CN110596987B - 显示基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示基板和显示装置，该显示基板包括：衬底基板、以及依次位于衬底基板上的源漏极层、有源层和栅极层，源漏极层包括多根平行间隔分布的数据线，栅极层包括多根平行间隔分布的栅线，多根数据线和多根栅线相交形成阵列分布的多个像素区域，在每个像素区域中，栅极层还包括与栅线绝缘的第一反射结构，第一反射结构在衬底基板上的正投影从第一数据线在衬底基板上的正投影内延伸至第二数据线在衬底基板上的正投影内，第一数据线和第二数据线为像素区域两侧的两根数据线。本发明能增大电子墨水层对应的反射区开口率，提高电子纸的显示效果。

Description

显示基板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
电子纸是一种通过反射外部环境光来实现图像显示的显示装置。通常，电子纸包括两个基板和位于两个基板之间的电子墨水层，电子墨水层包括透明电泳液和分散在透明电泳液中的黑色带电粒子。通过控制两个基板之间的电压差，可以控制黑色带电粒子的移动，从而控制对应的像素区域呈现白色或者黑色。
相关技术中，两个基板中的一个基板包括薄膜晶体管层和像素电极层，薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，像素电极层包括多个像素电极。每个像素区域中包括至少一个薄膜晶体管和一个像素电极。每个薄膜晶体管中，有源层在栅极上方，源极和漏极覆盖有源层的部分区域，像素电极与漏极连接，从而可以通过薄膜晶体管控制对应的像素电极上的电压。
像素电极的下方设有金属层，这样当外部环境光透过透明电泳液照射到基板的像素电极时，会被像素电极下方的金属层反射，从而使电子纸呈现出白色画面。
相关技术中，起反射作用的金属反射层通常位于对应的像素区域的中部，且与源极和漏极同层设置，金属反射层可以与漏极相连。由于金属反射层与数据线同层设置，为了避免对数据线的传输性能产生影响，金属反射层与数据线之间需要设置间隙区域，该间隙区域不能对光进行反射，减小了电子墨水层对应的反射区开口率，使电子纸的显示效果较差。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示基板和显示装置，能增大电子墨水层对应的反射区开口率，提高电子纸的显示效果。所述技术方案如下：
第一方面，本发明实施例提供了一种显示基板，所述显示基板包括：衬底基板、以及依次位于所述衬底基板上的源漏极层、有源层和栅极层，所述源漏极层包括多根平行间隔分布的数据线，所述栅极层包括多根平行间隔分布的栅线，多根所述数据线和多根所述栅线相交形成阵列分布的多个像素区域，在每个所述像素区域中，所述栅极层还包括与所述栅线绝缘的第一反射结构，所述第一反射结构在所述衬底基板上的正投影从第一数据线在所述衬底基板上的正投影内延伸至第二数据线在所述衬底基板上的正投影内，所述第一数据线和所述第二数据线为所述像素区域两侧的两根所述数据线。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述第一反射结构具有两个相对的第一侧边，以及连接两个所述第一侧边的两个第二侧边，在每个所述像素区域内，所述第一侧边在所述衬底基板上的正投影位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影内，所述第二侧边在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影间隔分布，所述第一反射结构的中部具有镂空，所述源漏极层包括与漏极电连接的反射结构，所述镂空在所述衬底基板上的正投影位于所述反射电极在所述衬底基板上的正投影内。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述第一反射结构在所述衬底基板上的正投影与所述反射电极在所述衬底基板上的正投影部分重叠。
在本发明实施例的另一种实现方式中，沿所述栅线的延伸方向排列的多个所述第一反射结构相互连接。
