JPH06324355A - 液晶表示パネルとその製造方法 - Google Patents
液晶表示パネルとその製造方法Info
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- JPH06324355A JPH06324355A JP13274893A JP13274893A JPH06324355A JP H06324355 A JPH06324355 A JP H06324355A JP 13274893 A JP13274893 A JP 13274893A JP 13274893 A JP13274893 A JP 13274893A JP H06324355 A JPH06324355 A JP H06324355A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＩＭ素子を有するアクティブ方式の液晶表
示パネルの歩留りの向上と信頼性を向上させる。 【構成】 信号電極１３と引き出し電極３１とを絶縁体
２５を介して容量結合させ、かつ容量結合領域の絶縁体
膜厚が、ＭＩＭ素子領域の絶縁体膜厚より薄くする液晶
表示パネルの構造とその製造方法。 【効果】 ＭＩＭ素子への入力信号が均一で、かつ安定
して供給することが可能となり、線欠陥の発生を抑えら
ることが可能となる。
示パネルの歩留りの向上と信頼性を向上させる。 【構成】 信号電極１３と引き出し電極３１とを絶縁体
２５を介して容量結合させ、かつ容量結合領域の絶縁体
膜厚が、ＭＩＭ素子領域の絶縁体膜厚より薄くする液晶
表示パネルの構造とその製造方法。 【効果】 ＭＩＭ素子への入力信号が均一で、かつ安定
して供給することが可能となり、線欠陥の発生を抑えら
ることが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示パネルの構造
と、その製造方法とに関する。
と、その製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示パネルは実用化が進み、現在で
は高品位な画質が得られるアクティブマトリクス方式の
液晶表示装置が主流になりつつある。ここでアクティブ
マトリクス方式とは、画素電極である液晶表示電極ごと
に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や、ダイオードや、金属
−絶縁膜−金属あるいは金属−絶縁膜−透明導電体の３
層構造からなるＭｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅ
ｔａｌ（以下ＭＩＭと記載する）構造の非線形抵抗素子
をスイッチング素子として有するものである。
は高品位な画質が得られるアクティブマトリクス方式の
液晶表示装置が主流になりつつある。ここでアクティブ
マトリクス方式とは、画素電極である液晶表示電極ごと
に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や、ダイオードや、金属
−絶縁膜−金属あるいは金属−絶縁膜−透明導電体の３
層構造からなるＭｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅ
ｔａｌ（以下ＭＩＭと記載する）構造の非線形抵抗素子
をスイッチング素子として有するものである。
【０００３】本発明ではスイッチング素子として、ＭＩ
Ｍ素子を有する液晶表示パネルを例に説明する。
Ｍ素子を有する液晶表示パネルを例に説明する。
【０００４】ＭＩＭ素子とは一般的にはＴａ−Ｔａ2 Ｏ
5 −ＣｒあるいはＴａ−Ｔａ2 Ｏ5−酸化インジウムス
ズ（以下ＩＴＯと記載する）構造からなり、素子の非線
形な電流−電圧特性を用い直列に配した液晶層をスイッ
チングして表示を行うものである。
5 −ＣｒあるいはＴａ−Ｔａ2 Ｏ5−酸化インジウムス
ズ（以下ＩＴＯと記載する）構造からなり、素子の非線
形な電流−電圧特性を用い直列に配した液晶層をスイッ
チングして表示を行うものである。
