JP2002311449A - 液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半透過反射膜に位置ズレが生じる場合でも光
透過領域と光反射領域との間に面積比率のばらつきが発
生することを抑えて、液晶パネルの表示品位にばらつき
が発生するのを防止する。 【解決手段】 第１基板２と第２基板３との間に液晶２
３を配置して成る液晶装置１である。この液晶装置１
は、第１基板２に形成された反射性導電膜１８と、反射
性導電膜１８に積層されると共にエッジ部分３４が下地
膜３５又は第１基板２に接触する透光性の金属酸化物膜
１９と、第１基板２の外側から液晶２３に向けて光を照
射する照明装置２５とを有する。反射性導電膜１８の周
りのエッジ部３４があるので、反射性導電膜１８が横方
向へ位置ずれしても、反射に寄与する光反射領域の面積
に変化は発生しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置及びその
製造方法、並びにその液晶装置を用いて構成される電子
機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話機、携帯情報端末機、腕
時計等といった電子機器の表示部として液晶装置が広く
用いられている。この液晶装置は、例えば、マトリクス
状に並べられた複数の表示ドットを有し、液晶に印加す
る電圧をこれらの表示ドットごとに制御することによ
り、該液晶を通過する光を表示ドットごとに変調し、こ
れにより、外部に文字、数字、図形等といった像を表示
する。

【０００３】上記構成の液晶装置においては、液晶に光
を供給する方式に応じて、反射型液晶装置及び透過型液
晶装置があることが知られている。ここで、反射型液晶
装置は、観察側から液晶装置に入射した後に液晶の裏側
で反射した光を利用して表示を行う構造の液晶装置であ
る。他方、透過型液晶装置は、液晶の裏側に配設した照
明装置からの光を利用して表示を行う構造の液晶装置で
ある。

【０００４】上記反射型液晶装置は、バックライト等と
いった照明装置を持たないために消費電力が小さく、従
来から種々の電子機器の表示部として多用されている。
しかしながら、この反射型液晶装置は、自然光や照明光
等といった外光を利用して表示を行うため、暗い場所で
は表示を視認することが難しいという問題があった。そ
こで、明るい場所では反射型液晶装置と同様に外光を利
用するが、暗い場所では内部の光源により表示を視認可
能にした形態の液晶装置が提案されている。つまり、こ
の液晶装置は反射型と透過型を兼ね備えた表示方式を採
用しており、周囲の明るさに応じて反射表示及び透過表
示のいずれかの表示方式に切り替えることにより、消費
電力を低減しつつ、周囲が暗い場合でも明瞭な表示が行
えるようにしたものである。以下、本明細書ではこの種
の液晶装置のことを半透過反射型液晶装置という。

【０００５】この半透過反射型液晶装置として、従来、
半透過反射膜、いわゆるハーフミラーを備えたものが知
られている。この半透過反射膜は、通常の光学分野で反
射膜として用いられるアルミニウム等といった金属膜の
膜厚を最適化することによって、光をある程度透過する
と同時にある程度反射するようにしたものである。しか
しながら、半透過反射膜を形成するにはマスクスパッタ
等の成膜技術が必要であり、工程が複雑化することに加
えて、膜厚のばらつきが大きいために透過率及び反射率
のばらつきが大きくなる、といった欠点がある。

【０００６】そこで、上記半透過反射膜の欠点を克服す
るために、光透過用のスリット、すなわち開口を反射膜
に形成した構造の液晶装置が提案された。図６は、この
ような構成の液晶装置の一例である、単純マトリクス方
式の半透過反射型カラー液晶装置を示している。この液
晶装置７０では、一対の透明基板７１，７２の間に液晶
７３が挟持される。下基板７１の液晶側表面上には、反
射膜７４、カラーフィルタ７５、オーバーコート膜７
６、シリコン酸化膜７７及びセグメント電極７８が順に
積層される。また、上基板７２の液晶側表面上にはコモ
ン電極７９が形成される。

【０００７】下基板７１上に形成されたカラーフィルタ
７５は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の異なる色の色
素層７５ｒ，７５ｇ，７５ｂを有し、これらの色素層は
矢印Ａ方向から見て平面的に所定のパターン、例えば、
ストライプ状に並べられている。また、セグメント電極
７８は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化
物）等といった透明導電膜によって、矢印Ａ方向から見
てストライプ状に形成される。一方、上基板７２上に形
成されたコモン電極７９は、ＩＴＯ等といった透明導電
膜によって形成され、上記セグメント電極７８と直交す
る方向にストライプ状に形成される。

【０００８】下基板７１上に形成された反射膜７４は、
アルミニウム等といった反射率の高い金属膜で形成され
ている。そして、この反射膜７４には、表示ドット毎に
光透過用のスリット８０が形成されている。また、上下
基板７１，７２の外側には偏光板８２ａ及び８２ｂが配
置され、さらに、下基板７１の下面側、すなわち観察側
の裏面側にバックライト等といった照明装置８３が配置
されている。

【０００９】上記構成の液晶表示装置７０を明るい場所
において反射表示状態で使用する際には、矢印Ｒで示す
ように、上基板７２から入射した外部光が液晶７３を透
過して反射膜７４の表面で反射した後、再度、液晶７３
を透過し、その後、上基板７２側に出射される。一方、
暗い場所において透過表示状態で使用する際には、下基
板７１の外側に設置した照明装置８３から出射される光
がスリット８０の部分で反射膜７４を透過し、その後、
液晶７３を透過して上基板７２側に出射される。これら
の光が各表示状態での表示に寄与する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な半透過反射型の液晶装置では、従来、反射膜としてア
ルミニウム等といった金属膜が用いられてきたが、近年
では、より一層明るい画面が求められており、そのた
め、アルミニウムよりも反射率が高い合金であるＡＰ
Ｃ、すなわち銀・パラジウム・銅（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ）
合金も用いられるようになっている。

【００１１】ところが、ＡＰＣは製造プロセス中におい
て耐水性が弱いという性質を持っており、パターン形成
されたＡＰＣが電気的にイオン化して溶け出すことこと
からエレクトロマイグレーションやこれによる電食（す
なわち、コロージョン）が信頼性において問題とされて
いる。このように、ＡＰＣ単独では使いにくいため、Ａ
ＰＣの上層又は下層にＩＴＯを積層して積層膜を形成
し、この積層膜を半透過反射膜として用いることが提案
されている。

【００１２】図７は、そのようなＡＰＣとＩＴＯとの積
層膜から成る反射電極に光透過用のスリットを設けた構
成の半透過反射型カラー液晶装置の一例を示している。
この液晶装置６０の例では、一対の透明基板６１，６２
の間に液晶６３が挟持されている。下基板６１の液晶側
表面上には、スリット６４を有するＡＰＣ膜６５と、そ
の上に形成されたＩＴＯ膜６６とから成る積層構造のセ
グメント電極６７が矢印Ａ方向から見てストライプ状に
形成されている。さらに、セグメント電極６７の上には
配向膜６８が形成されている。

【００１３】一方、上基板６２には、Ｒ、Ｇ、Ｂの色素
層５９ｒ，５９ｇ，５９ｂから成るカラーフィルタ５９
と、オーバーコート膜５８と、ＩＴＯ膜から成る矢印Ａ
方向から見てストライプ状のコモン電極５７と、配向膜
５６とが順次に形成されている。また、上下基板６１，
６２の外側表面には偏光板８２ａ，８２ｂが配置され、
さらに、下基板６１の下面側、すなわち観察側の裏面側
にバックライト等といった照明装置８３が配置されてい
る。

【００１４】以上の構成では、下基板６１上のＡＰＣ膜
６５とＩＴＯ膜６６との積層膜が半透過反射層として機
能すると同時に液晶駆動用の電極としても機能するの
で、下基板６１上にはカラーフィルタを形成することが
できず、カラーフィルタ５９は上基板６２の上に形成さ
れている。

【００１５】また、ＡＰＣは反射率が高いばかりでな
く、ＩＴＯ等と比べて比抵抗が低いという特性を持って
いるため、電極材料や配線材料としても適している。特
に、ＩＴＯと比べた場合、ＩＴＯの比抵抗が２×１０
^−４Ωｍであるのに対し、ＡＰＣの比抵抗は３．９×１
０^−６Ωｍであり、１／５０程度の値しかない。つま
り、膜厚が同じであるとすると、同じ抵抗値を得るのに
ＡＰＣ配線はＩＴＯ配線の１／５０の配線幅で済む。

【００１６】そのため、電極と駆動用ＩＣとの間の引き
回し配線にＡＰＣを用いる図７の液晶装置では、引き回
し配線にＩＴＯを用いる図６の液晶装置に比べて引き回
し配線の微細化が図れ、それ故、有効表示領域周辺の非
表示領域、いわゆる額縁領域の面積を小さくする、すな
わち狭額縁化することができる。特に、狭額縁化された
液晶装置は、それを内蔵する電子機器の筐体内の限られ
た空間に収容することができ、且つ、当該液晶装置が電
子機器内に占める占有面積に対して表示し得る情報量が
多くなることから、携帯電話等といった携帯用小型電子
機器に用いられるのが好適である。

【００１７】しかしながら、図７に示した従来の液晶装
置では、使用を重ねていくとセグメント電極６７や引き
回し配線を構成するＡＰＣがエレクトロマイグレーショ
ンを起こすことによって、電極や配線が細くなったり、
場合によっては断線する等といった不良が発生するおそ
れがあり、それ故、信頼性が低いことが問題となってい
た。

【００１８】この問題点を解消するため、本出願人は、
未だ公知ではないが図８及び図９に示す構成の液晶装置
を提案した。これらの図において、図７に示した液晶装
置６０で用いた部材と同じ部材は同じ番号を付して示す
ことにして、それらの部材の説明は省略する。図８及び
図９に示す液晶装置では、セグメント電極６７を構成す
るＡＰＣ膜６５の上面及び側面の全てをＩＴＯ膜６６に
よって覆っている。また、配線５５を構成するＡＰＣ膜
５４の上面及び側面の全てをＩＴＯ膜５３によって覆っ
ている。図８及び図９において、符号５２はブラックマ
スクを示し、符号５１は表示領域の周辺に形成された遮
光層を示している。

【００１９】以上のように、ＡＰＣ膜の表面の全域をＩ
ＴＯ膜によって被覆すれば、電極や配線をＡＰＣを用い
て形成した場合でも、ＡＰＣにエレクトロマイグレーシ
ョンが発生することを防止でき、それ故、信頼性の高い
半透過反射型の液晶装置を形成できる。

【００２０】ところで、上記の液晶装置では、図９の背
面側の基板６１に形成した反射膜６５の内部領域内に、
各表示ドットに対応させて開口、すなわちスリット６４
を設けると共に、液晶装置の背面側に照明装置８３を配
設した。この構成によれば、照明装置８３から出射して
背面側の基板６１に入射した光を、反射膜６５に設けた
スリット６４を通過させて観察側に出射させることによ
って透過型表示を実現している。

【００２１】この液晶装置においては、反射層６５を形
成する工程や、一対の基板６１，６２を貼り合わせる工
程等といった各種の工程において生じる誤差に起因し
て、反射型表示を行うために光を反射させる領域の面積
と、透過型表示のために光を透過させる領域の面積との
比率が、所期の比率、すなわち設計上の比率と異なって
しまう場合が生じ得る。そして、例えば、光を透過させ
る領域の面積が所期の面積よりも小さく、光を反射させ
る領域の面積が所期の面積よりも大きい場合には、透過
型表示を行った場合の明るさが反射型表示を行った場合
と比較して暗くなるといった具合に、表示方式によって
表示品位にばらつきが生じるという問題があった。

【００２２】本発明は、上記の問題点に鑑みて成された
ものであって、液晶装置を製造する際に各種の誤差が生
じる場合でも、半透過反射膜において光透過領域と光反
射領域との間に面積比率のばらつきが発生することを抑
え、これにより、液晶装置において表示方式が変化する
場合でも表示品位にはばらつきが発生しないようにする
ことを目的とする。

【００２３】

【課題を解決するための手段】（１）上記の目的を達成
するため、本発明に係る第１の液晶装置は、第１基板と
第２基板との間に液晶を配置して成る液晶装置におい
て、前記第１基板に形成された反射性導電膜と、該反射
性導電膜上に積層されると共にエッジ部分が前記第１基
板に接触する透光性の金属酸化物膜と、前記第１基板の
外側から前記液晶に向けて光を照射する照明手段とを有
することを特徴とする。

【００２４】この液晶装置では、上記照明手段から液晶
へ光が供給されたとき、その光のうち前記透光性の金属
酸化物膜、例えばＩＴＯ膜のエッジ部分に到達したもの
が、そのエッジ部分を透過して液晶に到達し、その液晶
の配向に応じて変調される。そしてこれにより、透過型
の表示が実現される。この構成の液晶装置では、反射膜
の内部領域に形成した開口、すなわちスリットを通して
透過表示を行うのではなく、金属酸化物膜のエッジ部分
に形成される光透過領域を用いて透過型表示を行うよう
にした。

【００２５】この構成によれば、反射性導電膜が金属酸
化物膜のエッジ部分の延在領域に対して横方向へずれる
誤差が発生した場合、その誤差がエッジ部分の幅寸法以
内であれば、１表示ドット領域内における光透過領域の
面積と光反射領域の面積との割合には変化が発生しな
い。このため、液晶装置において表示方式が変化する場
合でも表示品位にばらつきが発生することを防止でき
る。

【００２６】（２）次に、本発明に係る第２の液晶装置
は、第１基板と第２基板との間に液晶を配置して成る液
晶装置において、前記第１基板に設けられた下地膜と、
該下地膜上に形成された反射性導電膜と、該反射性導電
膜上に積層されると共にエッジ部分が前記下地膜に接触
する透光性の金属酸化物膜と、前記第１基板の外側から
前記液晶に向けて光を照射する照明手段とを有すること
を特徴とする。

【００２７】この第２の液晶装置が上記の第１の液晶装
置と異なる点は、反射性導電膜の下に下地膜が形成さ
れ、金属酸化物膜のエッジ部分は第１基板に接触するの
ではなく、上記の下地膜に接触することである。下地膜
を設けた本構成の液晶装置では、金属酸化物膜によって
反射性導電膜を外部環境からより一層確実に遮蔽できる
ので、反射性導電膜にエレクトロマイグレーション等と
いった支障が発生することをより一層確実に防止でき
る。

【００２８】（３）上記構成の各液晶装置において、前
記第１基板に接触する前記エッジ部分又は前記下地膜に
接触する前記エッジ部分は、半透過反射方式の液晶表示
における１つの表示ドット内での光透過部を構成するこ
とができる。ここで、「１つの表示ドット」とは、文
字、数字等といった像を表示領域内に表示する際の最小
限の表示単位のことであり、具体的には、Ｒ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）等といった３原色や、Ｃ（シアン）、
Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）等といった３原色を用
いてフルカラー表示を行う場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂ等とい
った各色素膜の１つに対応するドット領域であり、単色
のモノクロ表示の場合には、一対の電極が互いに重なり
合う画素領域のことである。なお、Ｒ，Ｇ，Ｂ等といっ
た３原色を用いてフルカラー表示を行う場合には、それ
らの各色に対応する３つの表示ドットが集まって１つの
画素が形成される。

【００２９】また、上記構成の液晶装置において、前記
下地膜は金属酸化物を含むことができる。金属酸化物と
しては、例えば、ＩＴＯを採用できる。

【００３０】また、上記構成の液晶装置において、前記
反射性導電膜の上面には、青色成分の光を反射させる反
射層を設けることができる。反射性導電膜としてＡＰＣ
を用いる場合には、このＡＰＣによって反射した光にお
いて青色成分に相当する波長の光の反射が弱くなる場合
がある。このことに関し、反射性導電膜の上面に青色成
分の光を反射させる反射層を設けておけば、表示画面に
おける青色成分の低下を補償できる。

【００３１】次に、上記構成の液晶装置において、前記
反射性導電膜及び前記金属酸化物膜は前記液晶に電圧を
印加するための第１電極を構成することができる。この
構成によれば、電極が光反射膜を兼用するので、光反射
膜を電極とは別に形成する場合に比べて、液晶装置の構
成が簡単になると共に、液晶装置を簡単に製造すること
ができる。

【００３２】次に、上記構成の液晶装置は、前記第１電
極に対向して前記第２基板上に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との交差領域に対応して設
けられた着色層とを有することができる。これにより、
液晶装置によってカラー表示を行うことができる。そし
て、表示方式が反射型と透過型等の間で変化する場合で
も、カラー表示の表示品位に変化が発生することを防止
できる。なお、着色層がＲ，Ｇ，ＢやＣ，Ｍ，Ｙの３原
色を含む場合には、フルカラー表示を行うことができ
る。

