WO2023144656A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

精細度が高い表示装置を提供する。 トランジスタと、発光デバイスと、第１の絶縁層と、を有する表示装置とする。トランジスタは、半導体層と、第１乃至第３の導電層と、第２及び第３の絶縁層と、を有する。第２の絶縁層は、第１の導電層上に設けられ、第１の導電層に達する第１の開口を有する。第２の導電層は、第２の絶縁層上に設けられ、第１の開口と重なる領域に第２の開口を有する。半導体層は、第１の導電層の上面、第２の絶縁層の側面、並びに第２の導電層の上面及び側面と接する。第３の絶縁層は、半導体層上に設けられる。第３の導電層は、第３の絶縁層上に設けられる。第１の絶縁層は、トランジスタ上に設けられる。第１の絶縁層及び第３の絶縁層は、第２の導電層に達する第３の開口を有する。発光デバイスは、第１の絶縁層上に設けられ、画素電極と、共通電極と、ＥＬ層と、を有する。画素電極は、第３の開口を介して第２の導電層と電気的に接続される。ＥＬ層は、画素電極の上面及び側面に接する領域を有する。

Description

表示装置

　本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野として、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ）、入出力装置（例えば、タッチパネル）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

　表示装置は様々な用途への応用が期待されている。例えば、大型の表示装置の用途として、家庭用のテレビジョン装置（テレビまたはテレビジョン受信機ともいう）、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、及び、ＰＩＤ（Ｐｕｂｌｉｃ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。また、携帯情報端末として、タッチパネルを備えるスマートフォン及びタブレット端末などの開発が進められている。

　近年、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、代替現実（ＳＲ：Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、及び複合現実（ＭＲ：Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの表示装置が求められている。ＶＲ、ＡＲ、ＳＲ、およびＭＲは総称してＸＲ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）とも呼ばれる。ＸＲ向けの表示装置は、現実感、及び没入感を高めるために、精細度の高いこと、及び色再現性の高いことが望まれている。

　表示装置として、例えば、発光デバイス（発光素子ともいう）を有する発光装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと記す）現象を利用した発光デバイス（ＥＬデバイス、ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に応用されている。

　特許文献１には、有機ＥＬデバイス（有機ＥＬ素子ともいう）を用いた、ＶＲ向けの表示装置が開示されている。

国際公開第２０１８／０８７６２５号

　本発明の一態様は、精細度の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、解像度の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、表示品質の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、新規の表示装置を提供することを課題の一つとする。

　本発明の一態様は、精細度の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、解像度の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、表示品質の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、新規の表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。

　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

　本発明の一態様は、トランジスタと、発光デバイスと、第１の絶縁層と、を有する表示装置である。トランジスタは、半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第２の絶縁層と、第３の絶縁層と、を有する。第２の絶縁層は、第１の導電層上に設けられ、第１の導電層に達する第１の開口を有する。第２の導電層は、第２の絶縁層上に設けられ、第１の開口と重なる領域に第２の開口を有する。半導体層は、第１の導電層の上面、第２の絶縁層の側面、並びに第２の導電層の上面及び側面と接する。第３の絶縁層は、半導体層上に設けられる。第３の導電層は、第３の絶縁層上に設けられる。第１の絶縁層は、トランジスタ上に設けられる。第１の絶縁層及び第３の絶縁層は、第２の導電層に達する第３の開口を有する。発光デバイスは、第１の絶縁層上に設けられる。発光デバイスは、画素電極と、共通電極と、画素電極と共通電極に挟持されるＥＬ層と、を有する。画素電極は、第３の開口を介して第２の導電層と電気的に接続される。ＥＬ層は、画素電極の上面及び側面に接する領域を有する。

　前述の表示装置において、第２の絶縁層は、第４の絶縁層と、第４の絶縁層上の第５の絶縁層と、の積層構造を有することが好ましい。第５の絶縁層は、第４の絶縁層より膜密度が高い領域を有することが好ましい。

　前述の表示装置において、第２の絶縁層は、第４の絶縁層と、第４の絶縁層上の第５の絶縁層と、の積層構造を有することが好ましい。第５の絶縁層は、第４の絶縁層より窒素の含有量が多い領域を有することが好ましい。

　前述の表示装置において、第２の絶縁層は、第６の絶縁層を有することが好ましい。第６の絶縁層は、第４の絶縁層と第１の導電層との間に位置することが好ましい。第６の絶縁層は、第５の絶縁層より膜密度が高い領域を有することが好ましい。

　前述の表示装置において、第２の絶縁層は、第６の絶縁層を有することが好ましい。第６の絶縁層は、第４の絶縁層と第１の導電層との間に位置することが好ましい。第６の絶縁層は、第５の絶縁層より窒素の含有量が多い領域を有することが好ましい。

　前述の表示装置において、層を有することが好ましい。画素電極は、第４の導電層と、第４の導電層上の第５の導電層と、を有することが好ましい。第４の導電層は、第１の絶縁層の上面及び第３の開口を覆うことが好ましい。第４の導電層は、第１の絶縁層の側面及び第２の導電層の上面の形状に沿った凹部を有することが好ましい。層は、凹部を埋め込むように設けられることが好ましい。第５の導電層は、第４の導電層の上面及び層の上面を覆うことが好ましい。

　前述の表示装置において、層は、絶縁層であることが好ましい。

　前述の表示装置において、層は、導電層であることが好ましい。

　前述の表示装置において、第７の絶縁層と、第８の絶縁層と、を有することが好ましい。第７の絶縁層は、ＥＬ層の上面の一部及び側面を覆うことが好ましい。第８の絶縁層は、第７の絶縁層を介して、ＥＬ層の上面の一部及び側面を覆うことが好ましい。共通電極は、第８の絶縁層を覆うことが好ましい。

　前述の表示装置において、第７の絶縁層は、無機材料を有することが好ましい。第８の絶縁層は、有機材料を有することが好ましい。

　本発明の一態様により、精細度の高い表示装置を提供できる。また、解像度の高い表示装置を提供できる。また、表示品質の高い表示装置を提供できる。また、信頼性の高い表示装置を提供できる。また、新規の表示装置を提供できる。

　本発明の一態様により、精細度の高い表示装置の作製方法を提供できる。また、解像度の高い表示装置の作製方法を提供できる。また、表示品質の高い表示装置の作製方法を提供できる。また、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供できる。また、歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供できる。また、新規の表示装置の作製方法を提供できる。

　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１は、表示装置の一例を示す上面図である。
図２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３Ａは、トランジスタの一例を示す上面図である。図３Ｂ及び図３Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図４は、トランジスタの一例を示す斜視図である。
図５Ａ乃至図５Ｃは、トランジスタの構成を示す斜視図である。
図６Ａは、トランジスタの一例を示す上面図である。図６Ｂは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図７Ａは、トランジスタの一例を示す上面図である。図７Ｂは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図８Ａ及び図８Ｂは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図９Ａ及び図９Ｂは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図１０Ａは、トランジスタの一例を示す上面図である。図１０Ｂ及び図１０Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図１１Ａは、トランジスタの一例を示す上面図である。図１１Ｂは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図１２は、トランジスタの一例を示す断面図である。
図１３Ａは、トランジスタの一例を示す上面図である。図１３Ｂ及び図１３Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図１４Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図１４Ｂは発光デバイスの一例を示す上面図である。
図１５は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１６Ａ及び図１６Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１７Ａ及び図１７Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１８Ａ及び図１８Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１９は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２０は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２１は、表示装置の一例を示す上面図である。
図２２Ａ及び図２２Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２３Ａ乃至図２３Ｅは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２４Ａ乃至図２４Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２５Ａ乃至図２５Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２６Ａ及び図２６Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２７Ａ及び図２７Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２８Ａ及び図２８Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２９Ａ及び図２９Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３０Ａ及び図３０Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３１Ａ及び図３１Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３２Ａ及び図３２Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３３Ａ及び図３３Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３４Ａ及び図３４Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３５Ａ及び図３５Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３６Ａ及び図３６Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３７Ａ及び図３７Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３８Ａ乃至図３８Ｇは、画素の一例を示す図である。
図３９Ａ乃至図３９Ｋは、画素の一例を示す図である。
図４０は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図４１は、表示装置の一例を示す断面図である。
図４２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図４３は、表示装置の一例を示す断面図である。
図４４Ａ乃至図４４Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図４５Ａ乃至図４５Ｃは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図４６Ａ及び図４６Ｂは、受光デバイスの構成例を示す図である。図４６Ｃ乃至図４６Ｅは、表示装置の構成例を示す図である。
図４７Ａ乃至図４７Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図４８Ａ乃至図４８Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図４９Ａ乃至図４９Ｇは、電子機器の一例を示す図である。

　実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチングパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　図面において示す各構成の、位置、大きさ、及び、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、及び、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、及び、範囲などに限定されない。

　なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。

　本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

　本明細書等では、発光波長が異なる発光デバイスで少なくとも発光層を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。ＳＢＳ構造は、発光デバイスごとに材料及び構成を最適化することができるため、材料及び構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上及び信頼性の向上を図ることが容易となる。

　本明細書等において、正孔または電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層または電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層または電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層または電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つまたは３つの機能を兼ねる場合がある。

　本明細書等において、発光デバイスは、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。ここで、ＥＬ層が有する層（機能層ともいう）として、発光層、キャリア注入層（正孔注入層及び電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）、及び、キャリアブロック層（正孔ブロック層及び電子ブロック層）などが挙げられる。

　本明細書等において、受光デバイス（受光素子ともいう）は、一対の電極間に少なくとも光電変換層として機能する活性層を有する。

　本明細書等において、島状とは、同一工程で形成された同一材料を用いた２以上の層が、物理的に分離されている状態であることを示す。例えば、島状の発光層とは、当該発光層と、隣接する発光層とが、物理的に分離されている状態であることを示す。

　本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面または被形成面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と、基板面または被形成面とがなす角（テーパ角ともいう）が９０度未満である領域を有すると好ましい。なお、構造の側面、基板面、及び被形成面は、必ずしも完全に平坦である必要はなく、微小な曲率を有する略平面状、または微細な凹凸を有する略平面状であってもよい。

　本明細書等において、マスク層（犠牲層ともいう）とは、少なくとも発光層（より具体的には、ＥＬ層を構成する層のうち、島状に加工される層）の上方に位置し、製造工程中において、当該発光層を保護する機能を有する。

　本明細書等において、段切れとは、層、膜、または電極が、被形成面の形状（例えば段差など）に起因して分断されてしまう現象を示す。

　本明細書等において「上面形状が概略一致」とは、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なることをいう。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、または、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も「上面形状が概略一致」という。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図１乃至図２２を用いて説明する。

　本発明の一態様である表示装置１００の上面図（平面図ともいう）を、図１に示す。表示装置１００は、複数の画素１１０がマトリクス状に配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。画素１１０はそれぞれ、複数の副画素を有する。図１は、２行２列の画素１１０を示している。また、それぞれの画素１１０が３つの副画素（副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃ）を有する構成として、２行６列分の副画素を示している。接続部１４０は、カソードコンタクト部と呼ぶこともできる。

　副画素はそれぞれ、表示デバイス（表示素子ともいう）を有する。表示デバイスとして、例えば、液晶デバイス（液晶素子ともいう）及び発光デバイスが挙げられる。発光デバイスとして、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。発光デバイスが有する発光物質として、例えば、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　Ａｃｔｉｖａｔｅｄ　Ｄｅｌａｙｅｄ　Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）、及び、無機化合物（量子ドット材料等）が挙げられる。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。

　発光デバイスの発光色は、赤外、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄、または白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度を高めることができる。

　以降では、表示デバイスとして発光デバイスを用いる構成を例に挙げて、説明する。

　本発明の一態様の表示装置は、発光色ごとに作り分けられた発光デバイスを有し、フルカラー表示が可能である。

　図１に示す副画素の上面形状は、発光デバイスの発光領域の上面形状に相当する。副画素の上面形状は、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形とすることができる。

　副画素はそれぞれ、発光デバイスを制御する画素回路を有する。画素回路は、図１に示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されてもよい。例えば、副画素１１０ａの画素回路が有するトランジスタは、図１に示す副画素１１０ｂの範囲内に位置してもよく、一部または全てが副画素１１０ａの範囲外に位置してもよい。

　ここで、表示装置の精細度を高めるには、画素（副画素）のサイズを小さくする必要がある。画素（副画素）のサイズを小さくするには、発光デバイスと画素回路の双方のサイズを小さくする必要がある。特に、複数のトランジスタを有する画素回路においては、当該トランジスタの占有面積を小さくする必要がある。本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタは、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能する第１の導電層と、他方として機能する第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層に挟持される絶縁層と、を有する。当該絶縁層及び第２の導電層は、第１の導電層に達する開口を有する。第２の導電層は、当該絶縁層を介して第１の導電層と重なる領域を有する。半導体層は、当該開口を覆うように設けられる。半導体層上にゲート絶縁層が設けられ、ゲート絶縁層上にゲート電極が設けられる。トランジスタのチャネル長は、当該開口における当該絶縁層の側面の長さに相当し、露光装置の性能に影響されない。したがって、チャネル長を露光装置の限界解像度よりも小さな値とすることができ、微細なサイズのトランジスタとすることができる。さらに、トランジスタの占有面積を小さくすることができる。

　本発明の一態様の表示装置が有する発光デバイスは、画素電極と、共通電極と、画素電極と共通電極に挟持される島状のＥＬ層と、を有する。島状のＥＬ層は、例えば、フォトリソグラフィ法を用いて形成することができる。具体的には、副画素ごとに画素電極を形成した後、複数の画素電極にわたってＥＬ層となる膜を成膜する。その後、当該膜を、フォトリソグラフィ法を用いて加工し、１つの画素電極に対して１つの島状のＥＬ層を形成する。これにより、ＥＬ層が副画素ごとに分割され、島状のＥＬ層を形成することができる。フォトリソグラフィ法を用いることにより、微細なサイズのＥＬ層を形成することができ、微細なサイズの発光デバイスとすることができる。このように、微細なサイズのトランジスタ及び発光デバイスを用いることにより、高精細な表示装置を実現することができる。

　なお、図１では、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの開口率を等しくまたは概略等しく（発光領域のサイズを等しくまたは概略等しく、ともいえる）示すが、本発明の一態様はこれに限定されない。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの開口率は、それぞれ適宜決定することができる。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの開口率は、それぞれ異なっていてもよく、２つ以上が等しいまたは概略等しくてもよい。

　図１に示す画素１１０には、ストライプ配列が適用されている。図１に示す画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの３つの副画素で構成される。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃは、それぞれ異なる色の光を呈する。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃとして、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。また、副画素の色の種類は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４色の副画素として、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の４色の副画素が挙げられる。

　本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば垂直に交差する（図１参照）。図１では、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素が、Ｙ方向に並べて配置される例を示す。

　図１では、上面視（平面視ともいう）で、接続部１４０が表示部の片側に位置する例を示すが、接続部１４０の位置は特に限定されない。接続部１４０は、上面視で、表示部の上側、右側、左側、下側の少なくとも一箇所に設けられていればよく、表示部の四辺を囲むように設けられていてもよい。接続部１４０の上面形状は特に限定されず、帯状、Ｌ字状、Ｕ字状、または枠状等とすることができる。また、接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。

＜表示装置の構成例１＞
　図１における一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間、及び一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を、図２に示す。

　図２に示すように、表示装置１００は、層１０１上に、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂが設けられ、これらの発光デバイスを覆うように保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。

　層１０１は、トランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂを有する。トランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂを覆うように、絶縁層２１８と、絶縁層２１８上の絶縁層２３５が設けられる。絶縁層２１８及び絶縁層２３５は開口を有し、当該開口を覆うように発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂの電極が設けられる。

　なお、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂに共通する事項を説明する場合には、これらを区別するアルファベットを省略し、発光デバイス１３０と記す場合がある。同様に、トランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂなど、アルファベットで区別する構成要素についても、これらに共通する事項を説明する場合には、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。

　発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂはそれぞれ、一対の電極と、一対の電極に挟持される層を有する。層は少なくとも発光層を有する。発光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する場合がある。

　発光デバイス１３０Ｒは、絶縁層２３５上の画素電極１１１Ｒと、画素電極１１１Ｒ上の島状の層１１３Ｒと、島状の層１１３Ｒ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０Ｒにおいて、層１１３Ｒ、及び共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。

　発光デバイス１３０Ｇは、絶縁層２３５上の画素電極１１１Ｇと、画素電極１１１Ｇ上の島状の層１１３Ｇと、島状の層１１３Ｇ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０Ｇにおいて、層１１３Ｇ、及び共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。

　発光デバイス１３０Ｂは、絶縁層２３５上の画素電極１１１Ｂと、画素電極１１１Ｂ上の島状の層１１３Ｂと、島状の層１１３Ｂ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０Ｂにおいて、層１１３Ｂ、及び共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。

　本明細書等では、発光デバイスが有するＥＬ層のうち、発光デバイスごとに島状に設けられた層を層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、または層１１３Ｂと示し、複数の発光デバイスが共有して有する層を共通層１１４と示す。なお、本明細書等において、共通層１１４を含めず、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂを指して、島状のＥＬ層、島状に形成されたＥＬ層などと呼ぶ場合もある。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂはそれぞれ島状であり、互いに分離されている。ＥＬ層を発光デバイスごとに島状に設けることで、隣接する発光デバイス間のリーク電流を抑制することができる。これにより、クロストークに起因した意図しない発光を防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い表示装置を実現できる。

　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトムエミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッション型）のいずれであってもよい。

　層１０１は、発光デバイス１３０を制御する機能を有する画素回路を含むことが好ましい。画素回路は、例えば、トランジスタ、容量素子、及び配線を有する構成とすることができる。なお、層１０１は画素回路に加えて、ゲート線駆動回路（ゲートドライバ）、及びソース線駆動回路（ソースドライバ）の一方または双方を有してもよい。層１０１は、さらに演算回路、及び記憶回路の一方または双方を有してもよい。

　層１０１は、半導体基板または絶縁性基板上に画素回路が設けられた構成とすることができる。層１０１は、例えば、基板１５１上に複数のトランジスタが設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。図２は、層１０１が有するトランジスタとして、トランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂを示している。

　基板１５１の材質に大きな制限はないが、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、シリコン、または炭化シリコンを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、または有機樹脂基板を、基板１５１として用いてもよい。また、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板１５１として用いてもよい。なお、半導体基板、及び絶縁性基板の形状は円形であってもよく、角形であってもよい。

　基板１５１として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂを形成してもよい。または、トランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂと、基板１５１との間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に表示装置を形成した後、または表示装置の一部を形成した後、基板１５１より分離し、他の基板に転載するために用いることができる。その際、トランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂを耐熱性の低い基板、または可撓性の基板にも転載できる。

［トランジスタの構成例１］
　本発明の一態様である表示装置に適用できるトランジスタについて、説明する。トランジスタ２００の上面図を、図３Ａに示す。図３Ａに示す一点鎖線Ａ１−Ａ２における切断面の断面図を図３Ｂに示し、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２における切断面の断面図を図３Ｃに示す。トランジスタ２００の斜視図を、図４に示す。なお、図３Ａにおいて、トランジスタ２００の構成要素の一部（ゲート絶縁層等）を省略している。トランジスタの上面図については、以降の図面においても図３Ａと同様に、構成要素の一部を省略する。また、図４は、分かりやすくするため、絶縁層を透過させ、輪郭を破線で示している。

　トランジスタ２００は、導電層２２３と、絶縁層２２５と、半導体層２３１と、導電層２２２ａと、導電層２２２ｂと、絶縁層２１０と、を有する。導電層２２３は、ゲート電極として機能する。絶縁層２２５の一部は、ゲート絶縁層として機能する。導電層２２２ａは、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、導電層２２２ｂは他方として機能する。半導体層２３１のうち、ソース電極とドレイン電極との間において、ゲート絶縁層を介してゲート電極と重なる領域の全体がチャネル形成領域として機能する。また、半導体層２３１のうち、ソース電極と接する領域はソース領域として機能し、ドレイン電極と接する領域はドレイン領域として機能する。

　基板１５１上に、導電層２２２ａが設けられ、導電層２２２ａ上に絶縁層２１０が設けられ、絶縁層２１０上に導電層２２２ｂが設けられる。絶縁層２１０は、導電層２２２ａと導電層２２２ｂに挟持される領域を有する。導電層２２２ａは、絶縁層２１０を介して導電層２２２ｂと重なる領域を有する。絶縁層２１０は、導電層２２２ａと重なる領域に開口１４１を有する。開口１４１において、導電層２２２ａが露出する。導電層２２２ｂは、導電層２２２ａと重なる領域に開口１４３を有する。開口１４３は、開口１４１と重なる領域に設けられる。

　図５Ａは、導電層２２２ａ、導電層２２２ｂ、開口１４１及び開口１４３を抜粋して示す斜視図である。なお、絶縁層２１０に設けられる開口１４１は破線で示している。図５Ａに示すように、導電層２２２ｂは、導電層２２２ａと重なる領域に開口１４３を有する。また、導電層２２２ｂは、開口１４１の内部に設けないことが好ましい。つまり、導電層２２２ｂは、絶縁層２１０の開口１４１側の側面と接する領域を有さないことが好ましい。

　開口１４１及び開口１４３の上面形状はそれぞれ、例えば、円形、または楕円形とすることができる。開口１４１及び開口１４３の上面形状はそれぞれ、三角形、四角形（長方形、菱形、正方形を含む）、五角形などの多角形、またはこれら多角形の角が丸い形状としてもよい。図３Ａ等に示すように、開口１４１及び開口１４３の上面形状はそれぞれ、円形であることが好ましい。開口１４１及び開口１４３の上面形状を円形とすることにより、開口１４１及び開口１４３を形成する際の加工精度を高めることができ、微細なサイズの開口１４１及び開口１４３を形成することができる。なお、本明細書等において、円形とは真円に限定されない。

　導電層２２２ｂの開口１４３側の端部は、絶縁層２１０の開口１４１側の端部と一致、または概略一致することが好ましい。また、開口１４３の上面形状は、開口１４１の上面形状と一致、または概略一致するともいえる。なお、本明細書等において、導電層２２２ｂの開口１４３側の端部とは、導電層２２２ｂの開口１４３側の下面端部を指す。導電層２２２ｂの下面とは、絶縁層２１０側の面を指す。絶縁層２１０の開口１４１側の端部とは、絶縁層２１０の開口１４１側の上面端部を指す。絶縁層２１０の上面とは、導電層２２２ｂ側の面を指す。また、開口１４３の上面形状とは、導電層２２２ｂの開口１４３側の下面端部の形状を指す。開口１４１の上面形状とは、絶縁層２１０の開口１４１側の上面端部の形状を指す。

　なお、端部が一致、または概略一致するとは、端部が揃っている、または概略揃っているともいえる。端部が揃っている、または概略揃っている場合、及び、上面形状が一致または概略一致している場合、上面視において、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なっているといえる。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、または、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も端部が概略揃っている、または、上面形状が概略一致している、という。

　開口１４１は、例えば、開口１４３の形成に用いたレジストマスクを用いて形成することができる。具体的には、絶縁層２１０となる絶縁膜、当該絶縁膜上の導電層２２２ｂとなる導電膜、及び当該導電膜上のレジストマスクを形成する。そして、当該レジストマスクを用いて当該導電膜に開口１４３を形成した後に、当該レジストマスクを用いて当該絶縁膜に開口１４１を形成することにより、開口１４１の端部と開口１４３の端部を一致、または概略一致させることができる。このような構成とすることにより、工程を簡略にすることができる。

　開口１４３を形成した後に、開口１４３と異なる工程で開口１４１を形成してもよい。また、開口１４１と開口１４３の形成順は特に限定されない。例えば、絶縁層２１０となる絶縁膜に開口１４１を形成した後に、導電層２２２ｂとなる導電膜を形成し、当該導電膜に開口１４３を形成してもよい。導電層２２２ｂの開口１４３側の端部は、絶縁層２１０の開口１４１側の端部と一致しなくてもよい。

　半導体層２３１は、開口１４１及び開口１４３を覆うように設けられる。半導体層２３１は、導電層２２２ｂの上面及び側面、絶縁層２１０の側面、並びに導電層２２２ａの上面と接する領域を有する。半導体層２３１は、開口１４１及び開口１４３を介して、導電層２２２ａと電気的に接続される。半導体層２３１は、導電層２２２ｂの上面及び側面、絶縁層２１０の側面、並びに導電層２２２ａの上面の形状に沿った形状を有する。

　半導体層２３１は、導電層２２２ｂの開口１４３側の端部を覆っていることが好ましい。図３Ｂ等では、半導体層２３１の端部が導電層２２２ｂ上に位置する構成を示している。半導体層２３１の端部は、導電層２２２ｂの上面に接するともいえる。なお、半導体層２３１が、導電層２２２ｂの開口１４３に面しない側の端部まで延伸して覆ってもよい。半導体層２３１の端部が、絶縁層２１０の上面に接してもよい。

　図５Ｂは、導電層２２２ａ及び半導体層２３１を抜粋して示す斜視図である。図５Ｂに示すように、半導体層２３１は、開口１４１及び開口１４３を覆うように設けられる。開口１４１において、半導体層２３１は、導電層２２２ａの上面と接する領域を有する。

　図３Ｂ等では半導体層２３１を単層構造で示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。半導体層２３１を２層以上の積層構造としてもよい。

　ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５は、開口１４１及び開口１４３を覆うように設けられる。絶縁層２２５は、半導体層２３１、導電層２２２ｂ、及び絶縁層２１０上に設けられる。絶縁層２２５は、半導体層２３１の上面及び側面、導電層２２２ｂの上面及び側面、並びに絶縁層２１０の上面と接する領域を有する。絶縁層２２５は、絶縁層２１０の上面、導電層２２２ｂの上面及び側面、半導体層２３１の上面及び側面、並びに導電層２２２ａの上面の形状に沿った形状を有する。

　ゲート電極として機能する導電層２２３は、絶縁層２２５上に設けられ、絶縁層２２５の上面と接する領域を有する。導電層２２３は、絶縁層２２５を介して、半導体層２３１と重なる領域を有する。導電層２２３は、絶縁層２２５の上面の形状に沿った形状を有する。

　図５Ｃは、導電層２２２ａ及び導電層２２３を抜粋して示す斜視図である。図５Ｃに示すように、導電層２２３は、開口１４１及び開口１４３を覆うように設けられる。

　図３Ｂ等に示すように、開口１４１及び開口１４３において、導電層２２３は、絶縁層２２５を介して半導体層２３１と重なる領域を有する。また、導電層２２３は、絶縁層２２５及び半導体層２３１を介して導電層２２２ａと重なる領域、及び導電層２２２ｂと重なる領域を有する。導電層２２３は、導電層２２２ｂの開口１４３側の端部を覆っていることが好ましい。このような構成とすることで、半導体層２３１のうち、ソース電極とドレイン電極との間において、ゲート絶縁層を介してゲート電極と重なる領域の全体がチャネル形成領域として機能することができる。

　トランジスタ２００は、半導体層２３１よりも上方にゲート電極を有する、いわゆるトップゲート型のトランジスタである。さらに、半導体層２３１の下面がソース電極及びドレイン電極と接することから、ＴＧＢＣ（Ｔｏｐ　Ｇａｔｅ　Ｂｏｔｔｏｍ　Ｃｏｎｔａｃｔ）型のトランジスタということができる。

　導電層２２２ａ、導電層２２２ｂ及び導電層２２３はそれぞれ、配線として機能することができる。トランジスタ２００は、これらの配線が重なる領域に設けることができる。つまり、トランジスタ２００及び当該配線を有する回路において、トランジスタ２００及び配線の占有面積を縮小することができる。さらに、回路の占有面積を縮小することが可能となる。例えば、トランジスタ２００を表示装置の画素回路に適用する場合、画素回路の占有面積を縮小することができ、高精細の表示装置とすることができる。また、トランジスタ２００を表示装置の駆動回路（例えば、ゲート線駆動回路及びソース線駆動回路）に適用する場合、駆動回路の占有面積を縮小することができ、狭額縁の表示装置とすることができる。また、小型の表示装置とすることができる。

　ここで、トランジスタ２００のチャネル長及びチャネル幅について、図６Ａ及び図６Ｂを用いて説明する。図６Ａは、トランジスタ２００の上面図である。図６Ｂは、図３Ｂの拡大図である。

　半導体層２３１において、導電層２２２ａと接する領域はソース領域及びドレイン領域の一方として機能し、導電層２２２ｂと接する領域はソース領域及びドレイン領域の他方として機能し、ソース領域とドレイン領域の間の領域はチャネル形成領域として機能する。

　トランジスタ２００のチャネル長は、ソース領域とドレイン領域の間の距離となる。図６Ｂは、トランジスタ２００のチャネル長Ｌ２００を破線の両矢印で示している。チャネル長Ｌ２００は、断面視において、半導体層２３１と導電層２２２ａが接する領域の端部と、半導体層２３１と導電層２２２ｂが接する領域の端部との距離となる。

　トランジスタ２００のチャネル長Ｌ２００は、断面視における絶縁層２１０の開口１４１側の側面の長さに相当する。つまり、チャネル長Ｌ２００は、絶縁層２１０の膜厚Ｔ２１０、及び絶縁層２１０の開口１４１側の側面と絶縁層２１０の被形成面（ここでは、導電層２２２ａの上面）とのなす角θ２１０で決まり、トランジスタの作製に用いる露光装置の性能に影響されない。したがって、チャネル長Ｌ２００を露光装置の限界解像度よりも小さな値とすることができ、微細なサイズのトランジスタを実現することができる。例えば、チャネル長Ｌ２００は、０．０１μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．０５μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．１μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．１５μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上２．５μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上２μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上１．５μｍ未満が好ましく、さらには０．３μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、さらには０．３μｍ以上１．２μｍ以下が好ましく、さらには０．４μｍ以上１．２μｍ以下が好ましく、さらには０．４μｍ以上１μｍ以下が好ましく、さらには０．５μｍ以上１μｍ以下が好ましい。図６Ｂは、絶縁層２１０の膜厚Ｔ２１０を一点鎖線の両矢印で示している。

　チャネル長Ｌ２００を小さくすることにより、トランジスタ２００のオン電流を大きくすることができる。トランジスタ２００を用いることにより、高速動作が可能な回路を作製することができる。さらには回路の占有面積を縮小することが可能となる。例えば、トランジスタ２００を大型の表示装置、または高精細な表示装置に適用する際、配線数が増加した場合においても、各配線における信号遅延を低減することができ、表示ムラを抑制することができる。また、回路の占有面積を縮小できるため、表示装置の額縁を狭くすることができる。

　絶縁層２１０の膜厚Ｔ２１０及び角θ２１０を調整することにより、チャネル長Ｌ２００を制御することができる。

　絶縁層２１０の膜厚Ｔ２１０は、０．０１μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．０５μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．１μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．１５μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上２．５μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上２μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上１．５μｍ未満が好ましく、さらには０．３μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、さらには０．３μｍ以上１．２μｍ以下が好ましく、さらには０．４μｍ以上１．２μｍ以下が好ましく、さらには０．４μｍ以上１μｍ以下が好ましく、さらには０．５μｍ以上１μｍ以下が好ましい。

　絶縁層２１０の開口１４１側の側面は、テーパ形状であることが好ましい。絶縁層２１０の開口１４１側の側面と絶縁層２１０の被形成面（ここでは、導電層２２２ａの上面）とのなす角θ２１０は、９０度未満であることが好ましい。角θ２１０を小さくすることにより、絶縁層２１０上に設けられる層（例えば、半導体層２３１）の被覆性を高めることができる。しかしながら、角θ２１０を小さくすると、半導体層２３１と導電層２２２ａとの接触面積が小さくなり、半導体層２３１と導電層２２２ａの接触抵抗が高くなってしまう場合がある。角θ２１０は４５度以上９０度未満が好ましく、さらには５０度以上９０度未満が好ましく、さらには５５度以上９０度未満が好ましく、さらには６０度以上９０度未満が好ましく、さらには６０度以上８５度以下が好ましく、さらには６５度以上８５度以下が好ましく、さらには６５度以上８０度以下が好ましく、さらには７０度以上８０度以下が好ましい。角θ２１０を前述の範囲とすることで、導電層２２２ａ及び絶縁層２１０上に形成される層（例えば、半導体層２３１）の被覆性を高めることができ、当該層に段切れまたは鬆といった不具合が発生することを抑制できる。また、半導体層２３１と導電層２２２ａの接触抵抗を低くすることができる。

　なお、図６Ｂ等では、断面視において、絶縁層２１０の開口１４１側の側面の形状が直線である構成を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。断面視において、絶縁層２１０の開口１４１側の側面の形状は曲線であってもよく、また側面の形状が直線である領域と曲線である領域の双方を有してもよい。

　トランジスタ２００のチャネル幅は、チャネル長方向と直交する方向における、ソース領域の幅、またはドレイン領域の幅となる。つまり、チャネル幅は、チャネル長方向と直交する方向における、半導体層２３１と導電層２２２ａが接する領域の幅、または半導体層２３１と導電層２２２ｂが接する領域の幅となる。ここでは、トランジスタ２００のチャネル幅は、チャネル長方向と直交する方向における、半導体層２３１と導電層２２２ｂが接する領域の幅として説明する。図６Ａ及び図６Ｂは、トランジスタ２００のチャネル幅Ｗ２００を実線の両矢印で示している。チャネル幅Ｗ２００は、上面視において、開口１４３側の導電層２２２ｂの下面端部の長さとなる。

　チャネル幅Ｗ２００は、開口１４３の上面形状で決まる。図６Ａ及び図６Ｂは、開口１４３の幅Ｄ１４３を二点鎖線の両矢印で示している。幅Ｄ１４３は、上面視において、開口１４３に外接する最小の矩形の短辺を指す。フォトリソグラフィ法を用いて開口１４３を形成する場合、開口１４３の幅Ｄ１４３は露光装置の限界解像度以上となる。幅Ｄ１４３は、例えば、０．２μｍ以上５μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上４．５μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上４μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上３．５μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上２．５μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上２μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上１．５μｍ未満が好ましく、さらには０．３μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、さらには０．３μｍ以上１．２μｍ以下が好ましく、さらには０．４μｍ以上１．２μｍ以下が好ましく、さらには０．４μｍ以上１μｍ以下が好ましく、さらには０．５μｍ以上１μｍ以下が好ましい。なお、開口１４３の上面形状が円形の場合、幅Ｄ１４３は開口１４３の直径に相当し、チャネル幅Ｗ２００は“Ｄ１４３×π”と算出することができる。

　以下では、本発明の一態様の表示装置に適用できるトランジスタに含まれる構成要素について、説明する。

〔半導体層２３１〕
　半導体層２３１に用いることができる半導体材料は、特に限定されない。例えば、単体半導体、または化合物半導体を用いることができる。単体半導体として、例えば、シリコンまたはゲルマニウムを用いることができる。化合物半導体として、例えば、ヒ化ガリウム、シリコンゲルマニウムが挙げられる。化合物半導体として、半導体特性を有する有機物、または半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を用いることができる。なお、これらの半導体材料に、ドーパントとして不純物が含まれてもよい。

