JP5025250B2 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 124
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 8
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 20
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 19
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
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Description
FinalDose = TargetDose × AreaRatio × WaferRefRatio × OuterReflRatio × Coef1(N−1) ・・・(1)
ところで、ショット領域の配列やプロセスによっては、欠けショット領域の露光を通して得られた補正係数Coef1(N−1)を使用すると、適正な最終目標露光量FinalDoesが得られない可能性がある。そこで、補正係数Coef1(N−1)を使用するモードと使用しないモードとを切り替えるようにしてもよい。この切り替えは、入出力装置15を通して設定することができる。
図8は、最終目標露光量FinalDoesを正しく決定することができないケースを例示する図である。第(N−2)ショット領域の露光に得られる補正係数をCoef1(N−2)とし、第(N−1)ショット領域が欠けショット領域であるとする。第(N−1)ショット領域の実際の露光量が第(N−1)ショット領域についての最終目標露光量に対して不足していた場合、補正係数Coef1(N−1)を考慮して第Nショット領域についての最終目標露光量が計算される。よって、第Nショット領域が過露光されることになる。同様に、第(N+1)ショット領域については補正係数Coef1(N)を考慮して最終目標露光量が計算されるため、第(N+1)ショットショット領域が露光不足となる。次第に、実際の露光量は安定に向かうが、欠けショット領域(第(N−1)ショット領域)が完全ショット領域(第Nショット領域及びそれに続くショット領域)に悪影響を及ぼすことが分かる。補正係数Coef1(N−1)を使用しない場合は、こうした悪影響を除去することが可能となる。
Coef1(N)=1/{MeasureResult/TargetDose} ・・・(3)
ステップS314では、制御部13は、ステップS313で算出された値をショット番号(N)と関連づけて、Coef1(N)としてメモリに格納する。
なお、上記の実施形態では、第2モード(低露光量モード)において、基板保持部22によって保持された基板及び基板保持部からの反射光の強度に相関のある情報に基づいて最終目標露光量を決定する。しかしながら、このような露光量制御は、露光量センサの出力に基づいてシャッタを閉じても正確に露光量を制御することができるような高露光量での露光時にも適用されてもよい。
次に上記の露光装置を利用したデバイス製造方法を説明する。図9は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(レチクル作製)では設計した回路パターンに基づいてレチクル(原版またはマスクともいう)を作製する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハ(基板ともいう)を製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記のレチクルとウエハを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。
2:原版
3:基板
4:シャッタ
5:光センサ
6:投影光学系
7:プリアンプ
9:V/Fコンバータ
11:パルスカウンタ
13:制御部
14:シャッタ駆動回路
15:入出力装置
16:目標露光量決定器
21:原版ステージ
22:基板保持部
22a:外側部分
81:シャッタ板
86:光路領域
S:露光量センサ
Claims (6)
- 基板を露光する露光装置であって、
基板を保持する基板保持部と、
基板の露光時間を制御するシャッタと、
前記シャッタの動作を制御する制御部とを備え、
基板は、複数のチップ領域の少なくとも1つが該基板の有効領域からはみ出した欠けショット領域と全てのチップ領域が該有効領域に収まった完全ショット領域とを含む複数のショット領域を有し、
前記制御部は、前記基板保持部によって保持された基板及び該基板の前記欠けショット領域を露光する際に光が照射される前記基板保持部の領域からの反射光の強度に相関のある情報に基づいて、前記欠けショット領域及び前記完全ショット領域を含む前記複数のショット領域のそれぞれの目標露光量を算出し、該目標露光量にもとづいて前記シャッタの動作を前記複数のショット領域のそれぞれについて個別に制御する、
ことを特徴とする露光装置。 - 前記反射光の強度に相関のある情報は、基板上のショット領域の面積に関する情報、基板の反射率に関する情報、及び、前記基板保持部の反射率に関する情報を含むことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記制御部は、更に、既に露光がなされたショット領域に対する露光量に基づいて前記シャッタの動作を制御する、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。 - 入出力装置を備え、
前記制御部は、前記入出力装置を介して取得された情報に基づいて、前記シャッタの回転速度を制御することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光装置。 - 基板に対する露光量を検知する露光量センサを更に備え、
前記制御部は、第1モードでは、前記露光量センサの出力に基づいて前記シャッタを閉じるタイミングを制御し、第2モードでは、前記反射光の強度に相関のある情報に基づいて前記シャッタの動作を制御する、
ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - デバイス製造方法であって、
感光剤が塗布された基板を請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置を用いて露光する工程と、
該露光された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006339204A JP5025250B2 (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TW096145155A TWI388938B (zh) | 2006-12-15 | 2007-11-28 | 曝光設備及裝置製造方法 |
KR1020070130571A KR100972879B1 (ko) | 2006-12-15 | 2007-12-14 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
US11/956,597 US8223317B2 (en) | 2006-12-15 | 2007-12-14 | Exposure apparatus and device manufacturing method controlling shutter based on intensity of reflected light |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006339204A JP5025250B2 (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008153402A JP2008153402A (ja) | 2008-07-03 |