【００３３】次に、本発明に係る液晶装置は単純マトリ
クス方式の液晶装置として構成することができ、この場
合には、互いに交差するストライプ状電極がそれら一対
の基板上のそれぞれに形成される。また、本発明に係る
液晶装置はアクティブマトリクス方式の液晶装置として
構成することもでき、この場合には、前記第１電極はド
ット状電極として構成される。

【００３４】次に、上記構成の液晶装置は、前記第１電
極に対向して前記第２基板上に形成された第２電極と、
前記第１電極につながる配線と、前記第２電極につなが
る配線とを有することができる。そしてこの構成の場合
には、前記第１電極と前記第２電極との交差領域の集ま
りによって表示領域が形成され、前記第１電極につなが
る配線及び前記第２電極につながる配線は前記表示領域
の外側に存在し、前記配線の少なくとも一方は金属酸化
物によって形成され、反射性導電膜は含まないように構
成できる。

【００３５】配線は、一般に、表示領域以外の領域、す
なわち液晶が存在しない領域に形成されることが多い。
この場合、配線にＡＰＣ等といった反射性導電膜が含ま
れるとすると、そのＡＰＣにエレクトロマイグレーショ
ンが発生する可能性が高くなる。これに対し、配線には
反射性導電膜を含まないように処置しておけば、エレク
トロマイグレーションの発生の可能性が高くなることを
防止できる。

【００３６】次に、上記構成の液晶装置において、前記
反射性導電膜は銀単体又は銀を含む合金によって形成す
ることができる。銀を含む合金としては、例えば、銀・
パラジウム・銅合金であるＡＰＣが考えられる。これら
の材料によって反射性導電膜を形成すれば、高い反射光
率を得ることができ、さらに、ＩＴＯ等といった金属酸
化物膜だけを用いる場合に比べて顕著な低抵抗化を達成
できる。

【００３７】次に、上記構成の液晶装置において、前記
金属酸化物膜はＩＴＯによって形成でき、この金属酸化
物膜によって反射性導電膜を被覆することにより、その
反射性導電膜に変質が発生することを確実に防止でき
る。

【００３８】次に、上記構成の液晶装置において、前記
第１基板や前記下地膜に接触する前記エッジ部分の面積
は、該エッジ部分が属する１つの表示ドットの面積の１
０〜７０％、望ましくは３０〜５０％であることが望ま
しい。発明者の実験によれば、エッジ部分の面積の割合
を上記のように設定することにより、反射型表示と透過
型表示との間で表示品質が大きく変化することを確実に
防止できた。

【００３９】（４）次に、本発明に係る第１の液晶装置
の製造方法は、第１基板と第２基板との間に液晶を配置
して成る液晶装置の製造方法において、前記第１基板上
に反射性導電膜を形成する工程と、エッジ部分が前記第
１基板に接触するように透光性の金属酸化物膜を前記反
射性導電膜上に形成する工程と、光を照射する照明手段
を前記第１基板の外側に設ける工程とを有することを特
徴とする。この構成の液晶装置の製造方法によれば、以
上に記載した構成の液晶装置を確実に製造できる。

【００４０】（５）次に、本発明に係る第２の液晶装置
の製造方法は、第１基板と第２基板との間に液晶を配置
して成る液晶装置の製造方法において、前記第１基板上
に下地膜を形成する工程と、該下地膜上に反射性導電膜
を形成する工程と、エッジ部分が前記下地膜に接触する
ように透光性の金属酸化物膜を前記反射性導電膜上に形
成する工程と、光を照射する照明手段を前記第１基板の
外側に設ける工程とを有することを特徴とする。この構
成の液晶装置の製造方法によれば、以上に記載した構成
の液晶装置を確実に製造できる。

【００４１】この第２の液晶装置の製造方法が既述の第
１の液晶装置の製造方法と異なる点は、反射性導電膜の
下に下地膜が形成され、金属酸化物膜のエッジ部分は第
１基板に接触するのではなく、上記の下地膜に接触する
ことである。下地膜を設けるようにすれば、金属酸化物
膜によって反射性導電膜を外部環境からより一層確実に
遮蔽できるので、反射性導電膜にエレクトロマイグレー
ション等といった支障が発生することをより一層確実に
防止できる。

【００４２】（６）次に、本発明に係る電子機器は、以
上に記載した構成の液晶装置を用いて構成されること特
徴とする。この電子機器によれば、液晶装置において表
示方式が変化する場合、例えば反射型表示と透過型表示
との間で表示方式が変化する場合、でも表示品位にばら
つきが発生することを防止できる。

【００４３】

【発明の実施の形態】（液晶装置の第１実施形態）図１
は、本発明に係る液晶装置の一実施形態を示している。
この実施形態は、単純マトリクス方式で、ＣＯＧ（Chip
On Glass）方式で、カラー表示が可能な液晶装置に本
発明を適用した場合の実施形態である。また、図２は、
図１におけるＩ−Ｉ線に従った液晶装置の断面構造を示
している。また、図３は、図１に示す液晶装置の１画素
部分における電極の平面的構造を示している。また、図
４は図１に示す液晶装置の１画素部分における反射性導
電膜とカラーフィルタとの平面的な位置関係を示してい
る。なお、上記の各図においては、構造を分かり易く示
すために、各構成要素の膜厚や寸法の比率等は実際のも
のとは異なっている。図１において、本実施形態に係る
液晶装置１は、平面形状が矩形状である下基板２と、同
じく矩形状である上基板３とが、それらの周辺において
環状のシール材４によって互いに貼り合わされることに
より、互いに対向して配置されている。これらの下基板
２及び上基板３は、例えば、ガラス、プラスチック等と
いった透明基板によって形成される。

【００４４】シール材４の一部は各基板２，３の一辺
（すなわち、図１における上辺）側で開口して液晶注入
口５となっている。また、図２に示すように、双方の基
板２，３とシール材４とに囲まれた間隙内には液晶２
３、例えばＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶が封
入され、その状態で図１の液晶注入口５が封止材６によ
って封止されている。

【００４５】図１において、下基板２の外形寸法は上基
板３よりも大きく形成されている。また、上基板３と下
基板２は、それらの１辺（すなわち、図１における上
辺）において、それらの縁が揃うように貼り合わされ、
残りの３辺（すなわち、図１における下辺、右辺、左
辺）において、下基板２の周縁部が上基板３の外部へ張
り出すように貼り合わされている。そして、下基板２の
下辺側の張出し部に駆動用ＩＣ７が実装され、この駆動
用ＩＣ７によって上基板３及び下基板２の双方の電極が
駆動される。なお、符号８は有効表示領域の周囲を遮光
するための環状の遮光層を示している。

【００４６】図１において、下基板２上に、図中縦方向
に延在する複数の直線状のセグメント電極１０が互いに
平行に形成されて全体としてストライプ状に形成されて
いる。一方、上基板３上には、セグメント電極１０と直
交するように図中横方向に延在する複数の直線状のコモ
ン電極１１が互いに平行に形成されて全体としてストラ
イプ状に形成されている。

【００４７】図２において、下基板２の下面側、すなわ
ち観察側の裏面側に照明装置２５がバックライトとして
配置されている。また、上基板３の液晶側表面にカラー
フィルタ１３が形成されている。このカラーフィルタ１
３はＲ、Ｇ、Ｂの各色素層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂを適
宜の配列パターン、例えば図４に示すようなストライプ
配列で並べることによって形成されている。なお、色素
層の配列は、ストライプ配列以外に、例えば、デルタ配
列や、モザイク配列等とすることもできる。各色素層１
３ｒ，１３ｇ，１３ｂの間はブラックマスク３３によっ
て区画されている。このブラックマスク３３は、例えば
樹脂ブラックや比較的反射率の低いクロム等といった遮
光性の金属によって形成される。

【００４８】各色素層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂは各セグ
メント電極１０の延在方向（すなわち、図２の紙面垂直
方向）に対応して配置されており、図２に示す横方向に
並んだＲ、Ｇ、Ｂの３個の表示ドットによって１つの画
素が構成されている。下基板２の液晶側表面には、例え
ばＩＴＯによって下地膜３５が形成され、その下地膜３
５の上に、反射性導電膜としてのＡＰＣ膜１８と金属酸
化物膜としてのＩＴＯ膜１９とから成る積層構造が形成
され、この積層構造によってセグメント電極１０が構成
されている。ここで、ＡＰＣ膜１８は、電極を構成する
と共に反射膜として機能するようになっている。また、
セグメント電極１０の上にはポリイミド等から成る配向
膜２０が形成される。そして、この配向膜２０には、両
基板２，３を貼り合わせる前に配向処理、例えばラビン
グ処理が施される。

【００４９】図１において、複数のコモン電極１１のう
ち、図１の上側半分のコモン電極１１については、引回
し配線１４がコモン電極１１の右端からシール材４に向
けて引き出されている。そして、これらの引回し配線１
４は、シール材４の中に混入させた導電粒子から成る上
下導通材４１を介して上基板３から下基板２にかけて電
気的に接続され、下基板２の周縁部に引き回され、さら
に、駆動用ＩＣ７の出力端子に接続されている。

【００５０】同様に、図１の下側半分のコモン電極１１
については、引回し配線１４がコモン電極１１の左端か
らシール材４に向けて引き出されている。そして、これ
らの引回し配線１４は、シール材４の中に混入させた導
電粒子からなる上下導通材４１を介して上基板３から下
基板２にかけて電気的に接続され、下基板２の周縁部に
引き回され、さらに、駆動用ＩＣ７の出力端子に接続さ
れている。一方、セグメント電極１０については、引回
し配線１５がセグメント電極１０の下端からシール材４
に向けて引き出され、そのまま駆動用ＩＣ７の出力端子
に接続されている。

【００５１】図２において、引回し配線１４，１５は、
セグメント電極１０と同様に、ＡＰＣ膜１８とＩＴＯ膜
１９との積層膜によって構成されている。また、図１に
おいて、駆動用ＩＣ７に各種信号を供給するための入力
用配線１６が下基板２の下辺から駆動用ＩＣ７の入力端
子に向けて設けられている。

【００５２】セグメント電極１０及び引回し配線１４、
１５において、ＩＴＯ膜１９のエッジ部分はＡＰＣ膜１
８の外側へ張り出しており、そのエッジ部分の底面が下
地膜３５の上面に接触している。このため、ＩＴＯ膜１
９は単にＡＰＣ膜１８の上面だけに積層されるだけでな
く、ＡＰＣ膜１８の側面も覆うように形成されている。

【００５３】上基板３の液晶側表面に形成されたカラー
フィルタ１３の表面上には、各色素層間の段差を平坦化
すると同時に各色素層の表面を保護するためのオーバー
コート膜２１が形成されている。このオーバーコート膜
２１はアクリル、ポリイミド等の樹脂膜でも良いし、シ
リコン酸化膜等の無機膜でも良い。さらに、オーバーコ
ート膜２１の表面上にＩＴＯの単層膜からなるコモン電
極１１が、図２の紙面横方向に矢印Ａ方向から見てスト
ライプ状に形成されており、その表面上にポリイミド等
から成る配向膜２２が形成されている。この配向膜２２
には、両基板２，３を貼り合わせる前に配向処理、例え
ばラビング処理が施される。

【００５４】図２において、ブラックマスク３３の幅Ｗ
は、互いに隣接する２つの表示ドット内のＩＴＯ膜１９
同士の間隔Ｐ１とほぼ等しく形成される。そして、基板
２と基板３とが正確に貼り合わされたときに、ブラック
マスク３３の側面周縁とＩＴＯ膜１９の側面周縁とが矢
印Ａ方向から見て位置的に一致するように設定されてい
る。図３はこのことを平面的に示しており、図示の通
り、ブラックマスク３３の縦方向の側面と、セグメント
電極１０を構成するＩＴＯ膜１９の側面とが図の縦方向
に関して位置的に一致している。

【００５５】また、図２において、ブラックマスク３３
の両側に対応する位置の下基板２の表面には、ＩＴＯ膜
１９のエッジ部分であって下地膜３５に接触する部分３
４が配置される。このエッジ部分３４は、照明装置２５
が発光したときにその光を透過させて液晶２３へ導くた
めの光透過領域を構成する。一方、ＡＰＣ膜１８は、上
基板３側から太陽光、室内光等といった外部光が入射し
たときに、その外部光を反射する光反射領域を構成す
る。図３に示すように、ＡＰＣ膜１８の外側に位置する
ＩＴＯ膜１９のエッジ部分３４は、ブラックマスク３３
によって区画される長方形領域である個々の表示ドット
内において、ブラックマスク３３の縦方向の延在方向に
沿って位置している。

【００５６】図２において、セグメント電極１０及び引
回し配線１４、１５は、ＡＰＣ膜１８とＩＴＯ膜１９と
の２層構造を有している。ＡＰＣ膜１８等といった反射
性導電膜はそれ自体が耐水性が弱く、使用時にエレクト
ロマイグレーションが起こり易いという性質を持ってい
る。その点、本実施形態では、セグメント電極１０及び
引回し配線１４、１５を構成するＩＴＯ膜１９がＡＰＣ
膜１８の上面及び側面の全てを完全に覆っているので、
製造プロセス中の水分の付着によってＡＰＣ膜１８が腐
食することや、ＡＰＣ膜１８の表面の汚染に起因してＡ
ＰＣ膜１８にエレクトロマイグレーションが発生するこ
と等といった問題を回避することができ、それ故、信頼
性の高い液晶装置を形成することができる。さらに、表
示領域内に設けられて反射膜としても機能するＡＰＣ膜
１８の表面の全域がＩＴＯ膜１９によって覆われること
により、そのＡＰＣ膜１８の反射率が製造プロセス中に
低下することを防止できるので、反射表示時に明るい表
示を達成できるという優れた特性の液晶装置を歩留まり
よく製造できる。

【００５７】また、本実施形態の液晶装置では、図２に
示すように、上基板３上のカラーフィルタ１３にブラッ
クマスク３３を形成するようにしたので、製造プロセ
ス、特に下基板２側の製造プロセスを簡略化できる。ま
た、引回し配線１４，１５は、ＡＰＣ膜１８を含むこと
により電気抵抗が低くなるので、それらの配線の線幅の
微細化が達成でき、その結果、狭額縁化を実現すること
ができる。

【００５８】さらに本実施形態では、図１において上下
導通材４１を用いてセグメント電極１０の駆動とコモン
電極１１の駆動を下基板２の表面上に設けた１個の駆動
用ＩＣ７で担うことにしたので、額縁領域を全体として
狭くでき、これによっても狭額縁化が図れる。これによ
り、本実施形態によれば、小型の携帯用電子機器に好適
な液晶装置を提供することができる。

【００５９】図２において、ブラックマスク３３の幅Ｗ
は、互いに隣接する２つの表示ドットに含まれるＩＴＯ
膜１９の間隔Ｐ１にほぼ一致しており、さらに、互いに
隣接する２つのＡＰＣ膜１８の間隔Ｐ２よりも小さく設
定されている。さらに、本実施形態の液晶装置の組立工
程において、上基板３と下基板２との貼り合わせ時に生
じるズレ量（例えば起こり得る最大のズレ量）をδとす
ると、ブラックマスク３３の縁からＡＰＣ膜１８の縁ま
での寸法Ｄは上記のズレ量δよりも大きくなるように、
すなわち、Ｄ＞δとなるように設定されている。なお、
ブラックマスク３３の縁からＡＰＣ膜１８の縁までの寸
法Ｄは、本実施形態の場合、１つのセグメント電極１０
内のＩＴＯ膜１９の縁からＡＰＣ膜１８の縁までの寸法
と一致する。

【００６０】以上のことを図３で見ると、セグメント電
極１０の輪郭線はとりもなおさずＩＴＯ膜１９の側面縁
であり、ブラックマスク３３の輪郭線はそのＩＴＯ膜１
９の側面縁を示す線に一致している。そして、ＡＰＣ膜
１８の側面縁はＩＴＯ膜１９の内側に位置している。つ
まり、平面的に見ると、セグメント電極１０の左右の縁
の細長い部分、すなわちエッジ部分３４にはＡＰＣ膜１
８が存在せず、ＩＴＯ膜１９のみが存在し、さらにこの
エッジ部分３４はブラックマスク３３によって覆われな
い領域である。従って、エッジ部分３４は透過表示時に
バックライト２５（図２参照）からの光が透過する光透
過領域となる。

【００６１】本実施形態における液晶装置は、図３及び
図４に示すエッジ部分３４を光透過領域として用いるこ
とにより、図８に示した液晶装置における光透過用窓部
６４を無くすことができ、その分、ＡＰＣ膜１８の幅を
狭くすることによってセグメント電極１０のエッジ部分
３４にＩＴＯ膜１９だけが存在する光透過領域を設けた
ものということができる。さらに、エッジ部分３４は単
に光透過領域として機能するだけでなく、貼り合わせズ
レに起因して反射表示時に輝度が低下することを防止す
る構造としても機能する。