　半導体層２３１に用いる半導体材料の結晶性は特に限定されず、非晶質半導体、または結晶性を有する半導体（単結晶性半導体、多結晶半導体、微結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

　半導体層２３１は、シリコンを用いることができる。シリコンとして、単結晶シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、非晶質シリコン等が挙げられる。多結晶シリコンとして、例えば、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ）が挙げられる。

　半導体層２３１に非晶質シリコンを用いたトランジスタは、大型のガラス基板上に形成でき、低コストで作製することができる。半導体層２３１に多結晶シリコンを用いたトランジスタは、電界効果移動度が高く、高速動作が可能である。また、半導体層２３１に微結晶シリコンを用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタより電界効果移動度が高く、高速動作が可能である。

　半導体層２３１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体）を有することが好ましい。半導体層２３１に用いることができる金属酸化物として、例えば、インジウム酸化物、ガリウム酸化物、及び亜鉛酸化物が挙げられる。金属酸化物は、少なくともインジウム（Ｉｎ）または亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。また、金属酸化物は、インジウムと、元素Ｍと、亜鉛と、の中から選ばれる二または三を有することが好ましい。なお、元素Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、コバルト、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種である。特に、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

　半導体層２３１は、例えば、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムアルミニウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物、ＩＡＺＯとも記す）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも記す）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムアルミニウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＡＺＯまたはＩＡＧＺＯとも記す）などを用いることができる。または、シリコンを含むインジウムスズ酸化物などを用いることができる。

　元素Ｍは、特に、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。特に、元素Ｍは、ガリウムが好ましい。

　ここで、半導体層２３１が有する金属酸化物の組成は、トランジスタ２００の電気的特性、及び信頼性に大きく影響する。

　例えば、金属酸化物のインジウムの含有率を高くすることにより、オン電流の大きいトランジスタを実現することができる。

　半導体層２３１にＩｎ−Ｚｎ酸化物を用いる場合、インジウムの原子数比が亜鉛の原子数比以上である金属酸化物を適用することが好ましい。例えば、金属元素の原子数比が、Ｉｎ：Ｚｎ＝１：１、Ｉｎ：Ｚｎ＝２：１、Ｉｎ：Ｚｎ＝３：１、Ｉｎ：Ｚｎ＝４：１、Ｉｎ：Ｚｎ＝５：１、Ｉｎ：Ｚｎ＝７：１、Ｉｎ：Ｚｎ＝１０：１、またはこれらの近傍の金属酸化物を用いることができる。

　半導体層２３１にＩｎ−Ｓｎ酸化物を用いる場合、インジウムの原子数比がスズの原子数比以上である金属酸化物を適用することが好ましい。例えば、金属元素の原子数比が、Ｉｎ：Ｓｎ＝１：１、Ｉｎ：Ｓｎ＝２：１、Ｉｎ：Ｓｎ＝３：１、Ｉｎ：Ｓｎ＝４：１、Ｉｎ：Ｓｎ＝５：１、Ｉｎ：Ｓｎ＝７：１、Ｉｎ：Ｓｎ＝１０：１、またはこれらの近傍の金属酸化物を用いることができる。

　半導体層２３１にＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物を用いる場合、インジウムの原子数比が、スズの原子数比よりも高い金属酸化物を適用することができる。さらには、亜鉛の原子数比が、スズの原子数比よりも高い金属酸化物を用いることが好ましい。例えば、金属元素の原子数比が、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝５：１：３、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝５：１：８、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝６：１：６、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１０：１：３、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１０：１：６、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１０：１：７、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１０：１：８、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝５：２：５、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１０：１：１０、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２０：１：１０、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝４０：１：１０、またはこれらの近傍の金属酸化物を用いることができる。

　半導体層２３１にＩｎ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物を用いる場合、インジウムの原子数比が、アルミニウムの原子数比よりも高い金属酸化物を適用することができる。さらには、亜鉛の原子数比が、アルミニウムの原子数比よりも高い金属酸化物を用いることが好ましい。例えば、金属元素の原子数比が、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝５：１：３、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝５：１：８、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝６：１：６、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝１０：１：３、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝１０：１：６、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝１０：１：７、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝１０：１：８、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝５：２：５、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝１０：１：１０、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝２０：１：１０、Ｉｎ：Ａｌ：Ｚｎ＝４０：１：１０、またはこれらの近傍の金属酸化物を用いることができる。

　半導体層２３１にＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いる場合、金属元素の原子数に対するインジウムの原子数比が、ガリウムの原子数比よりも高い金属酸化物を適用することができる。さらには、亜鉛の原子数比が、ガリウムの原子数比よりも高い金属酸化物を用いることが、より好ましい。例えば、半導体層２３１は、金属元素の原子数比が、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：３、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：８、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝６：１：６、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：１：３、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：１：６、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：１：７、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：１：８、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：２：５、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：１：１０、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２０：１：１０、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４０：１：１０、またはこれらの近傍の金属酸化物を用いることができる。

　半導体層２３１にＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を用いる場合、金属元素の原子数に対するインジウムの原子数比が、元素Ｍの原子数比よりも高い金属酸化物を適用することができる。さらには、亜鉛の原子数比が、元素Ｍの原子数比よりも高い金属酸化物を用いることが、より好ましい。例えば、半導体層２３１は、金属元素の原子数比が、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１０：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１０：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１０：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１０：１：８、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１０：１：１０、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２０：１：１０、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４０：１：１０、またはこれらの近傍の金属酸化物を用いることができる。

　なお、元素Ｍとして複数の金属元素を有する場合は、当該金属元素の原子数比の合計を、元素Ｍの原子数比とすることができる。例えば、元素Ｍとしてガリウムとアルミニウムを有するＩｎ−Ｇａ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物の場合、ガリウムの原子数比とアルミニウムの原子数比の合計を元素Ｍの原子数比とすることができる。また、インジウム、元素Ｍ、及び亜鉛の原子数比が前述の範囲であることが好ましい。

　金属酸化物に含有される金属元素の原子数に対するインジウムの原子数の割合が、３０原子％以上１００原子％以下、好ましくは３０原子％以上９５原子％以下、より好ましくは３５原子％以上９５原子％以下、より好ましくは３５原子％以上９０原子％以下、より好ましくは４０原子％以上９０原子％以下、より好ましくは４５原子％以上９０原子％以下、より好ましくは５０原子％以上８０原子％以下、より好ましくは６０原子％以上８０原子％以下、より好ましくは７０原子％以上８０原子％以下である金属酸化物を用いることが好ましい。例えば、半導体層２３１にＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いる場合、インジウム、元素Ｍ、及び亜鉛の原子数の合計に対する、インジウムの原子数の割合が前述の範囲であることが好ましい。

　本明細書等において、含有される金属元素の原子数に対するインジウムの原子数の割合を、インジウムの含有率と記す場合がある。他の金属元素においても同様である。

　金属酸化物のインジウムの含有率を高くすることにより、オン電流の大きいトランジスタとすることができる。当該トランジスタを用いることにより、高速動作が可能な回路を作製することができる。さらには回路の占有面積を縮小することが可能となる。例えば、当該トランジスタを大型の表示装置、または高精細な表示装置に適用する際、配線数が増加した場合においても、各配線における信号遅延を低減することができ、表示ムラを抑制することができる。また、回路の占有面積を縮小できるため、表示装置の額縁を狭くすることができる。

　金属酸化物の組成の分析は、例えば、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ−ｒａｙ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘ−ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、誘導結合プラズマ質量分析法（ＩＣＰ−ＭＳ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ−Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）、または誘導結合高周波プラズマ発光分光法（ＩＣＰ−ＡＥＳ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ−Ａｔｏｍｉｃ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いることができる。または、これらの手法を複数組み合わせて分析を行ってもよい。なお、含有率が低い元素は、分析精度の影響により、実際の含有率と分析によって得られた含有率が異なる場合がある。例えば、元素Ｍの含有率が低い場合、分析によって得られた元素Ｍの含有率が、実際の含有率より低くなる場合がある。

　本明細書等において、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。例えば、原子数比がＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、インジウムの原子数比を４としたとき、Ｍの原子数比が１以上３以下であり、亜鉛の原子数比が２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、インジウムの原子数比を５としたときに、Ｍの原子数比が０．１より大きく２以下であり、亜鉛の原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、インジウムの原子数比を１としたときに、Ｍの原子数比が０．１より大きく２以下であり、亜鉛の原子数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。

　金属酸化物の形成は、スパッタリング法、または原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を好適に用いることができる。なお、金属酸化物をスパッタリング法で形成する場合、ターゲットの原子数比と、当該金属酸化物の原子数比が異なる場合がある。特に、亜鉛は、ターゲットの原子数比よりも金属酸化物の原子数比が小さくなる場合がある。具体的には、ターゲットに含まれる亜鉛の原子数比の４０％以上９０％以下程度となる場合がある。

　ここで、トランジスタの信頼性について、説明する。トランジスタの信頼性を評価する指標の１つとして、ゲートに電界を印加した状態で保持する、ＧＢＴ（Ｇａｔｅ　Ｂｉａｓ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験がある。その中でも、ソース電位及びドレイン電位に対して、ゲートに正の電位（正バイアス）を与えた状態で、高温下で保持する試験をＰＢＴＳ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ　Ｂｉａｓ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｓｔｒｅｓｓ）試験、ゲートに負の電位（負バイアス）を与えた状態で、高温下で保持する試験をＮＢＴＳ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ　Ｂｉａｓ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｓｔｒｅｓｓ）試験と呼ぶ。また、光を照射した状態で行うＰＢＴＳ試験及びＮＢＴＳ試験をそれぞれ、ＰＢＴＩＳ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ　Ｂｉａｓ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ　Ｓｔｒｅｓｓ）試験、ＮＢＴＩＳ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ　Ｂｉａｓ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ　Ｓｔｒｅｓｓ）試験と呼ぶ。

　ｎ型のトランジスタにおいては、トランジスタをオン状態（電流を流す状態）とする際にゲートに正の電位が与えられるため、ＰＢＴＳ試験でのしきい値電圧の変動量が、トランジスタの信頼性の指標として着目すべき重要な項目の１つとなる。

　半導体層２３１にガリウムを含まない、またはガリウムの含有率の低い金属酸化物を用いることにより、正バイアス印加に対する信頼性が高いトランジスタとすることができる。つまり、ＰＢＴＳ試験でのしきい値電圧の変動量が小さいトランジスタとすることができる。また、ガリウムを含む金属酸化物を用いる場合は、インジウムの含有率よりも、ガリウムの含有率を低くすることが好ましい。これにより、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。

　ＰＢＴＳ試験でのしきい値電圧の変動の１つの要因として、半導体層とゲート絶縁層の界面、または界面近傍における欠陥準位が挙げられる。欠陥準位密度が大きいほど、ＰＢＴＳ試験での劣化が顕著になる。半導体層の、ゲート絶縁層と接する領域におけるガリウムの含有率を低くすることにより、当該欠陥準位の生成を抑制することができる。

　ガリウムを含まない、またはガリウムの含有率の低い金属酸化物を半導体層に用いることによりＰＢＴＳ試験でのしきい値電圧の変動を抑制できる理由として、例えば、以下のようなことが考えられる。金属酸化物に含まれるガリウムは、他の金属元素（例えば、インジウムまたは亜鉛）と比較して、酸素を誘引しやすい性質を有する。そのため、ガリウムを多く含む金属酸化物と、ゲート絶縁層との界面において、ガリウムがゲート絶縁層中の余剰酸素と結合することにより、キャリア（ここでは電子）トラップサイトを生じさせやすくなると推察される。そのため、ゲートに正の電位を与えた際に、半導体層とゲート絶縁層との界面にキャリアがトラップされることにより、しきい値電圧が変動することが考えられる。

　より具体的には、半導体層２３１にＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いた場合、インジウムの原子数比が、ガリウムの原子数比よりも高い金属酸化物を、半導体層２３１に適用することができる。また、亜鉛の原子数比が、ガリウムの原子数比よりも高い金属酸化物を用いることが、より好ましい。言い換えると、金属元素の原子数比が、Ｉｎ＞Ｇａ、且つＺｎ＞Ｇａを満たす金属酸化物を、半導体層２３１に適用することが好ましい。

　半導体層２３１は、含有される金属元素の原子数に対するガリウムの原子数の割合が、０原子％より高く５０原子％以下、好ましくは０．１原子％以上４０原子％以下、より好ましくは０．１原子％以上３５原子％以下、より好ましくは０．１原子％以上３０原子％以下、より好ましくは０．１原子％以上２５原子％以下、より好ましくは０．１原子％以上２０原子％以下、より好ましくは０．１原子％以上１５原子％以下、より好ましくは０．１原子％以上１０原子％以下である金属酸化物を用いることが好ましい。半導体層中のガリウムの含有率を低くすることにより、ＰＢＴＳ試験に対する耐性の高いトランジスタとすることができる。なお、金属酸化物にガリウムを含有させることにより、金属酸化物に酸素欠損（Ｖ_Ｏ：Ｏｘｙｇｅｎ　Ｖａｃａｎｃｙ）が生じにくくなるといった効果を奏する。

　半導体層２３１に、ガリウムを含まない金属酸化物を適用してもよい。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物を半導体層２３１に適用することができる。このとき、金属酸化物に含まれる金属元素の原子数に対するインジウムの原子数比を高くすることにより、トランジスタの電界効果移動度を高めることができる。一方、金属酸化物に含まれる金属元素の原子数に対する亜鉛の原子数比を高くすることにより、結晶性の高い金属酸化物となるため、トランジスタの電気特性の変動が抑制され、信頼性を高めることができる。また、半導体層２３１には、酸化インジウムなどの、ガリウム及び亜鉛を含まない金属酸化物を適用してもよい。ガリウムを含まない金属酸化物を用いることにより、特に、ＰＢＴＳ試験におけるしきい値電圧の変動を極めて小さなものとすることができる。

　例えば、半導体層２３１に、インジウムと亜鉛を含む酸化物を用いることができる。このとき、金属元素の原子数比が、例えばＩｎ：Ｚｎ＝２：３、Ｉｎ：Ｚｎ＝４：１、またはこれらの近傍である金属酸化物を用いることができる。

　なお、代表的にガリウムを挙げて説明したが、ガリウムに代えて元素Ｍを用いた場合にも適用できる。半導体層２３１には、インジウムの原子数比が元素Ｍの原子数比よりも高い金属酸化物を適用することが好ましい。また、亜鉛の原子数比が元素Ｍの原子数比よりも高い金属酸化物を適用することが好ましい。

　半導体層２３１に元素Ｍの含有率が低い金属酸化物を適用することにより、正バイアス印加に対する信頼性が高いトランジスタとすることができる。当該トランジスタを正バイアス印加に対する高い信頼性が求められるトランジスタに適用することにより、高い信頼性を有する表示装置とすることができる。

　続いて、光に対するトランジスタの信頼性について、説明する。

　トランジスタに光が入射することにより、トランジスタの電気特性が変動してしまう場合がある。特に、光が入射しうる領域に適用されるトランジスタは、光照射下での電気特性の変動が小さく、光に対する信頼性が高いことが好ましい。光に対する信頼性は、例えば、ＮＢＴＩＳ試験でのしきい値電圧の変動量により評価することができる。

　金属酸化物の元素Ｍの含有率を高くすることにより、光に対する信頼性の高いトランジスタとすることができる。つまり、ＮＢＴＩＳ試験でのしきい値電圧の変動量が小さいトランジスタとすることができる。具体的には、元素Ｍの原子数比がインジウムの原子数比以上である金属酸化物はバンドギャップがより大きくなり、トランジスタのＮＢＴＩＳ試験でのしきい値電圧の変動量を小さくすることができる。半導体層２３１が有する金属酸化物のバンドギャップは、２．０ｅＶ以上が好ましく、さらには２．５ｅＶ以上が好ましく、さらには３．０ｅＶ以上が好ましく、さらには３．２ｅＶ以上が好ましく、さらには３．３ｅＶ以上が好ましく、さらには３．４ｅＶ以上が好ましく、さらには３．５ｅＶ以上が好ましい。

　例えば、半導体層２３１は、金属元素の原子数比が、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４、またはこれらの近傍の金属酸化物を用いることができる。

　半導体層２３１は、特に、含有される金属元素の原子数に対する元素Ｍの原子数の割合が、２０原子％以上７０原子％以下、好ましくは３０原子％以上７０原子％以下、より好ましくは３０原子％以上６０原子％以下、より好ましくは４０原子％以上６０原子％以下、より好ましくは５０原子％以上６０原子％以下である金属酸化物を好適に用いることができる。

　半導体層２３１にＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いた場合、金属元素の原子数に対するインジウムの原子数比が、ガリウムの原子数比以下の金属酸化物を適用することができる。例えば、金属元素の原子数比が、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：３、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４、またはこれらの近傍の金属酸化物を用いることができる。

　半導体層２３１は、特に、含有される金属元素の原子数に対するガリウムの原子数の割合が、２０原子％以上６０原子％以下、好ましくは２０％原子％以上５０原子％以下、より好ましくは３０原子％以上５０原子％以下、より好ましくは４０％原子％以上６０原子％以下、より好ましくは５０％原子％以上６０原子％以下である金属酸化物を好適に用いることができる。

　半導体層２３１に元素Ｍの含有率が高い金属酸化物を適用することにより、光に対する信頼性が高いトランジスタとすることができる。当該トランジスタを光に対する高い信頼性が求められるトランジスタに適用することにより、高い信頼性を有する表示装置とすることができる。

　前述したように、半導体層２３１に適用する金属酸化物の組成により、トランジスタの電気特性、及び信頼性が異なる。したがって、トランジスタに求められる電気特性、及び信頼性に応じて金属酸化物の組成を異ならせることにより、優れた電気特性と高い信頼性を両立した表示装置とすることができる。

　半導体層２３１は、２以上の金属酸化物層を有する積層構造としてもよい。半導体層２３１が有する２以上の金属酸化物層は、組成が互いに同じ、または概略同じであってもよい。組成が同じ金属酸化物層の積層構造とすることで、例えば、同じスパッタリングターゲットを用いて形成できるため、製造コストを削減できる。

　半導体層２３１が有する２以上の金属酸化物層は、組成が互いに異なってもよい。例えば、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］もしくはその近傍の組成の第１の金属酸化物層と、当該第１の金属酸化物層上に設けられるＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］もしくはその近傍の組成の第２の金属酸化物層と、の積層構造を好適に用いることができる。また、元素Ｍとして、ガリウム又はアルミニウムを用いることが特に好ましい。例えば、インジウム酸化物、インジウムガリウム酸化物、及びＩＧＺＯの中から選ばれるいずれか一と、ＩＡＺＯ、ＩＡＧＺＯ、及びＩＴＺＯ（登録商標）の中から選ばれるいずれか一と、の積層構造などを用いてもよい。

　半導体層２３１は、結晶性を有する金属酸化物層を用いることが好ましい。例えば、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ　ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌ）構造、多結晶構造、微結晶（ｎｃ：ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造等を有する金属酸化物層を用いることができる。結晶性を有する金属酸化物層を半導体層２３１に用いることにより、半導体層２３１中の欠陥準位密度を低減でき、信頼性の高い表示装置を実現できる。

　半導体層２３１に用いる金属酸化物層の結晶性が高いほど、半導体層２３１中の欠陥準位密度を低減できる。一方、結晶性の低い金属酸化物層を用いることで、大きな電流を流すことができるトランジスタを実現することができる。

　金属酸化物層をスパッタリング法により形成する場合、形成時の基板温度が高いほど、結晶性の高い金属酸化物層を形成することができる。形成時の基板温度は、例えば、基板を載せるステージの温度により調整することができる。また、形成時に用いる成膜ガス全体に対する酸素ガスの流量の割合（以下、酸素流量比ともいう）、または成膜装置の処理室内の酸素分圧が高いほど、結晶性の高い金属酸化物層を形成することができる。

　半導体層２３１は、結晶性が異なる２以上の金属酸化物層の積層構造としてもよい。例えば、第１の金属酸化物層と、当該第１の金属酸化物層上に設けられる第２の金属酸化物層と、の積層構造とし、第２の金属酸化物層は、第１の金属酸化物層より結晶性が高い領域を有する構成とすることができる。または、第２の金属酸化物層は、第１の金属酸化物層より結晶性が低い領域を有する構成とすることができる。半導体層２３１が有する２以上の金属酸化物層は、組成が互いに同じ、または概略同じであってもよい。組成が同じ金属酸化物層の積層構造とすることで、例えば、同じスパッタリングターゲットを用いて形成できるため、製造コストを削減できる。例えば、同じスパッタリングターゲットを用いて、酸素流量比または酸素分圧を異ならせることにより、結晶性が異なる２以上の金属酸化物層の積層構造を形成することができる。なお、半導体層２３１が有する２以上の金属酸化物層は、組成が互いに異なってもよい。

　半導体層２３１の厚さは、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上７０ｎｍ以下が好ましく、さらには１５ｎｍ以上７０ｎｍ以下が好ましく、さらには１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましく、さらには２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましく、さらには２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下が好ましく、さらには２５ｎｍ以上４０ｎｍ以下が好ましい。

　半導体層２３１の形成時の基板温度は、室温（２５℃）以上２００℃以下が好ましく、室温以上１３０℃以下がより好ましい。基板温度を前述の範囲とすることで、大面積のガラス基板を用いる場合に、基板の撓みまたは歪みを抑制できる。

　ここで、半導体層２３１中に形成されうる酸素欠損について、説明する。

　半導体層２３１に酸化物半導体を用いる場合、酸化物半導体に含まれる水素が金属原子と結合する酸素と反応して水になり、酸化物半導体中に酸素欠損（Ｖ_Ｏ）が形成される場合がある。さらに、酸素欠損に水素が入った欠陥（以下、Ｖ_ＯＨと記す）はドナーとして機能し、キャリアである電子が生成されることがある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成する場合がある。従って、水素が多く含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタは、ノーマリーオン特性となりやすい。また、酸化物半導体中の水素は、熱、電界などのストレスによって動きやすいため、酸化物半導体に多くの水素が含まれると、トランジスタの信頼性が悪化する恐れもある。

　Ｖ_ＯＨは、酸化物半導体のドナーとして機能しうる。しかしながら、当該欠陥を定量的に評価することは困難である。そこで、酸化物半導体においては、ドナー濃度ではなく、キャリア濃度で評価される場合がある。よって、本明細書等では、酸化物半導体のパラメータとして、ドナー濃度ではなく、電界が印加されない状態を想定したキャリア濃度を用いる場合がある。つまり、本明細書等に記載の「キャリア濃度」は、「ドナー濃度」と言い換えることができる場合がある。

　以上より、半導体層２３１に酸化物半導体を用いる場合、半導体層２３１中のＶ_ＯＨをできる限り低減し、高純度真性または実質的に高純度真性にすることが好ましい。このように、Ｖ_ＯＨが十分低減された酸化物半導体を得るには、酸化物半導体中の水、水素などの不純物を除去すること（脱水、脱水素化処理と記載する場合がある。）と、酸化物半導体に酸素を供給して酸素欠損（Ｖ_Ｏ）を修復することが重要である。Ｖ_ＯＨなどの不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。なお、酸化物半導体に酸素を供給して酸素欠損（Ｖ_Ｏ）を修復することを、加酸素化処理と記す場合がある。

　半導体層２３１に酸化物半導体を用いる場合、チャネル形成領域として機能する領域の酸化物半導体のキャリア濃度は、１×１０^１８ｃｍ^−３以下であることが好ましく、１×１０^１７ｃｍ^−３未満であることがより好ましく、１×１０^１６ｃｍ^−３未満であることがさらに好ましく、１×１０^１３ｃｍ^−３未満であることがさらに好ましく、１×１０^１２ｃｍ^−３未満であることがさらに好ましい。なお、チャネル形成領域として機能する領域の酸化物半導体のキャリア濃度の下限値については、特に限定は無いが、例えば、１×１０^−９ｃｍ^−３とすることができる。

　酸化物半導体を用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタと記す）は、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。

　表示装置の画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、シリコンを用いたトランジスタ（以下、Ｓｉトランジスタと記す）と比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。

　トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調を大きくすることができる。

　トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、発光デバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。

　上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、「発光デバイスのばらつきの抑制」などを図ることができる。

　ＯＳトランジスタは、放射線照射による電気特性の変動が小さい、つまり放射線に対する耐性が高いため、放射線が入射しうる環境においても好適に用いることができる。ＯＳトランジスタは、放射線に対する信頼性が高いともいえる。例えば、Ｘ線のフラットパネルディテクタの画素回路に、ＯＳトランジスタを好適に用いることができる。また、ＯＳトランジスタは、宇宙空間で使用する表示装置に好適に用いることができる。放射線として、電磁放射線（例えば、Ｘ線、及びガンマ線）、及び粒子放射線（例えば、アルファ線、ベータ線、陽子線、及び中性子線）が挙げられる。

〔絶縁層２１０〕
　絶縁層２１０は、無機絶縁材料または有機絶縁材料を用いることができる。絶縁層２１０は、無機絶縁材料と有機絶縁材料の積層構造としてもよい。

　絶縁層２１０は、無機絶縁材料を好適に用いることができる。無機絶縁材料として、酸化物、酸化窒化物、窒化酸化物、及び窒化物の一または複数を用いることができる。絶縁層２１０は、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化ネオジム、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、及び窒化アルミニウムの一または複数を用いることができる。

　なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指す。窒化酸化物とは、その組成として酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンとは、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンとは、その組成として酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

　酸素及び窒素の含有量の分析は、例えば、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）、またはＸ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘ−ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いることができる。目的の元素の含有率が高い（例えば、０．５ａｔｏｍｉｃ％以上、または１ａｔｏｍｉｃ％以上）場合は、ＸＰＳが適している。一方、目的の元素の含有率が低い（例えば０．５ａｔｏｍｉｃ％未満、または１ａｔｏｍｉｃ％未満）場合には、ＳＩＭＳが適している。元素の含有量を比較する際には、ＳＩＭＳとＸＰＳの両方の分析手法を用いた複合解析を行うことがより好ましい。

　絶縁層２１０を２層以上の積層構造としてもよい。図３Ｂ等では、絶縁層２１０が、絶縁層２１０ａと、絶縁層２１０ａ上の絶縁層２１０ｂとの積層構造を有する構成を示している。絶縁層２１０ａ及び絶縁層２１０ｂはそれぞれ、前述の絶縁層２１０に用いることができる材料を用いることができる。なお、絶縁層２１０ａと絶縁層２１０ｂで同じ材料を用いてもよく、異なる材料を用いてもよい。なお、絶縁層２１０ａを２層以上の積層構造としてもよい。絶縁層２１０ｂを２層以上の積層構造としてもよい。

　絶縁層２１０ａの膜厚は、絶縁層２１０ｂの膜厚より厚い構成とすることができる。絶縁層２１０ａの成膜速度は速いことが好ましい。特に、絶縁層２１０ａの膜厚が厚い場合は、絶縁層２１０ａの成膜速度が速いことが好ましい。絶縁層２１０ａの成膜速度を速くすることにより、生産性を高めることができる。例えば、絶縁層２１０ａの形成時のパワーを高くすると、成膜速度を速くすることができる。

　絶縁層２１０ａは、応力が小さいことが好ましい。絶縁層２１０ａの膜厚を厚くすると、絶縁層２１０ａの応力が大きくなり、基板の反りが発生する場合がある。絶縁層２１０ａの応力を小さくすることにより、基板の反りなどの応力に起因する工程中の問題の発生を抑制できる。

　絶縁層２１０ｂは、絶縁層２１０ａからガスが脱離することを抑制するブロッキング膜として機能する。絶縁層２１０ｂは、ガスを拡散しづらい材料を用いることが好ましい。絶縁層２１０ｂは、絶縁層２１０ａより膜密度が高い領域を有することが好ましい。絶縁層２１０ｂの膜密度を高くすることで、ブロッキング性を高めることができる。絶縁層２１０ｂは、例えば、絶縁層２１０ａより窒素の含有量が多い材料を用いることができる。絶縁層２１０ｂの窒素の含有量を多くすることで、ブロッキング性を高めることができる。

　絶縁層２１０ｂは、絶縁層２１０ａからガスが脱離することを抑制するブロッキング膜として機能する膜厚であればよく、絶縁層２１０ａの膜厚より薄い構成とすることができる。絶縁層２１０ｂの成膜速度は、絶縁層２１０ａの成膜速度より遅いことが好ましい。なお、絶縁層２１０ｂの成膜速度を遅くすることにより、絶縁層２１０ｂの膜密度が高くなり、ブロッキング性を高めることができる。同様に、絶縁層２１０ｂの成膜時の基板温度を高くすることで、絶縁層２１０ｂの膜密度が高くなり、ブロッキング性を高めることができる。

　絶縁層２１０ａと絶縁層２１０ｂに同じ材料を適用する場合であっても、膜密度が異なるため、断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）像などにおいて、これらの境界をコントラストの違いとして観察することができる場合がある。ＴＥＭ観察において、膜密度が高いと透過電子（ＴＥ）像が濃く（暗く）、膜密度が低いと透過電子（ＴＥ）像が淡く（明るく）なる。したがって、透過電子（ＴＥ）像において、絶縁層２１０ａと比較して、絶縁層２１０ｂは濃い（暗い）像となる場合がある。

　絶縁層２１０ｂは、絶縁層２１０ａより膜中の水素濃度が低い領域を有する場合がある。絶縁層２１０ａ及び絶縁層２１０ｂの水素濃度の違いは、例えば、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）で評価できる。

　ここで、半導体層２３１に金属酸化物を用いる構成を例に挙げて、絶縁層２１０について具体的に説明する。

　半導体層２３１に酸化物半導体を用いる場合、絶縁層２１０ａ及び絶縁層２１０ｂはそれぞれ、無機絶縁材料を好適に用いることができる。

　絶縁層２１０ａは、酸化物または酸化窒化物を用いることが好ましい。絶縁層２１０ａは、加熱により酸素を放出する膜を用いることが好ましい。絶縁層２１０ａは、例えば、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを好適に用いることができる。

　絶縁層２１０ａが酸素を放出することで、絶縁層２１０ａから半導体層２３１に酸素を供給することができる。絶縁層２１０ａから半導体層２３１、特に半導体層２３１のチャネル形成領域に酸素を供給することで、半導体層２３１中の酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨを低減することができ、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。絶縁層２１０ａは、酸素の拡散係数が高いことが好ましい。絶縁層２１０ａの酸素の拡散係数を高くすることで、絶縁層２１０ａ中を酸素が拡散しやすくなり、効率よく絶縁層２１０ａから半導体層２３１に酸素を供給することができる。なお、半導体層２３１に酸素を供給する処理は、他に、酸素を含む雰囲気での加熱処理、または酸素を含む雰囲気下におけるプラズマ処理などがある。

　絶縁層２１０ａは、自身からの不純物（例えば、水及び水素）の放出が少ないことが好ましい。絶縁層２１０ａからの不純物の放出を少なくすることにより、不純物が半導体層２３１に拡散することが抑制され、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　絶縁層２１０ａは、例えば、ＰＥＣＶＤ法を用いた酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを好適に用いることができる。この場合、原料ガスは、シリコンを含むガスと、酸素を含むガスとの混合ガスを用いることが好ましい。シリコンを含むガスとして、例えば、シラン、ジシラン、トリシラン、またはフッ化シランのいずれか一または複数を用いることができる。酸素を含むガスとして、例えば、酸素（Ｏ_２）、オゾン（Ｏ_３）、一酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、または二酸化窒素（ＮＯ_２）のいずれか一または複数を用いることができる。なお、絶縁層２１０ａの形成時のパワーを高くすることにより、絶縁層２１０ａから放出される不純物（例えば、水及び水素）の量を少なくすることができる。

　絶縁層２１０ｂは、酸素を透過しづらいことが好ましい。絶縁層２１０ｂは、絶縁層２１０ａから酸素が脱離することを抑制するブロッキング膜として機能する。さらに、絶縁層２１０ｂは、水素を透過しづらいことが好ましい。絶縁層２１０ｂは、トランジスタの外から絶縁層２１０を介して半導体層２３１へ水素が拡散することを抑制するブロッキング膜として機能する。絶縁層２１０ｂの膜密度は高いことが好ましい。絶縁層２１０ｂの膜密度を高くすることで、酸素及び水素のブロッキング性を高めることができる。絶縁層２１０ｂの膜密度は、絶縁層２１０ａの膜密度より高いことが好ましい。絶縁層２１０ｂは、例えば、絶縁層２１０ａより窒素の含有量が多い領域を有することが好ましい。絶縁層２１０ｂは、例えば、絶縁層２１０ａより窒素の含有量が多い材料を用いることができる。絶縁層２１０ｂは、窒化物または窒化酸化物を用いることが好ましい。絶縁層２１０ｂは、例えば、窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを好適に用いることができる。

　絶縁層２１０ａに含まれる酸素が、絶縁層２１０ａの半導体層２３１と接しない領域（例えば、絶縁層２１０ａの上面）から上方へ拡散すると、絶縁層２１０ａから半導体層２３１へ供給される酸素の量が少なくなってしまう場合がある。絶縁層２１０ａ上に絶縁層２１０ｂを設けることにより、絶縁層２１０ａに含まれる酸素が、絶縁層２１０ａの半導体層２３１と接しない領域から拡散することを抑制できる。したがって、絶縁層２１０ａから半導体層２３１へ供給される酸素の量が増え、半導体層２３１中の酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨを低減することができる。したがって、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　絶縁層２１０ａに含まれる酸素によって、導電層２２２ｂが酸化され、抵抗が高くなってしまう場合がある。また、絶縁層２１０ａに含まれる酸素によって導電層２２２ｂが酸化されることにより、絶縁層２１０ａから半導体層２３１に供給される酸素の量が少なくなってしまう場合がある。絶縁層２１０ａ上に絶縁層２１０ｂを設けることにより、導電層２２２ｂが酸化され、抵抗が高くなることを抑制できる。それとともに、絶縁層２１０ａから半導体層２３１へ供給される酸素の量が増え、半導体層２３１中の酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨを低減することができ、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　半導体層２３１に水素が拡散すると、酸化物半導体に含まれる酸素原子と反応して水になり、酸素欠損（Ｖ_Ｏ）が形成される場合がある。さらに、Ｖ_ＯＨが形成され、キャリア濃度が高くなってしまう場合がある。絶縁層２１０ａ上に絶縁層２１０ｂを設けることにより、半導体層２３１中の酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨを低減することができ、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　絶縁層２１０ｂは、酸素及び水素のブロッキング膜として機能する膜厚であることが好ましい。絶縁層２１０ｂの膜厚が薄いと、ブロッキング膜としての機能が低くなってしまう場合がある。一方、絶縁層２１０ｂの膜厚が厚いと、絶縁層２１０ａと接する半導体層２３１の領域が狭くなり、絶縁層２１０ａから半導体層２３１へ供給される酸素の量が少なくなってしまう場合がある。絶縁層２１０ｂの膜厚は、絶縁層２１０ａの膜厚より薄くてもよい。絶縁層２１０ｂの膜厚は、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上７０ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上７０ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましく、さらには２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましく、さらには２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下が好ましい。絶縁層２１０ｂの膜厚を前述の範囲とすることで、半導体層２３１中、特にチャネル形成領域の酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨを低減することができ、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　絶縁層２１０ｂは、自身からの不純物（例えば、水及び水素）の放出が少ないことが好ましい。絶縁層２１０ｂからの不純物の放出を少なくすることにより、不純物が半導体層２３１に拡散することが抑制され、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　トランジスタ２００において、半導体層２３１の絶縁層２１０と接する領域がチャネル形成領域として機能することができる。つまり、チャネル形成領域に選択的に酸素が供給され、酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨを低減することができる。したがって、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

