JP2018022143A - 表示装置および電子機器 - Google Patents
表示装置および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018022143A JP2018022143A JP2017138713A JP2017138713A JP2018022143A JP 2018022143 A JP2018022143 A JP 2018022143A JP 2017138713 A JP2017138713 A JP 2017138713A JP 2017138713 A JP2017138713 A JP 2017138713A JP 2018022143 A JP2018022143 A JP 2018022143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- layer
- light
- display
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 375
- 239000010408 film Substances 0.000 description 95
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 89
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 83
- 239000000463 material Substances 0.000 description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 description 35
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 29
- 238000013461 design Methods 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 9
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 9
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- -1 For example Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- 241001181114 Neta Species 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 2-[4-[4-[bis(2-chloroethyl)amino]phenyl]butanoyloxy]ethyl (5z,8z,11z,14z)-icosa-5,8,11,14-tetraenoate Chemical group CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(=O)OCCOC(=O)CCCC1=CC=C(N(CCCl)CCCl)C=C1 VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100216047 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) gla-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 2
- 101150091511 glb-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2003—Display of colours
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/3406—Control of illumination source
- G09G3/3413—Details of control of colour illumination sources
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/3406—Control of illumination source
- G09G3/342—Control of illumination source using several illumination sources separately controlled corresponding to different display panel areas, e.g. along one dimension such as lines
- G09G3/3426—Control of illumination source using several illumination sources separately controlled corresponding to different display panel areas, e.g. along one dimension such as lines the different display panel areas being distributed in two dimensions, e.g. matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/02—Composition of display devices
- G09G2300/023—Display panel composed of stacked panels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0456—Pixel structures with a reflective area and a transmissive area combined in one pixel, such as in transflectance pixels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/046—Pixel structures with an emissive area and a light-modulating area combined in one pixel
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0286—Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/06—Adjustment of display parameters
- G09G2320/0666—Adjustment of display parameters for control of colour parameters, e.g. colour temperature
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/06—Adjustment of display parameters
- G09G2320/0686—Adjustment of display parameters with two or more screen areas displaying information with different brightness or colours
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
- G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
- G09G2360/144—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light being ambient light
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【解決手段】表示部に設けられた画素回路および駆動回路を有する。駆動回路は、複数のパルス出力回路を有する。パルス出力回路は、ゲート線を駆動する機能を有する。画素回路は、ゲート線に電気的に接続される。パルス出力回路は、第1のトランジスタを有する。画素回路は、第2のトランジスタを有する。第2のトランジスタが設けられる層は、第1のトランジスタが設けられる層の上層であり、第1のトランジスタと第2のトランジスタは重なる領域を有する構成の表示装置とする。
【選択図】図1
Description