在本发明实施例的另一种实现方式中，在每个所述像素区域内，所述源漏极层还包括与源极、所述漏极和所述数据线绝缘的第二反射结构，所述第二反射结构在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述栅线和所述第二侧边在所述衬底基板上的正投影之间。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述第二反射结构为具有开口的框体结构，所述框体结构环绕所述反射电极，所述反射电极的部分区域经过所述框体结构的开口与所述漏极连接；或者，所述第二反射结构为反射条，所述反射条沿所述第二侧边所在方向布置，所述反射条在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述栅线和所述第二侧边在衬底基板上的正投影之间。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述显示基板还包括位于所述栅极层上的像素电极层，所述像素电极层包括与多个所述像素区域一一对应的像素电极，在每个所述像素区域内，所述反射电极与所述像素电极通过过孔连接，所述过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述镂空在所述衬底基板上的正投影内。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述像素电极覆盖对应的所述像素区域，且所述像素电极在所述衬底基板上正投影与对应的所述像素区域两侧的所述数据线和/或所述栅线在所述衬底基板上的正投影部分重叠。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述栅线的部分区域为栅极，所述有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影内。
第二方面，本发明实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括如前文的显示基板。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本发明实施例中显示基板的源漏极层、有源层和栅极层依次位于衬底基板上，即有源层位于栅极层下方，栅极层遮挡了有源层，使得显示基板上有源层所在的位置也能反射环境光，因此在该处可以设置像素电极。同时，由多根数据线和多根栅线形成的像素区域内，栅极层还包括与栅线绝缘的第一反射结构，该第一反射结构在衬底基板上的正投影从第一数据线在衬底基板上的正投影内延伸至第二数据线在衬底基板上的正投影内，即第一反射结构从像素区域内一侧的数据线向另一侧的数据线延伸，从而使得第一反射结构能遮挡数据线与金属反射层之间的间隙区域，使原本无法反光的间隙区域也能反射环境光，从而使间隙区域也能设置像素电极，让每个像素区域都能形成更大面积的金属反射层，因此，每个像素区域中可以设置有效面积更大的像素电极，从而增大电子墨水层对应的反射区开口率，提高显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是相关技术提供的一种电子纸的显示基板的部分结构示意图；
图2是图1提供的一种显示基板的层级结构示意图；
图3是相关技术提供的另一种电子纸的显示基板的部分结构示意图；
图4是图3提供的一种显示基板的A-A向的截面结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种显示基板的部分结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种显示基板的层级结构示意图；
图7是本发明实施例提供的一种显示基板的局部放大结构示意图；
图8是本发明实施例提供的一种显示基板的源漏极层的部分结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种显示基板的源漏极层的局部放大结构示意图；
图10是图9提供的一种显示基板的B-B向的截面结构示意图；
图11是本发明实施例提供的一种源漏极层的局部结构示意图；
图12是本发明实施例提供的另一种源漏极层的局部结构示意图；
图13是本发明实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图；
图14是本发明实施例提供的一种制备显示基板的第一状态示意图；
图15是图14提供的一种显示基板的C-C向的截面结构示意图；
图16是本发明实施例提供的一种制备显示基板的第二状态示意图；
图17是图16提供的一种显示基板的D-D向的截面结构示意图；
图18是本发明实施例提供的一种制备显示基板的第三状态示意图；
图19是图18提供的一种显示基板的E-E向的截面结构示意图；
图20是本发明实施例提供的一种制备显示基板的第四状态示意图；
