JP5328261B2 - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 22
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 22
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- -1 quinolinol aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、平坦化膜を有する有機ＥＬ素子に関する。
特許文献１及び２には、基板上に、第１電極、有機発光層、第２電極が順に積層された有機ＥＬ素子が開示されている。このような有機ＥＬ素子の場合、有機発光層を覆うように封止膜（保護膜）が形成される。この封止膜は、樹脂等からなる。封止膜は、一定の厚さ以上（例えば、１μｍ以上）に構成することによって、水分等により容易に劣化する有機発光層を保護することができる。
特許文献１の有機ＥＬ素子の製造方法では、第１電極、有機発光層及び第２電極を順に積層する。その後、印刷法や液状の樹脂を滴下（ディスペンス法）することによって、上面全体を覆うように封止膜を構成する樹脂膜を成膜する。次に、Ｏ２プラズマによって、封止膜の一部を除去する。これにより、第１電極の一部を露出させて、露出した第１電極を外部端子として使用する。
特開２００７−７３３９７号公報
特開２００７−２４２３１３号公報
しかしながら、上述した有機ＥＬ素子では、一度上面全体に樹脂膜を形成した後、樹脂膜の一部をＯ２プラズマによって除去して封止膜を形成している。このため、有機ＥＬ素子の製造工程が複雑になるといった課題がある。
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、製造工程を簡略化できる有機ＥＬ素子を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、基板と、前記基板上に形成された第１電極と、前記第１電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された第２電極と、前記有機発光層を挟むように、前記第１電極の外周と前記有機発光層及び前記第２電極の外周との間の前記第１電極上に配置されると共に、前記第２電極の上面より低く形成された少なくとも一対の堤防部材と、前記有機発光層を覆うように、前記一対の堤防部材の間に形成された樹脂製の平坦化膜と、を備え、前記平坦化膜はエポキシ系樹脂で構成され、前記堤防部材はシリコン系樹脂で構成されると共に、前記平坦化膜と前記第１電極とに接していることを特徴とする有機ＥＬ素子である。
また、請求項２に記載の発明は、基板と、前記基板上に形成された第１電極と、前記第１電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された第２電極と、前記第１電極の外周と前記有機発光層及び前記第２電極の外周との間の前記第１電極上に配置された、前記有機発光層を囲繞すると共に、前記第２電極の上面より低く形成された堤防部材と、前記有機発光層を覆うように、前記堤防部材の内側に形成された樹脂製の平坦化膜と、を備え、前記平坦化膜はエポキシ系樹脂で構成され、前記堤防部材はシリコン系樹脂で構成されることを特徴とする有機ＥＬ素子である。
また、請求項３に記載の発明は、前記平坦化膜上に形成された絶縁性の無機物からなる保護膜を更に備えたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子である。
また、請求項４に記載の発明は、前記堤防部材の上面は、前記第２電極の上面よりも高い位置に形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子である。
また、請求項５に記載の発明は、前記第１電極は、２個所に分割され、前記一対の堤防部材は、前記分割された第１電極のそれぞれに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子である。
また、請求項５に記載の発明は、前記第１電極は、複数の個所に分割され、前記堤防部材は、複数に分割された前記第１電極を各々少なくとも１個所分割によって形成された溝を跨ぐように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ素子である。
また、請求項６に記載の発明は、前記分割された第１電極は、前記有機発光層の中心の周りに点対称であることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ素子である。
本発明によれば、第１電極の外周と有機発光層及び第２電極の外周との間に堤防部材を設けることによって、平坦化膜が第１電極の外周部に形成されることを抑制できる。これにより、第１電極の外周部を容易に露出させることができるので、製造工程を簡略化することができる。
（第１実施形態）
以下、図面を参照して本発明をボトムエミッション型の有機ＥＬ素子に適用した第１実施形態を説明する。図１は、第１実施形態による有機ＥＬ素子の全体斜視図である。図２は、上側の一部を取り除いた有機ＥＬ素子の斜視図である。図３は、図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。以下の説明では、図１の矢印で示すＸＹＺをＸＹＺ方向とする。
以下、図面を参照して本発明をボトムエミッション型の有機ＥＬ素子に適用した第１実施形態を説明する。図１は、第１実施形態による有機ＥＬ素子の全体斜視図である。図２は、上側の一部を取り除いた有機ＥＬ素子の斜視図である。図３は、図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。以下の説明では、図１の矢印で示すＸＹＺをＸＹＺ方向とする。
図１〜図３に示すように、第１実施形態による有機ＥＬ素子１は、基板２と、透明電極（請求項の第１電極に相当）３と、有機発光層４と、上部陰極（請求項の第２電極に相当）５と、一対の堤防部材６ａ、６ｂと、平坦化膜７と、保護膜８とを備えている。
基板２は、光を透過可能なガラス基板からなる。基板２は、約０．７ｍｍの厚みを有する。基板２は、平面視にて、一辺が約１５ｃｍの正方形状に形成されている。基板２の上面は、各層３〜５が形成される成長主面２ａである。基板２の下面は、光が取り出される光取出面２ｂである。
透明電極３は、基板２の成長主面２ａ上の略全面に形成されている。透明電極３は、光を透過可能な約１５０ｎｍの厚みを有するＩＴＯ（酸化インジウムスズ）からなる。透明電極３は、陽極１１と、下部陰極１２とを含む。陽極１１と下部陰極１２との間には、基板２まで達する絶縁溝１５が形成されている。
陽極１１は、有機発光層４に正孔を注入するためのものである。陽極１１は、基板２の成長主面２ａの＋Ｘ方向側に形成されている。陽極１１は、有機発光層４の下面と電気的に接続されている。陽極１１は、平面視にて、矩形状に形成されている。陽極１１のＹ方向側の長さは、基板２のＹ方向の幅と同じである。陽極１１のＸ方向の長さは、基板２よりも短い。陽極１１の＋Ｘ方向側の端部は、堤防部材６ａ及び平坦化膜７の外側に形成されている。即ち、陽極１１の＋Ｘ方向側の端部は、露出している。この露出している領域が、陽極端子１３として使用される。陽極端子１３には、外部の電源（図示略）が接続される。陽極端子１３の上面全体には、半田層または銅、金、銀等のその他の低抵抗の金属層（図示略）が形成される。これにより、陽極端子１３の上面全体を略同電位に保つことができる。
下部陰極１２は、上部陰極５と外部の電源とを接続するためのものである。下部陰極１２は、基板２の成長主面２ａの−Ｘ方向側の端部に形成されている。下部陰極１２は、平面視にて、矩形状に形成されている。下部陰極１２のＹ方向側の長さは、基板２のＹ方向の幅と同じである。下部陰極１２のＸ方向の長さは、基板２よりも短い。下部陰極１２は、の−Ｘ方向側の端部は、堤防部材６ｂ及び平坦化膜７の外側に形成されている。即ち、下部陰極１２の−Ｘ方向側の端部は、露出している。この露出している領域が、陰極端子１４として使用される。陰極端子１４には、外部の電源が接続される。陰極端子１４の上面全体には、半田層（図示略）が形成される。これにより、陰極端子１４の上面全体を略同電位に保つことができる。下部陰極１２の＋Ｘ方向側の端部は、上部陰極５の−Ｘ方向側の端部と電気的に接続されている。
有機発光層４は、光を発光するためのものである。有機発光層４は、平面視にて、基板２よりも一回り小さい矩形状に形成されている。有機発光層４は、陽極１１上に電気的に接続された状態で形成されている。有機発光層４の一部は、絶縁溝１５の内部に形成されている。これにより、陽極１１と下部陰極１２とが上部陰極５等により短絡されることを抑制できる。有機発光層４には、正孔輸送層及び電子輸送層が陽極１１側から順に積層されている。正孔輸送層は、約５０ｎｍの厚みを有するＮＰＤ（ジフェニルナフチルジアミン）膜からなる。電子輸送層は、約５０ｎｍの厚みを有し、色素を混入させたキノリノールアルミ錯体（Ａｌｑ３）膜からなる。
上部陰極５は、有機発光層４に電子を注入するためのものである。上部陰極５は、平面視にて、矩形状に形成されている。上部陰極５は、平面視にて、陽極１１から下部陰極１２にわたって形成されている。上部陰極５の大部分は、有機発光層４の上面に電気的に接続された状態で形成されている。陰極１２の−Ｘ方向側の端部は、下部陰極１２の＋Ｘ方向側の端部と電気的に接続されている。上部陰極５は、約１００ｎｍの厚みを有するＡｌ膜からなる。
一対の堤防部材６ａ、６ｂは、平坦化膜７が陽極端子１３及び陰極端子１４を覆うことを防ぐためのものである。堤防部材６ａ、６ｂは、ＵＶ硬化エポキシ樹脂からなる。堤防部材６ａ、６ｂのＹ方向の長さは、基板２のＹ方向の長さと同じである。堤防部材６ａ、６ｂの上面は、陽極１１の上面よりも高くなるように構成されている。堤防部材６ａは、透明電極３の陽極１１の上面に形成されている。堤防部材６ａは、陽極１１の＋Ｘ方向側の外周と有機発光層４の＋Ｘ方向側の外周との間に形成されている。堤防部材６ｂは、透明電極３の下部陰極１２の上面に形成されている。堤防部材６ｂは、下部陰極１２の−Ｘ方向側の外周と有機発光層４の−Ｘ方向側の外周との間に形成されている。即ち、一対の堤防部材６ａと堤防部材６ｂは、有機発光層４を挟むように配置されている。
平坦化膜７は、上部陰極５の上面に形成された凹凸を低減するためのものである。また、平坦化膜７は、有機発光層４を水分や酸素の侵入を抑制するためのものである。平坦化膜７は、熱硬化性エポキシ樹脂からなる。平坦化膜７は、一対の堤防部材６ａ、６ｂの間に形成されている。平坦化膜７は、有機発光層４及び上部陰極５を覆うように形成されている。
保護膜８は、水分や酸素の侵入を抑制するためのものである。保護膜８は、平坦化膜７の上面全体を覆うように形成されている。保護膜８は、矩形の薄膜状に形成されている。保護膜８は、約５０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有する。保護膜８は、絶縁性のＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）からなる。
次に、上述した第１実施形態による有機ＥＬ素子１の動作を説明する。
まず、有機ＥＬ素子１の陽極端子１３には、外部の電源から正孔が注入される。また、有機ＥＬ素子１の陰極端子１４には、外部の電源から電子が注入される。陽極端子１３から注入された正孔は、陽極１１を介して有機発光層４に注入される。一方、陰極端子１４から注入された電子は、下部陰極１２及び上部陰極５を介して有機発光層４に注入される。有機発光層４に注入された正孔と電子は、再結合して光を発光する。発光された光は、陽極１１及び基板２を透過して光取出面２ｂから外部へと照射される。
次に、上述した第１実施形態による有機ＥＬ素子１の製造方法について説明する。図４〜図１０は、第１実施形態による有機ＥＬ素子の製造工程を説明する図である。尚、本製造方法は、大型の基板に複数の有機ＥＬ素子を形成した後、素子単位に分割する方法である。
まず、図４に示すように、スパッタ法により、基板２の成長主面２ａの全面にＩＴＯからなる透明電極３を形成する。その後、フォトリソグラフィー法により、絶縁溝１５を形成する領域が露出するように、透明電極３の上面にレジスト膜５１を形成する。
次に、図５に示すように、エッチング法によって、陽極１１と下部陰極１２との間の透明電極３を除去して、絶縁溝１５を形成する。これにより、陽極１１と下部陰極１２とが分割されて絶縁される。この後、レジスト膜５１を除去する。
次に、図６に示すように、中央部に開口部５２ａが形成されたシャドウマスク５２を用いて、有機発光層４を陽極１１及び絶縁溝１５の内部の所定の領域に蒸着する。
次に、図７に示すように、中央部に開口部５３ａが形成されたシャドウマスク５３を用いて、Ａｌ膜からなる矩形状の上部陰極５を有機発光層４及び下部陰極１２上の所定の領域に蒸着する。
次に、スクリーン印刷法によって、陽極１１及び下部陰極１２の所定の位置にＵＶ（紫外線）硬化樹脂を印刷する。その後、紫外線を照射することによって、ＵＶ（紫外線）硬化樹脂を硬化させる。これにより、図８に示すように、陽極１１の＋Ｘ方向側の外周と有機発光層４の＋Ｘ方向側の外周との間に堤防部材６ａが形成されるとともに、下部陰極１２の−Ｘ方向側の外周と有機発光層４の−Ｘ方向側の外周との間に堤防部材６ｂが形成される。尚、堤防部材６ａ、６ｂは、隣接する有機ＥＬ素子１の堤防部材６ａ、６ｂと連続して形成されている。
次に、図９に示すように、一対の堤防部材６ａ、６ｂの間に熱硬化性のエポキシ樹脂７ａを滴下する。ここで、堤防部材６ａ、６ｂの間に滴下されたエポキシ樹脂７ａは、堤防部材６ａ、６ｂによって堰き止められる。これにより、エポキシ樹脂７ａが、堤防部材６ａ、６ｂの外側に形成される陽極端子１３及び陰極端子１４の上面に塗布されることはない。
次に、加熱することによって、熱硬化性のエポキシ樹脂７ａを硬化させる。これにより、図１０に示すように、平坦化膜７が、有機発光層４及び上部陰極５を覆うように形成される。ここで、上述したように、陽極端子１３及び陰極端子１４の上面には、エポキシ樹脂７ａが塗布されないので、陽極端子１３及び陰極端子１４の上面には平坦化膜７は形成されない。
次に、図１に示すように、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法にＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）からなる保護膜８を成膜する。この後、素子単位に分割することによって、有機ＥＬ素子１が完成する。
上述したように、第１実施形態による有機ＥＬ素子１は、一対の堤防部材６ａ、６ｂとを備えている。これにより、平坦化膜７を形成する工程において、エポキシ樹脂７ａを堤防部材６ａ、６ｂの間に滴下することにより、エポキシ樹脂７ａが堤防部材６ａ、６ｂによって堰き止められる。このため、エポキシ樹脂７ａが、陽極端子１３及び陰極端子１４の上面に塗布されることがないので、従来、陽極端子１３及び陰極端子１４を露出させるために、必要であった平坦化膜７の除去工程が不要となる。この結果、有機ＥＬ素子１の製造工程を簡略化することができるので、製造コストの低減及び高歩留まりを実現することができる。
更に、従来、陽極端子１３及び陰極端子１４の上面に形成された平坦化膜７の除去工程は、Ｏ２プラズマによるドライエッチング法やレーザーアブレーション等によって行っている。これらの工程は、陽極端子１３及び陰極端子１４の上面にダメージを与えるために、陽極端子１３及び陰極端子１４と外部の配線（図示略）との間の電気的な抵抗を増大させる。しかしながら、平坦化膜７の除去工程を不要とすることにより、陽極端子１３及び陰極端子１４の上面のダメージを低減することができる。この結果、陽極端子１３及び陰極端子１４と外部の配線との間の電気的な抵抗を低減することができる。
また、有機ＥＬ素子１では、平坦化膜７によって、有機発光層４及び上部陰極５によって形成された段部を低減することができる。また、平坦化膜７によって、Ａｌ膜からなる上部陰極５の上面に形成される凹凸を低減することができる。これにより、スパッタ法等により形成される保護膜８を容易に且つ高密度に成膜することができる。
（第２実施形態）
次に、上述した実施形態の一部を変更した第２実施形態による有機ＥＬ素子１Ａについて、図面を参照して説明する。図１１は、第２実施形態による有機ＥＬ素子の全体斜視図である。図１２は、上側の一部を取り除いた有機ＥＬ素子の斜視図である。図１３は、有機ＥＬ素子の基板と透明電極のみの斜視図である。図１４は、図１１のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿った断面図である。図１５は、図１１のＸＶ−ＸＶ線に沿った断面図である。上述した実施形態と同様の構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
次に、上述した実施形態の一部を変更した第２実施形態による有機ＥＬ素子１Ａについて、図面を参照して説明する。図１１は、第２実施形態による有機ＥＬ素子の全体斜視図である。図１２は、上側の一部を取り除いた有機ＥＬ素子の斜視図である。図１３は、有機ＥＬ素子の基板と透明電極のみの斜視図である。図１４は、図１１のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿った断面図である。図１５は、図１１のＸＶ−ＸＶ線に沿った断面図である。上述した実施形態と同様の構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
図１１〜図１５に示すように、第２実施形態による有機ＥＬ素子１Ａは、基板２と、透明電極３Ａと、有機発光層４と、上部陰極５Ａと、堤防部材６Ａと、平坦化膜７と、保護膜８とを備えている。
透明電極３Ａは、光を透過可能な約１５０ｎｍの厚みを有するＩＴＯ（酸化インジウムスズ）からなる。透明電極３Ａは、陽極１１Ａと、４個の下部陰極１２Ａとを備えている。陽極１１Ａと各下部陰極１２Ａとの間には、陽極１１Ａと下部陰極１２Ａとを絶縁するための絶縁溝１５Ａが形成されている。
陽極１１Ａは、基板２の成長主面２ａの中央部に形成されている。陽極１１Ａは、平面視にて、八角形状に形成されている。陽極１１Ａは、有機発光層４の中心Ｃの周りに点対称に形成されている。陽極１１Ａの中央部は、有機発光層４の下面と電気的に接続されている。陽極１１Ａの外周部は、堤防部材６Ａよりも外側に形成されている。これにより、陽極１１Ａの外周部が、４個所露出される。この露出された４個所の陽極１１Ａの外周部は、陽極端子１３Ａとして使用される（図１１のドットハッチング参照）。４個の陽極端子１３Ａは、成長主面２ａの４辺の各中央部に形成される。
４個の下部陰極１２Ａは、基板２の成長主面２ａの四隅に形成されている。下部陰極１２Ａは、平面視にて、直角三角形状に形成されている。４個の下部陰極１２Ａは、有機発光層４の中心Ｃの周りに点対称に形成されている。下部陰極１２Ａの外周部は、堤防部材６Ａよりも外側に形成されている。これにより、下部陰極１２Ａの外周部は、露出される。この露出された４個所の下部陰極１２Ａの外周部は、陰極端子１４Ａとして使用される（図１１のドットハッチング参照）。堤防部材６Ａの内側に形成された下部陰極１２Ａの領域は、上部陰極５Ａの四隅と電気的に接続されている。
堤防部材６Ａは、平面視にて、略正方形状に形成されている。堤防部材６Ａの中央部には、開口部２１が形成されている。堤防部材６Ａは、透明電極３上に形成されている。堤防部材６Ａは、透明電極３Ａの外周と有機発光層４の外周との間に配置されている。堤防部材６Ａは、有機発光層４及び上部陰極５Ａを囲繞するように構成されている。堤防部材６Ａは、陽極１１Ａと４個所の下部陰極１２Ａとを跨ぐように、且つ、各々少なくとも１個所横切るように形成されている。堤防部材６Ａは、ＵＶ硬化性のエポキシ樹脂からなる。
平坦化膜７Ａは、堤防部材６Ａの開口部２１に形成されている。平坦化膜７Ａは、堤防部材６Ａの内側に充填された熱硬化性のエポキシ樹脂からなる。
次に、第２実施形態による有機ＥＬ素子１Ａの動作を説明する。
まず、有機ＥＬ素子１Ａの４個所の陽極端子１３Ａには、外部の電源から正孔が注入される。また、有機ＥＬ素子１Ａの４個の陰極端子１４Ａには、外部の電源から電子が注入される。陽極端子１３Ａから注入された正孔は、陽極１１Ａを介して、四方から有機発光層４に注入される。一方、陰極端子１４Ａから注入された電子は、下部陰極１２Ａ及び上部陰極５Ａを介して四方から有機発光層４に注入される。有機発光層４に注入された正孔と電子は、再結合して光を発光する。発光された光は、陽極１１Ａ及び基板２を透過して光取出面２ｂから外部へと照射される。
次に、第２実施形態による有機ＥＬ素子１Ａの製造方法を説明する。図１６は、第２実施形態の有機ＥＬ素子の一製造工程を説明する図である。尚、本製造工程は、大型の基板に複数の有機ＥＬ素子を製造する場合や、単独で有機ＥＬ素子を製造する場合にも適用できる。
まず、第１実施形態による有機ＥＬ素子１と同様の工程によって、透明電極３Ａ、有機発光層４、上部陰極５Ａを形成する。
次に、図１６に示すように、有機発光層４及び上部陰極５Ａを囲繞するように堤防部材６Ａを形成する。この状態で、熱硬化性のエポキシ樹脂の液滴が、堤防部材６Ａの開口部２１に滴下される。ここで、堤防部材６Ａによって、エポキシ樹脂は堰き止められるので、陽極端子１３Ａ及び陰極端子１４Ａが形成される透明電極３の領域にはエポキシ樹脂が塗布されない。
この後、加熱することによって、エポキシ樹脂を硬化させる。これにより、平坦化膜７Ａが形成される。この後、保護膜８を形成する。この結果、図１１に示す、第２実施形態による有機ＥＬ素子１Ａが完成する。
上述したように、第２実施形態による有機ＥＬ素子１Ａには、堤防部材６Ａが設けられているので、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、第２実施形態による有機ＥＬ素子１Ａは、陽極端子１３Ａ及び陰極端子１４Ａが、それぞれ４個ずつ形成されている。更に、４個の陽極端子１３Ａは、有機発光層４の中心Ｃの周りに点対称に形成されている。４個の陰極端子１４Ａは、有機発光層４の中心Ｃの周りに点対称に形成されている。これにより、四方向から正孔及び電子を注入することができるので、陽極１１Ａ及び陰極１２Ａから有機発光層４へ注入される正孔及び電子の平面的な偏りを抑制することができる。この結果、有機発光層４から発光される光の偏りを抑制できる。
（第３実施形態）
次に、上述した実施形態の一部を変更した第３実施形態による有機ＥＬ素子１Ｂについて、図面を参照して説明する。図１７は、第３実施形態による有機ＥＬ素子の断面図である。尚、図１７は、第１実施形態における図３相当図である。上述した実施形態と同様の構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
次に、上述した実施形態の一部を変更した第３実施形態による有機ＥＬ素子１Ｂについて、図面を参照して説明する。図１７は、第３実施形態による有機ＥＬ素子の断面図である。尚、図１７は、第１実施形態における図３相当図である。上述した実施形態と同様の構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
図１７に示すように、堤防部材６Ｂａ、６Ｂｂの上面が、上部陰極５の上面よりも低くなるように形成してもよい。この場合、堤防部材６Ｂａ、６Ｂｂが、平坦化膜７Ｂを構成する樹脂を弾くことが可能な樹脂によって構成する必要がある。例えば、堤防部材６Ｂａ、６Ｂｂをシリコン系樹脂によって構成するとともに、平坦化膜７Ｂをエポキシ系樹脂によって構成することが考えられる。
以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
例えば、上述した実施形態における材料、形状及び数値等は適宜変更可能である。
また、堤防部材は、フォトリソグラフィー法、ディスペンサー装置等によって形成してもよい。堤防部材を構成する樹脂は、他のＵＶ（紫外線）硬化樹脂やフォトリソグラフィーに用いられる感光性の硬化性樹脂等を適用してもよい。
また、平坦化膜は、他の熱硬化性樹脂やＵＶ硬化性樹脂によって構成してもよい。
また、保護膜は、ＳｉＮ、ＡｌＮ及びＳｉＯ２等によって構成してもよい。
１、１Ａ、１Ｂ 有機ＥＬ素子
２ 基板
２ａ 成長主面
２ｂ 光取出面
３、３Ａ 透明電極
４ 有機発光層
５、５Ａ 上部陰極
６ａ、６ｂ、６Ａ、６Ｂａ、６Ｂｂ 堤防部材
７、７Ａ、７Ｂ 平坦化膜
７ａ エポキシ樹脂
８ 保護膜
１１、１１Ａ 陽極
１２、１２Ａ 下部陰極
１３、１３Ａ 陽極端子
１４、１４Ａ 陰極端子
１５、１５Ａ 絶縁溝
２１ 開口部
２ 基板
２ａ 成長主面
２ｂ 光取出面
３、３Ａ 透明電極
４ 有機発光層
５、５Ａ 上部陰極
６ａ、６ｂ、６Ａ、６Ｂａ、６Ｂｂ 堤防部材
７、７Ａ、７Ｂ 平坦化膜
７ａ エポキシ樹脂
８ 保護膜
１１、１１Ａ 陽極
１２、１２Ａ 下部陰極
１３、１３Ａ 陽極端子
１４、１４Ａ 陰極端子
１５、１５Ａ 絶縁溝
２１ 開口部
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に形成された第１電極と、
前記第１電極上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された第２電極と、
前記有機発光層を挟むように、前記第１電極の外周と前記有機発光層及び前記第２電極の外周との間の前記第１電極上に配置されると共に、
前記第２電極の上面より低く形成された少なくとも一対の堤防部材と、
前記有機発光層を覆うように、前記一対の堤防部材の間に形成された樹脂製の平坦化膜と、を備え、
前記平坦化膜はエポキシ系樹脂で構成され、
前記堤防部材はシリコン系樹脂で構成されると共に、前記平坦化膜と前記第１電極とに接していることを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 基板と、
前記基板上に形成された第１電極と、
前記第１電極上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された第２電極と、
前記第１電極の外周と前記有機発光層及び前記第２電極の外周との間の前記第１電極上に配置された、前記有機発光層を囲繞すると共に、前記第２電極の上面より低く形成された堤防部材と、
前記有機発光層を覆うように、前記堤防部材の内側に形成された樹脂製の平坦化膜と、を備え、
前記平坦化膜はエポキシ系樹脂で構成され、
前記堤防部材はシリコン系樹脂で構成されることを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 前記平坦化膜上に形成された絶縁性の無機物からなる保護膜を更に備えたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子。
- 前記第１電極は、２個所に分割され、
前記一対の堤防部材は、前記分割された第１電極のそれぞれに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。 - 前記第１電極は、複数の個所に分割され、
前記堤防部材は、複数に分割された前記第１電極を各々少なくとも１個所分割によって形成された溝を跨ぐように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ素子。 - 前記分割された第１電極は、前記有機発光層の中心の周りに点対称であることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008208524A JP5328261B2 (ja) | 2008-08-13 | 2008-08-13 | 有機ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008208524A JP5328261B2 (ja) | 2008-08-13 | 2008-08-13 | 有機ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010044961A JP2010044961A (ja) | 2010-02-25 |
| JP5328261B2 true JP5328261B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=42016195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008208524A Expired - Fee Related JP5328261B2 (ja) | 2008-08-13 | 2008-08-13 | 有機ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5328261B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103190199B (zh) * | 2010-11-30 | 2016-03-02 | 株式会社钟化 | 有机el装置 |
| DE112013001391T5 (de) * | 2012-03-12 | 2014-11-27 | Panasonic Corporation | Organisches Elektrolumineszenzelement |
| JP6201411B2 (ja) * | 2013-05-14 | 2017-09-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085158A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
| EP1320862B1 (en) * | 2000-09-06 | 2006-03-29 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Encapsulation for oled devices |
| US7109653B2 (en) * | 2002-01-15 | 2006-09-19 | Seiko Epson Corporation | Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element |
| JP2003323974A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Casio Comput Co Ltd | Ｅｌパネル及びその製造方法 |
| JP4240276B2 (ja) * | 2002-07-05 | 2009-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP5076331B2 (ja) * | 2006-02-22 | 2012-11-21 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| JP2007280693A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Koizumi Lighting Technology Corp | Ｅｌ光源体 |
-
2008
- 2008-08-13 JP JP2008208524A patent/JP5328261B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010044961A (ja) | 2010-02-25 |
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|
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