CN107272292A - 一种显示基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示基板、显示面板及显示装置，以提高显示装置的开口率，同时提升显示装置的显示品质。显示基板包括位于衬底基板上呈阵列排布的多个像素单元，以及与每行像素单元一一对应设置的栅线和位于任意相邻两列像素单元之间且位于栅线远离衬底基板一侧的数据线，其中：每个像素单元包括像素电极以及控制像素电极的薄膜晶体管；每条数据线包括位于该数据线两侧的两列像素单元中任意行向相邻的两个像素单元之间的若干段弯折状的数据线部，每段数据线部包括被该数据线部一侧的像素单元的像素电极覆盖的第一部分和被该数据线部另一侧的像素单元的像素电极覆盖的第二部分。

Description

一种显示基板、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板、显示面板及显示装置。
背景技术
在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，TFT-LCD)具有体积小、无辐射和制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。
TFT-LCD的液晶面板的主要结构包括阵列基板、彩膜基板以及填充于阵列基板和彩膜基板所形成的对盒结构内的液晶。阵列基板上形成有多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线交叉设置界定出呈阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括像素电极以及控制像素电极的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)；彩膜基板上对应每个像素单元的位置分别设置有彩色光阻，同时为了防止出现漏光，彩膜基板上对应栅线和数据线的位置还设置有黑矩阵，这样无疑降低了显示装置的开口率。为了提高开口率，现有技术中在制作阵列基板时，会将像素电极覆盖在数据线的上方以形成调制电场，从而使液晶层中对应数据线位置的液晶分子能够按照指定的方向偏转，进而可以避免漏光现象。
现有技术存在的缺陷在于，由于数据线设置于相邻两列像素单元之间，为了避免行向相邻的两个子像素的像素电极之间发生短路，像素电极只能覆盖部分数据线，以使相邻像素电极之间留有间距，这样，彩膜基板上对应像素电极未能覆盖的剩余部分数据线的位置仍需设置黑矩阵，因此显示装置的开口率难以进一步提升；并且，像素电极覆盖在数据线的上方会形成寄生电容，由此而产生的串扰会导致显示装置显示不良。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种显示基板、显示面板及显示装置，以提高显示装置的开口率，同时提升显示装置的显示品质。
本发明实施例提供了一种显示基板，包括衬底基板和位于衬底基板上呈阵列排布的多个像素单元，以及与每行像素单元一一对应设置的栅线和位于任意相邻两列像素单元之间的数据线，其中：
每个像素单元包括像素电极以及控制所述像素电极的薄膜晶体管；
每条数据线包括位于该数据线两侧的两列像素单元中任意行向相邻的两个像素单元之间的若干段弯折状的数据线部，每段数据线部包括被该数据线部一侧的像素单元的像素电极覆盖的第一部分和被该数据线部另一侧的像素单元的像素电极覆盖的第二部分。
采用本发明实施例技术方案，每段数据线部的第一部分和第二部分分别被两侧的像素单元的像素电极所覆盖，对于整个显示基板，除去连接部外的绝大部分数据线均被像素电极覆盖以形成调制电场，使液晶层中对应覆盖区域的液晶分子能够按照指定方向偏转，即显示装置无需在对应覆盖区域的位置设置黑矩阵也可以避免漏光现象，提高了显示装置的开口率；此外，对于每个像素单元，该像素单元的像素电极分别覆盖位于其一侧的数据线部的第一部分以及位于其另一侧的数据线部的第二部分，这样像素电极与两侧的数据线部分别产生寄生电容，而由于相邻两条数据线的电压信号变化方向相反，因此上述寄生电容效应可以相互抵消，相比现有技术，该方案还减弱了由于寄生电容而产生的串扰，提升了显示装置的显示品质。
优选的，每段所述数据线部还包括连接所述第一部分和所述第二部分的连接部。
可选的，所述第一部分、连接部和第二部分分别为单线，每段所述数据线部包括顺序连接的第一部分、连接部和第二部分。
