JPS59126666A - 固体イメ−ジセンサ - Google Patents
固体イメ−ジセンサInfo
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- JPS59126666A JPS59126666A JP58002080A JP208083A JPS59126666A JP S59126666 A JPS59126666 A JP S59126666A JP 58002080 A JP58002080 A JP 58002080A JP 208083 A JP208083 A JP 208083A JP S59126666 A JPS59126666 A JP S59126666A
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- thin film
- photosensitive
- transistor
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- film
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14672—Blooming suppression
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体撮像素子（ｌ！１体イメージセンサ）に関
するものである。
するものである。
従来、光学１域の電子変換には、悌１＃！官が多く用い
られてきたが、・寿館が短ＺＰいことや、小型になりに
くい点等から、ＭＯ１Ｓ型やｃｃＤ型の固定イメージセ
ンサが、登場するようになった。’４１図は白黒画像會
七ンシングする一般的なＭＯ８型イメージセンサの構成
を示している。通常感光セル３１） （Ｎ Ｘ Ｍ ）
のマトリックス・プレイ状に配置される。感光セル３は
電荷読み出し用トランジスタ１とフォトダイオード２に
より構成されている。
られてきたが、・寿館が短ＺＰいことや、小型になりに
くい点等から、ＭＯ１Ｓ型やｃｃＤ型の固定イメージセ
ンサが、登場するようになった。’４１図は白黒画像會
七ンシングする一般的なＭＯ８型イメージセンサの構成
を示している。通常感光セル３１） （Ｎ Ｘ Ｍ ）
のマトリックス・プレイ状に配置される。感光セル３は
電荷読み出し用トランジスタ１とフォトダイオード２に
より構成されている。
ＭＯＳ ）ランジスタ１のゲート電極は水平選択用シフ
トレジスタ７の出力Ｈ１〜ＨＭがＷｃｆｆｒ、され、読
み出し水平走査位ＶＬヲ選択する。又ＭＯ８）ランジス
タ１によりＭ本の水平走査線の中の選択されｆｃ１ライ
ンに対応するセル３の電荷出力は８本の垂直様に伝えら
れると共にスイッチングトランジスタ４によりビデオシ
グナルラインｖｓに転送される。垂直選択用シフトレジ
スタ６は一水平走査期間円に出・力Ｓ１〜ＳＮによりス
イッチングトランジスタ４金順仄ＯＮさせて、垂直ライ
ンｖ１〜ｖＮｏｔｇデータをシリアルにビデオシグナル
ラインｖｓに出力する。
トレジスタ７の出力Ｈ１〜ＨＭがＷｃｆｆｒ、され、読
み出し水平走査位ＶＬヲ選択する。又ＭＯ８）ランジス
タ１によりＭ本の水平走査線の中の選択されｆｃ１ライ
ンに対応するセル３の電荷出力は８本の垂直様に伝えら
れると共にスイッチングトランジスタ４によりビデオシ
グナルラインｖｓに転送される。垂直選択用シフトレジ
スタ６は一水平走査期間円に出・力Ｓ１〜ＳＮによりス
イッチングトランジスタ４金順仄ＯＮさせて、垂直ライ
ンｖ１〜ｖＮｏｔｇデータをシリアルにビデオシグナル
ラインｖｓに出力する。
第２図はこの感光セルｔ１モノリシック半導体で実現し
た場合め断面図である。Ｎ型ｓｉ単結晶基板１０中にＰ
型のウェル１１を形成、フィールド酸化膜１６、水平走
ｆ１Ｍ号が印加される、ゲート電像１５、ソース・ドレ
イン拡散１２．１５、及び垂直ラインをなすＮ、配線１
４７）”らなる。Ｎ型ドレイン拡散虐１３とＰ型ウェル
１１がフォトダイ（オード全構成する。、通常このダイ
オードには逆バイアスが印加され、Ｐ−Ｎ嶺曾の空光層
には一定の電荷が蓄えられる、−短期間に光が入射する
と、ダイオードの光電流により蓄えられた電荷が放電す
