JP2011151126A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011151126A JP2011151126A JP2010010104A JP2010010104A JP2011151126A JP 2011151126 A JP2011151126 A JP 2011151126A JP 2010010104 A JP2010010104 A JP 2010010104A JP 2010010104 A JP2010010104 A JP 2010010104A JP 2011151126 A JP2011151126 A JP 2011151126A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- imaging device
- solid
- state imaging
- fixed charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 15
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 14
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 57
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 35
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 31
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 27
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 23
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 19
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 3
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【課題】複雑化することなく、暗電流を抑制することを可能にする。
【解決手段】第1導電型の半導体基板10に設けられた第2導電型の半導体層24を有し、半導体基板の第1面側に入射した入射光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換部24と、光電変換部によって蓄積された信号電荷を読み出す読み出し回路と、半導体基板の第1面側に光電変換部の半導体層24を覆うように設けられ、固定電荷を保持する固定電荷膜を含み、入射光の反射を防止する反射防止構造28と、光電変換部と、反射防止構造との間に設けられ、正孔を蓄積する正孔蓄積領域25と、を備えている。
【選択図】図1
Description
本発明の第1実施形態による固体撮像装置を説明する。この第1実施形態の固体撮像装置は、裏面照射型の固体撮像装置であってその断面を図1に示し、平面レイアウトを図2に示す。なお、図2の平面レイアウトは表面照射型の固体撮像装置の平面レイアウトとして用いることもできる。
ni×di = 1/4 × λ0 (1)
次に、本発明の第2実施形態による固体撮像装置を図5に示す。この第2実施形態の固体撮像装置1Aは、表面照射型の固体撮像装置であって、その断面を図5に示し、平面レイアウトを図2に示す。
次に、固定電荷膜の材料について説明する。
まず、全電子数との関係について説明する。高価数の添加物質として、Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Co、Ni、W、Mo、Cr、Mn、又はFeを用いる。これらの添加物質のいずれかを導入した時に、電荷蓄積層のギャップ内に出現するレベル内に導入される全電子数を[e]とする。窒素、炭素、ホウ素、または低価数物質の全導入量を[B]とし、価数差をKと表す。例えば、価数差Kは、添加物質が窒素の場合はK=1であり、添加物質が炭素の場合はK=2であり、添加物質がホウ素の場合はK=3であり、添加物質がII価の低価数物質の場合はK=2であり、添加物質がIII価の低価数物質の場合はK=1となる。ここで、窒素(または、炭素、ホウ素、低価数物質)が受け入れることのできる電子数は、K×[B]であるので、
0≦{K×[B]}/[e]≦1.0
であることが好ましい。何故なら、比が1を超えると、超えた分だけ酸素欠陥ができてしまうからである。この酸素欠陥は、母体酸化物を壊し長期信頼性が低下する問題を発生させる。このような問題から、窒素、炭素、ホウ素、または低価数物質の導入量には上限が出現する。つまり、これらの物質が高価数物質導入量に比べ、あまりにも多い場合には、酸素欠陥が発生してしまうので、好ましくない。よって、好適な範囲は、以下の通りとなる。
0≦{K×[B]}/[e]≦1.0
0≦{K×[B]}/{L×[A]}≦1.0
1A 固体撮像装置(表面照射型)
10 半導体基板
12 支持基板
20 画素領域
22 画素(単位画素)
24 n型拡散層
25 正孔蓄積領域
26 p型領域
28 反射防止構造
28a 固定電荷膜
28b 絶縁膜
28c 絶縁膜
30 カラーフィルタ
32 マイクロレンズ
34 画素分離領域
40 転送トランジスタ
42 浮遊拡散層(フローティングディフージョン)
44 トランジスタ群
46 層間絶縁膜
48 多層配線
60 光導波路構造
62 絶縁性の埋め込み領域
70 周辺回路領域
72 遮光膜
74 パッシベーション膜
80 駆動回路部
82 垂直選択回路
84 水平選択回路
86 TG(タイミングジェネレータ)
90 信号処理回路部
92 AD変換回路
94 ゲイン/アンプ回路
96 デジタル信号処理回路
Claims (8)
- 第1導電型の半導体基板に設けられた第2導電型の半導体層を有し、前記半導体基板の第1面側に入射した入射光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換部と、
前記光電変換部によって蓄積された信号電荷を読み出す読み出し回路と、
前記半導体基板の前記第1面側に前記光電変換部の前記半導体層を覆うように設けられ、固定電荷を保持する固定電荷膜を含み、前記入射光の反射を防止する反射防止構造と、
前記光電変換部と、前記反射防止構造との間に設けられ、正孔を蓄積する正孔蓄積領域と、
を備えていることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記固定電荷膜は、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、およびハフニウム(Hf)のうちの少なくとも1つの金属を含む酸化物誘電体中に、W、Mo、Cr、Mn、Fe、Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Co、およびNiからなる第1群から選択された少なくとも1つの元素を含むことを特徴とする固体撮像装置。
- 前記酸化物誘電体中における前記選択された元素の面密度が1.0×1012cm−2から2.0×1014cm−2の範囲にあることを特徴とする請s求項2記載の固体撮像装置。
- 前記固定電荷膜は、窒素、炭素、ホウ素、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Sc、Y、 La、およびLa系列からなる第2群から選択された少なくとも1つの元素を更に含むことを特徴とする請求項2または3に記載の固体撮像装置。
- 前記固定電荷膜は、シリコンリッチなシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記反射防止構造は、前記固定電荷膜を挟む第1および第2絶縁膜を更に備えていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記読み出し回路は、前記半導体基板の前記第1面側と反対の第2面側に設けられていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記読み出し回路は、前記半導体基板の前記第1面側に設けられていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の固体撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010010104A JP5050063B2 (ja) | 2010-01-20 | 2010-01-20 | 固体撮像装置 |