优选的，所述像素单元由多条栅线和多条数据线交叉界定，每个所述像素单元包括一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极连接所述像素单元对应的一条栅线，所述薄膜晶体管的源极连接被所述像素单元的像素电极覆盖的数据线部，所述薄膜晶体管的漏极连接所述像素单元的像素电极。这时，薄膜晶体管的源极可以连接位于像素单元的一侧被其像素电极覆盖的数据线部的第一部分，也可以连接位于像素单元的另一侧被其像素电极覆盖的数据线部的第二部分。
优选的，所述显示基板还包括与所述栅线同层设置的多条公共电极线，每条所述公共电极线位于相邻的两条栅线之间，对于位于任意相邻两条栅线之间的像素单元和公共电极线，所述像素单元的像素电极覆盖所述公共电极线；对于每个像素单元，所述公共电极线为所述像素单元的存储电容的底电极，所述像素电极为所述像素单元的存储电容的顶电极。此时，像素单元的存储电容的面积即为像素电极与公共电极线重叠部分的面积。
可选的，所述第一部分包括第一线段和第二线段，所述第二部分为单线，所述连接部包括第一连接部和第二连接部，每段所述数据线部包括顺序连接的第一线段、第一连接部、第二部分、第二连接部和第二线段。
优选的，每条所述栅线穿过与该栅线对应的一行像素单元中的每个像素单元的像素区，且将每个像素单元的像素区划分为第一子像素区和第二子像素区，所述像素电极包括对应所述第一子像素区和对应所述第二子像素区的第一子像素电极和第二子像素电极。
可选的，所述第一子像素电极和第二子像素电极为覆盖于所述栅线之上的一体结构；
每个所述像素单元包括两个薄膜晶体管，所述两个薄膜晶体管的栅极分别连接与所述像素单元对应的栅线，所述两个薄膜晶体管的源极分别连接被所述像素单元的像素电极覆盖的数据线部，所述两个薄膜晶体管的漏极分别连接所述第一子像素电极和所述第二子像素电极。
当栅线位于数据线部的第一部分下方时，两个薄膜晶体管的源极分别连接位于像素单元的一侧被其像素电极覆盖的数据线部的第一线段或者第二线段；当栅线位于数据线部的第二部分下方时，两个薄膜晶体管的源极分别连接位于像素单元的另一侧被其像素电极覆盖的数据线部的第二部分。
优选的，对于每个像素单元，所述栅线为所述像素单元的存储电容的底电极，所述像素电极为所述像素单元的存储电容的顶电极。此时，像素单元的存储电容的面积即为像素电极与栅线重叠部分的面积。
可选的，所述第一子像素电极和第二子像素电极分别位于所述栅线的两侧且绝缘设置；
每个所述像素单元包括两个薄膜晶体管，所述两个薄膜晶体管的栅极分别连接与所述像素单元对应的栅线，所述两个薄膜晶体管的源极分别连接被所述像素单元的像素电极覆盖的数据线部，所述两个薄膜晶体管的漏极分别连接所述第一子像素电极和所述第二子像素电极。
采用该实施例方案，两个薄膜晶体管分别控制第一子像素电极和第二子像素电极的电压，因此可以根据第一子像素电极和第二子像素电极的面积针对性地调整这两个子像素电极的电压，从而控制像素单元的第一子像素区和第二子像素区的颜色亮度，增强显示色彩的饱和度，有利于大尺寸、高分辨率和高刷新频率显示装置的设计。
优选的，所述显示基板还包括与所述栅线同层设置的一组公共电极线，所述一组公共电极线包括多条第一公共电极线，所述像素单元由所述多条第一公共电极线和多条数据线交叉界定。
可选的，对于位于任意相邻两条第一公共电极线之间的像素单元，所述像素单元的像素电极分别覆盖所述两条第一公共电极线靠近该像素单元的侧部；对于每个像素单元，所述两条第一公共电极线的侧部为所述像素单元的存储电容的底电极，所述像素电极为所述像素单元的存储电容的顶电极。此时，像素单元的存储电容的面积即为像素电极与位于该像素单元两侧的两条第一公共电极线重叠部分的面积。
可选的，所述一组公共电极线还包括多条第二公共电极线，每条所述第二公共电极线位于相邻的一条第一公共电极线和一条栅线之间，对于位于任意相邻两条第一公共电极线之间的像素单元，所述像素单元的第一子像素电极和第二子像素电极分别覆盖对应的第二公共电极线；
所述显示基板还包括与所述薄膜晶体管的漏极同层设置且通过漏极引线连接的金属布线，所述金属布线位于所述第二公共电极线的上方；对于每个像素单元，所述第二公共电极线为所述像素单元的存储电容的底电极，所述金属布线为所述像素单元的存储电容的顶电极。
此时，像素单元的存储电容的面积即为金属布线与第二公共电极线重叠部分的面积。
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括前述任一技术方案所述的显示基板。该显示面板的像素开口率大大增加，同时可以有效抑制由于寄生电容而产生的串扰，因此，具有较佳的显示品质。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述技术方案所述的显示面板。该显示装置的开口率大大增加，显示品质也得以提升。