图21是图20提供的一种显示基板的F-F向的截面结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是相关技术提供的一种电子纸的显示基板的部分结构示意图。如图1所示，该显示基板包括多根栅线41和多根数据线23，多根栅线41和多根数据线23相交限定出多个像素区域，每个像素区域中均设有TFT(Thin-film transistor，薄膜晶体管)电路和与TFT电路连接的像素电极层6。在图1所示实施例中，每个像素区域的TFT电路包括2个TFT，分别为第一TFT A和第二TFT B。在每个像素区域中，第一TFT A和第二TFT B的栅极40与同一根栅线41连接，第一TFT A的源极21与数据线23连接，第一TFT A的漏极22与第二TFT B的源极21连接，第二TFT的漏极22与像素电极层6连接。
图2是图1提供的一种显示基板的层级结构示意图。如图2所示，TFT层包括：依次层叠在衬底基板1上的栅极层、有源层3和源漏极层，栅极层包括栅极40和栅线41，源漏极层包括数据线23、源极21和漏极22，在每个像素区域中，均设置有像素电极层6，为了保证外部环境光照射到像素电极层6后，外部环境光能被像素电极层6下方的漏极22反射，在每个像素区域中，形成的像素电极层6的形状与漏极22的形状相匹配，会避开有源层3所在区域以及漏极22与数据线23之间的间隙区域，使得像素电极层下方的反射金属层面积较小，减小了电子墨水层对应的反射区开口率，从而降低像素电极层6在像素区域的覆盖面积，降低电子纸的显示效果。
为增大像素电极层的有效开口区域，提高电子墨水层对应的反射区开口率，相关技术提供了一种显示基板。图3是相关技术提供的另一种电子纸的显示基板的部分结构示意图，图4是图3提供的一种显示基板的A-A向的截面结构示意图。如图3、4所示，该显示基板在如图1所示的显示基板的源漏极层2上设置了一层金属层8，该金属层8位于像素区域内且覆盖像素区域的绝大部分区域，遮挡了TFT的开关部分(有源层3)以及漏极与数据线之间的部分间隙区域，这样像素电极层6就能设置成覆盖像素区域的矩形，从而增大像素电极层6的面积占比，增大电子墨水层对应的反射区开口率，提高电子纸的显示效果。
然而上述方法在现有的加工工艺中额外增加了制作金属层的相关工艺，不利于降低产品生产成本和周期。
为此，本公开实施例将栅极层设置在有源层上方，并且在栅极层中设置与栅极和栅线间隔的反射结构，从而可以通过栅极层覆盖有源层所在区域，同时利用反射结构填补漏极与数据线之间具有间隙区域，无需增设金属层，降低产品生产成本且提高生产效率。
图5是本发明实施例提供的一种显示基板的部分结构示意图。如图5所示，该显示基板包括多根平行间隔分布的数据线23和多根平行间隔分布的栅线41，多根数据线23和多根栅线41相交形成阵列分布的多个像素区域C。
图6是本发明实施例提供的一种显示基板的层级结构示意图。图6中显示基板的层级截面为图7中所示的G-G向的截面。如图6所示，该显示基板包括：衬底基板1、以及依次位于衬底基板1上的源漏极层2、有源层3和栅极层4。栅线41位于栅极层4，数据线23位于源漏极层2。也即是，栅极层4包括栅线41，源漏极层2包括数据线23。
图7是本发明实施例提供的一种显示基板的局部放大结构示意图。结合图6和图7，在每个像素区域中，栅极层4还包括与栅线41绝缘的第一反射结构42，第一反射结构42在衬底基板1上的正投影从第一数据线在衬底基板1上的正投影内延伸至第二数据线在衬底基板1上的正投影内。
其中，第一数据线和第二数据线为像素区域两侧的两根数据线。结合图5，第一数据线可以是像素区域C中的数据线S1，第二数据线可以是像素区域C中的数据线S2。
本发明实施例中显示基板的源漏极层、有源层和栅极层依次位于衬底基板上，即有源层位于栅极层下方，栅极层遮挡了有源层，使得显示基板上有源层所在的位置也能反射环境光，因此在该处可以设置像素电极。同时，由多根数据线和多根栅线形成的像素区域内，栅极层还包括与栅线绝缘的第一反射结构，该第一反射结构在衬底基板上的正投影从第一数据线在衬底基板上的正投影内延伸至第二数据线在衬底基板上的正投影内，即第一反射结构从像素区域内一侧的数据线向另一侧的数据线延伸，从而使得第一反射结构能遮挡数据线与金属反射层之间的间隙区域，使原本无法反光的间隙区域也能反射环境光，从而使间隙区域也能设置像素电极，让每个像素区域都能形成更大面积的金属反射层，因此，每个像素区域中可以设置有效面积更大的像素电极，从而增大电子墨水层对应的反射区开口率，提高显示效果。
其中，绝缘是指相互不接触，间隔布置。栅线41与第一反射结构42绝缘则为第一反射结构42与栅线41间隔布置。
