KR101652887B1 - 기판의 노광방법, 이를 수행하기 위한 기판의 노광장치 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법 - Google Patents
기판의 노광방법, 이를 수행하기 위한 기판의 노광장치 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101652887B1 KR101652887B1 KR1020090119736A KR20090119736A KR101652887B1 KR 101652887 B1 KR101652887 B1 KR 101652887B1 KR 1020090119736 A KR1020090119736 A KR 1020090119736A KR 20090119736 A KR20090119736 A KR 20090119736A KR 101652887 B1 KR101652887 B1 KR 101652887B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- exposure
- light
- slits
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/72—Controlling or varying light intensity, spectral composition, or exposure time in photographic printing apparatus
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
- G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70208—Multiple illumination paths, e.g. radiation distribution devices, microlens illumination systems, multiplexers or demultiplexers for single or multiple projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
제1 광을 이용하여 마스크가 포함하는 제1 슬릿들에 의해 노출된 기판 상의 포토레지스트층을 노광하고, 제1 광이 반투과 셔터에 의해 반투과된 제2 광을 이용하여 마스크가 포함하는 제2 슬릿들에 의해 노출된 포토레지스트층을 노광한다. 기판과 마스크의 상대적인 위치를 변경시키며 기판을 노광한다. 기판에 조사되는 광의 광량을 영역별로 조절할 수 있어 노광장치의 제조 비용이 감소될 수 있다.
노광장치, 반투과 셔터, 마스크, 반투과 표시장치
Description
본 발명은 기판의 노광방법, 이를 수행하기 위한 기판의 노광장치 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 노광장치의 제조 비용을 감소시킬 수 있는 기판의 노광방법, 이를 수행하기 위한 기판의 노광장치 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법에 관한 것이다.
액정표시장치는 일반적으로, 박막 트랜지스터기판, 박막 트랜지스터기판과 마주보는 컬러필터 기판 및 박막 트랜지스터기판과 컬러필터 기판 사이에 형성된 액정층을 갖는 액정표시패널을 포함한다.
박막 트랜지스터기판 및 컬러필터 기판은 일반적으로, 사진, 노광 및 식각 공정을 통한 다층 구조로 형성된다.
노광 공정은 노광기로부터 일정한 패턴이 형성된 별도의 포토 마스크(photo mask)를 통해 포토레지스트층이 도포된 기판으로 광이 조사됨으로써, 진행된다. 즉, 기판의 포토레지스트층에는 포토 마스크에 형성된 패턴에 따라 상기 광과 반응 하여 상기의 패턴이 형성된다.
최근 들어, 액정표시장치가 대형화되어 감에 따라, 노광기의 조사 영역과 포토 마스크의 크기에 한계가 발생되고 있다. 이에 따라, 노광 공정은 다수개의 노광기를 이용하여 다수의 노광 영역들로 나뉜 기판을 스캔하는 방식을 채택하고 있다.
그러나, 이러한 노광 공정을 이용하여 다중 단차를 갖는 패턴을 형성하기 위해서 별도의 마스크가 제작되어야 마스크 및 이를 포함하는 노광장치의 제조 비용이 증가하는 문제점이 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 노광장치의 제조 비용을 감소시킬 수 있는 기판의 노광방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 기판의 노광방법을 수행하기 위한기판의 노광장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 상기 기판의 노광방법을 이용한 표시기판의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일실시예에 따른 기판의 노광방법에서, 제1 광을 이용하여 마스크가 포함하는 제1 슬릿들에 의해 노출된 기판 상의 포토레지스트층이 노광되고, 상기 제1 광이 반투과 셔터에 의해 반투과된 제2 광을 이용하여 상기 마스크가 포함하는 제2 슬릿들에 의해 노출된 상기 포토레지스트층이 노광된다. 이어서, 상기 기판과 상기 마스크의 상대적인 위치를 변경시키며 상기 기판이 노광된다.
본 발명의 실시예에서, 상기 마스크의 마스크 정렬 패턴이 상기 기판의 초기 정렬 패턴에 대응되도록 상기 기판을 제1 방향으로 이송시켜 상기 기판이 상기 마스크 하부에 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 기판의 비노광영역에 대응하여 상기 마스크의 상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿을 선택적으로 차단시키기 위해 상기 마스크 상부에 배치된 차단 셔터의 차단 플레이트들이 상기 제1 방향 또는 상기 제1 방향과 반대방향으로 펼쳐질 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 기판의 노광영역에 대응하여 상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿이 노출되도록 상기 마스크 상부에 배치된 차단 셔터의 차단 플레이트들이 포개질 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 반투과 셔터는 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장된 복수의 반투과 플레이트들을 포함하고, 상기 반투과 플레이트들은 상기 제1 방향 또는 상기 제1 방향과 반대방향으로 펼쳐질 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 마스크의 마스크 정렬 패턴이 상기 기판의 초기 정렬 패턴에 대응되도록 상기 마스크 및 상기 반투과 셔터는 함께 노광 방향으로 이송되어 상기 기판이 상기 마스크 하부로 배치될 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 일실시예에 따른 기판의 노 광장치는 마스크, 반투과 셔터 및 스테이지를 포함한다. 상기 마스크는 포토레지스트층이 형성된 기판 상에 배치되고, 제1 슬릿들 및 제2 슬릿들을 포함한다. 상기 반투과 셔터는 상기 마스크의 상기 제2 슬릿들 상에 배치되어 제1 광을 반투과시켜 제2 광을 발생시킨다. 상기 스테이지는 상기 기판과 상기 마스크의 상대적인 위치를 변경시킨다.
본 발명의 실시예에서, 상기 스테이지는 상기 기판을 제1 방향으로 이송시켜 상기 기판을 상기 마스크 하부에 배치시키고, 상기 기판이 노광되도록 상기 마스크 하부에서 상기 기판을 상기 제1 방향으로 이송시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 반투과 셔터는 서로 연결된 복수의 반투과 플레이트들을 포함하고, 각 반투과 플레이트는 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 반투과 셔터의 투과율은 약 5% 내지 95%일 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 반투과 셔터 및 상기 마스크 사이에 배치되어 상기 제1 광 및 상기 제2 광을 선택적으로 차단시키는 차단 셔터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 차단 셔터는 서로 연결된 복수의 차단 플레이트들을 포함하고, 각 차단 플레이트는 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 마스크는 상기 제1 슬릿들을 포함하는 제1 영역 및 상기 제2 슬릿들을 포함하는 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 경계에 대응하는 상기 제1 슬릿들 각각 및 상기 제2 슬릿들 각각은 서로 연결될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 마스크는 상기 제1 슬릿들과 다른 크기의 제3 슬릿들을 포함하는 제3 영역과, 상기 제2 슬릿들과 다른 크기의 제4 슬릿들을 포함하는 제4 영역을 포함하고, 상기 제3 영역 및 상기 제4 영역의 경계에 대응하는 상기 제3 슬릿들 각각 및 상기 제4 슬릿들 각각은 서로 연결될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 마스크는 상기 기판의 기판 정렬 패턴에 대응하여 형성된 마스크 정렬 패턴을 포함하여 상기 마스크 및 상기 기판을 상호 정렬시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 스테이지는 상기 마스크 및 상기 반투과 셔터를 상기 기판의 노광 방향으로 이송시켜 상기 기판을 상기 마스크 하부에 배치시키고, 상기 기판이 노광되도록 상기 기판 상부에서 상기 마스크 및 상기 반투과 셔터를 상기 기판의 노광 방향으로 이송시킬 수 있다.
