KR20160061536A - 액정 표시 장치 - Google Patents

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신철
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신기철
이세현
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Abstract

액정 표시 장치가 제공된다. 액정 표시 장치는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극에 제공되는 데이터 전압이 인가되는 제1 데이터 라인 및 상기 제1 화소 전극과 나란히 배치된 제2 화소 전극을 포함하되, 상기 제1 데이터 라인은 상기 제1 화소 전극과 오버랩되는 제1 라인과 상기 제2 화소 전극과 오버랩되는 제2 라인을 포함한다.

Description

액정 표시 장치{LIQUID DISPLAY DEVICE}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극(field generating electrode)이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고, 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
여기서, 액정층에 한 방향의 전계가 오랫동안 인가됨으로써 발생하는 열화 현상이나 플리커(flickering) 등을 방지하기 위하여 프레임 별로, 행 별로, 연별로 또는 화소 별로 공통 전압에 대한 데이터 전압의 극성을 반전시킨다. 이러한, 도트 반전 구동 방식 중에서, 아래 위로 인접한 홀수 행 화소와 짝수 행 화소를 하나의 반전 단위로 하는 2 도트 반전 구동 방식이 일반적으로 적용되고 있다. 즉, 반전 단위를 이루는 홀수 행과 짝수 행은 동일한 극성을 가진다.
이러한 2도트 반전 구동을 얻기 위해서 반전 단위를 이루는 2행의 화소는 2행마다 데이터 라인을 중심으로 반대 극성의 신호가 인가된다. 이때, 1행 및 2행 화소 전극과 데이터 라인이 이루는 거리는 다음 3행 및 4행 화소 전극과 데이터 라인이 이루는 거리가 다르게 정렬될 수 있다. 즉, 데이터 라인을 중심으로 화소 전극과의 거리는 동일하게 정렬되어야 하나, 공정상 오정렬(Miss-Alignment)이 발생할 수 있으며, 오정렬로 인하여 화소 전극과 데이터 라인 사이의 거리가 달라지게 된다. 이러한, 거리 차이로 인해서 화소 전극과 데이터 라인 사이의 기생 커패시턴스(Cdp) 차이가 발생하고 이는 가로줄 불량의 원인이 되며, 표시 품질이 저하된다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기생 커패시턴스(Cdp) 차이에 따른 가로줄 불량이 발생하지 않는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극에 제공되는 데이터 전압이 인가되는 제1 데이터 라인 및 상기 제1 화소 전극과 나란히 배치된 제2 화소 전극을 포함하되, 상기 제1 데이터 라인은 상기 제1 화소 전극과 오버랩되는 제1 라인과 상기 제2 화소 전극과 오버랩되는 제2 라인을 포함한다.
상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극은 서로 다른 극성의 데이터 전압이 제공될 수 있다.
상기 제1 라인은 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역으로부터 소정 거리만큼 이격되어 상기 제1 화소 전극과 오버랩되고, 상기 제2 라인은 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역으로부터 소정 거리만큼 이격되어 상기 제2 화소 전극과 오버랩될 수 있다.
상기 제1 라인은 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역으로부터 상기 제2 화소 전극과 기생 커패시턴스를 형성하지 않는 거리만큼 이격되어 상기 제1 화소 전극과 오버랩되고, 상기 제2 라인은 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역으로부터 상기 제1 화소 전극과 기생 커패시턴스를 형성하지 않는 거리만큼 이격되어 상기 제2 화소 전극과 오버랩될 수 있다.
상기 제1 데이터 라인은, 상기 제1 라인과 상기 제2 라인을 연결하는 제3 라인을 더 포함할 수 있다.
상기 제3 라인은 상기 제1 화소 전극의 장변과 상기 제2 화소 전극의 장변을 이등분하는 가상의 선을 따라 연장될 수 있다.
상기 제1 라인은 상기 제1 화소 전극의 장변의 절반과 오버랩되고, 상기 제2 라인은 상기 제2 화소 전극의 장변의 절반과 오버랩될 수 있다.
상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역을 따라 연장된 유지 라인을 더 포함할 수 있다.
상기 유지 라인의 단면적과 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역의 단면적은 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극에 제공되는 데이터 전압이 인가되는 제1 데이터 라인 및 상기 제1 데이터 라인과 나란히 배치된 제2 데이터 라인을 포함하되, 상기 제1 데이터 라인은 상기 제1 화소 전극의 일변을 따라 상기 제1 화소 전극과 오버랩되며, 상기 제2 데이터 라인은 상기 일변과 대향되는 상기 제1 화소 전극의 타변을 따라 상기 제1 화소 전극과 오버랩될 수 있다.
상기 제2 데이터 라인은 상기 제1 화소 전극과 나란히 배치된 제2 화소 전극에 제공되는 데이터 전압이 인가될 수 있다.
상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역을 따라 연장된 유지 라인을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 화소 전극은 서로 다른 레벨의 데이터 전압이 충전되는 제1 서브 화소 전극과 제2 서브 화소 전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 화소 전극은 복수의 도메인으로 분할되며, 서로 다른 레벨의 데이터 전압이 충전되는 제1 서브 화소 전극과 제2 서브 화소 전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 화소 전극의 상기 일변과 상기 타변은 가상의 선에 의해 이등분되며, 상기 제1 데이터 라인은 상기 일변의 하부변을 따라 상기 제1 화소 전극과 오버랩되며, 상기 제2 데이터 라인은 상기 타변의 상부변을 따라 상기 제1 화소 전극과 오버랩될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극과 제1 방향을 따라 나란히 배치된 제2 화소 전극 및 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 연장된 제1 데이터 라인을 포함하되, 상기 제1 데이터 라인은 상기 제1 화소 전극 및 상기 제2 화소 전극과 오버랩된다.