〔導電層２２２ａ、導電層２２２ｂ、導電層２２３〕
　ソース電極またはドレイン電極として機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、並びにゲート電極として機能する導電層２２３は、クロム、銅、アルミニウム、金、銀、亜鉛、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、マンガン、ニッケル、鉄、コバルト、及びニオブの一または複数、もしくは前述した金属の一または複数を成分とする合金を用いてそれぞれ形成することができる。導電層２２３、導電層２２２ａ、及び導電層２２２ｂは、銅、銀、金、またはアルミニウムの一または複数を含む、低抵抗な導電性材料を好適に用いることができる。特に、銅またはアルミニウムは量産性に優れるため好ましい。

　導電層２２３、導電層２２２ａ、及び導電層２２２ｂは、導電性を有する金属酸化物（酸化物導電体ともいう）を用いることができる。酸化物導電体（ＯＣ：Ｏｘｉｄｅ　Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）として、例えば、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯ）、Ｉｎ−Ｗ酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｔｉ酸化物、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｓｎ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｓｉ酸化物（ＩＴＳＯ）、及びＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物が挙げられる。

　ここで、酸化物導電体（ＯＣ）について説明を行う。例えば、半導体特性を有する金属酸化物に酸素欠損を形成し、該酸素欠損に水素を添加すると、伝導帯近傍にドナー準位が形成される。この結果、金属酸化物は、導電性が高くなり導電体化する。導電体化された金属酸化物を、酸化物導電体ということができる。

　導電層２２３、導電層２２２ａ、及び導電層２２２ｂは、前述の酸化物導電体（金属酸化物）を含む導電膜と、金属または合金を含む導電膜の積層構造としてもよい。金属または合金を含む導電膜を用いることで、配線抵抗を小さくすることができる。

　導電層２２３、導電層２２２ａ、及び導電層２２２ｂは、Ｃｕ−Ｘ合金膜（Ｘは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、またはＴｉ）を適用してもよい。Ｃｕ−Ｘ合金膜を用いることで、ウエットエッチング法により加工できるため、製造コストを抑制することが可能となる。

　なお、導電層２２３、導電層２２２ａと導電層２２２ｂで互いに同じ材料を用いてもよく、互いに異なる材料を用いてもよい。

　ここで、半導体層２３１に金属酸化物を用いる構成を例に挙げて、導電層２２２ａ、及び導電層２２２ｂについて具体的に説明する。

　半導体層２３１に酸化物半導体を用いる場合、半導体層２３１に含まれる酸素によって導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂが酸化され、抵抗が高くなってしまう場合がある。絶縁層２１０ａに含まれる酸素によって、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂが酸化され、抵抗が高くなってしまう場合がある。また、半導体層２３１に含まれる酸素によって導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂが酸化されることにより、半導体層２３１中の酸素欠損（Ｖ_Ｏ）が増加してしまう場合がある。絶縁層２１０ａに含まれる酸素によって導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂが酸化されることにより、絶縁層２１０ａから半導体層２３１に供給される酸素の量が少なくなってしまう場合がある。

　導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂはそれぞれ、酸化されにくい材料を用いることが好ましい。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂはそれぞれ、酸化物導電体を用いることが好ましい。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂはそれぞれ、例えば、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯ）、またはＩｎ−Ｓｎ−Ｓｉ酸化物（ＩＴＳＯ）を好適に用いることができる。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂはそれぞれ、窒化物導電体を用いてもよい。窒化物導電体として、窒化タンタル、及び窒化チタンが挙げられる。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、前述の材料の積層構造を有してもよい。

　導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂに酸化されにくい材料を用いることにより、半導体層２３１に含まれる酸素または絶縁層２１０ａに含まれる酸素によって酸化され、抵抗が高くなることを抑制できる。また、半導体層２３１中の酸素欠損（Ｖ_Ｏ）の増加が抑制されるとともに、絶縁層２１０ａから半導体層２３１に供給される酸素の量を増やすことができる。したがって、半導体層２３１中の酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨを低減することができ、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。なお、導電層２２２ａと導電層２２２ｂで同じ材料を用いてもよく、異なる材料を用いてもよい。

〔絶縁層２２５〕
　ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５は、欠陥密度が低いことが好ましい。絶縁層２２５の欠陥密度が低いことにより、良好な電気特性を示すトランジスタとすることができる。さらに、絶縁層２２５は、絶縁耐圧が高いことが好ましい。絶縁層２２５の絶縁耐圧が高いことにより、信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　絶縁層２２５は、例えば、絶縁性を有する酸化物、酸化窒化物、窒化酸化物、及び窒化物の一または複数を用いることができる。絶縁層２２５は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、及びＧａ−Ｚｎ酸化物の一または複数を用いることができる。絶縁層２２５は、単層でもよく、積層であってもよい。絶縁層２２５は、例えば、酸化物と窒化物の積層構造としてもよい。

　なお、微細なトランジスタにおいて、ゲート絶縁層の膜厚が薄くなると、リーク電流が大きくなってしまう場合がある。ゲート絶縁層に、比誘電率の高い材料（ｈｉｇｈ−ｋ材料ともいう）を用いることで物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時の低電圧化が可能となる。ｈｉｇｈ−ｋ材料として、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化物、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化窒化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化窒化物、またはシリコンおよびハフニウムを有する窒化物が挙げられる。

　絶縁層２２５は、自身からの不純物（例えば、水、及び水素）の放出が少ないことが好ましい。絶縁層２２５からの不純物の放出が少ないことにより、不純物が半導体層２３１に拡散することが抑制され、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　絶縁層２２５は半導体層２３１上に形成されるため、半導体層２３１へのダメージが少ない条件で形成された膜であることが好ましい。例えば、成膜速度（成膜レートともいう）が十分に遅い条件で形成することができる。例えば、プラズマＣＶＤ法により絶縁層２２５を形成する場合、低電力の条件で形成することにより、半導体層２３１に与えるダメージを小さくすることができる。

　ここで、半導体層２３１に金属酸化物を用いる構成を例に挙げて、絶縁層２２５について具体的に説明する。

　半導体層２３１との界面特性を向上させるため、絶縁層２２５の少なくとも半導体層２３１と接する側は酸化物または酸化窒化物を用いることが好ましい。絶縁層２２５は、例えば、酸化シリコン、及び酸化窒化シリコンの一以上を好適に用いることができる。また、絶縁層２２５には、加熱により酸素を放出する膜を用いるとより好ましい。

　なお、絶縁層２２５を積層構造としてもよい。絶縁層２２５は、半導体層２３１と接する側に酸化物または酸化窒化物を用い、導電層２２３と接する側に窒化物または窒化酸化物を用いることができる。当該酸化物または酸化窒化物として、例えば、酸化シリコン、及び酸化窒化シリコンの一以上を好適に用いることができる。当該窒化物または窒化酸化物として、例えば、窒化シリコンを好適に用いることができる。

　以上が構成要素についての説明である。

　なお、半導体層２３１に金属酸化物を用い、絶縁層２１０ｂが水素を含む場合、絶縁層２１０ｂと接する領域の半導体層２３１に水素が拡散し、半導体層２３１中に酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨが増加しうる。これにより、半導体層２３１の絶縁層２１０ｂと接する領域がソース領域またはドレイン領域として機能し、絶縁層２１０ａと接する領域がチャネル形成領域として機能する場合がある。つまり、半導体層２３１は、導電層２２２ｂと接する領域及び絶縁層２１０ｂと接する領域が、ソース領域またはドレイン領域として機能する場合がある。

　半導体層２３１の絶縁層２１０ｂと接する領域がソース領域またはドレイン領域として機能する場合のチャネル長及びチャネル幅について、図７Ａ及び図７Ｂを用いて説明する。図７Ａは、トランジスタ２００の上面図である。図７Ｂは、図３Ｂの拡大図である。

　トランジスタ２００のチャネル長Ｌ２００は、断面視における絶縁層２１０ａの開口１４１側の側面の長さに相当する。つまり、チャネル長Ｌ２００は、絶縁層２１０ａの膜厚Ｔ２１０ａ、及び絶縁層２１０ａの開口１４１側の側面と絶縁層２１０ａの被形成面（ここでは、導電層２２２ａの上面）とのなす角θ２１０ａで決まり、トランジスタの作製に用いる露光装置の性能に影響されない。したがって、チャネル長Ｌ２００を露光装置の限界解像度よりも小さな値とすることができ、微細なサイズのトランジスタを実現することができる。例えば、チャネル長Ｌ２００は、前述の範囲とすることができる。図７Ｂは、絶縁層２１０ａの膜厚Ｔ２１０ａを一点鎖線の両矢印で示している。

　絶縁層２１０ａの膜厚Ｔ２１０ａ及び角θ２１０ａを調整することにより、チャネル長Ｌ２００を制御することができる。

　絶縁層２１０ａの膜厚Ｔ２１０ａは、０．０１μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．０５μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．１μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．１５μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上２．５μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上２μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上１．５μｍ未満が好ましく、さらには０．３μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、さらには０．３μｍ以上１．２μｍ以下が好ましく、さらには０．４μｍ以上１．２μｍ以下が好ましく、さらには０．４μｍ以上１μｍ以下が好ましく、さらには０．５μｍ以上１μｍ以下が好ましい。

　絶縁層２１０ａの開口１４１側の側面と絶縁層２１０ａの被形成面（ここでは、導電層２２２ａの上面）とのなす角θ２１０ａは、４５度以上９０度未満が好ましく、さらには５０度以上９０度未満が好ましく、さらには５５度以上９０度未満が好ましく、さらには６０度以上９０度未満が好ましく、さらには６０度以上８５度以下が好ましく、さらには６５度以上８５度以下が好ましく、さらには６５度以上８０度以下が好ましく、さらには７０度以上８０度以下が好ましい。

　チャネル幅Ｗ２００は、上面視において、開口１４１側の絶縁層２１０ｂの下面端部の長さとなる。図７Ａ及び図７Ｂは、トランジスタ２００のチャネル幅Ｗ２００を実線の両矢印で示している。

　チャネル幅Ｗ２００は、絶縁層２１０ｂの下面端部の形状で決まる。図７Ａ及び図７Ｂは、開口１４１において対向する絶縁層２１０ｂの下面端部間の幅Ｄ１４１ａを二点鎖線の両矢印で示している。幅Ｄ１４１ａは、上面視において、絶縁層２１０ｂの下面端部の輪郭に外接する最小の矩形の短辺を指す。幅Ｄ１４１ａは、例えば、０．２μｍ以上５μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上４．５μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上４μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上３．５μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上２．５μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上２μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上１．５μｍ未満が好ましく、さらには０．３μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、さらには０．３μｍ以上１．２μｍ以下が好ましく、さらには０．４μｍ以上１．２μｍ以下が好ましく、さらには０．４μｍ以上１μｍ以下が好ましく、さらには０．５μｍ以上１μｍ以下が好ましい。

　なお、絶縁層２１０ｂから、半導体層２３１の絶縁層２１０ａと接する領域にも水素が拡散する場合がある。しかし、絶縁層２１０ａから半導体層２３１へ酸素が供給されることにより、半導体層２３１の絶縁層２１０ａと接する領域に酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨが増加することが抑制される。したがって、少なくとも半導体層２３１の絶縁層２１０ａと接する領域はチャネル形成領域として機能することができ、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　以下では、前述のトランジスタの構成例１と一部の構成が異なるトランジスタの構成例について、説明する。なお、以下では、前述のトランジスタの構成例１と重複する部分は説明を省略する場合がある。また、以下で示す図面において、前述のトランジスタの構成例１と同様の機能を有する部分についてはハッチングパターンを同じくし、符号を付さない場合もある。

［トランジスタの構成例２］
　本発明の一態様である表示装置に適用できるトランジスタ２００Ａの上面図は、図３Ａを参照できる。図３Ａに示す一点鎖線Ａ１−Ａ２における切断面の断面図を図８Ａに示し、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２における切断面の断面図を図８Ｂに示す。トランジスタ２００Ａの斜視図は、図４を参照できる。

　トランジスタ２００Ａは、絶縁層２１０が絶縁層２１０ｃを有する点で、前述のトランジスタ２００と主に異なる。

　絶縁層２１０は、絶縁層２１０ｃと、絶縁層２１０ｃ上の絶縁層２１０ａと、絶縁層２１０ａ上の絶縁層２１０ｂとの積層構造を有する。絶縁層２１０ｃは、基板１５１の上面、導電層２２２ａの上面及び側面と接する領域を有する。

　絶縁層２１０ｃは、絶縁層２１０ａからガスが脱離することを抑制するブロッキング膜として機能する。絶縁層２１０ｃは、ガスを拡散しづらい材料を用いることが好ましい。絶縁層２１０ｃは、絶縁層２１０ａより膜密度が高い領域を有することが好ましい。絶縁層２１０ｃの膜密度を高くすることで、ブロッキング性を高めることができる。絶縁層２１０ｃは、例えば、絶縁層２１０ａより窒素の含有量が多い領域を有することが好ましい。絶縁層２１０ｃは、例えば、絶縁層２１０ａより窒素の含有量が多い材料を用いることができる。絶縁層２１０ｃの窒素の含有量を多くすることで、ブロッキング性を高めることができる。

　絶縁層２１０ｃは、絶縁層２１０ａからガスが脱離することを抑制するブロッキング膜として機能する膜厚であればよく、絶縁層２１０ｃの膜厚より薄い構成とすることができる。絶縁層２１０ｃの成膜速度は、絶縁層２１０ａの成膜速度より遅いことが好ましい。なお、絶縁層２１０ｃの成膜速度を遅くすることにより、絶縁層２１０ｃの膜密度が高くなり、ブロッキング性を高めることができる。同様に、絶縁層２１０ｃの成膜時の基板温度を高くすることで、絶縁層２１０ｃの膜密度が高くなり、ブロッキング性を高めることができる。

　絶縁層２１０ａと絶縁層２１０ｃに同じ材料を適用する場合であっても、膜密度が異なるため、断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像などにおいて、これらの境界をコントラストの違いとして観察することができる場合がある。ＴＥＭ観察において、膜密度が高いと透過電子（ＴＥ）像が濃く（暗く）、膜密度が低いと透過電子（ＴＥ）像が淡く（明るく）なる。したがって、透過電子（ＴＥ）像において、絶縁層２１０ａと比較して、絶縁層２１０ｃは濃い（暗い）像となる場合がある。

　絶縁層２１０ｃと比較して、絶縁層２１０ａは膜中の水素濃度が高い領域を有する場合がある。絶縁層２１０ａ及び絶縁層２１０ｃの水素濃度の違いは、例えば、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）で評価できる。

　絶縁層２１０ｃは、絶縁層２１０ｂに用いることができる材料を用いることができる。絶縁層２１０ｃは、絶縁層２１０ｂと同じ材料を用いてもよく、異なる材料を用いてもよい。

　半導体層２３１に酸化物半導体を用いる場合を例に挙げて、絶縁層２１０ｃについて具体的に説明する。

　絶縁層２１０ｃは、酸素を透過しづらいことが好ましい。絶縁層２１０ｃは、絶縁層２１０ａから酸素が脱離することを抑制するブロッキング膜として機能する。

　絶縁層２１０ａに含まれる酸素によって、導電層２２２ａが酸化され、抵抗が高くなってしまう場合がある。また、絶縁層２１０ａに含まれる酸素によって導電層２２２ａが酸化されることにより、絶縁層２１０ａから半導体層２３１に供給される酸素の量が少なくなってしまう場合がある。絶縁層２１０ａと導電層２２２ａとの間に絶縁層２１０ｃを設けることにより、導電層２２２ａが酸化され、抵抗が高くなることを抑制できる。それとともに、絶縁層２１０ａから半導体層２３１へ供給される酸素の量が増え、半導体層２３１中の酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨを低減することができ、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　絶縁層２１０ｃは、不純物を透過しづらいことが好ましい。絶縁層２１０ｃは、基板１５１側から絶縁層２１０を介して半導体層２３１へ不純物が拡散することを抑制するブロッキング膜として機能する。当該不純物として、水、水素、及びナトリウムが挙げられる。

　絶縁層２１０ｃは、酸素及び水素のブロッキング膜として機能する膜厚であることが好ましい。絶縁層２１０ｃの膜厚が薄いと、ブロッキング膜としての機能が低くなってしまう場合がある。一方、絶縁層２１０ｃの膜厚が厚いと、絶縁層２１０ａと接する半導体層２３１の領域が狭くなり、絶縁層２１０ａから半導体層２３１へ供給される酸素の量が少なくなってしまう場合がある。絶縁層２１０ｃの膜厚は、絶縁層２１０ａの膜厚より薄くてもよい。絶縁層２１０ｃの膜厚は、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上７０ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上７０ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましく、さらには２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましく、さらには２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下が好ましい。絶縁層２１０ｃの膜厚を前述の範囲とすることで、半導体層２３１中、特にチャネル形成領域の酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨを低減することができ、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　絶縁層２１０ｃは、自身からの不純物（例えば、水及び水素）の放出が少ないことが好ましい。絶縁層２１０ｃからの不純物の放出を少なくすることにより、不純物が半導体層２３１に拡散することが抑制され、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　なお、半導体層２３１に金属酸化物を用い、絶縁層２１０ｃが水素を含む場合、絶縁層２１０ｃと接する領域の半導体層２３１に水素が拡散し、半導体層２３１中に酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨが増加しうる。これにより、半導体層２３１の絶縁層２１０ｃと接する領域がソース領域またはドレイン領域として機能する場合がある。同様に、半導体層２３１の絶縁層２１０ｂと接する領域がソース領域またはドレイン領域として機能する場合がある。絶縁層２１０ａと接する領域がチャネル形成領域として機能する場合がある。

　半導体層２３１の絶縁層２１０ｂと接する領域及び絶縁層２１０ｃと接する領域がソース領域及びレイン領域として機能する場合、トランジスタ２００のチャネル長Ｌ２００は、断面視における絶縁層２１０ａの開口１４１側の側面の長さに相当する（図７Ｂ参照）。

　なお、絶縁層２１０ｃから、半導体層２３１の絶縁層２１０ａと接する領域にも水素が拡散する場合がある。しかし、絶縁層２１０ａから半導体層２３１へ酸素が供給されることにより、半導体層２３１の絶縁層２１０ａと接する領域に酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨが増加することが抑制される。したがって、少なくとも半導体層２３１の絶縁層２１０ａと接する領域はチャネル形成領域として機能することができ、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　なお、ここで示した絶縁層２１０の構成は他の構成例にも適用できる。

［トランジスタの構成例３］
　本発明の一態様である表示装置に適用できるトランジスタ２００Ｂの上面図は、図３Ａを参照できる。図３Ａに示す一点鎖線Ａ１−Ａ２における切断面の断面図を図９Ａに示し、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２における切断面の断面図を図９Ｂに示す。トランジスタ２００Ｂの斜視図は、図４を参照できる。

　トランジスタ２００Ｂは、絶縁層２１０ａが積層構造を有する点で、前述のトランジスタ２００と主に異なる。

　絶縁層２１０ａは、絶縁層２１０ａ＿１と、絶縁層２１０ａ＿１上の絶縁層２１０ａ＿２との積層構造を有する。絶縁層２１０ａ＿１及び絶縁層２１０ａ＿２はそれぞれ、絶縁層２１０ａに用いることができる材料を用いることができる。絶縁層２１０ａ＿１と絶縁層２１０ａ＿２で同じ材料を用いてもよく、異なる材料を用いてもよい。また、絶縁層２１０ａ＿１と絶縁層２１０ａ＿２で膜厚が異なってもよい。

　絶縁層２１０ａの膜厚を厚くすると、絶縁層２１０ａの応力が大きくなり、基板の反りが発生する場合がある。絶縁層２１０ａを複数回に分けて形成することにより、応力に起因する工程中の問題の発生を抑制できる場合がある。

　図９Ａ及び図９Ｂでは絶縁層２１０ａが２層の積層構造を有する構成を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。絶縁層２１０ａは３層以上の積層構造を有してもよい。

　なお、断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像などにおいて、絶縁層２１０ａを構成する各層（例えば、絶縁層２１０ａ＿１及び絶縁層２１０ａ＿２）の境界が不明瞭となる場合がある。

　なお、ここで示した絶縁層２１０の構成は他の構成例にも適用できる。

［トランジスタの構成例４］
　本発明の一態様である表示装置に適用できるトランジスタ２００Ｃの上面図を、図１０Ａに示す。図１０Ａに示す一点鎖線Ａ１−Ａ２における切断面の断面図を図１０Ｂに示し、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２における切断面の断面図を図１０Ｃに示す。トランジスタ２００Ｃの斜視図は、図４を参照できる。

　トランジスタ２００Ｃは、導電層２２２ｂの開口１４３側の端部が、絶縁層２１０の開口１４１側の端部より外側に位置する点で、前述のトランジスタ２００と主に異なる。

　導電層２２２ｂの開口１４３側の端部は、絶縁層２１０上に位置する。上面視において、開口１４３は開口１４１を包含するともいえる。

　半導体層２３１は、導電層２２２ｂの上面及び側面、絶縁層２１０の上面及び側面、並びに導電層２２２ａの上面と接する領域を有する。半導体層２３１は、導電層２２２ｂの上面及び側面、絶縁層２１０の上面及び側面、並びに導電層２２２ａの上面の形状に沿った形状を有する。

　導電層２２２ｂの開口１４３側の端部が、絶縁層２１０の開口１４１側の端部より外側に位置する構成とすることにより、導電層２２２ａ、導電層２２２ｂ及び絶縁層２１０上に形成される層（例えば、半導体層２３１）の被形成面の段差が小さくなる。したがって、導電層２２２ａ、導電層２２２ｂ及び絶縁層２１０上に形成される層の被覆性を高めることができ、当該層に段切れまたは鬆といった不具合が発生することを抑制できる。

　ここで、トランジスタ２００Ｃのチャネル長及びチャネル幅について、図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１２を用いて説明する。図１１Ａは、トランジスタ２００Ｃの上面図である。図１１Ｂ及び図１２は、図１０Ｂの拡大図である。

　図１１Ｂは、トランジスタ２００Ｃのチャネル長Ｌ２００を破線の両矢印で示している。図１１Ａ及び図１１Ｂは、開口１４１の幅Ｄ１４１を点線の両矢印で示し、開口１４３の幅Ｄ１４３を二点鎖線の両矢印で示している。幅Ｄ１４１は、上面視において、開口１４１に外接する最小の矩形の短辺を指す。

　ここで、トランジスタ２００Ｃのチャネル長Ｌ２００は、開口１４３側の導電層２２２ｂの端部と開口１４１側の絶縁層２１０の端部の間の距離と、絶縁層２１０の開口１４１側の側面の長さの和に相当する。つまり、チャネル長Ｌ２００は、開口１４１の幅Ｄ１４１、開口１４３の幅Ｄ１４３、絶縁層２１０の膜厚Ｔ２１０及び角θ２１０で調整することができる。

　チャネル長Ｌ２００は、前述の範囲とすることが好ましい。幅Ｄ１４３は、前述の範囲とすることが好ましい。幅Ｄ１４１は、幅Ｄ１４３より小さいことが好ましい。さらに、幅Ｄ１４１は、例えば、０．２μｍ以上５μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上４．５μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上４μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上３．５μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上３μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上２．５μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上２μｍ未満が好ましく、さらには０．２μｍ以上１．５μｍ未満が好ましく、さらには０．３μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、さらには０．３μｍ以上１．２μｍ以下が好ましく、さらには０．４μｍ以上１．２μｍ以下が好ましく、さらには０．４μｍ以上１μｍ以下が好ましく、さらには０．５μｍ以上１μｍ以下が好ましい。

　図１１Ａ及び図１２は、トランジスタ２００Ｃのチャネル幅Ｗ２００を実線の両矢印で示している。チャネル幅Ｗ２００は、上面視において、開口１４３側の導電層２２２ｂの端部の長さとなる。例えば、開口１４３の上面形状が円形の場合、幅Ｄ１４３は開口１４３の直径に相当し、チャネル幅Ｗ２００は“Ｄ１４３×π”と算出することができる。

　なお、半導体層２３１に金属酸化物を用い、絶縁層２１０ｂが水素を含む場合、半導体層２３１の絶縁層２１０ｂと接する領域がソース領域またはドレイン領域の一方として機能し、絶縁層２１０ａと接する領域がチャネル形成領域として機能する場合がある。つまり、半導体層２３１は、導電層２２２ｂと接する領域及び絶縁層２１０ｂと接する領域が、ソース領域及びドレイン領域の一方として機能する場合がある。

　半導体層２３１の絶縁層２１０ｂと接する領域がソース領域またはドレイン領域として機能する場合のチャネル長及びチャネル幅は、図７Ａ及び図７Ｂに係る記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　なお、ここで示した開口１４１及び開口１４３の構成は他の構成例にも適用できる。

［トランジスタの構成例５］
　本発明の一態様である表示装置に適用できるトランジスタ２００Ｄの上面図を、図１３Ａに示す。図１３Ａに示す一点鎖線Ａ１−Ａ２における切断面の断面図を図１３Ｂに示し、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２における切断面の断面図を図１３Ｃに示す。トランジスタ２００Ｄの斜視図は、図４を参照できる。

　トランジスタ２００Ｄは、半導体層２３１が、導電層２２２ｂの開口１４３に面しない側の側面と接する領域を有する点で、前述のトランジスタ２００と主に異なる。

　半導体層２３１の端部の一部は、絶縁層２１０上に位置する。半導体層２３１の端部の一部は、絶縁層２１０の上面に接するともいえる。

　なお、ここで示した半導体層２３１の構成は他の構成例にも適用できる。

　以上が、本発明の一態様である表示装置に適用できるトランジスタについての説明である。

　図２に示すように、トランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂ上に設けられる絶縁層２１８は、トランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂの保護層として機能する。絶縁層２１８は、不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。絶縁層２１８は、不純物が外部からトランジスタに拡散することを抑制するブロッキング膜として機能する。不純物として、例えば、水及び水素が挙げられる。絶縁層２１８を設けることにより、表示装置の信頼性を高めることができる。

　絶縁層２１８は、無機材料を有する絶縁層、または有機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層２１８は、例えば、酸化物、酸化窒化物、窒化酸化物または窒化物の無機材料を好適に用いることができる。より具体的には、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、及びハフニウムアルミネートの一または複数を用いることができる。例えば、窒化酸化シリコンは自身からの不純物（例えば、水及び水素）の放出が少なく、また、トランジスタより上側からトランジスタへ不純物が拡散することを抑制するブロッキング膜として機能することができるため、絶縁層２１８として好適に用いることができる。有機材料として、例えば、アクリル樹脂、及びポリイミド樹脂の一または複数を用いることができる。有機材料は感光性の材料を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。絶縁層２１８は、無機材料を有する絶縁層と、有機材料を有する絶縁層との積層構造としてもよい。

　絶縁層２３５は、トランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂに起因する凹凸を小さくし、層１０１の上面をより平坦にする機能を有する。なお、本明細書等において、絶縁層２３５を平坦化層と記す場合がある。

　絶縁層２３５は、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。有機材料として、感光性の有機樹脂を用いることが好ましく、例えば、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いることが好ましい。なお、本明細書などにおいて、アクリル樹脂とは、ポリメタクリル酸エステル、またはメタクリル樹脂だけを指すものではなく、広義のアクリル系ポリマー全体を指す場合がある。

　絶縁層２３５は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を用いてもよい。また、絶縁層２３５は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いてもよい。また、感光性の樹脂としてフォトレジストを用いてもよい。感光性の有機樹脂として、ポジ型の材料及びネガ型の材料のどちらを用いてもよい。

　絶縁層２３５を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。例えば、絶縁層２３５を、有機絶縁層と、当該有機絶縁層上の無機絶縁層との積層構造とすることができる。絶縁層２３５の最表面に無機絶縁層を設けることにより、エッチング保護層として機能させることができる。これにより、画素電極１１１の形成時、及び層１１３の形成時に絶縁層２３５の一部がエッチングされ、絶縁層２３５の平坦性が低くなってしまうことを抑制できる。

　発光デバイス１３０の被形成面である絶縁層２３５の上面の平坦性が低い場合、例えば、共通電極１１５の段切れによる接続不良、または共通電極１１５の膜厚が局所的に薄くなり、電気抵抗が上昇する場合がある。また、絶縁層２３５の上面の平坦性が低い場合、絶縁層２３５上に形成される層の加工精度が低くなる場合がある。絶縁層２３５の上面を平坦にすることにより、絶縁層２３５上に設けられる発光デバイス１３０等の加工精度が高まり、精細度の高い表示装置とすることができる。また、共通電極１１５の段切れによる接続不良、及び共通電極１１５の膜厚が局所的に薄くなり、電気抵抗が上昇することを防止でき、表示品質の高い表示装置とすることができる。

　なお、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂを形成する際に絶縁層２３５の一部が除去される場合がある。図２は、絶縁層２３５が画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂのいずれとも重ならない領域に凹部を有する例を示している。

　図２に示す発光デバイス１３０Ｒ、トランジスタ２０５Ｒ及びその近傍の拡大図を、図１４Ａに示す。絶縁層２２５、及び絶縁層２１８は、トランジスタ２０５Ｒが有する導電層２２２ｂと重なる領域に開口１９１を有する。開口１９１において、導電層２２２ｂが露出する。絶縁層２３５は、開口１９１と重なる領域に開口１９３を有する。開口１９１及び開口１９３を覆うように、発光デバイス１３０Ｒが有する画素電極１１１Ｒが設けられる。画素電極１１１Ｒは、絶縁層２３５の上面及び側面、絶縁層２１８の側面、絶縁層２２５の側面、及び導電層２２２ｂの上面と接する領域を有する。つまり、発光デバイス１３０Ｒは、開口１９１及び開口１９３を介してトランジスタ２０５Ｒと電気的に接続される。同様に、発光デバイス１３０Ｇは、絶縁層２２５、絶縁層２１８及び絶縁層２３５に設けられる開口を介してトランジスタ２０５Ｇと電気的に接続される。発光デバイス１３０Ｂは、絶縁層２２５、絶縁層２１８及び絶縁層２３５に設けられる開口を介してトランジスタ２０５Ｂと電気的に接続される。

　図１４Ａは、開口１９１側の絶縁層２２５の端部の位置と絶縁層２１８の端部の位置が一致、または概略一致し、開口１９３側の絶縁層２３５の端部の位置と開口１９１側の絶縁層２１８の端部の位置が一致、または概略一致する例を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。開口１９１側の絶縁層２２５の端部の位置と絶縁層２１８の端部の位置が一致しなくてもよい。また、開口１９３側の絶縁層２３５の端部の位置と開口１９１側の絶縁層２１８の端部の位置が一致しなくてもよい。例えば、図１５に示すように、開口１９３側の絶縁層２３５の端部が、開口１９１側の絶縁層２１８の端部より内側に位置することが好ましい。つまり、開口１９３側の絶縁層２３５の端部が、絶縁層２１８の上面と接することが好ましい。開口１９３が開口１９１を包含するともいえる。このような構成とすることにより、画素電極１１１の被覆性を高めることができる。さらに、開口１９１側の絶縁層２２５の端部が、絶縁層２１８の端部より外側に位置してもよい。

　なお、ここでは画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ及び画素電極１１１Ｂがそれぞれ、導電層２２２ｂと電気的に接続される構成を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ及び画素電極１１１Ｂがそれぞれ、導電層２２２ａと電気的に接続される構成としてもよい。その場合、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ及び画素電極１１１Ｂは、絶縁層２１０、絶縁層２２５、絶縁層２１８、及び絶縁層２３５に設けられた開口を介して、導電層２２２ａと電気的に接続される構成とすることができる。

　画素電極１１１Ｒは、導電層１２４Ｒと、導電層１２４Ｒ上の導電層１２６Ｒと、導電層１２６Ｒ上の導電層１２９Ｒと、の積層構造を有する。同様に、発光デバイス１３０Ｇが有する画素電極１１１Ｇは、導電層１２４Ｇと、導電層１２４Ｇ上の導電層１２６Ｇと、導電層１２６Ｇ上の導電層１２９Ｇと、の積層構造を有する。発光デバイス１３０Ｂが有する画素電極１１１Ｂは、導電層１２４Ｂと、導電層１２４Ｂ上の導電層１２６Ｂと、導電層１２６Ｂ上の導電層１２９Ｂと、の積層構造を有する。

　導電層１２４Ｒは、開口１９１及び開口１９３を介してトランジスタ２０５Ｒが有する導電層２２２ｂと電気的に接続される。導電層１２４Ｒの端部は、導電層１２６Ｒの端部より外側に位置している。導電層１２６Ｒの端部は、導電層１２９Ｒの端部より内側に位置している。導電層１２４Ｒの端部は、導電層１２９Ｒの端部より外側に位置している。つまり、導電層１２６Ｒの端部は、導電層１２４Ｒ上に位置する。また、導電層１２９Ｒの端部は、導電層１２４Ｒ上に位置する。導電層１２６Ｒの上面及び側面は、導電層１２９Ｒで覆われる。

　導電層１２４Ｒは、可視光に対する透過性、及び反射性は特に限定されない。導電層１２４Ｒは、可視光に対して透過性を有する導電層、または可視光に対して反射性を有する導電層を用いることができる。可視光に対して透過性を有する導電層として、例えば、酸化物導電層を用いることができる。具体的には、導電層１２４Ｒとして、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）を好適に用いることができる。可視光に対して反射性を有する導電層として、例えば、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、銀、スズ、亜鉛、白金、金、モリブデン、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金（例えば、銀とパラジウムと銅の合金（ＡＰＣ：Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ））を用いることができる。導電層１２４Ｒは、可視光に対して透過性を有する導電層と、当該導電層上の反射性を有する導電層との積層構造としてもよい。導電層１２４Ｒは、導電層１２４Ｒの被形成面（ここでは、絶縁層２３５）との密着性が高い材料を適用することが好ましい。これにより、導電層１２４Ｒの膜剥がれを抑制することができる。

