JP2009176950A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】暗電流を抑制すると共に、上層の元素の拡散を抑制して、フォトダイオードやトランジスタの信頼性を向上させることを可能にする固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオード2及び正電荷蓄積領域3が形成された半導体層1と、その上に形成された第1の絶縁膜4と、その上に形成された、負の固定電荷を有する第2の絶縁膜5とを有し、第1の絶縁膜4及び第2の絶縁膜5が、フォトダイオードが形成された領域2の半導体層1上に形成されており、第1の絶縁膜4が第2の絶縁膜5の元素の拡散を抑制する特性を有する固体撮像素子20を構成する。
【選択図】図1
【解決手段】フォトダイオード2及び正電荷蓄積領域3が形成された半導体層1と、その上に形成された第1の絶縁膜4と、その上に形成された、負の固定電荷を有する第2の絶縁膜5とを有し、第1の絶縁膜4及び第2の絶縁膜5が、フォトダイオードが形成された領域2の半導体層1上に形成されており、第1の絶縁膜4が第2の絶縁膜5の元素の拡散を抑制する特性を有する固体撮像素子20を構成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、固体撮像素子及びその製造方法に係わる。
CCD固体撮像素子やCMOS固体撮像素子では、フォトダイオードにおける結晶欠陥や、シリコン基板に形成された受光部とその上の絶縁層との界面における界面準位が、暗電流の原因となることが知られている。
即ち、図6Aに模式的断面図を示し、図6Bにポテンシャル図を示すように、フォトダイオードPDが形成されたシリコン層51と、その上の絶縁層52との界面において、×印で示す界面準位が発生している。この界面準位が暗電流の発生源となり、界面に起源する電子が、暗電流となってフォトダイオードPDに流れ込む。
そこで、暗電流の発生を制御する技術として、いわゆるHAD(Hole Accumulation Diode)構造が採用されている(例えば、特許文献1を参照。)。
具体的には、図7Aに模式的断面図を示し、図7Bにポテンシャル図を示すように、シリコン層51の表面付近にp型の不純物を導入して、p+の半導体領域を形成して、このp+の半導体領域を、正電荷(ホール)を蓄積するための正電荷蓄積領域53とする。
このように、界面に正電荷蓄積領域53を形成したHAD構造とすることにより、フォトダイオードPDを界面から離して、界面準位を発生源とする暗電流を抑制することが可能になる。
具体的には、図7Aに模式的断面図を示し、図7Bにポテンシャル図を示すように、シリコン層51の表面付近にp型の不純物を導入して、p+の半導体領域を形成して、このp+の半導体領域を、正電荷(ホール)を蓄積するための正電荷蓄積領域53とする。
このように、界面に正電荷蓄積領域53を形成したHAD構造とすることにより、フォトダイオードPDを界面から離して、界面準位を発生源とする暗電流を抑制することが可能になる。
一般に、HAD構造を形成する際には、B,BF2のようなイオンをアニール温度でイオン注入することにより、界面付近に正電荷蓄積領域53となるp+の半導体領域を形成している。
そして、従来のイオン注入プロセスでは、注入したイオンの適正な拡散及び活性化を図るため、できるだけ長い時間高い温度を保持することが不可欠となっている。
そして、従来のイオン注入プロセスでは、注入したイオンの適正な拡散及び活性化を図るため、できるだけ長い時間高い温度を保持することが不可欠となっている。
しかしながら、高い温度を長時間保持することは、固体撮像素子の特性等を充分に確保する観点からは、望ましくない。
そこで、図8Aに模式的断面図を示し、図8Bにポテンシャル図を示すように、フォトダイオードPDが形成されたシリコン層51の上に形成する絶縁層として、通常の絶縁層52の代わりに、負の固定電荷54を有する絶縁層55を形成することが考えられる。
これにより、図8Bに示すように、バンドを曲げて、特に界面付近に正電荷(ホール)が蓄積されるようにすることができる。
