TWI787574B

TWI787574B - 曝光裝置及物品之製造方法

Info

Publication number: TWI787574B
Application number: TW109101052A
Authority: TW
Inventors: 佐野裕貴; 仁平浩司
Original assignee: 日商佳能股份有限公司
Priority date: 2019-02-22
Filing date: 2020-01-13
Publication date: 2022-12-21
Also published as: JP2020134829A; TW202032291A; JP7241564B2; KR20200102935A

Abstract

[課題] 提供為了精度佳地就遮光構材的異常進行檢測時有利的曝光裝置。 [解決手段] 一種曝光裝置，其為就基板進行曝光者，包含具有將來自光源的光進行遮斷的第1遮光構材的遮蔽器、就通過前述遮蔽器的前述光進行檢測的檢測部、和驅動前述遮蔽器從而控制前述基板的曝光處理的控制部，前述控制部比較在前述第1遮光構材被配置於前述光的光路徑的第1狀態下的前述檢測部的檢測結果、和在不將前述第1遮光構材配置於前述光的光路徑之下往前述檢測部的前述光的入射被遮斷的第2狀態下的前述檢測部的檢測結果，從而就前述第1遮光構材的異常進行檢測。

Description

曝光裝置及物品之製造方法

本發明涉及曝光裝置及物品之製造方法。

在半導體裝置等的製程(光刻程序)，可使用就基板進行曝光的曝光裝置。在曝光裝置，例如設置具有將來自光源的光進行遮斷的遮光構材之遮蔽器，將該遮蔽器進行驅動而切換往基板的光的照射與非照射，從而可控制基板的曝光量。

於專利文獻1，已揭露就編碼器的誤計數、氣壓的壓力降低等的遮蔽器的驅動誤差所致的遮蔽器的半開進行檢測的方法。在記載於專利文獻1之方法，求出被輸入遮蔽器閉資訊時的計數器值(來自光接收元件的信號的電壓值)和被輸入遮蔽器開資訊時的計數器值的偏差，將該偏差與基準值進行比較從而就遮蔽器的半開進行檢測。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平6-53109號公報

在曝光裝置的遮蔽器，存在高能量的光被照射於遮光構材使得該遮光構材劣化，因而發生其一部分缺損(破損)或薄化如此的異常的情況。此情況下，即使將遮蔽器正常地驅動為在來自光源的光的光路徑配置有遮光構材，光仍可能從發生缺損、薄化等的異常的遮光構材的一部分漏出。如此的漏光於近年來的電路圖案的微細化的要求，可能致使難以高精度地控制基板的曝光量。因此，在曝光裝置，期望就從遮光構材的漏光進行檢測，精度佳地檢測該遮光構材的異常。

然而，從發生缺損、薄化等的異常的遮光構材的漏光其截面積、光強度非常小。為此，如專利文獻1使用在遮蔽器閉資訊的輸入時與遮蔽器開資訊的輸入時的計數器值的偏差之方式下，恐難以檢測出該漏光。

所以，本發明目的在於提供為了精度佳地檢測出遮光構材的異常時有利的曝光裝置。

為了達成上述目的，作為本發明的一態樣的曝光裝置為就基板進行曝光的曝光裝置，包含具有將來自光源的光進行遮斷的第1遮光構材的遮蔽器、就通過前述遮蔽器的前述光進行檢測的檢測部、和驅動前述遮蔽器從而控制前述基板的曝光處理的控制部，前述控制部比較在前述第1遮光構材被配置於前述光的光路徑的第1狀態下的前述檢測部的檢測結果、和在不將前述第1遮光構材配置於前述光的光路徑之下往前述檢測部的前述光的入射被遮斷的第2狀態下的前述檢測部的檢測結果，從而就前述第1遮光構材的異常進行檢測。

