JP2004363170A - 導電パターンの形成方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】局部電池による過度の溶解が発生することを防止可能な導電パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、この方法で製造した電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】基板1の表面にITO膜からなる第1の導電パターン2を形成した後、第1の導電パターン2全体を覆う保護用マスク3を形成する。次に、保護用マスク3の上層側に対してアルミニウム膜からなる導電膜4を形成した後、導電膜4の表面にパターニング用マスク5を形成する。次に、パターニング用マスク5から露出している導電膜4をウエットエッチングによりパターニングして第2の導電パターン6を形成し、しかる後に、パターニング用マスク5と、第2の導電パターン6から露出している保護用マスク3とを同時に除去する。
【選択図】 図1
【解決手段】基板1の表面にITO膜からなる第1の導電パターン2を形成した後、第1の導電パターン2全体を覆う保護用マスク3を形成する。次に、保護用マスク3の上層側に対してアルミニウム膜からなる導電膜4を形成した後、導電膜4の表面にパターニング用マスク5を形成する。次に、パターニング用マスク5から露出している導電膜4をウエットエッチングによりパターニングして第2の導電パターン6を形成し、しかる後に、パターニング用マスク5と、第2の導電パターン6から露出している保護用マスク3とを同時に除去する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、同一の基板上に第1の導電パターンおよび第2の導電パターンを異なる導電材料で形成するための導電パターンの形成方法、この方法で導電パターンを形成した基板を電気光学物質の保持用に用いた電気光学装置の製造方法、この方法で製造した電気光学装置、および電子機器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
各種の電気光学装置や半導体装置などを製造する際には、半導体プロセスを利用して複数種類の導電パターンを同一基板上に順次形成していく。すなわち、図15(A)に示すように、基板1の表面に第1の導電パターン2(下層側導電膜)を形成した後、図15(B)に示すように、基板1の全面に第2の導電パターンを形成するための導電膜4(上層側導電膜)を形成する。次に、図15(C)に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、導電膜4の表面に第2の導電パターンを形成するためのパターニング用マスク5を形成した後、図15(D)に示すように、このパターニング用マスク5から露出している導電膜4をウエットエッチングによりパターニングして第2の導電パターン6を形成し、しかる後に、パターニング用マスク5を除去する剥離工程を行う。その結果、図15(E)に示すように、同一基板1上に、第1の導電パターン2と第2の導電パターン6とが異なる導電材料で形成される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
図15を参照して説明した導電パターン2、6の形成方法において、基板1は、導電膜4から第2の導電パターン6をウエットエッチングにより形成するときのエッチング液、パターニング用マスク5を形成するときの現像液、洗浄液などの処理液に浸漬されるが、導電膜4のピンホール、導電膜4の段差切れ、あるいはエッチングの進行などに起因して導電パターン2が処理液に接触すると、導電パターン2および導電膜4は、一部が接触した状態で双方が処理液に接することになる。その際、第1の導電パターン2を構成する導電材料と、第2の導電パターン6を構成する導電材料との間で電極電位の差が大きいと、局部電池の形成によって過度のエッチングが起こり、導電パターンを所望の形状、あるいは膜厚さに形成できないという問題点がある。例えば、第1の導電パターン2をITO膜で形成する一方、第2の導電パターン6をアルミニウム膜で形成すると、ITO膜は電極電位的には貴である一方、アルミニウム膜は電極電位的に卑であるにもかかわらず、双方が接触しているため、局部電池が形成される結果、アルミニウム膜が過度にエッチングされてしまい、第2の導電パターン6が小さく、あるいは薄くなってしまう。
【0004】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、電極電位が異なる2つの導電膜が少なくとも一部が重なり合って形成されている基板を処理液に接触させた場合でも、局部電池による過度の溶解が発生することを防止可能な導電パターンの形成方法、この方法で導電パターンを形成した基板を電気光学物質の保持用に用いた電気光学装置の製造方法、この方法で製造した電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る導電パターンの形成方法では、処理液中での電極電位が相違する下層側導電膜と上層側導電膜とが少なくとも一部が重なって形成されている基板を前記処理液と接触させる際には、前記下層側導電膜の前記上層側導電膜との層間に保護膜を形成しておくことを特徴とする。
【0006】
本発明では、処理液を基板に接触させる際、この処理液中での電極電位が相違する下層側導電膜と上層側導電膜とが少なくとも一部が重なって形成されているが、下層側導電膜の上層側導電膜との層間に保護膜が形成されているため、ピンホール、段差切れ、あるいはエッチングの進行などに起因して、下層側導電膜が処理液に接触した場合でも、下層側導電膜と上層側導電膜との間に局部電池が形成されない。すなわち、下層側導電膜と上層側導電膜とが接触した状態で、下層側導電膜および上層側導電膜の双方が処理液に接する状態を回避できる。従って、下層側導電膜および上層側導電膜に局部電池による過度の溶解が発生しないので、同一基板上に、異なる導電材料からなる導電パターンを所望の形状、あるいは膜厚さに形成することができる。
【0007】
本発明において、前記上層側導電膜は、例えば、当該上層側導電膜の表面にフォトリソグラフィ技術でパターニング用マスクを形成した状態でエッチングすることにより、前記下層側導電膜からなる第1の導電パターンから離間した位置に第2の導電パターンを形成するための導電膜であり、この場合、前記第1の導電パターンの表面側全体を覆い、かつ、前記第2の導電パターンの形成予定領域を避けた領域に前記保護膜を形成した後、前記上層側導電膜および前記パターニング用マスクを形成する。
【0008】
本発明において、前記上層側導電膜は、当該上層側導電膜の表面にフォトリソグラフィ技術でパターニング用マスクを形成した状態でエッチングすることにより、前記下層側導電膜からなる第1の導電パターンに一部が重なる第2の導電パターンを形成するための導電膜であってもよく、この場合、前記第1の導電パターンの表面側のうち、前記第2の導電パターンの形成予定領域を避けた領域に前記保護膜を形成した後、前記上層側導電膜および前記パターニング用マスクを形成する。
【0009】
本発明において、前記処理液は、前記上層側導電膜から前記第2の導電パターンをウエットエッチングにより形成するときのエッチング液、前記パターニング用マスクを形成するときの現像液、あるいは洗浄液である。
【0010】
本発明において、前記保護膜および前記パターニング用マスクは、いずれも感光性樹脂からなり、この場合、前記上層側導電膜に対するエッチング工程の後、前記パターニング用マスクを除去する剥離工程では、前記保護膜を同時に除去することが好ましい。
【0011】
本発明に係る導電パターンの形成方法を用いて導電パターンを形成した前記基板については、例えば、電気光学装置の製造方法において、電気光学物質を保持する電気光学装置用基板として用いる。
【0012】
本発明において、前記第1の導電パターンおよび前記第2の導電パターンのうちの一方の導電パターンはITO膜からなり、他方の導電パターンは金属膜からなる。このような金属膜は、例えば、アルミニウム膜あるいはその合金膜である。
【0013】
本発明において、前記電気光学物質は、前記電気光学装置用基板と、該電気光学装置用基板に対向配置された基板との間に保持された液晶である。
【0014】
また、本発明は、前記電気光学物質としてのエレクトロルミネッセンス材料が前記電気光学装置用基板上に形成された電気光学装置を製造する際にも適用することができる。
【0015】
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機、モバイルコンピュータなどの電子機器に搭載される。
【0016】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【0017】
[実施の形態1]
図1(A)〜(F)は、本発明の実施の形態1に係る導電パターンの形成方法を示す説明図であり、各図の右側には平面図を示し、左側には断面図を示してある。
【0018】
本形態では、まず、図1(A)に示すように、成膜工程、フォトリソグラフィ工程、およびエッチング工程によって、基板1の表面に、例えばITO膜などからなる第1の導電パターン2(下層側導電膜)を形成した後(下層側導電膜形成工程)、図1(B)に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂により、第1の導電パターン2全体を覆う保護用マスク3(保護膜)を形成する(保護膜形成工程)。ここで、保護用マスク3は、第1の導電パターン2の表面側全体を覆い、かつ、後述する第2の導電パターンの形成予定領域を避けた領域に形成する。
【0019】