【０００５】以下にＴａ−Ｔａ2 Ｏ5 −ＩＴＯ構造の非
線形抵抗素子を有する従来構造の液晶表示パネルの構造
について、図４と図５と図６とを用いて説明する。
線形抵抗素子を有する従来構造の液晶表示パネルの構造
について、図４と図５と図６とを用いて説明する。
【０００６】ＭＩＭ素子を有するアクティブマトリクス
方式の液晶表示パネルの構成を図４の平面図に示す。
方式の液晶表示パネルの構成を図４の平面図に示す。
【０００７】ＭＩＭ素子を形成したアクティブ基板４１
と信号電極を形成した対向基板４２とは、配向処理を施
した後、一定間隔を保って貼り合わせ、アクティブ基板
４１と対向基板４２との隙間に液晶を封入する。なお実
線４３で囲まれた領域が、表示パネルの表示領域であ
る。
と信号電極を形成した対向基板４２とは、配向処理を施
した後、一定間隔を保って貼り合わせ、アクティブ基板
４１と対向基板４２との隙間に液晶を封入する。なお実
線４３で囲まれた領域が、表示パネルの表示領域であ
る。
【０００８】ドライブ回路との接続は、アクティブ基板
４１と対向基板４２上の、図４の斜線で示すシール領域
４４の外側に形成する引き出し電極４５で行う。
４１と対向基板４２上の、図４の斜線で示すシール領域
４４の外側に形成する引き出し電極４５で行う。
【０００９】図５は図４の破線４６部分を拡大して示す
平面図である。この図５を用いて引き出し電極とＭＩＭ
素子とを説明する。
平面図である。この図５を用いて引き出し電極とＭＩＭ
素子とを説明する。
【００１０】アクティブ基板４１上には、信号電極６３
と画素電極６７とＭＩＭ素子５１と引き出し電極４５と
を形成する。対向基板４２には、破線で示す信号電極４
７を形成し、画素電極５０と、対向基板４２上の信号電
極４７とは液晶を介し重なるように配置する。実線４３
は表示領域を示す。
と画素電極６７とＭＩＭ素子５１と引き出し電極４５と
を形成する。対向基板４２には、破線で示す信号電極４
７を形成し、画素電極５０と、対向基板４２上の信号電
極４７とは液晶を介し重なるように配置する。実線４３
は表示領域を示す。
【００１１】図６（ａ）はＭＩＭ素子を示す平面図であ
り、図６（ｂ）は、図６（ａ）におけるＡ−Ｂ線におけ
る断面を示す断面図である。
り、図６（ｂ）は、図６（ａ）におけるＡ−Ｂ線におけ
る断面を示す断面図である。
【００１２】ガラス基板６１上にタンタル６２をスパッ
タリング法により形成する。その後フォトエッチングに
よりパターニングし、タンタル６２からなるＭＩＭ素子
の下部電極と信号電極６３とを形成する。このタンタル
６２の平面パターン形状は、図６（ａ）の実線６４で示
す。
タリング法により形成する。その後フォトエッチングに
よりパターニングし、タンタル６２からなるＭＩＭ素子
の下部電極と信号電極６３とを形成する。このタンタル
６２の平面パターン形状は、図６（ａ）の実線６４で示
す。
【００１３】つぎに陽極酸化法によりタンタル６２表面
に絶縁体６５としてＴａ2 Ｏ5 を形成する。
に絶縁体６５としてＴａ2 Ｏ5 を形成する。
【００１４】つぎに透明導電体６６として、ＩＴＯをス
パッタリング法により形成し、フォトエッチングにより
パターニングし、ＩＴＯからなるＭＩＭ素子の上部電極
と画素電極６７とを形成する。この透明導電体６６の平
面パターン形状は図６（ａ）の破線６８で示す。
パッタリング法により形成し、フォトエッチングにより
パターニングし、ＩＴＯからなるＭＩＭ素子の上部電極
と画素電極６７とを形成する。この透明導電体６６の平
面パターン形状は図６（ａ）の破線６８で示す。
【００１５】タンタル６２と透明導電体６６との交差領
域がＭＩＭ素子となる。
域がＭＩＭ素子となる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示パネルのアク
ティブ基板４１の引き出し電極４５と、対向基板４２の
引き出し電極４５にはドライブ回路が接続する。
ティブ基板４１の引き出し電極４５と、対向基板４２の
引き出し電極４５にはドライブ回路が接続する。
【００１７】ドライブ回路は通常半導体チップであり、