상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극은, 제1 영역, 상기 제1 영역의 일 측에서 일부 연장된 제2 영역 및 상기 제1 영역의 타 측에서 일부 연장된 제3 영역을 포함하되, 상기 제1 데이터 라인은 상기 제1 화소 전극의 제2 영역 및 상기 제2 화소 전극의 제3 영역과 오버랩될 수 있다.
상기 제2 영역과 상기 제3 영역은 상기 제1 방향을 따라 오버랩되지 않을 수 있다.
상기 제1 데이터 라인은 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역으로부터 소정 거리만큼 이격되어 상기 제1 화소 전극 및 상기 제2 화소 전극과 오버랩될 수 있다.
상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역을 따라 연장된 유지 라인을 더 포함할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
기생 커패시턴스(Cdp) 차이에 따른 가로줄 불량을 방지할 수 있는 바, 개선된 표시 품질을 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 전극과 데이터 라인의 관계를 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 A-A′를 따라 절단한 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 5 및 도 6은 도 2의 B-B′를 따라 절단한 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 7 및 도 8은 종래의 액정 표시 장치의 데이터 라인과 이웃하는 화소 전극을 절단한 단면도이다.
도 9는 몇몇 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소의 평면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소 전극과 데이터 라인의 관계를 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 12 및 도 13는 도 11의 A-A′를 따라 절단한 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 14 및 도 15는 도 2의 B-B′를 따라 절단한 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 16은 몇몇 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소의 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 액정 표시 장치(10)는 복수의 화소(PX), 복수의 데이터 라인(DL) 및 복수의 스캔 라인(SL)을 포함한다. 복수의 화소(PX)는 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 복수의 데이터 라인(DL) 각각과 복수의 스캔 라인(SL) 각각은 하나의 화소(PX)를 정의하며, 하나의 화소(PX)와 연결될 수 있다. 각 화소(PX)는 적어도 하나의 트랜지스터(TR)와 화소 전극(P)을 포함할 수 있다. 각 화소(PX)의 트랜지스터(TR)는 게이트 전극이 하나의 스캔 라인과 연결되고, 일 전극이 하나의 데이터 라인과 연결되며, 타 전극이 화소 전극(P)과 연결될 수 있다. 즉, 각 화소(PX)의 트랜지스터(TR)는 스캔 라인으로부터 전달되는 스캔 신호에 의해 턴 온되어 연결된 데이터 라인으로부터 전달되는 데이터 전압을 화소 전극(P)에 제공할 수 있다. 여기서, 액정 표시 장치는 2 도트 반전 방식으로 구동될 수 있다. 즉, 위 아래로 배치된 화소들은 하나의 반전 단위일 수 있다. 현재 프레임에서 같은 반전 단위에 포함된 화소들은 동일한 극성의 데이터 전압을 인가 받을 수 있다. 하나의 반전 단위를 기준으로 이웃하는 화소들은 서로 다른 극성의 데이터 전압을 인가 받을 수 있다. 즉, 하나의 데이터 라인을 기준으로 양 옆으로 이웃하는 화소들은 서로 다른 극성을 가질 수 있다.
복수의 스캔 라인(SL)은 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 복수의 스캔 라인(SL)은 서로 평행하게 연장될 수 있다. 복수의 스캔 라인(SL)은 순차적으로 스캔 신호를 각 화소(PX)의 트랜지스터(TR)로 제공할 수 있다.
복수의 데이터 라인(DL)은 복수의 스캔 라인(SL)과 교차할 수 있다. 복수의 데이터 라인(DL)은 데이터 전압이 제공될 수 있다. 데이터 전압은 턴 온된 트랜지스터(TR)를 통해 화소 전극(P)에 제공될 수 있다. 복수의 데이터 라인(DL)은 지그-재그(Zigzag) 형상일 수 있으나, 복수의 데이터 라인(DL)은 전체적인 진행 방향은 제1 방향(D1)과 수직인 제2 방향(D2)일 수 있다. 여기서, 제1 방향(D1)은 행 방향일 수 있으며, 제2 방향(D2)은 열 방향일 수 있다. 즉, 복수의 데이터 라인(DL)은 반복적으로 꺾인 구조일 수 있다. 각 데이터 라인(DL)은 서로 다른 수직선상에 제2 방향(D2)으로 진행하는 라인들과 제1 방향(D1)으로 연장되어 상기 라인들을 연결하는 다른 라인을 포함할 수 있다.
여기서, 일 화소(PX)에 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인을 자기 데이터 라인이라 정의하고, 일 데이터 라인의 데이터 전압을 제공 받는 화소 전극을 자기 화소 전극이라 정의한다. 각 화소(PX)는 자기 데이터 라인과 부분적으로 중첩할 수 있다. 그리고, 각 화소(PX)는 제1 방향(D1)을 따라 나란히 배치된 데이터 라인과도 부분적으로 중첩될 수 있다. 보다 구체적으로 설명하면, 각 화소(PX)의 화소 전극(P)은 자기 데이터 라인 및 이웃하는 데이터 라인과 중첩될 수 있다. 화소 전극(P)은 제1 방향(D1)을 따른 제1 변과 제2 방향(D2)을 따른 제2 변을 포함할 수 있다. 여기서, 화소 전극(P)은 실질적으로 제2 변의 절반에 대응되는 길이만큼 각각 자기 데이터 라인과 오버랩될 수 있다. 또한, 화소 전극(P)은 제2 변의 나머지 절반에 대응되는 길이만큼 바로 이웃하는 데이터 라인과 오버랩될 수 있다.
