CN117939919A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开涉及显示装置。显示装置包括：包括显示区域和非显示区域的基板；设置在基板上并且在显示区域中的多个子像素；包括在多个子像素中的每个子像素中的发光层；覆盖发光层的封装层；设置在封装层上的触摸电极和缓冲层；以及设置在缓冲层上的滤色器和黑矩阵，其中，黑矩阵包括第一层、第二层和第三层，其中，滤色器与第一层部分地交叠。

Description

显示装置

技术领域

本公开内容涉及显示装置。

背景技术

最近的能够显示各种信息并与观看信息的用户交互的显示装置需要具有各种尺寸、各种形状和各种功能。

这些显示装置包括液晶显示装置(LCD)、电泳显示装置(EPD)和有机发光显示装置(OLED)。

有机发光显示装置是自发光显示装置并且这与LCD的情况不同不需要单独的光源，并且因此可以以重量轻且薄的形式制造。此外，有机发光显示装置不仅由于低电压操作而在功耗方面具有优势，而且在显色性、响应速度、视角和对比度(CR)方面也是优异的，并且因此正在作为下一代显示器而被研究。

有机发光显示装置使用多个薄膜晶体管(TFT)来控制流经有机发光二极管的电流，以显示图像。提供偏振器以防止外部光的反射并且减少显示图像时的内部光泄漏。

此外，为了便携性，诸如无线终端、PDA(个人数字助理)、PMP(便携式多媒体播放器)和电子笔记本的便携式终端越来越小。然而，由于用户想要在便携式终端的屏幕上观看诸如文本信息、视频、静止图像、MP3和游戏的各种信息，因此需要其显示装置的大而宽的屏幕。然而，便携式终端的小型化需要显示装置的屏幕尺寸减小。因此，满足这两个要求是有限度的。

为了克服这一限制，最近开发了柔性显示装置，例如可弯曲显示装置或可折叠显示装置。

发明内容

配备有偏振器的有机发光显示装置具有以下问题。由于偏振器，有机发光显示装置的亮度降低，使得功耗应当增加以提高亮度。

有机发光显示装置可以包括设置在其上设置有薄膜晶体管和发光元件的基板上的滤色器。薄膜晶体管的源电极和漏电极设置在基板上，并且电连接至漏电极的发光元件的阳极电极设置在薄膜晶体管上。

由于因薄膜晶体管的源电极和漏电极引起的表面台阶，因此阳极电极的内部区域的竖直高度(vertical level)高，而阳极电极的外部区域的竖直高度低。

此外，每个阳极电极可以设置在每个子像素中，并且在平面图中可以具有多边形形状。阳极电极可以以规则的方式布置。阳极电极在平面图中可以是倾斜的。

例如，红色子像素和蓝色子像素中的每一个的阳极电极具有六边形或八边形结构。第N列绿色子像素的阳极电极中的每一个可以在平面图中以逆时针方向倾斜5°至50°，并且第N+1列绿色子像素的阳极电极中的每一个可以在平面图中以顺时针方向倾斜5°到50°。

当显示装置不操作时，外部光从阳极电极反射，并且然后穿过设置在阳极电极的顶部上的滤色器，并且然后发射至外部。在这种情况下，因为子像素的阳极电极的结构彼此不同，所以外部光分别从子像素的阳极电极反射的方向可以彼此不同。

反射的光穿过设置在阳极电极和发光层上的滤色器，并且从显示装置中泄漏出来。在这方面，外部光分别从子像素的阳极电极反射的方向可以彼此不同。因此，反射的光以不同的折射角折射，从而导致其中光的颜色被分成彩虹颜色的彩虹不均(rainbow mura)缺陷。

此外，当黑矩阵的高度小于滤色器的高度时，由于黑矩阵与滤色器的高度之间的差异而形成台阶。

由于该台阶，在有机发光显示装置的折叠和展开操作期间，滤色器上的平坦化层与滤色器的侧表面之间的粘附性变弱，使得平坦化层与滤色器之间可能出现剥离缺陷。

因此，本公开内容的发明人可以发明下述显示装置：其中可以减少由于显示装置内部的漏光而导致的彩虹不均缺陷，并且滤色器和黑矩阵的顶表面彼此共面，使得可以防止滤色器与平坦化层之间的剥离缺陷。

根据本公开内容的实施方式的目的是提供下述显示装置：其中不存在偏振器，并且可以减少由于来自子像素的阳极电极的外部光的反射之间的差异而导致的彩虹不均缺陷。

根据本公开内容的实施方式的目的是提供下述显示装置：其中可以防止滤色器与设置在滤色器上的平坦化层之间的剥离缺陷。

根据本公开内容的目的不限于以上提及的目的。根据本公开内容的未提及的其他目的和优点可以基于以下描述来理解，并且可以基于根据本公开内容的实施方式来更清楚地理解。此外，将容易理解，可以使用权利要求中所示的手段或其组合来实现根据本公开内容的目的和优点。

可以提供根据本公开内容的实施方式的显示装置。该显示装置包括：包括显示区域和非显示区域的基板；设置在基板上并且在显示区域中的多个子像素；包括在多个子像素中的每个子像素中的发光层；以及设置在发光层上方的滤色器和黑矩阵，其中，黑矩阵包括第一层、第二层和第三层，其中，滤色器与第一层部分地交叠。

可以提供根据本公开内容的另一实施方式的显示装置。该显示装置包括：包括显示区域和非显示区域的基板；设置在基板上并且在显示区域中的多个子像素和多个晶体管；电连接至多个晶体管中的每个晶体管的发光层；以及设置在发光层上方的滤色器和黑矩阵，其中，黑矩阵包括第一层、第二层和第三层，其中，滤色器与第一层的上表面的一部分和侧表面接触。

其他实施方式的细节包括在具体实施方式和附图中。

根据本公开内容的实施方式，使用滤色器和黑矩阵的结构，可以减少由于来自子像素的阳极电极的外部光的反射之间的差异而导致的彩虹不均缺陷，并且可以防止滤色器与平坦化层之间的剥离缺陷。