次に、図1(C)に示すように、保護用マスク3の上層側に対して、基板1の表面全体に、例えば、アルミニウム膜からなる第2の導電パターンを形成するための導電膜4(上層側導電膜)を形成する(上層側導電膜形成工程)。
【0020】
次に、図1(D)に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂により、導電膜4の表面に第2の導電パターンを形成するためのパターニング用マスク5を形成する(パターニング用マスク形成工程)。
【0021】
次に、図1(E)に示すように、パターニング用マスク5から露出している導電膜4をウエットエッチングによりパターニングして第2の導電パターン6を形成した後、洗浄する(ウエットエッチング工程)。
【0022】
次に、図1(F)に示すように、有機系の剥離液を用いてパターニング用マスク5を除去した後、洗浄する(剥離工程)。その際、保護用マスク3は、第1の導電パターン2の表面側全体を覆い、かつ、第2の導電パターン6の形成領域を避けた領域に形成してあるので、第2の導電パターン6から露出している保護用マスク3を同時に除去することができる。その結果、基板1には、ITO膜からなる第1の導電パターン2と、アルミニウム膜からなる第2の導電パターン6とを離間した位置に形成することができる。
【0023】
このようにして第1の導電パターン2、および第2の導電パターン6を形成する際、基板1は、導電膜4から第2の導電パターン6をウエットエッチングにより形成するときのエッチング液、パターニング用マスク5を形成するときのアルカリ系現像液、洗浄液などの処理液に浸漬される。その際、基板1上には、第1の導電パターン2(下層側導電膜)に対して導電膜4が重なった状態にあるが、第1の導電パターン2と導電膜4の層間に保護マスク3が形成されており、第1の導電パターン2と導電膜4とは、直接、接触してはいない。それ故、導電膜4のピンホール、導電膜4の段差切れ、導電膜4に対するエッチングの進行などによって下地が露出した場合でも、第1の導電パターン2と導電膜4とが接触した状態で第1の導電パターン2および導電膜4の双方が処理液に接する状態を回避できる。従って、処理液中で第1の導電パターン2を構成するITO膜と、導電膜4を構成するアルミニウム膜との間で電極電位に大きな差があったとしても、第1の導電パターン2と導電膜4との間に局部電池が形成されないので、電極電位的に卑な導電膜4(アルミニウム膜)が過エッチングされることはない。また、エッチング工程の後、洗浄液に基板1が浸漬されても、第1の導電パターン2と第2の導電パターン6が離間しているので、局部電池が形成されない。それ故、第2の導電パターン6を所望の形状、および厚さに形成することができる。
【0024】
また、本形態では、保護用マスク3およびパターニング用マスク5がいずれも、感光性樹脂からなるので、パターニング用マスク5を除去する剥離工程において、第2の導電パターン6から露出している保護用マスク3を同時に除去する。従って、2つのマスクを除去するための工程が1回で済むという利点がある。
【0025】
[実施の形態2]
実施の形態1では、第1の導電パターン2と第2の導電パターン6とが平面的に離間した位置に形成されていたが、以下に説明するように、第1の導電パターン2と第2の導電パターン6とが部分的に重なる場合にも本発明を適用することができる。
【0026】
図2(A)〜(F)は、本発明の実施の形態2に係る導電パターンの形成方法を示す説明図であり、各図の右側には平面図を示し、左側には断面図を示してある。
【0027】
本形態では、まず、図2(A)に示すように、成膜工程、フォトリソグラフィ工程、およびエッチング工程によって、基板1の表面に、例えば、ITO膜からなる第1の導電パターン2(下層側導電膜)を形成した後、図2(B)に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂により、第1の導電パターン2を部分的に覆う保護用マスク3を形成する(保護用マスク形成工程)。すなわち、第1の導電パターン2の表面側のうち、後述する第2の導電パターンの形成予定領域を避けた領域に保護用マスク3を形成する。
【0028】
次に、図2(C)に示すように、保護用マスク3の上層側に対して、基板1の表面全体に、例えば、アルミニウム膜からなる第2の導電パターンを形成するための導電膜4(上層側導電膜)を形成する(上層側導電膜形成工程)。
【0029】
次に、図2(D)に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂により、導電膜4の表面に第2の導電パターンを形成するためのパターニング用マスク5を形成する(パターニング用マスク形成工程)。この際、第1の導電パターン2の一部と平面的に重なるようにパターニング用マスク5を形成する。
【0030】
次に、図2(E)に示すように、パターニング用マスク5から露出している導電膜4をウエットエッチングによりパターニングして第2の導電パターン6を形成する(ウエットエッチング工程)。
【0031】
次に、図2(F)に示すように、パターニング用マスク5を除去する(剥離工程)。その際、保護用マスク3は、第1の導電パターン2の表面側のうち、第2の導電パターン6の形成予定領域を避けた領域に形成してあるので、第2の導電パターン6から露出している保護用マスク3を同時に除去することができる。その結果、基板1には、ITO膜からなる第1の導電パターン2と、アルミニウム膜からなる第2の導電パターン6とを一部重ねて形成することができる。
【0032】
このようにして第1の導電パターン2、および第2の導電パターン6を形成する際、基板1は、導電膜4から第2の導電パターン6をウエットエッチングにより形成するときのエッチング液、パターニング用マスク5を形成するときのアルカリ系現像液、洗浄液などの処理液に浸漬される。その際、基板1上には、第1の導電パターン2(下層側導電膜)に対して導電膜4が重なった状態にあるが、第1の導電パターン2と導電膜4の層間に保護マスク3が形成されており、第1の導電パターン2と導電膜4とは、部分的にしか接触してはいない。それ故、導電膜4のピンホール、導電膜4の段差切れ、導電膜4に対するエッチングの進行などによって下地が露出したとしても、この露出部分が保護マスク3が形成されている領域である限り、第1の導電パターン2と導電膜4とが接触した状態で第1の導電パターン2および導電膜4の双方が処理液に接する状態を回避できる。従って、第1の導電パターン2と導電膜4との間に局部電池が形成されない。従って、電極電位的に卑な導電膜4(アルミニウム膜)が過エッチングされることはないので、第2の導電パターン6を所望の形状、および厚さに形成することができる。
【0033】
また、本形態でも、実施の形態1と同様、保護用マスク3およびパターニング用マスク5がいずれも、感光性樹脂からなるので、パターニング用マスク5を除去する剥離工程において、第2の導電パターン6から露出している保護用マスク3を同時に除去する。従って、2つのマスクを除去するための工程が1回で済むという利点がある。
【0034】
[電気光学装置への適用例]
(全体構成)
図3は、本発明が適用される電気光学装置(液晶装置)の電気的構成を示すブロック図である。図4および図5はそれぞれ、電気光学装置の構成を示す斜視図、および断面図である。図6は、電気光学装置において、TFD(Thin Film Diod)素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図であり、図7(A)、(B)はそれぞれ、そのA−A’線に沿って示す断面図、およびTFD素子の斜視図である。
【0035】
図3に示すように、本形態の電気光学装置100では、複数本の走査線51が行(X)方向に延在して形成され、また、複数本のデータ線52が列(Y)方向に延在して形成されるとともに、走査線51とデータ線52との各交差において画素53が形成されている。各画素53は、液晶表示要素(液晶層)54と二端子型アクティブ素子たるTFD素子56との直列接続からなり、液晶層54が走査線51の側に、TFD素子56がデータ線52の側に、それぞれ接続されている。また、各走査線51は、走査線駆動回路57によって駆動される一方、各データ線52は、データ線駆動回路58によって駆動される構成となっている。
【0036】
このような電気光学装置100は、図4に示すように、一対の透光性基板を有し、そのうちの一方の基板は、アクティブ素子が形成された素子側基板200であり、他方の基板は、素子側基板200に対向する対向基板300である。ここで、電気光学装置100では、COG(Chip On Glass)技術により、素子側基板200の表面に直接、液晶駆動用IC(ドライバ)250が実装されて、液晶駆動用IC250の各出力端子が、データ線51のそれぞれに接続されている。同様に、対向基板300の表面にも直接、液晶駆動用IC350が実装されて、液晶駆動用IC350の各出力端子が、走査線51のそれぞれに接続されている。
【0037】
なお、COG技術に限られず、それ以外の技術を用いて、ICチップと液晶装置とが接続された構成としても良い。例えば、TAB(Tape Automated Bonding)技術を用いて、FPC(Flexible Printed Circuit)の上にICチップがボンディングされたTCP(Tape Carrier Package)を電気光学装置に電気的に接続する構成としても良い。また、ICチップをハード基板にボンディングするCOB(Chip On Board)技術を用いても良い。
【0038】
