JPH10125590A - 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 - Google Patents

照明装置及びそれを用いた投影露光装置

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JPH10125590A
JPH10125590A JP29777796A JP29777796A JPH10125590A JP H10125590 A JPH10125590 A JP H10125590A JP 29777796 A JP29777796 A JP 29777796A JP 29777796 A JP29777796 A JP 29777796A JP H10125590 A JPH10125590 A JP H10125590A
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Masahito Suzuki
雅仁 鈴木
Katsutoshi Natsubori
勝利 夏堀
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レチクル面上を所定の照明モードに基づく絞
りを用いて照明し、レチクル面上の各種のパターンをウ
エハ面上に高い解像力で投影できる照明装置及びそれを
用いた投影露光装置を得ること。 【解決手段】 複数の絞りを有した絞り手段のうちから
1つの絞りを入力された照明モードに基づいて制御手段
によって選択して光路中に設け、該絞りを通過した光束
で被照射面上を照射する照明装置において、該制御手段
は該光路中に設けた絞りの種類を識別する識別手段から
の信号より、該照明モードに基づいた絞りであるか否か
を判別していること。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は照明装置及びそれを
用いた投影露光装置に関し、特にIC、LSI、磁気ヘ
ッド、液晶パネル、CCD等の微細構造を有するデバイ
スを製造する際に好適なものであり、具体的にはデバイ
スの製造装置である所謂ステッパーにおいて、レチクル
面上のパターンを適切に照明し高い解像力が容易に得ら
れるようにしたものである。
【0002】
【従来の技術】半導体チップの製造技術で用いる投影露
光装置において、レチクル面上のパターンをウエハ面上
に投影する際の解像力を向上させる方法として、露光波
長を固定して光学系のNA(開口数)を大きくしていく
方法や、露光波長を例えばg線からi線へと露光波長を
短波長側に変える方法がある。
【0003】この他、最近では特殊な開口形状の絞りを
用いてレチクル面上への照明方法を変えることにより、
即ち投影光学系の瞳面上に形成される0次光の光強度分
布(有効光源分布)を変える所謂変形照明方法を用いる
ことにより、より解像力を高めた露光方法であり、例え
ば特開平4−267515号公報等で提案されている。
【0004】この変形照明方法では照明系に種類の異な
る複数の絞りを有した絞り手段を設けて、具体的には照
明系中のオプティカルインテグレータの射出面に変形照
明用の絞り手段を設けて、この中から投影すべきパター
ンの形状に合った照明モードが得られる絞りを選択して
用いている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】一般に投影光学系の瞳
面上の有効光源分布(光強度分布)が投影するパターン
像の解像力に大きく影響してくる。この為、現在の半導
体チップ製造用の投影露光装置には各工程毎に最適な方
法でレチクルを照明できる複数の照明モードをもつ変形
照明系を設けることが要望されている。例えば、入力手
段から入力された照明モードに基づく絞りを自動的に選
択し、該選択した絞りを用いてレチクル面上を照明する
方法等が提案されている。しかしながら、実際に照明光
路中に配置された絞りが入力された照明モードに基づく
絞りであるか否かを確認することは行われていなかっ
た。
【0006】本発明は例えば複数の絞りのうちから1つ
の絞りを選択してレチクル面上を照明し、該レチクル面
上のパターンをウエハ面上に投影露光する際に、照明光
路中に配置した絞りが入力された照明モードに基づく絞
りであるか否かを判断し、その結果に基づいて投影露光
を制御することによってレチクル面上のパターンをウエ
ハ面上に高解像力で投影露光することができる照明装置
及びそれを用いた投影露光装置の提供を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の照明装置は、 (1−1)複数の絞りを有した絞り手段のうちから1つ
の絞りを入力された照明モードに基づいて制御手段によ
って選択して光路中に設け、該絞りを通過した光束で被
照射面上を照射する照明装置において、該制御手段は該
光路中に設けた絞りの種類を識別する識別手段からの信
号より、該照明モードに基づいた絞りであるか否かを判
別していることを特徴としている。
【0008】特に、(1-1-1) 前記制御手段は前記識別手
段からの信号が、前記照明モードに基づく絞りでないと
判断したときには、警告手段にその旨の信号を入力して
いることを特徴としている。
【0009】(1−2)複数の絞りを有した絞り手段の
うちから1つの絞りを入力された照明モードに基づいて
制御手段によって選択して光路中に設け、該絞りを通過