데이터 라인을 기준으로 설명하면, 하나의 데이터 라인은 이웃하는 화소 전극들과 모두 오버랩될 수 있다. 즉, 데이터 라인은 일 측에 배치된 화소 전극과 오버랩될 수 있으며, 타 측에 배치된 화소 전극과도 오버랩될 수 있다. 도 2를 참조하여, 화소 전극들과 데이터 라인의 배치 관계에 대해 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 전극과 데이터 라인의 관계를 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 2를 참조하면, 제1 화소 전극(P1)와 제2 화소 전극(P2)은 제1 방향(D1)을 따라 나란히 배치될 수 있다. 제2 화소 전극(P2)은 제2 데이터 라인(DL2)으로부터 데이터 전압을 제공받을 수 있다. 즉, 제2 데이터 라인(DL2)은 제2 화소 전극(P2)을 포함하는 화소(PX)의 자기 데이터 라인일 수 있다. 여기서, 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)은 서로 다른 극성의 데이터 전압이 인가될 수 있다. 일 프레임에서, 제2 화소 전극(P2)은 제2 데이터 라인(DL2)을 통해 부극성의 데이터 전압이 전달된 상태일 수 있으며, 제1 화소 전극(P1)은 제1 데이터 라인(DL1)을 통해 정극성의 데이터 전압이 전달된 상태일 수 있다.
제2 데이터 라인(DL2)은 제1 화소 전극(P1)과 오버랩되는 제1 라인(L1)과 제2 화소 전극(P2)과 오버랩되는 제2 라인(L2)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 데이터 라인(DL2)은 제1 라인(L1)과 제2 라인(L2)을 연결하는 제3 라인(L3)를 더 포함할 수 있다. 제1 라인(L1)과 제2 라인(L2)은 제2 방향(D2)을 따라 연장될 수 있으며, 제3 라인(L3)은 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)은 제1 방향(D1)에 대응되는 제1 변과 제2 방향(D2)에 대응되는 제2 변을 포함할 수 있다. 그리고, 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)은 제2 방향(D2)을 따라 중심을 가로지는 가상의 선에 의해 양분될 수 있다. 제1 라인(L1)은 양분된 제1 화소 전극(P1)의 상부와 오버랩될 수 있다. 그리고, 제2 라인(L2)은 양분된 제2 화소 전극(P2)의 하부와 오버랩될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 몇몇 실시예에서 제1 라인(L1)은 제1 화소 전극(P1)의 하부와 오버랩될 수 있으며, 제2 라인(L2)은 제2 화소 전극(P1)의 상부와 오버랩될 수도 있다.
제2 데이터 라인(DL2)은 인접한 화소 전극들(P1, P2) 사이에 배치되는 것이 아니라, 각 화소 전극들(P1, P2)과 오버랩되도록 배치될 수 있다. 여기서, 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)의 경계 영역에는 유지 배선(SL)이 배치될 수 있다. 이에 대해서는 보다 상세히 후술하도록 한다.
화소 전극을 기준으로 설명하면, 제1 화소 전극(P1)의 상부 전극은 제2 데이터 라인(DL2)의 제1 라인(L1)과 오버랩될 수 있으며, 제1 화소 전극(P1)의 하부 전극은 제1 데이터 라인(DL1)의 제2 라인(L2)과 오버랩될 수 있다. 그리고, 제2 화소 전극(P2)의 상부 전극은 제3 데이터 라인(DL3)의 제1 라인(L1)과 오버랩될 수 있으며, 제2 화소 전극(P2)의 하부 전극은 제2 데이터 라인(DL2)의 제2 라인(L2)과 오버랩될 수 있다. 하나의 화소 전극은 자기 데이터 라인 및 바로 이웃하는 데이터 라인과 소정 레벨의 기생 커패시턴스(Cdp)를 각각 형성할 수 있다. 하나의 화소 전극은 오버랩되는 각 데이터 라인들과 각각 기생 커패시턴스(Cdp)를 형성할 수 있다. 여기서, 하나의 화소 전극은 대각선으로 대칭된 서로 다른 극성의 데이터 라인과 각각 기생 커패시턴스(Cdp)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 하나의 화소 전극에 발생하는 기생 커패시턴스(Cdp)는 최소화될 수 있다.
여기서, 제1 라인(L1)과 제2 라인(L2)은 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)의 경계 영역으로부터 소정 거리(a)만큼 이격될 수 있다. 제1 라인(L1)은 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)의 경계 영역으로부터 소정 거리(a)만큼 이격되어 제1 화소 전극(P1)과 오버랩될 수 있다. 제2 라인(L2)은 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)의 경계 영역으로부터 소정 거리(a)만큼 이격되어 제2 화소 전극(P2)과 오버랩될 수 있다. 여기서, 소정 거리(a)는 제1 라인(L1)이 제2 화소 전극(P2)과 기생 커패시턴스를 형성하지 않는 거리일 수 있으며, 제2 라인(L2)이 제1 화소 전극(P1)과 기생 커패시턴스를 형성하지 않는 거리일 수 있다. 여기서, 소정 거리(a)는 데이터 라인의 형성 시 발생할 수 있는 오정렬에 따른 최대 오차 거리일 수 있다. 즉, 제2 데이터 라인(DL2)이 오정렬(Miss-alignment)되더라도 제1 라인(L1) 전체는 여전히 제1 화소 전극(P1)과 오버랩될 수 있다. 이하, 본 실시예에 따른 데이터 라인의 구조에 따른 효과에 대해 도 3 내지 도 6을 참조하여 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 3 및 도 4는 도 2의 A-A′를 따라 절단한 액정 표시 장치의 단면도이고, 도 5 및 도 6은 도 2의 B-B′를 따라 절단한 액정 표시 장치의 단면도이고, 도 7 및 도 8은 종래의 액정 표시 장치의 데이터 라인과 이웃하는 화소 전극을 절단한 단면도이다.