可选地，如图5所示，第一反射结构42具有两个相对的第一侧边421，以及连接两个第一侧边421的两个第二侧边422，在每个像素区域内，第一侧边421在衬底基板1上的正投影位于数据线23在衬底基板1上的正投影内，第二侧边422在衬底基板1上的正投影与栅线41在衬底基板1上的正投影间隔分布，第一反射结构42的中部具有镂空43。
图8是本发明实施例提供的一种显示基板的源漏极层的部分结构示意图。如图8所示，该显示基板的源漏极层2包括多根平行间隔分布的数据线23，相邻的两根数据线23之间设有源极21、漏极22以及与漏极22电连接的反射电极20。结合图5和图7，镂空43在衬底基板1上的正投影位于反射电极20在衬底基板1上的正投影内。
本实施例中，如图5、7所示，第一反射结构42包括四个侧边，其中两个第一侧边421相对设置，两个第二侧边422用于连接两个第一侧边421，以使第一反射结构42形成封闭的结构。由于第一侧边421在衬底基板1上的正投影位于数据线23在衬底基板1上的正投影内，因此第一反射结构42的至少部分结构是覆盖在数据线23和反射电极20之间的，因此，第一反射结构42、源极21、漏极22和反射电极20能共同形成更大面积的金属反射层，让显示基板上原本无法反光的位置也能反射环境光，以便于设置更大面积的像素电极，增大开口率，提高显示效果。而第二侧边422在衬底基板1上的正投影与栅线41在衬底基板1上的正投影间隔分布，以使得第二侧边422与栅线41绝缘，避免TFT使用过程中因第一反射结构42与栅线41连接，而使相邻的两根栅线41也形成通路，影响栅极层4的正常工作。
并且，第一反射结构42的中部具有镂空43。且镂空43在衬底基板1上的正投影位于反射电极20在衬底基板1上的正投影内，即使得第一反射结构42覆盖反射电极20与数据线23之间的间隙区域的同时，还能通过镂空的设计让反射电极20也能实现光反射的目的。
示例性地，如图5、7所示，第一反射结构42为矩形框状结构，矩形框状结构为横截面的外轮廓和横截面的内轮廓均为矩形的框体，该第一反射结构42的中部具有镂空43，且镂空呈矩形状，该第一反射结构42覆盖在反射电极20上，且反射电极20为矩形结构，镂空43的面积不大于反射电极20的面积以确保第一反射结构42覆盖在反射电极20上后，第一反射结构42与反射电极20在衬底基板1的正投影之间不会存在间隙。同时，第一反射结构42呈矩形框状，使得第一反射结构42、源极21、漏极22和反射电极20能构成呈矩形的金属反射层，这样也便于在栅极层4上形成整块的呈矩形状的像素电极，便于快速在栅极层4上加工制作像素电极层，且能使设置像素电极的有效面积更大，增大开口率以提高显示效果。
如图5、6、7所示，显示基板还包括位于栅极层4上的像素电极层6，像素电极层6包括与多个像素区域一一对应的像素电极。在每个像素区域内，反射电极20与像素电极通过过孔5连接，过孔5在衬底基板1上的正投影位于镂空43在衬底基板1上的正投影内。由于栅极层4上设置的像素电极与漏极22之间需要进行信号传输，以实现TFT控制像素电极的目的。而源漏极层2与像素电极之间设置有第一反射结构42。因此，为便于像素电极与漏极22电连接以进行信号传输，可以在第一反射结构42上设置镂空43，并在镂空43内通过过孔5实现像素电极与反射电极20的电连接，又由于反射电极20与漏极22电连接，因此通过过孔5连接反射电极20与像素电极，就使得漏极22能与像素电极电连接并传递信号。
由于第一反射结构42在衬底基板1上的正投影从像素区域一侧的数据线向像素区域另一侧的数据线延伸，并且栅极层4中通常会设置栅极与有源层2连接，栅极与栅线41连接，同时由于第一反射结构42与栅线41绝缘。因此，第一反射结构42并不会将有源层2完全覆盖。因此，使得未被覆盖的部分有源层2无法反射外部环境光，从而使得有源层2未被覆盖的区域不能设置像素电极，即会降低像素电极的有效面积，减小开口率。
为使像素电极的有效面积更大，提高开口率。本发明实施例中，栅线41的部分区域为栅极，有源层3在衬底基板1上的正投影位于对应的栅线41在衬底基板1上的正投影内。通过将栅线41的一部分区域作为栅极，并使栅线41上栅极所在区域覆盖有源层3，利用栅线41遮挡有源层2，从而能在设置有源层2的位置设置像素电极，增大像素电极的有效面积，提高开口率。
本发明实施例中，第一反射结构42在衬底基板1上的正投影与反射电极20在衬底基板1上的正投影部分重叠。即第一反射结构42的部分区域与反射电极20相对，由于第一反射结构42与反射电极20之间设有绝缘层，当第一反射结构42和反射电极20通电时，第一反射结构42与反射电极20可以构成存储电容。设置存储电容可以削弱TFT工作时因漏极漏电而产生的压降，使施加于像素电极上的电压能保持在要求的工作电压下，以稳定TFT的工作电压。