した光束で被照射面上を照射する照明装置において、該
絞り手段の各絞りの種類を識別手段で予め検出して該制
御手段に設けたメモリーに記憶しておき、該制御手段は
該入力された照明モードに基づく絞りが該メモリーに記
憶した絞りの中にあるか否かを判断し、該判断結果に基
づいて絞りの光路中の設定又は警告手段にその旨の信号
を入力していることを特徴としている。
【0010】特に構成(1−1)又は(1−2)におい
て、(1-2-1) 前記複数の絞りは、基板に着脱可能に装着
されていること、(1-2-2) 前記複数の絞りは各々種類を
示す識別マークを有していることを特徴としている。
【0011】本発明の投影露光装置は、 (2−1)構成(1−1)又は(1−2)の照明装置に
よって被照射面上に設けた第1物体面上のパターンを投
影光学系で第2物体面上に投影露光していることを特徴
としている。
【0012】(2−2)構成(1−1)の照明装置によ
って被照射面上に設けた第1物体面上のパターンを投影
光学系で第2物体面上に投影露光する際、該制御手段に
よって該識別手段からの信号が予め設定した照明モード
に基づく絞りでないと判断したときは警告手段にその旨
の信号を入力し、予め設定した照明モードに基づく絞り
であると判断したときに投影露光をしていることを特徴
としている。
【0013】(2−3)構成(1−2)の照明装置によ
って入力された照明モードに基づく絞りが前記メモリー
に記憶されており、その絞りが光路中に設定されたとき
に該照明装置によって照明された被照射面上に設けた第
1物体面上のパターンを投影光学系で第2物体面上に投
影露光していることを特徴としている。
【0014】本発明のデバイスの製造方法は、 (3−1)構成(2−1),(2−2)又は(2−3)
の投影露光装置を用いて該レチクル面上のパターンをウ
エハ面上に投影露光した後に、該ウエハを現像処理工程
を介してデバイスを製造していることを特徴としてい
る。
【0015】
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施形態1の要部
概略図である。
【0016】図中、2は楕円鏡である。1は光源として
の発光管であり、紫外線及び遠紫外線等を放射する高輝
度の発光部1aを有している。発光部1aは楕円鏡2の
第1焦点2a近傍に配置している。3はコールドミラー
であり、多層膜を備え、発光部1aからの光の内の大部
分の赤外光と可視光を透過させると共に大部分の紫外光
を反射する。楕円鏡2はコールドミラー3を介して第2
焦点2b近傍に発光部1aの像(光現像)1bを形成し
ている。4は光学系であり、コンデンサーレンズやズー
ムレンズ(変倍光学系)等から成り、第2焦点2b近傍
に形成した発光部像1bをミラー5を介してオプティカ
ルインテグレータ6の光入射面6aに再結像させてい
る。
【0017】オプティカルインテグレータ6は複数の微
小レンズ6−i(i=1〜N)を光軸と直交する平面に
沿って2次元的に所定のピッチで配列してハエの眼レン
ズを構成しており、その光射出面6bの近傍位置7に2
次光源を形成している。ここでオプティカルインテグレ
ータ6は光入射面を有し、光入射面で光源1からの光を
受け、光出射面の近傍位置7に2次光源を形成してい
る。
【0018】8は絞り手段であり、開口形状や透過率分
布等が異なる複数の種類の絞り8a〜8dを図2に示す
ようにターレット状の基板8xに着脱可能に設け、この
うちの1つの絞りを駆動部(モータ)9でターレット基
板8xを回動させることによって照明光路中に位置する
ようにしている。そして該絞りによって後述する投影レ
ンズ19の瞳面20上の光強度分布を種々と変化させて
いる。
【0019】絞り8a〜8dを保持する保持枠8eに
は、各々絞りの種類(開口形状、透過率分布等が異な
る)を識別する為のバーコード等からなる識別マーク8
fが設けられている。尚、識別マークとして、このバー
コードの代わりに情報が記録された磁気テープ等を用い
ても良い。
【0020】22は検出器(識別手段)であり、照明光
路中に配置している絞りの種類を絞りの保持枠8eに設
けた識別マーク8fを読み込むことによって検出し、そ
の識別データを主制御系23に入力している。24は駆
動部制御系であり、主制御系23からの信号に基づく絞
りを光路中に配置するように駆動部9を駆動させてい
る。尚、主制御系23と駆動部制御系24は制御手段の
一要素を構成している。
【0021】本実施形態では絞り手段8の複数の絞りの
うちから1つの絞りを選択することによって入力された
照明モードとなるようにしている。本実施形態におい
て、絞り手段8や光学系4等は2次光源の光強度分布を
変える作用をしている。
【0022】10,11はリレーレンズ、12はミラ
ー、13はレンズである。オプティカルインテグレータ
6の光射出面6b近傍の2次光源7から射出した複数の
光束は1つの絞りを通過し、リレーレンズ10,11で
集光され、ミラー12で反射し、レンズ13によってマ
スキングブレード14に入射し、該マスキングブレード
14の開口面を均一に照明している。マスキングブレー
ド14は複数の可動の遮光板より成り、任意の開口形状
が形成されるようにしている。
【0023】15,17は結像レンズであり、ミラー1
6を介しマスキングブレード14の開口を被照射面とし
てのレチクル18面上に結像し、且つレチクル18面上
の必要な領域を均一に照明している。ここでリレーレン
