KR20180072033A

KR20180072033A - 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법

Info

Publication number: KR20180072033A
Application number: KR1020160174704A
Authority: KR
Inventors: 윤선태; 권정현; 박기수; 박해일; 백문정
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2016-12-20
Filing date: 2016-12-20
Publication date: 2018-06-29
Also published as: CN108205217A; US20200310193A1; US11852916B2; CN108205217B; US20240077763A1; US20230096776A1; US10725337B2; US11531231B2; US20180173053A1

Abstract

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판의 일면 상에 배치되는 반투과층, 상기 반투과층 상에 배치되는 파장 변환층, 상기 파장 변환층 상에 배치되는 캡핑층, 상기 캡핑층 상에 배치되는 제1 편광층 및 상기 제1 기판의 타면 상에 배치되는 제2 편광층을 포함한다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 제조방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.

표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다.

그 중 액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극(field generating electrode)이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고, 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.

액정 표시 장치의 각 화소는 색 표시를 구현하기 위해서 기본색(primary color) 중 하나의 색상을 고유하게 표시할 수 있다. 각 화소가 하나의 기본색을 고유하게 표시하도록 하기 위한 하나의 방법으로, 광원으로부터 시청자에 이르는 광의 경로 상에 각 화소마다 컬러 필터(color filter)를 배치하는 방법을 예시할 수 있다. 컬러 필터는 두 장의 편광판 사이에 배치되어 입사광의 일부 파장 대역만을 투과시키고 다른 파장 대역을 흡수함으로써 기본색을 구현한다.

액정 표시 장치의 여러 발전 방향 중 하나는 액정 표시 장치가 표시하는 기본색의 품질을 향상시키는 것이다. 현재 이를 위해 여러 기술적 시도가 행해지고 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 외광에 의한 간섭을 억제할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 해결하고자 하는 다른 과제는 외광 반사율이 낮은 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 외광에 의한 간섭을 억제할 수 있는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 해결하고자 하는 다른 과제는 외광 반사율이 낮은 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판의 일면 상에 배치되는 반투과층, 상기 반투과층 상에 배치되는 파장 변환층, 상기 파장 변환층 상에 배치되는 캡핑층, 상기 캡핑층 상에 배치되는 제1 편광층 및 상기 제1 기판의 타면 상에 배치되는 제2 편광층을 포함하되, 상기 제1 편광층과 상기 제2 편광층은 편광 방향이 상이하다.

또한, 상기 제2 편광층은 원편광판일 수 있다.

또한, 상기 파장변환층과 상기 제1 기판 사이에 배치되는 광차단 필터를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 광차단 필터는 상기 반투과층과 상기 파장 변환층 사이에 배치될 수 있다.

또한, 상기 반투과층은 상기 광차단 필터와 상기 파장 변환층 사이에 배치될 수 있다.

또한, 상기 반투과층은 제1 보호층, 중간층 및 제2 보호층을 포함할 수 있다.

또한, 상기 중간층의 두께는 100Å 내지 200Å일 수 있다.

또한, 상기 반투과층의 반사율은 20% 내지 70%일 수 있다.

또한, 상기 파장 변환층은 적색을 발광하는 제1 파장 변환층 및 녹색을 발광하는 제2 파장 변환층을 포함할 수 있다.

또한, 상기 파장 변환층과 인접하게 배치되는 광투과층을 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 반투과층은 상기 파장 변환층과 중첩되고, 상기 광투과층과 중첩되지 않을 수 있다.

또한, 상기 제1 기판과 상기 파장 변환층 사이에 배치되는 광차단 필터를 더 포함하고, 상기 광차단 필터는 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층과 중첩될 수 있다.

또한, 상기 제1 파장 변환층과 상기 제2 파장 변환층 사이에 배치되는 블랙 매트릭스를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 제2 반투과층 상에 배치되는 제3 편광층을 포함할 수 있다.

또한, 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판을 더 포함하고, 상기 제3 편광층은 상기 파장 변환층과 상기 제2 기판 사이에 배치될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판의 일면 상에 반투과층을 형성하는 단계, 상기 반투과층 상에 파장 변환층을 형성하는 단계, 상기 파장 변환층 상에 캡핑층을 형성하는 단계 및 상기 캡핑층 상에 제1 편광층을 형성하고, 상기 제1 기판의 타면 상에 제2 편광층을 형성하는 단계를 포함한다.

또한, 상기 제1 기판과 상기 파장 변환층 사이에 광차단 필터를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 파장 변환층은 적색을 발광하는 제1 파장 변환층 및 녹색을 발광하는 제2 파장 변환층을 포함하고, 상기 광차단 필터는 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층과 중첩될 수 있다.

또한, 상기 파장 변환층과 인접하도록 광투과층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 광차단 필터를 식각 마스크로 하여 상기 반투과층을 식각하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.

외광 반사율을 낮춰 외광에 의한 간섭을 억제할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이다.
도 2는 도 1의 'A'영역을 확대한 확대도이다.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 부분 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이며, 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위해 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수 있음은 물론이다.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다. 다만, 본 명세서에서는 본 발명에 따른 표시 장치를 액정 표시 장치를 예로 들어 설명하나, 이에 제한되는 것은 아니며 유기 발광 표시 장치의 경우에도 적용될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이다. 도 2는 도 1의 'A'영역을 확대한 확대도이다. 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 4는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 표시 장치는 제1 기판(1000), 제1 기판(1000)의 일면 상에 배치되는 반투과층(TL), 반투과층(TL) 상에 배치되는 파장 변환층(WC) 파장 변환층(WC) 상에 배치되는 캡핑층(CA), 캡핑층(CA) 상에 배치되는 제1 편광층(POL1) 및 제1 기판(1000)의 타면 상에 배치되는 제2 편광층(POL2)을 포함한다.

