JP2001075118A - 液晶装置およびその製造方法ならびに電子機器 - Google Patents
液晶装置およびその製造方法ならびに電子機器Info
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- JP2001075118A JP2001075118A JP25350499A JP25350499A JP2001075118A JP 2001075118 A JP2001075118 A JP 2001075118A JP 25350499 A JP25350499 A JP 25350499A JP 25350499 A JP25350499 A JP 25350499A JP 2001075118 A JP2001075118 A JP 2001075118A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シール材の外側の配線が腐蝕しても、シール
材の内側の配線に腐蝕が進行しにくい表示並びに長期信
頼性に優れた液晶装置を提供すること。 【解決手段】 シール材２によって互いに対向するよう
に貼り付けられた一対の基板と、データ線４と、走査線
５と、画素電極およびスイッチング素子とを有する液晶
表示装置であって、前記一対の基板の少なくとも一方の
基板の他方の基板との対向面側には、前記データ線４ま
たは前記走査線５を構成する複数の配線が設けられ、前
記複数の配線の各々は、前記シール材２の内側に位置す
る内部配線部５ａと、シール材の外側に位置し、実装端
子とされる実装端子部５ｃと、前記シール材２の内側か
ら外側に渡って形成され、前記内部配線部５ａと前記実
装端子部５ｃとの間を電気的に接続するバイパス部５ｂ
とからなり、前記配線の少なくとも前記バイパス部５ｂ
は、耐蝕性材料からなる液晶表示装置とする。
材の内側の配線に腐蝕が進行しにくい表示並びに長期信
頼性に優れた液晶装置を提供すること。 【解決手段】 シール材２によって互いに対向するよう
に貼り付けられた一対の基板と、データ線４と、走査線
５と、画素電極およびスイッチング素子とを有する液晶
表示装置であって、前記一対の基板の少なくとも一方の
基板の他方の基板との対向面側には、前記データ線４ま
たは前記走査線５を構成する複数の配線が設けられ、前
記複数の配線の各々は、前記シール材２の内側に位置す
る内部配線部５ａと、シール材の外側に位置し、実装端
子とされる実装端子部５ｃと、前記シール材２の内側か
ら外側に渡って形成され、前記内部配線部５ａと前記実
装端子部５ｃとの間を電気的に接続するバイパス部５ｂ
とからなり、前記配線の少なくとも前記バイパス部５ｂ
は、耐蝕性材料からなる液晶表示装置とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置およびそ
の製造方法ならびに電子機器に関し、特に、シール材の
外側の配線が腐蝕しても、シール材の内側の配線に腐蝕
が進行しにくい表示並びに長期信頼性に優れた液晶装置
およびその製造方法に関する。
の製造方法ならびに電子機器に関し、特に、シール材の
外側の配線が腐蝕しても、シール材の内側の配線に腐蝕
が進行しにくい表示並びに長期信頼性に優れた液晶装置
およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１３は、従来のＴＦＤ（Thin Film Di
ode）方式の液晶装置の一例の端部を示した概略断面図
である。
ode）方式の液晶装置の一例の端部を示した概略断面図
である。
【０００３】この液晶装置は、第１基板１ａと第２基板
１ｂとを隙間を介してシール材２によって互いに対向す
るように貼り付け、その隙間に液晶を封入した構造にな
っている。
１ｂとを隙間を介してシール材２によって互いに対向す
るように貼り付け、その隙間に液晶を封入した構造にな
っている。
【０００４】第１基板１ａの対向面側の表面には、下地
膜３が形成され、この下地膜３の上には、アルミニウム
などからなる複数の走査線（配線）５が平行に形成され
ている。これら走査線５には、一定のピッチでＴＦＤ素
子（スイッチング素子）を介して画素電極が接続されて
いる。また、第２基板１ｂには、走査線５と交差するよ
うに、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などからなる複数の
データ線（配線）４が短冊状に形成されている。
膜３が形成され、この下地膜３の上には、アルミニウム
などからなる複数の走査線（配線）５が平行に形成され
ている。これら走査線５には、一定のピッチでＴＦＤ素
子（スイッチング素子）を介して画素電極が接続されて
いる。また、第２基板１ｂには、走査線５と交差するよ
うに、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などからなる複数の
データ線（配線）４が短冊状に形成されている。
【０００５】そして、この液晶装置では、データ線４と
走査線５とに印加された信号に基づいて、液晶を表示状
態、非表示状態またはその中間状態に切り替えて表示動
作を制御する。
走査線５とに印加された信号に基づいて、液晶を表示状
態、非表示状態またはその中間状態に切り替えて表示動
作を制御する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】アルミニウムは、低抵
抗の金属であり、配線用金属として適しているため、従
来から配線用金属としてよく用いられている。しかし、
その反面、水分と反応して腐蝕しやすいという性質があ
る。上記の液晶装置では、走査線５がアルミニウムで形
成されているので、シール材の外側に位置する部分が外
気の水分と反応して腐蝕される恐れがある。この腐蝕が
進行してシール材の内側まで達すると、表示並びに長期
信頼性が損なわれてしまう。
抗の金属であり、配線用金属として適しているため、従
来から配線用金属としてよく用いられている。しかし、
その反面、水分と反応して腐蝕しやすいという性質があ
る。上記の液晶装置では、走査線５がアルミニウムで形
成されているので、シール材の外側に位置する部分が外
気の水分と反応して腐蝕される恐れがある。この腐蝕が
進行してシール材の内側まで達すると、表示並びに長期
信頼性が損なわれてしまう。
【０００７】本発明は、前記事情に鑑みてなされたもの
で、上記の問題を解決し、仮に、シール材の外側の配線
が腐蝕しても、シール材より内側すなわち表示領域側の
配線に腐蝕が進行しにくい表示並びに長期信頼性に優れ
た液晶装置を提供するとともに、この液晶装置の製造方