ズ10,11、ミラー12、結像レンズ15,17等は
2次光源7からの光で被照射面18を照射している。
【0024】19はレンズ系より成る投影光学系であ
り、レチクル18面上の回路パターンをウエハチャック
に載置したウエハ(基板)21面上に縮小投影してい
る。投影光学系は屈折系の他に投影ミラー等の反射系を
含む反射屈折光学系等により構成しても良い。20は投
影光学系19の瞳面(絞り、NA絞り)である。
【0025】本実施例における光学系では、発光部1a
と第2焦点2bとオプティカルインテグレータ6の入射
面6aが略共役関係となっている。又マスキングブレー
ド14とレチクル18とウエハ21が共役関係となって
いる。又、絞り8と投影光学系19の瞳面20とが略共
役関係となっている。
【0026】本実施例では以上のような構成により、レ
チクル18面上の回路パターンをウエハ21面上に縮小
投影し、ウエハ21を回路パターン像により露光してい
る。そして所定の現像処理過程を経て半導体素子を製造
している。
【0027】図3は本実施形態における絞りの切り換え
動作のフローチャートである。
【0028】次に図3のフローチャートを図1,図2を
参照して説明する。
【0029】主制御系23にて入力された照明モードに
応じた設定を行う(ステップ301)。ステップ301
の処理に従い次に主制御系23から駆動制御系24に指
令を与え駆動部9が絞り手段8を切り換えて所定の照明
モードなる絞りを光路中に配置する(ステップ30
2)。次に絞りの保持枠8eに設けたバーコード8fを
検出器22で読み取り(ステップ303)判別処理を行
う(ステップ304)。ここで絞りが設定された絞りと
なっているという正しい結果なら露光処理を行い(ステ
ップ305)、設定された絞りが配置されていないとい
う正しくない結果なら露光せず警告手段25にその旨の
信号を入力してオペレーターに警告を促す(ステップ3
06)。
【0030】本実施形態では以上のようにして照明モー
ドに応じた絞りが正しく光路中に配置されているか否か
を検出し、配置されていないときは、その旨をオペレー
タに警告し、配置されて予め設定した照明モードで被照
射面を照明されているときにのみ被照射面に設けたレチ
クル面上のパターンをウエハ面上に投影露光するように
している。
【0031】図4は本発明の実施形態2に係る絞りの切
り換え動作のフローチャートである。
【0032】次に図4のフローチャートを図1,図2を
参照して説明する。
【0033】駆動部9によって絞り手段8を一回転させ
検出器22により絞り手段8が有する全ての絞りの保持
枠8eに設けた全てのバーコードを読み取り(ステップ
401)、その情報を主制御系23のメモリーに書き込
む。次に主制御系23で設定されている入力手段(不図
示)から入力された照明モードの情報をメモリーから読
む(ステップ402)。次にステップ401とステップ
402で得られた情報をもとに設定された照明モードが
設定可能か否かの判別を行い(ステップ403)、設定
不可能なら警告手段25にその旨の信号を入力してオペ
レーターに照明モードの再設定もしくは絞りの交換を促
す警告を発する(ステップ404)。また設定可能なら
適切な絞り(σ絞り)に切り換える指令を主制御系23
が駆動部制御系24に与える。そして駆動系9を駆動さ
せて絞りの切り換え動作を行い(ステップ405)、設
定した照明モードで露光処理を行う(ステップ40
6)。これによって図3の実施形態1と同様の効果を得
ている。
【0034】次に上記説明した投影露光装置を利用した
半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。
【0035】図5は半導体デバイス(ICやLSI等の
半導体チップ、或いは液晶パネルやCCD等)の製造の
フローを示す。
【0036】ステップ1(回路設計)では半導体デバイ
スの回路設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【0037】一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4
(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【0038】次のステップ5(組立)は後工程と呼ば
れ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシ
ング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封
入)等の工程を含む。
【0039】ステップ6(検査)ではステップ5で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0040】図6は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。
【0041】ステップ13(電極形成)ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打
込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【0042】ステップ17(現像)では露光したウエハ
を現像する。ステップ18(エッチング)では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ19(レジス