상기한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 일실시예에 따른 표시기판의 제조방법에서, 반사 영역 및 투과 영역을 포함하는 기판 상에 차광패턴이 형성된다. 이어서, 상기 차광패턴을 포함하는 기판 상에 색 포토레지스트층이 형성된다. 이어서, 제1광을 이용하여 상기 투과영역의 상기 색 포토레지스트층을 노광하고 상기 제1 광이 반투과 셔터에 의해 반투과된 제2 광을 이용하여 상기 반사영역의 상기 색 포토레지스트층을 노광함으로써, 상기 색 포토레지스트층이 상기 반사 영역 및 상기 투과 영역에 서로 다른 두께를 가지는 색화소층으로 패터닝된다. 이어서, 상기 색화소층을 포함하는 상기 기판에 투명전극이 형성된다.
본 발명의 실시예에서, 상기 기판과 상기 마스크의 상대적인 위치를 변경시키며 상기 기판이 스텝 또는 스캔 노광될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 기판이 스텝 또는 스캔 노광될 때, 상기 마스크의 마스크 정렬 패턴을 상기 기판의 상기 차광패턴에 맞추면서 상기 기판이 이송될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 기판의 비노광영역에 대응하여 상기 제1 광 및 상기 제2 광을 선택적으로 차단하기 위해 차단 셔터가 부분적으로 개폐될 수 있다.
상기한 기판의 노광방법, 기판의 노광장치 및 표시기판의 제조방법에 의하면, 상기 노광장치의 마스크 상부에 반투과 셔터를 배치시킴으로써 상기 기판에 조사되는 광의 광량을 영역별로 조절할 수 있다. 따라서, 슬릿 마스크 및 하프톤 마스크 등의 별도의 마스크 제조 공정이 필요 없으므로 상기 노광장치의 제조 비용이 감소될 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 예시적인 실시예들을 상세히 설명한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 고안의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용 되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 및 노광장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 기판 및 노광부를 개략적으로 나타낸 정면도이다. 도 3은 도 2의 기판 및 노광부의 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 노광장치(1000)는 로딩부(100), 스테이지(300), 노광부(500) 및 언로딩부(700)를 포함한다.
상기 로딩부(100)은 노광이 수행될 기판(2000)을 외부로부터 반입한다.
상기 스테이지(300)는 상기 기판(2000)을 상기 노광부(500)의 하부로 제1 방향(DI1)을 따라 이송시키고 상기 노광부(500)가 상기 기판(2000)을 노광할 수 있도록 상기 노광부(500)의 하부에서 상기 제1 방향(DI1)을 따라 이송된다. 상기 노광 방식은 스텝 노광 또는 스캔 노광을 포함한다. 스텝 노광은 노광시 기판의 이동과 멈춤이 반복하는 동작이 포함된 것을 말하며, 스캔 노광은 노광시 기판의 연속적인 동작이 포함된 것을 말한다. 섬형 패턴(island pattern)은 주로 스텝 노광으로 형성할 수 있고 스트립 패턴(strip pattern)은 주로 스캔 노광으로 형성할 수 있다.
상기 노광부(500)는 광원모듈(510) 및 노광모듈(530)을 포함한다.
상기 광원모듈(510)은 상기 노광모듈(530)를 통해 상기 스테이지(300)로 제1 광을 조사한다. 따라서, 상기 광원모듈(510)에서 조사된 상기 제1 광은 상기 스테이지(300)가 평면 방향에 배치된 경우, 이에 수직한 방향을 따라 조사된다.
상기 광원모듈(510)은 광원(511) 및 집광기(513)를 포함한다.
상기 광원(511)은 일 예로, 야그 레이저(Yag laser) 및 수은 램프를 포함할 수 있다. 이는, 상기 스테이지(300)에 배치될 기판(2000)에 상기 제1 광에 반응하는 포토레지스트층이 도포되어 있기 때문이다. 여기서, 상기 포토레지스트층은 일 예로, 감광 고분자 조성물로 이루어질 수 있다.
상기 집광기(513)는 상기 광원(511)로부터 조사된 광을 집광시키는 역할을 한다. 이러기 위하여, 상기 집광기(513)는 적어도 하나의 반사 렌즈를 포함할 수 있다. 상기 집광기(513)에 의해 반사된 광인 상기 제1 광은 상기 노광모듈(530)을 거쳐 상기 스테이지(300)에 의해 이송된 상기 기판(2000)으로 조사된다.
여기서, 상기 기판(2000)은 액정표시장치의 영상을 표시하기 위한 액정표시패널의 필수 구성 요소인 박막트랜지스터 기판 또는 컬러필터기판일 수 있다. 박막트랜지스터 기판은 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 유리 기판 상에 매트릭스 패턴을 가지면서 박막 형태로 형성된 것이고, 컬러필터 기판은 적색, 녹색, 청색 화소가 박막 형태로 형성된 것이다.
상기 노광모듈(530)은 마스크(531), 차단 셔터(533) 및 반투과 셔터(535)를 포함한다.
상기 기판(2000) 상부에 상기 마스크(531)가 배치되고, 상기 마스크(531) 상부에 상기 차단 셔터(533)가 배치되며, 상기 차단 셔터(533) 상부에 상기 반투과 셔터(535)가 배치된다. 도시되지는 않았지만, 상기 차단 셔터(533)가 상기 반투과 셔터(535) 상부에 배치될 수도 있다. 또한, 상기 마스크(531), 상기 차단 셔 터(533) 및 상기 반투과 셔터(535)는 프레임 등으로 고정될 수 있다.
상기 광원모듈(510)과 상기 노광모듈(530)은 상기 기판(2000)을 다수의 노광 영역들로 나눌 때, 하나의 노광 영역에 대응하여 형성된다. 상기 노광 영역들은 매트릭스 형태로 배열된다. 예를 들어, 제1 노광열(S11, S12,...,S1n) 내지 제m 노광열(Sm1, Sm2,...,Smn)내의 각 요소들을 노광 영역으로 나타낼 수 있다(여기서, n 및 m 은 자연수).
또한, 상기 기판(2000)이 직육면체 형상을 가지고, 이에 따라 상기 제1 노광열(S11, S12,...,S1n) 내지 상기 제m 노광열(Sm1, Sm2,...,Smn)도 직사각형 형상을 가질 경우, 상기 마스크(531)도 직육면체 형상을 갖는다.
상기 기판(2000)이 상기 제1 방향(DI1)으로 이동하면, 상기 마스크(531)를 포함하는 상기 노광모듈(530)을 통과한 광이 상기 기판(2000)이 포함하는 상기 제1 노광열(S11, S12,...,S1n) 내지 상기 제m 노광열(Sm1, Sm2,...,Smn)를 노광시킨다. 상기 노광부(500)에 포함되는 복수의 노광기들(E1, E2, E3, ,Ek-2, Ek-1, Ek)은 상기 제1 방향(DI1)과 수직한 제2 방향(DI2)으로 나열된다(여기서, k는 자연수).