法および前記液晶装置を備えた電子機器を提供すること
を目的としている。
で、上記の問題を解決し、仮に、シール材の外側の配線
が腐蝕しても、シール材より内側すなわち表示領域側の
配線に腐蝕が進行しにくい表示並びに長期信頼性に優れ
た液晶装置を提供するとともに、この液晶装置の製造方
法および前記液晶装置を備えた電子機器を提供すること
を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶装置は、シ
ール材によって互いに対向するように貼り付けられ、間
に液晶層が挟持された一対の基板と、複数のデータ線
と、複数の走査線と、前記データ線と前記走査線の交差
に対応してマトリクス状に配置された画素電極およびス
イッチング素子とを有する液晶装置であって、前記一対
の基板の少なくとも一方の基板の他方の基板との対向面
側には、前記データ線または前記走査線を構成する複数
の配線が設けられ、前記複数の配線の各々は、前記シー
ル材の内側に位置する内部配線部と、シール材の外側に
位置し、実装端子とされる実装端子部と、前記シール材
の内側から外側に渡って形成され、前記内部配線部と前
記実装端子部との間を電気的に接続するバイパス部とか
らなり、前記配線の少なくとも前記バイパス部は、耐蝕
性材料からなることを特徴とする。
ール材によって互いに対向するように貼り付けられ、間
に液晶層が挟持された一対の基板と、複数のデータ線
と、複数の走査線と、前記データ線と前記走査線の交差
に対応してマトリクス状に配置された画素電極およびス
イッチング素子とを有する液晶装置であって、前記一対
の基板の少なくとも一方の基板の他方の基板との対向面
側には、前記データ線または前記走査線を構成する複数
の配線が設けられ、前記複数の配線の各々は、前記シー
ル材の内側に位置する内部配線部と、シール材の外側に
位置し、実装端子とされる実装端子部と、前記シール材
の内側から外側に渡って形成され、前記内部配線部と前
記実装端子部との間を電気的に接続するバイパス部とか
らなり、前記配線の少なくとも前記バイパス部は、耐蝕
性材料からなることを特徴とする。
【０００９】ここでの「耐蝕性材料」とは、少なくとも
水分に対する耐蝕性がＡｌよりも優れている材料のこと
をいう。
水分に対する耐蝕性がＡｌよりも優れている材料のこと
をいう。
【００１０】このような液晶装置は、バイパス部が、耐
蝕性に優れた材料からなるものであるので、シール材の
外側に位置する配線である実装端子部が腐蝕しても、内
部配線部と実装端子部との間に位置するバイパス部が腐
蝕されにくく、シール材の内側に位置する内部配線部ま
で腐蝕が進行しにくいものとなる。したがって、表示並
びに長期信頼性に優れた液晶装置となる。
蝕性に優れた材料からなるものであるので、シール材の
外側に位置する配線である実装端子部が腐蝕しても、内
部配線部と実装端子部との間に位置するバイパス部が腐
蝕されにくく、シール材の内側に位置する内部配線部ま
で腐蝕が進行しにくいものとなる。したがって、表示並
びに長期信頼性に優れた液晶装置となる。
【００１１】また、本発明の液晶装置は、シール材によ
って互いに対向するように貼り付けられ、間に液晶層が
挟持された一対の基板と、複数のデータ線および前記複
数のデータ線に交差する複数の走査線とを備えた液晶装
置であって、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の
他方の基板との対向面側には、前記データ線または前記
走査線を構成する複数の配線が設けられ、前記複数の配
線の各々は、前記シール材の内側に位置する内部配線部
と、シール材の外側に位置し、実装端子とされる実装端
子部と、前記シール材の内側から外側に渡って形成さ
れ、前記内部配線部と前記実装端子部との間を電気的に
接続するバイパス部とからなり、前記配線の少なくとも
前記バイパス部は、耐蝕性材料からなることを特徴とす
る。
って互いに対向するように貼り付けられ、間に液晶層が
挟持された一対の基板と、複数のデータ線および前記複
数のデータ線に交差する複数の走査線とを備えた液晶装
置であって、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の
他方の基板との対向面側には、前記データ線または前記
走査線を構成する複数の配線が設けられ、前記複数の配
線の各々は、前記シール材の内側に位置する内部配線部
と、シール材の外側に位置し、実装端子とされる実装端
子部と、前記シール材の内側から外側に渡って形成さ
れ、前記内部配線部と前記実装端子部との間を電気的に
接続するバイパス部とからなり、前記配線の少なくとも
前記バイパス部は、耐蝕性材料からなることを特徴とす
る。
【００１２】このような液晶装置においても、バイパス
部が、耐蝕性材料からなるものであるので、シール材の
外側に位置する配線である実装端子部が腐蝕しても、内
部配線部と実装端子部との間に位置するバイパス部が腐
蝕されにくく、シール材の内側に位置する内部配線部ま
で腐蝕が進行しにくいものとなる。したがって、表示並
びに長期信頼性に優れた液晶装置となる。
部が、耐蝕性材料からなるものであるので、シール材の
外側に位置する配線である実装端子部が腐蝕しても、内
部配線部と実装端子部との間に位置するバイパス部が腐
蝕されにくく、シール材の内側に位置する内部配線部ま
で腐蝕が進行しにくいものとなる。したがって、表示並
びに長期信頼性に優れた液晶装置となる。
【００１３】また、上記の液晶装置においては、前記バ
イパス部が、Ｔａ、Ｔａ合金、Ｃｒ、ＩＴＯから選ばれ
るいずれか一種の材料からなることが望ましい。
イパス部が、Ｔａ、Ｔａ合金、Ｃｒ、ＩＴＯから選ばれ
るいずれか一種の材料からなることが望ましい。
【００１４】このような液晶装置は、バイパス部が、耐
蝕性に優れたＴａ、Ｔａ合金、Ｃｒ、ＩＴＯから選ばれ
るいずれか一種の材料からなるものであるので、より一
層耐蝕性を向上させることができ、より表示並びに長期
信頼性に優れたものとなる。また、上記の材料は、従来
の液晶装置を製造する際に使用されている材料であるの
で、新たに製造工程を増やすことなくバイパス部を設け
ることが可能となり、好ましい。
蝕性に優れたＴａ、Ｔａ合金、Ｃｒ、ＩＴＯから選ばれ
るいずれか一種の材料からなるものであるので、より一
層耐蝕性を向上させることができ、より表示並びに長期
信頼性に優れたものとなる。また、上記の材料は、従来
の液晶装置を製造する際に使用されている材料であるの
で、新たに製造工程を増やすことなくバイパス部を設け
ることが可能となり、好ましい。