附图说明
图1为本发明第一实施例阵列基板的局部结构示意图；
图2为本发明第二实施例显示基板的局部结构示意图；
图3为本发明第三实施例显示基板的局部结构示意图；
图4为本发明第四实施例显示基板的局部结构示意图；
图5为本发明第五实施例显示基板的局部结构示意图；
图6为本发明第六实施例显示基板的局部结构示意图一；
图7为本发明第六实施例显示基板的局部结构示意图二。
附图标记：
10-栅线 20-数据线 30-像素电极 40-薄膜晶体管
21-数据线部 22-第一部分 23-第二部分 24-连接部
41-栅极 42-源极 43-漏极 44-有源层 50-公共电极线
221-第一线段 222-第二线段 241-第一连接部 241-第二连接部
31-第一子像素电极 32-第二子像素电机 60-第一公共电极线
70-第二公共电极线 80-金属布线 45-漏极引线
具体实施方式
为提高显示装置的开口率，同时提升显示装置的显示品质，本发明实施例提供了一种显示基板、显示面板及显示装置。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下举实施例对本发明作进一步详细说明。
如图1所示，本发明实施例提供的显示基板，包括衬底基板和位于衬底基板上呈阵列排布的多个像素单元，以及与每行像素单元一一对应设置的栅线10和位于任意相邻两列像素单元之间的数据线20，其中：
每个像素单元包括像素电极30以及控制像素电极30的薄膜晶体管40；
每条数据线20包括位于该数据线20两侧的两列像素单元中任意行向相邻的两个像素单元之间的若干段弯折状的数据线部21，每段数据线部21包括被该数据线部21一侧的像素单元的像素电极30覆盖的第一部分22和被该数据线部21另一侧的像素单元的像素电极30覆盖的第二部分23。
其中，衬底基板的具体材质不限，例如可以采用玻璃、树脂或塑料等。栅线10、数据线20的具体材质不限，例如可以包括铜Cu、铝Al、钼Mo、钛Ti、铬Cr、钨W、钕Nd或铌Nb等；栅线10和数据线20可以是单层结构，也可以是多层结构，当栅线10和数据线20为多层结构时，可以采用Mo\Al\Mo、Ti\Al\Ti、Ti\Cu\Ti或者Mo\Cu\Ti等。栅线10和数据线20的线宽具体不限，在本发明实施例中，栅线10的线宽在2～50um之间，数据线20的线宽在2～20um之间。像素电极30的具体材质不限，例如可以采用铟锡氧化物ITO、铟锌氧化物IZO、铟锡锌氧化物ITZO或其它透明金属氧化物等。
采用本发明实施例技术方案，每段数据线部21的第一部分22和第二部分23分别被两侧的像素单元的像素电极30所覆盖，对于整个显示基板，除去连接部24外的绝大部分数据线20均被像素电极30覆盖以形成调制电场，使液晶层中对应覆盖区域的液晶分子能够按照指定方向偏转，即显示装置无需在对应覆盖区域的位置设置黑矩阵也可以避免漏光现象，提高了显示装置的开口率；此外，对于每个像素单元，该像素单元的像素电极30分别覆盖位于其一侧的数据线部21的第一部分22以及位于其另一侧的数据线部21的第二部分23，这样像素电极30与两侧的数据线部21分别产生寄生电容，而由于相邻两条数据线20的电压信号变化方向相反，因此上述寄生电容效应可以相互抵消，相比现有技术，该方案还减弱了由于寄生电容而产生的串扰，提升了显示装置的显示品质。
其中，第一部分22和第二部分23的具体连接方式不限，在本发明实施例中，每段数据线部21还包括连接第一部分22和第二部分23的连接部24。
在本发明的一个优选实施例中，第一部分22、连接部24和第二部分23分别为单线，每段数据线部21包括顺序连接的第一部分22、连接部24和第二部分23，在本发明实施例中，单线可以理解为单独的一条无弯折线段。此时，每段数据线部21包括第一部分22、连接部24和第二部分23三个直线段，第一部分22和第二部分23可以平行设置，数据线部21的弯折形状不限，在图1所示的实施例中，像素单元的像素电极30分别覆盖其左侧数据线部21的第一部分22以及其右侧数据线部21的第二部分23；在图2所示的实施例中，像素单元的像素电极30分别覆盖其左侧数据线部21的第二部分23以及其右侧数据线部21的第一部分22。并且，优选的，第一部分22与第二部分23的长度相等，这样可以进一步减弱由于寄生电容而产生的串扰，提升显示装置的显示品质。
