KR100500482B1 - 액정 장치 및 이를 사용한 전자 기기 - Google Patents

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KR100500482B1
KR100500482B1 KR10-1999-0061606A KR19990061606A KR100500482B1 KR 100500482 B1 KR100500482 B1 KR 100500482B1 KR 19990061606 A KR19990061606 A KR 19990061606A KR 100500482 B1 KR100500482 B1 KR 100500482B1
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아키노리 마스자와
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 기판의 액정과 접하는 측에 반사판으로 기능하는 반사 전극을 설치한 내면 반사형 방식을 채용하는 반사형 및 반투과 반사형 액정 장치에 있어서, 장치 구성 및 제조 프로세스를 단순화하고, 밝은 고-화질의 화상 표시를 수행하는 것을 목적으로 한다.
이를 해결하기 위해 본 발명의 반사형 액정 장치는, 제 1 기판(10) 위에, 스트라이프상의 반사 전극(11)·단층 구조를 가지는 투명 절연막(12)·배향막(15)을 구비한다. 투명 절연막의 굴절율은 액정의 굴절율 및 배향막의 굴절율보다 작게 설정된다. 또한, 투명 절연막의 두께는 청색광에 대해 상기 반사 전극·투명 절연막·배향막으로 이루어지는 적층체의 다중 반사에 의한 반사율을 극대로 하는 제 1 소정 두께 이상이며, 적색광에 대해 상기 반사 전극·투명 절연막·배향막으로 이루어지는 적층체의 다중 반사에 의한 반사율을 극대로 하는 제 2 소정 두께 이하로 설정된다.

Description

액정 장치 및 이를 사용한 전자 기기{LIQUID CRYSTAL DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT USING THE SAME}
본 발명은 패시브-매트릭스(passive-matrix) 구동방식, 액티브-매트릭스(active-matrix) 구동방식, 세그먼트 구동방식 등의 반사형 액정 장치 및 반투과 반사형 액정 장치와 같은 액정 장치와 이러한 액정 장치를 사용하는 전자기기에 관한 것이다. 특히, 기판의 액정과 면하는 측면에 반사판 또는 반투과 반사판으로 작용하는 반사 전극을 포함하는 내면 반사 방식을 채용하는 액정 장치 및 이 액정 장치를 사용하는 전자기기에 관한 것이다.
종래에는, 백-라이트(back-light)와 같은 광원을 이용하지 않고, 외광(external light)을 이용하여 표시를 수행하는 반사형 액정 장치 또는 반투과 반사형 액정 장치가 저소비 전력화, 소형 경량화 등의 관점에서 유리하여, 특히 휴대성이 중요시되는 휴대전화, 손목시계, 전자수첩, 노트북 PC 등 휴대용 전자기기에 채용되어 왔다. 통상의 반사형 액정 장치에서는, 한 쌍의 기판 사이에 액정이 끼워진 투과형 액정 패널의 이면에 반사판을 부착시켜, 그 표면으로부터 입사된 외광을 투과형 액정 패널 및 편광판 등을 매개로 하여 반사판에 의해 반사시키는 구성으로 되어 있다. 그러나, 이것은 기판에 의해 격리되어 있는 액정으로부터 반사판까지의 광로가 길며, 따라서 표시화상에 대한 시차가 발생하여 이중 표시를 발생시킨다. 따라서 통상의 반사형 액정 장치는 고-정밀 화상표시에는 기본적으로 적합하지 아니하며, 특히 컬러 표시의 경우에는 상기 긴 광로에서 각 색들이 혼합되므로 고품질의 화상표시를 수행하기가 극히 곤란하다. 더욱이, 액정 패널에 입사되어 반사판까지 왕복하는 사이에 외광이 감쇠되므로, 기본적으로 액정 장치가 보다 밝은 표시를 수행하는 것이 곤란하다.
따라서, 최근에는 한 쌍의 기판 중 외광이 입사되는 측의 반대측에 위치하는 기판 위에 배치되는 표시 전극을 반사판으로 구성하여, 반사 위치를 액정층에 근접하도록 하는 구성을 한 내면 반사 방식의 반사형 액정 장치가 개발되어 왔다. 구체적으로는 일본 특허 공개 공보 평8-114799호에, 기판 위에 반사판 역할을 하는 화소 전극을 형성하여, 그 위에 고굴절막과 저굴절막의 2 개의 막을 적층하거나, 또는 이를 교대로 하여 다수의 층으로 적층하여, 이 위에 배향막을 형성하는 기술이 개시되어 있다. 이 기술에서는, 반사판 위에 고굴절막과 저굴절막의 적층체를 설치하여 대향 기판측으로부터 입사되는 외광에 대한 반사율을 높여서, 보다 밝은 반사형 표시가 수행되도록 한다.
이런 종류의 액정 장치 기술분야에 있어서는, 표시화상의 고품질화와 함께 저비용화가 일반적으로 요청되며, 표시화상의 밝기 및 정밀도를 높이는 동시에 장치 구성 및 제조 프로세스를 단순화하는 것이 극히 중요한 과제이다.
그러나, 상기의 화소 전극이 반사판 역할을 겸하도록 하는 기술은, 높은 반사율을 얻기 위해서는, 고굴절막 및 저굴절막을 포함하는 최소 2 층 이상의 다층 적층체를 화소 전극 상에 설치하는 것이 필수적이며, 따라서 적층체 구조가 복잡하며, 이에 따라 장치의 구성 및 제조 프로세스가 복잡해지는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 고려하여 이루어진 것으로서, 장치 구성 및 제조 프로세스를 단순화하는 동시에 고품질의 밝은 화상표시가 가능한 반사형 또는 반투과 반사형 액정 장치 및 이를 사용하는 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 액정 장치는 상기 목적을 달성하기 위하여, 제 1 기판, 이 제 1 기판에 대향 배치되는 투명의 제 2 기판, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 끼워진 액정, 상기 제 1 기판의 상기 제 2 기판에 대향하는 측에 배치되는 반사 전극, 이 반사 전극 상에 배치되는 단층구조를 가지는 투명 절연막, 이 투명 절연막상에 배치되는 배향막을 구비하며, 상기 투명 절연막의 굴절율은 상기 액정의 굴절율 및 상기 배향막의 굴절율보다도 작게 설정되고, 상기 투명 절연막의 막 두께는 상기 제 2 기판측으로부터 입사되는 청색광에서 상기 반사 전극과 투명 절연막 및 배향막으로 이루어진 적층체의 반사율이 극대화되는 제 1 소정 막 두께보다는 크며, 상기 제 2 기판측으로부터 입사되는 적색광에서 다층체의 반사율이 극대화되는 제 2 소정 막 두께보다는 작은 막 두께로 설정된다. 본 발명에서는, 액정의 굴절율은 액정의 이상(異常) 광굴절율(n0) 및 액정의 정상(正常) 광굴절율(ne)의 평균값으로 정의한다.
본 발명의 액정 장치에서는, 제 2 기판으로 외광이 입사되고 투명의 제 2 기판 및 액정을 거쳐 제 1 기판 위에 설치된 반사 전극·투명 절연막·배향막으로 이루어진 적층체에 의해 반사되어, 재차 액정 및 제 2 기판을 거쳐 제 2 기판으로부터 출사된다. 따라서, 예를 들어 제 2 기판의 외면에 편광판을 배치할 때, 반사 전극에 의해 액정의 배향 상태를 제어함으로써, 당해 반사 전극에 의해 반사되며 액정을 거쳐 표시광으로 출사되는 외광의 강도를 제어할 수 있다. 즉, 반사 전극에 공급되는 화상 신호에 따른 화상 표시를 수행할 수 있다.
본 발명자의 연구 및 시뮬레이션에 따르면, 액정과 대면하는 제 1 기판 상에 있는 반사 전극·투명 절연막·배향막으로 이루어진 적층체의 외광에 대한 반사율은, 파장 의존성이 있는 동시에 투명 절연막의 굴절율에 의존하여 변한다. 보다 구체적으로는 투명 절연막의 굴절율이 액정의 굴절율 및 배향막의 굴절율보다 작고, 백색 외광을 형성하는 요소들인 적색광·청색광·녹색광에 대해서는 이들 중 어느 것에 대해서도 상기 적층체의 반사율이 높다는 것이 판명되었다. 따라서, 본원 발명에서는, 투명 절연막의 굴절율이 액정의 굴절율 및 배향막의 굴절율보다 작게 설정된다.
