TWI388938B - 曝光設備及裝置製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係有關用以使基板暴露於輻射能之曝光設備及藉由使用此曝光設備來製造裝置之方法。
日本專利公告第61－34252號案敘述一曝光設備，其致使光電偵測器偵測來自即將被曝光之物體的光或照射該物體之光的強度，取得對應於該偵測值之頻率的輸出脈波，計算脈波的數目，及當脈波的數目已到達預定值時關閉遮光器(shutter)。遮光器具有遮光部和透光部，其交替地設置於轉動的碟片上，藉由驅動遮光器來控制照明光之屏蔽狀態與透射狀態間的改變。由於遮光器移動的延遲時間，也就是說，從產生遮光器關閉訊號到完成遮光器關閉的時間，必須修正照明物體之劑量的誤差。為此目的，當遮光器被驅動至打開狀態時，計算對應於遮光器移動的延遲時間期間之劑量之脈波的數目。考慮脈波的數目而修正遮光器關閉訊號產生時序。
在以低劑量之曝光控制中，於日本專利公告第61－34252號案中所敘述之配置可使遮光器關閉時序延遲。為了防止此情況，使用關閉遮光器而不用計算脈波的數目之方法或計算脈波的數目，如上所述，在較低的光強度狀態中，及當脈波的數目已到達預定值時關閉遮光器之方法。為了減少光強度，使光源位置移動於光軸方向上，或者將中性密度濾光器插設在光源與物體之間。
但是，關閉遮光器而不用計算脈波的數目之方法需要保證以適當的劑量使基板(晶圓)或拍攝區域曝光的技術。本案發明人發現到，透過實驗，適當的劑量改變於當反射自由固持器所固持之基板或該基板之外側部分之光的強度改變時。因此，在使基板暴露於輻射能持續一段預定的曝光時間之方法中，劑量部能太大或太小。
所反射之光的強度與基板上之拍攝區域的面積、基板的反射率、和基板之外側部分的反射率具有相關性(correlation)，基板上之拍攝區域的面積改變於當拍攝區域落在基板之有效區域以外時。當使用排列有多個晶片區域圖案之光罩時，拍攝區域有時候被排列於基板上，使得多個晶片區域的一部分落在基板之有效區域以外。其中至少一晶片區域落在基板之有效區域以外的拍攝區域(被稱為有缺陷的拍攝區域)必須具有比其中所有的晶片區域皆落在基板之有效區域內的拍攝區域(被稱為全拍攝區域)還小的面積，這影響了在曝光時反射自基板之光的強度。基板的反射率依據光敏劑的類型或在基板之下的層而改變，由固持器所固持之基板之外側部分(典型上，基板夾盤)的反射率視該外側部分的材料或塗層而定。
在較低光強度之下的曝光控制方法致能正確的劑量控制，而沒有上述之過多或不足劑量的問題，雖然產出量低。
本發明已經考慮上述問題而被做成，且具有以高產出量來實施正確的劑量控制做為其代表性目的。
依據本發明，提供有一用以使基板暴露於輻射能之曝光設備，該設備包括一被組構來固持基板之固持器；一用以調整該基板之曝光時間的遮光器；以及一被組構來控制該遮光器之操作的控制器，其中，該控制器被組構而根據具有與反射自該固持器和由該固持器所固持之該基板之光的強度之相關性(correlation)的資訊，以控制該遮光器之操作。
依據本發明，有可能，舉例來說，以高產出量來實現正確的劑量控制。
本發明之其他特徵將從下面之代表性實施例的詳細說明，參照所附加之圖式而變得顯而易知。
將參照圖式而詳細地說明依據本發明之較佳實施例於下。
圖1為顯示依據本發明之較佳實施例之曝光設備示意配置的視圖。依據本發明之較佳實施例的曝光設備100包括光源1、遮光器4、光罩台21、投射光學系統6、及固持器22，固持器22能夠包含基板台，而基板台係即將藉由驅動機構(諸如，安裝於基板台上之線性馬達和基板夾盤)來予以驅動的。固持器22固持光阻(光敏劑)被塗施於其上的基板(晶圓)3，在此狀態中，驅動機構將固持器22驅動至基板3的位置，固持器22具有外側部分22a，而當基板3被固持時，外側部分22a係位於基板3的外部。