除上述效果之外，下面在描述用于执行本公开内容的具体细节的同时一起描述本公开内容的具体效果。

本公开内容的效果不限于以上提及的效果，并且本领域技术人员将根据以下描述清楚地理解未提及的其他效果。

附图说明

图1是根据本公开内容的实施方式的显示装置的框图。

图2是根据本公开内容的实施方式的显示装置的子像素的框图。

图3是根据本公开内容的实施方式的显示装置的截面图。

图4A至图4C示意性地示出了根据本公开内容的形成黑矩阵的实施方式。

图5是根据本公开内容的实施方式的黑矩阵的表面的放大图。

具体实施方式

本公开内容的优点和特征以及实现优点和特征的方法将参考稍后与附图一起详细描述的实施方式变得明显。然而，本公开内容不限于以下所公开的实施方式，而是可以以各种不同的形式来实现。因此，阐述了这些实施方式仅为了使本公开内容完整，并且为了向本公开内容所属技术领域的普通技术人员完全告知本公开内容的范围。

为了说明的简洁和清楚，图中的元件不一定按比例绘制。不同图中的相同附图标记表示相同或相似的元件，并且因此执行相似的功能。此外，为了简化描述，省略了公知的步骤和要素的描述和细节。此外，在本公开内容的以下详细描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本公开内容的透彻理解。然而，应当理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开内容。在其他情况下，未详细描述公知的方法、处理、部件和电路，以免不必要地模糊本公开内容的各方面。下面进一步示出和描述各种实施方式的示例。将理解，本文中的描述并不旨在将权利要求限制为所描述的特定实施方式。相反，意在覆盖替代、修改及其等同内容，该替代、修改及其等同内容可以包括在由所附权利要求所限定的本公开内容的精神和范围内。

在用于描述本公开内容的实施方式的图中公开的形状、大小、比例、角度、数目等是示意性的，并且本公开内容不限于此。在本文中，相同的附图标记指代相同的要素。此外，为了简化描述，省略了公知的步骤和要素的描述和细节。此外，在本公开内容的以下详细描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本公开内容的透彻理解。然而，应当理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开内容。在其他情况下，未详细描述公知的方法、处理、部件和电路，以免不必要地模糊本公开内容的各方面。

本文中使用的术语仅涉及描述特定实施方式的目的，并且不旨在限制本公开内容。如本文中所使用的，除非上下文另有清楚地指示，否则单数构成“一”和“一个”也旨在包括复数构成。还将理解，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(include)”、“包括(including)”在说明书中使用时指定了所陈述的特征、整数、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或更多个其他特征、整数、操作、元件、部件和/或其部分的存在或添加。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联列举项中的一个或更多个的任意和所有组合。诸如“至少之一”的表达在元件的列表之前时可以修改元件的整个列表并且可以不修改该列表中的单个元件。在解释数值时，即使对其没有明确的描述，也可以出现误差或公差。

此外，还将理解，当第一元件或层被称为存在于第二元件或层“上”时，第一元件可以直接设置在第二元件上，或者可以间接设置在第二元件上，其中第三元件或层设置在第一元件或层与第二元件或层之间。将理解，当元件或层被称为“连接至”或“耦接至”另一元件或层时，该元件或层可以直接连接至或直接耦接至另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。此外，还将理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，其可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。

此外，如本文所使用的，当层、膜、区域、板等被设置在另一层、膜、区域、板等“上”或“顶部上”时，前者可以直接接触后者，或者在前者与后者之间可以设置有又一层、膜、区域、板等。如本文中所使用的，当层、膜、区域、板等直接设置在另一层、膜、区域、板等“上”或“顶部上”时，前者直接接触后者，并且又一层、膜、区域、板等不设置在前者与后者之间。此外，如本文所使用的，当层、膜、区域、板等设置在另一层、膜、区域、板等“下”或“下方”时，前者可以直接接触后者，或者在前者与后者之间可以设置有又一层、膜、区域、板等。如本文中所使用的，当层、膜、区域、板等直接设置在另一层、膜、区域、板等“下”或“下方”时，前者直接接触后者，并且又一层、膜、区域、板等不设置在前者与后者之间。

在时间关系例如诸如“在……之后”、“随后”、“在……之前”等的两个事件之间的时间优先关系的描述中，除非指示“直接在……之后”、“直接随后”或“直接在……之前”，否则在这两个事件之间可以发生另一个事件。

当某个实施方式可以不同方式实现时，特定块中指定的功能或操作可以以与流程图中指定的顺序不同的顺序发生。例如，连续的两个块实际上可以基本同时执行，或者这两个块可以取决于所涉及的功能或操作以相反的顺序执行。

将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部段，但这些元件、部件、区域、层和/或部段不应受这些术语的限制。使用这些术语来将一个元件、部件、区域、层和/或部段与另一元件、部件、区域、层和/或部段区分开。因此，在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下，下面所描述的第一元件、部件、区域、层或部段可以被称为第二元件、部件、区域、层或部段。

本公开内容的各种实施方式的特征可以彼此部分或全部地组合，并且可以彼此在技术上相关联或彼此操作。实施方式可以彼此独立地实现，并且可以以关联关系一起实现。

在解释数值时，除非有其单独的明确描述，否则该值被解释为包括误差范围。

除非另有定义，否则本文使用的包括技术术语和科学术语的所有术语具有与本发明构思所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，诸如在常用词典中定义的那些术语的术语应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文明确地如此定义，否则将不被以理想化或过于正式的意义来解释。

如本文中所使用的，“实施方式”、“示例”、“方面”等不应被解释为使得所描述的任何方面或设计高于或好于其他方面或设计。

术语“或”意指“包容性的或”，而非“排他性的或”。也就是说，除非另有说明或根据上下文明确，否则“x使用a或b”的表述意指自然的包容性排列中的任何一个。

以下描述中使用的术语是相关技术领域的一般且通用术语。然而，根据技术、惯例、技术人员的偏好等的发展和/或变化，可以存在所述术语以外的其他术语。因此，以下描述中使用的术语不应理解为对技术构思的限制，而应当理解为用于描述实施方式的术语示例。

此外，在具体情况下，术语可以由申请人任意选择，并且在这种情况下，其详细含义将在对应的描述部段进行描述。因此，以下描述中使用的术语不应基于术语名称简单地理解，而应当基于术语的含义和整个具体实施方式中的内容来例假。

在信号流的描述中，例如当信号从节点A递送至节点B时，除非使用“立即传递”或“直接传递”的短语，否则其可以包括信号从节点A经由另一节点传输至节点B的情况。

如本文中所使用的，术语“显示装置”狭义上可以包括以下显示装置：其包括包含显示面板和用于驱动显示面板的驱动器的液晶模块(LCM)、有机发光二极管(OLED)模块或量子点(QD)模块等。此外，显示装置广义上可以包括以下成套电子器件、成套装置或成套设备：其包括包含LCM、OLED模块或QD模块的完整产品或最终产品；所述成套电子器件、成套装置或成套设备例如笔记本电脑、电视机、计算机显示器、汽车装置、诸如智能手机的移动电子装置或电子平板。