US12/875,534 US8338901B2 (en) | 2010-01-20 | 2010-09-03 | Solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010010104A JP5050063B2 (ja) | 2010-01-20 | 2010-01-20 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011151126A true JP2011151126A (ja) | 2011-08-04 |
JP5050063B2 JP5050063B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=44276965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010010104A Expired - Fee Related JP5050063B2 (ja) | 2010-01-20 | 2010-01-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8338901B2 (ja) |
JP (1) | JP5050063B2 (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013111628A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および製造方法、並びに電子機器 |
CN103378117A (zh) * | 2012-04-25 | 2013-10-30 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有负电荷层的背照式图像传感器 |
JP2013229606A (ja) * | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 負に帯電した電荷層を有する背面照射型の半導体イメージセンサー装置 |
JP2014165499A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 光電素子及び有機イメージセンサ |
KR101442950B1 (ko) * | 2012-05-10 | 2014-09-23 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Bsi 이미지 센서를 위한 후면 구조 및 방법 |
JP2014204126A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-27 | オムニヴィジョン テクノロジーズ インコーポレイテッド | 画像センサの性能を向上させるための層 |
KR20150136039A (ko) * | 2013-03-11 | 2015-12-04 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 개선된 암전류 성능을 갖는 이미지 센서 |
JP2016018920A (ja) * | 2014-07-09 | 2016-02-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US9356058B2 (en) | 2012-05-10 | 2016-05-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside structure for BSI image sensor |
JP2016133510A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | パーソナル ジェノミクス タイワン インコーポレイテッドPersonal Genomics Taiwan,Inc. | 導光機能を有する光学センサー及びその製造方法 |
US9401380B2 (en) | 2012-05-10 | 2016-07-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside structure and methods for BSI image sensors |
KR20180136717A (ko) * | 2017-06-15 | 2018-12-26 | 삼성전자주식회사 | 거리 측정을 위한 이미지 센서 |
JP2019067826A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-25 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびその製造方法ならびに機器 |
JP2019091936A (ja) * | 2019-02-27 | 2019-06-13 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置の製造方法 |
WO2023002617A1 (ja) * | 2021-07-21 | 2023-01-26 | 東京電力ホールディングス株式会社 | 半導体装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5365345B2 (ja) * | 2009-05-28 | 2013-12-11 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR101647779B1 (ko) * | 2009-09-09 | 2016-08-11 | 삼성전자 주식회사 | 이미지 센서, 그 제조 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 장치 |
JP5668008B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-02-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR101968197B1 (ko) * | 2012-05-18 | 2019-04-12 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 형성 방법 |
US9691809B2 (en) * | 2013-03-14 | 2017-06-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside illuminated image sensor device having an oxide film and method of forming an oxide film of a backside illuminated image sensor device |
FR3009433B1 (fr) * | 2013-08-01 | 2015-09-11 | St Microelectronics Crolles 2 | Capteur d'images a illumination face arriere a faible courant d'obscurite |
JP2015032717A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置およびカメラモジュール |
FR3011198A1 (fr) * | 2013-10-02 | 2015-04-03 | St Microelectronics Sa | Procede de formation d'un empilement de materiaux differents et dispositif comprenant l'empilement |
TWI709235B (zh) | 2013-11-29 | 2020-11-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 固體攝像元件、其製造方法及電子機器 |
JP2016100347A (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
