JP4789737B2 - 有機el素子およびその製造方法 - Google Patents
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ングされた第2貫通孔を有する保護層を形成するとともに、前記第2貫通孔より第1電極を露出させる工程と、前記絶縁層上及び前記開口部より露出した前記第1電極上に、発光層を含む有機層を前記保護層の膜厚よりも厚く、且つ前記第2貫通孔の内側に充填して形成する工程と、前記有機層上に第2電極を形成する工程と、
を含んで構成される。
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる有機EL素子の概略構造を示す断面図である。図1に示すように、本実施の形態にかかる有機EL素子は、ガラス基板等の基体に有機EL素子を駆動するために用いるTFT等の駆動素子や配線等が形成された基体部11と、有機EL素子が形成された有機電界発光素子部12とを備えて構成される。また、本実施の形態にかかる有機EL素子は、上面側(有機電界発光素子部12側)から光を取り出すトップエミッション型構造を採用している。なお、基体部11には上記のTFTや配線等の上層部を平坦化するための平坦化層が設けられているが、本発明の要旨には直接関係しないため、ここでは詳細な説明および図示は省略する。
図10は、本発明の第2の実施の形態にかかる有機EL素子の構造を示す断面図である。ここでは、第1の実施の形態に係る有機EL素子と異なる構成について主に説明し、その他の共通する構成に関する説明は原則的には省略する。
12 有機電界発光素子部
13 下部電極(アノード電極)
15 保護層
15a 保護材料層
15b 凹部
17 層間絶縁層
17a 絶縁材料層
19 有機電界発光層
19a 有機電界発光層
19b 有機電界発光層
19c 有機電界発光層
21 上部電極(カソード電極)
W1 サイドエッチング幅
W2 サイドエッチング幅
Claims (16)
- 第1電極と、
前記第1電極上に、前記第1電極を露出させる第1の開口部を有して形成された保護層と、
前記保護層上に形成され、前記第1の開口部に対応する位置に形成された第2の開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層上及び前記第1及び第2の開口部内より露出する前記第1電極上に連続的に形成され、発光層を含んで構成される有機層と、
前記有機層上に形成された第2電極と、を備え、
前記保護層の膜厚が、前記有機層の膜厚よりも薄いとともに、前記保護層の前記第1の開口部の側部は前記絶縁層の前記第2の開口部の側部よりも外側に位置しており、前記有機層が断面視して前記保護層の前記第1の開口部の内側に充填されていることを特徴とする有機EL素子。 - 前記保護層の膜厚が、前記第2電極の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記絶縁層の膜厚が、前記絶縁層の前記第1の開口部に向かって小さくなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機EL素子。
- 前記保護層の前記第1の開口部の側部は、前記絶縁層の前記第2の開口部の側部よりも外側にずれて位置しており、且つ該位置ずれ幅が1μm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の有機EL素子。
- 第1電極と、
前記第1電極上に形成された保護層と、
前記保護層上に、前記保護層が露出するように形成された開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層上及び前記絶縁層の前記開口部内より露出する前記保護層上に連続的に形成され、発光層を含んで構成される有機層と、
前記有機層上に形成された第2電極と、を備え、
前記保護層は、前記絶縁層の開口部に対応する位置に形成される凹部を有し、該凹部の深さが前記有機層の膜厚よりも小さいとともに、前記保護層の前記凹部の側部は前記絶縁層の前記開口部の側部よりも外側に位置しており、前記有機層が断面視して前記保護層の前記凹部の内側に充填されていることを特徴とする有機EL素子。 - 前記保護層の前記凹部の深さが、前記第2電極の膜厚よりも小さいことを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子。
- 前記保護層の前記凹部の側部は、前記絶縁層の開口部の側部よりも外側にずれて位置しており、且つ該位置ずれ幅が1μm以下であることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の有機EL素子。
- 前記絶縁層の膜厚は、前記絶縁層の前記開口部に向かって小さくなることを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれかに記載の有機EL素子。
- 前記第1電極が、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、または銀合金からなり、且つ前記保護層がモリブデンからなることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の有機EL素子。
- 第1電極と、保護層を構成する保護材料層と、絶縁層を構成する絶縁材料層とが積層された基板を準備する工程と、
前記絶縁材料層を部分的にエッチングして第1貫通孔を有する絶縁層を形成し、該第1貫通孔より保護材料層を露出させる工程と、
前記絶縁層をマスクとして前記第1貫通孔より露出する前記保護材料層をエッチングにより除去して、前記絶縁層の前記第1貫通孔よりも外側にエッチングされた第2貫通孔を有する保護層を形成するとともに、前記第2貫通孔より第1電極を露出させる工程と、
前記絶縁層上及び前記開口部より露出した前記第1電極上に、発光層を含む有機層を前記保護層の膜厚よりも厚く、且つ前記第2貫通孔の内側に充填して形成する工程と、
前記有機層上に第2電極を形成する工程と、
を含んで構成される有機EL素子の製造方法。 - 前記第2電極は、前記保護層の膜厚よりも厚く形成されることを特徴とする請求項10に記載の有機EL素子の製造方法。
- 第1電極と、保護材料層と、絶縁材料層とが順次積層された基板を準備する工程と、
前記絶縁材料層を部分的にエッチングして開口部を有する絶縁層を形成し、該開口部より保護材料層を露出させる工程と、
前記開口部より露出する前記保護材料層をエッチングにより途中まで除去し、前記保護材料層に、内壁面が前記絶縁層の前記開口部の側部よりも外側に位置する凹部を設けて保護層を形成する工程と、
前記絶縁層上及び前記開口部内の前記保護層の凹部内に、発光層を含む有機層を前記凹部の深さよりも厚く形成し、前記保護層の凹部内に充填する工程と、
前記有機層上に第2電極を形成する工程と、
を含んで構成される有機EL素子の製造方法。 - 前記第2電極は、前記保護層の前記凹部の深さよりも厚く形成されることを特徴とする請求項12に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記保護材料層をエッチングする際に、前記保護材料層に対する選択比が10よりも大であるエッチャントを用いてウエットエッチングを行うことを特徴とする請求項10乃至請求項13のいずれかに記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記エッチャントとして、硝酸の含有比率が15wt%〜35wt%、酢酸の含有比率が25wt%〜45wt%、燐酸の含有比率が0.1wt%〜5wt%である混酸を用いる
ことを特徴とする請求項14に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記保護材料層のエッチング後に形成される前記保護層のサイドエッチング幅を1μm以下とすることを特徴とする請求項10乃至請求項15のいずれかに記載の有機EL素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006206113A JP4789737B2 (ja) | 2005-07-29 | 2006-07-28 | 有機el素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005220976 | 2005-07-29 | ||
JP2005220976 | 2005-07-29 | ||
JP2006148927 | 2006-05-29 | ||
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JP2006206113A JP4789737B2 (ja) | 2005-07-29 | 2006-07-28 | 有機el素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008010383A JP2008010383A (ja) | 2008-01-17 |
JP4789737B2 true JP4789737B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=39068385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006206113A Active JP4789737B2 (ja) | 2005-07-29 | 2006-07-28 | 有機el素子およびその製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4789737B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5151576B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2013-02-27 | ソニー株式会社 | 有機発光素子の製造方法および有機発光表示装置、並びに自発光素子の製造方法および自発光表示装置 |
JP5553518B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-07-16 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 画像表示装置 |
JP5313769B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2013-10-09 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 積層基板および発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW400556B (en) * | 1997-02-26 | 2000-08-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Composition for a wiring, a wiring using the composition, a manufacturing method thereof, a display using the wiring and a manufacturing method thereof |
JP2002367787A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP4222880B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2009-02-12 | 三菱電機株式会社 | 有機電界発光表示装置およびその製造方法 |
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2006
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008010383A (ja) | 2008-01-17 |
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