JP2014160876A - 固体撮像装置の製造方法、及び、カメラ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ハフニウム、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、及び、ランタノイドから選ばれる少なくとも1種以上の元素を含む酸化物絶縁膜を備える。そして、酸化物絶縁膜は、膜中の少なくとも一部に結晶化して負の固定電荷を有する領域を有し、酸化物絶縁膜の負の固定電荷を有する領域下の、受光部の第2面側の表面が正孔蓄積状態である固体撮像装置を備える。
【選択図】図25
Description
図1は、本実施形態に係る固体撮像装置の概略構成図である。
図11は、第2実施形態に係る固体撮像装置における、基板30の画素部の要部断面図である。なお、第1実施形態と同一の構成要素には、同じ符号を付してあり、その説明は省略する。
図13は、第3実施形態に係る固体撮像装置における、基板30の画素部の要部断面図である。なお、第1実施形態と同一の構成要素には、同じ符号を付してあり、その説明は省略する。
図14は、第4実施の形態に係る固体撮像装置における、画素部の要部断面図である。本実施の形態も裏面照射型の固体撮像装置であり、第1実施の形態と同一の構成要素には、同じ符号を付してあり、その説明は省略する。
図20は、第5実施の形態に係る固体撮像装置における、画素部の要部断面図である。本実施の形態も裏面照射型の固体撮像装置であり、第1実施の形態と同一の構成要素には、同じ符号を付してあり、その説明は省略する。
先ず、図21Aに示すように、撮像領域81にフォトダイオードを含む画素と配線層が形成され、周辺回路領域82に所要の周辺回路が形成された半導体基板30の裏面上に、フォトダイオード及び周辺回路側の全面に所要の膜厚の単層の絶縁膜71及び所要の膜厚の透明導電膜74を積層する。絶縁膜(酸化シリコン膜)71は、好ましくは薄い方がよい。
先ず、図23Aに示すように、撮像領域81にフォトダイオードを含む画素と配線層が形成され、周辺回路領域82に所要の周辺回路が形成された半導体基板30の裏面上に、フォトダイオード及び周辺回路側の全面にわたり、所要の膜厚の積層絶縁膜83及び所要の膜厚の透明導電膜74を積層する。
次に、本発明に係る固体撮像装置の第6実施の形態を説明する。
例えば、本実施形態で挙げた数値や材料は一例であり、これに限定されるものではない。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
Claims (13)
- 基板の第1面側に配線層を有し、前記基板の第2面側から光を受光する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路とからなり、
前記固体撮像装置は、
前記基板の第1面側に配線層を有し、前記基板の第2面側から光を受光する固体撮像装置であって、
前記基板に形成された受光部と、
前記基板の第2面側に形成されたハフニウム、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、及び、ランタノイドから選ばれる少なくとも1種以上の元素を含む酸化物絶縁膜と、を備え、
前記酸化物絶縁膜は、膜中の少なくとも一部に結晶化して負の固定電荷を有する領域を有し、
前記酸化物絶縁膜の負の固定電荷を有する領域下の、前記受光部の前記第2面側の表面が、正孔蓄積状態である
カメラ。 - 前記酸化物絶縁膜の膜厚が、3nm以上100nm以下である請求項1に記載のカメラ。
- 前記酸化物絶縁膜が、酸化ハフニウム膜からなる請求項1又は2に記載のカメラ。
- 前記酸化物絶縁膜が、Atomic Layer Deposition法により形成されている膜である請求項1から3のいずれかに記載のカメラ。
- 前記受光部が形成されている撮像領域と、前記撮像領域に隣接する周辺回路領域と、を備え、前記周辺回路領域において前記酸化物絶縁膜の上方に遮光膜が形成されている請求項1から4のいずれかに記載のカメラ。
- 前記酸化物絶縁膜と前記基板との間に絶縁膜を備える請求項1から5のいずれかに記載のカメラ。
- 前記絶縁膜の厚さが前記酸化物絶縁膜の厚さよりも小さい請求項6に記載のカメラ。
- 基板の第1面側に配線層を有し、前記基板の第2面側から光を受光する固体撮像装置の製造方法であって、
基板の第1面側に配線層を有し、前記基板の第2面側から光を受光する固体撮像装置の製造方法であって、
基板に第1導電型領域を含む受光部を形成する工程と、
前記基板の第2面側に、ハフニウム、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、及び、ランタノイドから選ばれる少なくとも1種以上の元素を含む酸化物絶縁膜を、Atomic Layer Deposition法により形成する工程と、を有し、
前記酸化物絶縁膜中の少なくとも一部に、結晶化して負の固定電荷を有する領域を形成し、
前記酸化物絶縁膜の負の固定電荷を有する領域下の、前記第2面側の表面が正孔蓄積状態の前記受光部を形成する
固体撮像装置の製造方法。 - 前記酸化物絶縁膜を、3nm以上100nm以下の膜厚に形成する請求項8に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記酸化物絶縁膜として酸化ハフニウム膜を形成する請求項8又は9に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記受光部が形成されている撮像領域と隣接する周辺回路領域において、前記酸化物絶縁膜の上方に遮光膜を形成する請求項8から10のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記酸化物絶縁膜と前記基板との間に絶縁膜を形成する工程を有する請求項8から11のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記酸化物絶縁膜を前記絶縁膜よりも大きい厚さで形成する請求項12に記載の固体撮像装置の製造方法。
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