또한, 본 발명자의 연구 및 시뮬레이션에 따르면, 액정과 대면하는 제 1 기판 상에 있는 반사 전극·투명 절연막·배향막으로 이루어진 적층체의 외광에 대한 반사율은, 파장 의존성이 있는 동시에 투명 절연막의 막 두께에 의존하여 변화한다. 보다 구체적으로는 청색광(파장이 450 nm 정도인 전자기파)에 대한 반사율의 극대치는 비교적 투명 절연막의 막 두께가 얇은 경우에 발생하고, 적색광(파장이 650 nm 정도인 전자기파)에 대한 반사율의 극대치는 비교적 투명 절연막의 막 두께가 두꺼운 경우에 발생한다. 또한 녹색광(파장이 550 nm 정도인 전자기파)에 대한 반사율의 극대치는, 투명 절연막의 막 두께가 상술한 청색광에 대한 극대치에 대응하는 비교적 얇은 막 두께와 상술한 적색광에 대한 극대치에 대응하는 비교적 두꺼운 막 두께의 사이에 속하는 막 두께에서 발생한다는 것이 판명되었다. 즉, 반사율의 극대치가 달성되는 투명 절연막의 막 두께는 청색광, 녹색광, 적색광의 순서로 배열된다. 따라서, 백색광으로 외광을 구성하는 상기 3 색광의 반사율을 높이기 위해서는, 청색광에 대해 극대치가 발생하는 막 두께(즉, 제 1 소정 막 두께)와 적색광에 대해 극대치가 발생하는 막 두께(즉, 제 2 소정 막 두께)의 사이에, 투명 절연막의 막 두께를 설정하는 것이 양호하다. 따라서, 본 발명에서 투명 절연막의 막 두께는 제 1 소정 막 두께 이상이며 제 2 소정 막 두께 이하인 막 두께로 설정된다.
이상의 결과로, 본 발명의 액정 장치는, 외광이 제 1 기판의 외측에 설치되는 반사판에 의해 반사되는 종래의 반사형 액정 장치에 비하여, 제 1 기판의 내측(즉, 액정과 접하는 측)으로 외광을 반사시킴으로써, 광로가 단축된 만큼 표시화상의 시차를 저감시키고 표시 화상의 밝기도 향상시킨다. 따라서, 고정밀도의 반사형 표시 및 고정밀도의 색상 표시가 가능하다. 특히 고정밀도의 밝은 반사형 표시를 얻기 위해서는, 반사 전극을 제 1 기판 위에 형성하고 이 반사 전극 상에는 단층 구조를 가지는 투명 절연막을 형성하면 양호하므로, 전술한 반사판의 역할을 하는 화소 전극 위에 고굴절층 및 저굴절층을 교대로 적층하는 종래 기술에 비하여, 제 1 기판 상의 적층체의 구조의 단순화, 또는 장치 구성 전체의 단순화 및 그 제조 프로세스의 단순화를 도모할 수 있다.
따라서, 본 발명은 장치 구성 및 제조 프로세스의 단순화 및 고품질의 밝은 화상 표시가 가능한 액정 장치를 실현할 수 있다.
본 발명의 액정 장치의 한 태양으로는, 투명 절연막의 막 두께가, 상기 제 1 및 제 2 소정 두께로 설정되는 것이 아니라, 제 1 및 제 2 소정 두께 사이의 두께로서, 제 2 기판측으로부터 입사되는 녹색광에 대해 상기 적층체의 반사율을 극대로 하는 제 3 소정 막 두께에 근접하게 막 두께를 설정한다.
이 태양에서, 투명 절연막의 막 두께는, 제 1 및 제 2 소정 막 두께 사이의 값이며 제 2 기판측으로부터 입사되는 녹색광에 대한 적층체의 반사율을 극대로 하는 제 3 소정 막 두께 근방의 막 두께로 설정되어 있으므로, 특히 인간의 시감각도가 높은 녹색광 성분을 보다 효율적으로 반사시켜 시각상으로 보다 밝은 화상 표시를 수행한다.
본 발명의 액정 장치의 또 다른 태양으로서는, 상기 투명 절연막의 굴절율은 1.5 이하이며, 투명 절연막의 막 두께는 50 nm 이상 100 nm 이하이다.
이 태양에서는, 굴절율이 1.5 이하이며 막 두께가 50 내지 100 nm 인 단층 구조를 지니는 투명 절연막을 반사 전극 상에 형성하여 높은 반사율이 얻어지며, 높은 반사율을 얻기 위한 제 1 기판 상의 적층체의 제조 프로세스를 단순화할 수 있다.
본 발명의 액정 장치의 또 다른 태양으로서는, 상기 투명 절연막은 산화 실리콘을 주성분으로 한다.
이 태양에서, 산화 실리콘을 주성분으로 하는 투명 절연막은 높은 반사율을 얻기 위해 반사 전극 위에 형성되며, 이로써 비교적 용이한 제조 프로세스 및 비교적 저비용으로 높은 반사율을 얻을 수 있다.
본 발명의 액정 장치의 또 다른 태양으로서는, 상기 투명 절연막은 입자의 평균 크기 50 nm 이하인 무기산화물 입자를 함유한다.
이 태양에서는, 투명 절연막은 입자의 평균 크기가 50 nm 이하인 무기 산화물 입자를 함유하여 투명 절연막 상에 형성되는 배향막의 접착성이 향상되고, 따라서 비교적 용이하게 액정 장치를 제조하고 장치 신뢰성을 높일 수 있다.
본 발명의 액정 장치의 또 다른 태양으로서는, 반사 전극이 알루미늄을 주성분으로 한다.
이 태양에서는, 알루미늄을 주성분으로 하는 반사 전극이 제 1 기판 상에 형성되어 높은 반사율이 얻어지며, 비교적 용이한 제조 프로세스 및 비교적 저비용으로 높은 반사율이 얻어진다.
본 발명의 액정 장치의 또 다른 태양으로서는, 반사 전극은 전도성 반사막으로 이루어진 복수의 스트라이프(stripe)형 반사 전극이고, 상기 제 2 기판 상에는 전도성 투과막으로 이루어지며 상기 스트라이프형 반사 전극과 상호 교차하는 복수의 스트라이프형 투명 전극을 다시 구비한다.
이 태양에서는, 소위 패시브-매트릭스 구동 방식의 반사형 및 반투과 반사형의 액정 장치가 구축되어, 제 1 기판 상의 복수의 스트라이프형 반사 전극 및 제 2 기판 상의 복수의 스트라이프형 투명 전극 사이에, 반사 전극 및 투명 전극과 각 교차 지점에서 액정 부분에 전계를 순차적으로 인가함으로써, 액정 부분의 배향 상태를 제어가능하게 하고 반사 전극에 의해 반사되고 각 액정 부분을 거쳐 표시광으로 출사되는 외광의 강도를 제어할 수 있다.
본 발명의 액정 장치의 또 다른 태양으로서는, 반사 전극은 전도성의 반사막으로 이루어지는 매트릭스상의 복수의 화소 전극을 포함하며, 상기 각 화소 전극 과 접속되는 2 단자형 스위치 소자가 제 1 기판 위에 구비되며, 상기 2 단자형 스위칭 소자에 접속되는 복수의 주사선 또는 복수의 데이터선 중 한 쪽은 제 1 기판 위에 구비되며, 상기 복수의 주사선 또는 복수의 데이터선 중 다른 쪽은 복수의 주사선 또는 복수의 데이터선 중 제 1 기판 위에 구비되는 상기 한 쪽과 교차되도록제 2 기판 위에 구비된다.
이 태양에서는, TFD(Thin Film Diode: 박막 다이오드) 등의 2 단자형 스위칭 소자를 이용한 소위 액티브-매트릭스 구동 방식의 반사형 및 반투과 반사형의 액정 장치는, 제 1 기판 상의 화소 전극 및 제 2 기판 상의 데이터선 또는 주사선 사이에 각 화소 전극의 액정 부분에 전계를 순차적으로 인가함으로써, 액정 부분의 배향 상태를 제어 가능하며, 당해 화소 전극에 의해 반사되어 각 액정 부분을 거쳐 표시광으로 출사되는 외광의 강도를 제어할 수 있다. 특히 TFD 등의 스위칭 소자를 거쳐 각 화소 전극에 전력이 공급되므로, 각 화소 전극 사이의 크로스-토크(cross-talk)를 감소시키고, 고품질의 화상 표시가 가능하다.
본 발명의 액정 장치의 또 다른 태양으로서는, 상기 반사 전극은, 전도성의 반사막으로 된 복수의 매트릭스상 화소 전극을 포함하고, 상기 제 1 기판 상에 상기 각 화소 전극에 접속되는 3 단자형 스위칭 소자와 이 3 단자형 스위칭 소자에 접속되는 복수의 주사선 또는 복수의 데이터선을 구비한다.
이 태양에서, TFTs(Thin Film Transistor: 박막 트랜지스터) 등의 3 단자형 스위칭 소자를 이용한 소위 액티브-매트릭스 구동 방식의 반사형 또는 반투과 반사형의 액정 장치가 구축되어, 제 1 기판상의 각 화소 전극에 있어 액정 부분에 전극을 순차적으로 인가함으로써, 각 액정 부분의 배향상태를 제어 가능하고, 당해 화소 전극에 의해 반사되며 각 액정부분을 거쳐 표시광으로서 출사되는 외광의 강도를 제어할 수 있다. 특히 TFT 등의 3 단자형 스위칭 소자를 거쳐 각 화소 전극에 전력을 공급하여, 화소 전극 사이의 크로스-토크를 감소시키고, 고품질의 화상 표시가 가능하다. 화소 전극에 대향 배치되는 전도성의 투과막으로 이루어진 대향 전극을 추가로 제 2 기판 상에 배치하여, 각 화소 전극의 액정 부분을 제 1 기판에 수직하는 종 방향 전계에 의해 구동하거나, 이 같은 대향 전극이 없이 제 1 기판에 평행한 횡 방향 전극에 의해 구동할 수 있다.
본 발명의 전자 기기는 상기 문제점을 해결하기 위해, 상술한 본 발명의 액정 장치를 구비한다.