US9812483B2 (en) * | 2015-10-26 | 2017-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Back-side illuminated (BSI) image sensor with global shutter scheme |
US10347684B2 (en) | 2016-12-28 | 2019-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor |
US11121160B2 (en) | 2018-10-17 | 2021-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and equipment comprising a light shielding part in a light receiving region and a light shielding film in a light shielded region |
US11244978B2 (en) | 2018-10-17 | 2022-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and equipment including the same |
CN111341938B (zh) * | 2020-03-16 | 2022-02-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装盖板及其制备方法、显示面板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007258684A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-10-04 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ |
JP2008244243A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ及びその製造方法 |
JP2009176950A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2009218480A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4124190B2 (ja) | 2004-09-21 | 2008-07-23 | ソニー株式会社 | X−yアドレス型固体撮像素子 |
FR2879025A1 (fr) * | 2004-12-07 | 2006-06-09 | Thomson Licensing Sa | Diode organique electroluminescente et panneau de diodes a couche anti-reflet favorisant l'extraction de lumiere |
JP2008201633A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Asahi Glass Co Ltd | 反射防止膜付きガラス板および窓用合わせガラス |
JP5521302B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2014-06-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
-
2010
- 2010-01-20 JP JP2010010104A patent/JP5050063B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-03 US US12/875,534 patent/US8338901B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007258684A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-10-04 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ |
JP2008244243A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ及びその製造方法 |
JP2009176950A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2009218480A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2013111628A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2015-05-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および製造方法、並びに電子機器 |
WO2013111628A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および製造方法、並びに電子機器 |
US9368532B2 (en) | 2012-01-23 | 2016-06-14 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and manufacturing method of the same, and electronic apparatus |
US9105539B2 (en) | 2012-01-23 | 2015-08-11 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and manufacturing method of the same, and electronic apparatus |
US10868050B2 (en) | 2012-04-25 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Backside illuminated image sensor with negatively charged layer |
US9659981B2 (en) | 2012-04-25 | 2017-05-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Backside illuminated image sensor with negatively charged layer |
CN103378117A (zh) * | 2012-04-25 | 2013-10-30 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有负电荷层的背照式图像传感器 |
JP2013229606A (ja) * | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 負に帯電した電荷層を有する背面照射型の半導体イメージセンサー装置 |
KR101543504B1 (ko) * | 2012-04-25 | 2015-08-11 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 음으로 대전된 층을 갖는 배면측 조명 영상 센서 |
US9837464B2 (en) | 2012-05-10 | 2017-12-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside structure and methods for BSI image sensors |
TWI497704B (zh) * | 2012-05-10 | 2015-08-21 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | 後側照光影像感測器及其製造方法 |
US9613996B2 (en) | 2012-05-10 | 2017-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside structure and methods for BSI image sensors |
US9305966B2 (en) | 2012-05-10 | 2016-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside structure and method for BSI image sensors |
US9356058B2 (en) | 2012-05-10 | 2016-05-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside structure for BSI image sensor |
KR101442950B1 (ko) * | 2012-05-10 | 2014-09-23 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Bsi 이미지 센서를 위한 후면 구조 및 방법 |
US8969991B2 (en) | 2012-05-10 | 2015-03-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside structure and methods for BSI image sensors |
US9401380B2 (en) | 2012-05-10 | 2016-07-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside structure and methods for BSI image sensors |
US9576999B2 (en) | 2012-05-10 | 2017-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside structure and methods for BSI image sensors |
JP2014165499A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 光電素子及び有機イメージセンサ |
US10707432B2 (en) | 2013-02-22 | 2020-07-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photoelectronic device and image sensor |
KR101650278B1 (ko) | 2013-03-11 | 2016-08-22 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 개선된 암전류 성능을 갖는 이미지 센서 |
KR20150136039A (ko) * | 2013-03-11 | 2015-12-04 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 개선된 암전류 성능을 갖는 이미지 센서 |
JP2014204126A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-27 | オムニヴィジョン テクノロジーズ インコーポレイテッド | 画像センサの性能を向上させるための層 |
JP2016018920A (ja) * | 2014-07-09 | 2016-02-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2016133510A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | パーソナル ジェノミクス タイワン インコーポレイテッドPersonal Genomics Taiwan,Inc. | 導光機能を有する光学センサー及びその製造方法 |
JP2018054623A (ja) * | 2015-01-16 | 2018-04-05 | パーソナル ジェノミクス タイワン インコーポレイテッドPersonal Genomics Taiwan,Inc. | 導光機能を有する光学センサー及びその製造方法 |
KR20180136717A (ko) * | 2017-06-15 | 2018-12-26 | 삼성전자주식회사 | 거리 측정을 위한 이미지 센서 |
KR102432861B1 (ko) * | 2017-06-15 | 2022-08-16 | 삼성전자주식회사 | 거리 측정을 위한 이미지 센서 |
JP2019067826A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-25 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびその製造方法ならびに機器 |
JP7076971B2 (ja) | 2017-09-28 | 2022-05-30 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびその製造方法ならびに機器 |
JP2019091936A (ja) * | 2019-02-27 | 2019-06-13 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置の製造方法 |
WO2023002617A1 (ja) * | 2021-07-21 | 2023-01-26 | 東京電力ホールディングス株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110175187A1 (en) | 2011-07-21 |
US8338901B2 (en) | 2012-12-25 |
JP5050063B2 (ja) | 2012-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5050063B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US11024660B2 (en) | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
KR102664494B1 (ko) | 촬상 소자 및 그 제조 방법 및 전자 기기 | |
US10748949B2 (en) | Solid-state imaging device, method for producing solid-state imaging device and electronic apparatus | |
KR102065291B1 (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기 | |
TWI477147B (zh) | Solid state camera device, camera | |
KR101708059B1 (ko) | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 | |
JP5403043B2 (ja) | 固体撮像装置及びカメラ | |
TWI442556B (zh) | A solid-state image pickup device, a method of manufacturing the same, and an image pickup device | |
JP2009218480A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2006245285A (ja) | 光電変換膜積層型固体撮像素子 | |
JP2006245284A (ja) | 光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP2006093521A (ja) | 光電変換膜積層型固体撮像素子 | |
WO2021145127A1 (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110920 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120315 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120626 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120723 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |