TWI388937B - 曝光設備及裝置製造方法 - Google Patents

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Description

曝光設備及裝置製造方法
本發明係關於一種曝光設備，其以來自光源的照明光來照亮光罩且自該光罩將光投射至基板上以使該基板曝光，及使用該曝光設備來製造裝置的方法。
日本專利公告第61-34252號揭示具有以下配置的曝光設備：藉由光電檢測器而檢測來自基板或去至基板之光強度，獲得對應於檢測值之頻率的輸出脈波，計數該等脈波，以及當所計數脈波的數目達到預定脈波計數時而關閉光閥。於光閥中，一旋轉碟交替地設有遮光部及透光部。藉由旋轉該光閥，控制照明光的遮光狀態及透光狀態。光閥的操作延遲時間所造成之誤差，亦即，在自光閥關閉信號被產生至光閥完全關閉之期間之基板的劑量(曝光量)，必須被校正。為此目的，當開啟光閥時由於光閥操作延遲對應至劑量之脈波被計數。考量脈波計數來校正產生光閥關閉信號之時序。
當以小劑量實施曝光控制時，以日本專利公告第61-34252號中所述之配置，關閉光閥之時序有時可能會來不及。為防止此情形，未計數脈波而關閉光閥的方法、或當光強度係低時計數如上述之脈波以及當所計數脈波的數量達到預定脈波計數時而關閉光閥的方法可被採用。作為降低光強度的方法，沿著光軸移動光源的位置的方法、及將 中性密度濾波器插在光源及基板之間的方法是可能的。
未計數脈波而關閉光閥的方法，然而，需要能保證以適當劑量使晶圓或拍攝區曝光之技術。以在降低光強度時實施如上述的曝光控制的方法，產量減小。
本發明就以上背景的認知已被完成，且必須實現高產能及準確劑量控制作為其示範性目的。
依據本發明，提供一種曝光設備，其以來自光源的照明光來照亮光罩且自該光罩將光投射至基板上以使該基板曝光。該設備包含：光閥，其位在該照明光的路徑、檢測器，其配置來檢測對於該基板的劑量、及控制器，其配置來控制該光閥的操作。於使用具有第一光強度的照明光之第一曝光模式，該控制器基於來自該檢測器的輸出而控制該光閥的開啟時間且儲存該開啟時間。於使用具有高於該第一光強度的第二光強度的照明光之第二曝光模式，該控制器基於所儲存開啟時間而控制該光閥的速度。
本發明可達到，例如，高產能及準確曝光量控制。
參照附圖，自示範性實施例的以下說明，本發明的進一步特徵將是顯而易知。
以下將參照附圖說明本發明的較佳實施例。
圖1為顯示依據本發明的較佳實施例之曝光設備的簡 要配置之示意圖。依據本發明的較佳實施例之曝光設備100包含：光源1、光閥4、光罩載台21、投影光學系統6及基板載台22。光罩載台21固持且定位光罩2。光罩2具有諸如形成在其上的半導體電路圖案之圖案。光源1所產生的照明光照亮光罩2。基板載台22固持且定位以光致抗蝕劑(光敏劑)塗佈之基板(晶圓)3。光罩2的圖案係經由投影光學系統6投影至基板3上以形成潛在影像圖案於施於基板3上的光致抗蝕劑。顯影劑使潛在影像圖案顯影，藉此形成抗蝕劑圖案。
光閥4係配置在光源1及光罩載台21之間，且控制自光源1至光罩2之照明光的入射時間以決定基板3的曝光時間。曝光設備100包含：檢測基板3的劑量(曝光量)之檢測器S。曝光量感知器S可包括例如，光學感知器5、放大器7、V/F轉換器9及脈波計數器11。光學感知器5檢測光閥4及光罩載台21間的照明光的強度。光學感知器5包括光接收元件。光接收元件可被配置於光閥4及光罩載台21間之照明光的光學路徑，或藉由鏡接收擷取自光學路徑的光。放大器7將自光學感知器5輸出且指示光強度之信號轉換成電壓信號。V/F轉換器9將自放大器7輸出之電壓信號至轉換成頻率信號。脈波計數器11計數自V/F轉換器9輸出之頻率信號的脈波。脈波計數器11所計數之脈波數指示照明光的光強度的累計量，且因此與基板的劑量成比例。因此，可自脈波計數器獲得之基板的劑量所指示之資訊。
曝光設備100可另包含：控制器13、輸入/輸出裝置15、目標曝光量決定單元16、光閥驅動電路14及類似物。於一特定模式，控制器13基於來自脈波計數器11的輸出而控制該劑量。光閥驅動電路14在接收來自控制器13的指令時驅動以開/關光閥4。輸入/輸出裝置(控制台)15用來輸入/輸出各類型資訊片段。目標曝光量決定單元16決定目標劑量，是基於經由輸入/輸出裝置15輸入之曝光條件，及若需要而輸入的其它資訊。
圖2A、2B及2C為藉由光閥4的操作而解說曝光控制之示意圖。光閥4包括光閥板81。圖2A、2B及2C顯示光閥板81及照明光通過的光學路徑區86間位置關係的實例。圖2A顯示光閥板81的遮光部A阻擋光學路徑區86的狀態。圖2B顯示圖2A的狀態之光閥板81順時鐘旋轉60度以使其不再阻擋光學路徑區86之狀態。圖2C顯示圖2B的狀態之光閥板81進一步順時鐘旋轉60度以使遮光部B阻擋光學路徑區86之狀態。光學路徑區86未被阻擋之狀態係光閥4開啟的狀態，而光學路徑區86被阻擋之狀態為光閥4關閉的狀態。
依據此實施例，當曝光使基板以低劑量曝光時之曝光順序包括使用具有第一光強度的照明光之低速曝光模式(第一曝光模式)、及使用具有高於第一光強度的第二光強度的照明光之高速曝光模式(第二曝光模式)。接在低速曝光模式之後執行高速曝光模式。
低速曝光模式可被實施於一批複數基板中的至少一前 導基板。於低速曝光模式，當進入基板之光的強度減小時，脈波計數器11計數自V/F轉換器9輸出之頻率信號的脈波。當所計數脈波的數目達到目標脈波計數時，光閥4被關閉。係可能以作為使光強度減小至第一光強度的方法、沿著光軸改變光源1的位置的方法或將中性濾光器插在光源及光罩間的方法。
高速曝光模式係針對接在曝光於低速曝光模式的基板之後的基板。例如，當該批中的第一基板被曝光於低速曝光模式時，高速曝光模式對該批的第二及以下基板實施曝光。於高速曝光模式，光閥4被以一旋轉速度旋轉，旋轉速度是基於目標劑量及校正資訊而被決定，目標劑量及校正資訊是由低速曝光模式的曝光控制所獲得的，而未使用來自曝光量感知器S的輸出，或減小光強度，來控制劑量。於單拍攝區的曝光中，於遮光部A完全阻擋光學路徑區86的狀態，如圖2A所示，光閥4可被旋轉地驅動120度，如圖2C所示，曝光時間係自遮光部A結束阻擋光學路徑區86直到遮光部B開始阻擋光學路徑區86。光閥4的旋轉速度決定該時間。
圖3為解說目標劑量及光閥4的旋轉速度(光閥板81的旋轉速度)間的關係之曲線圖。如圖3所述之目標劑量及光閥4的旋轉速度間的關係可藉由實驗或計算來獲得，且可預先儲存於控制器13的記憶體(未顯示)作為例如近似功能或資料表。於以下說明，除非特別註明，不然”記憶體”所指的是控制器13中的記憶體。在記憶體的部分 ，一種如控制器13的外部裝置的記憶體也自然地被作為替代控制器中的記憶體13使用。
圖4為解說布局於基板上的拍攝之示意圖。區域被配置來形成柵格在基板3上，該區域揭示稱為拍攝區之分段曝光區。圖中，拍攝區顯示曝光轉數。
圖5為顯示在執行曝光順序之前，曝光設備100中的決定過程之流程圖。
於步驟S102，控制器13經由輸入/輸出裝置15獲得轉換標準輸入或預先設定值。於步驟S103，控制器13自目標曝光量決定單元16獲得目標曝光量資訊(目標劑量)。
於步驟S104，控制器13比較步驟S102所獲得之轉換標準與步驟S103所獲得之目標劑量。如果目標劑量大於轉換標準，過程前進至步驟S105以執行高劑量模式的曝光順序。如果目標劑量等於或小於轉換標準，控制器13使過程前進至步驟S106以執行低劑量模式的曝光順序。
