CN100354705C - 电光装置、其制造方法和电子装置 - Google Patents

Abstract

本发明的课题在于抑制在基板上形成的布线受到腐蚀。这是一种电光装置，有相向配置的第一基板10及第二基板20，液晶35被夹在第一基板10和第二基板20之间。该电光装置有包围液晶35的密封材料30、以及沿第一基板10的一边、而且朝向与该边交叉的另一边迂回的布线16。布线16有在遍及密封材料30的内侧区域及密封材料30的外侧区域这两个区域中形成的、或者在遍及与密封材料30重叠的区域及密封材料30的外侧区域这两个区域中形成的第一布线层181、以及在密封材料30的内侧区域或与上述密封材料重叠的区域中形成的第二布线层182。第二布线层182由于不接触大气，所以不被腐蚀。

Description

电光装置、其制造方法和电子装置

(一)技术领域

本发明涉及液晶装置、EL(电致发光)装置、电泳装置等电光装置、该电光装置的制造方法、以及用该电光装置构成的电子装置。

(二)背景技术

近年来，液晶装置作为例如显示信息用的显示部被广泛地用于移动电话机、便携式信息终端机、个人计算机等电子装置中。另外，今后将考虑与液晶装置一起使用EL装置。

一般情况下，上述的液晶装置有通过密封材料贴合起来的一对基板、夹在两基板之间的液晶、以及对液晶施加电压用的电极。另外，已知有这样的结构：在一片基板中向另一基板的外侧伸出的区域(即伸出区)上形成布线，将各种安装部件的端子连接在该布线的一端，通过该布线将电压供给上述电极。

这里，作为上述的安装部件，例如可以考虑使用COG(芯片键合在玻璃上)技术安装在伸出区上的IC芯片或连接电路基板等外部装置和液晶装置用的FPC等。

可是，由于在伸出区上形成的布线暴露在大气中，所以大气中的水分等容易附着在该布线上，因此，该布线容易被腐蚀。而且，这样一来，在布线上发生腐蚀的情况下，该布线和上述安装部件的端子之间的导通不完全，因此，存在作为液晶装置的可靠性下降的问题。

另一方面，如果考虑将布线电阻抑制得低一些，则最好利用铝或铬等低阻金属形成上述布线，但由于这种金属离子化倾向高，有容易被腐蚀的性质，所以上述问题更加显著地显现出来。

(三)发明内容

本发明就是鉴于上述的问题而完成的，目的在于抑制在基板上形成的布线的腐蚀。

(1)为了达到上述目的，本发明的电光装置是一种

(a)有相向配置的第一基板及第二基板，液晶被夹在该第一基板和该第二基板之间构成的电光装置，该电光装置的特征在于：有

(b)包围上述液晶的密封材料；以及

(c)沿上述第一基板的一边、而且朝向与该边交叉的另一边迂回的布线，

(d)该布线有

(i)在遍及上述密封材料的内侧区域及上述密封材料的外侧区域这两个区域中形成的、或者在遍及与上述密封材料重叠的区域及上述密封材料的外侧区域这两个区域中形成的第一布线层；以及

(ii)在上述密封材料的内侧区域或与上述密封材料重叠的区域中形成的第二布线层。

由以上结构构成的电光装置，由于包含液晶作为结构要素，所以可以看作液晶装置。如果采用该电光装置，则由于在密封材料的外侧区域不形成第二布线层，所以能避免大气中的水分等附着在该第二布线层上，因此，假设即使利用耐腐蚀性低的导电材料、即离子化倾向高的导电材料形成第二布线层，也能防止该第二布线层被腐蚀。

另外，在上述电光装置中，除了第一基板中与密封材料重叠的区域以外，还能在密封材料的内侧区域、即与液晶相向的区域中形成第二布线层。在此情况下，由于能避免大气中的水分等附着在该第二布线层上，所以假设即使利用耐腐蚀性低的导电材料、即离子化倾向高的导电材料形成第二布线层，也能防止该第二布线层被腐蚀。

(2)在上述构成的电光装置中，位于上述密封材料的外侧区域的上述布线的一端能连接在外部连接电路上。这里，作为外部连接电路，可以考虑驱动用IC、安装了驱动用IC的TAB(带式自动键合)基板、以及连接在驱动用IC上的FPC(柔性印刷电路)等。如果采用该结构，则能通过布线将外部连接电路的输出信号导入电光装置内部。

(3)在上述构成的电光装置中，能在上述第二基板上形成电极，另外，在此情况下，该电极能与上述第一基板上的上述布线导通。如果这样做，则能通过布线将数据信号、扫描信号等各种信号供给该电极。

(4)其次，本发明的另一种电光装置的特征在于：有第一基板、以及沿该第一基板的一边而且向与该边交叉的另一边迂回的布线，该布线有在上述第一基板上形成的第一布线层；局部地层叠在该第一布线层上的第二布线层；以及覆盖该第二布线层的覆盖层。

这样构成的电光装置是一种不一定将液晶、第二基板及密封材料作为必须的结构要素的电光装置。作为这样的电光装置，例如当然包括含有液晶、第二基板及密封材料的液晶装置，还包括不含有液晶、第二基板及密封材料的EL装置。

如果采用这样构成的电光装置，则由于第二布线层利用覆盖层覆盖而不露在外部，所以能避免大气中的水分等附着在该第二布线层上，因此，假设即使利用耐腐蚀性低的导电材料、即离子化倾向高的导电材料形成第二布线层，也能防止该第二布线层被腐蚀。

(5)在上述构成的电光装置中，通过将第一金属膜、绝缘膜、以及第二金属膜层叠在上述第一基板上，能形成多个薄膜二极管，在此情况下，能利用与构成薄膜二极管的上述第一金属膜为同一层的层形成上述第一布线层。因此，如果利用与构成薄膜二极管的多个要素中某一要素共同的工序形成布线的一部分，则与独立地设置形成该布线的工序的情况相比，能实现制造工序的简化及制造成本的降低。

(6)在上述构成的电光装置中，利用与薄膜二极管的第一金属膜为同一层的层形成了上述第一布线层后，能利用与薄膜二极管的第二金属膜为同一层的层形成上述第二布线层。因此，如果利用与构成薄膜二极管的多个要素中某一要素共同的工序形成布线的一部分，则与独立地设置形成该布线的工序的情况相比，能实现制造工序的简化及制造成本的降低。

(7)在上述构成的电光装置中，通过将第一金属膜、绝缘膜、以及第二金属膜层叠在上述第一基板上，能形成多个薄膜二极管，在此情况下，能利用与薄膜二极管的第二金属膜为同一层的层只形成上述第二布线层。因此，如果利用与构成薄膜二极管的多个要素中某一要素共同的工序形成布线的一部分，则与独立地设置形成该布线的工序的情况相比，能实现制造工序的简化及制造成本的降低。

(8)在上述构成的电光装置中，通过将第一金属膜、绝缘膜、以及第二金属膜层叠在上述第一基板上，能形成多个薄膜二极管，另外能连接该薄膜二极管的第二金属膜上形成像素电极。在此情况下，在遍及上述密封材料的内侧区域及上述密封材料的外侧区域这两个区域中在上述第一布线层上形成上述布线、或者在遍及与上述密封材料重叠的区域及上述密封材料的外侧区域这两个区域中能有在上述第一布线层上形成的第三布线层，另外能利用与上述像素电极为同一层的层形成该第三布线层。

这样，如果利用与形成像素电极用的工序通用的工序形成布线的一部分，则与独立地设置形成该布线的工序的情况相比，能实现制造工序的简化及制造成本的降低。

(9)在上述构成的电光装置中，特别是在具有第二基板的电光装置中，能在上述第二基板上形成布线，另外能使上述第一基板上的布线与该第二基板上的布线导通。

如果这样做，则例如不需要将应与该第二基板上的布线连接的安装部件、例如驱动用IC和FPC等安装在该第二基板上。即，由于将安装部件只安装在一对基板中的一片基板的表面上即可，所以能实现结构的简化及制造成本的降低。

(10)在使第一基板上的布线与第二基板上的布线导通了的上述构成的电光装置中，上述第一基板上的布线和上述第二基板上的布线最好通过分散在上述密封材料中的导电粒子导通。如果这样做，则通过密封材料将两片基板贴合在一起，就能使两基板上的布线相互间导通，所以不需要使两布线导通用的特设的结构。因此，能使结构更加简化，而且更能降低制造成本。

(11)在上述构成的电光装置中，构成上述第一基板上的上述布线的上述第二布线层最好比构成该布线的其他布线层的离子化倾向高。换句话说，第一布线层或第三布线层最好比第二布线层的离子化倾向低。

如果采用本发明的电光装置，如上所述，能抑制第二布线层被腐蚀，而如本实施例所示，如果利用离子化倾向低的材料形成作为伸出到密封材料的外侧区域的部分的第一布线层或第三布线层，则在密封材料的外侧露出的布线部分也能抑制腐蚀。

(12)在上述构成的电光装置中，构成上述第一基板上的上述布线的上述第二布线层最好比构成该布线的其他布线层的电阻值低。一般说来，铬或铝等低阻金属多半离子化倾向高，容易被腐蚀。如果利用这样的金属形成上述第二布线层，则既能有效地抑制该布线层被腐蚀，又能使布线电阻低。