本発明の一態様の表示装置は、表示部において、画素回路を構成するトランジスタを有する層と、駆動回路を構成するトランジスタを有する層と、を積層して設ける。上層には画素回路を構成するトランジスタを配置し、下層には駆動回路であるゲートドライバを構成するトランジスタを配置する。額縁部分に設けるゲートドライバを表示部の下層に配置することで、狭額縁化等のデザインの自由度を高めることができる。また表示部の上層に画素回路となるトランジスタを配置することで、同じ回路配置の画素回路を繰り返すことで設計できるため、回路設計が複雑化することを回避することができる。
表示装置の構成について、図面を参照して説明する。
図5(A)乃至(C)は、画素回路の一例を図示している。なお図5(A)乃至(C)で画素回路は、表示素子と併せて図示している。
図6(A)乃至(C)は、駆動回路、パルス出力回路およびタイミングチャートの一例を図示している。
図7では、図5(B)の画素回路および図6(B)のパルス出力回路を積層した際の構成例について回路記号を用いて図示している。なお図7では、図1(C)と同様に、x方向、y方向およびz方向を図示している。図7においては、図1(B)で説明した層101乃至層103に対応してパルス出力回路、画素回路、および表示素子である発光素子を図示している。
図11は、異なる層に設けられる、駆動回路91が有するトランジスタおよび画素回路94が有するトランジスタの積層構造を説明するための上面図の一例を示す。また、図12(A)に図11に示すY1−Y2の断面図、図12(B)に図11に示すX1−X2の断面図を示す。なお、明瞭化のため一部の絶縁層などは、図示を省略または符号を省略している。
本実施の形態では、本発明の一態様に用いることのできる表示装置、および表示装置の駆動方法について説明する。
図13(A)は、本発明の一態様の表示装置11を説明する図である。表示装置11は、トランジスタを有する層102、トランジスタを有する層101を有する。また表示装置11は、外光の照度等を取得する測光部を有していてもよい。なお以下の説明において、画素回路は、表示素子と併せて画素として説明する。
続いて、図14(A)、(B)、(C)を用いて画素45について説明する。図14(A)、(B)、(C)は、画素45の構成例を示す模式図である。
図14(A)は、外光を反射する表示素子46R、表示素子46G、表示素子46Bと、光を発する表示素子47R、表示素子47G、表示素子47Bの両方を駆動して画像を表示する動作モードの例を示している。図14(A)に示すように、画素45は、光R1、光G1、光B1、光R2、光G2、および光B2の6つの光を混色させることにより、所定の色の光55を表示面側に射出することができる。
図14(B)は、外光を反射する表示素子46R、表示素子46G、表示素子46Bを駆動して画像を表示する動作モードの例を示している。図14(B)に示すように、画素45は、例えば外光の照度が十分に高い場合などでは、第2の画素47を駆動させずに、第1の画素46からの光(光R1、光G1、および光B1)のみを混色させることにより、所定の色の光55を表示面側に射出することもできる。これにより、極めて低消費電力な駆動を行うことができる。
図14(C)は、表示素子47R、表示素子47G、表示素子47Bを駆動して画像を表示する動作モードの例を示している。図14(C)に示すように、画素45は、例えば外光の照度が極めて小さい場合などでは、第1の画素46を駆動させずに、第2の画素47からの光(光R2、光G2、および光B2)のみを混色させることにより、所定の色の光55を表示面側に射出することもできる。これにより鮮やかな表示を行うことができる。また外光の照度が小さい場合に輝度を低くすることで、使用者が感じる眩しさを抑えると共に消費電力を低減できる。
以下では、本発明の一態様の表示装置に用いることのできる表示パネルの例について説明する。以下で例示する表示パネルは、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示パネルである。
図15(A)は、表示装置400の構成の一例を示すブロック図である。表示装置400は、表示部362にマトリクス状に配列した複数の画素410を有する。また表示装置400は、回路GDと、回路SDを有する。また、方向Rに配列した複数の画素410、回路GDと電気的に接続する複数の配線G1、複数の配線G2、複数の配線ANO、および複数の配線CSCOMを有する。また、方向Cに配列した複数の画素410、回路SDと電気的に接続する複数の配線S1、および複数の配線S2を有する。
図16は、画素410の構成例を示す回路図である。図16では、隣接する2つの画素410を示している。
図18は、本発明の一態様の表示パネル300の斜視概略図である。表示パネル300は、基板351と基板361とが貼り合わされた構成を有する。図18では、基板361を破線で明示している。
図19に、図18で例示した表示パネルの、FPC372を含む領域の一部、回路364を含む領域の一部、および表示部362を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
表示パネルが有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示している。
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC(Cloud−Aligned Composite)−OSの構成について説明する。
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
液晶素子としては、例えば垂直配向(VA:Vertical Alignment)モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、MVA(Multi−Domain Vertical Alignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)モード、ASV(Advanced Super View)モードなどを用いることができる。
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、LED、有機EL素子、無機EL素子等を用いることができる。
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
接続層としては、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)などを用いることができる。
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属などの無機材料の薄膜であってもよい。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
本発明の一態様に係る表示装置を用いることができる電子機器として、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像記憶装置または画像再生装置、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図20に示す。
B2 光
C1 容量素子
C2 容量素子
C11 容量素子
G1 配線
G2 配線
G3 配線
GL_n ゲート線
GL_1 ゲート線
GL_4 ゲート線
GLA_n ゲート線
GLA_1 ゲート線
GLB_s ゲート線
GLB_1 ゲート線
M1 トランジスタ
M2 トランジスタ
M3 トランジスタ
M11 トランジスタ
M13 トランジスタ
M14 トランジスタ
R1 光
R2 光
S1 配線
S2 配線
S3 配線
SR_n パルス出力回路
SR_1 パルス出力回路
SW1 スイッチ
SW2 スイッチ
T1 時刻
T2 時刻
T3 時刻
VCOM1 配線
VCOM2 配線
11 表示装置
25 平坦化膜
45 画素
46 画素
46B 表示素子
46G 表示素子
46R 表示素子
47 画素
47B 表示素子
47G 表示素子
47R 表示素子
55 光
61 トランジスタ
62 半導体層
63 ゲート電極
64 ソース電極
65 ドレイン電極
66 接続部
69 ゲート絶縁膜
70 バッファ回路
71a トランジスタ
71b トランジスタ
72 FPC
72a 半導体層
72b 半導体層
73a ゲート電極
73b ゲート電極
74a ドレイン電極
74b ドレイン電極
75a ソース電極
75b ソース電極
77 導電層
79a ゲート絶縁膜
79b ゲート絶縁膜
91 駆動回路
91_n パルス出力回路
91_s パルス出力回路
91_1 パルス出力回路
91_4 パルス出力回路
91A 駆動回路
91B 駆動回路
92 表示部
