JPH11142865A

JPH11142865A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JPH11142865A
Application number: JP30625497A
Authority: JP
Inventors: Atsumasa Naitou; 温勝内藤
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-11-10
Filing date: 1997-11-10
Publication date: 1999-05-28

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶表示素子のギャップむらをなくし、閾値
電圧むらを無くした表示品位の良好な液晶表示素子を提
供する。【解決手段】画素電極の形成された一対の基板を封止
シールして両基板の間には液晶を挟持させる。画素電極
が交差する部分によって構成された有効表示領域と前記
有効表示領域の外側の外部電極とを導線電極にて接続す
る。それぞれの辺の前記封止シールの領域の導線電極の
面積Ｓ１と導線電極以外の面積Ｓ２との面積比Ｓ２／Ｓ
１を同一またはほぼ同一に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、それぞれに形成さ
れた短冊状の画素電極が互いに直交するように一対の基
板を対向させ、画素電極が交差する部分によって構成さ
れた有効表示領域と前記有効表示領域の外側の外部電極
とが導線電極にて接続され、前記一対の基板を封止シー
ルして両基板の間には液晶が挟持された液晶表示素子に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ディスプレイの大画面化に伴
い液晶表示素子の大容量化が進められている。このよう
な大画面用のディスプレイとして用いられている液晶表
示素子としては、一対の電極基板の間で誘電異方性を有
する液晶分子の配列方向を１８０〜３００度捻り、その
複屈折効果を利用したスーパーツイストネマチック型
（以下「ＳＴＮ型」と称す。）のものが一般に用いられ
ている。

【０００３】図６〜図１０は従来のＳＴＮ型液晶表示素
子の模式図を示す。図６に示すように、ＳＴＮ型の液晶
表示素子６は、帯状の画素電極１の形成された第１基板
２と帯状の画素電極３の形成された第２基板４とを、画
素電極１と画素電極３とが互いに直交するように対向さ
せて封止シール５にて貼り合わせる。

【０００４】画素電極１と画素電極３が交差する部分で
は、有効表示領域が形成され、有効表示領域とその外側
の外部電極とが導線電極にて接続され、第１基板２と第
２基板４との間に誘電異方性を有する液晶が挟持される
ことで液晶表示素子６が構成される。

【０００５】詳しくは、図７（ａ），（ｂ）に示す様
に、第１基板２には有効表示領域の外部に設けられた外
部電極より駆動信号が入力される方の画素電極１（信号
電極）が形成されている。

【０００６】この画素電極１は、液晶表示素子６の辺８
ｂにおいて、導線電極９ａを介して外部電極７ａと接続
されている。また、第２基板４には、有効表示領域の外
部に設けられた外部電極よりデータが入力される方の画
素電極３（走査電極）が形成されている。画素電極３
は、液晶表示素子６の辺８ａでは、導線電極９ｂを介し
て外部電極７ｂと接続されており、液晶表示素子６の辺
８ｃでは、導線電極９ｃを介して外部電極７ｃと接続さ
れいる。

【０００７】なお、上記画素電極１，２、外部電極７ａ
〜７ｃ、導線電極９ａ〜９ｃは、いずれもＩＴＯ膜にて
形成され、また一般に走査電極は信号電極よりも電極幅
が狭く成形されるものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た液晶表示素子６は、液晶のねじれ角を大きくしている
ため、液晶表示素子６のセルギャップを均一にしなけれ
ば、光学補償構成からずれるため、色むらが発生し、表
示品位を向上させることができない。

【０００９】しかしながら、上述のように有効表示領域
では画素電極１と画素電極３とが交差しているが、有効
表示領域のコーナー部においては、液晶表示素子６の辺
８ａ，８ｃでは導線電極９ｂ，９ｃのみが配置され、辺
８ｂでは導線電極９ａのみが、辺８ｄでは画素電極１の
みが配置されている。

【００１０】従って、画素電極１および画素電極３の構
成材料であるＩＴＯ膜の厚さの分だけ有効表示領域のコ
ーナー部ではセルギャップが大きくなり、セルギャップ
を均一に保つことができなかった。