素子側基板200の内側表面には、図5および図6に示されるように、複数本のデータ線52と、それらのデータ線52に接続される複数のTFD素子56と、TFD素子56と1対1に接続される画素電極66とが形成されている。ここで、各データ線52は、図5において紙面に対して垂直方向に延在して形成される一方、TFD素子56および画素電極66は、ドットマトリクス状に配列している。そして、画素電極66などの表面には、一軸配向処理、例えばラビング処理が施された配向膜59が形成されている。
【0039】
図5に示すように、対向基板300の内側表面には、カラーフィルタ308が形成されて、「R」、「G」、「B」の3色の着色層を構成している。なお、これら3色の着色層の隙間には、ブラックマトリクス309が形成されて、着色層の隙間からの入射光を遮蔽する構成となっている。カラーフィルタ308およびブラックマトリクス309の表面にはオーバーコート層310が形成され、さらに、その表面には、走査線51として機能する対向電極312が、データ線212と直交する方向に形成されている。さらに、対向電極312の表面には、ラビング処理が施された配向膜314が形成されている。なお、配向膜59、314は、一般にポリイミド等から形成される。
【0040】
素子側基板200と対向基板300とは、スペーサ(図示省略)を含むシール材104によって一定の間隙を保って接合されるとともに、この間隙に、液晶105が封入された構成となっている。また、素子側基板200の外側表面には、配向膜59へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板317が貼着されている。これに対して、対向基板300の外側表面には、配向膜314へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板217が貼着されている。
【0041】
図6および図7において、TFD素子56は、素子基板200の表面に成膜された下地層61の上に形成された第1のTFD素子56a、および第2のTFD素子56bからなる2つのTFD素子要素によって、いわゆるBack−to−Back構造として構成されている。このため、TFD素子56は、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地層61は、例えば、厚さが50〜200nm程度の酸化タンタル(Ta2O5)によって構成されている。
【0042】
第1のTFD素子56a、および第2のTFD素子56bは、第1金属層62と、この第1金属層62の表面に形成された絶縁膜63と、絶縁膜63の表面に互いに離間して形成された第2金属層64a、64bとによって構成されている。第1金属層62は、例えば、厚さが100〜500nm程度のTa単体膜、Ta合金膜等によって形成され、絶縁膜63は、例えば、陽極酸化法によって第1金属層62の表面を酸化することによって形成された厚さが10〜35nmの酸化タンタル(Ta2O5)である。
【0043】
第2金属層64a、64bは、例えばクロム(Cr)等といった金属膜によって50〜300nm程度の厚さに形成されている。第2金属層64aは、そのままデータ線52の第3層52cとなり、他方の第2金属層64bは、ITO(Indium Tin Oxide)等といった透明導電材からなる画素電極66に接続されている。
【0044】
ここで、本形態では、データ線52の電気的抵抗を下げるために、第3層52cの上層には、さらに第4層57としてのアルミニウム膜が形成されている。
【0045】
なお、画素電極66は、透過型として用いられる場合には、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明性金属膜から形成される一方、反射型として用いられる場合には、銀などの反射率の大きな反射性金属膜から形成される。なお、画素電極66は、反射型であってもITOなどの透明性金属から形成される場合もある。この場合には、反射層としての反射性金属が形成された後に直接、あるいはカラーフィルタ層を介して、透明性金属からなる画素電極66が形成される。一方、半透過・半反射型として用いられる場合には、反射層を極く薄く形成して半透過鏡とするか、あるいは、スリットが設けられる構成となる。
【0046】
また、素子基板200自体は、例えば、石英やガラスなどの絶縁性を有するものが用いられる。なお、透過型として用いる場合には、透明であることも素子基板200の要件となるが、反射型として用いる場合には、透明であることが要件にならない。また、図7において、素子基板200の表面に下地層61が設けられる理由は、熱処理により、第1金属膜62が下地から剥離しないようにするとともに、第1金属膜62に不純物が拡散しないようにするためである。したがって、これが問題とならない場合には、下地層61は省略可能である。
【0047】
なお、TFD素子56は、ダイオード素子としての一例であり、他に、酸化亜鉛(ZnO)バリスタや、MSI(Metal Semi Insulator)などを用いた素子や、これらの素子を、単体、または、逆向きに直列接続もしくは並列接続したものなどが適用可能である。
【0048】
(電気光学装置の製造方法)
図8ないし図11を参照して、本形態の電気光学装置の製造工程のうち、素子基板200の製造工程を説明する。
【0049】
図8、図9、図10および図11はそれぞれ、図4および5に示す素子基板200の製造方法を示す工程図である。なお、素子基板200を製造する場合、通常は、各電気光学装置100のサイズに応じた単品の基板を複数枚、多数取りできる大型の元基板の状態でTFD素子56などの各要素の形成を行うが、以下の説明では、単品の基板と元基板とを区別せず、素子基板200と称する。
【0050】
まず、図8(A)に示す下地層形成工程において、素子基板200の表面にTa酸化物、例えば、Ta2O5を一様な厚さに成膜して下地層61を形成する。
【0051】
次に、図8(B)に示す第1金属層形成工程において、例えば、下地層61上にTaをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらにフォトリソグラフィ技術を用いてデータ線52の第1層52a、および第1金属層62などを同時に形成する。このとき、データ線52の第1層52aと第1金属層62とはブリッジ部69で繋がっている。
【0052】
次に、図8(C)に示す絶縁層形成工程において、データ線52の第1層52aを陽極として陽極酸化処理を行い、そのデータ線52の第1層52aの表面および第1金属層62の表面に絶縁膜である陽極酸化膜を一様な厚さで形成する。これにより、データ線52の第2層52bとなる絶縁膜が形成されるとともに、第1のTFD素子56aおよび第2のTFD素子56bの絶縁膜63が形成される。
【0053】
次に、図9(A)に示す第2金属層形成工程において、Crをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、データ線52の第3層52c、第1のTFD素子56aの第2金属層64a、および第2のTFD素子56bの第2金属層64bを形成すると共に、ブリッジ部69(図8を参照)を素子基板200から除去する。
【0054】
以上により、能動素子であるTFD素子56が形成される。
【0055】
次に、図9(B)に示す下地層除去工程において、画素電極66の形成予定領域の下地層61を除去した後、図9(C)に示す電極形成工程において、画素電極66を形成するためのITO膜をスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ技術により、1画素分の大きさに相当する所定形状の画素電極66(下層側導電膜)をその一部が第2金属層64bと重なるように形成する。これらの一連の工程により、図4および図5に示すTFD素子56および画素電極66が形成される。
【0056】
次に、本形態では、データ線52の電気的抵抗を下げるために、第3層52cの上層に、前記の実施の形態1と同様な方法により第4層57としてのアルミニウム膜を形成する(図7を参照)。
【0057】
それには、まず、図10(A)に示す保護用マスク形成工程において、フォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂により、ITO膜からなる画素電極66(第1の導電パターン)の全体を覆う保護用マスク3(保護膜)を形成する(保護用マスク形成工程)。
【0058】
次に、図10(B)に示す導電膜形成工程において、保護用マスク3の上層側に、データ線52の第4層57(第2の導電パターン)を構成するための導電膜4(アルミニウム膜/上層側導電膜)を形成する。
【0059】
次に、図11(A)に示すパターニング用マスク形成工程において、フォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂により、導電膜4の表面に、データ線52の第4層57(第2の導電パターン)を形成するためのパターニング用マスク5を形成する。
【0060】
次に、図11(B)に示すウエットエッチング工程においてに、パターニング用マスク5から露出している導電膜4をウエットエッチングによりパターニングしてデータ線52の第4層57(第2の導電パターン)を形成する。
【0061】
しかる後に、剥離工程において、パターニング用マスク5を除去するとともに、データ線52の第4層57から露出している保護用マスク3を同時に除去する。
【0062】
そして、図5に示すように、素子基板200の表面にポリイミド、ポリビニルアルコール等を一様な厚さに形成することによって配向膜59を形成した後、配向膜57に対してラビング処理その他の配向処理を行う。その結果、素子基板200が完成する。
【0063】
このようにして素子基板200を製造する際も、素子基板200は、エッチング液、パターニング用マスク5を形成するときのアルカリ系現像液、洗浄液などの処理液に浸漬されるが、本形態では、保護用マスク形成工程で画素電極66を覆うように保護用マスク3を形成したため、実施の形態1で説明したように、局部電池の影響によって電極電位的に卑な導電膜4が過エッチングされることはない。