도 3 내지 도 8을 참조하면, 종래의 액정 표시 장치의 데이터 라인은 이웃하는 화소 전극의 경계 영역에 대응하여 배치될 수 있다. 따라서 일 데이터 라인은 양 측에 배치된 화소 전극과 소정의 기생 커패시턴스를 각각 형성할 수 있다. 이 때 데이터 라인은 공정 오차에 따라 제1 방향(D1) 또는 제1 방향(D1)의 역 방향으로 쉬프트되는 오정렬(Miss-Alignment)가 발생할 수 있으며, 이에 따라 기생 커패시턴스는 변동될 수 있다. 일반적으로 기생 커패시턴스는 데이터 라인과 화소 전극의 거리에 반비례하며, 데이터 라인이 쉬프트됨에 따라 양 화소 전극과 각각 형성하는 기생 커패시턴스의 크기는 달라질 수 있다. 기생 커패시턴스에 따라 화소 전극에 인가되는 전압의 레벨은 변화될 수 있으며, 이에 따라 기 설정된 계조와 상이한 계조가 표현될 수 있다. 특히, 2 도트 반전 방식에서 다른 반전 단위의 경계에 해당하는 화소 전극들이 도 7과 도 8과 같이 다른 방향으로 쉬프트되는 경우, 이들의 경계가 시인되는 가로줄 불량이 발생할 수 있다.
본 실시예에 따른 액정 표시 장치(10)는 제1 기판(s1), 제1 절연층(I1), 유지 배선(SL), 제1 컬러 필터(C1), 제2 컬러 필터(C2), 제2 절연층(I2), 액정층(LC), 공통 전극(CE) 및 제2 기판(s2)를 더 포함할 수 있다.
제1 기판(s1)은 절연 기판일 수 있다. 제1 기판(s1)은 화소 전극(P1, P2)이 형성되는 기판일 수 있다. 제2 기판(s2)은 제1 기판(s1)과 대향되어 배치될 수 있으며, 공통 전극(CE)이 배치되는 기판일 수 있다. 즉, 화소 전극(P1, P2)과 공통 전극(CE)은 수직 전계를 형성할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 공통 전극(CE)은 제1 기판(s1)에서 화소 전극(P1, P2)과 같은 층 또는 다른 층에 배치되어 수평 전계를 형성할 수 있다. 제1 기판(s1)과 제2 기판(s2) 사이에 개재된 액정층(LC)은 화소 전극(P1, P2)과 공통 전극(CE)이 형성하는 전계에 따라 배열이 변경될 수 있다. 여기서, 상술한 바와 같이 제1 및 제2 화소 전극(P1, P2)에는 제1 데이터 라인(DL1)과 제2 데이터 라인(DL2)을 통해 데이터 전압이 인가될 수 있으며, 공통 전극(CE)에는 소정의 공통 전압이 인가될 수 있다. 여기서, 제1 기판(s1)의 하부에는 백라이트(미도시)가 배치되어 상부 방향으로 백라이트 광을 방출할 수 있다. 공통 전압과 데이터 전압의 차이에 따라 액정층(LC)의 배열은 변화될 수 있다. 즉, 액정층(LC)의 배열 변화에 따라 액정층(LC)을 통과하는 백라이트 광의 휘도량이 제어될 수 있다.
제1 기판(s1) 상에는 스캔 라인(미도시) 및 유지 라인(SL) 등이 배치될 수 있다. 유지 라인(SL)은 각 화소 전극과 소정의 전계를 형성하는 각 유지 전극에 소정의 전압을 제공할 수 있다. 여기서 유지 전극(미도시)은 화소 전극의 테두리를 따라 오버랩되도록 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 유지 라인(SL)은 각 화소 전극의 경계와 대응되도록 형성될 수 있다. 즉, 유지 라인(SL)은 각 화소 전극 간의 간극에 대응되는 단면적을 가질 수 있다. 유지 라인(SL)의 폭은 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)의 경계와 실질적으로 동일할 수 있다. 유지 라인(SL)을 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)의 경계와 대응되도록 배치함에 따라, 데이터 라인이 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소(P2)의 경계를 지나지 않음에 따라 발생할 수 있는 빛 샘 등의 문제는 해소될 수 있다.
제1 기판(s1), 스캔 라인(미도시) 및 유지 라인(SL) 상에는 제1 절연막(I1)이 형성될 수 있다. 제1 절연막(I1)은 게이트 절연막일 수 있다. 제1 절연막(I1)은 스캔 라인(미도시) 및 유지 라인(SL)과 제1 절연막(I1) 상부에 배치되는 구성과의 전기적 연결을 차단할 수 있다.
제1 절연막(I1) 상에는 데이터 라인이 배치될 수 있다. 즉, 제1 라인(L1)이 형성될 수 있다. 제1 라인(L1) 및 제1 절연막(I1) 상에는 컬러 필터가 형성될 수 있다. 본 실시예에 따른 액정 표시 장치(10)는 컬러 필터가 제1 기판(s1)에 형성될 수 있다. 제1 컬러 필터(C1)는 제1 화소 전극(P1)과 대응되어 형성될 수 있다. 제1 컬러 필터(C1)는 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue) 중 하나의 색을 포함할 수 있다. 그리고, 제1 화소 전극(P1)과 이웃하는 제2 화소 전극(P2)과 대응되어 제2 컬러 필터(C2)가 형성될 수 있다. 여기서, 제2 컬러 필터(C2)는 제1 컬러 필터(C1)와 상이한 색을 나타낼 수 있다. 그리고, 제1 컬러 필터(C1)과 제2 컬러 필터(C2)는 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2) 사이에 중첩되어 형성될 수 있다. 데이터 라인이 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2) 사이에 중첩되지 않음에 따라 발생할 수 있는 빛 샘 등을 컬러 필터를 하부 기판에 배치함으로써 보다 방지할 수 있다. 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)의 경계에 유지 배선(SL)과 컬러 필터를 중첩함에 따라 별도의 블랙 매트릭스가 배치되지 않을 수 있다. 이에 따라, 전체적인 액정 표시 장치의 두께가 얇아지는 효과 또한 제공할 수 있다. 컬러 필터 상에는 제2 절연막(I2)이 배치될 수 있으며, 제2 절연막(I2)은 평탄화막일 수 있다. 제2 절연막(I2) 상에는 화소 전극들이 배치될 수 있다.