【００１１】また、上述のように画素電極１は画素電極
３よりも電極幅が広いため、封止シール５領域では、液
晶表示素子６の各辺８ａ〜ｄの導線電極密度が異なる。
そのため有効表示領域の外側、いわゆる額縁部周辺のギ
ャップ変動に起因してＳＴＮ液晶の光学特性が変動し、
表示部に色むらを生じるという問題があった。

【００１２】液晶表示素子６の表示品位を向上させるた
めには、前記セルギャップを均一にすることの他に、画
素電極１および画素電極３への供給電圧差を一定にする
必要がある。すなわち、有効表示領域と外部電極７ａ〜
７ｃとをつなぐ導線電極９ａ〜９ｃの抵抗値を一定にす
る必要がある。この抵抗値は低い方が好ましく、抵抗値
が高くなると電極減衰による閾値電圧の低下が生じて表
示不良を起しやすくなる。

【００１３】そのため従来より、導線電極９ａ〜９ｃの
低抵抗値化を実現するために導線電極９ａ〜９ｃの膜厚
を厚くする方法が取られていた。しかし、導線電極９ａ
〜９ｃの膜厚を厚くすると、上述のように有効表示領域
のコーナー部におけるセルギャップが大きくなり、やは
り表示品位に劣るものとなる。

【００１４】また、近年では、携帯端末のディスプレイ
などのように表示容量を保ちつつ小型化を実現させるた
めの開発も進められており、例えば、ノートパソコン等
への搭載を考えた液晶表示素子のコンパクト設計では、
表示エリア部分から封止シールまでの距離、いわゆる額
縁を狭くする傾向がある。

【００１５】このような狭額縁設計の液晶表示素子の有
効表示領域では、電極本数も２０００本前後となり、１
ドットの表示面積が必要であるため、画素電極１から傾
きを持って引き出される導線電極９ａおよび画素電極３
から傾きを持って引き出される導線電極９ｂ，９ｃの電
極幅を絞る必要がある。

【００１６】図８に示すように、有効表示領域のコーナ
ー部は画素電極１，３と外部電極７ａ〜７ｃとが導線電
極９ａ〜９ｃを介して接続されている。画素電極１，３
と導線電極９ａ〜９ｃとの接続点の線幅ｄ１〜ｄｎが一
定であるとすると、引出し間隔が一定であるため導線電
極９ａ〜９ｃの面積は一定となるが、電極どうしの間隔
が不定となり封止シール５の領域に密度差が生じセルギ
ャップが大きくなる。

【００１７】また、電極番号１あるいは電極番号ｎと電
極番号ｎ／２とでは、引出し電極の直線距離が異なるた
め、導線電極９ａ〜９ｃの幅が一定であると、電気抵抗
値の差が生じ、電極減衰により閾値電圧低下が生じて液
晶表示素子の面内の表示品位を均一にすることが極めて
困難となる。特に、液晶表示素子の周辺部分において
は、封止シール５の近傍で閾値電圧むらが大きくなり、
液晶表示素子６の表示品位が損なわれるという致命的な
表示欠陥があった。

【００１８】このような問題を解消するために、図９に
示すように導線電極９ａ〜９ｃと画素電極１，３との距
離が長い場合には導線電極９ａ〜９ｃの幅を狭くし、導
線電極９ａ〜９ｃと画素電極１あるいは画素電極３との
距離が短い場合には導線電極９ａ〜９ｃの幅を広くする
ことで導線電極９ａ〜９ｃの抵抗値を一定とし、画素電
極１，３への供給電圧差を一定にするよう調整する方法
が取られている。

【００１９】しかしこのような構成とすると、封止シー
ル５の領域における導線電極９ａ〜９ｃの密度差が生
じ、上述のように密度差に起因してセルギャップが生じ
て表示不良を起すという問題があった。

【００２０】また、導線電極９ａ〜９ｃを通過する封止
シール５の中には、セルギャップを保持するために径の
揃ったガラス短繊維が含有されている。通常、このガラ
ス短繊維は、分散性良く混合されているが、上記のよう
な狭額縁設計とすることで、データ入力端子の中央と端
部において面積比の異なる導線電極９ａ〜９ｃが存在す
るため、ギャップを保持しているガラス短繊維の単位面
積あたりの数が異なり、封止シール５の近傍にギャップ
厚変化が生じることとなる。