これにより、図8Bに示すように、バンドを曲げて、特に界面付近に正電荷(ホール)が蓄積されるようにすることができる。
このような負の固定電荷54を有する絶縁層55の材料としては、例えば、HfO2が挙げられる。
しかしながら、HfO2層を、フォトダイオードPDが形成されたシリコン層やMOSトランジスタの周辺のシリコン層の上に直接形成した場合には、界面トラップが高くなるに従い、Hfの拡散の問題が発生するようになる。
そして、フォトダイオードやトランジスタのシリコン層にHfが拡散すると、その特性や信頼性を悪化させることになる。
そして、フォトダイオードやトランジスタのシリコン層にHfが拡散すると、その特性や信頼性を悪化させることになる。
上述した問題の解決のために、本発明においては、暗電流を抑制すると共に、上層の元素の拡散を抑制して、フォトダイオードやトランジスタの信頼性を向上させることを可能にする固体撮像素子を提供するものである。また、この固体撮像素子の製造方法を提供するものである。
本発明の固体撮像素子は、フォトダイオードが形成され、このフォトダイオードの表面に正電荷蓄積領域が形成された半導体層と、この半導体層上に形成された第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜上に形成された、負の固定電荷を有する第2の絶縁膜とを有し、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜が、少なくとも、フォトダイオードが形成された領域の半導体層上に形成されており、第1の絶縁膜が第2の絶縁膜の元素の拡散を抑制する特性を有するものである。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、半導体層にフォトダイオードを形成する工程と、フォトダイオードの表面の半導体層に、正電荷蓄積領域を形成する工程と、少なくとも、フォトダイオードが形成された領域の半導体層上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜上に、負の固定電荷を有する第2の絶縁膜を形成する工程とを有し、第1の絶縁膜として、第2の絶縁膜の元素の拡散を抑制する特性を有する絶縁膜を形成するものである。
上述の本発明の固体撮像素子の構成によれば、負の固定電荷を有する第2の絶縁膜によって、フォトダイオード及び正電荷蓄積領域が形成された半導体層の界面付近(表面付近)に、正電荷(ホール)を蓄積させることができる。これにより、界面準位に起因する暗電流の発生を抑制することが可能になる。
また、第2の絶縁膜の元素の拡散を抑制する特性を有する第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成していることにより、第1の絶縁膜によって、第2の絶縁膜の元素の拡散を抑制することが可能になる。
また、第2の絶縁膜の元素の拡散を抑制する特性を有する第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成していることにより、第1の絶縁膜によって、第2の絶縁膜の元素の拡散を抑制することが可能になる。
上述の本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、第1の絶縁膜上に、負の固定電荷を有する第2の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜として、第2の絶縁膜の元素の拡散を抑制する特性を有する絶縁膜を形成することにより、第1の絶縁膜によって、第2の絶縁膜の元素の拡散を抑制することが可能になる。
また、負の固定電荷を有する第2の絶縁膜を形成することにより、フォトダイオード及び正電荷蓄積領域が形成された半導体層の界面付近(表面付近)に、正電荷(ホール)を蓄積させることが可能な構造となる。これにより、界面準位に起因する暗電流の発生を抑制することが可能になる。
また、負の固定電荷を有する第2の絶縁膜を形成することにより、フォトダイオード及び正電荷蓄積領域が形成された半導体層の界面付近(表面付近)に、正電荷(ホール)を蓄積させることが可能な構造となる。これにより、界面準位に起因する暗電流の発生を抑制することが可能になる。