【００１５】また、上記の液晶装置においては、前記バ
イパス部は、前記バイパス部が設けられた側の基板と対
向する基板の端部の位置よりも外側まで延びて形成され
ていることが望ましい。
イパス部は、前記バイパス部が設けられた側の基板と対
向する基板の端部の位置よりも外側まで延びて形成され
ていることが望ましい。
【００１６】液晶装置では、配線が設けられた側の基板
と対向する基板の端部からシール材までの間の隙間に水
がたまりやすいため、その隙間部分に位置する配線は、
特に腐蝕されやすい。
と対向する基板の端部からシール材までの間の隙間に水
がたまりやすいため、その隙間部分に位置する配線は、
特に腐蝕されやすい。
【００１７】上記の液晶装置では、前記バイパス部は、
前記バイパス部が設けられた側の基板と対向する基板の
端部の位置よりも外側まで延びて形成されているので、
バイパス部が設けられた側の基板と対向する基板の端部
の位置での腐蝕を防止することができ、より一層、腐蝕
が進行しにくいものとなる。
前記バイパス部が設けられた側の基板と対向する基板の
端部の位置よりも外側まで延びて形成されているので、
バイパス部が設けられた側の基板と対向する基板の端部
の位置での腐蝕を防止することができ、より一層、腐蝕
が進行しにくいものとなる。
【００１８】また、上記の液晶装置においては、前記配
線が、走査線であることが望ましい。
線が、走査線であることが望ましい。
【００１９】液晶装置では、走査線の隣合う配線どうし
が、データ線の隣合う配線どうしと比較して電位差が大
きいため、走査線はデータ線よりも腐蝕が進行しやす
い。したがって、本発明の構造は、走査線に適用する
と、より有効である。
が、データ線の隣合う配線どうしと比較して電位差が大
きいため、走査線はデータ線よりも腐蝕が進行しやす
い。したがって、本発明の構造は、走査線に適用する
と、より有効である。
【００２０】さらに、上記の液晶装置においては、前記
実装端子部の表面が、Ａｌからなることが望ましい。
実装端子部の表面が、Ａｌからなることが望ましい。
【００２１】このような液晶装置は、実装端子部の表面
が軟らかく実装しやすい材質であるＡｌからなるもので
あるので、実装作業が容易なものとなる。
が軟らかく実装しやすい材質であるＡｌからなるもので
あるので、実装作業が容易なものとなる。
【００２２】また、本発明の液晶装置の製造方法は、シ
ール材によって互いに対向するように貼り付けられ、間
に液晶層が挟持された一対の基板と、複数のデータ線
と、複数の走査線と、前記データ線と前記走査線の交差
に対応してマトリクス状に配置された画素電極およびス
イッチング素子とを有する液晶装置の製造方法であっ
て、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の対向面側
に、耐蝕性材料からなる第１導電膜と、前記第１導電膜
上の少なくともシール材によって接合される部分を除い
て形成された第２導電膜とを設けることにより、これら
前記第１導電膜と前記第２導電膜とからなり、前記デー
タ線または前記走査線とされる複数の配線を形成するこ
とを特徴とする。
ール材によって互いに対向するように貼り付けられ、間
に液晶層が挟持された一対の基板と、複数のデータ線
と、複数の走査線と、前記データ線と前記走査線の交差
に対応してマトリクス状に配置された画素電極およびス
イッチング素子とを有する液晶装置の製造方法であっ
て、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の対向面側
に、耐蝕性材料からなる第１導電膜と、前記第１導電膜
上の少なくともシール材によって接合される部分を除い
て形成された第２導電膜とを設けることにより、これら
前記第１導電膜と前記第２導電膜とからなり、前記デー
タ線または前記走査線とされる複数の配線を形成するこ
とを特徴とする。
【００２３】このような液晶装置の製造方法とすること
で、配線の少なくともバイパス部が耐蝕性材料からなる
上記の液晶装置を容易に製造することが可能となる。
で、配線の少なくともバイパス部が耐蝕性材料からなる
上記の液晶装置を容易に製造することが可能となる。
【００２４】さらにまた、本発明の液晶装置の製造方法
は、シール材によって互いに対向するように貼り付けら
れ、間に液晶層が挟持された一対の基板と、複数のデー
タ線および前記複数のデータ線に交差する複数の走査線
とを備えた液晶装置の製造方法であって、前記一対の基
板の少なくとも一方の基板の対向面側に、耐蝕性材料か
らなる第１導電膜と、前記第１導電膜上の少なくともシ
ール材によって接合される部分を除いて形成された第２
導電膜とを設けることにより、これら前記第１導電膜と
前記第２導電膜とからなり、前記データ線または前記走
査線とされる複数の配線を形成することを特徴とする。
は、シール材によって互いに対向するように貼り付けら
れ、間に液晶層が挟持された一対の基板と、複数のデー
タ線および前記複数のデータ線に交差する複数の走査線
とを備えた液晶装置の製造方法であって、前記一対の基
板の少なくとも一方の基板の対向面側に、耐蝕性材料か
らなる第１導電膜と、前記第１導電膜上の少なくともシ
ール材によって接合される部分を除いて形成された第２
導電膜とを設けることにより、これら前記第１導電膜と
前記第２導電膜とからなり、前記データ線または前記走
査線とされる複数の配線を形成することを特徴とする。
【００２５】このような液晶装置の製造方法によって
も、配線の少なくともバイパス部が耐蝕性材料からなる
上記の液晶装置を容易に製造することが可能となる。
も、配線の少なくともバイパス部が耐蝕性材料からなる
上記の液晶装置を容易に製造することが可能となる。
【００２６】また、本発明の電子機器は、上記の液晶装
置を備えたことを特徴とする。
置を備えたことを特徴とする。
【００２７】このような電子機器とすることで、シール
材の外側の配線が腐蝕しても、シール材の内側の配線に
腐蝕が進行しにくい表示並びに長期信頼性に優れた液晶
装置を有する電子機器とすることができる。
材の外側の配線が腐蝕しても、シール材の内側の配線に
腐蝕が進行しにくい表示並びに長期信頼性に優れた液晶
装置を有する電子機器とすることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を例を示して詳しく
説明する。
説明する。
【００２９】［第１の実施形態］図１は、本発明のＴＦ
Ｄをスイッチング素子として用いた半透過あるいは反射
型の液晶装置の一例の端部を示した概略断面図であり、