93 駆動回路
94 画素回路
94B 回路
100 表示パネル
101 層
102 層
102a 層
102b 層
103 層
112 液晶
113 導電層
117 絶縁層
121 絶縁層
130 偏光板
131 着色層
132 遮光層
133a 配向膜
133b 配向膜
134 着色層
141 接着層
142 接着層
191 導電層
192 EL層
193a 導電層
193b 導電層
201a トランジスタ
201b トランジスタ
204 接続部
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 トランジスタ
208 接続部
211a 絶縁層
211b 絶縁層
212 絶縁層
212a 絶縁層
212b 絶縁層
213 絶縁層
213a 絶縁層
213b 絶縁層
214 絶縁層
214a 絶縁層
214b 絶縁層
215 絶縁層
216 絶縁層
217 絶縁層
218 絶縁層
220 絶縁層
221 導電層
222 導電層
231 半導体層
242 接続層
243 接続体
251 開口
252 接続部
300 表示パネル
311 電極
311a 導電層
311b 導電層
340 液晶素子
351 基板
360 発光素子
360b 発光素子
360g 発光素子
360r 発光素子
360w 発光素子
361 基板
362 表示部
364 回路
365 配線
372 FPC
373 IC
400 表示装置
401 導電層
402 導電層
403 半導体層
404 開口部
405 開口部
406A 開口部
406B 開口部
410 画素
451 開口
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイク
906 スピーカ
907 操作キー
908 スタイラス
909 カメラ
911 筐体
912 表示部
919 カメラ
931 筐体
932 表示部
933 リストバンド
935 ボタン
936 竜頭
939 カメラ
951 筐体
952 表示部
953 操作ボタン
954 外部接続ポート
955 スピーカ
956 マイク
957 カメラ
961 筐体
962 シャッターボタン
963 マイク
965 表示部
967 スピーカ
971 筐体
972 筐体
973 表示部
974 操作キー
975 レンズ
976 接続部
Claims (8)
- 表示部に設けられた画素回路および駆動回路を有し、
前記駆動回路は、複数のパルス出力回路を有し、
前記パルス出力回路は、ゲート線を駆動する機能を有し、
前記画素回路は、前記ゲート線に電気的に接続され、
前記パルス出力回路は、第1のトランジスタを有し、
前記画素回路は、第2のトランジスタを有し、
前記第2のトランジスタが設けられる層は、前記第1のトランジスタが設けられる層の上層であり、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタは重なる領域を有することを特徴とする表示装置。 - 表示部に設けられた画素回路および駆動回路を有し、
前記駆動回路は、複数のパルス出力回路を有し、
前記パルス出力回路は、ゲート線を駆動する機能を有し、
前記画素回路は、前記ゲート線に電気的に接続され、
前記パルス出力回路は、第1のトランジスタを有し、
前記画素回路は、第2のトランジスタを有し、
前記第2のトランジスタが設けられる層は、前記第1のトランジスタが設けられる層の上層であり、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタは重なる領域を有し、
前記ゲート線として機能する導電層は、前記第1のトランジスタが設けられる層と同じ層に設けられることを特徴とする表示装置。 - 請求項1または2において、
前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタは、単極性であることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、金属酸化物を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一項において、
前記画素回路は、第1の表示素子を有し、
前記第1の表示素子は、可視光を発する機能または可視光を透過する機能を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項5において、
前記画素回路は、さらに第2の表示素子を有し、
前記第2の表示素子は、可視光を反射する機能を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、
前記画素回路は、さらに第3のトランジスタを有し、
前記第3のトランジスタは、前記第1のトランジスタが設けられる層と同じ層に設けられることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の表示装置と、前記表示装置と重なる位置にタッチセンサを備えた電子機器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016144075 | 2016-07-22 | ||
JP2016144075 | 2016-07-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018022143A true JP2018022143A (ja) | 2018-02-08 |
JP7008439B2 JP7008439B2 (ja) | 2022-01-25 |
Family
ID=60988844
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017138713A Active JP7008439B2 (ja) | 2016-07-22 | 2017-07-18 | 表示装置および電子機器 |
JP2022031896A Active JP7250415B2 (ja) | 2016-07-22 | 2022-03-02 | 表示装置 |
JP2023044819A Active JP7434632B2 (ja) | 2016-07-22 | 2023-03-21 | 表示装置 |
JP2024016978A Pending JP2024045448A (ja) | 2016-07-22 | 2024-02-07 | 表示装置 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022031896A Active JP7250415B2 (ja) | 2016-07-22 | 2022-03-02 | 表示装置 |
JP2023044819A Active JP7434632B2 (ja) | 2016-07-22 | 2023-03-21 | 表示装置 |
JP2024016978A Pending JP2024045448A (ja) | 2016-07-22 | 2024-02-07 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US10586495B2 (ja) |
JP (4) | JP7008439B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020017259A1 (ja) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR20200014075A (ko) * | 2018-07-31 | 2020-02-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
WO2020261036A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2021024063A1 (ja) * | 2019-08-02 | 2021-02-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2021070009A1 (ja) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、および電子機器 |
WO2021084367A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2022118141A1 (ja) * | 2020-12-06 | 2022-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、および表示補正システム |