因此，根据本公开内容的显示装置狭义上可以包括例如包含LCM、OLED模块、QD模块等的显示装置本身，并且广义上可以包括作为应用产品或最终用户装置的成套装置，其包括包含LCM、OLED模块或QD模块的完整产品或最终产品。

此外，在一些情况下，由显示面板和驱动器组成的LCM、OLED模块或QD模块可以被狭义地表达为“显示装置”。作为包括LCM、OLED模块或QD模块的完整产品的电子装置可以被广义地表达为“成套装置”。例如，狭义上的显示装置可以包括：诸如液晶面板、有机发光显示面板或量子点显示面板的显示面板，以及作为用于驱动显示面板的控制器的源极PCB。广义上的成套装置可以包括：诸如液晶面板、有机发光显示面板或量子点显示面板的显示面板，作为用于驱动显示面板的控制器的源极PCB，以及作为电连接至源极PCB并控制成套装置的成套控制器的成套PCB。

如本文中所使用的，显示面板可以是例如液晶显示面板、有机发光二极管(OLED)显示面板、量子点(QD)显示面板和电致发光显示面板等中的任何类型的显示面板。本发明的实施方式不限于此。例如，显示面板可以体现为可以通过根据本公开内容的实施方式的振动装置进行振动以产生声音的显示面板。应用于根据本公开内容的实施方式的显示装置的显示面板不限于显示面板的形状或尺寸。

在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的各种实施方式。

图1是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置的框图。

显示装置10可以包括多个区域。例如，显示装置10可以包括其中显示图像的一个或更多个显示区域AA，并且在显示区域AA中可以形成有像素PXL阵列。其中不显示图像的一个或更多个非显示区域NA可以包括驱动器电路区域和坝区域，并且可以设置在显示区域AA的一侧上。例如，非显示区域NA可以与显示区域AA的一个或更多个侧相邻。

参照图1，非显示区域NA可以围绕矩形形状的显示区域AA。然而，应当理解，显示区域AA的形状和与显示区域AA相邻的非显示区域NA的位置不具体地限于如图1所示的显示装置10中的那些。显示区域AA和非显示区域NA中的每一个可以具有任何形状。这些形状的示例可以包括五边形、六边形、圆形、椭圆形等。本公开内容的实施方式不限于此。

显示装置10可以绕显示区域AA中的折叠线FL柔性地折叠或展开。在内折叠方式下，显示装置绕折叠线FL折叠，使得两个显示区域AA面对彼此。在外折叠方式下，显示装置绕折叠线FL折叠，使得两个显示区域AA中的每一个面对外部。当折叠线FL的数目为至少两条时，显示区域AA可以被划分为可以分别绕折叠线折叠或展开的至少三个区域。

显示区域AA中的像素PXL包括子像素。子像素可以显示颜色，例如红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)。此外，子像素中的每一个可以与包括一个或更多个薄膜晶体管(TFT)的像素电路相关联，所述晶体管薄膜晶体管(TFT)设置在显示装置10的基板上。每个像素电路可以电连接至栅极线GL和数据线DL以与一个或更多个驱动器电路通信，驱动器电路例如在显示装置10的非显示区域NA中设置的栅极驱动器GIP和数据驱动器D-IC。

如图1所示，一个或更多个驱动器电路可以实现为在非显示区域NA中设置的TFT。例如，栅极驱动器GIP可以使用显示装置10的基板上的多个TFT来实现。可以实现为基板的TFT的电路的非限制性示例包括逆变器电路、多路复用器和ESD(静电放电)电路。本公开内容的实施方式不限于此。

一些驱动器电路可以作为IC(集成电路)芯片提供，并且可以使用COG(玻璃上芯片)或以其他类似方案安装在显示装置10的非显示区域NA中。此外，一些驱动器电路可以安装在另一基板上，并且可以使用印刷电路板例如柔性PCB(柔性印刷电路板：FPCB)、COF(膜上芯片)、TCP(带载封装)或其他合适的方案耦接至在非显示区域NA中设置的连接接口(焊盘/凸块、引脚)。

在本公开内容的实施方式中，在用于显示的TFT基板中设置有至少两种不同类型的TFT。在像素电路的一部分和驱动器电路的一部分中采用的TFT类型可以根据显示的要求而不同。

例如，像素电路可以实现为具有氧化物有源层的TFT(氧化物TFT)。驱动器电路可以实现为具有低温多晶硅有源层的TFT(LTPS TFT)和具有氧化物有源层的TFT。与LTPS TFT不同，氧化物TFT不经受像素到像素阈值电压Vth变化。也可以在用于显示的像素电路阵列中获得均匀的阈值电压Vth。实现驱动器电路的TFT的阈值电压Vth的均匀性问题对像素的亮度均匀性具有较小的直接影响。

驱动器电路(例如，栅极驱动器)可以具有嵌入在显示面板内部的栅极驱动器IC以减少驱动器IC的数目从而实现降低成本，并且可以向显示面板的显示区域提供高速扫描信号。

使用基板上的要实现为LTPS TFT的驱动器电路，与TFT面板中的所有TFT体现为氧化物TFT时相比，可以以更高的时钟向像素提供信号和数据。因此，可以在没有诸如不均的污点的情况下实现能够高速操作的显示装置。例如，将氧化物TFT和LTPS TFT的优点与TFT面板的设计结合，使得可以根据其优点有选择地使用氧化物TFT和LTPS TFT。

参照图1，从柔性PCB(印刷电路板)(FPCB)输出的低电位电压EVSS、触摸信号ToE和栅极控制信号GCS被施加至显示面板，并且高电位电压经由数据驱动器D-IC被施加至显示面板。

栅极驱动器GIP可以设置有：连接至像素PXL的开关晶体管ST1的SCAN电路，该SCAN电路用于向开关晶体管ST1传输用于导通/关断开关晶体管ST1的信号；以及连接至像素PXL的发光信号线EM的EM电路。

图2示出了可以用于本公开内容的实施方式的子像素电路。图2示出了其中显示装置具有包括三个薄膜晶体管和一个存储电容器的3T1C结构的示例。然而，本公开内容的显示装置不限于这种结构，并且可以具有诸如4T1C、5T1C、6T1C、7T1C、8T1C、4T2C、5T2C、6T2C、7T2C和8T2C的各种结构。

