JP2015233135A5 - 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器 - Google Patents

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  1. 1のゲート電極と、
    前記第1のゲート電極上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜電気的に接続された、ソース電極と、
    前記酸化物半導体膜電気的に接続された、ドレイン電極と、
    前記酸化物半導体膜上、前記ソース電極上、及び前記ドレイン電極上の第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜上の第2のゲート電極と、を有し、
    前記第2の絶縁膜は、酸素を有し、
    前記第2のゲート電極は、前記酸化物半導体膜が有する金属元素の少なくとも一つと共通した金属元素を有し、且つ前記酸化物半導体膜よりも膜厚が小さい領域を有する、
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 1のゲート電極と、
    前記第1のゲート電極上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜電気的に接続された、ソース電極と、
    前記酸化物半導体膜電気的に接続された、ドレイン電極と、
    前記酸化物半導体膜上、前記ソース電極上、及び前記ドレイン電極上の第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜上の第2のゲート電極と、を有し、
    前記第2のゲート電極は、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜に設けられた第1の開口部、及び前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜に設けられた第2の開口部を介して、前記第1のゲート電極電気的に接続され、
    前記第2の絶縁膜は、酸素を有し、
    前記第2のゲート電極は、前記酸化物半導体膜が有する金属元素の少なくとも一つと共通した金属元素を有し、且つ前記酸化物半導体膜よりも膜厚が小さい領域を有する、
    ことを特徴とする半導体装置。
  3. 1のゲート電極と、
    前記第1のゲート電極上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜の第3の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
    前記第2の絶縁膜の第4の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
    前記第2の絶縁膜上の第2のゲート電極と、を有し、
    前記第2の絶縁膜は、酸素を有し、
    前記第2のゲート電極は、前記酸化物半導体膜が有する金属元素の少なくとも一つと共通した金属元素を有し、且つ前記酸化物半導体膜よりも膜厚が小さい領域を有する、
    ことを特徴とする半導体装置。
  4. 1のゲート電極と、
    前記第1のゲート電極上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜の第3の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
    前記第2の絶縁膜の第4の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
    前記第2の絶縁膜上の第2のゲート電極と、を有し、
    前記第2のゲート電極は、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜に設けられた第1の開口部、及び前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜に設けられた第2の開口部を介して、前記第1のゲート電極電気的に接続され、
    前記第2の絶縁膜は、酸素を有し、
    前記第2のゲート電極は、前記酸化物半導体膜が有する金属元素の少なくとも一つと共通した金属元素を有し、且つ前記酸化物半導体膜よりも膜厚が小さい領域を有する、
    ことを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項4において、
    前記第3の開口部は、前記第1の開口部より大きく、
    前記第3の開口部は、前記第2の開口部より大きく、
    前記第4の開口部は、前記第1の開口部より大きく、
    前記第4の開口部は、前記第2の開口部より大きい、
    ことを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項1乃至請求項のいずれか一つにおいて、
    前記第2のゲート電極の膜厚は、5nm以上35nm以下である、
    ことを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項1乃至請求項のいずれか一つにおいて、
    前記酸化物半導体膜は、
    酸素と、Inと、Znと、M(Mは、Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd、またはHf)とを有する、
    ことを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項1乃至請求項のいずれか一つにおいて、
    前記酸化物半導体膜は、結晶部を有し、
    前記結晶部は、c軸配向性を有する、
    ことを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項1乃至請求項に記載のいずれか一つの半導体装置と、
    表示素子と、
    を有することを特徴とする表示装置。
  10. 請求項に記載の表示装置と、
    タッチセンサと、
    を有することを特徴とする表示モジュール。
  11. 請求項1乃至請求項に記載のいずれか一つの半導体装置、請求項に記載の表示装置、または請求項10に記載の表示モジュールと、
    操作キーまたはバッテリと、
    を有することを特徴とする電子機器。
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