对于本领域技术人员可知，薄膜晶体管40包括形成于衬底基板之上的栅极41、形成于栅极41之上的栅极绝缘层(图中未示出)、形成于栅极绝缘层之上的有源层44和分别与有源层44连接的源极42和漏极43。其中，有源层44的具体材质不限，例如可以采用非晶硅、多晶硅或氧化物半导体等；栅极绝缘层的具体材质不限，例如可以采用氮化硅或氧化硅等，栅极绝缘层可以是单层结构，也可以是多层结构，当栅极绝缘层为多层结构时，可以采用氧化硅\氮化硅。
在本发明的优选实施例中，像素单元由多条栅线10和多条数据线20交叉界定，每个像素单元包括一个薄膜晶体管40，薄膜晶体管40的栅极41连接像素单元对应的一条栅线10，薄膜晶体管40的源极42连接被像素单元的像素电极30覆盖的数据线部21，薄膜晶体管40的漏极43连接像素单元的像素电极30。这时，薄膜晶体管40的源极42可以连接位于像素单元的一侧被其像素电极30覆盖的数据线部21的第一部分22，也可以连接位于像素单元的另一侧被其像素电极30覆盖的数据线部21的第二部分23。需要说明的是，显示基板还包括形成于薄膜晶体管40之上的钝化层或者有机材料平坦化层，薄膜晶体管40的漏极43可通过设置于上述钝化层或者有机材料平坦化层上的过孔与像素电极30连接。其中，钝化层和平坦化层的具体材质不限，例如钝化层可以采用氮化硅，平坦化层可以采用树脂。
请继续参考图1所示，显示基板还包括与栅线10同层设置的多条公共电极线50，每条公共电极线50位于相邻的两条栅线10之间，对于位于任意相邻两条栅线10之间的像素单元和公共电极线50，像素单元的像素电极30覆盖公共电极线50；对于每个像素单元，公共电极线50为像素单元的存储电容的底电极，像素电极30为像素单元的存储电容的顶电极。此时，像素单元的存储电容的面积即为像素电极30与公共电极线50重叠部分的面积。其中，公共电极线50的具体材质不限，例如可以包括铜Cu、铝Al、钼Mo、钛Ti、铬Cr、钨W、钕Nd或铌Nb等；公共电极线50的线宽也不限，在本发明实施例中，公共电极线50的线宽在2～30um之间.
如图3所示，在本发明的另一优选实施例中，第一部分22包括第一线段221和第二线段222，第二部分23为单线，连接部24包括第一连接部241和第二连接部242，每段数据线部21包括顺序连接的第一线段221、第一连接部241、第二部分23、第二连接部242和第二线段222。此时，每段数据线部21包括第一线段221、第一连接部241、第二部分23、第二连接部242和第二线段222五个直线段，第一线段221和第二线段222可以位于同一直线上并与第二部分23平行设置，数据线部21的弯折形状不限，在图3所示的实施例中，像素单元的像素电极30分别覆盖其左侧数据线部21的第一部分22以及其右侧数据线部21的第二部分23；在图4所示的实施例中，像素单元的像素电极30分别覆盖其左侧数据线部21的第二部分23以及其右侧数据线部21的第一部分22。并且，优选的，第一线段221和第二线段222长度之和与第二部分23的长度相等，这样可以进一步为了进一步减弱由于寄生电容而产生的串扰，提升显示装置的显示品质。
如图4所示，每条栅线10穿过与该栅线10对应的一行像素单元中的每个像素单元的像素区，且将每个像素单元的像素区划分为第一子像素区和第二子像素区，像素电极30包括对应第一子像素区和对应第二子像素区的第一子像素电极31和第二子像素电极32。第一子像素区的面积与第二子像素区的面积可以相等，也可以不等。
在本发明的一个可选实施例中，第一子像素电极31和第二子像素电极32为覆盖于栅线10之上的一体结构；
每个像素单元包括两个薄膜晶体管40，两个薄膜晶体管40的栅极41分别连接与像素单元对应的栅线10，两个薄膜晶体管40的源极42分别连接被像素单元的像素电极30覆盖的数据线部21，两个薄膜晶体管40的漏极43分别连接第一子像素电极31和第二子像素电极32。
当栅线10位于数据线部21的第一部分22下方时，两个薄膜晶体管40的源极42分别连接位于像素单元的一侧被其像素电极30覆盖的数据线部21的第一线段221或者第二线段222；当栅线10位于数据线部21的第二部分23下方时，两个薄膜晶体管40的源极42分别连接位于像素单元的另一侧被其像素电极30覆盖的数据线部21的第二部分23。
优选的，对于每个像素单元，栅线10为像素单元的存储电容的底电极，像素电极30为像素单元的存储电容的顶电极。此时，像素单元的存储电容的面积即为像素电极30与栅线10重叠部分的面积。
如图5所示，在本发明的另一可选实施例中，第一子像素电极31和第二子像素电极32分别位于栅线10的两侧且绝缘设置；
每个像素单元包括两个薄膜晶体管40，两个薄膜晶体管40的栅极41分别连接与像素单元对应的栅线10，两个薄膜晶体管40的源极42分别连接被像素单元的像素电极30覆盖的数据线部21，两个薄膜晶体管40的漏极43分别连接第一子像素电极31和第二子像素电极32。
采用该实施例方案，两个薄膜晶体管40分别控制第一子像素电极31和第二子像素电极32的电压，因此可以根据第一子像素电极31和第二子像素电极32的面积针对性地调整这两个子像素电极的电压，从而控制像素单元的第一子像素区和第二子像素区的颜色亮度，增强显示色彩的饱和度，有利于大尺寸、高分辨率和高刷新频率显示装置的设计。
如图5所示实施例，显示基板还包括与栅线10同层设置的一组公共电极线，一组公共电极线包括多条第一公共电极线60，像素单元由多条第一公共电极线30和多条数据线20交叉界定。
可选的，对于位于任意相邻两条第一公共电极线60之间的像素单元，像素单元的像素电极30分别覆盖两条第一公共电极线60靠近该像素单元的侧部；对于每个像素单元，两条第一公共电极线60的侧部为像素单元的存储电容的底电极，像素电极30为像素单元的存储电容的顶电极。此时，像素单元的存储电容的面积即为像素电极30与位于该像素单元两侧的两条第一公共电极线60重叠部分的面积。
如图6和图7所示实施例，一组公共电极线还包括多条第二公共电极线70，每条第二公共电极线70位于相邻的一条第一公共电极线60和一条栅线10之间，对于位于任意相邻两条第一公共电极线60之间的像素单元，像素单元的第一子像素电极31和第二子像素电极32分别覆盖对应的第二公共电极线70；
显示基板还包括与薄膜晶体管40的漏极43同层设置且通过漏极引线45连接的金属布线80，金属布线80位于第二公共电极线70的上方；对于每个像素单元，第二公共电极线70为像素单元的存储电容的底电极，金属布线80为像素单元的存储电容的顶电极。
此时，像素单元的存储电容的面积即为金属布线80与第二公共电极线70重叠部分的面积。当然，像素单元的第一子像素电极31和第二子像素电极32也可以分别覆盖两侧的第一公共电极线60的侧部，这样可以进一步增加像素单元的存储电容的面积。在实施例方案中，显示面板可以包括与像素单元的两个薄膜晶体管40的漏极43分别通过漏极引线45连接的两条金属布线80，可以理解的，两条金属布线80分别位于像素单元的第一子像素区和第二子像素区，并分别与第一子像素区和第二子像素区内的第二金属布线70位置相对。采用该方案，第一子像素电极31和第二子像素电极32可分别通过设置于钝化层或者有机材料平坦化层上的过孔与金属布线80连接，以此实现与薄膜晶体管40的漏极43连接的目的。
需要说明的是，在图5至图7所示实施例中，第一子像素电极31和第二子像素电极32也可以为覆盖于栅线10之上的一体结构，这样，对于图5所示实施例，像素单元的存储电容由像素电极30与位于该像素单元两侧的两条第一公共电极线60重叠部分的面积，以及像素电极30与栅线10重叠部分的面积共同构成；对于图6和图7所示实施例，像素单元的存储电容的面积由金属布线80与第二公共电极线70重叠部分的面积，以及像素电极30与栅线10重叠部分的面积共同构成。
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括前述任一技术方案的显示基板。可以理解的，显示面板还包括与显示基板对盒设置的对侧基板，该对侧基板上对应连接部的位置设置有黑矩阵，以避免该位置产生漏光。该显示面板的像素开口率大大增加，同时可以有效抑制由于寄生电容而产生的串扰，因此，具有较佳的显示品质。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述技术方案的显示面板。该显示装置的开口率大大增加，显示品质也得以提升。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板和位于衬底基板上呈阵列排布的多个像素单元，以及与每行像素单元一一对应设置的栅线和位于任意相邻两列像素单元之间的数据线，其中：
每个像素单元包括像素电极以及控制所述像素电极的薄膜晶体管；
每条数据线包括位于该数据线两侧的两列像素单元中任意行向相邻的两个像素单元之间的若干段弯折状的数据线部，每段数据线部包括被该数据线部一侧的像素单元的像素电极覆盖的第一部分和被该数据线部另一侧的像素单元的像素电极覆盖的第二部分。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每段所述数据线部还包括连接所述第一部分和所述第二部分的连接部。
3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分分别为单线，每段所述数据线部包括顺序连接的第一部分、连接部和第二部分。