光罩台21固持及定位光罩2，以由光源1所產生之照明光來照明具有圖案(諸如，半導體電路圖案)的光罩2，光罩2的圖案係經由投射光學系統6而被投射至基板3，使得潛像圖案係形成在塗施於基板3之光阻上，顯影劑使潛像圖案顯影而形成抗蝕劑圖案。
遮光器4係配置在光源1與光罩台21之間，遮光器4控制照明光從光源1到光罩2的入射時間，藉以控制基板3的曝光時間。曝光設備100具有劑量感測器S，用以偵測用於基板3的劑量，劑量感測器S能夠包含，舉例來說，光感測器5、放大器7、V/F轉換器9、及脈波計數器11。光感測器5偵測遮光器4與光罩台21間之照明光的強度，光感測器5包含一光接收裝置，該光接收裝置能夠被配置在照明光在遮光器4與光罩台21之間的光徑上，或者接收由鏡而自該光徑所取出的光。放大器7將表示輸出自光感測器5之光強度的訊號轉變成電壓訊號，V/F轉換器9將輸出自放大器7之電壓訊號轉變成具有對應於該電壓訊號之頻率的脈波列(pulse train)，脈波計數器11計算輸出自V/F轉換器9之脈波列之脈波的數目，由脈波計數器11所取得之計數值表示照明光之光強度的總和，且因此與用於基板3的劑量成比例。因此，代表用於基板3的劑量之資訊可以被該計數值所取得。
曝光設備100也能夠包括一控制器13、輸入/輸出裝置15、目標劑量決定裝置16、及遮光器驅動電路14。在稍後所述之第一模式(高劑量模式)中，控制器13根據來自脈波計數器11的輸出來控制劑量，遮光器驅動電路14當從控制器13接收到指令時使遮光器4打開或關閉，輸入/輸出裝置(控制台)15輸入或輸出各種的資訊，目標劑量決定裝置16根據經由輸入/輸出裝置15所輸入之曝光條件和視需要所輸入之資訊來決定目標劑量。
圖2A到2C為用來解釋藉由遮光器4之操作之劑量控制的視圖。遮光器4包含遮光板81，圖2A到2C顯示遮光板81與照明光通過之光徑區域86間的位置關係。圖2A顯示其中遮光板81之遮光部A屏蔽光徑區域86的狀態，圖2B顯示其中遮光板81從圖2A之狀態順時鐘轉動60°，以便不屏蔽光徑區域86的狀態，圖2C顯示其中遮光板81從圖2B之狀態進一步順時鐘轉動60°而使得遮光部B屏蔽光徑區域86的狀態。在光徑區域86不被屏蔽時，遮光器4係打開的，在光徑區域86被屏蔽時，遮光器4被關閉。
圖3為顯示遮光器4之目標劑量與轉動速率(遮光板81之轉動速率)間之關係的圖表。圖3所示之介於遮光器4之目標劑量與轉動速率之間的關係能夠藉由實驗或計算來予以取得，且被儲存在控制器13中的記憶體(未顯示出)中，舉例來說，做為事先的適當函數公式或資料表。”記憶體”表示控制器13中的記憶體，除非另外指定。取代此記憶體，當然也可以使用用作為在控制器13以外之外部裝置的記憶體。
圖4為顯示基板上之拍攝佈局的視圖。在基板3上被排列成矩陣之區域的各個區域表示被稱為拍攝區域之分離的曝光區域，添加至各個拍攝區域的數目表示曝光的順序。
圖5為例舉在曝光序列之前，曝光設備100中之決定程序的流程圖。在步驟S102中，控制器13獲得經由輸入/輸出裝置15所輸入或設定之切換基準。在步驟S103中，控制器13獲得來自目標劑量決定裝置16之目標劑量資訊(TargetDose)。
在步驟S104中，控制器13將在步驟S102中所獲得到之切換基準與在步驟S103中所獲得到之目標劑量做比較。如果目標劑量大於切換基準，則控制器13使程序進行至步驟S105，以執行第一模式(高劑量模式)中之曝光序列。另一方面，如果目標劑量小於切換基準，則控制器13使程序進行至步驟S106，以執行第二模式(低劑量模式)中之曝光序列。
圖6為例舉第一模式(高劑量模式)中之曝光序列的流程圖。在步驟S202中，控制器13將由目標劑量決定裝置16所提供之目標劑量儲存於記憶體中。在步驟S2O3中，控制器13將遮光器打開指令送至遮光器驅動電路14，以打開遮光器。
在步驟S204中，遮光器打開，且由光源1所產生之照明光來照明光罩2，藉以開始使基板暴露於輻射能。放大器7將表示來自光感測器5之光強度輸出的訊號轉變成電壓訊號，V/F轉換器9將電壓訊號轉變成脈波列，脈波計數器11計算脈波列之脈波的數目。
在步驟S205中，控制器13讀取由脈波計數器11所提供之計數值，且決定該計數值是否與由在上述記憶體中所儲存之目標劑量所決定之脈波的數目相符。重複步驟S205直到由脈波計數器11所提供之計數值與由目標劑量所決定之脈波的數目相符為止。如果計數值與脈波的數目相符，則控制器13使程序進行至步驟S206。
在步驟S206中，控制器13將遮光器關閉指令送至遮光器驅動電路14，以關閉遮光器。
圖7為例舉第二模式(低劑量模式)中之曝光序列的流程圖。在步驟S302中，控制器13將由目標劑量決定裝置16所提供之目標劑量儲存於記憶體中。
在步驟S303中，控制器13從輸入/輸出裝置15獲得面積係數表(N,AreaRatio)，面積係數表(N,AreaRatio)表示各拍攝區域的數目(拍攝數目；N)與基板上之各拍攝區域的面積係數之間的關係，面積係數為與基板上之拍攝區域的面積有關的資訊。在此例中，面積係數係表示為對全拍攝區域的比值。更明確地說，在此例中，全拍攝區域的面積係數係表示為1，有缺陷的拍攝區域之面積係數係表示為小於1的值。
在步驟S304中，控制器13從輸入/輸出裝置15獲得基板反射率係數(WaferRatio)，基板反射率係數為與基板反射率有關的資訊，基板反射率係數，舉例來說，視基板表面上之光敏劑或在光敏劑下之層的類型而改變。基板反射率係數能夠被定義為，舉例來說，對標準之基板反射率的比值。基板反射率係數具有對所有的拍攝區域而言係共同的值。
在步驟S305中，控制器13從輸入/輸出裝置15獲得外側反射率係數表(N,OuterRefRatio)，外側反射率係數表表示各拍攝區域的數目(拍攝數目；N)與外側部分的反射率係數之間的關係，反射率係數為與拍攝區域之外側部分的反射率有關的資訊(在此實施例中，包含基板之有效曝光區域與基板之外側部分兩者)。在圖4所示之例子中，舉例來說，具有拍攝數目2,3,8,9,53及84之拍攝區域為有缺陷的拍攝區域。在各個有缺陷的拍攝區域中，基板的反射率與基板之外側部分(固持器)的反射率不同。因此，反射自基板及其外側部分和返回到光源1側之光的強度與全拍攝區域之光的強度不同。返回到光源1側之光係再次反射自光源1側上之光學組件，且返回到基板側。因此，反射自基板及其外側部分和返回到光源1側之光有助於用於基板之劑量的增加。因此，進入拍攝區域，亦即，其外側部分對應於基板之外側部分之有缺陷的拍攝區域之光的強度與進入全拍攝區域之光的強度不同。外側反射率係數能夠被定義為，舉例來說，基板之外側部分的反射率對基板之反射率的比值。在此情況中，全拍攝區域之外側反射率為1。
如上所述，在此實施例中，控制器13獲得與基板上之各拍攝區域的面積有關的資訊、與基板之反射率有關的資訊、及與基板之外側部分的反射率有關的資訊。根據這些片段的資訊，取得與反射自固持器22及由固持器22所固持之基板之光的強度之相關性(correlation)的資訊。