【００６２】すなわち、図９に示した構造の液晶装置の
場合のように、ブラックマスク５２の幅ＷがＡＰＣ膜６
５同士の間隔Ｐ２に一致し、平面的にブラックマスク５
２の縁がＡＰＣ膜６５の縁に重なっている場合、貼り合
わせズレがなければ問題はないものの、少しでも貼り合
わせズレがあるとブラックマスク５２がＡＰＣ膜６５上
にかかってしまうため、ＡＰＣ膜６５の反射膜としての
有効面積が減り、反射表示時における表示が暗くなると
いう欠点を持っている。

【００６３】これに対して、図２に示す本実施形態に係
る液晶装置では、エッジ部分３４を設け、しかもエッジ
部分３４の幅（すなわち、ブラックマスク３３の縁から
ＡＰＣ膜１８の縁までの寸法Ｄに相当する幅）を貼り合
わせズレ量よりも大きくとっているので、貼り合わせズ
レが生じたとしてもブラックマスク３３がＡＰＣ膜１８
上にかかることはない。

【００６４】なお、貼り合わせズレが生じると、１つの
表示ドットにおいて片側のエッジ部分３４の一部がブラ
ックマスク３３に隠れてしまうので、当該エッジ部分３
４の幅が細くなるが、その分、反対側のエッジ部分３４
の幅が広くなるため、表示ドットの全体としては光の透
過量が変わることもない。このように、貼り合わせズレ
があっても反射表示時の表示が暗くなることがなく、ブ
ラックマスク３３でカラーフィルタ１３の混色を防止し
つつ、貼り合わせズレに強い構造を提供することができ
る。

【００６５】また、本実施形態においては、セグメント
電極１０及び引回し配線１４、１５を構成するＡＰＣ膜
１８が、上面、下面、側面の全てにおいてＩＴＯ膜１９
及び３５によって完全に覆われ、ＡＰＣ膜１８の全面が
ＩＴＯ膜１９及び３５によって被覆された状態となって
いる。このため、製造プロセス中の水分の付着による腐
食の問題やＡＰＣ膜１８の表面の汚染に起因するエレク
トロマイグレーションの問題をより一層確実に回避する
ことができる。従って、本実施形態に係る液晶装置は、
より一層高い信頼性を得ることができる。

【００６６】さらに、ＡＰＣ膜１８を用いたことによ
り、反射表示時における表示の明るさが向上し、透過表
示時におけるカラーの色の彩度が向上し、下基板２側の
製造プロセスが複雑化することがなくなり、装置の狭額
縁化が図れる、等といった種々の効果が得られる。

【００６７】以上に説明した実施形態では、図２に示し
たように、下基板２の表面に下地膜３５を形成し、その
下地膜３５の上にセグメント電極１０、すなわちＡＰＣ
膜１８及びＩＴＯ膜１９を形成した。しかしながら、こ
れに代えて、図９に示す断面構造、すなわち、下基板６
１の表面に下地膜を形成することなく、ＡＰＣ膜６５及
びＩＴＯ膜６６から成るセグメント電極６７を下基板６
１上に直接に形成するような構造の液晶装置に対しても
本発明を適用できることはもちろんである。

【００６８】（液晶装置の第２実施形態）図５は、本発
明に係る液晶装置の他の実施形態の要部の断面構造を示
している。この実施形態に係る液晶装置が図２に示した
先の実施形態に係る液晶装置と異なる点は、引回し配線
２４が、ＩＴＯ膜３５のみから成る単層構造であること
である。その他の構成は、図２に示した先の実施形態の
場合と同じであるので、同じ構成要素は同じ符号を付し
て示すこととして、その詳細な説明は省略する。

【００６９】図２に示した液晶装置では、セグメント電
極１０及び引回し配線１４の両方が、ＡＰＣ膜１８とＩ
ＴＯ膜１９とから成る２層構造を有していたが、図５に
示す本実施形態では、引回し配線２４は、ＩＴＯ膜３５
のみからなる単層構造となっている。そして、表示領域
内の下基板２の表面上にだけＡＰＣ膜１８が設けられ、
セグメント電極１０を構成するＡＰＣ膜１８の上面及び
側面の全てが、図２の実施形態の場合と同様に、ＩＴＯ
膜１９で被覆されている。

【００７０】引回し配線２４は、シール材４の外に位置
するため汚染され易く、従って、引回し配線２４にＡＰ
Ｃ膜が含まれる場合には、その引回し配線２４の表面が
汚染されることに起因してＡＰＣ膜にエレクトロマイグ
レーションが発生するおそれがある。これに対し、本実
施形態においては、図５に示すように、引回し配線２４
がＩＴＯ膜３５だけから成る単層構造、すなわちＡＰＣ
膜を含まない構造となっているので、引回し配線２４の
表面が汚染されたとしてもエレクトロマイグレーション
が発生する心配がない。

【００７１】また、本実施形態においても、セグメント
電極１０は、反射性導電膜であるＡＰＣ膜１８と金属酸
化物膜であるＩＴＯ膜１９との２層構造を有し、セグメ
ント電極１０を構成するＩＴＯ膜１９がＡＰＣ膜１８の
上面及び側面の全てを完全に覆っているため、製造プロ
セス中の水分の付着による腐食の問題や、ＡＰＣ膜１８
の表面の汚染に起因するエレクトロマイグレーションの
問題等を回避でき、このため、信頼性の高い液晶装置を
構成することができる。

【００７２】（液晶装置の第３実施形態）図１０は本発
明に係る液晶装置の他の実施形態を示している。ここに
示す液晶装置９０は、外部光が十分にある場合には反射
型として機能する一方、外部光が不十分である場合には
バックライトを点灯させることで透過型として機能する
半透過半反射型である。図１１は、図１０の液晶装置９
０をＸ方向に沿って破断した場合の構成を示す部分断面
図である。

【００７３】図１０において、液晶装置９０は液晶パネ
ル１００にバックライトとして照明装置２５を付設する
ことによって形成されている。液晶パネル１００は、図
１１に示すように、観察側に位置する前面側基板２００
と、その背面側に位置する背面側基板３００とが、スペ
ーサを兼ねる導電性粒子１１４が混入されたシール材１
１０によって一定の間隙を保って貼り合わせられると共
に、この間隙内に、例えばＴＮ（Twisted Nematic）型
の液晶１６０が封入された構成となっている。

【００７４】なお、シール材１１０は、前面側基板２０
０の内周縁に沿っていずれか一方の基板に形成される
が、液晶１６０を封入するために、その一部が開口して
いる。このため、液晶の封入後に、その開口部分が図１
０において封止材１１２によって封止されている。

【００７５】さて、前面側基板２００にあって背面側基
板３００との対向面には、複数の走査電極すなわちコモ
ン電極２１０が行方向であるＸ方向に延在して形成され
る。そしてその一方、背面側基板３００にあって前面側
基板２００との対向面には、複数のデータ電極すなわち
セグメント電極３１０が列方向であるＹ方向に延在して
形成されている。従って、本実施形態では、コモン電極
２１０とセグメント電極３１０とが互いに交差する領域
において、両電極によって液晶１６０に電圧が印加され
るので、この交差領域が１つの表示ドットとして機能す
ることになる。また、背面側基板３００にあって前面側
基板２００から張り出した２辺には、コモン電極２１０
を駆動するための駆動用ＩＣ１２２及びセグメント電極
３１０を駆動するための駆動用ＩＣ１２４が、それぞれ
後述するようにＣＯＧ（Chip On Glass）技術により実
装されている。さらに、この２辺のうち、駆動用ＩＣ１
２４が実装される領域の外側には、ＦＰＣ（Flexible P
rinted Circuit）基板１５０が接合されている。

【００７６】前面側基板２００に形成されたコモン電極
２１０は、図１１において、シール材１１０に混入され
た導電性粒子１１４を介して、背面側基板３００に形成
された配線３５０の一端に接続されている。一方、配線
３５０の他端は、図１０において駆動用ＩＣ１２２の出
力側バンプ（すなわち、突起電極）に接続されている。
すなわち、駆動用ＩＣ１２２は、配線３５０、導電性粒
子１１４及びコモン電極２１０という経路でコモン信号
を供給する構成となっている。なお、駆動用ＩＣ１２２
の入力側バンプと外部回路基板であるＦＰＣ基板１５０
との間は、配線３６０により接続されている。

【００７７】また、背面側基板３００に形成されたセグ
メント電極３１０は、そのまま駆動用ＩＣ１２４の出力
側バンプに接続されている。すなわち、駆動用ＩＣ１２
４は、セグメント電極３１０にセグメント信号を直接に
供給する構成となっている。なお、駆動用ＩＣ１２４の
入力側バンプとＦＰＣ基板１５０との間は、配線３７０
により接続されている。

【００７８】液晶パネル１００には、図１１に示される
ように前面側基板２００の観察側（すなわち、図の上
側）に偏光板１２１や位相差板１２３が設けられる。ま
た、背面側基板３００の背面側（すなわち、図の下側）
に偏光板１３３や位相差板１３３等が設けられる。な
お、図１においては、偏光板や位相差板等の図示は省略
している。また、背面側基板３００の背面側には、外部
光が少ない場合に透過型の光源として用いるための照明
装置２５がバックライトとして設けられる。

【００７９】＜表示領域＞次に、液晶パネル１００にお
ける表示領域の詳細について説明する。まず、前面側基
板２００の詳細について説明する。図１１に示されるよ
うに、基板２００の外面には、位相差板１２３及び偏光
板１２１が貼り付けられる。一方、基板２００の内面に
は、遮光膜としてのブラックマスク２０２が形成され
て、複数の表示ドット間の混色を防止すると共に、表示
領域を規定する額縁として機能している。

【００８０】さらに、コモン電極２１０とセグメント電
極３１０とが交差する領域に対応して、すなわち、ブラ
ックマスク２０２の開口領域に対応して、カラーフィル
タ２０４が所定の配列で設けられている。なお、本実施
形態では、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィ
ルタ２０４が、データ系の表示に好適なストライプ配列
（図１２参照）となっており、Ｒ、Ｇ、Ｂの表示ドット
の３個で略正方形状の１画素を構成しているが、本発明
をこれに限定する趣旨ではない。

【００８１】次に、図１１において、絶縁材から成る平
坦化膜２０５は、ブラックマスク２０２及びカラーフィ
ルタ２０４による段差を平坦化するものであり、この平
坦化された面にＩＴＯ等といった透明導電材料が帯状に
パターニングされて、コモン電極２１０となっている。
そして、コモン電極２１０の表面には、ポリイミド等か
ら成る配向膜２０８が形成されている。なお、この配向
膜２０８には、背面側基板３００と貼り合わせる前に所
定の方向にラビング処理が施される。また、ブラックマ
スク２０２、カラーフィルタ２０４及び平坦化膜２０５
は、表示領域外では不要であるから、シール材１１０の
領域近傍では、設けられていない。

【００８２】続いて、背面側基板３００の構成について
説明する。基板３００の外面には、位相差板１３３及び
偏光板１３１が貼り付けられる。一方、基板３００の内
面全面には、絶縁性および光透過性を有する下地膜３０
３が形成されている。この下地膜３０３の表面には、さ
らに、反射性導電膜としての反射パターン３１２と金属
酸化物膜としての透明導電膜３１４とが積層された帯状
のセグメント電極３１０が形成されている。なお、基板
３００の表面に下地膜３０３を設けるのは、基板３００
の表面に形成される反射パターン３１２の密着性を向上
させるためである。

【００８３】反射パターン３１２は、銀合金、例えばＡ
ＰＣ等から成り、前面側基板２００の側から入射した光
を反射して、再び前面側基板２００に戻すために用いら
れる。この際、反射パターン３１２は、完全な鏡面であ
る必要はなく、むしろ適度に乱反射する構成が良い。こ
のためには、反射パターン３１２を、ある程度、起伏の
ある面に形成するのが望ましい。

【００８４】透明導電膜３１４は、反射パターン３１２
よりも一回り広く、具体的には、反射パターン３１２か
らはみ出したエッジ部分３４、すなわち周縁部分が下地
膜３０３に接するように形成されている。このため、反
射パターン３１２の表面は透明導電膜３１４で完全に覆
われるので、本実施形態では反射パターン３１２が外部
へ露出する部分は存在しないことになる。なお、エッジ
部分３４は、照明装置２５から出射した光を透過させて
液晶１６０へ導く領域、すなわち光透過領域として作用
する。

【００８５】次に、セグメント電極３１０の表面上に保
護膜３０７が設けられる。この保護膜３０７は、例えば
ＴｉＯ２等によって形成されて、反射パターン３１２と
透明導電膜３１４とを含めたセグメント電極３１０を保
護するための保護層と、青色成分の光を多く反射させる
層とを兼用する。そして、保護膜３０７の表面には、ポ
リイミド等からなる配向膜３０８が形成されている。な
お、この配向膜３０８には、前面側基板２００と背面側
基板３００とを貼り合わせる前に、所定の方向にラビン
グ処理が施される。なお、背面側基板３００の製造プロ
セスについての説明は、便宜上、配線３５０、３６０、
３７０を説明した後とする。

【００８６】＜シール材近傍＞次に、液晶パネル１００
のうち、シール材１１０が形成される領域の近傍につい
て、図１１のほか、図１２をも参照して説明する。ここ
で、図１２は、当該領域近傍の詳細な構成を示す平面図
である。

【００８７】これらの図に示されるように、前面側基板
２００におけるコモン電極２１０は、シール材１１０が
形成される領域まで延設される一方、背面側基板３００
にあっては、配線３５０を構成する透明導電膜３５４
が、コモン電極２１０に対向するように、シール材１１
０が形成される領域まで延設されている。このため、シ
ール材１１０中に、スペーサを兼ねた球状の導電性粒子
１１４を適切な割合で分散させると、コモン電極２１０
と透明導電膜３５４とが、当該導電性粒子１１４を介し
て電気的に接続されることになる。

【００８８】ここで、配線３５０は、上述したように、
コモン電極２１０と駆動用ＩＣ１２２の出力側バンプと
の間を電気的に接続するものであって、反射性導電膜３
５２と透明導電膜３５４とが積層されたものである。こ
のうち、反射性導電膜３５２は、反射パターン３１２と
同一の導電層をパターニングしたものであり、同様に、
透明導電膜３５４は、透明導電膜３１４と同一の導電層
を、反射性導電膜３５２よりも一回り広く、具体的に
は、反射性導電膜３５２からはみ出したエッジ部分が下
地膜３０３に接するように、パターニングしたものであ
る。ただし、シール材１１０が形成される領域には、図
１１に示されるように、反射性導電膜３５２は積層され
ずに、透明導電膜３５４のみが設けられる。換言すれ
ば、反射性導電膜３５２は、シール材１１０の形成領域
であって、コモン電極２１０との接続部分を避けて形成
されている。

【００８９】なお、図１１における導電性粒子１１４の
径は、説明の便宜上、実際よりもかなり大きくしてあ
り、このため、シール材１１０の幅方向に１個だけ設け
られたように見えるが、より正確には、図１２に示され
るように、シール材１１０の幅方向に多数の導電性粒子
１１４がランダムに配列する構成となる。

【００９０】＜駆動用ＩＣの実装領域及びＦＰＣ基板の
接合領域の近傍＞続いて、背面側基板３００のうち、駆
動用ＩＣ１２２、１２４が実装される領域や、ＦＰＣ基
板１５０が接合される領域の近傍について説明する。図
１３は、これらの領域における構成を、配線を中心にし
て示す断面図である。また、図１４は、駆動用ＩＣ１２
２の実装領域における配線の構成を示す平面図である。
なお、上述したように、背面側基板３００には、セグメ
ント電極３１０のほか、配線３５０、３６０および３７
０が設けられるが、ここでは、駆動用ＩＣ１２２に関連
する配線３５０、３６０を例にとって説明する。

【００９１】まず、これらの図に示されるように、駆動
用ＩＣ１２２から出力されるコモン信号をコモン電極２
１０まで供給するための配線３５０は、上述したよう
に、反射性導電膜３５２と透明導電膜３５４とを積層し
たものであるが、駆動用ＩＣ１２２が実装される領域で
は、図１３に示すように、反射性導電膜３５２が設けら
れずに、透明導電膜３５４のみとなっている。換言すれ
ば、反射性導電膜３５２は、駆動用ＩＣ１２２との接合
部分を避けて形成されている。

【００９２】また、ＦＰＣ基板１５０から供給される各
種信号を駆動用ＩＣ１２２まで供給するための配線３６
０は、同様に、反射性導電膜３６２と透明導電膜３６４
とを積層したものである。このうち、反射性導電膜３６
２は、反射パターン３１２や反射性導電膜３５２と同一
の導電層をパターニングしたものであり、同様に、透明
導電膜３６４は、透明導電膜３１４、３５４と同一の導
電層を、反射性導電膜３６２よりも一回り広く、反射性
導電膜３６２からはみ出したエッジ部分が下地膜３０３
に接するように、パターニングしたものである。但し、
配線３６０のうち、駆動用ＩＣ１２２が実装される領域
及びＦＰＣ基板１５０が接合される領域（図１４では図
示省略）では、反射性導電膜３６２が設けられずに、透
明導電膜３６４のみとなっている。換言すれば、反射性
導電膜３６４は、駆動用ＩＣ１２２との接合部分及びＦ
ＰＣ基板１５０との接合部分を避けて形成されている。