可选地，如图5、7所示，沿栅线41的延伸方向排列的多个第一反射结构42相互连接。本发明实施例中，在沿栅线41的延伸方向上的各个像素区域中的第一反射结构42均可以通过连接部44依次相连，以使得沿沿栅线41的延伸方向的第一反射结构42均电连接。即让各个第一反射结构42相连构成一个整体，从而使得第一反射结构42与反射电极20形成的存储电容的容量更大，从而可以更大程度地削弱TFT工作时因漏极漏电而产生的压降，使施加于像素电极上的电压能更加稳定地保持在要求的工作电压下，以稳定TFT的工作电压。
图8是本发明实施例提供的一种显示基板的源漏极层的部分结构示意图，图9是本发明实施例提供的一种显示基板的源漏极层的局部放大结构示意图，图10是图9提供的一种显示基板的B-B向的截面结构示意图。如图8、9、10所示，在每个像素区域内，源漏极层2还包括与源极21、漏极22和数据线23绝缘的第二反射结构24。
结合图7，第二反射结构24在衬底基板1上的正投影至少部分位于栅线41和第二侧边422在衬底基板1上的正投影之间。本实施例中，由于第一反射结构42与栅线41绝缘间隔布置，因此，第一反射结构42未能完全覆盖源极21、漏极22与栅线41、数据线23之间的全部区域，为进一步增大显示基板上能设置像素电极的有效面积，通过设置第二反射结构24，使第二反射结构24在衬底基板1上的正投影至少部分位于栅线41和第二侧边422在衬底基板1上的正投影之间，利用第二反射结构24覆盖栅线41和第二侧边422之间的间隙。即通过第一反射结构42、第二反射结构24、源极21和漏极22能进一步形成更大面积的金属反射层，让显示基板上更大的面积位置能反射环境光，使得设置像素电极的有效面积更大，从而增大开口率，提高显示效果。
在一种可能的实现方式中，如图8、9所示，第二反射结构24为具有开口D的框体结构，框体结构环绕反射电极20，反射电极20的部分区域经过框体结构的开口D与漏极22连接。该框体结构可以是圆框、方框等多种形状的框体，该框体结构框设在反射电极20的周边，并使框体结构与反射电极20绝缘，且框体结构的侧边具有开口D，以便于反射电极20的部分区域经过该开口D穿过框体结构与漏极22连接，漏极22通过有源层3实现与源极21的电连接。通过第一反射结构42、第二反射结构24、源极21、漏极22和反射电极20形成了更大面积的金属反射层，让显示基板上更大的面积位置能反射环境光，使得设置像素电极的有效面积更大，从而增大开口率，提高显示效果。
示例性地，如图8、9所示，第二反射结构24为呈方框状的框体结构，框体结构框设在反射电极20上且框体结构的各个侧边与呈矩形的反射电极20的侧边平行间隔布置，结合图8、9，漏极22与反射电极20之间通过条状结构连接，且条状结构位于框体结构的开口内，漏极22则位于框体结构外以便于与有源层3连接。其中，框体结构的一部分位于栅线41和反射电极20之间，且框体结构的另一部分位于数据线23与反射电极20之间，以便于通过第一反射结构42、第二反射结构24、源极21、漏极22和反射电极20形成更大面积的金属反射层，增大开口率。
在另一种可能的实现方式中，第二反射结构24为反射条25，反射条25沿第二侧边422所在方向布置，反射条25在衬底基板1上的正投影至少部分位于栅线41和第二侧边422在衬底基板1上的正投影之间。该反射条25可以为条状结构，该条状结构沿第二侧边422布置，且反射条25位于栅线41和第二侧边422之间。这样通过第一反射结构42、反射条25、源极21和漏极22可以形成更大面积的金属反射层，让显示基板上更大的面积位置能反射环境光，使得设置像素电极的有效面积更大，从而增大开口率，提高显示效果。
可选地，第二反射结构24可以包括至少两条反射条25，反射条25沿同一条第二侧边422布置。
示例性地，如图11所示，第二反射结构24包括两条反射条25，两条反射条25均沿栅线41的延伸方向即沿着第一侧边422延伸，且两条反射条25之间具有间隙以便于连接漏极22与反射电极20的条状结构经过该间隙，使反射电极20与漏极22得以电连接。通过第一反射结构42、两条反射条25、源极21、漏极22和反射电极20形成了更大面积的金属反射层，让显示基板上更大的面积位置能反射环境光，使得设置像素电极的有效面积更大，从而增大开口率，提高显示效果。
可选地，第二反射结构24可以包括至少三条反射条25，反射条25沿不同的两条第二侧边422布置。