図２は、図１に示した液晶表示装置の第２基板を除去し
た状態を示した平面概略図である。
Ｄをスイッチング素子として用いた半透過あるいは反射
型の液晶装置の一例の端部を示した概略断面図であり、
図２は、図１に示した液晶表示装置の第２基板を除去し
た状態を示した平面概略図である。
【００３０】この液晶表示装置は、ガラスなどからなる
第１基板１ａと第２基板１ｂとを隙間を介してシール材
２によって互いに対向するように貼り付け、その隙間に
液晶を封入した構造になっている。
第１基板１ａと第２基板１ｂとを隙間を介してシール材
２によって互いに対向するように貼り付け、その隙間に
液晶を封入した構造になっている。
【００３１】第１基板１ａの対向面側の表面には、下地
膜３が形成され、この下地膜３の上には、複数の走査線
（配線）５が平行に形成されている。これら走査線５
は、図１および図２に示すように、シール材２の内側に
位置する内部配線部５ａと、シール材２の外側に位置
し、実装端子とされる実装端子部５ｃと、シール材２の
内側から第２基板１ｂの端部の位置よりも外側まで延び
て形成され、内部配線部５ａと実装端子部５ｃとの間に
位置するバイパス部５ｂとからなっている。内部配線部
５ａおよび実装端子部５ｃは、図１に示すように、第１
導電膜６と酸化膜７と第２導電膜８とにより構成され、
バイパス部５ｂは、第１導電膜６と酸化膜７により構成
されている。
膜３が形成され、この下地膜３の上には、複数の走査線
（配線）５が平行に形成されている。これら走査線５
は、図１および図２に示すように、シール材２の内側に
位置する内部配線部５ａと、シール材２の外側に位置
し、実装端子とされる実装端子部５ｃと、シール材２の
内側から第２基板１ｂの端部の位置よりも外側まで延び
て形成され、内部配線部５ａと実装端子部５ｃとの間に
位置するバイパス部５ｂとからなっている。内部配線部
５ａおよび実装端子部５ｃは、図１に示すように、第１
導電膜６と酸化膜７と第２導電膜８とにより構成され、
バイパス部５ｂは、第１導電膜６と酸化膜７により構成
されている。
【００３２】第１導電膜６は、耐蝕性に優れた耐蝕性材
料であるタンタルにより形成されている。また、酸化膜
７は、陽極酸化法により形成され、第２導電膜８は、ア
ルミニウムからなるものとされている。
料であるタンタルにより形成されている。また、酸化膜
７は、陽極酸化法により形成され、第２導電膜８は、ア
ルミニウムからなるものとされている。
【００３３】また、図２に示すように、上記の走査線５
それぞれには、一定のピッチでＴＦＤ素子（スイッチン
グ素子）９を介して画素電極１０が接続されている。画
素電極１０は、内面反射板を兼ねてアルミニウムから構
成される。ＴＦＤ素子９は、図３に示すように、第１導
電膜６と酸化膜７と第２導電膜８とからなるものであ
り、走査線５と同様の断面構造とされている。
それぞれには、一定のピッチでＴＦＤ素子（スイッチン
グ素子）９を介して画素電極１０が接続されている。画
素電極１０は、内面反射板を兼ねてアルミニウムから構
成される。ＴＦＤ素子９は、図３に示すように、第１導
電膜６と酸化膜７と第２導電膜８とからなるものであ
り、走査線５と同様の断面構造とされている。
【００３４】一方、第２基板１ｂには、走査線５と交差
するように、ＩＴＯなどからなる複数のデータ線（配
線）４が短冊状に形成されている。
するように、ＩＴＯなどからなる複数のデータ線（配
線）４が短冊状に形成されている。
【００３５】そして、この液晶表示装置では、データ線
４と走査線５とに印加された信号に基づいて、液晶を表
示状態、非表示状態またはその中間状態に切り替えて表
示動作を制御する。
４と走査線５とに印加された信号に基づいて、液晶を表
示状態、非表示状態またはその中間状態に切り替えて表
示動作を制御する。
【００３６】次に、このような液晶表示装置のＴＦＤ素
子および走査線を製造する方法について、図４〜図６を
用いて説明する。
子および走査線を製造する方法について、図４〜図６を
用いて説明する。
【００３７】まず、第１基板１ａの上面全面に、タンタ
ル酸化膜をスパッタリングにより堆積させるか、タンタ
ル膜をスパッタリング堆積させた後、熱酸化させること
により、タンタル酸化膜からなる下地膜３を形成する。
下地膜３を形成することにより、第１基板１ａと第１導
電膜６との密着性を向上させることが可能となり、ま
た、第１基板１ａから第１導電膜６への不純物拡散を防
止することができる。なお、第１導電膜６への不純物拡
散が問題とならない場合には、下地膜３を形成しなくて
もよい。
ル酸化膜をスパッタリングにより堆積させるか、タンタ
ル膜をスパッタリング堆積させた後、熱酸化させること
により、タンタル酸化膜からなる下地膜３を形成する。
下地膜３を形成することにより、第１基板１ａと第１導
電膜６との密着性を向上させることが可能となり、ま
た、第１基板１ａから第１導電膜６への不純物拡散を防
止することができる。なお、第１導電膜６への不純物拡
散が問題とならない場合には、下地膜３を形成しなくて
もよい。
【００３８】ついで、下地膜３の上に、スパッタリング
により第１導電膜６であるタンタル膜を成膜したのち、
フォトエッチングすることにより、図４に示すようにパ
ターニングして配線部１５ａと素子部１５ｂ及びバイパ
ス部５ｂとを形成する。続いて、第１導電膜６上に、陽
極酸化法により酸化膜７を形成する。ここでの陽極酸化
法としては、第１基板１ａを化成液（電解液）に浸潤さ
せて配線部１５ａに正電圧を印加し、これに対向する負
電圧が印加される電極を配置し、定電流密度で所定電圧
になるまで定電流電解を行う方法などによって行われ
る。これにより配線部１５ａと素子部１５ｂに陽極酸化
膜が形成される。その後、フォトエッチングすることに
より、図５に示すように、配線部１５ａと素子部１５ｂ
とを分断する。
により第１導電膜６であるタンタル膜を成膜したのち、
フォトエッチングすることにより、図４に示すようにパ
ターニングして配線部１５ａと素子部１５ｂ及びバイパ
ス部５ｂとを形成する。続いて、第１導電膜６上に、陽
極酸化法により酸化膜７を形成する。ここでの陽極酸化
法としては、第１基板１ａを化成液（電解液）に浸潤さ
せて配線部１５ａに正電圧を印加し、これに対向する負
電圧が印加される電極を配置し、定電流密度で所定電圧
になるまで定電流電解を行う方法などによって行われ
る。これにより配線部１５ａと素子部１５ｂに陽極酸化
膜が形成される。その後、フォトエッチングすることに
より、図５に示すように、配線部１５ａと素子部１５ｂ
とを分断する。
【００３９】次に、スパッタリングにより第２導電膜８