JP2008153402A5 JP2008153402A5 (ja) | 2010-02-12 |
JP5025250B2 true JP5025250B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=39526727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006339204A Expired - Fee Related JP5025250B2 (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8223317B2 (ja) |
JP (1) | JP5025250B2 (ja) |
KR (1) | KR100972879B1 (ja) |
TW (1) | TWI388938B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5100088B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2012-12-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP5173650B2 (ja) | 2008-07-29 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
KR101652887B1 (ko) | 2009-12-04 | 2016-09-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판의 노광방법, 이를 수행하기 위한 기판의 노광장치 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법 |
JP5221611B2 (ja) * | 2010-09-13 | 2013-06-26 | 株式会社東芝 | ドーズデータ生成装置、露光システム、ドーズデータ生成方法および半導体装置の製造方法 |
KR101633744B1 (ko) | 2011-08-18 | 2016-06-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
WO2013107595A1 (en) | 2012-01-17 | 2013-07-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP6929142B2 (ja) * | 2017-06-19 | 2021-09-01 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および物品の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5771132A (en) | 1980-10-21 | 1982-05-01 | Canon Inc | Exposure controlling system |
JPH0782981B2 (ja) * | 1986-02-07 | 1995-09-06 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
JPH0513292A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH0864510A (ja) * | 1994-08-19 | 1996-03-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 露光量制御方法及びその装置 |
JPH08236429A (ja) * | 1995-02-23 | 1996-09-13 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH08250398A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH0945604A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Nec Corp | 露光方法及び露光装置 |
JPH09213619A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JPH10294262A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
KR20000050395A (ko) * | 1999-01-08 | 2000-08-05 | 윤종용 | 반사광 검출기를 포함하는 노광장치 및 이를 이용한 노광방법 |
JP2001144004A (ja) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Nikon Corp | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2001203137A (ja) * | 2000-01-19 | 2001-07-27 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターン形成方法およびそれを使用して製造される半導体装置 |
JP3807933B2 (ja) * | 2000-12-14 | 2006-08-09 | 株式会社ルネサステクノロジ | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP4622568B2 (ja) * | 2005-02-14 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、反射板、反射率計測センサの校正方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
-
2006
- 2006-12-15 JP JP2006339204A patent/JP5025250B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-11-28 TW TW096145155A patent/TWI388938B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-12-14 KR KR1020070130571A patent/KR100972879B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-14 US US11/956,597 patent/US8223317B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100972879B1 (ko) | 2010-07-28 |
JP2008153402A (ja) | 2008-07-03 |
KR20080055716A (ko) | 2008-06-19 |
US8223317B2 (en) | 2012-07-17 |
TWI388938B (zh) | 2013-03-11 |
US20080143990A1 (en) | 2008-06-19 |
TW200832081A (en) | 2008-08-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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