　導電層１２６Ｒは可視光に対して反射性を有する導電層を用いることができる。導電層１２６Ｒは、可視光に対して透過性を有する導電層と、当該導電層上の反射性を有する導電層との積層構造としてもよい。導電層１２６Ｒは、導電層１２４Ｒに用いることができる材料を用いることができる。具体的には、導電層１２６ＲとしてＩｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯ）と、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯ）上の銀とパラジウムと銅の合金（ＡＰＣ）の積層構造を好適に用いることができる。

　導電層１２９Ｒは、導電層１２４Ｒに用いることができる材料を用いることができる。導電層１２９Ｒは、例えば、可視光に対して透過性を有する導電層を用いることができる。具体的には、導電層１２９ＲとしてＩｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯ）を用いることができる。

　導電層１２６Ｒに酸化されやすい材料を用いる場合、導電層１２９Ｒに酸化されにくい材料を適用し、導電層１２９Ｒで導電層１２６Ｒを覆うことにより、導電層１２６Ｒが酸化されてしまうことを抑制できる。また、導電層１２６Ｒに含まれる金属成分が析出してしまうことを抑制できる。例えば、導電層１２６Ｒに銀を含む材料を適用する場合、導電層１２９ＲはＩｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯ）を好適に用いることができる。これにより、導電層１２６Ｒが酸化されることを抑制でき、銀の析出を抑制することができる。

　画素電極１１１Ｇにおける導電層１２４Ｇ、導電層１２６Ｇ、及び導電層１２９Ｇ、並びに画素電極１１１Ｂにおける導電層１２４Ｂ、導電層１２６Ｂ、及び導電層１２９Ｂについては、画素電極１１１Ｒにおける導電層１２４Ｒ、導電層１２６Ｒ、及び導電層１２９Ｒと同様であるため詳細な説明は省略する。

　本発明の一態様である表示装置に適用できる画素電極１１１の構成は、図２等に示す画素電極１１１の構成に限定されない。

　導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、及び導電層１２４Ｂには、絶縁層２３５に設けられた開口１９３を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれている。

　層１２８は、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、及び導電層１２４Ｂの凹部を平坦にする機能を有する。導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、導電層１２４Ｂ及び層１２８上には、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、及び導電層１２４Ｂと電気的に接続される導電層１２６Ｒ、導電層１２６Ｇ、及び導電層１２６Ｂが設けられている。したがって、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、及び導電層１２４Ｂの凹部と重なる領域も発光領域として機能し、画素の開口率を高めることができる。

　層１２８は、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、及び導電層１２４Ｂに形成される凹部を平坦にする機能を有する。層１２８を設けることにより、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ及び層１１３Ｂの被形成面である画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの上面の平坦性を向上させることができる。

　層１２８は絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。

　層１２８として、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。層１２８は、絶縁層２３５に用いることができる材料を用いることができる。有機材料として、感光性の有機樹脂を用いることが好ましく、例えば、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いることが好ましい。

　なお、層１２８を導電層とする場合、層１２８は画素電極の一部として機能することができる。層１２８は、例えば、金属粒子を分散させた有機樹脂を用いることができる。

　導電層１２４Ｒの側面、並びに導電層１２９Ｒの上面及び側面は、層１１３Ｒによって覆われている。同様に、導電層１２４Ｇの側面、並びに導電層１２９Ｇの上面及び側面は、層１１３Ｇによって覆われており、導電層１２４Ｂの側面、並びに導電層１２９Ｂの上面及び側面は、層１１３Ｂによって覆われている。したがって、導電層１２６Ｒ、導電層１２６Ｇ、及び導電層１２６Ｂが設けられている領域全体を、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂの発光領域として用いることができるため、画素の開口率を高めることができる。

　画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂのそれぞれの端部はテーパ形状を有することが好ましい。具体的には、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂのそれぞれの端部はテーパ角９０度未満のテーパ形状を有することが好ましい。画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの側面をテーパ形状とすることで、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの上面及び側面に沿って設けられるＥＬ層の被覆性を高めることができる。

　なお、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂを形成する際に絶縁層２３５の一部が除去される場合がある。絶縁層２３５は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂのいずれとも重ならない領域に凹部を有してもよい。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂを形成する際に絶縁層２３５の一部が除去される場合がある。図２及び図１４Ａは、絶縁層２３５は、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのいずれとも重ならない領域に凹部を有する例を示している。

　画素電極１１１Ｒと層１１３Ｒとの間には、画素電極１１１Ｒの上面端部を覆う絶縁層（土手、バンク、スペーサともいう）が設けられていない。同様に、画素電極１１１Ｇと層１１３Ｇとの間には、画素電極１１１Ｇの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。画素電極１１１Ｂと層１１３Ｂとの間には、画素電極１１１Ｂの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。そのため、隣り合う発光デバイスの間隔を小さくすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示装置とすることができる。また、当該絶縁層を形成するためのマスクも不要となり、表示装置の製造コストを削減することができる。

　画素電極とＥＬ層との間に、画素電極の端部を覆う絶縁層を設けない構成、別言すると、画素電極とＥＬ層との間に絶縁層が設けられない構成とすることで、ＥＬ層からの発光を効率よく取り出すことができる。したがって、本発明の一態様の表示装置は、視野角依存性を小さくすることができる。視野角依存性を小さくすることで、表示装置における画像の視認性を高めることができる。

　本実施の形態の発光デバイスには、シングル構造（発光ユニットを１つだけ有する構造）を適用してもよく、タンデム構造（発光ユニットを複数有する構造）を適用してもよい。発光ユニットは、少なくとも１層の発光層を有する。

　発光デバイス１３０Ｒは、赤色（Ｒ）の光を発し、発光デバイス１３０Ｇは、緑色（Ｇ）の光を発し、発光デバイス１３０Ｂは、青色（Ｂ）の光を発する。層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂは、少なくとも発光層を有する。層１１３Ｒは、赤色の光を発する発光層を有し、層１１３Ｇは、緑色の光を発する発光層を有し、層１１３Ｂは、青色の光を発する発光層を有する。言い換えると、層１１３Ｒは、赤色の光を発する発光材料を有し、層１１３Ｇは、緑色の光を発する発光材料を有し、層１１３Ｂは、青色の光を発する発光材料を有する。

　タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、層１１３Ｒは、赤色の光を発する発光ユニットを複数有する構造であり、層１１３Ｇは、緑色の光を発する発光ユニットを複数有する構造であり、層１１３Ｂは、青色の光を発する発光ユニットを複数有する構造であると好ましい。各発光ユニットの間には、電荷発生層を設けることが好ましい。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。

　例えば、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層をこの順で有してもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有してもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有してもよい。また、電子輸送層上に電子注入層を有してもよい。

　例えば、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂは、それぞれ、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層をこの順で有してもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有してもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有してもよい。また、正孔輸送層上に正孔注入層を有してもよい。

　このように、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂは、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。または、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂは、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリアブロック層（正孔ブロック層または電子ブロック層）と、を有することが好ましい。または、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂは、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリアブロック層と、キャリアブロック層上のキャリア輸送層と、を有することが好ましい。層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂの表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方または双方を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂに含まれる化合物の耐熱温度は、それぞれ、１００℃以上１８０℃以下であることが好ましく、１２０℃以上１８０℃以下が好ましく、１４０℃以上１８０℃以下がより好ましい。例えば、これらの化合物のガラス転移点（Ｔｇ）は、それぞれ、１００℃以上１８０℃以下であることが好ましく、１２０℃以上１８０℃以下が好ましく、１４０℃以上１８０℃以下がより好ましい。

　特に、発光層上に設けられる機能層の耐熱温度は高いことが好ましい。また、発光層上に接して設けられる機能層の耐熱温度は高いことがより好ましい。当該機能層の耐熱性が高いことで、発光層を効果的に保護することが可能となり、発光層が受けるダメージを低減することができる。

　発光層の耐熱温度は高いことが好ましい。これにより、加熱により発光層がダメージを受けて発光効率が低下すること、及び、寿命が短くなることを抑制できる。

　発光層は、発光物質（発光材料、発光性の有機化合物、ゲスト材料ともいう）と、ホスト材料と、を有する。発光層の構成として、発光物質に比べて、ホスト材料が多く含まれるため、当該ホスト材料のＴｇを発光層の耐熱温度の指標に用いることができる。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂは、例えば、第１の発光ユニットと、第１の発光ユニット上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光ユニットと、を有してもよい。

　第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。または、第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリアブロック層（正孔ブロック層または電子ブロック層）と、を有することが好ましい。または、第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリアブロック層と、キャリアブロック層上のキャリア輸送層と、を有することが好ましい。第２の発光ユニットの表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方または双方を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。なお、発光ユニットを３つ以上有する場合は、最も上層に設けられる発光ユニットにおいて、発光層と、発光層上のキャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方または双方と、を有することが好ましい。

　共通層１１４は、例えば電子注入層、または正孔注入層を有する。または、共通層１１４は、電子輸送層と電子注入層とを積層して有していてもよく、正孔輸送層と正孔注入層とを積層して有してもよい。共通層１１４は、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂで共有されている。

　隣り合う発光デバイス１３０の間の領域には、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。図２では、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の断面が複数示されているが、表示装置１００を上面から見た場合、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、それぞれ１つに繋がっている。つまり、表示装置１００は、例えば絶縁層１２５及び絶縁層１２７を１つずつ有する構成とすることができる。なお、表示装置１００は、互いに分離された複数の絶縁層１２５を有してもよく、また互いに分離された複数の絶縁層１２７を有してもよい。

　図２等では、画素電極１１１Ｒの端部よりも層１１３Ｒの端部が外側に位置する例を示している。層１１３Ｒは、画素電極１１１Ｒの端部を覆うように形成される。このような構成とすることで、画素電極の上面全体を発光領域とすることも可能となり、島状のＥＬ層の端部が画素電極の端部よりも内側に位置する構成に比べて、開口率を高めることができる。なお、画素電極１１１Ｒと層１１３Ｒを例に挙げて説明するが、画素電極１１１Ｇと層１１３Ｇ、及び、画素電極１１１Ｂと層１１３Ｂにおいても同様のことがいえる。

　画素電極１１１の側面をＥＬ層で覆うことにより、画素電極１１１と共通電極１１５とが接することを抑制できるため、発光デバイス１３０のショートを抑制することができる。また、ＥＬ層の発光領域（すなわち、画素電極１１１と重なる領域）と、ＥＬ層の端部との距離を大きくすることができる。ＥＬ層の端部は、加工によりダメージを受けている可能性があるため、ＥＬ層の端部から離れた領域を発光領域として用いることで、発光デバイス１３０の信頼性を高められる場合がある。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂはそれぞれ、発光領域である第１の領域と、第１の領域の外側の第２の領域と、を有することが好ましい。第１の領域は画素電極と共通電極との間に位置する。第１の領域は、層１１３Ｒにおいて、画素電極１１１Ｒと接し、かつ共通層１１４を介して共通電極１１５と重なる部分である。第１の領域は、表示装置の作製工程中にマスク層に覆われ、受けるダメージが低減されている。したがって、発光効率が高く、長寿命の発光デバイスを実現することができる。一方、第２の領域は、ＥＬ層の端部とその近傍を含み、表示装置の作製工程中に、プラズマに曝されるなどによって、ダメージを受けている可能性がある部分を含む。第２の領域を発光領域として用いないことで、発光デバイスの特性のばらつきを抑制することができる。第２の領域はダミー領域ということができる。

　層１１３Ｒの上面図を、図１４Ｂに示す。図１４Ａ及び図１４Ｂは、層１１３Ｒにおける発光領域である第１の領域１１３＿１の幅Ｌ１を両矢印で示している。層１１３Ｒにおけるダミー領域である第２の領域１１３＿２の幅Ｌ２及び幅Ｌ３をそれぞれ矢印で示している。図１４Ｂに示すように、第１の領域１１３＿１を囲うように第２の領域１１３＿２が設けられるため、表示装置の断面図において、第２の領域１１３＿２は第１の領域１１３＿１を挟んだ２箇所で確認することができる。幅Ｌ１乃至幅Ｌ３は、例えば、断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像で確認することができる。

　第２の領域１１３＿２は、層１１３Ｒにおいて、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１９Ｒ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７の少なくとも一つが重なる部分である。

　第２の領域１１３＿２の幅Ｌ２及び幅Ｌ３はそれぞれ、１ｎｍ以上が好ましく、さらには５ｎｍ以上が好ましく、さらには５０ｎｍ以上が好ましく、さらには１００ｎｍ以上が好ましい。ダミー領域である第２の領域１１３＿２の幅が広いほど、発光領域の品質を均一にでき、発光デバイスの特性のばらつきを抑制でき、好ましい。

　一方で、第２の領域１１３＿２の幅が狭いほど、発光領域が広くなり、画素の開口率を高めることができる。したがって、第２の領域１１３＿２の幅Ｌ２及び幅Ｌ３はそれぞれ、第１の領域１１３＿１の幅Ｌ１の５０％以下が好ましく、さらには４０％以下が好ましく、さらには３０％以下が好ましく、さらには２０％以下が好ましく、さらには１０％以下が好ましい。例えば、ウェアラブル機器向け表示装置のような小型かつ高精細な表示装置においては、第２の領域１１３＿２の幅Ｌ２及び幅Ｌ３はそれぞれ、５００ｎｍ以下が好ましく、さらには３００ｎｍ以下が好ましく、さらには２００ｎｍ以下が好ましく、さらには１５０ｎｍ以下が好ましい。

　なお、島状のＥＬ層において、第１の領域（発光領域）は、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光が得られる領域である。また、島状のＥＬ層において、第１の領域（発光領域）及び第２の領域（ダミー領域）ともに、ＰＬ（Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光が得られる領域である。これらのことから、ＥＬ発光及びＰＬ発光を確認することで、第１の領域と第２の領域を区別できるといえる。

　図２に示すように、発光デバイス１３０Ｒが有する層１１３Ｒ上に、マスク層１１８Ｒ及びマスク層１１９Ｒが位置し、発光デバイス１３０Ｇが有する層１１３Ｇ上に、マスク層１１８Ｇ及びマスク層１１９Ｇが位置し、発光デバイス１３０Ｂが有する層１１３Ｂ上に、マスク層１１８Ｂ及びマスク層１１９Ｂが位置する。マスク層１１８及びマスク層１１９は、第１の領域１１３＿１（発光領域）を囲むように設けられる。言い換えると、マスク層は、発光領域と重なる部分に開口を有する。マスク層の上面形状は、図１４Ｂに示す第２の領域１１３＿２と一致、概略一致、または類似する。マスク層１１８Ｒ及びマスク層１１９Ｒは、層１１３Ｒを形成する際に層１１３Ｒ上に設けたマスク層の一部が残存しているものである。同様に、マスク層１１８Ｇ及びマスク層１１９Ｇは層１１３Ｇを形成する際、マスク層１１８Ｂ及びマスク層１１９Ｂは層１１３Ｂを形成する際に、それぞれ設けたマスク層の一部が残存しているものである。このように、本発明の一態様の表示装置は、その作製時にＥＬ層を保護するために用いるマスク層が一部残存していてもよい。

　マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂのいずれか２つ、または全てに同じ材料を用いてもよく、互いに異なる材料を用いてもよい。同様に、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂのいずれか２つ、または全てに同じ材料を用いてもよく、互いに異なる材料を用いてもよい。なお、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂをまとめて、マスク層１１８と呼ぶ場合がある。マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂをまとめて、マスク層１１９と呼ぶ場合がある。

　図２に示すように、マスク層１１８Ｒの一方の端部、及びマスク層１１９Ｒの一方の端部（発光領域側とは反対側の端部、外側の端部）は、層１１３Ｒの端部と揃っている、または概略揃っており、マスク層１１８Ｒの他方の端部及びマスク層１１９Ｒの他方の端部（発光領域側の端部、内側の端部）は、層１１３Ｒ上に位置する。ここで、マスク層１１８Ｒの他方の端部、及びマスク層１１９Ｒの他方の端部は、層１１３Ｒ及び画素電極１１１Ｒと重なることが好ましい。この場合、マスク層１１８Ｒの他方の端部、及びマスク層１１９Ｒの他方の端部が層１１３Ｒの概略平坦な面に形成されやすくなる。なお、マスク層１１８Ｇ、マスク層１１９Ｇ、マスク層１１８Ｂ及びマスク層１１９Ｂについても同様である。また、マスク層１１８及びマスク層１１９は、例えば、島状に加工されたＥＬ層（層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、または層１１３Ｂ）の上面と、絶縁層１２５との間に残存する。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのそれぞれの側面は、絶縁層１２５によって覆われている。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのそれぞれの側面と重なる。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのそれぞれの上面の一部は、マスク層１１８によって覆われている。マスク層１１８上に、マスク層１１９が設けられる。絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、マスク層１１８及びマスク層１１９を介して、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのそれぞれの上面の一部と重なる。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂの上面の一部及び側面が、絶縁層１２５、絶縁層１２７、マスク層１１８及びマスク層１１９の少なくとも一つによって覆われていることにより、共通層１１４（または共通電極１１５）が、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂの側面と接することを抑制し、発光デバイスのショートを抑制することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　なお、図２では、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂを全て同じ膜厚で示すが、本発明はこれに限られない。層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのそれぞれの膜厚は異なっていてもよい。例えば、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂそれぞれの発する光が強まる光路長になるように、膜厚を設定することが好ましい。これにより、マイクロキャビティ構造を実現し、それぞれの発光デバイス１３０から射出される光の色純度を高めることができる。

　絶縁層１２５は、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのそれぞれの側面と接することが好ましい。絶縁層１２５が層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂと接する構成とすることで、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂの膜剥がれを防止することができる。絶縁層と層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、または層１１３Ｒとが密着することで、隣り合う層１１３が絶縁層１２５によって固定される、または、接着される効果を奏する。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、発光デバイスの作製歩留まりを高めることができる。

　図２に示すように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７が、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂの上面の一部及び側面の双方を覆うことで、ＥＬ層の膜剥がれをより防ぐことができ、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、発光デバイスの作製歩留まりをより高めることができる。

　図２では、画素電極１１１Ｒの端部上に、層１１３Ｒ、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１９Ｒ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７の積層構造が設けられる例を示す。同様に、画素電極１１１Ｇの端部上に、層１１３Ｇ、マスク層１１８Ｇ、マスク層１１９Ｇ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７の積層構造が設けられ、画素電極１１１Ｂの端部上に、層１１３Ｂ、マスク層１１８Ｂ、マスク層１１９Ｂ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７の積層構造が設けられる。

　図２では、画素電極１１１Ｒの端部を層１１３Ｒが覆っており、絶縁層１２５が層１１３Ｒの側面と接する構成を示す。同様に、画素電極１１１Ｇの端部は層１１３Ｇで覆われており、画素電極１１１Ｂの端部は層１１３Ｂで覆われており、絶縁層１２５が層１１３Ｇの側面及び層１１３Ｂの側面と接している。

　絶縁層１２７は、絶縁層１２５に形成された凹部を充填するように、絶縁層１２５上に設けられる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのそれぞれの上面の一部及び側面と重なる構成とすることができる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５の側面の少なくとも一部を覆うことが好ましい。

　絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設けることで、隣り合う島状の層の間を埋めることができるため、島状の層上に設ける層（例えばキャリア注入層、及び共通電極など）の被形成面の高低差の大きな凹凸を低減し、より平坦にすることができる。したがって、キャリア注入層及び共通電極などの被覆性を高めることができる。

　共通層１１４及び共通電極１１５は、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、層１１３Ｂ、マスク層１１８、マスク層１１９、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上に設けられる。絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設ける前の段階では、画素電極及び島状のＥＬ層が設けられる領域と、画素電極及び島状のＥＬ層が設けられない領域（発光デバイス間の領域）と、に起因する段差が生じている。本発明の一態様の表示装置は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を有することで当該段差を小さくすることができ、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を向上させることができる。したがって、共通層１１４及び共通電極１１５の段切れによる接続不良を抑制することができる。また、段差によって共通電極１１５の膜厚が局所的に薄くなり、電気抵抗が上昇することを抑制することができる。

　絶縁層１２７の上面はより平坦性の高い形状を有することが好ましいが、凸部、凸曲面、凹曲面、または凹部を有してもよい。例えば、絶縁層１２７の上面は、平坦性の高い、滑らかな凸曲面形状を有することが好ましい。

　次に、絶縁層１２５及び絶縁層１２７に用いることができる材料の例について、説明する。

　絶縁層１２５は、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化物、窒化物、酸化窒化物、及び窒化酸化物の一以上を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化物として、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、インジウムガリウム亜鉛酸化物、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、及び酸化タンタル等が挙げられる。窒化物として、窒化シリコン及び窒化アルミニウム等が挙げられる。酸化窒化物として、酸化窒化シリコン、及び酸化窒化アルミニウム等が挙げられる。窒化酸化物として、窒化酸化シリコン、及び窒化酸化アルミニウム等が挙げられる。特に、酸化アルミニウムは、エッチングにおいて、ＥＬ層との選択比が高く、後述する絶縁層１２７の形成において、ＥＬ層を保護する機能を有するため、好ましい。特に原子層堆積（ＡＬＤ）法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、または酸化シリコン等を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５とすることができる。また、絶縁層１２５は、ＡＬＤ法により形成した膜と、スパッタリング法により形成した膜と、の積層構造としてもよい。絶縁層１２５は、例えば、ＡＬＤ法によって形成された酸化アルミニウムと、スパッタリング法によって形成された窒化シリコンと、の積層構造であってもよい。

　絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア絶縁層としての機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方を捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能を有することが好ましい。

　なお、本明細書等において、バリア絶縁層とは、バリア性を有する絶縁層のことを示す。また、本明細書等において、バリア性とは、対応する物質の拡散を抑制する機能（透過性が低いともいう）とする。または、対応する物質を、捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能とする。

　絶縁層１２５が、バリア絶縁層としての機能、またはゲッタリング機能を有することで、外部から各発光デバイスに拡散しうる不純物（代表的には、水及び酸素の少なくとも一方）の侵入を抑制することが可能な構成となる。当該構成とすることで、信頼性の高い発光デバイス、さらには、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

　絶縁層１２５は、不純物濃度が低いことが好ましい。これにより、絶縁層１２５からＥＬ層に不純物が混入し、ＥＬ層が劣化することを抑制することができる。また、絶縁層１２５において、不純物濃度を低くすることで、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性を高めることができる。例えば、絶縁層１２５は、水素濃度及び炭素濃度の一方、好ましくは双方が十分に低いことが望ましい。

　なお、絶縁層１２５とマスク層１１８Ｂ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｒには同じ材料を用いることができる。この場合、マスク層１１８Ｂ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｒのいずれかと、絶縁層１２５との境界が不明瞭となり区別できない場合がある。

　絶縁層１２５上に設けられる絶縁層１２７は、隣接する発光デバイス間に形成された絶縁層１２５の高低差の大きな凹凸を平坦にする機能を有する。換言すると、絶縁層１２７を有することで共通電極１１５を形成する面の平坦性を向上させる効果を奏する。

　絶縁層１２７として、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。有機材料として、感光性の有機樹脂を用いることが好ましく、例えば、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いることが好ましい。なお、本明細書などにおいて、アクリル樹脂とは、ポリメタクリル酸エステル、またはメタクリル樹脂だけを指すものではなく、広義のアクリル系ポリマー全体を指す場合がある。

　絶縁層１２７として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を用いてもよい。また、絶縁層１２７として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いてもよい。また、感光性の樹脂としてフォトレジストを用いてもよい。感光性の有機樹脂として、ポジ型の材料及びネガ型の材料のどちらを用いてもよい。

　絶縁層１２７には可視光を吸収する材料を用いてもよい。絶縁層１２７が発光デバイスからの発光を吸収することで、発光デバイスから絶縁層１２７を介して隣接する発光デバイスに光が漏れること（迷光）を抑制することができる。これにより、表示装置の表示品位を高めることができる。また、表示装置に偏光板を用いなくても、表示品位を高めることができるため、表示装置の軽量化及び薄型化を図ることができる。

　可視光を吸収する材料として、黒色などの顔料を含む材料、染料を含む材料、光吸収性を有する樹脂材料（例えばポリイミドなど）、及び、カラーフィルタに用いることのできる樹脂材料（カラーフィルタ材料）が挙げられる。特に、２色、または３色以上のカラーフィルタ材料を積層または混合した樹脂材料を用いると、可視光の遮蔽効果を高めることができるため好ましい。特に３色以上のカラーフィルタ材料を混合させることで、黒色または黒色近傍の樹脂層とすることが可能となる。

　次に、絶縁層１２７とその近傍の構造について、説明する。発光デバイス１３０Ｒと発光デバイス１３０Ｇの間の絶縁層１２７とその周辺を含む領域の断面拡大図を、図１６Ａに示す。以下では、発光デバイス１３０Ｒと発光デバイス１３０Ｇの間の絶縁層１２７を例に挙げて説明するが、発光デバイス１３０Ｇと発光デバイス１３０Ｂの間の絶縁層１２７、及び発光デバイス１３０Ｂと発光デバイス１３０Ｒの間の絶縁層１２７などについても同様のことがいえる。

　図１６Ａに示すように、画素電極１１１Ｒを覆って層１１３Ｒが設けられ、画素電極１１１Ｇを覆って層１１３Ｇが設けられる。層１１３Ｒの上面の一部に接してマスク層１１８Ｒが設けられ、層１１３Ｇの上面の一部に接してマスク層１１８Ｇが設けられる。マスク層１１８Ｒの側面、マスク層１１９Ｒの側面及び側面、層１１３Ｒの側面、絶縁層２３５の上面、マスク層１１８Ｇの側面、マスク層１１９Ｇの上面及び側面、並びに層１１３Ｇの側面に接して、絶縁層１２５が設けられる。また、絶縁層１２５は、層１１３Ｒの上面の一部及び層１１３Ｇの上面の一部を覆う。絶縁層１２５の上面に接して絶縁層１２７が設けられる。また、絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、層１１３Ｒの上面の一部及び側面、並びに、層１１３Ｇの上面の一部及び側面と重なり、絶縁層１２５の側面の少なくとも一部に接する。層１１３Ｒ、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１９Ｒ、層１１３Ｇ、マスク層１１８Ｇ、マスク層１１９Ｇ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７を覆って共通層１１４が設けられ、共通層１１４の上に共通電極１１５が設けられる。

　絶縁層１２７は、２つの島状のＥＬ層の間の領域（例えば、図１６Ａでは、層１１３Ｒと層１１３Ｇとの間の領域）に形成される。このとき、絶縁層１２７の少なくとも一部が、一方のＥＬ層（例えば、図１６Ａでは、層１１３Ｒ）の側面端部と、もう一方のＥＬ層（例えば、図１６Ａでは、層１１３Ｇ）の側面端部に挟まれる位置に配置されることになる。このような絶縁層１２７を設けることで、島状のＥＬ層及び絶縁層１２７上に形成される共通層１１４及び共通電極１１５に、分断箇所、及び局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを防ぐことができる。

　表示装置の断面視において、絶縁層１２７の端部はテーパ形状であることが好ましい。絶縁層１２７の側面と絶縁層１２７の被形成面とのなす角は９０度未満が好ましく、さらには６０度以下が好ましく、さらには４５度以下がより好ましく、さらには２０度以下が好ましい。絶縁層１２７の端部をこのようなテーパ形状にすることで、絶縁層１２７上に設けられる共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を高めることができ、共通層１１４及び共通電極１１５の段切れ、または局所的に膜厚が薄くなることを抑制できる。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５の膜厚の面内均一性を向上させることができ、表示装置の表示品位を向上させることができる。

　図１６Ａに示すように、表示装置の断面視において、絶縁層１２７の上面は凸曲面形状を有することが好ましい。絶縁層１２７の上面の凸曲面形状は、中心に向かってなだらかに膨らんだ形状であることが好ましい。また、絶縁層１２７上面の中央部の凸曲面部が、端部のテーパ部に連続的に接続される形状であることが好ましい。絶縁層１２７をこのような形状にすることで、絶縁層１２７上全体で、共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性高く成膜することができる。

　表示装置の断面視において、絶縁層１２５の端部はテーパ形状であることが好ましい。絶縁層１２５の側面と絶縁層１２５の被形成面とのなす角は９０度未満が好ましく、さらには６０度以下が好ましく、さらには４５度以下がより好ましく、さらには２０度以下が好ましい。

　表示装置の断面視において、マスク層１１８Ｒの端部はテーパ形状であることが好ましい。マスク層１１８Ｒの側面とマスク層１１８Ｒの被形成面とのなす角は９０度未満が好ましく、さらには６０度以下が好ましく、さらには４５度以下が好ましく、さらには２０度以下が好ましい。マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂも同様に端部がテーパ形状であることが好ましく、これらの側面と被形成面とのなす角は前述の範囲であることが好ましい。

　表示装置の断面視において、マスク層１１９Ｒの端部はテーパ形状であることが好ましい。マスク層１１９Ｒの側面とマスク層１１９Ｒの被形成面とのなす角は９０度未満が好ましく、さらには６０度以下が好ましく、さらには４５度以下が好ましく、さらには２０度以下が好ましい。マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂも同様に端部がテーパ形状であることが好ましく、これらの側面と被形成面とのなす角は前述の範囲であることが好ましい。

　マスク層１１８Ｒの端部、及びマスク層１１９Ｒの端部をこのようなテーパ形状にすることで、マスク層１１８Ｒ上及びマスク層１１９Ｒ上に設けられる共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を高めることができる。

　マスク層１１８Ｒの端部及びマスク層１１９Ｒの端部はそれぞれ、絶縁層１２５の端部よりも外側に位置することが好ましい。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面の凹凸を低減し、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を高めることができる。

　絶縁層１２７は、絶縁層１２５の側面、マスク層１１８Ｒの側面、マスク層１１９Ｒの側面、マスク層１１８Ｇの側面、及びマスク層１１９Ｇの側面の少なくとも一部を覆うことがある。図１６Ｂは、絶縁層１２７が、絶縁層１２５の側面、マスク層１１８Ｒの側面の一部、マスク層１１９Ｒの側面、マスク層１１８Ｇの側面の一部、及びマスク層１１９Ｇの側面を覆う構成を示している。

　絶縁層１２７の端部は、絶縁層１２５の端部よりも外側に位置することが好ましい。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面の凹凸を低減し、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を高めることができる。

　図１７Ａには、絶縁層１２７が、絶縁層１２５の側面全体、マスク層１１８Ｒの側面全体、マスク層１１９Ｒの側面全体、マスク層１１８Ｇの側面全体、及びマスク層１１９Ｇの側面全体を覆う例を示す。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面の凹凸をより低減することができ好ましい。また、図１７Ａに示すように、絶縁層１２７は、層１１３Ｒ、及び層１１３Ｇと接してもよい。

　図１７Ｂには、絶縁層１２７が側面に凹曲面形状（くびれた部分、凹部、へこみ、くぼみともいう）を有する例を示す。絶縁層１２７の材料及び形成条件（加熱温度、加熱時間、及び加熱雰囲気など）によっては、絶縁層１２７の側面に凹曲面形状が形成される場合がある。

　絶縁層１２７の一方の端部が画素電極１１１Ｒの上面と重なり、絶縁層１２７の他方の端部が画素電極１１１Ｇの上面と重なることが好ましい。このような構造にすることで、絶縁層１２７の端部を層１１３Ｒ及び層１１３Ｇの概略平坦な領域の上に形成することができる。

　なお、絶縁層１２７は、画素電極１１１の上面と重ならなくてもよい。画素電極１１１の上面と絶縁層１２７とが重なる部分が小さいほど発光デバイスの発光領域が広くなり、開口率を高めることができ、好ましい。

　上記のように、絶縁層１２７、絶縁層１２５、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、マスク層１１９Ｒ、及びマスク層１１９Ｇを設けることにより、層１１３Ｒの概略平坦な領域から層１１３Ｇの概略平坦な領域まで、共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性高く形成することができる。そして、共通層１１４及び共通電極１１５に分断された箇所、及び局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを防ぐことができる。よって、各発光デバイス間において、共通層１１４及び共通電極１１５に、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。これにより、本発明の一態様に係る表示装置は、表示品位を向上させることができる。

　共通電極１１５は、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂで共有されている。複数の発光デバイスが共通して有する共通電極１１５は、接続部１４０に設けられた導電層１２３と電気的に接続される（図２参照）。導電層１２３には、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂと同じ材料及び同じ工程で形成された導電層を用いることが好ましい。例えば、導電層１２３は、導電層１２４ｐと、導電層１２４ｐ上の導電層１２６ｐと、導電層１２６ｐ上の導電層１２９ｐとの積層構造とすることができる。導電層１２４ｐは、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、及び導電層１２４Ｂと同じ工程で形成することができる。導電層１２６ｐは、導電層１２６Ｒ、導電層１２６Ｇ、及び導電層１２６Ｂと同じ工程で形成することができる。導電層１２９ｐは、導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂと同じ工程で形成することができる。

　なお、図２は、導電層１２９ｐの膜厚が、導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂの膜厚と異なる構成を示している。導電層１２９ｐ、導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂに用いる材料の抵抗率に応じて、これらの膜厚を異ならせてもよい。膜厚を異ならせる場合、導電層１２９ｐは、導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂと異なる工程で形成してもよい。または、導電層１２９ｐを形成する工程と、導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂを形成する工程の一部を共通にしてもよい。

　接続部１４０には共通層１１４を設けなくてもよい。図２では、導電層１２３上に共通電極１１５が設けられる構成を示している。なお、導電層１２３上に共通層１１４が設けられ、共通層１１４を介して、導電層１２３と共通電極１１５とが電気的に接続される構成としてもよい。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、またはラフメタルマスクともいう）を用いることで、共通層１１４と、共通電極１１５とで成膜される領域を変えることができる。

　発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂ上に保護層１３１を設けることが好ましい。保護層１３１を設けることで、発光デバイス１３０の信頼性を高めることができる。保護層１３１は単層構造でもよく、２層以上の積層構造であってもよい。

　保護層１３１の導電性は問わない。保護層１３１として、絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜の少なくとも一種を用いることができる。

　保護層１３１が無機膜を有することで、共通電極１１５が酸化されること、及び発光デバイスに不純物（水分及び酸素等）が入り込むことを抑制することができる。したがって、発光デバイスの劣化が抑制され、表示装置の信頼性を高めることができる。

　保護層１３１には、例えば、酸化物、窒化物、酸化窒化物、及び窒化酸化物の一以上を有する無機絶縁膜を用いることができる。これらの無機絶縁膜に用いることができる材料の具体例は、前述の通りである。特に、保護層１３１は、窒化物または窒化酸化物を有することが好ましく、窒化物を有することがより好ましい。

　保護層１３１には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯともいう）等を含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、共通電極１１５よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。

　発光デバイスの発光を、保護層１３１を介して取り出す場合、保護層１３１は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び、酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため、好ましい。

　保護層１３１は、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜と、の積層構造、または、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造を用いることができる。当該積層構造を用いることで、不純物（水及び酸素等）がＥＬ層側に入り込むことを抑制できる。

