CN110571228B - 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，包括：衬底基板，在衬底基板上依次层叠设置的栅金属层(包括相互独立的多条栅线和多个伪栅极)和源漏金属层(包括相互独立的多条数据线和多个伪漏极)；伪栅极包括：位于栅线与数据线所限定像素区域内的主体部，以及在栅线延伸方向上的引出部；引出部与主体部远离栅线一侧的边缘部分相接触；伪漏极位于像素区域内，包括：与主体部相互重合的第一分部，以及与主体部互不重叠的第二分部。由于第一分部与主体部之间的正对电容，以及第二分部与主体部之间的耦合电容共同构成像素电极的存储电容，使得像素电极的存储电容较大，有效降低了漏电流的影响，改善了画面闪烁程度，提高了画面显示质量。

Description

一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。
背景技术
反射型液晶显示面板由于其低功耗，低成本等优点，在电子书籍，电子标签等领域有着较大的市场潜力。
由于显示器的功耗与显示频率成正比，相关技术中为降低反射式产品功耗，一般降低显示驱动频率，如使用1Hz等低频驱动。但在降低频率后，像素电压保持时间增长，因漏电流的存在致使像素电压不断减小，显示画面容易出现闪烁，影响显示效果。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，用以提高液晶显示面板的画面显示品质。
因此，本发明实施例提供的一种阵列基板，包括：衬底基板，在所述衬底基板上依次层叠设置的栅金属层和源漏金属层；其中，
所述栅金属层，包括：相互独立的多条栅线和多个伪栅极；
所述源漏金属层，包括：相互独立的多条数据线和多个伪漏极；
所述伪栅极，包括：位于所述栅线与所述数据线所限定像素区域内的主体部，以及在所述栅线延伸方向上的引出部；所述引出部与所述主体部远离所述栅线一侧的边缘部分相接触；
所述伪漏极位于所述像素区域内，且所述伪漏极，包括：与所述主体部相互重合的第一分部，以及与所述主体部互不重叠的第二分部。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述栅金属层与所述源漏金属层之间的栅绝缘层，以及位于所述源漏金属层背离所述衬底基板一侧的多个反射型像素电极；
每一所述伪漏极与限定其所在所述像素区域的所述栅线，以及所述数据线之间的距离x满足以下公式：
Figure BDA0002216912190000021
其中，Cst为所述反射型像素电极的存储电容，ε为所述栅绝缘层的介电常数，d为所述栅绝缘层的厚度，L为所述栅线或所述数据线的宽度。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述存储电容为所述第一分部与所述主体部之间的正对电容，以及所述第二分部与所述主体部之间的耦合电容之和。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述源漏金属层，还包括：漏极，所述漏极通过所述伪漏极与所述反射型像素电极电连接。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：具有凹凸结构的树脂层；
所述树脂层位于各所述反射型像素电极所在层与所述源漏金属层之间；
各所述反射型像素电极具有与所述树脂层相同的凹凸结构。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述凹凸结构的坡度为5°～15°。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述树脂层与各所述反射型像素电极所在层之间的绝缘层；
所述绝缘层具有与所述树脂层相同的凹凸结构。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述栅金属层还包括：栅极，所述栅极为双栅极结构。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括：相对而置的阵列基板和对向基板；
所述阵列基板为上述阵列基板。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述液晶显示面板中，位于所述对向基板或所述阵列基板上的公共电极；
所述伪栅极与所述公共电极加载相同的电信号。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：上述液晶显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的阵列基板、液晶显示面板及显示装置，包括：衬底基板，在衬底基板上依次层叠设置的栅金属层和源漏金属层；其中，栅金属层，包括：相互独立的多条栅线和多个伪栅极；源漏金属层，包括：相互独立的多条数据线和多个伪漏极；伪栅极，包括：位于栅线与数据线所限定像素区域内的主体部，以及在栅线延伸方向上的引出部；引出部与主体部远离栅线一侧的边缘部分相接触；伪漏极位于像素区域内，且伪漏极，包括：与主体部相互重合的第一分部，以及与主体部互不重叠的第二分部。通过设置伪漏极与伪栅极的主体部具有相互重合的第一分部，以及互不重叠的第二分部，使得第一分部与主体部之间的正对电容，以及第二分部与主体部之间的耦合电容共同构成像素电极的存储电容，使得像素电极的存储电容较大，有效降低了漏电流的影响，改善了画面闪烁程度，提高了画面显示质量。
附图说明