따라서 본 발명의 액정 장치를 포함하는 본 발명의 전자 기기에서는, 장치 구성 및 제조 프로세스를 단순화하여, 고화질의 화상 표시가 가능한 휴대 전화기, 손목시계, 전자 수첩, 노트북 PC 등의 다양한 전자 기기를 구현할 수 있다.
본 발명의 작용 및 기타 이점은 이하 설명할 실시예에 의해 분명해질 것이다.
[제 1 실시예]
본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 장치를 도1 및 도2를 참조하여 설명하기로 한다. 제 1 실시예는, 본 발명을 패시브-매트릭스 구동 방식의 반사형 액정 장치에 적용한 것이다. 도1은 반사형 액정 장치를, 대향 기판 상에 형성된 컬러 필터가 편의상 삭제되어 있는 상태로 도시하고 있는, 대향 기판 방향에서 바라본 도식적인 평면도이다. 도2는 도1의 A-A' 단면을 따라 컬러 필터를 포함하는 반사형 액정 장치를 도식적으로 도시한 단면도이다. 도1은 실제로는 다수의 전극이 존재하지만, 설명의 편의를 위해 각각 종횡으로 6 개의 스트라이프형 전극만을 도시한다. 도2에서, 각 층 및 각 부재가 도면 상에서 인식 가능하도록, 각 층 및 각 부재를 축척을 달리하여 도시하였다.
도1 및 도2를 참조하여, 제 1 실시예의 반사형 액정 장치는 제 1 기판(10), 제 1 기판(10)에 대향 배치되는 투명의 제 2 기판(20), 제 1 기판(10)과 제 2 기판(20) 사이에 끼워진 액정층(50), 제 1 기판(10)의 제 2 기판(20)과 마주보는측(즉, 도2의 상부 표면) 위에 배치되는 복수의 스트라이프형 반사 전극(11), 반사 전극(11) 위에 배치되며 단일층 구조를 가지는 투명 절연막(12), 투명 절연막(12) 위에 배치되는 배향막(15)를 포함한다. 반사형 액정 장치는 또한 제 2 기판(10) 상의 제 1 기판과 마주보는측(즉, 도2의 하부 표면)에 배치되는 컬러 필터(23), 컬러 필터(23) 위에 배치되는 컬러 필터 평탄화막(24), 컬러 필터 평탄화막(24) 위에 반사 전극(11)과 상호 교차하도록 배치되는 복수의 스트라이프형 투명 전극(21), 투명 전극(21) 위에 배치되는 배향막(25)으로 구성된다. 제 1 기판(10)과 제 2 기판(20)은 액정층(50)의 주변에 구비된 밀봉재(31; sealing material)에 의해 결합되어, 액정층(50)이 제 1 기판(10)과 제 2 가판(20) 사이에서 밀봉재(31) 및 봉쇄재(32; sealant)에 의해 봉쇄된다.
제 1 기판(10)은 투명 또는 불투명일 수 있으며, 예를 들어 석영 기판 또는 반도체 기판 등으로 이루어진다. 제 2 기판(20)은 가시광선에 대해 투명 또는 최소한 반투명일 것이 요구되므로, 예를 들어 유리 기판 또는 석영 기판 등으로 이루어진다.
반사 전극(11)은 예를 들어 알루미늄을 주성분으로 하는 전도성 반사막으로 이루어지고, 알루미늄 증착 등에 의해 형성된다. 투명 전극(21)은 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide)막과 같은 투명 전도성 박막으로 이루어진다.
각 배향막(15, 25)은 폴리이미드(polyimide) 박막과 같은 유기 박막이며, 스핀 코팅(spin coating) 등에 의해 형성되어, 러빙(rubbing) 처리 등의 배향 처리가 수행된다.
액정층(50)은 반사전극(11) 및 투명 전극(21) 사이에 전계가 인가되지 않는 상태에서, 배향막(15, 25)에 의해 소정의 배향 상태를 취한다. 예를 들어, 액정층(50)은 단일한 네마틱(nematic) 액정 또는 다수의 네마틱 액정의 혼합으로 이루어진다.
밀봉재(31)는 예를 들어 광경화성 수지 또는 열경화성 수지로 이루어지는 접착제이다. 특히 당해 반사형 액정 장치가 그 대각선 길이가 대략 수 인치(inch) 이하인 소형인 경우, 밀봉재(31)는 양 기판 사이에 소정 간격이 형성되도록 유리 섬유 또는 유리 비드(bead)와 같은 갭 부재(스페이서)를 포함한다. 그러나, 당해 반사형 액정 장치가 그 대각선 길이가 대략 수 인치에서 10 인치(inch) 정도로 대형인 경우, 상기와 같은 갭 부재는 액정층(50) 내에 혼입될 수 있다. 봉쇄재(32)는, 밀봉재(31)의 주입구를 통하여 진공 상태 하에서 액정을 주입한 후, 밀봉재(31)의 주입구를 밀봉하기 위한 수지성 접착제 등으로 이루어진다.
컬러 필터(23)는, 청색광·녹색광·적색광을 각각 투과하는 색재막이 각 화소에 형성되고, 블랙 마스크 또는 블랙 매트릭스로 호칭되는 차광막이 각 화소 사이에서의 혼색을 방지하기 위해 각 화소 사이의 경계에 형성되는, 델타 배열·스트라이프 배열·모자이크 배열·트라이앵글 배열 등의 배열 방식을 취하는 공지된 컬러 필터이다. 도1 및 도2에는 도시되지 않았지만, 밀봉재(52)의 내측에 병행하여, 컬러 필터(23) 내의 차광막과 동일하거나 다른 재료로 이루어진 차광막이, 화상 표시 영역의 주변을 규정하기 위한 프레임으로서 설치되어도 좋다. 혹은, 이러한 프레임은 반사형 액정 장치를 포함하는 차광성 케이스의 에지에 의해 규정될 수 있다.
특히, 제 1 실시예에서 투명 절연막(12)의 굴절율은 액정층(50)을 형성하는 액정의 굴절율 및 배향막(15)의 굴절율보다 작게 설정된다. 더욱이, 투명 절연막(12)의 두께는, 제 2 기판(20)측으로부터 입사되는 청색광에 대해 반사 전극(11)·투명 절연막(12)·배향막(15)의 적층체의 반사율이 극대로 되는 제 1 소정 두께보다는 크며, 제 2 기판(20)측으로부터 입사되는 적색광에 대해 반사 전극(11)·투명 절연막(12)·배향막(15)의 적층체의 반사율이 극대로 되는 제 2 소정 두께보다는 작도록 설정된다.
상기의 조건을 충족시키기 위해, 예를 들어, 투명 절연막(12)은 산화 실리콘을 주성분으로 하며, 액정의 굴절율은 1.60 이고 배향막의 굴절율(15)은 1.66 에 대하여, 투명 절연막(12)의 굴절율은 1.5 이하이다. 투명 절연막(12)은 예를 들어 50 내지 100 nm 두께가 되도록 스퍼터링(sputtering)에 의해 형성된다.
다음으로는, 적층체가 액정층(50)과 접하는 시스템에 있어서, 투명 절연막(12)의 굴절율과 반사 전극(11)·투명 절연막(12)·배향막(15)으로 이루어진 적층체의 외광 반사율 사이의 관계와, 이 반사율과 투명 절연막(12)의 두께 사이의 관계를 구하기 위한 시뮬레이션에 대해 설명하기로 한다.
시뮬레이션은 Rouard 방법에 의해 다음과 같이 수행된다:
금속막 및 반도체 막과 같은 흡수체의 굴절율 n*는 보통 이하의 식과 같이 복소수로 표시된다.
단, n 과 k 는 흡수체의 광학정수
이들 광학정수 n, k 는 각 흡수체에 고유한 것이며 파장 의존성이 있다. 광학 정수는 또한 성막 조건에 따라 변한다. 따라서, 흡수체 및 성막 조건이 결정되면, 경험적으로, 실험적으로 혹은 시뮬레이션에 의해 상기 정수가 직접 결정될 수 있다. 제 1 실시예의 반사 전극(11)을 구성하는 알루미늄의 광학정수 n, k 를 정하는 챠트의 한 예를 도3에 도시한다.
도3에서는, 횡축은 광 파장(nm)을 표시하고, 종축은 광학정수 n(좌측) 및 k(우측)를 표시한다. 도3에서는, 광학정수 n 의 파장 의존성이 실선 곡선으로 도시되고, 광학정수 k 의 파장 의존성은 점선 곡선으로 도시된다. 따라서, 예를 들어 파장 650 nm(적색광)에서의 알루미늄에 대해서는, 실선 곡선과 파장 650 nm 가 교차점에 의해 챠트에서 화살표로 도시한 바와 같이 n = 1.3 이 정하여진다. 예를 들어 파장 700 nm에서는, 점선 곡선과 파장 700 nm 가 교차점에 의해 챠트에서 화살표로 도시한 바와 같이 k = 6.8 이 정하여진다. 이와 같은 방법으로, 원하는 광 파장에 대한 광학정수 n, k 가 도3에 도시된 챠트를 사용함으로써 간단히 정해진다.