　さらに、保護層１３１は、有機膜を有してもよい。例えば、保護層１３１は、有機膜と無機膜の双方を有してもよい。保護層１３１に用いることができる有機材料として、例えば、絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁材料などが挙げられる。

　保護層１３１は、異なる成膜方法を用いて形成された２層構造であってもよい。具体的には、ＡＬＤ法を用いて保護層１３１の第１層目を形成し、スパッタリング法を用いて保護層１３１の第２層目を形成してもよい。

　基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層１１７を設けてもよい。遮光層１１７は、隣り合う発光デバイス１３０の間、及び接続部１４０に設けることができる。遮光層１１７を設けることで、隣り合う副画素から発せられる光が遮られ、混色を防ぐことができる。また、外光がトランジスタ２０５に到達することを抑制でき、トランジスタ２０５の劣化を抑制することができる。なお、遮光層１１７を設けない構成としてもよい。

　基板１２０の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材として、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等の表面保護層を配置してもよい。例えば、表面保護層として、ガラス層またはシリカ層（ＳｉＯ_ｘ層）を設けることで、表面汚染及び傷の発生を抑制することができ、好ましい。また、表面保護層として、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）、ポリエステル系材料、またはポリカーボネート系材料などを用いてもよい。なお、表面保護層には、可視光に対する透過率が高い材料を用いることが好ましい。また、表面保護層には、硬度が高い材料を用いることが好ましい。

　基板１２０には、ガラス、石英、セラミックス、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１２０に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。

　基板１２０として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

　なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。

　光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

　光学等方性が高いフィルムとして、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。

　基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示装置にしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

　樹脂層１２２として、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

　図２等に示す画素電極１１１Ｒと異なる構成例を、図１８Ａ及び図１８Ｂに示す。

　図１８Ａに示す画素電極１１１Ｒは、導電層１２９Ｒ、導電層１２６Ｒ及び導電層１２４Ｒの端部が互いに揃っている、または概略揃っている。層１１３Ｒは、導電層１２９Ｒの側面、導電層１２６Ｒの側面及び導電層１２４Ｒの側面と接する。

　例えば、導電層１２４Ｒとなる第１の導電膜、層１２８、導電層１２６Ｒとなる第２の導電膜、及び導電層１２９Ｒとなる第３の導電膜を成膜した後、第３の導電膜上にレジストマスクを形成し、当該レジストマスクを用いて第１の導電膜、第２の導電膜、及び第３の導電膜を加工することにより、導電層１２４Ｒ、導電層１２６Ｒ及び導電層１２９Ｒを形成することができる。同じ工程で第１の導電膜、第２の導電膜、及び第３の導電膜を加工し、導電層１２４Ｒ、導電層１２６Ｒ及び導電層１２９Ｒを形成することにより、工程を簡略にすることができる。

　図１８Ｂに示す画素電極１１１Ｒは、導電層１２４Ｒの側面、並びに導電層１２６Ｒの上面及び側面が導電層１２９Ｒに覆われている。導電層１２４Ｒの端部は、導電層１２６Ｒの端部が互いに揃っている、または概略揃っている。層１１３Ｒは、導電層１２９Ｒの上面及び側面と接する。

　例えば、導電層１２４Ｒとなる第１の導電膜、層１２８、導電層１２６Ｒとなる第２の導電膜を成膜した後、第２の導電膜上にレジストマスクを形成し、当該レジストマスクを用いて第１の導電膜、及び第２の導電膜を加工することにより、導電層１２４Ｒ、及び導電層１２６Ｒを形成する。その後に、導電層１２４Ｒ、及び導電層１２６Ｒを覆うように導電層１２９Ｒとなる第３の導電膜を成膜し、第３の導電膜を加工することにより、導電層１２９Ｒを形成することができる。同じ工程で第１の導電膜、及び第２の導電膜を加工し、導電層１２４Ｒ、及び導電層１２６Ｒを形成することにより、工程を簡略にすることができる。また、銀などの拡散しやすい材料を導電層１２４Ｒまたは導電層１２６Ｒに適用した場合でも、導電層１２４Ｒ及び導電層１２６Ｒの上面及び側面を導電層１２９Ｒで覆うことにより、拡散を抑制することができる。

　なお、図１８Ａ等では、層１２８の上面が、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成を示しているが、層１２８の形状は特に限定されない。層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成とすることができる。また、層１２８の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方または双方を有してもよい。また、層１２８の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、一つまたは複数とすることができる。

　層１２８の上面の高さと、導電層１２４Ｒの上面の高さとは、一致または概略一致していてもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、層１２８の上面の高さは、導電層１２４Ｒの上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。

　以下では、前述の表示装置と異なる構成例について、説明する。なお、前述の表示装置と重複する部分は説明を省略する場合がある。また、以下で示す図面において、前述の表示装置と同様の機能を有する部分についてはハッチングパターンを同じくし、符号を付さない場合もある。

＜表示装置の構成例２＞
　本発明の一態様である表示装置の断面図を、図１９に示す。図１９は、図１Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間、及び一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図である。

　図１９に示す表示装置は、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂと、絶縁層２３５との間に絶縁層２３９を有する点で、図２に示す表示装置と主に異なる。

　絶縁層２３９は、絶縁層２３５上に設けられ、絶縁層２３５が有する開口と重なる領域に開口を有する。画素電極１１１は、絶縁層２３９、絶縁層２３５、絶縁層２１８及び絶縁層２２５に設けられた開口を覆うように設けられる。

　絶縁層２３９は、層１１３、マスク層１１８及びマスク層１１９を形成する際にエッチング保護膜として機能することができる。絶縁層２３９を設けることにより、層１１３、マスク層１１８及びマスク層１１９を形成する際に絶縁層２３５の一部がエッチングされ、絶縁層２３５に凹凸が生じることを防止することができる。つまり、絶縁層１２５の被形成面の段差が小さくなり、絶縁層１２５の被覆性を高めることができる。したがって、層１１３の側面が絶縁層１２５で覆われ、層１１３の膜剥がれを防止することができる。

　絶縁層２３９は、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層２３９には、例えば、酸化物、窒化物、酸化窒化物、及び窒化酸化物の一以上を用いることができる。絶縁層２３９は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化物として、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、インジウムガリウム亜鉛酸化物、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、及び酸化タンタル等が挙げられる。窒化物として、窒化シリコン及び窒化アルミニウム等が挙げられる。酸化窒化物として、酸化窒化シリコン、及び酸化窒化アルミニウム等が挙げられる。窒化酸化物として、窒化酸化シリコン、及び窒化酸化アルミニウム等が挙げられる。絶縁層２３９は、例えば、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを好適に用いることができる。

　絶縁層２３９は、層１１３、マスク層１１８及びマスク層１１９となる膜をエッチングする際に、当該膜とエッチングレートの比が大きい（選択比が大きいともいう）材料を選択することが好ましい。

　ここで、発光デバイス１３０の被形成面の平坦性が低い場合、例えば、共通電極１１５の段切れによる接続不良、または共通電極１１５の膜厚が局所的に薄くなり、電気抵抗が上昇する場合がある。また、当該被形成面に形成される層の加工精度が低くなる場合がある。

　本発明の一態様である表示装置は絶縁層２３９を設けることにより、発光デバイス１３０の被形成面をより平坦にすることができる。したがって、絶縁層２３９上に設けられる発光デバイス１３０等の加工精度が高まり、精細度の高い表示装置とすることができる。また、共通電極１１５の段切れによる接続不良、及び共通電極１１５の膜厚が局所的に薄くなり、電気抵抗が上昇することを防止でき、表示品質の高い表示装置とすることができる。

　なお、図１９等では絶縁層２３９を単層構造で示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。絶縁層２３９は、積層構造であってもよい。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのいずれとも重ならない領域において、絶縁層２３９の一部が除去されてもよい。層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのいずれとも重ならない領域の絶縁層２３９の膜厚が、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、または層１１３Ｂと重なる領域の絶縁層２３９の膜厚より薄くなってもよい。

　なお、絶縁層２３９は他の構成例にも適用できる。

　図１９は、トランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂとして、図８に示すトランジスタ２００Ａを適用した構成例を示している。絶縁層２１０は、絶縁層２１０ｃと、絶縁層２１０ｃ上の絶縁層２１０ａと、絶縁層２１０ａ上の絶縁層２１０ｂとの積層構造を有する。絶縁層２１０ｃは、トランジスタ２０５Ｒが有する導電層２２２ａの上面及び側面、トランジスタ２０５Ｇが有する導電層２２２ａの上面及び側面、トランジスタ２０５Ｂが有する導電層２２２ａの上面及び側面、並びに基板１５１の上面を覆うように設けられる。絶縁層２１０ｃについては、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

＜表示装置の構成例３＞
　本発明の一態様である表示装置の断面図を、図２０に示す。図２０は、図１Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間、及び一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図である。

　図２０に示す表示装置は、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂの構成が異なる点で図１９に示す表示装置と主に異なる。

　発光デバイス１３０Ｒは、層１１３Ｒに代わり、層１１３Ｗを有する。発光デバイス１３０Ｇは、層１１３Ｇに代わり、層１１３Ｗを有する。発光デバイス１３０Ｂは、層１１３Ｂに代わり、層１１３Ｗを有する。層１１３Ｗは、例えば、白色の光を発する構成とすることができる。

　導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂに可視光に対して透過性を有する導電層を用い、それぞれの膜厚を異ならせてもよい。導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂは光学調整層として機能することができる。導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂの膜厚をそれぞれ、最適な光路長となるように調整することで、白色の光を発する層１１３Ｗを用いた場合であっても発光デバイス１３０から所望の波長の光が強められた光を得ることができる。

　基板１２０の樹脂層１２２側の面には、赤色の光を透過する着色層１３２Ｒ、緑色の光を透過する着色層１３２Ｇ、及び青色の光を透過する着色層１３２Ｂを設けてもよい。着色層１３２Ｒは、発光デバイス１３０Ｒと重なる領域に設けられる。着色層１３２Ｇは、発光デバイス１３０Ｇと重なる領域に設けられる。着色層１３２Ｂは、発光デバイス１３０Ｂと重なる領域に設けられる。例えば、赤色の発光デバイス１３０Ｒから射出される不要な波長の光を、着色層１３２Ｒで遮光することができる。このような構成とすることで、各発光デバイスから射出される光の色純度を高めることができる。なお、発光デバイス１３０Ｇと着色層１３２Ｇの組み合わせ、及び発光デバイス１３０Ｂと着色層１３２Ｂの組み合わせにおいても同様の効果を奏する。

　なお、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂは他の構成例にも適用できる。

＜表示装置の構成例４＞
　図１とは異なる表示装置１００の上面図を、図２１に示す。図２１に示す画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄの４種類の副画素で構成される。

　副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄは、それぞれ発光色の異なる発光デバイスを有する構成とすることができる。例えば、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄとして、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、ＩＲの４つの副画素などが挙げられる。

　本発明の一態様の表示装置は、画素に、受光デバイスを有してもよい。

　図２１に示す画素１１０が有する４つの副画素のうち、３つを、発光デバイスを有する構成とし、残りの１つを、受光デバイスを有する構成としてもよい。

　受光デバイスとして、例えば、ｐｎ型またはｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。受光デバイスは、受光デバイスに入射する光を検出し電荷を発生させる光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）として機能する。受光デバイスに入射する光量に基づき、受光デバイスから発生する電荷量が決まる。

　受光デバイスは、可視光及び赤外光の一方または双方を検出することができる。可視光を検出する場合、例えば、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの色のうち一つまたは複数を検出することができる。赤外光を検出する場合、暗い場所でも対象物の検出が可能となり、好ましい。

　特に、受光デバイスとして、有機化合物を含む層を有する有機フォトダイオードを用いることが好ましい。有機フォトダイオードは、薄型化、軽量化、及び大面積化が容易であり、また、形状及びデザインの自由度が高いため、様々な表示装置に適用できる。

　本発明の一態様では、発光デバイスとして有機ＥＬデバイスを用い、受光デバイスとして有機フォトダイオードを用いる。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。

　受光デバイスは、画素電極と共通電極との間に逆バイアスをかけて駆動することで、受光デバイスに入射する光を検出し、電荷を発生させ、電流として取り出すことができる。

　受光デバイスについても、発光デバイスと同様の作製方法を適用することができる。受光デバイスが有する島状の活性層（光電変換層ともいう）は、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、活性層となる膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の活性層を均一の厚さで形成することができる。また、活性層上にマスク層を設けることで、表示装置の作製工程中に活性層が受けるダメージを低減し、受光デバイスの信頼性を高めることができる。

　受光デバイスの構成及び材料については、実施の形態６を参照することができる。

　図２１における一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面図を、図２２Ａに示す。なお、図２１における一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間、及び一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図は、図２を参照できる。

　図２２Ａに示すように、表示装置１００は、トランジスタを含む層１０１上に発光デバイス１３０Ｒ及び受光デバイス１５０が設けられ、発光デバイス及び受光デバイスを覆うように保護層１３１が設けられ、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイスと受光デバイスの間の領域には、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

　図２２Ａでは、発光デバイス１３０Ｒが、基板１２０側に発光し、受光デバイス１５０には、基板１２０側から光が入射する例を示す（光Ｌｅｍ及び光Ｌｉｎ参照）。

　発光デバイス１３０Ｒの構成は、前述の通りである。

　受光デバイス１５０は、絶縁層２３５上の画素電極１１１Ｓと、画素電極１１１Ｓ上の層１１３Ｓと、層１１３Ｓ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。層１１３Ｓは少なくとも活性層を含む。

　ここで、層１１３Ｓは、少なくとも活性層を含み、好ましくは複数の機能層を有する。例えば、機能層として、キャリア輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）、及び、キャリアブロック層（正孔ブロック層及び電子ブロック層）などが挙げられる。また、活性層上に１層以上の層を有することが好ましい。活性層とマスク層との間に他の層を有することで、表示装置の作製工程中に活性層が最表面に露出することを抑制し、活性層が受けるダメージを低減することができる。これにより、受光デバイス１５０の信頼性を高めることができる。したがって、層１１３Ｓは、活性層と、活性層上のキャリアブロック層（正孔ブロック層または電子ブロック層）、もしくはキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。

　層１１３Ｓは、受光デバイス１５０に設けられ、発光デバイスには設けられない層である。ただし、層１１３Ｓに含まれる活性層以外の機能層は、層１１３Ｂ乃至層１１３Ｒに含まれる発光層以外の機能層と同じ材料を有する場合がある。一方、共通層１１４は、発光デバイスと受光デバイスが共有する一続きの層である。

　ここで、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが異なる場合がある。本明細書中では、発光デバイスにおける機能に基づいて構成要素を呼称することがある。例えば、正孔注入層は、発光デバイスにおいて正孔注入層として機能し、受光デバイスにおいて正孔輸送層として機能する。同様に、電子注入層は、発光デバイスにおいて電子注入層として機能し、受光デバイスにおいて電子輸送層として機能する。また、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが同一である場合もある。例えば、正孔輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、正孔輸送層として機能し、電子輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、電子輸送層として機能する。

　層１１３Ｒと絶縁層１２５との間にはマスク層１１８Ｒ及びマスク層１１９Ｒが位置し、層１１３Ｓと絶縁層１２５との間にはマスク層１１８Ｓ及びマスク層１１９Ｓが位置する。マスク層１１８Ｒ及びマスク層１１９Ｒは、層１１３Ｒを加工する際に層１１３Ｒ上に設けたマスク層の一部が残存しているものである。また、マスク層１１８Ｓ及びマスク層１１９Ｓは、活性層を含む層である層１１３Ｓを加工する際に層１１３Ｓの上面に接して設けたマスク層の一部が残存しているものである。マスク層１１８Ｒとマスク層１１８Ｓは同じ材料を有していてもよく、異なる材料を有してもよい。マスク層１１９Ｒとマスク層１１９Ｓは同じ材料を有していてもよく、異なる材料を有してもよい。

　図２２Ａに示す受光デバイス１５０、トランジスタ２０５Ｓ及びその近傍の拡大図を、図２２Ｂに示す。受光デバイス１５０は、トランジスタ２０５Ｓと電気的に接続される。トランジスタ２０５Ｓは、トランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂと同じ工程で形成することができる。トランジスタ２０５Ｓのソースまたはドレインとして機能する導電層２２２ｂは、絶縁層２２５及び絶縁層２１８に設けられる開口１９１Ｓ、並びに絶縁層２３５に設けられる開口１９３Ｓを介して、画素電極１１１Ｓと電気的に接続される。

　開口１９１Ｓは、開口１９１と同じ工程で形成することができる。開口１９３Ｓは、開口１９３と同じ工程で形成することができる。開口１９１Ｓ及び開口１９３Ｓについては、開口１９１及び開口１９３に係る記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。画素電極１１１Ｓは、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂと同じ工程で形成することができる。画素電極１１１Ｓは、導電層１２４Ｓと、導電層１２４Ｓ上の導電層１２６Ｓと、導電層１２６Ｓ上の導電層１２９Ｓとの積層構造とすることができる。導電層１２４Ｓ、導電層１２６Ｓ、及び導電層１２９Ｓについては、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、導電層１２４Ｂ、導電層１２６Ｒ、導電層１２６Ｇ、導電層１２６Ｂ、導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂに係る記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　図２１では、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃに比べて副画素１１０ｄの開口率（サイズ、発光領域または受光領域のサイズともいえる）が大きい例を示すが、本発明の一態様はこれに限定されない。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄの開口率は、それぞれ適宜決定することができる。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄの開口率は、それぞれ、異なっていてもよく、２つ以上が等しいまたは概略等しくてもよい。

　副画素１１０ｄは、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの少なくとも一つよりも開口率が高くてもよい。副画素１１０ｄの受光面積が広いことで、対象物の検出をより容易にできる場合がある。例えば、表示装置の精細度、及び、副画素の回路構成等によっては、副画素１１０ｄの開口率が、他の副画素の開口率に比べて高くなる場合がある。

　副画素１１０ｄは、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの少なくとも一つよりも開口率が低くてもよい。副画素１１０ｄの受光面積が狭いと、撮像範囲が狭くなり、撮像結果のボケの抑制、及び、解像度の向上が可能となる。そのため、高精細または高解像度の撮像を行うことができ、好ましい。

　このように、副画素１１０ｄは、用途に合った検出波長、精細度、及び、開口率とすることができる。

　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスごとにＥＬ層が島状に設けられていることで、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。これにより、クロストークに起因した意図しない発光を防ぐことができ、コントラストの高い表示装置を実現できる。また、島状のＥＬ層は、表示装置の作製工程中にダメージを受けている可能性のある端部とその近傍はダミー領域とし、発光領域として用いないことで、発光デバイスの特性のばらつきを抑制することができる。また、隣り合う島状のＥＬ層の間に、端部にテーパ形状を有する絶縁層を設けることで、共通電極の形成時に段切れが生じることを抑制し、また、共通電極に局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを防ぐことができる。これにより、共通層及び共通電極において、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。これにより、本発明の一態様の表示装置は、高精細化と高い表示品位の両立が可能となる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の作製方法例について、図２３乃至図３７を用いて説明する。なお、各要素の材料及び形成方法について、先に実施の形態１で説明した部分と同様の部分については説明を省略することがある。また、発光デバイスの構成の詳細については実施の形態５で説明する。

　表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び導電膜）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法は、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、及び熱ＣＶＤ法がある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

　表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び導電膜）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、またはナイフコート等の湿式の成膜方法により形成することができる。

　特に、発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法として、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特にＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、発光層、電子ブロック層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層など）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、または、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。

　表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

　フォトリソグラフィ法は、代表的には以下の２つの方法がある。１つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう１つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

　薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

　図１９に示した表示装置の作製方法について、説明する。ここでは、トランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂの半導体層２３１に酸化物半導体を用いる構成を例に挙げて、説明する。

　まず、基板１５１上にトランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂを作製する。ここでは、トランジスタ２０５Ｒを例に挙げて、図２３Ａ乃至図２４Ｄを用いて説明する。なお、図２３Ａ乃至図２４Ｄは、トランジスタ２０５Ｒの作製工程の各段階における断面図である、図２３Ａ乃至図２４Ｄは、一点鎖線Ａ１−Ａ２及び一点鎖線Ｂ１−Ｂ２における切断面の断面図を並べて示している。

〔導電層２２２ａの形成〕
　基板１５１上に、導電層２２２ａとなる導電膜を形成する。当該導電膜の形成は、例えば、スパッタリング法を好適に用いることができる。当該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成した後、当該導電膜を加工することにより、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能する島状の導電層２２２ａを形成する（図２３Ａ）。当該導電膜の加工は、ウェットエッチング法及びドライエッチング法の一方または双方を用いればよい。

〔絶縁膜２１０ｃｆ及び絶縁膜２１０ａｆの形成〕
　続いて、基板１５１及び導電層２２２ａ上に、絶縁層２１０ｃとなる絶縁膜２１０ｃｆ、及び絶縁層２１０ａとなる絶縁膜２１０ａｆを形成する（図２３Ｂ）。

　絶縁膜２１０ｃｆ及び絶縁膜２１０ａｆの形成は、例えば、ＰＥＣＶＤ法を好適に用いることができる。絶縁膜２１０ｃｆを形成した後、絶縁膜２１０ｃｆの表面を大気に曝すことなく、真空中で連続して絶縁膜２１０ａｆを形成することが好ましい。絶縁膜２１０ｃｆ及び絶縁膜２１０ａｆを連続して形成することで、絶縁膜２１０ｃｆの表面に大気由来の不純物が付着することを抑制できる。当該不純物として、例えば、水、及び有機物が挙げられる。

　絶縁膜２１０ｃｆ及び絶縁膜２１０ａｆの形成時の基板温度はそれぞれ、１８０℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには２００℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには２５０℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには３００℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには３００℃以上４００℃以下が好ましく、さらには３５０℃以上４００℃以下が好ましい。絶縁膜２１０ｃｆ及び絶縁膜２１０ａｆの形成時の基板温度を前述の範囲とすることで、自身からの不純物（例えば、水及び水素）の放出を少なくすることができ、不純物が半導体層２３１に拡散することを抑制することができる。したがって、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　なお、絶縁膜２１０ｃｆ及び絶縁膜２１０ａｆは、半導体層２３１より先に形成されるため、絶縁膜２１０ｃｆ及び絶縁膜２１０ａｆの形成時に加わる熱によって半導体層２３１から酸素が脱離することを懸念する必要はない。

　絶縁膜２１０ｃｆ及び絶縁膜２１０ａｆを形成した後に、加熱処理を行ってもよい。加熱処理を行うことで、絶縁膜２１０ｃｆ及び絶縁膜２１０ａｆの表面及び膜中から水及び水素を脱離させることができる。

　加熱処理の温度は、１５０℃以上基板の歪み点未満が好ましく、さらには２００℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには２５０℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには３００℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには３００℃以上４００℃以下が好ましいく、さらには３５０℃以上４００℃以下が好ましい。加熱処理は、貴ガス、窒素または酸素の一以上を含む雰囲気で行うことができる。窒素を含む雰囲気、又は酸素を含む雰囲気として、乾燥空気（ＣＤＡ：Ｃｌｅａｎ　Ｄｒｙ　Ａｉｒ）を用いてもよい。なお、当該雰囲気に水素、水などの含有量が極力少ないことが好ましい。当該雰囲気として、露点が−６０℃以下、好ましくは−１００℃以下の高純度ガスを用いることが好ましい。水素、水などの含有量が極力少ない雰囲気を用いることで、絶縁膜２１０ｃｆ及び絶縁膜２１０ａｆに水素、水などが取り込まれることを可能な限り防ぐことができる。加熱処理は、オーブン、急速加熱（ＲＴＡ：Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置等を用いることができる。ＲＴＡ装置を用いることで、加熱処理時間を短縮できる。

　続いて、絶縁膜２１０ａｆ上に、金属酸化物層２４９を形成する（図２３Ｃ）。

　金属酸化物層２４９は、絶縁層でもよく、また導電層であってもよい。金属酸化物層２４９は、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、またはシリコンを含有したインジウムスズ酸化物（ＩＴＳＯ）を用いることもできる。

　金属酸化物層２４９として、半導体層２３１と同一の元素を一以上含む酸化物材料を用いることが好ましい。特に、半導体層２３１に適用可能な酸化物半導体材料を用いることが好ましい。

　金属酸化物層２４９として、半導体層２３１と同じ組成のスパッタリングターゲットを用いて形成した金属酸化物膜を適用することができる。同じ組成のスパッタリングターゲットを用いることで、製造装置及びスパッタリングターゲットを共通に用いることができるため、好ましい。

　半導体層２３１と金属酸化物層２４９の両方に、インジウム及びガリウムを含む金属酸化物材料を用いる場合、半導体層２３１よりもガリウムの組成（含有率）が高い材料を金属酸化物層２４９に用いることができる。ガリウムの組成（含有率）が高い材料を金属酸化物層２４９に用いることにより、酸素に対するブロッキング性をより高めることができるため、好ましい。このとき、半導体層２３１には、金属酸化物層２４９よりもインジウムの組成が高い材料を用いることで、トランジスタの電界効果移動度を高めることができる。

　金属酸化物層２４９は、例えば、酸素を含む雰囲気で形成することが好ましい。特に、酸素を含む雰囲気でスパッタリング法により形成することが好ましい。これにより、金属酸化物層２４９の形成の際、絶縁膜２１０ａｆに酸素を好適に供給することができる。

　例えば、成膜ガスに酸素を用い、金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法により、金属酸化物層２４９を形成してもよい。例えば、金属ターゲットとしてアルミニウムを用いた場合には、酸化アルミニウム膜を形成することができる。

　金属酸化物層２４９の形成時に、成膜装置の処理室内の酸素流量比、または処理室内の酸素分圧が高いほど、絶縁膜２１０ａｆ中に供給される酸素を増やすことができる。酸素流量比または酸素分圧は、例えば５０％以上１００％以下、好ましくは６５％以上１００％以下、より好ましくは８０％以上１００％以下、さらに好ましくは９０％以上１００％以下とする。特に、酸素流量比を１００％とし、酸素分圧を１００％にできるだけ近づけることが好ましい。

　このように、酸素を含む雰囲気でスパッタリング法により金属酸化物層２４９を形成することにより、金属酸化物層２４９の形成時に、絶縁膜２１０ａｆへ酸素を供給するとともに、絶縁膜２１０ａｆから酸素が脱離することを防ぐことができる。その結果、絶縁膜２１０ａｆに多くの酸素を閉じ込めることができる。そして、後の加熱処理によって、半導体層２３１に多くの酸素を供給することができる。その結果、半導体層２３１中の酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨを低減することができ、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　金属酸化物層２４９を形成した後、加熱処理を行ってもよい。加熱処理については、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。金属酸化物層２４９を形成した後に加熱処理を行うことで、金属酸化物層２４９から絶縁膜２１０ａｆに効果的に酸素を供給することができる。

　金属酸化物層２４９を形成した後、または前述の加熱処理の後に、さらに、金属酸化物層２４９を介して絶縁膜２１０ａｆに酸素を供給してもよい。酸素の供給方法として、例えば、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法、またはプラズマ処理を用いることができる。当該プラズマ処理として、酸素ガスを高周波電力によってプラズマ化させる装置を好適に用いることができる。ガスを高周波電力によってプラズマ化させる装置として、例えば、プラズマエッチング装置及びプラズマアッシング装置が挙げられる。

　続いて、金属酸化物層２４９を除去する。金属酸化物層２４９の除去方法に特に限定は無いが、ウェットエッチングを好適に用いることができる。ウェットエッチングを用いることで、金属酸化物層２４９の除去の際に、絶縁膜２１０ａｆがエッチングされることを抑制できる。これにより、絶縁膜２１０ａｆの膜厚が薄くなることを抑制でき、絶縁層２１０ａの膜厚を均一にすることができる。

　絶縁膜２１０ａｆに対して酸素を供給する処理は、前述の方法に限定されない。例えば、絶縁膜２１０ａｆに対してイオンドーピング法、イオン注入法、プラズマ処理等により、酸素ラジカル、酸素原子、酸素原子イオン、酸素分子イオン等を供給する。また、絶縁膜２１０ａｆ上に酸素の脱離を抑制する膜を形成した後、該膜を介して絶縁膜２１０ａｆに酸素を供給してもよい。該膜は、酸素を供給した後に除去することが好ましい。上述の酸素の脱離を抑制する膜として、インジウム、亜鉛、ガリウム、錫、アルミニウム、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、またはタングステンの１以上を有する導電膜あるいは半導体膜を用いることができる。

〔絶縁膜２１０ｂｆの形成、導電膜２２２ｆの形成〕
　続いて、絶縁膜２１０ａｆ上に、絶縁層２１０ｂとなる絶縁膜２１０ｂｆを形成する。絶縁膜２１０ｂｆの形成は、絶縁膜２１０ａｆ及び絶縁膜２１０ｃｆの形成に係る記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　続いて、絶縁膜２１０ｂｆ上に、導電層２２２ｂとなる導電膜２２２ｆを形成する（図２３Ｄ）。導電膜２２２ｆの形成は、例えば、スパッタリング法を好適に用いることができる。

〔開口１４１の形成、開口１４３の形成〕
　続いて、導電層２２２ａと重なる領域の導電膜２２２ｆを除去し、開口１４３を有する導電層２２２Ｂを形成する。開口１４３の形成は、ウェットエッチング法及びドライエッチング法の一方または双方を用いることができる。開口１４３の形成は、例えば、ウェットエッチング法を好適に用いることができる。

　続いて、導電層２２２ａと重なる領域の絶縁膜２１０ｆ（絶縁膜２１０ａｆ、絶縁膜２１０ｂｆ及び絶縁膜２１０ｃｆ）を除去し、開口１４１を有する絶縁層２１０を形成する（図２３Ｅ）。開口１４１の形成は、ウェットエッチング法及びドライエッチング法の一方または双方を用いることができる。開口１４１の形成は、例えば、ドライエッチング法を好適に用いることができる。

　開口１４１は、例えば、開口１４３の形成に用いたレジストマスクを用いて形成することができる。具体的には、導電膜２２２ｆ上にレジストマスクを形成し、当該レジストマスクを用いて導電膜２２２ｆを除去して開口１４３を形成し、当該レジストマスクを用いて絶縁膜２１０ｆを除去して開口１４１を形成することができる。なお、開口１４３の幅Ｄ１４３を当該レジストマスクが有する開口の幅よりも大きく加工することにより、図１０Ａ等に示すトランジスタ２００Ｃを作製することができる。開口１４３は、開口１４１の形成に用いたレジストマスクと異なるレジストマスクを用いて形成してもよい。

〔導電層２２２ｂの形成〕
　続いて、導電層２２２Ｂを所望の形状に加工し、導電層２２２ｂを形成する（図２４Ａ）。導電層２２２ｂの形成は、ウェットエッチング法及びドライエッチング法の一方または双方を用いることができる。導電層２２２ｂの形成は、例えば、ウェットエッチング法を好適に用いることができる。

〔半導体層２３１の形成〕
　続いて、開口１４１及び開口１４３を覆うように、半導体層２３１となる金属酸化物膜２３１ｆを形成する（図２４Ｂ）。金属酸化物膜２３１ｆは、導電層２２２ｂの上面及び側面、絶縁層２１０の上面及び側面、並びに導電層２２２ａの上面に接して設けられる。

　金属酸化物膜２３１ｆは、金属酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法により形成することが好ましい。

　金属酸化物膜２３１ｆは、可能な限り欠陥の少ない緻密な膜とすることが好ましい。また、金属酸化物膜２３１ｆは、可能な限り水素元素を含む不純物が低減され、高純度の膜であることが好ましい。特に、金属酸化物膜２３１ｆとして、結晶性を有する金属酸化物膜を用いることが好ましい。

　金属酸化物膜２３１ｆを形成する際に、酸素ガスを用いることが好ましい。金属酸化物膜２３１ｆの形成時に酸素ガスを用いることで、絶縁層２１０中に好適に酸素を供給することができる。例えば、絶縁層２１０ａに酸化物または酸化窒化物を用いる場合、絶縁層２１０ａ中に好適に酸素を供給することができる。

　絶縁層２１０ａに酸素を供給することにより、後の工程で半導体層２３１に酸素が供給され、半導体層２３１中の酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨを低減できる。

　金属酸化物膜２３１ｆを成膜する際に、酸素ガスと、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンガス、キセノンガスなど）とを混合させてもよい。なお、金属酸化物膜２３１ｆを成膜する際の酸素流量比または酸素分圧が高いほど、金属酸化物膜２３１ｆの結晶性を高めることができ、信頼性の高いトランジスタを実現できる。一方、酸素流量比または酸素分圧が低いほど、金属酸化物膜２３１ｆの結晶性が低くなり、オン電流の大きいトランジスタとすることができる。

　金属酸化物膜２３１ｆを形成する際の基板温度が高いほど、結晶性が高く、緻密な金属酸化物膜とすることができる。一方、基板温度が低いほど、結晶性が低く、電気伝導性の高い金属酸化物膜２３１ｆとすることができる。

　金属酸化物膜２３１ｆの形成時の基板温度は、室温以上２５０℃以下、好ましくは室温以上２００℃以下、より好ましくは室温以上１４０℃以下とすればよい。例えば、基板温度を、室温以上１４０℃未満とすると、生産性が高くなり好ましい。また、基板温度を室温とする、または基板を加熱しない状態で、金属酸化物膜２３１ｆを成膜することにより、結晶性を低くすることができる。

　金属酸化物膜２３１ｆを成膜する前に、絶縁層２１０の表面に吸着した水、水素、及び有機物等を脱離させるための処理、及び絶縁層２１０中に酸素を供給する処理のうち、少なくとも一方を行うことが好ましい。例えば、減圧雰囲気にて７０℃以上２００℃以下の温度で加熱処理を行うことができる。または、酸素を含む雰囲気におけるプラズマ処理を行ってもよい。または、一酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）などの酸化性気体を含む雰囲気におけるプラズマ処理により、絶縁層２１０に酸素を供給してもよい。一酸化二窒素ガスを含むプラズマ処理を行うと、絶縁層２１０の表面の有機物を好適に除去しつつ、酸素を供給することができる。このような処理の後、絶縁層２１０の表面を大気に暴露することなく、連続して金属酸化物膜２３１ｆを成膜することが好ましい。

　なお、半導体層２３１を積層構造とする場合には、先に形成する金属酸化物膜を成膜した後に、その表面を大気に曝すことなく連続して、次の金属酸化物膜を成膜することが好ましい。

　続いて、金属酸化物膜２３１ｆを島状に加工し、半導体層２３１を形成する（図２４Ｃ）。

　半導体層２３１の形成は、ウェットエッチング法及びドライエッチング法の一方または双方を用いることができる。半導体層２３１の形成は、例えば、ウェットエッチング法を好適に用いることができる。このとき、半導体層２３１と重ならない領域の導電層２２２ｂの一部がエッチングされ、薄くなる場合がある。同様に、半導体層２３１及び導電層２２２ｂのいずれともと重ならない領域の絶縁層２１０の一部がエッチングされ、膜厚が薄くなる場合がある。例えば、絶縁層２１０のうち、絶縁層２１０ｂがエッチングにより消失し、絶縁層２１０ａの表面が露出する場合もある。なお、金属酸化物膜２３１ｆのエッチングにおいて、絶縁層２１０ｂに選択比の高い材料を用いることで、絶縁層２１０ｂの膜厚が薄くなることを抑制できる。

　金属酸化物膜２３１ｆの成膜後、または金属酸化物膜２３１ｆを半導体層２３１に加工した後に、加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理により、金属酸化物膜２３１ｆまたは半導体層２３１中に含まれる、または表面に吸着した水素または水を除去することができる。また、加熱処理により、金属酸化物膜２３１ｆまたは半導体層２３１の膜質が向上する（例えば、欠陥の低減、結晶性の向上など）場合がある。

　加熱処理により、絶縁層２１０ａから金属酸化物膜２３１ｆ、または半導体層２３１に酸素を供給することもできる。このとき、半導体層２３１に加工する前に加熱処理を行うことがより好ましい。加熱処理については、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　なお、当該加熱処理は不要であれば行わなくてもよい。また、ここでは加熱処理は行わず、後の工程で行われる加熱処理と兼ねてもよい。また、後の工程での高温下の処理（例えば成膜工程など）などで、当該加熱処理と兼ねることができる場合もある。

〔絶縁層２２５の形成〕
　続いて、半導体層２３１、導電層２２２ｂ、及び絶縁層２１０を覆って、絶縁層２２５を形成する。絶縁層２２５の形成は、ＰＥＣＶＤ法を好適に用いることができる。

　半導体層２３１に酸化物半導体を用いる場合、絶縁層２２５は、酸素が拡散することを抑制するバリア膜として機能することが好ましい。絶縁層２２５が酸素の拡散を抑制する機能を有することにより、酸素が絶縁層２２５より上側から導電層２２３へ拡散することが抑制され、導電層２２３が酸化されることを抑制できる。その結果、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５の形成時の温度を高くすることにより、欠陥の少ない絶縁層とすることができる。しかしながら、絶縁層２２５の形成時の温度が高いと半導体層２３１から酸素が脱離し、半導体層２３１中の酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨが増加してしまう場合がある。絶縁層２２５の形成時の基板温度は、１８０℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには２００℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには２５０℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには３００℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには３００℃以上４００℃以下が好ましい。絶縁層２２５の形成時の基板温度を前述の範囲とすることで、絶縁層２２５の欠陥を少なくするとともに、半導体層２３１から酸素が脱離することを抑制できる。したがって、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　絶縁層２２５を形成する前に、半導体層２３１の表面に対してプラズマ処理を行ってもよい。当該プラズマ処理により、半導体層２３１の表面に吸着する水などの不純物を低減することができる。そのため、半導体層２３１と絶縁層２２５との界面における不純物を低減でき、信頼性の高いトランジスタを実現できる。特に、半導体層２３１の形成から、絶縁層２２５の形成までの間に半導体層２３１の表面が大気に曝される場合には好適である。プラズマ処理は、例えば、酸素、オゾン、窒素、一酸化二窒素、アルゴンなどの雰囲気で行うことができる。また、プラズマ処理と絶縁層２２５の成膜とは、大気に曝すことなく連続して行われることが好ましい。

〔導電層２２３の形成〕
　続いて、絶縁層２２５上に、導電層２２３となる導電膜を形成する。当該導電膜の形成は、例えば、スパッタリング法を好適に用いることができる。当該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成した後、当該導電膜を加工することにより、ゲート電極として機能する島状の導電層２２３を形成する（図２４Ｄ）。

　以上の工程により、トランジスタ２０５Ｒを作製することができる。トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂは、トランジスタ２０５Ｒと同じ工程を経て同一基板上に形成することができる。

　以降は、図２５Ａ乃至図３７Ｂを用いて説明する。図２５Ａ乃至図３７Ｂでは、トランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂを示している。また、図１９に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図と、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を並べて示す。

〔絶縁層２１８、絶縁層２３５、絶縁層２３９の形成〕
　続いて、トランジスタ２０５Ｒ、トランジスタ２０５Ｇ、及びトランジスタ２０５Ｂを覆って、絶縁層２１８となる絶縁膜２１８ｆを形成する（図２５Ａ）。

　絶縁膜２１８ｆの形成時の温度を高くすることにより、不純物（例えば、水及び水素）のブロッキング性を高めることができる。しかしながら、絶縁膜２１８ｆの形成時の温度が高いと半導体層２３１から酸素が脱離し、半導体層２３１中の酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨが増加してしまう場合がある。絶縁膜２１８ｆの形成時の基板温度は、１８０℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには２００℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには２５０℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには３００℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには３００℃以上４００℃以下が好ましい。絶縁膜２１８ｆの形成時の基板温度を前述の範囲とすることで、絶縁層２１８のブロッキング性を高めるとともに、半導体層２３１から酸素が脱離することを抑制できる。したがって、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　絶縁膜２１８ｆの形成後、加熱処理を行ってもよい。加熱処理を行うことで、絶縁膜２１８ｆの表面及び膜中から水及び水素を脱離させることができる。加熱処理については、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　なお、当該加熱処理は不要であれば行わなくてもよい。また、ここでは加熱処理は行わず、後の工程で行われる加熱処理と兼ねてもよい。また、後の工程での高温下の処理（例えば成膜工程など）がある場合には、当該加熱処理と兼ねることができる場合もある。

　続いて、絶縁層２２５及び絶縁膜２１８ｆの一部をエッチングすることで、開口１９１を形成する（図２５Ｂ）。開口１９１は、トランジスタ２０５Ｒが有する導電層２２２ｂと重なる領域、トランジスタ２０５Ｇが有する導電層２２２ｂと重なる領域、及びトランジスタ２０５Ｂが有する導電層２２２ｂと重なる領域に設けられる。開口１９１において、導電層２２２ｂが露出する。

　続いて、絶縁層２１８上に、開口１９３を有する絶縁層２３５を形成する（図２５Ｃ）。開口１９３は、トランジスタ２０５Ｒが有する導電層２２２ｂと重なる領域、トランジスタ２０５Ｇが有する導電層２２２ｂと重なる領域、及びトランジスタ２０５Ｂが有する導電層２２２ｂと重なる領域に設けられる。

　例えば、絶縁層２３５となる膜に感光性の有機材料を用いる場合、有機材料を含む組成物をスピンコート法により塗布した後、選択的に露光、現像を行うことにより、絶縁層２３５を形成することができる。感光性の有機材料を用いる場合、ポジ型の感光性の樹脂を用いてもよく、ネガ型の感光性の樹脂を用いてもよい。露光に用いる光は、ｉ線を含むことが好ましい。また、露光に用いる光は、ｇ線、及びｈ線の少なくとも一方を含んでいてもよい。露光量を調整することにより、開口の幅を制御することができる。この他の形成方法として、スパッタリング法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法）、スクリーン印刷、またはオフセット印刷の一または複数を用いてもよい。

　絶縁層２３５の形成後に、加熱処理を行うことが好ましい。絶縁層２３５に有機材料を用いる場合、加熱処理により有機材料を硬化させることができる。

　加熱処理の温度は、有機材料の耐熱温度未満が好ましい。例えば、加熱処理の温度は１５０℃以上３５０℃以下が好ましく、さらには１８０℃以上３００℃以下が好ましく、さらには２００℃以上２７０℃以下が好ましく、さらには２００℃以上２５０℃以下が好ましく、さらには２２０℃以上２５０℃以下が好ましい。

　加熱処理は、貴ガス、または窒素を含む雰囲気で行うことができる。または、乾燥空気雰囲気で加熱してもよい。なお、上記加熱処理の雰囲気に水素、水などができるだけ含まれないことが好ましい。該加熱処理は、電気炉、またはＲＴＡ装置等を用いることができる。

　続いて、絶縁層２３５を覆うように、絶縁層２３９となる絶縁膜２３９ｆを形成する（図２６Ａ）。絶縁層２３９は、層１１３、マスク層１１８及びマスク層１１９を形成する際にエッチング保護膜して機能する。

　絶縁膜２３９ｆの形成時の温度を高くすることにより、エッチング耐性の高い絶縁層２３９とすることができる。しかしながら、絶縁膜２３９ｆの形成時の温度が高いと半導体層２３１から酸素が脱離し、半導体層２３１中の酸素欠損（Ｖ_Ｏ）及びＶ_ＯＨが増加してしまう場合がある。絶縁膜２３９ｆの形成時の基板温度は、１８０℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには２００℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには２５０℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには３００℃以上４５０℃以下が好ましく、さらには３００℃以上４００℃以下が好ましい。絶縁膜２３９ｆの形成時の基板温度を前述の範囲とすることで、絶縁層２３９のエッチング耐性を高めるとともに、半導体層２３１から酸素が脱離することを抑制できる。したがって、良好な電気特性を示し、かつ信頼性の高いトランジスタとすることができる。

　続いて、絶縁膜２３９ｆを加工することにより、開口１９５を有する絶縁層２３９を形成する（図２６Ｂ）。絶縁膜２３９ｆの加工には、ウェットエッチング法及びドライエッチング法の一方または双方を用いればよい、開口１９５は、導電層２２２ｂと重なる領域に形成する。

〔画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、導電層１２３の形成〕
　続いて、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、導電層１２４Ｂ及び導電層１２４ｐとなる導電膜を形成し、当該導電膜を加工することにより、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、導電層１２４Ｂ及び導電層１２４ｐを形成する（図２７Ａ）。当該導電膜の加工には、ウェットエッチング法及びドライエッチング法の一方または双方を用いればよい。当該導電膜の加工の際に、絶縁層２３９の一部が除去される場合がある。例えば、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、及び導電層１２４Ｂのいずれとも重ならない領域の絶縁層２３９の膜厚が、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、及び導電層１２４Ｂのいずれかと重なる領域の絶縁層２３９の膜厚より薄くなってもよい。

　続いて、絶縁層２３９、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、導電層１２４Ｂ及び導電層１２４ｐを覆うように、層１２８となる膜１２８ｆを形成する（図２７Ｂ）。

　膜１２８ｆに感光性の有機材料を用いる場合、有機材料を含む組成物をスピンコート法により塗布した後、選択的に露光、現像を行うことにより、層１２８を形成することができる。感光性の有機材料を用いる場合、ポジ型の感光性の樹脂を用いてもよく、ネガ型の感光性の樹脂を用いてもよい。露光に用いる光は、ｉ線を含むことが好ましい。また、露光に用いる光は、ｇ線、及びｈ線の少なくとも一方を含んでいてもよい。露光量を調整することにより、開口の幅を制御することができる。この他の形成方法として、スパッタリング法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法）、スクリーン印刷、またはオフセット印刷の一または複数を用いてもよい。

　図２７Ｂは、膜１２８ｆに感光性の有機材料を用い、導電層２２２ｂと重ならない領域を露光する様子を模式的に示している。図２７Ｂでは光を矢印で示しており、層１２８を形成しない領域は露光し、層１２８を形成する領域はマスク１３２ｃを用いて遮光する。このとき、露光量を調整することにより、層１２８の形状を制御することができる。

　続いて、現像を行い、膜１２８ｆの露光させた領域を除去し、層１２８を形成する（図２８Ａ）。

　層１２８の形成後に、加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理の温度は、有機材料の耐熱温度未満が好ましい。例えば、加熱処理の温度は１５０℃以上３５０℃以下が好ましく、さらには１８０℃以上３００℃以下が好ましく、さらには２００℃以上２７０℃以下が好ましく、さらには２００℃以上２５０℃以下が好ましく、さらには２２０℃以上２５０℃以下が好ましい。加熱処理は、貴ガス、または窒素を含む雰囲気で行うことができる。または、乾燥空気雰囲気で加熱してもよい。なお、上記加熱処理の雰囲気に水素、水などができるだけ含まれないことが好ましい。該加熱処理は、電気炉、またはＲＴＡ装置等を用いることができる。

　続いて、絶縁層２３９、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、導電層１２４Ｂ、導電層１２４ｐ及び層１２８を覆うように、導電層１２６Ｒ、導電層１２６Ｇ、導電層１２６Ｂ及び導電層１２６ｐとなる導電膜１２６ｆを形成する（図２８Ｂ）。

　ここで、導電膜１２６ｆは、絶縁層２３９、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、導電層１２４Ｂ、導電層１２４ｐ及び層１２８上に設けられる。導電膜１２６ｆとこれらの膜との密着性が低い場合、膜剥がれが発生してしまう場合がある。導電膜１２６ｆに適用する材料は、被形成面との密着性が高い材料を適用することが好ましい。例えば、銀とパラジウムと銅の合金（ＡＰＣ）は無機材料を有する絶縁層との密着性が低く、当該絶縁層上に設けると膜剥がれが発生してしまう恐れがある。そこで、絶縁層２３９に無機材料を用いる場合は、導電膜１２６ｆの絶縁層２３９と接する側に絶縁層２３９との密着性が高い材料を適用することが好ましい。例えば、導電膜１２６ｆとして、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯ）と、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯ）上の銀とパラジウムと銅の合金（ＡＰＣ）の積層構造を好適に用いることができる。導電膜１２６ｆの絶縁層２３９と接する側の層をＩｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯ）とすることにより、絶縁層２３９に無機材料を用いる場合であっても導電膜１２６ｆの膜剥がれを抑制することができる。

　なお、絶縁層２３９を設けず、導電膜１２６ｆが絶縁層２３５、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、導電層１２４Ｂ、導電層１２４ｐ及び層１２８上に設けられる構成としてもよい。絶縁層２３５に有機材料を用いる場合、導電膜１２６ｆとして銀とパラジウムと銅の合金（ＡＰＣ）の単層構造を用いることができる。

　続いて、導電膜１２６ｆを加工し、導電層１２６Ｒ、導電層１２６Ｇ、導電層１２６Ｂ及び導電層１２６ｐを形成する（図２９Ａ）。導電膜１２６ｆの加工には、ウェットエッチング法及びドライエッチング法の一方または双方を用いればよい。

　続いて、導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、導電層１２９Ｂ、及び導電層１２９ｐを形成する。ここでは、導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂを積層構造とし、導電層１２９ｐを単層構造とする作製方法を示す。なお、本発明の一態様はこれに限られない。導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂを単層構造としてもよく、積層構造としてもよい。また、導電層１２９ｐを単層構造としてもよく、積層構造としてもよい。

　絶縁層２３９、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、導電層１２４Ｂ、導電層１２４ｐ、導電層１２６Ｒ、導電層１２６Ｇ、導電層１２６Ｂ、及び導電層１２６ｐを覆うように、導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂの一部となる導電膜１２９ａｆを形成する（図２９Ｂ）。

　続いて、導電膜１２９ａｆを加工し、導電層１２９ａＲ、導電層１２９ａＧ、及び導電層１２９ａＢを形成する（図３０Ａ）。導電膜１２９ａｆの加工には、ウェットエッチング法及びドライエッチング法の一方または双方を用いればよい。

　続いて、絶縁層２３９、導電層１２４Ｒ、導電層１２４Ｇ、導電層１２４Ｂ、導電層１２４ｐ、導電層１２６Ｒ、導電層１２６Ｇ、導電層１２６Ｂ、導電層１２９ａＲ、導電層１２９ａＧ、導電層１２９ａＢ、及び導電層１２６ｐを覆うように、導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂの一部、並びに導電層１２９ｐとなる導電膜１２９ｂｆを形成する（図３０Ｂ）。

　続いて、導電膜１２９ｂｆを加工し、導電層１２９ｂＲ、導電層１２９ｂＧ、導電層１２９ｂＢ、及び導電層１２９ｐを形成する（図３１Ａ）。導電膜１２９ｂｆの加工には、ウェットエッチング法及びドライエッチング法の一方または双方を用いればよい。

　これにより、導電層１２９ａＲと導電層１２９ｂＲの積層構造を有する導電層１２９Ｒ、導電層１２９ａＧと導電層１２９ｂＧの積層構造を有する導電層１２９Ｇ、導電層１２９ａＢと導電層１２９ｂＢの積層構造を有する導電層１２９Ｂを形成することができる。また、導電層１２９ｐの膜厚を、導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂの膜厚より薄くすることができる。これらの導電膜の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。

　続いて、画素電極の疎水化処理を行うことが好ましい。疎水化処理では、処理対象の表面を親水性から疎水性にすること、または、処理対象の表面の疎水性を高めることができる。画素電極の疎水化処理を行うことで、画素電極と、後の工程で形成される膜（ここでは膜１１３Ｒｆ）と、の密着性を高め、膜剥がれを抑制することができる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

　疎水化処理は、例えば画素電極へのフッ素修飾により行うことができる。フッ素修飾は例えば、フッ素を含むガスによる処理または加熱処理、フッ素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理等により行うことができる。フッ素を含むガスとして、例えばフッ素ガスを用いることができ、例えばフルオロカーボンガスを用いることができる。フルオロカーボンガスとして、例えば四フッ化炭素（ＣＦ_４）ガス、Ｃ_４Ｆ_６ガス、Ｃ_２Ｆ_６ガス、Ｃ_４Ｆ_８ガス、Ｃ_５Ｆ_８等の低級フッ化炭素ガスを用いることができる。また、フッ素を含むガスとして、例えばＳＦ_６ガス、ＮＦ_３ガス、ＣＨＦ_３ガス等を用いることができる。また、これらのガスに、ヘリウムガス、アルゴンガス、または水素ガス等を適宜添加することができる。

　画素電極の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シリル化剤を用いた処理を行うことで、画素電極の表面を疎水化することができる。シリル化剤として、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリメチルシリルイミダゾール（ＴＭＳＩ）等を用いることができる。さらに、画素電極の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シランカップリング剤を用いた処理を行うことでも、画素電極の表面を疎水化することができる。

　画素電極の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行うことにより、画素電極の表面に対してダメージを与えることができる。これにより、ＨＭＤＳ等のシリル化剤に含まれるメチル基が、画素電極の表面に結合しやすくなる。また、シランカップリング剤によるシランカップリングが発生しやすくなる。以上により、画素電極の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シリル化剤、またはシランカップリング剤を用いた処理を行うことで、画素電極の表面を疎水化することができる。

　シリル化剤、またはシランカップリング剤等を用いた処理は、例えばスピンコート法、またはディップ法等を用いてシリル化剤、またはシランカップリング剤等を塗布することにより行うことができる。また、シリル化剤、またはシランカップリング剤等を用いた処理は、例えば気相法を用いて、画素電極上等にシリル化剤を有する膜、またはシランカップリング剤を有する膜等を形成することにより行うことができる。気相法では、まず、シリル化剤を有する材料、またはシランカップリング剤を有する材料等を揮発させることにより、シリル化剤、またはシランカップリング剤等を雰囲気中に含ませる。続いて、当該雰囲気中に、画素電極等が形成されている基板をおく。これにより、画素電極上に、シリル化剤、またはシランカップリング剤等を有する膜を形成することができ、画素電極の表面を疎水化することができる。

〔層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、層１１３Ｂの形成〕
　続いて、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂを形成する。ここでは、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、層１１３Ｂの順に形成する方法を示すが、本発明の一態様はこれに限られない。例えば、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂが有する材料の耐熱性が高い順に形成することができる。最初に形成される層は、他の層が形成される工程も経るため、耐熱性が高いことが好ましい。耐熱性が低い材料を有する層を最後に形成することにより、工程中のダメージを少なくすることができる。

　層１１３Ｒとなる膜１１３Ｒｆを、画素電極１１１上に形成する。

　続いて、膜１１３Ｒｆ上、及び導電層１２３上に、マスク層１１８Ｒとなるマスク膜１１８Ｒｆと、マスク層１１９Ｒとなるマスク膜１１９Ｒｆと、を順に形成する。

　続いて、マスク膜１１９Ｒｆ上にレジストマスク１９０ａを形成する（図３１Ｂ）。

　図３１Ｂに示すように、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、導電層１２３上には、膜１１３Ｒｆを形成していない。例えば、エリアマスクを用いることで、膜１１３Ｒｆを所望の領域にのみ成膜することができる。エリアマスクを用いた成膜工程と、レジストマスクを用いた加工工程と、を採用することで、比較的簡単なプロセスにて発光デバイスを作製することができる。

　膜１１３Ｒｆに含まれる化合物の耐熱温度は、それぞれ、１００℃以上１８０℃以下であることが好ましく、１２０℃以上１８０℃以下が好ましく、１４０℃以上１８０℃以下がより好ましい。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、表示装置の作製工程においてかけられる温度の上限を高めることができる。したがって、表示装置に用いる材料及び形成方法の選択の幅を広げることができ、製造歩留まりの向上及び信頼性の向上が可能となる。

　膜１１３Ｒｆは、例えば、蒸着法、具体的には真空蒸着法により形成することができる。また、膜１１３Ｒｆは、転写法、印刷法、インクジェット法、または塗布法等の方法で形成してもよい。

　なお、本実施の形態では、マスク膜１１８Ｒｆとマスク膜１１９Ｒｆの２層構造でマスク膜を形成する例を示すが、マスク膜はマスク膜１１８Ｒｆまたはマスク膜１１９Ｒｆの単層構造であってもよく、３層以上の積層構造であってもよい。

　膜１１３Ｒｆ上にマスク層を設けることで、表示装置の作製工程中に膜１１３Ｒｆが受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　マスク膜１１８Ｒｆには、膜１１３Ｒｆの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、膜１１３Ｒｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。マスク膜１１９Ｒｆには、マスク膜１１８Ｒｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。

　マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆは、膜１１３Ｒｆの耐熱温度よりも低い温度で形成する。マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆを形成する際の基板温度はそれぞれ、２００℃以下が好ましく、さらには１５０℃以下が好ましく、さらには１２０℃以下が好ましく、さらには１００℃以下が好ましく、さらには８０℃以下が好ましい。

　耐熱温度の指標として、例えば、ガラス転移点、軟化点、融点、熱分解温度、及び、５％重量減少温度等が挙げられる。層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂの耐熱温度は、これら耐熱温度の指標となるいずれかの温度、好ましくはこれらのうち最も低い温度とすることができる。

　上述の通り、本発明の一態様の表示装置では、発光デバイスに耐熱性の高い材料を用いる。したがって、マスク膜を形成する際の基板温度を１００℃以上、１２０℃以上、または１４０℃以上とすることもできる。例えば、無機絶縁膜は、成膜時の温度が高いほど緻密でバリア性の高い膜とすることができる。したがって、このような温度でマスク膜を成膜することで、膜１１３Ｒｆが受けるダメージをより低減でき、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆには、ウェットエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆの加工時に、膜１１３Ｒｆに加わるダメージを低減することができる。

　マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆの形成には、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法（熱ＡＬＤ法、ＰＥＡＬＤ法）、ＣＶＤ法、真空蒸着法を用いることができる。また、前述の湿式の成膜方法を用いて形成してもよい。

　なお、膜１１３Ｒｆ上に接して形成されるマスク膜１１８Ｒｆは、マスク膜１１９Ｒｆよりも、膜１１３Ｒｆへのダメージが少ない形成方法を用いて形成されることが好ましい。例えば、スパッタリング法よりも、ＡＬＤ法または真空蒸着法を用いて、マスク膜１１８Ｒｆを形成することが好ましい。

　マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆはそれぞれ、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、有機絶縁膜、及び、無機絶縁膜等のうち一種または複数種を用いることができる。

　マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆには、それぞれ、例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀等の低融点材料を用いることが好ましい。マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆの一方または双方に紫外線を遮蔽することが可能な金属材料を用いることで、膜１１３Ｒｆに紫外線が照射されることを抑制でき、膜１１３Ｒｆの劣化を抑制できるため、好ましい。

　マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆの一方または双方に、金属膜または合金膜を用いることで、プラズマによるダメージが膜１１３Ｒｆに加わることを抑制でき、膜１１３Ｒｆの劣化を抑制できるため、好ましい。具体的には、ドライエッチング法を用いる工程、及び、アッシングを行う工程などで、プラズマによるダメージが膜１１３Ｒｆに加わることを抑制できる。特に、マスク膜１１９Ｒｆとして、タングステン膜などの金属膜または合金膜を用いることが好ましい。

　マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆには、それぞれ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、酸化インジウム、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、シリコンを含むインジウムスズ酸化物等の金属酸化物を用いることができる。

　なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いてもよい。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、またはイットリウムから選ばれた一種または複数種とすることが好ましい。

　マスク膜として、光、特に紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることができる。例えば、紫外線に対して反射性を有する膜、または紫外線を吸収する膜を用いることができる。遮光性を有する材料として、紫外線に対して遮光性のある金属、絶縁体、半導体、及び半金属など、様々な材料を用いることができるが、当該マスク膜の一部または全部は、後の工程で除去するため、エッチングによる加工が可能である膜であることが好ましく、特に加工性が良好であることが好ましい。

　例えば、半導体の製造プロセスと親和性の高い材料として、シリコンまたはゲルマニウムなどの半導体材料を用いることができる。または、上記半導体材料の酸化物または窒化物を用いることができる。または、炭素などの非金属材料、またはその化合物を用いることができる。または、チタン、タンタル、タングステン、クロム、アルミニウムなどの金属、またはこれらの一以上を含む合金が挙げられる。または、酸化チタンもしくは酸化クロムなどの上記金属を含む酸化物、または窒化チタン、窒化クロム、もしくは窒化タンタルなどの窒化物を用いることができる。

　マスク膜に、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることで、露光工程などでＥＬ層に紫外線が照射されることを抑制できる。ＥＬ層が紫外線によってダメージを受けることを抑制することで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　なお、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜は、後述する絶縁膜１２５ｆの材料として用いても、同様の効果を奏する。

　マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆはそれぞれ、保護層１３１に用いることができる各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べて膜１１３Ｒｆとの密着性が高く好ましい。例えば、マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆには、それぞれ、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコン等の無機絶縁材料を用いることができる。マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆとして、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することができる。ＡＬＤ法を用いることで、下地（特にＥＬ層）へのダメージを低減できるため好ましい。

　例えば、マスク膜１１８Ｒｆとして、ＡＬＤ法を用いて形成した無機絶縁膜（例えば、酸化アルミニウム膜）を用い、マスク膜１１９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜、シリコン膜、またはタングステン膜）を用いることができる。

　なお、マスク膜１１８Ｒｆと、後に形成する絶縁層１２５との双方に、同じ無機絶縁膜を用いることができる。例えば、マスク膜１１８Ｒｆと絶縁層１２５との双方に、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いることができる。ここで、マスク膜１１８Ｒｆと、絶縁層１２５とで、同じ成膜条件を適用してもよく、互いに異なる成膜条件を適用してもよい。例えば、マスク膜１１８Ｒｆを、絶縁層１２５と同様の条件で成膜することで、マスク膜１１８Ｒｆを、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い絶縁層とすることができる。一方で、マスク膜１１８Ｒｆは後の工程で大部分または全部を除去する層であるため、加工が容易であることが好ましい。そのため、マスク膜１１８Ｒｆは、絶縁層１２５と比べて、形成時の基板温度が低い条件で成膜することが好ましい。

　マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆの一方または双方に、有機材料を用いてもよい。例えば、有機材料として、少なくとも膜１１３Ｒｆの最上部に位置する膜に対して化学的に安定な溶媒に、溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水またはアルコールに溶解する材料を好適に用いることができる。このような材料の成膜の際には、水またはアルコール等の溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、膜１１３Ｒｆへの熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

　マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆには、それぞれ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、アルコール可溶性のポリアミド樹脂、または、パーフルオロポリマーなどのフッ素樹脂等の有機樹脂を用いてもよい。

　例えば、マスク膜１１８Ｒｆとして、蒸着法または上記湿式の成膜方法のいずれかを用いて形成した有機膜（例えば、ＰＶＡ膜）を用い、マスク膜１１９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、窒化シリコン膜）を用いることができる。

　なお、本発明の一態様の表示装置には、マスク膜の一部がマスク層として残存する場合がある。

　レジストマスク１９０ａは、画素電極１１１Ｒと重なる位置に設ける。レジストマスク１９０ａは、導電層１２３と重なる位置にも設けることが好ましい。これにより、導電層１２３が表示装置の作製工程中にダメージを受けることを抑制できる。なお、導電層１２３上にレジストマスク１９０ａを設けなくてもよい。

　続いて、レジストマスク１９０ａをマスクに用いて、マスク膜１１９Ｒｆの一部を除去し、マスク層１１９Ｒを形成する（図３２Ａ）。マスク層１１９Ｒは、画素電極１１１Ｒ上と、導電層１２３上と、に残存する。その後、レジストマスク１９０ａを除去する（図３２Ｂ）。続いて、マスク層１１９Ｒをマスク（ハードマスクともいう）に用いて、マスク膜１１８Ｒｆの一部を除去し、マスク層１１８Ｒを形成する。

　マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆは、それぞれ、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により加工することができる。マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。

　ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆの加工時に、膜１１３Ｒｆに加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ：Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ　ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）水溶液、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの２以上を含む混合溶液等を用いることが好ましい。

　マスク膜１１９Ｒｆの加工においては、膜１１３Ｒｆが露出しないため、マスク膜１１８Ｒｆの加工よりも、加工方法の選択の幅は広い。具体的には、マスク膜１１９Ｒｆの加工の際に、エッチングガスに酸素を含むガスを用いた場合でも、膜１１３Ｒｆの劣化をより抑制することができる。

　マスク膜１１８Ｒｆの加工においてドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、膜１１３Ｒｆの劣化を抑制することができる。ドライエッチング法を用いる場合、例えば、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ等の貴ガスを含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。

　例えば、マスク膜１１８Ｒｆとして、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いる場合、ＣＨＦ_３とＨｅ、または、ＣＨＦ_３とＨｅとＣＨ_４を用いて、ドライエッチング法によりマスク膜１１８Ｒｆを加工することができる。また、マスク膜１１９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を用いる場合、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法によりマスク膜１１９Ｒｆを加工することができる。または、ＣＨ_４とＡｒを用いて、ドライエッチング法により加工してもよい。または、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法によりマスク膜１１９Ｒｆを加工することができる。また、マスク膜１１９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成したタングステン膜を用いる場合、ＳＦ_６、ＣＦ_４とＯ_２、またはＣＦ_４とＣｌ_２とＯ_２を用いて、ドライエッチング法によりマスク膜１１９Ｒｆを加工することができる。

　レジストマスク１９０ａは、例えば、酸素プラズマを用いたアッシング等により除去することができる。または、酸素ガスと、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ等の貴ガスと、を用いてもよい。または、ウェットエッチングにより、レジストマスク１９０ａを除去してもよい。このとき、マスク層１１９Ｒが最表面に位置し、膜１１３Ｒｆは露出していないため、レジストマスク１９０ａの除去工程において、膜１１３Ｒｆにダメージが入ることを抑制することができる。また、レジストマスク１９０ａの除去方法の選択の幅を広げることができる。

　続いて、膜１１３Ｒｆを加工して、層１１３Ｒを形成する。例えば、マスク層１１９Ｒ及びマスク層１１８Ｒをハードマスクに用いて、膜１１３Ｒｆの一部を除去し、層１１３Ｒを形成する（図３３Ａ）。

　これにより、図３３Ａに示すように、画素電極１１１Ｒ上に、層１１３Ｒ、マスク層１１８Ｒ、及びマスク層１１９Ｒの積層構造が残存する。また、画素電極１１１Ｇ及び画素電極１１１Ｂは露出する。

　ここで、膜１１３Ｒｆを加工する際、画素電極１１１Ｇの表面及び画素電極１１１Ｂの表面は、エッチングガスまたはエッチング液に曝される。一方、画素電極１１１Ｒの表面はエッチングガスまたはエッチング液等に曝されない。このように、最初に形成する色の発光デバイスでは、画素電極の表面がエッチング工程によるダメージを受けず、画素電極とＥＬ層との界面の状態を良好に保つことができる。

　膜１１３Ｒｆの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。特に、異方性のドライエッチングが好ましい。または、ウェットエッチングを用いてもよい。

　ドライエッチング法により膜１１３Ｒｆを加工する際、露出している面はプラズマに曝される。マスク層１１８Ｒ及びマスク層１１９Ｒの一方または双方に、金属膜または合金膜を用いることで、膜１１３Ｒｆの層１１３Ｒとなる領域にプラズマによるダメージが加わることを抑制でき、層１１３Ｒの劣化を抑制できるため、好ましい。特に、マスク層１１９Ｒとして、タングステン膜などの金属膜または合金膜を用いることが好ましい。

　ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、膜１１３Ｒｆの劣化を抑制することができる。

　エッチングガスに酸素を含むガスを用いてもよい。エッチングガスが酸素を含むことで、エッチングの速度を速めることができる。したがって、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でエッチングを行うことができる。そのため、膜１１３Ｒｆに与えるダメージを抑制することができる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着等の不具合を抑制することができる。

　ドライエッチング法を用いる場合、例えば、Ｈ_２、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ、Ａｒ等の貴ガスのうち、一種以上を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。または、これらの一種以上と、酸素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。または、酸素ガスをエッチングガスに用いてもよい。具体的には、例えば、Ｈ_２とＡｒを含むガス、または、ＣＦ_４とＨｅを含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、ＣＦ_４、Ｈｅ、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、Ｈ_２とＡｒを含むガス、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。

　ドライエッチング装置として、高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置は、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置などを用いることができる。または、平行平板型電極を有する容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。平行平板型電極を有する容量結合型プラズマエッチング装置は、平行平板型電極の一方の電極に高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極の一方の電極に複数の異なった高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに同じ周波数の高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに周波数の異なる高周波電圧を印加する構成でもよい。

　図３３Ａは、層１１３Ｒの端部が画素電極１１１Ｒの端部よりも外側に位置する例を示す。このような構成とすることで、画素の開口率を高くすることができる。また、絶縁層２３９は、層１１３、マスク層１１８及びマスク層１１９を形成する際にエッチング保護膜して機能することができる。絶縁層２３５上に絶縁層２３９を設けることで、層１１３、マスク層１１８及びマスク層１１９を形成する際に絶縁層２３５の一部が除去されることを抑制できる。

　層１１３Ｒが画素電極１１１Ｒの上面及び側面を覆うことにより、画素電極１１１Ｒを露出させずに、以降の工程を行うことができる。画素電極１１１Ｒの端部が露出していると、エッチング工程などにおいて腐食が生じる場合がある。画素電極１１１Ｒの腐食により生じた生成物は不安定な場合があり、例えばウェットエッチングの場合には溶液中に溶解し、ドライエッチングの場合には、雰囲気中に飛散する懸念がある。生成物の溶液中への溶解、または、雰囲気中への飛散により、例えば、被処理面、及び、層１１３Ｂの側面などに生成物が付着し、発光デバイスの特性に悪影響を及ぼす、または、複数の発光デバイスの間にリークパスを形成する可能性がある。また、画素電極１１１Ｒの端部が露出している領域では、互いに接する層同士の密着性が低下し、層１１３Ｒまたは画素電極１１１Ｒの膜剥がれが生じやすくなる恐れがある。したがって、層１１３Ｒが画素電極１１１Ｒの上面及び側面を覆う構成とすることにより、例えば、発光デバイスの歩留まり及び特性を向上させることができる。

　層１１３Ｒが画素電極１１１Ｒの上面及び側面を覆うことにより、層１１３Ｒには、発光領域（画素電極１１１Ｒと共通電極１１５との間に位置する領域）の外側にダミー領域が設けられる。ここで、層１１３Ｒの端部は、膜１１３Ｒｆの加工時にダメージが加わることがある。また、層１１３Ｒの端部は、後の工程でもプラズマに曝されてダメージが加わることがある。層１１３Ｒの端部及びその近傍は、ダミー領域となり発光に用いられないため、ダメージが加わっても、発光デバイスの特性に悪影響を及ぼしにくい。一方で、層１１３Ｒの発光領域はマスク層によって覆われているため、プラズマに曝されず、プラズマによるダメージが十分に低減されている。マスク層は、層１１３Ｒの、画素電極１１１Ｒの上面と重なる平坦部の上面のみに限られず、画素電極１１１Ｒの上面の外側に位置する傾斜部及び平坦部の上面までを覆うように設けることが好ましい。このように、層１１３Ｒのうち、作製工程中のダメージが抑制された部分を発光領域として用いるため、発光効率が高く、長寿命の発光デバイスを実現することができる。

　接続部１４０に相当する領域では、導電層１２３上にマスク層１１８Ｒとマスク層１１９Ｒとの積層構造が残存する。

　以上のように、本発明の一態様では、マスク膜１１９Ｒｆ上にレジストマスク１９０ａを形成し、レジストマスク１９０ａを用いて、マスク膜１１９Ｒｆの一部を除去することにより、マスク層１１９Ｒを形成する。その後、マスク層１１９Ｒをハードマスクに用いて、膜１１３Ｒｆの一部を除去することにより、層１１３Ｒを形成する。よって、フォトリソグラフィ法を用いて膜１１３Ｒｆを加工することにより、層１１３Ｒが形成されるということができる。なお、レジストマスク１９０ａを用いて、膜１１３Ｒｆの一部を除去してもよい。その後、レジストマスク１９０ａを除去してもよい。

　次に、画素電極の疎水化処理を行うことが好ましい。膜１１３Ｒｆの加工時に、画素電極の表面状態が親水性に変化する場合がある。画素電極の疎水化処理を行うことで、画素電極と後の工程で形成される膜（ここでは膜１１３Ｇｆ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制することができる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

　続いて、層１１３Ｇとなる膜１１３Ｇｆを、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ上、及びマスク層１１９Ｒ上に形成する。

　続いて、膜１１３Ｇｆ上に、マスク層１１８Ｇとなるマスク膜１１８Ｇｆと、後にマスク層１１９Ｇとなるマスク膜１１９Ｇｆと、を順に形成し、その後、レジストマスク１９０ｂを形成する（図３３Ｂ）。レジストマスク１９０ｂは、画素電極１１１Ｇと重なる位置に設ける。

　続いて、レジストマスク１９０ｂを用いて、マスク膜１１９Ｇｆの一部を除去し、マスク層１１９Ｇを形成する。続いて、マスク層１１９Ｇをマスクに用いて、マスク膜１１８Ｇｆの一部を除去し、マスク層１１８Ｇを形成する。続いて、膜１１３Ｇｆを加工して、層１１３Ｇを形成する（図３４Ａ）。これにより画素電極１１１Ｇ上に、層１１３Ｇ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１９Ｇの積層構造が残存する。また、マスク層１１９Ｒ及び画素電極１１１Ｂが露出する。層１１３Ｇの形成については、層１１３Ｒに係る記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　次に、画素電極の疎水化処理を行うことが好ましい。画素電極の疎水化処理を行うことで、画素電極と後の工程で形成される膜（ここでは膜１１３Ｂｆ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制することができる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

　続いて、層１１３Ｂとなる膜１１３Ｂｆを、画素電極１１１Ｂ上、マスク層１１９Ｒ、及びマスク層１１９Ｇ上に形成する。

　続いて、膜１１３Ｂｆ上に、マスク層１１８Ｂとなるマスク膜１１８Ｂｆと、マスク層１１９Ｂとなるマスク膜１１９Ｂｆと、を順に形成し、その後、レジストマスク１９０ｃを形成する（図３４Ｂ）。レジストマスク１９０ｃは、画素電極１１１Ｂと重なる位置に設ける。

　続いて、レジストマスク１９０ｃをマスクに用いて、マスク膜１１９Ｂｆの一部を除去し、マスク層１１９Ｂを形成する。続いて、マスク層１１９Ｂをマスクに用いて、マスク膜１１８Ｂｆの一部を除去し、マスク層１１８Ｂを形成する。続いて、膜１１３Ｂｆを加工して、層１１３Ｂを形成する（図３５Ａ）。これにより、画素電極１１１Ｂ上に、層１１３Ｂ、マスク層１１８Ｂ、及びマスク層１１９Ｂの積層構造が残存する。また、マスク層１１９Ｒ、及びマスク層１１９Ｇは露出する。層１１３Ｂの形成については、層１１３Ｒに係る記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、層１１３Ｂの側面はそれぞれ、被形成面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。例えば、被形成面とこれらの側面との成す角度を６０度以上９０度以下とすることが好ましい。

　上記のように、フォトリソグラフィ法を用いて形成した層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのうち隣接する２つの間の距離は、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。ここで、当該距離とは、例えば、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒのうち、隣接する２つの対向する端部の間の距離で規定することができる。このように、島状のＥＬ層の間の距離を狭めることで、高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を提供することができる。

　続いて、マスク層１１９Ｂ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｒを除去してもよい。例えば、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂが、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む場合は、除去せずに残存させることで島状のＥＬ層を紫外線から保護することができ、好ましい。

　マスク層を除去する場合は、マスク層の加工工程と同様の方法を用いることができる。特に、ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク層を除去する際に、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂに加わるダメージを低減することができる。

　マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂに金属膜または合金膜を用いることで、ＥＬ層にプラズマによるダメージが加わることを抑制できる。したがって、発光デバイスの作製工程においてドライエッチング法を用いることができる。

　マスク層を、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させることで除去してもよい。アルコールとして、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはグリセリンなどが挙げられる。

　マスク層を除去した後に、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂに含まれる水、及び層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂ表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行ってもよい。例えば、窒素雰囲気などの不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理の際の基板温度は、５０℃以上２００℃以下が好ましく、さらには６０℃以上１５０℃以下が好ましく、さらには７０℃以上１２０℃以下が好ましい。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。

〔絶縁層１２５、絶縁層１２７の形成〕
　続いて、絶縁層２３９、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、層１１３Ｂ、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、マスク層１１８Ｂ、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、マスク層１１９Ｂ、及び導電層１２３を覆うように、絶縁層１２５となる絶縁膜１２５ｆを形成する（図３５Ｂ）。

　この後、絶縁膜１２５ｆの上面に接して、絶縁層１２７となる絶縁膜１２７ｆが形成される。そのため、絶縁膜１２５ｆの上面は、当該絶縁膜１２７ｆに用いる樹脂組成物（例えば、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物）に対する密着性が高いことが好ましい。密着性を向上させるため、表面処理を行って絶縁膜１２５ｆの上面を疎水化すること（または疎水性を高めること）が好ましい。例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）などのシリル化剤を用いて処理を行うことが好ましい。このように絶縁膜１２５ｆの上面を疎水化することにより、絶縁層１２７となる絶縁膜１２７ｆを密着性高く形成することができる。なお、表面処理として、前述の疎水化処理を行ってもよい。

　続いて、絶縁膜１２５ｆ上に絶縁層１２７となる絶縁膜１２７ｆを形成する（図３６Ａ）。

　絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆは、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂへのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。特に、絶縁膜１２５ｆは、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂの側面に接して形成されるため、絶縁膜１２７ｆよりも、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂへのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。

　絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆはそれぞれ、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂの耐熱温度よりも低い温度で形成する。また、絶縁膜１２５ｆは成膜する際の基板温度を高くすることで、膜厚が薄くても、不純物濃度が低く、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い膜とすることができる。

　絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆを形成する際の基板温度は、それぞれ、６０℃以上、８０℃以上、１００℃以上、または、１２０℃以上、かつ、２００℃以下、１８０℃以下、１６０℃以下、１５０℃以下、または１４０℃以下であることが好ましい。

　上述の通り、本発明の一態様の表示装置では、発光デバイスに耐熱性の高い材料を用いる。したがって、絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆを形成する際の基板温度を、それぞれ、１００℃以上、１２０℃以上、または１４０℃以上とすることもできる。例えば、無機絶縁膜は、成膜時の温度が高いほど緻密でバリア性の高い膜とすることができる。したがって、このような温度で絶縁膜１２５ｆを成膜することで、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒが受けるダメージをより低減でき、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　絶縁膜１２５ｆとして、上記の基板温度の範囲で、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、または、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、または、５０ｎｍ以下の厚さの絶縁膜を形成することが好ましい。

　絶縁膜１２５ｆは、例えば、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、絶縁膜１２５ｆの被形成面への成膜ダメージを小さくすることができ、また、絶縁膜１２５ｆの被覆性を高めることができる。絶縁膜１２５ｆは、例えば、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜を好適に用いることができる。

　そのほか、絶縁膜１２５ｆは、ＡＬＤ法よりも成膜速度が速いスパッタリング法、ＣＶＤ法、または、ＰＥＣＶＤ法を用いて形成してもよい。これにより、信頼性の高い表示装置を生産性高く作製することができる。

　絶縁膜１２７ｆは、前述の湿式の成膜方法を用いて形成することが好ましい。絶縁膜１２７ｆは、例えば、スピンコートにより、感光性の樹脂を用いて形成することが好ましく、より具体的には、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。

　絶縁膜１２７ｆの形成後に加熱処理（プリベークともいう）を行うことが好ましい。当該加熱処理は、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂの耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度は、５０℃以上２００℃以下が好ましく、さらには６０℃以上１５０℃以下が好ましく、さらには７０℃以上１２０℃以下が好ましい。これにより、絶縁膜１２７ｆ中に含まれる溶媒を除去することができる。

　続いて、絶縁膜１２７ｆの一部の領域を露光する。ここで、露光量を調整することにより、絶縁層１２７の形状を制御することができる。絶縁層１２７が画素電極の１１１の上面と重なる部分を有するように加工することが好ましい。

　続いて、現像を行い、絶縁膜１２７ｆの露光させた領域を除去し、絶縁層１２７を形成する（図３６Ｂ）。絶縁層１２７は、隣り合う画素電極１１１の間の領域と、導電層１２３を囲う領域に設けられる。例えば、絶縁膜１２７ｆにアクリル樹脂を用いる場合、現像液として、アルカリ性の溶液を用いることが好ましく、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いることができる。

　ここでは、絶縁膜１２７ｆにポジ型の感光性の樹脂を用いる例を示したが、本発明はこれに限られない。例えば、絶縁膜１２７ｆにネガ型の感光性の樹脂を用いてもよい。

　続いて、加熱処理（ポストベークともいう）を行ってもよい。加熱処理を行うことで、絶縁層１２７の側面を変形させることができる。具体的には、絶縁層１２７のテーパ角を小さくすることができる。当該加熱処理は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度は、５０℃以上２００℃以下が好ましく、さらには６０℃以上１５０℃以下が好ましく、さらには７０℃以上１３０℃以下が好ましい。加熱雰囲気は、大気雰囲気であってもよく、不活性ガス雰囲気であってもよい。また、加熱雰囲気は、大気圧雰囲気であってもよく、減圧雰囲気であってもよい。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。本工程の加熱処理は、絶縁膜１２７ｆの形成後の加熱処理（プリベーク）よりも、基板温度を高くすることが好ましい。これにより、絶縁層１２７と絶縁層１２５との密着性を向上させ、絶縁層１２７の耐食性も向上させることができる。

　なお、絶縁層１２７の材料、並びに、ポストベークの温度、時間、及び雰囲気によっては、絶縁層１２７の側面に凹曲面形状が形成される場合がある。例えば、ポストベークの条件で、温度が高い、または、時間が長いほど、絶縁層１２７の形状が変化しやすく、凹曲面形状が形成される場合がある。また、前述の通り、現像後の絶縁層１２７に露光を行わない場合には、ポストベーク時に、絶縁層１２７の形状が変化しやすいことがある。

　続いて、絶縁層１２７をマスクに用いて、絶縁膜１２５ｆ、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、マスク層１１９Ｂ、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂの一部を除去する。これにより絶縁層１２５が形成されるとともに、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、マスク層１１９Ｂ、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂそれぞれに開口が形成され、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、層１１３Ｂ、及び導電層１２３の上面の一部が露出する（図３７Ａ）。

　絶縁膜１２５ｆ、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、マスク層１１９Ｂ、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂの加工には、ウェットエッチング法及びドライエッチング法の一方または双方を用いればよい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒに加わるダメージを低減することができる。例えば、酸化アルミニウム膜のウェットエッチングには、アルカリ溶液である水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いることが好ましい。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜のウェットエッチングには、リン酸、またはリン酸を含むエッチャントを用いることが好ましい。

　ドライエッチング法を用いる場合、塩素系のガスを用いることが好ましい。塩素系ガスとして、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、及びＣＣｌ_４などを、単独または２以上のガスを混合して用いることができる。また、上記塩素系ガスに、酸素ガス、水素ガス、ヘリウムガス、及びアルゴンガスなどを、単独または２以上のガスを混合することができる。

　上記のように、絶縁層１２７、絶縁層１２５、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、マスク層１１８Ｂ、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂを設けることにより、各発光デバイス間において、共通層１１４及び共通電極１１５に、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。これにより、本発明の一態様の表示装置は、表示品位を向上させることができる。

　層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒの一部を露出した後、さらに加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理により、ＥＬ層に含まれる水、及びＥＬ層表面に吸着する水などを除去することができる。また、当該加熱処理により、絶縁層１２７の形状が変化することがある。具体的には、絶縁層１２７が、絶縁層１２５、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、マスク層１１８Ｂ、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂの端部のうち、少なくとも一つを覆うように広がる場合がある（図１６Ｂ参照）。さらに、絶縁層１２７が、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂの上面のうち、少なくとも一つを覆うように広がることがある（図１７Ａ及び図１７Ｂ参照）。例えば、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理の際の基板温度は、５０℃以上２００℃以下が好ましく、さらには６０℃以上１５０℃以下が好ましく、さらには７０℃以上１２０℃以下が好ましい。減圧雰囲気とすることで、より低温で脱水が可能であるため好ましい。ただし、上記の加熱処理は、ＥＬ層の耐熱温度も考慮して温度範囲を適宜設定することが好ましい。なお、ＥＬ層の耐熱温度を考慮した場合、上記温度範囲のなかでも特に７０℃以上１２０℃以下の温度が好適である。

　ここで、ポストベーク後に、一括で絶縁層１２５とマスク層のエッチング処理を行うと、サイドエッチングにより、絶縁層１２７の端部の下の絶縁層１２５及びマスク層が消失し、空洞が形成される場合がある。当該空洞によって、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面に凹凸が生じ、共通層１１４及び共通電極１１５に段切れが生じやすくなる。そこで、絶縁層１２５とマスク層のエッチング処理を、ポストベークの前と後に分けて行うことが好ましい。

　続いて、絶縁層１２７、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂ上に、共通層１１４、共通電極１１５、及び保護層１３１を形成する（図３７Ｂ）。

　共通層１１４は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　共通電極１１５の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。または、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。

　保護層１３１の成膜方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、及び、ＡＬＤ法等が挙げられる。

　続いて、基板１２０を用意し、基板１２０上に遮光層１１７を形成する。次に、保護層１３１上に、樹脂層１２２を用いて、基板１２０及び遮光層１１７を貼り合わせることで、表示装置を作製することができる（図１９）。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂとなる膜を一面に成膜し、当該膜を加工することにより島状の層１１３Ｒ、島状の層１１３Ｇ、及び島状の層１１３Ｂを形成するため、島状の層を均一の厚さで形成することができる。そして、高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。また、精細度または開口率が高く、副画素間の距離が極めて短くても、隣接する副画素において、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂが互いに接することを抑制できる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。これにより、クロストークに起因した意図しない発光を防ぐことができ、コントラストの高い表示装置を実現できる。

　隣り合う島状のＥＬ層の間に、端部にテーパ形状を有する絶縁層１２７を設けることで、共通電極１１５の形成時に段切れが生じることを抑制し、また、共通電極１１５に局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを防ぐことができる。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５において、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。したがって、本発明の一態様の表示装置は、高精細化と高い表示品位の両立が可能となる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図３８及び図３９を用いて説明する。

［画素のレイアウト］
　本実施の形態では、主に、図１とは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列として、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。

　本実施の形態で図に示す副画素の上面形状は、発光領域（または受光領域）の上面形状に相当する。

　なお、副画素の上面形状として、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。

　副画素を構成する回路レイアウトは、図に示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。

　図３８Ａに示す画素１１０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図３８Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの３種類の副画素で構成される。

　図３８Ｂに示す画素１１０は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１１０ａと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する副画素１１０ｃと、を有する。また、副画素１１０ｂは、副画素１１０ａよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。

　図３８Ｃに示す画素１１０Ａ、及び画素１１０Ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図３８Ｃでは、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｂを有する画素１１０Ａと、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃを有する画素１１０Ｂと、が交互に配置されている例を示す。

　図３８Ｄ乃至図３８Ｆに示す画素１１０Ａ、及び画素１１０Ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１１０Ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、及び副画素１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有する。画素１１０Ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、及び副画素１１０ｂ）を有する。

　図３８Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図３８Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例であり、図３８Ｆは、各副画素が、角が丸い略六角形の上面形状を有する例である。

　図３８Ｆでは、各副画素が、最密に配列した六角形の領域の内側に配置されている。各副画素は、その１つの副画素に着目したとき、６つの副画素に囲まれるように、配置されている。また、同じ色の光を呈する副画素が隣り合わないように設けられている。例えば、副画素１１０ａに着目したとき、これを囲むように３つの副画素１１０ｂと３つの副画素１１０ｃが、交互に配置されるように、それぞれの副画素が設けられている。

　図３８Ｇは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、行方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０ａと副画素１１０ｂ、または、副画素１１０ｂと副画素１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。

　図３８Ａ乃至図３８Ｇに示す各画素において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。なお、副画素の構成はこれに限定されず、副画素が呈する色とその並び順は適宜決定することができる。例えば、副画素１１０ｂを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ａを緑色の光を呈する副画素Ｇとしてもよい。

　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

　さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

　なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

　図３９Ａ乃至図３９Ｉに示すように、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。

　図３９Ａ乃至図３９Ｃに示す画素１１０は、ストライプ配列が適用されている。

　図３９Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図３９Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図３９Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。

　図３９Ｄ乃至図３９Ｆに示す画素１１０は、マトリクス配列が適用されている。

　図３９Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図３９Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図３９Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

　図３９Ｇ及び図３９Ｈでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。

　図３９Ｇに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　図３９Ｈに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０ｄを有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄを有する。図３９Ｈに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じうるゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供することができる。

　図３９Ｉでは、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。

　図３９Ｉに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、副画素１１０ａを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０ｂを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０ｃを有し、下の行（３行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、及び副画素１１０ｂを有し、右の列（２列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この２列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　図３９Ａ乃至図３９Ｉに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄの４つの副画素で構成される。

　副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄは、それぞれ発光色の異なる発光デバイスを有する構成とすることができる。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄとして、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、または、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の副画素などが挙げられる。

　図３９Ａ乃至図３９Ｉに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとし、副画素１１０ｄを白色の光を呈する副画素Ｗ、黄色の光を呈する副画素Ｙ、または近赤外光を呈する副画素ＩＲのいずれかとすることが好ましい。このような構成とする場合、図３９Ｇ及び図３９Ｈに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図３９Ｉに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

　画素１１０は、受光デバイスを有する副画素を有してもよい。

　図３９Ａ乃至図３９Ｉに示す各画素１１０において、副画素１１０ａ乃至副画素１１０ｄのいずれか一つを、受光デバイスを有する副画素としてもよい。

　図３９Ａ乃至図３９Ｉに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとし、副画素１１０ｄを、受光デバイスを有する副画素Ｓとすることが好ましい。このような構成とする場合、図３９Ｇ及び図３９Ｈに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図３９Ｉに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

　受光デバイスを有する副画素Ｓが検出する光の波長は特に限定されない。副画素Ｓは、可視光及び赤外光の一方または双方を検出する構成とすることができる。

　図３９Ｊ及び図３９Ｋに示すように、画素は副画素を５種類有する構成とすることができる。

　図３９Ｊでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。

　図３９Ｊに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ｄ、１１０ｅ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、２列目から３列目にわたって、副画素１１０ｅを有する。

　図３９Ｋでは、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。

　図３９Ｋに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、副画素１１０ａを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０ｂを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０ｃを有し、下の行（３行目）に、２つの副画素（副画素１１０ｄ、１１０ｅ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｄを有し、右の列（２列目）に副画素１１０ｃ、１１０ｅを有する。

　図３９Ｊ及び図３９Ｋに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。このような構成とする場合、図３９Ｊに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図３９Ｋに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

　図３９Ｊ及び図３９Ｋに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ｄと副画素１１０ｅのうち、少なくとも一方に、受光デバイスを有する副画素Ｓを適用することが好ましい。副画素１１０ｄと副画素１１０ｅの両方に受光デバイスを用いる場合、受光デバイスの構成が互いに異なっていてもよい。例えば、互いに検出する光の波長域が少なくとも一部が異なっていてもよい。具体的には、副画素１１０ｄと副画素１１０ｅのうち、一方は主に可視光を検出する受光デバイスを有し、他方は主に赤外光を検出する受光デバイスを有してもよい。

　図３９Ｊ及び図３９Ｋに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ｄと副画素１１０ｅのうち、一方に、受光デバイスを有する副画素Ｓを適用し、他方に、光源として用いることが可能な発光デバイスを有する副画素を適用することが好ましい。例えば、副画素１１０ｄと副画素１１０ｅのうち、一方は赤外光を呈する副画素ＩＲとし、他方は赤外光を検出する受光デバイスを有する副画素Ｓとすることが好ましい。

　副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ、ＩＲ、Ｓを有する画素では、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂを用いて画像を表示しながら、副画素ＩＲを光源として用いて、副画素Ｓにて副画素ＩＲが発する赤外光の反射光を検出することができる。

　以上のように、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスを有する副画素からなる構成の画素について、様々なレイアウトを適用することができる。また、本発明の一態様の表示装置は、画素に発光デバイスと受光デバイスとの双方を有する構成を適用することができる。この場合においても、様々なレイアウトを適用することができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、説明する。

　本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）などのＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

　本実施の形態の表示装置は、高解像度の表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示装置１００Ａ］
　図４０に、表示装置１００Ａの斜視図を示し、図４１に、表示装置１００Ａの断面図を示す。

　表示装置１００Ａは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図４０では、基板１５２を破線で示している。

　表示装置１００Ａは、表示部１６２、接続部１４０、回路１６４、配線１６５等を有する。図４０では表示装置１００ＡにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図４０に示す構成は、表示装置１００Ａと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。

　接続部１４０は、表示部１６２の外側に設けられる。接続部１４０は、表示部１６２の一辺または複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図４０では、表示部の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給することができる。

　回路１６４として、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

　配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ１７２を介して外部から配線１６５に入力される、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。

　図４０では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ａ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

　図４１に、表示装置１００Ａの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

　図４１に示す表示装置１００Ａは、基板１５１と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂ等を有する。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂそれぞれの上面の一部及び側面は、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７によって覆われている。層１１３Ｒと絶縁層１２５との間にはマスク層１１８Ｒ及びマスク層１１９Ｒが位置する。また、層１１３Ｇと絶縁層１２５との間にはマスク層１１８Ｇ及びマスク層１１９Ｇが位置し、層１１３Ｂと絶縁層１２５との間にはマスク層１１８Ｂ及びマスク層１１９Ｂが位置する。層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、層１１３Ｒ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上に、共通層１１４が設けられ、共通層１１４上に共通電極１１５が設けられている。共通層１１４及び共通電極１１５は、それぞれ、複数の発光デバイスに共通して設けられるひと続きの膜である。

　発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。基板１５２には、遮光層１１７が設けられている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図４１では、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

　保護層１３１は、少なくとも表示部１６２に設けられており、表示部１６２全体を覆うように設けられていることが好ましい。保護層１３１は、表示部１６２だけでなく、接続部１４０及び回路１６４を覆うように設けられていることが好ましい。また、保護層１３１は、表示装置１００Ａの端部にまで設けられていることが好ましい。一方で、接続部２０４には、ＦＰＣ１７２と導電層１６６とを電気的に接続させるため、保護層１３１が設けられていない部分が生じる。

　基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ及び導電層１２３と同じ工程で形成することができる。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

　例えば、保護層１３１を表示装置１００Ａの一面全体に成膜した後、マスクを用いて保護層１３１の導電層１６６と重なる領域を除去することで、導電層１６６を露出させることができる。

　導電層１６６上に、少なくとも１層の有機層と導電層との積層構造を設け、当該積層構造上に、保護層１３１を設けてもよい。そして、当該積層構造に対して、レーザ、または、鋭利な刃物（例えば針またはカッター）を用いて、剥離の起点（剥離のきっかけとなる部分）を形成し、当該積層構造及びその上の保護層１３１を選択的に除去し、導電層１６６を露出させてもよい。例えば、粘着性のローラーを基板１５１に押し付け、ローラーを回転させながら相対的に移動させることで、保護層１３１を選択的に除去することができる。または、粘着性のテープを基板１５１に貼り付け、剥してもよい。有機層と導電層の密着性、または、有機層同士の密着性が低いため、有機層と導電層の界面、または、有機層中で分離が生じる。これにより、保護層１３１の導電層１６６と重なる領域を選択的に除去することができる。なお、導電層１６６上に有機層等が残存した場合は、有機溶剤等により除去することができる。

　有機層として、例えば、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒのいずれかに用いる少なくとも１層の有機層（発光層、キャリアブロック層、キャリア輸送層、またはキャリア注入層として機能する層）を用いることができる。有機層は、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒのいずれかの成膜時に同時に形成してもよく、別途設けてもよい。導電層は、共通電極１１５と同一工程及び同一材料で形成することができる。例えば、共通電極１１５及び導電層として、ＩＴＯ膜を形成することが好ましい。なお、共通電極１１５に積層構造を用いる場合、導電層として、共通電極１１５を構成する層のうち、少なくとも１層を設ける。

　導電層１６６上に保護層１３１が成膜されないように、導電層１６６の上面をマスクで覆ってもよい。マスクは、例えば、メタルマスク（エリアメタルマスク）を用いてもよく、粘着性または吸着性を有するテープまたはフィルムを用いてもよい。当該マスクを配置した状態で保護層１３１を形成し、その後、マスクを取り除くことで、保護層１３１を形成した後でも、導電層１６６が露出した状態を保つことができる。

　このような方法を用いて、接続部２０４に保護層１３１が設けられていない領域を形成し、当該領域において、導電層１６６とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

　接続部１４０においては、絶縁層２３５上に導電層１２３が設けられている。導電層１２３は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂと同じ工程で形成することができる。または、導電層１２３は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂを形成する工程の一部と同じ工程で形成することができる。導電層１２３の端部は、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１９Ｒ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７によって覆われている。また、導電層１２３上には共通層１１４が設けられ、共通層１１４上には共通電極１１５が設けられている。導電層１２３と共通電極１１５は共通層１１４を介して電気的に接続される。なお、接続部１４０には、共通層１１４が形成されていなくてもよい。この場合、導電層１２３と共通電極１１５とが直接接して電気的に接続される。

　表示装置１００Ａは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１１５）は可視光を透過する材料を含む。

　回路１６４が有するトランジスタ（例えば、トランジスタ２０１）と、表示部１６２が有するトランジスタ（例えば、トランジスタ２０５Ｒ）は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。例えば、実施の形態１に示したトランジスタを好適に用いることができる。

　回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

　表示部１６２が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。

　例えば、表示部１６２にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタにＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタ等にＬＴＰＳトランジスタを適用することがより好ましい。

　例えば、表示部１６２が有するトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタとも呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。

　一方、表示部１６２が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

　このように本発明の一態様の表示装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。

　なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光デバイスを有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光デバイス間に流れうるリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流ともいう）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像の鋭さ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一または複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光デバイス間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れ（いわゆる黒浮き）などが限りなく少ない表示とすることができる。

　特に、ＭＭＬ構造の発光デバイスの中でも、先に示すＳＢＳ構造を適用することで、発光デバイスの間に設けられる層（例えば、発光デバイスの間で共通して用いる有機層、共通層ともいう）が分断された構成となるため、サイドリークをなくす、またはサイドリークを極めて少なくすることができる。

　基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。遮光層１１７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、及び、回路１６４などに設けることができる。また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。

　基板１５１及び基板１５２はそれぞれ、基板１２０に用いることができる材料を用いることができる。

　接着層１４２は、樹脂層１２２に用いることができる材料を用いることができる。

　接続層２４２は、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

［表示装置１００Ｂ］
　図４２に示す表示装置１００Ｂは、ボトムエミッション型の表示装置である点で、表示装置１００Ａと主に相違する。

　発光デバイスが発する光は、基板１５１側に射出される。基板１５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板１５２に用いる材料の透光性は問わない。

　基板１５１とトランジスタ２０１との間、基板１５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層１１７を形成することが好ましい。図４２では、基板１５１上に遮光層１１７が設けられ、遮光層１１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、２０５などが設けられている例を示す。

　画素電極１１１を構成する層はそれぞれ、可視光に対する透過性が高い材料を用いる。共通電極１１５には可視光を反射する材料を用いることが好ましい。

［表示装置１００Ｃ］
　図４３に示す表示装置１００Ｃは、受光デバイス１５０を有する点で、表示装置１００Ａと主に相違する。

　受光デバイス１５０は、画素電極１１１Ｓと、層１１３Ｓと、共通層１１４と、共通電極１１５と、を有する。層１１３Ｓは、少なくとも活性層を有する。画素電極１１１Ｓは、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂと同じ工程で形成することができる。

　画素電極１１１Ｓは、絶縁層２２５、絶縁層２１８、絶縁層２３５及び絶縁層２３９に設けられる開口を介して、トランジスタ２０５Ｓが有する導電層２２２ｂと接続されている。

　画素電極１１１Ｓの上面及び側面は、層１１３Ｓによって覆われている。

　層１１３Ｓの上面の一部及び側面は、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７によって覆われている。層１１３Ｓと絶縁層１２５との間にはマスク層１１８Ｓ及びマスク層１１９Ｓが位置する。層１１３Ｓ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上に、共通層１１４が設けられ、共通層１１４上に共通電極１１５が設けられている。共通層１１４は、受光デバイスと発光デバイスに共通して設けられるひと続きの膜である。

　表示装置１００Ｃは、例えば、実施の形態３で説明した、図３９Ａ乃至図３９Ｋに示す画素レイアウトを適用することができる。また、受光デバイスを有する表示装置の詳細については、実施の形態１及び実施の形態６を参照することができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光デバイスについて説明する。

　図４４Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に、ＥＬ層７６３を有する。ＥＬ層７６３は、層７８０、発光層７７１、及び、層７９０などの複数の層で構成することができる。

　発光層７７１は、少なくとも発光物質（発光材料ともいう）を有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０は、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）、及び、電子ブロック性の高い物質を含む層（電子ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０は、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）、及び、正孔ブロック性の高い物質を含む層（正孔ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０と層７９０は互いに上記と逆の構成になる。

　一対の電極間に設けられた層７８０、発光層７７１、及び層７９０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図４４Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

　図４４Ｂは、図４４Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７６３の変形例である。具体的には、図４４Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７６１上の層７８１と、層７８１上の層７８２と、層７８２上の発光層７７１と、発光層７７１上の層７９１と、層７９１上の層７９２と、層７９２上の上部電極７６２と、を有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８１を正孔注入層、層７８２を正孔輸送層、層７９１を電子輸送層、層７９２を電子注入層とすることができる。また、下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８１を電子注入層、層７８２を電子輸送層、層７９１を正孔輸送層、層７９２を正孔注入層とすることができる。このような層構造とすることで、発光層７７１に効率よくキャリアを注入し、発光層７７１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることができる。

　なお、図４４Ｃ及び図４４Ｄに示すように、層７８０と層７９０との間に複数の発光層（発光層７７１、７７２、７７３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。なお、図４４Ｃ及び図４４Ｄでは、発光層を３層有する例を示すが、シングル構造の発光デバイスにおける発光層は、２層であってもよく、４層以上であってもよい。また、シングル構造の発光デバイスは、２つの発光層の間に、バッファ層を有してもよい。バッファ層として、例えば、キャリア輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）を用いることができる。

　図４４Ｅ及び図４４Ｆに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５（中間層ともいう）を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を小さくできるため、信頼性を高めることができる。

　なお、図４４Ｄ及び図４４Ｆは、表示装置が、発光デバイスと重なる層７６４を有する例である。図４４Ｄは、層７６４が、図４４Ｃに示す発光デバイスと重なる例であり、図４４Ｆは、層７６４が、図４４Ｅに示す発光デバイスと重なる例である。図４４Ｄ及び図４４Ｆでは、上部電極７６２側に光を取り出すため、上部電極７６２には、可視光を透過する導電膜を用いる。

　層７６４は、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方または双方を用いることができる。

　図４４Ｃ及び図４４Ｄにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。例えば、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素においては、図４４Ｄに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。また、層７６４は、色変換層と着色層との双方を用いることが好ましい。発光デバイスが発する光の一部は、色変換層で変換されずにそのまま透過してしまうことがある。色変換層を透過した光を、着色層を介して取り出すことで、所望の色の光以外を着色層で吸収し、副画素が呈する光の色純度を高めることができる。

　図４４Ｃ及び図４４Ｄにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、それぞれ発光色の異なる発光物質を用いてもよい。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３のそれぞれ発する光が混合することにより、白色発光が得られる構成とすることができる。例えば、シングル構造の発光デバイスは、青色の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色よりも長波長の可視光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。

　図４４Ｄに示す層７６４として、カラーフィルタを設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

　例えば、シングル構造の発光デバイスが３層の発光層を有する場合、赤色（Ｒ）の光を発する発光物質を有する発光層、緑色（Ｇ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。発光層の積層順は、陽極側からＲ、Ｇ、Ｂ、または、陽極側からＲ、Ｂ、Ｇなどとすることができる。このとき、ＲとＧまたはＢとの間にバッファ層が設けられていてもよい。

　例えば、シングル構造の発光デバイスが２層の発光層を有する場合、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、黄色（Ｙ）の光を発する発光物質を有する発光層を有する構成が好ましい。当該構成をＢＹシングル構造と呼称する場合がある。

　白色の光を発する発光デバイスは、２種類以上の発光物質を含むことが好ましい。それぞれの発光物質の発する光が混合することにより白色となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様に、それぞれの発光層の発する光が混合することにより、白色発光する発光デバイスとすることができる。

　なお、図４４Ｃ、図４４Ｄにおいても、図４４Ｂに示すように、層７８０と、層７９０とを、それぞれ独立に、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

　図４４Ｅ及び図４４Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。例えば、各色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素においては、図４４Ｆに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。また、層７６４は、色変換層と着色層との双方を用いることが好ましい。

　各色の光を呈する副画素に、図４４Ｅまたは図４４Ｆに示す構成の発光デバイスを用いる場合、副画素によって、異なる発光物質を用いてもよい。具体的には、赤色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ赤色の光を発する発光物質を用いてもよい。同様に、緑色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ緑色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。このような構成の表示装置は、タンデム構造の発光デバイスが適用されており、かつ、ＳＢＳ構造であるといえる。そのため、タンデム構造のメリットと、ＳＢＳ構造のメリットの両方を併せ持つことができる。これにより、高輝度発光が可能であり、信頼性の高い発光デバイスを実現することができる。

　図４４Ｅ及び図４４Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、発光色の異なる発光物質を用いてもよい。発光層７７１が発する光と、発光層７７２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図４４Ｆに示す層７６４として、カラーフィルタを設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

　なお、図４４Ｅ及び図４４Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａが１層の発光層７７１を有し、発光ユニット７６３ｂが１層の発光層７７２を有する例を示すが、これに限られない。発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂは、それぞれ、２層以上の発光層を有してもよい。

　図４４Ｅ及び図４４Ｆでは、発光ユニットを２つ有する発光デバイスを例示したが、これに限られない。発光デバイスは、発光ユニットを３つ以上有してもよい。なお、発光ユニットを２つ有する構成を２段タンデム構造と、発光ユニットを３つ有する構成を３段タンデム構造と、それぞれ呼称してもよい。

　図４４Ｅ及び図４４Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａ、発光層７７１、及び、層７９０ａを有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂ、発光層７７２、及び、層７９０ｂを有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０ａ及び層７８０ｂは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、及び、電子ブロック層のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０ａ及び層７９０ｂは、それぞれ、電子注入層、電子輸送層、及び、正孔ブロック層のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０ａと層７９０ａは互いに上記と逆の構成になり、層７８０ｂと層７９０ｂも互いに上記と逆の構成になる。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８０ａは、正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有してもよい。また、層７９０ａは、電子輸送層を有し、さらに、発光層７７１と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有してもよい。また、層７８０ｂは、正孔輸送層を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有してもよい。また、層７９０ｂは、電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有してもよい。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、例えば、層７８０ａは、電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有してもよい。また、層７９０ａは、正孔輸送層を有し、さらに、発光層７７１と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有してもよい。また、層７８０ｂは、電子輸送層を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有してもよい。また、層７９０ｂは、正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有してもよい。

　タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットは、電荷発生層７８５を介して積層される。電荷発生層７８５は、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生層７８５は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

　タンデム構造の発光デバイスの一例として、図４５Ａ乃至図４５Ｃに示す構成が挙げられる。

　図４５Ａは、発光ユニットを３つ有する構成である。図４５Ａでは、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）がそれぞれ電荷発生層７８５を介して、直列に接続されている。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２と、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。なお、層７８０ｃは、層７８０ａ及び層７８０ｂに適用可能な構成を用いることができ、層７９０ｃは、層７９０ａ及び層７９０ｂに適用可能な構成を用いることができる。

　図４５Ａにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３は、同じ色の光を発する発光物質を有すると好ましい。具体的には、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ赤色（Ｒ）の発光物質を有する構成（いわゆるＲ＼Ｒ＼Ｒの３段タンデム構造）、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ緑色（Ｇ）の発光物質を有する構成（いわゆるＧ＼Ｇ＼Ｇの３段タンデム構造）、または発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ青色（Ｂ）の発光物質を有する構成（いわゆるＢ＼Ｂ＼Ｂの３段タンデム構造）とすることができる。なお、「ａ＼ｂ」は、ａの光を発する発光物質を有する発光ユニット上に、電荷発生層を介して、ｂの光を発する発光物質を有する発光ユニットが設けられていることを意味し、ａ、ｂは、色を意味する。

　図４５Ａにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３のうち、一部または全てに発光色の異なる発光物質を用いてもよい。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３の発光色の組み合わせは、例えば、いずれか２つが青色（Ｂ）、残りの一つが黄色（Ｙ）の構成、並びに、いずれか一つが赤色（Ｒ）、他の一つが緑色（Ｇ）、残りの一つが青色（Ｂ）の構成が挙げられる。

　なお、それぞれ同じ色の光を発する発光物質は、上記の構成に限定されない。例えば、図４５Ｂに示すように、複数の発光層を有する発光ユニットを積層したタンデム型の発光デバイスとしてもよい。図４５Ｂは、２つの発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５を介して直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃと、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有する。

　図４５Ｂにおいては、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃのそれぞれが発する光が混合することにより発光ユニット７６３ａが白色発光（Ｗ）するように発光物質を選択することができる。また、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃについても、それぞれが発する光が混合することにより発光ユニット７６３ｂが白色発光（Ｗ）するように発光物質を選択することができる。すなわち、図４５Ｂに示す構成は、Ｗ＼Ｗの２段タンデム構造である。なお、発光物質の積層順については、特に限定はない。実施者が適宜最適な積層順を選択することができる。また、図示しないが、Ｗ＼Ｗ＼Ｗの３段タンデム構造、または４段以上のタンデム構造としてもよい。

　タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＢ＼ＹまたはＹ＼Ｂの２段タンデム構造、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＲ・Ｇ＼ＢまたはＢ＼Ｒ・Ｇの２段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｙ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｇ＼Ｂの３段タンデム構造などが挙げられる。なお、「ａ・ｂ」は、１つの発光ユニットにａの光を発する発光物質とｂの光を発する発光物質とを有することを意味する。

　図４５Ｃに示すように、１つの発光層を有する発光ユニットと、複数の発光層を有する発光ユニットと、を組み合わせてもよい。

　具体的には、図４５Ｃに示す構成においては、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）がそれぞれ電荷発生層７８５を介して直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。

　例えば、図４５Ｃに示す構成において、発光ユニット７６３ａが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｂが赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｃが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットである、Ｂ＼Ｒ・Ｇ・ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造などを適用することができる。

　例えば、発光ユニットの積層数と色の順番として、陽極側からＢ、Ｙの２段構造、Ｂと発光ユニットＸとの２段構造、Ｂ、Ｙ、Ｂの３段構造、Ｂ、Ｘ、Ｂの３段構造が挙げられ、発光ユニットＸにおける発光層の積層数と色の順番は、陽極側からＲ、Ｙの２層構造、Ｒ、Ｇの２層構造、Ｇ、Ｒの２層構造、Ｇ、Ｒ、Ｇの３層構造、または、Ｒ、Ｇ、Ｒの３層構造などとすることができる。また、２つの発光層の間に他の層が設けられていてもよい。

　次に、発光デバイスに用いることができる材料について説明する。

　下部電極７６１と上部電極７６２のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示装置が赤外光を発する発光デバイスを有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

　光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、反射層と、ＥＬ層７６３との間に当該電極を配置することが好ましい。つまり、ＥＬ層７６３の発光は、当該反射層によって反射されて、表示装置から取り出されてもよい。

　発光デバイスの一対の電極を形成する材料として、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。当該材料として、具体的には、アルミニウム、マグネシウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、金、白金、銀、イットリウム、ネオジムなどの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金が挙げられる。また、当該材料として、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、及びＩｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物などを挙げることができる。また、当該材料として、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、並びに、銀とマグネシウムの合金、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）等の銀を含む合金が挙げられる。その他、当該材料として、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウム）、ユウロピウム、イッテルビウムなどの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等が挙げられる。

　発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）であることが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）であることが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。

　透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスの透明電極には、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

　発光デバイスは少なくとも発光層を有する。また、発光デバイスは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子ブロック材料、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有してもよい。例えば、発光デバイスは、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１層以上を有する構成とすることができる。

　発光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　発光層は、１種または複数種の発光物質を有する。発光物質として、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

　発光物質として、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、及び量子ドット材料などが挙げられる。

　蛍光材料として、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、及びナフタレン誘導体などが挙げられる。

　燐光材料として、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、及び希土類金属錯体等が挙げられる。

　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有してもよい。１種または複数種の有機化合物として、正孔輸送性の高い物質（正孔輸送性材料）及び電子輸送性の高い物質（電子輸送性材料）の一方または双方を用いることができる。正孔輸送性材料として、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い物質を用いることができる。電子輸送性材料として、後述の、電子輸送層に用いることができる電子輸送性の高い物質を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質として、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

　正孔輸送性材料として、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い物質を用いることができる。

　アクセプター性材料として、例えば、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、及び、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。また、フッ素を含む有機アクセプター性材料を用いることもできる。また、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、及び、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプター性材料を用いることもできる。

　例えば、正孔注入性の高い物質として、正孔輸送性材料と、上述の元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（代表的には酸化モリブデン）とを含む材料を用いてもよい。

　正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料は、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料は、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い物質が好ましい。

　電子ブロック層は、発光層に接して設けられる。電子ブロック層は、正孔輸送性を有し、かつ、電子をブロックすることが可能な材料を含む層である。電子ブロック層には、上記正孔輸送性材料のうち、電子ブロック性を有する材料を用いることができる。

　電子ブロック層は、正孔輸送性を有するため、正孔輸送層と呼ぶこともできる。また、正孔輸送層のうち、電子ブロック性を有する層を、電子ブロック層と呼ぶこともできる。

　電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料は、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料として、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い物質を用いることができる。

　正孔ブロック層は、発光層に接して設けられる。正孔ブロック層は、電子輸送性を有し、かつ、正孔をブロックすることが可能な材料を含む層である。正孔ブロック層には、上記電子輸送性材料のうち、正孔ブロック性を有する材料を用いることができる。

　正孔ブロック層は、電子輸送性を有するため、電子輸送層と呼ぶこともできる。また、電子輸送層のうち、正孔ブロック性を有する層を、正孔ブロック層と呼ぶこともできる。

　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入性の高い物質として、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い物質として、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

　電子注入性の高い物質の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は、陰極に用いる材料の仕事関数の値との差が小さい（具体的には０．５ｅＶ以下）であることが好ましい。

　電子注入層には、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、Ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層は、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造として、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成が挙げられる。

　電子注入層は、電子輸送性材料を有してもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。

　なお、非共有電子対を備える有機化合物のＬＵＭＯ準位は、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移点（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

　電荷発生層は、上述の通り、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生領域は、アクセプター性材料を含むことが好ましく、例えば、上述の正孔注入層に適用可能な、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことが好ましい。

　電荷発生層は、電子注入性の高い物質を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子注入バッファ層と呼ぶこともできる。電子注入バッファ層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子注入バッファ層を設けることで、電荷発生領域と電子輸送層との間の注入障壁を緩和することができるため、電荷発生領域で生じた電子を電子輸送層に容易に注入することができる。

　電子注入バッファ層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むことが好ましく、例えば、アルカリ金属の化合物またはアルカリ土類金属の化合物を含む構成とすることができる。具体的には、電子注入バッファ層は、アルカリ金属と酸素とを含む無機化合物、または、アルカリ土類金属と酸素とを含む無機化合物を有することが好ましく、リチウムと酸素とを含む無機化合物（酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）など）を有することがより好ましい。その他、電子注入バッファ層には、上述の電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。

　電荷発生層は、電子輸送性の高い物質を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子リレー層と呼ぶこともできる。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層との間に設けられることが好ましい。電荷発生層が電子注入バッファ層を有さない場合、電子リレー層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層（または電子輸送層）との相互作用を防いで、電子をスムーズに受け渡す機能を有する。

　電子リレー層は、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）などのフタロシアニン系の材料、または、金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

　なお、上述の電荷発生領域、電子注入バッファ層、及び電子リレー層は、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。

　なお、電荷発生層は、アクセプター性材料の代わりに、ドナー性材料を有してもよい。例えば、電荷発生層は、上述の電子注入層に適用可能な、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を有してもよい。

　発光ユニットを積層する際、２つの発光ユニットの間に電荷発生層を設けることで、駆動電圧の上昇を抑制することができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる受光デバイスと、受発光機能を有する表示装置と、について説明する。

［受光デバイス］
　図４６Ａに示すように、受光デバイスは、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に層７６５を有する。層７６５は、少なくとも１層の活性層を有し、さらに他の層を有してもよい。

　図４６Ｂは、図４６Ａに示す受光デバイスが有する層７６５の変形例である。具体的には、図４６Ｂに示す受光デバイスは、下部電極７６１上の層７６６と、層７６６上の活性層７６７と、活性層７６７上の層７６８と、層７６８上の上部電極７６２と、を有する。

　活性層７６７は、光電変換層として機能する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７６６は、正孔輸送層、及び、電子ブロック層のうち一方または双方を有する。また、層７６８は、電子輸送層、及び、正孔ブロック層のうち一方または双方を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７６６と層７６８は互いに上記と逆の構成になる。

　次に、受光デバイスに用いることができる材料について説明する。

　受光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。受光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　受光デバイスが有する活性層は、半導体を含む。当該半導体として、シリコンなどの無機半導体、及び、有機化合物を含む有機半導体が挙げられる。本実施の形態では、活性層が有する半導体として、有機半導体を用いる例を示す。有機半導体を用いることで、発光層と、活性層と、を同じ方法（例えば、真空蒸着法）で形成することができ、製造装置を共通化できるため好ましい。

　活性層が有するｎ型半導体の材料として、フラーレン（例えばＣ_６０、Ｃ_７０等）、フラーレン誘導体等の電子受容性の有機半導体材料が挙げられる。フラーレン誘導体として、例えば、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ−Ｃ_７１−ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ７０ＢＭ）、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ−Ｃ_６１−ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ６０ＢＭ）、１’，１’’，４’，４’’−Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ−ｄｉ［１，４］ｍｅｔｈａｎｏｎａｐｈｔｈａｌｅｎｏ［１，２：２’，３’，５６，６０：２’’，３’’］［５，６］ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ−Ｃ_６０（略称：ＩＣＢＡ）などが挙げられる。

　ｎ型半導体の材料として、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｍｅ−ＰＴＣＤＩ）などのペリレンテトラカルボン酸誘導体、及び、２，２’−（５，５’−（チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル）ビス（チオフェン−５，２−ジイル））ビス（メタン−１−イル−１−イリデン）ジマロノニトリル（略称：ＦＴ２ＴＤＭＮ）が挙げられる。

　ｎ型半導体の材料として、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、クマリン誘導体、ローダミン誘導体、トリアジン誘導体、及び、キノン誘導体等が挙げられる。

　活性層が有するｐ型半導体の材料として、銅（ＩＩ）フタロシアニン（Ｃｏｐｐｅｒ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＣｕＰｃ）、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（Ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｄｉｂｅｎｚｏｐｅｒｉｆｌａｎｔｈｅｎｅ；ＤＢＰ）、亜鉛フタロシアニン（Ｚｉｎｃ　Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＺｎＰｃ）、スズフタロシアニン（ＳｎＰｃ）、キナクリドン、及び、ルブレン等の電子供与性の有機半導体材料が挙げられる。

　ｐ型半導体の材料として、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体、芳香族アミン骨格を有する化合物等が挙げられる。さらに、ｐ型半導体の材料として、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、ピロール誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体、インドール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、キナクリドン誘導体、ルブレン誘導体、テトラセン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、及び、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。

　電子供与性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。電子供与性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。

　電子受容性の有機半導体材料として、球状のフラーレンを用い、電子供与性の有機半導体材料として、平面に近い形状の有機半導体材料を用いることが好ましい。似た形状の分子同士は集まりやすい傾向にあり、同種の分子が凝集すると、分子軌道のエネルギー準位が近いため、キャリア輸送性を高めることができる。

　活性層に、ドナーとして機能するＰｏｌｙ［［４，８−ｂｉｓ［５−（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−２−ｔｈｉｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｏ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２，６−ｄｉｙｌ］−２，５−ｔｈｉｏｐｈｅｎｅｄｉｙｌ［５，７−ｂｉｓ（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−４，８−ｄｉｏｘｏ−４Ｈ，８Ｈ−ｂｅｎｚｏ［１，２−ｃ：４，５−ｃ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−１，３−ｄｉｙｌ］］ｐｏｌｙｍｅｒ（略称：ＰＢＤＢ−Ｔ）、または、ＰＢＤＢ−Ｔ誘導体などの高分子化合物を用いることができる。例えば、ＰＢＤＢ−ＴまたはＰＢＤＢ−Ｔ誘導体にアクセプター材料を分散させる方法などが使用できる。

　例えば、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体とを共蒸着して形成することが好ましい。または、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体とを積層して形成してもよい。

　活性層には３種類以上の材料を用いてもよい。例えば、波長域を拡大する目的で、ｎ型半導体の材料と、ｐ型半導体の材料と、に加えて、第３の材料を用いてもよい。このとき、第３の材料は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。

　受光デバイスは、活性層以外の層として、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有してもよい。また、上記に限られず、正孔注入性の高い物質、正孔ブロック材料、電子注入性の高い物質、または電子ブロック材料などを含む層をさらに有してもよい。受光デバイスが有する活性層以外の層には、例えば、上述の発光デバイスに用いることができる材料を用いることができる。

　例えば、正孔輸送性材料または電子ブロック材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などの高分子化合物、及び、モリブデン酸化物、ヨウ化銅（ＣｕＩ）などの無機化合物を用いることができる。また、電子輸送性材料または正孔ブロック材料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの無機化合物、ポリエチレンイミンエトキシレート（ＰＥＩＥ）などの有機化合物を用いることができる。受光デバイスは、例えば、ＰＥＩＥとＺｎＯとの混合膜を有してもよい。

［光検出機能を有する表示装置］
　本発明の一態様の表示装置は、表示部に、発光デバイスがマトリクス状に配置されており、当該表示部で画像を表示することができる。また、当該表示部には、受光デバイスがマトリクス状に配置されており、表示部は、画像表示機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方を有する。表示部は、イメージセンサまたはタッチセンサに用いることができる。つまり、表示部で光を検出することで、画像を撮像すること、または、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。

　さらに、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスをセンサの光源として利用することができる。本発明の一態様の表示装置では、表示部が有する発光デバイスが発した光を対象物が反射（または散乱）した際、受光デバイスがその反射光（または散乱光）を検出できるため、暗い場所でも、撮像またはタッチ検出が可能である。

　したがって、表示装置と別に受光部及び光源を設けなくてもよく、電子機器の部品点数を削減することができる。例えば、電子機器に設けられる生体認証装置、またはスクロールなどを行うための静電容量方式のタッチパネルなどを別途設ける必要がない。したがって、本発明の一態様の表示装置を用いることで、製造コストが低減された電子機器を提供することができる。

　具体的には、本発明の一態様の表示装置は、画素に、発光デバイスと受光デバイスを有する。本発明の一態様の表示装置では、発光デバイスとして有機ＥＬデバイスを用い、受光デバイスとして有機フォトダイオードを用いる。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。

　画素に、発光デバイス及び受光デバイスを有する表示装置では、画素が受光機能を有するため、画像を表示しながら、対象物の接触または近接を検出することができる。例えば、表示装置が有する副画素全てで画像を表示するだけでなく、一部の副画素は、光源としての光を呈し、残りの副画素で画像を表示することもできる。

　受光デバイスをイメージセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、画像を撮像することができる。例えば、本実施の形態の表示装置は、スキャナとして用いることができる。

　例えば、イメージセンサを用いて、指紋、掌紋、虹彩、脈形状（静脈形状、動脈形状を含む）、または顔などを用いた個人認証のための撮像を行うことができる。

　例えば、イメージセンサを用いて、ウェアラブル機器の使用者の、目の周辺、目の表面、または目の内部（眼底など）の撮像を行うことができる。したがって、ウェアラブル機器は、使用者の瞬き、黒目の動き、及び瞼の動きの中から選ばれるいずれか一または複数を検出する機能を備えることができる。

　受光デバイスは、タッチセンサ（ダイレクトタッチセンサともいう）またはニアタッチセンサ（ホバーセンサ、ホバータッチセンサ、非接触センサ、タッチレスセンサともいう）などに用いることができる。

　ここで、タッチセンサまたはニアタッチセンサは、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。

　タッチセンサは、表示装置と、対象物とが、直接接することで、対象物を検出できる。また、ニアタッチセンサは、対象物が表示装置に接触しなくても、当該対象物を検出することができる。例えば、表示装置と、対象物との間の距離が０．１ｍｍ以上３００ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で表示装置が当該対象物を検出できる構成であると好ましい。当該構成とすることで、表示装置に対象物が直接触れずに操作することが可能となる、別言すると非接触（タッチレス）で表示装置を操作することが可能となる。上記構成とすることで、表示装置に汚れ、または傷がつくリスクを低減することができる、または対象物が表示装置に付着した汚れ（例えば、ゴミ、またはウィルスなど）に直接触れずに、表示装置を操作することが可能となる。

　本発明の一態様の表示装置は、リフレッシュレートを可変にすることができる。例えば、表示装置に表示されるコンテンツに応じてリフレッシュレートを調整（例えば、１Ｈｚ以上２４０Ｈｚ以下の範囲で調整）して消費電力を低減させることができる。また、当該リフレッシュレートに応じて、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を変化させてもよい。例えば、表示装置のリフレッシュレートが１２０Ｈｚの場合、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を１２０Ｈｚよりも高い周波数（代表的には２４０Ｈｚ）とする構成とすることができる。当該構成とすることで、低消費電力が実現でき、かつタッチセンサ、またはニアタッチセンサの応答速度を高めることが可能となる。

　図４６Ｃ乃至図４６Ｅに示す表示装置１００は、基板３５１と基板３５９との間に、受光デバイスを有する層３５３、機能層３５５、及び、発光デバイスを有する層３５７を有する。

　機能層３５５は、受光デバイスを駆動する回路、及び、発光デバイスを駆動する回路を有する。機能層３５５には、スイッチ、トランジスタ、容量、抵抗、配線、及び端子などのうち一つまたは複数を設けることができる。なお、発光デバイス及び受光デバイスをパッシブマトリクス方式で駆動させる場合には、スイッチ及びトランジスタを設けない構成としてもよい。

　例えば、図４６Ｃに示すように、発光デバイスを有する層３５７において発光デバイスが発した光を、表示装置１００に接触した指３５２が反射することで、受光デバイスを有する層３５３における受光デバイスがその反射光を検出する。これにより、表示装置１００に指３５２が接触したことを検出することができる。

　図４６Ｄ及び図４６Ｅに示すように、表示装置に近接している（接触していない）対象物を検出または撮像する機能を有してもよい。図４６Ｄでは、人の指を検出する例を示し、図４６Ｅでは人の目の周辺、表面、または内部の情報（瞬きの回数、眼球の動き、瞼の動きなど）を検出する例を示す。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図４７乃至図４９を用いて説明する。

　本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

　電子機器として、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。

　特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器として、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

　本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、またはそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方または双方を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。

　本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）を有してもよい。

　本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

　図４７Ａ乃至図４７Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、ＶＲのコンテンツを表示する機能、ＳＲのコンテンツを表示する機能、ＭＲのコンテンツを表示する機能のうち少なくとも一つを有する。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲなどの少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。

　図４７Ａに示す電子機器７００Ａ、及び、図４７Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。

　表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影することができる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサなどの加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。

　通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により映像信号等を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、または無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方または双方によって充電することができる。

　筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作またはスライド操作などを検出し、様々な処理を実行することができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止または再開などの処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送りまたは早戻しの処理を実行することなどが可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。

　タッチセンサモジュールには、様々なタッチセンサを適用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、光学方式等、種々の方式を採用することができる。特に、静電容量方式または光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。

　光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光デバイスとして、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方または双方を用いることができる。

　図４７Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び、図４７Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。

　表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。これにより、使用者に高い没入感を感じさせることができる。

　表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認することができる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。

　装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを頭部に装着することができる。なお、図４７Ｃなどにおいては、メガネのつる（テンプルともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型またはバンド型の形状としてもよい。

　撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力することができる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、広角などの複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。

　なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部として、例えばイメージセンサ、または、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）などの距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度のジェスチャー操作を可能とすることができる。

　電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有してもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一または複数に、当該振動機構を有する構成を適用することができる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、またはスピーカなどの音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有してもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。

　本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有してもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信することができる。例えば、図４７Ａに示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図４７Ｃに示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。

　電子機器がイヤフォン部を有してもよい。図４７Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１または装着部７２３の内部に配置されていてもよい。

　同様に、図４７Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１または装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有してもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。

　なお、電子機器は、イヤフォンまたはヘッドフォンなどを接続することができる音声出力端子を有してもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方または双方を有してもよい。音声入力機構として、例えば、マイクなどの集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。

　このように、本発明の一態様の電子機器は、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂなど）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂなど）と、のどちらも好適である。

　本発明の一態様の電子機器は、有線または無線によって、イヤフォンに情報を送信することができる。

　図４８Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

　電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

　表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図４８Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

　筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。

　保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

　表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

　表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

　図４８Ｃにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図４８Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有してもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

　なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者同士など）の情報通信を行うことも可能である。

　図４８Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図４８Ｅ及び図４８Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。

　図４８Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

　図４８Ｆは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

　図４８Ｅ及び図４８Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

　表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

　図４８Ｅ及び図４８Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

　デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

　図４９Ａ乃至図４９Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。本発明の一態様の表示装置を、表示部９００１に適用することができる。

　図４９Ａ乃至図４９Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有してもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有してもよい。

　図４９Ａ乃至図４９Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

　図４９Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図４９Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例として、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。

　図４９Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

　図４９Ｃは、タブレット端末９１０３を示す斜視図である。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。

　図４９Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

　図４９Ｅ乃至図４９Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図４９Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図４９Ｇは折り畳んだ状態、図４９Ｆは図４９Ｅと図４９Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００：表示装置、１０１：層、１１０ａ：副画素、１１０Ａ：画素、１１０ｂ：副画素、１１０Ｂ：画素、１１０ｃ：副画素、１１０ｄ：副画素、１１０ｅ：副画素、１１０：画素、１１１Ｂ：画素電極、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１１Ｓ：画素電極、１１１：画素電極、１１３＿１：第１の領域、１１３＿２：第２の領域、１１３Ｂ：層、１１３Ｂｆ：膜、１１３Ｇ：層、１１３Ｇｆ：膜、１１３Ｒ：層、１１３Ｒｆ：膜、１１３Ｓ：層、１１３Ｗ：層、１１３：層、１１４：共通層、１１５：共通電極、１１７：遮光層、１１８Ｂ：マスク層、１１８Ｂｆ：マスク膜、１１８Ｇ：マスク層、１１８Ｇｆ：マスク膜、１１８Ｒ：マスク層、１１８Ｒｆ：マスク膜、１１８Ｓ：マスク層、１１８：マスク層、１１９Ｂ：マスク層、１１９Ｂｆ：マスク膜、１１９Ｇ：マスク層、１１９Ｇｆ：マスク膜、１１９Ｒ：マスク層、１１９Ｒｆ：マスク膜、１１９Ｓ：マスク層、１１９：マスク層、１２０：基板、１２２：樹脂層、１２３：導電層、１２４Ｂ：導電層、１２４Ｇ：導電層、１２４ｐ：導電層、１２４Ｒ：導電層、１２４Ｓ：導電層、１２５ｆ：絶縁膜、１２５：絶縁層、１２６Ｂ：導電層、１２６ｆ：導電膜、１２６Ｇ：導電層、１２６ｐ：導電層、１２６Ｒ：導電層、１２６Ｓ：導電層、１２７ｆ：絶縁膜、１２７：絶縁層、１２８ｆ：膜、１２８：層、１２９ａＢ：導電層、１２９ａｆ：導電膜、１２９ａＧ：導電層、１２９ａＲ：導電層、１２９Ｂ：導電層、１２９ｂＢ：導電層、１２９ｂｆ：導電膜、１２９ｂＧ：導電層、１２９ｂＲ：導電層、１２９Ｇ：導電層、１２９ｐ：導電層、１２９Ｒ：導電層、１２９Ｓ：導電層、１３０Ｂ：発光デバイス、１３０Ｇ：発光デバイス、１３０Ｒ：発光デバイス、１３０：発光デバイス、１３１：保護層、１３２Ｂ：着色層、１３２ｃ：マスク、１３２Ｇ：着色層、１３２Ｒ：着色層、１４０：接続部、１４１：開口、１４２：接着層、１４３：開口、１５０：受光デバイス、１５１：基板、１５２：基板、１５３：絶縁層、１６２：表示部、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、１９０ａ：レジストマスク、１９０ｂ：レジストマスク、１９０ｃ：レジストマスク、１９１Ｓ：開口、１９１：開口、１９３Ｓ：開口、１９３：開口、１９５：開口、２００Ａ：トランジスタ、２００Ｂ：トランジスタ、２００Ｃ：トランジスタ、２００Ｄ：トランジスタ、２００：トランジスタ、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５Ｂ：トランジスタ、２０５Ｇ：トランジスタ、２０５Ｒ：トランジスタ、２０５Ｓ：トランジスタ、２０５：トランジスタ、２１０ａ：絶縁層、２１０ａ＿１：絶縁層、２１０ａ＿２：絶縁層、２１０ａｆ：絶縁膜、２１０ｂ：絶縁層、２１０ｂｆ：絶縁膜、２１０ｃ：絶縁層、２１０ｃｆ：絶縁膜、２１０ｆ：絶縁膜、２１０：絶縁層、２１８ｆ：絶縁膜、２１８：絶縁層、２２２ａ：導電層、２２２Ｂ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２２ｆ：導電膜、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２３１ｆ：金属酸化物膜、２３１：半導体層、２３５：絶縁層、２３９ｆ：絶縁膜、２３９：絶縁層、２４２：接続層、２４９：金属酸化物層、３５１：基板、３５２：指、３５３：層、３５５：機能層、３５７：層、３５９：基板、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤフォン部、７５０：イヤフォン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、７６１：下部電極、７６２：上部電極、７６３ａ：発光ユニット、７６３ｂ：発光ユニット、７６３ｃ：発光ユニット、７６３：ＥＬ層、７６４：層、７６５：層、７６６：層、７６７：活性層、７６８：層、７７１ａ：発光層、７７１ｂ：発光層、７７１ｃ：発光層、７７１：発光層、７７２ａ：発光層、７７２ｂ：発光層、７７２ｃ：発光層、７７２：発光層、７７３：発光層、７８０ａ：層、７８０ｂ：層、７８０ｃ：層、７８０：層、７８１：層、７８２：層、７８５：電荷発生層、７９０ａ：層、７９０ｂ：層、７９０ｃ：層、７９０：層、７９１：層、７９２：層、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤフォン部、８３２：レンズ、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９１０３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims (12)

1. 　トランジスタと、発光デバイスと、第１の絶縁層と、を有し、
   　前記トランジスタは、半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第２の絶縁層と、第３の絶縁層と、を有し、
   　前記第２の絶縁層は、前記第１の導電層上に設けられ、
   　前記第２の絶縁層は、前記第１の導電層に達する第１の開口を有し、
   　前記第２の導電層は、前記第２の絶縁層上に設けられ、
   　前記第２の導電層は、前記第１の開口と重なる領域に第２の開口を有し、
   　前記半導体層は、前記第１の導電層の上面、前記第２の絶縁層の側面、並びに前記第２の導電層の上面及び側面と接し、
   　前記第３の絶縁層は、前記半導体層上に設けられ、
   　前記第３の導電層は、前記第３の絶縁層上に設けられ、
   　前記第１の絶縁層は、前記トランジスタ上に設けられ、
   　前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層は、前記第２の導電層に達する第３の開口を有し、
   　前記発光デバイスは、前記第１の絶縁層上に設けられ、
   　前記発光デバイスは、画素電極と、共通電極と、前記画素電極と前記共通電極に挟持されるＥＬ層と、を有し、
   　前記画素電極は、前記第３の開口を介して前記第２の導電層と電気的に接続され、
   　前記ＥＬ層は、前記画素電極の上面及び側面に接する領域を有する表示装置。
2. 　請求項１において、
   　前記第２の絶縁層は、第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層上の第５の絶縁層と、の積層構造を有し、
   　前記第５の絶縁層は、前記第４の絶縁層より膜密度が高い領域を有する表示装置。
3. 　請求項１において、
   　前記第２の絶縁層は、第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層上の第５の絶縁層と、の積層構造を有し、
   　前記第５の絶縁層は、前記第４の絶縁層より窒素の含有量が多い領域を有する表示装置。
4. 　請求項２において、
   　前記第２の絶縁層は、第６の絶縁層を有し、
   　前記第６の絶縁層は、前記第４の絶縁層と前記第１の導電層との間に位置し、
   　前記第６の絶縁層は、前記第５の絶縁層より膜密度が高い領域を有する表示装置。
5. 　請求項２において、
   　前記第２の絶縁層は、第６の絶縁層を有し、
   　前記第６の絶縁層は、前記第４の絶縁層と前記第１の導電層との間に位置し、
   　前記第６の絶縁層は、前記第５の絶縁層より窒素の含有量が多い領域を有する表示装置。
6. 　請求項３において、
   　前記第２の絶縁層は、第６の絶縁層を有し、
   　前記第６の絶縁層は、前記第４の絶縁層と前記第１の導電層との間に位置し、
   　前記第６の絶縁層は、前記第５の絶縁層より膜密度が高い領域を有する表示装置。
7. 　請求項３において、
   　前記第２の絶縁層は、第６の絶縁層を有し、
   　前記第６の絶縁層は、前記第４の絶縁層と前記第１の導電層との間に位置し、
   　前記第６の絶縁層は、前記第５の絶縁層より窒素の含有量が多い領域を有する表示装置。
8. 　請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   　層を有し、
   　前記画素電極は、第４の導電層と、前記第４の導電層上の第５の導電層と、と有し、
   　前記第４の導電層は、前記第１の絶縁層の上面及び前記第３の開口を覆い、
   　前記第４の導電層は、前記第１の絶縁層の側面及び前記第２の導電層の上面の形状に沿った凹部を有し、
   　前記層は、前記凹部を埋め込むように設けられ、
   　前記第５の導電層は、前記第４の導電層の上面及び前記層の上面を覆う表示装置。
9. 　請求項８において、
   　前記層は、絶縁層である表示装置。
10. 　請求項８において、
    　前記層は、導電層である表示装置。
11. 　請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
    　第７の絶縁層と、第８の絶縁層と、を有し、
    　前記第７の絶縁層は、前記ＥＬ層の上面の一部及び側面を覆い、
    　前記第８の絶縁層は、前記第７の絶縁層を介して、前記ＥＬ層の上面の一部及び側面を覆い、
    　前記共通電極は、前記第８の絶縁層を覆う表示装置。
12. 　請求項１１において、
    　前記第７の絶縁層は、無機材料を有し、
    　前記第８の絶縁層は、有機材料を有する表示装置。

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