示例性地，如图12所示，第二反射结构24包括三条反射条25，三条反射条25均沿栅线41的延伸方向延伸，且其中一条反射条25位于沿第一反射结构42的一条第二侧边422布置，另外两条反射条25沿第一反射结构42的另一条第二侧边422布置，且两条反射条25之间具有间隙以便于连接漏极22与反射电极20的条状结构经过该间隙，使反射电极20与漏极22得以电连接。通过第一反射结构42、三条反射条25、源极21、漏极22和反射电极20形成了更大面积的金属反射层，让显示基板上更大的面积位置能反射环境光，使得设置像素电极的有效面积更大，从而增大开口率，提高显示效果。
可选地，如图5、7所示，像素电极覆盖对应的像素区域，且像素电极在衬底基板1上正投影与对应的像素区域两侧的数据线23和/或栅线41在衬底基板1上的正投影部分重叠。由于每个像素区域中的第一反射结构42、源极21、漏极22、反射电极20和第二反射结构24能将像素区域中绝大部分的区域覆盖，因此对应每个像素区域设置的像素电极可以覆盖整个像素区域。同时为进一步提高像素电极的有效面积，增大开口率以提高显示效果，像素电极还可以覆盖在数据线23和/或栅线41的部分区域上，也即像素电极在衬底基板1上的正投影可以与数据线23在衬底基板1上的正投影部分重叠、或者像素电极在衬底基板1上的正投影可以与栅线41在衬底基板1上的正投影部分重叠、或者像素电极在衬底基板1上的正投影可以与数据线23和栅线41在衬底基板1上的正投影部分重叠，从而实现提高像素电极的有效面积的目的。
本实施例提供了一种显示基板的制备方法，该显示基板包括：衬底基板、以及依次位于衬底基板上的源漏极层、有源层和栅极层，源漏极层包括多根平行间隔分布的数据线，栅极层包括多根平行间隔分布的栅线，多根数据线和多根栅线相交形成阵列分布的多个像素区域，在每个像素区域中，栅极层还包括与栅线绝缘的第一反射结构，第一反射结构在衬底基板上的正投影从第一数据线在衬底基板上的正投影内延伸至第二数据线在衬底基板上的正投影内。
图13是本发明实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图。如图13所示，该显示基板的制备方法包括：
步骤101：在衬底基板上形成源漏极层。
如图9、10所示，步骤101可以包括，在衬底基板1上制备源漏极层，并形成反射电极20、源极21、漏极22、栅线23及第二反射结构24的图层。
其中，制备源漏极层可以在衬底基板上形成一层金属层，然后对金属层进行图形化处理，使得该层金属层形成源极、漏极和第二反射结构的图案。图形化处理通常包括成膜、曝光、显影、刻蚀等步骤。
以形成源漏极层为例，对图形化的成膜、曝光、显影、刻蚀成膜等步骤进行说明。成膜时，在衬底基板的金属层上涂上一层光刻胶，涂完光刻胶后在其表面覆盖掩膜版，不同的掩膜版对应不同的图案，由于本例中形成源漏极层，即选取的掩膜版为反射电极、源极、漏极、栅线和第二反射结构的图案。覆盖好掩膜版后通过紫外光进行选择性照射，使光照部分的光刻胶发生化学反应，改变这部分胶膜在显影液中的溶解度。显影后，光刻胶膜就会显示出与掩膜版相对应的图案。上述显影的过程就是对光刻胶膜上经过照射的部分在显影液中溶除的过程。刻蚀是用一定比例的酸液将未受光刻胶保护的金属层腐蚀掉，而将有光刻胶保护的金属层保留下来，最终形成源极、漏极和第二反射结构的图案，并形成源漏极层。
下述步骤中，制备有源层、绝缘层、栅极层的过程与上述制备源漏极层的形成方法一致，不做赘述。
步骤102：在源漏极层上形成有源层。
如图14、15所示，源漏极层2上制备了一层有源层3，且该有源层3连接源极21和漏极22。
步骤103：在源漏极层和有源层上形成绝缘层。
如图16、17所示，源漏极层2和有源层3上制备了一层绝缘层7，该绝缘层7覆盖源漏极层2和有源层3。
步骤104：在绝缘层上形成栅极层。
如图18、19所示，步骤104可以包括，在绝缘层7上制备栅极层4，并形成栅极层4中栅线41、栅极和第一反射结构42的图层。
其中，第一反射结构与第二反射结构、源极、漏极和反射电极相互交叠，增大了金属反射层，使显示基板上更大的面积位置能反射环境光，以便于设置有效面积更大的像素电极层，从而增大开口率，提高显示效果。
步骤105：在栅极层上形成绝缘层，并在绝缘层上形成过孔。
如图20、21所示，栅极层4上制备了一层绝缘层7及位于绝缘层7上的过孔5。
步骤106：在绝缘层上形成像素电极层。
如图6、7所示，绝缘层7上制备了一层像素电极层6。本实施例中，通过设置第一反射结构和第二反射结构使得形成的像素电极层在像素区域中对应的像素电极的形状为矩形，形成整块的呈矩形状的像素电极，便于像素电极层的加工制作，且能使设置像素电极的有效面积更大，增大开口率以提高显示效果。
