側に
位置する基板に形成された構成としても良い。あるい
は、カラーフィルタ２２や遮光層２３を設けず、白黒表
示のみを行なう構成としても良い。すなわち、図３に示
した実施形態では、素子基板１０が本発明における「第
１基板」に対応し、対向基板２０が本発明における「第
２基板」に対応するものとしたが、本発明における「第
１基板」及び「第２基板」の各々は、観察側又は背面側
のいずれに位置する基板であっても良く、ＴＦＤ素子１
３、反射層２１、カラーフィルタ２２等といった要素
は、必要に応じて、いずれの基板に設けても良い。
【０１２４】また、図３に示した実施形態では、反射型
表示のみを行なう反射型液晶装置を例示したが、いわゆ
る透過型表示のみを行なう透過型液晶装置にも本発明を
適用可能である。例えば、図３の構造を透過型に変更す
るには、背面側の基板である対向基板２０に反射層２１
を設けることなく、背面側からの入射光が液晶３５を通
過して観察側に出射する構成とすれば良い。
表示のみを行なう反射型液晶装置を例示したが、いわゆ
る透過型表示のみを行なう透過型液晶装置にも本発明を
適用可能である。例えば、図３の構造を透過型に変更す
るには、背面側の基板である対向基板２０に反射層２１
を設けることなく、背面側からの入射光が液晶３５を通
過して観察側に出射する構成とすれば良い。
【０１２５】さらに、反射型表示と透過型表示の双方が
可能な、いわゆる半透過反射型液晶装置にも本発明を適
用することができる。この場合には、例えば図３におい
て、反射層２１に代えて、各表示ドット５０ごとに開口
部を有する反射層、又は表面に入射した光のうちの一部
を反射させ他の一部を透過させる構造の半透過反射層
（いわゆる、ハーフミラー）を設けると共に、液晶装置
の背面側に照明装置を配設した構成とすれば良い。
可能な、いわゆる半透過反射型液晶装置にも本発明を適
用することができる。この場合には、例えば図３におい
て、反射層２１に代えて、各表示ドット５０ごとに開口
部を有する反射層、又は表面に入射した光のうちの一部
を反射させ他の一部を透過させる構造の半透過反射層
（いわゆる、ハーフミラー）を設けると共に、液晶装置
の背面側に照明装置を配設した構成とすれば良い。
【０１２６】さらに、図６や図１４に記載した実施形態
においては、二端子型スイッチング素子であるＴＦＤ素
子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例示
したが、これに代えて、ＴＦＴ（Thin Film Transisto
r）素子に代表される三端子型スイッチング素子を用い
たアクティブマトリクス方式の液晶装置や、スイッチン
グ素子を持たないパッシブマトリクス方式の液晶装置に
も本発明を適用できることは言うまでもない。
においては、二端子型スイッチング素子であるＴＦＤ素
子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例示
したが、これに代えて、ＴＦＴ（Thin Film Transisto
r）素子に代表される三端子型スイッチング素子を用い
たアクティブマトリクス方式の液晶装置や、スイッチン
グ素子を持たないパッシブマトリクス方式の液晶装置に
も本発明を適用できることは言うまでもない。
【０１２７】以上から明らかなように、液晶を支持する
基板のうちシール材と対向する領域、すなわちシール材
と重なる領域から当該シール材の外周縁を横切ってその
外側へ延び出るパターンの配線が設けられる構造の液晶
装置であれば、他の構成要素の態様の如何を問わず、本
発明を適用可能である。
基板のうちシール材と対向する領域、すなわちシール材
と重なる領域から当該シール材の外周縁を横切ってその
外側へ延び出るパターンの配線が設けられる構造の液晶
装置であれば、他の構成要素の態様の如何を問わず、本
発明を適用可能である。
【０１２８】（電子機器の実施形態）次に、本発明に係
る電気光学装置を用いた電子機器について説明する。図
１６（ａ）は、本発明をモバイル型のパーソナルコンピ
ュータ、すなわち可搬型のパーソナルコンピュータ、い
わゆるノート型パソコンに適用した場合、特にその表示
部として適用した場合を示している。
る電気光学装置を用いた電子機器について説明する。図
１６（ａ）は、本発明をモバイル型のパーソナルコンピ
ュータ、すなわち可搬型のパーソナルコンピュータ、い
わゆるノート型パソコンに適用した場合、特にその表示
部として適用した場合を示している。
【０１２９】ここに示すパーソナルコンピュータ７１
は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明
に係る電気光学装置を適用した表示部７１３とを備えて
いる。このパーソナルコンピュータ７１に用いる電気光
学装置としては、暗所においても視認性を確保するた
め、反射型表示のみならず透過型表示も可能な半透過反
射型の電気光学装置であることが望ましい。
は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明
に係る電気光学装置を適用した表示部７１３とを備えて
いる。このパーソナルコンピュータ７１に用いる電気光
学装置としては、暗所においても視認性を確保するた
め、反射型表示のみならず透過型表示も可能な半透過反
射型の電気光学装置であることが望ましい。
【０１３０】次に、図１６（ｂ）は、本発明に係る電気
光学装置を携帯電話機の表示部として用いた場合を示し
ている。同図において、携帯電話機７２は、複数の操作
ボタン７２１と、受話口７２２と、送話口７２３と、表
示部７２４とを有する。表示部７２４は、本発明に係る
電気光学装置を用いて構成できる。また、暗所における
視認性を確保するため、半透過反射型の電気光学装置を
表示部７２４として用いることが望ましい。
光学装置を携帯電話機の表示部として用いた場合を示し
ている。同図において、携帯電話機７２は、複数の操作
ボタン７２１と、受話口７２２と、送話口７２３と、表
示部７２４とを有する。表示部７２４は、本発明に係る
電気光学装置を用いて構成できる。また、暗所における
視認性を確保するため、半透過反射型の電気光学装置を
表示部７２４として用いることが望ましい。
【０１３１】なお、本発明に係る電気光学装置を適用可
能な電子機器としては、図１６（ａ）に示したパーソナ
ルコンピュータや、図１６（ｂ）に示した携帯電話機の
他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型のビデオテー
プレコーダ、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カ
ーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワ
ードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、Ｐ
ＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ等が考えられる。ま
た、本発明に係る電気光学装置をライトバルブとして用
いたプロジェクタ等も本発明に係る電子機器と考えられ
る。
能な電子機器としては、図１６（ａ）に示したパーソナ