在步驟S306中，控制器13獲得藉由曝光目標拍攝區域之先行(immediately preceding)拍攝區域(亦即，具有拍攝數目N之拍攝區域：第N個拍攝區域)的曝光所取得之修正係數Coef1(N－1)，修正係數Coef1(N－1)為藉由此先行拍攝區域的曝光所取得之相關性資訊。在該批次中，具有第一基板之第一拍攝數目(N＝1)之拍攝區域的曝光中，Coef1(N－1)(＝Coef1(0))可以被設定為1。從該批次的第二基板，可以根據，舉例來說，先行基板之最終拍攝區域的曝光結果來決定Coef1(N－1)。即將被使用於第N個拍攝區域中之Coef1(N－1)係根據先行拍攝區域(具有數目N－1的拍攝區域)的曝光結果而被決定於步驟S313中。
在步驟S307中，控制器13根據具有與反射自固持器22(外側部分22a)及由固持器22所固持之基板之光的強度之相關性的資訊來計算最終的目標劑量(FinalDose)。更明確地說，在此例中，控制器13根據TargetDose,AreaRatio,WaferRefRatio,OuterRefRatio,和Coef1(N－1)，依據FinalDose＝TargetDose×AreaRatio×WaferRefRatio×OuterRefRatio×Coef1(N－1)………(1)
來計算最終的目標劑量(FinalDose)，其中，AreaRatio為面積係數表中之第4個拍攝區域的面積係數，WaferRefRatio為基板反射率係數，OuterRefRatio為外側反射率係數表中之第4個拍攝區域的外側反射率係數，且Coef1(N－1)為藉由此先行拍攝區域的曝光所取得之修正係數。
根據拍攝區域的陣列或程序，藉由使用經由有缺陷的拍攝區域之曝光所取得的修正係數Coef1(N－1)，可能無法取得適當的最終目標劑量(FinalDose)。為了防止此情況，可以切換使用修正係數Coef1(N－1)之模式和不使用修正係數之模式，此切換能夠經由輸入/輸出裝置15來予以設定。
在不使用修正係數Coef1(N－1)之模式中，最終的目標劑量(FinalDose)之取得係依據，例如，FinalDose＝TargetDose×AreaRatio×WaferRefRatio×OuterRefRatio………(2)
圖8為顯示其中不能夠正確地決定最終目標劑量之情況的圖表。假設藉由第(N－2)個拍攝區域之曝光所取得的修正係數為Coef1(N－2)，且第(N－1)個拍攝區域為有缺陷的拍攝區域。當用於第(N－1)個拍攝區域之真正的劑量係低於用於第(N－1)個拍攝區域之最終的目標劑量時，考慮到修正係數Coef1(N－1)而計算用於第N個拍攝區域之最終的目標劑量。因此，使第N個拍攝區域曝光過度。同樣地，考慮到修正係數Coef1(N)而計算用於第(N＋1)個拍攝區域之最終的目標劑量。因此，使第(N＋1)個拍攝區域曝光不足。使真正的劑量逐漸穩定，但是，如同係明顯的，有缺陷的拍攝區域(第(N－1)個拍攝區域)不利地影響全拍攝區域(第N個拍攝區域及後續的拍攝區域)。如果並未使用修正係數Coef1(N－1)，則能夠消除不利的影響。
在步驟S308中，控制器13根據最終的目標劑量(FinalDose)來計算遮光器4之速率(在此例中，轉動速率)，轉動速率能夠參考適當的函數公式或資料表來予以取得，而適當的函數公式或資料表係儲存在記憶體中且表示目標劑量與遮光器4之轉動速率間的關係，如同參照圖3所敘述的。在圖3所示之例子中，當最終的目標劑量為D1時，遮光器4之相對應的轉動速率為R1。