ト剥離)ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【0043】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易に製
造することができる。
【0044】
【発明の効果】本発明によれば以上のように例えば複数
の絞りのうちから1つの絞りを選択してレチクル面上を
照明し、該レチクル面上のパターンをウエハ面上に投影
露光する際に、照明光路中に配置した絞りが入力された
照明モードに基づく絞りであるか否かを判断し、その結
果に基づいて投影露光を制御することによってレチクル
面上のパターンをウエハ面上に高解像力で投影露光する
ことができる照明装置及びそれを用いた投影露光装置を
達成することができる。
【0045】この他、本発明によれば、変形照明に応じ
て必要なσを得る為の絞り切り換え制御を正確に行うこ
とが可能となり、更に照明条件に合わせて絞りの組み合
わせを変更することが容易に行えることができるという
効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態1の要部概略図
【図2】 図1の一部分の説明図
【図3】 本発明の実施形態1の動作のフローチャート
【図4】 本発明の実施形態2の動作のフローチャート
【図5】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
【図6】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
【符号の説明】
1 光源 2 楕円鏡 3,5,12,16 ミラー 4 光学系 6 オプティカルインテグレータ 8 絞り手段 8a〜8d 絞り 8e 保持枠 8f 識別マーク 8x 基板 9 駆動系 10,11 リレーレンズ 14 マスキングブレード 18 レチクル 19 投影光学系 21 ウエハ 23 主制御系 24 駆動部制御系 25 警告手段

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の絞りを有した絞り手段のうちから
    1つの絞りを入力された照明モードに基づいて制御手段
    によって選択して光路中に設け、該絞りを通過した光束
    で被照射面上を照射する照明装置において、該制御手段
    は該光路中に設けた絞りの種類を識別する識別手段から
    の信号より、該照明モードに基づいた絞りであるか否か
    を判別していることを特徴とする照明装置。
  2. 【請求項2】 前記制御手段は前記識別手段からの信号
    が、前記照明モードに基づく絞りでないと判断したとき
    には、警告手段にその旨の信号を入力していることを特
    徴とする請求項1の照明装置。
  3. 【請求項3】 複数の絞りを有した絞り手段のうちから
    1つの絞りを入力された照明モードに基づいて制御手段
    によって選択して光路中に設け、該絞りを通過した光束
    で被照射面上を照射する照明装置において、該絞り手段
    の各絞りの種類を識別手段で予め検出して該制御手段に
    設けたメモリーに記憶しておき、該制御手段は該入力さ
    れた照明モードに基づく絞りが該メモリーに記憶した絞
    りの中にあるか否かを判断し、該判断結果に基づいて絞
    りの光路中の設定又は警告手段にその旨の信号を入力し
    ていることを特徴とする照明装置。
  4. 【請求項4】 前記複数の絞りは、基板に着脱可能に装
    着されていることを特徴とする請求項1,2又は3の照
    明装置。
  5. 【請求項5】 前記複数の絞りは各々種類を示す識別マ
    ークを有していることを特徴とする請求項1,2,3又
    は4の照明装置。
  6. 【請求項6】 請求項1〜5のいずれか1項記載の照明
    装置によって照明された被照射面上に設けた第1物体面
    上のパターンを投影光学系で第2物体面上に投影露光し
    ていることを特徴とする投影露光装置。
  7. 【請求項7】 請求項1記載の照明装置によって照明さ
    れた被照射面上に設けた第1物体面上のパターンを投影
    光学系で第2物体面上に投影露光する際、該制御手段に
    よって該識別手段からの信号が予め設定した照明モード
    に基づく絞りでないと判断したときは警告手段にその旨
    の信号を入力し、予め設定した照明モードに基づく絞り
    であると判断したときに投影露光をしていることを特徴
    とする投影露光装置。
  8. 【請求項8】 請求項3記載の照明装置によって入力さ
    れた照明モードに基づく絞りが前記メモリーに記憶され
    ており、その絞りが光路中に設定されたときに該照明装
    置によって照明された被照射面上に設けた第1物体面上
    のパターンを投影光学系で第2物体面上に投影露光して
    いることを特徴とする投影露光装置。
  9. 【請求項9】 請求項6,7又は8の投影露光装置を用
    いて、レチクルのデバイスパターンを基板上に投影し且
    つ転写する段階を含むことを特徴とするデバイス製造方
    法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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