本發明的進一步之目的或其他態樣將透過在以下參照圖式進行說明之優選實施方式從而加以明確化。

依本發明時，例如可提供為了精度佳地就遮光構材的異常進行檢測時有利的曝光裝置。

1:光源

2:橢圓鏡

3:遮蔽器

31:遮光構材

31A:遮光構材

31B:遮光構材

31C:遮光構材

32:光通過區域

4:透鏡

5:半反射鏡

6:馬達

7:編碼器

8:檢測部

10:電流驅動器

11:頻率/電壓變換器

12:電壓/頻率變換器

13:伺服放大器

14:乘法器

15:位置計數器

16:曝光量計數器

17:控制部

20:增益控制資料

21:1次指令值

22:位置資料

23:曝光量資料

24:2次指令值

50:第2遮光構材

100:曝光裝置

IL:照明光學系統

LS:光源部

[圖1]就曝光裝置的構成例進行繪示的示意圖。

[圖2]就遮蔽器的驅動狀態與照射於基板的光的照度的關係進行繪示的圖。

[圖3]就遮蔽器的驅動狀態與檢測部的檢測結果的對應關係進行繪示的圖。

[圖4]就第1遮光構材的異常的檢測方法進行繪示的流程圖。

[圖5]就各遮光構材31就配置於光的路徑上的次數與檢測部的檢測結果的對應關係進行繪示的圖。

[圖6]就具有第2遮光構材之曝光裝置進行繪示的圖。

[圖7]就第4實施方式中的基板的曝光處理進行繪示的流程圖。

[圖8]就遮蔽器的旋轉驅動的一例進行繪示的圖。

[圖9]就用於各照射區域的曝光處理的遮光構材(變更前)進行繪示的圖。

[圖10]就用於各照射區域的曝光處理的遮光構材(變更後)進行繪示的圖。

[圖11]就第5實施方式中的基板的曝光處理進行繪示的流程圖。

[圖12]就第6實施方式中的基板的曝光處理進行繪示的流程圖。

以下，參照圖式詳細說明實施方式。另外，以下的實施方式不限定於申請專利範圍的發明。於實施方式雖記載複數個特徵，惟不限於此等複數個特徵的全部為發明必須者，此外複數個特徵亦可任意進行組合。再者，圖式中，對相同或同樣的構成標注相同的參考符號，重複之說明省略。

<第1實施方式>

就涉及本發明的第1實施方式進行說明。圖1為就本實施方式的曝光裝置100的構成例進行繪示的示意圖。曝光裝置100為使用於作為物品的半導體元件、液晶顯示元件、薄膜磁頭等的裝置的製程(光刻程序)中的光刻裝置，就基板進行曝光從而在基板上形成圖案。本實施方式的情況下，曝光裝置100可為一種投影曝光裝置，透過步進式或掃描方式將主板(遮罩、倍縮光罩)的圖案影像投影於基板上從而就基板進行曝光，將主板的圖案轉印於基板。然而，不限於此，曝光裝置100亦可為一種壓印裝置，在將模具與基板上的壓印材予以接觸的狀態下就基板(壓印材)進行曝光從而使壓印材硬化，在基板上形成壓印材的圖案。

曝光裝置100具有以來自光源部LS的光就主板(未圖示)進行照明的照明光學系統IL、將主板的圖案投影於基板的投影光學系統(未圖示)、檢測部8、電流驅動器10、頻率/電壓變換器11、和電壓/頻率變換器12。此外，曝光裝置100具有伺服放大器13、乘法器14、位置計數器15、曝光量計數器16、和控制部17。

光源部LS包含射出就基板進行曝光用的光(曝光光)的光源1(例如紫外線燈)、和將來自光源1的光聚光而導至照明光學系統IL的橢圓鏡2。此外，照明光學系統IL具有為了控制以來自光源部LS的光就主板進行照明的時間(亦即，往基板的光的照射時間)用的機構。該機構例如包含遮蔽器3、透鏡4、半反射鏡5、馬達6、和編碼器7。

遮蔽器3例如被構成為具有將來自光源部LS 的光進行遮斷的複數個遮光構材31(葉片、遮光區域)的旋轉體，在複數個遮光構材間的光通過區域32使光通過。本實施方式的遮蔽器3雖由以等間隔(等角度)配置的3個遮光構材31而構成，惟亦能以2個或4個以上的遮光構材31而構成，亦能以1個遮光構材31而構成。馬達6是為了使遮蔽器3旋轉用的驅動源。編碼器7是為了就遮蔽器3的旋轉位置進行計測用的計測器。通過遮蔽器3的光經由透鏡4而入射至半反射鏡5，透過半反射鏡5使該光的一部分被導至檢測部8。在示於圖1之例，通過遮蔽器3的光之中，在半反射鏡5反射的一部分的光被導至檢測部8。檢測部8包含就從半反射鏡5導引的該一部分的光的強度進行檢測的光檢測器，其輸出可用於就照射於基板的光的照度(強度)及基板的曝光量進行計測之時。於此，基板的曝光量是透過照射於基板的光的照度時間積分而定義。

電流驅動器10對馬達6供應電流而驅動馬達6。頻率/電壓變換器(FVC；Frequency Voltage Converter)11將從編碼器7輸出的與遮蔽器的旋轉速度成比例的脈衝序列轉換為電壓。電壓/頻率變換器(VFC；Voltage Frequency Converter)12將從檢測部8輸出的與基板的曝光量成比例的類比電壓轉換為脈衝序列。

伺服放大器13為了使遮蔽器3的實際的旋轉速度成為與2次指令值24(被指示的遮蔽器3的旋轉速度)一致，將與遮蔽器3的實際的旋轉速度及2次指令值24的差分成比例的輸出供應至電流驅動器10。乘法器14根據指示遮蔽器3的旋轉速度的1次指令值21和增益控制資料20，生成2次指令值24。

位置計數器15監控遮蔽器3的旋轉位置而輸出位置資料22。曝光量計數器16就從VFC12輸出的脈衝進行計數，從而監控入射於檢測部8的光的時間積分量，亦即監控基板的曝光量而輸出曝光量資料23。

