JP5297005B2 - 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法に関する。
有機ＥＬディスプレイは、薄型、広視野角、低消費電極、優れた動画表示特性などの特色を有しており、複数個の有機ＥＬ素子をマトリックス状に配列して構成されたものが従来から知られている。
かかる有機ＥＬ素子は、基板上に形成される第１電極層と、第１電極層上に形成される有機発光層と、有機発光層上に形成される第２電極層と、から構成されている。
有機発光層は、第１電極層及び第２電極層に電圧を加えて、第１電極層及び第２電極層から有機発光層に正孔及び電子を注入し、有機発光層中で正孔と電子が再結合することで、放出されるエネルギーの一部が有機発光層中の発光分子を励起する。そして、有機発光層は、その励起された発光分子が基底状態に戻るときにエネルギーを放出して光を発する。
なお、電極層を形成する際に、雰囲気中の酸素濃度を通常の成膜の際より高く設定して、電極層の表面を酸化し、電極層から有機発光層への正孔又は電子の注入を大きくする技術が提案されている（下記特許文献１参照）。
特開平９−２４５９６８号公報
ところが、上記した特許文献１に記載の有機ＥＬ素子は、雰囲気中の酸素濃度を高めて、電極層の表面を酸化するため、雰囲気中の酸素濃度にバラツキがあると、電極層の表面の酸化程度にもバラツキが発生する。そのため、電極層から有機発光層への正孔又は電子の注入が電極層表面の領域毎に異なり、さらには、有機ＥＬディスプレイにおける有機ＥＬ素子の輝度にバラツキが発生する。その結果、有機ＥＬディスプレイに輝度ムラが生じ、ディスプレイの視認性が悪化する。
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、電極層の表面の酸化程度のバラツキを抑制し、さらには、有機ＥＬディスプレイの輝度ムラを低減し、視認性に優れた有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬディスプレイにおいて、
前記有機ＥＬ素子は、上面が酸素存在下でＵＶ光が照射されて酸化された１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚みの電荷の注入が可能な酸化膜を有する第１電極層と、前記酸化膜上に形成され、アルカリ金属又はアルカリ土類金属からなる電荷注入促進層と、前記電荷注入促進層上に形成され、アルカリ金属のハロゲン化物からなる電荷注入層と、前記電荷注入層上に形成される有機発光層と、前記有機発光層上に形成される第２電極層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
前記有機ＥＬ素子は、上面が酸素存在下でＵＶ光が照射されて酸化された１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚みの電荷の注入が可能な酸化膜を有する第１電極層と、前記酸化膜上に形成され、アルカリ金属又はアルカリ土類金属からなる電荷注入促進層と、前記電荷注入促進層上に形成され、アルカリ金属のハロゲン化物からなる電荷注入層と、前記電荷注入層上に形成される有機発光層と、前記有機発光層上に形成される第２電極層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
また、本発明の有機ＥＬディスプレイは、前記電荷注入促進層と前記電荷注入層との界面に、前記電荷注入促進層を構成する材料及び前記電荷注入層を構成する前記ハロゲン化物とから成るバッファ層が、形成されていることを特徴とする。
また、本発明の有機ＥＬディスプレイは、前記電荷注入層上に、前記電荷注入層から乖離したアルカリ金属から成る電荷輸送層が形成されていることを特徴とする。
また、本発明の有機ＥＬディスプレイは、前記バッファ層の厚みが、５ｎｍ以下であることを特徴とする。
また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、上面が露出した第１電極層を有する基板を準備する工程と、前記第１電極層の上面が酸素存在下でＵＶ光が照射されることで酸化して、前記第１電極層上に１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚みの電荷の注入が可能な酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に、電荷注入促進層を形成する工程と、前記電荷注入促進層上に、有機発光層を形成する工程と、前記有機発光層上に、第２電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記電荷注入促進層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属からなり、前記電荷注入促進層上に、アルカリ金属のハロゲン化物からなる電荷注入層を形成して、前記電荷注入促進層と前記電荷注入層との界面に、前記電荷注入層を構成するハロゲン化物と前記電荷注入促進層を構成するアルカリ金属又はアルカリ土類金属とが結合することによってバッファ層が形成される工程と、を備えたことを特徴とする。