(13)在上述构成的电光装置中，在上述第一基板上形成的布线中在上述密封材料的外侧区域形成的部分的宽度最好比在与上述密封材料重叠的区域中形成的部分的宽度宽。换句话说，没有第二布线层的部分、即由第一布线层形成的部分或由第一布线层及第三布线层两者形成的部分的宽度最好比有第二布线层的部分的宽度宽。由于用电阻值比该第二布线层高的第一布线层或第三布线层构成没有第二布线层的部分，所以也可以认为在该部分中布线电阻增高了。可是，如果如上所述使该部分的宽度变宽，则能抑制布线电阻增高。

(14)其次，本发明的电子装置的特征在于利用以上所述结构的电光装置构成。如上所述，由于采用以上所述结构的电光装置能抑制布线被腐蚀，所以如果采用使用这样的电光装置的电子装置，则能避免导通不良等，实现高可靠性。

(15)其次，本发明的电光装置的制造方法是一种液晶装置的制造方法，该液晶装置在通过密封材料贴合在一起的第一基板和第二基板之间有液晶，上述第一基板中在遍及与上述密封材料重叠的区域和该密封材料的外侧的区域这两个区域中形成了布线，该液晶装置的制造方法的特征在于，包括：上述第一基板中在遍及与上述密封材料重叠的区域和该密封材料的外侧的区域形成构成上述布线的第一布线层的第一布线层形成工序；上述第一基板中在与上述密封材料重叠的区域形成构成上述布线的第二布线层的第二布线层形成工序；以及通过上述密封材料将上述第一基板及第二基板贴合在一起的粘合工序。

如果采用这样构成的电光装置的制造方法，则由于在密封材料的外侧区域不形成第二布线层，所以能避免大气中的水分等附着在该第二布线层上，因此，假设即使利用耐腐蚀性低的导电材料、即离子化倾向高的导电材料形成第二布线层，也能防止该第二布线层被腐蚀。

(16)在上述构成的电光装置的制造方法中，能有通过将第一金属膜、绝缘膜、以及第二金属膜层叠在上述第一基板上形成多个薄膜二极管的工序，在此情况下，在上述第一布线层形成工序中，在与形成上述薄膜二极管的第一金属膜的同时，能利用与该第一金属膜为同一层的层形成上述第一布线层。另外，在上述第二布线层形成工序中，在与形成上述薄膜二极管的第二金属膜的同时，能利用与该第二金属膜为同一层的层形成上述第二布线层。

如果这样做，则与利用另外的工序作成薄膜二极管和布线的情况相比，能实现制造成本的降低和制造工序的简化。

(17)在上述构成的电光装置的制造方法中，能以连接到上述薄膜二极管的第二金属膜上的方式在上述第一基板上形成像素电极，在此情况下，在上述粘合工序之前，作为上述第一基板中在遍及与上述密封材料重叠的区域和该密封材料的外侧的区域形成构成上述布线的第三布线层的工序，最好实施与形成上述像素电极的同时，利用与该像素电极为同一层的层形成上述第三布线层的第三布线层形成工序。如果这样做，则更能降低制造成本。

(四)附图说明

图1是作为能实施本发明的电光装置之一例的液晶装置，特别是表示采用TFD元件的有源矩阵方式的液晶装置的电路结构的等效电路图。

图2表示在作为电光装置之一例的液晶装置中实施本发明的情况下的一个实施例，(a)是从观察侧看时的液晶装置的斜视图，(b)是从背面侧看时的液晶装置的斜视图。

图3是表示沿图2(a)中的C-C’线的液晶装置的剖面结构的剖面图。

图4是表示图2(a)所示的液晶装置的显示区域内的结构的斜视图。

图5(a)是表示图4中的一个像素电极及一个TFD元件的平面图，(b)是沿(a)中的E-E’线的剖面图，(c)是沿(a)中的F-F’线的剖面图。

图6是图2(a)所示的液晶装置的平面剖面图。

图7是沿图6中的G-G’线的剖面图。

图8(a)是将图6中用箭头P表示的部分放大示出的平面图，(b)是沿(a)中的H-H’线的剖面图，(c)是沿(a)中的I-I’线的剖面图，(d)是沿(a)中的J-J’线的剖面图。

图9是本发明的电光装置的制造方法的一个实施例，是按照工序的顺序示出TFD元件的制造方法的图。

图10是表示与图9所示的工序相关的工序的工序图。

图11是本发明的电光装置的制造方法的一个实施例，是按照工序的顺序示出迂回布线的制造方法的图。

图12是本发明的电光装置的制造方法的一个实施例，是按照工序的顺序示出设置在对置基板上的要素的制造方法的图。

图13是表示继图12之后的工序的图。

图14是表示在作为电光装置之一例的液晶装置中实施本发明时的另一实施例的平面剖面图。

图15是表示图14所示的实施例中的迂回布线的层结构的剖面图。

图16是本发明的电子装置的实施例，(a)是表示作为电子装置之一例的个人计算机的斜视图，(b)是表示作为电子装置的另一例的移动电话机的斜视图。

图17是表示在作为电光装置的另一例的EL装置中实施本发明时的一个实施例的平面剖面图。

图18是表示沿图17中的K-K’线的EL装置的剖面结构的剖面图。

图19是将图17中用箭头L表示的显示点部分放大示出的平面图。

图20是与图19中的结构对应的等效电路图。

图21是表示沿图19中的M-M’线的TFT的剖面结构的剖面图。

具体实施方式

(电光装置的第一实施例)

以下，举例说明本发明的实施例，该例是将本发明应用于备有TFD(薄膜二极管)元件作为开关元件的有源矩阵方式的、使用液晶作为电光物质、另外利用太阳光或室内光等外部光的反射型的液晶装置的情况的例子。

图1用框图表示本实施例的液晶装置的电结构。如该图所示，液晶装置1有沿X方向延伸的多条扫描线25、沿着与X方向垂直的Y方向延伸的多条数据线11、以及设置在扫描线25及数据线11的各交叉部分的多个显示点50。各显示点50呈液晶显示要素51和TFD元件13串联连接的结构。这些显示点50排列成矩阵状。

这些显示点50中的一个是显示像用的最小单位的显示要素，在显示像是由R(红)、G(绿)、B(蓝)三原色组合形成的彩色像的情况下，R、G、B三个显示点50集中形成一个像素。另一方面，在显示像是黑白像的情况下，由一个显示点50形成一个像素。

在图1中，多条扫描线25中，从上数起第奇数条扫描线25连接在第一Y驱动器IC40a上。另一方面，从上数起第偶数条扫描线25连接在第二Y驱动器IC40b上。而且，由这些Y驱动器40a、40b生成的扫描信号被供给各扫描线25。另外，以下在不需要特别区分第一Y驱动器IC40a和第二Y驱动器IC40b的情况下，将它们简称为Y驱动器IC40。

多条数据线11分别连接在X驱动器IC41上，由该X驱动器IC41生成的数据信号被供给这些数据线11。另一方面，在本实施例的情况下，排列成矩阵状的多个显示点50中的各个点对应于R、G或B中的某一颜色。

其次，图2(a)表示从观察侧、即从观察者所在位置一侧看到的本实施例的液晶装置1的情况。另外，图2(b)表示从背面侧、即从与图2(a)相反的一侧看到的该液晶装置1的情况。另外，以下如图2(a)及图2(b)所示，将X轴的负方向记为“A侧”，将其正方向记为“B侧”。

如图2(a)及图2(b)所示，液晶装置1这样构成：用密封材料30将互相相向的元件基板10及对置基板20贴合在一起，同时将液晶(在图2中未示出)封入由两基板和密封材料30包围的区域中。密封材料30沿对置基板20的边缘、即沿外周边形成大致呈长方形的框状。而且在该密封材料30的一部分上形成封入液晶用的开口。通过该开口将液晶封入后，用封口材料31封死该开口。

有导电性的许多导电粒子被分散在密封材料30中。这些导电粒子是例如镀覆了金属的塑料粒子、或有导电性的树脂粒子，兼备使在元件基板10及对置基板20的每一基板上形成的布线相互间导通的功能、以及使两基板的间隙即盒隙保持恒定的衬垫的功能。另外，实际上，使入射光偏振用的偏振片、以及补偿干涉色用的延迟片等粘贴在元件基板10及对置基板20的外侧表面上，但这些与本发明没有直接关系，所以其图示及说明从略。

例如用透光性玻璃、透光性石英、透光性塑料等具有透光性的片状构件形成元件基板10及对置基板20。在这些基板中，在位于观察侧的元件基板10的内侧表面、即液晶侧表面上形成上述的多条数据线11。另一方面，在位于背面侧的对置基板20的内侧表面上形成多条扫描线25。

元件基板10有伸出到对置基板20的外侧的伸出区10a，该伸出区10a是从密封材料30的外周缘伸出到外侧的区域、即与密封材料30及被封入该密封材料30的内侧的液晶不重叠的区域。X驱动器IC41安装在伸出区10a中X方向的中央部附近。另外，第一Y驱动器IC40a及第二Y驱动器IC40b安装在将该X驱动器IC41夹在中间沿X方向相向的位置上。

采用COG技术将上述的各驱动器IC41、40a、40b分别安装在伸出区10a上。即这些驱动器IC利用将导电粒子分散在粘结材料中的ACF(各向异性导电膜)粘结在元件基板10的伸出区10a上(参照图8(b))。另外，在伸出区10a的边缘端部上形成多个外部连接端子17。例如FPC(柔性印刷电路)(图中未示出)的一端被连接在形成了这些外部连接端子17的部分上，例如电路基板等外部装置连接在该FPC的另一端上。因此，从外部装置输出的电源功率或电信号等通过FPC供给外部连接端子17。