【００９３】このような配線３５０、３６０に対して、
駆動用ＩＣ１２２は、例えば次のようにしてＣＯＧ実装
される。まず、直方体形状の駆動用ＩＣ１２２の一面に
は、その内周縁部分に電極が複数設けられるが、このよ
うな電極の各々には、それぞれ、例えば金（Ａｕ）等か
らなるバンプ１２９ａ、１２９ｂが予め形成されてい
る。

【００９４】そして、次のような順序で処理が行われ
る。すなわち、第１に、背面側基板３００にあって駆動
用ＩＣ１２２が実装されるべき領域に、エポキシ等とい
った接着材１３０に導電性粒子１３４を均一に分散させ
たシート状の異方性導電膜が載置される。第２に、該異
方性導電膜が、電極形成面を下側にした駆動用ＩＣ１２
２と背面側基板３００とで挟持される。第３に、駆動用
ＩＣ１２２が、位置決めされた後に、当該異方性導電膜
を介して背面側基板３００に加圧・加熱される。これに
より、駆動用ＩＣ１２２のうち、コモン信号を供給する
出力側バンプ１２９ａは、配線３５０を構成する透明導
電膜３５４に、また、ＦＰＣ基板１５０からの信号を入
力する入力側バンプ１２９ｂは、配線３６０を構成する
透明導電膜３６４に、それぞれ、接着材１３０中の導電
性粒子１３４を介して電気的に接続されることとなる。
この際、接着材１３０は、駆動用ＩＣ１２２の電極形成
面を、湿気や、汚染、応力などから保護する封止材を兼
ねることになる。

【００９５】なお、ここでは、駆動用ＩＣ１２２に関連
する配線３５０、３６０を例にとって説明したが、駆動
用ＩＣ１２４に関連するセグメント電極３１０及びＦＰ
Ｃ基板１５０から供給される各種信号を駆動用ＩＣ１２
４まで供給するための配線３７０についても、それぞれ
図１３において括弧書で示されるように、配線３５０、
３６０と同様な構成となっている。

【００９６】すなわち、駆動用ＩＣ１２４から出力され
るセグメント信号を供給するためのセグメント電極３１
０は、上述したように、反射パターン３１２と透明導電
膜３１４とが積層された構成となっているが、駆動用Ｉ
Ｃ１２４が実装される領域では、反射パターン３１２が
設けられずに、透明電極３１２のみとなっている。換言
すれば、反射パターン３１２は、駆動用ＩＣ１２４との
接合部分を避けて形成されている。

【００９７】また、ＦＰＣ基板１５０から供給される各
種信号を駆動用ＩＣ１２４まで供給するための配線３７
０は、同様に、反射性導電膜３７２と透明導電膜３７４
とが積層された構成となっている。このうち、反射性導
電膜３７２は、反射パターン３１２や反射性導電膜３５
２、３６２と同一の導電層をパターニングしたものであ
る。また、透明導電膜３７４は、透明導電膜３１４、３
５４、３６４と同一の導電層を、反射性導電膜３７２よ
りも一回り広く、反射性導電膜３７２からはみ出したエ
ッジ部分が下地膜３０３に接するように、パターニング
したものである。但し、配線３７０のうち、駆動用ＩＣ
１２４が実装される領域及びＦＰＣ基板１５０が接合さ
れる領域では、反射性導電膜３７２は設けられずに、透
明導電膜３７４のみとなっている。換言すれば、反射性
導電膜３７２は、駆動用ＩＣ１２４との接合部分及びＦ
ＰＣ基板１５０との接合部分を避けて形成されている。

【００９８】そして、このようなセグメント電極３１
０、配線３７０に対して、駆動用ＩＣ１２４は、駆動用
ＩＣ１２２と同様に、異方性導電膜を介して接続される
ことになる。

【００９９】また、配線３６０、３７０に対して、ＦＰ
Ｃ基板１５０が接合される場合にも、同様に異方性導電
膜が用いられる。これにより、ＦＰＣ基板１５０におい
て、ポリイミドのような基材１５２に形成された配線１
５４は、配線３６０を構成する透明導電膜３６４及び配
線３７０を構成する透明導電膜３７４に対し、それぞ
れ、接着材１４０中の導電性粒子１４４を介して電気的
に接続されることとなる。

【０１００】＜製造プロセス＞ここで、上述した液晶パ
ネルの製造プロセス、特に、背面側基板の製造プロセス
について、図１５を参照して説明する。なお、ここで
は、コモン電極２１０とセグメント電極３１０とが交差
する表示領域を中心にして説明することとする。まず、
図１５（ａ）に示されるように、基板３００の内面全面
に、Ｔａ_２Ｏ_５やＳｉＯ_２等をスパッタリング等により
堆積して、下地膜３０３を形成する。続いて、図１５
（ｂ）に示されるように、銀単体または銀を主成分とす
る反射性の導電層３１２’をスパッタリング等により成
膜する。この導電層３１２’としては、例えば、重量比
で９８％程度の銀(Ａｇ)のほかに白金(Ｐｔ)・銅(Ｃｕ)
を含む合金や、銀・銅・金の合金、さらには銀・ルテニ
ウム(Ｒｕ)・銅の合金等が望ましい。

【０１０１】続いて、図１５（ｃ）に示されるように、
導電層３１２’を、フォトリソグラフィ技術及びエッチ
ング技術を用いてパターニングして、表示領域において
は反射パターン３１２とし、表示領域外においては反射
性導電膜３５２、３６２、３７２とする。

【０１０２】この後、図１５（ｄ）に示されるように、
ＩＴＯ等といった導電層３１４’を、スパッタリング等
により成膜する。そして、図１５（ｅ）に示されるよう
に、導電層３１４’を、フォトリソグラフィ技術及びエ
ッチング技術を用いてパターニングして、表示領域にお
いては透明導電膜３１４とし、表示領域外においては透
明導電膜３５４、３６４、３７４とする。この際、反射
パターン３１２、反射性導電膜膜３５２、３６２、３７
２が露出しないように、透明導電膜３１４、３５４、３
６４、３７４の周縁部分、すなわちエッジ部分３４が下
地膜３０３に接するようにする。これにより、導電層３
１４’の成膜後には、反射パターン３１２、反射性導電
膜３５２、３６２、３７２の表面が露出しないので、こ
れらの腐食・剥離等が防止されることになる。また、液
晶１６０と反射パターン３１２との間には、透明導電膜
３１４が介在するので、反射パターン３１２から不純物
が液晶１６０に溶出するのが防止されることとなる。

【０１０３】なお、これ以降の処理については、図示を
省略するが、簡単に説明すれば、図１１における保護膜
３０７、配向膜３０８を順番に形成し、当該配向膜３０
８にラビング処理を施す。続いて、このような背面側基
板３００と、同様に配向膜２０８にラビング処理を施し
た背面側基板２００とを、導電性粒子１１４を適切に分
散させたシール材１１０により貼り合わせる。

【０１０４】次に、真空に近い状態にして、シール材１
１０の開口部分に液晶１６０を滴下する。そして、常圧
に戻すことで、パネル全体に液晶１６０が封入され、こ
の後、当該開口部分を封止材１１２で封止する。この
後、上述したように、駆動用ＩＣ１２２、１２４および
ＦＰＣ基板１５０を実装することで、図１０に示される
ような液晶パネル１００となる。

【０１０５】＜表示動作等＞次に、このような構成に係
る液晶表示装置の表示動作について簡単に説明する。ま
ず、上述した駆動用ＩＣ１２２は、コモン電極２１０の
各々に対し、水平走査期間毎に所定の順番で選択電圧を
印加する一方、駆動用ＩＣ１２４は、選択電圧が印加さ
れたコモン電極２１０に位置する表示ドット１行分の表
示内容に応じたセグメント信号を、対応するセグメント
電極３１０を介してそれぞれ供給する。この際、コモン
電極２１０及びセグメント電極３１０とで印加される電
圧差に従って、当該領域における液晶１６０の配向状態
が表示ドット毎に制御される。ここで、図１１におい
て、観察者側からの外光は、偏光板１２１及び位相差板
１２３を経ることで、所定の偏光状態となり、さらに、
前面側基板２００→カラーフィルタ２０４→コモン電極
２１０→液晶１６０→セグメント電極３１０という経路
を経て反射パターン３１２に到達し、ここで反射して、
今来た経路を逆に辿る。従って、反射型においては、コ
モン電極２１０とセグメント電極３１０との間に印加さ
れた電圧差により液晶１６０の配向状態が変化すること
によって、外光のうち、反射パターン３１２の反射後、
偏光板を通過して最終的に観察者に視認される光の量
が、表示ドット毎に制御されることになる。

【０１０６】なお、反射型において、低波長側（すなわ
ち、青色側）の光は、反射パターン３１２で反射する成
分と比較して、その上層に位置する保護膜３０７で反射
する成分が多くなる。このような保護膜３０７を設ける
理由は次の通りである。すなわち、銀を含む反射性パタ
ーン３１２の波長／反射率の特性は、図１６に示される
ように、一般的に用いられるアルミニウムほどフラット
ではなく、低波長になるにつれて反射率が低下する傾向
がある。この結果、反射パターン３１２で反射した光
は、青色成分が少なくなって、黄色味を帯びる傾向があ
るので、特にカラー表示を行う場合には、色再現性に悪
影響を与えることになる。そこで、青色成分の光につい
ては、反射パターン３１２で反射される成分に比較し
て、保護膜３０７で反射される成分を多くして、該保護
膜３０７と反射パターン３１２とを併せた反射光に黄色
味が帯びるのを防止しているのである。

【０１０７】一方、図１１において、背面側基板３００
の背面側に位置する照明装置２５を点灯させた場合、当
該照明装置２５からの光は、偏光板１３１及び位相差板
１３３を経ることで、所定の偏光状態となり、さらに、
背面側基板３００→エッジ部３４→セグメント電極３１
０→液晶１６０→コモン電極２１０→前面側基板２００
→偏光板２０１という経路を経て観察者側に出射する。
従って、透過型においても、コモン電極２１０とセグメ
ント電極３１０との間に印加された電圧差により液晶１
６０の配向状態が変化することによって、エッジ部分３
４を透過した光のうち、偏光板１２１を通過して最終的
に観察者に視認される光の量が、表示ドット毎に制御さ
れることになる。

【０１０８】以上の結果、本実施形態に係る液晶装置で
は、外部光が十分であれば反射型となり、外部光が弱け
ればバックライト２５を点灯させることで主として透過
型となるので、いずれの型においても表示が可能とな
る。また、本実施形態では、光を反射する反射パターン
３１２に、銀又は銀を主成分とする銀合金等を用いてい
るので、反射率が高められて、観察者側に戻る光が多く
なり、その結果、明るい表示が可能となる。さらに、本
実施形態では、透明電極３１０を構成する導電層３１
２’を成膜した後には、反射パターン３１２の表面が外
部へ露出する部分が存在しないので、反射パターン３１
２の腐食・剥離等が防止され、その結果、信頼性が向上
する。

【０１０９】また、前面側基板２００に設けられるコモ
ン電極２１０は、導電性粒子１１４及び配線３５０を介
して背面側基板３００に引き出され、さらに、配線３６
０により駆動用ＩＣ１２４の実装領域の近傍まで引き回
されているので、本実施形態では、単純マトリクス型で
あるにもかかわらず、ＦＰＣ基板１５０との接合が片面
の１箇所で済んでいる。このため、実装工程の簡易化を
達成できる。

【０１１０】一方、セグメント電極３１０は、透明導電
膜３１４と、銀単体又は銀を主成分とする銀合金等から
成る反射パターン３１２とを積層した構成となっている
ので、低抵抗化が図られ、同様に、表示領域外における
配線３５０、３６０、３７０は、それぞれ透明導電膜３
５４、３６４、３７４と、反射パターン３１２と同一導
電層からなる反射性導電膜３５２、３６２、３７２とを
積層した構成となっているので、低抵抗化が図られてい
る。

【０１１１】特に、ＦＰＣ基板１５０から駆動用ＩＣ１
２２の入力側バンプに至るまでの配線３６０には、コモ
ン信号を供給する駆動用ＩＣ１２２の電源ラインが含ま
れるので、比較的高い電圧が印加され、しかも、その配
線距離は、配線３７０と比較して長い。このため、配線
３６０が高抵抗であると、電圧降下による影響を無視す
ることができなくなる。これに対して、本実施形態にお
ける配線３６０では、積層により低抵抗化が図られてい
るので、電圧降下の影響が少なくなる。

【０１１２】また、セグメント電極３１０のうち、駆動
用ＩＣ１２４が実装される領域では、反射パターン３１
２が設けられずに、透明導電膜３１４のみとなってい
る。また、配線３５０のうち、シール材１１０に含まれ
ることになる領域及び駆動用ＩＣ１２２が実装される領
域では、反射性導電膜３５２が設けられずに、透明導電
膜３５４のみとなっている。

【０１１３】同様に、配線３６０のうち、駆動用ＩＣ１
２２が実装される領域及びＦＰＣ基板１５０が接合され
る領域では、反射性導電膜３６２が設けられずに、透明
導電膜３６４のみとなっている。また、配線３７０のう
ち、駆動用ＩＣ１２４が実装される領域及びＦＰＣ基板
１５０が接合される領域では、反射性導電膜３７２が設
けられずに、透明導電膜３７４のみとなっている。

【０１１４】以上のように処置するのは、銀合金等は密
着性に欠けるので、それを応力が加わる部分に設けるの
は好ましくないからである。すなわち、配線の低抵抗化
を優先させるならば、透明電極又は透明導電膜の下層全
域にわたって反射パターンまたは反射性導電膜を形成す
る構成が望ましいが、このような構成では、例えば、駆
動用ＩＣの実装工程における接続不良の発生により、当
該チップを交換する際に、密着性が低いために当該反射
性導電膜が基板から剥離してしまう可能性がある。そこ
で、本実施形態では、応力のかかりやすい部分には、銀
合金等を設けずに、透明電極又は透明導電膜のみとし
て、銀合金等の剥離を未然に防止しているのである。

【０１１５】以上に説明したように、本実施形態では、
図１２に示すように、セグメント電極３１０を構成する
透明導電膜３１４のエッジ部分３４、すなわち反射パタ
ーン３１２が存在しない透明部分が遮光膜２０２の両脇
にＹ方向に延在して設けられている。そして、これらの
エッジ部分３４が透過表示時に光透過領域として作用
し、一方、反射パターン３１２が反射表示時に光反射領
域として作用する。

【０１１６】このように、本実施形態では、光反射領域
の外側に位置する透明導電膜３１４のエッジ部分３４を
光透過領域として用いるようにしたので、図１２におい
て、反射パターン３１２と遮光膜２０２の相対的な位置
関係が製造誤差、あるいはその他の原因でずれたとして
も、そのすれ量がエッジ部分３４の幅寸法以内であれ
ば、光反射領域と光透過領域との間で面積比に変化が生
じることがなく、それ故、液晶装置の表示方式が反射型
と透過型との間で変化する場合でも表示品位に変化が発
生することを防止できる。

【０１１７】（液晶装置の第４実施形態）図１０に示し
た実施形態では、コモン電極２１０を駆動用ＩＣ１２２
によって駆動し、セグメント電極３１０を駆動用ＩＣ１
２４によって駆動する構成とした。本発明はこのような
構成に限られず、例えば、図１７に示されるように、コ
モン電極２１０及びセグメント電極３１０の両方を１チ
ップ化したドライバＩＣ１２６によって駆動する構成の
液晶装置にも適用可能である。

【０１１８】図１７に示される液晶装置１９０では、前
面側基板２００にコモン電極２１０がＸ方向に複数本延
在して形成される点において図１０の液晶装置９０と共
通であるが、上半分のコモン電極２１０が左側から、そ
して下半分のコモン電極２１０が右側から、それぞれ引
き出されて駆動用ＩＣ１２６に接続されている点におい
て図１０の液晶装置９０と相違している。

【０１１９】駆動用ＩＣ１２６は、図１０の液晶装置９
０における駆動用ＩＣ１２２及び１２４を１チップ化し
たものである。このため、駆動用ＩＣ１２６の出力側
は、セグメント電極３１０のほか、配線３５０を介して
コモン電極２１０にも接続されている。また、ＦＰＣ基
板１５０は、外部回路（図示省略）から駆動用ＩＣ１２
６を制御するための信号等を、配線３６０（３７０）を
介して供給することになる。

【０１２０】ここで、駆動用ＩＣ１２６が実装される領
域の近傍の実際的な配線レイアウトについて説明する。
図１８は、この配線レイアウトの一例を示す平面図であ
る。この図に示されるように、セグメント電極３１０
は、駆動用ＩＣ１２６の出力側からピッチが拡大され
て、表示領域まで引き回されているのに対し、配線３５
０からコモン電極２１０までについては、駆動用ＩＣ１
２６の出力側からピッチが一旦狭められて、Ｙ方向に延
在した後、９０°の角度で屈曲すると共にピッチが拡大
されて、表示領域まで引き回されている。

【０１２１】配線３５０が、駆動用ＩＣ１２６の出力側
から、Ｙ方向に延在する領域においてそのピッチが狭め
られている理由は、この領域が表示に寄与しないデッド
スペースだからであり、この領域が広いと、それだけ１
枚の大型ガラス、すなわちマザーガラスからの取り数が
少なくなって、コスト高を招くからである。また、駆動
用ＩＣ１２６の出力側バンプを配線３５０にＣＯＧ技術
により接合するためには、ある程度のピッチが必要であ
るため、駆動用ＩＣ１２６の接合領域については、逆に
ピッチを拡大しているのである。

【０１２２】なお、図１７に示される液晶装置１９０に
おいて、コモン電極２１０の本数が少ないのであれば、
当該コモン電極２１０を片側一方からのみ引き出す構成
としても良い。

【０１２３】また、図１９に示されるように、駆動用Ｉ
Ｃを液晶パネル１００に実装しないタイプにも適用可能
である。すなわち、この図に示される液晶装置２９０で
は、駆動用ＩＣ１２６がフリップチップ等の技術により
ＦＰＣ基板１５０に実装されている。なお、ＴＡＢ（Ta
pe Automated Bonding）技術を用いて、駆動用ＩＣ１２
６をそのインナーリードでボンディングする一方、液晶
パネル１００とはそのアウターリードで接合する構成と
しても良い。但し、このような構成では、画素数が多く
なるにつれて、ＦＰＣ基板１５０との接続点数が増加す
ることになる。 （液晶装置の第５実施形態）図１１に示す液晶装置９０
にあっては、銀合金等から成る下地膜３０３として絶縁
材料を有するものを用いたが、本発明はこれに限られ
ず、ＩＴＯやＳｎ_２Ｏ _３等といった導電材料を用いるこ
とも可能である。そこで次に、下地膜３０３として導電
性材料を用いた実施形態について説明する。なお、この
実施形態に係る液晶装置は、外観的には、図１０に示す
液晶装置９０と同一であるので、ここでは、内部的な電
極や配線の構成を中心にして説明することにする。

【０１２４】図２０は、本実施形態に係る液晶装置３９
０の液晶パネル１００の構成を、Ｘ方向に沿って破断し
た場合の断面構造を示している。また、図２１は、背面
側基板３００のうち、駆動用ＩＣ１２２及び１２４が実
装される領域や、ＦＰＣ基板１５０が接合される領域の
断面構造を示している。

【０１２５】これらの図において、下地膜３０３は、反
射性導電膜としての反射パターン３１２や、反射性導電
膜３５２、３６２、３７２の密着性を向上させるために
設けられる点で図１１の実施形態と同様であるが、ＩＴ
ＯやＳｎ_２Ｏ_３といった導電性及び光透過性を有する材
料から成る点で図１１の実施形態と相違する。

【０１２６】この下地膜３０３は、後述するように、透
明導電膜３１４、３５４、３６４、３７４と同一プロセ
スによって、これらの透明導電膜と略同一形状にパター
ニングされている。

【０１２７】本実施形態に関する構成上の特徴を詳細に
見れば、第１に、セグメント電極３１０にあっては、図
２０に示されるように、反射パターン３１２が、下地膜
３０３と透明導電膜３１４とによってサンドイッチさ
れ、なおかつ、透明導電膜３１４のうち、反射パターン
３１２からはみ出したエッジ部分３４、すなわち周縁部
分が、下地膜３０３に接するように形成される。このた
め、セグメント電極３１０は、導電材料によって形成さ
れた下地膜３０３と、反射パターン３１２と、透明導電
膜３１４とを順番に積層した３層構造となる。但し、反
射パターン３１２は、図２１の括弧書で示されるよう
に、駆動用ＩＣ１２４における出力側バンプ１２９ａと
の接合部分を避けるように形成されている。なお、エッ
ジ部分３４は透過表示時における光透過領域として作用
する。

【０１２８】次に、第２に、駆動用ＩＣ１２２の出力側
バンプ１２９ａから、コモン電極２１０との接続部分ま
で引き回される配線３５０にあっては、図２０及び図２
１に示されるように、反射性導電膜３５２が、下地膜３
０３と透明導電膜３５４とによってサンドイッチされ、
なおかつ、透明導電膜３５４のうち、反射性導電膜３５
２からはみ出したエッジ部分が、下地膜３０３に接する
ように形成される。このため、配線３５０は、下地膜３
０３と、反射性導電膜３５２と、透明導電膜３５４とを
順番に積層した３層構造となるが、このうち、反射性導
電膜３５２は、導電性粒子１１４を介したコモン電極２
１０との接合部分（図２０参照）及び駆動用ＩＣ１２２
における出力側バンプとの接合部分（図２１参照）を避
けて形成されている。

【０１２９】次に、第３に、ＦＰＣ基板１５０との接続
端子から駆動用ＩＣ１２２の入力側バンプ１２９ｂまで
引き回される配線３６０にあっては、図２１に示される
ように、反射性導電膜３６２が、下地膜３０３と透明導
電膜３６４とによってサンドイッチされ、なおかつ、透
明導電膜３６４のうち、反射性導電膜３６２からはみ出
したエッジ部分が、下地膜３０３に接するように形成さ
れる。このため、配線３６０は、下地膜３０３と、反射
性導電膜３６２と、透明導電膜３６４とを順番に積層し
た３層構造となるが、このうち、反射性導電膜３６２
は、導電性粒子１４４を介したＦＰＣ基板１５０との接
合部分及び駆動用ＩＣ１２２における入力側バンプ１２
９ｂとの接合部分を避けて形成されている。

【０１３０】次に、第４に、ＦＰＣ基板１５０との接続
端子から駆動用ＩＣ１２４の入力側バンプ１２９ｂまで
引き回される配線３７０にあっては、図２１の括弧書に
示されるように、反射性導電膜３７２が、下地膜３０３
と透明導電膜３７４とによってサンドイッチされ、なお
かつ、透明導電膜３７４のうち、反射性導電膜３７２か
らはみ出したエッジ部分が、下地膜３０３に接するよう
に形成される。このため、配線３７０は、下地膜３０３
と、反射性導電膜３７２と、透明導電膜３７４とを順番
に積層した３層構造となるが、このうち、反射性導電膜
３７２は、導電性粒子１４４を介したＦＰＣ基板１５０
との接合部分及び駆動用ＩＣ１２４における入力側バン
プ１２９ｂとの接合部分を避けて形成されている。

【０１３１】なお、図２０及び図２１にあっては、駆動
用ＩＣ１２２，１２４の接合部分やＦＰＣ基板１５０と
の接合部分では、下地膜３０３と、透明導電膜３１４、
３５４、３６４、３７４との２層となっているが、これ
に代えて、いずれか一方の１層構造としても良い。

【０１３２】また、本実施形態において、下地膜３０３
は、平面的に見て、透明導電膜３１４、３５４、３６
４、３７４と同一形状となる。このため、本実施形態に
係る液晶パネルの表示ドットの平面構造は、図３に示し
た先の実施形態の場合と同じになる。また、図２０に示
す本実施形態に係る液晶パネル１００において、駆動用
ＩＣの実装領域近傍の平面構造も、図５に示した先の実
施形態の場合と同じになる。

【０１３３】＜製造プロセス＞次に、図２０に示す液晶
パネル１００の製造プロセス、特に、背面側基板の製造
プロセスについて図２２を参照して説明する。まず、図
２２（ａ）に示されるように、基板３００の内面全面
に、ＩＴＯやＳｎ_２Ｏ_３等といった金属酸化物材料をス
パッタリングなどにより堆積して、下地膜３０３’を形
成する。続いて、図２２（ｂ）に示されるように、銀単
体または銀を主成分とする反射性の導電層３１２’をス
パッタリング等により成膜する。なお、この導電層３１
２’については、図１１の液晶装置９０の場合と同様の
ものを用いることができる。

【０１３４】続いて、図２２（ｃ）に示されるように、
下地膜３０３’に形成された導電層３１２’のみを、フ
ォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてパタ
ーニングする。このエッチングにより、表示領域では、
反射パターン３１２が形成され、表示領域外では、反射
性導電膜３５２、３６２、３７２が形成される。

【０１３５】ここで、金属酸化物である下地３０３’
と、合金である導電層３１２’とでは、選択比が相違す
るので、詳細には、下地膜３０３’よりも導電層３１
２’の方がエッチングされ易いので、適切なエッチング
溶液を用いれば、導電層３１２’のみを選択的にエッチ
ングすることが可能である。なお、このようなエッチン
グ液としては、例えば、重量比でリン酸（５４％）、酢
酸（３３％）、硝酸（０．６％）、残余を水とする混合
溶液が挙げられる。

【０１３６】この後、図２２（ｄ）に示されるように、
ＩＴＯ等の導電層３１４’を、スパッタリング等により
成膜する。そして、図２２（ｅ）に示されるように、下
地膜３０３’と導電層３１４’とを、フォトリソグラフ
ィ技術及びエッチング技術を用いて同時にパターニング
し、下地膜３０３及び透明導電膜３１４として形成す
る。これにより、セグメント電極３１０が形成されるこ
とになる。なお、表示領域外においては、下地膜３０
３’を下地膜３０３として、また、導電層３１４’を透
明導電膜３５４、３６４、３７４として、それぞれパタ
ーニングする。これにより、配線３５０、３６０、３７
０が形成されることになる。

【０１３７】ここで、透明導電膜３１４、３５４、３６
４、３７４及び下地膜３０３を、反射パターン３１２や
反射性導電膜３５２、３６２、３７２よりも一回り大き
くパターニングすると、透明導電膜のうち、反射パター
ンや反射性導電膜からはみ出したエッジ部分が下地膜３
０３に接するので、反射パターンや反射性導電膜が露出
することはない。

【０１３８】なお、これ以降に行われる処理は、図１５
に示した先の実施形態と同様であり、図２０における保
護膜３０７、配向膜３０８を順番に形成し、当該配向膜
３０８にラビング処理を施す。この後、背面側基板３０
０と、同様に配向膜２０８にラビング処理を施した背面
側基板２００とを、導電性粒子１１４を適切に分散させ
たシール材１１０により貼り合わせ、さらに、真空に近
い状態にして、シール材１１０の開口部分に液晶１６０
を滴下する。この後、常圧に戻して、当該開口部分を封
止材１１２で封止する。そして、駆動用ＩＣ１２２、１
２４及びＦＰＣ基板１５０を実装することで、図１０に
示される実施形態と同様な液晶パネル１００となる。

【０１３９】図２０に示す本実施形態によれば、銀合金
等から成る反射パターン３１２、反射性導電膜３５２、
３６２、３７２が、それぞれ、透明導電膜３１４、３５
４、３６４、３７４によって完全に覆われ、なおかつ、
金属酸化物同士である下地膜と透明導電膜とによって挟
持される。このため、下地膜と透明導電膜との密着性
は、無機材料及び金属酸化物を用いた図１１の実施形態
と比較して良好であるため、これらの界面を介して水分
等の侵入が少なくなる。

【０１４０】また、図２０の実施形態では、下地膜３０
３が金属酸化物膜として追加されているが、そのパター
ニング工程は、透明導電膜３１４、３５４、３６４、３
７４と兼用されるので、図１１の実施形態と比較してプ
ロセスが複雑化することもない。

【０１４１】さらに、図２０の実施形態では、配線抵抗
についても、接合部分以外では３層構造となるので、２
層構造である図１１の実施形態と比較して、低くするこ
とができる。なお、他の作用効果については、図１１の
実施形態と同様である。

【０１４２】（液晶装置の第６実施形態）以上に説明し
た各実施形態では、単純マトリクス型の液晶装置を例に
挙げて説明したが、本発明は、アクティブ素子すなわち
スイッチング素子を用いて液晶を駆動するアクティブマ
トリクス型の液晶装置にも適用可能である。そこで次
に、アクティブ素子によって液晶を駆動する構造の液晶
装置に本発明を適用する場合について説明することにす
る。

【０１４３】なお、本実施形態では、アクティブ素子の
一例として２端子型の能動素子であるＴＦＤ（Thin Fil
med Diode：薄膜ダイオード）を用いることにする。ま
た、本実施形態に係る液晶装置は、外観的には、図１に
示した液晶装置と同一であるので、ここでも、内部的な
電極や配線の構成を中心にして説明することにする。図
２３は、本実施形態に係る液晶パネルに関して、Ｒ，
Ｇ，Ｂの各色に対応する３つの表示ドットの集まりによ
って構成される１画素分の平面構造を示している。ま
た、図２４は、図２３におけるＩＩ−ＩＩ線に従った断
面構造を示している。図２３において、本実施形態の液
晶パネルでは、前面側基板において走査線２１００が行
方向であるＸ方向に延在して形成される一方、背面側基
板においてデータ線３１００、すなわち信号線が列方向
であるＹ方向に延在して形成される。

【０１４４】そしてさらに、走査線２１００とデータ線
３１００との各交差部分に対応して、複数の矩形状の画
素電極３３０がマトリクス状に配列している。このう
ち、同一列にて配列された画素電極３３０が、それぞ
れ、ＴＦＤ３２０を介して１本のデータ線３１００に共
通に接続されている。なお、本実施形態において、走査
線２１００は駆動用ＩＣ１２２によって、データ線３１
００は駆動用ＩＣ１２４によって、それぞれ駆動され
る。

【０１４５】本実施形態において、ＴＦＤ３２０は、背
面側基板３００の表面に形成されていて、第１ＴＦＤ３
２０ａ及び第２ＴＦＤ３２０ｂを有する。また、ＴＦＤ
３２０は、絶縁性及び光透過性を有する下地膜３０３の
表面上に形成されていて、タンタルタングステン等によ
って形成された第１金属膜３１１６と、この第１金属膜
３１１６の表面を陽極酸化することによって形成された
絶縁膜３１１８と、この表面に形成されて相互に離間し
た第２金属膜３１２２、３１２４とを有する。第１金属
膜３１２２、３１２４は共に銀合金等といった反射性導
電膜であり、第２金属膜３１２２はそのままデータ線３
１００の一部となり、一方、第２金属膜３１２４は画素
電極３３０を構成する反射性導電膜３３２０となってい
る。

【０１４６】ＴＦＤ３２０のうち、第１ＴＦＤ３２０ａ
は、データ線３１００の側からみると順番に、第２金属
膜３１２２／絶縁膜３１１８／第１金属膜３１１６とな
って、金属／絶縁体／金属のＭＩＭ構造を採るため、そ
の電流−電圧特性は正負双方向にわたって非線形とな
る。

【０１４７】一方、第２ＴＦＤ３２０ｂは、データ線３
１００の側からみると順番に、第１金属膜３１１６／絶
縁膜３１１８／第２金属膜３１２４となって、第１ＴＦ
Ｄ３２０ａとは、反対の電流−電圧特性を有することに
なる。従って、ＴＦＤ３２０は、２つのダイオード素子
を互いに逆向きに直列接続した形となるため、１つの素
子を用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が
正負双方向にわたって対称化されることになる。

【０１４８】データ線３１００の一部である反射性導電
膜３１２０と、第２金属膜３１２２、３１２４と、画素
電極３３０の反射性導電膜３３２０とは、同一の銀合金
層をパターニングしたものである。従って、本実施形態
では、これらの膜が外部へ露出しないように、ＩＴＯか
ら成る透明導電膜３１４０、３３４０によって覆われて
いる。一方、データ線３１００は、下地膜３０３から順
番に、金属膜３１１２、絶縁膜３１１４、反射性導電膜
３１２０、透明導電膜３１４０となっている。また、図
２３において、Ｘ方向に延びる同一行に並んだ複数の画
素電極３３０は、それぞれ同一行の走査線２１００と対
向している。この走査線２１００は、図１２に示した実
施形態におけるコモン電極２１０と同様に、ＩＴＯから
成るストライプ状の透明電極である。このため、走査線
２１００は、画素電極３３０の対向電極として機能する
ことになる。

【０１４９】従って、ある色に対応する表示ドットの液
晶容量は、走査線２１００とデータ線３１００との交差
部分において、当該走査線２１００と、画素電極３３０
と、両者の間に挟持された液晶１６０とによって構成さ
れることになる。

【０１５０】本実施形態に係る液晶パネルは以上のよう
に構成されているので、データ線３１００に印加されて
いるデータ電圧にかかわらず、ＴＦＤ３２０がオンする
選択電圧を走査線２１００に印加すると、当該走査線２
１００及び当該データ線３１００の交差部分に対応する
ＴＦＤ３２０がオンとなって、オンしたＴＦＤ３２０に
接続された液晶容量に、当該選択電圧及び当該データ電
圧の差に応じた電荷が蓄積される。電荷蓄積後、走査線
２１００に非選択電圧を印加して、当該ＴＦＤ３２０を
オフさせても、液晶容量における電荷の蓄積は維持され
る。

【０１５１】ここで、液晶容量に蓄積される電荷量に応
じて、液晶１６０の配向状態が変化するので、偏光板１
２１（図１１、図２０参照）を通過する光量も、透過
型、反射型のいずれにおいても、蓄積された電荷量に応
じて変化する。従って、選択電圧が印加されたときのデ
ータ電圧によって、液晶容量における電荷の蓄積量を表
示ドット毎に制御することで、所定の階調表示が可能に
なる。

【０１５２】＜製造プロセス＞次に、図２３に示す実施
形態に係る液晶パネルの製造プロセス、特に、背面側基
板に設けるＴＦＴ３２０の製造プロセスについて説明す
る。図２５、図２６及び図２７は、この製造プロセスを
示している。

【０１５３】まず、図２５（ａ）に示されるように、基
板３００の内面全面に、Ｔａ_２Ｏ_５やＳｉＯ_２等をスパ
ッタリング等により堆積したり、スパッタリング法等で
堆積したタンタル（Ｔａ）膜を熱酸化したりすることに
よって、下地膜３０３を形成する。

【０１５４】続いて、図２５（ｂ）に示されるように、
下地膜３０３の上面に第１金属層３１１２’を成膜す
る。ここで、第１金属層３１１２’の膜厚としては、Ｔ
ＦＤ３２０の用途によって適切な値が選択され、通常、
１００〜５００ｎｍ程度である。また、第１金属層３１
１２’の組成は、例えば、タンタル単体や、タンタルタ
ングステン（ＴａＷ）等といったタンタル合金である。

【０１５５】ここで、第１金属層３１１２’としてタン
タル単体を用いる場合には、スパッタリング法や電子ビ
ーム蒸着法等で形成可能である。また、第１金属層３１
１２’としてタンタル合金を用いる場合には、主成分の
タンタルに、タングステンのほか、クロムや、モリブデ
ン、レニウム、イットリウム、ランタン、ディスプロリ
ウム等といった周期律表において第６〜第８族に属する
元素が添加される。

【０１５６】この添加元素としては、上述したようにタ
ングステンが好ましく、その含有割合は、例えば、０．
１〜６重量％が望ましい。また、タンタル合金から成る
第１金属層３１１２’を形成するには、混合ターゲット
を用いたスパッタリング法や、コスパッタリング法、電
子ビーム蒸着法等が用いられる。

【０１５７】さらに、図２５（ｃ）に示されるように、
導電層３１１２’を、フォトリソグラフィ技術及びエッ
チング技術を用いてパターニングして、データ線３１０
０の最下層となる金属膜３１１２と、該金属膜３１１２
から枝分かれする第１金属膜３１１６とを形成する。

【０１５８】続いて、図２５（ｄ）に示されるように、
第１金属膜３１１６の表面を陽極酸化法によって酸化し
て、絶縁膜３１１８を形成する。このとき、データ線３
１１０の最下層となる金属膜３１１２の表面も同時に酸
化されて、同様に絶縁膜３１１４が形成される。絶縁膜
３１１８の膜厚は、その用途によって適切な値が選択さ
れ、本実施形態では、例えば１０〜３５ｎｍ程度であ
る。

【０１５９】本実施形態では、ＴＦＤ３２０が、第１Ｔ
ＦＤ３２０ａと第２ＴＦＤ３２０ｂとの２つからなるの
で、１つの表示ドットについて１個のＴＦＤを用いる場
合と比較すると、絶縁膜３１１８の膜厚は、ほぼ半分と
なっている。なお、陽極酸化に用いられる化成液は、特
に限定されないが、例えば、０．０１〜０．１重量％の
クエン酸水溶液を用いることができる。

【０１６０】次に、図２５（ｅ）に示されるように、デ
ータ線３１００の基礎部分、すなわち絶縁膜３１１４に
よって覆われた金属膜３１１２、から枝分かれした絶縁
膜３１１８のうち、破線部分３１１９をその基礎となっ
ている第１金属膜３１１６と共に除去する。これによ
り、第１ＴＦＤ３２０ａ及び第２ＴＦＤ３２０ｂで共用
される第１金属膜３１１６が、データ線３１００と電気
的に分離されることになる。なお、破線部分３１１９の
除去については、一般に用いられているフォトリソグラ
フィ及びエッチング技術が用いられる。

【０１６１】続いて、図２６（ｆ）に示されるように、
銀単体又は銀を主成分とする反射性の導電層３１２０’
をスパッタリング等により成膜する。なお、この導電層
３１２０’については、図２２に示した実施形態におけ
る導電層３１２’と同様のものを用いることができる。

【０１６２】さらに、図２６（ｇ）に示されるように、
導電層３１２０’をフォトリソグラフィ技術及びエッチ
ング技術を用いてパターニングして、データ線３１００
における反射性導電膜３１２０と、ＴＦＤ３２０におけ
る第２金属膜３１２２、３１２４と、画素電極３３０に
おける反射性導電膜３３２０とをそれぞれ形成する。Ｔ
ＦＤ３２０の第２金属膜３１２２は、反射性導電膜３１
２０からの分岐部分であり、第２金属膜３１２４は画素
電極３３０の反射性導電膜３３２０からの突出部分であ
る。また、導電層３１２０’をパターニングする際に、
配線における反射性導電膜３５２、３６２、３７２（図
１３参照）も同時に形成する。本実施形態における反射
性導電膜３１２０は、図１１等に示した実施形態におけ
る反射性導電膜３１２として用いられる。

【０１６３】なお、これらの反射性導電膜については、
配線が駆動用ＩＣやＦＰＣ基板等へ接合される部分を避
けて形成されようになっており、この点は図１１等に示
した実施形態の場合と同様である。

【０１６４】次に、図２７（ｈ）に示されるように、Ｉ
ＴＯ等といった透明性を有する導電層３１４０'を、ス
パッタリング等により成膜する。そして、図２７（ｉ）
に示されるように、導電層３１４０’を、フォトリソグ
ラフィ技術及びエッチング技術を用いてパターニングし
て、銀合金等といった反射性導電膜３１２０及び第２金
属膜３１２２を完全に覆うように、透明導電膜３１４０
を形成する。同様にして、反射性導電膜３３２０及び第
２金属膜３１２４を完全に覆うように、透明導電膜３３
４０を形成する。

【０１６５】また、導電層３１４０’をパターニングす
る際に、配線における透明導電膜３５４、３６４、３７
４の各々についても、それぞれ反射性導電膜３５２、３
６２、３７２を完全に覆うように形成する。

【０１６６】なお、これ以降に行われる製造プロセスに
ついては、図１５や図２２に示した実施形態の場合と同
様である。すなわち、図１１における保護膜３０７、配
向膜３０８を順番に形成し、当該配向膜３０８にラビン
グ処理を施す。この後、背面側基板３００と、同様に配
向膜２０８にラビング処理を施した背面側基板２００と
を、導電性粒子１１４を適切に分散させたシール材１１
０により貼り合わせ、さらに、真空に近い状態にして、
シール材１１０の開口部分に液晶１６０を滴下する。こ
の後、常圧に戻して、当該開口部分を封止材１１２で封
止する。そして、駆動用ＩＣ１２２、１２４及びＦＰＣ
基板１５０を実装することで、図１０に示した液晶装置
９０と同様な液晶パネル１００となる。

【０１６７】以上のように本実施形態では、ＴＦＤ３２
０における第２金属膜３１２２、３１２４と、データ線
３１００のうち反射性導電膜３１２０とが、反射性導電
膜３３２０と同一層によって形成されるので、製造プロ
セスがそれほど複雑化することはない。また、データ線
３１００は、低抵抗である反射性導電膜３１２０を含む
ので、その配線抵抗が低減されることになる。

【０１６８】また、本実施形態によれば、第２金属膜３
１２２、３１２４や、反射性導電膜３１２０、３３２０
はそれぞれ銀合金等ではあるが、配線３５０、３６０、
３７０における反射性導電膜３５２、３６２、３７２と
同様に、ＩＴＯ等の透明導電膜３１４０、３３４０によ
って外部へ露出することなく覆われるので、腐食・剥離
等が防止され、その結果、液晶装置の信頼性を向上させ
ることが可能となる。なお、本実施形態におけるＴＦＤ
３２０は、電流−電圧特性を正負双方向にわたって対称
化となるように、第１ＴＦＤ３２０ａと第２ＴＦＤ３２
０ｂとを互いに逆向きとするような構成であったが、電
流−電圧特性の対称性がそれほど強く要求されないので
あれば、単に１個のＴＦＤを用いても良いのはもちろん
である。

【０１６９】そもそも、本実施形態におけるＴＦＤ３２
０は、２端子型スイッチング素子の一例である。このた
め、アクティブ素子としては、ＺｎＯ（酸化亜鉛）バリ
スタや、ＭＳＩ（Metal Semi-Insulator）等を用いた単
一素子のほか、これら素子を２つ逆向きに直列接続又は
並列接続したもの等を、２端子型スイッチング素子とし
て用いることも可能である。さらに、これらの２端子型
素子のほか、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を設
けて、これらにより駆動すると共に、これら素子への配
線の一部又は全部に、反射パターンと同一の導電層を用
いる構成としても良い。

【０１７０】図２３及び図２４において、反射性導電膜
３３２０上に設けられる透明導電膜３３４０は反射性導
電膜３３２０よりも広く形成され、それ故、透明導電膜
３３４０のエッジ部分３４は反射性導電膜３３２０の外
側へ張り出している。そしてそのエッジ部分３４の底面
は図２４に示すように下地膜３０３に接触している。本
実施形態では、図２４に矢印Ｒで示すように反射性導電
膜３３２０が反射表示時に光反射領域を構成する。ま
た、バックライト２５からの光を用いて透過表示を行う
際、図２４に矢印Ｔで示すように、エッジ部分３４が光
透過領域として作用して、光を液晶１６０へ導く働きを
する。

【０１７１】図２３に示すように、透明導電膜３３４０
のエッジ部分３４は、ブラックマスク３３によって区画
される１つの長方形領域である表示ドット内において、
縦方向のブラックマスク３３及び横方向のブラックマス
ク３３の両方に沿って環状に設けられている。従って、
反射性導電膜３３２０とブラックマスク３３との間に製
作誤差、あるいはその他の何等かの原因によって、縦方
向及び／又は横方向に位置的なズレが発生したとして
も、１つの表示ドット内における光反射領域の面積と光
透過領域の面積の割合には変化は生じない。それ故、本
実施形態によれば、液晶装置の表示方式が反射型と透過
型との間で変化する場合でも、表示品位が変化すること
を防止できる。

【０１７２】＜応用例・変形例＞図１１に示す実施形態
では、コモン電極２１０と配線３５０との導通を、シー
ル材１１０に混入された導電性粒子１１４によって行う
こととしたが、シール材１１０の枠外に別途設けられた
領域において導通を図る構成としても良い。

【０１７３】また、図１１に示したコモン電極２１０と
セグメント電極３１０や、図２３に示した走査線２１０
０とデータ線３１００は、互いに相対的な関係にあるた
め、前面側基板２００にセグメント電極３１０を形成す
ると共に、背面側基板３００にコモン電極２１０を形成
したり、前面側基板２００にデータ線３１００を形成す
ると共に、背面側基板３００に走査線２１００を形成し
たりすることもできる。

【０１７４】また、以上の説明ではカラーフィルタを用
いてカラー表示を行う液晶装置を例示して説明を行った
が、本発明は、カラーフィルタを用いることのない白黒
表示を行う液晶装置に対して適用できる。

【０１７５】また、上記の実施形態では、液晶としてＴ
Ｎ型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stable Twisted Nemati
c）型、強誘電型等といったメモリ性を有する双安定型
や、高分子分散型、さらには、分子の長軸方向と短軸方
向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（すなわち、
ゲスト）を一定の分子配列の液晶（すなわち、ホスト）
に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたＧ
Ｈ（ゲストホスト）型等といった液晶を用いても良い。

【０１７６】また、電圧無印加時には液晶分子が両基板
に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加時には液晶
分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直
配向（すなわち、ホメオトロピック配向）の構成として
も良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して
水平方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両
基板に対して垂直方向に配列する、という平行配向、す
なわち水平配向、すなわちホモジニアス配向の構成とし
ても良い。このように、本発明では、液晶や配向方式と
して、種々のものに適用することが可能である。 （液晶装置の第７実施形態）図２８は、本発明に係る液
晶装置のさらに他の実施形態の主要部を示している。こ
こに例示する液晶装置は単純マトリクス方式の液晶装置
であり、図２８に示す構造は、液晶を挟んで互いに対向
する電極の交差部分、すなわち表示ドット部分を平面的
に示している。

【０１７７】図２８において、図面の手前側に複数のコ
モン電極１１がＹ方向に並んでＸ方向へ延在するように
設けられている。また、図面の奥側に複数のセグメント
電極１０がＸ方向へ並んでＹ方向へ延在するように設け
られている。セグメント電極１０は、反射性導電膜とし
てのＡＰＣ膜１８の上に金属酸化物膜としてのＩＴＯ膜
１９を積層することによって形成されている。ＩＴＯ膜
１９はＡＰＣ膜１８の上面及び側面の全てを覆ってい
る。ＩＴＯ膜１９のうちＡＰＣ膜１８が存在しないエッ
ジ部分３４は光を透過させて液晶へ導く光透過領域を構
成する。

【０１７８】図２８に示す電極構造を有する本実施形態
の液晶装置の全体的な構造は、図２に示した液晶装置１
と同じであり、図２８に示すコモン電極１１及びセグメ
ント電極１０等は図２において同じ符号で示す電極等と
同じ材質で同じ個所に配置される。

【０１７９】コモン電極１１とセグメント電極１０との
交差部分は１つの表示ドットを構成し、この１つの表示
ドットに対応してカラーフィルタ１３（図２参照）内の
個々の色素層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂが１つずつ設けら
れる。図２８では、赤の色素層を“Ｒ”、緑の色素層を
“Ｇ”、そして青の色素層を“Ｂ”で示している。図２
８の場合のカラーフィルタの色配列はストライプ配列で
あるが、必要に応じてその他の配列、例えば、デルタ配
列、モザイク配列等を採用することもできる。表示の最
小単位である表示ドットは図２においてブラックマスク
３３によって囲まれる領域であると考えられる。このブ
ラックマスク３３は、本実施形態の場合、図２９に示す
ように長方形状の表示ドットを区画するようになってお
り、その表示ドット内にＡＰＣ膜１８が配置される。図
２９では、ＡＰＣ膜１８とブラックマスク３３との位置
関係だけを示しており、その他の光学的要素の図示は省
略されている。

【０１８０】図２９に示すように、ＡＰＣ膜１８は、表
示ドット内の一部の領域を覆うように形成される。この
結果、表示ドットの一部に対応してＡＰＣ膜１８が形成
された領域、すなわち光反射領域１７は、上基板３（図
２参照）から入射した光を反射して反射型表示を行うた
めの領域として機能する。

【０１８１】表示ドットのうち光反射領域１７以外の領
域、すなわちＡＰＣ膜１８によって覆われた領域以外の
領域、すなわちＩＴＯ膜１９のエッジ部分３４に相当す
る領域は、バックライトとしての照明装置２５（図２参
照）から出て下基板２に入射した光を透過させて透過表
示を行うための領域、すなわち光透過領域として機能す
る。

【０１８２】本実施形態では、光反射領域１７と光透過
領域３４とが、表示ドットに対応する領域を画定する４
本の辺、すなわち、ブラックマスク３３の開口領域を画
定する４つの辺、の各々に沿って隣接するように、ＡＰ
Ｃ膜１８の形状が選定されている。

【０１８３】例えば、図２９において、表示ドット内の
ほぼ中央部分にあるＡＰＣ膜１８の横方向の幅を横方向
へ太く形成することにより、表示ドットの４本の辺の各
々について当該辺の一端から他端に向かって辿った場
合、当該辺に沿って、光透過領域３４、光反射領域１
７、光透過領域３４の順に各領域が隣接するようになっ
ている。

【０１８４】換言すると、表示ドットの各辺に近接し、
且つ当該辺と平行な直線Ｌを当該表示ドット内において
想定した場合に、当該直線Ｌが光反射領域１７と光透過
領域３４の双方を通過するようになっている。

【０１８５】さらに、本実施形態では、表示ドットの各
辺に沿って隣接する光反射領域１７と光透過領域３４の
うち、その辺に沿った長さがほぼ等しくなるように、Ａ
ＰＣ膜１８の形状が選定されている。具体的には、表示
ドットのうちＹ方向に延在する辺に沿った光反射領域１
７の長さＬａ１と、当該辺に沿った光透過領域３４の長
さＬａ２（＝Ｌａ２’＋Ｌａ２’’）とは、ほぼ等しく
なっている。

【０１８６】以上のように、本実施形態では、光反射領
域１７と光透過領域３４とが、１つの表示ドット内にお
いて当該表示ドットの周縁に沿って隣接するようになっ
ているので、当該表示ドットにおける光反射領域１７と
光透過領域３４の面積比率について、製造上の誤差に起
因したばらつきが発生するのを、以下のようにして防止
できる。

【０１８７】すなわち、１つの表示ドット内に光反射領
域と光透過領域とを設けるための構成としては、例え
ば、図３０に示す構成も考えられる。すなわち、光透過
領域３４を表示ドットのうちＹ方向に延在する２辺に沿
った領域とする一方、反射領域１７を当該光透過領域３
４に挟まれた領域とするのである。なお、図３０では、
設計上、表示ドットとして機能すべき領域が、破線で囲
まれた領域２９として示されている。

【０１８８】すなわち、領域２９は、基板面内のうちコ
モン電極１１とセグメント電極１０（図２参照）とが対
向すべき領域として設計上予定された領域である。もっ
とも、コモン電極１１、ＡＰＣ膜１８及びセグメント電
極１０は、フォトリソグラフィやエッチング等といった
技術によって極めて高い精度で得られるから、コモン電
極１１とセグメント電極１０とが実際に対向する領域を
領域２９と考えても差し支えないといえる。

【０１８９】ここで、液晶装置を製造する工程のうち、
ＡＰＣ膜１８が形成された図２の下基板２と、ブラック
マスク３３が形成された上基板３とを貼り合わせる工程
に着目する。この工程においては、両基板同士の相対的
な位置合せを行いつつ、当該基板同士を貼り合わせるの
が一般的である。このとき、例えば、製造技術上の理由
等によって両基板のＸ方向における相対的な位置がずれ
たと仮定すると、図３０（ｂ）に示すように、表示ドッ
トとして機能すべき領域２９のうち、光透過領域３４、
より具体的には図３０における左側の光透過領域３４が
ブラックマスク３３によって覆われることになる。

【０１９０】従って、本来表示ドットとして機能すべき
領域２９のうちの光透過領域３４が表示に寄与できなく
なる。つまり、表示ドットに占める光透過領域３４の面
積は、ブラックマスク３３が適切に配置された場合、す
なわち図３０（ａ）の場合、と比較して小さくなる。他
方、このような基板の位置ズレが生じた場合であって
も、光反射領域１７はブラックマスク３３によって覆わ
れない。つまり、表示ドットに占める光反射領域１７の
面積は、図３０（ａ）に示した場合と変わらない。この
ように図３０に示した構成においては、基板の貼り合わ
せ誤差に起因して、光透過領域３４の面積が減少する反
面、光反射領域１７の面積は変わらないため、透過型表
示の明るさが反射型表示の場合と比較して暗くなるとい
うように、表示方式によって明るさに変化が生じること
になる。

【０１９１】これに対し、本実施形態では、光反射領域
１７と光透過領域３４とが、１つの表示ドットを画定す
る複数の辺の各々に沿って隣接するようになっている。
従って、上基板３（図２参照）と下基板２との相対的な
位置が、図３１（ａ）に示す適切な位置、すなわち設計
上の位置、から見てＸ方向へずれた場合、図３１（ｂ）
に示すように、光透過領域３４の面積と共に光反射領域
１７の面積も減少することになる。つまり、本実施形態
によれば、ＡＰＣ膜１８とブラックマスク３３との相対
的な位置がずれた場合であっても、光透過領域３４又は
光反射領域１７のいずれか一方の面積だけが減少するの
を避けることができ、それ故、透過型表示と反射型表示
との間で表示品位に差が生じるのを防止できる。

【０１９２】さらに、本実施形態では、表示ドットの１
辺に沿って隣接する光反射領域１７と光透過領域３４の
うち当該１辺に沿った長さがほぼ等しくなっている。こ
のため、ＡＰＣ膜１８とブラックマスク３３との相対的
な位置がずれたときに、光反射領域１７と光透過領域３
４とが減少する面積を、概ね等しくすることができる。
従って、本実施形態によれば、透過型表示と反射型表示
とにおいて表示品位に差が生じるのを、より確実に抑え
ることができる。

【０１９３】（液晶装置の第８実施形態）図３２は、本
発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の主要部を示
している。ここに例示する液晶装置は単純マトリクス方
式の液晶装置であり、図３２に示す構造は、液晶を挟ん
で互いに対向するコモン電極１１とセグメント電極１０
との交差部分、すなわち表示ドット部分を平面的に示し
ている。

【０１９４】この実施形態においても、反射性導電膜と
してのＡＰＣ膜１８を覆う金属酸化物膜としてのＩＴＯ
膜１９は、そのＡＰＣ膜１８よりも広い幅に形成されて
いて、ＩＴＯ膜１９のエッジ部分３４はＡＰＣ膜１８の
側面の全部を覆っている。本実施形態のエッジ部３４は
ブラックマスク３３のＹ方向部分と平行に延在する長方
形領域としてＡＰＣ膜１８の両側に形成されている。

【０１９５】本実施形態の液晶装置を透過型表示で使用
する場合、ＩＴＯ膜１９のエッジ部３４は光を透過させ
て液晶へ導く透光領域として作用する。本実施形態にお
いても、ＡＰＣ膜１８がブラックマスク３３に対して位
置ずれしたとしても、その位置ずれの大きさがエッジ部
分３４の幅寸法以内であれば、そのＡＰＣ１８はブラッ
クマスク３３に位置的に重なることはない。従って、Ａ
ＰＣ膜１８に位置ずれが発生した場合でも光反射領域の
面積と光透過領域の面積との間で大きな変化は起こら
ず、よって、反射表示時と透過表示時との間で表示品位
に大きな変化が生じることがない。

【０１９６】本実施形態では、図２９に示した実施形態
と異なり、ＡＰＣ膜１８の内部領域に光透過用の開口２
８を形成してある。こうすれば、透過表示時に多量の光
を液晶へ供給できる。従って、透過表示時に明るい表示
を希望する場合には、このような開口２８を設けること
が望ましい。

【０１９７】（液晶装置の第９実施形態）図３３は、本
発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の主要部を示
している。ここに例示する液晶装置は単純マトリクス方
式の液晶装置であり、図３３に示す構造は、液晶を挟ん
で互いに対向するコモン電極１１とセグメント電極１０
との交差部分、すなわち表示ドット部分を平面的に示し
ている。

【０１９８】この実施形態においても、反射性導電膜と
してのＡＰＣ膜１８を覆う金属酸化物膜としてのＩＴＯ
膜１９は、Ｘ方向及びＹ方向の両方でそのＡＰＣ膜１８
よりも広い幅に形成されていて、ＩＴＯ膜１９のエッジ
部分３４はＡＰＣ膜１８の側面の全部を覆っている。本
実施形態のエッジ部３４は個々の表示ドット内において
ブラックマスク３３の内側であってＡＰＣ膜１８の外側
の領域に環状すなわち枠状に形成されている。

【０１９９】本実施形態の液晶装置を透過型表示で使用
する場合、ＩＴＯ膜１９のエッジ部３４は光を透過させ
て液晶へ導く光透過領域として作用する。本実施形態に
おいても、ＡＰＣ膜１８がブラックマスク３３に対して
位置ずれしたとしても、その位置ずれの大きさがエッジ
部分３４の幅寸法以内であれば、そのＡＰＣ１８はブラ
ックマスク３３に位置的に重なることはない。従って、
ＡＰＣ膜１８にＸ方向及びＹ方向の両方向へ位置ずれが
発生した場合でも、光反射領域の面積と光透過領域の面
積との間で大きな変化は起こらず、よって、反射表示時
と透過表示時との間で表示品位に大きな変化が生じるこ
とがない。

【０２００】（液晶装置の第１０実施形態）図３４及び
図３５は、本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態
の主要部、特に１つの表示ドット部分を拡大して示して
いる。この液晶装置の全体構造は例えば図３６に示すよ
うに設定できる。なお、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、
Ｂ（青）の３原色によってフルカラー表示を行う場合を
考えれば、上記の１つの表示ドットはそれら３色の個々
に対応するドットであり、これらの表示ドットが３個集
まることによって１つの画素が形成される。また、白黒
表示を行う場合を考えれば、上記の１つの表示ドットが
そのまま１つの画素に相当する。

【０２０１】本実施形態に係る液晶装置は、アクティブ
素子として３端子型の能動素子であるＴＦＴ（Thin Fil
m Transistor）を用いたアクティブマトリクス方式の半
透過反射型の液晶装置であり、そして駆動用ＩＣを基板
上に直接に実装する方式のＣＯＧ（Chip On Glass）方
式の液晶装置である。

【０２０２】図３６において、液晶装置４０１は、液晶
パネル４０５に駆動用ＩＣ４０４ａ及び４０４ｂを実装
し、さらに照明装置としてのバックライト２５を付設す
ることによって形成されている。バックライト２５は観
察側と反対側の第１基板ユニット４０２ａの外側に付設
される。

【０２０３】液晶パネル４０５は、第１基板ユニット４
０２ａと第２基板ユニット４０２ｂとをそれらの周辺部
において環状のシール材４０３によって貼り合わせ、さ
らに、図３４に示すように、第１基板ユニット４０２ａ
と第２基板ユニット４０２ｂとの間の間隙、すなわちセ
ルギャップ内に液晶４５６を封入することによって形成
される。

【０２０４】図３６において、第１基板４０２ａのシー
ル材４０３によって囲まれる内部領域には、複数のドッ
ト状の画素電極が行方向ＸＸ及び列方向ＹＹに関してマ
トリクス状の配列で形成される。また、第２基板４０２
ｂのシール材４０３によって囲まれる内部領域には、無
パターンの面状電極が形成され、その面状電極が第１基
板４０２ａ側の複数の画素電極に対向して配置される。

【０２０５】第１基板４０２ａ上の１つの画素電極と第
２基板４０２ｂ上の面状電極によって液晶を挟んだ部分
が１つの表示ドットを形成し、この表示ドットの複数個
がシール材４０３によって囲まれる内部領域内でドット
マトリクス状に配列することによって表示領域Ｖが形成
される。駆動用ＩＣ４０４ａ及４０４ｂは複数の表示ド
ットを形成している対向電極間に選択的に走査信号及び
データ信号を印加することにより、液晶の配向を表示ド
ット毎に制御する。この液晶の配向制御により該液晶を
通過する光が変調されて、表示領域Ｖ内に文字、数字等
といった像が表示される。

【０２０６】図３４は、液晶装置４０１において表示領
域Ｖを構成する複数の表示ドットのうちの１つの断面構
造を拡大して示している。また、図３５は、その表示ド
ットの平面構造を示している。なお、図３４は図３５に
おけるＩ−Ｉ線に従った断面構造を示している。

【０２０７】図３４において、第１基板ユニット４０２
ａは、ガラス、プラスチック等によって形成された第１
基板４０６ａを有する。この第１基板４０６ａの液晶側
の表面上には、スイッチング素子として機能するアクテ
ィブ素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor４０７
が形成され、そのＴＦＴ４０７の上に有機絶縁膜４０８
が形成され、その有機絶縁膜４０８の上に画素電極４０
９が形成され、さらに、画素電極４０９の上に配向膜４
１１ａが形成される。配向膜４１１ａには、第１基板ユ
ニット４０２ａと第２基板ユニット４０２ｂとを貼り合
わせる前に、配向処理としてのラビング処理が施され
る。第１基板４０６ａの外側表面には偏光板４５７ａが
貼着等によって装着される。

【０２０８】画素電極４０９は、有機絶縁膜４０８の上
に形成された反射性導電膜１８と、その上に積層された
金属酸化物膜１９との積層構造によって形成されてい
る。反射性導電膜１８は、例えば、銀単体又は銀を主成
分とする合金、例えばＡＰＣ合金によって形成される。
また、金属酸化物膜１９は、例えばＩＴＯによって形成
される。金属酸化物膜１９は反射性導電膜１８よりも広
い面積を有し、そのエッジ部分３４が反射性導電膜１８
の外周縁の外側へ張り出している。このエッジ部３４
は、図３５に示すように、反射性導電膜１８の外周縁の
全域に沿って形成されている。

【０２０９】図３４において、第１基板ユニット４０２
ａに対向する第２基板ユニット４０２ｂは、ガラス、プ
ラスチック等によって形成された第２基板４０６ｂを有
する。この第２基板４０６ｂの液晶側表面には、所定パ
ターン状にカラーフィルタ４１２が形成され、そのカラ
ーフィルタ４１２の間を埋めるようにブラックマスク４
１５が形成される。さらに、カラーフィルタ１２及びブ
ラックマスク４１５の上に透明な電極４１３が形成さ
れ、さらに、その電極４１３の上に配向膜４１１ｂが形
成される。電極４１３は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）
等によって第２基板４０６ｂの表面全域に形成された面
電極である。第２基板４０６ｂの外側表面には偏光板４
５７ｂが貼着等によって装着される。

【０２１０】カラーフィルタ４１２は、Ｒ（赤），Ｇ
（緑），Ｂ（青）の３原色の色素膜又はＣ（シアン），
Ｍ（マゼンタ），Ｙ（イエロー）の３原色の色素膜を１
つのユニットとして平面内でマトリクス状に配列され、
さらに、各色の色素膜が所定の平面配列、例えばストラ
イプ配列、デルタ配列、モザイク配列に並べられる。さ
らに、３原色の個々の色素膜は、個々の表示ドットに対
応して１つずつ、換言すれば、第１基板４０６ａ側の画
素電極４０９の個々に対向するように形成される。上記
のブラックマスク４１５は、画素電極４０９が存在しな
い領域に対応して形成されている。

【０２１１】図３４において、第１基板ユニット４０２
ａと第２基板ユニット４０２ｂとの間の間隙、すなわち
セルギャップはいずれか一方の基板の表面に分散された
球状のスペーサ４１４によって寸法が維持され、そのセ
ルギャップ内に液晶４５６が封入される。

【０２１２】ＴＦＴ４０７は、第１基板４０６ａ上に形
成されたゲート電極４１６と、このゲート電極４１６の
上で第１基板４０６ａの全域に形成されたゲート絶縁膜
４１７と、このゲート絶縁膜４１７を挟んでゲート電極
４１６の上方位置に形成された半導体層４１８と、その
半導体層４１８の一方の側にコンタクト電極４１９を介
して形成されたソース電極４２１と、さらに半導体層４
１８の他方の側にコンタクト電極４１９を介して形成さ
れたドレイン電極４２２とを有する。

【０２１３】図３５に示すように、ゲート電極４１６は
ゲートバス配線４２３から延びている。また、ソース電
極４２１はソースバス配線４２４から延びている。ゲー
トバス配線４２３は第１基板４０６ａの横方向に延びて
いて縦方向へ等間隔で平行に複数本形成される。また、
ソースバス配線４２４はゲート絶縁膜４１７（図３４参
照）を挟んでゲートバス配線４２３と交差するように縦
方向へ延びていて横方向へ等間隔で平行に複数本形成さ
れる。

【０２１４】ゲートバス配線４２３は図３６の駆動用Ｉ
Ｃ４０４ａ及び４０４ｂの一方に接続されて、例えば走
査線として作用する。他方、ソースバス配線４２４は駆
動用ＩＣ４０４ａ及び４０４ｂの他方に接続されて、例
えば信号線として作用する。また、画素電極４０９は、
図３５に示すように、互いに交差するゲートバス配線４
２３とソースバス配線４２４とによって区画される方形
領域のうちＴＦＴ４０７に対応する部分を除いた領域を
覆うように形成される。

【０２１５】ここで、画素電極４０９の外周縁は金属酸
化物膜１９の外周縁によって決定し、その金属酸化物１
９のエッジ部分３４が反射性導電膜１８の外側に張り出
している。設計上、互いに隣り合う画素電極４０９の間
はブラックマスク４１５によって埋められるので、エッ
ジ部分３４はブラックマスク４１５の内側であって反射
性導電膜１８の外側に配置される。図３４において、バ
ックライト２５から光が出射された場合には、その光は
上記のエッジ部分３４を透過して液晶４５６へ供給され
る。