上述の本発明によれば、界面準位に起因する暗電流の発生を抑制することが可能になる。
また、第1の絶縁膜によって、第2の絶縁膜の元素の拡散を抑制して、フォトダイオードやトランジスタの特性や信頼性を確保することが可能になる。
従って、本発明により、高い信頼性を有する固体撮像素子を実現することが可能になる。
また、第1の絶縁膜によって、第2の絶縁膜の元素の拡散を抑制して、フォトダイオードやトランジスタの特性や信頼性を確保することが可能になる。
従って、本発明により、高い信頼性を有する固体撮像素子を実現することが可能になる。
本発明の一実施の形態として、固体撮像素子の要部の概略断面図を、図1に示す。
図1は、固体撮像素子の撮像領域(イメージエリア)の断面図を示している。
本実施の形態は、本発明を、CMOS固体撮像素子(CMOSイメージセンサ)に適用した場合を示している。
図1は、固体撮像素子の撮像領域(イメージエリア)の断面図を示している。
本実施の形態は、本発明を、CMOS固体撮像素子(CMOSイメージセンサ)に適用した場合を示している。
この固体撮像素子20は、図1に示す撮像領域(イメージエリア)において、シリコン基板1に対して、入射光を受光検出するためのフォトダイオードの不純物領域(以下、「フォトダイオード領域」と呼ぶこととする)2と、MOSトランジスタ10とが、設けられている。
フォトダイオード領域2は、例えば、シリコン基板1のp型半導体領域内に、n型の不純物が導入されて成る、n型半導体領域によって構成されている。
そして、図7及び図8に示した場合と同様に、フォトダイオード領域2が形成されているシリコン基板1の表面付近に、p型の不純物が導入されて成るp+の正電荷蓄積領域3が形成されている。
これにより、フォトダイオードが、いわゆるHAD構造となっている。
そして、図7及び図8に示した場合と同様に、フォトダイオード領域2が形成されているシリコン基板1の表面付近に、p型の不純物が導入されて成るp+の正電荷蓄積領域3が形成されている。
これにより、フォトダイオードが、いわゆるHAD構造となっている。
それぞれの画素には、フォトダイオード領域2及び1個以上のMOSトランジスタ10が、それぞれ形成されている。図1においては、1つの画素における、フォトダイオード領域2及び1個のMOSトランジスタ10を示している。
MOSトランジスタ10は、シリコン基板1内に形成される、図示しない、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域等と、シリコン基板1上にゲート絶縁膜11を介して形成されたゲート電極12とによって、構成される。
また、本実施の形態では、ゲート電極12の側面に、絶縁層から成るサイドウォール13が形成されている。
また、本実施の形態では、ゲート電極12の側面に、絶縁層から成るサイドウォール13が形成されている。
図中右側には、シリコン層1に絶縁層が埋め込まれて成るトレンチ型の素子分離層14が形成されている。この素子分離層14は、隣接する画素の間や、撮像領域と周辺回路との間に形成されている。
MOSトランジスタ10のゲート電極12には、メタルコンタクト7を介して、金属配線8が接続されている。この金属配線8は、例えばAlにより形成されており、MOSトランジスタ10への光の入射による誤動作を防止するための、遮光膜をも兼ねている。
さらに、金属配線8を覆って、層間絶縁層(埋め込み層)9が形成されている。この層間絶縁層9は、その表面が平坦化されている。
そして、層間絶縁層9の平坦化された表面上の、フォトダイオード領域2の上方の箇所に、入射光を集光するためのマイクロレンズ15が設けられている。
さらに、金属配線8を覆って、層間絶縁層(埋め込み層)9が形成されている。この層間絶縁層9は、その表面が平坦化されている。
そして、層間絶縁層9の平坦化された表面上の、フォトダイオード領域2の上方の箇所に、入射光を集光するためのマイクロレンズ15が設けられている。
本実施の形態の固体撮像素子20においては、特に、シリコン基板1上に、第1の絶縁膜4を介して、負の固定電荷を有する第2の絶縁膜5を形成している。
