TWI413842B - 平面顯示裝置與用於製造此裝置之方法 - Google Patents

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Description

平面顯示裝置與用於製造此裝置之方法
本發明涉及一種平面顯示裝置，尤其涉及一種具有用於獲得電容量以及增強反射率的一結構的平面顯示裝置，以提高圖像品質。
一般情況下，一平面顯示裝置藉由一資訊處理設備將電子格式的資料經過處理後轉換為一圖像。
代表性的平面顯示裝置的例子包括液晶顯示(LCD)裝置，有機電致發光顯示裝置，電漿顯示面板(PDPs)，以及電泳裝置。
一LCD裝置利用液晶進行圖像的顯示。一有機電致發光顯示裝置利用一有機發光層進行圖像顯示。一PDP裝置利用電漿進行圖像顯示。一電泳裝置利用帶電粒子反射或者吸收光的效果進行圖像顯示。
現有技術中的一電泳裝置包括：一基板，一像素電極，一墨水層以及一公用電極。所述像素電極設置在基板上的一矩陣配置內，並且所述墨水層作為一薄膜附著在像素電極上。所述墨水層包括奈米大小的帶電粒子。所述帶電粒子包括黑色帶電粒子或者白色帶電粒子。所述公用電極設置在墨水層上。
然而，對於高解析度和大尺寸的電泳裝置，相較於現有技術中的結構所提供的電容量，每個像素區域可能需要更大的電容量。另外，對於電泳裝置中更高品質的螢幕需求已經提高。
因此，本發明針對一種平面顯示裝置及其製造此裝置的方法，完全避免了由於現有技術中的侷限和不足而導致的一個或多個問題。
本發明的一個優點是提供一種平面顯示裝置，在此平面顯示裝置內，延伸設置於平面顯示裝置的每個像素區域內的像素電極，從而所述像素電極覆蓋設置於每個像素區域內的一對應資料線和一對應閘線，以確保每個 像素區域內的電容，並提升反射率以提高圖像品質，以及用於製造此平面顯示裝置的一種方法。
本發明的另一個優點是提供一種平面顯示裝置，即使在平面顯示裝置的週邊區域內亦可設置一電極，以減少在平面顯示裝置和一殼體的裝配過程中產生的缺陷，以及用於製造此平面顯示裝置的方法。
對於本發明額外的優點、目的和特點將在隨後的描述中闡明，以及部分內容將從描述中顯而易見，或者可以藉由實施本發明瞭解。本發明的目的和其他優點將藉由特別在描述中指出的結構和在此的申請專利範圍以及所附附圖說明理解和獲得。
為了獲得符合本發明目的此些或者其他優勢，如同此處廣泛而具體所述地，本發明提供了一種平面顯示裝置包括：一基板，分為用於顯示一圖像的活性區域和不能顯示圖像的一週邊區域；一閘線，與一資料線相交從而在活性區域內定義出一像素區域；一薄膜電晶體，位於靠近閘線和資料線相交處的一區域內。
一第一公用電極位於像素區域內；一儲存電極在第一公用電極上，用於提供儲存電容；一像素電極與儲存電極電性連接並與像素區域、資料線和閘線重疊；以及一墨水薄膜覆蓋活性區域和週邊區域，並具有包含帶電粒子的微膠囊。
對於本發明的另一個特點，提供了一種用於製造一平面顯示裝置的方法，該方法包括：提供一基板，該基板分為一活性區域、一週邊區域以及一焊墊區域；在基板上形成一金屬層，並且利用一含有一遮罩的光刻法形成一閘極、一公用電極、一閘線、一公用線以及一閘墊；在含有閘極的基板上形成一閘絕緣層、一非晶矽層、一摻雜非晶矽層以及另一金屬層，並在一薄膜電晶體區域內利用一含有繞射遮罩和半階遮罩其中之一的光刻法形成一通道層、源極和汲極、一儲存電極、一資料線以及一資料墊；在含有源極和汲極的基板上形成一第一鈍化層、一電介質層、以及一第二鈍化層，並且當在一儲存電極區域內形成一接觸孔時，移除與閘墊和資料墊對應部分的電介質層；以及在含有接觸孔的基板上形成一透明傳導材料，以 及利用一含有一遮罩的光刻法形成一像素電極、一閘墊電極以及一資料墊電極。
可以瞭解到以上對於本發明的大概描述和以下對於本發明的詳細描述具有實例性和解釋性，並且將要對本發明的實施例提供作為申請專利範圍的進一步解釋。
在下面詳細的描述中，將配合以下參考圖式及元件符號對本發明的實施方式做更詳細的說明。相同的參考符號將用於代表不同附圖內的相同或者相近似的部件。在實施例的描述中，對於現有技術中的功能或者結構的詳細說明將省略，而不會模糊實施例的主要內容。
另外，在下列的描述中，可以瞭解到當一層(或者一薄膜)、區域、圖案、或者結構指代為處於另一層(或者薄膜)、區域、圖案或者結構之上/上面/上方時，其可為直接在另一層(或者薄膜)、區域、圖案、或者結構之上，或者亦可存在仲介層(或者薄膜)、區域、圖案、或者結構。而且，可以瞭解到當一層(或者一薄膜)、區域、圖案、或者結構指代為處於另一層下面/下方，其可為直接在另一層(或者薄膜)、區域、圖案、或者結構的下面/下方，並且亦可存在一個或一個以上的仲介層(或者薄膜)、區域、圖案、或者結構。因此，之上/上面/上方/下面/下方的含義將藉由本發明的精神進行判斷。
圖1A為本發明實施例中的一平面顯示裝置的平面示意圖，圖1B為圖1A中的區域A的放大示意圖。
參考圖1A和圖1B，利用一電泳方法驅動的平面顯示裝置100包括：一活性區域AR、一週邊區域PR、一閘墊區域GPR、以及一資料墊區域DPR。提供一閘墊GP和一資料墊DP。
參考圖1B，所述活性區域AR和所述週邊區域PR中的每一個都分為複數個像素區域。每個像素區域都包括一公用電極，一儲存電極，以及一像素電極。用於驅動像素區域的資料線DL1、DL2、...、和DLm，以及閘線GL1、GL2、...、和GLn延伸至週邊區域PR的外部區圍塊內。靜電放 電(ESD)電路分別形成在資料線DL1、DL2、...、和DLm，以及閘線GL1、GL2、...、和GLn的邊緣區域。所有的ESD電路共同地連接至一ESD線。公用線Vcom1、Vcom2、...、Vcomn在閘線GL1、GL2、...、和GLn間延伸，並共同連接至一Vcom供電線。
在所述活性區域內，資料信號藉由資料線DL1、DL2、...、和DLm提供至各個像素區域，以顯示出一圖像。資料信號在一預定時間內持續地經由資料線DL1、DL2、...、和DLm提供至週邊區域PR，以實現預定亮度，例如，可以與接收和保護平面顯示裝置的一殼體(圖中未示)形成最自然調和的亮度。舉例來說，所述預定亮度可以為黑色、白色以及灰色亮度中的其中之一。當平面顯示裝置的週邊區域PR在平面顯示裝置與殼體的裝配過程中曝露出來時，使用者不希望出現顯示圖像的所述週邊區域可能會進入使用者的視野範圍內。所述週邊區域PR所實現的預定亮度與殼體的亮度相同或相近似，以減少在平面顯示裝置與殼體的裝配過程中產生的缺陷。意即，由於所述週邊區域PR連續不斷地實現預定的亮度，則週邊區域PR可以用作一普通液晶顯示(LCD)裝置的一外部黑色矩陣的功能，以減少殼體上可見的裝配缺陷。
另外，如附圖所示，像素電極個別地形成在活性區域內的每一個像素區域，但一假像素電極集成地形成在活性區域周圍的週邊區域內的像素區域內(參考圖2)。
如圖1B所示，ESD電路已經提供給資料線DL1、DL2、...、和DLm，以及閘線GL1、GL2、...、和GLn。然而，ESD電路尚未提供給公用線Vcom1、Vcom2、...、和Vcom。當所述ESD電路藉由Vcom供電線連接為一閉合迴路時，供應至公用線上的電壓位準下降或失真。
因此，所述ESD電路提供給各個資料線DL1、DL2、...、和DLm以及閘線GL1、GL2、...、和GLn，並連接為一閉合迴路。然而，所述ESD電路並未提供給公用線Vcom1、Vcom2、...、和Vcom，且連接成其中Vcom供電線為開路的結構。
圖2為根據本發明實施例中一平面顯示裝置的週邊區域和活性區域的像素結構的一平面示意圖，以及圖3為圖2中沿線I－I’的剖面示意圖。