参照图2，根据本公开内容的实施方式的显示装置10可以包括栅极线GL、数据线DL、电源线PL和感测线SL。每个子像素SP可以包括第一开关薄膜晶体管ST1、第二开关薄膜晶体管ST2、驱动薄膜晶体管DT、发光元件D和存储电容器Cst。然而，本公开内容的实施方式不限于此。

发光元件D包括连接至第二节点N2的阳极电极、连接至低电位驱动电压EVSS的输入的阴极电极，以及设置在阳极电极与阴极电极之间的发光元件层。发光元件D可以是有机发光元件。然而，本公开内容的实施方式不限于此。

驱动薄膜晶体管DT可以基于栅极电压与源极电压之间的电压差Vgs来控制流过发光元件D的电流Id。驱动薄膜晶体管DT可以包括连接至第一节点N1的栅电极、连接至用于向漏电极提供高电位驱动电压EVDD的电源线PL的漏电极，以及连接至第二节点N2的源电极。

存储电容器Cst设置在第一节点N1与第二节点N2之间并且连接至第一节点N1和第二节点N2。存储电容器Cst使得预定电压能够保持达一帧。

在显示面板操作期间，第一开关薄膜晶体管ST1可以响应于栅极信号SCAN，将在数据线DL中加载的数据电压Vdata施加至第一节点N1，以便导通驱动薄膜晶体管DT。在这方面，第一开关薄膜晶体管ST1可以包括连接至栅极线GL以从栅极线GL接收栅极信号SCAN的栅电极；连接至数据线DL以从数据线DL接收数据电压Vdata的漏电极；以及连接至第一节点N1的源电极。

第二开关薄膜晶体管ST2响应于感测信号SEN来切换第二节点N2与感测电压读出线SRL之间的电流，使得第二节点N2的源极电压被存储在感测电压读出线SRL的感测电容器Cx中。第二开关薄膜晶体管ST2在显示面板操作期间响应于感测信号SEN来切换第二节点N2与感测电压读出线SRL之间的电流，使得利用初始化电压Vpre来复位驱动薄膜晶体管DT的源极电压。第二开关薄膜晶体管ST2的栅电极连接至感测线SL，其漏电极连接至第二节点N2，并且其源电极连接至感测电压读出线SRL。

图3是根据本公开内容的实施方式的显示装置的截面图。

根据本公开内容的实施方式的显示装置的基板11可以包括第一基板和第二基板以及第一基板与第二基板之间的中间层。

第一基板和第二基板可以由聚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)和聚碳酸酯中的至少一种制成。本公开内容的实施方式不限于此。当基板由塑料材料制成时，显示装置的制造处理可以在基板下方设置有由玻璃制成的支承基板的状态下进行。然后，在显示装置的制造处理完成之后，可以释放支承基板。此外，在释放支承基板之后，可以在基板下方设置用于对基板进行支承的背板(或板)。当基板由塑料材料制成时，湿气可能侵入到基板中，并且然后侵入到薄膜晶体管或发光元件层中，这可能使显示装置的性能劣化。根据本公开内容的实施方式的显示装置可以由两个基板(即，由塑料材料制成的第一基板和第二基板)组成，以防止显示装置由于湿气渗透而性能劣化。此外，在第一基板与第二基板之间可以设置有由无机材料制成的中间层，以防止湿气渗入基板，从而可以提高产品的性能可靠性。中间层可以由无机膜组成。例如，中间层可以由单层硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)或者由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)制成的多层的堆叠体组成。然而，本公开内容不限于此。

在基板11上形成的显示装置可以包括多个区域。在本公开内容中，多个区域包括显示区域AA和非显示区域NA。然而，本公开内容的实施方式不限于此。

在基板11上设置有晶体管部1000、发光部2000、封装部3000、触摸部4000和滤色器部5000。然而，本公开内容不限于此。

在基板11的一个表面上以及显示区域AA和非显示区域NA中可以设置有缓冲层，缓冲层由以下组成：由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)制成的单层，或者由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)制成的多层的堆叠体。缓冲层可以改善在缓冲层上形成的层与基板11之间的附着力，并且可以起到阻挡各种类型的引起缺陷的因素(例如，从基板11流出的碱成分)的作用。此外，缓冲层可以阻止渗入到基板11中的湿气或氧的扩散。

基于基板的类型和材料、薄膜晶体管的结构和类型等，可以省略缓冲层。

在基板11和缓冲层上以及显示区域AA和非显示区域NA中可以形成有构成晶体管部1000的晶体管。显示区域AA中的晶体管可以包括开关晶体管或用于驱动子像素的驱动晶体管，而非显示区域NA中的晶体管可以包括发光晶体管或用于驱动栅极驱动器GIP的栅极驱动晶体管。

根据图3，在显示区域AA中设置有分别红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素的红色驱动晶体管Tr_R、绿色驱动晶体管Tr_G和蓝色驱动晶体管Tr_B。

红色驱动晶体管Tr_R、绿色驱动晶体管Tr_G和蓝色驱动晶体管Tr_B中的每一个可以包括在基板或缓冲层上设置的半导体层110、栅电极120、源电极130S和漏电极130D。半导体层110可以由LTPS(低温多晶硅)或金属氧化物半导体制成。例如，金属氧化物半导体可以由IGZO(铟镓锌氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)和IGO(铟镓氧化物)中的一种制成。然而，本公开内容不限于此。

可以在LPTS半导体层中通过掺杂来形成沟道区域以及分别连接至源电极或漏电极的源极区域或漏极区域。

金属氧化物半导体的导电性可以通过掺杂处理得到改善，在掺杂处理中，杂质被植入到金属氧化物半导体中。金属氧化物半导体可以包括沟道区域，沟道区域中形成有电子或空穴沿其迁移的沟道。

在半导体层110上可以设置有栅极绝缘膜12。由于栅极绝缘膜12设置在半导体层110与栅电极120之间，因此栅极绝缘膜12可以使半导体层110和栅电极120彼此绝缘。

栅极绝缘膜12可以由诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的绝缘无机材料或者绝缘有机材料制成。然而，本公开内容的实施方式不限于此。

栅电极120可以被设置成与半导体层110交叠。

栅电极120可以由单层或多层的堆叠体组成，所述单层或多层堆叠体由银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)、钨(W)和金Au中的任意一种或其合金制成。然而，本公开内容不限于此。