【０２１６】図３５のゲートバス配線４２３及びゲート
電極４１６は、例えば、クロム、タンタル等によって形
成される。また、図３４のゲート絶縁膜４１７は、例え
ば、窒化シリコン（ＳｉＮ_Ｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯ
_Ｘ）等によって形成される。また、半導体層４１８は、
例えば、ａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ等によっ
て形成される。また、コンタクト電極４１９は、例え
ば、ａ−Ｓｉ等によって形成される。また、ソース電極
４２１及びそれと一体な図３５のソースバス配線４２４
並びに図３４のドレイン電極４２２は、例えば、チタ
ン、モリブデン、アルミニウム等によって形成される。

【０２１７】図３４に示す有機絶縁膜４０８は、図３５
のゲートバス配線４２３、ソースバス配線４２４及びＴ
ＦＴ４０７を覆って第１基板４０６ａ上の全域に形成さ
れている。但し、有機絶縁膜４０８のドレイン電極４２
２に対応する部分にはコンタクトホール４２６が形成さ
れ、このコンタクトホール４２６の所で画素電極４０９
とＴＦＴ４０７のドレイン電極４２２との導通がなされ
ている。

【０２１８】本実施形態では、画素電極４０９に反射性
導電膜１８を含ませることにより、当該画素電極４０９
に到達した光を当該反射性導電膜１８によって反射させ
ることができる。このとき、鏡面反射では不都合がある
場合には、反射性導電膜１８の表面に多数の微細な山部
及び／又は谷部を形成して適度の散乱光を形成すること
ができる。

【０２１９】本実施形態の液晶装置４０１は以上のよう
に構成されているので、外部光を用いて反射表示を行う
場合には、図３４において矢印Ｒで示すように、観察側
すなわち第２基板ユニット４０２ｂ側から液晶装置４０
１の内部へ入った外部光は、液晶４５６を通過して画素
電極４０９の反射性導電膜１８に到達し、該導電膜１８
で反射して再び液晶４５６へ供給される。一方、バック
ライト２５から出射される光を用いて透過表示を行う場
合には、矢印Ｔで示すように、バックライト２５からの
光は第１基板４０６ａ及び画素電極４０９の金属酸化物
膜１９のエッジ部分３４を透過して液晶４５６へ供給さ
れる。

【０２２０】液晶４５６は、走査信号及びデータ信号に
よって選択される画素電極４０９と対向電極４１３との
間に印加される電圧によって表示ドット毎にその配向が
制御される。反射表示時及び透過表示時のいずれの場合
でも、液晶４５６の配向が制御されたときには、その液
晶４５６に供給された光は配向制御された液晶４５６に
よって表示ドット毎に変調され、これにより観察側に文
字、数字等といった像が表示される。

【０２２１】以上のように、本実施形態では、画素電極
４０９の周縁部に設けたエッジ部分３４によって光透過
領域を形成し、この光透過領域を用いて透過表示を実現
した。このエッジ部分３４を設けたため、画素電極４０
９の反射性導電膜１８がブラックマスク４１５に対して
相対的に位置ずれを生じる場合であっても、その位置ず
れがエッジ部３４の幅寸法以内であれば、反射性導電膜
１８がブラックマスク４１５に隠れることがない。この
結果、第１基板ユニット４０２ａと第２基板ユニット４
０２ｂとを貼り合わせる際の誤差や、その他の製造上の
誤差に起因して画素電極４０９に位置ズレが生じる場合
にも、透過表示と反射表示との間で表示品位に変化が発
生することを抑えることができる。

【０２２２】（電子機器の実施形態）次に、上述した液
晶装置を用いて構成される電子機器を実施形態を挙げて
説明する。

【０２２３】図３７は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ１１００
は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、液
晶表示ユニット１１０６とから構成されている。この液
晶表示ユニット１１０６は、例えば図１１に示した液晶
装置９０を用いて構成できる。

【０２２４】以上の構成により、本実施形態のコンピュ
ータ１１００では、外光があれば反射型として、外光が
不十分であればバックライトを点灯させることで透過型
として、表示が視認できるようになっている。また、光
反射膜の外側に位置する透明な金属酸化物膜のエッジ部
分を光透過領域として用いるようにしたので、反射型と
透過型との間で表示品位の変化を抑えて違和感の無い表
示を行うことができる。

【０２２５】図３８は、本発明に係る電子機器の他の実
施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯
電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、
受話口１２０４、送話口１２０６と共に、液晶表示ユニ
ット１２０８を有する。この液晶表示ユニット１２０８
は、例えば図１１に示した液晶装置９０を用いて構成で
きる。この携帯電話機１２００においても、反射型表示
と透過型表示との間で表示品位の変化を抑えて違和感の
無い表示を行うことができる。

【０２２６】図３９は、本発明に係る電子機器のさらに
他の実施形態であるデジタルスチルカメラであって、液
晶装置をファインダとして用いるものを示している。通
常のカメラは、被写体の光像によってフィルムを感光す
るのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体
の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等といった
撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するもので
ある。

【０２２７】デジタルスチルカメラ１３００におけるケ
ース１３０２の背面には、液晶表示ユニット１３０３が
設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行
う構成となっている。このため、液晶表示ユニット１３
０３は、被写体を表示するファインダとして機能する。
液晶表示ユニット１３０３は、例えば図１１に示した液
晶装置９０を用いて構成できる。

【０２２８】ケース１３０２の前面側（図においては裏
面側）には、光学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニッ
ト１３０４が設けられている。撮影者が液晶表示ユニッ
ト１３０３に表示された被写体像を確認して、シャッタ
ボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤ
の撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送されて
そこに格納される。また、このデジタルスチルカメラ１
３００にあっては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信
号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３
１４とが設けられている。そして、図に示されるよう
に、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４
３０が、また、データ通信用の入出力端子１３１４には
パーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応
じて接続される。さらに、回路基板１３０８のメモリに
格納された撮像信号が、所定の操作によって、テレビモ
ニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出
力される構成となっている。

【０２２９】図４０は、本発明に係る電子機器のさらに
他の実施形態である腕時計型電子機器を示している。こ
こに示す腕時計型電子機器１５００は、時計本体１５０
４に支持された表示部としての液晶表示ユニット１５０
２を有し、この液晶表示ユニット１５０２は、例えば図
１１に示した液晶装置９０を用いて構成できる。液晶表
示ユニット１５０２は、時計本体１５０４の内部に設け
た制御回路１５０６によって制御されて、時刻、日付等
を情報として表示する。

【０２３０】なお、電子機器としては、以上に説明した
パーソナルコンピュータや、携帯電話機や、デジタルス
チルカメラや、腕時計型電子機器の他にも、液晶テレビ
や、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテー
プレコーダや、カーナビゲーション装置や、ページャ
や、電子手帳や、電卓や、ワードプロセッサや、ワーク
ステーションや、テレビ電話機や、ＰＯＳ端末器や、タ
ッチパネルを備えた機器等が挙げられる。そして、これ
らの各種電子機器の表示部として、本発明に係る液晶装
置が適用可能なのは言うまでもない。

【０２３１】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、液晶装置を製造する際に各種の誤差が生じる場合で
も、半透過反射膜において光透過領域と光反射領域との
間に面積比率のばらつきが発生することを抑えることが
でき、これにより、液晶装置において表示方式が変化す
る場合でも表示品位にはばらつきが発生することを防止
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す平面
図である。

【図２】図１のＩ−Ｉ線に従って液晶装置の断面構造を
示す側面断面図である。

【図３】図１の液晶装置の主要部の平面構造を示す平面
図である。

【図４】図３と同じ部分にある他の構成要素を示す平面
図である。

【図５】本発明に係る液晶装置の他の実施形態の主要部
の断面構造を示す断面図である。

【図６】従来の液晶装置の一例の断面構造を示す断面図
である。

【図７】従来の液晶装置の他の一例の断面構造を示す断
面図である。

【図８】本発明に対して参考となる液晶装置の主要部を
示す平面図である。

【図９】図８におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に従った断面図
である。

【図１０】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態
を示す斜視図である。

【図１１】図１０に示す液晶装置の主要部の断面構造を
示す断面図である。

【図１２】図１０に示す液晶装置の主要部の平面構造を
示す平面図である。

【図１３】図１０に示す液晶装置の他の主要部の断面構
図を示す断面図である。

【図１４】図１０に示す液晶装置の他の主要部の平面構
造を示す平面図である。

【図１５】図１１に示す液晶装置の製造方法の一実施形
態を示す工程図である。

【図１６】図１０に示す液晶装置で用いられる反射性導
電膜の特性を説明するためのグラフである。

【図１７】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態
を示す斜視図である。

【図１８】図１７に示す液晶装置の要部の平面構造を示
す平面図である。

【図１９】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態
を示す斜視図である。

【図２０】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態
の主要部の断面構造を示す断面図である。

【図２１】図２０に示す液晶装置の他の主要部の断面構
造を示す断面図である。

【図２２】図２０に示す液晶装置の製造方法の一実施形
態を示す工程図である。

【図２３】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態
の主要部の平面構造を示す平面図である。

【図２４】図２３のＩＩ−ＩＩ線に従った断面図であ
る。

【図２５】図２４の素子構造を製造するための製造方法
の一例を示す工程図である。

【図２６】図２５に引き続く工程図である。

【図２７】図２６に引き続く工程図である。

【図２８】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態
の主要部の平面構造を示す平面図である。

【図２９】図２８の一部を拡大して示すと共に図２８で
は示されない他の構成要素を示す平面図である。

【図３０】図２９に示す技術に関連する技術を説明する
ための平面図である。

【図３１】図２９に示す技術の機能を説明するための平
面図である。

【図３２】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態
の主要部の平面構造を示す平面図である。

【図３３】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態
の主要部の平面構造を示す平面図である。

【図３４】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態
の主要部の断面構造を示す断面図である。

【図３５】図３４に示す構造の平面図である。

【図３６】図３４に示す断面構造を有する液晶装置の全
体の外観を示す斜視図である。

【図３７】本発明に係る電子機器の一実施形態を示す斜
視図である。

【図３８】本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す
斜視図である。

【図３９】本発明に係る電子機器のさらに他の実施形態
を示す斜視図である。

【図４０】本発明に係る電子機器のさらに他の実施形態
を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ 液晶装置 ２ 下基板（第１基板） ３ 上基板（第２基板） ７ 駆動用ＩＣ ８ 遮光層 １０ セグメント電極 １１ コモン電極 １３ カラーフィルタ １４，１５ 引回し配線 １７ 光反射領域 １８ ＡＰＣ膜（反射性導電膜） １９ ＩＴＯ膜（金属酸化物膜） ２３ 液晶 ２４ 引回し配線 ２５ バックライト（照明装置） ２９ 表示ドット ３３ ブラックマスク ３４ エッジ部分（光透過領域） ３５ 下地膜 １００ 液晶パネル １６０ 液晶 １９０，２９０，３９０ 液晶装置 ２００ 前面側基板（第２基板） ３００ 背面側基板（第１基板） ２０２ ブラックマスク ２０４ カラーフィルタ ２０５ 平坦化膜 ２１０ コモン電極 ３０３ 下地膜 ３１０ セグメント電極 ３１２ 反射パターン（反射性導電膜） ３１４ 透明導電膜（金属酸化物膜） ３２０ ＴＦＤ ３３０ 画素電極 ３５０，３６０，３７０ 配線 ３５２，３６２，３７２ 反射性導電膜 ３５４，３６４，３７４ 透明導電膜 ４０１ 液晶装置 ４０５ 液晶パネル ４０６ａ 第１基板 ４０６ｂ 第２基板 ４０７ ＴＦＴ ４０９ 画素電極 ４０２ カラーフィルタ ４０３ 電極 ４０５ ブラックマスク ４５６ 液晶 １１００ パーソナルコンピュータ（電子機
器） １２００ 携帯電話機（電子機器） １３００ デジタルスチルカメラ（電子機器） １５００ 腕時計型電子機器（電子機器） ２１００ 走査線 ３１００ データ線 ３３２０ 反射性導電膜 ３３４０ 透明導電膜（金属酸化物膜） Ｖ 表示領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０Ｚ ３３８ ３３８ 9/35 9/35 (72)発明者 萩原 武 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H091 FA14Y FA35Y FA41Z FB08 FC01 FC10 FC26 GA03 GA13 LA18 2H092 GA16 GA17 GA20 HA04 HA05 HA06 JA03 JA24 JB07 KA18 KB04 MA05 MA12 MA17 NA01 5C094 AA03 AA43 AA55 BA03 BA43 CA19 CA24 DA13 EA04 EA06 EA07 5G435 AA01 AA17 BB12 BB15 BB16 CC09 EE23 EE25 KK05 KK07 KK09 KK10

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１基板と第２基板との間に液晶を配置
   して成る液晶装置において、 前記第１基板に形成された反射性導電膜と、 該反射性導電膜上に積層されると共にエッジ部分が前記
   第１基板に接触する透光性の金属酸化物膜と、 前記第１基板の外側から前記液晶に向けて光を照射する
   照明手段とを有することを特徴とする液晶装置。
2. 【請求項２】 第１基板と第２基板との間に液晶を配置
   して成る液晶装置において、 前記第１基板に設けられた下地膜と、 該下地膜上に形成された反射性導電膜と、 該反射性導電膜上に積層されると共にエッジ部分が前記
   下地膜に接触する透光性の金属酸化物膜と、 前記第１基板の外側から前記液晶に向けて光を照射する
   照明手段とを有することを特徴とする液晶装置。
3. 【請求項３】 請求項１において、前記第１基板に接触
   する前記エッジ部分は、半透過反射方式の液晶表示にお
   ける１つの表示ドット内での光透過部を構成することを
   特徴とする液晶装置。
4. 【請求項４】 請求項２において、前記下地膜に接触す
   る前記エッジ部分は、半透過反射方式の液晶表示にける
   １つの表示ドット内での光透過部を構成することを特徴
   とする液晶装置。
5. 【請求項５】 請求項２において、前記下地膜は金属酸
   化物を含むことを特徴とする液晶装置。
6. 【請求項６】 請求項１又は請求項２において、前記反
   射性導電膜の上面に青色成分の光を反射させる反射層を
   有することを特徴とする液晶装置。
7. 【請求項７】 請求項１又は請求項２において、前記反
   射性導電膜及び前記金属酸化物膜は前記液晶に電圧を印
   加するための第１電極を構成することを特徴とする液晶
   装置。
8. 【請求項８】 請求項７において、前記第１電極に対向
   して前記第２基板上に形成された第２電極と、前記第１
   電極と前記第２電極との交差領域に対応して設けられた
   着色層とを有することを特徴とする液晶装置。
9. 【請求項９】 請求項７又は請求項８において、前記第
   １電極は単純マトリクス方式の液晶装置を構成するスト
   ライプ状電極であることを特徴とする液晶装置。
10. 【請求項１０】 請求項７又は請求項８において、前記
    第１電極はアクティブマトリクス方式の液晶装置を構成
    するドット状電極であることを特徴とする液晶装置。
11. 【請求項１１】 請求項７において、前記第１電極に対
    向して前記第２基板上に形成された第２電極と、前記第
    １電極につながる配線と、前記第２電極につながる配線
    とを有し、前記第１電極と前記第２電極との交差領域の
    集まりによって表示領域が形成され、前記第１電極につ
    ながる配線及び前記第２電極につながる配線は前記表示
    領域の外側に存在し、前記配線の少なくとも一方は金属
    酸化物によって形成され、反射性導電膜は含まないこと
    を特徴とする液晶装置。
12. 【請求項１２】 請求項１又は請求項２において、前記
    反射性導電膜は銀単体又は銀を含む合金であることを特
    徴とする液晶装置。
13. 【請求項１３】 請求項１又は請求項２において、前記
    金属酸化物膜はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であること
    を特徴とする液晶装置。
14. 【請求項１４】 請求項１において、前記第１基板に接
    触する前記エッジ部分の面積は、該エッジ部分が属する
    １表示ドットの面積の１０〜７０％、望ましくは３０〜
    ５０％であることを特徴とする液晶装置。
15. 【請求項１５】 請求項２において、前記下地膜に接触
    する前記エッジ部分の面積は、該エッジ部分が属する１
    表示ドットの面積の１０〜７０％、望ましくは３０〜５
    ０％であることを特徴とする液晶装置。
16. 【請求項１６】 第１基板と第２基板との間に液晶を配
    置して成る液晶装置の製造方法において、 前記第１基板上に反射性導電膜を形成する工程と、 エッジ部分が前記第１基板に接触するように透光性の金
    属酸化物膜を前記反射性導電膜上に形成する工程と、 光を照射する照明手段を前記第１基板の外側に設ける工
    程とを有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 第１基板と第２基板との間に液晶を配
    置して成る液晶装置の製造方法において、 前記第１基板上に下地膜を形成する工程と、 該下地膜上に反射性導電膜を形成する工程と、 エッジ部分が前記下地膜に接触するように透光性の金属
    酸化物膜を前記反射性導電膜上に形成する工程と、 光を照射する照明手段を前記第１基板の外側に設ける工
    程とを有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 請求項１又は請求項２に記載の液晶装
    置を有することを特徴とする電子機器。