【0064】
なお、素子基板200を製造する際、実施の形態2で説明した方法を採用した場合も、局部電池に起因する過エッチングを防止することができる。
【0065】
[その他の実施の形態]
上記形態では、アクティブ素子としてTFD素子を用いた電気光学装置100の素子基板200に対してデータ線52の第4層57を形成するのに本発明を適応したが、図12および図13を参照して以下に説明するいずれの電気光学装置においても、同一基板上に多数の導電パターンが形成されるので、これらの電気光学装置を製造するのに本発明を適用してもよい。
【0066】
図12は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT/ThinFilm Transistor))を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図13は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【0067】
図12に示すように、画素スイッチング素子としてTFTを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置1bでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素電極9aを制御するための画素スイッチング用のTFT30bが形成されており、画素信号を供給するデータ線6bが当該TFT30bのソースに電気的に接続されている。データ線6bに書き込む画素信号は、データ線駆動回路2bから供給される。また、TFT30bのゲートには走査線31bが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線31bにパルス的に走査信号が走査線駆動回路3bから供給される。画素電極9aは、TFT30bのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30bを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線6bから供給される画素信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極9aを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号は、対向基板(図省略)に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【0068】
ここで、保持された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極9aと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70b(キャパシタ)を付加することがある。この蓄積容量70bによって、画素電極9aの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量70bを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線32bとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線31bとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【0069】
図13に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置は、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するEL(エレクトロルミネッセンス)素子、またはLED(発光ダイオード)素子などの発光素子をTFTで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
【0070】
ここに示す電気光学装置100pでは、複数の走査線3pと、この走査線3pの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線6pと、これらのデータ線6pに並列する複数の共通給電線23pと、データ線6pと走査線3pとの交差点に対応する画素15pとが構成されている。データ線6pに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路101pが構成されている。走査線3pに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路104pが構成されている。
【0071】
また、画素15pの各々には、走査線3pを介して走査信号がゲート電極に供給される第1のTFT31pと、この第1のTFT31pを介してデータ線6pから供給される画像信号を保持する保持容量33pと、この保持容量33pによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第2のTFT32pと、第2のTFT32pを介して共通給電線23pに電気的に接続したときに共通給電線23pから駆動電流が流れ込む発光素子40pとが構成されている。
【0072】
ここで、発光素子40pは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極20pは、データ線6pなどを跨いで複数の画素15pにわたって形成されている。
【0073】
また、上述した実施形態以外にも、プラズマディスプレイ装置、FED(フィールドエミッションディスプレイ)装置、LED(発光ダイオード)表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)などの電気光学装置にも本発明を適用してもよい。さらに、電気光学装置に限らず、半導体装置の製造に本発明を適用してもよい。
【0074】
[電子機器への搭載例]
図14は、本形態の電気光学装置を搭載した電子機器の一例としての携帯電話の構成を示す斜視図である。
【0075】
図14において、携帯電話1400は、複数の操作ボタン1402のほか、受話口1404、送話口1406とともに、電気光学装置100を備えるものである。この電気光学装置100にも、必要に応じてその背面にバックライトが設けられる。
【0076】
なお、本形態の電気光学装置を搭載可能な電子機器としては、携帯電話機の他、モバイルコンピュータ、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)〜(F)は、本発明の実施の形態1に係る導電パターンの形成方法を示す説明図である。
【図2】(A)〜(F)は、本発明の実施の形態2に係る導電パターンの形成方法を示す説明図である。
【図3】本発明を適用した電気光学装置(液晶装置)の電気的構成を示すブロック図である。
【図4】図3に示す電気光学装置の構成を示す斜視図である。
【図5】図3に示す電気光学装置の構成を示す断面図である。
【図6】図3に示す電気光学装置において、TFD素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図である。
【図7】(A)、(B)は、図6のA−A’線に沿って示す断面図、およびTFD素子の斜視図である。
【図8】図3に示す電気光学装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程図である。
【図9】図3に示す電気光学装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程図である。
【図10】図3に示す電気光学装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程図である。
【図11】図3に示す電気光学装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程図である。
【図12】画素スイッチング素子として薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図13】電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【図14】本発明に係る電気光学装置を搭載した電子機器の一例たる携帯電話機の説明図である。
【図15】(A)〜(E)は、従来の導電パターンの形成方法を示す説明図である。
【符号の説明】
1 基板、2 第1の導電パターン(下層側導電膜)、3 保護用マスク(保護膜)、4 導電膜(上層側導電膜)、5 パターニング用マスク、6 第2の導電パターン
【発明の属する技術分野】
本発明は、同一の基板上に第1の導電パターンおよび第2の導電パターンを異なる導電材料で形成するための導電パターンの形成方法、この方法で導電パターンを形成した基板を電気光学物質の保持用に用いた電気光学装置の製造方法、この方法で製造した電気光学装置、および電子機器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
各種の電気光学装置や半導体装置などを製造する際には、半導体プロセスを利用して複数種類の導電パターンを同一基板上に順次形成していく。すなわち、図15(A)に示すように、基板1の表面に第1の導電パターン2(下層側導電膜)を形成した後、図15(B)に示すように、基板1の全面に第2の導電パターンを形成するための導電膜4(上層側導電膜)を形成する。次に、図15(C)に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、導電膜4の表面に第2の導電パターンを形成するためのパターニング用マスク5を形成した後、図15(D)に示すように、このパターニング用マスク5から露出している導電膜4をウエットエッチングによりパターニングして第2の導電パターン6を形成し、しかる後に、パターニング用マスク5を除去する剥離工程を行う。その結果、図15(E)に示すように、同一基板1上に、第1の導電パターン2と第2の導電パターン6とが異なる導電材料で形成される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
図15を参照して説明した導電パターン2、6の形成方法において、基板1は、導電膜4から第2の導電パターン6をウエットエッチングにより形成するときのエッチング液、パターニング用マスク5を形成するときの現像液、洗浄液などの処理液に浸漬されるが、導電膜4のピンホール、導電膜4の段差切れ、あるいはエッチングの進行などに起因して導電パターン2が処理液に接触すると、導電パターン2および導電膜4は、一部が接触した状態で双方が処理液に接することになる。その際、第1の導電パターン2を構成する導電材料と、第2の導電パターン6を構成する導電材料との間で電極電位の差が大きいと、局部電池の形成によって過度のエッチングが起こり、導電パターンを所望の形状、あるいは膜厚さに形成できないという問題点がある。例えば、第1の導電パターン2をITO膜で形成する一方、第2の導電パターン6をアルミニウム膜で形成すると、ITO膜は電極電位的には貴である一方、アルミニウム膜は電極電位的に卑であるにもかかわらず、双方が接触しているため、局部電池が形成される結果、アルミニウム膜が過度にエッチングされてしまい、第2の導電パターン6が小さく、あるいは薄くなってしまう。
【0004】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、電極電位が異なる2つの導電膜が少なくとも一部が重なり合って形成されている基板を処理液に接触させた場合でも、局部電池による過度の溶解が発生することを防止可能な導電パターンの形成方法、この方法で導電パターンを形成した基板を電気光学物質の保持用に用いた電気光学装置の製造方法、この方法で製造した電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る導電パターンの形成方法では、処理液中での電極電位が相違する下層側導電膜と上層側導電膜とが少なくとも一部が重なって形成されている基板を前記処理液と接触させる際には、前記下層側導電膜の前記上層側導電膜との層間に保護膜を形成しておくことを特徴とする。
【0006】
本発明では、処理液を基板に接触させる際、この処理液中での電極電位が相違する下層側導電膜と上層側導電膜とが少なくとも一部が重なって形成されているが、下層側導電膜の上層側導電膜との層間に保護膜が形成されているため、ピンホール、段差切れ、あるいはエッチングの進行などに起因して、下層側導電膜が処理液に接触した場合でも、下層側導電膜と上層側導電膜との間に局部電池が形成されない。すなわち、下層側導電膜と上層側導電膜とが接触した状態で、下層側導電膜および上層側導電膜の双方が処理液に接する状態を回避できる。従って、下層側導電膜および上層側導電膜に局部電池による過度の溶解が発生しないので、同一基板上に、異なる導電材料からなる導電パターンを所望の形状、あるいは膜厚さに形成することができる。
【0007】
本発明において、前記上層側導電膜は、例えば、当該上層側導電膜の表面にフォトリソグラフィ技術でパターニング用マスクを形成した状態でエッチングすることにより、前記下層側導電膜からなる第1の導電パターンから離間した位置に第2の導電パターンを形成するための導電膜であり、この場合、前記第1の導電パターンの表面側全体を覆い、かつ、前記第2の導電パターンの形成予定領域を避けた領域に前記保護膜を形成した後、前記上層側導電膜および前記パターニング用マスクを形成する。
【0008】
本発明において、前記上層側導電膜は、当該上層側導電膜の表面にフォトリソグラフィ技術でパターニング用マスクを形成した状態でエッチングすることにより、前記下層側導電膜からなる第1の導電パターンに一部が重なる第2の導電パターンを形成するための導電膜であってもよく、この場合、前記第1の導電パターンの表面側のうち、前記第2の導電パターンの形成予定領域を避けた領域に前記保護膜を形成した後、前記上層側導電膜および前記パターニング用マスクを形成する。
【0009】
本発明において、前記処理液は、前記上層側導電膜から前記第2の導電パターンをウエットエッチングにより形成するときのエッチング液、前記パターニング用マスクを形成するときの現像液、あるいは洗浄液である。
【0010】
本発明において、前記保護膜および前記パターニング用マスクは、いずれも感光性樹脂からなり、この場合、前記上層側導電膜に対するエッチング工程の後、前記パターニング用マスクを除去する剥離工程では、前記保護膜を同時に除去することが好ましい。
【0011】
本発明に係る導電パターンの形成方法を用いて導電パターンを形成した前記基板については、例えば、電気光学装置の製造方法において、電気光学物質を保持する電気光学装置用基板として用いる。
【0012】
本発明において、前記第1の導電パターンおよび前記第2の導電パターンのうちの一方の導電パターンはITO膜からなり、他方の導電パターンは金属膜からなる。このような金属膜は、例えば、アルミニウム膜あるいはその合金膜である。
【0013】
本発明において、前記電気光学物質は、前記電気光学装置用基板と、該電気光学装置用基板に対向配置された基板との間に保持された液晶である。
【0014】
また、本発明は、前記電気光学物質としてのエレクトロルミネッセンス材料が前記電気光学装置用基板上に形成された電気光学装置を製造する際にも適用することができる。
【0015】
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機、モバイルコンピュータなどの電子機器に搭載される。
【0016】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【0017】
[実施の形態1]
図1(A)〜(F)は、本発明の実施の形態1に係る導電パターンの形成方法を示す説明図であり、各図の右側には平面図を示し、左側には断面図を示してある。
【0018】
本形態では、まず、図1(A)に示すように、成膜工程、フォトリソグラフィ工程、およびエッチング工程によって、基板1の表面に、例えばITO膜などからなる第1の導電パターン2(下層側導電膜)を形成した後(下層側導電膜形成工程)、図1(B)に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂により、第1の導電パターン2全体を覆う保護用マスク3(保護膜)を形成する(保護膜形成工程)。ここで、保護用マスク3は、第1の導電パターン2の表面側全体を覆い、かつ、後述する第2の導電パターンの形成予定領域を避けた領域に形成する。
【0019】
次に、図1(C)に示すように、保護用マスク3の上層側に対して、基板1の表面全体に、例えば、アルミニウム膜からなる第2の導電パターンを形成するための導電膜4(上層側導電膜)を形成する(上層側導電膜形成工程)。
【0020】
次に、図1(D)に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂により、導電膜4の表面に第2の導電パターンを形成するためのパターニング用マスク5を形成する(パターニング用マスク形成工程)。
【0021】
次に、図1(E)に示すように、パターニング用マスク5から露出している導電膜4をウエットエッチングによりパターニングして第2の導電パターン6を形成した後、洗浄する(ウエットエッチング工程)。
【0022】
次に、図1(F)に示すように、有機系の剥離液を用いてパターニング用マスク5を除去した後、洗浄する(剥離工程)。その際、保護用マスク3は、第1の導電パターン2の表面側全体を覆い、かつ、第2の導電パターン6の形成領域を避けた領域に形成してあるので、第2の導電パターン6から露出している保護用マスク3を同時に除去することができる。その結果、基板1には、ITO膜からなる第1の導電パターン2と、アルミニウム膜からなる第2の導電パターン6とを離間した位置に形成することができる。
【0023】
このようにして第1の導電パターン2、および第2の導電パターン6を形成する際、基板1は、導電膜4から第2の導電パターン6をウエットエッチングにより形成するときのエッチング液、パターニング用マスク5を形成するときのアルカリ系現像液、洗浄液などの処理液に浸漬される。その際、基板1上には、第1の導電パターン2(下層側導電膜)に対して導電膜4が重なった状態にあるが、第1の導電パターン2と導電膜4の層間に保護マスク3が形成されており、第1の導電パターン2と導電膜4とは、直接、接触してはいない。それ故、導電膜4のピンホール、導電膜4の段差切れ、導電膜4に対するエッチングの進行などによって下地が露出した場合でも、第1の導電パターン2と導電膜4とが接触した状態で第1の導電パターン2および導電膜4の双方が処理液に接する状態を回避できる。従って、処理液中で第1の導電パターン2を構成するITO膜と、導電膜4を構成するアルミニウム膜との間で電極電位に大きな差があったとしても、第1の導電パターン2と導電膜4との間に局部電池が形成されないので、電極電位的に卑な導電膜4(アルミニウム膜)が過エッチングされることはない。また、エッチング工程の後、洗浄液に基板1が浸漬されても、第1の導電パターン2と第2の導電パターン6が離間しているので、局部電池が形成されない。それ故、第2の導電パターン6を所望の形状、および厚さに形成することができる。