また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記第１電極層の上面にＵＶ光を照射する前に、前記第１電極層の上面を洗浄して、前記第１電極層の上面を酸化することを特徴とする。
本発明によれば、電極層の表面の酸化程度のバラツキを抑制することができ、有機ＥＬディスプレイの輝度ムラを低減し、視認性に優れた有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供することができる。
以下に、本発明について、図面を参照しつつ説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１の上方斜視図である。また、図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの画素の拡大断面図である。さらに、図３は、有機ＥＬ素子の拡大断面図である。
有機ＥＬディスプレイ１は、図１に示すように、テレビ等の家電機器、携帯電話又はコンピュータ機器等の電子機器に用いるものであり、基板としての平板状の素子基板２と、素子基板２上に複数の画素３と、画素３の発光を制御する駆動ＩＣ４と、を含んで構成されている。なお、画素３は、有機ＥＬ素子５を含んで構成されており、各画素３は、隔壁６によって仕切られている。
素子基板２は、例えばガラスやプラスチックから成り、素子基板２の中央に位置する表示領域Ｄ１には、マトリックス状に配列された複数の画素３が形成されている。また、素子基板２の端部に位置する非表示領域Ｄ２には、駆動ＩＣ４が実装されている。
また、素子基板２上に、素子基板２に対して対向するように配置された封止基板７が形成されている。封止基板７は透明の基板から成り、例えばガラスやプラスチックを用いることができる。さらに、素子基板２の表示領域Ｄ１には、表示領域Ｄ１を被覆するようにシール材８が形成されており、素子基板２と隔壁６と封止基板７とシール材８によって複数の画素３を密封している。なお、シール材８は、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂又はシリコン樹脂等の光硬化性又は熱硬化性の樹脂を用いることができる。好ましくは、紫外線の照射により硬化する光硬化性のエポキシ樹脂を採用する。
次に、図２又は図３に示すように、素子基板２と封止基板７との間に形成される各種層について説明する。
素子基板２上には、ＴＦＴや電気配線が形成されている回路層９と、回路層９上に回路層９を外部と電気的に絶縁するための窒化珪素等から成る絶縁層１０が形成されている。なお、回路層９の一部と、後述するコンタクト層１３とが電気的に接続されている。また、絶縁層１０上には、回路層９や絶縁層１０の凹凸を低減するための平坦化膜１１が形成されている。かかる平坦化膜１１は、例えばノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の絶縁性を有する有機材料を用いることができる。なお、平坦化膜１１の厚みは、例えば２μｍ以上、５μｍ以下に設定されている。
また、平坦化膜１１には、平坦化膜１１及び絶縁層１０を貫通するコンタクトホール１２が形成されている。さらにコンタクトホール１２の内周面から平坦化膜１１の上面にかけて、例えば銅やアルミニウム等の導電材料から成るコンタクト層１３が形成されている。
さらに、平坦化膜１１上には、有機ＥＬ素子５が形成されている。
有機ＥＬ素子５は、上面が酸化された酸化膜１５を有する第１電極層１４と、酸化膜１５上に形成された電荷注入促進層１６と、電荷注入促進層１６上に形成された電荷注入層１７と、電荷注入層１７上に形成された有機発光層１８と、有機発光層１８上に形成された第２電極層１９と、を含んで構成されている。なお、有機ＥＬ素子５を被覆するように、画素３上に保護層２０が形成されている。保護層２０は、有機ＥＬ素子５を封止し、有機ＥＬ素子を水分や外気から保護するものであって、光透過性の機能を有し、例えば窒化珪素、酸化珪素又は窒化炭化珪素等の無機材料から成る。なお、保護層２０の厚みは、例えば５００ｎｍ以上、５μｍ以下に設定されている。
以下の本実施形態では、第１電極層１４を陰極、第２電極層１９を陽極として説明する。
第１電極層１４は、平坦化膜１１上に形成されるとともに、コンタクト層１３と間を空けて配置されている。第１電極層１４は、例えばアルミニウム、銀、銅、金又はロジウム等の金属、又はこれらの合金等の光反射率の大きい材料から成る。このように、第１電極層１４を光反射率の大きい材料から構成することにより、トップエミッション型の有機ＥＬ素子５においては光取り出し効率を向上させることができる。なお、第１電極層１４の厚みは、例えば５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下に設定されている。