であるアルミニウム膜を成膜したのち、フォトエッチン
グすることにより、図６に示すようにパターニングし
て、走査線５とＴＦＤ素子９と画素電極１０とを形成す
る。このとき、第２導電膜８は、走査線５のバイパス部
５ｂとされる部分を除いて形成される。すなわち、図１
に示すように、第２導電膜８は、第１導電膜６上のシー
ル材２によって接合される部分とシール材２が配置され
る位置から第２基板１ｂの端部の位置よりも外側の位置
までの部分を除いて形成される。
であるアルミニウム膜を成膜したのち、フォトエッチン
グすることにより、図６に示すようにパターニングし
て、走査線５とＴＦＤ素子９と画素電極１０とを形成す
る。このとき、第２導電膜８は、走査線５のバイパス部
５ｂとされる部分を除いて形成される。すなわち、図１
に示すように、第２導電膜８は、第１導電膜６上のシー
ル材２によって接合される部分とシール材２が配置され
る位置から第２基板１ｂの端部の位置よりも外側の位置
までの部分を除いて形成される。
【００４０】このような液晶表示装置では、バイパス部
５ｂが、耐蝕性材料からなるものであるので、シール材
２の外側に位置する配線である実装端子部５ｃが腐蝕し
ても、内部配線部５ａと実装端子部５ｃとの間に位置す
るバイパス部５ｃが腐蝕されにくく、シール材２の内側
に位置する内部配線部５ａまで腐蝕が進行しにくいもの
となる。したがって、表示並びに長期信頼性に優れた液
晶表示装置となる。
５ｂが、耐蝕性材料からなるものであるので、シール材
２の外側に位置する配線である実装端子部５ｃが腐蝕し
ても、内部配線部５ａと実装端子部５ｃとの間に位置す
るバイパス部５ｃが腐蝕されにくく、シール材２の内側
に位置する内部配線部５ａまで腐蝕が進行しにくいもの
となる。したがって、表示並びに長期信頼性に優れた液
晶表示装置となる。
【００４１】また、バイパス部５ｂが、耐蝕性に優れた
材料であるタンタルからなるものであるので、より一層
耐蝕性を向上させることができ、より表示並びに長期信
頼性に優れたものとなる。
材料であるタンタルからなるものであるので、より一層
耐蝕性を向上させることができ、より表示並びに長期信
頼性に優れたものとなる。
【００４２】さらに、バイパス部５ｂは、シール材２の
内側から第２基板１ｂの端部の位置よりも外側まで延び
て形成されているので、特に腐蝕されやすい第２基板１
ｂの端部の位置での腐蝕を防止することができ、より一
層、腐蝕が進行しにくいものとなる。
内側から第２基板１ｂの端部の位置よりも外側まで延び
て形成されているので、特に腐蝕されやすい第２基板１
ｂの端部の位置での腐蝕を防止することができ、より一
層、腐蝕が進行しにくいものとなる。
【００４３】さらにまた、アルミニウムからなる第２導
電膜８がバイパス部５ｂで分断されているので、シール
材２の外側に位置する配線である実装端子部５ｃが腐蝕
しても、シール材２の内側に位置する内部配線部５ａま
で腐蝕が進行しにくいものとなる。
電膜８がバイパス部５ｂで分断されているので、シール
材２の外側に位置する配線である実装端子部５ｃが腐蝕
しても、シール材２の内側に位置する内部配線部５ａま
で腐蝕が進行しにくいものとなる。
【００４４】また、実装端子部５ｃの表面が軟らかく実
装しやすい材質であるアルミニウムからなるものである
ので、実装作業が容易な液晶表示装置となる。
装しやすい材質であるアルミニウムからなるものである
ので、実装作業が容易な液晶表示装置となる。
【００４５】さらに、内部配線部５ａおよび実装端子部
５ｃには、抵抗値の低いアルミニウムからなる第２導電
膜８が形成されているので、走査線５の抵抗が低い良好
な液晶表示装置となる。
５ｃには、抵抗値の低いアルミニウムからなる第２導電
膜８が形成されているので、走査線５の抵抗が低い良好
な液晶表示装置となる。
【００４６】また、上記の液晶表示装置の製造方法は、
耐蝕性材料からなる第１導電膜６と、第１導電膜６上の
少なくともシール材２によって接合される部分を除いて
形成された第２導電膜８とを設けることにより、走査線
５を形成する方法であるので、走査線５のバイパス部５
ｂが耐蝕性材料からなる腐蝕が進行しにくい液晶表示装
置を容易に製造することができる。
耐蝕性材料からなる第１導電膜６と、第１導電膜６上の
少なくともシール材２によって接合される部分を除いて
形成された第２導電膜８とを設けることにより、走査線
５を形成する方法であるので、走査線５のバイパス部５
ｂが耐蝕性材料からなる腐蝕が進行しにくい液晶表示装
置を容易に製造することができる。
【００４７】以上、第１の実施形態において、本発明の
液晶表示装置およびその製造方法の好ましい一例を、液
晶表示装置とその製造方法の例を挙げて説明したが、本
発明はこの例のみに限定されるものではなく、本発明の
範囲内で種々に改変することが可能である。
液晶表示装置およびその製造方法の好ましい一例を、液
晶表示装置とその製造方法の例を挙げて説明したが、本
発明はこの例のみに限定されるものではなく、本発明の
範囲内で種々に改変することが可能である。
【００４８】第１の実施形態として、ＴＦＤ方式の液晶
表示装置とその製造方法を示したが、本発明は、ＴＦＤ
方式以外のアクティブマトリクス方式の液晶装置、例え
ば、ＴＦＴ（Thin Film Diode）方式の液晶装置に対し
ても適用することができるし、あるいは、単純マトリク
ス方式の液晶装置に対しても適用できる。
表示装置とその製造方法を示したが、本発明は、ＴＦＤ
方式以外のアクティブマトリクス方式の液晶装置、例え
ば、ＴＦＴ（Thin Film Diode）方式の液晶装置に対し
ても適用することができるし、あるいは、単純マトリク
ス方式の液晶装置に対しても適用できる。
【００４９】また、第１の実施形態として、本発明の構
造を適用する配線が走査線である場合を示したが、デー
タ線であってもよい。
造を適用する配線が走査線である場合を示したが、デー
タ線であってもよい。
【００５０】本発明の液晶装置では、第１導電膜６は、
上述したように、Ｔａによって形成することができる
が、耐蝕性に優れた材料であればよく、特に限定されな
い。具体的に例えば、Ｔａ、Ｔａ合金、Ｃｒ、ＩＴＯか
ら選ばれるいずれか一種により形成されることが望まし
い。
上述したように、Ｔａによって形成することができる
が、耐蝕性に優れた材料であればよく、特に限定されな
い。具体的に例えば、Ｔａ、Ｔａ合金、Ｃｒ、ＩＴＯか
ら選ばれるいずれか一種により形成されることが望まし
い。
【００５１】また、本発明の液晶表示装置では、耐蝕性
材料からなる第１導電膜６は、上述した例に示すよう
に、走査線５の全域に形成されていてもよいが、少なく