在栅电极120上可以设置有层间绝缘膜13。

层间绝缘膜13可以由诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的绝缘无机材料制成，或者可以由绝缘有机材料制成。然而，本公开内容的实施方式不限于此。

在层间绝缘膜13上可以设置有连接至半导体层110的源电极130S和漏电极130D。

源电极130S和漏电极130D可以在相同的处理中形成，并且可以由银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)、钨(W)和金(Au)中的至少一种制成。替选地，源电极130S和漏电极130D中的每一个可以由至少两个或更多个层组成，所述至少两个或更多个层包括由钛(Ti)制成的第一层和由钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、金(Au)、钕(Nd)和镍(Ni)中的至少一种制成的第二层。然而，本公开内容不限于此。

可以使用与形成源电极130S和漏电极130D的处理相同的处理在非显示区域NA中形成第一线151。

第一线151可以将从柔性PCB(印刷电路板)(FPCB)输出的低电位电压EVSS传输至阴极电极230。

在源电极130S和漏电极130D以及第一线151的一部分上可以设置有第一平坦化层14。

第一平坦化层14可以由无机绝缘膜例如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)或者有机绝缘膜例如聚丙烯酸酯(polyacrylate)或聚酰亚胺组成。本公开内容的实施方式不限于此。

在第一平坦化层14上设置有连接电极140，以便经由在第一平坦化层14中形成的接触孔将漏电极130D和阳极电极210彼此电连接。

连接电极140可以由银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)、钨(W)和金(Au)中的至少一种制成。替选地，连接电极140可以由至少两个或更多个层组成，所述至少两个或更多个层包括由钛(Ti)制成的第一层和由钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、金(Au)、钕(Nd)和镍(Ni)中的至少一种制成的第二层。然而，本公开内容不限于此。

可以在与形成连接电极140的处理相同的处理中形成第二线152并将其设置在非显示区域NA中。第二线152可以连接至第一线151，并且因此可以用作向阴极电极230传输电压的辅助电极。

在连接电极140以及第二线152的一部分上可以设置有第二平坦化层15。

第二平坦化层15可以由例如由聚丙烯酸酯(polyacrylic polyacrylate)或聚酰亚胺制成的有机绝缘膜组成，并且可以减小由在其下方形成的线和接触孔引起的阶梯。然而，本公开内容的实施方式不限于此。

在第二平坦化层15上以及显示区域AA中可以设置有构成发光部2000的阳极电极210、发光元件层220和阴极电极230。

阳极电极210可以经由连接电极140电连接至驱动晶体管DR Tr的漏电极130D。

阳极电极210可以由银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、铅(Pd)、其合金、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)中的至少一种或更多种制成。然而，本公开内容的实施方式不限于此。

在非显示区域NA中可以设置有第三线153，并且第三线153可以在与形成阳极电极210的处理相同的处理中形成。

第三线153可以连接至第二线152和第一线151，并且因此可以用作向阴极电极230传输电压的辅助电极。根据设计，可以省略第二线152或第三线153。

在阳极电极210的一部分以及第三线153的一部分上可以设置有堤21。

堤21可以将多个子像素彼此区分，使光模糊最小化，并且防止在各种视角下的颜色混合。

堤21可以不覆盖阳极电极210与发光区域对应的部分以便使其露出，并且可以与阳极电极210的侧端部区域交叠。

此外，堤21可以与在层间绝缘膜13中形成的孔、在第一平坦化层14中形成的孔以及在第二平坦化层15中形成的接触孔交叠。

堤21可以由诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的无机绝缘材料制成，或者可以由BCB(苯并环丁烯)、丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种有机绝缘材料制成。替选地，堤21也可以体现为向以上材料添加了黑色颜料以减少光反射的黑色堤。然而，本公开内容不限于此。

在堤21上还可以设置有间隔件22。间隔件22从堤21突出。在将有机发光层沉积到发光区域中时，间隔件22可以支承精细金属掩膜(FMM)，以防止堤21被精细金属掩膜损坏。间隔件22可以用于防止有机发光层在后续制造处理期间或在显示装置使用期间被外部物理力损坏。间隔件22可以由与堤21的材料相同的材料制成，并且间隔件22和堤21可以同时形成。然而，本公开内容不限于此。

在堤21的使阳极电极210的一部分露出的开口中可以设置有发光元件层220。发光元件层220可以包括选自红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层和白色发光层的至少一个有机发光层，以便发出特定颜色的光。

当发光元件层220包括白色有机发光层时，发光元件层220可以设置在堤21的开口中以及基板的整个表面上方。

发光元件层220可以不仅包括有机发光层，还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。然而，本公开内容不限于此。

在发光元件层220上可以设置有阴极电极230。阴极电极230向发光元件层220供应电子，并且可以由具有低功函数的导电材料制成。

当显示装置10是顶部发射型时，阴极电极230可以由光透射通过的透明导电材料制成。例如，透明导电材料可以包括铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)。然而，本公开内容不限于此。

替选地，阴极电极230可以由光透射通过的半透射导电材料制成。例如，阴极电极230可以由LiF/Al、CsF/Al、Mg:Ag、Ca/Ag、Ca:Ag、LiF/Mg:Ag、LiF/Ca/Ag和LiF/Ca:Ag中的至少一种或更多种材料制成。然而，本公开内容不限于此。

当显示装置10是底部发射型时，阴极电极230可以用作光从其反射的反射电极，并且可以由不透明导电材料制成。例如，阴极电极230可以由银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)或其合金中的至少一种制成。

在显示装置10的非显示区域NA中设置有驱动器电路区域和坝区域160，在坝区域160中设置有多个坝。非显示区域NA可以是使用其中阴极电极620和EVSS线彼此电连接的连接部、封装层以及多个坝来对显示装置10进行密封的区域。

设置在基板11上的栅极绝缘膜12、层间绝缘膜13、第一平坦化层14和第二平坦化层15可以延伸到非显示区域NA中。

在非显示区域NA中可以设置有线，使得从显示装置10的FPCB施加的电力电压和触摸信号经由线施加至显示面板。

在非显示区域NA的坝区域160中可以设置有多个坝。为了防止由有机材料制成的第二封装层320泄漏，多个坝中的每一个可以具有其中可以堆叠有至少一个绝缘层的堆叠体结构。然而，本公开内容的实施方式不限于此。