상기 노광기들(E1, E2, E3,...,Ek-2, Ek-1, Ek) 각각은 상기 광원모듈(510) 및 상기 노광모듈(530)을 포함한다.
상기 복수의 노광기들(E1, E2, E3,...,Ek-2, Ek-1, Ek)은, 예로 들어, 2열로 배열된다. 상기 제2 방향(DI2)으로 배열된 제1 열의 노광기들과, 상기 제1 열과 근접하여 상기 제2 방향(DI2)으로 배열된 제2 열의 노광기들은 교대로 배치될 수 있다. 상기 노광기들은 다양한 형태로 상기 제2 방향(DI2)을 따라 배열될 수 있다.
상기 스테이지(300)는 상기 노광부(500) 하부로 상기 기판(2000)을 이송시킨다. 구체적으로, 프레임에 의해 고정된 제1 노광기(E1), 제2 노광기(E2) 및 제3 노광기(E3)의 상부에서는 상기 제1 노광열(S11, S12,...,S1n)을 스텝 또는 스캔 노광시키고, 상기 프레임에 의해 고정된 제(k-2) 노광기(Ek-2), 제(k-1) 노광기(Ek-1) 및 제k 노광기(Ek)의 상부에서는 상기 제m 노광열(Sm1, Sm2,...,Smn)을 스텝 또는 스캔 노광시킨다.
따라서, 상기 기판(2000)은 상기 제1 방향(DI1)으로 배열된 노광 영역들에 대하여 순차적으로 한번 노광되기 때문에, 종래의 방식에 비해 상기 기판(2000)의 노광 시간을 단축시킬 수 있다.
고정된 상기 노광부(500)가 상기 제1 방향(DI1)으로 이동하는 상기 기판(2000)을 노광하므로 상기 기판(2000)에는 상기 제1 방향(DI1)과 반대 방향으로 노광 패턴이 형성된다.
본 실시예에서는 상기 노광부(500)가 고정되고, 상기 스테이지(300)가 상기 기판(2000)을 상기 제1 방향(DI1)으로 이송시키는 것을 설명하였으나, 상기 기판(2000)이 고정되고, 상기 스테이지(300)가 상기 노광부(500)를 상기 제1 방향(DI1)과 반대방향으로 이송시킬 수도 있다. 이때, 상기 마스크(531), 상기 차단 셔터(533) 및 상기 반투과 셔터(535)는 프레임 등으로 고정되므로 상기 마스크(531), 상기 차단 셔터(533) 및 상기 반투과 셔터(535)는 동시에 상기 제1 방향(DI1)과 반대방향으로 이송될 수 있다.
상기 노광부(500)가 이동하는 경우에도, 상기 제1 방향(DI1)과 반대방향으로 상기 기판(2000) 상에 상기 노광 패턴이 형성될 수 있다.
상기 노광 패턴이 형성된 상기 기판(2000)은 상기 언로딩부(700)을 통해 상기 노광장치(1000) 외부로 반출될 수 있다.
도 4는 도 2의 노광모듈의 평면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 상기 마스크(531), 상기 차단 셔터(533) 및 상기 반투과 셔터(535)를 포함하는 상기 노광모듈(530)은 노광이 시작되면, 상기 기판(2000) 상에 순차적으로 배치된다.
한편, 상기 기판(2000)과 상기 노광부(500)의 위치를 정확히 맞추기 위해, 상기 기판(2000)에는 적어도 두 개의 기판 정열 패턴(20)이 형성된다.
상기 기판 정열 패턴(20)에 대응하는 마스크(531)에는 마스크 정열 패턴(40)이 형성된다.
상기 기판 정열 패턴(20)은 초기 정열 패턴을 포함한다. 상기 초기 정열 패턴에 의해 노광하기 전에 상기 기판(2000)의 전체 크기 및 노광을 시작하기 위한 시작점이 인지될 수 있다. 즉, 상기 마스크 정열 패턴(40)이 상기 초기 정열 패턴에 맞춰지면 노광이 시작될 수 있다.
상기 마스크 정열 패턴(40)은 상기 마스크(531)가 포함하는 슬릿들로의 간섭을 최소화하기 위하여 상기 마스크(531)의 가장 자리에 형성된다.
상기 마스크 정열 패턴(40)은 일반적으로, 상기 제1 방향(DI1) 및 상기 제2 방향(DI2)을 따라 동시에 위치가 보정되도록 하기 위하여 십자 형상을 갖는다. 상기 마스크 정열 패턴(40)은 상기 마스크(531)에 상기 슬릿들을 형성할 때, 동시에 형성된다. 이와 달리, 상기 마스크 정열 패턴(40)은 패터닝을 용이하게 하기 위해 원형 형상을 가질 수도 있다.
상기 기판 정열 패턴(20)은 상기 기판(2000) 상에 포토레지스트층을 형성할 때, 동시에 형성되며, 불투명한 재질로 이루어진다. 즉, 상기 기판 정열 패턴(20)은 상기 포토레지스트층과 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
상기 기판 정열 패턴(20)은 상기 마스크 정열 패턴(40)과 동일한 크기 및 형상을 갖는다.
이로써, 상기 노광부(500)에서는 상기 기판(2000)을 노광하기 전에 상기 기판(2000)의 전체 크기 및 노광을 시작하기 위한 시작점이 인지될 수 있다.
상기 마스크(531)는 제1 패널 영역(PA1) 및 제2 패널 영역(PA2)으로 구분된다. 상기 제1 패널 영역(PA1) 및 상기 제2 패널 영역(PA2)은 하나의 상기 마스크(531)에 형성되어 하나의 노광 영역에 대응하는 표시패널의 크기에 따라 선택적으로 사용된다. 예를 들어, 상기 제1 패널 영역(PA1)은 20inch의 표시패널을 제작할 때 사용되고, 상기 제2 패널 영역(PA2)은 40inch의 표시패널을 제작할 때 사용될 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 패널 영역(PA1)에 대응하는 표시패널을 제조할 때, 상기 광원모듈(510)은 상기 제1 패널 영역(PA1)에 상기 제1 광을 제공하고, 상기 제2 패널 영역(PA2)에 대응하는 표시패널을 제조할 때, 상기 광원모듈(510)은 상기 제2 패널 영역(PA2)에 상기 제1 광을 제공한다. 따라서, 하나의 상기 마스크(531)만을 이용하여 다양한 크기의 표시패널을 제조할 수 있다.
상기 마스크는 직사각형 형상의 화소 또는 지그재그 형상의 화소를 위한 슬릿들을 포함할 수 있다.
상기 제1 패널 영역(PA1)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)을 포함한다. 상기 제1 영역(A1)과 상기 제2 영역(A2)는 각각 제1 슬릿들(SL1) 및 제2 슬릿들(SL2)을 포함한다. 상기 제1 영역(A1)에 대응하여 상기 기판(2000)에 형성되는 노광패턴과 상기 제2 영역(A2)에 대응하여 상기 기판(2000)에 대응하여 형성되는 노광패턴의 노광량은 서로 다르다. 여기서, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)의 경계에 형성되는 상기 제1 슬릿들(SL1) 및 상기 제2 슬릿들(SL2) 각각은 서로 연결된다.
상기 제2 패널 영역(PA2)은 제3 영역(A3) 및 제4 영역(A4)을 포함한다. 상기 제3 영역(A3)과 상기 제4 영역(A4)는 각각 제3 슬릿들(SL3) 및 제4 슬릿들(SL4)을 포함한다. 상기 제3 슬릿들(SL3)은 상기 제1 슬릿들(SL1)보다 크고 상기 제4 슬릿들(SL4)은 상기 제2 슬릿들(SL2)보다 클 수 있다. 상기 제3 영역(A3)에 대응하여 상기 기판(2000)에 형성되는 노광패턴과 상기 제4 영역(A4)에 대응하여 상기 기판(2000)에 대응하여 형성되는 노광패턴의 노광량은 서로 다르다. 여기서, 상기 제3 영역(A3) 및 상기 제4 영역(A4)의 경계에 형성되는 상기 제3 슬릿들(SL3) 및 상기 제4 슬릿들(SL4) 각각은 서로 연결된다.
본 실시예에서는, 상기 제1 패널 영역(PA1)에 상기 제1 광이 조사되는 것을 예로 들었으나, 제작하고자 하는 표시패널의 크기에 따라 상기 제2 패널 영역(PA2)예 상기 제1 광이 조사될 수도 있다.
또한, 제작하고자 하는 표시패널의 크기에 따라 마스크의 패턴들 및 패널 영 역의 개수는 조절될 수 있다.
상기 차단 셔터(533)는 복수의 차단 플레이트들(BP)을 포함한다. 상기 차단 플레이트들(BP)은 상기 제2 방향(DI2)으로 연장되는 직사각형 형상을 갖는다.
도 4에서는 상기 노광모듈(530)이 상기 제1 패널 영역(PA1)에 대응하는 상기 기판(2000)의 상기 노광영역들을 노광 할 때의 상기 노광모듈(530)의 배치를 도시한다.
예를 들어, 상기 광원모듈(510)이 상기 제1 패널 영역(PA1)에 대응하는 상기 노광모듈(530) 상부에 배치되어 상기 기판(2000)의 상기 노광 영역에 상기 제1 광을 조사한다.
상기 차단 플레이트들(BP)은 상기 제1 패널 영역(PA1)의 일측에 포개져서 배치된다. 도 4에서는, 상기 차단 플레이트들(BP)이 상기 마스크(531)의 중앙 라인인 제1 라인(L1)에 근접하게 겹쳐져서 배치되는 것을 도시하였으나, 상기 차단 플레이트들(BP)은 상기 마스크(531)의 오른쪽 모서리인 제2 라인(L2)에 근접하게 겹쳐져서 배치될 수도 있다.
반면, 상기 노광모듈(530)이 상기 기판(2000)의 상기 노광영역들이 아닌 비노광영역에 배치될 때, 상기 차단 플레이트들(BP)은 상기 제1 패널 영역(PA1)을 부분적으로 가리도록 펼쳐져서 배치된다.
예를 들어, 도 2의 상기 제1 노광열(S11, S12,...,S1n) 내지 상기 제m 노광열(Sm1, Sm2,...,Smn)의 노광영역들 각각의 왼쪽 모서리와 근접한 영역에서는 상기 차단 플레이트들(BP)이 상기 제1 영역(A1)을 가리도록 펼쳐진다. 반면, 상기 제1 노광열(S11, S12,...,S1n) 내지 상기 제m 노광열(Sm1, Sm2,...,Smn)의 노광영역들 각각의 오른쪽 모서리와 근접한 영역에서는 상기 차단 플레이트들(BP)이 상기 제2 영역(A2)을 가리도록 펼쳐진다.
상기 반투과 셔터(535)는 일례로서 MoSi로 이루어질 수 있고, 투과율은 약 5% 내지 95% 일 수 있다. 상기 반투과 셔터(535)는 복수의 반투과 플레이트들(HTP)을 포함한다. 상기 반투과 플레이트(HTP)은 상기 제2 방향(DI2)으로 연장되는 직사각형 형상을 갖는다.
상기 기판(2000)의 상기 노광영역 상부에 상기 노광부(500)가 배치될 때, 상기 제1 영역(A1)과 상기 제2 영역(A2) 내의 제1 슬릿들(SL1) 및 제2 슬릿들(SL2)에 제공되는 광의 광량이 서로 다르도록 상기 반투과 셔터(535)는 상기 제2 슬릿들(SL2)을 커버하도록 배치된다.
따라서, 상기 제1 슬릿들(SL1)에는 상기 제1 광이 제공되고, 상기 제2 슬릿들(SL2)에는 상기 제1 광이 상기 반투과 셔터(535)를 거쳐 제2 광으로서 제공된다.
도 4에서는 상기 노광영역들을 노광 할 때의 상기 노광모듈(530)의 배치를 도시하였으므로 상기 반투과 플레이트들(HTP)이 상기 제2 영역(A2)만을 가리도록 펼쳐져 배치된다.
반면, 상기 노광모듈(530)이 상기 노광영역들이 아닌 비노광영역에 배치될 때에는 상기 반투과 셔터(535)는 상기 제2 영역(A2)를 가리도록 펼쳐져 배치될 수도 있고, 상기 반투과 셔터(535)의 상기 반투과 플레이트들(HTP)은 상기 마스크(531)의 일측, 예를 들어, 상기 마스크(531)의 상기 제1 라인(L1) 또는 상기 제2 라인(L2)에 근접하게 포개져서 배치될 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 기판의 노광방법을 설명하기 위한 도 2의 기판, 마스크 및 반투과 셔터의 사시도들이다.
도 1, 도 2, 도 4 및 도 5a를 참조하면, 상기 스테이지(300)에 의해 상기 기판(2000)이 상기 노광부(500) 하부로 이송된다.
본 실시예에서는 상기 스테이지(300)상기 기판(2000)이 상기 제1 방향(DI1)으로 이동하여 상기 기판(2000)을 상기 제1 방향(DI1)을 따라 이송시키는 것을 예로 하였으나, 상기 스테이지(300)가 상기 제1 방향(DI1)과 반대방향인 제3 방향(DI3)으로 이동하여 상기 노광부(500)을 상기 제3 방향(DI3)을 따라 이송시킬 수도 있다.
이어서, 상기 초기 정열 패턴이 상기 마스크 정열 패턴(40)에 맞춰지면, 상기 반투과 셔터(535)가 상기 마스크(531)의 상기 제2 영역(A2)을 커버하도록 펼쳐진다.
이어서, 상기 광원모듈(510)은 상기 제1 광을 상기 노광모듈(530)에 조사한다. 이때, 조사된 상기 제1 광은 상기 마스크(531)의 상기 제1 슬릿들(SL1)에 직접 제공되고, 상기 마스크(531)의 상기 제2 슬릿들(SL2)에는 상기 제1 광이 상기 반투과 셔터(535)를 통과한 후 제2 광으로서 제공된다.