제1 라인(L1)은 제1 화소 전극(P1)과 오버랩될 수 있다. 제1 라인(L1)은 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)의 경계와 소정 거리(a) 이격될 수 있다. 여기서, 소정 거리(a)는 제1 라인(L1)이 제2 화소 전극(P2)과 기생 커패시턴스를 형성하지 않는 거리일 수 있다. 즉, 제1 라인(L1)은 제1 화소 전극(P1)과 기생 커패시턴스(Cdp1)를 형성할 수 있다. 여기서, 제1 화소 전극(P1)은 제2 데이터 라인(DL2)의 제1 라인(L1)과 기생 커패시턴스를 형성하고, 제1 데이터 라인(DL1)의 제2 라인(L2)과 기생 커패시턴스를 형성한 상태일 수 있다. 여기서, 소정 거리(a)는 데이터 라인의 형성 시 발생할 수 있는 오정렬에 따른 최대 오차 거리일 수 있다. 제2 데이터 라인(DL2)이 제1 방향(D1)을 따라 오정렬(Miss-alignment)되더라도 제1 라인(L1) 전체는 여전히 제1 화소 전극(P1)과 오버랩된 상태일 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 라인(L1)이 제1 방향(D1)으로 이동되어 배치되는 오정렬이 발생하더라도 제1 라인(L1)은 제1 화소 전극(P1)과 오버랩된 상태일 수 있다. 즉, 제1 라인(L1) 전체는 여전히 제1 화소 전극(P1)과 오버랩된 상태로써, 제1 라인(L1)과 제1 화소 전극(P1)의 수직 거리는 오정렬이 발생하더라도 일정하게 유지될 수 있다. 여전히, 제1 라인(L1)은 제1 화소 전극(P1)에만 기생 커패시턴스(Cdp1)를 형성한 상태일 수 있다. 이에 따라, 제1 라인(L1)과 제1 화소 전극(P1)간의 기생 커패시턴스(Cdp1)의 변동은 실질적으로 발생하지 않을 수 있다.
이와 마찬가지로, 제2 라인(L2)은 제2 화소 전극(P2)과 오버랩될 수 있다. 제2 라인(L1)은 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)의 경계와 소정 거리(a) 이격될 수 있다. 여기서, 소정 거리(a)는 제2 라인(L2)이 제1 화소 전극(P1)과 기생 커패시턴스를 형성하지 않는 거리일 수 있다. 즉, 제2 라인(L2)은 제2 화소 전극(P2)과만 기생 커패시턴스(Cdp2)를 형성할 수 있다. 여기서, 소정 거리(a)는 데이터 라인의 형성 시 발생할 수 있는 오정렬에 따른 최대 오차 거리일 수 있다. 제2 데이터 라인(DL2)이 제1 방향(D1)의 역방향을 따라 오정렬(Miss-alignment)되더라도 제2 라인(L2) 전체는 여전히 제1 화소 전극(P2)과 오버랩된 상태일 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 제2 라인(L2)이 제1 방향(D1)의 역방향으로 쉬프트되는 오정렬이 발생하더라도 제2 라인(L2)은 제2 화소 전극(P2)과 오버랩된 상태일 수 있다. 즉, 제2 라인(L2)은 전체는 여전히 제2 화소 전극(P2)과 오버랩된 상태로써, 제2 라인(L2)과 제2 화소 전극(P2)의 수직 거리는 오정렬이 발생하더라도 일정하게 유지될 수 있다. 여전히, 제2 라인(L2)은 제2 화소 전극(P2)에만 기생 커패시턴스(Cdp2)를 형성한 상태일 수 있다. 이에 따라, 제2 라인(L2)과 제2 화소 전극(P2)간의 기생 커패시턴스(Cdp2)의 변동은 실질적으로 발생하지 않을 수 있다. 그리고, 하나의 화소 전극을 기준으로 판단하더라도, 데이터 라인이 오정렬에 따른 화소 전극에 전압 레벨의 변동은 발생되지 않을 수 있다.
즉, 본 실시예에 따른 화소 전극과 데이터 라인이 형성하는 기생 커패시턴스는 데이터 라인의 오정렬 발생이 발생하더라도 일정한 값을 형성할 수 있다. 이에 따라, 2 도트 반전 방식으로 구동하더라도 반전 단위에서의 기생 커패시턴스의 변화가 실질적으로 발생되지 않으므로 가로줄 불량의 발생이 방지될 수 있으며, 보다 개선된 표시 품질을 제공할 수 있다.
도 9는 몇몇 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소의 평면도이다.
도 9를 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소는 복수의 도메인으로 분할될 수 있다. 복수의 도메인은 4개일 수 있으며, 도메인의 액정 방향은 반시계 방향으로 순환할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 일 데이터 라인의 제3 라인(L3)은 도메인의 경계 영역을 지나가도록 형성될 수 있다. 또한, 일 데이터 라인의 제1 라인(L1)과 상기 일 데이터 라인과 바로 이웃하는 데이터 라인의 제2 라인(L2)은 대각선으로 대칭되는 도메인과 오버랩될 수 있다. 이에 따라, 데이터 라인이 화소 전극과 오버랩됨에 따라 도메인 비율이 변경되는 것은 최소화될 수 있다.