X驱动器IC41根据从外部装置通过FPC及外部连接端子17输入的信号，生成数据信号，并将它输出给数据线11。另一方面，Y驱动器IC40根据从外部装置通过FPC及外部连接端子17输入的信号，生成并输出扫描信号。该扫描信号从在元件基板10上形成的迂回布线16通过密封材料30中的导电粒子供给对置基板20上的各扫描线25。

其次，说明被密封材料30的内周缘包围的区域、即显示区域V内的结构。图3是表示沿图2(a)中的C-C’线的剖面中显示区域V的一部分的图。另外，图4是表示在显示区域V内形成的数个显示点的斜视图。另外，图4中的沿D-D’线的剖面图相当于图3。

如这些图所示，在显示区域V内的元件基板10的内侧表面、即液晶35一侧的表面上形成呈矩阵状排列的多个像素电极12、以及在各像素电极12的间隙部分沿Y方向延伸的多条数据线11。各像素电极12是由例如称为ITO(氧化铟锡)等的透明导电材料形成的大致呈矩形的电极。而且，各像素电极12和在一侧与该像素电极12相邻的数据线11通过TFD元件13连接。

另外，如图3所示，形成了数据线11、像素电极12及TFD元件13的元件基板10的表面被取向膜56(图4中未示出)覆盖。该取向膜56是由聚酰亚胺等构成的有机薄膜，对该取向膜进行摩擦处理，以便规定不加电压时液晶35的取向。

图5(a)表示从对置基板20一侧、即从与观察侧相对的背面侧看到的元件基板10上的一个显示点50的情况。另外，图5(b)是沿图5(a)中的E-E’线的剖面图，图5(c)是沿图5(a)中的F-F’线的剖面图。如图5(a)及图5(c)所示，数据线11由主布线11a和层叠在该主布线11a上的辅助布线11b构成。辅助布线11b是在例如主布线11a断线的情况下代替该主布线11a而具有作为数据线11的功能的布线，由与像素电极12为同一层的层形成。

另一方面，如图5(a)及图5(b)所示，TFD元件13由沿X方向延伸且与数据线11的主布线11a交叉的第一金属膜13a、通过阳极氧化在该第一金属膜13a的表面上形成的绝缘膜13b、以及在该绝缘膜13b的表面上互相隔开形成的第二金属膜11c及13c构成。

第一金属膜13a由例如钽(Ta)单质、或含有钨(W)等的钽合金之类的各种导电性材料形成。但在本实施例中，假定第一金属膜13a由钽形成。另外，如图5(a)所示，第二金属膜11c在构成数据线11的主布线11a中位于与第一金属膜13a交叉的部分。另外，上述辅助布线11b在主布线11a中层叠在相当于第二金属膜11c的部分以外的部分的表面上。

第二金属膜13c连接在像素电极12上。另外，数据线11的主布线11a(包括第二金属膜11c)及第二金属膜13c由铬(Cr)或铝(Al)之类的各种导电性材料构成的同一层形成。但在本实施例中，假定主布线11a及第二金属膜13c由铬形成。

TFD元件13由第一TFD元件131和第二TFD元件132构成。即，如图5(a)及图5(b)所示，第一TFD元件131从数据线11一侧看形成按照第二金属膜11c、绝缘膜13b及第一金属膜13a这样的顺序层叠的结构，采用金属/绝缘体/金属这样的夹层结构，结果具有正负双向二极管开关特性。

另一方面，第二TFD元件132从数据线11一侧看形成按照第一金属膜13a、绝缘膜13b及第二金属膜13c这样的顺序层叠的结构，具有与第一TFD元件131相反的二极管开关特性。

这样，TFD元件13由于形成互相反向串联连接两个二极管的结构，所以与使用一个二极管的情况相比，电流-电压的非线性特性沿正负两个方向对称。但是，为了确保该非线性特性的对称性，必须使第一TFD元件131的绝缘膜13b和第二TFD元件132的绝缘膜13b的厚度相同，同时使第一TFD元件131中第一金属膜13a和第二金属膜11c相向的面积与第二TFD元件132中第一金属膜13a和第二金属膜13c相向的面积相等。

而且，在本实施例中，由于使第一TFD元件131中的该面积与第二TFD元件132中的该面积相同，所以如图5(a)所示，构成数据线11的主布线11a中使对应于第二金属膜11c的部分的宽度比其他部分的宽度窄。

在图3及图4中，在对置基板20的表面上形成反射层21、滤色片22、遮光层23、外覆盖层24、多条扫描线25及取向膜26。反射层21是例如由铝或银之类的具有光反射性的金属形成的薄膜。在图3中，从观察侧入射到液晶装置中的光R在该反射层21的表面上反射后出射到观察侧，因此，能实现所谓的反射型显示。

这里，如图3所示，在对置基板20的内侧表面中被反射层21覆盖的区域呈形成了许多微细的凹凸的粗糙面。因此，为了覆盖该粗糙面，在呈薄膜状形成的反射层21的表面上形成反映该粗糙面的微细的凹凸。而且，该凹凸具有作为使光散射用的散射结构的功能。其结果是，来自观察侧的入射光在反射层21的表面上以适度散射的状态被反射，所以能避免反射层21的表面上的镜面反射，能实现大的视角。

滤色片22是对应于各显示点50在反射层21的表面上形成的树脂层，如图4所示，利用染料或颜料着色成R(红色)、G(绿色)或B(蓝色)中的某一种颜色。而且，由互不相同的颜色的三个显示点50构成形成显示图像的一个像素。

遮光层23与在元件基板10上排列成矩阵状的像素电极12的间隙部分相对应地形成网格状，对各像素电极12相互间的间隙起遮光的作用。如图3所示，本实施例的遮光层23具有层叠了R、G、B三色滤色片22的结构。外覆盖层24是由滤色片22及遮光层23形成的使凹凸平坦化用的层，例如由环氧系列或丙烯酸系列等树脂材料形成。

扫描线25是在外覆盖层24上由ITO等透明导电材料形成的带状电极。如图4所示，各扫描线25在元件基板10上沿X方向延伸形成，以便与沿X方向构成列的多个像素电极12相向。而且，由像素电极12、与其相向的扫描线25、以及被两者夹在中间的液晶35构成图1所示的液晶显示要素51。

如果通过将扫描信号供给扫描线25，同时将数据信号供给数据线11，而将阈值以上的电压加在TFD元件13上，则该TFD元件13呈导通状态。而且其结果是，电荷蓄积在与TFD元件13连接的液晶显示要素51中，改变液晶35的取向。通过这样对每个显示点50改变液晶35的取向，能进行所希望的显示。另外，电荷蓄积后即使该TFD元件13呈关断状态，也能维持液晶显示要素51中的电荷的蓄积。

在图3中，形成了多条扫描线25的外覆盖层24的表面被取向膜26覆盖。该取向膜26由在元件基板10上形成的与取向膜56相同的材料形成，另外，与取向膜56相同，进行摩擦处理。

其次，参照图6，说明本实施例的液晶装置的布线状态。图6是从观察侧、即从元件基板10一侧看到的液晶装置1的情况的平面结构，将构成元件基板10的基板材料除去，直接示出在该基板材料上形成的数据线11等的状态。图6中从纸面跟前一侧向内部一侧的方向相当于图2(a)及图2(b)中Z轴的正向。因此，在图6中，元件基板10相对于纸面位于最跟前一侧，除此以外的要素相对于元件基板10位于纸面内部一侧。

在图6中，各数据线11在显示区域V内沿Y方向延伸，同时在横切密封材料30的一边30a伸出到伸出区10a。而且，各数据线11中伸出到伸出区10a内的各数据线的端部利用ACF29内含有的导电粒子连接在X驱动器IC41的输出端子上。利用该结构，由X驱动器IC41生成的数据信号输出给各数据线11。

在图6中，在对置基板20上沿X方向延伸的多条扫描线25(带斜线)中的每一条交替地引出到A侧及B侧，该引出的端部与密封材料30重叠。这里，图7是沿图6中的G-G’线的剖面图，即对应于第奇数条扫描线25的剖面图。如图7所示，对置基板20中在被密封材料30覆盖的区域附近不形成滤色片22和外覆盖层24等。与此不同，第奇数条扫描线25从外覆盖层24的上表面延伸到对置基板20的上表面、同时直接沿X方向朝向密封材料30的B侧的边延伸，其端部被密封材料30覆盖。也就是说，扫描线25的端部介于对置基板20和密封材料30之间。

另外，在图6中，扫描线25中被密封材料30覆盖的端部(以下记为“导通部25a”)的宽度比存在于显示区域V内的部分的宽度宽。关于第偶数条扫描线25也一样，如图6所示，沿X方向朝向密封材料30的A侧的边延伸，位于其端部的导通部25a与密封材料30的A侧的边重叠。另外，元件基板10在液晶侧的表面在密封材料30的内周缘附近形成具有沿显示区域V的边缘的呈框状的周边遮光层57。该周边遮光层57是对显示区域V的边缘附近遮光用的层。

在图6及图7中，在元件基板10的液晶侧表面上，沿着该元件基板10中沿Y方向延伸的两条边缘、而且朝向与该边缘交叉的另一边形成多条迂回布线16。各迂回布线16是连接Y驱动器IC40的输出端子和扫描线25用的布线。更具体地说，如图6所示，迂回布线16由在元件基板10中沿B侧的边缘形成的迂回布线161和在元件基板10中沿A侧的边缘形成的迂回布线162构成。这些迂回布线16的每一条都有导通部16a、以及沿元件基板10的边缘延伸的延伸部16b。