また、第１電極層１４とコンタクト層１３との間には、絶縁膜２１が介在されている。絶縁膜２１は、その一部が第１電極層１４と第２電極層１９との間に介在され、両者の短絡を防止している。絶縁膜２１は、ポリイミド樹脂又はフェノール樹脂等の有機絶縁材料や、窒化珪素等の無機絶縁材料から成り、絶縁膜２１上には、上部よりも下部が幅狭な隔壁６が形成されている。
酸化膜１５は、第１電極層１４の上面に形成される酸化物であって、例えばアルミニウム、銀、銅、金又はロジウムと酸素との化合物から成る。かかる酸化膜１５の厚みは、１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下に設定されていることが好ましい。酸化膜１５の厚みを１ｎｍ以上にすることで、酸化膜１５から電荷注入促進層１６に進入する電荷の注入障壁を小さくすることができ、第１電極層１４から有機発光層１８に電荷が進入し易くすることができる。その結果、有機発光層１８の輝度を向上させることができる。また、酸化膜１５の厚みを２０ｎｍ以下にすることで、第１電極層１４から有機発光層１８に向けて、効果的に電荷を注入することができ、酸化膜１５の厚みによって、電荷の注入が抑制されることがない。
電荷注入促進層１６は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム又はセシウム等のアルカリ金属や、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム又はバリウム等のアルカリ土類金属の酸化物から構成されている。電荷注入促進層１６は、第１電極層１４から有機発光層１８への電荷（正孔又は電子）の注入を向上させることができる。また、電荷注入促進層１６は、後述するように電荷注入層１７を構成するハロゲン化物と化合しやすい。また、電荷注入促進層１６と酸化膜１５との間には、電荷注入酸化膜２２が形成されている。かかる電荷注入酸化膜２２は、電荷注入促進層１６の下面に形成される酸化物であって、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と、酸素との化合物から成る。電荷注入酸化膜２２は、第１電極層１４側から浸入した酸素と結合することで、有機発光層１８内部への酸素の進入を抑制することができる。なお、電荷注入酸化膜２２の厚みは、例えば１．５ｎｍ以下となる。
電荷注入層１７は、例えばフッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ルビジウム又はフッ化セシウム等のアルカリ金属のハロゲン化物から成る。電荷注入層１７の厚みは、０．５ｎｍ以上、１．５ｎｍ以下に設定されていることが好ましい。電荷注入層１７の厚みを０．５ｎｍ以上にすることで、後述するように、電荷輸送層２４を生成するためのハロゲン化物の量を十分に確保することができる。また、電荷注入層１７の厚みを１．５ｎｍ以下にすることで、第１電極層１４から有機発光層１８内部に向かって、電荷を効率良く注入することができる。
電荷注入層１７の下面には、電荷注入促進層１６を構成するアルカリ金属と電荷注入層１７のハロゲン化物が乖離し、両者が化合したバッファ層２３が形成されている。また、電荷注入層１７の上面には、電荷注入層１７からアルカリ金属が乖離した電荷輸送層２４が形成されている。
バッファ層２３は、酸化膜１５と同様に第１電極層１４側から酸素が有機発光層１８に進入するのを抑制することができる。有機発光層１８は、酸化されることで、電流が流れにくくなり、輝度が低下するが、バッファ層２３を有機発光層１８と第1電極層１４の間に介在させて、有機発光層１８が劣化するのを抑制することができる。バッファ層２３の厚みは、１ｎｍ以上、５ｎｍ以下に設定されていることが好ましい。バッファ層２３の厚みを１ｎｍ以上にすることで、酸化膜１５から有機発光層１８に向けて、酸素が進入するのを抑制することができ、有機発光層１８が劣化するのを効果的に防止することができる。また、バッファ層２３の厚みを５ｎｍ以下にすることで、第１電極層１４から有機発光層１８に向けて電荷を輸送する効率を有効的に維持することができる。
また、電荷輸送層２４は、電荷注入層１７から乖離したアルカリ金属から成る。電荷輸送層２４は、第１電極層１４から有機発光層１８に進入する電荷を効率良く輸送することができる。なお、電荷輸送層２４の厚みは、例えば５ｎｍ以下となる。
有機発光層１８は、例えばＣＢＰ、Ａｌｑ３又はＳＤＰＶＢｉ等の発光樹脂、またはこれらにＤＣＪＴＢ、クマリン、キナクリドン、スチリルアミン又はペルリン等の添加物を含有したものを用いることができる。なお、有機発光層１８と第２電極層１９との間に、例えばα‐ＮＰＤ又はＴＰＤ等の輸送層、酸化ニッケル、酸化チタン、フッ化炭素又はＣｕＰｃ等の注入層を、介在させることができる。
第２電極層１９は、光と透過する導電材料から、有機発光層１８上から層間絶縁膜２１まで延在されており、該延在部がコンタクト層１３と接続されている。第２電極層１９は、例えばＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明電極や、プラチナ、金、ニッケル、銀又は銅や、これらの合金から成る。
また、第２電極層１９と保護層２０との間には、有機発光層１８が発する光を効率良く取り出すためのキャッピング層２５が形成されている。
キャッピング層２５は、その厚みや屈折率を適当に設定することにより、キャッピング層２５から保護層２０に向って進行する進行波の波長と、第２電極層１９で反射して保護層２０に向って進行する反射波の波長を合わせて、光を効率よく共振させ、有機発光層１８が発した光を効率よく有機ＥＬディスプレイの外部に取り出す機能を有している。
かかるキャッピング層２５は、例えば、α‐ＮＰＤ、ＴＰＤ又はｍ‐ＭＴＤＡＴＡ等の有機材料から成る。なお、キャッピング層２５の厚みは、例えば５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下に設定されており、保護層２０との屈折率の差は０．３以下に設定されている。
以下に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１の製造方法について、図４から図８を用いて詳細に説明する。
まず、回路層９と、絶縁層１０とを上面に有する素子基板２を準備する。なお、回路層９及び絶縁層１０は、従来周知のＣＶＤ法、スパッタリング法やフォトリソグラフィー法等の薄膜加工技術を用いて、所定パターンに形成される。
そして、図４（ａ）に示すように、回路層９及び絶縁層１０を被覆するように例えば従来周知のスピンコート法を用いて、有機樹脂膜１１ａを形成する。なお、有機樹脂膜１１ａは、硬化後に平坦化膜１１となる。
次に、有機樹脂膜１１ａ上に露光マスクを用いて有機樹脂膜１１ａを露光し、さらに現像、ベーキング処理を行い、図４（ｂ）に示すように、回路層９の一部を露出させて、上部よりも下部が幅狭なコンタクトホール１２を有する平坦化膜１１を形成する。そして、図４（ｃ）に示すように、例えばアルミニウムから成る金属膜１４ａを形成する。なお、金属膜１４ａは、後述するようにパターニング後に、第１電極層１４及びコンタクト層１３と成る。
さらに、図５（ａ）に示すように、露出した金属膜１４ａ上に対して、第１電極層１４となる領域を露出させるマスクＭを対向配置する。かかるマスクＭは、コンタクトホール１２を被覆し、コンタクトホール１２に形成された金属膜１４ａを被覆する。そして、後述するように大気中などの酸素存在下で金属膜１４ａにＵＶ光が照射されても、コンタクトホール１２の領域は酸化されないようにすることができる。仮に、コンタクト層１３の表面が酸化されると、コンタクト層１３と第２電極層１９との間に電流が流れにくくなるが、コンタクト層１３が形成される領域をマスクＭで被覆することで、コンタクト層１３の表面が酸化されないため、コンタクト層１３と第２電極層１９との間の抵抗を抑えることができ、コンタクト層１３と第２電極層１９とを電気的に良好に接続することができる。
そして、図５（ｂ）に示すように、露出した領域に対してＵＶ照射装置を用いて、大気中などの酸素存在下でＵＶ光を照射し、露出した領域に、例えば酸化アルミニウムから成る酸化膜１５を形成する。かかるＵＶ照射装置としては、低圧水銀ランプを用いて、例えば１８５ｎｍ以上２５４ｎｍ以下の出力の光を、例えば５分以上１０分以下の時間照射することによって、酸化膜１５を形成することができる。また、Ｘｅエキシマランプを用いることも可能である。さらに、酸化膜１５は、酸素プラズマ装置を用いて、露出した金属膜１４ａに対し酸素プラズマ処理を行うことで形成することができる。ここで、第１電極層１４上にパーティクル等の異物が存在する場合は、上述したように第１電極層１４上を酸素プラズマ処理することで、異物をアッシングして除去することもできる。そして、酸化膜１５形成後に、図５（ｃ）に示すように、マスクＭを素子基板２から取り外す。
このように、第１電極層１４上に均一にＵＶ光を照射することによって、第１電極層１４上を酸化させるため、表示領域Ｄ１における第１電極層１４上に、厚みのバラツキが１ｎｍ以下の酸化膜１５を形成することができる。この酸化膜１５の厚み範囲は、雰囲気中の酸素濃度を高め、表面酸化した電極層を形成する場合と比較して、酸化膜１５の厚みのバラツキを効果的に小さくすることができる。その結果、電極層から有機発光層への正孔又は電子の注入が電極層表面の領域毎に異なるのを抑制することができ、有機ＥＬディスプレイにおける有機ＥＬ素子の輝度のバラツキを十分に低減することができる。したがって、有機ＥＬディスプレイに輝度ムラが発生することを十分に抑制することができ、有機ＥＬディスプレイの視認性を向上させることができる。
また、有機発光層を形成し、その有機発光層上に表面が酸化した電極層を形成する場合は、有機発光層が酸素と反応して劣化しやすいが、本実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイは、電極層を形成後に有機発光層を形成するため、有機発光層が酸素と反応しにくい。
次に、図６（ａ）に示すように、酸化膜１５及び金属膜１４ａ上に、従来周知の薄膜加工技術を用いて、パターニングしたレジストＲを形成する。かかるレジストＲは、酸化膜１５及びコンタクト層１３が形成される領域を被覆し、酸化膜１５の外周を露出するように形成される。そして、図６（ｂ）に示すように、レジストＲから露出した金属膜１４ａを、従来周知の薄膜加工技術を用いて、酸化膜１５の外周に沿ってエッチングし、第１電極層１４及びコンタクト層１３を形成する。
次に、図６（ｃ）に示すように、例えばスピンコート法を用いて、第１電極層１４、コンタクト層１３及び露出した平坦化膜１１上に、絶縁膜２１となりうる有機絶縁材料を被着し、有機絶縁材料層２１ａを形成する。さらに、図７（ａ）に示すように、従来周知の薄膜加工技術を用いて、有機絶縁材料層２１ａをパターニングし、絶縁膜２１を形成する。かかる絶縁膜２１は、コンタクト層１３の表面を一部露出するように、コンタクト層１３の外周を覆って形成される。したがって、第１電極層１４の直上の酸化膜１５が露出する。
次に、図７（ｂ）に示すように、絶縁膜２１上に、従来周知の薄膜加工技術を用いて、上部よりも下部が幅狭な隔壁６を形成する。かかる隔壁６は、各画素３を取り囲むように形成される。
そして、図７（ｃ）に示すように、酸化膜１５上に、従来周知の蒸着法を用いて、例えばマグネシウムから成る電荷注入促進層１６を形成する。ここで、酸化膜１５と電荷注入促進層１６との界面に、酸化膜１５から進入する酸素と電荷注入促進層１６とが反応して、例えば酸化マグネシウムから成る電荷注入酸化膜２２が形成される。なお、電荷注入促進層１６の厚みは、０．５ｎｍ以上、１．５ｎｍ以下にすることが好ましい。電荷注入促進層１６の厚みをこの範囲にすることで、電荷注入酸化膜２２の厚みを調整することができる。
さらに、図８（ａ）に示すように、電荷注入促進層１６上に、従来周知の蒸着法を用いて、フッ化リチウムから成る電荷注入層１７を形成する。ここで、電荷注入促進層１６と電荷注入層１７との界面に、電荷注入層１７を構成するフッ素と、電荷注入促進層１６を構成するマグネシウムが結合して、例えばフッ化マグネシウムから成るバッファ層２３が形成される。また、電荷注入層１７の上面には、バッファ層２３が形成される過程で、ハロゲン原子が乖離したことによって、例えばリチウムから成る電荷輸送層２４が形成される。
次に、図８（ｂ）に示すように、電荷注入層１７上に、従来周知の蒸着法を用いて、有機発光層１８を形成する。さらに、有機発光層１８からコンタクト層１３上にかけて、従来周知の蒸着法を用いて、第２電極層１９を形成する。
このようにして、有機ＥＬ素子５を形成することができる。さらに、有機ＥＬ素子５を被覆するように、従来周知の薄膜形成技術を用いて、保護層２０を形成する。そして、有機ＥＬ素子が形成された素子基板２に対して、封止基板７を対向配置し、両者をシール材８を介して接着する。なお、封止基板７をシール材８によって、素子基板２に固定する作業は、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス中や、高真空中で行うことによって、素子基板２と封止基板７との間に酸素や水分が含まれるのを抑制することができる。
そして、非表示領域Ｄ２に駆動ＩＣ４を実装することで、有機ＥＬディスプレイ１を製造することができる。
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、有機発光層１８と電荷注入層１７の間に電子輸送性の有機材料、例えばＡｌｑ３等を介在させても構わない。
また、上述した本実施形態では、マスクＭを用いて、酸化膜１５を形成したが、第１電極層１４の直上にのみ酸化膜１５を形成する観点から、金属膜１４ａ上に、第１電極層１４の直上を露出したレジストパターンを形成し、そのレジストパターンが形成された素子基板２を洗浄し、さらにＵＶ光を照射することによって、露出した領域に酸化膜１５を形成する方法を用いても構わない。
また、上述した本実施形態では、第１電極層１４を陰極、第２電極層１９を陽極としたが、第１電極層１４を陽極とし、第２電極層１９を陰極としてもよい。かかる第２電極層１９として、アルカリ金属やアルカリ土類金属を用いる場合は、厚みを、例えば２０ｎｍ以下と、薄くすることで光を透過することができる。
１ 有機ＥＬディスプレイ
２ 素子基板
３ 画素
４ 駆動ＩＣ
５ 有機ＥＬ素子
６ 隔壁
７ 封止基板
８ シール材
９ 回路層
１０ 絶縁層
１１ 平坦化膜
１２ コンタクトホール
１３ コンタクト層
１４ 第１電極層
１５ 酸化膜
１６ 電荷注入促進層
１７ 電荷注入層
１８ 有機発光層
１９ 第２電極層
２０ 保護層
２１ 絶縁膜
２２ 電荷注入酸化膜
２３ バッファ層
２４ 電荷輸送層
２５ キャッピング層
Ｄ１ 表示領域
Ｄ２ 非表示領域
２ 素子基板
３ 画素
４ 駆動ＩＣ
５ 有機ＥＬ素子
６ 隔壁
７ 封止基板
８ シール材
９ 回路層
１０ 絶縁層
１１ 平坦化膜
１２ コンタクトホール
１３ コンタクト層
１４ 第１電極層
１５ 酸化膜
１６ 電荷注入促進層
１７ 電荷注入層
１８ 有機発光層
１９ 第２電極層
２０ 保護層
２１ 絶縁膜
２２ 電荷注入酸化膜
２３ バッファ層
２４ 電荷輸送層
２５ キャッピング層
Ｄ１ 表示領域
Ｄ２ 非表示領域
Claims (5)
- 有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬディスプレイにおいて、
前記有機ＥＬ素子は、
上面が酸素存在下でＵＶ光が照射されて酸化された１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚みの電荷の注入が可能な酸化膜を有する第１電極層と、
前記酸化膜上に形成され、アルカリ金属又はアルカリ土類金属からなる電荷注入促進層と、
前記電荷注入促進層と前記酸化膜の間に形成され、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と酸素との化合物からなる電荷注入酸化膜と、
前記電荷注入促進層上に形成され、アルカリ金属のハロゲン化物からなる電荷注入層と、
前記電荷注入促進層と前記電荷注入層との界面に形成され、前記電荷注入促進層を構成する材料及び前記電荷注入層を構成する前記ハロゲン化物からなるバッファ層と、
前記電荷注入層上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された第２電極層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。 - 請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイにおいて、
前記電荷注入層上に、前記電荷注入層から乖離したアルカリ金属からなる電荷輸送層が形成されていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。 - 請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイにおいて、
前記バッファ層の厚みが５ｎｍ以下であることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。 - 上面が露出した第１電極層を有する基板を準備する工程と、
前記第１電極層の上面に酸素存在下でＵＶ光を照射することで酸化して、前記第１電極層上に１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚みの電荷の注入が可能な酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜上に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と酸素との化合物からなる電荷注入酸化膜を形成する工程と、
前記電荷注入酸化膜上に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属からなる電荷注入促進層を形成する工程と、
前記電荷注入促進層上に、アルカリ金属のハロゲン化物からなる電荷注入層を形成して、前記電荷注入促進層と前記電荷注入層との界面に、前記電荷注入層を構成するハロゲン化物と前記電荷注入促進層を構成するアルカリ金属又はアルカリ土類金属とが結合することによってバッファ層を形成する工程と、
前記電荷注入層上に、有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層上に、第２電極層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 請求項４に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法において、
前記第１電極層の上面にＵＶ光を照射する前に、前記第１電極層の上面を洗浄して、前記第１電極層の上面を酸化することを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。
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