몇몇 실시예에 따른 각 화소 전극은 제1 서브 화소 전극과 제2 서브 화소 전극을 포함할 수 있다. 제1 서브 화소 전극과 제2 서브 화소 전극에는 시야각의 개선을 위해 서로 다른 전압이 인가될 수 있으며, 제1 서브 화소 전극과 제2 서브 화소 전극은 하나의 화상을 표시할 수 있다. 여기서, 각 화소 전극의 자기 데이터 라인은 각 화소 전극의 제1 서브 화소 전극의 절반과 오버랩되고 제2 서브 화소 전극의 절반과 오버랩될 수 있다. 그리고, 상기 화소 전극과 바로 이웃하는 데이터 라인은 상기 제1 서브 화소 전극의 나머지 절반과 오버랩되고 상기 서브 화소 전극의 나머지 절반과 오버랩될 수 있다. 즉, 제1 서브 화소 전극과 제2 서브 화소 전극으로 구동되는 액정 표시 장치에도 본 발명의 데이터 라인 구조는 동일하게 적용될 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해 설명하도록 한다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소 전극과 데이터 라인의 관계를 개략적으로 도시한 확대도이며, 도 12 및 도 13는 도 11의 A-A′를 따라 절단한 액정 표시 장치의 단면도이며, 도 14 및 도 15는 도 2의 B-B′를 따라 절단한 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 10 내지 도 15를 참조하면, 액정 표시 장치(20)는 복수의 화소(PX), 복수의 데이터 라인(DL) 및 복수의 스캔 라인(SL)을 포함한다. 복수의 화소(PX)는 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 복수의 데이터 라인(DL) 각각과 복수의 스캔 라인(SL) 각각은 하나의 화소(PX)를 정의하며, 하나의 화소(PX)와 연결될 수 있다. 각 화소(PX)는 적어도 하나의 트랜지스터(TR)와 화소 전극(P)을 포함할 수 있다. 각 화소(PX)의 트랜지스터(TR)는 게이트 전극이 하나의 스캔 라인과 연결되고, 일 전극이 하나의 데이터 라인과 연결되며, 타 전극이 화소 전극(P)과 연결될 수 있다. 즉, 각 화소(PX)의 트랜지스터(TR)는 스캔 라인으로부터 전달되는 스캔 신호에 의해 턴 온되어 연결된 데이터 라인으로부터 전달되는 데이터 전압을 화소 전극(P)에 제공할 수 있다. 여기서, 액정 표시 장치는 2 도트 반전 방식으로 구동될 수 있다. 즉, 위 아래로 배치된 화소들은 하나의 반전 단위일 수 있다.
복수의 스캔 라인(SL)은 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 복수의 스캔 라인(SL)은 서로 평행하게 연장될 수 있다. 복수의 스캔 라인(SL)은 순차적으로 스캔 신호를 각 화소(PX)의 트랜지스터(TR)로 제공할 수 있다.
복수의 데이터 라인(DL)은 복수의 스캔 라인(SL)과 교차할 수 있다. 복수의 데이터 라인(DL)은 제1 방향(D1)과 수직한 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 복수의 데이터 라인(DL)은 데이터 전압이 제공될 수 있다.
여기서, 하나의 데이터 라인은 이웃하는 화소들의 특정 영역과 오버랩할 수 있다. 도 11에 도시된 바와 같이, 제2 데이터 라인(DL2)은 이웃하는 두 화소 전극들(P1, P2)과 오버랩될 수 있다. 즉, 제2 데이터 라인(DL2)은 제1 화소 전극(P1) 및 제2 화소 전극(P2)과 오버랩될 수 있다. 여기서, 제2 데이터 라인(DL2)은 제2 화소 전극(P2)에 제공되는 데이터 전압이 인가되는 데이터 라인일 수 있다. 각 화소 전극은 제1 영역(a1), 제1 영역(a1)의 일 측에서 일부 연장된 제2 영역(a2) 및 제1 영역(a1)의 타 측에서 일부 연장된 제3 영역(a3)을 포함할 수 있다. 여기서, 제2 영역(a2)과 제3 영역(a3)은 제1 방향(D1)을 따라 오버랩되지 않을 수 있다. 제2 영역(a2)과 제3 영역(a3)이 연장된 방향은 서로 반대일 수 있다. 제2 영역(a2)과 제3 영역(a3)은 제1 영역(a1)의 일 측과 타 측에 절반에 대응하는 영역만큼 연장된 상태일 수 있다. 제2 영역(a2)과 제3 영역(a3)은 연장된 폭은 동일할 수 있다. 화소 전극(P)의 형태를 바꾸어 설명하면, 화소 전극(P) 제1 방향(D1)을 따라 이등분되되 이등분된 각 영역이 쉬프트된 형태일 수 있다.