多个坝可以包括第一坝161、第二坝162和第三坝163，它们可以分别具有第一高度、第二高度和第三高度，并且可以围绕显示区域AA。

第二高度可以大于第一高度，并且第三高度可以小于第二高度。

即使当第二封装层320流过第一坝161时，第二坝162也会阻挡第二封装层320。

第一坝161、第二坝162和第三坝163中的每一个可以由第一平坦化层14的一部分、第二平坦化层15的一部分、堤部21的一部分和/或间隔件22的一部分构成。

第一线151可以设置在构成第一坝161的第二平坦化层15的一部分和构成第二坝162的第一平坦化层14的一部分下方。

第二线152可以设置在构成第一坝161的第二平坦化层15的一部分下方，并且在构成第二坝162的第一平坦化层14的一部分与第二平坦化层15的一部分之间。

第三线153可以设置在构成第一坝161和第二坝162的第二平坦化层15的一部分与堤部21的一部分之间。

第一线151、第二线152和第三线153可以在其中设置有第一坝161和第二坝162的区域中彼此接触并电连接，并且因此可以将电压传输至阴极电极230。

第一线151、第二线152和第三线153可以被设置成与驱动电路区域中的栅极驱动器GIP的一部分交叠。

可以在阴极电极230上设置有盖层。盖层由保护阴极电极230并且提高外部光效率的有机或无机膜构成。替选地，盖层可以由无机膜构成，并且可以由诸如LiF的金属材料制成，并且盖层还可以包括有机膜。然而，本公开内容的实施方式不限于此。

封装3000可以设置在阴极电极230和盖层上。封装3000可以保护显示装置10免受外部湿气、氧气或异物的影响。例如，封装3000可以防止氧气和湿气从外部渗透到发光材料和电极材料中，以防止发光材料和电极材料的氧化。

封装3000可以由透明材料制成，使得从发光元件层220发射的光通过其透射。

封装3000可以包括第一封装层310、第二封装层320和第三封装层330，以防止湿气或氧气渗透到发光材料和电极材料中。然而，本公开内容的实施方式不限于此。

第一封装层310、第二封装层320和第三封装层330可以顺序地堆叠。然而，本公开内容的实施方式不限于此。

第一封装层310和第三封装层330中的每一个可以由选自硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和铝氧化物(AlyOz)中的至少一种无机材料制成。然而，本公开内容不限于此。

第二封装层320可以覆盖可能在制造过程中出现的外来物质或颗粒。此外，第二封装层320可以使第一封装层310的表面平坦化。

第二封装层320可以由有机材料例如碳氧化硅(SiOC)、环氧树脂、聚酰亚胺(polyimide)、聚乙烯或丙烯酸酯基聚合物制成。然而，本公开内容不限于此。

用于显示装置10的触摸操作的触摸部分4000可以设置在第三封装层330上。

触摸部分4000可以包括可以设置在第三封装层330上的触摸缓冲层41。触摸缓冲层41可以改善形成在触摸缓冲层41上的层与第三封装层330之间的粘附性。

触摸缓冲层41可以由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或者由其制成的多层的堆叠构成。然而，本公开内容不限于此。

触摸缓冲层41可以延伸至设置在非显示区域NA中的柔性PCB(FPCB)与基板11之间的连接部分被设置的区域中。

可以在触摸缓冲层41上设置有触摸桥电极410。触摸桥电极410可以将触摸电极420彼此电连接，并且可以传输触摸信号。

触摸桥电极410可以由银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)、钨(W)和金(Au)或其合金中的一种制成的单层或多层的堆叠构成。然而，本公开内容不限于此。

可以在触摸桥电极410上设置有触摸绝缘层42。

触摸绝缘层42可以包括由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)制成的单层或者由其制成的多层的堆叠。然而，本公开内容不限于此。

触摸电极420可以设置在触摸绝缘层42上。触摸电极420可以连接至设置在非显示区域NA中的多个触摸线，以连接至柔性PCB(FPCB)中的触摸电路。彼此间隔开的触摸电极420中的每一个经由形成在触摸绝缘层42中的接触孔连接至触摸桥电极410。

触摸电路向触摸电极420供应触摸驱动信号以驱动触摸操作，检测来自触摸电极420的触摸感测信号，并且基于检测到的触摸感测信号来感测是否发生触摸和/或触摸位置坐标。

触摸电极420可以由银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)、钨(W)和金(Au)或其合金中的一种制成的单层或多层的堆叠构成。然而，本公开内容不限于此。

触摸电极420和触摸桥电极410可以设置在与堤部21和间隔件22的位置对应的位置处。

可以在触摸电极420上形成有触摸平坦化层43和颜色缓冲层51。

触摸平坦化层43和颜色缓冲层51可以延伸至设置在非显示区域NA中的柔性PCB(FPCB)与基板11之间的连接部分被设置的区域中。

触摸平坦化层43和颜色缓冲层51中的每一个可以由诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的无机绝缘材料或者选自BCB(苯并环丁烯)、丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂中的至少一种有机绝缘材料制成。然而，本公开内容不限于此。

与子像素分别对应的滤色器520_R、520_G和520_B以及黑矩阵510可以设置在颜色缓冲层51上。

滤色器520_R、520_G和520_B以及黑矩阵510可以分别以与子像素对应的方式设置。

黑矩阵510可以包括第一黑矩阵511、第二黑矩阵512和第三黑矩阵513。

黑矩阵510可以设置在与堤部21的位置对应的位置中。

堤部21的宽度可以不同于黑矩阵510的宽度。堤部21的宽度可以大于黑矩阵510的宽度。

黑矩阵510的宽度可以小于堤部21的宽度，以确保从设置在堤部21的开口中的发光元件层220发射的光的最大视角。

为了确保从发光元件层220发射的光的60°视角，堤部21的侧端与黑矩阵510的侧端之间的间隔可以在8um至8.5um的范围内。

黑矩阵510可以设置在与触摸电极420的位置对应的位置处。

触摸电极420的宽度可以不同于黑矩阵510的宽度。触摸电极420的宽度可以小于黑矩阵510的宽度，使得触摸电极420对于显示装置10之外的视图不可见。

图4A和图4C示意性地示出了根据本公开内容的形成黑矩阵510的实施方式。

参照图4A，第一黑矩阵511可以通过在颜色缓冲层51上沉积或涂覆第一黑矩阵材料并且然后使沉积的第一黑矩阵材料图案化而形成。

基于第一黑矩阵511的总重量，第一黑矩阵511可以以25％重量至40％重量的含量包含炭黑、苯胺黑、内酰胺黑和苝黑中的至少一种。然而，本公开内容的实施方式不限于此。