다음에, 본 실시예에서, 반사 전극(11)·투명 절연막(12)·배향막(15)으로 이루어진 적층체가 액정층(50)과 접하며, 반사 전극(11; 흡수체)의 광학정수는 n, k 이고, 투명 절연막(12; 유전체)의 굴절율 및 막 두께는 각각 n2, d2 이고, 배향막(15; 유전체)의 굴절율 및 막 두께는 각각 n1, d1 이고, 액정층(50)의 액정(매질)의 굴절율은 n0 이고, 진폭 반사율 r 은 다음의 식에 의해 표시된다:
단, r1 = (n1 - n0 )/(n1 + n0 ),
r2 = (n2 - n1 )/(n2 + n1 ),
r3 = (n - n2 - ik)/(n + n2 - ik),
θ1 = 4πn1d1/λ,
θ2 = 4πn2d2/λ
따라서, 에너지 반사율 R(= 반사율)은, 상기 진폭 반사율 r 에 r1 , r2 , r3 를 대입시켜 각 분모·분자를 실수항과 허수항으로 배열하여, 켤레 복소수를 곱함으로써 얻어진다.
도4는, 이상의 시뮬레이션에 의해 구해진 액정층(50)과 접하는 반사 전극(11)·투명 절연막(12)·배향막(15)으로 이루어진 적층체의 반사율(R)과 투명 절연막(12)의 굴절율(n2) 사이의 관계를 도시한다. 이 시뮬레이션에서는 투명 절연막(12)의 두께(d2)는 100 nm 이다.
도4는 투명 절연막(12)의 굴절율이 액정층(50)을 구성하는 액정의 굴절율 및 배향막(15)의 굴절율보다 작은 값으로 감소함에 따라, 통상 백색광으로 이루어진 외광을 구성하는 청색광(파장 = 450 nm, 도4에서 실선으로 도시된 특성곡선), 적색광(파장 = 650 nm, 도4에서 파선으로 도시된 특성곡선), 녹색광(파장 = 550 nm, 도4에서 점선으로 도시된 특성곡선)에 대해 반사 전극(11)·투명 절연막(12)·배향막(15)으로 이루어진 적층체의 반사율이 증가함을 나타낸다. 이들 특성곡선은 본 실시예에서는, 투명 절연막(12)의 굴절율이 감소함에 따라, 적층체의 반사율이 증가하는 것을 보여주는 데, 즉 n = 1.2 또는 그 이하인 경우 가장 낮은 반사율을 보이는 적색광에서 약 90 % 의 반사율이 얻어진다. 그러나, 투명 절연막(12)의 굴절율이 1.5 이하인 경우 가장 낮은 반사율을 보이는 적색광에서도 85 % 이상의 반사율이 보장될 수 있다. 특히, 1.30 내지 1.45 의 굴절율에서는, 제조가 용이하며, 가장 낮은 반사율을 보이는 적색광에서 90 % 에 근접한 반사율이 얻어지므로, 실제 사용에 유리하다.
또한, 본 실시예에서는 투명 절연막(12)의 두께가 100 nm 로 고정되었지만, 투명 절연막(12)의 두께가 50 내지 200 nm 의 범위에서 변하는 한 상기와 같은 경향이 관찰된다. 즉, 투명 절연막(12)의 굴절율이 1.5 이하로 설정되면, 가장 낮은 반사율을 보이는 적색광에서 약 80 % 이상의 반사율이 보장된다.
도5 내지 도7은, 이상의 시뮬레이션에 의해 구해진 액정층(50)과 접하는 반사 전극(11)·투명 절연막(12)·배향막(15)으로 이루어진 적층체의 반사율(R)과 투명 절연막(12)의 두께(d2) 사이의 관계를 도시한다.
도5의 시뮬레이션에서는 액정의 굴절율은 1.60 이고, 배향막(15)의 굴절율은 1.66 이며, 투명 절연막(12)의 굴절율은 1.38이며, 배향막(15)의 두께는 30 nm 이다.
도5는 두께가 약 70 nm 인 투명 절연막(12)에서, 반사율의 극대치는 청색광(파장 = 450 nm, 도5에서 실선으로 도시된 특성곡선)에서 관찰되는 것을 보여준다. 두께가 약 90 nm 인 투명 절연막(12)에서, 반사율의 극대치는 녹색광(파장 = 550 nm, 도5에서 점선으로 도시된 특성곡선)에서 관찰되는 것을 보여준다. 두께가 약 110 nm 인 투명 절연막(12)에서, 반사율의 극대치는 적색광(파장 = 650 nm, 도5에서 파선으로 도시된 특성곡선)에서 관찰되는 것을 보여준다.
도6의 시뮬레이션에서는 투명 절연막(12)의 굴절율이 1.46 인 점 외에는 도5의 실시예와 동일한 조건이다.
도6은, 도5의 예와 비교할 때, 투명 절연막(12)의 굴절율이 증가되는 만큼 전체적으로 반사율은 감소하지만, 각 색광에 대한 최대 반사율은 도5의 예와 동일한 경향을 띤다는 것을 보여준다. 즉, 두께 70 nm 의 투명 절연막(12)에서 반사율의 극대치는 청색광(파장 = 450 nm, 도6에서 실선으로 도시된 특성곡선)에서 관찰되는 것을 보여준다. 두께가 약 90 nm 인 투명 절연막(12)에서, 반사율의 극대치는 녹색광(파장 = 550 nm, 도6에서 점선으로 도시된 특성곡선)에서 관찰되는 것을 보여준다. 두께가 약 110 nm 인 투명 절연막(12)에서, 반사율의 극대치는 적색광(파장 = 650 nm, 도6에서 파선으로 도시된 특성곡선)에서 관찰되는 것을 보여준다.
도7의 시뮬레이션에서는 투명 절연막(12)의 굴절율이 1.54 인 점 외에는 도5 및 도6의 실시예와 동일한 조건이다.
도7은, 도5 및 도6의 예와 비교할 때, 투명 절연막(12)의 굴절율이 증가하는 만큼 전체 반사율은 더욱 감소하지만, 각 색광에 대한 최대 반사율은 도5 및 도6의 예와 동일한 경향을 띤다는 것을 보여준다. 즉, 두께 70 nm 의 투명 절연막(12)에서 반사율의 극대치는 청색광(파장 = 450 nm, 도7에서 실선으로 도시된 특성곡선)에서 관찰되는 것을 보여준다. 두께가 약 90 nm 인 투명 절연막(12)에서, 반사율의 극대치는 녹색광(파장 = 550 nm, 도7에서 점선으로 도시된 특성곡선)에서 관찰되는 것을 보여준다. 두께가 약 110 nm 인 투명 절연막(12)에서, 반사율의 극대치는 적색광(파장 = 650 nm, 도7에서 파선으로 도시된 특성곡선)에서 관찰되는 것을 보여준다.
상술한 바와 같이, 녹색광에 대한 반사율의 극대치는, 투명 절연막(12)의 두께가 청색광에 대한 극대치가 나타나는 비교적 얇은 두께(약 70 nm)와 적색광에 대한 극대치가 나타나는 비교적 두꺼운 두께(약 110 nm) 사이의 두께(약 90 nm)에서 발생한다. 즉, 각 색광에 대한 극대치를 발생시키는 투명 절연막(12)의 두께는 청색광, 녹색광, 적색광의 순서로 증가한다. 따라서, 통상 외광 백색광을 구성하는 이들 세 색광의 반사율을 증가시키기 위해서는, 투명 절연막(12)의 두께가, 양호하게는 청색광에 대한 극대치가 나타나는 두께(약 70 nm)와 적색광에 대한 극대치가 나타나는 두께(약 110 nm) 사이의 두께로 설정된다. 제 1 실시예에서는 따라서 투명 절연막(12)의 두께가 약 70 nm 이상에서 약 110 nm 이하의 값으로 설정된다.
이러한 투명 절연막(12)의 두께는 양호하게는 녹색광에 대해 반사율의 극대치가 발생하는 제 3 소정 두께(예를 들어 약 90 nm)로 설정된다. 이러한 설정은 청색광 및 적색광에 대해 높은 반사율을 유지하면서, 인간의 시감각도가 특히 높은 녹색광 성분을 더욱 효율적으로 반사시켜 보다 밝은 화상 표시를 수행할 수 있도록 한다.
상기 결과를 바탕으로, 제 1 실시예에서는, 투명 절연막(12)의 굴절율(예를 들어 1.5 이하)이, 액정층(50)을 구성하는 액정의 굴절율(예를 들어 1.6) 및 배향막(15)의 굴절율(예를 들어 1.66) 보다 낮은 값으로 설정된다. 투명 절연막(12)의 두께는, 제 2 기판(20)측으로부터 입사되는 청색광에 대하여 반사 전극(11)·투명 절연막(12)·배향막(15)으로 이루어지는 적층체의 다중 반사에 의한 반사율의 극대치가 나타나는 제 1 소정 두께(예를 들어 70 nm)보다는 큰 값으로 설정되고, 제 2 기판(20)측으로부터 입사되는 적색광에 대하여 반사율의 극대치가 나타나는 제 2 소정 두께(예를 들어 110 nm)보다는 작은 값으로 설정된다. 따라서, 액정층(50)과 접하는 반사 전극(11)·투명 절연막(12)·배향막(15)으로 이루어지는 적층체의 외광에 대한 반사율이 높은 값으로 설정될 수 있다. 더욱이, 외광이 제 1 기판의 외측에 구비되는 반사판에 의해 반사되는 통상의 반사형 액정 장치와 비교하여, 외광이 제 1 기판(10)의 상측에 구비되는 반사 전극(11)·투명 절연막(12)·배향막(15)으로 이루어지는 적층체에 의한 다중반사에 의해 반사되므로, 광로가 짧아진 만큼 표시 화상의 시차가 감소되고, 표시 화상의 밝기를 향상시킨다. 결과적으로, 밝은 고-해상도의 반사형 표시가 가능하고 고-정밀도의 컬러 표시도 또한 가능하다.
