JP5403043B2 - 固体撮像装置及びカメラ - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る固体撮像装置の概略構成図である。
図11は、第2実施形態に係る固体撮像装置における、基板30の画素部の要部断面図である。なお、第1実施形態と同一の構成要素には、同じ符号を付してあり、その説明は省略する。
図13は、第3実施形態に係る固体撮像装置における、基板30の画素部の要部断面図である。なお、第1実施形態と同一の構成要素には、同じ符号を付してあり、その説明は省略する。
図14は、第4実施の形態に係る固体撮像装置における、画素部の要部断面図である。本実施の形態も裏面照射型の固体撮像装置であり、第1実施の形態と同一の構成要素には、同じ符号を付してあり、その説明は省略する。
図20は、第5実施の形態に係る固体撮像装置における、画素部の要部断面図である。本実施の形態も裏面照射型の固体撮像装置であり、第1実施の形態と同一の構成要素には、同じ符号を付してあり、その説明は省略する。
先ず、図21Aに示すように、撮像領域81にフォトダイオードを含む画素と配線層が形成され、周辺回路領域82に所要の周辺回路が形成された半導体基板30の裏面上に、フォトダイオード及び周辺回路側の全面に所要の膜厚の単層の絶縁膜71及び所要の膜厚の透明導電膜74を積層する。絶縁膜(酸化シリコン膜)71は、好ましくは薄い方がよい。
先ず、図23Aに示すように、撮像領域81にフォトダイオードを含む画素と配線層が形成され、周辺回路領域82に所要の周辺回路が形成された半導体基板30の裏面上に、フォトダイオード及び周辺回路側の全面にわたり、所要の膜厚の積層絶縁膜83及び所要の膜厚の透明導電膜74を積層する。
次に、本発明に係る固体撮像装置の第6実施の形態を説明する。
したがって、結晶化した絶縁膜(酸化ハフニウム膜)92と絶縁膜(酸化シリコン膜)94により反射防止膜が形成される。
例えば、本実施形態で挙げた数値や材料は一例であり、これに限定されるものではない。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
Claims (12)
- 基板の第1面側に配線層を有し、前記基板の第2面側から光を受光する固体撮像装置であって、
前記基板に形成された受光部と、
前記基板の第2面側に形成されたハフニウム、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、及び、ランタノイドから選ばれる少なくとも1種以上の元素を含む酸化物絶縁膜からなる第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の前記基板と反対側の面に形成された第2の絶縁膜と、を備え、
前記第1の絶縁膜は、膜中の少なくとも一部に結晶化して負の固定電荷を有する領域を有し、
前記第1の絶縁膜の負の固定電荷を有する領域下の、前記受光部の前記第2面側の表面が、正孔蓄積状態である
固体撮像装置。 - 前記第2の絶縁膜が酸化シリコンからなる請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記第1の絶縁膜の膜厚が、3nm以上100nm以下である請求項1又は2に記載の固体撮像装置。
- 前記第1の絶縁膜が、酸化ハフニウム膜からなる請求項1〜3のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記酸化ハフニウム膜が、Atomic Layer Deposition法により形成されている膜である請求項4に記載の固体撮像装置。
- 前記受光部が形成されている撮像領域と、前記撮像領域に隣接する周辺回路領域と、を備え、前記周辺回路領域において前記第2の絶縁膜上に遮光膜が形成されている請求項1〜5のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第1の絶縁膜と前記基板との間に第3の絶縁膜を備える請求項1〜6のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第3の絶縁膜の厚さが前記第1の絶縁膜の厚さよりも小さい請求項7に記載の固体撮像装置。
- 前記第3の絶縁膜が酸化シリコンからなる請求項7又は8に記載の固体撮像装置。
- 前記第3の絶縁膜が、Atomic Layer Deposition法により、前記第1の絶縁膜と同時に形成された請求項9に記載の固体撮像装置。
- 基板の第1面側に配線層を有し、前記基板の第2面側から光を受光する固体撮像装置と、前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路とからなり、
前記固体撮像装置は、
前記基板に形成された受光部と、
前記基板の第2面側に形成されたハフニウム、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、及び、ランタノイドから選ばれる少なくとも1種以上の元素を含む酸化物絶縁膜からなる第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の前記基板と反対側の面に形成された第2の絶縁膜と、を備え、
前記第1の絶縁膜は、膜中の少なくとも一部に結晶化して負の固定電荷を有する領域を有し、
前記第1の絶縁膜の負の固定電荷を有する領域下の、前記受光部の前記第2面側の表面が、正孔蓄積状態である
カメラ。 - 基板の第1面側に配線層を有し、前記基板の第2面側から光を受光する固体撮像装置であって、
前記基板に形成された受光部と、
前記基板の第2面側に形成されたハフニウム、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、及び、ランタノイドから選ばれる少なくとも1種以上の元素を含む酸化物絶縁膜と、を備え、
前記酸化物絶縁膜は、膜中の少なくとも一部に結晶化して負の固定電荷を有する領域を有し、
前記酸化物絶縁膜の負の固定電荷を有する領域下の、前記受光部の前記第2面側の表面が、正孔蓄積状態である
固体撮像装置。
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JP2012033583A (ja) | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法、並びに撮像装置 |
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US8742525B2 (en) * | 2011-03-14 | 2014-06-03 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
JP5810575B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2015-11-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
US10079257B2 (en) | 2012-04-13 | 2018-09-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Anti-reflective layer for backside illuminated CMOS image sensors |
US8610230B1 (en) * | 2012-11-01 | 2013-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | HfO2/SiO2-Si interface improvement for CMOS image sensor |
CN104167419B (zh) * | 2013-03-21 | 2017-08-25 | 英属开曼群岛商恒景科技股份有限公司 | 抑制热簇集的半导体结构、制作抑制热簇集半导体元件的方法与抑制热簇集的方法 |
KR102114629B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2020-05-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 전자 카메라 |
WO2017057397A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社ニコン | 撮像素子および電子カメラ |
US10332921B2 (en) | 2015-10-09 | 2019-06-25 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image sensing device and method for manufacturing the same, and electronic device |
CN108231813A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-06-29 | 德淮半导体有限公司 | 像素单元及其制造方法以及成像装置 |
CN110473886A (zh) * | 2018-05-11 | 2019-11-19 | 联华电子股份有限公司 | 半导体元件的制造方法 |
JP2019091936A (ja) * | 2019-02-27 | 2019-06-13 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置の製造方法 |
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JP2001144318A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-25 | Ricoh Co Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
JP3695748B2 (ja) * | 2001-05-16 | 2005-09-14 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置並びにその製造方法および駆動方法 |
JP3759435B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2006-03-22 | ソニー株式会社 | X−yアドレス型固体撮像素子 |
CN1437262A (zh) * | 2002-02-05 | 2003-08-20 | 双汉科技股份有限公司 | 混合照光区的互补式金氧半影像传感器结构及其电位读取方法 |
JP2004241612A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005142510A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2005208519A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Pentax Corp | 反射防止膜を有する光学素子及び医療用光学機器 |
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JP4779320B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2011-09-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2006261638A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-09-28 | Sony Corp | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 |
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