第一黑矩阵511可以限定每个子像素，并且可以阻挡光。

参照图4B，滤色器520_R、520_G和520_B中的每一个可以设置在第一黑矩阵510的侧表面上。滤色器520_R、520_G和520_B中的每一个可以设置在第一黑矩阵510中限定的开口中。

红色滤色器520_R、绿色滤色器520_G和蓝色滤色器520_B可彼此间隔开。红色滤色器520_R、绿色滤色器520_G和蓝色滤色器520_B中的每一个可以与第一黑矩阵511的一部分交叠。红色滤色器520_R、绿色滤色器520_G和蓝色滤色器520_B中的每一个可以覆盖第一黑矩阵511的上表面的一部分。

红色滤色器520_R、绿色滤色器520_G和蓝色滤色器520_B中的每一个可以通过沉积或涂覆包括红色、绿色和蓝色发光材料中的每一种的有机材料并且然后使沉积的有机材料图案化而形成。

参照图4C，第二黑矩阵512可以设置在第一黑矩阵511上，并且在红色滤色器520_R、绿色滤色器520_G和蓝色滤色器520_B中的相邻滤色器之间的间隔中。因此，第一黑矩阵511的下表面的宽度L1可以大于第二黑矩阵512的下表面的宽度L2。

第二黑矩阵512可以通过沉积或涂覆第二黑矩阵材料并且然后使沉积的第二黑矩阵材料图案化而形成。

基于第二黑矩阵512的总重量，第二黑矩阵512可以以1％重量至5％重量的含量包含炭黑、苯胺黑、内酰胺黑、苝黑以及二氧化钛(TiO₂)中的至少一种。第二黑矩阵512可以包括二氧化钛(TiO₂)以及包括炭黑、苯胺黑、内酰胺黑以及苝黑中的至少一种。

第二黑矩阵512的可见光的透射率可以基于黑色材料的含量来控制，以具有低反射功能。

第三黑矩阵513可以通过在第二黑矩阵512上沉积或涂覆第三黑矩阵材料并且然后使化沉积的第三黑矩阵材料图案而形成。

基于第三黑矩阵513的总重量，第三黑矩阵513可以以1％重量至5％重量的含量包含碳纳米管、碳纳米棒以及二氧化硅纳米管中的至少一种。

第三黑矩阵513可以在纳米颗粒处衍射光，从而防止外部光的反射并且减少内部光泄漏。

参照图5，图5是第三黑矩阵513的放大像。管状的纳米颗粒可以包含在第三黑矩阵513中，以在其上衍射入射光。

参照图4C，第二黑矩阵512和第三黑矩阵513中的每一个可以设置在滤色器520_R、520_G和520_B中的相邻滤色器之间。第二黑矩阵512和第三黑矩阵513中的每一个的侧表面可以与滤色器520_R、520_G和520_B中的每一个的侧表面接触。

第一黑矩阵511、第二黑矩阵512和第三黑矩阵513可以顺序地堆叠。

基于颜色缓冲层51的上表面，黑矩阵510的上表面的竖直高度(即，第三黑矩阵513的上表面的竖直高度)可以等于滤色器520_R、520_G和520_B中的每一个的上表面的竖直高度。黑矩阵510的厚度以及滤色器520_R、520_G和520_B中的每一个的厚度可以彼此相等。

如果颜色缓冲层51上的滤色器520_R、520_G、520_B中的每一个的上表面的竖直高度和黑矩阵510的上表面的竖直高度彼此不同，使得滤色器520_R、520_G、520_B中的每一个的上表面与黑矩阵510的上表面之间出现台阶，即当滤色器520_R、520_G和520_B中的每一个的上表面的竖直高度高于黑矩阵510的上表面的竖直高度时，则滤色器520_R、520_G和520_B中的每一个的侧表面可以与颜色平坦化层52接触。

当重复显示装置10的折叠或展开操作时，在其中滤色器520_R、520_G和520_B中的每一个的侧表面与颜色平坦化层52接触的区域中可能出现剥离缺陷。

然而，在本公开内容的实施方式中，滤色器520_R、520_G和520_B中的每一个与黑矩阵510具有相同的高度，使得黑矩阵510的上表面与滤色器520_R、520_G和520_B的上表面构成平坦表面。因此，当重复显示装置10的折叠或展开操作时，可以防止滤色器520_R、520_G和520_B中的每一个与颜色平坦化层52之间的剥离缺陷。

返回参照图3，颜色平坦化层52可以设置在滤色器520和黑矩阵510上。

颜色平坦化层52可以由例如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)制成的绝缘无机绝缘膜构成，或者可以由例如聚丙烯酸酯或聚酰亚胺制成的有机绝缘膜构成。然而，本公开内容的实施方式不限于此。

颜色平坦化层52可以延伸以设置在非显示区域NA中。

可以在颜色平坦化层52上设置有用于将覆盖窗62附接至颜色平坦化层52的粘合剂层61。

粘合剂层61可以被实施为具有72％至79％的可见光透射率的灰色粘合剂层，以降低反射率。

根据本公开内容的实施方式的显示装置可以描述如下。

本公开内容的第一方面提供了一种显示装置，包括：包括显示区域和非显示区域的基板；设置在基板上并且在显示区域中的多个子像素；包括在多个子像素中的每个子像素中的发光层；以及设置在发光层上方的滤色器和黑矩阵，其中，黑矩阵包括第一层、第二层和第三层，其中，滤色器与第一层部分地交叠。

在本公开内容的第一方面的一些实现方式中，显示装置还包括设置在所述发光层上方的缓冲层，基于缓冲层的上表面，黑矩阵的上表面的竖直高度和滤色器的上表面的竖直高度彼此相等。

在本公开内容的第一方面的一些实现方式中，基于第一层的总重量，第一层以25％重量至40％重量的含量包含炭黑、苯胺黑、内酰胺黑以及苝黑中的至少一种。

在本公开内容的第一方面的一些实现方式中，基于第二层的总重量，第二层以1％重量至5％重量的含量包含炭黑、苯胺黑、内酰胺黑、苝黑以及二氧化钛(TiO₂)中的至少一种。

在本公开内容的第一方面的一些实现方式中，基于第三层的总重量，第三层以1％重量至5％重量的含量包含碳纳米管、碳纳米棒以及二氧化硅纳米管中的至少一种。

在本公开内容的第一方面的一些实现方式中，第一层、第二层和第三层被竖直地顺序堆叠。

在本公开内容的第一方面的一些实现方式中，第一层的下表面的宽度大于第二层的下表面的宽度。

在本公开内容的第一方面的一些实现方式中，多个子像素中的每个子像素包括晶体管，其中，显示装置还包括：连接至晶体管的阳极电极；以及堤部，堤部具有限定在其中的使阳极电极露出的开口。

在本公开内容的第一方面的一些实现方式中，黑矩阵与堤部竖直地交叠。

在本公开内容的第一方面的一些实现方式中，堤部的侧端与黑矩阵的侧端之间的间隔在8um至8.5um的范围内。

在本公开内容的第一方面的一些实现方式中，非显示区域包括驱动电路区域和坝区域。

在本公开内容的第一方面的一些实现方式中，显示装置还包括：设置在滤色器和黑矩阵上的平坦化层、粘合剂层和覆盖窗。

在本公开内容的第一方面的一些实现方式中，粘合剂层具有72％至79％的可见光透射率。

在本公开内容的第一方面的一些实现方式中，显示装置还包括：覆盖发光层的封装层；以及设置在封装层上的触摸电极。

本公开内容的第二方面提供了一种显示装置，包括：包括显示区域和非显示区域的基板；设置在基板上并且在显示区域中的多个子像素和多个晶体管；电连接至多个晶体管中的每个晶体管的发光层；以及设置在发光层上方的滤色器和黑矩阵，其中，黑矩阵包括第一层、第二层和第三层，其中，滤色器与第一层的上表面的一部分和侧表面接触。

在本公开内容的第二方面的一些实现方式中，黑矩阵的厚度和滤色器的厚度彼此相等。

在本公开内容的第二方面的一些实现方式中，基于第一层的总重量，第一层以25％重量至40％重量的含量包含炭黑、苯胺黑、内酰胺黑以及苝黑中的至少一种。

在本公开内容的第二方面的一些实现方式中，基于第二层的总重量，第二层以1％重量至5％重量的含量包含炭黑、苯胺黑、内酰胺黑、苝黑以及二氧化钛(TiO₂)中的至少一种。

在本公开内容的第二方面的一些实现方式中，基于第三层的总重量，第三层以1％重量至5％重量的含量包含碳纳米管、碳纳米棒以及二氧化硅纳米管中的至少一种。

在本公开内容的第二方面的一些实现方式中，第一层、第二层和第三层被竖直地顺序堆叠。

在本公开内容的第二方面的一些实现方式中，第一层的下表面的宽度大于第二层的下表面的宽度。

在本公开内容的第二方面的一些实现方式中，第二层和第三层中的每一个的侧表面与滤色器的侧表面接触。

在本公开内容的第二方面的一些实现方式中，显示装置还包括覆盖所述发光层的封装层。

虽然已参照附图更详细地描述了本公开内容的实施方式，但是本公开内容不一定限于这些实施方式，并且可以在本公开内容的技术精神范围内以各种方式进行修改。因此，本公开内容中公开的实施方式旨在描述而非限制本公开内容的技术构思，并且本公开内容的技术构思的范围不受这些实施方式限制。因此，应当理解，上述实施方式在所有方面都不是限制性的而是说明性的。

Claims (23)

1.一种显示装置，包括：

包括显示区域和非显示区域的基板；

设置在所述基板上并且在所述显示区域中的多个子像素；

包括在所述多个子像素中的每个子像素中的发光层；以及

设置在所述发光层上方的滤色器和黑矩阵，

其中，所述黑矩阵包括第一层、第二层和第三层，

其中，所述滤色器与所述第一层部分地交叠。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述显示装置还包括设置在所述发光层上方的缓冲层，以及

基于所述缓冲层的上表面，所述黑矩阵的上表面的竖直高度和所述滤色器的上表面的竖直高度彼此相等。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，基于所述第一层的总重量，所述第一层以25％重量至40％重量的含量包含炭黑、苯胺黑、内酰胺黑以及苝黑中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，基于所述第二层的总重量，所述第二层以1％重量至5％重量的含量包含炭黑、苯胺黑、内酰胺黑、苝黑以及二氧化钛中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，基于所述第三层的总重量，所述第三层以1％重量至5％重量的含量包含碳纳米管、碳纳米棒以及二氧化硅纳米管中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一层、所述第二层和所述第三层被竖直地顺序堆叠。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一层的下表面的宽度大于所述第二层的下表面的宽度。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的每个子像素包括晶体管，

其中，所述显示装置还包括：

连接至所述晶体管的阳极电极；以及

堤部，所述堤部具有限定在其中的使所述阳极电极露出的开口。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述黑矩阵与所述堤部竖直地交叠。

10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述堤部的侧端与所述黑矩阵的侧端之间的间隔在8um至8.5um的范围内。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述非显示区域包括驱动电路区域和坝区域。

12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：设置在所述滤色器和所述黑矩阵上的平坦化层、粘合剂层和覆盖窗。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述粘合剂层具有72％至79％的可见光透射率。

14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：

覆盖所述发光层的封装层；以及

设置在所述封装层上的触摸电极。

15.一种显示装置，包括：

包括显示区域和非显示区域的基板；

设置在所述基板上并且在所述显示区域中的多个子像素和多个晶体管；

电连接至所述多个晶体管中的每个晶体管的发光层；以及

设置在所述发光层上方的滤色器和黑矩阵，

其中，所述黑矩阵包括第一层、第二层和第三层，

其中，所述滤色器与所述第一层的上表面的一部分和侧表面接触。

16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述黑矩阵的厚度和所述滤色器的厚度彼此相等。

17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，基于所述第一层的总重量，所述第一层以25％重量至40％重量的含量包含炭黑、苯胺黑、内酰胺黑以及苝黑中的至少一种。

18.根据权利要求15所述的显示装置，其中，基于所述第二层的总重量，所述第二层以1％重量至5％重量的含量包含炭黑、苯胺黑、内酰胺黑、苝黑以及二氧化钛中的至少一种。

19.根据权利要求15所述的显示装置，其中，基于所述第三层的总重量，所述第三层以1％重量至5％重量的含量包含碳纳米管、碳纳米棒以及二氧化硅纳米管中的至少一种。

20.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一层、所述第二层和所述第三层被竖直地顺序堆叠。

21.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一层的下表面的宽度大于所述第二层的下表面的宽度。

22.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第二层和所述第三层中的每一个的侧表面与所述滤色器的侧表面接触。

23.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括覆盖所述发光层的封装层。