參考圖2和圖3，複數個像素區域定義在活性區域AR內。如圖2所示，一閘線101和一資料線103在每個像素區域內彼此相交排列，從而定義一單元像素區域。一薄膜電晶體(TFT)，其為一轉換裝置，設置在閘線101和資料線103彼此相交的區域內。自TFT的一汲極120延伸出的一第一公用電極108a、儲存電極120a以及像素電極150都設置在像素區域內部，從而彼此互相重疊。所述第一公用電極108a自與閘線101平行的一公用線108分支出來，進而延伸穿過像素區域。
所述公用線108具有一結構，其寬度為在所述公用線與資料線103相交的一區域內變窄。這個變窄的結構用於防止與公用線108相交的資料線103被切斷。另外，一預定閘線突起形成在閘線101與資料線103相交的一區域內，以防止資料線103在形成於閘線101上之時被切斷。如圖4A所示，所述預定突起自閘線的一下部往一方向延伸，此方向與閘極111自閘線延伸的方向相反。
為了使利用電泳方法進行驅動之平面顯示裝置能夠在一長時間中持續保持一影格恆定，像素區域的一儲存電容值勢必為大電容值。因此，第一公用電極108a和儲存電極120a延伸出一定範圍用以確保像素區域有足夠的儲存電容量。即，所述儲存電極120a和第一公用電極108a形成以佔用大量的像素區域。
另外，由於利用電泳方法驅動的平面顯示裝置與其他平面顯示裝置相比使用一高驅動電壓，因此提供一大尺寸TFT。即，為了在一高驅動電壓中操作，提供具有寬度為W的寬通道和長度為L的長通道的一TFT(在一TFT區域內的虛線內顯示)。在利用電泳方法驅動的平面顯示裝置中，當形成的一像素電極沒有如現有技術中的LCD裝置與一TFT重疊時，反射率降低而導致圖像品質亦降低。然而，當形成的一像素電極如現有技術中的LCD裝置與一TFT重疊時，LCD的液晶受TFT的通道電壓以及像素電極導致的異常驅動，也因此降低了圖像品質。此異常驅動問題也存在於利用電泳方法驅動的平面顯示裝置內。
當一像素電極僅存在於一閘線內和一資料線內，如同存在於現有技術中的LCD裝置的一像素區域內時，最終下降的反射率降低了利用電泳方法 驅動的平面顯示裝置內的圖像品質。然而，當所述像素電極形成用於覆蓋一像素區域的資料線和閘線時，寄生電容Cgs和Cgd的尺寸增加，從而使得一資料信號因寄生電容而失真，此現象為一反衝電壓△V增大的誘因。當所述反衝電壓增大時，平面顯示裝置的圖像品質降低。
為了說明上面所述問題，在根據本發明實施例中的一電泳平面顯示裝置中，一像素電極向上延伸並可以與一TFT、一閘線、以及一資料線中的其中一個重疊，並且一電介質層141在像素電極和TFT、閘線和資料線中的至少一個之間插入，從而減少圖像品質下降並同時提高反射率。
另外，像素區域內的反射率藉由延伸像素電極150而提高，並且一影格可以藉由增加儲存電容的尺寸而長時間保持。
所述閘線101和與其相交的一假資料線123在週邊區域內定義出一假像素區域。一假公用電極108b、自假資料線123分支出來並與假公用電極108b重疊的一假儲存電極130、以及與假儲存電極130電性連接並覆蓋週邊區域內的整個假像素區域的一假像素電極160，均設置在每個假像素區域內。所述假像素電極160沿第1圖內所述的週邊區域延伸並形成為一單一電極。
儘管所述假儲存電極130如圖2中所示藉由兩個連接部形成在自所述假資料線123分支出來的一結構中，但是所述假儲存電極130並不侷限於此種結構，可以藉由如圖6內所示的一個連接部與所述資料線123連接。
參考圖3，當一圖像信號藉由活性區域AR內的資料線103供應至一像素區域時，一電場形成在像素電極150和一墨水薄膜170的一第二公用電極170b之間。形成在像素電極150和第二公用電極170b之間的電場移動一墨水層170a的微膠囊內所含的帶電粒子，以實現一黑色或者白色圖像。
另外，用於實現白色、黑色或者灰色中的其中一個顏色的一圖像信號選擇性地藉由假資料線123供應至週邊區域PR，從而應用至墨水層170a的一電場形成在一假像素電極160和墨水薄膜170的第二公用電極170b之間。因此，白色、黑色或者灰色中的其中一個顏色在週邊區域上實現，從而可以減少平面顯示裝置和殼體的裝配過程中出現的缺陷影響。