제1 기판(1000)은 내열성 및 투과성을 가진 물질로 형성될 수 있다. 제1 기판(1000)은 예컨대, 투명 유리 또는 플라스틱으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(1000)과 대향하는 제2 기판(500)을 포함할 수 있다. 설명의 편의상 제2 기판(500)에 대해 먼저 설명하기로 한다.

제2 기판(500) 상에는 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)이 정의될 수 있다.

표시 영역(DA)은 디스플레이 장치에서 화상이 표시되는 영역이며, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)에서 화상을 표시할 수 있게 하기 위해 각종 신호선들이 배치되는 영역이다.

비표시 영역(NDA) 상에는 데이터 라인(DL)에 데이터 신호를 제공하는 복수의 데이터 드라이버(DU), 및 데이터 드라이버(DU)로부터 제공되는 신호를 데이터 라인(DL)에 전달하는 복수의 데이터 팬아웃 라인(DFL)이 배치될 수 있다.

표시 영역(DA)에 대해 더 구체적으로 설명하면, 표시 영역(DA)상에는 복수의 데이터 라인(DL)과 복수의 게이트 라인(GL)이 서로 교차하여 구획하는 복수의 화소가 배치될 수 있다. 즉, 도 2는 복수의 화소 중 하나의 화소(도 1의 'A' 부분)를 확대한 것으로서, 표시 영역(DA)은 이와 실질적으로 동일한 화소를 복수개 포함할 수 있다.

도 3을 참조하면, 제2 기판(500)의 외측에는제3 편광층(POL3)이 배치될 수 있다. 제3 편광층(POL3)은 후술하는 백라이트 유닛(BLU)로부터 제공되는 빛을 편광시킬 수 있다. 구체적으로, 백라이트 유닛(BLU)으로부터 제공되는 빛 중 특정 방향으로 진동하는 빛만을 투과하고, 그 나머지 빛을 흡수하거나 반사할 수 있다.

즉, 일 실시예에서 제3 편광층(POL3)은 일 방향으로 진동하는 편광 성분을 통과시키는 선편광판일 수 있다.

일 실시예에서 제3 편광층(POL3)은 특정 방향으로 연신된 고분자 수지 및 특정 방향으로 진동하는 광을 흡수하는 광 흡수 물질이 흡착된 편광 필름일 수 있다. 다른 실시예에서 제3 편광층(POL3)은 금속층으로 이루어지며 일부 빛을 흡수하거나 반사시키고, 일부 빛을 투과시킬 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1 편광층(POL1)은 와이어 그리드 편광자(WGP, Wire Grid Polarizer)가 적용된 편광층일 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술하기로 한다.

도 3은 제3 편광층(POL3)이 제2 기판(500)의 외측에 배치되는 경우를 예시하나, 이에 제한되지 않는다. 즉, 다른 실시예에서 제3 편광층(POL3)은 제2 기판(500)의 내측 즉, 제2 기판(500)과 게이트 전극(GE) 사이에 배치될 수도 있다. 다시 말하면, 다른 실시예에서 제3 편광층(POL3)은 In-Cell 편광층일 수 있다.

제2 기판(500) 상에는 게이트 배선(GL, GE)이 배치될 수 있다. 게이트 배선(GL, GE)은 구동에 필요한 신호를 전달받는 게이트 라인(GL) 및 게이트 라인(GL)으로부터 돌기 형태로 돌출된 게이트 전극(GE)을 포함할 수 있다. 게이트 라인(GL)은 제1 방향으로 연장될 수 있다. 제1 방향은 예컨대, 도 2의 x축 방향과 실질적으로 동일할 수 있다. 게이트 전극(GE)은 후술하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 함께 박막 트랜지스터의 삼단자를 구성할 수 있다.

게이트 배선(GL, GE)은 알루미늄 합금을 포함하는 알루미늄(Al) 계열의 금속, 은 합금을 포함하는 은(Ag) 계열의 금속, 구리 합금을 포함하는 구리(Cu)계열의 금속, 몰리브덴 합금을 포함하는 몰리브덴(Mo) 계열 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 및 탄탈륨(Ta) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 게이트 배선(GL, GE)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니며, 원하는 표시장치를 구현하기 위해 요구되는 성능을 가진 금속 또는 고분자 물질이 게이트 배선(GL, GE)의 재료로서 이용될 수 있다.

게이트 배선(GL, GE)은 단일막 구조일 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 이중막, 삼중막 또는 그 이상의 다중막일 수 있다.

게이트 배선(GL, GE) 상에는 게이트 절연막(GI)이 배치될 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 게이트 배선(GL, GE)을 덮으며, 제2 기판(500)의 전면에 형성될 수 있다.

게이트 절연막(GI) 상에는 반도체 패턴층(700)이 배치될 수 있다.

반도체 패턴층(700)은 비정질 규소 또는 다결정 규소를 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 반도체 패턴층(700)은 산화물 반도체를 포함하여 이루어질 수도 있다.

반도체 패턴층(700)은 섬형, 선형 등과 같은 다양한 형상을 가질 수 있다. 반도체 패턴층(700)이 선형을 갖는 경우, 반도체 패턴층(700)은 데이터 라인(DL) 아래에 위치하여 게이트 전극(GE) 상부까지 연장될 수 있다.

일 실시예에서 반도체 패턴층(700)은 채널부(CH)를 제외한 전 영역에서 후술하는 데이터 배선(DL, SE, DE)과 실질적으로 동일한 형상으로 패터닝될 수 있다.

다시 말하면, 반도체 패턴층(700)은 채널부(CH)를 제외한 전 영역에서 데이터 배선(DL, SE, DE)과 중첩되도록 배치될 수 있다.

채널부(CH)는 대향하는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)사이에 배치될 수 있다. 채널부(CH)는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)을 전기적으로 이어주는 역할을 하며, 그 구체적인 형상은 제한되지 않는다.

