JP2015023200A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態の半導体装置は、光電変換部1が、半導体基板100の光が入射される側の主面の内部に形成される。絶縁膜2は、上述の主面の上に形成される。固定電荷膜3は、絶縁膜2の上に形成される。不純物領域4は、固定電荷膜3に発生した欠陥31の発生位置の直下の、半導体基板100の内部に形成される。
【選択図】 図1
Description
図1は、実施形態の半導体装置の構造の例を示す断面図である。
2 絶縁膜
3 固定電荷膜
31 欠陥
4 不純物領域
5、51、52 反転層
6 P型シールド層
100 半導体基板
Claims (6)
- 半導体基板の光が入射される側の主面の内部に形成された光電変換部と、
前記主面の上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成された固定電荷膜と、
前記固定電荷膜に発生した欠陥の発生位置の直下の前記主面の内部に形成された不純物領域と
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記固定電荷膜が、負の固定電荷を有し、
前記不純物領域が、P型不純物で形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記固定電荷膜が、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)およびアルミニウム(Al)のいずれかを含む酸化物誘電体膜である
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 内部に光電変換部が形成された半導体基板の主面の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に固定電荷膜を形成する工程と、
前記固定電荷膜をマスクとして前記半導体基板に不純物をドーピングする工程と、
前記不純物を活性化させる工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記固定電荷膜が、負の固定電荷を有し、
前記不純物が、P型である
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記固定電荷膜が、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)およびアルミニウム(Al)のいずれかを含む酸化物誘電体膜である
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2007088305A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ |
JP2009176950A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
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