图1为本发明实施例提供的阵列基板的显微镜图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板中一个像素结构的俯视结构示意图；
图3为图2中沿AA’线的剖面结构示意图；
图4为图2所示像素结构的等效电路示意图；
图5为本发明实施例提供的树脂层的设计原理图；
图6为本发明实施例提供的树脂层的3D效果图；
图7为对比实施例提供的阵列基板的显微镜图；
图8为对比实施例提供的阵列基板中一个像素结构的俯视结构示意图；
图9为图8中沿BB’线的剖面结构示意图；
图10为对比实施例提供的树脂层的3D效果图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、液晶显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种阵列基板，如图1所示，包括多个像素结构P，并且，每个像素结构P具体如图2和图3所示，包括：衬底基板100，在衬底基板100上依次层叠设置的栅金属层和源漏金属层；其中，
栅金属层，包括：相互独立的多条栅线101和多个伪栅极102；
源漏金属层，包括：相互独立的多条数据线103和多个伪漏极104；
伪栅极102，包括：位于栅线101与数据线103所限定像素区域内的主体部1021，以及在栅线101延伸方向上的引出部1022；引出部1022与主体部1021远离栅线一侧的边缘部分相接触；
伪漏极104位于像素区域内，且伪漏极104，包括：与主体部1021相互重合的第一分部1041，以及与主体部1021互不重叠的第二分部1042。
在本发明实施例提供的上述阵列基板中，通过设置伪漏极104与伪栅极102的主体部1021具有相互重合的第一分部1041，以及互不重叠的第二分部1042，使得第一分部1041与主体部1021之间的正对电容，以及第二分部1042与主体部1021之间的耦合电容共同构成像素电极的存储电容，使得像素电极的存储电容较大，有效降低了漏电流的影响，改善了画面闪烁程度，提高了画面显示质量。
可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，为保证伪漏极104在像素区域内最大化填充，且栅线101和数据线103上的电压变化不会对像素电压起到不利的拉动作用，需要确保伪漏极104与栅线101、数据线103、像素结构中的晶体管均无正对电容产生；且使得伪漏极104分别与栅线101和数据线103之间产生的耦合电容小于某一数值。具体地，根据实际产品经验，伪漏极104分别与栅线101和数据线103之间产生的耦合电容C0小于或等于像素电极存储电容Cst的千分之一，即C0≤Cst/1000。并且，根据平行板电容器边缘效应的计算公式：
Figure BDA0002216912190000051
其中，ε为栅绝缘层105的介电常数，d为栅绝缘层10的厚度，L为栅线101或数据线103的宽度，x为伪漏极104与栅线101或数据线103之间的距离。
由上述分析可知，可选地，为避免栅线101、数据线103上的电压对像素电极的拉动作用，且保证伪漏极104在像素区域内最大化填充，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2和图3所示，还包括：位于栅金属层与源漏金属层之间的栅绝缘层105，以及位于源漏金属层背离衬底基板100一侧的多个反射型像素电极106；
每一伪漏极104与限定其所在像素区域的栅线101，以及数据线103之间的距离x满足以下公式：
Figure BDA0002216912190000061
其中，Cst为反射型像素电极106的存储电容，ε为栅绝缘层105的介电常数，d为栅绝缘层105的厚度，L为栅线101或数据线103的宽度。
需要说明的是，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，栅金属层的栅极为双栅极结构，双栅极结构与两条栅线101电连接，与伪漏极104距离为x的栅线101具体是指与该伪漏极104较近的栅线101。
此外，值得注意的是，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，每一伪漏极104与限定其所在像素区域的栅线101之间的距离x，以及该伪漏极104与限定其所在像素区域的数据线103之间的距离x的取值可以相同，也可以不同，在此不做限定。
具体地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，反射型像素电极106的存储电容Cst为第一分部与主体部1021之间的正对电容Cst1，以及第二分部与主体部1021之间的耦合电容Cst2之和。
可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，源漏金属层，还包括：漏极，漏极通过伪漏极104与反射型像素电极106电连接。在具体实施时，伪漏极104与反射型像素电极106之间经由过孔H电连接，如图2和图3所示。
如图4所示，为本发明实施例提供的上述阵列基板中一个像素结构的等效电路图。根据该等效电路图可知，数据线103的电压变化而引起的像素电压变化量ΔVpd可用以下公式表示：
Figure BDA0002216912190000071