【００２１】そのため、液晶表示素子のコンパクト設計
化においては、封止シール領域における導線電極９ａ〜
９ｃの面積比の違いや低抵抗値化により、ギャップ厚変
化がさらに助長されるという問題があった。

【００２２】このような問題を解決するものとして、特
開平８−７６１３７号公報には、封止シール部分を通過
する導線電極９ａ〜９ｃを一定幅とし、さらに封止シー
ル部分を通過する導線電極９ａ〜９ｃをそれぞれの対向
基板に複製する方法が開示されている。

【００２３】すなわち、図１０に示すように、有効表示
領域の外側に導線電極９ａ〜９ｃをそれぞれ対向する基
板の対向する面に複写してダミー電極１０ａ〜１０ｄを
形成することによりセルギャップを均一にする方法が取
られている。

【００２４】しかしながらこのような構成とすると、前
述した引出し電極の直線距離が異なることによる電極面
積差に対応することができず、封止シール５の近傍に、
ドライバーＩＣの幅に連動した周期的な閾値むらに対し
て十分な効果を発揮するものではなかった。

【００２５】さらに、ダミー電極１０ａ〜１０ｄは対向
基板に形成された導線電極９ａ〜９ｃの間に位置するよ
う設けられているため、両基板を貼り合わせる際にずれ
が生じると、セルギャップが大きくなり、またパターン
電極の形状が複雑であるため生産性に劣るという問題が
あった。

【００２６】本発明は前記問題点を解決し、表示領域周
辺部のセル厚を決定づける封止シール領域における導線
電極の密度差によるセルギャップの変化を小さくするこ
とにより表示品位が良好な液晶表示素子を提供するもの
である。

【００２７】

【課題を解決するための手段】本発明は、封止シール領
域における導線電極の存在領域と非存在領域との割合を
一定にしたことを特徴とする。また、対向基板にダミー
電極を形成する際には、導線電極とダミー電極とが交差
するようにすることを特徴とする。

【００２８】この本発明によると、液晶表示素子のギャ
ップむらをなくし、閾値電圧むらを無くした表示品位の
良好な液晶表示素子を提供することができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】請求項１記載の液晶表示素子は、
それぞれに形成された短冊状の画素電極が互いに直交す
るように一対の基板を対向させ、画素電極が交差する部
分によって構成された有効表示領域と前記有効表示領域
の外側の外部電極とが導線電極にて接続され、前記一対
の基板を封止シールして両基板の間には液晶が挟持され
た液晶表示素子において、液晶表示素子のそれぞれの辺
の前記封止シールの領域の導線電極の面積Ｓ１と導線電
極以外の面積Ｓ２との面積比Ｓ２／Ｓ１を同一またはほ
ぼ同一に設定したことを特徴とする。

【００３０】この構成によると、封止シール領域を通過
する導線電極の密度が均一になり、ギャップ不良が軽減
する。また、従来のようにダミーパターンを設ける必要
がないため導線電極間のスペース間隔を調整するだけ
で、容易に電極パターンを作製することができる。

【００３１】請求項２記載の液晶表示素子は、それぞれ
に形成された短冊状の画素電極が互いに直交するように
一対の基板を対向させ、画素電極が交差する部分によっ
て構成された有効表示領域と前記有効表示領域の外側の
外部電極とが導線電極にて接続され、前記一対の基板を
封止シールして両基板の間には液晶が挟持された液晶表
示素子において、液晶表示素子のそれぞれの辺の前記封
止シールの領域では、各対向基板にダミーパターンとし
て異なる電極パターンを導線電極パターンとダミーパタ
ーンとが交差するように配し、前記交差した面積Ｓ３と
それ以外の部分の面積Ｓ４との面積比Ｓ４／Ｓ３を同一
またはほぼ同一に設定したことを特徴とする。