圖6為顯示高劑量模式的曝光順序之流程圖。於步驟S202，控制器13將目標曝光量決定單元16所提供的目標劑量儲存(亦即，記錄)於記憶體。於步驟S203，控制器13將光閥開啟指令傳送至光閥驅動電路14以開啟光閥4。
於步驟S204，光閥4開啟，且光源1所產生的照明光照亮光罩2以啟動基板3的曝光。同時，基板(晶圓)3的劑量的量測亦被啟動。尤其，放大器7將自光學感知 器5輸出且指示光強度的信號轉換成電壓信號。V/F轉換器9將電壓信號轉換成脈波連列。脈波計數器11計數脈波連列的脈波。
於步驟S205，控制器13讀取脈波計數器11所提供之計數，且決定該計數是否與存於上述的記憶體之目標劑量所決定的脈波計數一致。步驟S205被重複直到脈波計數器11所提供的計數與目標劑量曝光所決定的脈波計數一致。當該兩個計數一致時，控制器13使過程前進至步驟S206。
於步驟S206，控制器13將光閥關閉指令傳送至光閥驅動電路14以關閉光閥4。
圖7為顯示低劑量模式的曝光順序之流程圖。於步驟S302，控制器13決定作為處理目標的基板是否為低速曝光模式之曝光目標。作為低速曝光模式之曝光目標的基板典型地為該批的至少一前導基板。依據例如經由輸入/輸出裝置15輸入之資訊可決定哪一基板應為低速曝光模式之曝光的目標基板。此外，哪一基板應為低速曝光模式之曝光的目標基板可遵照資訊預先設定值作為預設的資訊。作為低速曝光模式之曝光的目標基板，不同於如上述之基板，例如，至少一基板可被選擇以被處理，在曝光設備100的狀態改變後(例如，光源1的操作時間超過參考值)。
當待處理的基板係低速曝光的目標基板時，控制器13使過程前進至步驟S303。如果不是，控制器13使過程前 進至步驟S304。
圖8為顯示低速曝光模式(第一曝光模式)的曝光順序之流程圖。注意到，拍攝數(N)在圖8所示的過程的開始被初始化為1。
於步驟S402，控制器13使進入基板之光的強度減至第一光強度。係可能以作為減小光強度的方法、沿著光軸改變光源1的位置的方法或中性濾光器將插在光源及光罩之間的方法，如以上所述，基於來自曝光量感知器S之輸出而關閉光閥4來減小光的強度，使得目標劑量可被實現。
在光閥4保持開啟達一足夠期間之後，控制器13基於來自低速曝光模式的輸出將光閥關閉指令傳送至光閥驅動電路14以關閉光閥4。以此方法，基板可以以近似的劑量曝光。
於步驟S403，控制器13將目標曝光量決定單元16所提供之目標劑量儲存於記憶體。於步驟S404，控制器13將光閥開啟指令傳送至光閥驅動電路14以開啟光閥4。
於步驟S405，光閥4開啟，且光源1所產生之照明光照亮光罩2以啟動基板3的曝光。放大器7將自光學感知器5且指示光強度而輸出之信號轉換成電壓信號。V/F轉換器9將電壓信號轉換成脈波連列。脈波計數器11計算脈波連列的脈波。
於步驟S406，控制器13讀取曝光量感知器S的脈波 計數器11所提供之計數，且決定該計數是否與存於上述的記憶體之目標劑量所決定之脈波計數一致。步驟S406被重複直到脈波計數器11所提供的計數與目標劑量決定之脈波計數一致。當該二計數一致時，控制器13使該過程前進至步驟S407。
於步驟S407，控制器13將光閥關閉指令傳送至光閥驅動電路14以關閉光閥4。尤其，控制器13基於曝光量感知器S的脈波計數器11所提供之計數來控制關閉光閥4之時序。
步驟S408中，控制器13將自光閥開啟指令(步驟S404)至光閥關閉指令(步驟S407)所需的時序儲存於作為光閥開啟時間(ShutterOpenTime)的記憶體。
於步驟S409，控制器13基於存於步驟S403的目標劑量(TargetDose)及存於步驟S408的光閥開啟時間(ShutterOpenTime)而依據方程式(1)計算校正係數(校正資訊)。於步驟S410，控制器13將作為第二校正係數(Coef2(N))之所計算校正係數(包括作為配置變數的拍攝數(N))儲存於記憶體。
Coef2(N)=ShutterOpenTime×TimeDoseConst/TargetDose(1)
其中N係拍攝數，TargetDose係目標劑量〔J/m2 〕，以及ShutterOpenTime係光閥開啟時間〔S〕。且 TimeDoseConst係比例常數〔J/m2 ．S〕，及Coef2(N)係第二校正係數。
於步驟S411，控制器13決定所有拍攝區是否已接受曝光。如果否，控制器13使拍攝數(N)的遞增1且使過程回到步驟S404。
當低速曝光模式的曝光針對複數基板時，為該複數基板的每一者所獲得之第二校正係數被計算(藉由例如，機構計算)，且用於高速曝光模式之第二校正係數可基於計算結果而獲得。
圖9係顯示高速曝光模式的曝光順序之流程圖。注意到，曝光目標的拍攝數(N)在圖9所示之過程的開始起始於1。
於步驟S501，控制器13檢查進入基板之光的強度是否具有第二光強度(典型為最大光強度)。如果否，控制器13使光強度恢復至第二光強度。
於步驟S502，控制器13將目標曝光量決定單元16所提供之目標劑量存於記憶體。於步驟S503，控制器13獲得存於記憶體之第一校正係數Coef1(N-1)，以為第N拍曝光的目的。第一校正係數Coef1(N-1)將於後描述。
於步驟S504，控制器13計算最後目標劑量(FinalDose)基於第一校正係數Coef1(N-1)、第二校正係數Coef2(N)及目標劑量(TargetDose)而依據方程式(2)。注意到，Coef1(0)可以是隱含值。
FinalDose=TargetDose×Coef1(N-1)×Coef2(N)………(2)
其中N係拍攝數，TargetDose係目標劑量〔J/m2 〕，FinalDose係最後目標劑量〔J/m2 〕，Coef1(N-1)係第一校正係數，以及Coef2(N)係第二校正係數。
於步驟S505，控制器13基於最後目標劑量(FinalDose)來計算光閥4的旋轉速度。光閥4的旋轉速度可藉由參照存於記憶體且指示目標劑量及光閥4的旋轉速度間之關係的近似方程式或資料表所獲得，如參照圖3所述。於圖3所示的實例，假設最後目標劑量係D1，光閥4的對應旋轉速度係R1。
於步驟S506，控制器13將光閥旋轉指令傳送至光閥驅動電路14以旋轉光閥4在步驟S505中所獲得之旋轉速度，藉此旋轉光閥4。
於步驟S507，光閥4開啟，且光源1所產生的照明光照亮光罩2以啟動基板3的曝光。放大器7將自光學感知器5且指示光強度所輸出之信號轉換成電壓信號。V/F轉換器9將電壓信號轉換成脈波連列。脈波計數器11計數脈波連列的脈波。
於步驟S508，控制器13基於光閥旋轉速度等待當光閥4完全關閉之時序。其後，於步驟S509，控制器13結束脈波計數器11的計數操作。注意到，於高速曝光模式(第二曝光模式)中，控制第N拍攝區的劑量之光閥4的操作於第N拍攝區的曝光期間不會依賴曝光量感知器S的 輸出(或計數操作)。
於步驟S510，控制器13自步驟S507及步驟S509間所計數之脈波的數目來計算實際劑量(MeasureResult)。於步驟S510，控制器13亦計算第一校正係數(Coef1)依據方程式(3)自實際劑量(MeasureResult)及最後目標劑量FinalDose。於步驟S510中獲得之第一校正係數(Coef1(N))被使用於計算下一拍攝的最後劑量TargetDose，亦即，第(N+1)拍攝。
Coef1(N)=1/{MeasureResult/TargetDose} (3)
其中N係拍攝數，MeasureResult係實際劑量[J/m2 ]，TargetDose係目標劑量[J/m2 ]。
於步驟S511，控制器13將步驟S510計算出的值以Coef1(N)儲存於與拍攝數(N)有關之記憶體中。
於步驟S512，控制器13決定所有拍攝區是否已接受曝光。如果否，控制器13使拍攝數(N)的遞增1且使過程回到步驟S503。
於以上解說，用於曝光目標的第N拍攝區之最後目標劑量係基於第一校正係數來計算，第一校正係數可藉由已接受曝光之第N-1拍攝區的曝光所獲得。另外，用於第N拍攝區之最後目標劑量可基於用於接近例如，第N拍攝區的拍攝區之第一校正係數來計算。
方程式(1)、(2)及(3)係計算方法的實例。其 它方程式可被使用以取代這些方程式。而且，為每一曝光設備所決定之偏移係數或依據曝光過程條件所決定之偏移係數可被考慮。
在校正光閥的分隔誤差分量時，使用緊接前一拍攝的校正係數的方法係有利的。在校正依照晶圓狀態或過程所產生之誤差分量時，使用附近拍攝的校正係數的方法係有利的。
依據本發明的較佳實施例，例如，於低速曝光模式(第一曝光模式)，關閉光閥之時序係基於來自曝光量感知器的輸出而控制的，且基於光閥開啟時間所獲得之校正資訊被儲存。於高速曝光模式(第二曝光模式)，光閥的操作為基於校正資訊而控制。結果，高輸貫量可藉由高速曝光模式而獲得，且準確曝光量控制亦基於於低速曝光模式所獲得之校正資訊而達到於高速曝光模式。
用於每一拍攝區之校正資訊的計算可抑制拍攝區間之劑量變化。用於基板的周圍部上的拍攝區之劑量傾向不準確。特別地，不規則狀拍攝區(非矩形拍攝區)。此實施例亦致能此種拍攝區的準確曝光。
現將說明利用以上曝光設備之裝置製造方法。圖10為顯示整個半導體裝置製程的程序之流程圖。於步驟1(電路設計)，半導體裝置的電路被設計。於步驟2(光罩製作)，光罩(亦稱為原形或掩膜)係基於所設計電路圖案而製作。於步驟3(晶圓製造)，晶圓(亦稱為基板)係使用諸如矽的材料而製造。於稱為預處理之步驟4(晶 圓過程)，實際電路係使用上述的光罩及晶圓藉由微影術形成在晶圓上。稱為後處理之下一步驟5(組裝)係藉由使用製作於步驟4的晶圓而形成半導體晶片的步驟。此步驟包括諸如組裝過程(切割及接合)及封裝過程(晶片封包)之處理。於步驟6(檢查)，諸如製作於步驟5之半導體裝置的操作檢查測試及耐久性測試之檢查被實施。半導體裝置係藉由這些步驟而完成然後運送(步驟7)。圖11為顯示晶圓過程的詳細程序之流程圖。於步驟11(氧化)，晶圓的表面被氧化。步驟12(CVD)，絕緣膜係形成在晶圓表面上。步驟13(電極形成)，電極係藉由沉積而形成在晶圓上。步驟14(離子植入)，離子被植入晶圓。步驟15(CMP)，絕緣膜係藉由CMP而平面化。於步驟16(抗蝕過程)，光敏劑被施加至晶圓。步驟17(曝光)，上述之曝光設備使以光敏劑塗佈之晶圓經由具有電路圖案的掩膜而曝光，以形成潛在影像圖案在抗蝕劑上。步驟18(顯影)，形成在晶圓上的抗蝕劑之潛在影像圖案被顯影以形成抗蝕圖案。步驟19(蝕刻)，在抗蝕圖案下方的層或基板係經由抗蝕圖案的開口而蝕刻。步驟20(抗蝕移除)，在蝕刻後留下的任何無需抗蝕劑被移除。這些步驟被重複以形成多層電路圖案在晶圓上。
雖然已參照示範性實施例說明本發明，將瞭解到，本發明未受限於所揭示的示範性實施例。以下請求項的範圍將符合最寬廣詮釋以含蓋所有此種修改以及等效結構與功能。
S‧‧‧曝光量感知器
B‧‧‧遮光部
A‧‧‧遮光部
N‧‧‧拍攝數
1‧‧‧光源
2‧‧‧光罩
3‧‧‧基板(晶圓)
4‧‧‧光閥
5‧‧‧光學感知器
6‧‧‧投影光學系統
7‧‧‧放大器
9‧‧‧V/F轉換器
11‧‧‧脈波計數器
13‧‧‧控制器
14‧‧‧光閥驅動電路
15‧‧‧輸入/輸出裝置(控制台)
16‧‧‧目標曝光量決定單元
21‧‧‧光罩載台
22‧‧‧基板載台
81‧‧‧光閥板
86‧‧‧光學路徑區
100‧‧‧曝光設備
圖1為顯示依據本發明的較佳實施例之曝光設備的簡要配置之示意圖；圖2A、2B及2C為藉由光閥操作而解說曝光控制之示意圖；圖3為解說目標劑量及光閥的旋轉速度間的關係之曲線圖；圖4為解說布局於基板上的拍攝之示意圖；圖5為顯示在執行曝光順序之前之曝光設備中的決定過程之流程圖；圖6為顯示高劑量模式的曝光順序之流程圖；圖7為顯示低劑量模式的曝光順序之流程圖；圖8為顯示低速曝光模式(第一曝光模式)的曝光順序之流程圖；圖9為顯示高速曝光模式的曝光順序之流程圖；圖10為顯示整個半導體裝置製程的程序之流程圖；及圖11為顯示晶圓過程的詳細程序之流程圖。
1‧‧‧光源
2‧‧‧光罩
3‧‧‧基板
4‧‧‧光閥
5‧‧‧光學感知器
6‧‧‧投影光學系統
7‧‧‧放大器
9‧‧‧V/F轉換器
11‧‧‧脈波計數器
13‧‧‧控制器
14‧‧‧光閥驅動電路
15‧‧‧輸入/輸出裝置
16‧‧‧目標曝光量決定單元
21‧‧‧光罩載台
22‧‧‧基板載台
100‧‧‧曝光設備
S‧‧‧曝光量感知器

Claims (11)

  1. 一種曝光設備，其以來自光源的照明光來照亮光罩且自該光罩將光投射至基板上以使該基板曝光，該設備包含：光閥，其位在該照明光的路徑；檢測器，其配置來檢測對於該基板的劑量；及控制器，其配置來控制該光閥的操作，其中，於使用具有第一光強度的照明光之第一曝光模式，該控制器配置來基於來自該檢測器的輸出來控制該光閥的開啟光閥時間且儲存該開啟光閥時間，及於使用具有高於該第一光強度的第二光強度之照明光之第二曝光模式，該控制器配置來基於所儲存的開啟光閥時間來控制該光閥的速度，其中，該控制器係配置來控制用於包括複數基板之一批的至少一前導基板之該第一曝光模式的該開啟光閥時間，以及控制用於接在該至少一前導基板後的所有其他基板之該第二曝光模式的該速度。
  2. 如申請專利範圍第1項之設備，其中於該第一曝光模式，該控制器係配置來儲存複數拍攝區的每一者之該開啟時間，及於該第二曝光模式，該控制器係配置來基於對應儲存的開啟時間而控制該複數拍攝區的每一者之該速度。
  3. 如申請專利範圍第1項之設備，其中於該第二曝光模式，該控制器係配置來基於對已接受曝光的拍攝區之劑量進一步控制該速度，該劑量係藉由該檢測器來檢測。
  4. 如申請專利範圍第1項之設備，其中於該第二曝光模式，在啟動該拍攝區的曝光之前，該控制器係配置來決定該拍攝區的該速度。
  5. 如申請專利範圍第1項之設備，其中於該第二曝光模式，該控制器係配置來控制該光閥的旋轉速度。
  6. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該檢測器係配置來藉由累積該照明光的強度而檢測對於該基板的劑量。
  7. 一種裝置製造方法，該方法包含：使用曝光設備使基板曝光；使所曝光基板顯影；及處理所顯影基板以製造該裝置，其中，該曝光設備配置來以來自光源的照明光來照亮光罩且配置來自該光罩將光投射至基板上以使該基板曝光，該曝光設備包含：光閥，其位在該照明光的路徑；檢測器，其配置來檢測對於該基板的劑量；及控制器，其配置來控制該光閥的操作，其中，於使用具有第一光強度的照明光之第一曝光模式，該控制器配置來基於來自該檢測器的輸出來控制該光閥的開啟光閥時間且儲存該開啟光閥時間，及於使用具有高於該第一光強度的第二光強度之照明光 之第二曝光模式，該控制器配置來基於所儲存的開啟光閥時間來控制該光閥的速度其中，該控制器係配置來控制用於包括複數基板之一批的至少一前導基板之該第一曝光模式的該開啟光閥時間，以及控制用於接在該至少一前導基板後的所有其他基板之該第二曝光模式的該速度。
  8. 一種曝光設備，其以來自光源的照明光來照亮光罩且自該光罩將光投射至基板上以使該基板曝光，該設備包含：光閥，其位在該照明光的路徑；檢測器，其配置來檢測對於該基板的劑量；及控制器，其配置來控制該光閥的操作；其中，於使用具有第一光強度的照明光之第一曝光模式，該控制器配置來基於來自該檢測器的輸出來控制該光閥的開啟光閥時間且儲存該開啟光閥時間，及於使用具有高於該第一光強度的第二光強度之照明光之第二曝光模式，該控制器配置來基於所儲存的開啟光閥時間來控制該光閥的速度；其中，於該第一曝光模式，該控制器係配置來儲存複數拍攝區的每一者之該開啟時間，及於該第二曝光模式，該控制器係配置來基於對應儲存的開啟時間而控制該複數拍攝區的每一者之該速度。
  9. 一種曝光設備，其以來自光源的照明光來照亮光罩且自該光罩將光投射至基板上以使該基板曝光，該設備包 含：光閥，其位在該照明光的路徑；檢測器，其配置來檢測對於該基板的劑量；及控制器，其配置來控制該光閥的操作；其中，於使用具有第一光強度的照明光之第一曝光模式，該控制器配置來基於來自該檢測器的輸出來控制該光閥的開啟光閥時間且儲存該開啟光閥時間，及於使用具有高於該第一光強度的第二光強度之照明光之第二曝光模式，該控制器配置來基於所儲存的開啟光閥時間來控制該光閥的速度；其中，該控制器係配置來控制用於包括複數基板之一基板組的至少一前導基板之該第一曝光模式的該開啟光閥時間，以及控制用於接在該至少一前導基板後的所有其他基板之該第二曝光模式的該速度。
  10. 一種曝光設備，其以來自光源的照明光來照亮光罩且自該光罩將光投射至基板上以使該基板曝光，該設備包含：旋轉光閥，其配置來控制在該光罩上照明光的入射；光學感知器，其配置來檢測該照明光的光強度；及控制器，其配置來控制該旋轉光閥的操作，其中，於使用具有第一光強度的照明光之第一曝光模式以暴露第一基板之拍攝區，該控制器配置來基於來自該光學感知器的輸出，而控制該旋轉光閥由透光狀態至遮光狀態的時序，及配置來儲存該旋轉光閥的開啟光閥時間， 及於使用具有高於該第一光強度的第二光強度之照明光之第二曝光模式以暴露該第一基板之後的第二基板之拍攝區，該控制器配置來基於各別拍攝區的目標劑量及各別拍區的校正資訊而旋轉該旋轉光閥，該校正資訊係基於儲存的該開啟光閥時間而獲得，從而使該旋轉光閥由該遮光狀態至該透光狀態，然後使該旋轉光閥由該透光狀態至該遮光狀態。
  11. 一種曝光設備，其以來自光源的照明光來照亮光罩且自該光罩將光投射至基板上以使該基板曝光，該設備包含：旋轉光閥，其配置來控制在該光罩上照明光的入射；光學感知器，其配置來檢測該照明光的光強度；及控制器，其配置來控制該旋轉光閥的操作，其中，於使用具有第一光強度的照明光之第一曝光模式以暴露第一基板之拍攝區，該控制器配置來基於來自該光學感知器的輸出，而控制該旋轉光閥由透光狀態至遮光狀態的時序，及配置來儲存該旋轉光閥的開啟光閥時間，及於使用具有高於該第一光強度的第二光強度之照明光之第二曝光模式以暴露該第一基板之後的第二基板之拍攝區，該控制器配置來基於各別拍攝區的目標劑量及包含各別拍區的校正資訊的校正係數而旋轉該旋轉光閥，該校正資訊係基於儲存的該開啟光閥時間而獲得，從而使該旋轉 光閥由該遮光狀態至該透光狀態，然後使該旋轉光閥由該透光狀態至該遮光狀態。
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