これら第1の絶縁膜4及び第2の絶縁膜5は、フォトダイオード領域2が形成されている領域及びMOSトランジスタ10が形成されている部分のシリコン基板1上に、形成されている。
この第2の絶縁膜5の上には、SiO2層6を介して、上述の金属配線8が形成されている。メタルコンタクト7は、SiO2層6と第2の絶縁膜5と第1の絶縁膜4を貫通して、ゲート電極12に接続されるように、形成されている。
これら第1の絶縁膜4及び第2の絶縁膜5は、フォトダイオード領域2が形成されている領域及びMOSトランジスタ10が形成されている部分のシリコン基板1上に、形成されている。
この第2の絶縁膜5の上には、SiO2層6を介して、上述の金属配線8が形成されている。メタルコンタクト7は、SiO2層6と第2の絶縁膜5と第1の絶縁膜4を貫通して、ゲート電極12に接続されるように、形成されている。
第2の絶縁膜5としては、負の固定電荷を有する、HfO2膜や、Hf,La,Y,Al,Taから選ばれる金属元素の酸化物を含む膜等が、挙げられる。
HfO2膜は、屈折率が約2である。これにより、好適な膜厚を調整すれば、HfO2膜によって、反射防止効果を得ることも可能になる。
HfO2膜は、屈折率が約2である。これにより、好適な膜厚を調整すれば、HfO2膜によって、反射防止効果を得ることも可能になる。
第1の絶縁膜4としては、第2の絶縁膜5の金属元素(Hf,La,Y,Al,Ta等)の拡散を抑制する特性を有する膜を使用する。このような特性を有する膜としては、例えば、SiN膜又はSiON膜のような窒化物の膜が好適である。窒化物は、良好な拡散バリアとなると共に、高い絶縁性を有し、界面トラップが少ないため、フォトダイオードやトランジスタの特性や信頼性の低下をほとんど生じない。
第1の絶縁膜4となる窒化物の膜は、例えば、高周波又はマイクロ波プラズマを使用して、成膜することができる。
第1の絶縁膜4となる窒化物の膜は、例えば、高周波又はマイクロ波プラズマを使用して、成膜することができる。
SiO2層6は、第2の絶縁膜(HfO2膜等)5をエッチングするプロセスにおいて、他の金属層との反応又は混合や、その他の反応を防ぐことを目的として設けられている。
金属元素の拡散を抑制する特性を有する第1の絶縁膜4を介して、負の固定電荷を有する第2の絶縁膜5を形成しているので、シリコン基板1上に直接負の固定電荷を有する絶縁膜を形成する場合と比較して、金属元素のシリコン基板1への拡散を抑制することが可能になる。
なお、図示しないが、撮像領域のMOSトランジスタ10と同様に、周辺回路にもMOSトランジスタが設けられている。
ただし、通常、撮像領域では一方の導電型(P或いはN)のMOSトランジスタのみが形成されるが、周辺回路では両方の導電型のMOSトランジスタ、即ちNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタの両方が、それぞれ形成される。
この周辺回路のMOSトランジスタが形成されている部分のシリコン基板1上にも、第1の絶縁膜4及び第2の絶縁膜5を形成する。
ただし、通常、撮像領域では一方の導電型(P或いはN)のMOSトランジスタのみが形成されるが、周辺回路では両方の導電型のMOSトランジスタ、即ちNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタの両方が、それぞれ形成される。
この周辺回路のMOSトランジスタが形成されている部分のシリコン基板1上にも、第1の絶縁膜4及び第2の絶縁膜5を形成する。
また、CMOS固体撮像素子では、各部に電圧を供給したり、信号を伝送したりするために、配線層が1層以上設けられる。
配線層の側から光を入射させる、いわゆる表面照射型とする場合には、図1の層間絶縁層9内に1層以上の配線層が設けられる。
配線層とは逆の側から光を入射させる、いわゆる裏面照射型とする場合には、図1のシリコン基板1の下方に、1層以上の配線層及び各配線層を絶縁する絶縁層が設けられる。
配線層の側から光を入射させる、いわゆる表面照射型とする場合には、図1の層間絶縁層9内に1層以上の配線層が設けられる。