4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述像素单元由多条栅线和多条数据线交叉界定，每个所述像素单元包括一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极连接所述像素单元对应的一条栅线，所述薄膜晶体管的源极连接被所述像素单元的像素电极覆盖的数据线部，所述薄膜晶体管的漏极连接所述像素单元的像素电极。
5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括与所述栅线同层设置的多条公共电极线，每条所述公共电极线位于相邻的两条栅线之间，对于位于任意相邻两条栅线之间的像素单元和公共电极线，所述像素单元的像素电极覆盖所述公共电极线；对于每个像素单元，所述公共电极线为所述像素单元的存储电容的底电极，所述像素电极为所述像素单元的存储电容的顶电极。
6.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一部分包括第一线段和第二线段，所述第二部分为单线，所述连接部包括第一连接部和第二连接部，每段所述数据线部包括顺序连接的第一线段、第一连接部、第二部分、第二连接部和第二线段。
7.如权利要求6所述的显示基板，其特征在于，每条所述栅线穿过与该栅线对应的一行像素单元中的每个像素单元的像素区，且将每个像素单元的像素区划分为第一子像素区和第二子像素区，所述像素电极包括对应所述第一子像素区和对应所述第二子像素区的第一子像素电极和第二子像素电极。
8.如权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一子像素电极和第二子像素电极为覆盖于所述栅线之上的一体结构；
每个所述像素单元包括两个薄膜晶体管，所述两个薄膜晶体管的栅极分别连接与所述像素单元对应的栅线，所述两个薄膜晶体管的源极分别连接被所述像素单元的像素电极覆盖的数据线部，所述两个薄膜晶体管的漏极分别连接所述第一子像素电极和所述第二子像素电极。
9.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，对于每个像素单元，所述栅线为所述像素单元的存储电容的底电极，所述像素电极为所述像素单元的存储电容的顶电极。
10.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一子像素电极和第二子像素电极分别位于所述栅线的两侧且绝缘设置；
每个所述像素单元包括两个薄膜晶体管，所述两个薄膜晶体管的栅极分别连接与所述像素单元对应的栅线，所述两个薄膜晶体管的源极分别连接被所述像素单元的像素电极覆盖的数据线部，所述两个薄膜晶体管的漏极分别连接所述第一子像素电极和所述第二子像素电极。
11.如权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括与所述栅线同层设置的一组公共电极线，所述一组公共电极线包括多条第一公共电极线，所述像素单元由所述多条第一公共电极线和多条数据线交叉界定。
12.如权利要求11所述的显示基板，其特征在于，对于位于任意相邻两条第一公共电极线之间的像素单元，所述像素单元的像素电极分别覆盖所述两条第一公共电极线靠近该像素单元的侧部；对于每个像素单元，所述两条第一公共电极线的侧部为所述像素单元的存储电容的底电极，所述像素电极为所述像素单元的存储电容的顶电极。
13.如权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述一组公共电极线还包括多条第二公共电极线，每条所述第二公共电极线位于相邻的一条第一公共电极线和一条栅线之间，对于位于任意相邻两条第一公共电极线之间的像素单元，所述像素单元的第一子像素电极和第二子像素电极分别覆盖对应的第二公共电极线；
所述显示基板还包括与所述薄膜晶体管的漏极同层设置且通过漏极引线连接的金属布线，所述金属布线位于所述第二公共电极线的上方；对于每个像素单元，所述第二公共电极线为所述像素单元的存储电容的底电极，所述金属布线为所述像素单元的存储电容的顶电极。
14.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～13任一项所述的显示基板。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求14所述的显示面板。
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