제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)은 제1 방향(D1)을 따라 나란히 배치될 수 있다. 제1 화소 전극(P1)의 제3 영역(a3)은 제2 화소 전극(P2)의 제1 영역(a1)의 연장되지 않은 일 측과 인접하도록 배치될 수 있다. 그리고, 제2 화소 전극(P2)의 제2 영역(a2)은 제1 화소 전극(P1)의 연장되지 않은 타 측과 인접하도록 배치될 수 있다. 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)의 경계 영역은 지그- 재그(Zigzag) 형상일 수 있다. 즉, 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)의 경계는 반복적으로 꺾인 구조로 형성될 수 있다. 여기서, 제2 데이터 라인(DL2)은 제1 화소 전극(P1)의 제3 영역(a3)과 제2 화소 전극(P2)의 제2 영역(a2)과 오버랩될 수 있다. 즉, 제2 데이터 라인(DL2)은 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)의 경계 영역을 따라 형성되지 않을 수 있다. 각 데이터 라인은 오버랩되는 화소 전극과 소정 레벨의 기생 커패시턴스(Cdp)를 형성할 수 있다. 즉, 제2 데이터 라인(DL2)은 제2 화소 전극(P2)의 제2 영역(a2)과 오버랩되어 제2 화소 전극(P2)과 기생 커패시턴스를 형성할 수 있다. 또한, 제2 데이터 라인(DL2)은 제1 화소 전극(P1)의 제3 영역(a3)과 오버랩되어 제1 화소 전극(P1)과 기생 커패시턴스를 형성할 수 있다. 화소 전극을 기준으로 설명하면, 제1 화소 전극(P1)은 제2 영역(a2)이 제1 데이터 라인(DL1)과 오버랩되고 제3 영역(a3)이 제2 데이터 라인(DL2)에 오버랩될 수 있다. 제1 화소 전극(P1)은 제2 영역(a2)을 통해 제1 데이터 라인(DL1)과 기생 커패시턴스를 형성하고, 제3 영역(a3)을 통해 제2 데이터 라인(DL2)과 기생 커패시턴스를 형성할 수 있다.
여기서, 제2 데이터 라인(DL2)은 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)의 경계 영역으로부터 소정 거리(a)만큼 이격될 수 있다. 여기서, 소정 거리(a)는 데이터 라인의 형성 시 발생할 수 있는 오정렬에 따른 최대 오차 거리일 수 있다. 즉, 제2 데이터 라인(DL2)이 오정렬(Miss-alignment)되더라도 제2 데이터 라인(DL2)은 여전히 제2 화소 전극(P2)의 제2 영역(a2)과 오버랩되어 제2 화소 전극(P2)과 기생 커패시턴스를 형성할 수 있으며, 제2 데이터 라인(DL2)은 제1 화소 전극(P1)의 제3 영역(a3)과 오버랩되어 제1 화소 전극(P1)과 기생 커패시턴스를 형성할 수 있다.
도 12에 도시된 바와 같이, 제2 데이터 라인(DL2)은 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)의 경계 영역에서 제1 방향(D1)으로 소정 거리(a) 이격되어 제1 화소 전극(P1)의 제2 영역(a2)과 오버랩될 수 있다. 제2 데이터 라인(DL2)은 제1 화소 전극(P1)의 제2 영역(a2)과 소정 레벨의 기생 커패시턴스를 형성할 수 있다. 그리고, 도 13에 도시된 바와 같이, 제2 데이터 라인(DL2)이 제1 방향(D1)으로 이동되어 배치되는 오정렬이 발생하더라도 제2 데이터 라인(DL2)은 여전히 제1 화소 전극(P1)과 오버랩된 상태일 수 있다. 즉, 제2 데이터 라인(DL2) 전체는 여전히 제1 화소 전극(P1)과 오버랩된 상태로써, 제2 데이터 라인(DL2)과 제1 화소 전극(P1)의 수직 거리는 오정렬이 발생하더라도 일정하게 유지될 수 있다. 이에 따라, 제2 데이터 라인(DL2)과 제1 화소 전극(P1)간의 기생 커패시턴스(Cdp1)의 변동은 실질적으로 발생하지 않을 수 있다.
도 14에 도시된 바와 같이, 제2 데이터 라인(DL2)은 제1 화소 전극(P1)과 제2 화소 전극(P2)의 경계 영역에서 제1 방향(D1)의 역방향으로 소정 거리(a) 이격되어 제2 화소 전극(P2)의 제3 영역(a3)과 오버랩될 수 있다. 제2 데이터 라인(DL2)은 제2 화소 전극(P2)의 제3 영역(a3)과 소정 레벨의 기생 커패시턴스를 형성할 수 있다. 그리고, 도 15에 도시된 바와 같이, 제2 데이터 라인(DL2)이 제1 방향(D1)의 역방향으로 이동되어 배치되는 오정렬이 발생하더라도 제2 데이터 라인(DL2)은 여전히 제2 화소 전극(P1)과 오버랩된 상태일 수 있다. 즉, 제2 데이터 라인(DL2) 전체는 여전히 제2 화소 전극(P1)과 오버랩된 상태로써, 제2 데이터 라인(DL2)과 제2 화소 전극(P1)의 수직 거리는 오정렬이 발생하더라도 일정하게 유지될 수 있다. 이에 따라, 제2 데이터 라인(DL2)과 제2 화소 전극(P1)간의 기생 커패시턴스(Cdp2)의 변동은 실질적으로 발생하지 않을 수 있다.
즉, 본 실시예에 따른 화소 전극과 데이터 라인이 형성하는 기생 커패시턴스는 데이터 라인의 오정렬 발생이 발생하더라도 일정한 값을 형성할 수 있다. 이에 따라, 2 도트 반전 방식으로 구동하더라도 반전 단위에서의 기생 커패시턴스의 변화가 실질적으로 발생되지 않으므로 가로줄 불량의 발생이 방지될 수 있으며, 보다 개선된 표시 품질을 제공할 수 있다.
도 16은 몇몇 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소의 평면도이다.
도 16을 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소는 복수의 도메인으로 분할될 수 있다. 복수의 도메인은 4개일 수 있으며, 도메인의 액정 방향은 반시계 방향으로 순환할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 서로 다른 행방향에 배치된 도메인은 쉬프트될 수 있다. 즉, 제1 도메인 및 제2 도메인과 제3 도메인 및 제4 도메인은 제1 방향(D1)으로 쉬프트될 수 있다. 제2 방향(D2)으로 연장되는 데이터 라인은 제2 방향(D2)을 따라 나란히 배치된 도메인들과 연속하여 오버랩되지 않을 수 있다. 즉, 하나의 데이터 라인은 제2 도메인(DM2)에만 오버랩되며, 제2 도메인(DM2)과 제2 방향(D2)을 따라 나란히 배치되는 제3 도메인(DM3)과는 오버랩되지 않을 수 있다. 그리고, 상기 데이터 라인과 이웃하는 데이터 라인은 제1 도메인(DM1)과는 오버랩되지 않으나, 제1 도메인(DM1)과 제2 방향(D2)을 따라 나란히 배치된 제4 도메인(DM4)과는 오버랩될 수 있다. 데이터 라인과 오버랩되는 도메인들은 대각선으로 대칭될 수 있다. 이에 따라, 데이터 라인이 화소 전극과 오버랩됨에 따라 도메인 비율이 변경되는 것은 최소화될 수 있다.
그 밖에 액정 표시 장치(20)에 대한 다른 설명은 도 1 내지 도 7의 액정 표시 장치(10)에 포함된 동일한 명칭을 갖는 설명들과 실질적으로 동일하므로 생략하도록 한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10, 20: 표시 장치
DL: 데이터 라인
SL: 스캔 라인
PX: 화소
P: 화소 전극
TR: 트랜지스터

Claims (20)

  1. 제1 화소 전극;
    상기 제1 화소 전극에 제공되는 데이터 전압이 인가되는 제1 데이터 라인; 및
    상기 제1 화소 전극과 나란히 배치된 제2 화소 전극을 포함하되,
    상기 제1 데이터 라인은 상기 제1 화소 전극과 오버랩되는 제1 라인과 상기 제2 화소 전극과 오버랩되는 제2 라인을 포함하는 액정 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극은 서로 다른 극성의 데이터 전압이 제공되는 액정 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 라인은 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역으로부터 소정 거리만큼 이격되어 상기 제1 화소 전극과 오버랩되고,
    상기 제2 라인은 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역으로부터 소정 거리만큼 이격되어 상기 제2 화소 전극과 오버랩되는 액정 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 라인은 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역으로부터 상기 제2 화소 전극과 기생 커패시턴스를 형성하지 않는 거리만큼 이격되어 상기 제1 화소 전극과 오버랩되고,
    상기 제2 라인은 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역으로부터 상기 제1 화소 전극과 기생 커패시턴스를 형성하지 않는 거리만큼 이격되어 상기 제2 화소 전극과 오버랩되는 액정 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 데이터 라인은,
    상기 제1 라인과 상기 제2 라인을 연결하는 제3 라인을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제3 라인은 상기 제1 화소 전극의 장변과 상기 제2 화소 전극의 장변을 이등분하는 가상의 선을 따라 연장되는 액정 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 라인은 상기 제1 화소 전극의 장변의 절반과 오버랩되고,
    상기 제2 라인은 상기 제2 화소 전극의 장변의 절반과 오버랩되는 액정 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역을 따라 연장된 유지 라인을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 유지 라인의 단면적과 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역의 단면적은 실질적으로 동일한 액정 표시 장치.
  10. 제1 화소 전극;
    상기 제1 화소 전극에 제공되는 데이터 전압이 인가되는 제1 데이터 라인; 및
    상기 제1 데이터 라인과 나란히 배치된 제2 데이터 라인을 포함하되,
    상기 제1 데이터 라인은 상기 제1 화소 전극의 일변을 따라 상기 제1 화소 전극과 오버랩되며,
    상기 제2 데이터 라인은 상기 일변과 대향되는 상기 제1 화소 전극의 타변을 따라 상기 제1 화소 전극과 오버랩되는 액정 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 데이터 라인은 상기 제1 화소 전극과 나란히 배치된 제2 화소 전극에 제공되는 데이터 전압이 인가되는 액정 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역을 따라 연장된 유지 라인을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 화소 전극은 서로 다른 레벨의 데이터 전압이 충전되는 제1 서브 화소 전극과 제2 서브 화소 전극을 포함하는 액정 표시 장치.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 화소 전극은 복수의 도메인으로 분할되며, 서로 다른 레벨의 데이터 전압이 충전되는 제1 서브 화소 전극과 제2 서브 화소 전극을 포함하는 액정 표시 장치.
  15. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 화소 전극의 상기 일변과 상기 타변은 가상의 선에 의해 이등분되며,
    상기 제1 데이터 라인은 상기 일변의 하부변을 따라 상기 제1 화소 전극과 오버랩되며,
    상기 제2 데이터 라인은 상기 타변의 상부변을 따라 상기 제1 화소 전극과 오버랩되는 액정 표시 장치.
  16. 제1 화소 전극;
    상기 제1 화소 전극과 제1 방향을 따라 나란히 배치된 제2 화소 전극; 및
    상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 연장된 제1 데이터 라인을 포함하되,
    상기 제1 데이터 라인은 상기 제1 화소 전극 및 상기 제2 화소 전극과 오버랩되는 액정 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극은,
    제1 영역, 상기 제1 영역의 일 측에서 일부 연장된 제2 영역 및 상기 제1 영역의 타 측에서 일부 연장된 제3 영역을 포함하되,
    상기 제1 데이터 라인은 상기 제1 화소 전극의 제2 영역 및 상기 제2 화소 전극의 제3 영역과 오버랩되는 액정 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제2 영역과 상기 제3 영역은 상기 제1 방향을 따라 오버랩되지 않는 액정 표시 장치.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 데이터 라인은 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역으로부터 소정 거리만큼 이격되어 상기 제1 화소 전극 및 상기 제2 화소 전극과 오버랩되는 액정 표시 장치.
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계 영역을 따라 연장된 유지 라인을 더 포함하는 액정 표시 장치.
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