JP5523813B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
この発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置について図1を用いて説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の一構成例を示したものである。なお、以下実施形態では特に断りがない限り、裏面照射型の固体撮像装置とする。
図示するように、画素部4には、垂直信号線VLIN1乃至垂直信号線VLIN(n+1)の各々にそれぞれ接続され、且つ垂直方向に(m+1)個設けられたピクセル10が配置されている(n、mは共に自然数)。すなわち、画素部4は、マトリクス状に配置された複数のピクセル10を備える。なお、以下では、垂直信号線VLIN1に着目し、また垂直信号線VLIN1に直交する水平方向の第1ライン上に配置されたピクセル10について説明をする。
次に、図3を用いて本実施形態に係る固体撮像装置が有するピクセル10の平面構成例について説明する。上述したように、本実施形態では裏面照射型の固体撮像装置について説明する。すなわち、上記MOSトランジスタTbが形成される半導体基板の表面(表面側)とは反対側の基板表面(裏面側)に受光面が形成される裏面照射型固体撮像装置を一例に挙げて説明する。すわなち、半導体素子が形成されている側とは反対側が入射光に露出している側となり、裏面となる。以下、基板表面における平面構成例である。なお、便宜上垂直信号線VLINに沿って隣接するピクセル10についてのみに着目するが、実際にはピクセル10は図2に示すようマトリクス状に配置される。
次に図4を用いて上記ピクセル10の断面構成例について説明する。図4に示す断面構成例は、図3におけるA−A方向に沿った断面図である。ここで、シリコン基板20に対し、絶縁膜25が形成されている側を第1方向とし、またその逆、すなわち、シリコン基板20の底面を第2方向とする。
次に、固体撮像装置1がフォトダイオードPDで受光した光を、ピクセル10から読み出す方法について図5を用いて説明する。図5は上記図4において、レンズ6を通過して図示せぬフィルターで分解された光により半導体基板20内で生成された電子−正孔対のうち、電子につきトランジスタTdを介して外部へと読み出す際の動作を示す図である。なお、制御部5により電極26、27に与えられる電圧のタイミングが制御される。
まず少なくとも受光の際、電源部2により電極26に、例えば−1[V]程度の負電圧が印加される。これにより、ゼロ電位とされた拡散層21から誘起した正孔が、拡散層24と絶縁膜25との界面、換言すれば半導体基板上面と絶縁膜25との界面に集約される(図中S1)。
次に基板20の裏面から第1方向に沿って、すなわち半導体基板20の裏面側から光を受光することで、該半導体基板20内で生成された電子−正孔対のうち、電子が拡散層24へと集約する(図中S2)。これは、半導体基板20内で発生する電界や熱拡散によるものである。そして、これら発生した電子は、ある値の蓄積容量を有した空乏層が形成された拡散層24に蓄積される。
ステップS2の後、電極26へ負電圧を印加しつつ、電極27にパルス状の正電位電圧(信号READ)を、電源部2により印加させる。これにより、電極27の直下であり、半導体基板20表面にチャネルが形成される。この結果、拡散層24に蓄積された電子が、電極27の直下に形成されたチャネルを経由して、拡散層23を介し外部へと読み出される。以上、ピクセル10で受光した光を電荷として外部に読み出す際の動作について説明した。なお、拡散層24に電子を蓄積する際に半導体基板20界面に正孔蓄積層を誘起させるが、この正孔蓄積層が形成されるのは上記ステップS1〜S3の期間である。換言すれば、この正孔蓄積層が形成されるのは電極26に負電圧を印加する上記ステップS1〜S3の期間である。
次に上記図5において電極26に負電圧が印加された際の半導体基板20表面における濃度分布について図6を用いて説明する。換言すれば、拡散層24及び拡散層24と絶縁膜25との界面における正孔、電子等のキャリア濃度の分布について説明する。図6は、図5においてB−B’方向に沿った断面図における正孔と電子との濃度分布を示すグラフである。縦軸に濃度を取り、横軸にB−B’断面における位置を示す。なお、位置Bを、半導体基板20表面とする。
本実施形態に係る固体撮像装置であると、再生画面の品質を向上することができる。
本実施形態に係る固体撮像装置の効果につき、従来の固体撮像装置と比較して説明する。なお、従来の固体撮像装置において本実施形態の固体撮像装置1の各構成と同一の部材については同一の参照符号を用いる。
次に本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。第2の実施形態に係る固体撮像装置は、上記第1の実施形態に係る固体撮像装置において、電極26を、裏面側から受光した光を透過可能な、例えばITO(Indium Tin Oxide)膜などで形成された透明電極(後述する透明電極40)で形成し、更に上記第1の実施形態の読み出し動作におけるステップS3で電極26に印加していた負電位を、電極27の直下に形成されるチャネルに転送する際、停止するものである。以下実施形態ではこの電極26に代えて、透明電極40を設けた構成において説明する。以下、第1の実施形態と異なる点についてのみ説明する。
本実施形態に係る固体撮像装置であっても、上記第1の実施形態と同様の効果を奏することが出来る。つまり、透明電極40に−1[V]程度の負電圧を与えた場合であっても、半導体基板20の表面であって、拡散層24と絶縁膜25との界面に正孔蓄積層を形成させることが出来る。そして形成された正孔蓄積層は上記第1の実施形態と同様に高濃度、且つ従来よりも薄膜であることから、フォトダイオードPDの蓄積容量が大きくなる。このことにより例え固体撮像装置の微細化が進んだとしてもS/N比の低下を抑制出来、被写体の画像を劣化させるといったことを防止することが出来る。
次に本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。本実施形態に係る固体撮像装置は、上記第1、第2の実施形態に係る固体撮像装置において拡散層24が直下に配置されるよう形成された電極26、透明電極40に代えて、400[nm]〜700[nm]程度の可視光に対し透過性を備え、且つ負の固定電荷を含む電位層、例えば絶縁膜41を形成した構成をとる。ここで絶縁膜41は、例えば酸化ハフニウムにより形成された膜である。以下、第1、第2の実施形態と異なる点についてのみ説明する。
本実施形態に係る固体撮像装置であっても上記第1の実施形態と同様の効果を奏することができる。つまり、負の固定電荷を含む絶縁膜41を電極26、透明電極40の代わりに使用した場合であっても、半導体基板20の表面であって、拡散層24と絶縁膜25との界面に正孔蓄積層を形成させることが出来る。そして形成された正孔蓄積層は上記第1の実施形態と同様に高濃度、且つ従来よりも薄膜であることから、フォトダイオードPDの蓄積容量が大きくなる。このことにより、例え固体撮像装置の微細化が進んだとしてもS/N比の低下を抑制出来、被写体の画像を劣化させるといったことを防止することが出来る。
Claims (4)
- 第1導電型又は第2導電型の半導体基板表面内に形成され、該半導体基板表面から第1の深さの位置において濃度が最大値となるようドーピングされた前記第2導電型の第1拡散層と、
前記半導体基板表面上であって、直下に前記第1拡散層が配置されるよう形成され、所定の電位とされた電位層と、
前記第1拡散層に少なくとも一部が接する前記第1導電型の第2拡散層と、
前記半導体基板表面内であって、前記第1拡散層と離隔して形成された浮遊拡散層と、
前記第1拡散層と前記浮遊拡散層との間であって、前記半導体基板上に形成された読出電極と、
を具備し、
前記半導体基板の裏面側から表面側に向かって照射された光により前記半導体基板内で生成された電子を前記第1拡散層に蓄積する期間、前記半導体基板表面と前記第1拡散層の表面との界面から前記第1の深さよりも浅い第2の深さを有する前記第1導電型の電荷蓄積層が形成され、
前記期間において前記電位層に負電圧を印加し、前記第1拡散層に蓄積された電子を読み出す際に負電圧を停止する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記半導体基板上に形成された電位層は、
前記第1拡散層を、前記電子を蓄積する電荷蓄積部として機能させる際、前記第2拡散層の電位よりも低い電圧を印加可能な電極である
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記半導体基板上に形成された電位層は、絶縁層であり、
前記絶縁層は負の固定電荷を含む
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記読出電極は、前記第1拡散層の深さよりも小さな間隔で前記第2拡散層の電位よりも低い電圧を印加可能な前記電極と隣接することを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
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