【００３２】この構成によると、導線電極の抵抗値を一
定にすることができ、封止シール近傍に発生していた閾
値むらを抑えることができる。また、ダミーパターンは
導線電極パターンと交差するように設けられているた
め、従来のダミーパターンとは異なり電極間に設ける必
要がなく、両基板を貼りあわせる際のずれなどによる影
響が小さくなる。

【００３３】請求項３記載の液晶表示素子は、それぞれ
に形成された短冊状の画素電極が互いに直交するように
一対の基板を対向させ、画素電極が交差する部分によっ
て構成された有効表示領域と前記有効表示領域の外側の
外部電極とが導線電極にて接続され、前記一対の基板を
封止シールして両基板の間には液晶が挟持された液晶表
示素子において、液晶表示素子のそれぞれの辺の前記封
止シールの領域では、導線電極の面積Ｓ１と導線電極以
外の面積Ｓ２との面積比Ｓ２／Ｓ１を同一またはほぼ同
一に設定し、かつ各対向基板にダミーパターンとして異
なる電極パターンを導線電極パターンとダミーパターン
とが交差するように配し、前記交差した面積Ｓ３とそれ
以外の部分の面積Ｓ４との面積比Ｓ４／Ｓ３を同一また
はほぼ同一に設定したことを特徴とする。

【００３４】この構成によると、セルギャップを解消
し、閾値むらを解消できることからＳＴＮ液晶表示素子
の大画面、大表示容量化においても全面に渡り非常に優
れた表示品位を実現することができる。

【００３５】以下、本発明の各実施の形態を図１〜図５
を用いて説明する。なお上記従来例を示す図６〜図１０
と同様をなすものについては同一符号を付けて説明す
る。

【００３６】（実施の形態１）図１，図２は、本発明の
（実施の形態１）における液晶表示素子６の周辺部分を
示す。

【００３７】液晶表示素子６の構成は上記従来例とほぼ
同様であるが、図１に示すように画素電極１，３と外部
電極７ａ，７ｃとをつなぐ導線電極９ａ，９ｃの形状が
異なる。

【００３８】すなわち、図２に示すように、導線電極９
ａ〜９ｃが封止シール５と密着する領域において、導線
電極９ａ〜９ｃの面積Ｓ１とそれ以外の面積Ｓ２との面
積比Ｓ２／Ｓ１が、液晶表示素子６の各辺８ａ〜８ｄに
おいて、いずれも同一またはほぼ同一となるように導線
電極９ａ〜９ｃの間のスペースを調整している。

【００３９】なお、液晶パネルの辺８ｄにおいては、導
線電極は通過していないが、封止シール５の領域を通過
する画素電極１の面積をＳ１とし、それ以外の部分をＳ
２とする。

【００４０】このような液晶表示素子６であると、Ｓ２
／Ｓ１の値が辺８ａ〜８ｄのいずれにおいても同一また
はほぼ同一であるため、封止シール５の領域における導
線電極９ａ〜９ｂの密度が一定となり、封止シール５の
領域のセルギャップむらを解消できる。

【００４１】また、導線電極９ａ及び９ｂの抵抗値を一
定にできるため、画素電極１及び３への供給電圧を一定
にでき、良好な表示品位を得ることができる。以下に
（実施の形態１）の具体例を示す。

【００４２】（実施例１）封止シール５の部分を通過す
る導線電極９ａ〜９ｃの部分の面積Ｓ１とそれ以外の部
分の面積Ｓ２との比Ｓ２／Ｓ１を一定となるようにし
て、画素電極１，３及び導線電極９ａ〜９ｃ、外部電極
７ａ〜７ｃを、第１基板２と第２基板４の上にインジウ
ム・スズ酸化物薄膜電極（ＩＴＯ電極）にてパターン印
刷した。

【００４３】次に、それぞれの基板上に芳香族系ポリア
ミック酸溶液（チッソ石油化学製ＰＳＩ−Ａ−２２０
１）をスピンコート法により塗布して、仮硬化熱処理を
行った後、所定の温度により熱硬化処理を行い、ポリイ
ミド配向膜を形成した。