반도체 패턴층(700) 상부에는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 오믹 컨택층(도시하지 않음)이 배치될 수 있다. 오믹 컨택층은 반도체 패턴층(700)의 전부 또는 일부와 중첩될 수 있다. 다만, 반도체 패턴층(700)이 산화물 반도체를 포함하는 실시예에서 오믹 컨택층은 생략될 수도 있다.

반도체 패턴층(700)이 산화물 반도체인 경우, 반도체 패턴층(700)은 산화아연(ZnO)을 포함할 수 있다. 이에 더하여, 반도체 패턴층(700) 상에는 갈륨(Ga), 인듐(In), 스태튬(Sn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 구리(Cu), 게르마늄(Ge), 가돌리늄(Gd), 티타늄(Ti) 및 바나듐(V)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 이온이 도핑될 수 있다. 예시적으로, 산화물 반도체인 반도체 패턴층(700)은 ZnO, ZnGaO, ZnInO, ZnSnO, GaInZnO, CdO, InO, GaO, SnO, AgO, CuO, GeO, GdO, HfO, TiZnO, InGaZnO 및 InTiZnO 으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 산화물 반도체의 종류가 이에 제한되지 않음은 물론이다.

반도체 패턴층(700) 상에는 데이터 배선(DL, SE, DE)이 배치될 수 있다. 데이터 배선(DL, SE, DE)은 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다.

데이터 라인(DL)은 제2 방향, 예컨대 도 2에서 y축 방향으로 연장되어 게이트 라인(GL)과 교차할 수 있다. 소스 전극(SE)은 데이터 라인(DL)으로부터 가지 형태로 분지되어 반도체 패턴층(700)의 상부까지 연장되어 배치될 수 있다.

드레인 전극(DE)은 소스 전극(SE)과 이격되어 있으며, 게이트 전극(GE) 또는 채널부(CH)를 중심으로 반도체 패턴층(700) 상부에 소스 전극(SE)과 대향하도록 배치될 수 있다. 드레인 전극(DE)은 후술하는 화소 전극(PE)과 접하여 전기적으로 연결될 수 있다.

데이터 배선(DL, SE, DE)은 니켈(Ni), 코발트(Co), 티탄(Ti), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 베릴륨(Be), 니오브(Nb), 금(Au), 철(Fe), 셀렌(Se) 또는 탄탈(Ta) 등으로 이루어진 단일막 또는 다중막 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 금속에 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 니오브(Nb), 백금(Pt), 하프늄(Hf), 산소(O) 및 질소(N)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함시켜 형성한 합금도 적용할 수 있다. 다만, 상기한 재료는 예시적인 것으로, 데이터 배선(DL, SE, DE)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다.

도 2는 하나의 화소에 하나의 박막 트랜지스터가 배치되는 경우를 예시하지만, 본 발명의 범위가 이에 제한되지 않음은 물론이다. 즉, 다른 실시예에서 하나의 화소에 배치되는 박막 트랜지스터의 개수는 복수일 수 있다. 또한, 하나의 화소에 복수개의 박막 트랜지스터가 배치되는 경우, 각각의 박막 트랜지스터에 대응되도록 하나의 화소가 복수개의 영역(domain)으로 구분될 수도 있다.

데이터 배선(DL, SE, DE) 및 반도체 패턴층(700) 상에는 제2 패시베이션막(PASSI2)이 배치될 수 있다. 제2 패시베이션막(PASSI2)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질로 이루어질 수 있다.

제2 패시베이션막(PASSI2)은 드레인 전극(DE)의 적어도 일부를 노출시키는 컨택홀을 포함할 수 있다.

제2 패시베이션막(PASSI2) 상에는 화소 전극(PE)이 배치될 수 있다. 화소 전극(PE)은 컨택홀을 통해 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결될 수 있다.

일 실시예에서 화소 전극(PE)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 도전체 또는 알루미늄 등의 반사성 도전체로 형성될 수 있다.

도 2는 화소 전극(PE)이 평판 형상을 가지는 경우를 예시하지만, 화소 전극의 형상은 이에 제한되지 않는다. 즉, 다른 실시예에서 화소 전극은 하나 이상의 슬릿을 갖는 구조일 수 있다. 또한, 또 다른 실시예에서 화소 전극은 하나 이상 배치될 수 있으며, 이 경우, 복수의 화소 전극에 서로 다른 전압이 인가될 수도 있다.

이어서, 도 3 및 도 4를 참조하여, 제1 기판(1000)에 대해 설명하기로 한다.

제1 기판(1000) 상에는 블랙 매트릭스(BM), 반투과층(TL) 및 파장 변환층(WC)이 배치될 수 있다.

블랙 매트릭스(BM)는 제1 방향으로 연장되어 전술한 게이트 라인(GL)과 중첩되거나, 제2 방향으로 연장되어 전술한 데이터 라인(DL)과 중첩될 수 있다.

또한, 블랙 매트릭스(BM)는 전술한 박막 트랜지스터와 중첩될 수 있다.

블랙 매트릭스(BM)는 외부로부터 입사되는 광을 차단하거나, 내부로부터 퍼지는 빛을 막는 역할을 할 수 있다. 이를 위해 블랙 매트릭스는 검정색 안료를 포함하는 감광성 수지로 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 블랙 매트릭스의 재질이 이에 제한되는 것은 아니며, 외부로부터 입사되는 광을 차단하기 위해 필요한 물성을 가진 물질이라면 블랙 매트릭스의 재료로 이용될 수 있다.

일 실시예에서 블랙 매트릭스(BM)는 금속 재질로 이루어질 수 있다. 금속 재질로 이루어진 블랙 매트릭스(BM)는 외광을 차단하여 외광이 파장 변환층(WC)에 영향을 주는 것을 차단할 수 있다.

블랙 매트릭스(BM) 상에는 반투과층(TL)이 배치될 수 있다. 반투과층(TL)은 제공되는 빛의 일부를 투과시키고 일부를 반사시킬 수 있다.

일 실시예에서 반투과층(TL)은 파장 변환층(WC)으로부터 제공되는 빛을 통과시키고, 외부로부터 제공되는 빛의 적어도 일부를 반사시킬 수 있다.

일 실시예에서 반투과층(TL)은 빛을 반사하기 위해 금속을 포함하여 이루어질 수 있다. 반투과층(TL)의 재료로 사용되는 금속은 예컨대, 은(Ag)일 수 있다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 부분 단면도이다.

도 5는 일 실시예에 따른 반투과층(TL)의 단면을 예시한다.

일 실시예에서 반투과층(TL)은 제1 보호층(PT1), 중간층(ML) 및 제2 보호층(PT2)을 포함할 수 있다.

제1 보호층(PT1), 중간층(ML) 및 제2 보호층(PT2)은 순차적으로 적층될 수 있다. 다시 말하면, 중간층(ML)을 사이에 두고 제1 보호층(PT1) 및 제2 보호층(PT2)이 배치될 수 있다. 즉, 중간층(ML)은 제1 보호층(PT1)과 제2 보호층(PT2) 사이에 개재될 수 있다.

일 실시예에서 제1 보호층(PT1) 및 제2 보호층(PT2)은 투명한 소재로 이루어지고, 중간층(ML)은 반사 성능을 가진 금속으로 이루어질 수 있다.

예컨대, 제1 보호층(PT1) 및 제2 보호층(PT2)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 이루어지고, 중간층(ML)은 은(Ag)을 포함하여 이루어질 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것이고, 반투과층(TL)의 재료가 이에 제한되는 것은 아니다.

일 실시예에서 제1 보호층(PT1)은 제1 두께(d1)를 갖고, 중간층(ML)은 제3 두께(d3)를 갖고, 제2 보호층(PT2)은 제2 두께(d2)를 가질 수 있다.

일 실시예에서 제1 두께(d1) 및 제2 두께(d2)는 100Å이하이고, 제3 두께(d3)는 100Å 내지 200Å일 수 있다.

제3 두께(d3)를 상기와 같이 형성하는 경우, 반투과층(TL)은 일부 빛을 투과시키고, 일부 빛을 반사시키는 반투과 성능을 가질 수 있게 된다.

일 실시예에서 반투과층(TL)의 반사율은 20% 내지 70%일 수 있다.

다시 도 3 을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 반투과층(TL) 상에 배치되는 광차단 필터(FI)를 더 포함할 수 있다.

광차단 필터(FI)는 특정 파장을 갖는 빛을 차단할 수 있다. 일 실시예에서 표시 장치에는 청색을 갖는 빛이 백라이트로서 제공될 수 있는데 이 경우, 광차단 필터(FI)는 청색광을 차단하는 역할을 할 수 있다.

다시 말하면, 백라이트 유닛(도시하지 않음)이 청색 파장대의 빛을 제공하는 경우 파장 변환층(WC)을 거쳐도 청색 파장대를 갖는 빛이 잔존할 수 있는데, 상술한 바와 같이 광차단 필터(FI)를 적용하는 경우, 잔존하는 청색 파장대의 빛을 차단하여 파장 변환층으로부터 방출되는 빛의 색(이 경우 녹색이나 적색이 될 것이다.) 재현율을 높일 수 있다.

광차단 필터(FI)는 파장 변환층(WC) 중 녹색 파장 변환층(WC_G) 및/또는 적색 파장 변환층(WC_R)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 이에 대해서는 뒤에서 구체적으로 설명하기로 한다.

광차단 필터(FI) 상에는 파장 변환층(WC)이 배치될 수 있다. 파장 변환층(WC)은 제공되는 빛의 파장을 시프트(shift)시키는 역할을 할 수 있다.

일 실시예에서 파장 변환층(WC)은 양자점(QD, Quantum Dot)을 포함할 수 있다. 파장 변환층(WC)에 포함되는 양자점의 크기, 종류 및 양에 따라 파장 변환층(WC)을 통과하여 나오는 빛의 색이 달라질 수 있다. 예컨대, 양자점의 크기, 종류 및 양에 따라 파장 변환층(WC)은 녹색광, 적색광 및 청색광 중 어느 하나를 방출할 수 있다.

파장 변환층(WC)에 포함되는 양자점은 예컨대, CdSe/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, ZnSe/ZnS 또는 ZnTe/ZnSe을 포함하는 II-VI 계 양자점이거나 InP/ZnS 를 포함하는 III-V 계 양자점이거나, CuInS(2)/ZnS를 포함하는 양자점일 수 있다.

일 실시예에서 파장 변환층(WC)은 반투과층(TL)과 직접 접하며, 반투과층(TL)으로부터 일정 높이를 가지고 돌출 형성될 수 있다. 이에 따라 하나의 파장 변환층(WC)은 상단(US)과 측벽(SW)을 가질 수 있다.

도 3은 상단(US)이 평평한 경우를 예시하지만, 상단(US)의 형상이 이에 제한되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 상단(US)은 볼록하거나 오목한 형상을 가질 수도 있다.

광차단 필터(FI) 및 파장 변환층(WC) 상에는 캡핑층(CA)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서 캡핑층(CA)은 광차단 필터(FI)와 파장 변환층(WC)을 덮을 수 있다. 구체적으로, 캡핑층(CA)은 파장 변환층(WC)의 측벽(SW) 및 상단(US)을 덮을 수 있다.

일 실시예에서 캡핑층(CA)은 적어도 하나의 무기막을 포함하여 이루어질 수 있다. 무기막은 예컨대, 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 산질화물(SIONx) 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.

즉, 일 실시예에서 캡핑층(CA)은 단일막이거나, 복수의 막이 적층된 적층막일 수 있다.

일 실시예에서 캡핑층(CA)은 YRF(Yellow Recylcling Filter)일 수 있다. 즉, 캡핑층(CA)은 녹색광과 적색광을 반사하고, 청색광을 투과시키는 광 필터일 수 있다.

캡핑층(CA)이 녹색광과 적색광을 반사하는 역할을 하는 경우, 캡핑층(CA)은 파장 변환층(WC)의 측벽을 향해 나오는 녹색광과 적색광을 반사하여 다시 파장 변환층(WC)에 돌려보낼 수 있다. 즉, 누설광을 재활용할 수 있으며, 파장 변환층(WC)으로부터 나오는 빛이 정면을 향하도록 유도할 수 있다.

캡핑층(CA) 상에는 평탄화막(OC)이 배치될 수 있다. 평탄화막(OC)은 유기 및/또는 무기 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 평탄화막(OC)은 제1 기판(1000)의 전 영역에 걸쳐 형성될 수 있으며, 제1 기판(1000) 상에 형성된 단차를 평탄화시킬 수 있다. 도 3은 평탄화막(OC)이 단일막인 경우를 예시하나, 이에 제한되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 평탄화막(OC)은 둘 이상의 다중막을 포함하여 이루어질 수도 있다.

평탄화막(OC) 상에는 제1 편광층(POL1)이 배치될 수 있다. 제1 편광층(POL1)은 백라이트 유닛(도시하지 않음)으로부터 제공되어 액정층(LC)을 통과한 빛을 편광시킬 수 있다. 구체적으로, 제1 편광층(POL1)은 액정층(LC)을 통과한 빛 중 특정 방향으로 진동하는 빛만을 투과하고, 그 나머지 빛을 반사할 수 있다.

일 실시예에서 제1 편광층(POL1)은 일 방향으로 진동하는 편광 성분을 통과시키는 선편광판일 수 있다.

또한 일 실시예에서 제1 편광층(POL1)은 제1 기판(1000)과 제2 기판(500) 사이에 배치되는 In Cell 편광층일 수 있다.

일 실시예에서 제1 편광층(POL1)과 제3 편광층(POL3)의 편광 방향은 서로 상이할 수 있다. 본 명세서에서 편광 방향이라 함은 편광층을 통과한 광의 편광 성분이 갖는 방향을 의미할 수 있다.

이에 비추어 설명하면, 제1 편광층(POL1)이 투과시키는 빛의 진동 방향 즉 편광 방향은 제3 편광층(POL3)이 투과시키는 빛의 진동 방향 즉 편광 방향과 동일하거나 상이할 수 있다. 예컨대, 제3 편광층(POL3)이 제1 방향으로 진동하는 빛을 투과시키는 예시적인 실시예에서 제1 편광층(POL1)은 제1 방향으로 진동하는 빛을 투과시키거나, 제1 방향과 상이한 제2 방향(예컨대, 제1 방향과 수직인 방향)으로 진동하는 빛을 투과시킬 수 있다.

일 실시예에서 제1 편광층(POL1)은 도달한 빛을 선 편광시키는 와이어 그리드 편광자(WGP, Wire-Grid-Polarizer)를 포함할 수 있다.

이에 따라, 제1 편광층(POL1)은 일 방향을 따라 서로 평행하게 배열된 미세 금속 와이어 패턴을 포함할 수 있다. 이러한 미세 금속 와이어 패턴은 선폭이 약 60nm 이하일 수 있으며, 약 150nm이하의 두께를 가질 수 있다. 다만, 선폭과 두께는 예시적이며 설계 상의 필요에 따라 달라질 수 있다. 제1 편광층(POL1)에 도달한 빛 중 미세 금속 와이어 패턴과 평행하게 입사되는 빛만 제1 편광층(POL1)을 통과하게 되며, 이에 따라 제1 편광층(POL1)은 편광 기능을 수행할 수 있게 된다.

제1 편광층(POL1)은 반사율이 높은 금속으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 알루미늄, 금, 은, 구리, 크롬, 철, 니켈 및 몰리브덴으로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 제1 편광층(POL1)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다.

도 3은 제1 편광층(POL1)이 단일층으로 되는 경우를 예시하나, 다른 실시예에서 제1 편광층(POL1)은 둘 이상의 층으로 이루어진 다중층 구조를 가질 수도 있다.

제1 편광층(POL1) 상에는 제3 패시베이션막(PASSI3)이 배치될 수 있다.

제3 패시베이션막(PASSI3) 상에는 공통 전극(CE)이 배치될 수 있다. 공통 전극(CE)은 패터닝되지 않은 전면 전극일 수 있다. 공통 전극(CE)에는 공통 전압이 인가될 수 있다. 공통 전극(CE)과 화소 전극(PE)에 서로 다른 전압이 인가되면 공통 전극(CE)과 화소 전극(PE) 사이에 일정한 전계가 형성될 수 있다.

제1 기판(1000)과 제2 기판(500) 사이에는 복수의 액정 분자가 배치되는 액정층(LC)이 배치될 수 있다. 액정층(LC)은 공통 전극(CE)과 화소 전극(PE) 사이에 형성된 전계에 의해 제어될 수 있으며, 액정층(LC)에 배치되는 액정의 움직임을 제어함으로써, 영상을 표시하는데 필요한 빛을 제어할 수 있다.

이상에서는 공통 전극(CE)이 제1 기판(1000) 상에 형성되는 경우를 예시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 다른 실시예에서 공통 전극(CE)은 하부 기판인 제2 기판(500) 상에 형성될 수도 있다.

또한, 파장 변환층(WC)이 상부 기판에 형성되는 경우를 예시하여 설명하였지만, 이에 제한되지 않으며, 파장 변환층(WC)은 하부 기판에 형성될 수도 있다.

이어서, 도 4를 참조하여 설명하기로 한다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서 파장 변환층(WC)은 적색 파장 변환층(WC_R), 녹색 파장 변환층(WC_G) 및 청색 파장 변환층(WC_B)을 포함할 수 있다.

일 실시예에서 파장 변환층(WC)은 복수일 수 있다. 이 때, 각 파장 변환층(WC)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.

일 실시예에서 파장 변환층(WC)이 이격되어 형성되는 이격 공간은 블랙 매트릭스(BM)와 중첩될 수 있다.

일 실시예에서 반투과층(TL)은 적색 파장 변환층(WC_R), 녹색 파장 변환층(WC_G) 및 청색 파장 변환층(WC_B)과 중첩되도록 배치될 수 있다.

즉, 일 실시예에서 반투과층(TL)은 전면적으로 형성될 수 있다.

일 실시예에서 광 차단 필터(FI)는 적색 파장 변환층(WC_R) 및 녹색 파장 변환층(WC_G)과 중첩될 수 있으며, 청색 파장 변환층(WC_B)과는 중첩되지 않을 수 있다.

광차단 필터(FI)과 청색 광을 차단하는 예시적인 실시예에서 적색 파장 변환층(WC_R) 및 녹색 파장 변환층(WC_G)과 중첩되는 광차단 필터(FI)는 적색광 및 녹색광에 섞여서 나오는 청색광을 차단함으로써, 녹색 및 적색의 색재현율을 향상시킬 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(1000)의 반대측 즉 타면 상에 배치되는 제2 편광층(POL2)을 더 포함할 수 있다.

다시 말하면, 제2 편광층(POL2)은 제1 기판(1000)의 외측에, 앞서 설명한 파장 변환층(WC)등은 제1 기판(1000)의 내측에 배치될 수 있다.

즉, 제2 편광층 (POL2)과 파장 변환층(WC) 사이에 제1 기판(1000)이 배치될 수 있다.

일 실시예에서 제2 편광층(POL2)은 원편광판일 수 있다. 다시 말하면, 일 실시예에서 제2 편광층(POL2)은 λ/4 위상 지연층(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 즉, 제2 편광층(POL2)을 통과한 빛은 원편광 상태가 될 수 있다. 이에 따라 제1 편광층(POL1)과 제2 편광층(POL2)의 편광 방향은 서로 상이할 수 있다. 다시 말하면, 제1 편광층(POL1)을 통과한 빛의 편광 성분과 제2 편광층(POL2)을 통과한 빛의 편광 성분은 서로 상이한 방향을 가질 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치가 원편광판인 제2 편광층(POL2)과 반투과층(TL)을 포함하는 경우, 외광이 표시 장치에 표시 성능에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 구체적으로 외광 반사율을 낮출 수 있다. 이에 대해 구체적으로 설명하면, 외광이 파장 변환층(WC)까지 도달하면, 파장 변환층(WC)에 포함된 양자점에 의해 파장 변환층(WC)이 발광할 수 있다. 즉, 외부 광에 의한 간섭이 일어날 수 있다.

제1 기판(1000)의 외측에 원편광판을 배치하는 경우, 외광이 파장 변환층(WC)에 도달하는 것을 억제할 수 있다.

외광 중 일부가 제2 편광층(POL2)을 통과하더라도, 통과한 빛은 반투과층(TL)에 의해 일부 반사되며 반사된 빛은 다시 제2 편광층(POL2)에 의해 차단됨으로써 표시 장치 외부로 나갈 수 없게 된다.

즉, 상술한 바와 같은 구성을 채용함으로써, 외광 반사율을 현저하게 줄일 수 있다.

도 3 및 도 4는 하나의 화소에 하나의 파장 변환층(WC)이 배치되는 경우를 예시하나 이에 제한되는 것은 아니다. 즉 다른 실시예에서 하나의 화소에는 둘 이상의 파장 변환층(WC)이 배치될 수도 있다.

이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서 이미 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 번호로서 지칭하며, 중복 설명은 생략하거나 간략화하기로 한다.

도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 블랙 매트릭스(BM)와 제1 기판(1000) 상에 광차단 필터(FI)가 형성되고, 광차단 필터(FI) 상에 반투과층(TL)이 형성되는 점이 도 3 및 도 4의 실시예와 다른 점이다.

일 실시예에서 광차단 필터(FI)와 반투과층(TL)의 적층 순서는 서로 바뀔 수 있다 즉, 광차단 필터(FI)가 먼저 형성되고, 광차단 필터(FI) 상에 반투과층(TL)이 형성될 수 있다.

또한, 파장 변환층(WC)은 반투과층(TL) 상에 형성될 수 있다. 이에 따라 일 실시예에서 반투과층(TL)과 파장 변환층(WC)은 직접 접촉할 수 있다.

도 7을 참조하면, 광차단 필터(FI)는 적색 파장 변환층(WC_R) 및 녹색 파장 변환층(WC_G)과 중첩될 수 있다. 또한, 일 실시예에서 광차단 필터(FI)는 청색 파장 변환층(WC_B)과는 중첩되지 않을 수 있다.

또한 도 3 및 도 4에서 설명한 바와 같이 파장 변환층(WC) 상에는 캡핑층(CA)이 배치될 수 있다. 캡핑층(CA)은 각 파장 변환층(WC) 사이의 이격 공간도 덮을 수 있는데, 이 경우, 캡핑층(CA)은 반투과층(TL)과 직접적으로 접할 수 있다.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.

도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 파장 변환층(WC)과 인접하도록 배치되는 광투과층(SL)을 포함하는 점이 도 4의 실시예와 다른 점이다.

일 실시예에서 파장 변환층(WC)과 인접하도록 광투과층(SL)이 배치될 수 있다. 구체적으로, 복수의 파장 변환층(WC) 중 일부가 광투과층(SL)으로 대체될 수 있다.

일 실시예에서 광투과층(SL)은 청색 파장 변환층(WC_B)을 대체할 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서 백라이트는 청색광을 제공할 수 있다. 백라이트가 청색광을 제공하는 예시적인 실시예에서 광투과층(SL)은 청색광을 통과시킴으로써, 청색을 구현할 수 있다 .

일 실시예에서 광투과층(SL)은 광 산란제를 포함할 수 있다. 광 산란제는 예컨대, TiO2를 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 광 산란제의 재료가 이에 제한되는 것은 아니다.

일 실시예에서 광투과층(SL)은 청색 안료를 포함할 수 있다. 이 경우, 광투과층(SL)을 통과하는 빛은 더욱 선명한 청색광을 띌 수 잇다.

일 실시예에서 광투과층(SL)은 반투과층(TL1)과 중첩되지 않을 수 있다. 즉, 광투과층(SL)은 양자점을 포함하지 않아 외광에 의한 간섭 가능성이 적으므로, 반투과층(TL1)을 생략할 수 있다.

다만, 다른 실시예에서는 반투과층(TL1)과 광투과층(SL)이 서로 중첩할 수도 있다. 즉, 반투과층(TL1)이 파장 변환층(WC)과 광투과층(SL) 상에 전면적으로 형성될 수 있다.

광투과층(SL)이 청색 파장 변환층(WC_B)을 대체하는 실시예에서 캡핑층(CA)은 광투과층(SL)을 덮을 수 있다.

다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 다른 실시예에서 캡핑층(CA)은 파장 변환층(WC) 만을 덮으며, 광투과층(SL)을 덮지 않을 수도 있다.

다시 말하면, 반투과층(TL1)은 적색 파장 변환층(WC_R) 및/또는 녹색 파장 변환층(WC_G)와 중첩되며, 광투과층(SL)에는 중첩되지 않을 수 있다.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.

도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(1000) 상에 블랙 매트릭스(BM)가 배치되지 않는 점이 도 4의 실시예와 다른 점이다.

일 실시예에서 제1 기판(1000) 상에 형성되는 블랙 매트릭스(BM)는 생략될 수 있다.

제1 기판(1000) 상에 형성되는 블랙 매트릭스(BM)는 외광을 반사시키는 기능을 수행할 수 있는데, 표시 장치가 반투과층(TL) 및 제2 편광층(POL2)을 포함하는 경우 외광을 효과적으로 차단할 수 있어, 블랙 매트릭스를 생략할 수 있다.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다. 이하에서 설명하는 구성의 일부는 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구성과 동일할 수 있으며, 중복 설명을 피하기 위해 일부 구성에 대한 설명은 생략될 수 있다.

도 10 내지 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 10 내지 도 16을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법은 제1 기판(1000)의 일면 상에 반투과층(TL)을 형성하는 단계, 반투과층(TL) 상에 파장 변환층(WC)을 형성하는 단계, 파장 변환층(WC) 상에 캡핑층(CA)을 형성하는 단계 및 캡핑층(CA) 상에 제1 편광층(POL1)을 형성하고, 제1 기판(500)의 타면 상에 제2 편광층(POL2)를 형성하는 단계를 포함한다.

먼저, 도 10을 참조하면, 제1 기판(1000)을 준비하는 단계가 진행될 수 있다.

일 실시예에서 제1 기판(1000)의 일면 상에는 블랙 매트릭스(BM)가 형성될 수 있다.

앞서 설명한 바와 같이 일 실시예에서 블랙 매트릭스(BM)는 생략될 수 있다. (도 9 참조)

이어서, 도 11을 참조하면, 제1 기판(1000) 상에 반투과층(TL)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다.

반투과층(TL)은 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.

일 실시예에서 반투과층(TL)은 전면적으로 형성될 수 있다. (도 4 참조) 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 다른 실시예에서 반투과층(TL)은 제1 기판(1000) 상에 부분적으로 형성될 수도 있다. (도 8 참조)

이어서, 도 12를 참조하면, 반투과층(TL) 상에 광차단 필터(FI)를 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 광차단 필터(FI)는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.

일 실시예에서 광차단 필터(FI)는 제1 기판(1000) 상에 부분적으로 형성될 수 있다.

도 11에서 반투과층(TL)을 형성하는 단계와 도 12에서 광차단 필터(FI)를 형성하는 단계의 순서는 서로 바뀔 수 있다.

양자의 순서가 뒤바뀌는 경우, 그 결과물은 도 7에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.

이어서, 도 13을 참조하면, 반투과층(TL) 상에 파장 변환층(WC)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 파장 변환층(WC)은 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.

또한, 일 실시예에서 파장 변환층(WC)과 인접하도록 광투과층(SL)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

도 13은 청색 파장 변환층(WC_B)를 대체하여 광투과층(SL)을 형성한 경우를 예시한다.

일 실시예에서 적색 파장 변환층(WC_R) 및/또는 녹색 파장 변환층(WC_G)은 광차단 필터(FI)와 중첩되도록 형성되고, 광투과층(SL)은 광차단 필터(FI)와 중첩되지 않도록 형성될 수 있다.

이어서, 도 14를 참조하면, 파장 변환층(WC) 및 광투과층(SL) 상에 캡핑층(CA)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다.

캡핑층(CA)은 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.

이어서, 도 15를 참조하면, 캡핑층(CA) 상에 평탄화막(OC), 제1 편광층(POL1), 제3 패시베이션막(PASSI3) 및 공통 전극(CE)을 순차적으로 형성하고, 제1 기판(1000)의 타면 상에 제2 편광층(POL2)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다.