【0024】
また、本形態では、保護用マスク3およびパターニング用マスク5がいずれも、感光性樹脂からなるので、パターニング用マスク5を除去する剥離工程において、第2の導電パターン6から露出している保護用マスク3を同時に除去する。従って、2つのマスクを除去するための工程が1回で済むという利点がある。
【0025】
[実施の形態2]
実施の形態1では、第1の導電パターン2と第2の導電パターン6とが平面的に離間した位置に形成されていたが、以下に説明するように、第1の導電パターン2と第2の導電パターン6とが部分的に重なる場合にも本発明を適用することができる。
【0026】
図2(A)〜(F)は、本発明の実施の形態2に係る導電パターンの形成方法を示す説明図であり、各図の右側には平面図を示し、左側には断面図を示してある。
【0027】
本形態では、まず、図2(A)に示すように、成膜工程、フォトリソグラフィ工程、およびエッチング工程によって、基板1の表面に、例えば、ITO膜からなる第1の導電パターン2(下層側導電膜)を形成した後、図2(B)に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂により、第1の導電パターン2を部分的に覆う保護用マスク3を形成する(保護用マスク形成工程)。すなわち、第1の導電パターン2の表面側のうち、後述する第2の導電パターンの形成予定領域を避けた領域に保護用マスク3を形成する。
【0028】
次に、図2(C)に示すように、保護用マスク3の上層側に対して、基板1の表面全体に、例えば、アルミニウム膜からなる第2の導電パターンを形成するための導電膜4(上層側導電膜)を形成する(上層側導電膜形成工程)。
【0029】
次に、図2(D)に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂により、導電膜4の表面に第2の導電パターンを形成するためのパターニング用マスク5を形成する(パターニング用マスク形成工程)。この際、第1の導電パターン2の一部と平面的に重なるようにパターニング用マスク5を形成する。
【0030】
次に、図2(E)に示すように、パターニング用マスク5から露出している導電膜4をウエットエッチングによりパターニングして第2の導電パターン6を形成する(ウエットエッチング工程)。
【0031】
次に、図2(F)に示すように、パターニング用マスク5を除去する(剥離工程)。その際、保護用マスク3は、第1の導電パターン2の表面側のうち、第2の導電パターン6の形成予定領域を避けた領域に形成してあるので、第2の導電パターン6から露出している保護用マスク3を同時に除去することができる。その結果、基板1には、ITO膜からなる第1の導電パターン2と、アルミニウム膜からなる第2の導電パターン6とを一部重ねて形成することができる。
【0032】
このようにして第1の導電パターン2、および第2の導電パターン6を形成する際、基板1は、導電膜4から第2の導電パターン6をウエットエッチングにより形成するときのエッチング液、パターニング用マスク5を形成するときのアルカリ系現像液、洗浄液などの処理液に浸漬される。その際、基板1上には、第1の導電パターン2(下層側導電膜)に対して導電膜4が重なった状態にあるが、第1の導電パターン2と導電膜4の層間に保護マスク3が形成されており、第1の導電パターン2と導電膜4とは、部分的にしか接触してはいない。それ故、導電膜4のピンホール、導電膜4の段差切れ、導電膜4に対するエッチングの進行などによって下地が露出したとしても、この露出部分が保護マスク3が形成されている領域である限り、第1の導電パターン2と導電膜4とが接触した状態で第1の導電パターン2および導電膜4の双方が処理液に接する状態を回避できる。従って、第1の導電パターン2と導電膜4との間に局部電池が形成されない。従って、電極電位的に卑な導電膜4(アルミニウム膜)が過エッチングされることはないので、第2の導電パターン6を所望の形状、および厚さに形成することができる。
【0033】
また、本形態でも、実施の形態1と同様、保護用マスク3およびパターニング用マスク5がいずれも、感光性樹脂からなるので、パターニング用マスク5を除去する剥離工程において、第2の導電パターン6から露出している保護用マスク3を同時に除去する。従って、2つのマスクを除去するための工程が1回で済むという利点がある。
【0034】
[電気光学装置への適用例]
(全体構成)
図3は、本発明が適用される電気光学装置(液晶装置)の電気的構成を示すブロック図である。図4および図5はそれぞれ、電気光学装置の構成を示す斜視図、および断面図である。図6は、電気光学装置において、TFD(Thin Film Diod)素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図であり、図7(A)、(B)はそれぞれ、そのA−A’線に沿って示す断面図、およびTFD素子の斜視図である。
【0035】
図3に示すように、本形態の電気光学装置100では、複数本の走査線51が行(X)方向に延在して形成され、また、複数本のデータ線52が列(Y)方向に延在して形成されるとともに、走査線51とデータ線52との各交差において画素53が形成されている。各画素53は、液晶表示要素(液晶層)54と二端子型アクティブ素子たるTFD素子56との直列接続からなり、液晶層54が走査線51の側に、TFD素子56がデータ線52の側に、それぞれ接続されている。また、各走査線51は、走査線駆動回路57によって駆動される一方、各データ線52は、データ線駆動回路58によって駆動される構成となっている。
【0036】
このような電気光学装置100は、図4に示すように、一対の透光性基板を有し、そのうちの一方の基板は、アクティブ素子が形成された素子側基板200であり、他方の基板は、素子側基板200に対向する対向基板300である。ここで、電気光学装置100では、COG(Chip On Glass)技術により、素子側基板200の表面に直接、液晶駆動用IC(ドライバ)250が実装されて、液晶駆動用IC250の各出力端子が、データ線51のそれぞれに接続されている。同様に、対向基板300の表面にも直接、液晶駆動用IC350が実装されて、液晶駆動用IC350の各出力端子が、走査線51のそれぞれに接続されている。
【0037】
なお、COG技術に限られず、それ以外の技術を用いて、ICチップと液晶装置とが接続された構成としても良い。例えば、TAB(Tape Automated Bonding)技術を用いて、FPC(Flexible Printed Circuit)の上にICチップがボンディングされたTCP(Tape Carrier Package)を電気光学装置に電気的に接続する構成としても良い。また、ICチップをハード基板にボンディングするCOB(Chip On Board)技術を用いても良い。
【0038】
素子側基板200の内側表面には、図5および図6に示されるように、複数本のデータ線52と、それらのデータ線52に接続される複数のTFD素子56と、TFD素子56と1対1に接続される画素電極66とが形成されている。ここで、各データ線52は、図5において紙面に対して垂直方向に延在して形成される一方、TFD素子56および画素電極66は、ドットマトリクス状に配列している。そして、画素電極66などの表面には、一軸配向処理、例えばラビング処理が施された配向膜59が形成されている。
【0039】
図5に示すように、対向基板300の内側表面には、カラーフィルタ308が形成されて、「R」、「G」、「B」の3色の着色層を構成している。なお、これら3色の着色層の隙間には、ブラックマトリクス309が形成されて、着色層の隙間からの入射光を遮蔽する構成となっている。カラーフィルタ308およびブラックマトリクス309の表面にはオーバーコート層310が形成され、さらに、その表面には、走査線51として機能する対向電極312が、データ線212と直交する方向に形成されている。さらに、対向電極312の表面には、ラビング処理が施された配向膜314が形成されている。なお、配向膜59、314は、一般にポリイミド等から形成される。
【0040】
素子側基板200と対向基板300とは、スペーサ(図示省略)を含むシール材104によって一定の間隙を保って接合されるとともに、この間隙に、液晶105が封入された構成となっている。また、素子側基板200の外側表面には、配向膜59へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板317が貼着されている。これに対して、対向基板300の外側表面には、配向膜314へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板217が貼着されている。
【0041】
図6および図7において、TFD素子56は、素子基板200の表面に成膜された下地層61の上に形成された第1のTFD素子56a、および第2のTFD素子56bからなる2つのTFD素子要素によって、いわゆるBack−to−Back構造として構成されている。このため、TFD素子56は、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地層61は、例えば、厚さが50〜200nm程度の酸化タンタル(Ta2O5)によって構成されている。
【0042】
第1のTFD素子56a、および第2のTFD素子56bは、第1金属層62と、この第1金属層62の表面に形成された絶縁膜63と、絶縁膜63の表面に互いに離間して形成された第2金属層64a、64bとによって構成されている。第1金属層62は、例えば、厚さが100〜500nm程度のTa単体膜、Ta合金膜等によって形成され、絶縁膜63は、例えば、陽極酸化法によって第1金属層62の表面を酸化することによって形成された厚さが10〜35nmの酸化タンタル(Ta2O5)である。