本发明实施例提供了一种显示装置，显示装置包括如前文的显示基板。其中，显示装置可以为电子纸等具有反射式显示功能的产品或部件。
以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：衬底基板(1)、以及依次位于所述衬底基板(1)上的源漏极层(2)、有源层(3)和栅极层(4)，所述源漏极层(2)包括多根平行间隔分布的数据线(23)，所述栅极层(4)包括多根平行间隔分布的栅线(41)，多根所述数据线(23)和多根所述栅线(41)相交形成阵列分布的多个像素区域，
在每个所述像素区域中，所述栅极层(4)还包括与所述栅线(41)绝缘的第一反射结构(42)，所述第一反射结构(42)在所述衬底基板(1)上的正投影从第一数据线在所述衬底基板(1)上的正投影内延伸至第二数据线在所述衬底基板(1)上的正投影内，所述第一数据线和所述第二数据线为所述像素区域两侧的两根所述数据线(23)，所述第一反射结构(42)具有两个相对的第一侧边(421)，以及连接两个所述第一侧边(421)的两个第二侧边(422)，在每个所述像素区域内，所述第一侧边(421)在所述衬底基板(1)上的正投影位于所述数据线(23)在所述衬底基板(1)上的正投影内，所述第二侧边(422)在所述衬底基板(1)上的正投影与所述栅线(41)在所述衬底基板(1)上的正投影间隔分布。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一反射结构(42)的中部具有镂空(43)，所述源漏极层(2)包括与漏极(22)电连接的反射电极(20)，所述镂空(43)在所述衬底基板(1)上的正投影位于所述反射电极(20)在所述衬底基板(1)上的正投影内。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一反射结构(42)在所述衬底基板(1)上的正投影与所述反射电极(20)在所述衬底基板(1)上的正投影部分重叠。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，沿所述栅线(41)的延伸方向排列的多个所述第一反射结构(42)相互连接。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，在每个所述像素区域内，所述源漏极层(2)还包括与源极(21)、所述漏极(22)和所述数据线(23)绝缘的第二反射结构(24)，所述第二反射结构(24)在所述衬底基板(1)上的正投影至少部分位于所述栅线(41)和所述第二侧边(422)在所述衬底基板(1)上的正投影之间。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第二反射结构(24)为具有开口的框体结构，所述框体结构环绕所述反射电极(20)，所述反射电极(20)的部分区域经过所述框体结构的开口与所述漏极(22)连接；或者，
所述第二反射结构(24)为反射条(25)，所述反射条(25)沿所述第二侧边(422)所在方向布置，所述反射条(25)在所述衬底基板(1)上的正投影至少部分位于所述栅线(41)和所述第二侧边(422)在衬底基板(1)上的正投影之间。
7.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述栅极层(4)上的像素电极层(6)，所述像素电极层(6)包括与多个所述像素区域一一对应的像素电极，
在每个所述像素区域内，所述反射电极(20)与所述像素电极通过过孔(5)连接，所述过孔(5)在所述衬底基板(1)上的正投影位于所述镂空(43)在所述衬底基板(1)上的正投影内。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述像素电极覆盖对应的所述像素区域，且所述像素电极在所述衬底基板(1)上正投影与对应的所述像素区域两侧的所述数据线(23)和/或所述栅线(41)在所述衬底基板(1)上的正投影部分重叠。
9.根据权利要求1至8任一项所述的显示基板，其特征在于，所述栅线(41)的部分区域为栅极，所述有源层(3)在所述衬底基板(1)上的正投影位于对应的所述栅线(41)在所述衬底基板(1)上的正投影内。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至9任一项所述的显示基板。
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