만일 투명 절연막(12)이 없이 반사 전극(11) 및 배향막(15)만이 제 1 기판 위에 형성된다면, 특히, 액정층(50) 내부 또는 밀봉재(31) 내부에 수용된 갭 부재(스페이서)보다 큰 크기의 전도성 이물질이 액정층(50) 내부에 혼입되는 경우에는, 배향막(15, 25)의 파손에 따른 반사 전극(11) 및 투명 전극(12)이 쇼트되어 장치에 결함이 발생할 가능성이 크다. 그러나, 제 1 실시예에서는, 배향막(15)보다 큰 강도를 가지는 투명 절연막(12)의 존재에 의해 또는 배향막(15) 및 투명 절연막(12)의 상호작용에 의해, 장치에 그러한 결함이 발생할 가능성이 줄어든다.
특히, 밝은 고-해상도의 반사형 표시의 달성 및 장치 결함율의 개선을 위해서는, 단층 구조의 투명 절연막(12)을 반사 전극(11) 위에 형성하여, 반사판 역할을 수행하는 화소 전극 위에 고굴절층 및 저굴절층을 교대로 적층하는 전술한 종래 기술과 비교하여 볼 때, 제 1 기판(10) 위의 적층체의 구조를 단순화하고 또한 장치 구성 전체를 단순화한다.
상술한 바와 같이, 제 1 실시예에서는, 투명 절연막(12)이 산화 실리콘을 주성분으로 포함하고, 반사 전극(11)은 알루미늄을 주성분으로 포함함으로써, 고반사율이 비교적 간단한 제조 프로세스 및 비교적 저비용으로 달성될 수 있다. 그러나, 투명 절연막(12)이 질화 실리콘을 주성분으로 포함하는 경우 및 반사 전극(11)이 은, 크롬 등의 다른 금속을 주성분으로 포함하는 경우에도, 제 1 실시예의 상술한 효과는 다소간 달성될 수 있다.
상기 제 1 실시예에서, 투명 절연막(12)은 양호하게는 평균 입자 크기가 50 nm 이하인 무기 산화물 입자를 포함한다. 이것은 투명 절연막(12) 위에 형성된 배향막(15)의 접착성을 개선하여, 비교적 용이한 반사형 액정 장치의 제조 및 장치의 신뢰성 개선을 가능하게 한다. 이와 같은 무기 산화물 입자로는, 예를 들어 산화 실리콘 입자, 산화 알루미늄 입자, 산화 주석 입자, 산화 안티몬 입자 등을 포함하는 데, 졸-겔(sol-gel) 방법에 의해 산화 실리콘 막 내부에 비교적 용이하게 함유될 수 있다.
상기 제 1 실시예에서, 제 1 기판(10)의 단자 영역으로 인출되는 반사 전극(11)의 단자부 및 제 2 기판(20)의 단자 영역으로 인출되는 투명 전극(21)의 단자부에는, 예를 들어 TAB(Tape Automated Bonding) 기판 상에 장착되어 있고 반사 전극(11) 및 투명 전극(21)에 화상 신호 및 주사 신호를 소정 타이밍으로 공급하는 데이터선 구동 회로 및 주사선 구동 회로를 포함하는 구동용 LSI 칩을, 이방성 전도막을 거쳐 기계적·전기적으로 접속시킨다. 선택적으로는, 이러한 데이터선 구동 회로 및 주사선 구동 회로는 밀봉재(31)의 외측의 제 1 기판(10) 또는 제 2 기판(20)의 주변 영역에 형성되어, 소위 구동 회로 내장형 반사형 액정 장치를 구성하거나, 제조 도중 및 출하시에 당해 액정 장치의 품질, 결함 등을 검사하기 위한 검사 회로 등을 형성한 소위 주변 회로 내장형 반사형 액정 장치를 구성할 수도 있다.
또한, 제 2 기판(20)의 외광이 입사·출사되는 측에는, 예를 들어 TN(Twisted Nsmatic) 모드, VA(Vertically Aligned) 모드, PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal) 모드 등의 동작 모드 및, 표준-백색 모드, 표준-흑색 모드 각각에 대응하여 편광막, 위상차막, 편광판 등이 소정 방향으로 배치되어 있다. 또한 제 2 기판(20) 위에는 하나의 화소와 각각 대응하는 마이크로-렌즈를 형성한다. 이것은 입사 광선의 집광 효율을 향상시키고, 따라서, 밝은 액정 장치를 실현할 수 있다. 더욱이 제 2 기판(20) 위에는, 서로 상이한 굴절율을 가지는 다수의 간섭층을 퇴적시켜 광 간섭을 이용하여 RGB(Red-Green-Black) 색을 창출하는 다이크로익 필터(dichroic filter)를 형성한다. 이 다이크로익 필터를 가지는 대향 기판은 보다 밝은 색의 액정 장치를 구현한다.
상술한 구조의 제 1 실시예의 반사형 액정 장치의 작동은 아래에서 도2를 참조하여 설명한다.
도2에서, 제 2 기판(20)에 입사되는 외광은, 투명의 제 2 기판(20) 및 액정층(50)을 통과하여, 제 1 기판(10) 상에 설치된 반사 전극(11)·투명 절연막(12)·배향막(15)의 적층체에 의해 다중 반사되고, 다시 액정층(50) 및 투명의 제 2 기판(20)을 통과하여 제 2 기판(20) 밖으로 출사된다. 따라서, 외부 회로로부터 반사 전극(11) 및 투명 전극(21)에 화상 신호 및 주사 신호를 소정 타이밍으로 공급하는 경우, 반사 전극(11) 및 투명 전극(21)이 교차하는 각 지점에 있어서 액정층(50) 부분에는, 각 행 당·각 열 당·각 화소 당 전계가 순차적으로 인가된다. 예를 들어, 투명의 제 2 기판(20)의 외부면에 편광판을 배치함으로써, 반사 전극(11)에 의해 각 화소 단위에서 액정층(50)의 배향 상태를 제어함으로써, 외광의 변조 및 그레이 스케일 표시가 가능하다. 표준-흑색 모드에서는 입사 광선이 인가 전압 하에서 액정 부분을 통과하여 전달될 수 있는 반면에, 표준-백색 모드에서는 입사 광선이 인가 전압 하에서 액정 부분을 통과하여 전달될 수 없다. 전체적으로 화상 신호에 대응하는 콘트라스트를 지니는 반사 광선이 반사형 액정 장치로부터 출사된다.
결과적으로, 제 1 실시예의 반사형 액정 장치에서는, 제 2 기판(20)측에 입사되는 외광이 액정층을 통과하여, 반사 전극(11)·투명 절연막(12)·배향막(15)의 적층체에 의해 다중 반사되고, 다시 액정층(50)을 통과하여 표시광으로 출사되어, 최종적으로 외광 이용에 의한 시차 감소로 밝은 화상 표시의 수행이 가능하다.
[제 2 실시예]
본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 장치를 도8 내지 도11을 참조하여 설명하기로 한다. 제 2 실시예에서는, 본 발명을 TFD 액티브-매트릭스 구동 방식의 반사형 액정 장치에 적용한다.
우선 본 실시예에서는 2 단자형 비선형 소자의 한 예로서 TFD 구동 소자 부근의 구성에 대해 도8 및 도9을 참조하여 설명한다. 도8은 TFD 구동 소자를 화소 전극 등과 함께 개략적으로 도시한 평면도이고, 도9는 도8을 B-B' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도9에서, 각 층 및 각 부재를 도면 상에 인식 가능한 정도의 크기로 도시하기 위해, 각 층 및 각 부재를 상이한 축척으로 도시하였다.
도8 및 도9를 참조하여, TFD 구동 소자(40)는 제 1 기판의 또 다른 예로서 TFD 어레이 기판(10') 상에 형성된 절연막(41)을 베이스로 하여 그 위에 형성되고, 절연막(41)으로부터 순차적으로 형성되는 제 1 금속막(42), 절연층(44), 제 2 금속막(46)으로 구성되는 TFD(Thin Film Diode) 구조 또는 MIM(Metal Insulator Metal) 구조를 가진다. TFD 구동 소자(40)의 제 1 금속막(42)은 TFD 어레이 기판(10') 상에 형성된 주사선(61)에 접속되고, 제 2 금속막(46)은 반사 전극의 또 다른 예로서 전도성 반사막으로 이루어지는 화소 전극(62)에 접속된다. 주사선(61) 대신에, 데이터선(후술함)이 TFD 어레이 기판(10') 상에 형성되어 화소 전극에 접속하고, 주사선(61)은 대향 기판 측에 구비될 수도 있다.