其中，Cpd表示反射型像素电极106与数据线103之间的电容，Cst表示反射型像素电极106的存储电容(即第一分部与主体部1021之间的正对电容Cst1，以及第二分部与主体部1021之间的耦合电容Cst2之和)，Cpg表示反射型像素电极106与栅线101之间的电容，Clc表示反射型像素电极106与液晶分子之间的电容，Vdh-Vdl表示数据线103的电压变化量。由上述公式可以看出，反射型像素电极106的存储电容Cst增大，则数据线103的电压变化而引起的像素电压变化量ΔVpd减小；也就是说数据线103的电压变化随着反射型像素电极106的存储电容Cst增大而减小，因此，本发明提供的技术方案，可有效防止闪烁，提高画面显示质量，同时兼容低功耗。
相关技术中，反射型液晶显示面板中存在反射率低，外界光源依赖性强等问题，而反射率是衡量反射型产品性能的一个重要指标。可选地，为提高反射率，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3所示，还可以包括：具有凹凸结构的树脂层107；
树脂层107位于各反射型像素电极106所在层与源漏金属层之间；
各反射型像素电极106具有与树脂层107相同的凹凸结构。
通过设置具有凹凸结构的树脂层107，使得反射型像素电极106与树脂层107具有相同的凹凸结构，以致入射光在具有凹凸结构的反射型像素电极106上可发生漫反射，从而提高反射率，进而提高亮度和对比度。
目前，对反射型液晶显示面板的评价方法，主要是采用光线以30°角入射至反射型液晶显示面板，对其主视角(即与a方向具有±5°夹角的视角范围)下的反射率&对比度进行评价，如图5所示。
根据折射定律则有：
Figure BDA0002216912190000081
其中，θ1表示光线的入射角，为30°；θ2表示光线在液晶显示面板内的折射角；ncell表示液晶显示面板的折射率，约为1.5；nair表示空气的折射率，为1。由此可得折射角θ2为arcsin(1/3)。
且根据反射定律则有：
Figure BDA0002216912190000082
其中，θ3表示光线在凹凸结构上的入射角，θ4表示光线在凹凸结构上的反射角，θ5表示光线在凹凸结构的坡度角。
基于此，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，可设置凹凸结构的坡度为5°～15°，从而提高主视角的亮度，并扩大视角范围。
具体地，可通过以下方法制作具有凹凸结构的树脂层107：采用旋涂法在阵列基板上涂覆一层具有一定厚度的树脂，然后在树脂上方放置带有凹凸(Bump)图形的遮光罩，经过曝光、显影和退火处理后，形成具有凹凸结构的树脂层107。并且，在实际制作过程中，由于伪漏极104包含的第一分部和第二分部的设置，使得整个像素区域内树脂层107下方膜层的均一性较好(即树脂层107的绝大部分下方都存在伪漏极104的金属膜层)，因此实际曝光过程中，像素显示区域内照射在树脂层107上的实际曝光量基本相同，树脂层107的凹凸结构形貌均一性较佳(如图6所示)，从而使得具有相同凹凸结构的反射型像素电极106的反射率较高，提高了液晶显示面板显示亮度和对比度，画面显示品质较高。
可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3所示，还包括：位于树脂层107与各反射型像素电极106所在层之间的绝缘层108；
绝缘层108具有与树脂层107相同的凹凸结构。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括：相对而置的阵列基板和对向基板；阵列基板为本发明实施例提供的上述阵列基板。由于该液晶显示面板解决问题的原理与上述阵列基板解决问题的原理相似，因此，该液晶显示面板的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。
可选地，为使得伪栅极102与伪漏极104之间形成反射型像素电极106的存储电容Cst，在本发明实施例提供的上述液晶显示面板中，还包括：位于对向基板或阵列基板上的公共电极；
伪栅极102与公共电极加载相同的电信号。
在本发明实施例提供的上述阵列基板中，伪栅极102(Dummy Gate)上加载公共电压(Vcom)信号，伪漏极104(Dummy SD)上加载像素电压(Pixel)信号，从而使得伪栅极102与伪漏极104之间构成反射型像素电极106的存储电容Cst。
为更好地说明本发明实施例的技术方案，以下将通过一组对比实施例进行说明。
具体地，本发明实施例提供的液晶显示面板包含图1所示阵列基板，该阵列基板上一个像素结构如图2和图3所示，该阵列基板上树脂层的形貌如图6所示。对比实施例提供的液晶显示面板包含图7所示阵列基板，该阵列基板上一个像素结构如图8和图9所示，该阵列基板上树脂层的形貌如图10所示。
将图1与图7、图2与图8、图3与图9、图6与图10分别进行对比，可知，本发明实施例提供的阵列基板与对比实施例提供的阵列基板的不同之处在于：在本发明实施例提供的阵列基板中，伪漏极104包括：与伪栅极102的主体部1021相互重合的第一分部1041，以及与伪栅极102的主体部1021互不重叠的第二分部1042；并且，树脂层107内的凹凸结构的形貌较均一，且密度较大。在对比实施例提供的阵列基板中，伪漏极104与伪栅极102的主体部1021相互重合；位于伪漏极104上方的树脂层107内凹凸结构的形貌较深，其他区域的树脂层107内凹凸结构的形貌较浅；并且树脂层107内凹凸结构的密度较小。
相应地，在本申请中还针对上述实施例组中的阵列基板的反射率进行了测试，结果如表1所示。其中，表1的DP表示具有IC芯片和柔性电路板(FPC)的Pad端子所在侧，DP表示Pad端子所在侧的相对侧，L表示Pad端子所在侧的左侧，R表示Pad端子所在侧的右侧。