各迂回布线16的导通部16a与扫描线25的导通部25a相向地形成。而且如图7所示，在对置基板20上形成的第奇数条扫描线25的导通部25a通过分散在密封材料30中的导电粒子32，与在元件基板10上形成的迂回布线161的导通部16a导通。关于第偶数条扫描线25也一样，该导通部25a通过密封材料30中位于A侧的边的导电粒子32，与在元件基板10上形成的迂回布线162的导通部16a导通。

如图6所示，各迂回布线16的延伸部16b的一端连接在导通部16a上，同时通过元件基板10中被密封材料30覆盖的区域、即通过与密封材料30重叠的区域，延伸到伸出区10a。更具体地说，迂回布线161的延伸部16b在元件基板10的表面上被密封材料30的B侧的边覆盖、同时沿着与该B侧的边大致同一方向延伸，朝向伸出区10a的B侧部分、即应安装第一Y驱动器IC40a的部分延伸。而且，该延伸部16b中在伸出区10a内伸出的端部连接在第一Y驱动器IC40a的输出端子上。

另一方面，迂回布线162的延伸部16b在元件基板10的表面上被密封材料30的A侧的边覆盖、同时沿着与该A侧的边大致同一方向延伸，在伸出区10a的A侧部分伸出的端部连接在第二Y驱动器IC40b的输出端子上。这样，在本实施例中，迂回布线16的延伸部16b中被密封材料30的边覆盖的部分沿着与该边大致相同的方向延伸。换句话说，密封材料30的边中沿着与迂回布线16的一部分的延伸方向大致相同的方向延伸的边形成该密封材料30，以便覆盖该迂回布线16的一部分。

因此，密封材料30中沿Y方向延伸的两边、即应覆盖迂回布线16的两边的宽度比沿X方向延伸的两边的宽度宽。即，沿X方向延伸的两边的宽度是能将元件基板10和对置基板20贴合在一起的宽度就足够了，与此不同，关于沿Y方向延伸的两边，不仅要将两基板贴合在一起，而且要能覆盖迂回布线16，以此来选定其宽度。

从第一Y驱动器IC40a输出的扫描信号通过在元件基板10上形成的迂回布线161的延伸部16b及导通部16a、以及分散在密封材料30的B侧的边中的导电粒子32，供给在对置基板20上形成的第奇数条扫描线25的导通部25a。同样，从第二Y驱动器IC40b输出的扫描信号通过迂回布线162及分散在密封材料30的A侧的边中的导电粒子32，供给第偶数条扫描线25的导通部25a。

这样，在本实施例中，由于迂回布线16有被密封材料30覆盖的部分，所以能避免水分等附着在该部分上而发生腐蚀。另外，在该部分由于不会发生水分或导电性的杂质跨越多条迂回布线16而附着的事态，所以布线之间不会发生短路，因此，能使迂回布线16相互间的间隔变窄。而且其结果是，能使形成迂回布线16的空间变窄。

其次，说明迂回布线16的层结构。本实施例的迂回布线16由与TFD元件13及像素电极12的显示区域V内的要素为同一层的层形成。但是，迂回布线16中位于伸出区10a内的部分、即位于密封材料30的外侧区域的部分、以及被密封材料30覆盖的部分、即位于与密封材料30重叠的区域的部分的层结构不同。详细说明如下。

图8(a)将图6中用箭头P表示的部分、即迂回布线16中在伸出区10a中延伸的部分放大后示出。另外，图8(b)是沿图8(a)中的H-H’线的剖面图。另外，图8(c)是沿图8(a)及图8(b)中的I-I’线的剖面图。另外，图8(d)是沿图8(a)及图8(b)中的J-J’线的剖面图。

如这些图所示，迂回布线16由第一布线层181、第二布线层182和第三布线层183构成。第一布线层181由与TFD元件13的第一金属膜13a(参照图5(b))为同一层的层形成，第二布线层182由与数据线11的主布线11a及TFD元件13的第二金属膜13c(参照图5(b))为同一层的层形成，第三布线层183由与像素电极12(参照图5(b))为同一层的层形成。即，在本实施例中，第一布线层181由钽构成，第二布线层182由铬构成，第三布线层183由ITO构成。这里，由于铬的离子化倾向比钽或ITO的离子化倾向高，所以第二布线层182与第一布线层181及第三布线层183相比容易被腐蚀。

第一布线层181及第三布线层183对应于从图6中的导通部16a至位于伸出区10a内的端部的迂回布线16的全长形成。与此不同，第二布线层182只在元件基板10中与密封材料30相向的区域内、即只在元件基板10中与密封材料30重叠的区域内形成。

更具体地说，从位于距离密封材料30的外周缘一段规定长度的内侧边界(以下称布线边界)10b看，只在与伸出区10a相反一侧形成第二布线层182，在伸出区10a内则不形成第二布线层182。因此，如图8(b)及图8(c)所示，迂回布线16中从该布线边界10b看，导通部16a一侧的部分、即在与密封材料30重叠的区域中形成的部分按照第一布线层181、第二布线层182及第三布线层183这三层的顺序层叠起来构成。与此不同，如图8(b)及图8(d)所示，从上述布线边界10b看，伸出区10a一侧的部分形成只层叠第一布线层181及第三布线层183两层的结构。

可是，在图8(a)中，迂回布线16中在伸出区10a内形成的部分相对于Y方向构成规定的角度而延伸。因此，在该部分中，与沿Y方向延伸的部分相比、即与被密封材料30覆盖的部分相比，能确保较宽的间距。而且，在本实施例中，迂回布线16中在伸出区10a内形成的部分的宽度W1比被密封材料30覆盖的部分的宽度W2宽。

另外，如图8(b)所示，迂回布线16中从布线边界10b看，在元件基板10的端部形成的外部连接端子17具有与伸出区10a一侧的部分为同一层的层结构。即，各外部连接端子17具有由钽构成的第一布线层181和由ITO构成的第三布线层183层叠的结构。

如上所述，在本实施例中，在与密封材料30重叠的区域内形成作为构成迂回布线16的多个布线层的一部分的第二布线层182，另一方面，对应于该迂回布线16的全长形成了作为除此以外的布线层的第一布线层181，所以具有能有效地抑制该迂回布线16被腐蚀的优点。即，由铬构成的第二布线层182的电阻值低，其反面为，与由钽构成的第一布线层181或由ITO构成的第三布线层183相比，离子化倾向高，对大气的耐腐蚀性低，所以具有容易被腐蚀的特性。

因此，迂回布线16中在不被密封材料30覆盖的部分或外部连接端子17上形成第二布线层182的情况下，该第二布线层182会发生因大气中的水分等的附着而容易被腐蚀的问题。与此不同，如果采用本实施例，则由于只在被密封材料30覆盖的区域形成离子化倾向高的第二布线层182，能避免水分等附着在该第二布线层182上，所以能抑制第二布线层182被腐蚀。

另一方面，构成第一布线层181的钽及构成第三布线层183的ITO与构成第二布线层182的铬相比，其电阻值高。因此，在遍及其全长只由第一布线层181及第二布线层182形成迂回布线16的情况下，布线电阻增高，有可能对液晶装置的显示特性产生不良影响。与此不同，如果采用本实施例，则由于迂回布线16中在被密封材料30覆盖的部分形成电阻值低的第二布线层182，所以具有能抑制布线电阻上升的优点。

另外，在本实施例中，迂回布线16中在伸出区10a内形成的部分的宽度比被密封材料30覆盖的部分的宽度宽。换句话说，由第一布线层181和第三布线层183构成的部分的宽度比包含第二布线层182的部分的宽度宽。因此，伸出区10a内的部分虽然由电阻值较高的第一布线层181和第三布线层183构成，但能避免该部分的布线电阻极端增高的不良情况。

(电光装置的制造方法的实施例)

其次，说明电光装置的制造方法。首先，说明图3中的设置在元件基板10上的数据线11、TFD元件13等各要素的制造方法。图9及图10按照工序的顺序表示元件基板10上的一个显示点50的制造方法。另外，图11按照工序的顺序表示元件基板10上的迂回布线16的制造方法。

如上所述，本实施例的迂回布线16由与构成TFD元件13及像素电极12的各层为同一层的层形成。因此，以下并行地说明显示点50和迂回布线16两者的制造工序。另外，关于图6中应形成迂回布线16的区域，其伸出区10a、应形成密封材料30的区域、以及应安装Y驱动器IC40的区域的关系如图11(a)所示。

首先，如图9(a)及图11(a)所示，在元件基板10的表面上形成由钽构成的金属膜61。为了形成该金属膜61，可以采用例如溅射法或电子束蒸镀法。金属膜61的厚度可以根据TFD元件13的用途等选择适当的值，但通常为100nm～500nm左右。另外，在形成金属膜61之前，也可以在元件基板10的表面上形成由氧化钽(Ta2O5)等构成的绝缘膜。如果将该绝缘膜作为基底，则能提高该金属膜61和元件基板10的紧密接触性，同时能抑制杂质从元件基板10向金属膜61扩散。

其次，通过光刻处理及刻蚀处理，对金属膜61进行构图。具体地说，在图6中的显示区域V内，金属膜61被构图成图9(e1)所示的对应于TFD元件13的第一金属膜13a的形状、沿图9(a1)所示的在X方向上形成列的多个显示点50延伸的形状。

另一方面，在应形成图6中的迂回布线16的区域中，利用与上述构图相同的工序，如图11(b)所示，形成构成迂回布线16的第一布线层181、以及构成外部连接端子17的第一布线层181。如上所述，构成迂回布线16的第一布线层181对应于从图6中的导通部16a至位于伸出区10a内的端部的迂回布线16的全长形成。