液晶表示装置の引き出し電極４５と半導体チップとの接
続は、直接実装法または間接実装法により行われる。
液晶表示装置の引き出し電極４５と半導体チップとの接
続は、直接実装法または間接実装法により行われる。
【００１８】直接実装法とは、半導体チップを導電性樹
脂を介して直接引き出し電極４５上に搭載する方法であ
り、引き出し電極を形成する支持基板がガラスの場合、
チップオングラス（ＣＯＧ）法と呼ばれる。
脂を介して直接引き出し電極４５上に搭載する方法であ
り、引き出し電極を形成する支持基板がガラスの場合、
チップオングラス（ＣＯＧ）法と呼ばれる。
【００１９】このチップオングラス（ＣＯＧ）法は、端
子の接続ピッチ寸法の微細化とドライブ回路の基板上へ
の直搭載化により、液晶表示パネルの小型化に有効な方
法である。
子の接続ピッチ寸法の微細化とドライブ回路の基板上へ
の直搭載化により、液晶表示パネルの小型化に有効な方
法である。
【００２０】一方、間接実装法とは半導体チップをフレ
キシブル−プリンテッド−サーキット（ＦＰＣ）に搭載
し、ＦＰＣ上に形成された接続端子を液晶表示パネルの
引き出し電極に接続する方法である。
キシブル−プリンテッド−サーキット（ＦＰＣ）に搭載
し、ＦＰＣ上に形成された接続端子を液晶表示パネルの
引き出し電極に接続する方法である。
【００２１】ここで、従来技術で製造した液晶表示パネ
ルにおいて、アクティブ基板４１上の引き出し電極４５
と半導体チップ接続電極、またはＦＰＣ接続電極との接
続の際問題となる点について以下に説明する。
ルにおいて、アクティブ基板４１上の引き出し電極４５
と半導体チップ接続電極、またはＦＰＣ接続電極との接
続の際問題となる点について以下に説明する。
【００２２】アクティブ基板４１上の引き出し電極４５
の構成材料は、ＭＩＭ素子と画素電極の構成材料と兼用
することが工程簡略化に有効である。
の構成材料は、ＭＩＭ素子と画素電極の構成材料と兼用
することが工程簡略化に有効である。
【００２３】ＭＩＭ素子の下部電極と信号電極としては
タンタルを使用し、画素電極としてＩＴＯを用いた場
合、引き出し電極４５の構造は以下（イ）〜（ホ）の５
種類の構成が可能である。
タンタルを使用し、画素電極としてＩＴＯを用いた場
合、引き出し電極４５の構造は以下（イ）〜（ホ）の５
種類の構成が可能である。
【００２４】（イ） タンタル （ロ） タンタル＋Ｔａ2 Ｏ5 （ハ） ＩＴＯ （ニ） タンタル＋ＩＴＯ （ホ） タンタル＋Ｔａ2 Ｏ5 ＋ＩＴＯ 以下に、上記の（イ）〜（ホ）の問題点について説明す
る。
る。
【００２５】（イ）の引き出し電極４５としてタンタル
を用いた場合 タンタル上に自然酸化膜であるＴａＯｘが形成され、接
続電極との電気的接続が不安定になる。この結果、初期
またはエージング試験後、信号電極に沿って表示欠陥が
生じる。
を用いた場合 タンタル上に自然酸化膜であるＴａＯｘが形成され、接
続電極との電気的接続が不安定になる。この結果、初期
またはエージング試験後、信号電極に沿って表示欠陥が
生じる。
【００２６】（ロ）の引き出し電極４５としてタンタル
とＴａ2 Ｏ5 とを用いた場合 Ｔａ2 Ｏ5 は絶縁体のため、接続電極との良好な電気的
接続が不可能である。
とＴａ2 Ｏ5 とを用いた場合 Ｔａ2 Ｏ5 は絶縁体のため、接続電極との良好な電気的
接続が不可能である。
【００２７】（ハ）の引き出し電極４５としてＩＴＯを
用いた場合 接続電極との接続は問題ないが、信号電極であるタンタ
ルとＩＴＯとの電気的接続を基板内で行う必要があり、
以下の（ニ）または（ホ）の問題が生じる。
用いた場合 接続電極との接続は問題ないが、信号電極であるタンタ
ルとＩＴＯとの電気的接続を基板内で行う必要があり、
以下の（ニ）または（ホ）の問題が生じる。
【００２８】（ニ）の引き出し電極４５としてタンタル
とＩＴＯとを用いた場合 ＩＴＯの膜形成工程においてＩＴＯ中の酸素がタンタル
中に拡散し、接合界面に絶縁体であるＴａＯｘが形成さ
れ、ピンホールの発生によりタンタルとＩＴＯ間の電気
的接続が不安定になる。この結果、初期またはエージン