【0043】
第2金属層64a、64bは、例えばクロム(Cr)等といった金属膜によって50〜300nm程度の厚さに形成されている。第2金属層64aは、そのままデータ線52の第3層52cとなり、他方の第2金属層64bは、ITO(Indium Tin Oxide)等といった透明導電材からなる画素電極66に接続されている。
【0044】
ここで、本形態では、データ線52の電気的抵抗を下げるために、第3層52cの上層には、さらに第4層57としてのアルミニウム膜が形成されている。
【0045】
なお、画素電極66は、透過型として用いられる場合には、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明性金属膜から形成される一方、反射型として用いられる場合には、銀などの反射率の大きな反射性金属膜から形成される。なお、画素電極66は、反射型であってもITOなどの透明性金属から形成される場合もある。この場合には、反射層としての反射性金属が形成された後に直接、あるいはカラーフィルタ層を介して、透明性金属からなる画素電極66が形成される。一方、半透過・半反射型として用いられる場合には、反射層を極く薄く形成して半透過鏡とするか、あるいは、スリットが設けられる構成となる。
【0046】
また、素子基板200自体は、例えば、石英やガラスなどの絶縁性を有するものが用いられる。なお、透過型として用いる場合には、透明であることも素子基板200の要件となるが、反射型として用いる場合には、透明であることが要件にならない。また、図7において、素子基板200の表面に下地層61が設けられる理由は、熱処理により、第1金属膜62が下地から剥離しないようにするとともに、第1金属膜62に不純物が拡散しないようにするためである。したがって、これが問題とならない場合には、下地層61は省略可能である。
【0047】
なお、TFD素子56は、ダイオード素子としての一例であり、他に、酸化亜鉛(ZnO)バリスタや、MSI(Metal Semi Insulator)などを用いた素子や、これらの素子を、単体、または、逆向きに直列接続もしくは並列接続したものなどが適用可能である。
【0048】
(電気光学装置の製造方法)
図8ないし図11を参照して、本形態の電気光学装置の製造工程のうち、素子基板200の製造工程を説明する。
【0049】
図8、図9、図10および図11はそれぞれ、図4および5に示す素子基板200の製造方法を示す工程図である。なお、素子基板200を製造する場合、通常は、各電気光学装置100のサイズに応じた単品の基板を複数枚、多数取りできる大型の元基板の状態でTFD素子56などの各要素の形成を行うが、以下の説明では、単品の基板と元基板とを区別せず、素子基板200と称する。
【0050】
まず、図8(A)に示す下地層形成工程において、素子基板200の表面にTa酸化物、例えば、Ta2O5を一様な厚さに成膜して下地層61を形成する。
【0051】
次に、図8(B)に示す第1金属層形成工程において、例えば、下地層61上にTaをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらにフォトリソグラフィ技術を用いてデータ線52の第1層52a、および第1金属層62などを同時に形成する。このとき、データ線52の第1層52aと第1金属層62とはブリッジ部69で繋がっている。
【0052】
次に、図8(C)に示す絶縁層形成工程において、データ線52の第1層52aを陽極として陽極酸化処理を行い、そのデータ線52の第1層52aの表面および第1金属層62の表面に絶縁膜である陽極酸化膜を一様な厚さで形成する。これにより、データ線52の第2層52bとなる絶縁膜が形成されるとともに、第1のTFD素子56aおよび第2のTFD素子56bの絶縁膜63が形成される。
【0053】
次に、図9(A)に示す第2金属層形成工程において、Crをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、データ線52の第3層52c、第1のTFD素子56aの第2金属層64a、および第2のTFD素子56bの第2金属層64bを形成すると共に、ブリッジ部69(図8を参照)を素子基板200から除去する。
【0054】
以上により、能動素子であるTFD素子56が形成される。
【0055】
次に、図9(B)に示す下地層除去工程において、画素電極66の形成予定領域の下地層61を除去した後、図9(C)に示す電極形成工程において、画素電極66を形成するためのITO膜をスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ技術により、1画素分の大きさに相当する所定形状の画素電極66(下層側導電膜)をその一部が第2金属層64bと重なるように形成する。これらの一連の工程により、図4および図5に示すTFD素子56および画素電極66が形成される。
【0056】
次に、本形態では、データ線52の電気的抵抗を下げるために、第3層52cの上層に、前記の実施の形態1と同様な方法により第4層57としてのアルミニウム膜を形成する(図7を参照)。
【0057】
それには、まず、図10(A)に示す保護用マスク形成工程において、フォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂により、ITO膜からなる画素電極66(第1の導電パターン)の全体を覆う保護用マスク3(保護膜)を形成する(保護用マスク形成工程)。
【0058】
次に、図10(B)に示す導電膜形成工程において、保護用マスク3の上層側に、データ線52の第4層57(第2の導電パターン)を構成するための導電膜4(アルミニウム膜/上層側導電膜)を形成する。
【0059】
次に、図11(A)に示すパターニング用マスク形成工程において、フォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂により、導電膜4の表面に、データ線52の第4層57(第2の導電パターン)を形成するためのパターニング用マスク5を形成する。
【0060】
次に、図11(B)に示すウエットエッチング工程においてに、パターニング用マスク5から露出している導電膜4をウエットエッチングによりパターニングしてデータ線52の第4層57(第2の導電パターン)を形成する。
【0061】
しかる後に、剥離工程において、パターニング用マスク5を除去するとともに、データ線52の第4層57から露出している保護用マスク3を同時に除去する。
【0062】
そして、図5に示すように、素子基板200の表面にポリイミド、ポリビニルアルコール等を一様な厚さに形成することによって配向膜59を形成した後、配向膜57に対してラビング処理その他の配向処理を行う。その結果、素子基板200が完成する。
【0063】
このようにして素子基板200を製造する際も、素子基板200は、エッチング液、パターニング用マスク5を形成するときのアルカリ系現像液、洗浄液などの処理液に浸漬されるが、本形態では、保護用マスク形成工程で画素電極66を覆うように保護用マスク3を形成したため、実施の形態1で説明したように、局部電池の影響によって電極電位的に卑な導電膜4が過エッチングされることはない。
【0064】
なお、素子基板200を製造する際、実施の形態2で説明した方法を採用した場合も、局部電池に起因する過エッチングを防止することができる。
【0065】
[その他の実施の形態]
上記形態では、アクティブ素子としてTFD素子を用いた電気光学装置100の素子基板200に対してデータ線52の第4層57を形成するのに本発明を適応したが、図12および図13を参照して以下に説明するいずれの電気光学装置においても、同一基板上に多数の導電パターンが形成されるので、これらの電気光学装置を製造するのに本発明を適用してもよい。
【0066】
図12は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT/ThinFilm Transistor))を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図13は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【0067】
図12に示すように、画素スイッチング素子としてTFTを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置1bでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素電極9aを制御するための画素スイッチング用のTFT30bが形成されており、画素信号を供給するデータ線6bが当該TFT30bのソースに電気的に接続されている。データ線6bに書き込む画素信号は、データ線駆動回路2bから供給される。また、TFT30bのゲートには走査線31bが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線31bにパルス的に走査信号が走査線駆動回路3bから供給される。画素電極9aは、TFT30bのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30bを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線6bから供給される画素信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極9aを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号は、対向基板(図省略)に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【0068】