控制部17包含CPU及記憶體(記憶部)，總體地控制曝光裝置100的各部分，控制對於在基板之複數個照射區域中的各者之曝光處理。例如，控制部17於曝光處理以基板的曝光量成為目標曝光量的方式，將遮蔽器3進行旋轉驅動從而控制往基板的光的照射與非照射。具體而言，控制部17將遮蔽器3的旋轉驅動控制為，從透過遮光構材31遮斷來自光源部LS的光的遮光狀態，往來自光源部LS的光通過光通過區域32的光通過狀態，然後再次轉移為遮光狀態。

圖2為就遮蔽器3的驅動狀態與照射於基板的光的照度的關係進行繪示的圖。在曝光處理，從在來自光源部LS的光的光路徑上配置遮蔽器3的遮光構材31的遮光狀態(圖2的狀態(1))開始遮蔽器3的旋轉。開始遮蔽器3的旋轉時，光逐漸開始通過遮蔽器3的光通過區域32(圖2的狀態(2))，在光的整體通過光通過區域32的光通過狀態(圖2的狀態(3))下停止遮蔽器3的旋轉。並且，以基板的曝光量成為目標曝光量的方式，再次開始遮蔽器3的旋轉(圖2的狀態(4))。開始遮蔽器3的旋轉時，光逐漸開始被遮光構材31遮斷(圖2的狀態(5))，在光路徑上配置遮光構材31的遮光狀態(圖2的狀態(6))下停止遮蔽器3的旋轉。在此，於曝光處理，雖在遮光狀態及光通過狀態的各者下使遮蔽器3的旋轉停止，惟例如亦可將從遮光狀態經過光通過狀態而再次到達遮光狀態的一連串的動作，在不使遮蔽器3的旋轉停止之下連續進行。

在如此般構成的曝光裝置100，存在高能量的光照射於遮蔽器3的遮光構材31使得遮光構材31劣化，因而其一部分發生缺損(破損)或薄化的情況。此情況下，即使將遮蔽器3正常地驅動為遮光構材31被配置於來自光源部LS的光的光路徑整體，光仍可能從發生缺損、薄化等的異常的遮光構材31的一部分漏出。如此的漏光雖其截面積、光強度非常小，惟於近年來的電路圖案的微細化的要求，可能致使難以高精度地控制基板的曝光量。因此，在曝光裝置100，期望就從遮蔽器的遮光構材31的漏光進行檢測而精度佳地檢測該遮光構材31的異常。

所以，本實施方式的曝光裝置100(控制部17)取得在不在來自光源部LS的光的光路徑上配置遮蔽器3的第1遮光構材之下往檢測部8的光的入射被遮斷的第2狀態下的檢測部8的檢測結果。並且，比較在以將遮蔽器3的第1遮光構材配置於光路徑上的方式驅動遮蔽器3的第1狀態下的檢測部8的檢測結果、和在第2狀態下的檢測部8的檢測結果，從而就該第1遮光構材的異常進行檢測。於此，第1遮光構材指構成遮蔽器3的複數個遮光構材31之中作為檢測出異常的對象的遮光構材。亦即，就構成遮蔽器3的複數個遮光構材31的各者檢測異常的情況下，複數個遮光構材31的各者可被設定為第1遮光構材。此外，第2狀態例如可在不在來自光源部LS的光的光路徑上配置遮蔽器3的第1遮光構材之下將與第1遮光構材為不同的遮光構材配置於光源部LS與檢測部8之間的光路徑上從而生成。本實施方式的情況下，第2狀態能以構成遮蔽器3的複數個遮光構材31之中與作為就異常進行檢測的對象的遮光構材(第1遮光構材)為不同的遮光構材被配置於來自光源部LS的光的光路徑上的方式驅動遮蔽器3從而生成。

就本實施方式中的就遮蔽器3的遮光構材31的異常進行檢測的方法，一面參照圖3~圖4一面進行說明。在以下，遮蔽器3由遮光構材31A~31C構成，就於遮光構材31C發生異常(缺損、龜裂)之例進行說明。

首先，就曝光處理中的遮蔽器3的驅動與在檢測部8檢測出的光強度的對應關係，一面參照圖3一面進行說明。圖3為就遮蔽器3的驅動狀態與檢測部8的檢測結果(光強度)的對應關係進行繪示的圖。圖3的狀態(1)表示遮蔽器3的遮光構材31A被配置於光路徑上的狀態。控制部17於此狀態(1)下使檢測部8進行光(光強度)的檢測，取得其檢測結果(光強度A01)。開始基板(照射區域)的曝光處理的情況下，控制部17如示於圖3的狀態(2)，將遮蔽器3驅動為遮蔽器3的光通過區域32被配置於光路徑上。並且，結束曝光處理的情況下，控制部17如示於圖3的狀態(3)，將遮蔽器3驅動為遮蔽器3的遮光構材31B被配置於光路徑上。控制部17於此狀態(3)下使檢測部8進行光的檢測，取得其檢測結果(光強度B01)。