グ試験後、信号電極に沿って表示欠陥が生じる。
とＩＴＯとを用いた場合 ＩＴＯの膜形成工程においてＩＴＯ中の酸素がタンタル
中に拡散し、接合界面に絶縁体であるＴａＯｘが形成さ
れ、ピンホールの発生によりタンタルとＩＴＯ間の電気
的接続が不安定になる。この結果、初期またはエージン
グ試験後、信号電極に沿って表示欠陥が生じる。
【００２９】（ホ）の引き出し電極４５としてタンタル
とＴａ2 Ｏ5 とＩＴＯとを用いた場合 ＩＴＯ−接続電極間の接続は良好であるが、タンタル−
ＩＴＯ間には絶縁体である。Ｔａ2 Ｏ5 が介在するため
タンタル−ＩＴＯの容量結合面積を大きくし、その容量
を液晶層の容量と比べ充分大きくする必要がある。ここ
で液晶表示パネルが小型の場合、必要量のタンタル−Ｉ
ＴＯの容量結合面積を確保することが困難となる。
とＴａ2 Ｏ5 とＩＴＯとを用いた場合 ＩＴＯ−接続電極間の接続は良好であるが、タンタル−
ＩＴＯ間には絶縁体である。Ｔａ2 Ｏ5 が介在するため
タンタル−ＩＴＯの容量結合面積を大きくし、その容量
を液晶層の容量と比べ充分大きくする必要がある。ここ
で液晶表示パネルが小型の場合、必要量のタンタル−Ｉ
ＴＯの容量結合面積を確保することが困難となる。
【００３０】以上の問題を解決して、表示欠陥がなく、
信頼性の高い小型の液晶表示パネルの構造と、その製造
方法を提供することが、本発明の目的である。
信頼性の高い小型の液晶表示パネルの構造と、その製造
方法を提供することが、本発明の目的である。
【００３１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の液晶表示パネルの構造と、その製造方法とは下
記記載の手段を採用する。
本発明の液晶表示パネルの構造と、その製造方法とは下
記記載の手段を採用する。
【００３２】本発明の液晶表示パネルは、金属上に絶縁
体を設け、さらに絶縁体上に金属あるいは透明導電体を
設けてなる非線形素子と、金属上に絶縁体を設けてなる
引き出し電極とを有する液晶表示パネルにあって、引き
出し電極の絶縁体の膜厚は非線形素子の絶縁体より薄い
ことを特徴とする。
体を設け、さらに絶縁体上に金属あるいは透明導電体を
設けてなる非線形素子と、金属上に絶縁体を設けてなる
引き出し電極とを有する液晶表示パネルにあって、引き
出し電極の絶縁体の膜厚は非線形素子の絶縁体より薄い
ことを特徴とする。
【００３３】本発明の液晶表示パネルの製造方法は、金
属上に絶縁体を設け、さらに絶縁体上に金属あるいは透
明導電体を設けてなる非線形素子と、金属上に絶縁体を
設けてなる引き出し電極とを有する液晶表示パネルにあ
って、絶縁体は陽極酸化法で形成することを特徴とす
る。
属上に絶縁体を設け、さらに絶縁体上に金属あるいは透
明導電体を設けてなる非線形素子と、金属上に絶縁体を
設けてなる引き出し電極とを有する液晶表示パネルにあ
って、絶縁体は陽極酸化法で形成することを特徴とす
る。
【００３４】
【実施例】以下、本発明の実施例における液晶表示パネ
ルの構造と、その製造方法について、図面を参照しなが
ら詳細に説明する。図１（ａ）はＭＩＭ素子を示す平面
図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＣ−Ｄ線
における断面を示す断面図である。また図２（ａ）はア
クティブ基板上の引き出し電極とＭＩＭ素子と画素電極
からなる表示領域を示す平面図であり、図２（ｂ）は引
き出し電極に形成した容量結合部のＥ−Ｆ線における断
面である。ここで図１のほうが図２より拡大して示して
ある。以下ＭＩＭ素子領域を示す図１と、引き出し電極
領域を示す図２とを交互に参照して説明する。
ルの構造と、その製造方法について、図面を参照しなが
ら詳細に説明する。図１（ａ）はＭＩＭ素子を示す平面
図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＣ−Ｄ線
における断面を示す断面図である。また図２（ａ）はア
クティブ基板上の引き出し電極とＭＩＭ素子と画素電極
からなる表示領域を示す平面図であり、図２（ｂ）は引