其次，在图9(a)中，通过采用阳极氧化法使在显示区域V内形成的金属膜61的表面氧化，如图9(b)所示，在该金属膜61的表面上形成由氧化钽构成的氧化膜62。具体地说，将元件基板10浸渍在规定的电解液中，将规定的电压加在显示区域V内的金属膜61和电解液之间，使该金属膜61的表面氧化。氧化膜62的厚度可以根据TFD元件13的特性选择适当的值，例如为10～35nm左右。另外，作为阳极氧化使用的电解液，可以采用例如0.01～0.1重量％的柠檬酸水溶液。此后，为了谋求除去针孔、使膜的质量稳定，对通过上述阳极氧化形成的氧化膜62进行热处理。另外，对图11(b)所示的迂回布线16用的第一布线层181不进行阳极氧化。因此，在该第一布线层181的表面上不形成氧化膜(参照图11(c))。

其次，如图9(c)及图11(c)所示，覆盖着元件基板10的整个表面形成金属膜63。该金属膜63采用例如溅射法等形成50nm～300nm左右的厚度。该金属膜63是构成图10(c1)的数据线11中的主布线11a、图9(e1)中的TFD元件13的第二金属膜13c、以及图11(f)中的迂回布线16的第二布线层182的薄膜。因此，本实施例的金属膜63由铬形成。

此后，在图9(c)及图11(c)中，通过光刻处理及刻蚀处理，对金属膜6 3进行构图。因此，在显示区域V内，如图9(d)及图9(d1)所示，形成相当于第二金属膜11c的具有细的部分的主布线11a、以及图9(e1)中的第二TFD元件132的第二金属膜13c。

另一方面，在应形成迂回布线16的区域中，通过进行图11(c)中的金属膜63的构图，如图11(d)所示，形成第二布线层182。即，迂回布线16中从布线边界10b起形成对应于导通部16a(参照图6)一侧部分的形状的第二布线层182。换句话说，在以前的工序中形成的位于第一布线层181的表面上的金属膜63中，从布线边界10b看，将对应于伸出区10a一侧的部分(包括应形成外部连接端子17的部分)的金属膜63除去。

其次，在图9(d)中，采用光刻处理及刻蚀处理方法，对上述的金属膜61及氧化膜62进行构图，如图9(e)及图9(e1)所示，形成构成各显示点50的TFD元件13的第一金属膜13a及绝缘膜13b。即，在被氧化膜62覆盖的金属膜61中，通过将沿X方向形成列的各显示点50相互间的部分除去，对第一金属膜13a及绝缘膜13b进行构图，以便构成与第二金属膜11c及13c两者交叉的岛状部分。通过该工序，在每个显示点50上形成第一TFD元件131及第TFD元件132。另外，图10(a)是沿图9(e1)中的F-F’线的剖面图，示出了数据线11的主布线11a及第二TFD元件132的第二金属膜13c的剖面形状。

另外，在进行图9(d)中的金属膜61及氧化膜62的构图时，对图11(d)中的迂回布线16用的第一布线层181及第二布线层182不进行任何处理。

可是，在上述的例子中，对图9(c)中的金属膜63进行了构图处理后，虽然对图9(d)中的金属膜61及氧化膜62也进行了构图处理，但与此相反，在进行了金属膜61及氧化膜62的构图后，也可以进行金属膜63的形成及该金属膜63的构图。

其次，如图10(b)及图11(e)所示，以覆盖元件基板10的整个表面的方式形成由ITO构成的透明导电膜64。对该成膜工艺能采用例如溅射法等。此后，例如通过光刻处理及刻蚀处理，对透明导电膜64进行构图。因此，在显示区域V内，如图10(c)及图10(c1)所示，形成连接在第二TFD元件132的第二金属膜13c上的像素电极12、以及与主布线11a一起构成数据线11的辅助布线11b。

另一方面，如图11(f)所示，在显示区域V的外侧，对应于迂回布线16的全长，形成覆盖第一布线层181及第二布线层182的第三布线层183、以及覆盖外部连接端子17的第一布线层181的第三布线层183。

此后，如图3所示，在元件基板10中形成覆盖显示区域V的取向膜56，同时沿规定方向对该取向膜56进行摩擦处理。其次，在图11(g)中，例如采用丝网印刷等技术涂敷分散了导电粒子32的密封材料30。另外，这时以覆盖第二布线层182的全长，即第二布线层182不到达伸出区10a的方式，涂敷该密封材料30。

以上，是在图3中的元件基板10上制造各种要素用的制造方法。其另一方面，例如经过图12及图13所示的工序，形成设置在对置基板20上的各要素。另外，这些图示出了图6的对置基板20中应该用密封材料30覆盖的区域的剖面的附近情况。在图12(a)中，应形成密封材料30的区域作为“密封区域”示出。

首先，在图12(a)中，使对置基板20中应形成反射层21的区域的表面粗糙化。具体地说，例如用刻蚀处理方法，有选择地将该对置基板20的表面中多个微细的区域除去规定的厚度。因此，在对置基板20的表面上形成具有与已除去的部分对应的凹部和与未除去的部分对应的凸部的粗糙面。

但是，使对置基板20的表面粗糙化的方法不限于此。例如，以覆盖对置基板20的方式形成环氧类或丙烯酸类的树脂层，通过刻蚀有选择地除去该树脂层表面上的许多微细部分。然后，加热使该树脂层软化，通过使刻蚀所产生的角的部分圆滑，可形成有圆滑的凹凸的粗糙面。

其次，在图12(a)中，用溅射法等覆盖着对置基板20的整个表面，形成有光反射性的金属薄膜。例如用铝或银这样的单质金属、或以它们为主成分的合金等形成该薄膜。此后，通过采用光刻处理及刻蚀处理，对该薄膜进行构图，形成图12(b)所示的反射层21。

其次，如图12(c)所示，在反射层21的表面上形成滤色片22及遮光层23。即，首先利用染料或颜料，在反射层21的表面上形成被着色成R(红)、G(绿)或B(蓝)中的某一种颜色、例如R色的树脂膜后，留下应形成R色的滤色片22的区域、以及应形成遮光层23的网格状的区域即显示点50相互间的间隙区域，将该树脂膜除去。以后，对另外的两种颜色、即G色及B色，重复进行与此相同的工序，则如图12(c)所示，形成对应于R、G或B中的某一颜色的滤色片22、以及层叠了这三种颜色的层的遮光层23。

此后，在图12(d)中，覆盖着滤色片22及遮光层23，涂敷环氧类或丙烯酸类的树脂材料，再对它进行焙烧形成外覆盖层24。其次，在图13(e)中，以覆盖形成了上述各要素的对置基板20的整个表面的方式形成由ITO等构成的透明导电膜65。该成膜工艺能用例如溅射法等。

采用光刻处理及刻蚀处理方法，对该透明导电膜65进行构图，如图13(f)所示，形成多条扫描线25。这些扫描线25中的每一条都形成到应形成密封材料30的A侧及B侧的边的区域，在其端部形成导通部25a。此后，如图13(g)所示，以覆盖显示区域V的方式形成取向膜26，同时对该取向膜26进行摩擦处理。

其次，如图2所示，将密封材料30夹在经过上述各工序获得的元件基板10和对置基板20之间并使两基板贴合在一起，使得各基板的电极形成面相向。这时，在图6中，调整两基板10、20的相对位置，以便各扫描线25的导通部25a和迂回布线16的导通部16a相向地将密封材料30夹在中间。

然后，在图2中，通过密封材料30的开口部分，将液晶封入由两个基板10、20和密封材料30包围的区域内，其后，用封口材料31封死该开口部分。此后，将偏振片或延迟片等粘贴在两基板10、20的外侧表面上，同时采用COG技术，将X驱动器IC41及Y驱动器IC40安装在元件基板10的伸出区10a上，由此能获得上述的液晶装置1。

这样，如果采用本实施例，则因为由与TFD元件13及像素电极12共同的层形成迂回布线16，所以与另外实施形成TFD元件13及迂回布线16各自的工序的情况相比，能实现制造工序的简化及制造成本的降低。

可是，作为防止图8(b)中所示的耐腐蚀性低的第二布线层182的腐蚀的另一种方法，例如可以暂且考虑利用由树脂材料等构成的绝缘层覆盖迂回布线16中形成了该第二布线层182的部分。可是，在此情况下，由于不能缺少形成该绝缘层用的工序，所以仅此工序就增加了制造成本。与此不同，如果采用本实施例，则由于利用密封材料30覆盖第二布线层182，所以不需要上述的形成绝缘层用的独立的工序。因此，如果采用本实施例，能获得不伴随制造成本的增加和制造工序的复杂化，而能抑制第二布线层182被腐蚀的效果。

以上，虽然说明了本发明的一个实施例，但上述实施例毕竟是一个例子，在不脱离本发明的宗旨的范围内，能对上述实施例进行各种变形。作为变形例，例如可以考虑以下的例子。

(电光装置的第二实施例)

在图6所示的先前的实施例中，虽然迂回布线16的一部分形成被沿着与该一部分大致相同的方向延伸的密封材料30的边覆盖的结构，但能采用图14所示的结构来代替。另外，图14表示从观察侧看液晶装置81时布线的形态。另外，在图14中对与图6所示的构成要素相同的构成要素标以相同的符号。另外，在图14中与图6相同，元件基板10相对于纸面位于最跟前一侧，除此以外的要素相对于该元件基板10位于纸面内部一侧。

在图14中，在元件基板10上由导通部16a和延伸部16b形成迂回布线16。而且，导通部16a通过密封材料30中的导电粒子32与扫描线25的导通部25a导通，这一点与图6所示的实施例的情况相同。可是，在本实施例中，延伸部16b不在被密封材料30覆盖的区域内延伸，即不在与密封材料30重叠的区域内延伸，而在由该密封材料30的内周缘包围的区域内、即在显示区域V内延伸，这一点与图6所示的实施例不同。

即，在本实施例中，延伸部16b在由密封材料30的内周缘包围的区域内与导通部16a连接，同时在该区域内朝向伸出区10a延伸。而且，横切密封材料30的一边30a，到达伸出区10a内，其端部连接在Y驱动器IC40的输出端子上。

图15是表示本实施例的迂回布线16的层结构的图，是与先前的实施例中的图8(b)对应的图。如图15所示，迂回布线16的层结构与如图8(b)所示的先前的实施例的迂回布线16的层结构相同，形成层叠了以下三层的结构：由与图5(b)中的TFD元件13的第一金属膜13a为同一层的层形成的第一布线层181；由与图5(a)中的数据线11的主布线11a及TFD元件13的第二金属膜13c为同一层的层形成的第二布线层182；以及由与图5(a)中的像素电极12为同一层的层形成的第三布线层183。

从图14中的导通部16a起沿着遍及位于伸出区10a内的端部的迂回布线16的全长形成第一布线层181及第三布线层183。即，遍及元件基板10中与密封材料30重叠的区域、与液晶35相向的区域(即由密封材料30的内周缘包围的区域)、以及伸出区10a设置第一布线层181及第三布线层183。

与此不同，第二布线层182不进入伸出区10a，而是遍及元件基板10中与密封材料30重叠的区域、以及与液晶35相向的区域而设置。即，在图6所示的先前的实施例中，由于采用迂回布线1 6在被密封材料30覆盖的区域内、即在与密封材料30重叠的区域内延伸的结构，所以只在被密封材料30覆盖的区域中形成第二布线层182。与此不同，本实施例的第二布线层182除了被密封材料30覆盖的区域以外，还在与液晶35相向的区域中形成。在本实施例中也与图6所示的实施例相同，能避免大气中的水分等附着在该第二布线层182上，因此能抑制该第二布线层182被腐蚀。

(电光装置的第三实施例)

在图8(b)及图15所示的实施例中，虽然迂回布线16形成为有第一布线层181和第三布线层183的结构，但也可以形成只有它们中的任意一层的结构。即，也可以将迂回布线16中位于被密封材料30覆盖的区域内的部分形成第一布线层181和第二布线层182层叠的结构，只用第一布线层181构成位于伸出区10a内的部分。不过，如图8(b)等所示的实施例所示，如果采用将第三布线层183层叠在第一布线层181和第二布线层182上的结构，则具有能将布线电阻抑制得很低的优点。

(电光装置的第四实施例)

在图6及图14所示的实施例中，关于与扫描线25导通的迂回布线16，虽然作成利用密封材料30覆盖其一部分布线层的结构，但除此以外的布线，例如数据线11也能采用同样的结构。即，在被密封材料30及液晶35覆盖的区域内形成数据线11中由铬构成的主布线11a，另一方面，还可以遍及该数据线11的全长形成由耐腐蚀性高的ITO构成的辅助布线11b，以便除了被密封材料30及液晶35覆盖的区域内以外，还进入伸出区10a。另外，在此情况下的布线、即数据线11不与对置基板20上的任何布线导通。也就是说，本发明中的“布线”不一定必须与在其他基板上形成的布线导通。

(电光装置的第五实施例)

在图8(b)或图15所示的实施例中，由与显示区域V内的要素、即TFD元件13、像素电极12等共同的层形成了构成迂回布线16的各布线层181、182、183。可是，本发明的电光装置不一定必须总是这样构成，也可以利用与显示区域V内的要素不同的工序形成迂回布线16。

即，在图8(b)或图15所示的实施例中，虽然用钽形成了第一布线层181，用铬形成了第二布线层182，用ITO形成了第三布线层183，但各布线层的材料不限于这些。不过，即使在用与图8(b)等所示的实施例的例子不同的材料形成各布线层的情况下，最好在与密封材料30重叠的区域内形成这些布线层中离子化倾向高、即耐腐蚀性低的布线层，另外，最好与该迂回布线16的全长对应地形成其他布线层。

(电光装置的第六实施例)

在图6或图14所示的实施例中，形成了TFD元件13的元件基板10位于观察侧，形成了扫描线25的对置基板20位于背面侧。可是，也可以与此相反，使元件基板10位于背面侧，使对置基板20位于观察侧。在此情况下，也可以不在对置基板20上而是在元件基板10上形成图3中的反射层21。

另外，在图3所示的实施例中，虽然在作为位于背面侧的基板的对置基板20上形成了滤色片22及遮光层23，但也可以采用在位于观察侧的基板上形成这些要素的结构。或者，也可以不设置滤色片22或遮光层23，而采用只进行黑白显示的结构。即，在图3所示的实施例中，虽然元件基板10对应于本发明的“第一基板”，对置基板20对应于本发明的“第二基板”，但本发明的“第一基板”及“第二基板”的每一种也可以是位于观察侧或背面侧中的任意一侧的基板，也可以根据需要，将TFD元件13、反射层21、滤色片22等要素设置在某一基板上。

另外，在图3所示的实施例中，虽然举例示出了只进行反射型显示的反射型液晶装置，但本发明也能适用于只进行所谓的透射型显示的透射型液晶装置。例如，为了将图3中的结构变更成透射型，在作为背面侧基板的对置基板20上不设置反射层21，使来自背面侧的入射光通过液晶35，出射到观察侧即可。

另外，还能将本发明应用于能进行反射型显示和透射型显示这两种显示的所谓的半透射半反射型液晶装置。在此情况下，例如在图3中，也可以采用下述的结构代替反射层21，即，设置每个显示点50上都有开口部的反射层、或者设置使入射到表面上的光中的一部分反射、使另一部分透射的结构的半透射半反射层(所谓的半反射镜)，同时将照明装置配置在液晶装置的背面侧。

另外，在图6或图14所示的实施例中，虽然举例示出了使用作为两端型开关元件的TFD元件的有源矩阵方式的液晶装置，但当然也可以作如下代替，即，将本发明应用于使用以TFT(薄膜晶体管)元件为代表的三端型开关元件的有源矩阵方式的液晶装置，或者将本发明应用于不具有开关元件的无源矩阵方式的液晶装置。

从以上可知，如果是如下构成的液晶装置，即，从支撑液晶的基板中与密封材料相向的区域、也就是从与密封材料重叠的区域，横切该密封材料的外周缘设置延伸到其外侧的图形的布线的结构的液晶装置，则不管其他结构要素的形态如何，都能应用本发明。

(电子装置的实施例)

其次，说明使用本发明的电光装置的电子装置。图16(a)表示将本发明应用于移动型个人计算机、即携带型的个人计算机、所谓的笔记本型个人计算机的情况，特别是作为其显示部应用的情况。

这里所示的个人计算机71备有：配备键盘711的主机部712、以及应用了本发明的电光装置的显示部713。作为该个人计算机71中使用的电光装置，为了在暗处也能确保可视性，最好是不只能进行反射型显示，而且能进行透射型显示的半透射半反射型的电光装置。

其次，图16(b)表示将本发明的电光装置作为移动电话机的显示部使用的情况。在该图中，移动电话机72有多个操作按钮721、受话口722、送话口723、以及显示部724。显示部724能用本发明的电光装置构成。另外，为了确保在暗处的可视性，最好将半透射半反射型的电光装置作为显示部724使用。

另外，作为能应用本发明的电光装置的电子装置，除了图16(a)所示的个人计算机、以及图16(b)所示的移动电话机以外，还能考虑液晶电视、取景器型磁带录像机、监视器直视型磁带录像机、车辆导行装置、传呼机、电子笔记本、台式计算器、文字处理器、工作站、电视电话、POS终端、数码相机等。另外，也可以将本发明的电光装置作为光阀用的投影机等考虑为本发明的电子装置。

如上所述，如果采用本发明的电光装置，则由于能抑制在基板上形成的布线被腐蚀，所以在使用该电光装置的电子装置中，能避免导通不良等现象，确保高可靠性。

(电光装置的第七实施例)

图17表示将本发明应用于作为电光装置的一例的有源矩阵方式的EL(电致发光)装置110时的实施例。另外，图18表示沿图17中的K-K’线的EL装置110的剖面结构。

在这些图中，在基板100上形成：形成多个像素的区域、即显示区域V；栅极侧驱动电路102；以及源极侧驱动电路103。来自各个驱动电路的各种布线经过输入输出布线112、113、114至FPC111，通过该FPC111与外部装置连接。FPC111通过ACF(各向异性导电膜)115连接在基板100的边缘端部。

这时，采取至少包围着显示区域V、最好包围着驱动电路102、103及显示区域V的方式设置罩104。该罩104呈具有其内侧的高度尺寸比显示区域V的高度大的凹部的形状或不具有这样的凹部的片状，利用粘结剂105固定在基板100上，以便与基板100协同形成密闭空间。这时，EL元件形成完全被封入上述的密闭空间的状态，与外部大气完全隔绝。

能设置多个罩104。另外，罩104的材料最好是玻璃、聚合物等绝缘性物质。例如，能采用：硼硅酸盐玻璃、石英等非晶质玻璃、结晶化玻璃、陶瓷玻璃、有机类树脂(例如，丙烯酸类树脂、苯乙烯类树脂、聚碳酸酯类树脂、环氧类树脂等)、硅酮类树脂等。另外，如果粘结剂105是绝缘性物质，则能使用不锈钢合金等金属材料。

作为粘结剂105能使用环氧类树脂、丙烯酸盐类树脂等粘结剂。另外，还能将热固化性树脂或光固化性树脂作为粘结剂使用。但有必要采用尽可能不透过氧气、水分的材料。

最好将氩、氦、氮等惰性气体充填在罩104和基板100之间的空隙106中。另外，不限于气体，也能使用惰性液体，例如以全氟链烷烃为代表的液态氟化碳等。另外，将干燥剂放入空隙106中也有效，作为这样的干燥剂，例如可以考虑氧化钡。

如图17所示，分别独立的多个显示点50呈矩阵状排列在显示区域V中。如图18所示，这些显示点50全部都有保护电极249作为公用电极。在罩104的内部区域靠近FPC111一侧的区域108中，保护电极249连接在输入布线113的一部分上。将规定的电压、例如接地电位、例如0V通过FPC111及输入输出布线113加在保护电极249上。

图19表示沿着图17中的箭头L的相邻的两个显示点50。另外，图20作为等效电路图示出了这些显示点内的电路结构。另外，图21表示沿着图19中的M-M’线的驱动EL元件用的有源源件部分的剖面结构。

如图19及图20所示，各个显示点50有：具有作为开关用元件功能的开关用TFT201、以及具有作为控制流  EL元件的电流量的电流控制用元件功能的电流控制用TFT202。开关用TFT201的源极连接在源极布线221上，其栅极连接在栅极布线211上，而且，其漏极连接在电流控制用TFT202的栅极上。

另外，电流控制用TFT202的源极连接在电流供给线212上，其漏极连接在EL元件203上。另外，EL元件203是用阳极和阴极将包含发光层的EL层夹在中间的结构的发光元件。在图19中，像素电极246作为大致呈方形的阳极示出，含有发光层的EL层247层叠在该像素电极246上，在EL层247上层叠作为各显示点50共同的公用电极的阴极(图中未示出)，利用该层叠结构形成EL元件203。

在图21中，在基板100上形成成为基底的绝缘膜206。基板100例如能用玻璃基板、玻璃陶瓷基板、石英基板、硅基板、陶瓷基板、金属基板、塑料基板或塑料薄膜等形成。

基底膜206在特别是使用包含可动离子的基板或具有导电性的基板的情况下有效，但在使用石英基板作为基板100的情况下，不设置基底膜206也没有关系。作为基底膜206例如使用含有硅的绝缘膜即可。另外，最好使基底膜206具有能发散TFT中发生的热用的散热功能。

在本实施例中，在一个显示点内设有两个TFT，具体地说设有具有作为开关用元件功能的开关用TFT201、以及具有作为控制流入EL元件的电流量的电流控制用元件功能的电流控制用TFT202。在本实施例中，这些TFT虽然都形成了n沟道型TFT，但也能使两方或某一方形成p沟道型TFT。

开关用TFT201有包含源极区213、漏极区214、LDD(轻掺杂漏)区215a、215b、215c、215d、高浓度杂质区216及沟道形成区217a、217b这5种要素的有源层。另外，开关用TFT201还有栅绝缘膜218、栅极219a、219b、第一层间绝缘膜220、源极布线221、以及漏极布线222。

如图19所示，栅极219a、219b呈双栅极结构，利用由电阻比该栅极219a、219b低的另外的材料形成的栅极布线211进行导电性连接。当然，不止是双栅极结构，也可以是三栅极结构等所谓多栅极结构、即包含具有串联连接的两个以上的沟道形成区的有源层的结构。

由包含晶体结构的半导体膜、即单晶半导体膜或多晶半导体膜或微晶半导体膜形成有源层。另外，栅极219a、219b、源极布线221、漏极布线222能使用所有的种类的导电膜。另外，在开关用TFT201中，LDD区域215a～215d通过栅绝缘膜218而且与栅极219a、219b不重叠地设置。这样的结构对于降低关断电流值非常有效。

其次，在图21中，电流控制用TFT202有：包含源极区231、漏极区232、LDD区233及沟道形成区234这四种要素的有源层；栅绝缘膜218；栅极235；第一层间绝缘膜220；源极布线236；以及漏极布线237。另外，栅极235虽然呈单一栅极结构，但也能用多栅极结构代替它。

在图21中，开关用TFT201的漏极连接在电流控制用TFT的栅极上。具体地说，电流控制用TFT202的栅极235通过开关用TFT201的漏极区214和漏极布线222导电性地连接。另外，源极布线236连接在电流供给线212上。

电流控制用TFT202与供给使EL元件203发光用的电流的同时，能控制其供给量进行灰度显示。因此，有必要采取因注入热载流子而引起的恶化的措施，以便即使流过电流也不会恶化。另外，进行黑白显示时，虽然使电流控制用TFT202呈关断状态，但这时如果关断电流值高，则不能进行良好的黑白显示，导致对比度降低。因此，最好还要抑制关断电流值。

在图21中，在第一层间绝缘膜220上形成第一钝化膜241。该第一钝化膜241例如用含硅的绝缘膜形成。该第一钝化膜241有保护所形成的TFT不受碱金属和水分的侵害的功能。最后在TFT的上方设置的EL层中含有钠等碱金属。即，第一钝化膜241具有作为使这些碱金属不至于侵入TFT一侧的保护层的功能。

另外，如果使第一钝化膜241具有散热功能，则能防止EL层的热恶化。另外，在图21的结构中，为了使光投射到基板100上，第一钝化膜241必须具有透光性。另外，在用有机材料作为EL层的情况下，由于该EL层与氧结合而变坏，所以最好不使用容易释放氧的绝缘膜。

在第一钝化膜241上以覆盖各TFT的形式形成第二层间绝缘膜244。该第二层间绝缘膜244具有使由TFT形成的台阶平坦化的功能。作为该第二层间绝缘膜244能使用例如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酰等有机树脂膜。当然，如果能充分地平坦化，则也能使用无机膜。

由于EL层非常薄，所以如果在形成它的面上存在台阶，则有时会引起发光不良。因此，利用第二层间绝缘膜244，使由TFT引起的台阶平坦化，对于使以后在它上面形成的EL层具有正常的功能是重要的。

在第二层间绝缘膜244上形成第二钝化膜245。该第二钝化膜245具有防止从EL元件扩散的碱金属透过的功能。该第二钝化膜245能由与第一钝化膜241相同的材料形成。另外，第二钝化膜245最好具有作为使EL元件中发生的热散逸的散热层的功能，利用该散热功能，能防止热量蓄积在EL元件中。

在第二钝化膜245上形成像素电极246。该像素电极246例如由透明导电膜形成，具有作为EL元件的阳极的功能。形成该像素电极246，以便在第二钝化膜245、第二层间绝缘膜244及第一钝化膜241上开设接触孔、即开口后，在所形成的该接触孔中连接在电流控制用TFT202的漏极布线237上。

其次，在像素电极246上形成EL层247。虽然用单层结构或多层结构形成该EL层247，但一般情况下，多半为多层结构。在该EL层247中，作为直接接触像素电极246的层，有空穴注入层、空穴输运层或发光层。

现在，如果采用空穴输运层及发光层的两层结构，则能利用例如聚苯撑乙烯撑形成空穴输运层。而且，作为发光层，能将氰基聚苯撑乙烯撑用作红色发光层，将聚苯撑乙烯撑用作绿色发光层，将聚苯撑乙烯撑或聚烷基苯撑用作蓝色发光层。

其次，在如上形成的EL层247上形成阴极248，再在它上面形成保护电极249。例如能用真空蒸镀法形成这些阴极248及保护电极249。另外，如果不释放大气连续地形成阴极248及保护电极249，则能抑制EL层247的劣化。另外，由像素电极246、EL层247及阴极248形成的发光元件是EL元件203。

作为阴极248，能使用含有功函数小的镁(Mg)、锂(Li)或钙(Ca)的材料。保护电极249是为了保护阴极248不受外部的水分等的影响而设置的，例如能使用含有铝(Al)或银(Ag)的材料。该保护电极249也有散热效果。

图21所示的结构是对应于R、G、B中的某一颜色的一种使EL元件对应于各个显示点50而形成的单色发光方式的结构。可是，作为发光方式，除了这样的单色发光方式以外，还能用将发白色光的EL元件和滤色片组合的方式、将发蓝色光或蓝绿色光的EL元件和荧光体组合的发光方式、或将透明电极用于阴极并使对应于R、G、B的EL元件重叠的方式等各种方式，能进行彩色显示。当然，用单层形成发白色光的EL层，也能进行黑白显示。

在保护电极249上形成第三钝化膜250。该第三钝化膜250具有保护EL层247不受水分影响的功能，同时根据需要，与第二钝化膜245相同，也可以具有散热功能。另外，在使用有机材料作为EL层的情况下，由于该有机材料与氧结合有可能变坏，所以最好不使用容易释放氧的绝缘膜作为第三钝化膜250。

在本实施例中，如图17所示，在基板100上，不仅能形成显示区域V、而且还能直接形成最适合于驱动电路102、103的结构的TFT，因此，工作能实现高可靠性。另外，作为这里所说的驱动电路，包括移位寄存器、缓冲器、电平移位器、取样电路等。另外，在进行数字驱动的情况下，还能包括D/A变换器等信号变换电路。