所述假公用電極108b自所述公用線108分支出來。附圖中所示的第一 接觸孔210a提供用於將像素電極150與儲存電極120a電性連接。第二接觸孔210b提供用於將假像素電極160與假儲存電極130電性連接。
儘管在附圖中描繪出兩個第一接觸孔210a和兩個第二接觸孔210b，但一個、兩個、或者多個接觸孔可以如第一接觸孔210a和第二接觸孔210b一樣形成。
參考圖2和圖3進一步說明其他詳細的內容。自閘線101分支出來至一像素區域的閘極111、以及自公用線108分支出來的第一公用電極108a都形成在一基板200上。一閘絕緣層102形成在已經形成有閘極111和第一公用電極108a的基板200上。TFT的一通道層114形成在閘絕緣層102上對應於閘極111的部分。所述資料線103、自資料線103分支出來的一源極119、以及面向源極119的一汲極120均形成在通道層114上。與汲極120集成地形成並在像素區域內延伸的所述儲存電極120a形成在閘絕緣層102上對應於第一公用電極108a的部分，以與第一公用電極108a重疊。提供所述第一公用電極108a用於穩定儲存電極120a和第一公用電極108a之間的儲存電容量。
一第一鈍化層140形成在已經形成有源極119和汲極120的基板200上。所述電介質層141和一第二鈍化層142形成在第一鈍化層140上。所述電介質層141可以為一有機層，如丙烯(壓克力)，並可以二者擇一地為一無機層或者在特殊情形下為一光阻材料。所述像素電極150形成在第二鈍化層142上，並藉由第一接觸孔210a與形成於下部的儲存電極120a連接。週邊區域內的假像素電極160藉由第二接觸孔210b與假儲存電極130電性連接。
所述墨水薄膜170提供在像素電極150上。所述墨水薄膜170包括一墨水層170a，其接觸像素電極150；一保護薄膜170c，其保護墨水層170a；以及一第二公用電極170b，其插入於保護薄膜170c和墨水層170a之間。所述墨水層170a包括含有不同類帶電粒子的微膠囊，並且該些帶電粒子由一電場驅動，從而反射外部光線以實現一白色狀態，或者二者擇一地吸收外部光線以實現一黑色狀態。
所述電介質層141和第二鈍化層142形成在像素電極150和第一鈍化 層140之間，以減小可能在像素電極150、閘線101、以及資料線103間產生的寄生電容。即，所述電介質層141控制像素電極150和儲存電極120a之間的距離，並具備一介電常數以降低寄生電容。
另外，所述第一鈍化層140防止TFT的電極和資料線103直接與電介質層141接觸而被損壞。所述第二鈍化層142防止像素電極150直接與電介質層141接觸而被損壞。尤其，當所述電介質層141為一有機層的情況下，直接與電介質層141接觸的一金屬電極可由於有機層產生的逸氣而導致損壞。為了防止逸氣導致的損壞，鈍化層可以分別形成在電介質層141之上或者下面。
因此，根據本發明的平面面板顯示器，所述像素電極150在活性區域內延伸，以提升了放射率並因此提高圖像品質，並且穩定了一單元像素區域內的儲存電容量。
本發明實施例中的製造方法將參考圖4A至圖4D以及圖3進行說明。
首先參考圖4A，一閘線101、一閘極111、一公用線108、一第一公用電極108a、以及一假公用電極108b形成在一基板200上，此基板200分為一活性區域AR和一週邊區域PR。可以用於閘線101和公用線108的材料的例子包括銅、鉻、一鉻合金、鉬以及以上的合金。連接線和電極利用一含有一遮罩和一蝕刻處理的光刻法形成。在所描繪的實施例中，所述公用線108和閘線101既延伸至週邊區域而且延伸至活性區域。
所述公用線108的線寬當公用線108自一像素區域延伸至一相鄰像素區域時在資料線和公用線相交的一區域內變窄。這個變窄的現象可以防止當形成資料線介入一閘絕緣層時，資料線由於一高度差而被切斷。