き出し電極に形成した容量結合部のＥ−Ｆ線における断
面である。ここで図１のほうが図２より拡大して示して
ある。以下ＭＩＭ素子領域を示す図１と、引き出し電極
領域を示す図２とを交互に参照して説明する。
【００３５】まずはじめに本発明の液晶表示パネルの構
造を説明する。図１に示すＭＩＭ素子の絶縁体１５の膜
厚は、図２に示す引き出し電極３１上の絶縁体２５の膜
厚より厚くしている。
造を説明する。図１に示すＭＩＭ素子の絶縁体１５の膜
厚は、図２に示す引き出し電極３１上の絶縁体２５の膜
厚より厚くしている。
【００３６】つぎに図１と図２とに示すＭＩＭ素子と、
引き出し電極とを形成するための製造方法を説明する。
引き出し電極とを形成するための製造方法を説明する。
【００３７】図１と図２とに示すように、ガラス基板１
１，２１上に、金属としてタンタル１２，２２をスパッ
タリング法により、膜厚２５０ｎｍ形成する。そして、
フォトエッチングによりパターニングし、タンタル１
２，２２からなるＭＩＭ素子の下部電極と、信号電極１
３と引き出し電極３１とを形成する。
１，２１上に、金属としてタンタル１２，２２をスパッ
タリング法により、膜厚２５０ｎｍ形成する。そして、
フォトエッチングによりパターニングし、タンタル１
２，２２からなるＭＩＭ素子の下部電極と、信号電極１
３と引き出し電極３１とを形成する。
【００３８】このタンタル１２とタンタル２２との平面
パターン形状は、図１（ａ）の実線１４と図２（ａ）の
実線２３とにそれぞれ示す。
パターン形状は、図１（ａ）の実線１４と図２（ａ）の
実線２３とにそれぞれ示す。
【００３９】つぎに、ＭＩＭ素子部以外のタンタル−Ｉ
ＴＯの容量結合部となる領域に、フォトリソグラフィー
法、または印刷法によりレジストパターン２４を形成す
る。レジストパターン２４の平面形状は、図２（ａ）の
実線に示す。
ＴＯの容量結合部となる領域に、フォトリソグラフィー
法、または印刷法によりレジストパターン２４を形成す
る。レジストパターン２４の平面形状は、図２（ａ）の
実線に示す。
【００４０】つぎに、陽極酸化電圧４５Ｖを印加する陽
極酸化処理を行い、タンタル１２表面に絶縁体１５とし
てＴａ2 Ｏ5 を、膜厚９０ｎｍ形成する。
極酸化処理を行い、タンタル１２表面に絶縁体１５とし
てＴａ2 Ｏ5 を、膜厚９０ｎｍ形成する。
【００４１】つぎに、容量結合部に形成したレジストパ
ターン２４の剥離を行い、陽極酸化電圧１５Ｖで、再度
陽極酸化を行い、引き出し電極３１の結合容量部には絶
縁体２５としてＴａ2 Ｏ5 を膜厚３０ｎｍ形成する。
ターン２４の剥離を行い、陽極酸化電圧１５Ｖで、再度
陽極酸化を行い、引き出し電極３１の結合容量部には絶
縁体２５としてＴａ2 Ｏ5 を膜厚３０ｎｍ形成する。
【００４２】ここで２回目の陽極酸化電圧は、ＭＩＭ素
子の絶縁体１５を形成した電圧より低いため、ＭＩＭ素
子の絶縁体１５の膜厚は変動しない。
子の絶縁体１５を形成した電圧より低いため、ＭＩＭ素
子の絶縁体１５の膜厚は変動しない。
【００４３】絶縁体２５の形成した容量結合部は、図２
（ａ）の実線２３で示す。ＭＩＭ素子の絶縁体１５の膜
厚は、引き出し電極３１の結合容量部の絶縁体２５の膜
厚より厚い。
（ａ）の実線２３で示す。ＭＩＭ素子の絶縁体１５の膜
厚は、引き出し電極３１の結合容量部の絶縁体２５の膜
厚より厚い。
【００４４】つぎに透明導電体１６，２６として、ＩＴ
Ｏをスパッタリング法により２００ｎｍの膜厚で形成す
る。そして、フォトエッチング処理によりパターニング
し、ＩＴＯからなるＭＩＭ素子の上部電極と画素電極１
７と結合容量部の上電極２７とを形成する。
Ｏをスパッタリング法により２００ｎｍの膜厚で形成す
る。そして、フォトエッチング処理によりパターニング
し、ＩＴＯからなるＭＩＭ素子の上部電極と画素電極１
７と結合容量部の上電極２７とを形成する。
【００４５】この透明導電体１６と透明導電体２６との
平面パターン形状は、図１（ａ）の破線６と図２（ａ）
の破線２８に、それぞれ示す。図２（ａ）の斜線２９で
示す領域が結合容量部である。
平面パターン形状は、図１（ａ）の破線６と図２（ａ）