配線層とは逆の側から光を入射させる、いわゆる裏面照射型とする場合には、図1のシリコン基板1の下方に、1層以上の配線層及び各配線層を絶縁する絶縁層が設けられる。
なお、図1ではカラーフィルタを形成していないが、カラー用の固体撮像素子であって、入射光を複数の光に分離せずに1つの固体撮像素子で受光検出する場合には、通常、カラーフィルタを形成する。
本実施の形態の構成においてカラーフィルタを形成する場合には、層間絶縁層9とマイクロレンズ15との間に、それぞれの画素毎に対応する色のカラーフィルタを形成する。
本実施の形態の構成においてカラーフィルタを形成する場合には、層間絶縁層9とマイクロレンズ15との間に、それぞれの画素毎に対応する色のカラーフィルタを形成する。
その他の構成は、CMOS固体撮像素子の通常の構成と同様である。
本実施の形態の固体撮像素子は、例えば、次のようにして、製造することができる。
図2Aに示すように、フォトダイオード領域2、正電荷蓄積領域3、並びに、トランジスタ10のゲート電極12、素子分離層14等が、シリコン基板1に形成されている状態から説明する。
図2Aに示すように、フォトダイオード領域2、正電荷蓄積領域3、並びに、トランジスタ10のゲート電極12、素子分離層14等が、シリコン基板1に形成されている状態から説明する。
まず、図2Bに示すように、第1の絶縁膜4を、フォトダイオード領域2及びトランジスタ10全体を覆って形成する。また、図示しないが、第1の絶縁膜4を、周辺回路のトランジスタ上にも形成する。
第1の絶縁膜4としてSiN膜を形成する場合には、例えば、RF出力を200〜900Wで、圧力を0.1Pa〜10Paとした、プラズマ窒化物プロセスにより、1nm〜3nmの厚さ、例えば2nm程度の厚さで形成する。原料ガスとしては、例えば、N2又はNH3とSiH4とを使用する。
第1の絶縁膜4としてSiN膜を形成する場合には、例えば、RF出力を200〜900Wで、圧力を0.1Pa〜10Paとした、プラズマ窒化物プロセスにより、1nm〜3nmの厚さ、例えば2nm程度の厚さで形成する。原料ガスとしては、例えば、N2又はNH3とSiH4とを使用する。
次に、図3Cに示すように、第1の絶縁膜4上に、第2の絶縁膜5を形成する。このとき、第2の絶縁膜5を、フォトダイオード領域2及びトランジスタ10全体の上方に形成する。また、図示しないが、第2の絶縁膜5を、周辺回路のトランジスタの上方にも形成する。
第2の絶縁膜5としてHfO2膜を形成する場合には、例えば、ALD(Atomic Layer Deposition;原子層成長)法又はPVD(物理的気相成長)法により、50nm〜60nmの厚さで形成する。
第2の絶縁膜5として、La,Y,Al,Taの各酸化膜を形成する場合も、同様の方法により形成することが可能である。
第2の絶縁膜5としてHfO2膜を形成する場合には、例えば、ALD(Atomic Layer Deposition;原子層成長)法又はPVD(物理的気相成長)法により、50nm〜60nmの厚さで形成する。
第2の絶縁膜5として、La,Y,Al,Taの各酸化膜を形成する場合も、同様の方法により形成することが可能である。
次に、図3Dに示すように、フォトダイオード領域2及び周辺回路のMOSトランジスタの上方の第2の絶縁膜5の上に、SiO2層6を形成する。このSiO2層6は、HfO2膜等の第2の絶縁膜5をエッチングする後の工程において、他の金属層との反応又は混合や他の反応を防ぐことを目的として形成するものである。
SiO2層6は、TEOS(テトラエトキシシラン)やNSG(ノンドープシリケートガラス)等により、600nm〜1000nmの厚さに形成する。
SiO2層6は、TEOS(テトラエトキシシラン)やNSG(ノンドープシリケートガラス)等により、600nm〜1000nmの厚さに形成する。
その後、SiO2層6、第2の絶縁膜5及び第1の絶縁膜4に対して、ドライエッチングを行うことにより、撮像領域内のMOSトランジスタ10のゲート電極12、並びに、周辺回路のトランジスタのゲート電極及びソース・ドレイン領域に、それぞれ達するように、コンタクトホールを形成する。
そして、図4Eに示すように、コンタクトホール内を導電材料で埋めることにより、メタルコンタクト7を形成する。このメタルコンタクト7の厚さは、例えば、30nm〜300nmとする。