在步驟S309中，控制器13將遮光器轉動指令送至遮光器驅動電路14，而使遮光器4以在步驟S308中所取得之轉動速率來轉動，藉以使遮光器4轉動。
在步驟S310中，遮光器4打開，且由光源1所產生之照明光照明光罩2，藉以開始使基板暴露於輻射能。放大器7將表示輸出自光感測器5之光強度的訊號轉變成電壓訊號，V/F轉換器9將電壓訊號轉變成脈波列，脈波計數器11計算脈波列之脈波的數目。
在步驟S311中，根據遮光器轉動速率，控制器13等候當遮光器4被完全關閉時的時序。在步驟S312中，控制器13完成脈波計數器11之計數操作。在第二模式(低劑量模式)中，於第N個拍攝區域的曝光期間，遮光器4針對第N個拍攝區域之劑量控制的操作並不視劑量感測器S(或計數操作)的輸出而定。
在步驟S313中，控制器13根據在步驟S310到312中所計算之脈波的數目來計算真正的劑量(MeasureResult)。在步驟S313中，控制器13根據真正的劑量(MeasureResult)和最終的目標劑量(FinalDose)，依據下面的式子來計算修正係數Coef1(N)Coef1(N)＝1/{MeasureResult/TargetDose}………(3)
所取得之修正係數Coef1(N)被用來計算下一個拍攝之最終的劑量(FinalDose)，亦即，第(N＋1)個拍攝。
在步驟S314中，控制器13將在步驟S313中所計算出之與拍攝數目(N)相關聯的值儲存在記憶體中做為Coef1(N)。
在步驟S315中，控制器13決定是否要為所有的拍攝區域執行曝光。如果不為所有的拍攝區域執行曝光，則使拍攝數目(N)增量1，且程序回到步驟S303。
在上述例子中，根據有關面積之資訊、有關基板反射率之資訊、和有關基板之外側部分的反射率之資訊來計算最終的目標劑量。替換地，根據有關面積之資訊、有關基板反射率之資訊、有關基板之外側部分的反射率之資訊、及有關藉由已曝光之拍攝區域所取得的修正資訊來計算最終的目標劑量。但是，可根據有關面積之資訊、有關基板反射率之資訊、和有關基板之外側部分的反射率之資訊的至少其中一者來計算最終的目標劑量。替換地，可根據有關面積之資訊、有關基板反射率之資訊、有關基板之外側部分的反射率之資訊、及有關藉由已曝光之拍攝區域所取得的修正資訊之至少其中一者來計算最終的目標劑量。
在上述例子中，根據藉由已曝光之第(N－1)個拍攝區域所取得的修正係數來計算針對曝光目標之第N個拍攝區域的最終目標劑量。替代地，舉例來說，可根據藉由第N個拍攝區域附近之拍攝區域所取得的修正係數來計算針對第N個拍攝區域的最終目標劑量。
藉由使用經由先行拍攝區域之曝光所取得之修正係數來控制劑量(曝光時間)的方法對於遮光器4之驅動誤差成分的修正而言係有利的。另一方面，藉由使用經由附近之拍攝區域的曝光所取得之修正係數來控制劑量(曝光時間)的方法對於由於基板狀態或程序所產生之誤差成分的修正而言係有利的。
遮光器能夠使用各種的配置，舉例來說，除了上述的旋轉遮光器之外，較佳使用具有控制曝光之開始的遮光器和控制曝光之結束的遮光器之遮光器單元。
如上所述，依據此實施例，根據具有與反射自固持器或由固持器所固持之基板之光的強度之相關性的資訊來決定最終的目標劑量。根據該最終的目標劑量，控制遮光器之操作(打開及關閉)。因此，有可能正確地控制劑量而不需減少光強度，即使當基板係以低的劑量來使基板暴露於輻射能，而不需使用劑量感測器。因此，能夠實現以高的產生量之正確的劑量控制。
在上面的實施例中，於第二模式(低劑量模式)中，根據具有與反射自固持器22或由固持器22所固持之基板之光的強度之相關性的資訊來決定最終的目標劑量。但是，此劑量控制也可應用於以高的劑量之曝光，其中，即使當依據來自劑量感測器的輸出來使遮光器關閉時，也能夠正確地控制劑量。