ルコンピュータや、図１６（ｂ）に示した携帯電話機の
他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型のビデオテー
プレコーダ、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カ
ーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワ
ードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、Ｐ
ＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ等が考えられる。ま
た、本発明に係る電気光学装置をライトバルブとして用
いたプロジェクタ等も本発明に係る電子機器と考えられ
る。
【０１３２】上述したように、本発明に係る電気光学装
置によれば、基板上に形成された配線の腐食を抑えるこ
とができるので、この電気光学装置を用いた電子機器に
おいては、導通不良などを回避して高い信頼性を確保す
ることができる。
置によれば、基板上に形成された配線の腐食を抑えるこ
とができるので、この電気光学装置を用いた電子機器に
おいては、導通不良などを回避して高い信頼性を確保す
ることができる。
【０１３３】（電気光学装置の第７実施形態）図１７
は、電気光学装置の一例であるアクティブマトリクス方
式のＥＬ（Electro Luminescence）装置１１０に本発明
を適用した場合の実施形態を示している。また、図１８
は、図１７におけるＫ−Ｋ’線に従ってＥＬ装置１１０
の断面構造を示している。
は、電気光学装置の一例であるアクティブマトリクス方
式のＥＬ（Electro Luminescence）装置１１０に本発明
を適用した場合の実施形態を示している。また、図１８
は、図１７におけるＫ−Ｋ’線に従ってＥＬ装置１１０
の断面構造を示している。
【０１３４】これらの図において、基板１００上には、
複数の画素が形成される領域、すなわち表示領域Ｖと、
ゲート側駆動回路１０２と、ソース側駆動回路１０３と
が形成される。それぞれの駆動回路からの各種配線は、
入出力配線１１２，１１３，１１４を経てＦＰＣ１１１
へ至り、このＦＰＣ１１１を介して外部機器へと接続さ
れる。ＦＰＣ１１１は、ＡＣＦ（Anisotropic Conducti
ve Film）１１５によって基板１００の辺端部に接続さ
れている。
複数の画素が形成される領域、すなわち表示領域Ｖと、
ゲート側駆動回路１０２と、ソース側駆動回路１０３と
が形成される。それぞれの駆動回路からの各種配線は、
入出力配線１１２，１１３，１１４を経てＦＰＣ１１１
へ至り、このＦＰＣ１１１を介して外部機器へと接続さ
れる。ＦＰＣ１１１は、ＡＣＦ（Anisotropic Conducti
ve Film）１１５によって基板１００の辺端部に接続さ
れている。
【０１３５】このとき、少なくとも表示領域Ｖを囲むよ
うにして、好ましくは駆動回路１０２，１０３及び表示
領域Ｖを囲むようにして、ハウジング１０４を設ける。
このハウジング１０４は、その内側の高さ寸法が表示領
域Ｖの高さよりも大きい凹部を有する形状又はそのよう
な凹部を持たないシート形状であり、接着剤１０５によ
って、基板１００と協働して密閉空間を形成するように
して基板１００に固着される。このとき、ＥＬ素子は上
記の密閉空間に完全に封入された状態となり、外気から
完全に遮断される。
うにして、好ましくは駆動回路１０２，１０３及び表示
領域Ｖを囲むようにして、ハウジング１０４を設ける。
このハウジング１０４は、その内側の高さ寸法が表示領
域Ｖの高さよりも大きい凹部を有する形状又はそのよう
な凹部を持たないシート形状であり、接着剤１０５によ
って、基板１００と協働して密閉空間を形成するように
して基板１００に固着される。このとき、ＥＬ素子は上
記の密閉空間に完全に封入された状態となり、外気から
完全に遮断される。
【０１３６】ハウジング１０４は複数設けることもでき
る。また、ハウジング１０４の材質は、ガラス、ポリマ
ー等といった絶縁性物質が好ましい。例えば、硼硅酸塩
ガラス、石英等といった非晶質ガラス、結晶化ガラス、
セラミックスガラス、有機系樹脂（例えば、アクリル系
樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポ
キシ系樹脂等）、シリコーン系樹脂等とすることができ
る。また、接着剤１０５が絶縁性物質であるならば、ス
テンレス合金等といった金属材料を用いることもでき
る。
る。また、ハウジング１０４の材質は、ガラス、ポリマ
ー等といった絶縁性物質が好ましい。例えば、硼硅酸塩
ガラス、石英等といった非晶質ガラス、結晶化ガラス、
セラミックスガラス、有機系樹脂（例えば、アクリル系
樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポ
キシ系樹脂等）、シリコーン系樹脂等とすることができ
る。また、接着剤１０５が絶縁性物質であるならば、ス
テンレス合金等といった金属材料を用いることもでき
る。
【０１３７】接着剤１０５としては、エポキシ系樹脂、
アクリレート系樹脂等といった接着剤を用いることがで
きる。また、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を接着剤とし
て用いることもできる。但し、可能な限り酸素、水分を
透過しない材質であることが必要である。
アクリレート系樹脂等といった接着剤を用いることがで
きる。また、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を接着剤とし
て用いることもできる。但し、可能な限り酸素、水分を
透過しない材質であることが必要である。
【０１３８】ハウジング１０４と基板１００との間の空
隙１０６には、アルゴン、ヘリウム、窒素等といった不
活性ガスを充填しておくことが望ましい。また、ガスに
限らず不活性液体、例えばパーフルオロアルカンに代表
される液状フッ素化炭素等を用いることもできる。ま
た、空隙１０６内に乾燥剤を入れておくことも有効であ
り，そのような乾燥剤としては、例えば、酸化バリウム
が考えられる。
隙１０６には、アルゴン、ヘリウム、窒素等といった不
活性ガスを充填しておくことが望ましい。また、ガスに
限らず不活性液体、例えばパーフルオロアルカンに代表
される液状フッ素化炭素等を用いることもできる。ま
た、空隙１０６内に乾燥剤を入れておくことも有効であ
り，そのような乾燥剤としては、例えば、酸化バリウム
が考えられる。
【０１３９】図１７に示すように、表示領域Ｖには個々
に独立した複数の表示ドット５０がマトリクス状に配列
されている。図１８に示すように、これらの表示ドット
５０の全ては保護電極２４９を共通電極として有してい
る。保護電極２４９は、ハウジング１０４の内部領域で
あってＦＰＣ１１１に近い側の領域１０８において、入
力配線１１３の一部に接続される。保護電極２４９に
は、ＦＰＣ１１１及び入出力配線１１３を通して所定の
電圧、例えば接地電位、例えば０Ｖが印加される。
に独立した複数の表示ドット５０がマトリクス状に配列
されている。図１８に示すように、これらの表示ドット
５０の全ては保護電極２４９を共通電極として有してい