상기 마스크(531)을 통과한 상기 제1 광이 포토레지스트층이 형성된 상기 기판(2000)에 조사되면 상기 기판(2000) 상에 제1 노광 패턴(EP1)이 형성되고, 상기 마스크(531)를 통과한 상기 제2 광이 포토레지스트층이 형성된 상기 기판(2000)에 조사되면 상기 기판(2000) 상에 제2 노광 패턴(EP2)이 형성된다.
상기 제1 광 및 상기 제2 광의 광량이 서로 다르므로, 상기 제1 노광 패턴(EP1) 및 상기 제2 노광 패턴(EP2)이 형성된 상기 기판(2000)이 식각되어 상기 포토레지스트층이 패터닝될 때, 상기 제1 노광 패턴(EP1)이 형성된 부분에 잔류하는 상기 포토레지스트층의 두께와 상기 제2 노광 패턴(EP2)이 형성된 부분에 잔류하는 상기 포토레지스트층의 두께가 다르게 된다. 본 실시예에서는, 상기 제1 광의 광량이 상기 제2 광의 광량보다 크다.
구체적으로, 상기 포토레지스트층의 식각시, 상기 제1 노광 패턴(EP1) 및 상기 제2 노광 패턴(EP2)이 형성되지 않은 영역에서는 상기 포토레지스트층이 모두 제거된다. 또한, 상기 제1 노광 패턴(EP1)을 형성시키는 상기 제1 광량이 상기 제2 노광 패턴(EP2)을 형성시키는 상기 제2 광량보다 크므로, 상기 제1 노광 패턴(EP1)이 형성된 부분에 잔류하는 상기 포토레지스트층의 두께는 상기 제2 노광 패턴(EP2)이 형성된 부분에 잔류하는 상기 포토레지스트층의 두께보다 두껍다.
도 2, 도 4 및 도 5b를 참조하면, 상기 기판(2000)이 상기 제1 방향(DI1)으로 상기 제1 영역(A1)의 폭만큼 이동하고, 상기 기판 정열 패턴(20)이 상기 마스크 정열 패턴(40)에 맞춰지면, 상기 광원모듈(510)은 상기 제1 광을 상기 노광모듈(530)에 조사한다.
이어서, 조사된 상기 제1 광은 상기 마스크(531)의 상기 제1 슬릿들(SL1)을 직접 통과하고, 상기 마스크(531)의 상기 제2 슬릿들(SL2)을 상기 반투과 셔터(535)를 통과한 후 통과한다.
상기 제1 광이 포토레지스트층이 형성된 상기 기판(2000)에 조사되면 상기 기판(2000) 상에 제3 노광 패턴(EP3)이 형성되고, 상기 제2 광이 포토레지스트층이 형성된 상기 기판(2000)에 조사되면 상기 기판(2000) 상에 제4 노광 패턴(EP4)이 형성된다.
상기 기판(2000)이 상기 제1 방향(DI1)으로 상기 제1 영역(A1)의 폭만큼 이동하였으므로, 상기 제3 노광 패턴들(EP3) 각각은 상기 제2 노광 패턴들(EP2) 각각과 서로 연결될 수 있다.
패터닝된 포토레지스트층인 포토레지스트 패턴의 제1 두께와 제2 두께를 갖는 영역들의 크기에 따라 상기 제1 슬릿들(SL1) 및 상기 제2 슬릿들(SL2)의 폭이 조절될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 내지 제4 노광 패턴들(EP1 내지 EP4)의 폭 또한 조절될 수 있다. 상기 제1 슬릿들(SL1) 및 상기 제2 슬릿들(SL2)의 폭이 조절되면, 상기 반투과 셔터(535)가 펼쳐지는 정도도 달라질 수 있다.
도 5a 및 도 5b에서는 스캔 노광을 시작한 후, 상기 제1 광이 첫 번째 조사되었을 때와, 두 번째 조사되었을 때 상기 기판(2000) 상에 형성되는 노광 패턴들을 도시하였으나, 도 3에 도시된 바와 같이 동일한 노광 순서로 상기 제1 광이 n번째 조사될 때까지 스캔 노광이 수행될 수 있다. 여기서, 상기 제1 광이 n번 조사되면, 상기 기판(2000)은 n번 상기 제1 방향으로 스캔하며 이동될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 노광열(S11, S12,...,S1n) 내지 상기 제m 노광열(Sm1, Sm2,...,Smn)의 모든 노광 영역들이 스캔 노광될 수 있다. 본 실시예는 노광 방식이 스텝 노광 인 경우에도 마찬가지로 적용될 수 있다.
다만 도시되지는 않았으나, 상기 노광모듈(530)이 상기 제1 패널 영역(PA1)의 상기 노광영역들이 아닌 비노광영역에 배치될 때 상기 차단 셔터(533)는 상기 제1 패널 영역(PA1)을 부분적으로 가리도록 펼쳐져서 배치된다. 예를 들어, 도 2의 상기 제1 노광열(S11, S12,...,S1n) 내지 상기 제m 노광열(Sm1, Sm2,...,Smn)의 노광영역들 각각의 왼쪽 모서리와 근접한 영역에서는 상기 차단 플레이트들(BP)이 상기 제1 영역(A1)을 가리도록 펼쳐진다. 반면, 상기 제1 노광열(S11, S12,...,S1n) 내지 상기 제m 노광열(Sm1, Sm2,...,Smn)의 노광영역들 각각의 오른쪽 모서리와 근접한 영역에서는 상기 차단 플레이트들(BP)이 상기 제2 영역(A2)을 가리도록 펼쳐진다.
도 6a 내지 6g는 도 1의 기판의 노광장치를 이용하는 표시 기판의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1 및 도 6a를 참조하면, 기판(BS) 상에 차광패턴(BM)이 형성된다.
상기 기판(BS)은 투명기판으로 석영과 같은 투명한 물질로 이루어지며, 배면에서 조사되는 광을 100% 투과시킨다.
상기 차광패턴(BM)은 형성될 적색화소(R), 녹색화소(G) 및 청색화소(B)로 이루어진 컬러필터의 경계에 대응하여 형성된다. 상기 차광패턴(BM)는 일례로써 크롬(Cr)으로 이루어질 수 있다. 상기 차광패턴(BM)는 상기 색화소들 사이의 빛샘을 막는 역할을 할 수 있다.
도 6a 내지 도 6d를 참조하면, 상기 차광패턴(BM)이 형성된 상기 기판(BS) 상에 제1 색화소, 제2 색화소 및 제3 색화소가 형성된다. 예를 들어, 상기 적색화소(R), 상기 녹색화소(G) 및 상기 청색화소(B)로 이루어진 컬러필터가 형성된다. 상기 색화소는 상기 제1 색화소, 상기 제2 색화소 및 상기 제3 색화소는 제1 색 포토레지스트층, 제2 색 포토레지스트층 및 제3 색 포토레지스트층으로부터 패터닝되어 형성될 수 있다.
상기 컬러필터가 형성될 때, 상기 적색화소(R), 상기 녹색화소(G) 및 상기 청색화소(B)이 순차적으로 형성될 수도 있고, 상기 청색화소(B), 상기 녹색화소(G) 및 상기 적색화소(R)이 순차적으로 형성될 수도 있다.
본 실시예에서는, 상기 차광패턴(BM)이 형성된 상기 기판(BS) 상에 상기 청색화소(B), 상기 녹색화소(G) 및 상기 적색화소(R)이 순차적으로 형성되는 경우를 예로 들었다.
도 1, 도 5a, 도 5b, 도 6a 및 도 6b를 다시 참조하면, 상기 차광패턴(BM)이 형성된 상기 기판(BS) 상에 청색 포토레지스트층이 형성된다.
상기 청색 포토레지스트층을 도 5a 및 도 5b에 설명된 기판의 노광방법을 이용하여 패터닝함으로써 상기 청색화소(B)가 형성된다.
상기 제1 노광 패턴(EP1)을 형성시키는 상기 제1 광의 광량이 상기 제2 노광 패턴(EP2)을 형성시키는 상기 제2 광의 광량보다 크다. 따라서, 상기 제1 노광 패턴(EP1) 및 상기 제2 노광 패턴(EP2)이 형성된 상기 청색 포토레지스트층을 식각하면, 상기 제1 노광 패턴(EP1)이 형성된 부분에 잔류하는 상기 청색 포토레지스트층의 두께가 상기 제2 노광 패턴(EP2)이 형성된 부분에 잔류하는 상기 청색 포토레지 스트층의 두께보다 두껍게 형성되고, 상기 제1 노광 패턴(EP1) 및 상기 제2 노광 패턴(EP2)이 형성되지 않은 부분의 상기 청색 포토레지스트층은 모두 제거된다. 따라서, 단차를 갖는 상기 청색화소(B)가 형성된다.
도 1, 도 5a, 도 5b, 도 6b 및 도 6c를 다시 참조하면, 상기 청색화소(B)이 형성된 상기 기판(BS) 상에 녹색 포토레지스트층이 형성된다.
상기 녹색 포토레지스트층을 도 5a 및 도 5b에 설명된 기판의 노광방법을 이용하여 패터닝함으로써 상기 녹색화소(G)가 형성된다.
상기 제1 노광 패턴(EP1)을 형성시키는 상기 제1 광의 광량이 상기 제2 노광 패턴(EP2)을 형성시키는 상기 제2 광의 광량보다 크다. 따라서, 상기 제1 노광 패턴(EP1) 및 상기 제2 노광 패턴(EP2)이 형성된 상기 녹색 포토레지스트층을 식각하면, 상기 제1 노광 패턴(EP1)이 형성된 부분에 잔류하는 상기 녹색 포토레지스트층의 두께가 상기 제2 노광 패턴(EP2)이 형성된 부분에 잔류하는 상기 녹색 포토레지스트층의 두께보다 두껍게 형성되고, 상기 제1 노광 패턴(EP1) 및 상기 제2 노광 패턴(EP2)이 형성되지 않은 부분의 상기 녹색 포토레지스트층은 모두 제거된다. 따라서, 단차를 갖는 상기 녹색화소(G)가 형성된다.
도 1, 도 5a, 도 5b, 도 6c 및 도 6d를 다시 참조하면, 상기 녹색화소(G)이 형성된 상기 기판(BS) 상에 적색 포토레지스트층이 형성된다.
상기 적색 포토레지스트층을 도 5a 및 도 5b에 설명된 기판의 노광방법을 이용하여 패터닝함으로써 상기 적색화소(R)가 형성된다.
상기 제1 노광 패턴(EP1)을 형성시키는 상기 제1 광의 광량이 상기 제2 노광 패턴(EP2)을 형성시키는 상기 제2 광의 광량보다 크다. 따라서, 상기 제1 노광 패턴(EP1) 및 상기 제2 노광 패턴(EP2)이 형성된 상기 적색 포토레지스트층을 식각하면, 상기 제1 노광 패턴(EP1)이 형성된 부분에 잔류하는 상기 적색 포토레지스트층의 두께가 상기 제2 노광 패턴(EP2)이 형성된 부분에 잔류하는 상기 적색 포토레지스트층의 두께보다 두껍게 형성되고, 상기 제1 노광 패턴(EP1) 및 상기 제2 노광 패턴(EP2)이 형성되지 않은 부분의 상기 적색 포토레지스트층은 모두 제거된다. 따라서, 단차를 갖는 상기 적색화소(R)가 형성된다.
도 1, 도 5a, 도 5b, 도 6d 및 도 6e를 다시 참조하면, 상기 녹색화소(G)이 형성된 상기 기판(BS) 상에 이중셀갭절연층(DCGI)을 형성하기 위한 절연 포토레지스트층이 형성된다. 상기 절연 포토레지스트층은 일예로 유기물질을 포함할 수 있고, SiNx, SiO2 등의 무기물질을 포함할 수도 있다.
상기 절연 포토레지스트층을 도 5a 및 도 5b에 설명된 기판의 노광방법을 이용하여 패터닝함으로써 상기 이중셀갭절연층(DCGI)을 형성한다.
이때, 상기 반투과 셔터(535)는 상기 제1 슬릿들(SL1) 및 상기 제2 슬릿들(SL2)과 중첩되지 않도록 상기 제1 라인(L1) 또는 상기 제2 라인(L2)과 근접하게 포개져 배치된다. 따라서, 상기 제1 노광 패턴(EP1) 및 상기 제2 노광 패턴(EP2)은 동일한 광량을 갖는 광으로 노광될 수 있다.
따라서, 서로 같은 광량으로 노광된 상기 제1 노광 패턴(EP1) 및 상기 제2 노광 패턴(EP2)이 형성된 상기 절연 포토레지스층을 식각하면, 상기 제1 노광 패턴(EP1) 및 상기 제2 노광 패턴(EP2)이 형성된 부분에 잔류하는 상기 절연 포토레 지스트층만 일정부분 식각되고 나머지 부분의 상기 절연 포토레지스트층은 제거된다.
또한, 상기 제2 영역(A2)를 상기 반투과 셔터(535) 대신 상기 차단 셔터(533)가 가려줌으로써 상기 제1 노광 패턴(EP1)만을 형성할 수도 있다.
따라서, 상기 제1 노광 패턴(EP1)이 형성된 상기 절연 포토레지스트층을 식각하면, 상기 제1 노광 패턴(EP1)이 형성된 부분에 잔류하는 상기 절연 포토레지스트층만 일정부분 식각되고 나머지 부분의 상기 절연 포토레지스트층은 제거된다.
즉, 단차를 갖지 않는 상기 이중셀갭절연층(DCGI)이 부분적으로 형성될 수 있다.
도 1, 도 5a, 도 5b, 도 6e 및 도 6f를 다시 참조하면, 상기 이중셀갭절연층(DCGI)이 형성된 상기 기판(BS) 상에 투명전극인 공통전극(CE)이 형성되고, 상기 공통전극(CE)이 형성된 상기 기판(BS) 상에 컬럼스페이서(CS)가 형성된다.
상기 컬럼 스페이서(CS)의 제조 공정은 상기 이중셀갭절연층(DCGI)의 제조 공정과 실질적으로 동일하므로 그 설명은 생략한다.
도 6b 내지 도 6g에 도시된 상기 컬러필터, 상기 이중셀갭절연층(DCGI) 및 상기 컬럼스페이서(CS)의 제조 공정에서, 상기 기판(BS) 상의 상기 차광패턴(BM)이 상기 기판 정열 패턴(20)을 대신할 수 있다.
도 6g에 도시된 컬러필터기판인 표시 기판(3000)은 반투과 표시패널에 사용될 수 있다. 즉, 투과 영역(TRA)의 상기 컬러필터가 반사 영역(REA)의 상기 컬러필터보다 두껍게 형성되고, 상기 반사 영역(REA)에만 상기 이중셀갭절연층(DCGI)이 형성될 수 있다.
이 외에도 본 발명의 상기 노광장치(1000)를 이용하여 다양한 형태, 즉, 다중 단차를 갖는 표시 기판 및 이 표시 기판을 갖는 반투과 표시장치를 제작할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 컬러필터기판과 대향하여 결합될 수 있는 박막트랜지스터기판의 절연막도 단차를 갖도록 다양하게 형성할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 다중 단차를 갖는 표시 기판을 제조할시, 슬릿 마스크 및 하프톤마스크 등의 마스크를 별도로 제작하지 않아도 상기 반투과 셔터(535)를 상기 마스크(531) 상에 배치시킴으로써 상기 기판(2000)으로의 노광량을 조절할 수 있다. 따라서, 상기 노광 장치(1000)의 제조 비용 및 표시 장치의 제조 비용이 감소될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 기판의 노광방법, 기판의 노광장치 및 표시기판의 제조방법에 의하면, 노광장치의 마스크 상부에 반투과 셔터를 배치시킴으로써 기판에 조사되는 광의 광량을 영역별로 조절할 수 있다. 따라서, 반투과 표시장치의 반사영역 및 투과영역에 대응하여 형성되는 이중 단차 패턴을 포함하는 표시기판의 제조 공정시 슬릿 마스크 및 하프톤 마스크 등의 별도의 제조 공정이 필요 없으므로 상기 노광 장치 및 상기 표시장치의 제조 비용이 감소될 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 및 노광장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 및 노광부를 개략적으로 나타낸 정면도이다.
도 3은 도 2의 기판 및 노광부의 평면도이다.
도 4는 도 2의 노광모듈의 평면도이다.
도 5a 및 도 5b는 기판의 노광방법을 설명하기 위한 도 2의 기판, 마스크 및 반투과 셔터의 사시도들이다.
도 6a 내지 6g는 도 1의 기판의 노광장치를 이용하는 표시 기판의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
510 : 광원모듈 511 : 광원
513 : 집광기 530 : 노광모듈
531 : 마스크 533 : 차단셔터
535 : 반투과셔터 2000 : 기판
Claims (20)
- 제1 광을 이용하여 마스크가 포함하는 제1 슬릿들에 의해 노출된 기판 상의 포토레지스트층을 노광하고, 상기 제1 광이 반투과 셔터에 의해 반투과된 제2 광을 이용하여 상기 마스크가 포함하는 제2 슬릿들에 의해 노출된 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계; 및상기 기판과 상기 마스크의 상대적인 위치를 변경시키며 상기 기판을 노광하는 단계를 포함하는 기판의 노광방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크의 마스크 정렬 패턴이 상기 기판의 초기 정렬 패턴에 대응되도록 상기 기판을 제1 방향으로 이송시켜 상기 기판을 상기 마스크 하부에 배치시키는 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
- 제2항에 있어서, 상기 기판의 비노광영역에 대응하여 상기 마스크의 상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿을 선택적으로 차단시키기 위해 상기 마스크 상부에 배치된 차단 셔터의 차단 플레이트들을 상기 제1 방향 또는 상기 제1 방향과 반대방향으로 펼치는 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
- 제3항에 있어서, 상기 기판의 노광영역에 대응하여 상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿이 노출되도록 상기 마스크 상부에 배치된 상기 차단 플레이트들을 포개는 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
- 제2항에 있어서, 상기 반투과 셔터는 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장된 복수의 반투과 플레이트들을 포함하고, 상기 반투과 플레이트들을 상기 제1 방향 또는 상기 제1 방향과 반대방향으로 펼치는 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크의 마스크 정렬 패턴이 상기 기판의 초기 정렬 패턴에 대응되도록 상기 마스크 및 상기 반투과 셔터를 함께 노광 방향으로 이송시켜 상기 기판을 상기 마스크 하부로 배치시키는 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
- 포토레지스트층이 형성된 기판 상에 배치되고, 제1 슬릿들 및 제2 슬릿들을 포함하는 마스크;상기 마스크의 상기 제2 슬릿들 상에 배치되어 제1 광을 반투과시켜 제2 광을 발생하는 반투과 셔터; 및상기 기판과 상기 마스크의 상대적인 위치를 변경시키는 스테이지를 포함하는 기판의 노광장치.
- 제7항에 있어서, 상기 스테이지는 상기 기판을 제1 방향으로 이송시켜 상기 기판을 상기 마스크 하부에 배치시키고, 상기 기판이 노광되도록 상기 마스크 하부에서 상기 기판을 상기 제1 방향으로 이송시키는 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제8항에 있어서, 상기 반투과 셔터는 서로 연결된 복수의 반투과 플레이트들을 포함하고, 각 반투과 플레이트는 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장된 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제8항에 있어서, 상기 반투과 셔터의 투과율은 5% 내지 95%인 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제8항에 있어서, 상기 반투과 셔터 및 상기 마스크 사이에 배치되어 상기 제1 광 및 상기 제2 광을 선택적으로 차단시키는 차단 셔터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제11항에 있어서, 상기 차단 셔터는 서로 연결된 복수의 차단 플레이트들을 포함하고, 각 차단 플레이트는 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장된 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제7항에 있어서, 상기 마스크는 상기 제1 슬릿들을 포함하는 제1 영역 및 상 기 제2 슬릿들을 포함하는 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 경계에 대응하는 상기 제1 슬릿들 각각 및 상기 제2 슬릿들 각각은 서로 연결된 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제13항에 있어서, 상기 마스크는 상기 제1 슬릿들과 다른 크기의 제3 슬릿들을 포함하는 제3 영역과, 상기 제2 슬릿들과 다른 크기의 제4 슬릿들을 포함하는 제4 영역을 포함하고, 상기 제3 영역 및 상기 제4 영역의 경계에 대응하는 상기 제3 슬릿들 각각 및 상기 제4 슬릿들 각각은 서로 연결된 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제7항에 있어서, 상기 마스크는 상기 기판의 기판 정렬 패턴에 대응하여 형성된 마스크 정렬 패턴을 포함하여 상기 마스크 및 상기 기판을 상호 정렬시키는 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제7항에 있어서, 상기 스테이지는 상기 마스크 및 상기 반투과 셔터를 상기 기판의 노광 방향으로 이송시켜 상기 기판을 상기 마스크 하부에 배치시키고, 상기 기판이 노광되도록 상기 기판 상부에서 상기 마스크 및 상기 반투과 셔터를 상기 기판의 노광 방향으로 이송시키는 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 반사 영역 및 투과 영역을 포함하는 기판 상에 차광패턴을 형성하는 단계;상기 차광패턴을 포함하는 기판 상에 색 포토레지스트층을 형성하는 단계;제1광을 이용하여 상기 투과영역의 상기 색 포토레지스트층을 노광하고 상기 제1 광이 반투과 셔터에 의해 반투과된 제2 광을 이용하여 상기 반사영역의 상기 색 포토레지스트층을 노광함으로써, 상기 색 포토레지스트층을 상기 반사 영역 및 상기 투과 영역에 서로 다른 두께를 가지는 색화소층으로 패터닝하는 단계; 및상기 색화소층을 포함하는 상기 기판에 투명전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시기판의 제조방법.