WO2022153146A1 (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
WO2022167890A1 (ja) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子装置 |
WO2023067456A1 (ja) * | 2021-10-22 | 2023-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び電子機器 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016035753A1 (ja) * | 2014-09-05 | 2016-03-10 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
US10586495B2 (en) * | 2016-07-22 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
CN109830181A (zh) * | 2017-11-23 | 2019-05-31 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
US11263968B2 (en) | 2018-06-20 | 2022-03-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate and driving method thereof, and display device |
CN110620129B (zh) | 2018-06-20 | 2022-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、其驱动方法、显示装置及高精度金属掩模板 |
CN110619813B (zh) | 2018-06-20 | 2021-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、其驱动方法、显示装置及高精度金属掩模版 |
KR102690987B1 (ko) * | 2019-02-25 | 2024-08-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2020229917A1 (ja) * | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR20210050144A (ko) * | 2019-10-28 | 2021-05-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 패널 |
KR20220036420A (ko) * | 2020-09-14 | 2022-03-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 구동 방법 |
CN112634834B (zh) * | 2021-01-06 | 2021-12-03 | 厦门天马微电子有限公司 | 背光模组及其驱动方法 |
CN113781913B (zh) * | 2021-09-10 | 2023-04-11 | 厦门天马显示科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2024141884A1 (ja) * | 2022-12-28 | 2024-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007108771A (ja) * | 2006-11-20 | 2007-04-26 | Sharp Corp | 表示装置 |
CN101464590A (zh) * | 2009-01-13 | 2009-06-24 | 友达光电股份有限公司 | 半穿透半反射型显示器 |
JP2011205630A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パルス信号出力回路およびシフトレジスタ |
US20140132491A1 (en) * | 2012-02-29 | 2014-05-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Gate on array driver unit, gate on array driver circuit, and display device |
CN104020602A (zh) * | 2014-06-09 | 2014-09-03 | 蒋顺 | 一种显示器件 |
US20150310801A1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Apple Inc. | Displays With Overlapping Light-Emitting Diodes and Gate Drivers |
JP2015194577A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
Family Cites Families (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4534169B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2010-09-01 | ソニー株式会社 | 表示装置及びその駆動方法と電子機器 |
JP2010026350A (ja) | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Hitachi Displays Ltd | トップエミッション型有機el表示装置 |
JP2010117549A (ja) | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Seiko Epson Corp | 表示装置の製造方法 |
KR101097454B1 (ko) * | 2009-02-16 | 2011-12-23 | 네오뷰코오롱 주식회사 | Oled 패널의 화소 회로, 이를 이용한 표시 장치 및 oled 패널의 구동 방법 |
US9070323B2 (en) * | 2009-02-17 | 2015-06-30 | Global Oled Technology Llc | Chiplet display with multiple passive-matrix controllers |
US8319528B2 (en) * | 2009-03-26 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having interconnected transistors and electronic device including semiconductor device |
JP5435260B2 (ja) | 2009-04-03 | 2014-03-05 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
KR102251729B1 (ko) * | 2009-07-31 | 2021-05-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 |
EP2491585B1 (en) | 2009-10-21 | 2020-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device |
SG10201910510UA (en) | 2009-10-29 | 2020-01-30 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device |
KR20210138135A (ko) | 2009-12-25 | 2021-11-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101686089B1 (ko) | 2010-02-19 | 2016-12-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US20120327060A1 (en) * | 2010-03-10 | 2012-12-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