る、従ってゲート電極１５によりトランジスタをＯＮさ
せた時に、垂直ライン〃・らの電荷充電量が光電流即ち
、光はと比例し、この電荷充電ｔ’を各セル毎にシリア
ルに絖み出丁と、光イメージの電気変懐がｏＪ能となる
、 ところが、この方式にハ重大な欠点がある。一つＫに？
°ルーミングと叶ばれる現家であり、強い入射光に対し
ては、フォトダイオードに４ｉ積できる電荷を以上の過
５１！ｌＪ電荷が発生し隣接セルや垂直ライン、即ちノ
ース電極１２に流れ込み、結果として垂直ライン上に画
面上白い異状なライン金形成する、電他の１つはスミア
と呼ばれるものであシ、入射光がフォトダイオードの今
でなく、バルクの下方の万まで入射し、バルクの深い所
でキャリアを発生させて、結果として画面上白くにじま
せてし筐う。このプルーミングやスミアに、構造を複雑
にすることや、゛平面的なパターンにおけるルール金き
びしくする０と、又外部のセンスアップ周辺を複雑にし
て逃れる等、むずかしい手段により低減は可能であるが
、基本的に全くなくなることはない。このことが、固体
ｆＩ＆像素子の性能を低下させる大きな要因となってい
た、 従って本発明の目的は固体撮像素子のプルーミング、ス
ミアｔなくす構造、方式全提供することにある。
た場合め断面図である。Ｎ型ｓｉ単結晶基板１０中にＰ
型のウェル１１を形成、フィールド酸化膜１６、水平走
ｆ１Ｍ号が印加される、ゲート電像１５、ソース・ドレ
イン拡散１２．１５、及び垂直ラインをなすＮ、配線１
４７）”らなる。Ｎ型ドレイン拡散虐１３とＰ型ウェル
１１がフォトダイ（オード全構成する。、通常このダイ
オードには逆バイアスが印加され、Ｐ−Ｎ嶺曾の空光層
には一定の電荷が蓄えられる、−短期間に光が入射する
と、ダイオードの光電流により蓄えられた電荷が放電す
る、従ってゲート電極１５によりトランジスタをＯＮさ
せた時に、垂直ライン〃・らの電荷充電量が光電流即ち
、光はと比例し、この電荷充電ｔ’を各セル毎にシリア
ルに絖み出丁と、光イメージの電気変懐がｏＪ能となる
、 ところが、この方式にハ重大な欠点がある。一つＫに？
°ルーミングと叶ばれる現家であり、強い入射光に対し
ては、フォトダイオードに４ｉ積できる電荷を以上の過
５１！ｌＪ電荷が発生し隣接セルや垂直ライン、即ちノ
ース電極１２に流れ込み、結果として垂直ライン上に画
面上白い異状なライン金形成する、電他の１つはスミア
と呼ばれるものであシ、入射光がフォトダイオードの今
でなく、バルクの下方の万まで入射し、バルクの深い所
でキャリアを発生させて、結果として画面上白くにじま
せてし筐う。このプルーミングやスミアに、構造を複雑
にすることや、゛平面的なパターンにおけるルール金き
びしくする０と、又外部のセンスアップ周辺を複雑にし
て逃れる等、むずかしい手段により低減は可能であるが
、基本的に全くなくなることはない。このことが、固体
ｆＩ＆像素子の性能を低下させる大きな要因となってい
た、 従って本発明の目的は固体撮像素子のプルーミング、ス
ミアｔなくす構造、方式全提供することにある。
本発明は、プルーミング、スミア會、感光セルを薄膜ト
ランジスタと薄膜感光素子で構成することにより除去す
るものである。
ランジスタと薄膜感光素子で構成することにより除去す
るものである。
第５図は本発明の感光セル１９ｉ衣ゎし７’Ｃものであ
る。セル選択用のトランジスタｕ４膜トランジスタ（Ｔ
Ｐ Ｔ 、） １７により、又感光素子としてはバル
ク上の薄膜感光１戻１８ｔ″用いる。
る。セル選択用のトランジスタｕ４膜トランジスタ（Ｔ
Ｐ Ｔ 、） １７により、又感光素子としてはバル
ク上の薄膜感光１戻１８ｔ″用いる。
第ル図に不発明の構造例を感光セル１単位について示し
たものである。Ｓ１単結晶基也２０上に酸化膜２１を形
成した俊薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜を形成
しパターニングを行ない、ソース・ドレイン・チャネル
ｇ２２，２ｉ ２ａとなる薄膜アイランド會形成する
。ゲート絶縁膜全形成後薄膜トランジスタのゲート電極
２６奮形成、その恢層間絶縁膜２５全形成しソース・ド
レイン部２２．３３とのコンタクトホールを開孔後Ｍ配
線層をつけて、パターニングし垂直ライン２７とセル下
部電極２８を形成する、その後全面に感光薄膜をつけて
、その上に上部電極となる透明導電膜層２９を形成する
。、ＴＰＴの薄膜半導体材料としてに、Ｃｄ −Ｓ ｅ
３＃の化合物半導体、アモルファスや多結晶、あるい
はアニールにより結晶成長させた単結晶シリコン薄膜が
よい、又感光性の薄膜としてｒ［Ｚｎ−８ｅ、 ｃｄ
−Ｔ ｅ、 Ｓ ｅ−Ａｅ−Ｔｅ、Ｓｉ等のアモルファ
ス膜や、Ｓｉの多結晶膜がよい。感光薄膜３０Ｕ上下の
電極材料により、単なる感光抵抗素子となったり、又は
Ｐ−Ｎ接合となったシするが、いずれにしても光全感知
して、光電流上発生せしめ、又暗所にてにインピーダン
スが非常に高くなる性質があればよい。
たものである。Ｓ１単結晶基也２０上に酸化膜２１を形
成した俊薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜を形成
しパターニングを行ない、ソース・ドレイン・チャネル
ｇ２２，２ｉ ２ａとなる薄膜アイランド會形成する
。ゲート絶縁膜全形成後薄膜トランジスタのゲート電極
２６奮形成、その恢層間絶縁膜２５全形成しソース・ド
レイン部２２．３３とのコンタクトホールを開孔後Ｍ配
線層をつけて、パターニングし垂直ライン２７とセル下
部電極２８を形成する、その後全面に感光薄膜をつけて
、その上に上部電極となる透明導電膜層２９を形成する
。、ＴＰＴの薄膜半導体材料としてに、Ｃｄ −Ｓ ｅ
３＃の化合物半導体、アモルファスや多結晶、あるい
はアニールにより結晶成長させた単結晶シリコン薄膜が
よい、又感光性の薄膜としてｒ［Ｚｎ−８ｅ、 ｃｄ
−Ｔ ｅ、 Ｓ ｅ−Ａｅ−Ｔｅ、Ｓｉ等のアモルファ
ス膜や、Ｓｉの多結晶膜がよい。感光薄膜３０Ｕ上下の
電極材料により、単なる感光抵抗素子となったり、又は
Ｐ−Ｎ接合となったシするが、いずれにしても光全感知
して、光電流上発生せしめ、又暗所にてにインピーダン
スが非常に高くなる性質があればよい。
第５図に不発明の他の構造例であり、第４図の構造にお
けるＴＰＴのドレイン側からＭ［極で引き出して、下部
電極２８を構成するものに対し、第５図ではドレインの
半導体層重そのまま下部電極となすものである。
けるＴＰＴのドレイン側からＭ［極で引き出して、下部
電極２８を構成するものに対し、第５図ではドレインの
半導体層重そのまま下部電極となすものである。
不発明の利点としてまず、基板−が絶縁物であることに
より入射した余分の光は下部に透過し、単結晶シリコン
のようにキャリア七発生させることはない。又感光体は
薄膜素子として基板上部に存在するので胞オロ光重′ｔ
−越えても、垂直ライン側へ又に隣接セルへ影響するこ
とに全くない。即ち従来、半纏・体のバルク部分で発生
する宗剰のキャリアにより起因するプルーミングやスミ
アに、トランジスタを薄膜化してｅ縁吻の上に形成し巣
に感元部も薄膜化して積層することにより防止できるこ
とになる。
より入射した余分の光は下部に透過し、単結晶シリコン
のようにキャリア七発生させることはない。又感光体は
薄膜素子として基板上部に存在するので胞オロ光重′ｔ
−越えても、垂直ライン側へ又に隣接セルへ影響するこ
とに全くない。即ち従来、半纏・体のバルク部分で発生
する宗剰のキャリアにより起因するプルーミングやスミ
アに、トランジスタを薄膜化してｅ縁吻の上に形成し巣
に感元部も薄膜化して積層することにより防止できるこ
とになる。
本発明の構成例として、感光セル部は薄膜素子によｐ形
成されているが、イメージセンサの周辺として必賛な８
分、即ち第１図４．６．７に示すシフトレジスタや、ス
イッチングトランジスタはスピードが安求され薄膜素子
で構成することにむずかしいことがある。この時感光セ
ルのアレイ部を本発明の通り薄膜素子により構成し、周
辺部を単結晶基根内に従来通ジ作９込むことが有利であ
る。
成されているが、イメージセンサの周辺として必賛な８
分、即ち第１図４．６．７に示すシフトレジスタや、ス
イッチングトランジスタはスピードが安求され薄膜素子
で構成することにむずかしいことがある。この時感光セ
ルのアレイ部を本発明の通り薄膜素子により構成し、周
辺部を単結晶基根内に従来通ジ作９込むことが有利であ
る。
第６図はこの方式を具体的Ｎ示すルすであり、薄膜素子
とバルク素子ケ同−基板上に、共通のプロセスで形成す
る。第６図（イ）では、まず単結晶基板６２に、フィー
ルド配化膿域６３を形成した懐に薄膜トランジスタ全形
成するための多結晶シリコン盾６４勿形成、その後熱酸
化によジゲート杷縁膜６５を形成する、呻）では多結晶
シリコン層よりなるゲート１ｊ１１．極６６．６７全形
成その俊、ゲート電極會２２７に不純物イオンを打ち込
むと、薄膜トランジスタのソースｔドレイン電極６８゜
７０、バルクトランジスタのソース・ドレイン電極７１
．７２を形成する、（ハ）においてに層間絶縁膜となゐ
ＯＶＤによる酸化膜７７會デポジツトしてからコンタク
トホールを開孔ｍＡ１ｍ極盾７３゜７５．７５．７６を
形成する。４嗅トランジスタ７Ｂは感光セルの選択用ト
ランジスタとして用い、バルク・トランジスタ７９は周
辺回路用に用いる。
とバルク素子ケ同−基板上に、共通のプロセスで形成す
る。第６図（イ）では、まず単結晶基板６２に、フィー
ルド配化膿域６３を形成した懐に薄膜トランジスタ全形
成するための多結晶シリコン盾６４勿形成、その後熱酸
化によジゲート杷縁膜６５を形成する、呻）では多結晶
シリコン層よりなるゲート１ｊ１１．極６６．６７全形
成その俊、ゲート電極會２２７に不純物イオンを打ち込
むと、薄膜トランジスタのソースｔドレイン電極６８゜
７０、バルクトランジスタのソース・ドレイン電極７１
．７２を形成する、（ハ）においてに層間絶縁膜となゐ
ＯＶＤによる酸化膜７７會デポジツトしてからコンタク
トホールを開孔ｍＡ１ｍ極盾７３゜７５．７５．７６を
形成する。４嗅トランジスタ７Ｂは感光セルの選択用ト
ランジスタとして用い、バルク・トランジスタ７９は周
辺回路用に用いる。
こうして薄膜トランジスタとバルクトランジスタが同一
プロセスにて作成可能となる、こうすると従来プルーミ
ングやスミア金防止するために構造的に複雑であり、従
って製造プロセスが？Ｊ 、Ｉ Ｔあったが、本発明の
方式でにシンプルな構造で尚性能な感光特性のイメージ
センサが芙現できる、又従来周辺回路ｆｌＩＮ−ＭＯＳ
トランジスタによＶ構成されており、高速転送のために
かなりの消費電力であり発熱による％性シフトが大きな
問題であつ；７ｍ、 （、＞し不発明の方式ではプロセ
ス、横這が藺単になることにより、周辺回路’ｉＣ−Ｍ
Ｏ８化して高速かつ低電力のシフトレジスタ等を作り込
め、従って、発熱による％注シフトが解決できる。
プロセスにて作成可能となる、こうすると従来プルーミ
ングやスミア金防止するために構造的に複雑であり、従
って製造プロセスが？Ｊ 、Ｉ Ｔあったが、本発明の
方式でにシンプルな構造で尚性能な感光特性のイメージ
センサが芙現できる、又従来周辺回路ｆｌＩＮ−ＭＯＳ
トランジスタによＶ構成されており、高速転送のために
かなりの消費電力であり発熱による％性シフトが大きな
問題であつ；７ｍ、 （、＞し不発明の方式ではプロセ
ス、横這が藺単になることにより、周辺回路’ｉＣ−Ｍ
Ｏ８化して高速かつ低電力のシフトレジスタ等を作り込
め、従って、発熱による％注シフトが解決できる。
第７図は不発明によるＴＰＴの轡性金示す。第７図Ｂは
第６図の方式で作成した通當のバルク７リコンのＭＯＳ
）ランジスタ、Ａμ同様のＴＰＴであり両者共にＮチ
ャンネルの％注である。ＴＰＴの万に移′＃ＪＩＪ叢が
１〜２桁低下するが、感光セルアレイの動作に必−巽な
スピードは確保できる。
第６図の方式で作成した通當のバルク７リコンのＭＯＳ
）ランジスタ、Ａμ同様のＴＰＴであり両者共にＮチ
ャンネルの％注である。ＴＰＴの万に移′＃ＪＩＪ叢が
１〜２桁低下するが、感光セルアレイの動作に必−巽な
スピードは確保できる。
本発明は前述のように、イメージセンサ全構成する感光
セル部の選択用トラン゛ジスタ全薄膜トランジスタとす
ると共に感光膜も薄ノ漠化することにより、プルーミン
グが３０〜４０ｄＢ又スミアも２０４Ｂは低下させるこ
とが可能となると共に薄膜化した感光膜の失効面積が向
上し、飽オロ光量が６ｄＢ増加、父元吸収率がアモルフ
ァス化して単結晶シリコンよＶ畠くなることにより感光
％注が１０〜２０．［ｌＢ回向上、結果として光セン７
ングのダイナミックレンジが従来よＦ）５０〜ＡＯｄＢ
改讐される。又同時に同辺回路のｃｕｏｓ（ＩＺ七行な
うことにより狛インチセンサのＡＵＯＨＸ３００Ｖにお
いて［敵５ Ｌｌ Ｏｒｎ Ｗであったものが８０ｃｏ
Ｗと大幅に低下させることができる。
セル部の選択用トラン゛ジスタ全薄膜トランジスタとす
ると共に感光膜も薄ノ漠化することにより、プルーミン
グが３０〜４０ｄＢ又スミアも２０４Ｂは低下させるこ
とが可能となると共に薄膜化した感光膜の失効面積が向
上し、飽オロ光量が６ｄＢ増加、父元吸収率がアモルフ
ァス化して単結晶シリコンよＶ畠くなることにより感光
％注が１０〜２０．［ｌＢ回向上、結果として光セン７
ングのダイナミックレンジが従来よＦ）５０〜ＡＯｄＢ
改讐される。又同時に同辺回路のｃｕｏｓ（ＩＺ七行な
うことにより狛インチセンサのＡＵＯＨＸ３００Ｖにお
いて［敵５ Ｌｌ Ｏｒｎ Ｗであったものが８０ｃｏ
Ｗと大幅に低下させることができる。
第１図は従来のイメージセンサ、第２図にその構造を示
す。 ６．７−シフトレジスタ 弗３図に本発明の感光セル部、第４図、第５図は本発明
のセルの構造例である。第６図（イ）（ロ）（ハ）に不
発明の他の構造例であり、薄膜トランジスタとバルクシ
リコントランジスタ全同一プロセスにて構成する際の＊
造工程例である。又第７図は第６図の工程におけるトラ
ンジスタの％ｔ％である、以 上 出願人 株式会社諏訪稍工舎 ゛） 代理人 弁理士最上 務 νセ 夕１、 第１図 てＮ ２ 図 第４図 第５図 第６図 第７はＩ
す。 ６．７−シフトレジスタ 弗３図に本発明の感光セル部、第４図、第５図は本発明
のセルの構造例である。第６図（イ）（ロ）（ハ）に不
発明の他の構造例であり、薄膜トランジスタとバルクシ
リコントランジスタ全同一プロセスにて構成する際の＊
造工程例である。又第７図は第６図の工程におけるトラ
ンジスタの％ｔ％である、以 上 出願人 株式会社諏訪稍工舎 ゛） 代理人 弁理士最上 務 νセ 夕１、 第１図 てＮ ２ 図 第４図 第５図 第６図 第７はＩ
Claims (1)
- 光信号音電気信号に変換するためのセル選択用トランジ
スタ及び感光体からなる感光セルアレイ及びセルを選択
、前記変換された゛電気信号を読み出すための（資）辺
回路よりなる固体イメージセンサにおいて、前記セル選
択用トランジスタを薄膜トランジスタとし、前記薄膜ト
ランジスタのドレイン電極、又ｑドレイン刀１らの引き
出し″ｄＬ挑上に感光体薄膜を設は史に前記感光体薄膜
上に透明電極を形成することを特徴とする固体イメージ
センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58002080A JPS59126666A (ja) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | 固体イメ−ジセンサ |
| US07/253,917 US4862237A (en) | 1983-01-10 | 1988-10-04 | Solid state image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58002080A JPS59126666A (ja) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | 固体イメ−ジセンサ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4097889A Division JP2570054B2 (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | 固体イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59126666A true JPS59126666A (ja) | 1984-07-21 |
Family
ID=11519364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58002080A Pending JPS59126666A (ja) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | 固体イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59126666A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62229874A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-10-08 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ及びその製造方法 |
| US4992846A (en) * | 1987-03-25 | 1991-02-12 | Nippon Soken, Inc. | Polycrystalline silicon active layer for good carrier mobility |
| US5027177A (en) * | 1989-07-24 | 1991-06-25 | Hughes Aircraft Company | Floating base lateral bipolar phototransistor with field effect gate voltage control |
| JP2022087122A (ja) * | 2014-03-13 | 2022-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138969A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Canon Inc | Photoelectric converter |
| JPS57114292A (en) * | 1981-01-06 | 1982-07-16 | Fuji Xerox Co Ltd | Thin film image pickup element |
-
1983
- 1983-01-10 JP JP58002080A patent/JPS59126666A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138969A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Canon Inc | Photoelectric converter |
| JPS57114292A (en) * | 1981-01-06 | 1982-07-16 | Fuji Xerox Co Ltd | Thin film image pickup element |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62229874A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-10-08 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ及びその製造方法 |
| US4992846A (en) * | 1987-03-25 | 1991-02-12 | Nippon Soken, Inc. | Polycrystalline silicon active layer for good carrier mobility |
| US5027177A (en) * | 1989-07-24 | 1991-06-25 | Hughes Aircraft Company | Floating base lateral bipolar phototransistor with field effect gate voltage control |
| JP2022087122A (ja) * | 2014-03-13 | 2022-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
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