- 제17항에 있어서, 상기 기판과 마스크의 상대적인 위치를 변경시키며 상기 기판을 노광하는 단계를 더 포함하는 표시기판의 제조방법.
- 제18항에 있어서, 상기 기판을 노광 하는 단계는,상기 마스크의 마스크 정렬 패턴을 상기 기판의 상기 차광패턴에 맞추면서 상기 기판을 이송시키는 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
- 제18항에 있어서, 상기 기판의 비노광영역에 대응하여 상기 제1 광 및 상기 제2 광을 선택적으로 차단하기 위해 차단 셔터를 부분적으로 개폐하는 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090119736A KR101652887B1 (ko) | 2009-12-04 | 2009-12-04 | 기판의 노광방법, 이를 수행하기 위한 기판의 노광장치 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법 |
US12/778,574 US8367281B2 (en) | 2009-12-04 | 2010-05-12 | Method of exposing substrate, apparatus for performing the same, and method of manufacturing display substrate using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090119736A KR101652887B1 (ko) | 2009-12-04 | 2009-12-04 | 기판의 노광방법, 이를 수행하기 위한 기판의 노광장치 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110062881A KR20110062881A (ko) | 2011-06-10 |
KR101652887B1 true KR101652887B1 (ko) | 2016-09-02 |
Family
ID=42934664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090119736A KR101652887B1 (ko) | 2009-12-04 | 2009-12-04 | 기판의 노광방법, 이를 수행하기 위한 기판의 노광장치 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8367281B2 (ko) |
KR (1) | KR101652887B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104570489B (zh) * | 2014-12-26 | 2018-07-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 掩模板及光配向方法 |
KR102423858B1 (ko) * | 2015-09-18 | 2022-07-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 노광장치 및 이를 이용한 노광방법 |
US10725337B2 (en) * | 2016-12-20 | 2020-07-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008185730A (ja) | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Toppan Printing Co Ltd | 露光方法、露光装置、及び半透過型液晶表示装置用カラーフィルタの製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3309927B2 (ja) | 1993-03-03 | 2002-07-29 | 株式会社ニコン | 露光方法、走査型露光装置、及びデバイス製造方法 |
US6396567B1 (en) * | 1999-06-02 | 2002-05-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Method and apparatus for controlling the dose of radiations applied to a semiconductor wafer during photolithography |
KR20010047286A (ko) | 1999-11-19 | 2001-06-15 | 박종섭 | 미세패턴 형성용 노광방법 |
KR100871788B1 (ko) | 2002-10-18 | 2008-12-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 포토리소그래피 장치 및 방법 |
JP2005252161A (ja) | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Powerchip Semiconductor Corp | フォトリソグラフィーシステム及び関連方法 |
GB2422679A (en) | 2005-01-28 | 2006-08-02 | Exitech Ltd | Exposure method and tool |
KR20070013735A (ko) * | 2005-07-27 | 2007-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광 마스크 및 그 형성 방법 |
US7914971B2 (en) | 2005-08-12 | 2011-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same |
US8023955B2 (en) * | 2005-08-22 | 2011-09-20 | Sony Corporation | Uplink resource allocation to control intercell interference in a wireless communication system |
JP4673778B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2011-04-20 | 株式会社日立製作所 | 無線通信方法 |
JP4896671B2 (ja) | 2006-11-06 | 2012-03-14 | 三菱電機株式会社 | ハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法 |
JP5025250B2 (ja) | 2006-12-15 | 2012-09-12 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009141263A (ja) | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Toshiba Corp | 露光方法、フォトマスクおよびレチクルステージ |
-
2009
- 2009-12-04 KR KR1020090119736A patent/KR101652887B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-05-12 US US12/778,574 patent/US8367281B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008185730A (ja) | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Toppan Printing Co Ltd | 露光方法、露光装置、及び半透過型液晶表示装置用カラーフィルタの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110062881A (ko) | 2011-06-10 |
US8367281B2 (en) | 2013-02-05 |
US20100261105A1 (en) | 2010-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7494835B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor substrate using maskless exposing device | |
KR100848815B1 (ko) | 하프톤 마스크 및 그 제조방법 및 이를 이용한평판패널디스플레이 | |
KR20060122645A (ko) | 하프 톤 마스크와 그 제조방법 및 이를 이용한 표시장치의제조방법 | |
US8574971B2 (en) | Method of manufacturing a thin-film transistor and method of manufacturing a display substrate using the same | |
US7193679B2 (en) | Liquid crystal display with photosensitive organic film having first, second and third thicknesses is corresponding its transmission, reflective and terminal regions | |
KR101593366B1 (ko) | 근접 노광용 포토 마스크 | |
JP2008281919A (ja) | カラーフィルタ形成基板の作製方法およびカラーフィルタ形成基板 | |
KR101652887B1 (ko) | 기판의 노광방법, 이를 수행하기 위한 기판의 노광장치 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법 | |
KR20010083632A (ko) | 대면적 액정표시장치를 위한 포토마스크와 어레이기판제작방법 | |
US8802356B2 (en) | Photosensitive film pattern and method for manufacturing a photosensitive film pattern | |
KR20200003180A (ko) | 마스크 및 어레이 기판의 제조방법 | |
JP2007279687A (ja) | 液晶ディスプレー下基板の製造方法 | |
KR20100012831A (ko) | 다계조 포토마스크 및 패턴 전사 방법 | |
KR20050104338A (ko) | 포스트 스페이서 형성 방법, 포스트 스페이서, 디스플레이,액정 셀 및 포토마스크 | |
TWI434133B (zh) | 半調式光罩及其製造方法 | |
JP2008181098A (ja) | グレートーンマスク及びその製造方法 | |
KR101900058B1 (ko) | 광학마스크 및 이를 이용한 컬러필터층 형성방법 | |
KR100815907B1 (ko) | 액정표시소자의 제조방법 | |
WO2014132819A1 (ja) | カラーフィルタの製造方法及び液晶表示装置 | |
KR101095534B1 (ko) | 하프톤마스크 | |
JP5817319B2 (ja) | 光学素子、電気光学装置、投射型映像装置及び光学素子の製造方法 | |
KR101095539B1 (ko) | 하프톤 마스크 및 이의 제조 방법 | |
CN112965335B (zh) | 一种掩膜版及光学临近修正的方法 | |
JP2006243580A (ja) | 液晶マスク、露光装置及び電気光学装置の製造方法 | |
KR20090006787A (ko) | 패턴 형성 방법, 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및액정 표시 장치의 제조 방법과 포토마스크 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190801 Year of fee payment: 4 |