WO2012002186A1 (en) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2012069540A (ja) | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び発光装置 |
US20120298998A1 (en) | 2011-05-25 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
US10002968B2 (en) | 2011-12-14 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
TWI458112B (zh) * | 2012-01-03 | 2014-10-21 | Ind Tech Res Inst | 電晶體的操作方法 |
US10043794B2 (en) * | 2012-03-22 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP6034048B2 (ja) | 2012-04-23 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、電子機器 |
JP2013232567A (ja) | 2012-04-30 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
KR102081468B1 (ko) | 2012-07-20 | 2020-02-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치 |
KR102004397B1 (ko) * | 2012-09-19 | 2019-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
CN204577057U (zh) | 2012-10-05 | 2015-08-19 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
KR20150079645A (ko) | 2012-10-30 | 2015-07-08 | 샤프 가부시키가이샤 | 액티브 매트릭스 기판, 표시 패널 및 그것을 구비한 표시 장치 |
US9412764B2 (en) * | 2012-11-28 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
JP6230074B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-11-15 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
US9041453B2 (en) | 2013-04-04 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse generation circuit and semiconductor device |
TWI653755B (zh) | 2013-09-12 | 2019-03-11 | 日商新力股份有限公司 | 顯示裝置、其製造方法及電子機器 |
US9269915B2 (en) | 2013-09-18 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR102189577B1 (ko) * | 2014-01-20 | 2020-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
KR102128579B1 (ko) * | 2014-01-21 | 2020-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동 회로 및 이를 구비한 표시 장치 |
KR20150112108A (ko) * | 2014-03-26 | 2015-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP2015194515A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JPWO2015163306A1 (ja) * | 2014-04-22 | 2017-04-20 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、及びそれを備えた表示装置 |
CN106233366A (zh) * | 2014-04-22 | 2016-12-14 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板和具备其的显示装置 |
JPWO2015166857A1 (ja) * | 2014-04-28 | 2017-04-20 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、及びそれを備えた表示装置 |
US10083990B2 (en) | 2014-08-29 | 2018-09-25 | Lg Display Co., Ltd. | Thin film transistor substrate and display device using the same |
WO2016035753A1 (ja) * | 2014-09-05 | 2016-03-10 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
CN104716167B (zh) | 2015-04-13 | 2017-07-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置 |
KR102293456B1 (ko) * | 2015-04-17 | 2021-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
US20170178586A1 (en) * | 2015-12-22 | 2017-06-22 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Display apparatus and tiled display apparatus |
CN114361180A (zh) | 2015-12-28 | 2022-04-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置 |
JP6995481B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2022-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ソースドライバ |
KR102479918B1 (ko) * | 2016-04-05 | 2022-12-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP6863803B2 (ja) * | 2016-04-07 | 2021-04-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US10217416B2 (en) * | 2016-07-05 | 2019-02-26 | Innolux Corporation | Display device |
TWI709791B (zh) * | 2016-07-07 | 2020-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
US10586495B2 (en) * | 2016-07-22 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
KR102558690B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2023-07-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
KR20200039867A (ko) * | 2018-10-05 | 2020-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20210010700A (ko) * | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
-
2017