る。保護電極２４９は、ハウジング１０４の内部領域で
あってＦＰＣ１１１に近い側の領域１０８において、入
力配線１１３の一部に接続される。保護電極２４９に
は、ＦＰＣ１１１及び入出力配線１１３を通して所定の
電圧、例えば接地電位、例えば０Ｖが印加される。
【０１４０】図１９は、図１７における矢印Ｌに従っ
て、互いに隣り合う２つの表示ドット５０を示してい
る。また、図２０はそれらの表示ドット内の電気的な回
路構成を等価回路図として示している。また、図２１
は、図１９におけるＭ−Ｍ’線に従って、ＥＬ素子を駆
動するためのアクティブ素子部分の断面構造を示してい
る。図１９及び図２０に示すように、個々の表示ドット
５０は、スイッチング用素子として機能するスイッチン
グ用ＴＦＴ２０１と、ＥＬ素子へ流す電流量を制御する
電流制御用素子として機能する電流制御用ＴＦＴ２０２
とを有する。スイッチング用ＴＦＴ２０１のソースはソ
ース配線２２１に接続され、そのゲートはゲート配線２
１１に接続され、そして、そのドレインは電流制御用Ｔ
ＦＴ２０２のゲートに接続される。
て、互いに隣り合う２つの表示ドット５０を示してい
る。また、図２０はそれらの表示ドット内の電気的な回
路構成を等価回路図として示している。また、図２１
は、図１９におけるＭ−Ｍ’線に従って、ＥＬ素子を駆
動するためのアクティブ素子部分の断面構造を示してい
る。図１９及び図２０に示すように、個々の表示ドット
５０は、スイッチング用素子として機能するスイッチン
グ用ＴＦＴ２０１と、ＥＬ素子へ流す電流量を制御する
電流制御用素子として機能する電流制御用ＴＦＴ２０２
とを有する。スイッチング用ＴＦＴ２０１のソースはソ
ース配線２２１に接続され、そのゲートはゲート配線２
１１に接続され、そして、そのドレインは電流制御用Ｔ
ＦＴ２０２のゲートに接続される。
【０１４１】また、電流制御用ＴＦＴ２０２のソースは
電流供給線２１２に接続され、そのドレインはＥＬ素子
２０３に接続される。なお、ＥＬ素子２０３は、発光層
を含むＥＬ層を陽極と陰極とによって挟んだ構造の発光
素子である。図１９では、画素電極２４６が略方形状の
陽極として示され、発光層を含むＥＬ層２４７がその画
素電極２４６の上に積層され、その上に各表示ドット５
０に共通する共通電極としての陰極（図示せず）が積層
され、この積層構造によってＥＬ素子２０３が形成され
る。
電流供給線２１２に接続され、そのドレインはＥＬ素子
２０３に接続される。なお、ＥＬ素子２０３は、発光層
を含むＥＬ層を陽極と陰極とによって挟んだ構造の発光
素子である。図１９では、画素電極２４６が略方形状の
陽極として示され、発光層を含むＥＬ層２４７がその画
素電極２４６の上に積層され、その上に各表示ドット５
０に共通する共通電極としての陰極（図示せず）が積層
され、この積層構造によってＥＬ素子２０３が形成され
る。
【０１４２】図２１において、基板１００の上に下地と
なる絶縁膜２０６が形成される。基板１００は、例え
ば、ガラス基板、ガラスセラミックス基板、石英基板、
シリコン基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチ
ック基板又はプラスチックフィルム等によって形成され
る。
なる絶縁膜２０６が形成される。基板１００は、例え
ば、ガラス基板、ガラスセラミックス基板、石英基板、
シリコン基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチ
ック基板又はプラスチックフィルム等によって形成され
る。
【０１４３】下地膜２０６は、特に可動イオンを含む基
板や導電性を有する基板を用いる場合に有効であるが、
基板１００として石英基板を用いる場合には下地膜２０
６は設けなくても構わない。下地膜２０６としては、例
えば、珪素（すなわち、シリコン）を含む絶縁膜を用い
れば良い。また、下地膜２０６には、ＴＦＴに発生する
熱を発散させるための放熱機能を持たせることが望まし
い。
板や導電性を有する基板を用いる場合に有効であるが、
基板１００として石英基板を用いる場合には下地膜２０
６は設けなくても構わない。下地膜２０６としては、例
えば、珪素（すなわち、シリコン）を含む絶縁膜を用い
れば良い。また、下地膜２０６には、ＴＦＴに発生する
熱を発散させるための放熱機能を持たせることが望まし
い。
【０１４４】本実施形態では、１つの表示ドット内に２
つのＴＦＴ、具体的にはスイッチング用素子として機能
するスイッチング用ＴＦＴ２０１と、ＥＬ素子へ流す電
流量を制御する電流制御用素子として機能する電流制御
用ＴＦＴ２０２とが設けられる。これらのＴＦＴは、本
実施形態では、どちらもｎチャネル型ＴＦＴとして形成
したが、両方又はどちらかをｐチャネル型ＴＦＴとする
こともできる。
つのＴＦＴ、具体的にはスイッチング用素子として機能
するスイッチング用ＴＦＴ２０１と、ＥＬ素子へ流す電
流量を制御する電流制御用素子として機能する電流制御
用ＴＦＴ２０２とが設けられる。これらのＴＦＴは、本
実施形態では、どちらもｎチャネル型ＴＦＴとして形成
したが、両方又はどちらかをｐチャネル型ＴＦＴとする
こともできる。
【０１４５】スイッチング用ＴＦＴ２０１は、ソース領
域２１３、ドレイン領域２１４、ＬＤＤ（Lightly Dope
d Drain）領域２１５ａ，２１５ｂ，２１５ｃ，２１５
ｄ、高濃度不純物領域２１６及びチャネル形成領域２１
７ａ，２１７ｂの５種類の要素を含む活性層を有する。
また、スイッチング用ＴＦＴ２０１は、ゲート絶縁膜２
１８と、ゲート電極２１９ａ，２１９ｂと、第１層間絶
縁膜２２０と、ソース配線２２１と、ドレイン配線２２
２とを有する。
域２１３、ドレイン領域２１４、ＬＤＤ（Lightly Dope
d Drain）領域２１５ａ，２１５ｂ，２１５ｃ，２１５
ｄ、高濃度不純物領域２１６及びチャネル形成領域２１
７ａ，２１７ｂの５種類の要素を含む活性層を有する。
また、スイッチング用ＴＦＴ２０１は、ゲート絶縁膜２
１８と、ゲート電極２１９ａ，２１９ｂと、第１層間絶
縁膜２２０と、ソース配線２２１と、ドレイン配線２２
２とを有する。
【０１４６】図１９に示すように、ゲート電極２１９
ａ，２１９ｂは、当該ゲート電極２１９ａ，２１９ｂよ
りも低抵抗である別の材料によって形成されたゲート配
線２１１によって電気的に接続されたダブルゲート構造
となっている。もちろん、ダブルゲート構造だけでな
く、トリプルゲート構造等といった、いわゆるマルチゲ
ート構造、すなわち、直列に接続された２つ以上のチャ
ネル形成領域を有する活性層を含む構造、であっても良
い。
ａ，２１９ｂは、当該ゲート電極２１９ａ，２１９ｂよ
りも低抵抗である別の材料によって形成されたゲート配
線２１１によって電気的に接続されたダブルゲート構造
となっている。もちろん、ダブルゲート構造だけでな
く、トリプルゲート構造等といった、いわゆるマルチゲ
ート構造、すなわち、直列に接続された２つ以上のチャ
ネル形成領域を有する活性層を含む構造、であっても良
い。
【０１４７】活性層は、結晶構造を含む半導体膜、すな
わち、単結晶半導体膜や多結晶半導体膜や微結晶半導体
膜等によって形成される。また、ゲート電極２１９ａ，
２１９ｂ、ソース配線２２１、ドレイン配線２２２は、
あらゆる種類の導電膜を用いることができる。さらに、
スイッチング用ＴＦＴ２０１においては、ＬＤＤ領域２
１５ａ〜２１５ｄは、ゲート絶縁膜２１８を介して且つ
ゲート電極２１９ａ，２１９ｂとは重ならないように設
けられる。このような構造は、オフ電流値を低減する上
で非常に効果的である。
わち、単結晶半導体膜や多結晶半導体膜や微結晶半導体
膜等によって形成される。また、ゲート電極２１９ａ，
２１９ｂ、ソース配線２２１、ドレイン配線２２２は、
あらゆる種類の導電膜を用いることができる。さらに、
スイッチング用ＴＦＴ２０１においては、ＬＤＤ領域２
１５ａ〜２１５ｄは、ゲート絶縁膜２１８を介して且つ
ゲート電極２１９ａ，２１９ｂとは重ならないように設
けられる。このような構造は、オフ電流値を低減する上
で非常に効果的である。
【０１４８】次に、図２１において、電流制御用ＴＦＴ
２０２は、ソース領域２３１、ドレイン領域２３２、Ｌ
ＤＤ領域２３３及びチャネル形成領域２３４の４種類の
要素を含む活性層と、ゲート絶縁膜２１８と、ゲート電
極２３５と、第１層間絶縁膜２２０と、ソース配線２３
６と、ドレイン配線２３７とを有する。なお、ゲート電
極２３５はシングルゲート構造となっているが、これに
代えて、マルチゲート構造とすることもできる。
２０２は、ソース領域２３１、ドレイン領域２３２、Ｌ
ＤＤ領域２３３及びチャネル形成領域２３４の４種類の
要素を含む活性層と、ゲート絶縁膜２１８と、ゲート電
極２３５と、第１層間絶縁膜２２０と、ソース配線２３
６と、ドレイン配線２３７とを有する。なお、ゲート電
極２３５はシングルゲート構造となっているが、これに
代えて、マルチゲート構造とすることもできる。
【０１４９】図２１において、スイッチング用ＴＦＴ２
０１のドレインは電流制御用ＴＦＴのゲートに接続され
ている。具体的には、電流制御用ＴＦＴ２０２のゲート
電極２３５は、スイッチング用ＴＦＴ２０１のドレイン
領域２１４とドレイン配線２２２を介して電気的に接続
されている。また、ソース配線２３６は、電流供給線２
１２に接続される。
０１のドレインは電流制御用ＴＦＴのゲートに接続され
ている。具体的には、電流制御用ＴＦＴ２０２のゲート
電極２３５は、スイッチング用ＴＦＴ２０１のドレイン
領域２１４とドレイン配線２２２を介して電気的に接続
されている。また、ソース配線２３６は、電流供給線２
１２に接続される。
【０１５０】電流制御用ＴＦＴ２０２は、ＥＬ素子２０
３を発光させるための電流を供給すると同時に、その供
給量を制御して階調表示を可能とする。そのため、電流
を流しても劣化しないようにホットキャリア注入による
劣化対策を講じておく必要がある。また、黒色を表示す
る際は、電流制御用ＴＦＴ２０２をオフ状態にしておく
が、その際，オフ電流値が高いときれいな黒色表示がで
きなくなり、コントラストの低下を招く。従って、オフ
電流値も抑えることが望ましい。
３を発光させるための電流を供給すると同時に、その供
給量を制御して階調表示を可能とする。そのため、電流
を流しても劣化しないようにホットキャリア注入による
劣化対策を講じておく必要がある。また、黒色を表示す
る際は、電流制御用ＴＦＴ２０２をオフ状態にしておく
が、その際，オフ電流値が高いときれいな黒色表示がで
きなくなり、コントラストの低下を招く。従って、オフ
電流値も抑えることが望ましい。
【０１５１】図２１において、第１層間絶縁膜２２０の
上に第１パシベーション膜２４１が形成される。この第
１パシベーション膜２４１は、例えば、珪素を含む絶縁
膜によって形成される。この第１パシベーション膜２４
１は、形成されたＴＦＴをアルカリ金属や水分から保護
する機能を有する。最終的にＴＦＴの上方に設けられる
ＥＬ層にはナトリウム等といったアルカリ金属が含まれ
ている。すなわち、第１パシベーション膜２４１は、こ
れらのアルカリ金属をＴＦＴ側に侵入させない保護層と
して機能する。
上に第１パシベーション膜２４１が形成される。この第
１パシベーション膜２４１は、例えば、珪素を含む絶縁
膜によって形成される。この第１パシベーション膜２４
１は、形成されたＴＦＴをアルカリ金属や水分から保護
する機能を有する。最終的にＴＦＴの上方に設けられる
ＥＬ層にはナトリウム等といったアルカリ金属が含まれ
ている。すなわち、第１パシベーション膜２４１は、こ
れらのアルカリ金属をＴＦＴ側に侵入させない保護層と
して機能する。
【０１５２】また、第１パシベーション膜２４１に放熱
機能を持たせれば、ＥＬ層の熱劣化を防ぐこともでき
る。また、図２１の構造では基板１００に光が放射され
るため、第１パシベーション膜２４１は透光性を有する
ことが必要である。また、ＥＬ層として有機材料を用い
る場合、そのＥＬ層は酸素との結合によって劣化するの
で、酸素を放出し易い絶縁膜は用いないことが望まし
い。
機能を持たせれば、ＥＬ層の熱劣化を防ぐこともでき
る。また、図２１の構造では基板１００に光が放射され
るため、第１パシベーション膜２４１は透光性を有する
ことが必要である。また、ＥＬ層として有機材料を用い
る場合、そのＥＬ層は酸素との結合によって劣化するの
で、酸素を放出し易い絶縁膜は用いないことが望まし
い。
【０１５３】第１パシベーション膜２４１の上には、各
ＴＦＴを覆うような形で第２層間絶縁膜２４４が形成さ
れる。この第２層間絶縁膜２４４は、ＴＦＴによって形
成される段差を平坦化する機能を有する。この第２層間
絶縁膜２４４としては、例えば、ポリイミド、ポリアミ
ド、アクリル等といった有機樹脂膜を用いることができ
る。もちろん、十分な平坦化が可能であれば、無機膜を
用いることもできる。ＥＬ層は非常に薄いため、それを
形成する面に段差が存在すると発光不良を起こす場合が
ある。従って、第２層間絶縁膜２４４によってＴＦＴに
よる段差を平坦化することは、後にその上に形成される
ＥＬ層を正常に機能させることに関して重要である。
ＴＦＴを覆うような形で第２層間絶縁膜２４４が形成さ
れる。この第２層間絶縁膜２４４は、ＴＦＴによって形
成される段差を平坦化する機能を有する。この第２層間
絶縁膜２４４としては、例えば、ポリイミド、ポリアミ
ド、アクリル等といった有機樹脂膜を用いることができ
る。もちろん、十分な平坦化が可能であれば、無機膜を
用いることもできる。ＥＬ層は非常に薄いため、それを
形成する面に段差が存在すると発光不良を起こす場合が
ある。従って、第２層間絶縁膜２４４によってＴＦＴに
よる段差を平坦化することは、後にその上に形成される
ＥＬ層を正常に機能させることに関して重要である。
【０１５４】第２層間絶縁膜２４４の上には、第２パシ
ベーション膜２４５が形成される。この第２パシベーシ
ョン膜２４５は、ＥＬ素子から拡散するアルカリ金属の
透過を防ぐという機能を奏する。この第２パシベーショ
ン膜２４５は第１パシベーション膜２４１と同じ材料に
よって形成できる。また、第２パシベーション膜２４５
は、ＥＬ素子で発生した熱を逃がす放熱層としても機能
することが望ましく、この放熱機能により、ＥＬ素子に
熱が蓄積することを防止できる。
ベーション膜２４５が形成される。この第２パシベーシ
ョン膜２４５は、ＥＬ素子から拡散するアルカリ金属の
透過を防ぐという機能を奏する。この第２パシベーショ
ン膜２４５は第１パシベーション膜２４１と同じ材料に
よって形成できる。また、第２パシベーション膜２４５
は、ＥＬ素子で発生した熱を逃がす放熱層としても機能
することが望ましく、この放熱機能により、ＥＬ素子に
熱が蓄積することを防止できる。
【０１５５】第２パシベーション膜２４５の上に画素電
極２４６が形成される。この画素電極２４６は、例えば
透明導電膜によって形成されて、ＥＬ素子の陽極として
機能する。この画素電極２４６は、第２パシベーション
膜２４５、第２層間絶縁膜２４４及び第１パシベーショ
ン膜２４１にコンタクトホール、すなわち開口を開けた
後、形成されたそのコンタクトホールにおいて電流制御
用ＴＦＴ２０２のドレイン配線２３７に接続するように
形成される。
極２４６が形成される。この画素電極２４６は、例えば
透明導電膜によって形成されて、ＥＬ素子の陽極として
機能する。この画素電極２４６は、第２パシベーション
膜２４５、第２層間絶縁膜２４４及び第１パシベーショ
ン膜２４１にコンタクトホール、すなわち開口を開けた
後、形成されたそのコンタクトホールにおいて電流制御
用ＴＦＴ２０２のドレイン配線２３７に接続するように
形成される。
【０１５６】次に、画素電極２４６の上にＥＬ層２４７
が形成される。このＥＬ層２４７は単層構造又は多層構
造で形成されるが、一般には、多層構造の場合が多い。
このＥＬ層２４７において、画素電極２４６に直接に接
触する層としては、正孔注入層、正孔輸送層又は発光層
がある。
が形成される。このＥＬ層２４７は単層構造又は多層構
造で形成されるが、一般には、多層構造の場合が多い。
このＥＬ層２４７において、画素電極２４６に直接に接
触する層としては、正孔注入層、正孔輸送層又は発光層
がある。
【０１５７】今、正孔輸送層及び発光層の２層構造を採
用するものとすれば、正孔輸送層は、例えばポリフェニ
レンビニレンによって形成できる。そして、発光層とし
ては、赤色発光層にはシアノポリフェニレンビニレン、
緑色発光層にはポリフェニレンビニレン、青色発光層に
はポリフェニレンビニレン又はポリアルキルフェニレン
を、それぞれ、用いることができる。
用するものとすれば、正孔輸送層は、例えばポリフェニ
レンビニレンによって形成できる。そして、発光層とし
ては、赤色発光層にはシアノポリフェニレンビニレン、
緑色発光層にはポリフェニレンビニレン、青色発光層に
はポリフェニレンビニレン又はポリアルキルフェニレン
を、それぞれ、用いることができる。
【０１５８】次に、以上のようにして形成されたＥＬ層
２４７の上に陰極２４８が形成され、さらにその上に保
護電極２４９が形成される。これらの陰極２４８及び保
護電極２４９は、例えば、真空蒸着法によって形成され
る。なお、陰極２４８と保護電極２４９とを大気解放し
ないで連続的に形成すれば、ＥＬ層２４７の劣化を抑え
ることができる。なお、画素電極２４６、ＥＬ層２４７
及び陰極２４８によって形成される発光素子がＥＬ素子
２０３である。
２４７の上に陰極２４８が形成され、さらにその上に保
護電極２４９が形成される。これらの陰極２４８及び保
護電極２４９は、例えば、真空蒸着法によって形成され
る。なお、陰極２４８と保護電極２４９とを大気解放し
ないで連続的に形成すれば、ＥＬ層２４７の劣化を抑え
ることができる。なお、画素電極２４６、ＥＬ層２４７
及び陰極２４８によって形成される発光素子がＥＬ素子
２０３である。
【０１５９】陰極２４８としては、仕事関数の小さいマ
グネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）又はカルシウム
（Ｃａ）を含む材料を用いることができる。保護電極２
４９は陰極２４８を外部の水分等から保護するために設
けられるものであり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又
は銀（Ａｇ）を含む材料を用いることができる。この保
護電極２４９には放熱効果もある。
グネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）又はカルシウム
（Ｃａ）を含む材料を用いることができる。保護電極２
４９は陰極２４８を外部の水分等から保護するために設
けられるものであり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又
は銀（Ａｇ）を含む材料を用いることができる。この保
護電極２４９には放熱効果もある。
【０１６０】図２１に示す構造は、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれ
かの色に対応した１種類のＥＬ素子を個々の表示ドット
５０に対応させて形成する単色発光方式の構造である。
しかしながら、発光方式としては、そのような単色発光
方式の他に、白色発光のＥＬ素子とカラーフィルタを組
み合わせた方式や，青色又は青緑発光のＥＬ素子と蛍光
体とを組み合わせた発光方式や、あるいは、陰極に透明
電極を使用してＲ，Ｇ，Ｂに対応したＥＬ素子を重ねる
方式等といった各種の方式を用いてカラー表示を行うこ
ともできる。もちろん、白色発光のＥＬ層を単層で形成
して白黒表示を行うこともできる。
かの色に対応した１種類のＥＬ素子を個々の表示ドット
５０に対応させて形成する単色発光方式の構造である。
しかしながら、発光方式としては、そのような単色発光
方式の他に、白色発光のＥＬ素子とカラーフィルタを組
み合わせた方式や，青色又は青緑発光のＥＬ素子と蛍光
体とを組み合わせた発光方式や、あるいは、陰極に透明
電極を使用してＲ，Ｇ，Ｂに対応したＥＬ素子を重ねる
方式等といった各種の方式を用いてカラー表示を行うこ
ともできる。もちろん、白色発光のＥＬ層を単層で形成
して白黒表示を行うこともできる。
【０１６１】保護電極２４９の上には、第３パシベーシ
ョン膜２５０が形成される。この第３パシベーション膜
２５０は、ＥＬ層２４７を水分から保護するように機能
すると共に、必要に応じて、第２パシベーション膜２４
５と同様に放熱機能を奏するようにしても良い。なお、
ＥＬ層として有機材料を用いる場合には、その有機材料
は酸素との結合によって劣化する可能性があるので、酸
素を放出し易い絶縁膜は第３パシベーション膜２５０と
して用いないことが望ましい。
ョン膜２５０が形成される。この第３パシベーション膜
２５０は、ＥＬ層２４７を水分から保護するように機能
すると共に、必要に応じて、第２パシベーション膜２４
５と同様に放熱機能を奏するようにしても良い。なお、
ＥＬ層として有機材料を用いる場合には、その有機材料
は酸素との結合によって劣化する可能性があるので、酸
素を放出し易い絶縁膜は第３パシベーション膜２５０と
して用いないことが望ましい。
【０１６２】本実施形態では、図１７に示すように、表
示領域Ｖだけでなく駆動回路１０２，１０３にも最適な
構造のＴＦＴを基板１００上に直接に形成するようにな
っており、これにより、動作に関して高い信頼性を達成
している。なお、ここでいう駆動回路としては、シフト
レジスタ、バッファ、レベルシフタ、サンプリング回路
等が含まれる。また、デジタル駆動を行う場合には、Ｄ
／Ａコンバータ等といった信号変換回路を含めることも
できる。
示領域Ｖだけでなく駆動回路１０２，１０３にも最適な
構造のＴＦＴを基板１００上に直接に形成するようにな
っており、これにより、動作に関して高い信頼性を達成
している。なお、ここでいう駆動回路としては、シフト
レジスタ、バッファ、レベルシフタ、サンプリング回路
等が含まれる。また、デジタル駆動を行う場合には、Ｄ
／Ａコンバータ等といった信号変換回路を含めることも
できる。
【０１６３】なお、基板１００の上には、表示領域Ｖ及
び駆動回路１０２，１０３等といった回路構成以外に、
信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ回路、オペアンプ回
路、γ補正回路等といった論理回路を直接に形成するこ
とができる。さらには、メモリ部やマイクロプロセッサ
等を基板１００上に直接に形成することもできる。
び駆動回路１０２，１０３等といった回路構成以外に、
信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ回路、オペアンプ回
路、γ補正回路等といった論理回路を直接に形成するこ
とができる。さらには、メモリ部やマイクロプロセッサ
等を基板１００上に直接に形成することもできる。
【０１６４】本実施形態に係るＥＬ装置１１０は以上の
ように構成されているので、図１７において、ゲート側
駆動回路１０２によってゲート配線２１１へ走査信号又
データ信号の一方が供給され、ソース側駆動回路１０３
によってソース配線２２１へ走査信号又はデータ信号の
他方が供給される。一方、電流供給線２１２によって各
表示ドット５０内の電流制御用ＴＦＴ２０２へＥＬ素子
を発光させるための電流が供給される。
ように構成されているので、図１７において、ゲート側
駆動回路１０２によってゲート配線２１１へ走査信号又
データ信号の一方が供給され、ソース側駆動回路１０３
によってソース配線２２１へ走査信号又はデータ信号の
他方が供給される。一方、電流供給線２１２によって各
表示ドット５０内の電流制御用ＴＦＴ２０２へＥＬ素子
を発光させるための電流が供給される。
【０１６５】表示領域Ｖ内にマトリクス状に配列された
複数の表示ドット５０のうちの適宜のものがデータ信号
に基づいて個々に選択され、その選択期間においてスイ
ッチング用ＴＦＴ２０１がオン状態になってデータ電圧
の書き込みが行われ、非選択期間ではＴＦＴ２０１がオ
フ状態になることで電圧が保持される。このようなスイ
ッチング及び記憶動作により、複数の表示ドット５０の
うちの適宜のものが選択的に発光し、この発光点の集ま
りにより、図１７の紙面奥側、すなわち図１８に矢印Ｑ
で示す方向に、文字、数字、図形等といった像が表示さ
れる。
複数の表示ドット５０のうちの適宜のものがデータ信号
に基づいて個々に選択され、その選択期間においてスイ
ッチング用ＴＦＴ２０１がオン状態になってデータ電圧
の書き込みが行われ、非選択期間ではＴＦＴ２０１がオ
フ状態になることで電圧が保持される。このようなスイ
ッチング及び記憶動作により、複数の表示ドット５０の
うちの適宜のものが選択的に発光し、この発光点の集ま
りにより、図１７の紙面奥側、すなわち図１８に矢印Ｑ
で示す方向に、文字、数字、図形等といった像が表示さ
れる。
【０１６６】図１７において、ソース側駆動回路１０３
には配線１１２を通して信号が送られる。また、ゲート
側駆動回路１０２には配線１１３を通して信号が供給さ
れる。また、電流供給線２１２には配線１１４を通して
電流が供給される。本実施形態では、ＥＬ装置１１０の
内部を外部から密閉状態に遮蔽するハウジング１０４の
うち配線１１２，１１３，１１４が外部へ引き出される
個所に相当する辺の近傍に配線境界１０ｂが設定され
る。
には配線１１２を通して信号が送られる。また、ゲート
側駆動回路１０２には配線１１３を通して信号が供給さ
れる。また、電流供給線２１２には配線１１４を通して
電流が供給される。本実施形態では、ＥＬ装置１１０の
内部を外部から密閉状態に遮蔽するハウジング１０４の
うち配線１１２，１１３，１１４が外部へ引き出される
個所に相当する辺の近傍に配線境界１０ｂが設定され
る。
【０１６７】上記の配線１１２，１１３，１１４に関し
ては、配線境界１０ｂから見て配線引出し側（すなわ
ち、図１７の左側）に存在する部分は、その断面構造が
図８（ｄ）に示したように、第１配線層１８１及びそれ
に積層された第３配線層１８３の２層構造となってい
る。一方、配線境界１０ｂから見て表示領域Ｖ側に存在
する部分は、その断面構造が図８（ｃ）に示したよう
に、第１配線層１８１、それに積層された第２配線層１
８２、及びそれに積層された第３配線層１８３の３層構
造となっている。つまり、配線境界１０ｂの内側と外側
とで配線１１２，１１３，１１４の層構成が異なってい
る。
ては、配線境界１０ｂから見て配線引出し側（すなわ
ち、図１７の左側）に存在する部分は、その断面構造が
図８（ｄ）に示したように、第１配線層１８１及びそれ
に積層された第３配線層１８３の２層構造となってい
る。一方、配線境界１０ｂから見て表示領域Ｖ側に存在
する部分は、その断面構造が図８（ｃ）に示したよう
に、第１配線層１８１、それに積層された第２配線層１
８２、及びそれに積層された第３配線層１８３の３層構
造となっている。つまり、配線境界１０ｂの内側と外側
とで配線１１２，１１３，１１４の層構成が異なってい
る。
【０１６８】例えば、配線境界１０ｂの内側（すなわ
ち、表示領域Ｖ側）にだけ存在する第２配線層１８２を
低抵抗で腐食し易い材料によって形成する場合を考える
と、そのような第２配線層１８２を配線の中に含ませる
ことにより、配線抵抗値を低く抑えることができるよう
になり、それ故、ＥＬ装置１１０によって安定した像表
示を行うことが可能となる。
ち、表示領域Ｖ側）にだけ存在する第２配線層１８２を
低抵抗で腐食し易い材料によって形成する場合を考える
と、そのような第２配線層１８２を配線の中に含ませる
ことにより、配線抵抗値を低く抑えることができるよう
になり、それ故、ＥＬ装置１１０によって安定した像表
示を行うことが可能となる。
【０１６９】しかも、そのように腐食し易い材料を用い
て第２配線層１８２を形成する場合であっても、その第
２配線層１８２を設ける領域は、ハウジング１０４によ
って外部から遮蔽された領域に限られているので、腐食
し易い第２配線層１８２は外気に触れることがなく、そ
れ故、第２配線層１８２従って配線全体に腐食が発生し
て表示不良が発生することは確実に防止される。
て第２配線層１８２を形成する場合であっても、その第
２配線層１８２を設ける領域は、ハウジング１０４によ
って外部から遮蔽された領域に限られているので、腐食
し易い第２配線層１８２は外気に触れることがなく、そ
れ故、第２配線層１８２従って配線全体に腐食が発生し
て表示不良が発生することは確実に防止される。
【０１７０】（その他の実施形態）以上、好ましい実施
形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形
態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明
の範囲内で種々に改変できる。
形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形
態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明
の範囲内で種々に改変できる。
【０１７１】例えば、電気光学装置は液晶装置及びＥＬ
装置に限られず、基板上に配線を形成する必要のある、
あらゆる装置、例えば基板間に分散媒及び電気泳動粒子
が封入された電気泳動装置が考えられる。
装置に限られず、基板上に配線を形成する必要のある、
あらゆる装置、例えば基板間に分散媒及び電気泳動粒子
が封入された電気泳動装置が考えられる。
【０１７２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板上に形成された配線の腐食を抑えることができる。
基板上に形成された配線の腐食を抑えることができる。
【図１】本発明を実施可能な電気光学装置の一例である
液晶装置であって、特にＴＦＤ素子を用いたアクティブ
マトリクス方式の液晶装置の電気的構成を示す等価回路
図である。
液晶装置であって、特にＴＦＤ素子を用いたアクティブ
マトリクス方式の液晶装置の電気的構成を示す等価回路
図である。
【図２】本発明を電気光学装置の一例である液晶装置に
実施した場合の一実施形態を示しており、（ａ）は観察
側から見た場合の液晶装置の斜視図であり、（ｂ）は背
面側から見た場合の液晶装置の斜視図である。
実施した場合の一実施形態を示しており、（ａ）は観察
側から見た場合の液晶装置の斜視図であり、（ｂ）は背
面側から見た場合の液晶装置の斜視図である。
【図３】図２（ａ）におけるＣ−Ｃ’線に従って液晶装
置の断面構造を示す断面図である。
置の断面構造を示す断面図である。
【図４】図２（ａ）に示す液晶装置における表示領域内
の構成を示す斜視図である。
の構成を示す斜視図である。
【図５】（ａ）は図４における１つの画素電極及び１つ
のＴＦＤ素子を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）にお
けるＥ−Ｅ’線に従った断面図であり、（ｃ）は（ａ）
におけるＦ−Ｆ’線に従った断面図である。
のＴＦＤ素子を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）にお
けるＥ−Ｅ’線に従った断面図であり、（ｃ）は（ａ）
におけるＦ−Ｆ’線に従った断面図である。
【図６】図２（ａ）に示す液晶装置の平面断面図であ
る。
る。
【図７】図６におけるＧ−Ｇ’線に従った断面図であ
る。
る。
【図８】（ａ）は図６において矢印Ｐで示す部分を拡大
して示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＨ−
Ｈ’線に従った断面図であり、（ｃ）は（ａ）における
Ｉ−Ｉ’線に従った断面図であり、（ｄ）は（ａ）にお
けるＪ−Ｊ’線に従った断面図である。
して示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＨ−
Ｈ’線に従った断面図であり、（ｃ）は（ａ）における
Ｉ−Ｉ’線に従った断面図であり、（ｄ）は（ａ）にお
けるＪ−Ｊ’線に従った断面図である。
【図９】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施
形態であってＴＦＤ素子に関する製造方法を工程順に示
す図である。
形態であってＴＦＤ素子に関する製造方法を工程順に示
す図である。
【図１０】図９に示す工程に関連する工程を示す工程図
である。
である。
【図１１】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実
施形態であって引回し配線に関する製造方法を工程順に
示す図である。
施形態であって引回し配線に関する製造方法を工程順に
示す図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実
施形態であって、対向基板上に設ける要素に関する製造
方法を工程順に示す図である。
施形態であって、対向基板上に設ける要素に関する製造
方法を工程順に示す図である。
【図１３】図１２に引き続く工程を示す図である。
【図１４】本発明を電気光学装置の一例である液晶装置
に実施した場合の他の実施形態を示す平面断面図であ
る。
に実施した場合の他の実施形態を示す平面断面図であ
る。
【図１５】図１４に示す実施形態における引回し配線の
層構成を示す断面図である。
層構成を示す断面図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の実施形態であり、
（ａ）は電子機器の一例であるパーソナルコンピュータ
を示す斜視図であり、（ｂ）は電子機器の他の一例であ
る携帯電話機を示す斜視図である。
（ａ）は電子機器の一例であるパーソナルコンピュータ
を示す斜視図であり、（ｂ）は電子機器の他の一例であ
る携帯電話機を示す斜視図である。
【図１７】本発明を電気光学装置の他の一例であるＥＬ
装置に実施した場合の一実施形態を示す平面断面図であ
る。
装置に実施した場合の一実施形態を示す平面断面図であ
る。
【図１８】図１７におけるＫ−Ｋ’線に従ってＥＬ装置
の断面構造を示す断面図である。
の断面構造を示す断面図である。
【図１９】図１７において矢印Ｌで示す表示ドット部分
を拡大して示す平面図である。
を拡大して示す平面図である。
【図２０】図１９の構造に対応する電気的な等価回路図
である。
である。
【図２１】図１９におけるＭ−Ｍ’線に従ってＴＦＴの
断面構造を示す断面図である。
断面構造を示す断面図である。
１ 液晶装置（電気光学装置）
１０ 素子基板（第１基板）
１０ａ 張出し領域
１０ｂ 配線境界
１１ データ線
１１ａ 主配線
１１ｂ 補助配線
１１ｃ 第２金属膜、
１２ 画素電極
１３ ＴＦＤ素子（薄膜ダイオード）
１３ａ 第１金属膜
１３ｂ 絶縁膜
１３ｃ 第２金属膜
１６，１６１，１６２ 引回し配線
１６ａ 導通部
１６ｂ 延在部
１７ 外部接続端子
２０ 対向基板（第２基板）
２１ 反射層
２２ カラーフィルタ
２３ 遮光層
２４ オーバーコート層
２５ 走査線
２５ａ 導通部
２６ 配向膜
３０ シール材
３２ 導電粒子
３５ 液晶
４０ａ 第１ＹドライバＩＣ
４０ｂ 第２ＹドライバＩＣ
４１ ＸドライバＩＣ
５０ 表示ドット
５１ 液晶表示要素
５６ 配向膜
５７ 周辺遮光層
１３１ 第１ＴＦＤ素子
１３２ 第２ＴＦＤ素子
１８１ 第１配線層
１８２ 第２配線層
１８３ 第３配線層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｆ 9/00 ３４８ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３４８Ｚ
(72)発明者 金子 英樹
長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ
ーエプソン株式会社内
Ｆターム(参考） 2H089 NA37 PA17 QA07 QA16 TA02
UA09
2H092 GA33 GA34 JA01 JB21 NA11
NA17 PA04 RA10
5C094 AA31 AA44 BA27 BA43 DA09
DA13 DA14 DB01 EA02 EA04
EA05 EA10 EC01 FA02 FB12
FB15 HA08
5G435 AA13 AA14 AA17 BB05 BB12
EE37 KK05 KK09 LL06 LL07
LL08
Claims (17)
- 【請求項１】 対向して配置した第１基板及び第２基板
を有し、当該第１基板と当該第２基板との間に液晶が挟
まれて成る電気光学装置において、 前記液晶を囲むシール材と、 前記第１基板の１辺に沿って、且つ、当該１辺と交差す
る他辺に向かって引き回された配線とを有し、 該配線は、 前記シール材の内側領域及び前記シール材の外側領域の
両方にわたって形成されるか、又は前記シール材に重な
る領域及び前記シール材の外側領域の両方にわたって形
成された第１配線層と、 前記シール材の内側領域又は前記シール材に重なる領域
に形成された第２配線層とを有することを特徴とする電
気光学装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記シール材の外側
領域にある前記配線の一端は外部接続回路に接続される
ことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２において、前記第
２基板に形成された電極をさらに有し、該電極は前記第
１基板上の前記配線と導通することを特徴とする電気光
学装置。 - 【請求項４】 第１基板と、 該第１基板の１辺に沿って、且つ、当該１辺と交差する
他辺に向かって引き回された配線とを有し、 当該配線は、 前記第１基板上に形成される第１配線層と、 該第１配線層の上に部分的に積層される第２配線層と、 該第２配線層を被覆する被覆層とを有することを特徴と
する電気光学装置。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかにおい
て、 前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属膜と
を積層することによって形成された複数の薄膜ダイオー
ドを具備し、 前記第１配線層は前記第１金属膜と同一の層によって形
成されることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかにおい
て、前記第２配線層は前記第２金属膜と同一の層によっ
て形成されることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項７】 請求項１から請求項４のいずれかにおい
て、 前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属膜と
を積層することによって形成された複数の薄膜ダイオー
ドを具備し、 前記第２配線層は前記第２金属膜と同一の層によって形
成されることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項８】 請求項１から請求項３のいずれかにおい
て、 前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属膜と
を積層することによって形成された複数の薄膜ダイオー
ドと、 該薄膜ダイオードの第２金属膜に接続された画素電極と
を有し、 前記配線は、前記シール材の内側領域及び前記シール材
の外側領域の両方にわたって前記第１配線層の上に形成
されるか、又は前記シール材に重なる領域及び前記シー
ル材の外側領域の両方にわたって前記第１配線層の上に
形成された第３配線層を有し、 該第３配線層は前記画素電極と同一の層によって形成さ
れることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項９】 請求項１から請求項３のいずれかにおい
て、 前記第２基板上に形成された配線を有し、 前記第１基板上の配線は前記第２基板上の配線に導通す
ることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項１０】 請求項９において、前記第１基板上の
配線と前記第２基板上の配線とは、前記シール材に分散
された導電粒子を介して導通することを特徴とする電気
光学装置。 - 【請求項１１】 請求項１から請求項１０のいずれかに
おいて、前記第１基板上の前記配線を構成する前記第２
配線層は、該配線を構成する他の配線層よりもイオン化
傾向が高いことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項１２】 請求項１から請求項１１のいずれかに
おいて、前記第１基板上の前記配線を構成する前記第２
配線層は、該配線を構成する他の配線層よりも抵抗値が
低いことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項１３】 請求項１から請求項１２のいずれかに
おいて、前記第１基板上に形成された配線のうち前記シ
ール材の外側領域に形成された部分の幅は、前記シール
材と重なる領域に形成された部分の幅よりも広いことを
特徴とする電気光学装置。 - 【請求項１４】 請求項１から請求項１３のいずれかに
記載した電気光学装置を有することを特徴とする電子機
器。 - 【請求項１５】 シール材を介して貼り合わされた第１
基板と第２基板との間に液晶を有し、前記第１基板のう
ち前記シール材に重なる領域と当該シール材の外側の領
域との両方にわたって配線が形成された液晶装置の製造
方法であって、 前記配線を構成する第１配線層を、前記第１基板のうち
前記シール材に重なる領域と該シール材の外側の領域と
にわたって形成する第１配線層形成工程と、前記配線を
構成する第２配線層を、前記第１基板のうち前記シール
材に重なる領域に形成する第２配線層形成工程と、 前記第１基板及び第２基板を前記シール材を介して貼り
合わせる接合工程とを有することを特徴とする電気光学
装置の製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１５において、前記電気光学装
置は、前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金
属膜とを積層することによって形成された複数の薄膜ダ
イオードを具備し、 前記第１配線層形成工程では、前記薄膜ダイオードの第
１金属膜の形成と共に該第１金属膜と同一の層によって
前記第１配線層を形成し、 前記第２配線層形成工程では、前記薄膜ダイオードの第
２金属膜の形成と共に該第２金属膜と同一の層によって
前記第２配線層を形成することを特徴とする電気光学装
置の製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１６において、前記電気光学装
置は、前記第１基板の面上に形成されて前記薄膜ダイオ
ードの第２金属膜に接続される画素電極を具備し、 前記接合工程に先立ち、前記配線を構成する第３配線層
を、前記第１基板のうちシール材に重なる領域と当該シ
ール材の外側の領域とにわたって形成する工程であっ
て、前記画素電極の形成と共に該画素電極と同一の層に
よって前記第３配線層を形成する第３配線層形成工程を
有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
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