此外，開始下個基板(照射區域)的曝光處理的情況下，控制部17如示於圖3的狀態(4)，將遮蔽器3驅動為遮蔽器3的光通過區域32被配置於光路徑上。並且，結束曝光處理的情況下，控制部17如示於圖3的狀態(5)，將遮蔽器3驅動為遮蔽器3的遮光構材31C被配置於光路徑上。控制部17於此狀態(5)下使檢測部8進行光的檢測，取得其檢測結果(光強度C01)。在示於圖3之例，於遮光構材31C發生異常，故在狀態(5)取得的光強度C01比在狀態(1)取得的光強度A01及在狀態(3)取得的光強度B01高。

接著，就遮光構材31C(第1遮光構材)的異常的檢測方法，一面參照圖4一面進行說明。圖4為就第1遮光構材的異常的檢測方法進行繪示的流程圖。在以下，就使遮光構材31C為第1遮光構材而進行該遮光構材31C的異常的檢測之例進行說明。在此例，圖3的狀態(5)或對應於第1狀態，圖3的狀態(1)及(3)對應於第2狀態。另外，在以下說明的異常的檢測方法不限於使遮光構材31C為第1遮光構材的情況，使遮光構材31A~31B的各者為第1遮光構材的情況下亦可同樣地適用。

在S11，控制部17判斷是否處於遮光構材31C(第1遮光構材)被配置於來自光源部LS的光的光路徑上的第1狀態。遮光構材31C未被配置於光路徑上的情況下重複 S11，遮光構材31C被配置於光路徑上的情況下進至S12。在S12，控制部17在遮光構材31C被配置於光路徑上的狀態下使檢測部8就光(光強度)進行檢測，將該檢測結果(光強度C01)記憶於記憶體(記憶部)。

在S13，控制部17就在S12取得的檢測部8的檢測結果、和在將其他遮光構材31A~31B配置於光路徑上的狀態(第2狀態)下取得的檢測部8的檢測結果進行比較，求出其等之差分。例如，控制部17如上述，將遮光構材31A~31B配置於光路徑上時使檢測部8就光(光強度)進行檢測，將該檢測結果(光強度A01、光強度B01)記憶於記憶體。控制部17從記憶部讀出該檢測結果之中最新者，求出與在S12取得的檢測部8的檢測結果的差分。具體而言，控制部17求出將遮光構材31C配置於光路徑上時以檢測部8取得的光強度C01、和將遮光構材31A配置於光路徑上時以檢測部8取得的光強度A01的差分(|C01-A01|)。同樣，控制部17求出將遮光構材31C配置於光路徑上時以檢測部8取得的光強度C01、和將遮光構材31B配置於光路徑上時以檢測部8取得的光強度B01的差分(|C01-B01|)。

在S14，控制部17判斷在S13取得的差分是否為閾值以上。閾值例如可設定為可將在檢測部8的檢測結果中產生的雜訊成分及遮光構材31的個體差等分離的值，可透過實驗、模擬等而決定。在S13取得的差分不足閾值的情況下，作為遮光構材31C無異常而進至S15。在S15，控制部17判斷是否結束遮光構材31C(第1遮光構材)的異常檢測。例如，控制部17可在對在基板之複數個照射區域中的各者結束曝光處理的情況下判斷為結束遮光構材31C的異常的檢測。要繼續進行遮光構材31C的異常檢測的情況下返回S11。

另一方面，於S14的程序，在S13取得的差分為閾值以上的情況下，作為檢測出遮光構材31C的異常而進至S16。在S16，控制部17報知檢測出遮光構材31C的異常之旨。檢測出遮光構材31C的異常之旨的報知方法方面，可為使該旨顯示在設於曝光裝置100的顯示部(顯示器)的方法，亦可為向使用者的電腦發送該旨的方法。此外，控制部17亦可除檢測出遮光構材31C的異常之旨以外或代替之，報知催促遮蔽器3的交換之資訊。

如上述，本實施方式的曝光裝置100就將構成遮蔽器3的複數個遮光構材31中的各者配置於光路徑上的狀態下的檢測部8的檢測結果進行比較，從而就各遮光構材31的異常進行檢測。例如，就將遮光構材31C配置於光路徑上的第1狀態下的檢測部8的檢測結果、和將其他遮光構材31A、31B配置於光路徑上的第2狀態下的檢測部8的檢測結果進行比較，從而可就遮光構材31C的異常進行檢測。亦即，依本實施方式時，可就從遮光構材的微小的漏光進行檢測，精度佳地檢測該遮光構材的異常。

<第2實施方式>

就涉及本發明的第2實施方式進行說明。在本實施方式，比較將第1遮光構材配置於光路徑上的第1狀態下的檢測部8的檢測結果的歷時變化、和將往檢測部8的光的入射進行遮斷的第2狀態下的檢測部8的檢測結果的歷時變化，從而就第1遮光構材的異常進行檢測。本實施方式為基本上承接第1實施方式者，就曝光裝置的構成及用語的定義等與第1實施方式同樣者，省略此處的說明。