由表1可以看出，本设计提供的液晶显示面板在不同角度的反射率均优于对比实施例的相关数据，因此本发明实施例提供的液晶显示面板具有更优的光学性能，其反射率和显示均一性均较高。
表1
Figure BDA0002216912190000101
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述液晶显示面板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理等任何具有显示功能的产品或部件。由于该显示装置解决问题的原理与上述液晶显示面板解决问题的原理相似，因此，该显示装置的实施可以参见上述液晶显示面板的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的上述阵列基板、液晶显示面板及显示装置，包括：衬底基板，在衬底基板上依次层叠设置的栅金属层和源漏金属层；其中，栅金属层，包括：相互独立的多条栅线和多条伪栅极；源漏金属层，包括：相互独立的多条数据线和多个伪漏极；伪栅极，包括：位于栅线与数据线所限定像素区域内的主体部，以及在栅线延伸方向上的引出部；引出部与主体部远离栅线一侧的边缘部分相接触；伪漏极位于像素区域内，且伪漏极，包括：与主体部相互重合的第一分部，以及与主体部互不重叠的第二分部。通过设置伪漏极与伪栅极的主体部具有相互重合的第一分部，以及互不重叠的第二分部，使得第一分部与主体部之间的正对电容，以及第二分部与主体部之间的耦合电容共同构成像素电极的存储电容，使得像素电极的存储电容较大，有效降低了漏电流的影响，改善了画面闪烁程度，提高了画面显示质量。此外，伪漏极的设置方式使得，实际曝光过程中，像素显示区域内照射在树脂层上的实际曝光量基本相同，树脂层的凹凸结构形貌均一性较佳，从而使得具有相同凹凸结构的反射型像素电极的反射率较高，提高了液晶显示面板显示亮度和对比度，画面显示品质较高。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，在所述衬底基板上依次层叠设置的栅金属层和源漏金属层；其中，
所述栅金属层，包括：相互独立的多条栅线和多个伪栅极；
所述源漏金属层，包括：相互独立的多条数据线和多个伪漏极；
所述伪栅极，包括：位于所述栅线与所述数据线所限定像素区域内的主体部，以及在所述栅线延伸方向上的引出部；所述引出部与所述主体部远离所述栅线一侧的边缘部分相接触，所述主体部在所述衬底基板上的正投影为“L”形；
所述伪漏极位于所述像素区域内，且所述伪漏极包括：与所述主体部相互重合的第一分部，以及与所述主体部互不重叠的第二分部，其中，所述第一分部与所述主体部之间具有正对电容，所述第二分部与所述主体部之间具有耦合电容，所述第二分部半包围所述第一分部，所述第二分部在所述衬底基板上的正投影具有与所述第一分部在所述衬底基板上的“L”形正投影互补为矩形的形状。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述栅金属层与所述源漏金属层之间的栅绝缘层，以及位于所述源漏金属层背离所述衬底基板一侧的多个反射型像素电极；
每一所述伪漏极与限定其所在所述像素区域的所述栅线，以及所述数据线之间的距离x满足以下公式：
Figure FDA0003281193900000011
其中，Cst为所述反射型像素电极的存储电容，ε为所述栅绝缘层的介电常数，d为所述栅绝缘层的厚度，L为所述栅线或所述数据线的宽度。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容为所述第一分部与所述主体部之间的正对电容，以及所述第二分部与所述主体部之间的耦合电容之和。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏金属层，还包括：漏极，所述漏极通过所述伪漏极与所述反射型像素电极电连接。
5.如权利要求2-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：具有凹凸结构的树脂层；
所述树脂层位于各所述反射型像素电极所在层与所述源漏金属层之间；
各所述反射型像素电极具有与所述树脂层相同的凹凸结构。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述凹凸结构的坡度为5°～15°。
7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述树脂层与各所述反射型像素电极所在层之间的绝缘层；
所述绝缘层具有与所述树脂层相同的凹凸结构。
8.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述栅金属层还包括：栅极，所述栅极为双栅极结构。
9.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：相对而置的阵列基板和对向基板；
所述阵列基板为如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.如权利要求9所述的液晶显示面板，其特征在于，位于所述对向基板或所述阵列基板上的公共电极；
所述伪栅极与所述公共电极加载相同的电信号。
11.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求9或10所述的液晶显示面板。
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