ここで、保持された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極9aと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70b(キャパシタ)を付加することがある。この蓄積容量70bによって、画素電極9aの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量70bを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線32bとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線31bとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【0069】
図13に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置は、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するEL(エレクトロルミネッセンス)素子、またはLED(発光ダイオード)素子などの発光素子をTFTで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
【0070】
ここに示す電気光学装置100pでは、複数の走査線3pと、この走査線3pの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線6pと、これらのデータ線6pに並列する複数の共通給電線23pと、データ線6pと走査線3pとの交差点に対応する画素15pとが構成されている。データ線6pに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路101pが構成されている。走査線3pに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路104pが構成されている。
【0071】
また、画素15pの各々には、走査線3pを介して走査信号がゲート電極に供給される第1のTFT31pと、この第1のTFT31pを介してデータ線6pから供給される画像信号を保持する保持容量33pと、この保持容量33pによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第2のTFT32pと、第2のTFT32pを介して共通給電線23pに電気的に接続したときに共通給電線23pから駆動電流が流れ込む発光素子40pとが構成されている。
【0072】
ここで、発光素子40pは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極20pは、データ線6pなどを跨いで複数の画素15pにわたって形成されている。
【0073】
また、上述した実施形態以外にも、プラズマディスプレイ装置、FED(フィールドエミッションディスプレイ)装置、LED(発光ダイオード)表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)などの電気光学装置にも本発明を適用してもよい。さらに、電気光学装置に限らず、半導体装置の製造に本発明を適用してもよい。
【0074】
[電子機器への搭載例]
図14は、本形態の電気光学装置を搭載した電子機器の一例としての携帯電話の構成を示す斜視図である。
【0075】
図14において、携帯電話1400は、複数の操作ボタン1402のほか、受話口1404、送話口1406とともに、電気光学装置100を備えるものである。この電気光学装置100にも、必要に応じてその背面にバックライトが設けられる。
【0076】
なお、本形態の電気光学装置を搭載可能な電子機器としては、携帯電話機の他、モバイルコンピュータ、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)〜(F)は、本発明の実施の形態1に係る導電パターンの形成方法を示す説明図である。
【図2】(A)〜(F)は、本発明の実施の形態2に係る導電パターンの形成方法を示す説明図である。
【図3】本発明を適用した電気光学装置(液晶装置)の電気的構成を示すブロック図である。
【図4】図3に示す電気光学装置の構成を示す斜視図である。
【図5】図3に示す電気光学装置の構成を示す断面図である。
【図6】図3に示す電気光学装置において、TFD素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図である。
【図7】(A)、(B)は、図6のA−A’線に沿って示す断面図、およびTFD素子の斜視図である。
【図8】図3に示す電気光学装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程図である。
【図9】図3に示す電気光学装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程図である。
【図10】図3に示す電気光学装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程図である。
【図11】図3に示す電気光学装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程図である。
【図12】画素スイッチング素子として薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図13】電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【図14】本発明に係る電気光学装置を搭載した電子機器の一例たる携帯電話機の説明図である。
【図15】(A)〜(E)は、従来の導電パターンの形成方法を示す説明図である。
【符号の説明】
1 基板、2 第1の導電パターン(下層側導電膜)、3 保護用マスク(保護膜)、4 導電膜(上層側導電膜)、5 パターニング用マスク、6 第2の導電パターン
Claims (12)
- 処理液中での電極電位が相違する下層側導電膜と上層側導電膜とが少なくとも一部が重なって形成されている基板を前記処理液と接触させる際、前記下層側導電膜と前記上層側導電膜との層間に保護膜を形成しておくことを特徴とする導電パターンの形成方法。
- 請求項1において、前記上層側導電膜は、当該上層側導電膜の表面にフォトリソグラフィ技術でパターニング用マスクを形成した状態でエッチングすることにより、前記下層側導電膜からなる第1の導電パターンから離間した位置に第2の導電パターンを形成するための導電膜であり、
前記第1の導電パターンの表面側全体を覆い、かつ、前記第2の導電パターンの形成予定領域を避けた領域に前記保護膜を形成した後、前記上層側導電膜および前記パターニング用マスクを形成することを特徴とする導電パターンの形成方法。 - 請求項1において、前記上層側導電膜は、当該上層側導電膜の表面にフォトリソグラフィ技術でパターニング用マスクを形成した状態でエッチングすることにより、前記下層側導電膜からなる第1の導電パターンに一部が重なる第2の導電パターンを形成するための導電膜であり、
前記第1の導電パターンの表面側のうち、前記第2の導電パターンの形成予定領域を避けた領域に前記保護膜を形成した後、前記上層側導電膜および前記パターニング用マスクを形成することを特徴とする導電パターンの形成方法。 - 請求項2または3において、前記処理液は、前記上層側導電膜をウエットエッチングして前記第2の導電パターンを形成するときのエッチング液、前記パターニング用マスクを形成するときの現像液、あるいは洗浄液であることを特徴とする導電パターンの形成方法。
- 請求項2ないし4のいずれかにおいて、前記保護膜および前記パターニング用マスクは、いずれも感光性樹脂からなり、
前記上層側導電膜に対するエッチング工程の後、前記パターニング用マスクを除去する剥離工程では、前記保護膜を同時に除去することを特徴とする導電パターンの形成方法。 - 請求項1ないし5のいずれかに規定する導電パターンの形成方法を用いて導電パターンを形成した前記基板を電気光学物質を保持する電気光学装置用基板として用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項6において、前記下層側導電膜および前記上層側導電膜のうちの一方の導電膜はITO膜からなり、他方の導電膜は金属膜からなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項7において、前記他方の導電膜は、アルミニウム膜あるいはその合金膜からなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項6ないし8のいずれかに規定する方法で製造したことを特徴とする電気光学装置。
- 請求項9において、前記電気光学物質は、前記電気光学装置用基板と、該電気光学装置用基板に対向配置された基板との間に保持された液晶であることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項9において、前記電気光学物質は、前記電気光学装置用基板上に形成されたエレクトロルミネッセンス材料であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項9ないし11のいずれかに規定された電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
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