とも走査線のバイパス部が耐蝕性材料により形成されて
いればよく、例えば、図７および図８に示すように、走
査線のバイパス部を含む一部に第１導電膜６１が形成さ
れていてもよい。
材料からなる第１導電膜６は、上述した例に示すよう
に、走査線５の全域に形成されていてもよいが、少なく
とも走査線のバイパス部が耐蝕性材料により形成されて
いればよく、例えば、図７および図８に示すように、走
査線のバイパス部を含む一部に第１導電膜６１が形成さ
れていてもよい。
【００５２】本発明の液晶表示装置では、第２導電膜８
は、上述したように、抵抗値の低いＡｌによって形成す
ることが好ましいが、ＣｒやＩＴＯからなるものとして
もよく、特に限定されない。
は、上述したように、抵抗値の低いＡｌによって形成す
ることが好ましいが、ＣｒやＩＴＯからなるものとして
もよく、特に限定されない。
【００５３】例えば、画素電極をＩＴＯなどの透明電極
で形成する場合、図８に示すように、第２導電膜８１を
ＩＴＯによって形成することが好ましい。この場合、実
装端子部の表面にＡｌからなる膜１２を設けてもよい。
で形成する場合、図８に示すように、第２導電膜８１を
ＩＴＯによって形成することが好ましい。この場合、実
装端子部の表面にＡｌからなる膜１２を設けてもよい。
【００５４】このような液晶表示装置とすることで、実
装端子部の表面が軟らかく実装しやすい材質であるＡｌ
からなるものとなり、実装作業が容易な液晶表示装置と
することができる。
装端子部の表面が軟らかく実装しやすい材質であるＡｌ
からなるものとなり、実装作業が容易な液晶表示装置と
することができる。
【００５５】また、第１の実施形態では、陽極酸化法で
酸化膜７を形成するため、第１導電膜６上の全域に酸化
膜７が形成されるが、形成されていない部分があっても
よい。
酸化膜７を形成するため、第１導電膜６上の全域に酸化
膜７が形成されるが、形成されていない部分があっても
よい。
【００５６】上述した例に示すように、第１導電膜６上
の全域に酸化膜７が形成されている場合、走査線あるい
はデータ線５は、酸化膜７を介する第１導電膜６と第２
導電膜８とによって構成されるが、第１導電膜６と第２
導電膜８との容量結合および電導率差により、全信号の
９０％程度が第２導電膜８側を流れ、信号の伝達には何
ら支障がない。また、第１導電膜６上に酸化膜７が形成
されていない部分がある場合の例として、実装端子部に
形成された酸化膜にコンタクトホールを設け、第１導電
膜と第２導電膜とが直接接触するようにしてもよい。こ
の構造とすると、第１導電膜６と第２導電膜８との間の
信号の伝達をより確実にすることができる。
の全域に酸化膜７が形成されている場合、走査線あるい
はデータ線５は、酸化膜７を介する第１導電膜６と第２
導電膜８とによって構成されるが、第１導電膜６と第２
導電膜８との容量結合および電導率差により、全信号の
９０％程度が第２導電膜８側を流れ、信号の伝達には何
ら支障がない。また、第１導電膜６上に酸化膜７が形成
されていない部分がある場合の例として、実装端子部に
形成された酸化膜にコンタクトホールを設け、第１導電
膜と第２導電膜とが直接接触するようにしてもよい。こ
の構造とすると、第１導電膜６と第２導電膜８との間の
信号の伝達をより確実にすることができる。
【００５７】［電子機器の例］次に、本発明の液晶表示
装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
【００５８】図９は、投射型表示装置の一例の要部を示
した概略構成図である。
した概略構成図である。
【００５９】図９において、符号３０は光源、符号３
３、３４はダイクロイックミラー、符号３５、３６、３
７は反射ミラー、符号３８は入射レンズ、符号３９はリ
レーレンズ、符号２０は出射レンズ、符号２２、２３、
２４は液晶光変調装置、符号２５はクロスダイクロイッ
クプリズム、符号２６は投写レンズを示している。
３、３４はダイクロイックミラー、符号３５、３６、３
７は反射ミラー、符号３８は入射レンズ、符号３９はリ
レーレンズ、符号２０は出射レンズ、符号２２、２３、
２４は液晶光変調装置、符号２５はクロスダイクロイッ
クプリズム、符号２６は投写レンズを示している。
【００６０】光源３０は、メタルハラルドなどのランプ
３１とランプ３１の光を反射するリフレクタ３２とから
なる。青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー３３
は、光源３０からの光束のうちの赤色光を透過させると
ともに青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光
は、反射ミラー３７で反射されて、赤色光用液晶光変調
装置２２に入射される。一方、ダイクロイックミラー３
３で反射された色光のうち緑色光は、緑色光反射のダイ
クロイックミラー３４によって反射され、緑色光用液晶
光変調装置２３に入射される。一方、青色光は、第２の
ダイクロイックミラー３４も透過する。青色光に対して
は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ３
８、リレーレンズ３９、出射レンズ２０を含むリレーレ
ンズ系からなる導光手段２１が設けられ、これを介して
青色光が青色光用液晶光変調装置２４に入射される。
３１とランプ３１の光を反射するリフレクタ３２とから
なる。青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー３３
は、光源３０からの光束のうちの赤色光を透過させると
ともに青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光
は、反射ミラー３７で反射されて、赤色光用液晶光変調
装置２２に入射される。一方、ダイクロイックミラー３
３で反射された色光のうち緑色光は、緑色光反射のダイ
クロイックミラー３４によって反射され、緑色光用液晶
光変調装置２３に入射される。一方、青色光は、第２の
ダイクロイックミラー３４も透過する。青色光に対して
は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ３
８、リレーレンズ３９、出射レンズ２０を含むリレーレ
ンズ系からなる導光手段２１が設けられ、これを介して
青色光が青色光用液晶光変調装置２４に入射される。
【００６１】各光変調装置により変調された３つの色光
は、クロスダイクロイックプリズム２５に入射する。こ
のプリズムは、４つの直角プリズムが張り合わされ、そ