メタルコンタクト7の材料としては、例えば、W,Ti,Mb,Cu及びそれらの合金を含む材料を使用することができる。
また、例えば、Ti等を下地膜として用いて、W等を埋め込んだ積層構造のメタルコンタクト7とすることも可能である。
そして、図4Eに示すように、コンタクトホール内を導電材料で埋めることにより、メタルコンタクト7を形成する。このメタルコンタクト7の厚さは、例えば、30nm〜300nmとする。
メタルコンタクト7の材料としては、例えば、W,Ti,Mb,Cu及びそれらの合金を含む材料を使用することができる。
また、例えば、Ti等を下地膜として用いて、W等を埋め込んだ積層構造のメタルコンタクト7とすることも可能である。
次に、金属層を全面的に形成した後に、この金属層をパターニングすることにより、図4Fに示すように、遮光膜を兼ねる金属配線8を形成する。この金属配線8は、周辺回路のトランジスタ上及び撮像領域のトランジスタ10上に形成され、フォトダイオード領域2上には残らないように、パターニングする。
この金属配線8は、例えば、600nm〜1000nmの厚さに形成する。
金属配線8の材料としては、前述したAlの他にも、Cu,La,Ti,Taや、これらの金属元素の合金等も使用することが可能である。
この金属配線8は、例えば、600nm〜1000nmの厚さに形成する。
金属配線8の材料としては、前述したAlの他にも、Cu,La,Ti,Taや、これらの金属元素の合金等も使用することが可能である。
次に、金属配線8を覆って全面的に、層間絶縁層(埋め込み層)9を形成する。
この層間絶縁層(埋め込み層)9としては、例えば、高濃度プラズマ(HDP)により、SiO2層を、800nm〜1200nmの厚さに形成する。
その後、CMP(化学的機械的研磨)法等により、図5Gに示すように、層間絶縁層(埋め込み層)9の表面を平坦化処理する。
この層間絶縁層(埋め込み層)9としては、例えば、高濃度プラズマ(HDP)により、SiO2層を、800nm〜1200nmの厚さに形成する。
その後、CMP(化学的機械的研磨)法等により、図5Gに示すように、層間絶縁層(埋め込み層)9の表面を平坦化処理する。
続いて、図5Hに示すように、フォトダイオード領域2の上方の層間絶縁層9の上に、マイクロレンズ15を形成する。
なお、カラーフィルタを形成する場合には、マイクロレンズ15を形成する工程よりも前に、カラーフィルタを形成する工程を行う。
このようにして、図1に示した固体撮像素子20を製造することができる。
なお、カラーフィルタを形成する場合には、マイクロレンズ15を形成する工程よりも前に、カラーフィルタを形成する工程を行う。
このようにして、図1に示した固体撮像素子20を製造することができる。
上述の本実施の形態の固体撮像素子20の構成によれば、シリコン基板1上に、負の固定電荷を有する第2の絶縁膜5を形成していることにより、図8A及び図8Bに示したと同様に、バンドを曲げて、界面付近(シリコン基板1の表面付近)に正電荷(ホール)を蓄積させることができる。
これにより、界面準位に起因する暗電流の発生を抑制することが可能になる。
これにより、界面準位に起因する暗電流の発生を抑制することが可能になる。
また、上述の本実施の形態の固体撮像素子20の構成によれば、シリコン基板1上に、第2の絶縁膜5の金属元素の拡散を抑制する特性を有する第1の絶縁膜4を介して、第2の絶縁膜5を形成している。
これにより、第2の絶縁膜5からシリコン基板1への金属元素の拡散を抑制して、フォトダイオード、撮像領域のトランジスタ10、周辺回路のトランジスタにおいて、特性を維持し、信頼性を向上させることが可能になる。
従って、本実施の形態により、高い信頼性を有する固体撮像素子を実現することが可能になる。
これにより、第2の絶縁膜5からシリコン基板1への金属元素の拡散を抑制して、フォトダイオード、撮像領域のトランジスタ10、周辺回路のトランジスタにおいて、特性を維持し、信頼性を向上させることが可能になる。
従って、本実施の形態により、高い信頼性を有する固体撮像素子を実現することが可能になる。