接下來將敘述使用上述曝光設備之裝置製造方法。圖9為例舉半導體裝置製造程序之全部序列的流程圖，在步驟1(電路設計)中，設計半導體裝置之電路。在步驟2(光罩製備)中，根據所設計之電路圖案來製備光罩(也被稱為原型板或遮罩)。在步驟3(晶圓製造)中，使用諸如矽之材料來製造晶圓(也被稱為基板)。在被稱為前處理之步驟4(晶圓程序)中，真正的電路係藉由光刻法，使用光罩和晶圓而被形成於晶圓上。在被稱為後處理之步驟5(組裝)中，從在步驟4中所製備之晶圓形成半導體晶片，此步驟包含組裝程序(切塊及接合)和封裝程序(晶片密封)。在步驟6中，檢視在步驟5中所製造之半導體裝置的檢視程序，其包含操作檢查測試及耐久性測試。以這些程序來完成半導體裝置且裝運半導體裝置(步驟7)。
圖10例舉晶圓程序之詳細序列。在步驟11(氧化)中，使晶圓的表面氧化。在步驟12(CVD)中，絕緣膜係形成於晶圓表面上。在步驟13(電極形成)中，藉由沉積而形成電極於晶圓上。在步驟14(離子植佈)中，離子係植佈入晶圓中。在步驟15(CMP)中，藉由CMP而使絕緣膜平坦化。在步驟16(抗蝕劑程序)中，光敏劑係塗施於晶圓。在步驟17(曝光)中，潛像圖案係藉由透過使用上述曝光設備來使具有光敏劑之晶圓經由具有電路圖案之遮罩而暴露於輻射能，而被形成於抗蝕劑上。在步驟18(顯影)中，使形成於晶圓之抗蝕劑上的潛像圖案顯影而形成抗蝕劑圖案。在步驟19(蝕刻)中，經由抗蝕劑圖案中的開口來蝕刻抗蝕劑圖案底下的層或基板。在步驟20(抗蝕劑去除)中，去除在抗蝕後剩餘之不需要的抗蝕劑。藉由重複這些步驟，多層結構的電路圖案係形成於晶圓上。
在已經參照代表性實施例來說明本發明的同時，可了解到本發明並不限於所揭示之代表性實施例，下面之申請專利範圍的範疇係依據最寬廣的解釋，以便包含所有的修正、等效之結構及功能。
1．．．光源
2．．．光罩
3．．．基板
4．．．遮光器
5．．．光感測器
6．．．投射光學系統
7．．．放大器
9．．．V/F轉換器
11．．．脈波計數器
13．．．控制器
15．．．輸入/輸出裝置
16．．．目標劑量決定裝置
14．．．遮光器驅動電路
21．．．光罩台
22．．．固持器
22a．．．外側部分
100．．．曝光設備
81．．．遮光板
86．．．光徑區域
圖1係顯示依據本發明之較佳實施例之曝光設備示意配置的視圖；圖2A到2C係用來解釋藉由遮光器之操作(打開及關閉)之劑量控制的視圖；圖3係顯示遮光器之目標劑量與轉動速率間之關係的圖表；圖4係顯示基板上之拍攝佈局的視圖；圖5係例舉在曝光序列之前，曝光設備中之決定程序的流程圖；圖6係例舉第一模式(高劑量模式)中之曝光序列的流程圖；圖7係例舉第二模式(低劑量模式)中之曝光序列的流程圖；圖8係顯示其中不能夠正確地決定最終目標劑量之情況的圖表；圖9係例舉半導體裝置製造程序之全部序列的流程圖；以及圖10係例舉晶圓程序之詳細序列的流程圖。
1．．．光源
2．．．光罩
3．．．基板
4．．．遮光器
5．．．光感測器
6．．．投射光學系統
7．．．放大器
9．．．V/F轉換器
11．．．脈波計數器
13．．．控制器
15．．．輸入/輸出裝置
16．．．目標劑量決定裝置
14．．．遮光器驅動電路
21．．．光罩台
22．．．固持器
22a．．．外側部分
100．．．曝光設備
S．．．劑量感測器
Claims (10)