TFD 어레이 기판(10')은 예를 들어 유리 기판, 플라스틱 기판 등의 절연성·투명성 기판 또는 불투명 반도체 기판을 포함할 수 있다. 베이스 역할을 하는 절연막(41)은 예를 들어 산화 탄탈륨이다. 그러나, 절연막(41)은 제 2 금속막(46)의 퇴적 후에 수행되는 열처리에 의해 제 1 금속막(42)이 베이스로부터 박리되거나 베이스로부터 제 1 금속막(42)으로 불순물이 확산하는 것을 방지하는 것을 주 목적으로 한다. 따라서, TFD 어레이 기판(10')이 예를 들어 석영 기판 등의 내열성 및 순도가 우수한 기판으로 구성되어 박리 및 불순물의 확산의 문제가 없는 경우에는, 절연막(41)은 생략 가능하다. 제 1 금속막(42)은 예를 들어, 탄탈륨 단체 또는 탄탈륨 합금으로 이루어지는 전도성 금속 박막으로 구성된다. 절연층(44)은 예를 들어, 화학 용제 내에서 제 1 금속막(42)의 표면 위에 양극 산화에 의해 형성된 산화막으로 구성된다. 제 2 금속막(46)은 예를 들어 크롬 단체 또는 크롬 합금으로 이루어진 전도성 금속으로 구성된다.
특히, 본 실시예에서는, 제 1 실시예에서의 반사 전극(11)처럼, 화소 전극(62)은 알루미늄을 주성분으로 한 전도성 반사막으로 구성되고, 알루미늄 증착에 의해 형성된다. 즉, 화소 전극(62)은 당해 반사형 액정 장치에서 반사판의 역할을 수행하는 화소 전극의 기능을 한다.
또한, 제 1 실시예에서처럼, 화소 전극(62), TFD 구동 소자(40), 주사선(61) 등의 액정과 대면하는 측(도9의 상부 표면)에 투명 절연막(12)이 설치되고, 이 투명 절연막(12) 위에 예를 들어 폴리이미드 박막 등으로 구성되며 러빙 처리와 같은 소정의 배향 처리가 수행되는 배향막(15)이 설치된다.
2 단자형 비선형 소자로서 TFD 구동 소자를 예를 들어 앞에서 설명하였지만, ZnO(산화 아연) 바리스터, MSI(Metal Semi Insulator) 구동 소자, RD(Ring Diode) 등의 쌍방향 다이오우드 특성을 가지는 2 단자형 비선형 소자를 본 실시예의 반사형 액정 장치에 적용할 수도 있다.
이상의 구성을 가지는 TFD 구동소자를 구비하여 구성된 제 2 실시예의 TFD 액티브-매트릭스 구동 방식의 반사형 액정 장치의 구성 및 동작에 대하여 이하 도10 및 도11을 참조로 하여 설명한다. 도10은 액정 소자를 구동 회로와 함께 도시한 등가회로도이다. 도11은 액정 소자를 개략적으로 도시한 부분 파단 사시도이다.
도10을 참조하면, TFD 액티브-매트릭스 구동 방식의 반사형 액정 장치에서, TFD 어레이 기판(10') 위에 배치되는 복수의 주사선(61)은 주사선 구동 회로의 일 예를 구성하는 Y 드라이버 회로(100)에 접속되며, 이와 대향하는 기판 상에 배치되는 복수의 데이터선(71)은 데이터선 구동 회로의 일 예를 구성하는 X 드라이버 회로(110)에 접속된다. Y 드라이버 회로(100) 및 X 드라이버 회로(110)는 TFD 어레이 기판(10') 또는 대향 기판 상에 형성될 수 있다. 이 경우, 구동 회로 내장형의 반사형 액정 장치가 형성된다. Y 드라이버 회로(100) 및 X 드라이버 회로(110) 각각은 반사형 액정 장치와 독립적인 외부 IC 로 구성될 수 있고, 소정 배선을 경유하여 주사선(61) 또는 데이터선(71)에 접속될 수 있다. 이 경우, 구동 회로를 포함하는 않는 반사형 액정 장치가 형성된다.
매트릭스상으로 배치되는 각 화소 영역에서, 주사선(61)은 TFD 구동 소자(40; 도8 및 도9 참조)의 단자 중 어느 하나와 접속되고, 데이터선(71)은 액정층(50) 및 화소 전극(62)을 경유하여 TFD 구동 소자(40)의 다른 쪽 단자와 접속된다. 따라서, 각 화소 영역에 대응하는 주사선(61)에 주사신호가 공급되고, 데이터 신호가 데이터선(71)에 공급되면, 대응하는 각 화소 영역의 TFD 구동 소자(40)는 작동 상태가 되어 TFD 구동 소자(40)를 통해 화소 전극(62)과 데이터선(71) 사이의 액정층에 구동 전압을 인가한다.
도11에서, 반사형 액정 장치는 TFD 어레이 기판(10') 및 이 TFD 어레이 기판(10') 에 대향 배치되는 제 2 기판(20; 대향 기판)을 포함한다. 제 2 기판(20)은 예를 들어 유리 기판으로 구성된다. TFD 어레이 기판(10')은 매트릭스상의 반사막으로 이루어진 화소 전극(62)이 설치되어, 이 화소 전극(62)은 주사선(61)에 접속된다.
본 실시예에서, 특히, 제 1 실시예의 투명 절연막(12) 및 배향막(15)처럼, 화소 전극(62), TFD 구동 소자(40), 주사선(61)의 액정과 접하는 측에는, 투명 절연막(12) 및 배향막(15)이 설치된다.
반면에, 제 2 기판 상에는(20) 복수의 데이터선(71)이 스트립 형태로 배치되어, 주사선(61)과 교차하는 방향으로 연장된다. 데이터선(71)의 하부에는, 폴리이미드 박막과 같은 유기 박막으로 구성되며, 러빙 등과 같은 소정의 배향 처리가 수행된 배향막(25)이 구비된다. 더욱이, 본 용도에 대응하여 제 2 기판(20) 위에는, 스트라이프상, 모자이크상 또는 트라이앵글상으로 배열되는 색재막으로 이루어진 컬러 필터(도시되지 않음)가 설치된다.
제 1 실시예의 스트라이프상의 투명 전극(21)과 동일하게, 데이터선(71)은 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명 전도성 박막으로 이루어져서, 본 발명의 스트라이프상의 투명 전극의 또 다른 예를 구성한다.
제 2 실시예에서는, 제 1 실시예와 동일하게, 투명 절연막(12)의 굴절율이 액정층(50)을 구성하는 액정층(50)을 구성하는 액정의 굴절율 및 배향막(15)의 굴절율보다 작게 설정된다. 또한, 투명 절연막(12)의 두께는, 화소 전극(62)·투명 절연막(12)·배향막(15)으로 이루어지는 적층체의 다중 반사에 의한 반사율이 제 2 기판(20)측으로부터 입사되는 청색광에 대해 극대치를 가지는 제 1 소정 두께 이상이며, 화소 전극(62)·투명 절연막(12)·배향막(15)으로 이루어지는 적층체의 다중 반사에 의한 반사율이 제 2 기판(20)측으로부터 입사되는 적색광에 대해 극대치를 가지는 제 2 소정 두께 이하인 값으로 설정된다. 보다 구체적으로는, 투명 절연막(12)은 상기의 조건을 충족하기 위해 예를 들어 산화 실리콘을 주성분으로 하며, 투명 절연막(12)은 예를 들어, 액정의 굴절율은 1.5 이고 배향막(15)의 굴절율은 1.66 인 경우, 1.5 이하의 굴절율을 가진다. 투명 절연막(12)은 예를 들어 50 내지 100 nm 의 두께로 스퍼터링에 의해 형성된다.
상기한 바와 같이, TFD 액티브-매트릭스 구동 방식의 제 2 실시예의 반사형 액정 장치에서, 전계가 화소 전극(62) 및 데이터선(71) 사이에서 각 화소 전극(62)의 액정 부분에 순차적으로 인가되어, 각 액정 부분의 배향 상태가 제어 가능하도록 한다. 따라서, 화소 전극(62)에 의해 반사되어 액정 부분을 통해 표시광으로 출사되는 외광의 강도를 제어하는 것이 가능하다. 이 경우, 제 2 기판(20) 측에 입사되는 외광이 액정층(50)을 통과하고, 화소 전극(62)·투명 절연막(12)·배향막(15)으로 구성되는 적층체에 의해 다중 반사되어, 이후 액정층(50)을 통과하여 표시광으로 출사되기 때문에, 외광의 사용에 의해 적은 시차로 밝은 화상 표시를 하는 것이 가능하다. 특히, 전력이 각 화소 전극(62)에 TFD(40)를 통해 공급되므로, 각 화소 전극(62) 사이의 크로스-토크를 감소시키고, 고화질 화상 표시가 가능하다.
[제 3 실시예]
본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정 장치를 도12 내지 도14를 참조하여 설명한다. 제 3 실시예에서는, 본 발명을 TFT 액티브-매트릭스 구동 방식의 반사형 액정 장치에 적용한다. 도12는 액정 장치의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스상으로 배열된 복수의 화소에 있어서의 다양한 소자, 배선 등의 등가회로도이다. 도13은 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성되어 있는 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군을 도시한 평면도이다. 도14는 도13을 C-C' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도14에서는, 도면에서 각 층 및 부재가 인식가능할 정도로 도시되도록 하기 위해, 각 층 및 부재의 축척을 달리하여 도시한다.
도12에 도시된 제 3 실시예의 TFT 액티브-매트릭스 구동 방식의 반사형 액정 장치에서, 복수의 TFTs(130)이 매트릭스상으로 배열되는 반사형 전극의 또 다른 예로서 화소 전극을 제어하기 위해 매트릭스상으로 배열되고, 화상 신호가 인가되는 데이터선(135)은 TFTs(130)의 소스에 전기적으로 접속된다. 데이터선(135)에 쓰여진 화상 신호(S1,S2,…,Sn)들은 이 순서로 선-순차 방식으로 공급되거나 서로 인접하는 데이터선(135)을 구성하는 각 그룹에 공급될 수 있다. 또한 주사선(131)은 TFTs(130)의 게이트에 전기적으로 접속되어, 펄스 주사 신호(G1, G2,…,Gm)가 소정 타이밍으로 선-순차 방식으로 주사선에 인가된다. 화소 전극(62)은 TFTs(130)의 드레인에 전기적으로 접속되어, 스위칭 소자의 역할을 하는 TFTs(130)를 소정 시간 동안 폐쇄하여, 이것에 의해 데이터선(135)으로부터의 화상 신호(S1,S2,…,Sn)들을 소정 타이밍 동안 기록할 수 있다. 화소 전극(62)을 통하여 액정에 씌여지는 소정 레벨의 화상 신호(S1,S2,…,Sn)들은, 화소 전극 및 대향 기판(이하 설명함) 상에 형성되는 대향 전극(이하 설명함) 사이에 보유된다. 보유된 화상 신호의 누설을 방지하기 위해서는, 화소 전극(62) 및 대향 전극 사이에 형성되는 액정 용량이, 병렬로 저장 용량(170)에 부가된다.
도13에서, 반사막을 포함하는 화소 전극(62; 도면에서 점선으로 그 윤곽(62a)이 도시된)이 TFT 어레이 기판 위에 매트릭스상으로 설치되고, 화소 전극(62)의 종횡의 경계를 따라 데이터선(135), 주사선(131) 및 용량선(132)이 구비된다. 데이터선(135)은, 폴리실리콘 막 등으로 이루어진 반도체층(la)의 소스 영역에 컨택트 홀(5)을 통하여 전기적으로 접속된다. 화소전극(62)은 컨택트 홀(8)을 거쳐 반도체층(1a)의 드레인 영역에 전기적으로 접속된다. 용량선(132)은 절연막을 통하여 반도체층(la)의 드레인 영역으로부터 연장되는 제 1 저장 용량 전극에 대향하도록 배치되어, 저장 용량(170)을 구성한다. 반도체 층에서 도13의 빗금친 채널 영역(la')에 대향하도록 주사선(131)이 배치되어, 주사선(131)이 게이트 전극으로 기능한다. 이와 같은 방법으로, TFTs(130)는 주사선(131)과 데이터선(135)의 교차 지점에 배치되고, 주사선(131)은 채널 영역(la')에 대향하는 게이트 전극으로서 대향 배치된다.
도14에 도시되듯이, 액정 장치는 제 1 기판의 또 다른 예로서 TFT 어레이 기판(10'') 및 제 1 기판에 대향 배치되는 투명의 제 2 기판(20; 대향 기판)을 포함한다. TFT 어레이 기판(10'')은 불투명할 수 있으며, 예를 들어 석영 기판 또는 반도체 기판을 포함한다. 제 2 기판(20)은 투명한 기판의 예로는 유리 기판 또는 석영 기판을 포함한다.
본 실시예에서, 제 1 실시예의 반사 전극(11)과 마찬가지로, TFT 어레이 기판(10'')에 구비되는 화소 전극(62)은, 예를 들어 알루미늄을 주성분으로 하는 전도성 반사막을 포함하여 알루미늄 증착 등에 의해 형성된다. 즉, 화소 전극(62)은 반사형 액정 장치에서 화소 전극 및 반사판으로서 기능한다.
더욱이, 제 1 실시예에서 처럼, 투명 절연막(12)이 화소 전극, TFT(130) 등의 액정과 접하는 측(도14의 상부면)에 구비되고, 이 투명 절연막(12) 위에 러빙과 같은 소정 배향 처리를 수행하여 폴리이미드 박막 등의 유기 박막으로 구성되는 배향막(15)이 구비된다.
반면에, 제 2 기판(20)의 전체 면에는,투명 전극의 또 다른 예로서 대향 전극(121)이 구비되고, 각 화소의 비개구 영역에는 블랙 마스크 또는 블랙 매트릭스로 칭해지는 제 2 차광막(122)이 구비된다. 대향 전극의 하부에는 예를 들어 폴리이미드 박막 등의 유기 박막으로 이루어져 러빙 처리 등의 소정 배향 처리가 수행되는 배향막(25)이 설치된다. 제 2 기판(20)에는 스트라이프상, 모자이크상, 또는 트라이앵글상으로 배치되는 색재막으로 이루어지는 도시되지 않은 컬러 필터가 요구에 따라 구비된다.
TFT 어레이 기판(10'')에는, 각 화소 전극(62)에 인접하는 위치에서, 각 화소 전극(62)을 스위칭 제어하는 화소 스위칭용 TFT(130)가 구비된다.
제 1 실시예에서처럼, 화소 전극(62) 및 대향 전극(121)이 서로 대향하도록 배치된 TFT 어레이 기판(10'') 및 제 2 기판(20)의 사이에서 밀봉재에 의해 주변 공간으로 액정이 봉입되어, 액정층(50)이 형성된다.
더욱이, 복수의 화소 스위칭용 TFT(130)의 하부에는 제 1 층간 절연막(112)이 구비된다. 제 1 층간 절연막(112)은 TFT 어레이 기판(10'')의 전체 표면 상에 형성되어 화소 스위칭용 TFT(130) 용 하부막으로서 기능한다. 예를 들어, 제 1 층간 절연막(112)은 NSG(non-doped silicate glass), PSG(phosphorus silicate glass), BSG(boron silicate glass), BPSG(boron phosphorus silicate glass) 등의 고절연성 유리막, 산화 실리콘막, 질화 실리콘 막 등을 포함한다.
도14에서, 각 화소 스위칭 TFT(130)는, 컨택트 홀(5)을 통해 데이터선(135)에 접속되는 소스 영역, 주사선(131)에 게이트 절연막을 통해 대향 배치되는 채널 영역(la'), 컨택트 홀(8)을 통해 화소 전극(62)에 접속되는 드레인 영역을 포함한다. 데이터선(135)은 알루미늄 등의 저항이 낮은 금속막 또는 금속 실리사이드 등의 합금막과 같은 차광성·전도성 박막으로 이루어진다. 그 위에는 컨택트 홀(5, 8)을 포함하는 제 2 층간 절연막(114)이 데이터선(131) 위에 또한 형성되고, 컨택트 홀(8)을 가지는 제 3 층간 절연막(117)이 또한 제 2 층간 절연막 위에 형성된다. 제 1 층간 절연막(112)과 같이, 제 2 및 제 3 층간 절연막(114, 117) 각각은 NSG, PSG, BSG, BPSG 와 같은 고절연성 유리막 , 산화 실리콘막, 질화 실리콘막 등을 포함한다.
화소 스위칭용 TFT(130)는,LDD 구조, 옵셋 구조, 자가 배열 구조 등으로 될 수 있다. 단일 게이트 구조 외에도, 각 TFT(130)는 듀얼 게이트 혹은 트리플 게이트 이상을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는, 제 1 실시예에서처럼, 특히, 화소 전극(62) 위에 형성된 투명 절연막(12)의 굴절율이 액정층(50)을 구성하는 액정의 굴절율 및 배향막(15)의 굴절율보다 작게 설정된다. 더욱이, 투명 절연막(12)의 두께는, 화소 전극(62)·투명 절연막(12)·배향막(15)으로 이루어지는 적층체의 다중 반사에 의한 반사율이 제 2 기판(20)측으로부터 입사되는 청색광에 대해 극대치를 가지는 제 1 소정 두께 이상이며, 화소 전극(62)·투명 절연막(12)·배향막(15)으로 이루어지는 적층체의 다중 반사에 의한 반사율이 제 2 기판(20)측으로부터 입사되는 적색광에 대해 극대치를 가지는 제 2 소정 두께 이하인 값으로 설정된다. 보다 구체적으로는, 투명 절연막(12)은 상기의 조건을 충족하기 위해 예를 들어 산화 실리콘을 주성분으로 하며, 투명 절연막(12)은 예를 들어, 액정의 굴절율은 1.60 이고 배향막(15)의 굴절율은 1.66 인 경우, 1.5 이하의 굴절율을 가진다. 투명 절연막(12)은 예를 들어 50 내지 100 nm 의 두께로 스퍼터링에 의해 형성된다.
상기한 바와 같이, TFT 액티브-매트릭스 구동 방식의 제 3 실시예의 반사형 액정 장치에서, 전계가 화소 전극(62)의 액정 부분에 순차적으로 인가되어, 각 각 화소 전극(62) 및 대향 전극(121) 사이의 각 액정 부분의 배향 상태가 제어 가능하도록 한다. 따라서, 화소 전극(62)에 의해 반사되어 액정 부분을 통해 표시광으로 출사되는 외광의 강도를 제어하는 것이 가능하다. 이 경우, 제 2 기판(20) 측에 입사되는 외광이 액정층(50)을 통과하고, 화소 전극(62)·투명 절연막(12)·배향막(15)으로 구성되는 적층체에 의해 다중 반사되고, 이후 액정층(50)을 통과하여 표시광으로 출사된다. 이 때문에, 외광의 사용에 의해 적은 시차로 밝은 화상 표시를 하는 것이 가능하다. 특히, 전력이 각 화소 전극(62)에 TFT(130)를 통해 인가되므로, 각 화소 전극(62) 사이의 크로스-토크를 감소시키고, 고화질 화상 표시가 가능하다.
제 2 기판(20) 상에 대향 전극을 설치하지 않고, 제 1 기판(10) 상에 구비되는 각 화소 전극(62) 사이에 있어서 기판에 평행한 횡방향 전계에 의해 구동될 수도 있다.
[제 4 실시예]
본 발명의 제 4 실시예에 따른 액정 장치를 도15를 참조하여 설명한다. 제 4 실시예에서는, 본 발명의 제 1 내지 제 3 실시예의 반사형 액정 장치를 다양한 전자 기기에 적용한다.
제 1 내지 제 3 실시예의 반사형 액정 장치 각각은 도15(a)의 휴대 전화기(1000)의 표시부(1001)에 적용된다. 이는 장치 구성 및 제조 프로세스를 단순화하여, 높은 콘트라스트 및 실질적으로 시차가 발생하지 않는 높은 해상도의 흑백 또는 컬러 표시를 수행하여 에너지 절약형 휴대용 전화기를 구현한다.
액정 장치가 도15(b)의 손목 시계(1100)의 표시부에 적용될 경우, 장치 구성 및 제조 프로세스를 단순화하여, 높은 콘트라스트 및 실질적으로 시차가 발생하지 않는 높은 해상도의 흑백 또는 컬러 표시를 수행하여 에너지 절약형 손목 시계를 구현한다.
액정 장치가 도15(c)의 개인용 컴퓨터(또는 정보 단말기)(1100)의 키보드(1202)가 부착된 본체(1204)에 장착되며 개폐가 가능한 커버 내에 구비되는 표시 화면(1206)에 적용될 경우, 장치 구성 및 제조 프로세스를 단순화하여, 높은 콘트라스트 및 실질적으로 시차가 발생하지 않는 높은 해상도의 흑백 또는 컬러 표시를 수행하여 에너지 절약형 휴대용 컴퓨터를 구현한다.
이상 도15에서 도시된 전자 기기 이외에도, 제 1 내지 제 3 실시예의 반사형 액정 장치는 액정 텔리비젼, 뷰 파인더 형 또는 모니터 직시형 비디오 테이프 리코더, 자동차 항법 장치, 전자 수첩, 전자 계산기, 워드 프로세서, 공학용 위크 스테이션(EWS), 화상 전화기, POS 단말기, 터치 패널을 포함하는 장치 등에 적용될 수 있다.
이상 설명한 제 1 내지 제 4 실시예에서 본 발명은 반사형 액정 장치에 적용되었지만, 반사판 역할을 하는 반사 전극 대신에 광투과형 개구를 설치된 반투과 반사판의 역할을 하는 반투과 반사 전극을 사용하고, 반사 전극 사이에 광투과용 간극을 설치하고 당해 전극의 액정과 반대되는 측면에 광원을 설치하는, 반투과 반사형 액정 장치에 본 발명을 적용할 수도 있다.
본 발명은, 상기한 실시예에 제한되지 아니하며, 실시예는 본 발명의 요지를 변화시키지 않는 범위 내에서 적당하게 변형될 수 있다.
이상의 구성에 따른, 본 발명의 액정 장치를 포함하는 본 발명의 전자 기기에 의해, 장치 구조 및 제조 프로세스의 단순화가 가능하며, 고품질의 화상 표시가 가능한 휴대용 전화기, 손목시계, 전자 수첩, 노트북 PC 와 같은 다양한 전자 기기를 실현할 수 있다.
도1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 패시브-매트릭스 구동 방식의 반사형 액정 장치를, 대향 기판 상에 형성된 컬러 필터가 편의상 삭제되어 있는 상태로 도시하고 있는, 대향 기판 방향에서 바라본 도식적인 평면도이다.
도2는 도1의 A-A' 단면을 따라 컬러 필터를 포함하는 반사형 액정 장치를 도식적으로 도시한 단면도이다.
도3은 제 1 실시예의 반사 전극을 구성하는 알루미늄의 광학 상수 n 과 k 를 구하는 챠트의 일례를 도시한 특성도이다.
도4는 제 1 실시예에서 시뮬레이션을 수행하여 얻어지는, 액정층과 접촉하는 반사 전극·투명 절연막·배향막으로 이루어지는 적층체의 반사율 및 투명 절연막의 굴절율 사이의 관계를 도시한 특성도이다.
도5는 제 1 실시예에서 시뮬레이션을 수행하여 얻어지는, 액정층과 접촉하는 반사 전극·투명 절연막·배향막으로 이루어지는 적층체의 반사율 및 투명 절연막의 막 두께 사이의 관계의 한 예를 도시한 특성도이다.
도6은 제 1 실시예에서 시뮬레이션을 수행하여 얻어지는, 액정층과 접촉하는 반사 전극·투명 절연막·배향막으로 이루어지는 적층체의 반사율 및 투명 절연막의 막 두께 사이의 관계의 또 다른 예를 도시한 특성도이다.
도7은 제 1 실시예에서 시뮬레이션을 수행하여 얻어지는, 액정층과 접하는 반사 전극·투명 절연막·배향막으로 이루어지는 적층체의 반사율 및 투명 절연막의 막 두께 사이의 관계의 또 다른 예를 도시한 특성도이다.
도8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 TFD 액티브-매트릭스 구동 방식의 반사형 액정 장치에 사용되는 TFD 구동 소자를 화소 전극과 함께 도식적으로 도시한 평면도이다.
도9는 도8을 B-B' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도10은 제 2 실시예의 반사형 액정 장치의 화소부의 등가회로를 주변의 구동회로와 함께 도시한 등가회로도이다.
도11은 제 2 실시예의 반사형 액정 장치를 도식적으로 도시한 부분 파단 사시도이다.
도12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 TFT 액티브-매트릭스 구동 방식의 반사형 액정 장치의 화소부의 등가회로도이다.
도13은 제 3 실시예의 반사형 액정 장치의 화소부의 평면도이다.
도14는 도13을 C-C' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도15는 제 4 실시예의 각종 전자 기기의 외관도이다.

Claims (10)

  1. 제 1 기판과,
    상기 제 1 기판에 대향 배치된 투명한 제 2 기판과,
    상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 끼워진 액정과,
    상기 제 1 기판의 상기 제 2 기판에 대향하는 측에 배치된 반사 전극과,
    상기 반사 전극 상에 배치된 단층 구조를 갖는 투명 절연막과,
    상기 투명 절연막 상에 배치된 배향막을 구비하고,
    상기 투명 절연막의 굴절율은 상기 액정의 굴절율 및 상기 배향막의 굴절율보다 작게 설정되어 있으며,
    상기 투명 절연막의 막 두께는, 상기 제 2 기판측으로부터 입사되는 청색광에 대해 상기 반사 전극·투명 절연막·배향막으로 이루어지는 적층체의 다중 반사에 의한 반사율을 극대로 하는 제 1 소정 두께 이상이며, 상기 제 2 기판측으로부터 입사되는 적색광에 대해 상기 적층체의 반사율을 극대로 하는 제 2 소정 두께 이하의 막두께로 설정되는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투명 절연막의 두께가, 상기 제 1 및 제 2 소정 두께로 설정되지 않고, 상기 제 1 및 제 2 소정 두께 사이에 있음과 함께 상기 제 2 기판측으로부터 입사되는 녹색광에 대해 상기 적층체의 반사율을 극대로 하는 제 3 소정 두께에 가까운 막두께로 설정되는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 투명 절연막의 굴절율은 1.5 이하이며, 투명 절연막의 두께는 50 내지 100 nm 인 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 투명 절연막은 산화 실리콘을 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 투명 절연막은 평균 입자 크기가 50 nm 이하인 무기 산화물 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 반사 전극은 알루미늄을 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 반사 전극은 전도성 반사막으로 이루어진 복수의 스트라이프상의 반사 전극이며,
    상기 제 2 기판에, 전도성 투과막으로 이루어져 상기 스트라이프상의 반사 전극과 서로 교차하는 복수의 스트라이프상의 투명 전극을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 반사 전극은 전도성 반사막으로 이루어진 복수의 매트릭스상의 화소 전극으로 이루어지며,
    상기 제 1 기판 상에, 각 화소 전극에 접속되는 2 단자형 스위칭 소자와, 상기 2 단자형 스위칭 소자에 접속되는 복수의 주사선 및 복수의 데이터선 중 한쪽을 추가로 구비하고,
    상기 제 2 기판 상에, 상기 한쪽과 상호 교차하도록 상기 복수의 주사선 및 복수의 데이터선 중 다른쪽을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 반사 전극은 전도성 반사막으로 이루어진 복수의 매트릭스상의 화소 전극으로 이루어지며,
    상기 제 1 기판 상에, 각 화소 전극에 접속되는 3 단자형 스위칭 소자 및 상기 3 단자형 스위칭 소자에 접속되는 복수의 주사선 및 복수의 데이터선을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  10. 제1항 또는 제2항의 액정 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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