の内面に赤色を反射する誘電体多層膜と青色を反射する
誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘
電体多層膜によって、３つの色光が合成されて、カラー
画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学
系である投写レンズ２６によってスクリーン上に投写さ
れ、画像が拡大されて表示される。
は、クロスダイクロイックプリズム２５に入射する。こ
のプリズムは、４つの直角プリズムが張り合わされ、そ
の内面に赤色を反射する誘電体多層膜と青色を反射する
誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘
電体多層膜によって、３つの色光が合成されて、カラー
画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学
系である投写レンズ２６によってスクリーン上に投写さ
れ、画像が拡大されて表示される。
【００６２】このような投射型表示装置は、上記の液晶
装置を用いた液晶光変調装置２２、２３、２４を備えた
ものであるので、シール材の内側の配線に腐蝕が進行し
にくい表示並びに長期信頼性に優れた液晶光変調装置２
２、２３、２４を備えた投射型表示装置となる。
装置を用いた液晶光変調装置２２、２３、２４を備えた
ものであるので、シール材の内側の配線に腐蝕が進行し
にくい表示並びに長期信頼性に優れた液晶光変調装置２
２、２３、２４を備えた投射型表示装置となる。
【００６３】次に、本発明の電子機器の他の例について
説明する。
説明する。
【００６４】図１０は、携帯電話の一例を示した斜視図
である。
である。
【００６５】図１０において、符号１０００は携帯電話
本体を示し、符号１００１は上記の液晶表示装置を用い
た液晶表示部を示している。
本体を示し、符号１００１は上記の液晶表示装置を用い
た液晶表示部を示している。
【００６６】図１１は、腕時計型電子機器の一例を示し
た斜視図である。
た斜視図である。
【００６７】図１１において、符号１１００は時計本体
を示し、符号１００１は上記の液晶表示装置を用いた液
晶表示部を示している。
を示し、符号１００１は上記の液晶表示装置を用いた液
晶表示部を示している。
【００６８】図１２は、ワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。
【００６９】図１２において、符号１２００は情報処理
装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１
２０４は情報処理装置本体、符号１００１は上記の液晶
表示装置を用いた液晶表示部を示している。
装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１
２０４は情報処理装置本体、符号１００１は上記の液晶
表示装置を用いた液晶表示部を示している。
【００７０】図１０から図１２に示す電子機器は、上記
の液晶表示装置を用いた液晶表示部を備えたものである
ので、シール材の内側の配線に腐蝕が進行しにくい表示
並びに長期信頼性に優れた液晶表示装置を備えた電子機
器となる。
の液晶表示装置を用いた液晶表示部を備えたものである
ので、シール材の内側の配線に腐蝕が進行しにくい表示
並びに長期信頼性に優れた液晶表示装置を備えた電子機
器となる。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶装置
は、バイパス部が、耐蝕性に優れた材料からなるもので
あるので、シール材の外側に位置する配線である実装端
子部が腐蝕しても、内部配線部と実装端子部との間に位
置するバイパス部が腐蝕されにくく、シール材の内側に
位置する内部配線部まで腐蝕が進行しにくいものとな
る。したがって、表示並びに長期信頼性に優れた液晶装
置となる。
は、バイパス部が、耐蝕性に優れた材料からなるもので
あるので、シール材の外側に位置する配線である実装端
子部が腐蝕しても、内部配線部と実装端子部との間に位
置するバイパス部が腐蝕されにくく、シール材の内側に
位置する内部配線部まで腐蝕が進行しにくいものとな
る。したがって、表示並びに長期信頼性に優れた液晶装
置となる。
【図１】 本発明のＴＦＤ方式の液晶表示装置の一例の
端部を示した概略断面図である。
端部を示した概略断面図である。
【図２】 図１に示した液晶表示装置の第２基板を除去
した状態を示した平面概略図である。
した状態を示した平面概略図である。
【図３】 図２に示した液晶表示装置のＡ−Ａ’断面を
示した図である。
示した図である。
【図４】 図１に示した液晶表示装置の製造方法の一工
程を示した平面図である。
程を示した平面図である。
【図５】 図１に示した液晶表示装置の製造方法の他の
一工程を示した平面図である。
一工程を示した平面図である。
【図６】 図１に示した液晶表示装置の製造方法の他の
一工程を示した平面図である。
一工程を示した平面図である。
【図７】 本発明のＴＦＤ方式の液晶表示装置の他の一
例の端部を示した概略断面図である。
例の端部を示した概略断面図である。
【図８】 本発明のＴＦＤ方式の液晶表示装置の他の一
例の端部を示した概略断面図である。
例の端部を示した概略断面図である。
【図９】 本発明の電子機器の一例として、投射型液晶
表示装置の一例の要部を示した概略構成図である。
表示装置の一例の要部を示した概略構成図である。
【図１０】 本発明の電子機器の一例として、携帯電話
の一例を示した斜視図である。
の一例を示した斜視図である。
【図１１】 本発明の電子機器の一例として、腕時計型
電子機器の一例を示した斜視図である。
電子機器の一例を示した斜視図である。
【図１２】 本発明の電子機器の一例として、携帯型情
報処理装置の一例を示した斜視図である。
報処理装置の一例を示した斜視図である。
【図１３】 従来のＴＦＤ方式の液晶表示装置の一例の
端部を示した概略断面図である。
端部を示した概略断面図である。
１ａ 第１基板 １ｂ 第２基板 ２ シール材 ３ 下地膜 ４ データ線（配線） ５ 走査線（配線） ５ａ 内部配線部 ５ｂ バイパス部 ５ｃ 実装端子部 ６、６１ 第１導電膜 ７ 酸化膜 ８、８１ 第２導電膜 ９、１３ ＴＦＤ素子（スイッチング素子） １０ 画素電極 １５ａ 配線部 １５ｂ 素子部 １１ 透光性電極 １２ 配線 １４ 透光性画素電極 １６ 液晶パネル母材 ２０ 出射レンズ ２１ 導光手段 ２２、２３、２４ 液晶光変調装置 ２５ クロスダイクロイックプリズム ２６ 投写レンズ ３０ 光源 ３１ ランプ ３２ リフレクタ ３３、３４ ダイクロイックミラー ３５、３６、３７ 反射ミラー ３８ 入射レンズ ３９ リレーレンズ １０００ 携帯電話本体 １００１ 液晶表示部 １１００ 時計本体 １２００ 情報処理装置 １２０２ 入力部 １２０４ 情報処理装置本体