另外，一預定閘線突起形成在閘線101上，並自閘線101往一方向延伸，此延伸方向與閘極111的延伸方向相反，以當資料線隨後形成時，防止資料線由於一高度差而被切斷。所述閘極111形成以在區域內包含預定凹槽，在該區域內一汲極和一源極與閘極111相交，以當源極和汲極形成時，防止電極由於一高度差而被切斷。
如上所述，當閘線101形成在基板200上之後，所述閘絕緣層102形成在基板200的整個區域上。可以用於閘絕緣層102的材料的例子包括SiOX 和SiNX 。
當閘線101和公用線108、以及閘絕緣層102形成在基板200上之後，一通道層114、源極119和汲極120、一儲存電極120a、以及一資料線103形成在閘極111上的活性區域內，如圖4B所示。此時，所述通道層114、源極119和汲極120、以及資料線103可以同時利用一繞射遮罩或者一半階遮罩形成。二者擇一地，可以使用利用兩個遮罩的處理，從而在形成所述通道層114之後形成源極119和汲極120以及資料線103。
接著，一假資料線123和自假資料線123分支出來的一假儲存電極130同時在週邊區域內形成。
所述通道層114可以包括一非晶矽層和摻雜高濃度傳導雜質的一n＋非晶矽層。在本發明的所描述之實施例中，所述源極119形成為一三電極結構，並且與源極119對應的汲極120形成為一二電極結構，以確保TFT(在圖4B中的虛線所示)的通道層的所需寬度和長度。結果，所述源極119和汲極120形成為一雙重結構，在此結構內，電極彼此接合，如圖4B所示。由虛線所示的通道層114形成在電極之間。所述通道層114可以比現有技術中的TFT的通道層的長度顯著加長而寬度明顯加寬。
當源極119和汲極120以及資料線103形成在基板200上之後，一第一鈍化層140、一電介質層141、以及一第二鈍化層142依次形成在基板200的整個區域上，如圖4C所示。並且，執行一遮罩處理，以在儲存電極120a和假儲存電極130內形成一第一接觸孔210a和一第二接觸孔210b。在此，所述第一鈍化層140和第二鈍化層142可以包括一無機材料，如一氧化物和一氮化物，以及一有機材料。
所述電介質層141可以為一有機層，或者可以二者擇一地為一無機層或者一光阻材料。
如上所述，當第一接觸孔210a和第二接觸孔210b形成之後，如銦錫氧化物(ITO)，銦鋅氧化物(IZO)，或者非晶矽ITO(a－ITO)的一透明傳導材料形成在基板200的整個表面上，如圖4D所示。
執行一遮罩處理，以在活性區域的一像素區域內形成一像素電極150，並在週邊區域內由透明傳導材料形成一假像素電極160。
此時，所述像素電極150延伸以覆蓋定義出像素區域的資料線103和閘線101、以及一TFT。
位於週邊區域內的假像素電極160在整體週邊區域周圍形成為一整體型電極結構。在過程中，黑色，灰色或者白色資料信號中的其中一個信號藉由假資料線123供應至週邊區域，以減少裝配平面顯示裝置和殼體時產生的缺陷。
圖5A至圖5D為示意圖，說明了本發明另一實施例中用以製造一平面顯示裝置的方法。一製造過程區域包括一像素區域的一TFT區域、一儲存電容區域、圖1A中的閘墊GP、以及圖1A中的資料墊DP。
圖5A至圖5D中所示的製造方法將參考圖2進行說明。當銅、鉻、一鉻合金、鉬以及以上的合金形成在一基板200上之後，利用一含有一遮罩的光刻處理圖案化一光阻材料。利用將圖案化後的光阻材料作為一遮罩進行一濕蝕刻處理，以在基板200上形成一閘極111、在一像素區域內的一第一公用電極108a、一閘線101、一公用線108以及閘墊190，如圖5A所示。所述閘墊190自閘線101延伸至圖1中所示的墊區域。
當閘極111在基板200上形成之後，一閘絕緣層102形成在基板200的整個表面上，如圖5B所示。所述閘絕緣層102可以為一SiOX 層或者一SiNX 層。
因此，一非晶矽層，一摻雜(n＋，p＋)非晶矽層，以及一金屬層依次形成在閘絕緣層102上。一圖案化操作利用一含有一繞射遮罩或者一半階遮罩的光刻法執行，並且重複地執行一濕蝕刻處理和一乾蝕刻處理，以在TFT的閘極111上形成一通道層114、源極119和汲極120、以及一資料線103。與汲極120集成地形成並自一像素區域延伸的一儲存電極120a形成在儲存電容區域內。
在此，所述資料墊191存在於資料墊區域，並且一半導體層114a存在於資料墊191和閘絕緣層102之間。
如上所述，當源極119和汲極120以及資料線103形成在基板200上之後，一第一鈍化層140、一電介質層141以及一第二鈍化層142依次形成在基板200上，如圖5C所示。一第一接觸孔210a使用一含有一遮罩的光 刻法形成在儲存電極120a內。在此，與閘墊區域和資料墊區域對應的部分電介質層141經移除，從而所述第一鈍化層140和第二鈍化層142在閘絕緣層102上進行堆疊。這裏，所述閘墊190和資料墊191藉由一第一接觸孔處理曝露出來。尤其，所述第一鈍化層140形成在基板200的整個表面上，並所述電介質層141隨後在基板200的整個表面上堆疊。在電介質層141內形成第一接觸孔的過程隨後執行，並且與墊區域對應的部分電介質層141完全移除。在這之後，所述第二鈍化層142形成在基板200上，並隨後執行第一接觸孔處理。
所述第一鈍化層140和第二鈍化層142可以包括一無機材料，如一氧化物和一氮化物、或者一有機材料。所述電介質層141可以為一有機層，或者二者擇一地可以為一無機層或者一光阻材料。
如上所述，當第一接觸孔210a形成之後，透明傳導銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)以及非晶矽ITO(a－ITO)中的其中之一形成在基板200的整個表面上，如圖5D所示。
隨後執行一遮罩處理以在一活性區域的一像素區域內形成一像素電極150、在閘墊190上形成一閘極250、以及在資料墊191上形成一資料墊電極260。
在此，所述像素電極150延伸以覆蓋定義出一TFT(參考圖2)以及像素區域的資料線103和閘線101。
參考圖2，週邊區域內的假像素電極160在整個週邊區域周圍形成為一整體型電極結構。經由假資料線123將一黑色、灰色或者白色資料信號供應至週邊區域上的操作，減少了裝配平面顯示裝置和殼體過程中產生的缺陷。
圖6為本發明另一實施例的平面顯示裝置的平面示意圖。
由於圖6內的元件所使用的附圖標號與圖2所示的附圖標號相同，並代表了相同的元件，則在此省略相關說明。
參考圖6，根據本發明另一實施例中具有一平面顯示裝置之一像素結構的TFT包括兩個閘極，其為一第一閘極211a和一第二閘極211b。
所述TFT包括一源極219，其自資料線103分支出來；一連接電極218， 其位於第一閘極211a和第二閘極211b之間；以及一汲極220，其與第二閘極211b部分重疊並在像素區域內與一儲存電極220a連接。
所述儲存電極220a與汲極220集成地形成。一公用電極108a設置在下部，並且一像素電極150設置在儲存電極220a上。所述像素電極150延以覆蓋定義出一像素區域的一資料線103和一閘線101。由於該像素電極150的功能和作用與圖2內所描述的相同，則在此省略對其的描述。
當經由閘線101供應一驅動信號時，驅動電壓供應至TFT的第一閘極211a和第二閘極211b，用於啟動TFT。經由資料線103供應的一資料信號依次地經過源極219、連接電極218、汲極220以及儲存電極220a，以供應至像素電極150。
如上所述，當資料信號供應至像素電極150時，一電場形成在像素電極150和一形成在墨水層170a上的第二公用電極170b之間，以操作包含在墨水層170a的微膠囊內的帶電粒子，如以上參考圖2和圖3所述。
具有上述結構的TFT可以利用一高驅動電壓操作，以提高TFT和顯示器的操作特性。
如上所述，根據本發明的平面顯示裝置，設置在每個像素區域內的像素電極進行延伸，使得像素電極覆蓋設置在像素區域內的資料線以及閘線，以確保每個像素區域內所需的電容量，並提升反射率以提高圖像品質。
另外，一像素電極提供在平面顯示裝置的週邊區域內，以而在裝配平面顯示裝置和殼體的過程中減少缺陷的出現。
對本領域的技術人員而言，在不脫離本發明精神和範圍的情況下可以做出關於本發明內容的任何修飾或變更。是以，凡有在相同之發明精神下所作有關本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護之範疇。特別地，上所述的任何修飾或變更可以存在於說明書，附圖及申請權力範圍之內的組成部分內及/或目的組合安排內。除了組成部分及/或安排內的任何修飾或變更之外，本領域的技術人員也可以瞭解到不同的用途。
前文係針對本發明之較佳實施例為本發明之技術特徵進行具體之說明，唯熟悉此項技術之人士當可在不脫離本發明之精神與原則下對本發明進行變更與修改，而該等變更與修改，皆應涵蓋於如下申請專利範圍所界 定之範疇中。
100‧‧‧平面顯示裝置
101‧‧‧閘線
102‧‧‧閘絕緣層
103‧‧‧資料線
108‧‧‧公用線
108a‧‧‧第一公用電極
108b‧‧‧假公用電極
111‧‧‧閘極
114‧‧‧通道層
114a‧‧‧半導體層
119‧‧‧源極
120‧‧‧汲極
120a‧‧‧儲存電極
123‧‧‧假資料線
130‧‧‧假儲存電極
140‧‧‧第一鈍化層
141‧‧‧電介質層
142‧‧‧第二鈍化層
150‧‧‧像素電極
160‧‧‧假像素電極
170‧‧‧墨水薄膜
170a‧‧‧墨水層
170b‧‧‧第二公用電極
170c‧‧‧保護薄膜
190‧‧‧閘墊
191‧‧‧資料墊
200‧‧‧基板
210a‧‧‧第一接觸孔
210b‧‧‧第二接觸孔
211a‧‧‧第一閘極
211b‧‧‧第二閘極
218‧‧‧連接電極
219‧‧‧源極
220‧‧‧汲極
220a‧‧‧儲存電極
250‧‧‧閘極
260‧‧‧資料墊電極
圖1A為根據本發明實施例一平面顯示裝置的平面示意圖；圖1B為圖1A中的區域A的放大示意圖；圖2為說明根據本發明實施例一平面顯示裝置的活性區域以及週邊區域的像素結構平面示意圖；圖3為圖2中沿線I－I’的剖面示意圖；圖4A至圖4D為說明根據本發明另一實施例中製造一平面顯示裝置的方法示意圖；圖5A至圖5D為說明根據本發明再一實施例中製造一平面顯示裝置的方法示意圖；以及圖6為根據本發明實施例中一平面顯示裝置的平面示意圖。
101‧‧‧閘線
103‧‧‧資料線
108‧‧‧公用線
108a‧‧‧第一公用電極
108b‧‧‧假公用電極
120‧‧‧汲極
120a‧‧‧儲存電極
123‧‧‧假資料線
130‧‧‧假儲存電極
150‧‧‧像素電極
160‧‧‧假像素電極
210a‧‧‧第一接觸孔
210b‧‧‧第二接觸孔

Claims (18)

  1. 一種平面顯示裝置，包括：一基板，其分為用於顯示一圖像的一活性區域和圍繞該活性區域周圍之不顯示圖像的一週邊區域，該週邊區域包括複數個假像素區域；一閘線，其與一資料線相交以在活性區域內定義出一像素區域；一薄膜電晶體，其位於鄰近閘線和資料線相交的區域內；一第一公用電極，其位於像素區域內；一儲存電極，其位於第一公用電極上用於提供儲存電容；一像素電極，其與儲存電極電性連接並與像素區域、資料線以及閘線重疊；一假資料線，其位於該假像素區域內；一假公用電極，其位於該假像素區域內；一假儲存電極，係與該假公用電極重疊，並自該假資料線分支出來；以及一墨水薄膜，其覆蓋活性區域和週邊區域，並具有包含帶電粒子的微膠囊，其中，該假資料線與該假儲存電極係位於同一平面上，且由相同的材料所形成，和其中，該假像素電極在該週邊區域的全部該些假像素區域內形成為一整體型電極結構。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的平面顯示裝置，其中，每一該些假像素區域均由相交的該閘線和該假資料線所定義，和其中，該假像素電極係在該些假像素區域內與該假儲存電極電性接觸。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述的平面顯示裝置，進一步包括：一電介質層，其位於像素電極和儲存電極之間。
  4. 依據申請專利範圍第3項所述的平面顯示裝置，其中，一第一鈍化層和 一第二鈍化層分別在所述電介質層之上和下面。
  5. 依據申請專利範圍第3項所述的平面顯示裝置，其中，所述電介質層包括一有機材料。
  6. 依據申請專利範圍第1項所述的平面顯示裝置，其中，所述像素電極延伸以覆蓋所述像素區域內的閘線、資料線和薄膜電晶體。
  7. 依據申請專利範圍第1項所述的平面顯示裝置，其中，所述墨水薄膜進一步包括一第二公用電極。
  8. 依據申請專利範圍第1項所述的平面顯示裝置，其中，所述薄膜電晶體的一源極包括三個源極部分，以及所述薄膜電晶體的一汲極包括兩個汲極部分，其中，所述汲極部分與源極部分彼此交替。
  9. 依據申請專利範圍第8項所述的平面顯示裝置，其中，所述薄膜電晶體的通道層在源極的三個源極部分以及汲極的兩個汲極部分之間。
  10. 依據申請專利範圍第1項所述的平面顯示裝置，進一步包括：一公用線，其與閘線平行並與穿過像素區域，且與該第一公用電極連接。
  11. 依據申請專利範圍第10項所述的平面顯示裝置，其中，所述公用線在其與資料線相交所處的像素區域之間的一區域內的寬度窄於其在像素區域內的寬度。
  12. 一種用於製造一平面顯示裝置之方法，包括：提供一基板，該基板分為一活性區域，圍繞該活性區域周圍之一週邊區域，該週邊區域包括複數個假像素區域，以及一墊區域；形成一閘極、一公用電極、一閘線、一公用線、一假公用電極以及一 閘墊；形成一儲存電極、一資料線、一資料墊、一假資料線、一假儲存電極和一薄膜電晶體；在包括該薄膜電晶體的該基板上，形成一第一鈍化層、一電介質層以及一第二鈍化層，並且在一儲存電極區域內形成一接觸孔時，移除對應於該閘墊和該資料墊的部分電介質層；以及形成一像素電極、一閘墊電極以及一資料墊電極，其中，該像素電極係與該儲存電極電性連接，並與該像素區域、該資料線以及該閘線重疊，其中，該假儲存電極係與該假公用電極重疊，並自該假資料線分支出來，其中，該假資料線與該假儲存電極係同時形成在該週邊區域內，且由相同的材料所形成，和其中，該假像素電極在該週邊區域的全部該些假像素區域內形成為一整體型電極結構。
  13. 依據申請專利範圍第12項所述之方法，其中，形成接觸孔的過程包括：在基板上形成第一鈍化層和電介質層，並且在儲存電極區域內移除部分電介質層以形成一接觸孔，移除與一閘墊區域和一資料墊區域對應的部分電介質層；以及在電介質層內形成一接觸孔，在基板上形成第二鈍化層，以及在儲存電極區域、閘墊區域以及資料墊區域內形成接觸孔。
  14. 依據申請專利範圍第12項所述之方法，其中，所述像素電極經由接觸孔與儲存電極電性連接。
  15. 依據申請專利範圍第12項所述之方法，其中，所述第一鈍化層、電介質層以及第二鈍化層在像素電極和儲存電極之間堆疊。
  16. 依據申請專利範圍第12項所述之方法，其中，每一該些假像素區域均 由相交的該閘線和該假資料線所定義，和其中，該假像素電極係在該些假像素區域內與該假儲存電極電性接觸。
  17. 依據申請專利範圍第12項所述之方法，其中，所述薄膜電晶體的一源極包括三個源極部分，以及所述薄膜電晶體的一汲極包括兩個汲極部分，其中，所述汲極部分與源極部分彼此交替。
  18. 依據申請專利範圍第17項所述之方法，其中，所述薄膜電晶體的通道層在源極的三個源極部分以及汲極的兩個汲極部分之間。
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