- 2017-07-17 US US15/651,192 patent/US10586495B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-07-18 JP JP2017138713A patent/JP7008439B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-05 US US16/810,101 patent/US11205387B2/en active Active
-
2021
- 2021-08-25 US US17/411,205 patent/US11881177B2/en active Active
-
2022
- 2022-03-02 JP JP2022031896A patent/JP7250415B2/ja active Active
-
2023
- 2023-03-21 JP JP2023044819A patent/JP7434632B2/ja active Active
-
2024
- 2024-01-16 US US18/413,254 patent/US20240265877A1/en active Pending
- 2024-02-07 JP JP2024016978A patent/JP2024045448A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007108771A (ja) * | 2006-11-20 | 2007-04-26 | Sharp Corp | 表示装置 |
CN101464590A (zh) * | 2009-01-13 | 2009-06-24 | 友达光电股份有限公司 | 半穿透半反射型显示器 |
JP2011205630A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パルス信号出力回路およびシフトレジスタ |
US20140132491A1 (en) * | 2012-02-29 | 2014-05-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Gate on array driver unit, gate on array driver circuit, and display device |
JP2015194577A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
US20150310801A1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Apple Inc. | Displays With Overlapping Light-Emitting Diodes and Gate Drivers |
CN104020602A (zh) * | 2014-06-09 | 2014-09-03 | 蒋顺 | 一种显示器件 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020017259A1 (ja) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102558690B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2023-07-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
KR20200014075A (ko) * | 2018-07-31 | 2020-02-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
WO2020261036A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2021024063A1 (ja) * | 2019-08-02 | 2021-02-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP7532376B2 (ja) | 2019-08-02 | 2024-08-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2021070009A1 (ja) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、および電子機器 |
WO2021084367A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US12086954B2 (en) | 2019-11-01 | 2024-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus |
WO2022118141A1 (ja) * | 2020-12-06 | 2022-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、および表示補正システム |
WO2022153146A1 (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
WO2022167890A1 (ja) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子装置 |
WO2023067456A1 (ja) * | 2021-10-22 | 2023-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7434632B2 (ja) | 2024-02-20 |
JP2022091761A (ja) | 2022-06-21 |
JP2024045448A (ja) | 2024-04-02 |
US10586495B2 (en) | 2020-03-10 |
JP7250415B2 (ja) | 2023-04-03 |
JP7008439B2 (ja) | 2022-01-25 |
US20210383762A1 (en) | 2021-12-09 |
US20180026218A1 (en) | 2018-01-25 |
US20240265877A1 (en) | 2024-08-08 |
US11881177B2 (en) | 2024-01-23 |
JP2023083285A (ja) | 2023-06-15 |
US11205387B2 (en) | 2021-12-21 |
US20200202789A1 (en) | 2020-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7434632B2 (ja) | 表示装置 | |
US11550181B2 (en) | Display device and electronic device | |
US10460647B2 (en) | Display device and electronic device | |
JP7240542B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2018049269A (ja) | 表示システムおよび電子機器 | |
JP2018031944A (ja) | 表示システムおよび電子機器 | |
TW201824219A (zh) | 顯示裝置及電子裝置 | |
JP2018049267A (ja) | 表示システム、電子機器および表示方法 | |
JP2018054901A (ja) | 表示システムおよび電子機器 | |
JP2018022090A (ja) | 表示装置および電子機器 | |
JP2018028589A (ja) | 表示装置および電子機器 | |
JP2018022038A (ja) | 表示装置および電子機器 | |
JP2018073306A (ja) | 画像表示システム、画像表示方法および情報処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200714 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210706 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210824 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220111 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7008439 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |