JP2000193966A - 液晶装置及びこれを用いた電子機器 - Google Patents

液晶装置及びこれを用いた電子機器

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JP2000193966A
JP2000193966A JP10369753A JP36975398A JP2000193966A JP 2000193966 A JP2000193966 A JP 2000193966A JP 10369753 A JP10369753 A JP 10369753A JP 36975398 A JP36975398 A JP 36975398A JP 2000193966 A JP2000193966 A JP 2000193966A
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transparent insulating
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の液晶に面する側に反射板を兼ねる反射
電極を設けた内面反射方式を採る反射型や半透過反射型
の液晶装置において、装置構成及び製造プロセスを単純
化し、明るく高品位の画像表示を行う。 【解決手段】 反射型液晶装置は、第１基板（１０）上
にストライプ状の反射電極（１１）、単層構造を有する
透明絶縁膜（１２）及び配向膜（１５）を備える。透明
絶縁膜の屈折率は、液晶の屈折率及び配向膜の屈折率よ
りも小さく設定されている。更に、透明絶縁膜の膜厚
は、青色光に対する反射電極、透明絶縁膜及び配向膜か
らなる積層体の多重反射による反射率を極大とする第１
所定膜厚以上であり且つ赤色光に対する積層体の反射率
を極大とする第２所定膜厚以下の膜厚に設定されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パッシブマトリク
ス駆動方式、アクティブマトリクス駆動方式、セグメン
ト駆動方式等の反射型液晶装置や半透過反射型液晶装置
などの液晶装置及びこれを用いた電子機器の技術分野に
属し、特に基板の液晶に面する側に反射板や半透過反射
板を兼ねる反射電極を設けた内面反射方式を採る液晶装
置及びこれを用いた電子機器の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】従来、バックライト等の光源を用いること
なく、外光を利用して表示を行う反射型液晶装置や半透
過反射型液晶装置は、低消費電力化、小型軽量化等の観
点から有利であるため、特に携帯性が重要視される携帯
電話、腕時計、電子手帳、ノートパソコン等の携帯用電
子機器に採用されている。伝統的な反射型液晶装置で
は、一対の基板間に液晶が挟持されてなる透過型液晶パ
ネルの裏側に反射板を貼り付けて表側から入射される外
光を透過型液晶パネル、偏光板等を介して反射板で反射
するように構成されている。しかし、これでは、基板等
により隔てられた液晶から反射板までの光路が長いた
め、表示画像における視差が生じ、二重写りとなる。こ
のため、伝統的な反射型液晶装置は、高精細の画像表示
用には基本的に適しておらず、特にカラー表示の場合に
は、上述のように長い光路で各色光が混じってしまうた
め高品位の画像表示を行うことが極めて困難となる。更
に、液晶パネルに入射して反射板までを往復する間に外
光は減衰するため、基本的に明るい表示を行うことも困
難である。
【０００３】そこで、最近では、外光が入射される側と
反対側に位置する一方の基板上に配置される表示用電極
を反射板から構成して、反射位置を液晶層に近接させる
構成を有する内面反射方式の反射型液晶装置が開発され
ており、具体的には、特開平８―１１４７９９号公報
に、基板上に反射板を兼ねた画素電極を形成し、その上
に、高屈折膜と低屈折膜との２つの膜を積層し或いはこ
れらを交互に多数層積層し、その上に配向膜を形成する
技術が開示されている。この技術によれば、反射板上に
高屈折膜と低屈折膜との積層体を設けることにより、対
向基板側から入射される外光に対する反射率が高めら
れ、明るい反射型表示が行えるとされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この種の液晶装置の技
術分野においては、表示画像の高品位化と共に低コスト
化という一般的要請の下、表示画像の明るさや精細度を
高めつつ同時に装置構成や製造プロセスを単純化するこ
とは、極めて重要な課題である。
【０００５】しかしながら、前述した画素電極に反射板
を兼ねさせる技術によれば、高い反射率を得るために
は、高屈折膜と低屈折膜との２層或いは多層の積層体を
画素電極上に設けることが必須とされており、積層構造
ひいては装置構成及び製造プロセスが複雑化してしまう
という問題点がある。
【０００６】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、装置構成及び製造プロセスを単純化し得ると共
に明るく高品位の画像表示が可能である反射型や半透過
反射型の液晶装置及びこれを用いた電子機器を提供する
ことを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶装置は上記
課題を解決するために、第１基板と、該第１基板に対向
配置された透明の第２基板と、前記第１及び第２基板間
に挟持された液晶と、前記第１基板の前記第２基板に対
向する側に配置された反射電極と、該反射電極上に配置
された単層構造を持つ透明絶縁膜と、該透明絶縁膜上に
配置された配向膜とを備えており、前記透明絶縁膜の屈
折率は、前記液晶の屈折率及び前記配向膜の屈折率より
も小さく設定されており、前記透明絶縁膜の膜厚は、前
記第２基板側から入射される青色光に対する前記反射電
極、前記透明絶縁膜及び前記配向膜からなる積層体の多
重反射による反射率を極大とする第１所定膜厚以上であ
り且つ前記第２基板側から入射される赤色光に対する前
記積層体の反射率を極大とする第２所定膜厚以下の膜厚
に設定されている。尚、本発明において液晶の屈折率と
は、液晶の異常光屈折率をｎｏとし、常光屈折率をｎe
とした場合のｎｏとｎeとの平均値と定義する。
【０００８】本発明の液晶装置によれば、第２基板の側
から外光が入射すると、透明な第２基板及び液晶を介し
て第１基板上に設けられた反射電極、透明絶縁膜及び配
向膜からなる積層体により反射され、再び液晶及び第２
基板を介して第２基板側から出射される。従って、例え
ば第２基板の外面に偏光板を配置すれば、反射電極によ
り液晶の配向状態を制御することにより、当該反射電極
により反射され液晶を介して表示光として出射される外
光強度を制御でき、即ち反射電極に供給される画像信号
に応じた画像表示を行うことが可能となる。
【０００９】ここで、本願発明者の研究及びシミュレー
ション等によれば、このような液晶に対面する第１基板
上における反射電極、透明絶縁膜及び配向膜からなる積
層体における外光に対する反射率は、波長依存性を有す
ると共に透明絶縁膜の屈折率に依存して変化する。より
具体的には、透明絶縁膜の屈折率が、液晶の屈折率及び
配向膜の屈折率よりも小さい程、通常白色光からなる外
光を構成する赤色光、青色光及び緑色光のいずれに対し
ても上記積層体における反射率が高くなることが判明し
ている。しかるに本発明では、透明絶縁膜の屈折率は、
液晶の屈折率及び配向膜の屈折率よりも小さく設定され
ている。
【００１０】更に本願発明者の研究及びシミュレーショ
ン等によれば、このような液晶に対面する第１基板上に
おける反射電極、透明絶縁膜及び配向膜からなる積層体
における外光に対する反射率は、波長依存性を有すると
共に透明絶縁膜の膜厚に依存して変化する。より具体的
には、青色光（即ち、波長が４５０ｎｍ程度である電磁
波）に対する反射率の極大値は、比較的透明絶縁膜の膜
厚が薄い際に現れ、赤色光（即ち、波長が６５０ｎｍ程
度である電磁波）に対する反射率の極大値は、比較的透
明絶縁膜の膜厚が厚い際に現れる。そして、緑色光（即
ち、波長が５５０ｎｍ程度である電磁波）に対する反射
率の極大値は、透明絶縁膜の膜厚が、上述の青色光に対
する極大値を与える比較的薄い膜厚と、赤色光に対する
極大値を与える比較的厚い膜厚との間にある膜厚である
際に現れることが判明している。即ち、反射率の極大値
を与える各色光毎の透明絶縁膜の膜厚は、青色光、緑色
光及び赤色光の順に並ぶので、通常白色光からなる外光
を構成するこれら３者に対する反射率を高めるために
は、青色光についての極大値を与える膜厚（即ち、第１
所定膜厚）と赤色光についての極大値を与える膜厚（即
ち、第２所定膜厚）との間にある膜厚に、透明絶縁膜の
膜厚を設定すればよいことになる。しかるに、本発明で
は、透明絶縁膜の膜厚は、第１所定膜厚以上であり且つ
第２所定膜厚以下の膜厚に設定されている。
【００１１】以上の結果、本発明の液晶装置によれば、
第１基板の外側に設けた反射板により反射する伝統的な
反射型液晶装置と比べて、第１基板の内側（即ち、液晶
に面する側）において、外光を反射するので、光路が短
くなる分だけ表示画像における視差が低減され且つ表示
画像における明るさも向上する。従って、明るく高精細
の反射型表示が可能となり、高精細のカラー表示も可能
となる。そして特に、このような明るく高精細の反射型
表示のために、第１基板上に反射電極と、反射電極上に
単層構造を持つ透明絶縁膜とを形成すれば良いので、前
述の如き反射板を兼ねる画素電極上に高屈折層と低屈折
層とを交互に積層する従来技術と比べて、第１基板上の
積層体の構造の単純化ひいては装置構成全体の単純化が
図られており、その製造プロセスの単純化も図られてい
る。
【００１２】このように本発明により、装置構成及び製
造プロセスを単純化し得ると共に明るく高品位の画像表
示が可能である液晶装置を実現できる。
【００１３】本発明の液晶装置の一の態様では、前記透
明絶縁膜の膜厚は、前記第１及び第２所定膜厚よりも、
前記第１及び第２所定膜厚間にあると共に前記第２基板
側から入射される緑色光に対する前記積層体の反射率を
極大とする第３所定膜厚に近い膜厚に設定されている。
【００１４】この態様によれば、透明絶縁膜の膜厚は、
第１及び第２所定膜厚間にあると共に第２基板側から入
射される緑色光に対する積層体の反射率を極大とする第
３所定膜厚近傍の膜厚に設定されているので、特に人間
の視覚感度の高い緑色光成分をより効率良く反射するこ
とにより、視覚上でより明るい画像表示を行える。
【００１５】本発明の液晶装置の他の態様では、前記透
明絶縁膜の屈折率は、１．５以下であり、前記透明絶縁
膜の膜厚は、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００１６】この態様によれば、屈折率が１．５以下で
あり、膜厚が５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である単層構
造を持つ透明絶縁膜を反射電極上に形成すれば高い反射
率が得られるので、高い反射率を得るための第１基板上
の積層体の構造及び製造プロセスの単純化を図れる。
【００１７】本発明の液晶装置の他の態様では、前記透
明絶縁膜は、酸化シリコンを主成分とする。
【００１８】この態様によれば、酸化シリコンを主成分
とする透明絶縁膜を反射電極上に形成すれば高い反射率
が得られるので、比較的容易な製造プロセス且つ比較的
低コストで高い反射率が得られる。
【００１９】本発明の液晶装置の他の態様では、前記透
明絶縁膜は、平均粒径が５０ｎｍ以下の無機酸化物粒子
を含有する。
【００２０】この態様によれば、透明絶縁膜は、平均粒
径が５０ｎｍ以下の無機酸化物粒子を含有するので、当
該透明絶縁膜上に形成される配向膜との接着性が良くな
り、比較的容易に当該液晶装置を製造できると共に装置
信頼性を高められる。
【００２１】本発明の液晶装置の他の態様では、前記反
射電極は、アルミニウムを主成分とする。
【００２２】この態様によれば、アルミニウムを主成分
とする反射電極を第１基板上に形成すれば高い反射率が
得られるので、比較的容易な製造プロセス且つ比較的低
コストで高い反射率が得られる。
【００２３】本発明の液晶装置の他の態様では、前記反
射電極は、導電性の反射膜からなる複数のストライプ状
の反射電極であり、前記第２基板に、導電性の透過膜か
らなり前記ストライプ状の反射電極と相交差する複数の
ストライプ状の透明電極を更に備える。
【００２４】この態様によれば、所謂パッシブマトリク
ス駆動方式の反射型や半透過反射型の液晶装置が構築さ
れ、第１基板上の複数のストライプ状の反射電極と第２
基板上の複数のストライプ状の透明電極との間で、反射
電極と透明電極との各交差個所における液晶部分に電界
を順次印加することにより、各液晶部分の配向状態を制
御可能となり、当該反射電極により反射され各液晶部分
を介して表示光として出射される外光強度を制御でき
る。
【００２５】或いは、本発明の液晶装置の他の態様で
は、前記反射電極は、導電性の反射膜からなる複数のマ
トリクス状の画素電極からなり、前記第１基板上に、各
画素電極に接続された２端子型スイッチング素子と、該
２端子型スイッチング素子に接続された複数の走査線及
び複数のデータ線の一方とを更に備え、前記第２基板上
に、前記一方と相交差する前記複数の走査線及び前記複
数のデータ線の他方を更に備える。
【００２６】この態様によれば、ＴＦＤ（Thin Film Di
ode:薄膜ダイオード）等の２端子型スイッチング素子を
用いた所謂アクティブマトリクス駆動方式の反射型や半
透過反射型の液晶装置が構築され、第１基板上の画素電
極と第２基板上のデータ線又は走査線との間で、各画素
電極における液晶部分に電界を順次印加することによ
り、各液晶部分の配向状態を制御可能となり、当該画素
電極により反射され各液晶部分を介して表示光として出
射される外光強度を制御できる。特に、ＴＦＤ等のスイ
ッチング素子を介して各画素電極に電力を供給するた
め、画素電極間におけるクロストークを低減でき、より
高品位の画像表示が可能となる。
【００２７】或いは、本発明の液晶装置の他の態様で
は、前記反射電極は、導電性の反射膜からなる複数のマ
トリクス状の画素電極からなり、前記第１基板上に、各
画素電極に接続された３端子型スイッチング素子と、該
３端子型スイッチング素子に接続された複数の走査線及
び複数のデータ線とを更に備える。
【００２８】この態様によれば、ＴＦＴ（Thin Film Tr
ansistor:薄膜トランジスタ）等の３端子型スイッチン
グ素子を用いた所謂アクティブマトリクス駆動方式の反
射型や半透過反射型の液晶装置が構築され、第１基板上
の各画素電極における液晶部分に電界を順次印加するこ
とにより、各液晶部分の配向状態を制御可能となり、当
該画素電極により反射され各液晶部分を介して表示光と
して出射される外光強度を制御できる。特に、ＴＦＴ等
の３端子型スイッチング素子を介して各画素電極に電力
を供給するため、画素電極間におけるクロストークを低
減でき、より高品位の画像表示が可能となる。尚、第２
基板上に、画素電極に対向配置された導電性の透過膜か
らなる対向電極を更に備えて、各画素電極における液晶
部分を第１基板に垂直な縦電界で駆動してもよいし、こ
のような対向電極なしで第１基板に平行な横電界で駆動
してもよい。
【００２９】本発明の電子機器は上記課題を解決するた
めに、上述した本発明の液晶装置を備える。
【００３０】従って、本発明の電子機器によれば、本発
明の液晶装置を用いて、装置構成及び製造プロセスを単
純化し得ると共に明るく高品位の画像表示が可能である
携帯電話、腕時計、電子手帳、ノートパソコン等の各種
の電子機器を実現できる。
【００３１】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
【００３３】（第１実施形態）先ず、本発明による液晶
装置の第１実施形態の構成について、図１及び図２を参
照して説明する。第１実施形態は、本発明をパッシブマ
トリクス駆動方式の反射型液晶装置に適用したものであ
る。尚、図１は、反射型液晶装置を対向基板上に形成さ
れるカラーフィルタを便宜上取り除いて対向基板側から
見た様子を示す図式的平面図であり、図２は、図１のＡ
−Ａ’断面をカラーフィルタを含めて示す反射型液晶装
置の図式的断面図である。尚、図１では、説明の便宜上
ストライプ状電極を縦横６本づつ図式的に示しているが
実際には、多数本の電極が存在しており、図２において
は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさと
するため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３４】図１及び図２において、第１実施形態にお
ける反射型液晶装置は、第１基板１０と、第１基板１０
に対向配置された透明の第２基板２０と、第１基板１０
及び第２基板２０間に挟持された液晶層５０と、第１基
板１０の第２基板２０に対向する側（即ち、図２で上側
表面）に配置された複数のストライプ状の反射電極１１
と、反射電極１１上に配置された単層構造を持つ透明絶
縁膜１２と、透明絶縁膜１２上に配置された配向膜１５
とを備える。更に反射型液晶装置は、第２基板上の第１
基板１０に対向する側（即ち、図２で下側表面）に配置
されたカラーフィルタ２３と、カラーフィルタ２３上に
配置されたカラーフィルタ平坦化膜２４と、カラーフィ
ルタ平坦化膜２４上に反射電極１１と相交差するように
配置された複数のストライプ状の透明電極２１と、透明
電極２１上に配置された配向膜２５とを備えて構成され
ている。第１基板１０及び第２基板２０は、液晶層５０
の周囲において、シール材３１により貼り合わされてお
り、液晶層５０は、シール材３１及び封止材３２によ
り、第１基板１０及び第２基板２０間に封入されてい
る。
【００３５】第１基板１０は、透明でも不透明でもよい
ため、例えば石英基板や半導体基板等からなり、第２基
板２０は、可視光に対して透明或いは少なくとも半透明
であることが要求されており、例えばガラス基板や石英
基板等からなる。
【００３６】反射電極１１は、例えばアルミニウムを主
成分とする導電性の反射膜からなり、アルミニウム蒸着
等により形成される。透明電極２１は、例えばＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性薄膜からな
る。
【００３７】配向膜１５及び２５は夫々、ポリイミド薄
膜などの有機薄膜からなり、スピンコート等により形成
され、ラビング処理等の所定の配向処理が施されてい
る。
【００３８】液晶層５０は、反射電極１１及び透明電極
２１間で電界が印加されていない状態で配向膜１５及び
２５により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例え
ば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶か
らなる。
【００３９】シール材３１は、例えば光硬化性樹脂や熱
硬化性樹脂からなる接着剤である。特に、当該反射型液
晶装置が対角数インチ程度以下の小型の場合には、シー
ル材中に両基板間の距離を所定値とするためのグラスフ
ァイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材（スペー
サ）が混入される。但し、このようなギャップ材は、当
該反射型液晶装置が対角数インチ〜１０インチ程度或い
はそれ以上の大型の場合には、液晶層５０内に混入され
てもよい。また、封止材３２は、シール材３１の注入口
を介して液晶を真空注入した後に、当該注入口を封止す
る樹脂性接着剤等からなる。
【００４０】カラーフィルタ２３は、青色光、緑色光及
び赤色光を画素毎に夫々透過する色材膜と共に各画素の
境界にブラックマスク或いはブラックマトリクスと称さ
れる遮光膜が形成されて各画素間の混色を防止するよう
に構成されたデルタ配列、ストライプ配列、モザイク配
列、トライアングル配列等の公知のカラーフィルタであ
る。また、図１及び図２では省略しているが、シール材
５２の内側に並行して、例えばカラーフィルタ２３中の
遮光膜と同じ或いは異なる材料から成る画像表示領域の
周辺を規定する額縁としての遮光膜が設けられてもよ
い。或いは、このような額縁は、当該反射型液晶装置を
いれる遮光性のケースの縁により規定してもよい。
【００４１】第１実施形態では特に、透明絶縁膜１２の
屈折率は、液晶層５０を構成する液晶の屈折率及び配向
膜１５の屈折率よりも小さく設定されている。更に、透
明絶縁膜１２の膜厚は、第２基板２０側から入射される
青色光に対する反射電極１１、透明絶縁膜１２及び配向
膜１５からなる積層体の多重反射による反射率を極大と
する第１所定膜厚以上であり且つ第２基板２０側から入
射される赤色光に対する反射電極１１、透明絶縁膜１２
及び配向膜１５からなる積層体の反射率を極大とする第
２所定膜厚以下の膜厚に設定されている。
【００４２】透明絶縁膜１２は、上述の条件を満たすよ
うに、例えば酸化シリコンを主成分としており、液晶の
屈折率１．６０及び配向膜１５の屈折率１．６６に対し
て、透明絶縁膜１２の屈折率は、例えば１．５以下とさ
れている。また、透明絶縁膜１２の膜厚は、例えば５０
ｎｍ以上１００ｎｍ以下となるように、スパッタリング
により形成される。
【００４３】ここで、反射電極１１、透明絶縁膜１２及
び配向膜１５からなる積層体が液晶層５０に面している
系における当該積層体の外光に対する反射率と透明絶縁
膜１２の屈折率との関係及びこの反射率と透明絶縁膜１
２の膜厚との関係を求めるためのシミュレーションにつ
いて説明する。
【００４４】ここでは、Ｒｏｕａｒｄの方法により以下
のシミュレーションを行うことにする。
【００４５】先ず、一般に金属膜や半導体膜などの吸収
体の屈折率ｎ＊は、次式の如く複素数で表される。
【００４６】ｎ＊＝ｎ−ｉｋ 但し、ｎ、ｋ：吸収体の光学定数 これらの光学定数ｎ、ｋは、各吸収体に固有のものであ
り、波長依存性がある。また、成膜条件によっても変化
する。従って、吸収体並びにその成膜条件が決まれば、
経験的、実験的或いはシミュレーションにより一義的に
定めることができる。ここでは、第１実施形態における
反射電極１１を構成するアルミニウムについての光学定
数ｎ、ｋを求めるためのチャートの一例を図３に示す。
【００４７】図３において、横軸として光の波長（ｎ
ｍ）が示されており、縦軸として光学定数ｎ（左側）及
びｋ（右側）が示されており、実線の曲線が、光学定数
ｎの波長依存性を示す曲線であり、点線の曲線が、光学
定数ｋの波長依存性を示す曲線である。従って、アルミ
ニウムについて、例えば、波長６５０ｎｍ（赤色光）で
あれば、チャート中矢印で示したように、実線の曲線と
波長６５０ｎｍとの交点をたどることにより、ｎ＝１．
３が求まり、例えば、波長７００ｎｍであれば、チャー
ト中矢印で示したように、点線の曲線と波長７００ｎｍ
との交点をたどることにより、ｋ＝６．８が求まるとい
う具合に、図３に示したチャートを用いて任意の光の波
長について光学定数ｎ、ｋを簡単に求めることが出来
る。
【００４８】次に、本実施の形態における反射電極１
１、透明絶縁膜１２及び配向膜１５からなる積層体が液
晶層５０に面している系における反射電極１１（吸収
体）の光学定数をｎ、ｋとし、透明絶縁膜１２（誘電
体）の屈折率をｎ２とすると共にその膜厚をｄ２とし、
配向膜１５（誘電体）の屈折率をｎ１とすると共にその
膜厚をｄ１とし、液晶層５０の液晶（媒質）の屈折率を
ｎ０とすると、振幅反射率ｒは、次式で表される。
【００４９】ｒ＝（ｒ１＋ｒ２ｅ−ｉθ１＋ｒ３ｅ
−ｉ（θ１＋θ２）＋ｒ１ｒ２ｒ３ｅ−ｉθ２）／（１
＋ｒ１ｒ２ｅ−ｉθ１＋ｒ１ｒ３ｅ−ｉ（θ１＋θ２）
＋ｒ２ｒ３ｅ−ｉθ２） 但し、 ｒ１＝（ｎ１−ｎ０）／（ｎ１＋ｎ０） ｒ２＝（ｎ２−ｎ１）／（ｎ２＋ｎ１） ｒ３＝（ｎ−ｎ２−ｉｋ）／（ｎ＋ｎ２−ｉｋ） θ１＝４πｎ１ｄ１／λ θ２＝４πｎ２ｄ２／λ 従って、エネルギ反射率Ｒ（＝反射率）は、上記振幅反
射率ｒに、ｒ１、ｒ２、ｒ３を代入し、その分母と分子
で夫々実数項と虚数項とにまとめて、その共役複素数を
乗じることにより得られる。
【００５０】先ず、以上の如きシミュレーションを行っ
て得られる、液晶層５０に面している反射電極１１、透
明絶縁膜１２及び配向膜１５からなる積層体の反射率
（Ｒ）と透明絶縁膜１２の屈折率（ｎ２）との関係を図
４に示す。この場合、透明絶縁膜１２の膜厚（ｄ２）
は、１００ｎｍとしてシミュレーションを行っている。
【００５１】図４に示すように、透明絶縁膜１２の屈折
率が、液晶層５０を構成する液晶の屈折率及び配向膜１
５の屈折率よりも小さい程、通常白色光からなる外光を
構成する青色光（波長＝４５０ｎｍ、図中実線で示され
た特性曲線）、赤色光（波長＝６５０ｎｍ、図中破線で
示された特性曲線）及び緑色光（波長＝５５０ｎｍ、図
中点線で示された特性曲線）のいずれに対しても、反射
電極１１、透明絶縁膜１２及び配向膜１５からなる積層
体における反射率が高くなる。これらの特性曲線からす
ると、この場合には、透明絶縁膜１２の屈折率が小さい
程、積層体の反射率が高くなり、例えば、屈折率ｎ＝
１．２以下であれば、反射率は、最も低い赤色光につい
て９０％程度にできる。但し、透明絶縁膜１２の屈折率
は、１．５以下であれば、最も低い赤色光について８５
％以上を確保できる。特に、１．３０〜１．４５程度の
値であれば、製造は容易であり且つ反射率も最も低い赤
色光について９０％近い値にできるので、実践的に有利
である。
【００５２】尚、この例では、透明絶縁膜１２の厚みを
１００ｎｍとしているが、透明絶縁膜１２の膜厚を５０
ｎｍから２００ｎｍ程度の範囲で変化させても、同様の
傾向が観察される。即ち、透明絶縁膜１２の屈折率を
１．５以下に設定すれば、最も低い赤色光について約８
０％以上を確保できる。
【００５３】次に、上述のシミュレーションを行って得
られる、液晶層５０に面している反射電極１１、透明絶
縁膜１２及び配向膜１５からなる積層体の反射率（Ｒ）
と透明絶縁膜１２の膜厚（ｄ２）との関係を図５から図
７に示す。
【００５４】先ず、図５に示す例では、液晶の屈折率を
１．６０とし、配向膜１５の屈折率を１．６６とし、透
明絶縁膜１２の屈折率を１．３８とし、配向膜１５の膜
厚を３０ｎｍとしてシミュレーションを行っている。
【００５５】図５に示すように、透明絶縁膜１２の膜厚
が約７０ｎｍのとき、青色光（波長＝４５０ｎｍ、図中
実線で示された特性曲線）がその極大値をとる。透明絶
縁膜１２の膜厚が約９０ｎｍのとき、緑色光（波長＝５
５０ｎｍ、図中点線で示された特性曲線）がその極大値
をとる。透明絶縁膜１２の膜厚が約１１０ｎｍのとき、
赤色光（波長＝６５０ｎｍ、図中破線で示された特性曲
線）がその極大値をとる。
【００５６】次に、図６に示す例では、透明絶縁膜１２
の屈折率を１．４６とし、他の条件は図５に示した例と
同様としてシミュレーションを行っている。
【００５７】図６に示すように、図５の例と比較して、
透明絶縁膜１２の屈折率が高くなった分だけ、全体に反
射率は低下しているが、各色光毎の極大値については、
図５の例と同様の傾向が見られる。即ち、透明絶縁膜１
２の膜厚が、約７０ｎｍのとき、青色光（波長＝４５０
ｎｍ、図中実線で示された特性曲線）がその極大値をと
り、透明絶縁膜１２の膜厚が約９０ｎｍのとき、緑色光
（波長＝５５０ｎｍ、図中点線で示された特性曲線）が
その極大値をとり、透明絶縁膜１２の膜厚が約１１０ｎ
ｍのとき、赤色光（波長＝６５０ｎｍ、図中破線で示さ
れた特性曲線）がその極大値をとる。
【００５８】次に、図７に示す例では、透明絶縁膜１２
の屈折率を１．５４とし、他の条件は図５又は図６に示
した例と同様としてシミュレーションを行っている。
【００５９】図７に示すように、図５又は図６の例と比
較して、透明絶縁膜１２の屈折率が高くなった分だけ、
全体に反射率は更に低下しているが、各色光毎の極大値
については、図５又は図６の例と同様の傾向が見られ
る。即ち、透明絶縁膜１２の膜厚が、約７０ｎｍのと
き、青色光（波長＝４５０ｎｍ、図中実線で示された特
性曲線）がその極大値をとり、透明絶縁膜１２の膜厚が
約９０ｎｍのとき、緑色光（波長＝５５０ｎｍ、図中点
線で示された特性曲線）がその極大値をとり、透明絶縁
膜１２の膜厚が約１１０ｎｍのとき、赤色光（波長＝６
５０ｎｍ、図中破線で示された特性曲線）がその極大値
をとる。
【００６０】以上のように、緑色光に対する反射率の極
大値は、透明絶縁膜１２の膜厚が上述の青色光に対する
極大値を与える比較的薄い膜厚（約７０ｎｍ）と、赤色
光に対する極大値を与える比較的厚い膜厚（約１１０ｎ
ｍ）との間にある膜厚（約９０ｎｍ）である際に現れ
る。即ち、反射率の極大値を与える各色光毎の透明絶縁
膜１２の膜厚は、青色光、緑色光及び赤色光の順に並ぶ
ので、通常白色光からなる外光を構成するこれら３者に
対する反射率を高めるためには、青色光についての極大
値を与える膜厚（例えば、約７０ｎｍ）と赤色光につい
ての極大値を与える膜厚（例えば、約１１０ｎｍ）との
間にある膜厚に、透明絶縁膜１２の膜厚を設定すればよ
い。そこで、第１実施形態では、透明絶縁膜１２の膜厚
は、約７０ｎｍ以上であり且つ約１１０ｎｍ以下の膜厚
に設定される。
【００６１】このような透明絶縁膜１２の膜厚は、好ま
しくは緑色光に対する反射率を極大とする第３所定膜厚
（例えば、９０ｎｍ）近傍の膜厚に設定される。このよ
うに設定すれば、青色光及び赤色光についての高い反射
率を維持しつつ特に人間の視覚感度の高い緑色光成分を
より効率良く反射することにより、視覚上でより明るい
画像表示を行える。
【００６２】以上の結果、第１実施形態では、透明絶縁
膜１２の屈折率（例えば、１．５以下）は、液晶層５０
を構成する液晶の屈折率（例えば、１．６）及び配向膜
１５の屈折率（例えば、１．６６）よりも小さく設定さ
れており、しかも、透明絶縁膜１２の膜厚は、第２基板
２０側から入射される青色光に対する反射電極１１、透
明絶縁膜１２及び配向膜１５からなる積層体の多重反射
による反射率を極大とする第１所定膜厚（例えば、７０
ｎｍ）以上であり且つ第２基板２０側から入射される赤
色光に対する反射率を極大とする第２所定膜厚（例え
ば、１１０ｎｍ）以下の膜厚に設定されているので、液
晶層５０に面する反射電極１１、透明絶縁膜１２及び配
向膜１５からなる積層体の外光に対する反射率を非常に
高く設定できる。しかも、第１基板の外側に設けた反射
板により反射する伝統的な反射型液晶装置と比べて、第
１基板１０の上側における反射電極１１、透明絶縁膜１
２及び配向膜１５からなる積層体による多重反射により
外光を反射するので、光路が短くなる分だけ表示画像に
おける視差が低減され且つ表示画像における明るさも向
上する。従って、最終的には、明るく高精細の反射型表
示が可能となり、高精細のカラー表示も可能となる。
【００６３】加えて、仮に第１基板１０上に、透明絶縁
膜１２を形成することなく、反射電極１１及び配向膜１
５のみ形成したのでは、特に、液晶層５０中又はシール
材３１中のギャップ材（スペーサ）より大きなサイズの
導電性の異物が液晶層５０中に混入した場合に、配向膜
１５及び２５を破って、反射電極１１と透明電極１２と
がショートする、即ち、装置欠陥が発生する可能性が高
い。しかしながら、第１実施形態によれば、配向膜１５
よりも強度が高い透明絶縁膜１２の存在により、或い
は、配向膜１５と透明絶縁膜１２との協動によりこのよ
うな装置欠陥の発生確率を顕著に低減し得る。
【００６４】そして特に、このような明るく高精細の反
射型表示のため及び装置欠陥率の改善のために、反射電
極１１上に単層構造を持つ透明絶縁膜１２とを形成すれ
ば良いので、前述の如き反射板を兼ねる画素電極上に高
屈折層と低屈折層とを交互に積層する従来技術と比べ
て、第１基板１０上の積層体の構造の単純化ひいては装
置構成全体の単純化が図られる。
【００６５】また、第１実施形態では上述のように、透
明絶縁膜１２は酸化シリコンを主成分とし、反射電極１
１は、アルミニウムを主成分とするので、比較的容易な
製造プロセス且つ比較的低コストで高い反射率が得られ
る。但し、透明絶縁膜１２の主成分を窒化シリコンとし
たり、反射電極１１の主成分を銀やクロム等の他の金属
としても、上述の如き第１実施形態における効果は多少
なりとも得られる。
【００６６】以上説明した第１実施形態では、透明絶縁
膜１２は、好ましくは、平均粒径が５０ｎｍ以下の無機
酸化物粒子を含有する。このように構成すれば、透明絶
縁膜１２上に形成される配向膜１５との接着性が良くな
り、比較的容易に当該反射型液晶装置を製造できると共
に装置信頼性を高められる。このような無機酸化物粒子
は、例えば酸化シリコン粒子、酸化アルミニウム粒子、
酸化スズ粒子、酸化アンチモンからなり、例えばゾルゲ
ル法により、このような無機酸化物粒子を酸化シリコン
膜中に比較的容易に含有させることができる。
【００６７】以上説明した第１実施形態では、反射電極
１１の第１基板１０上の端子領域に引き出された端子部
及び透明電極２１の第２基板１０上の端子領域に引き出
された端子部には、例えばＴＡＢ（Tape Automated bon
ding)基板上に実装されており、反射電極１１及び透明
電極２１に画像信号や走査信号を所定タイミングで供給
するデータ線駆動回路や走査線駆動回路を含む駆動用Ｌ
ＳＩを、異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的
に接続するようにしてもよい。或いは、シール材３１の
外側の第１基板１０又は第２基板２０上の周辺領域に、
このようなデータ線駆動回路や走査線駆動回路を形成し
て所謂駆動回路内蔵型の反射型液晶装置として構成して
もよく、更に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品
質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成して所謂
周辺回路内蔵型の反射型液晶装置としてもよい。
【００６８】また、第２基板２０の外光が入出射する側
には、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ
(Vertically Aligned)モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispe
rsedLiquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマ
リーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に
応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが
所定の方向で配置される。更に、第２基板２０上に１画
素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよ
い。このようにすれば、入射光の集光効率を向上するこ
とで、明るい液晶装置が実現できる。更にまた、第２基
板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積す
ることで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダ
イクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロ
イックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラ
ー液晶装置が実現できる。
【００６９】次に、以上の如く構成された第１実施形態
の反射型液晶装置の動作について図２を参照して説明す
る。
【００７０】図２において、第２基板２０の側から外光
が入射すると、透明な第２基板２０及び液晶層５０を介
して第１基板１０上に設けられた反射電極１１、透明絶
縁膜１２及び配向膜１５からなる積層体により多重反射
され、再び液晶層５０及び第２基板２０を介して第２基
板２０側から出射される。従って、外部回路から反射電
極１１及び透明電極１２に、画像信号及び走査信号を所
定タイミングで供給すれば、反射電極１１及び透明電極
１２が交差する個所における液晶層５０部分には、行毎
又は列毎若しくは画素毎に電界が順次印加される。ここ
で、例えば第２基板２０の外面に偏光板を配置すれば、
反射電極１１により液晶層５０の配向状態を各画素単位
で制御することにより、外光を変調し、階調表示が可能
となる。ノーマリーホワイトモードであれば、印加され
た電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とさ
れ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電
圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全
体として反射型液晶装置からは画像信号に応じたコント
ラストを持つ反射光が出射する。
【００７１】以上の結果、第１実施形態の反射型液晶装
置によれば、外光が第２基板２０側から入射した後、液
晶層５０を介して、反射膜１１、透明絶縁膜１２及び配
向膜１５からなる積層体により多重反射され、再び液晶
層５０を介して表示光として出射されるので、最終的に
は外光を利用して視差が少なく且つ明るい画像表示を行
うことが可能となる。
【００７２】（第２実施形態）次に、本発明による液晶
装置の第２実施形態について、図８から図１１を参照し
て説明する。第２実施形態は、本発明をＴＦＤアクティ
ブマトリクス駆動方式の反射型液晶装置に適用したもの
である。
【００７３】先ず、本実施の形態に用いられる２端子型
非線形素子の一例としてのＴＦＤ駆動素子付近における
構成について図８及び図９を参照して説明する。ここ
に、図８は、ＴＦＤ駆動素子を画素電極等と共に模式的
に示す平面図であり、図９は、図８のＢ−Ｂ’断面図で
ある。尚、図９においては、各層や各部材を図面上で認
識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮
尺を異ならしめてある。
【００７４】図８及び図９において、ＴＦＤ駆動素子４
０は、第１基板の他の一例であるＴＦＤアレイ基板１
０’上に形成された絶縁膜４１を下地として、その上に
形成されており、絶縁膜４１の側から順に第１金属膜４
２、絶縁層４４及び第２金属膜４６から構成され、ＴＦ
Ｄ構造（Thin Film Diode）或いはＭＩＭ構造（MetalIn
sulator Metal構造）を持つ。そして、ＴＦＤ駆動素子
４０の第１金属膜４２は、ＴＦＤアレイ基板１０’上に
形成された走査線６１に接続されており、第２金属膜４
６は、反射電極の他の一例である導電性の反射膜からな
る画素電極６２に接続されている。尚、走査線６１に代
えてデータ線（後述する）をＴＦＤアレイ基板１０’上
に形成し、画素電極６２に接続して、走査線６１を対向
基板側に設けてもよい。
【００７５】ＴＦＤアレイ基板１０’は、例えばガラ
ス、プラスチックなどの絶縁性及び透明性を有する基板
或いは不透明な半導体基板等からなる。下地をなす絶縁
膜４１は、例えば酸化タンタルからなる。但し、絶縁膜
４１は、第２金属膜４６の堆積後等に行われる熱処理に
より第１金属膜４２が下地から剥離しないこと及び下地
から第１金属膜４２に不純物が拡散しないことを主目的
として形成されるものである。従って、ＴＦＤアレイ基
板１０’を、例えば石英基板等のように耐熱性や純度に
優れた基板から構成すること等により、これらの剥離や
不純物の拡散が問題とならない場合には、絶縁膜４１は
省略することができる。第１金属膜４２は、導電性の金
属薄膜からなり、例えば、タンタル単体又はタンタル合
金からなる。絶縁膜４４は、例えば化成液中で第１金属
膜４２の表面に陽極酸化により形成された酸化膜からな
る。第２金属膜４６は、導電性の金属薄膜からなり、例
えば、クロム単体又はクロム合金からなる。
【００７６】本実施形態では特に、画素電極６２は、第
１実施形態における反射電極１１と同様に、例えばアル
ミニウムを主成分とする導電性の反射膜からなり、アル
ミニウム蒸着により形成される。即ち、画素電極６２
は、当該反射型液晶装置における反射板を兼ねる画素電
極として機能する。
【００７７】更に、画素電極６２、ＴＦＤ駆動素子４
０、走査線６１等の液晶に面する側（図中上側表面）に
は、第１実施形態の場合と同様に透明絶縁膜１２が設け
られており、その上に例えばポリイミド薄膜などの有機
薄膜からなりラビング処理等の所定の配向処理が施され
た配向膜１５が設けられている。
【００７８】以上、２端子型非線形素子としてＴＦＤ駆
動素子の幾つかの例について説明したが、ＺｎＯ（酸化
亜鉛）バリスタ、ＭＳＩ（Metal Semi-Insulator）駆
動素子、ＲＤ（Ring Diode）などの双方向ダイオード
特性を有する２端子型非線形素子を本実施形態の反射型
液晶装置に適用可能である。
【００７９】次に、以上にように構成されたＴＦＤ駆動
素子を備えて構成される第２実施形態であるＴＦＤアク
ティブマトリクス駆動方式の反射型液晶装置の構成及び
動作について図１０及び図１１を参照して説明する。こ
こに、図１０は、液晶素子を駆動回路と共に示した等価
回路図であり、図１１は、液晶素子を模式的に示す部分
破断斜視図である。
【００８０】図１０において、ＴＦＤアクティブマトリ
クス駆動方式の反射型液晶装置は、ＴＦＤアレイ基板１
０’上に配列された複数の走査線６１が、走査線駆動回
路の一例を構成するＹドライバ回路１００に接続されて
おり、その対向基板上に配列された複数のデータ線７１
が、データ線駆動回路の一例を構成するＸドライバ回路
１１０に接続されている。尚、Ｙドライバ回路１００及
びＸドライバ回路１１０は、ＴＦＤアレイ基板１０’又
はその対向基板上に形成されていてもよく、この場合に
は、駆動回路内蔵型の反射型液晶装置となる。或いは、
Ｙドライバ回路１００及びＸドライバ回路１１０は、反
射型液晶装置とは独立した外部ＩＣから構成され、所定
の配線を経て走査線６１やデータ線７１に接続されても
よく、この場合には、駆動回路を含まない反射型液晶装
置となる。
【００８１】マトリクス状の各画素領域において、走査
線６１は、ＴＦＤ駆動素子４０の一方の端子に接続され
ており（図８及び図９参照）、データ線７１は、液晶層
５０及び画素電極６２を介してＴＦＤ駆動素子４０の他
方の端子に接続されている。従って、各画素領域に対応
する走査線６１に走査信号が供給され、データ線７１に
データ信号が供給されると、当該画素領域におけるＴＦ
Ｄ駆動素子４０がオン状態となり、ＴＦＤ駆動素子４０
を介して、画素電極６２及びデータ線７１間にある液晶
層５０に駆動電圧が印加される。
【００８２】図１１において、反射型液晶装置は、ＴＦ
Ｄアレイ基板１０’と、これに対向配置される透明な第
２基板（対向基板）２０とを備えている。第２基板２０
は、例えばガラス基板からなる。ＴＦＤアレイ基板１
０’には、マトリクス状に反射膜からなる画素電極６２
が設けられており、各画素電極６２は、走査線６１に接
続されている。
【００８３】本実施形態では特に、第１実施形態におけ
る透明絶縁膜１２及び配向膜１５と同様に、画素電極６
２、ＴＦＤ駆動素子４０、走査線６１等の液晶に面する
側には、透明絶縁膜１２及び配向膜１５が設けられてい
る。
【００８４】他方、第２基板２０には、走査線６１と交
差する方向に伸びており、短冊状に配列された複数のデ
ータ線７１が設けられている。データ線７１の下側に
は、例えばポリイミド薄膜などの有機薄膜からなりラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２５が設
けられている。更に、第２基板２０には、その用途に応
じて、ストライプ状、モザイク状、トライアングル状等
に配列された色材膜からなる不図示のカラーフィルタが
設けらる。
【００８５】データ線７１は、第１実施形態におけるス
トライプ状の透明電極２１と同様に、例えばＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）膜などの透明導電性薄膜からなり、本
発明におけるストライプ状の透明電極の他の一例を構成
している。
【００８６】第２実施形態において、透明絶縁膜１２
は、第１実施形態の場合と同様に、その屈折率が、液晶
層５０を構成する液晶の屈折率及び配向膜１５の屈折率
よりも小さく設定されている。更に、透明絶縁膜１２の
膜厚は、第２基板２０側から入射される青色光に対する
画素電極６２、透明絶縁膜１２及び配向膜１５からなる
積層体の多重反射による反射率を極大とする第１所定膜
厚以上であり且つ第２基板２０側から入射される赤色光
に対する画素電極６２、透明絶縁膜１２及び配向膜１５
からなる積層体の反射率を極大とする第２所定膜厚以下
の膜厚に設定されている。そして、より具体的には、透
明絶縁膜１２は、上述の条件を満たすように、例えば酸
化シリコンを主成分としており、液晶の屈折率１．６０
及び配向膜１５の屈折率１．６６に対して、透明絶縁膜
１２の屈折率は、例えば１．５以下とされている。ま
た、透明絶縁膜１２の膜厚は、例えば５０ｎｍ以上１０
０ｎｍ以下となるように、スパッタリングにより形成さ
れる。
【００８７】以上説明したように、第２実施形態のＴＦ
Ｄアクティブマトリクス駆動方式の反射型液晶装置によ
れば、画素電極６２とデータ線７１との間で、各画素電
極６２における液晶部分に電界を順次印加することによ
り、各液晶部分の配向状態を制御可能となり、画素電極
６２により反射され各液晶部分を介して表示光として出
射される外光強度を制御できる。この際、第２基板２０
側から入射した外光が、液晶層５０を介して、画素電極
６２、透明絶縁膜１２及び配向膜１５からなる積層体に
より多重反射され、再び液晶層５０を介して表示光とし
て出射されるので、最終的には外光を利用して視差が少
なく且つ明るい画像表示を行うことが可能となる。特
に、ＴＦＤ４０を介して各画素電極６２に電力を供給す
るため、画素電極６２間におけるクロストークを低減で
き、より高品位の画像表示が可能となる。
【００８８】（第３実施形態）次に、本発明による液晶
装置の第３実施形態について、図１２から図１４を参照
して説明する。第３実施形態は、本発明をＴＦＴアクテ
ィブマトリクス駆動方式の反射型液晶装置に適用したも
のである。図１２は、液晶装置の画像表示領域を構成す
るマトリクス状に形成された複数の画素における各種素
子、配線等の等価回路であり、図１３は、データ線、走
査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣
接する複数の画素群の平面図であり、図１４は、図１３
のＣ−Ｃ’断面図である。尚、図１４においては、各層
や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするた
め、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００８９】図１２において、第３実施形態のＴＦＴア
クティブマトリクス方式の反射型液晶装置では、マトリ
クス状に配置された反射電極の他の一例である画素電極
６２を制御するためのＴＦＴ１３０がマトリクス状に複
数形成されており、画像信号が供給されるデータ線１３
５がＴＦＴ１３０のソースに電気的に接続されている。
データ線１３５に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓ
ｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接
する複数のデータ線１３５同士に対して、グループ毎に
供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ１３０のゲー
トに走査線１３１が電気的に接続されており、所定のタ
イミングで、走査線１３１にパルス的に走査信号Ｇ１、
Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構
成されている。画素電極６２は、ＴＦＴ１３０のドレイ
ンに電気的に接続されており、スイッチング素子である
ＴＦＴ１３０を一定期間だけそのスイッチを閉じること
により、データ線１３５から供給される画像信号Ｓ１、
Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電
極６２を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形
成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持さ
れる。ここで、保持された画像信号がリークするのを防
ぐために、画素電極６２と対向電極との間に形成される
液晶容量と並列に蓄積容量１７０を付加する。
【００９０】図１３において、ＴＦＴアレイ基板上に
は、マトリクス状に反射膜からなる画素電極６２（その
輪郭６２ａが図中点線で示されている）が設けられてお
り、画素電極６２の縦横の境界に各々沿ってデータ線１
３５、走査線１３１及び容量線１３２が設けられてい
る。データ線１３５は、コンタクトホール５を介してポ
リシリコン膜等からなる半導体層１ａのうちソース領域
に電気的接続されている。画素電極６２は、コンタクト
ホール８を介して半導体層１ａのうちドレイン領域に電
気的接続されている。容量線１３２は、絶縁膜を介して
半導体層１ａのうちのドレイン領域から延設された第１
蓄積容量電極に対向配置しており、蓄積容量１７０を構
成する。また、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線
領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査
線１３１が配置されており、走査線１３１はゲート電極
として機能する。このように、走査線１３１とデータ線
１３５との交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’
に走査線１３１がゲート電極として対向配置されたＴＦ
Ｔ１３０が設けられている。
【００９１】図１４に示すように、液晶装置は、第１基
板の他の一例を構成するＴＦＴアレイ基板１０”と、こ
れに対向配置される透明な第２基板（対向基板）２０と
を備えている。ＴＦＴアレイ基板１０”は、不透明でも
よく、例えば石英基板、半導体基板からなる。第２基板
２０は、透明な例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００９２】本実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板１
０”に設けられる画素電極６２は、第１実施形態におけ
る反射電極１１と同様に、例えばアルミニウムを主成分
とする導電性の反射膜からなり、アルミニウム蒸着等に
より形成される。即ち、画素電極６２は、当該反射型液
晶装置における反射板を兼ねる画素電極として機能す
る。
【００９３】更に、画素電極６２、ＴＦＴ１３０等の液
晶に面する側（図中上側表面）には、第１実施形態の場
合と同様に透明絶縁膜１２が設けられており、その上に
例えばポリイミド薄膜などの有機薄膜からなりラビング
処理等の所定の配向処理が施された配向膜１５が設けら
れている。
【００９４】他方、第２基板２０には、そのほぼ全面に
透明電極の他の一例としての対向電極１２１が設けられ
ており、各画素の非開口領域に、ブラックマスク或いは
ブラックマトリクスと称される第２遮光膜１２２が設け
られている。対向電極１２１の下側には、例えばポリイ
ミド薄膜などの有機薄膜からなりラビング処理等の所定
の配向処理が施された配向膜２５が設けられている。更
に、第２基板２０には、その用途に応じて、ストライプ
状、モザイク状、トライアングル状等に配列された色材
膜からなる不図示のカラーフィルタが設けらる。
【００９５】ＴＦＴアレイ基板１０”には、各画素電極
６２に隣接する位置に、各画素電極６２をスイッチング
制御する画素スイッチング用ＴＦＴ１３０が設けられて
いる。
【００９６】このように構成され、画素電極６２と対向
電極１２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ
基板１０”と第２基板２０との間には、第１実施形態の
場合と同様にシール材により囲まれた空間に液晶が封入
され、液晶層５０が形成される。
【００９７】更に、複数の画素スイッチング用ＴＦＴ３
０の下には、第１層間絶縁膜１１２が設けられている。
第１層間絶縁膜１１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面
に形成されることにより、画素スイッチング用ＴＦＴ３
０のための下地膜として機能する。第１層間絶縁膜１１
２は、例えば、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラ
ス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロ
ンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケー
トガラス）などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン
膜、窒化シリコン膜等からなる。
【００９８】図１４において、画素スイッチング用ＴＦ
Ｔ１３０は、コンタクトホール５を介してデータ線１３
５に接続されたソース領域、走査線１３１にゲート絶縁
膜を介して対向配置されたチャネル領域１ａ’及びコン
タクトホール８を介して画素電極６２に接続されたドレ
イン領域を含んで構成されている。データ線１３１は、
Ａｌ等の低抵抗な金属膜や金属シリサイド等の合金膜な
どの遮光性且つ導電性の薄膜から構成されている。ま
た、その上には、コンタクトホール５及び８が開孔され
た第２層間絶縁膜１１４が形成されており、更に、その
上には、コンタクトホール８が開孔された第３層間絶縁
膜１１７が形成されている。これら第２及び第３層間絶
縁膜１１４及び１１７についても、第１層間絶縁膜１１
２と同様に、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどの
高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜
等からなる。
【００９９】画素スイッチング用ＴＦＴ１３０は、ＬＤ
Ｄ構造、オフセット構造、セルフアライン構造等いずれ
の構造のＴＦＴであってもよい。更に、シングルゲート
構造の他、デュアルゲート或いはトリプルゲート以上で
ＴＦＴ１３０を構成してもよい。
【０１００】本実施形態においては特に、画素電極６２
上に形成された透明絶縁膜１２は、第１実施形態の場合
と同様に、その屈折率が、液晶層５０を構成する液晶の
屈折率及び配向膜１５の屈折率よりも小さく設定されて
いる。更に、透明絶縁膜１２の膜厚は、第２基板２０側
から入射される青色光に対する画素電極６２、透明絶縁
膜１２及び配向膜１５からなる積層体の多重反射による
反射率を極大とする第１所定膜厚以上であり且つ第２基
板２０側から入射される赤色光に対する画素電極６２、
透明絶縁膜１２及び配向膜１５からなる積層体の反射率
を極大とする第２所定膜厚以下の膜厚に設定されてい
る。そして、より具体的には、透明絶縁膜１２は、上述
の条件を満たすように、例えば酸化シリコンを主成分と
しており、液晶の屈折率１．６０及び配向膜１５の屈折
率１．６６に対して、透明絶縁膜１２の屈折率は、例え
ば１．５以下とされている。また、透明絶縁膜１２の膜
厚は、例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下となるよう
に、スパッタリングにより形成される。
【０１０１】以上説明したように、第３実施形態のＴＦ
Ｔアクティブマトリクス駆動方式の反射型液晶装置によ
れば、画素電極６２と対向電極１２１との間で、各画素
電極６２における液晶部分に電界を順次印加することに
より、各液晶部分の配向状態を制御可能となり、画素電
極６２により反射され各液晶部分を介して表示光として
出射される外光強度を制御できる。この際、第２基板２
０側から入射した外光が、液晶層５０を介して、画素電
極６２、透明絶縁膜１２及び配向膜１５からなる積層体
により多重反射され、再び液晶層５０を介して表示光と
して出射されるので、最終的には外光を利用して視差が
少なく且つ明るい画像表示を行うことが可能となる。特
に、ＴＦＴ１３０を介して各画素電極６２に電力を供給
するため、画素電極６２間におけるクロストークを低減
でき、より高品位の画像表示が可能となる。
【０１０２】尚、第２基板２０上に対向電極を設けるこ
となく、第１基板１０上の画素電極６２間における基板
に平行な横電界で駆動してもよい。
【０１０３】（第４実施形態）次に、本発明による液晶
装置の第４実施形態について、図１５を参照して説明す
る。第４実施形態は、上述した本発明の第１から第３実
施形態の反射型液晶装置を適用した各種の電子機器から
なる。
【０１０４】先ず、第１から第３実施形態における反射
型液晶装置を、例えば図１５（ａ）に示すような携帯電
話１０００の表示部１００１に適用すれば、装置構成及
び製造プロセスを単純化し得ると共に明るく高コントラ
ストであり、しかも視差が殆ど無く高精細の白黒又はカ
ラー反射型表示を行う省エネルギ型の携帯電話を実現で
きる。
【０１０５】また、図１５（ｂ）に示すような腕時計１
１００の表示部１１０１に適用すれば、装置構成及び製
造プロセスを単純化し得ると共に明るく高コントラスト
であり、しかも視差が殆ど無く高精細の白黒又はカラー
反射型表示を行う省エネルギ型の腕時計を実現できる。
【０１０６】更に、図１５（ｃ）に示すようなパーソナ
ルコンピュータ（或いは、情報端末）１２００におい
て、キーボード１２０２付きの本体１２０４に開閉自在
に取り付けられるカバー内に設けられる表示画面１２０
６に適用すれば、装置構成及び製造プロセスを単純化し
得ると共に明るく高コントラストであり、しかも視差が
殆ど無く高精細の白黒又はカラー反射型表示を行う省エ
ネルギ型の省エネルギ型のパーソナルコンピュータを実
現できる。
【０１０７】以上図１５に示した電子機器の他にも、液
晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデ
オテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手
帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニアリング・ワー
クステーション（ＥＷＳ）、テレビ電話、ＰＯＳ端末、
タッチパネルを備えた装置等などの電子機器にも、第１
から第３実施形態の反射型液晶表示装置を適用可能であ
る。
【０１０８】以上説明した第１から第４実施形態では、
本発明を反射型液晶装置に適用しているが、反射板を兼
ねる反射電極に代えて、光透過用の開孔が設けられた半
透過反射板を兼ねる半透過反射電極を用いたり、反射電
極間に光透過用の間隙を設けるなどして且つ該電極の液
晶と反対側に光源を設けることにより、本発明を半透過
反射型液晶装置に適用することも可能である。
【０１０９】尚、本発明は、以上説明した実施形態に限
るものではなく、本発明の要旨を変えない範囲で実施形
態を適宜変更して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態であるパッシブマトリク
ス駆動方式の反射型液晶装置を、対向基板上に形成され
るカラーフィルタを便宜上取り除いて対向基板側から見
た様子を示す図式的平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’断面をカラーフィルタを含めて
示す反射型液晶装置の図式的断面図である。
【図３】第１実施形態における反射電極を構成するアル
ミニウムについての光学定数ｎ、ｋを求めるためのチャ
ートの一例を示す特性図である。
【図４】第１実施形態におけるシミュレーションを行っ
て得られる、液晶層に面している反射電極、透明絶縁膜
及び配向膜からなる積層体の反射率と透明絶縁膜の屈折
率との関係を示す特性図である。
【図５】第１実施形態におけるシミュレーションを行っ
て得られる、液晶層に面している反射電極、透明絶縁膜
及び配向膜からなる積層体の反射率と透明絶縁膜の膜厚
との関係の一例を示す特性図である。
【図６】第１実施形態におけるシミュレーションを行っ
て得られる、液晶層に面している反射電極、透明絶縁膜
及び配向膜からなる積層体の反射率と透明絶縁膜の膜厚
との関係の他の例を示す特性図である。
【図７】第１実施形態におけるシミュレーションを行っ
て得られる、液晶層に面している反射電極、透明絶縁膜
及び配向膜からなる積層体の反射率と透明絶縁膜の膜厚
との関係の他の例を示す特性図である。
【図８】本発明の第２実施形態であるＴＦＤアクティブ
マトリクス駆動方式の反射型液晶装置に用いられるＴＦ
Ｄ駆動素子を画素電極等と共に模式的に示す平面図であ
る。
【図９】図８のＢ−Ｂ’断面図である。
【図１０】第２実施形態の反射型液晶装置の画素部の等
価回路を周辺駆動回路と共に示す等価回路図である。
【図１１】第２実施形態の反射型液晶装置を模式的に示
す部分破断斜視図である。
【図１２】本発明の第３実施形態であるＴＦＴアクティ
ブマトリクス駆動方式の反射型液晶装置の画素部の等価
回路図である。
【図１３】第３実施形態の反射型液晶装置の画素部の平
面図である。
【図１４】図１３のＣ−Ｃ’断面図である。
【図１５】本発明の第４実施形態である各種電子機器の
外観図である。
【符号の説明】
１０…第１基板 １０’…ＴＦＤアレイ基板 １０”…ＴＦＴアレイ基板 １１…反射電極 １２…透明絶縁膜 １５…配向膜 ２０…第２基板 ２１…透明電極 ２３…カラーフィルタ ２４…カラーフィルタ平坦化膜 ２５…配向膜 ３１…シール材 ３２…封止材 ４０…ＴＦＤ ５０…液晶層 ６１…走査線 ６２…画素電極 ７１…データ線 １３０…ＴＦＴ １３１…走査線 １３２…容量線 １３５…データ線 １７０…蓄積容量

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１基板と、 該第１基板に対向配置された透明の第２基板と、 前記第１及び第２基板間に挟持された液晶と、 前記第１基板の前記第２基板に対向する側に配置された
    反射電極と、 該反射電極上に配置された単層構造を持つ透明絶縁膜
    と、 該透明絶縁膜上に配置された配向膜とを備えており、 前記透明絶縁膜の屈折率は、前記液晶の屈折率及び前記
    配向膜の屈折率よりも小さく設定されており、 前記透明絶縁膜の膜厚は、前記第２基板側から入射され
    る青色光に対する前記反射電極、前記透明絶縁膜及び前
    記配向膜からなる積層体の多重反射による反射率を極大
    とする第１所定膜厚以上であり且つ前記第２基板側から
    入射される赤色光に対する前記積層体の反射率を極大と
    する第２所定膜厚以下の膜厚に設定されていることを特
    徴とする液晶装置。
  2. 【請求項２】 前記透明絶縁膜の膜厚は、前記第１及び
    第２所定膜厚よりも、前記第１及び第２所定膜厚間にあ
    ると共に前記第２基板側から入射される緑色光に対する
    前記積層体の反射率を極大とする第３所定膜厚に近い膜
    厚に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の
    液晶装置。
  3. 【請求項３】 前記透明絶縁膜の屈折率は、１．５以下
    であり、 前記透明絶縁膜の膜厚は、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下
    であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装
    置。
  4. 【請求項４】 前記透明絶縁膜は、酸化シリコンを主成
    分とすることを特徴とする請求項１から３のいずれか一
    項に記載の液晶装置。
  5. 【請求項５】 前記透明絶縁膜は、平均粒径が５０ｎｍ
    以下の無機酸化物粒子を含有することを特徴とする請求
    項１から４のいずれか一項に記載の液晶装置。
  6. 【請求項６】 前記反射電極は、アルミニウムを主成分
    とすることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項
    に記載の液晶装置。
  7. 【請求項７】 前記反射電極は、導電性の反射膜からな
    る複数のストライプ状の反射電極であり、 前記第２基板に、導電性の透過膜からなり前記ストライ
    プ状の反射電極と相交差する複数のストライプ状の透明
    電極を更に備えたことを特徴とする請求項１から６のい
    ずれか一項に記載の液晶装置。
  8. 【請求項８】 前記反射電極は、導電性の反射膜からな
    る複数のマトリクス状の画素電極からなり、 前記第１基板上に、各画素電極に接続された２端子型ス
    イッチング素子と、該２端子型スイッチング素子に接続
    された複数の走査線及び複数のデータ線の一方とを更に
    備え、 前記第２基板上に、前記一方と相交差する前記複数の走
    査線及び前記複数のデータ線の他方を更に備えたことを
    特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の液晶
    装置。
  9. 【請求項９】 前記反射電極は、導電性の反射膜からな
    る複数のマトリクス状の画素電極からなり、 前記第１基板上に、各画素電極に接続された３端子型ス
    イッチング素子と、該３端子型スイッチング素子に接続
    された複数の走査線及び複数のデータ線とを更に備えた
    ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載
    の液晶装置。
  10. 【請求項１０】 請求項１から９のいずれか一項に記載
    の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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