の破線２８に、それぞれ示す。図２（ａ）の斜線２９で
示す領域が結合容量部である。
【００４６】図３は対向基板上の信号電極を示す平面図
であり、以下に記載の方法により製造する。
であり、以下に記載の方法により製造する。
【００４７】対向基板４２上に透明導電体として、ＩＴ
Ｏをスパッタリング法により２００ｎｍの膜厚で形成
し、フォトエッチングによりパターニングし、ＩＴＯか
らなる信号電極３１を形成する。
Ｏをスパッタリング法により２００ｎｍの膜厚で形成
し、フォトエッチングによりパターニングし、ＩＴＯか
らなる信号電極３１を形成する。
【００４８】つぎに、配向処理を行ったアクティブ基板
と対向基板とを、画素電極４７と対向基板上の信号電極
３１が等間隔に向き合うように位置合わせを行う。その
後、表示領域の外周部を注入孔を除いてエポキシ樹脂に
よりシールする。つぎに、液晶を注入孔より注入し最後
に、注入孔をエポキシ樹脂により封孔する。
と対向基板とを、画素電極４７と対向基板上の信号電極
３１が等間隔に向き合うように位置合わせを行う。その
後、表示領域の外周部を注入孔を除いてエポキシ樹脂に
よりシールする。つぎに、液晶を注入孔より注入し最後
に、注入孔をエポキシ樹脂により封孔する。
【００４９】最後に、ドライブ回路である半導体チップ
の接続電極を導電性樹脂により、アクティブ電極と対向
電極の引き出し電極に接続する。
の接続電極を導電性樹脂により、アクティブ電極と対向
電極の引き出し電極に接続する。
【００５０】本実施例で作製した液晶表示パネルの信号
電極１ライン当たりの各パラメータと表示テストの結果
を以下に示す。
電極１ライン当たりの各パラメータと表示テストの結果
を以下に示す。
【００５１】液晶層の容量 ：２０［ＰＦ］ ＭＩＭ素子の容量 ：７［ＰＦ］ 容量結合面積 ：１０００００［μｍ2 ］ 結合容量 ：７００［ＰＦ］ 表示テストの結果 ：表示欠陥無し（初期および信頼性
試験後）
試験後）
【００５２】ここで比較のため、結合容量部をＭＩＭ素
子部と同じ膜厚で形成したところ結合容量が１／３にな
り、表示テストの結果表示パターンに依存性したクロス
トークが発生した。
子部と同じ膜厚で形成したところ結合容量が１／３にな
り、表示テストの結果表示パターンに依存性したクロス
トークが発生した。
【００５３】以上金属としてタンタルを用いた例で説明
したが、タンタル以外にクロム、チタン、あるいはタン
グステンも適用することができる。
したが、タンタル以外にクロム、チタン、あるいはタン
グステンも適用することができる。
【００５４】さらに図２に示すレジストパターン２４は
引き出し電極３１より小さく形成したが、引き出し電極
３１とレジストパターン２４とは同じ大きさにしても良
い。
引き出し電極３１より小さく形成したが、引き出し電極
３１とレジストパターン２４とは同じ大きさにしても良
い。
【００５５】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明の液晶表示
パネルの構造と製造方法によれば、表示欠陥がなく信頼
性の高い小型の液晶表示パネルが得られる。
パネルの構造と製造方法によれば、表示欠陥がなく信頼
性の高い小型の液晶表示パネルが得られる。
【図１】本発明の実施例における非線形素子の構造とそ
の製造方法を示す図面である。
の製造方法を示す図面である。
【図２】本発明の実施例における容量結合部の構造とそ
の製造方法を示す図面である。
の製造方法を示す図面である。
【図３】本発明の実施例における対向基板の構造とその
製造方法を示す平面図である。
製造方法を示す平面図である。
【図４】従来例における液晶表示パネルを示す平面図で
ある。
ある。
【図５】従来例における液晶表示パネルを示す平面図で
ある。
ある。
【図６】従来例における非線形素子を示す図面である。
１１ ガラス基板 １２ タンタル １３ 信号電極 １５ 絶縁体 １６ 透明導電体 １７ 画素電極 ２５ 絶縁体 ３１ 引き出し電極
Claims (3)
- 【請求項１】 金属上に絶縁体を設け、さらに絶縁体上
に金属あるいは透明導電体を設けてなる非線形素子と、
金属上に絶縁体を設けてなる引き出し電極とを有する液
晶表示パネルにあって、引き出し電極の絶縁体の膜厚は
非線形素子の絶縁体より薄いことを特徴とする液晶表示
パネル。 - 【請求項２】 金属としてはＴａ、Ｃｒ、Ｔｉ、あるい
はＷで構成し、絶縁体としてはＴａ2 Ｏ5 で構成し、透
明導電体としては酸化インジウムスズで構成することを
特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。 - 【請求項３】 金属上に絶縁体を設け、さらに絶縁体上
に金属あるいは透明導電体を設けてなる非線形素子と、
金属上に絶縁体を設けてなる引き出し電極とを有する液
晶表示パネルにあって、絶縁体は陽極酸化法で形成する
ことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13274893A JP3229905B2 (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 液晶表示パネルとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13274893A JP3229905B2 (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 液晶表示パネルとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06324355A true JPH06324355A (ja) | 1994-11-25 |
| JP3229905B2 JP3229905B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=15088662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13274893A Expired - Fee Related JP3229905B2 (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 液晶表示パネルとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3229905B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001075118A (ja) * | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Seiko Epson Corp | 液晶装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
| JP2003098543A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学パネル、その製造方法および電子機器 |
-
1993
- 1993-05-11 JP JP13274893A patent/JP3229905B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001075118A (ja) * | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Seiko Epson Corp | 液晶装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
| JP2003098543A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学パネル、その製造方法および電子機器 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3229905B2 (ja) | 2001-11-19 |
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