另外，在基板100上除了显示区域V及驱动电路102、103等电路结构以外，还能直接形成信号分割电路、D/A变换电路、运算放大器电路、γ校正电路等逻辑电路。另外，还能在基板100上直接形成存储部和微处理器等。

由于如上构成本实施例的EL装置110，所以在图17中，由栅极侧驱动电路102将扫描信号或数据信号中的一方供给栅极布线211，由源极侧驱动电路103将扫描信号或数据信号中的另一方供给源极布线221。另一方面，由电流供给线212将使EL元件发光用的电流供给各显示点50内的电流控制用TFT20。

根据数据信号，逐一选择显示区域V内排列成矩阵状的多个显示点50中的适宜的点，在该选择期间，开关用TFT201呈导通状态，能进行数据电压的写入，在非选择期间，由于TFT201呈关断状态，所以电压被保持。利用这样的开关及存储工作，多个显示点50中的适当的点有选择地发光，利用该发光点的集合，在图17中的纸面内部一侧、即沿图18中用箭头Q表示的方向显示文字、数字、图形等的像。

在图17中，通过布线112将信号传送给源极侧驱动电路103。另外，通过布线113将信号供给栅极侧驱动电路102。另外，通过布线114将电流供给电流供给线212。在本实施例中，在将EL装置110的内部遮蔽成与外部隔开的密闭状态的罩104中，在相当于将布线112、113、114引出到外部的部位的边附近设定布线边界10b。

关于上述的布线112、113、114，从布线边界10b看，存在于布线引出侧(即图17的左侧)的部分的剖面结构如图8(d)所示，形成第一布线层181及层叠在它上面的第三布线层183的两层结构。另一方面，从布线边界10b看，存在于显示区域V一侧的部分的剖面结构如图8(c)所示，形成第一布线层181、层叠在它上面的第二布线层182及层叠在第二布线层182上的第三布线层183的三层结构。也就是说，在布线边界10b的内侧和外侧，布线112、113、114的层结构不同。

例如，如果考虑用电阻低、容易腐蚀的材料形成只存在于布线边界10b的内侧(即显示区域V一侧)的第二布线层182的情况，则由于布线中含有这样的第二布线层182，能将布线电阻值抑制得很低，因此，能用EL装置110进行稳定的图像显示。

而且，即使在这样用容易腐蚀的材料形成第二布线层182的情况下，由于设置该第二布线层182的区域被限制在由罩104与外部遮蔽起来的区域中，所以容易被腐蚀的第二布线层182不接触外部大气，因此，能可靠地防止在全体布线中随着第二布线层182发生腐蚀而发生显示不良的现象。

(其他实施例)

以上，虽然举出优选实施例说明了本发明，但本发明不限定于该实施例，在权利要求所述的发明的范围内能进行各种改变。

例如，电光装置不限定于液晶装置及EL装置，可以考虑需要在基板上形成布线的所有的装置，例如将分散剂及电泳粒子封入基板之间的电泳装置。

如上所述，如果采用本发明，则能抑制在基板上形成的布线被腐蚀。

Claims (19)

1.一种电光装置，有相向配置的第一基板及第二基板，液晶被夹在该第一基板和该第二基板之间，该电光装置的特征在于：

有包围上述液晶的密封材料；以及

沿上述第一基板的一边、而且朝向与该边交叉的另一边迂回的布线，

该布线有

在上述密封材料的内侧区域及上述密封材料的外侧区域上形成的第一布线层；以及

在与上述密封材料重叠的区域上形成的第二布线层；

上述第一布线层和上述第二布线层部分地重叠。

2.一种电光装置，有相向配置的第一基板及第二基板，液晶被夹在该第一基板和该第二基板之间，该电光装置的特征在于：

有包围上述液晶的密封材料；以及

沿上述第一基板的一边、而且朝向与该边交叉的另一边迂回的布线，

该布线有

在与上述密封材料重叠的区域及上述密封材料的外侧区域上形成的第一布线层；以及

在上述密封材料的内侧区域上形成的第二布线层；

上述第一布线层和上述第二布线层部分地重叠。

3.一种电光装置，有相向配置的第一基板及第二基板，液晶被夹在该第一基板和该第二基板之间，该电光装置的特征在于：

有包围上述液晶的密封材料；以及

沿上述第一基板的一边、而且朝向与该边交叉的另一边迂回的布线，

该布线有

在与上述密封材料重叠的区域及上述密封材料的外侧区域上形成的第一布线层；以及

在与上述密封材料重叠的区域上形成的第二布线层；

上述第一布线层和上述第二布线层部分地重叠。

4.一种电光装置，有相向配置的第一基板及第二基板，将该第一基板和该第二基板夹着密封材料而粘合，该电光装置的特征在于：

具有沿第一基板的一边、而且朝向与该边交叉的另一边迂回的布线，

该布线有在与上述密封材料重叠的区域及上述密封材料的外侧区域上形成的第一布线层；以及

在上述密封材料的内侧区域上形成的第二布线层；

上述第一布线层与上述第二布线层部分地重叠。

5.如权利要求1至4中的任意一项所述的电光装置，其特征在于：

位于上述密封材料的外侧区域的上述布线的一端连接在外部连接电路上。

6.如权利要求1至4中的任意一项所述的电光装置，其特征在于：

还有在上述第二基板上形成的电极，该电极与上述第一基板上的上述布线导通。

7.如权利要求1至4中的任意一项所述的电光装置，其特征在于：

备有通过将第一金属膜、绝缘膜、以及第二金属膜层叠在上述第一基板上形成的多个薄膜二极管，

利用与构成上述第一金属膜为同一层的层形成上述第一布线层。

8.如权利要求1至4中的任意一项所述的电光装置，其特征在于：

利用与上述第二金属膜为同一层的层形成上述第二布线层。

9.如权利要求1至4中的任意一项所述的电光装置，其特征在于：

备有通过将第一金属膜、绝缘膜、以及第二金属膜层叠在上述第一基板上形成的多个薄膜二极管，

利用与上述第二金属膜为同一层的层形成上述第二布线层。

10.如权利要求1至4中的任意一项所述的电光装置，其特征在于：

有通过将第一金属膜、绝缘膜、以及第二金属膜层叠在上述第一基板上形成的多个薄膜二极管，以及

连接在该薄膜二极管的第二金属膜上的像素电极，

上述布线有在遍及上述密封材料的内侧区域及上述密封材料的外侧区域这两个区域中在上述第一布线层上形成的、或者在遍及与上述密封材料重叠的区域及上述密封材料的外侧区域这两个区域中在上述第一布线层上形成的第三布线层，

利用与上述像素电极为同一层的层形成该第三布线层。

11.如权利要求1至4中的任意一项所述的电光装置，其特征在于：

有在上述第二基板上形成的布线，

上述第一基板上的布线与上述第二基板上的布线导通。

12.如权利要求11所述的电光装置，其特征在于：

上述第一基板上的布线和上述第二基板上的布线通过分散在上述密封材料中的导电粒子导通。

13.如权利要求1至4中的任意一项所述的电光装置，其特征在于：

构成上述第一基板上的上述布线的上述第二布线层比构成该布线的其他布线层的离子化倾向高。

14.如权利要求1至4中的任意一项所述的电光装置，其特征在于：

构成上述第一基板上的上述布线的上述第二布线层比构成该布线的其他布线层的电阻值低。

15.如权利要求1至4中的任意一项所述的电光装置，其特征在于：

在上述第一基板上形成的布线中在上述密封材料的外侧区域形成的部分的宽度比在与上述密封材料重叠的区域中形成的部分的宽度宽。

16.一种电子装置，其特征在于：

具有权利要求1至4中的任意一项所述的电光装置。

17.一种电光装置的制造方法，该电光装置是液晶装置，在通过密封材料贴合在一起的第一基板和第二基板之间有液晶，上述第一基板中在遍及与上述密封材料重叠的区域和该密封材料的外侧的区域这两个区域中形成了布线，该液晶装置的制造方法的特征在于，包括：

上述第一基板中在遍及与上述密封材料重叠的区域和该密封材料的外侧的区域形成构成上述布线的第一布线层的第一布线层形成工序；

在上述第一基板中在与上述密封材料重叠的区域上形成构成上述布线的第二布线层以使上述第一布线层和上述第二布线层部分地重叠的第二布线层形成工序；以及

通过上述密封材料将上述第一基板及第二基板贴合在一起的粘合工序。

18.如权利要求17所述的电光装置的制造方法，其特征在于：

上述电光装置备有通过将第一金属膜、绝缘膜、以及第二金属膜层叠在上述第一基板上形成的多个薄膜二极管，

在上述第一布线层形成工序中，与形成上述薄膜二极管的第一金属膜的同时，利用与该第一金属膜为同一层的层形成上述第一布线层，

在上述第二布线层形成工序中，与形成上述薄膜二极管的第二金属膜的同时，利用与该第二金属膜为同一层的层形成上述第二布线层。

19.如权利要求17所述的电光装置的制造方法，其特征在于：

上述电光装置备有在上述第一基板的表面上形成的与上述薄膜二极管的第二金属膜连接的像素电极，

在上述粘合工序之前，有上述第一基板中在遍及与上述密封材料重叠的区域和该密封材料的外侧的区域形成构成上述布线的第三布线层的工序，这是与形成上述像素电极的同时，利用与该像素电极为同一层的层形成上述第三布线层的第三布线层形成工序。

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