평탄화막(OC), 제1 편광층(POL1), 제3 패시베이션막(PASSI3) 및 공통 전극(CE)은 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.

본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치에서 설명한 바와 같이 제1 편광층(POL1)과 제2 편광층(POL2)의 편광 방향은 서로 상이할 수 있다. 즉, 제1 편광층(POL1)은 선편광층이고, 제2 편광층(POL2)은 원편광층일 수 있다.

설명의 편의를 위해 제2 편광층(POL2)을 형성하는 단계를 제1 편광층(POL1) 형성 단계와 묶어서 설명했으나, 이에 제한되지 않는다.

즉, 제1 기판(1000)의 타면 상에 제2 편광층(POL2)을 형성하는 단계는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 중간, 처음 또는 끝 부분에 수행될 수도 있다.

이어서, 도 16을 참조하면, 제1 기판(1000)과 제1 기판(1000)에 대향하는 제2 기판(500)을 합착하는 단계가 진행될 수 있다.

제2 기판(500) 및 제2 기판(500) 상에 형성되는 복수의 구성은 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치에서 설명한 것과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.

도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 단면도이다.

도 17을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 광차단 필터(FI)를 형성하는 단계 이후에, 광차단 필터(FI)를 마스크로 하여 반투과층(TL)을 식각하는 단계를 더 포함할 수 있다.

앞서 도 8에서 설명한 바와 같이 반투과층(TL)은 제1 기판(1000) 상에 부분적으로 배치될 수 있다. 이를 위한 하나의 방법으로서, 광차단 필터(FI)를 마스크로 반투과층(TL)을 식각할 수 있다.

이 경우, 광차단 필터(FI)와 반투과층(TL)은 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다. 즉, 광차단 필터(FI)와 반투과층(TL)은 서로 완전하게 중첩될 수 있다.

또한, 반투과층(TL)이 식각된 부분에는 광투과층(SL)이 배치될 수 있으며, 그 결과물은 도 8에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이지 않는 것으로 이해해야 한다.

DA: 표시 영역
NDA: 비표시 영역
DL: 데이터 라인
GL: 게이트 라인
SE: 소스 전극
DE: 드레인 전극
PE: 화소 전극
500: 제2 기판
1000: 제1 기판
GI: 게이트 절연막
700: 반도체 패턴층
PASSI: 패시베이션막
WC: 파장 변환층
BM: 블랙 매트릭스
OC: 평탄화막
CE: 공통 전극
POL: 편광층
TL: 반투과층
CA: 캡핑층
SL: 광투과층
FI: 광차단 필터

Claims

제1 기판;
상기 제1 기판의 일면 상에 배치되는 반투과층;
상기 반투과층 상에 배치되는 파장 변환층;
상기 파장 변환층 상에 배치되는 캡핑층;
상기 캡핑층 상에 배치되는 제1 편광층; 및
상기 제1 기판의 타면 상에 배치되는 제2 편광층을 포함하되,
상기 제1 편광층과 상기 제2 편광층은 편광 방향이 상이한 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제2 편광층은 원편광판인 표시 장치.
상기 파장변환층과 상기 제1 기판 사이에 배치되는 광차단 필터를 더 포함하는 표시 장치.
제3항에 있어서,
상기 광차단 필터는 상기 반투과층과 상기 파장 변환층 사이에 배치되는 표시 장치.
제3항에 있어서,
상기 반투과층은 상기 광차단 필터와 상기 파장 변환층 사이에 배치되는 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 반투과층은 제1 보호층, 중간층 및 제2 보호층을 포함하는 표시 장치.
제6항에 있어서,
상기 중간층의 두께는 100Å 내지 200Å인 표시 장치.
제6항에 있어서,
상기 반투과층의 반사율은 20% 내지 70%인 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 파장 변환층은 적색을 발광하는 제1 파장 변환층 및 녹색을 발광하는 제2 파장 변환층을 포함하는 표시 장치.
제9항에 있어서,
상기 파장 변환층과 인접하게 배치되는 광투과층을 더 포함하는 표시 장치.
제10항에 있어서,
상기 반투과층은 상기 파장 변환층과 중첩되고, 상기 광투과층과 중첩되지 않는 표시 장치.
제9항에 있어서,
상기 제1 기판과 상기 파장 변환층 사이에 배치되는 광차단 필터를 더 포함하고, 상기 광차단 필터는 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층과 중첩하는 표시 장치.
제9항에 있어서,
상기 제1 파장 변환층과 상기 제2 파장 변환층 사이에 배치되는 블랙 매트릭스를 더 포함하는 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제2 반투과층 상에 배치되는 제3 편광층을 포함하는 표시 장치.
제14항에 있어서,
상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판을 더 포함하고, 상기 제3 편광층은 상기 파장 변환층과 상기 제2 기판 사이에 배치되는 표시 장치.
제1 기판의 일면 상에 반투과층을 형성하는 단계;
상기 반투과층 상에 파장 변환층을 형성하는 단계;
상기 파장 변환층 상에 캡핑층을 형성하는 단계; 및
상기 캡핑층 상에 제1 편광층을 형성하고, 상기 제1 기판의 타면 상에 제2 편광층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 편광층과 상기 제2 편광층은 편광 방향이 서로 상이한 표시 장치의 제조 방법.
제16항에 있어서,
상기 제1 기판과 상기 파장 변환층 사이에 광차단 필터를 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
제17항에 있어서,
상기 파장 변환층은 적색을 발광하는 제1 파장 변환층 및 녹색을 발광하는 제2 파장 변환층을 포함하고, 상기 광차단 필터는 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층과 중첩되는 표시 장치의 제조 방법.
제18항에 있어서,
상기 파장 변환층과 인접하도록 광투과층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
제17항에 있어서,
상기 광차단 필터를 식각 마스크로 하여 상기 반투과층을 식각하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.