- 一種用以使基板暴露於光之曝光設備，該設備包括：一固持器，被組構來固持該基板；一遮光器，用以調整該基板之曝光時間；以及一控制器，被組構來控制該遮光器之操作，其中，該控制器被組構以獲得具有與反射自該固持器的一部分和由該固持器所固持之該基板之光的強度之相關性的資訊，其中，當有缺陷的拍攝區域被暴露於光時，該固持器的該部分被光照射，根據用於每一拍攝區的該資訊以計算目標劑量，以及根據用於每一拍攝區的每一目標劑量以控制該遮光器的該操作。
- 如申請專利範圍第1項之設備，其中，具有與該反射光之強度之相關性的資訊包含有關該基板上之拍攝區域之面積的資訊、有關該基板之反射率的資訊、和用於每一拍攝區的有關該部分之反射率的資訊之至少其中一者。
- 如申請專利範圍第1項之設備，其中，該控制器被組構來進一步根據用於已曝光之拍攝區域的劑量來控制該遮光器之該操作。
- 如申請專利範圍第3項之設備，其中，該控制器被組構來控制該遮光器之速率。
- 如申請專利範圍第1項之設備，其中，另包括一被組構來偵測用於該基板之劑量的感測器， 其中，該控制器被組構而在第一模式中根據來自該感測器的輸出以控制關閉該遮光器之時序，以及在第二模式中根據具有與該反射光之強度之相關性的資訊來控制該遮光器之速率。
- 如申請專利範圍第1項之設備，其中，該控制器被組構來根據該目標劑量以控制該遮光器之速率。
- 一種製造裝置之方法，該方法包括：使用曝光設備以使基板暴露於光；使該經曝光之基板顯影；以及處理該經顯影之基板以製造該裝置；其中，該曝光設備包含一固持器，被組構來固持該基板；一遮光器，用以調整該基板之曝光時間；以及一控制器，被組構來控制該遮光器之操作，以及其中，該控制器被組構以獲得具有與反射自該固持器的一部分和由該固持器所固持之該基板之光的強度之相關性的資訊，其中，當有缺陷的拍攝區域被暴露於光時，該固持器的該部分被光照射，根據用於每一拍攝區的該資訊以計算目標劑量，以及根據用於每一拍攝區的每一目標劑量以控制該遮光器的該操作。
- 一種用以使基板暴露於輻射能之曝光設備，該設備包括：一固持器，被組構來固持該基板；一遮光器，用以調整該基板之曝光時間；以及一控制器，被組構來控制該遮光器之操作， 其中，該控制器被組構以獲得被該固持器固持的該基板的反射率相關資訊、在該基板內的一有缺陷的拍攝區域的面積與一全拍攝區域的面積之比例的相關資訊、該固持器的反射率的相關資訊，根據該用於每一拍攝區的資訊以計算目標劑量，以及根據每一目標劑量以控制該遮光器之該操作於暴露該基板的每一有缺陷的拍攝區域。
- 一種用以使基板暴露於光之曝光設備，該設備包括：一固持器，被組構來固持該基板；一遮光器，用以調整該基板之曝光時間；一輸入裝置，被組構來輸入用於每一拍攝區的具有與反射自該固持器的一部分和由該固持器所固持之該基板之光的強度之相關性的資訊，其中，當有缺陷的拍攝區域被暴露於光時，該固持器的該部分被光照射；以及一控制器，被組構來根據用於每一拍攝區的該資訊以控制該遮光器之操作。
- 一種用以使基板暴露於光之曝光設備，該設備包括：一固持器，被組構來固持該基板；一遮光器，用以調整該基板之曝光時間；一感測器，被組構來偵測該基板之劑量；以及一控制器，被組構來控制該遮光器之操作，其中，該控制器被組構而根據目標劑量及修正係數，以控制用於每一拍攝區的該遮光器之操作，該目標劑量係獲得自用於每一拍攝區的具有與反射自該固持器的一部分 和由該固持器所固持之該基板之光的強度之相關性的資訊，而該修正係數係為修正資訊，該修正資訊係獲得自根據由該感測器所測量的實際劑量以及暴露於用於每一拍攝區的緊接的拍攝區的該目標劑量，其中該固持器的該部分係為該基板固持器的外側部分，當有缺陷的拍攝區域被暴露於光時，該部分被光照射。
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