なお、図1に示したように、シリコン基板1にフォトダイオード領域2を形成する代わりに、シリコン基板上のシリコンエピタキシャル層にフォトダイオード領域を形成することも可能である。
上述の実施の形態では、CMOS固体撮像素子に本発明を適用した場合であったが、本発明は、その他の構成の固体撮像素子にも適用することができる。
例えば、CCD固体撮像素子においても、電荷を転送する転送電極付近のシリコン層(シリコン基板やシリコンエピタキシャル層)へ、Hf等の元素が拡散すると、特性を損なうことになる。
従って、本発明をCCD固体撮像素子に適用することにより、転送電極付近のシリコン層へのHf等の元素の拡散を抑制して、良好な特性と信頼性とを実現することができる。
例えば、CCD固体撮像素子においても、電荷を転送する転送電極付近のシリコン層(シリコン基板やシリコンエピタキシャル層)へ、Hf等の元素が拡散すると、特性を損なうことになる。
従って、本発明をCCD固体撮像素子に適用することにより、転送電極付近のシリコン層へのHf等の元素の拡散を抑制して、良好な特性と信頼性とを実現することができる。
上述の実施の形態では、フォトダイオードを形成する半導体層として、シリコン基板1を使用していたが、本発明においては、シリコン以外の半導体(他のIV族元素や化合物半導体)を半導体層に使用した場合にも、適用することが可能である。
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
1 シリコン基板、2 フォトダイオード領域、3 正電荷蓄積領域、4 第1の絶縁膜、5 第2の絶縁膜、6 SiO2層、7 メタルコンタクト、8 金属配線(遮光膜)、9 層間絶縁層、10 トランジスタ、11 ゲート絶縁膜、12 ゲート電極、13 サイドウォール、15 マイクロレンズ
Claims (5)
- フォトダイオードが形成され、前記フォトダイオードの表面に正電荷蓄積領域が形成された半導体層と、
前記半導体層上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成された、負の固定電荷を有する第2の絶縁膜とを有し、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が、少なくとも、前記フォトダイオードが形成された領域の前記半導体層上に形成されており、
前記第1の絶縁膜が、前記第2の絶縁膜の元素の拡散を抑制する特性を有する
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記半導体層にトランジスタが形成され、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が、前記トランジスタが形成された部分の前記半導体層上にも形成されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記第1の絶縁膜が、SiN又はSiONから成ることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記第2の絶縁膜が、Hf,La,Y,Al,Taから選ばれる金属元素の酸化物を含むことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 半導体層にフォトダイオードを形成する工程と、
前記フォトダイオードの表面の前記半導体層に、正電荷蓄積領域を形成する工程と、
少なくとも、前記フォトダイオードが形成された領域の前記半導体層上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に、負の固定電荷を有する第2の絶縁膜を形成する工程とを有し、
前記第1の絶縁膜として、前記第2の絶縁膜の元素の拡散を抑制する特性を有する絶縁膜を形成する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
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2008
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