【００４４】このポリイミド配向膜の表面に通常のラビ
ング法により、２５０゜ツイスト構成となるような配向
処理を施した。第１基板２の外部電極７ａ，７ｂの画素
外に、封止シール５として所定の径を持つグスファイバ
ーを混合した熱硬化性樹脂を所定の線幅にてスクリーン
印刷した。また、第２基板４のラビング処理した表面に
は、スペーサとして必要ギッャプ厚を保証するためのプ
ラスチックビーズを必要相当量散布した。

【００４５】その後、第１基板２と第２基板４とをラビ
ング配向処理した表面が内側となるように張り合わせ、
耐熱性フィルムを用いた真空パックを行った後、所定条
件で加熱硬化処理した。これにより、空パネルが完成し
た。

【００４６】さらに、ＳＴＮ用液晶材料を用意し、前述
した空パネルに真空注入法を用いて前記液晶材料注入し
完成した。得られた液晶表示素子６の封止シール５の近
傍のセル厚、及び閾値電圧を測定したところ、コーナー
部分において、セル厚がやや薄くなり閾値電圧が低い部
分が残存するものの、各辺の中央部は均一なセル厚を示
し、閾値電圧も一定で良好な表示品位が得られた。

【００４７】（実施の形態２）図３，図４は本発明の
（実施の形態２）を示す。上記（実施の形態１）では、
封止シール５を通過する導線電極９ａ〜９ｃは、液晶表
示素子６の各辺８ａ〜８ｄのどちらか一方のみに形成さ
れていたが、この（実施の形態２）では、図３に示すよ
うに封止シール５を通過する導線電極９ａ〜９ｃが対向
する基板の対向する面に導線電極９ａ〜９ｃと交差する
ようなダミー電極１１ａ〜１１ｃを作製し、導線電極９
ａ〜９ｃとダミー電極１１ａ〜１１ｃとの交差部分の面
積Ｓ３とそれ以外の面積Ｓ４との比Ｓ４／Ｓ３が同一ま
たはほぼ同一となるようにパターン配置している。

【００４８】このような液晶表示素子６の有効表示領域
のコーナー部は、導線電極９ａ〜９ｃとダミー電極１１
ａ〜１１ｃとが重なっているため、上記（実施の形態
１）における液晶表示素子６よりもセルギャップが小さ
くなり、閾値電圧がより一定となる。

【００４９】なお、液晶表示素子６の辺８ｄにおいて
は、第１基板２に形成された画素電極１の電極幅がその
他の辺８ａ〜８ｃの封止シール５を通過する導線電極９
ａ〜９ｃに較べて広いため、第２基板４に画素電極１と
同じ面積のダミー電極を形成したのではこの辺８ｄのみ
が交差面積の大きい辺となりギャップが厚めとなる。従
って、辺８ｄにおける画素電極１の電極パターンを図４
（ａ）に示すように図７（ａ）と同様にする場合には、
図４（ｂ）に示すように、導線電極９ａ〜９ｃと同様の
線幅および密度を有するパターンのダミー電極１１ｄを
封止シール５の領域において、画素電極１とダミー電極
１１ｄとの交差部分の面積Ｓ３とそれ以外の面積Ｓ４と
の比Ｓ４／Ｓ３が同一またはほぼ同一となるようにパタ
ーン配置する。あるいは単位面積あたりの交差面積が一
定となるように交差して形成する。この場合、ダミー電
極１１ｄが細線化する為、実際にその部分に位置する封
止シール５の領域のギャップを保持するビーズ又は真絲
球等の分量を増やす必要がある。そのため、以下に述べ
るように画素電極１の３分割を行い、且つダミー電極１
１ｄも交差するように配置する。すなわち、図４（ａ）
に示すように形成された画素電極１が辺８ｄにおいて封
止シール５の領域にさしかかるときに、電極パターンを
２以上、具体的には図４（ｃ）に示すように３分割し、
かつダミー電極１１ｄを交差するように配置することに
より、導線電極９ａ〜９ｃと同一の配線パターンとする
ことができる。

【００５０】なお、上記（実施の形態１）においても、
液晶表示素子６の辺８ｄにおいて画素電極１が図４
（ａ）と同様の形状の場合には、図４（ｂ），図４
（ｃ）と同様の構成とすることができる。

【００５１】（実施例２）上記（実施の形態２）の導線
電極９ａ〜９ｃのパターン配置としたこと以外は、上記
（実施例１）と同様にして液晶表示素子６を作製した。

【００５２】得られた液晶表示素子６の封止シール５の
近傍のセル厚、及び閾値電圧を測定したところ、液晶表
示素子６の各辺８ａ〜８ｄのいずれの辺においても、均
一なセル厚を示し、閾値電圧も一定であり、上記（実施
例１）で得られた液晶表示素子よりもさらに良好な表示
品位が得られた。

【００５３】従って、従来の大画面、大表示容量化によ
り問題となっていた封止シール近傍に発生していた閾値
電圧むらが解消され、液晶表示素子６の全面に渡り、非
常に良好な表示品位が保証されるものとなった。

【００５４】なお、比較検討するために、図９に示すよ
うな導線電極９ａ〜９ｃを有する従来の狭額縁構造の液
晶表示素子６を作製した。導線電極９ａ〜９ｃのパター
ン配置を変えた以外は、上記（実施例１）と同様にして
液晶表示素子を作製した。

【００５５】得られた液晶表示素子６は、ドライバーＩ
Ｃの中央部分では導線電極の密度が低いため、セル厚が
薄く閾値電圧も低いものであったが、ドライバーＩＣの
両端部分でセル厚が厚くなり閾値電圧が高いものとなっ
た。

【００５６】従って、狭額縁構造を有するものの携帯端
末のディスプレイとして好適に使用できるものではなか
った。（実施の形態３）図５は本発明の（実施の形態３）を示
す。

【００５７】上記（実施の形態２）の構成に加えて、さ
らに導線電極の面積Ｓ１と導線電極以外の面積Ｓ２との
面積比Ｓ２／Ｓ１を同一またはほぼ同一に設定した。こ
のような液晶表示素子６の有効表示領域のコーナー部
は、導線電極９ａ〜９ｃとダミー電極１１ａ〜１１ｃと
が重なっているため、上記（実施の形態１）における液
晶表示素子６よりもセルギャップが大きくなり、閾値電
圧が一定となる。さらに、封止シール領域における導線
電極９ａ〜９ｃとダミー電極１１ａ〜１１ｃの面積Ｓ１
とそれ以外の面積Ｓ２との比Ｓ２／Ｓ１を同一またはほ
ぼ同一としたため、上記（実施の形態２）よりも封止シ
ール５領域における導線電極９ａ〜９ｃが均一となる。

【００５８】（実施例３）上記（実施の形態３）の導線
電極９ａ〜９ｃのパターン配置としたこと以外は、上記
（実施例１）と同様にして液晶表示素子６を作製した。

【００５９】得られた液晶表示素子６の封止シール５の
近傍のセル厚、及び閾値電圧を測定したところ、液晶表
示素子６の全周囲に渡って均一なセル厚を示し、閾値電
圧も一定であり、上記（実施の形態２）で得られた液晶
表示素子よりもさらに良好な表示品位が得られた。

【００６０】なお、上記各実施の形態において、液晶セ
ルへの液晶注入は真空注入セルを用いているが、セル構
成形態に因らず、本発明はこれに限定されるものではな
い。また、上記各実施の形態において、封止シールは導
線電極の一部を通過するような図２〜図５を用いて説明
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、封止
シールは画素電極から外部電極までの範囲で塗布しても
良く、または画素電極の一部や外部電極の一部にまで塗
布しても良い。

【００６１】

【発明の効果】以上のように本発明の液晶表示素子によ
ると、液晶表示素子のそれぞれの辺において、導線電極
と封止シールとが密着する領域の導線電極の面積Ｓ１と
導線電極以外の面積Ｓ２との面積比Ｓ２／Ｓ１をいずれ
も同一またはほぼ同一とすることで、封止シール領域で
は導線電極の密度が均一になり、封止シール内のセルギ
ャップ厚の変化が解消されギャップ不良が軽減する。ま
た、従来のようにダミーパターンを設けることなくギャ
ップ不良を抑えられるため、容易に作製することができ
る。

【００６２】また、上記構成とは別に、液晶表示素子の
それぞれの辺において、導線電極と封止シールとが密着
する領域では、各対向基板にダミーパターンとして異な
る電極パターンを導線電極パターンとダミーパターンと
が交差するように配し、前記交差した面積Ｓ３とそれ以
外の部分の面積Ｓ４との面積比Ｓ４／Ｓ３をいずれも同
一またはほぼ同一とすることで、導線電極抵抗値を一定
化することができ封止シール近傍に発生していた閾値む
らを抑えることができる。

【００６３】このようなダミーパターンは導線電極パタ
ーンと交差するように設けられているため、従来のダミ
ーパターンとは異なり電極間に設ける必要がなく、両基
板を貼りあわせる際のずれなどによる影響が小さくな
る。

【００６４】従って、ＳＴＮ液晶表示素子の大画面、大
表示容量化においても全面に渡り非常に優れた表示品位
を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の（実施の形態１）における液晶表示素
子の一部平面図

【図２】本発明の（実施の形態１）における液晶表示素
子の一部拡大図

【図３】本発明の（実施の形態２）における液晶表示素
子の一部拡大図

【図４】本発明の（実施の形態１）から（実施の形態
３）における液晶表示素子の一部拡大図

【図５】本発明の（実施の形態３）における液晶表示素
子の一部拡大図

【図６】従来の液晶表示素子の模式図

【図７】従来の液晶表示素子に使用する部品の平面図

【図８】従来の液晶表示素子の一部拡大図

【図９】従来の液晶表示素子の一部拡大図

【図１０】従来の液晶表示素子に使用する部品の平面図

【符号の説明】

１，３画素電極５封止シール７ａ〜７ｃ外部電極９ａ〜９ｃ導線電極１１ａ〜１１ｄダミー電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】それぞれに形成された短冊状の画素電極
が互いに直交するように一対の基板を対向させ、画素電
極が交差する部分によって構成された有効表示領域と前
記有効表示領域の外側の外部電極とが導線電極にて接続
され、前記一対の基板を封止シールして両基板の間には
液晶が挟持された液晶表示素子において、液晶表示素子のそれぞれの辺の前記封止シールの領域の
導線電極の面積Ｓ１と導線電極以外の面積Ｓ２との面積
比Ｓ２／Ｓ１を同一またはほぼ同一に設定した液晶表示
素子。
【請求項２】それぞれに形成された短冊状の画素電極
が互いに直交するように一対の基板を対向させ、画素電
極が交差する部分によって構成された有効表示領域と前
記有効表示領域の外側の外部電極とが導線電極にて接続
され、前記一対の基板を封止シールして両基板の間には
液晶が挟持された液晶表示素子において、液晶表示素子のそれぞれの辺の前記封止シールの領域で
は、各対向基板にダミーパターンとして異なる電極パタ
ーンを導線電極パターンとダミーパターンとが交差する
ように配し、前記交差した面積Ｓ３とそれ以外の部分の
面積Ｓ４との面積比Ｓ４／Ｓ３を同一またはほぼ同一に
設定した液晶表示素子。
【請求項３】それぞれに形成された短冊状の画素電極
が互いに直交するように一対の基板を対向させ、画素電
極が交差する部分によって構成された有効表示領域と前
記有効表示領域の外側の外部電極とが導線電極にて接続
され、前記一対の基板を封止シールして両基板の間には
液晶が挟持された液晶表示素子において、液晶表示素子のそれぞれの辺の前記封止シールの領域で
は、導線電極の面積Ｓ１と導線電極以外の面積Ｓ２との
面積比Ｓ２／Ｓ１を同一またはほぼ同一に設定し、かつ
各対向基板にダミーパターンとして異なる電極パターン
を導線電極パターンとダミーパターンとが交差するよう
に配し、前記交差した面積Ｓ３とそれ以外の部分の面積
Ｓ４との面積比Ｓ４／Ｓ３を同一またはほぼ同一に設定
した液晶表示素子。