說明有關本實施方式中的就遮蔽器3的遮光構材31的異常進行檢測的方法。本實施方式中的遮光構材31的異常的檢測方法可依示於圖4的流程圖進行，惟S13的程序與第1實施方式不同。在以下，就與第1實施方式不同的S13的程序進行說明。

在本實施方式中的S13，控制部17比較在第1狀態下取得的檢測部8的檢測結果的歷時變化、和在第2狀態下取得的檢測部8的檢測結果的歷時變化，求出其等之差分。具體而言，控制部17比較在將遮光構材31C配置於光路徑上的第1狀態下取得的檢測部8的檢測結果的歷時變化、和在將其他遮光構材31A~31B配置於光路徑上的第2狀態下取得的檢測部8的檢測結果的歷時變化，求出其等之差分。就本程序，一面參照圖5一面進行說明。圖5為就構成遮蔽器3的複數個遮光構材31的各者，就配置於來自光源部LS的光的光路徑上的次數(亦即，遮光次數)與檢測部8的檢測結果(光強度)的對應關係進行繪示的圖。在圖5，示出就構成遮蔽器3的複數個遮光構材31A~31C的各者進行11次的遮光而在各遮光時以檢測部8檢測出的光強度。

例如，控制部17就遮光構材31C求出在本次(第11次)的遮光時以檢測部8檢測出的光強度C11與在前次(第10次)的遮光時以檢測部8檢測出的光強度C10的變化△C(=C11-C10)。此外，控制部17就遮光構材31A~31B的各者求出本次(第11次)與前次(第10次)的光強度的變化△A(=A11-A10)、△B(=B11-B10)作為歷時變化。並且，控制部17求出以遮光構材彼此求出的變化的差分。具體而言，控制部17求出就遮光構材31C的變化△C、和就遮光構材31A的變化△A的差分(|△C-△A|)。同樣，控制部17求出就遮光構材31C的變化△C、和就遮光構材31B的變化△B的差分(|△C-△B|)。

如此，在本實施方式，就構成遮蔽器3的複數個遮光構材31的各者，比較在遮光時的檢測部8的檢測結果的歷時變化，從而就各遮光構材31的異常進行檢測。依本實施方式時，亦如同第1實施方式，可就從遮光構材的微小的漏光進行檢測，精度佳地檢測該遮光構材的異常。

<第3實施方式>

就涉及本發明的第3實施方式進行說明。在第1~第2實施方式，說明有關使用構成遮蔽器3的複數個遮光構材31之中與第1遮光構材為不同的遮光構材而生成將往檢測部8的光的入射進行遮斷的第2狀態的方法。在本實施方式，說明有關使用從遮蔽器3分離而設的將來自光源部LS的光進行遮斷的第2遮光構材而生成該第2狀態的方法。於此，本實施方式為基本上承接第1~第2實施方式者，就曝光裝置的基本構成及用語的定義等與第1~2實施方式同樣者，省略此處的說明。

圖6為就本實施方式的曝光裝置的構成進行繪示的圖。在本實施方式，設置可插入於光源部LS與檢測部8之間的光路徑上的第2遮光構材50。第2遮光構材50為例如將來自光源部LS的光進行遮斷的構材，在示於圖6之例，被透過未圖示的驅動機構插入於光源部LS與遮蔽器3之間的光路徑上。控制部17將第2遮光構材50插入於光路徑上，從而生成將往檢測部8的光的入射進行遮斷的第2狀態，事前取得該第2狀態下的檢測部8的檢測結果(光強度)而記憶於記憶體(記憶部)。

說明有關本實施方式中的就遮蔽器3的遮光構材31的異常進行檢測的方法。本實施方式中的遮光構材31的異常的檢測方法在將第2遮光構材50從光路徑上移除的狀態下，可依示於圖4的流程圖進行，惟S13的程序與第1實施方式不同。在本實施方式中的S13，控制部17比較在S12取得的檢測部8的檢測結果、和在將第2遮光構材50插入於光路徑上的狀態(第2狀態)下事前取得的檢測部8的檢測結果，求出其等之差分。

如此，在本實施方式，比較在將遮蔽器3的第1遮光構材配置於光路徑上的第1狀態下的檢測部8的檢測結果、和在將第2遮光構材50插入於光路徑上的第2狀態下的檢測部8的檢測結果，從而就遮光構材1的異常進行檢測。第1遮光構材方面，可適用構成遮蔽器3的複數個遮光構材31的各者。依本實施方式時，亦如同第1~2實施方式，可就從遮光構材的微小的漏光進行檢測，精度佳地檢測該遮光構材的異常。

於此，在本實施方式，將第2遮光構材50插入於光路徑上，從而生成將往檢測部8的光的入射進行遮斷的第2狀態，惟不限於此。例如，亦可在不使用第2遮光構材50之下將光源部LS(光源1)熄滅從而生成第2狀態。此情況下，亦控制部17事前取得該第2狀態下的檢測部8的檢測結果(光強度)而記憶於記憶體(記憶部)即可。

<第4實施方式>

就涉及本發明的第4實施方式進行說明。在本實施方式，就檢測出第1遮光構材的異常的情況下的遮蔽器3的驅動的控制方法進行說明。本實施方式為基本上承接第1~第3實施方式者，就曝光裝置的構成及用語的定義等與第1~3實施方式同樣者，省略此處的說明。

本實施方式的曝光裝置(控制部17)在檢測出複數個遮光構材31之中第1遮光構材(例如遮光構材31C)的異常的情況下，控制遮蔽器3的驅動為，使用第1遮光構材以外的其餘的遮光構材(例如遮光構材31A、31B)而進行遮光。亦即，本實施方式的曝光裝置在檢測出構成遮蔽器3 的複數個遮光構材31之中具有異常的遮光構材的情況下，不使用該具有異常的遮光構材，而使用其餘的遮光構材而繼續基板的曝光處理。於以下，就本實施方式中的基板的曝光處理，一面參照圖7一面進行說明。圖7為就本實施方式中的基板的曝光處理進行繪示的流程圖。

在S21，控制部17判斷構成遮蔽器3的複數個遮光構材31之中是否存在檢測出異常的遮光構材31。在以下，有時將檢測出異常的遮光構材31稱為「異常遮光構材」。存在異常遮光構材的情況下進至S22，無異常遮光構材的情況下進至S24。在S22，控制部17判斷用於下個遮光的預定的遮光構材31(下個遮光構材31)是否為異常遮光構材。下個遮光構材31為異常遮光構材的情況下進至S23，下個遮光構材31非異常遮光構材的情況下進至S24。

在S23，控制部17變更遮蔽器3的旋轉方向的設定。例如，控制部17將遮蔽器3的旋轉方向的設定，變更為與目前為止的旋轉方向相反的旋轉方向。透過此程序，可不使用構成遮蔽器3的複數個遮光構材31之中異常遮光構材，而使用異常遮光構材以外的其餘的遮光構材繼續基板的曝光處理。

在S24，控制部17對在基板的複數個照射區域之中作為進行曝光的對象的照射區域(對象照射區域)進行曝光處理。具體而言，控制部17將遮蔽器3旋轉驅動而使來自光源部LS的光在光通過區域32通過，之後以基板的曝光量成為目標曝光量的方式，將遮蔽器3旋轉驅動而將來自光源部LS的光以遮光構材31進行遮斷。此時，在S23遮蔽器3的旋轉方向的設定被變更的情況下，控制部17以變更後的旋轉方向進行遮蔽器3的旋轉驅動從而控制來自光源部LS的光的通過與遮斷。

在S25，控制部17就構成遮蔽器3的複數個遮光構材31之中當前配置於來自光源部LS的光的光路徑上的遮光構材的異常進行檢測。具體而言，使當前配置於光路徑上的遮光構材為第1遮光構材時，控制部17在第1遮光構材被配置於光路徑上的第1狀態下使檢測部8就光(光強度)進行檢測。並且，控制部17比較第1狀態下的檢測部8的檢測結果、和將往檢測部8的光的入射進行遮斷的第2狀態下的檢測部8的檢測結果，從而就該第1遮光構材的異常進行檢測。在本程序的第1遮光構材的異常的檢測例如可依示於圖4的流程圖進行。

在S26，控制部17判定是否已對在基板之複數個照射區域的全部進行曝光處理。存在未進行曝光處理的照射區域的情況下返回S21，將未進行曝光處理的照射區域設定為對象照射區域而進行曝光處理。另一方面，對全部的照射區域進行曝光處理的情況下則結束。

接著，就本實施方式中的遮蔽器3的旋轉驅動的一例，一面參照圖8一面進行說明。圖8為就遮蔽器3的旋轉驅動的一例進行繪示的圖。在圖8，示出構成遮蔽器3的複數個遮光構材31之中於遮光構材31C發生缺損(龜裂)而遮光構材31C被特定為異常遮光構材之例。

在狀態(1)，透過S25的程序，判斷為在遮光構材31C發生異常(龜裂)(亦即，遮光構材31C被特定為異常遮光構材)。此外，在遮光構材31C的下個被在遮光中使用的預定的遮光構材31A非異常遮光構材，故在S22的程序判斷為「No」而進至S24，如示於狀態(2)→(3)，以目前為止的旋轉方向將遮蔽器3旋轉驅動而進行曝光處理。此外，在遮光構材31A的下個被在遮光中使用的預定的遮光構材B亦非異常遮光構材，故在S22的程序判斷為「No」而進至S24，如示於狀態(4)→(5)，以目前為止的旋轉方向將遮蔽器3旋轉驅動而進行曝光處理。

另一方面，在遮光構材31B的下個被在遮光中使用的預定的遮光構材31C被特定為異常遮光構材，故在S22的程序判斷為「Yes」而進至S23，遮蔽器3的旋轉方向被設定為逆向。並且，如示於狀態(6)→(3)，以設定為逆向的旋轉方向將遮蔽器3旋轉驅動而進行曝光處理，在曝光處理的結束時以遮光構材31A進行遮光。此外，在變更後的遮蔽器3的旋轉方向，被特定為異常遮光構材的遮光構材31C成為在遮光構材A的下個被在遮光中使用的預定。為此，在S22的程序判斷為「Yes」而進至S23，遮蔽器3的旋轉方向再次被設定為逆向(亦即，遮蔽器3的旋轉方向回到原來的方向)。並且，如示於狀態(4)→(5)，以再次設定為逆向的旋轉方向將遮蔽器3旋轉驅動而進行曝光處理，在曝光處理的結束時以遮光構材31B進行遮光。

如此，在本實施方式，遮光構材31C被特定為異常遮光構材的情況下，以交替使用遮光構材31A、31B而進行遮光的方式控制遮蔽器3的旋轉驅動。藉此，可使用遮光構材31C以外的其餘的遮光構材31A、31B而繼續曝光處理，故可高精度地控制基板的曝光量，同時在處理量方面亦可為有利。

<第5實施方式>

就涉及本發明的第5實施方式進行說明。在本實施方式，就檢測出第1遮光構材的異常的情況下的遮蔽器3的驅動的控制方法進行說明。本實施方式為基本上承接第1~第4實施方式者，就曝光裝置的構成及用語的定義等與第1~4實施方式同樣者，省略此處的說明。

即使於遮蔽器3的遮光構材31檢測出異常，取決於在曝光處理設定的目標曝光量，仍存在從該遮光構材31的漏光所致的往曝光處理的影響小的情況。例如，在曝光處理設定的目標曝光量相對於可能因漏光而增加的曝光量為非常大的情況下，作為使用於在曝光處理的遮光的遮光構材，可使用具有異常的遮光構材。然而，如上述，基板的曝光量是透過照射於基板的光的照度時間積分而定義。亦即，以具有異常的遮光構材進行遮光的時間越長，漏光所致的曝光能量可能越加累積(亦即，漏光所致的曝光量的增加可能變大)。此情況下，在曝光處理發生過度曝光，可能致使難以在基板上精度佳地形成圖案。

尤其，於在基板的複數個照射區域之中最後進行曝光處理的照射區域(以下，最後的照射區域)，在曝光處理的結束後曝於漏光的時間可能比其他照射區域長，故上述的過度曝光可能變顯著。例如，在最後的照射區域，在曝光處理後，可能會進行為了基板的搬入及搬出、曝光圖案的變更而進行的主板的交換等的準備。為此，使最後的照射區域從進行曝光處理的位置移動前需要時間，在曝光處理後曝於漏光的時間可能比其他照射區域長。

所以，本實施方式的曝光裝置(控制部17)以在對於最後的照射區域之曝光處理的結束時使用的遮光構材成為構成遮蔽器3的複數個遮光構材31之中異常遮光構材以外的其餘的遮光構材的方式，控制遮蔽器的旋轉驅動。例如，如示於圖9，設想在基板的複數個照射區域110~116之中在對於最後的照射區域116之曝光處理的結束時使用的預定的遮光構材為被特定為異常遮光構材的遮光構材31C的情況。此情況下，控制部17如示於圖10之例，以在對於最後的照射區域116之曝光處理的結束時使用的遮光構材成為與遮光構材31C為不同的遮光構材31B(亦可為遮光構材31A)的方式，控制遮蔽器3的旋轉驅動。於以下，就本實施方式中的基板的曝光處理，一面參照圖11一面進行說明。圖11為就本實施方式中的基板的曝光處理進行繪示的流程圖。

在S31，控制部17判斷構成遮蔽器3的複數個遮光構材31之中是否存在檢測出異常的遮光構材31(異常遮光構材)。存在異常遮光構材的情況下進至S32，無異常遮光構材的情況下進至S35。在S32，控制部17判斷下個進行曝光處理的照射區域(下個照射區域)是否為最後的照射區域。下個照射區域為最後的照射區域的情況下進至S33，下個照射區域非最後的照射區域的情況下進至S35。在S33，控制部17判斷在對於最後的照射區域之曝光處理的結束時使用的預定的遮光構材31(在最後使用預定的遮光構材31)是否為異常遮光構材。在最後使用預定的遮光構材31為異常遮光構材的情況下進至S34，在最後使用預定的遮光構材31非異常遮光構材的情況下進至S35。

在S34，控制部17變更遮蔽器3的旋轉方向的設定。例如，控制部17將遮蔽器3的旋轉方向的設定變更為與目前為止的旋轉方向相反的旋轉方向。透過此程序，能以在最後的照射區域的結束時使用異常遮光構材以外的其餘的遮光構材而進行遮光的方式，控制遮蔽器3的旋轉驅動。

S35~S37為與示於圖7的流程圖的S24~S26同樣的程序。具體而言，在S35，控制部17對在基板的複數個照射區域之中作為進行曝光的對象的照射區域(對象照射區域)進行曝光處理。在S36，控制部17就構成遮蔽器3的複數個遮光構材31之中當前配置於來自光源部LS的光的光路徑上的遮光構材的異常進行檢測。在本程序的第1遮光構材的異常的檢測例如可依示於圖4的流程圖進行。此外，在S37，控制部17判定是否已對在基板之複數個照射區域的全部進行曝光處理。存在未進行曝光處理的照射區域的情況下返回S31，將未進行曝光處理的照射區域設定為對象照射區域而進行曝光處理。另一方面，對全部的照射區域進行曝光處理的情況下則結束。

如此，在本實施方式，以在對於最後的照射區域之曝光處理的結束時使用的遮光構材成為異常遮光構材以外的其餘的遮光構材的方式，控制遮蔽器3的旋轉驅動。藉此，可於最後的照射區域，減低從異常遮光構材的漏光的影響，高精度地控制曝光量。

<第6實施方式>

就涉及本發明的第6實施方式進行說明。在上述的第5實施方式，說明有關在緊接著進行對於最後的照射區域之曝光處理之前判斷在最後使用預定的遮光構材是否為異常遮光構材而依該判斷結果控制遮蔽器3的旋轉驅動之例。然而，不限於此，可事前掌握在最後使用預定的遮光構材為異常遮光構材的情況下，亦可在該掌握的時點控制遮蔽器3的旋轉驅動。在本實施方式，就在事前掌握在最後使用預定的遮光構材為異常遮光構材的情況下控制遮蔽器3的旋轉驅動之例，一面參照圖12一面進行說明。圖12為就本實施方式中的基板的曝光處理進行繪示的流程圖。

在S41，控制部17判斷構成遮蔽器3的複數個遮光構材31之中是否存在檢測出異常的遮光構材31(異常遮光構材)。存在異常遮光構材的情況下進至S42，無異常遮光構材的情況下進至S44。在S42，控制部17在以不變的遮蔽器3的旋轉驅動進行對於各照射區域之曝光處理下去的情況下，判斷在最後使用預定的遮光構材31是否成為異常遮光構材。在最後使用預定的遮光構材31成為異常遮光構材的情況下進至S43，在最後使用預定的遮光構材31不會成為異常遮光構材的情況下進至S44。

在S43，控制部17變更遮蔽器3的旋轉方向的設定。例如，控制部17將遮蔽器3的旋轉方向的設定變更為與目前為止的旋轉方向相反的旋轉方向。透過此程序，能以在最後的照射區域的結束時使用異常遮光構材以外的其餘的遮光構材而進行遮光的方式，控制遮蔽器3的旋轉驅動。

S44~S46為與示於圖7的流程圖的S24~S26同樣的程序。具體而言，在S44，控制部17對在基板的複數個照射區域之中作為進行曝光的對象的照射區域(對象照射區域)進行曝光處理。在S45，控制部17就構成遮蔽器3的複數個遮光構材31之中當前配置於來自光源部LS的光的光路徑上的遮光構材的異常進行檢測。在本程序的第1遮光構材的異常的檢測例如可依示於圖4的流程圖進行。此外，在S46，控制部17判定是否已對在基板之複數個照射區域的全部進行曝光處理。存在未進行曝光處理的照射區域的情況下返回S41，將未進行曝光處理的照射區域設定為對象照射區域而進行曝光處理。另一方面，對全部的照射區域進行曝光處理的情況下則結束。

如此，在本實施方式，以在對於最後的照射區域之曝光處理的結束時使用的遮光構材成為異常遮光構材以外的其餘的遮光構材的方式，控制遮蔽器3的旋轉驅動。藉此，可如同第5實施方式，於最後的照射區域，減低從異常遮光構材的漏光的影響，高精度地控制曝光量。

<物品之製造方法的實施方式>

本發明之實施方式相關的物品之製造方法適於製造例如半導體裝置等之微型裝置、具有微細構造的元件等之物品。本實施方式的物品之製造方法包含以下程序：在塗佈於基板的感光劑利用上述的曝光裝置形成潛像圖案(將基板進行曝光)；和將以該程序形成潛像圖案的基板進行顯影(加工)。再者，如此之製造方法包含其他周知的程序(氧化、成膜、蒸鍍、摻雜、平坦化、蝕刻、抗蝕層剝離、切割、接合、封裝等)。本實施方式的物品之製造方法比起歷來的方法，在物品的性能、品質、生產性、生產成本中的至少一者方面有利。

發明不限於上述實施方式，在不從發明的精神及範圍脫離之下，可進行各種的變更及變形。因此，撰寫申請專利範圍以公開發明的範圍。