Claims (9)
- 【請求項１】 シール材によって互いに対向するように
貼り付けられ、間に液晶層が挟持された一対の基板と、
複数のデータ線と、複数の走査線と、前記データ線と前
記走査線の交差に対応してマトリクス状に配置された画
素電極およびスイッチング素子とを有する液晶装置であ
って、 前記一対の基板の少なくとも一方の基板の他方の基板と
の対向面側には、前記データ線または前記走査線を構成
する複数の配線が設けられ、 前記複数の配線の各々は、前記シール材の内側に位置す
る内部配線部と、シール材の外側に位置し、実装端子と
される実装端子部と、前記シール材の内側から外側に渡
って形成され、前記内部配線部と前記実装端子部との間
を電気的に接続するバイパス部とからなり、 前記配線の少なくとも前記バイパス部は、耐蝕性材料か
らなることを特徴とする液晶装置。 - 【請求項２】 シール材によって互いに対向するように
貼り付けられ、間に液晶層が挟持された一対の基板と、
複数のデータ線および前記複数のデータ線に交差する複
数の走査線とを備えた液晶装置であって、 前記一対の基板の少なくとも一方の基板の他方の基板と
の対向面側には、前記データ線または前記走査線を構成
する複数の配線が設けられ、 前記複数の配線の各々は、前記シール材の内側に位置す
る内部配線部と、シール材の外側に位置し、実装端子と
される実装端子部と、前記シール材の内側から外側に渡
って形成され、前記内部配線部と前記実装端子部との間
を電気的に接続するバイパス部とからなり、 前記配線の少なくとも前記バイパス部は、耐蝕性材料か
らなることを特徴とする液晶装置。 - 【請求項３】 前記バイパス部が、Ｔａ、Ｔａ合金、Ｃ
ｒ、ＩＴＯから選ばれるいずれか一種の材料からなるこ
とを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶装
置。 - 【請求項４】 前記バイパス部は、前記バイパス部が設
けられた側の基板と対向する基板の端部の位置よりも外
側まで延びて形成されたことを特徴とする請求項１ない
し請求項３のいずれかに記載の液晶装置。 - 【請求項５】 前記配線が、走査線であることを特徴と
する請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の液晶装
置。 - 【請求項６】 前記実装端子部の表面が、Ａｌからなる
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに
記載の液晶装置。 - 【請求項７】 シール材によって互いに対向するように
貼り付けられ、間に液晶層が挟持された一対の基板と、
複数のデータ線と、複数の走査線と、前記データ線と前
記走査線の交差に対応してマトリクス状に配置された画
素電極およびスイッチング素子とを有する液晶装置の製
造方法であって、 前記一対の基板の少なくとも一方の基板の対向面側に、
耐蝕性材料からなる第１導電膜と、前記第１導電膜上の
少なくともシール材によって接合される部分を除いて形
成された第２導電膜とを設けることにより、これら前記
第１導電膜と前記第２導電膜とからなり、前記データ線
または前記走査線とされる複数の配線を形成することを
特徴とする液晶装置の製造方法。 - 【請求項８】 シール材によって互いに対向するように
貼り付けられ、間に液晶層が挟持された一対の基板と、
複数のデータ線および前記複数のデータ線に交差する複
数の走査線とを備えた液晶装置の製造方法であって、 前記一対の基板の少なくとも一方の基板の対向面側に、
耐蝕性材料からなる第１導電膜と、前記第１導電膜上の
少なくともシール材によって接合される部分を除いて形
成された第２導電膜とを設けることにより、これら前記
第１導電膜と前記第２導電膜とからなり、前記データ線
または前記走査線とされる複数の配線を形成することを
特徴とする液晶装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項１ないし請求項６のいずれかに記
載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25350499A JP2001075118A (ja) | 1999-09-07 | 1999-09-07 | 液晶装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25350499A JP2001075118A (ja) | 1999-09-07 | 1999-09-07 | 液晶装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001075118A true JP2001075118A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17252309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25350499A Withdrawn JP2001075118A (ja) | 1999-09-07 | 1999-09-07 | 液晶装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001075118A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1251391A2 (en) * | 2001-04-16 | 2002-10-23 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
| EP1251392A2 (en) | 2001-04-16 | 2002-10-23 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
| US6888606B2 (en) | 2001-04-16 | 2005-05-03 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device and electronic apparatus |
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